JPH01316951A - フイルムキャリヤ及びその製造方法 - Google Patents
フイルムキャリヤ及びその製造方法Info
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- JPH01316951A JPH01316951A JP63146772A JP14677288A JPH01316951A JP H01316951 A JPH01316951 A JP H01316951A JP 63146772 A JP63146772 A JP 63146772A JP 14677288 A JP14677288 A JP 14677288A JP H01316951 A JPH01316951 A JP H01316951A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体チップ等の電子部品を配線板に実装する
のに適したリード部をもつフィルムキャリヤ及びその製
造方法に関するものである。
のに適したリード部をもつフィルムキャリヤ及びその製
造方法に関するものである。
一般にＩＣやＬＳＩ等の半導体チップは数ミリ角、厚さ
１００ミクロン程度の小片なので、このままでは配線板
に装着しにくい。そのため通常ＩＣ又はＬＳＩ用パッケ
ージと呼ばれている一種の容器に収納されている。
１００ミクロン程度の小片なので、このままでは配線板
に装着しにくい。そのため通常ＩＣ又はＬＳＩ用パッケ
ージと呼ばれている一種の容器に収納されている。
このＩＣ，ＬＳＩ用パッケージの基本形は、半導体チッ
プが放熱用金属板であるヒートシンク上に装着され、ボ
ンディングワイヤーにより前記チップの電極端子と外部
回路接続用リード線とが接合されている構造を有してい
る。
プが放熱用金属板であるヒートシンク上に装着され、ボ
ンディングワイヤーにより前記チップの電極端子と外部
回路接続用リード線とが接合されている構造を有してい
る。
前記リード線はパッケージ外にムカデの足のように突出
しており、ピンとも呼ばれている。
しており、ピンとも呼ばれている。
このようなＩＣ，ＬＳＩ用パッケージはピンが垂直下方
向に両側から２列に突き出ているデュアルインラインパ
ッケージ（Ｄ Ｉ Ｐ）方式とピンが四辺の平面方向に
突き出ているフラットパッケージ（ＦＰ）方式が今のと
ころ主流となっている。
向に両側から２列に突き出ているデュアルインラインパ
ッケージ（Ｄ Ｉ Ｐ）方式とピンが四辺の平面方向に
突き出ているフラットパッケージ（ＦＰ）方式が今のと
ころ主流となっている。
前記ＦＰ方式はリード数（ピン数）をＤＩＰ方式よりも
比較的多くできるので配線板上の実装密度をやや高める
ことができるという利点がある。
比較的多くできるので配線板上の実装密度をやや高める
ことができるという利点がある。
しかしながら最近ではＬＳＩの高集積化が進み、それに
比例してピン数も急速に増加する傾向にあるので、前記
のようなＦＰ方式やＤＩＰ方式では間に合わず、多ピン
化に対応できる新しいパッケージ方式が求められていた
。
比例してピン数も急速に増加する傾向にあるので、前記
のようなＦＰ方式やＤＩＰ方式では間に合わず、多ピン
化に対応できる新しいパッケージ方式が求められていた
。
このような中でフィルムキャリヤ（テープキャリヤとも
言う）と呼ばれるパッケージ方式が開発された。
言う）と呼ばれるパッケージ方式が開発された。
このフィルムキャリヤ方式は第１図に示すようにスプロ
ケットホール１のついた長尺のテープ２からなり、この
テープ２の基材にはポリイミド。
ケットホール１のついた長尺のテープ２からなり、この
テープ２の基材にはポリイミド。
ポリエステル、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリ
パラパニック酸（ＰＰＡ）などの樹脂を使用し、その上
に銅箔を貼り、これをさらにフォトエツチングにより銅
製のインナーリード（チップボンディング用フィンガー
）３及び銅製のアウターリード（外部接続用フィンガー
）４を形成したものである。
パラパニック酸（ＰＰＡ）などの樹脂を使用し、その上
に銅箔を貼り、これをさらにフォトエツチングにより銅
製のインナーリード（チップボンディング用フィンガー
）３及び銅製のアウターリード（外部接続用フィンガー
）４を形成したものである。
なお、明細書中においてはインナーリード３及びアウタ
ーリード４等の微少パターンを総称してリード部とする
。
ーリード４等の微少パターンを総称してリード部とする
。
一般的に行われているこの工程をもう少し詳しく説明す
ると、長尺テープ状のポリイミド等の樹脂にデバイス孔
を打抜き加工後、回路を形成する金属として３５ミクロ
ン程度の厚みの銅箔をラミネートし、次に前記銅箔にレ
ジスト塗布、パターンの焼付け、露光、現像、エツチン
グ処理し、前記レジストの剥離除去後、さらにめっきと
いう工程を経て第１図に示すようなリード部をもつ微細
なパターンを形成するものである。
ると、長尺テープ状のポリイミド等の樹脂にデバイス孔
を打抜き加工後、回路を形成する金属として３５ミクロ
ン程度の厚みの銅箔をラミネートし、次に前記銅箔にレ
ジスト塗布、パターンの焼付け、露光、現像、エツチン
グ処理し、前記レジストの剥離除去後、さらにめっきと
いう工程を経て第１図に示すようなリード部をもつ微細
なパターンを形成するものである。
この第１図に示す様に、半導体チップ等を搭載するため
のベースフィルムの中央部を打抜いたデバイス孔に、銅
箔から形成されたリード部が部分的に突出するように高
密度に配列されている。このリード部の線巾は場合によ
っては数十ミクロンという狭いものになることもある。
のベースフィルムの中央部を打抜いたデバイス孔に、銅
箔から形成されたリード部が部分的に突出するように高
密度に配列されている。このリード部の線巾は場合によ
っては数十ミクロンという狭いものになることもある。
一方、半導体チップの電極には、通常フィルムキャリヤ
上のインナーリードに結合するためのバンプが形成され
ている。そして全ての端子を同時に接合するギヤングボ
ンディング法により、前記半導体チップの電極（バンプ
）とフィルムキャリヤ上のインナーリードとを接合する
。そしてリード部を配線板に搭載するときはフィルムキ
ャリヤから銅箔製のアウターリードを半導体素子ととも
に打ち抜きにより切離し、しかる後配線板に実装する。
上のインナーリードに結合するためのバンプが形成され
ている。そして全ての端子を同時に接合するギヤングボ
ンディング法により、前記半導体チップの電極（バンプ
）とフィルムキャリヤ上のインナーリードとを接合する
。そしてリード部を配線板に搭載するときはフィルムキ
ャリヤから銅箔製のアウターリードを半導体素子ととも
に打ち抜きにより切離し、しかる後配線板に実装する。
このように形成されるテープキャリヤは■ テープ状（
長尺）のまま扱うことができ。
長尺）のまま扱うことができ。
スプロケットホールを利用して位置決めができる。
■ ワイヤボンディング方式に比べて、ボンディング時
にインナーリードのつぶれが殆んどないので、端子ピッ
チを著しく詰めることができる（８０ミクロン程度まで
）。
にインナーリードのつぶれが殆んどないので、端子ピッ
チを著しく詰めることができる（８０ミクロン程度まで
）。
■ ギヤングボンディング方式であるため、ボンディン
グ工数は一度で済み端子数に無関係である。
グ工数は一度で済み端子数に無関係である。
■ キャリアにつけたままでチップのバーンインテスト
ができる。
ができる。
■ キャリアが薄く、柔軟性を有するので薄型。
フレキシブル型の実装ができる。
■ 実装後のチップ取り替えが容易である。
などの多くの利点があり、特に多ピン化を必要とする高
密度実装タイプのＬＳＩ用に適するものである。
密度実装タイプのＬＳＩ用に適するものである。
上記のようにフィルムキャリヤ上にラミネートした銅箔
をエツチングして形成したリード部の微細なパターンに
は、半導体チップ（バンプ）との接合を容易にするとと
もにボンディング強度を増し、かつアウターリードのは
んだ付は性を向上させる等のために、通常錫又は錫合金
めっきが施される。
をエツチングして形成したリード部の微細なパターンに
は、半導体チップ（バンプ）との接合を容易にするとと
もにボンディング強度を増し、かつアウターリードのは
んだ付は性を向上させる等のために、通常錫又は錫合金
めっきが施される。
ところが錫又は錫合金めっきはウィスカーの発生がある
という問題を有している。
という問題を有している。
前記のようにフィルムキャリヤ上の微細な回路パターン
は、極めて高密度に配列されたリード部を有し、これが
中央のデバイス孔周辺にあってはポリイミド等の樹脂に
支持されていない間隔の狭い微細な突出部を形成してお
り、上記のようなつイスカーの発生はこのような回路間
の短絡の危険を著しく高めるという問題が発生した。こ
のようなことから狭い間隔をおいて高密度に形成された
リード部の微細な回路に、ウィスカーの発生のない躊又
は錫合金めっきが要求されたのである。
は、極めて高密度に配列されたリード部を有し、これが
中央のデバイス孔周辺にあってはポリイミド等の樹脂に
支持されていない間隔の狭い微細な突出部を形成してお
り、上記のようなつイスカーの発生はこのような回路間
の短絡の危険を著しく高めるという問題が発生した。こ
のようなことから狭い間隔をおいて高密度に形成された
リード部の微細な回路に、ウィスカーの発生のない躊又
は錫合金めっきが要求されたのである。
上記問題点を鋭意研究の結果、ウィスカーの発生を有効
に防止できるフィルムキャリヤ及びその製造方法を開発
したものであり、すなわち本発明は、半導体チップ等の
電子部品を搭載するフィルムキャリヤのリード部にイン
ジウム層と該インジウム層上に錫又は錫合金層を備えて
いることを特徴とするフィルムキャリヤ及び半導体チッ
プ等の電子部品を搭載するフィルムキャリヤのリード部
に無電解めっきによりインジウムをめっきし、次にそ−
の上に無電解めっきにより錫または錫合金をめっきする
ことを特徴とするフィルムキャリヤの製造方法を提供す
るものである。なお、本明細書において記載する銅箔材
への錫の合金めっきはインジウムを含有しない錫合金め
っきを意味するものとする。
に防止できるフィルムキャリヤ及びその製造方法を開発
したものであり、すなわち本発明は、半導体チップ等の
電子部品を搭載するフィルムキャリヤのリード部にイン
ジウム層と該インジウム層上に錫又は錫合金層を備えて
いることを特徴とするフィルムキャリヤ及び半導体チッ
プ等の電子部品を搭載するフィルムキャリヤのリード部
に無電解めっきによりインジウムをめっきし、次にそ−
の上に無電解めっきにより錫または錫合金をめっきする
ことを特徴とするフィルムキャリヤの製造方法を提供す
るものである。なお、本明細書において記載する銅箔材
への錫の合金めっきはインジウムを含有しない錫合金め
っきを意味するものとする。
上記のようにフィルムキャリヤの製造に際し、テープ状
のポリイミド等の樹脂にデバイス孔を形成した後、銅箔
をラミネートし、これをエツチングして第１図に示すよ
うなリード部をもつ微細な回路を形成するが、このよう
にして形成されたリード部は個々に分離独立しているた
め、共通の通電部を形成することができないので、電気
めっきにより錫又は錫合金をめっきすることは事実上困
難である。
のポリイミド等の樹脂にデバイス孔を形成した後、銅箔
をラミネートし、これをエツチングして第１図に示すよ
うなリード部をもつ微細な回路を形成するが、このよう
にして形成されたリード部は個々に分離独立しているた
め、共通の通電部を形成することができないので、電気
めっきにより錫又は錫合金をめっきすることは事実上困
難である。
したがって、インジウム及び錫又は錫合金めっきは無電
解めっきが適用される。
解めっきが適用される。
無電解インジウムめっきの例を次に示すが、本発明にお
いてはこの例に制限されることなく、他の無電解インジ
ウムめっきをもちろん適用することができる。
いてはこの例に制限されることなく、他の無電解インジ
ウムめっきをもちろん適用することができる。
無電 インジウムめっきの
めっき浴
硫 酸 １．３％チオ尿素
１００ｇ／ｆｌ Ｉｎ３＊ ｔａｇ／ Ｑ 温 度 ６０℃析出温度
０．４〜０．５μｍ１５分１１１ｗ１１：５分間めっ
きし、０．４〜０．５μｍの厚みが得られたことを示す
、（以下同様） 錫又は錫合金無電解めっきは通常のめっき方法を用いて
行うことができる。その−例を示すと次の通りである。
１００ｇ／ｆｌ Ｉｎ３＊ ｔａｇ／ Ｑ 温 度 ６０℃析出温度
０．４〜０．５μｍ１５分１１１ｗ１１：５分間めっ
きし、０．４〜０．５μｍの厚みが得られたことを示す
、（以下同様） 錫又は錫合金無電解めっきは通常のめっき方法を用いて
行うことができる。その−例を示すと次の通りである。
なお、錫又は錫合金めっきはこの例に限定される必要は
なく、他の無電解錫又は錫合金めっき法を適用できるこ
とは云うまでもない。
なく、他の無電解錫又は錫合金めっき法を適用できるこ
とは云うまでもない。
無電解錫めっきの
例１
めっき浴
塩化第−錫 ６ｇ／ｆｉ
酒石酸 ３９ｇ／Ｑ
チオ尿素 ５５ｇＩＱ
操作条件
温 度 室 温析出速度
０．６４ ｐ ｍ／２０ｍ１ｎ例２ めっき浴 塩化第−錫 １８．５ ｇ ／ Ｑ水酸化ナ
トリウム ２２．５ ｇ ／ Ｑシアン化ナトリ
ウム １８５ｇ／Ｑ 操作条件 温 度 ７０℃析出速度
０．３４ μｍ／２０ｍ１ｎ例３ めっき浴 ティンポジット ＬＴ−３４（シプレー社製）撫作条件 温 度 ６０℃析出速度
１ ｐ ｒａ／１０ｍ１ｎ前記の様なめっき浴を用
い、銅箔からなるフィルムキャリヤリード部に先ずＩｎ
を無電解によりめっきする。めっき厚みは０．０１μｍ
以上好ましくは０．０５μｍ以上である。０．０１μｍ
未満ではウィスカー発生防止効果が薄れる。次に該イン
ジウムめっき被膜上にＳｎ又はＳｎ合金を無電解により
めっきする。めっき厚みは０．１μｍ−１，０μｍ好ま
しくは０，５ μｒｎ−０，７μｍである＊０−１μｍ
未満では半田付性が低下し、１．０μｍを超えても特に
支障はないがあまり厚く付けることは経済的ではなく又
、ボンディング時に溶融したＳｎ又はＳｎ合金が短絡を
起こす危険性がある。
０．６４ ｐ ｍ／２０ｍ１ｎ例２ めっき浴 塩化第−錫 １８．５ ｇ ／ Ｑ水酸化ナ
トリウム ２２．５ ｇ ／ Ｑシアン化ナトリ
ウム １８５ｇ／Ｑ 操作条件 温 度 ７０℃析出速度
０．３４ μｍ／２０ｍ１ｎ例３ めっき浴 ティンポジット ＬＴ−３４（シプレー社製）撫作条件 温 度 ６０℃析出速度
１ ｐ ｒａ／１０ｍ１ｎ前記の様なめっき浴を用
い、銅箔からなるフィルムキャリヤリード部に先ずＩｎ
を無電解によりめっきする。めっき厚みは０．０１μｍ
以上好ましくは０．０５μｍ以上である。０．０１μｍ
未満ではウィスカー発生防止効果が薄れる。次に該イン
ジウムめっき被膜上にＳｎ又はＳｎ合金を無電解により
めっきする。めっき厚みは０．１μｍ−１，０μｍ好ま
しくは０，５ μｒｎ−０，７μｍである＊０−１μｍ
未満では半田付性が低下し、１．０μｍを超えても特に
支障はないがあまり厚く付けることは経済的ではなく又
、ボンディング時に溶融したＳｎ又はＳｎ合金が短絡を
起こす危険性がある。
この様に銅箔よりなるリード部にＩｎ続いてＳｎ又はＳ
ｎ合金をめっきすることによりウィスカーの発生を防止
出来ることが判った。
ｎ合金をめっきすることによりウィスカーの発生を防止
出来ることが判った。
この理由としては、Ｉｎを下地めっきすることによりＳ
ｎ又はＳｎ合金めっきの内部応力が何らかの形で除去さ
れているからと考えられる。
ｎ又はＳｎ合金めっきの内部応力が何らかの形で除去さ
れているからと考えられる。
まためっき後、そのままでもウィスカーは十分時げるが
、めっき後５０〜１５０度Ｃの加熱処理を実施するξよ
り効果的である。
、めっき後５０〜１５０度Ｃの加熱処理を実施するξよ
り効果的である。
上記のようにリード部は、母材が３５μ程度の銅箔から
形成された微細回路であるので、高温の加熱はリード部
の軟化変形を生じやすく、フィルムキャリヤの製造工程
あるいはＩＣ等のチップボンディング工程中の変形や短
絡を生ゼしぬる可能性があるので、１５０度Ｃ以下の加
熱とするのが必要である。
形成された微細回路であるので、高温の加熱はリード部
の軟化変形を生じやすく、フィルムキャリヤの製造工程
あるいはＩＣ等のチップボンディング工程中の変形や短
絡を生ゼしぬる可能性があるので、１５０度Ｃ以下の加
熱とするのが必要である。
また、このようにして作製されたリード部は、従来のＳ
ｎめっきだけのものと比較して耐食性、半田付性につい
ては特に変化はなく良好である。
ｎめっきだけのものと比較して耐食性、半田付性につい
ては特に変化はなく良好である。
〔実施例１〕
３５ｍ／ａ幅の通常のポリイミドフィルムに３５μ腫の
銅箔を貼り、これをエツチングして第１図に示すような
リード部をもつ微細な回路を形成したフィルムキャリヤ
を製造した。次に前記例に示した無電解Ｉｎめっき浴に
フィルムキャリヤを５分間浸漬し、リード部に０．５μ
ｍ厚のＩｎめっきを行った。続いて前記例に示したシプ
レー社のティンポジットＬＴ−３４に５分間浸漬し、Ｉ
ｎ層上にＳｎめっきを０．５μｍ行った。
銅箔を貼り、これをエツチングして第１図に示すような
リード部をもつ微細な回路を形成したフィルムキャリヤ
を製造した。次に前記例に示した無電解Ｉｎめっき浴に
フィルムキャリヤを５分間浸漬し、リード部に０．５μ
ｍ厚のＩｎめっきを行った。続いて前記例に示したシプ
レー社のティンポジットＬＴ−３４に５分間浸漬し、Ｉ
ｎ層上にＳｎめっきを０．５μｍ行った。
このようにして作製したフィルムキャリヤを４０℃９５
％ＲＨの条件で１力月保持したが、ウィスカーの発生は
全く見られなかった。
％ＲＨの条件で１力月保持したが、ウィスカーの発生は
全く見られなかった。
（比較例〕
Ｉｎめっきをしないこと以外は実施例１と同様に行ない
フィルムキャリヤを作製した。
フィルムキャリヤを作製した。
このフィルムキャリヤを４０℃９５％ＲＨの条件で１週
間保持したところ１００ケ／■２以上のウィスカーが発
生した。
間保持したところ１００ケ／■２以上のウィスカーが発
生した。
本発明によりウィスカーの発生を完全に防止することが
出来、信頼性の高いフィルムキャリヤが得られる様にな
り、ＩＣ又はＬＳＩ等′の高集積化、多ピン化に対応で
きる本発明は、フィルムキャリヤ製造技術の発展に寄与
するところが大である。
出来、信頼性の高いフィルムキャリヤが得られる様にな
り、ＩＣ又はＬＳＩ等′の高集積化、多ピン化に対応で
きる本発明は、フィルムキャリヤ製造技術の発展に寄与
するところが大である。
第１図はフィルムキャリヤ方式の一例を示す概略説明図
である。 １：スプロケットホール ２：樹脂フィルム ３：インナーリード（チップボンディング用フィンガー
） ４：アウターリード（外部接続用フィンガー）５：テス
ト用バット
である。 １：スプロケットホール ２：樹脂フィルム ３：インナーリード（チップボンディング用フィンガー
） ４：アウターリード（外部接続用フィンガー）５：テス
ト用バット
Claims (2)
- （１）半導体チップ等の電子部品を搭載するフィルムキ
ャリヤのリード部にインジウム層と該インジウム層上に
錫又は錫合金層を備えていることを特徴とするフィルム
キャリヤ。 - （２）半導体チップ等の電子部品を搭載するフィルムキ
ャリヤリード部に無電解めっきによりインジウムをめっ
きし、次にその上に無電解めっきにより錫又は錫合金を
めっきすることを特徴とするフィルムキャリヤの製造方
法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63146772A JPH01316951A (ja) | 1988-06-16 | 1988-06-16 | フイルムキャリヤ及びその製造方法 |
| US07/363,615 US4959278A (en) | 1988-06-16 | 1989-06-08 | Tin whisker-free tin or tin alloy plated article and coating technique thereof |
| EP89110828A EP0346888B1 (en) | 1988-06-16 | 1989-06-14 | Tin whisker-free tin or tin alloy plated article and coating technique thereof |
| DE89110828T DE68913818D1 (de) | 1988-06-16 | 1989-06-14 | Mit whiskerfreiem Zinn oder whiskerfreier Zinnlegierung plattierter Gegenstand und Beschichtungstechnik dafür. |
| KR1019890008190A KR920000592B1 (ko) | 1988-06-16 | 1989-06-14 | 주석위스커의 발생을 방지한 주석 또는 주석합금도금물 및 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63146772A JPH01316951A (ja) | 1988-06-16 | 1988-06-16 | フイルムキャリヤ及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01316951A true JPH01316951A (ja) | 1989-12-21 |
Family
ID=15415197
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63146772A Pending JPH01316951A (ja) | 1988-06-16 | 1988-06-16 | フイルムキャリヤ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01316951A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7160629B2 (en) | 2001-05-24 | 2007-01-09 | Shipley Company, L.L.C. | Tin plating |
-
1988
- 1988-06-16 JP JP63146772A patent/JPH01316951A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7160629B2 (en) | 2001-05-24 | 2007-01-09 | Shipley Company, L.L.C. | Tin plating |
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