CN1160760C - 样件的分离设备与分离方法以及基片的制造方法 - Google Patents
样件的分离设备与分离方法以及基片的制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1160760C CN1160760C CNB991236866A CN99123686A CN1160760C CN 1160760 C CN1160760 C CN 1160760C CN B991236866 A CNB991236866 A CN B991236866A CN 99123686 A CN99123686 A CN 99123686A CN 1160760 C CN1160760 C CN 1160760C
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- exemplar
- tabular
- substrate
- separation equipment
- folded
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N1/00—Sampling; Preparing specimens for investigation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
- Y10T156/11—Methods of delaminating, per se; i.e., separating at bonding face
- Y10T156/1126—Using direct fluid current against work during delaminating
- Y10T156/1137—Using air blast directly against work during delaminating
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
- Y10T156/19—Delaminating means
- Y10T156/1928—Differential fluid pressure delaminating means
- Y10T156/1933—Spraying delaminating means [e.g., atomizer, etc.
- Y10T156/1939—Air blasting delaminating means]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49815—Disassembling
- Y10T29/49821—Disassembling by altering or destroying work part or connector
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T83/00—Cutting
- Y10T83/364—By fluid blast and/or suction
Abstract
本发明提供了以高产率分离具有多孔层的粘合的基片叠的技术。涉及的分离设备有一对基片保持部从上下侧夹住粘合的基片叠且水平地保持其转动。由喷嘴喷出射流到基片叠的多孔层中,而于此多孔层将基片叠分离。另一分离设备则具有:一对基片保持部、将流体注入基片叠的多孔层的喷嘴、以及用来防止下基片保持部突发向下运动但在分离此粘合的基片叠时允许其适度运动的意外操作防止机构。
Description
技术领域
本发明涉及样件的分离设备与分离方法以及基片的制造方法,具体涉及到对于具有分离层的板状样件在此分离层处将其分离的方法与设备以及用此方法与设备的基片制造方法。
发明背景
具有SOI(硅-绝缘体)结构的基片(SOI基片)已知是指在绝缘层上具有单晶Si层的基片。采用这种SOI基片的器件具有许多由通常Si基片所不能获得的优点,举例来说:
(1)由于易实现介质隔离可以提高集成度;
(2)能够提高耐辐射性;
(3)由于杂散电容小可以提高器件的工作速度;
(4)不需太多的步骤;
(5)能够防止闭锁超载;以及
(6)可由薄膜形式工艺形成完全耗尽型场效应管。
由于SOI结构具有上述的种种优点。对它的形成方法已进行了几十年的研究。
作为SOI的一种工艺,由CVD(化学汽相淀积)法于单晶蓝宝石上异质外延生长Si的SOS(硅蓝宝石)工艺早已为人们所熟知。这一SOS工艺曾被誉为最成熟的SOI工艺。但此SOS工艺迄今仍未投入实际应用,这是因为,例如在Si层和其下的蓝宝石基片间界面中晶格失配而生成大量的晶体缺陷,形成蓝宝石基片的铝混入到Si层之中,这样的基片价格昂贵,并且难以获得大的面积。
在SOS工艺之后出现了种种的SOI工艺。在这些SOI工艺中又考察过众多的方法来减少晶体缺陷和降低制造费用。此众多的方法中包括:将氧由离子注入基片来形成埋设的氧化物层的方法;由氧化物膜结合两块晶片然后抛光或腐蚀一块晶片而于此氧化物膜上留下薄的单晶硅层的方法;以及从具有氧化物膜的Si基片表面将氢由离子注入至预定深度,使此基片与另一基片粘合。通过加热或类似处理而在此氧化物膜上留下薄的单晶Si层,然后从此两块粘合的基片中剥离下该另一基片的方法。
本申请人已在公开号为No.5-21338的日本专利申请中公开了一种新的SOI工艺,其中于具有多孔层的单晶半导体基片上通过形成无孔的单晶层(包括单晶Si层)而制备的第1基片,通过一绝缘层而结合到第2基片上。然后,将两块基片于所述多孔层处分离,由此将无孔的单晶层转移到第2基片上。这一工艺的优点在于,SOI层的膜厚有良好的均匀性,可以减少SOI层的晶体缺陷密度,SOI的表面有良好的平面性,不需用特殊规格的价昂制造设备,可以由一台制造设备制成具有约数百个至10μ厚SOI膜的SOI基片。
本申请人还在公开号为No.7-302889的日本专利申请中公开了一种技术,其中将第1与第2基片粘合,将第1基片从第2基片上分离开而不使破裂,将分离下的第1基片的表面平面化,再次形成多孔层,同时再次利用此多孔层。由于此第1基片没有浪费掉,这项技术有利于显著降低制造费用和简化制造过程。
在上述技术中,当通过粘合两块基片而获得的一种基片(以后称作粘合的基片叠)要在多孔层处分离时,最好要以良好的重现性而不损伤基片的条件下分离此粘合的基片。
发明概述
本发明是在考虑到上述情形下而提出的,其目的是提供一种技术,以高产率地分离板状样件,如粘合的基片。
根据本发明的第1方面,提供了用来对具有分离层的板状样件在此分离层处分离开的分离设备,此设备的特征在于它包括有:保持机构,用来将此板状样件保持于基本水平的状态同时能转动此样件;喷射部,用来将流体喷射到此保持机构所保持的板状样件的分离层,以由此流体于分离层处分离此板状样件。
在本发明的第1方面的分离设备中,上述保持机构最好包括例如一对形式的样件保持机构,用来从上、下两侧夹住的方式来保持此板状样件。
在本发明的第1方面的分离设备中,这对保持机构最好具有例如夹具机构,用来分别夹定此板状样件。
在本发明的第1方面的分离设备中,这对保持机构最好具有例如加压力部,用来沿轴向对此板状样件施加压力,同时保持此由压力部施加了压力的板状样件。
在本发明的第1方面的分离设备中,这对保持机构最好具有例如加压力部,用来沿轴向对此板状样件施加压力,同时保持此由加压力部施加了压力的板状样件。
在本发明的第1方面的分离设备中,上述加压力部例如最好用弹簧的力沿轴向对板状样件加压。
在本发明的第1方面的分离设备中,上述加压力部例如最好用汽缸产生的力沿轴向对板状样件加压。
在本发明的第1方面的分离设备中,上述加压力部例如最好用流体压力沿轴向对板状样件加压。
在本发明的第1方面的分离设备中,上述这对样件保持机构例如最好包括Bernoulli夹具。
在本发明的第1方面的分离设备中,上述加压力部例如最好将流体供应到板状样件的表面而由此流体对此样件施加压力。
在本发明的第1方面的分离设备中,上述由该加压力部供应到板状样件表面上的流体例如最好是液体。
在本发明的第1方面的分离设备中,上述由该加压力部供应到板状样件表面上的流体例如最好是气体。
在本发明的第1方面的分离设备中,上述这对样件保持机构的至少一个例如最好包括一与板状样件接触而保持它的保持件,同时例如最好由上述加压力部通过此保持件给板状样件施加压力。
在本发明的第1方面的分离设备中,上述加压力部例如最好用流体对此保持件加压,而通过此保持件将压力施加到此板状样件上。
在本发明的第1方面的分离设备中,上述由加压力部供给于此保持件的流体例如最好是液体。
在本发明的第1方面的分离设备中,上述由加压力部供给于此保持件的流体例如最好是气体。
在本发明的第1方面的分离设备中,上述这对样件保持机构的至少一个例如最好包括一与板状样件接触的保持件以及一用来支承此保持件的Bernoulli夹具。
在本发明的第1方面的分离设备中,上述加压力部例如最好用磁力压此保持件而通过此保持件给板状样件施加压力。
在本发明的第1方面的分离设备中,上述加压力部例如最好从这对样件保持机构下部的样件保持机构对板状样件施加压力,于此同时将上部样件保持机构固定于垂直位置。
在本发明的第1方面的分离设备中,上述加压力部例如最好从这对样件保持机构上部的样件保持机构对板状样件施加压力,于此同时将下部样件保持机构固定于垂直位置。
在本发明的第1方面的分离设备中,上述加压力部例如最好从这对样件保持机构的两个机构对板状样件施加压力。
在本发明的第1方面的分离设备中,上述加压力部例如最好用重物给板状样件施加压力。
在本发明的第1方面的分离设备中,上述加压力部例如最好用多个重物梯度地改变压迫板状样件的力。
在本发明的第1方面的分离设备中,上述加压力部例如最好是,当要分离板状样件周边附近的部分时用较小的力压迫板状样件,而当要分离板状样件中心附近的部分时则用较大的力压迫此板状样件。
在本发明的第1方面的分离设备中,上述加压力部例如最好是,在板状样件的第1分离步骤中用较小的力压迫板状样件,而在板状样件的第2分离步骤中用较大的力压迫板状样件。
在本发明的第1方面的分离设备中,上述加压力部例如最好压迫板状样件中心附近的部分。
在本发明的第1方面的分离设备中,上述保持机构例如最好具有能相对于输送结构接收/转移板状样件的结构,用以夹定板状样件的表面来保持此样件。
在本发明的第1方面的分离设备中,上述保持机构例如最好包括凸形支承部用来保持板状样件,并在同时于板状样件表面的预定部分和前述保持件表面的预定部分间形成一间隙。
在本发明的第1方面的分离设备中,上述保持机构例如最好在本质上保持板状样件的中央部分。
在本发明的第1方面的分离设备中,上述保持机构例如最好包括用来保持板状样件一个表面的样件保持机构。
在本发明的第1方面的分离设备中,上述保持机构例如最好包括用来夹定板状样件的夹具机构。
在本发明的第1方面的分离设备中,上述夹具机构例如最好夹住板状样件的多个部分。
在本发明的第1方面的分离设备中,上述夹具机构附如最好夹住板状样件的周边部分。
在本发明的第1方面的分离设备中,上述夹具机构例如最好将板状样件夹成弯曲形状。
在本发明的第1方面的分离设备中,上述保持机构例如最好具有能使板状样件与输送机构交换用以夹定板状样件的表面来保持此样件的结构。
在本发明的第1方面的分离设备中,上述保持机构例如最好包括基本上处于中央部分的凸形支承部。
在本发明的第1方面的分离设备中,上述夹具机构例如最好是,当要分离板状样件周边附近的部分时夹住板状样件,而当要分离板状样件中心附近的部分时则不夹住板状样件。
在本发明的第1方面的分离设备中,上述夹具机构例如最好是,在板状样件的第1分离步骤中夹住此板状样件,而在板状样件的第2分离步骤中不夹住此板状样件。
在本发明的第1方面的分离设备中,上述夹具机构例如最好包括用来支承板状样件的边缘部的边缘部支承件。
在本发明的第1方面的分离设备中,上述夹具机构例如最好包括:用来支承板状样件边缘部的支承件以及用来转动此多个边缘部支承件中至少一个的转动源,而此板状样件则是通过由此转动的边缘部支承件将转动力传送给板状样件而转动的。
在本发明的第1方面的分离设备中,上述保持机构例如最好包括:用来支承所述边缘支承件的台部以及用来转动此台部的转动源,而板状样件则是通过转动此台部而转动的。
在本发明的第1方面的分离设备中,上述保持机构例如最好包括凸形支承部,用来部分地支承板状样件的下表面。
在本发明的第1方面的分离设备中,上述保持机构例如还最好包括用来部分地支承板状样件下表面的凸形支承部,此凸形支承部则与随设于其上的板状样件一起转动。
本发明的第1方面的分离设备例如最好还包括驱动机构,用来将所述边缘支承部驱动向板状样件外边缘的中心,而在保持住板状样件时,所述驱动机构即将前述边缘部支承件驱向中央。
在本发明的第1方面的分离设备中,所述这些边缘部支承件的各个最好具有由将两个锥体的底部粘合到一起所形成的形状。
本发明的第1方面的分离设备最好还包括有分隔机构,例如用来在板状样件被分成两个样件后将这两个分开的板状样件相互分隔开。
在本发明的第1方面的分离设备中,所述分隔机构例如最好使上述分开的板状样件沿轴向显著地分开。
在本发明的第1方面的分离设备中,所述分隔机构例如最好使上述分开的板状样件沿平面方向显著地分开。
本发明的第1方面的分离设备最好还包括有例如清洗部,用来清洗分离中的板状样件或已被分开的板状样件。
根据本发明的第2方面,提供了对于具有分离层的板状样件于此分离层处加以分离的分离设备,此设备的特征在于它包括有:用来将板状样件保持于基本水平状态同时转动此样件的保持机构;将流体喷射到由此保持机构所保持的板状样件的分离层,以由此流体于分离层处分离板状样件的喷射部。
本发明的第2方面的分离设备例如最好还包括有扫描部,用来在分离板状样件时扫描此喷射部或板状样件。
本发明的第2方面的分离设备例如最好还包括有枢轴部,以使上述喷射部能绕平行于板状样件轴线平行的轴线旋转。
在本发明的第1或第2方面的分离设备中,上述拟处理的板状样件例如最好具有疲劳层来作为这种分离层。
在本发明的第1或第2方面的分离设备中,所述的疲劳层例如最好是多孔层。
在本发明的第1或第2方面的分离设备中,所述的疲劳层例如最好是微腔式层。
在本发明的第1或第2方面的分离设备中,此拟处理的板状样件例如最好是半导体基片。
在本发明的第1或第2方面的分离设备中,此拟处理的板状样件最好是由例如粘合第1和第2粘片形成并且是以疲劳层作为此分离层。
在本发明的第1或第2方面的分离设备中,此拟处理的板状样件例如最好是由下述方式形成:在第1半导体基片的表面上形成多孔层,在此多孔层上形成无孔层,然后在此无孔层上粘合第2基片。
根据本发明的第3方面提供了一种分离装置,此分离装置的特征在于它包括有前述第1或第2方面的分离设备和输送用机器人,此机器人将板状样件依基本水平状态传送到此分离设备,并依基本水平状态接收由此分离设备分离的板状样件。
在本发明的第3方面的分离装置中,所述输送用机器人例如最好在输送板状样件的同时从此样件的下侧支承此样件到分离设备上。
在本发明的第3方面的分离装置中,所述输送用机器人例如最好从分离设备所分离的两个板状样件中接收下部的板状样件,同时由下侧支承此样件。
在本发明的第3方面的分离装置中,所述输送用机器人例如最好从分离设备所分离的两个板状样件中接收上部的板状样件,同时由上侧支承此样件。
本发明的第3方面的分离装置例如最好还包括定心设备,用来使板状样件的中心设置于预定位置,而上述输送用机器人则从此定心设备接收板状样件并将其输送给分离设备。
本发明的第3方面的分离装置例如最好还包括翻转设备,用来使板状样件转过180°而将其翻转,而上述输送用机器人则将分离设备分离出的上部板状样件依水平状态输送到此翻转设备上。
本发明的第3方面的分离装置例如最好还包括清洗/干燥设备,用来清洗和干燥由分离设备所分离的各板状样件。
根据本发明的第4方面的分离装置,提供了对于具有分离层的板状样件于此分离层处将其分离的分离方法,此方法的特征在于它包括有下述步骤:由保持机构依基本水平状态保持此板状样件;从喷射部将流体喷射到板状样件的分离层,并在转动由保持机构所保持的板状样件的同时用此流体于分离层处分离板状样件;然后从保持机构取下分离开的各板状样件。
根据本发明的第5方面,提供了对于具有分离层的样件于此分离层处将其分离的分离方法,此方法的特征在于它包括有下述步骤:由保持机构压迫和保持板状样件于基本水平的状态;从喷射部将流体喷射到此保持机构所保持的板状样件的分离层,而用此流体于分离层处分离板状样件,然后由此保持机构取下分离开的各板状样件。
根据本发明的第6方面,提供了对于具有分离层的样件于此分离层处将其分离的分离方法,此方法的特征在于它包括有下述步骤:将板状样件依水平状态输送给上述分离设备;由分离设备分离板状样件,然后从分离设备接收所分离开的各板状样件。
根据本发明的第7方面,提供了对于具有分离层的样件于此分离层处将其分离的方法,此方法的特征在于它包括有下述步骤:将板状样件于水平状态输送给定心设备并由此定心设备使板状样件的中心设于预定位置;从定心设备接收板状样件并将其于水平状态输送给上述的分离设备,而由此分离设备分离此板状样件;然后从此分离设备接收分离开的各板状样件。
根据本发明的第8方面,提供了对于具有分离层的样件于此分离层处将其分离的方法,此方法的特征在于它包括有下述步骤:将板状样件于水平状态输送给定心设备并由此定心设备将板状样件的中心设于预定位置处;由定心设备接收板状样件并将其于水平状态中输送给上述的分离设备;从此分离设备接收为其所分开的两个板状样件中上面的基片;将此基片输送给翻转设备并由此翻转设备将板状样件转过180°而翻转上述基片,并从此翻转设备接收此板状样件,然后由此分离设备中接收其所分开的两个板状样件的下部基片。
根据本发明的第9方面,提供了对于具有分离层的样件于此分离层处将其分离的方法,此方法的特征在于它包括有下述步骤:将板状样件于水平状态输送给定心设备并由此定心设备将板状样件的中心设于预定位置;从此定心设备接收板状样件并将其于水平状态下送至上述的分离设备而由此分离设备将其分离;从此分离设备接收为它所分开的两个板状样件的上部基片;将此基片输送给翻转设备并由此翻转设备将板状样件转过180°而翻转此基片,由此翻转设备接收此板状样件并将其输送至清洗/干燥设备而由此清洗/干燥设备清洗和干燥此样件;再由上述分离设备接收所分开的两个板状样件的下部基片,输送此基片至上述清洗/干燥设备并由此清洗/干燥设备清洗和干燥所述基片。
根据本发明的第10方面,提供了对于具有分离层的样件于此分离层处将其分离的方法,此方法的特征在于它包括有下述步骤:将板状样件于水平状态输送给上述的分离设备而由此分离设备将其分离;由此分离设备接收所分离开的两个板状样件的上部基片;将此基片输送给翻转设备并由此翻转设备将板状样件转过180°而翻转所述基片;从此翻转设备接收此板状样件;再由此分离设备接收分离开的两个板状样件的下部基片。
根据本发明的第11方面,提供了对于具有分离层的样件于此分离层处将其分离的方法,此方法的特征在于它包括有下述步骤:将板状样件于水平状态输送到上述的分离设备中而由此分离设备将其分离;从此分离设备接收所分开的两个板状样件的上部基片,将此基片输送给翻转设备而由此翻转设备将板状样件转过180°以翻转此基片;从该翻转设备接收此板状样件;将此样件输送至清洗/干燥设备而由此设备清洗和干燥该样件;再由此分离设备接收所分开的两个板状样件的下部基片,将此基片输送给上述清洗/干燥设备而由此设备清洗和干燥这一基片。
根据本发明的第12方面,提供了对于具有分离层的样件于此分离层处将其分离的方法,此方法的特征在于它包括有下述步骤:将板状样件于水平状态输送到上述的分离设备中而由此分离设备将其分离,然后将各个分开的板状样件输送至清洗/干燥设备对其进行清洗和干燥。
根据本发明的第13方面,提供了对于具有分离层的样件于分离层处将其分离的分离方法,此方法的特征在于它包括有下述步骤:对板状样件的分离层喷射流体,同时依基本水平状态保持和转动此板状样件而由此流体于分离层处分离此板状样件。
根据本发明的第14方面,提供了对于具有分离层的样件于分离层处将其分离的分离方法,此方法的特征在于它包括有下述步骤:对板状样件的分离层喷射流体,同时依基本水平状态压迫和保持此板状样件而由此流体于分离层处分离此板状样件。
根据本发明的第15方面提供了制造基片的方法,此方法的特征在于它包括有下述步骤:预备步骤,将具有疲劳层的第1基片粘合到第2基片上制备成粘合的基片叠;分离步骤,用流体将此粘合的基片叠于疲劳层处分离,除去步骤,在分离步骤后除去乘于第2基片上的疲劳层,其中所述分离步骤包括对此粘合的基片叠的疲劳层喷射流体且同时在基本水平状态下保持和旋转此粘合的基片叠,用此流体将基片叠于疲劳层处分离。
根据本发明的第16方面提供了制造基片的方法,此方法的特征在于它包括有下述步骤:预备步骤,将具有疲劳层的第1基片粘合到第2基片上制备成粘合的基片叠;分离步骤,用流体将此粘合的基片叠于疲劳层处分离,除去步骤,在分离步骤后除去留剩于第2基片上的疲劳层,其中所述分离步骤包括对此粘合的基片叠的疲劳层喷射流体且同时在基本水平状态下压迫和保持此粘合的基片叠,用此流体将基片叠于疲劳层处分离。
根据本发明的第17方面提供了用来对具有分离层的板状样件将其于分离层处分离的分离设备,此设备的特征在于它包括有:保持机构,用来保持此板状样件,喷射部,用来将流体喷射到由此保持机构保持的板状样件,而由此流体将板状样件于分离层处分离;意外操作防止机构,用来防止因作用于板状样件上流体的力致保持机构突发运动,同时允许此保持机构于分离板状样件时适度地运动。
在本发明的第17方面的分离设备中,所述意外操作防止机构例如最好包括阻尼机构。
本发明的第17方面的分离设备例如最好还包括转动机构,用来在分离板状样件时使所述保持机构围绕基本上垂直于该喷射部的流体喷射方向的轴线转动。
在本发明的第17方面的分离设备中,所述意外操作防止机构例如最好与该保持机构共中心线。
在本发明的第17方面的分离设备中,所述保持机构例如最好包括一对样件保持部用来夹定和保持板状样件,这对样件保持部中的至少一个能沿基本上垂直于所述喷射部的流体喷射方向运动,而所述意外操作防止机构可以防止此可动的样件保持部产生意外操作,同时允许此可动的样件保持部在分离板状样件时适度地运动。
在本发明的第17方面的分离设备中,所述意外操作防止机构例如最好包括:一可动部分,能通过移动而与所述可动样件夹持部接触;以及一反作用力发生部,用来产生反抗由可动样件保持部作用于所述可动部分的反作用力。 。
在本发明的第17方面的分离设备中,所述可动部分例如最好作光滑地移动。
在本发明的第17方面的分离设备中,所述可动部分例如最好包括活塞,而所述反作用力发生部例如最好包括一形成压力室的构件用来产生压力作用于活塞上,且此构件具有用来使流体从此压力室排出的通道。
在本发明的第17方面的分离设备中,所述意外操作防止机构例如最好具有用来控制流过上述通道的流体的阀。
在本发明的第17方面的分离设备中,所述意外操作防止机构例如最好还包括有复原机构,用来使回缩入上述构件中的活塞伸出同时在分离此板状样件之际使上述流体充填该压力室。
在本发明的第17方面的分离设备中,所述复原机构例如最好具有弹簧,而此活塞即借此弹簧的力以所述流体充填该压力室。
在本发明的第17方面的分离设备中,所述复原机构例如最好包括复原机构用来将上述流体充填此压力室,而所述活塞则因此充填机构以所述流体充填压力室而伸出。
在本发明的第17方面的分离设备中,所述保持机构例如最好还包括加压机构,用来在保持此板状样件时,沿基本上垂直于所述喷射部的流体喷射方向的方向对此板状样件加压。
本发明的第17方面的分离设备例如最好还包括驱动部用来改变从所述喷射部将流体喷射入板状样件内的位置,而此板状样件则在改变位置的同时分离开。
在本发明的第17方面的分离设备中,所述驱动部例如最好包括用来使板状样件围绕基本上垂直于此喷射部的流体喷射方向的轴线转动的马达。
在本发明的第17方面的分离设备中,所述分离层例如最好是疲劳层。
在本发明的第17方面的分离设备中,所述疲劳层例如最好是多孔层。
在本发明的第17方面的分离设备中,所述疲劳层例如最好是微腔式层。
在本发明的第17方面的分离设备中,所述拟加以分离的板状样件例如最好是半导体基片。
在本发明的第17方面的分离设备中,所述拟加以分离的板状样件例如最好是通过将第1基片粘合到第2基片上形成。
根据本发明的第18方面,提供了将流体喷射到具有分离层的板状样件的分离层上,将此板状样件于该流体层处分离的分离方法,此方法的特征在于它包括有这样的步骤:在分离此板状样件的同时防止由于作用于其上的流体的力而致其猛然弯曲,但可允许此板状样件适度地弯曲。
在本发明的第18方面的分离方法中,所述分离层例如最好是疲劳层。
在本发明的第18方面的分离方法中,所述疲劳层例如最好是多孔层。
在本发明的第18方面的分离方法中,所述疲劳层例如最好是微腔式层。
在本发明的第18方面的分离方法中,所述拟加以分离的板状样件例如最好是半导体基片。
在本发明的第18方面的分离方法中,所述拟加以分离的样件例如最好是通过将第1基片粘合到第2基片上形成。
根据本发明的第19方面提供了制造基片的方法,此方法的特征在于它包括有下述步骤:预备步骤,将具有疲劳层的第1基片粘合到第2基片上制备出粘合的基片叠;分离步骤,用流体将此粘合的基片叠于上述疲劳层处分离开;除去步骤,在分离步骤之后除去第2基片上余留的疲劳层,其中所述分离步骤包括在分离此粘合的基片叠的同时防止由于作用于其上的流体的力而致其猛然弯曲,但可允许此粘合的基片叠适度地弯曲。
本发明的其他的目的、特点与优点,可从下面参看附图对本发明的实施例所作的详细描述中获得理解。
附图的简要说明
图1A~1E为剖面图,用来说明依据本发明一最佳实施例来制造SOI基片的步骤;
图2概示本发明第1实施例的分离设备的结构;
图3是概示图2中所示基片保持部的结构的透视图;
图4概示本发明第2实施例的分离设备的结构;
图5概示本发明第3实施例的分离设备的结构;
图6概示本发明第4实施例的分离设备的结构;
图7概示本发明第5实施例的分离设备的结构;
图8概示本发明第6实施例的分离设备的结构;
图9概示本发明第7实施例的分离设备的结构;
图10概示本发明第8实施例的分离设备的结构;
图11概示本发明第9实施例的分离设备的结构;
图12概示本发明第10实施例的分离设备的结构;
图13概示本发明第11实施例的分离设备的结构;
图14概示本发明第12实施例的分离设备的结构;
图15概示本发明第13实施例的分离设置的结构;
图16概示本发明第14实施例的分离设备的结构;
图17概示本发明第14实施例的分离设备的结构;
图18概示本发明第14实施例的分离设备的结构;
图19概示本发明第14实施例的分离设备的结构;
图20为透视图,概示图16~19中所示操作部的结构;
图21概示本发明第15实施例的分离设备的结构;
图22概示本发明第16实施例的分离设备的结构;
图23概示本发明第16实施例的分离设备的结构;
图24概示本发明第16实施例的分离设备的结构;
图25概示本发明第17实施例的分离设备的结构;
图26概示本发明第17实施例的分离设备的结构;
图27概示本发明第18实施例的分离设备的结构;
图28概示本发明第19实施例的分离设备的结构;
图29概示本发明第19实施例的分离设备的结构;
图30概示本发明第20实施例的分离设备的结构;
图31概示本发明第21实施例的分离设备的结构;
图32概示本发明第22实施例的分离设备的结构;
图33概示本发明第23实施例的分离设备的结构;
图34概示本发明第24实施例的分离设备的结构;
图35例示各种分离方法,重点是粘合的基片叠与喷射射流用喷嘴间的关系;
图36例示各种分离方法,重点是粘合的基片叠与喷射射流用喷嘴间的关系;
图37另行例示了各种分离方法,重点是粘合的基片叠与喷射射流用喷嘴间的关系;
图38再另行例示了各种分离方法,重点是粘合的基片叠与喷射射流用喷嘴间的关系;
图39为平面图,概示本发明第25实施例的分离装置的结构;
图40概示本发明第21实施例的分离设备的结构;
图41示明采用了阻尼结构的意外操作防止机构;
图42示明图41中所示意外操作防止机构的第1种变更形式;而
图43示明图42中所示意外操作防止机构的第2种变更形式。
优选实施例的详细描述
本发明的推荐实施例将参考附图说明如下。
图1A至1E为用以说明根据本发明制造SOI基片步骤的截面图。
在图1A所示步骤中,单晶硅基片11被制备好,多孔硅层12在单晶硅基片11上生成,例如使用阳极氧化法。在图1B所示步骤,一非多孔单晶硅层13在多孔硅层12通过外延生长生成。一绝缘层(例如二氧化硅层)15在非多孔单晶硅层13上生成。通过这一过程,第1基片10被制成。
在图1C所示步骤,第2基片20被制备好,并在室温下使其与第1基片10紧密接触,并使绝缘层15面对第2基片20。此后,第1基片10和第2基片20通过阳极氧化粘合、加压、热处理或这些工序的综合粘合。绝缘层15和第2基片20紧密粘合而形成粘合基片叠50。绝缘层15可在非多孔单晶硅层13上生成,如上所述。另一方面,绝缘层15既可在第2基片20上,也可在非多孔单晶硅层13和第2基片20两者上制成,就图1C所示情况而言,这可使第1和第2基片彼此紧密接触来获得。
在图1D所示步骤,两粘合后的基片被从多孔硅层12分开。第2基片侧(10”+20)具有多孔硅层12/单晶硅层13/绝缘层15/单晶硅基片20所构成的多层结构。第1基片侧(10’)具有一种结构,其中多孔硅层12’在单晶硅基片11上制成。
在将剩余的多孔硅层12’去除后,多孔硅层12’的表面按需要平整,分离后的基片(10’)被用作单晶硅基片11,以再次制成第1基片(10)。
在粘合基片叠被分开后,在图1E所示步骤,第2基片侧(10”+20)表面上的多孔层12被有选择地去除。通过这一过程,获得一种具有由单晶硅层13/绝缘层15/单晶硅基片20构成的多层结构,即一种SOI结构。
作为第2基片不只可用单晶硅基片,还用绝缘基片(例如石英基片)或透明基片(例如石英基片)。
在本实施例中,为了有利于粘合两基片和将它们分离,在分离区制成一种具有脆性结构的多孔硅层12要取代多孔层,可制成一种微孔层。微孔层例如可通过对半导体基片进行离子注入而制成。
在本实施例中,在图1D所示步骤的一部分,即分离粘合基片叠的步骤,使用一种分离装置,该装置喷射液体或气体(流体)至少作为分离层的多孔硅层,使粘合基片叠从用作分离层处分离成两个基片。
(分离设备的基本装置)
分离设备使用水力喷射法。通常,水力喷射法向物体喷射一高速、高压水流以切割或加工陶瓷、金属、混凝土、树脂、橡胶或木材,从表面去除覆盖层,或清洁表面。(水力喷射Vol.1,No.1,第4页(1984))。
这种分离设备喷射流体流至多孔层(分离层),由于粘合基片叠的脆性结构,有选择地破碎多孔层,于是在多孔层将基片叠分离。流体流在后面将被看作射流,形成射流的流体将被看作射流介质。作为射流介质,可以用水,一种有机溶液例如酒精,一种酸例如氢氟酸或硝酸,一种碱例如氢氧化钾,一种气体例如空气、氮气、碳酸气、一种稀有(惰性)气体,或腐蚀性气体,或等离子体。
当这种分离设备用于制造一种半导体器件或分离诸如一粘合基片叠时,最好使用带最少金属杂质的纯水作为射流介质。
射流的喷射状态可根据诸如分离区的类型(例如多孔层)或粘合基片叠侧面的形状确定。射流的喷射状态,例如作用在射流介质的压力、射流扫描速度、喷嘴的宽度或直径(喷嘴直径本质上与射流直径相同)、喷嘴形状、喷嘴与分离区间的距离和射流流量是重要参数。
根据使用水力喷射法的分离方法,粘合基片叠可分离成两个基片而不损坏粘合基片叠。
根据本发明推荐实施例之每一种分离设备夹持样件例如粘合基片叠时使样件表面处于本质上水平的位置,在此状态下,在脆性结构处(例如多孔层)分离样件。当使样件表面处于水平状态被夹持时,例如,(1)可防止样件跌落,(2)样件装夹方便,(3)样件输送容易,(4)样件可允许地在分离设备与其它设备之间传输,和(5)分离设备的投影面积(占地面积)可以减小,因为设备的组成部分可沿垂直方向设置。
本发明的推荐实施例将在下面说明。根据实施例的分离装置,适于分离之间基片叠,该粘合基片叠具有作为脆性结构的多孔层或微孔层。分离装置也适于分离另外具有脆性结构的样件。下列实施例特别适于分离这样的样件,该样件具有比其它区更易碎的区作为分离区。例如,此分离装置可分离这样的样件,该样件具有用任一部分作为分离区的均匀结构。然而,在下面说明中,为便于叙述,用图1C所示粘合基片叠50作为被分离样件。
(第1实施例)
图2为表示根据本发明第1实施例分离设备结构原理的视图。分离设备100具有基片保持部270和280。基片保持部270和280从上下两侧使粘合基片叠50水平地夹持在中间并使之旋转。射流从喷嘴260喷出,并喷向粘合基片叠50的多孔层,从而将粘合基片叠50从多孔层分离为两基片。上基片保持部270的一端与转轴140连接。转轴140的另一端通过联轴节130与电机110的转轴连接。电机110与转轴140也可不通过联轴节130连接,而通过,例如,皮带或其它装置连接。电机110固定在支承件120上,该支承件固定在上工作台170上。电机是由控制装置控制。
用于真空夹持放在基片保持部270上粘合基片叠50的真空管141,穿过转轴140延伸。真空管141通过套150与外部真空管连通。外部真空管设有电磁阈(未示出)。电磁阀由控制装置在需要时作开/关控制。基片保持部270具有一吸孔271,用于真空夹持粘合基片叠50。吸孔271与真空管141连通。吸孔271、真空管141和电磁阀组成基片保持部270的真空夹持装置。转轴140通过轴承160支承在上工作台170上。
下基片保持部280连接在转轴180的一端。手柄220连接在转轴180的另一端。此手柄220既可用手操作也可驱动装置(未示出)。压缩弹簧200插入转轴180和支承件210之间并设置在转轴180的后端,用以使下基片保持部280伸出。在分离过程中,粘合基片叠50是由压缩弹簧200施加的原理夹持的。
真空管181穿过转轴180延伸,用于将粘合基片叠50真空夹紧在下基片保持部280上。真空管181通过套190与外部真空管连通。外部真空管设有电磁阀(未示出)。电磁阀由控制装置在需要时作开/关控制。基片保持部280具有一吸孔281,用于真空夹持粘合基片叠50。吸孔281与真空管181连通。吸孔281、真空管1 81和电磁阀组成基片保持部280的真空夹持装置。转轴180通过一往复/旋转导向装置230支承在下工作台上。
下工作台240支承在数个支腿310上。上工作台170支承在下工作台240上。
喷嘴260借助于支承件(未示出)设置在,例如,下工作台240上。在第1实施例的分离装置100中,喷嘴260根据上基片保持部270的位置控制。由电机250驱动的栅栏251设置在喷嘴260和基片保持部270和280之间。当栅栏251被开启,射流从喷嘴260喷出,此射流可射入粘合基片叠50。当栅栏251被关闭,射入粘合基片叠50的射流可被停止。
图3为图2所示基片保持部设置原理的透视图。基片保持部270和280具有,例如,对称结构。基片保持部270和280在其外周边部具有数个导向元件273和283,用于避免粘合基片叠在分离加工时分别产生相对于基片保持部的位置偏移和凸出现象。
为了可用输送机器人的机械手400,将粘合基片叠50输送至基片保持部270或280,以下面支承粘合基片叠50,或夹住背侧表面即与分离表面相背对的表面,并允许机械手从基片保持部接受基片,数个导向元件273和283最好设置在相距适当间隔处使机械手可以进/出。
当以下侧支承的粘合基片叠50输送至基片保持部270和280,粘合基片叠50可有效地避免跌落。
当机械手从基片保持部270和280接受已被分离的基片,而夹住基片的背侧,任何机械手400的污染或基片的跌落可以避免。其理由如下。当被分离的表面被夹住,切屑可能附着在机械手400上,由于被分离表面不平或附着有切屑,夹持力可能减弱。此外,当机械手400从基片保持部270和280接受已被分离的基片而夹住背侧表面,由于切屑而引起基片损伤的风险可以减小。
基片保持部270和280具有中凸支承部272和282,分别接近夹持部的中心。支承部272和282具有防偏移元件290和300,分别设置在支承部的周围。用橡胶或树脂制成的防偏移元件290和300,避免粘合基片叠50在平面上运动。借助于防偏移元件290和300,粘合基片叠50可用小的压力夹住。
用分离设备100进行分离加工的顺序将说明如下。首先,手柄220反抗压缩弹簧200的力向下运动,使基片保持部270与280之间形成适当的间隙。在此状态下,粘合基片叠50水平地被机械手400支承住下表面,并插入基片保持部270和280之间的预定位置。
松开手柄220,使压缩弹簧200起作用,并使下基片保持部280向上运动,从而使基片保持部280压住粘合基片叠50。
电机110启动,向转轴140传递旋转力矩。转轴140、基片保持部270、粘合基片叠50、基片保持部280作为整体旋转。
当栅栏251保持关闭时,与喷嘴260连通的泵(未示出)启动,向喷嘴260供给高压射流介质(例如水)。高压射流从喷嘴260喷射。当射流稳定时,栅栏开启。从喷嘴260喷射出的射流连续喷射进粘合基片叠50的多孔层以开始分离粘合基片叠50。
当对粘合基片叠50的分离结束,栅栏251被关闭,与喷嘴260连通的泵停止,以停止射流喷向粘合基片叠50。电机110也停止。
基片保持部270和280的真空夹持装置起作用(电磁阀启动),使基片保持部270真空夹持分离后的上基片,而基片保持部280真空夹持分离后的下基片。
手柄220,反抗压缩弹簧200的力和在分离后两基片之间的表面张力,向下运动,在基片保持部270和280之间形成预定的间隙。分离后的两基片彼此相距一距离。
机械手400插入基片与基片保持部270之间。机械手400夹住基片。然后,取消基片保持部270的真空夹持装置的夹持。基片从基片保持部270转送至机械手400。机械手400将基片输送至预定位置(例如一种盒)。
机械手400插入基片与基片保持部280之间。机械手400夹住基片。然后,取消基片保持部280的真空夹持装置的夹持。基片从基片保持部280转送至机械手400。机械手400将基片输送至预定位置(例如一种盒)。两分离后的基片可按相反的顺序被机械手接受或同时被两机械手(示未示)接受。
粘合基片叠50被分离为两基片后,射流介质在两基片间存在。当射流介质是液体(例如水)时,表面张力很大。因此,为了用小的力使两基片彼此分开一段距离,最好使由喷嘴260所供给的射流喷射入两基片之间的间隙。在这种情况下,由喷嘴260喷出的射流,在两基片彼此分开一段距离后再停止。作为替代方案,可单独设置一装置,用以喷射用作使两基片彼此分开一段距离的射流。
(第2实施例)
图4为表示根据本发明第2实施例结构原理的视图。与其它图中相同的标号,在图4中本质上表示相同的组成部分。
第2实施例的分离设备500具有气缸320,用作驱动下基片保持部280的驱动装置,以取代第1实施例(图2)中的压缩弹簧200。转轴180与气缸320的活塞杆,通过联轴节330连接。气缸320由控制装置控制。
用分离设备500进行分离加工的顺序将说明如下。首先,气缸320缩回活塞杆,使基片保持部270与280之间形成适当的间隙。在此状态下,粘合基片叠50水平地被机械手400支承住下表面,并插入基片保持部270和280之间的预定位置。
气缸320伸出活塞杆,使下基片保持部280向上运动。基片保持部280压住并夹持粘合基片叠50。
电机110启动,向转轴140传递旋转力矩。转轴140、基片保持部270、粘合基片叠50、基片保持部280作为整体旋转。
当栅栏251保持关闭时,与喷嘴260连通的泵(未示出)启动,向喷嘴260供给高压射流介质(例如水)。高压射流从喷嘴260喷射。当射流稳定时,栅栏251开启。从喷嘴260喷射出的射流连续喷射进粘合基片叠50的多孔层以开始分离粘合基片叠50。
当对粘合基片叠50的分离结束,栅栏251被关闭,与喷嘴260连通的泵停止,以停止射流喷向粘合基片叠50。电机110也停止运行。
基片保持部270和280的真空夹持装置起作用(电磁阀启动),使基片保持部270真空夹持分离后的上基片,而基片保持部280真空夹持分离后的下基片。
气缸320缩回活塞杆,使在其片夹持部270和280之间形成预定的间隙,两分离后的基片彼此相距一段距离。
机械手400插入基片与基片保持部270之间。机械手400夹住基片。然后,取消基片保持部270的真空夹持装置的夹持。基片从基片保持部270转送至机械手400。机械手400将基片输送至预定位置(例如一种盒)。
机械手400插入基片与基片保持部280之间。机械手400夹住基片。然后,取消基片保持部280的真空夹持装置的夹持。基片从基片保持部280转送至机械手400。机械手400将基片输送至预定位置(例如一种盒)。两分离后的基片可按相反的顺序被机械手接受或同时被两机械手(未示出)接受。
粘合基片叠50被分离为两基片后,射流介质在两基片间存在。当射流介质是液体(例如水)时,表面张力很大。因此,为了用小的力使两基片彼此分开一段距离,最好使由喷嘴260所供给的射流喷射入两基片之间的间隙。在这种情况下,由喷嘴260喷出的射流,在两基片彼此分开一段距离后再停止。作为替代方案。可单独设置一装置,用以喷射用作使两基片彼此分开一段距离的射流。
(第3实施例)
图5为表示根据本发明第3实施例结构原理的视图。与其它图中相同的标号,在图5中本质上表示相同的组成部分。
分离设备600借助于在分离加工时流体压力夹持粘合基片叠50。此分离设备600具有一对基片保持部270和610,用以夹持粘合基片叠50。上基片保持部270及其组成元件与上述相同。
下基片保持部610与升降轴620的端部连接。基片保持部610具有流体吹送部611,用于使流体的压力作用在粘合基片叠50上以压住并夹持粘合基片叠50。此流体吹送部611经过设置在升降轴620内的压力管622与外部压力管连通。外部压力管设有电磁阀(未示出)。电磁阀由控制装置在需要时作开/关控制。升降轴620通过一往复导向装置631支承在下工作台上。
下基片保持部610具有一吸孔612,用于真空夹持粘合基片叠50。吸孔612经过升降轴620内的真空管621,与外部真空管连通。外部真空管设有电磁阀(未示出)。电磁阀由控制装置在需要时作开/关控制。
下基片保持部610,在其外周边部具有数个导向元件,用于避免粘合基片叠在分离加工时分别产生相对于基片保持部的位置偏移和凸出现象,就像图3所示基片保持部那样。导向元件最好设置在相距适当间隔处使机械手可以进/出,就像上述导向元件283(273)那样。
借助于上述设置,当粘合基片叠50在分离加工过程中被流体压力压住并夹持时,一已经被分离的粘合基片叠50,由于喷射入粘合基片叠50的射流介质的缘故,允许翘曲。此外,翘曲量可以适当限制。用于夹持粘合基片叠50的流体可用气体例如空气或液体例如水。
升降轴620通过联轴节330与气缸320的活塞杆连接。升降轴620的垂直运动由气缸320控制。可采用另外的驱动装置(例如弹簧)取代气缸320。
用分离设备600进行分离加工的顺序将说明如下,首先,气缸320缩回活塞杆,使基片保持部270与610之间形成适当的间隙。在此状态下,粘合基片叠50水平地被机械手400支承住下表面,并插入基片保持部270和610之间的预定位置,并放在基片保持部610上。
气缸320伸出活塞杆,使下基片保持部610向上运动,直至一预定的间隙在粘合基片叠50的上表面与上基片保持部270的支承面形成。
外部压力管的电磁阀启动,从基片保持部610的流体吹送部611吹送流体。粘合基片叠50被浮起,压在上基片保持部270上并夹持住。
电机110启动,向转轴140传递旋转力矩。转轴140、基片保持部270、粘合基片叠50作为整体旋转。
当栅栏251保持关闭时,与喷嘴260连通的泵(未示出)启动,向喷嘴260供给高压射流介质(例如水)。高压射流从喷嘴260喷射。当射流稳定时,栅栏251开启。从喷嘴60喷射出的射流连续喷射进粘合基片叠50的多孔层以开始分离粘合基片叠50。
当对粘合基片叠50的分离结束,栅栏251被关闭,与喷嘴260连通的泵停止,以停止射流喷向粘合基片叠50,电机110也停止运行。
基片保持部270和610的真空夹持装置起作用(电磁阀启动),使基片保持部270真空夹持分离后的上基片,而基片保持部610真空夹持分离后的下基片。
气缸320缩回活塞杆,使在基片保持部270和610之间形成预定的间隙,两分离后的基片彼此相距一段距离。
机械手400插入基片与基片保持部270之间。机械手400夹住基片。然后,取消基片保持部270的真空夹持装置的夹持。基片从基片保持部270转送至机械手400。机械手400将基片输送至预定位置(例如一种盒)。
机械手400插入基片与基片保持部610之间。机械手400夹住基片。然后,取消基片保持部610的真空夹持装置的夹持。基片从基片保持部610转送至机械手400。机械手400将基片输送至预定位置(例如一种盒)。两分离后的基片可按相反的顺序被机械手接受或同时被两机械手(未示出)接受。
粘合基片叠50被分离为两基片后,射流介质在两基片间存在。当射流介质是液体(例如水)时,表面张力很大。因此,为了用小的力使两基片彼此分开一段距离,最好使由喷嘴260所供给的射流喷射入两基片之间的间隙。在这种情况下,由喷嘴260喷出的射流,在两基片彼此分开一段距离后再停止。作为替代方案,可单独设置一装置,用以喷射用作使两基片彼此分开一段距离的射流。
(第4实施例)
图6为表示根据本发明第4实施例结构原理的视图。与其它图中相同的标号,在图6中本质上表示相同的组成部分。
第4实施例的分离设备700具有近似于第3实施例之分离设备600的升降装置。更具体地说,分离设备700具有一对基片保持部710和280。基片保持部710和280水平地夹持粘合基片叠50时,是将它夹放在上下两侧之间。一射流从喷嘴260喷出,并喷射至接近粘合基片叠50的多孔层处,从多孔层将其分离为两基片。
上基片保持部710与一升降轴720的一端连接。基片保持部710使流体压力作用在粘合基片叠50上,并借助于流体压力夹持粘合基片叠50。
上基片保持部710与升降轴720的端部连接。基片保持部710具有流体吹送部711,用于使流体的压力作用在粘合基片叠50上以压住并夹持粘合基片叠50。此流体吹送部711经过设置在升降轴720内的压力管722与外部压力管连通。外部压力管设有电磁阀(未示出)。电磁阀由控制装置在需要时作开/关控制。升降轴720通过一往复导向装置723支承在下工作台上。
基片保持部710具有一吸孔712,用于真空夹持粘合基片叠50。吸孔经过升降轴720内的真空管721,与外部真空管连通。外部真空管设有电磁阀(未示出)。电磁阀由控制装置控制使在需要时作开/关控制。
上基片保持部710,在其外周边部具有数个导向元件,用于避免粘合基片叠在分离加工时分别产生相对于基片保持部的位置偏移和凸出现象,就像图3所示基片保持部那样。导向元件最好设置在相距适当间隔处使机械手可以进/出,就像上述导向元件283(273)那样。
借助于上述设置,当粘合基片叠50在分离加工过程中被流体压力压住并夹持时,一已经被分离的粘合基片叠50,由于喷射入粘合基片叠50的射流介质的缘故,允许翘曲。此外,翘曲量可以适当限制。用于夹持粘合基片叠50的流体可用气体例如空气或液体例如水。
升降轴720的另一端,借助于联轴节730与气缸740的活塞杆连接。气缸740固定在上工作台170上。
下基片保持部280与转轴750的一端连接。转轴750的另一端借助于联轴节770与电机790连接。电机790安装在支承件780上,该支承件安装在下工作台240上。
用分离设备700进行分离加工的顺序将说明如下。首先,气缸740缩回活塞杆,使基片保持部710与280之间形成适当的间隙。在此状态下,粘合基片叠50水平地被机械手400支承住下表面,并插入基片保持部710和280之间的预定位置,并放在基片保持部280上。
气缸740伸出活塞杆,使上基片保持部710向下运动,直至一预定的间隙在粘合基片叠50的上表面与上基片保持部710的支承面形成。
外部压力管的电磁阀启动,从基片保持部710的流体吹送部711吹送流体。粘合基片叠50被浮起,压在下基片保持部280上并夹持住。
电机790启动,向转轴750传递旋转力矩。转轴750、基片保持部280、粘合基片叠50作为整体旋转。
当栅栏251保持关闭时,与喷嘴260连通的泵(未示出)启动,向喷嘴260供给高压射流介质(例如水)。高压射流从喷嘴260喷射。当射流稳定时,栅栏251开启。从喷嘴260喷射出的射流连续喷射进粘合基片叠50的多孔层以开始分离粘合基片叠50。
当对粘合基片叠50的分离结束,栅栏251被关闭,与喷嘴260连通的泵停止,以停止射流喷向粘合基片叠50。电机110也停止运行。
基片保持部710和280的真空夹持装置起作用(电磁阀启动),使基片保持部710真空夹持分离后的上基片,而基片保持部280真空夹持分离后的下基片。
气缸740缩回活塞杆,使在基片保持部710和280之间形成预定的间隙,两分离后的基片彼此相距一段距离。
机械手400插入基片与基片保持部710之间。机械手400夹住基片。然后,取消基片保持部710的真空夹持装置的夹持。基片从基片保持部710转送至机械手400。机械手400将基片输送至预定位置(例如一种盒)。
机械手400插入基片与基片保持部280之间。机械手400夹住基片。然后,取消基片保持部280的真空夹持装置的夹持。基片从基片保持部280转送至机械手400。机械手400将基片输送至预定位置(例如一种盒)。两分离后的基片可按相反的顺序被机械手接受或同时被两机械手(未示出)接受。
粘合基片叠50被分离为两基片后,射流介质在两基片间存在。当射流介质是液体(例如水)时,表面张力很大。因此,为了用小的力使两基片彼此分开一段距离,最好使由喷嘴260所供给的射流喷射入两基片之间的间隙。在这种情况下,由喷嘴260喷出的射流,在两基片彼此分开一段距离后再停止。作为替代方案,可单独设置一装置,用以喷射用作使两基片彼此分开一段距离的射流。
(第5实施例)
图7为表示根据本发明第5实施例结构原理的视图。与其它图中相同的标号,在图7中本质上表示相同的组成部分。
分离设备800借助于在分离加工时流体压力夹持粘合基片叠50。此分离设备800具有一段基片保持部270和810,用以夹持粘合基片叠50。上基片保持部270及其组成元件与上述相同。
下基片保持部810与升降轴820的一端连接。升降轴820的另一端借助于联轴节330与气缸320的活塞杆连接。升降轴820借助于一往复导向装置824支承在下工作台240上。
下基片保持部810具有流体吹送部812,用于使流体压力作用在粘合基片叠50上,压住并夹持粘合基片叠50。此流体吹送部812与外部压力管连接。外部压力管具有一电磁阀(未示出)。电磁阀由控制装置在需要时作开/关控制。
下基片保持部810具有一卸荷管811,用于在外部对从流体吹送部吹来的流体卸荷。下基片保持部810还具有吸孔814,用于真空夹持粘合基片叠50。吸孔814设有一电磁阀813,设置在靠近进口处,用以防止从流体吹送部812吹送的流体被吸入吸孔814。吸孔814借助于电磁阀813与升降轴中的真空管815连通。吸孔814、电磁阀813和真空管815组成基片保持部810的真空夹持装置。
下基片保持部810,在其外周边部具有数个导向元件,用于避免粘合基片叠在分离加工时分别产生相对于基片保持部的位置偏移和凸出现象,就像图3所示基片保持部那样。导向元件最好设置在相距适当间隔处使机械手可以进/出,就像上述导向元件283(273)。
借助于上述设置,当粘合基片叠50在分离加工过程中被流体压力压住并夹持时,一已经被分离的粘合基片叠50,由于喷射入粘合基片叠50的射流介质的缘故,允许翘曲。此外,翘曲量可以适当限制。用于夹持粘合基片叠50的流体可用气体例如空气或液体例如水。
用分离设备800进行分离加工的顺序将说明如下。首先,气缸320缩回活塞杆,使基片保持部270与810之间形成适当的间隙。在此状态下,粘合基片叠50水平地被机械手400支承住下表面,并插入基片保持部270和810之间的预定位置,并放在基片保持部810上。
气缸320伸出活塞杆,使下基片保持部810向上运动,直至一预定的间隙在粘合基片叠50的上表面与上基片保持部270的支承面形成。
外部压力管的电磁阀启动,从基片保持部810的流体吹送部812吹送流体。粘合基片叠50被浮起,压在上基片保持部270上并夹持住。
电机110启动,向转轴140传递旋转力矩。转轴140、基片保持部270、粘合基片叠50作为整体旋转。
当栅栏251保持关闭时,与喷嘴260连通的泵(未示出)启动,向喷嘴260供给高压射流介质(例如水)。高压射流从喷嘴260喷射。当射流稳定时,栅栏251开启。从喷嘴260喷射出的射流连续喷射进粘合基片叠50的多孔层以开始分离粘合基片叠50。
当对粘合基片叠50的分离结束,栅栏251被关闭,与喷嘴260连通的泵停止,以停止射流喷向粘合基片叠50。电机110也停止运行。
基片保持部270和810的真空夹持装置起作用(电磁阀启动),使基片保持部270真空夹持分离后的上基片,而基片保持部810真空夹持分离后的下基片。
气缸320缩回活塞杆,使在基片保持部270和810之间形成预定的间隙,两分离后的基片彼此相距一段距离。
机械手400插入基片与基片保持部270之间。机械手400夹住基片。然后,取消基片保持部270的真空夹持装置的夹持。基片从基片保持部270转送至机械手400。机械手400将基片输送至预定位置(例如一种盒)。
机械手400插入基片与基片保持部810之间。机械手400夹住基片。然后,取消基片保持部810真空夹持装置的夹持。基片从基片保持部810转送至机械手400。机械手400将基片输送至预定位置(例如一种盒)。两分离后的基片可按相反的顺序被机械手接受或同时被两机械手(未示出)接受。
粘合基片叠50被分离为两基片后,射流介质在两基片间存在。当射流介质是液体(例如水)时,表面张力很大。因此,为了用小的力使两基片彼此分开一段距离,最好使由喷嘴260所供给的射流。在该情况下,喷嘴260喷出的射流在两基片彼此分开一段距离后再停止。作为替代方案,可单独设置一装置,用以喷射用作使两基片彼此分开一段距离的射流。
(第6实施例)
图8示出本发明第6实施例分离装置的示意配置。图8中与其它图中编号相同的编号基本上表示相同的组成部件。
分离装置900具有一对基片保持部920和280。上部基片保持部920具有伯努里(Bernoulli)夹具923。下部基片保持部280和其构成部件与上述的相同。
伯努里夹具923从其伞形夹具的中心沿伞形部分径向喷出气体,因为卡盘的中心部分具有负压,所以卡盘能够卡住样品例如粘合的基片叠。
具有伯努里夹具923的基片保持部920连接于升降轴910的一个端部。伯努里夹具923的气体引入部分921连接于升降轴910上的压力管911。该压力管911经环形件912连接于外部压力管。外部压力管具有电磁阀(未示出)。需要时通过操作选择件可以控制该电磁阀的开/关。
上部基片保持部920的外周部分具有许多导向部件,用防止粘合的基片叠发生移位,或防止在分离期间从基片保持部伸出,像图3所示的基片保持部。这些导向件最好配置成自动机械手可以插入到基片和基片保持部920的中间,如上述的导向部件283(273)。
升降轴910的另一端经连接件730连接于空气缸740的活塞杆。升降轴910通过一个往复运动/转动导向件913由上部台子170支承。
下面说明用分离装置900进行分离作业的程序。首先,空气缸740使活塞杆退回,从而在基片保持部920和280之间形成适当的间隙。在这种情况下从下侧用自动机械手400水平支承粘合的基片叠50,并将该叠层件插入到基片保持部920和280之间的预定位置,并放置在基片保持部280上。
然后空气缸740使活塞杆伸出,造成上部基片保持部920向下移动,直至在接合的基片叠件50的上表面和上部基片保持部920的伯努里夹具923之间形成预定的间隙。
打开外部压力管上的电磁阀,使流体从基片保持部920的伯努里夹具923的中央部分径向吹出。由此夹住粘合的基片叠50。
起动马达790,将转动力传送到转动轴750。由此,转动轴750、基片保持部280、粘合的基片叠50、基片保持部920和转动轴910整体转动。
在保持快门251关闭的同时,起动连接于喷嘴260的泵(未示出),使高压喷射介质(例如水)输送到喷嘴260。因而从喷口260射出高压喷流。当喷流稳定后,打开快门251。使喷嘴260射出的喷流连续射到粘合的基片叠50的多孔层上,由此开始分离粘合的基片叠50。
当粘合的基片叠50的分离结束后,关闭快门251,停止连接于喷嘴260的泵,从停止向粘合的基片叠50的喷流喷射。也停止马达790的操作。
在保持基片保持部920的伯努里夹具923驱动的同时,起动基片保持部280的真空夹持机构,从而使基片保持部920真空吸持分开的上部基片和使基片保持部280真空吸持分开的下部基片。
然后空气缸740退回活塞杆,而在基片保持部920和280之间形成预定的间隙。使两个分离的基片彼此分开。
使自动机械手400插入基片和基片保持部920之间。使自动机械手400卡住基片。此后,放开基片保持部920的伯努里夹具的夹持。因而基片从基片保持部920转移到自动机械手400上。自动机械手将基片传送到预定的位置(例如盘片盒)。
再使自动机械手400插入到基片和基片保持部280之间。使自动机械手400卡住基片。此后放开基片保持部280的真空夹持机构的夹持。因而基片从基片保持部280转移到自动机械手400上。自动机械手400将基片传送到预定位置(例如盘片盒)。自动机械手可以以相反次序接收两个分开的基片,或者可以同时用两个自动机械手进行接收。
将接合的基片叠件50分成两个基片以后,在两个基片之间存在射流介质。当射流介质是液体(例如水)时,表面张力相当大。因此为了用较小的力使两个基片彼此分开,最好将喷嘴260的射流输送到两个基片之间的间隙中。在这种情况下,在两个基片彼此分开以后才停止喷嘴260的喷流。代之以可以独立配备一种喷射喷流的机构,用于使两个基片彼此分开。
如上所述,当基片保持部920采用伯努里夹具923,并且基片保持部920和粘合的基片叠50之间的距离可调节时,则由基片保持部920作用于粘合的基片叠50的力(压力或吸力)可以调节。
(第7实施例)
图9示出本发明第7实施例分离装置的示意配置。图9中与其它图中相同的编号基本上表示相同的构成部件。
分离装置1000具有一对基片保持部270和1010。下部基片保持部1010具有伯努里夹具1013。上部基片保持部270和其构成部件与上述的相同。
伯努里夹具1013从伞形夹具的中央部分沿伞形部分径向射出气体,因为夹具的中央部分具有负压,所以夹具能够夹持样品例如粘合的基片叠。
具有伯努里夹具1013的基片保持部1010连接于升降轴1020的一端。伯努里夹具1013的气体引入部分1011连接于升降轴1020上的压力管1021。该压力管1021经环形件1022连接于外部压力管。外部压力管具有电磁阀(未示出)。在需要时通过操作选择件可以控制该电磁阀的开/关。
下部基片保持部1010在其外周部分具有许多导向部件,用于防止粘合的基片叠发生位置位移,或防止在分离期间伸出基片保持部,如图3所示的基片保持部那样。导向部件最好配置成自动机械手可以插到基片和基片保持部1010之间,如上述的导向部件283(273)那样。
升降轴1020的另一端经连接件330连接于空气缸320的活塞杆。升降轴1020通过往复运动/转动导向件103由下部台子240支承。
下面说明用分离装置1000进行分离作业的程序。首先,空气缸320退回活塞,从而在基片保持部270和1010之间形成合适的间隙。在这种情况下,用自动机械手400从下侧水平支承粘合的基片叠50,将其插到基片保持部270和1010之间的预定位置,并将其置于基片保持部1010上。
然后空气缸320伸出活塞杆,使下部基片保持部1010向上运动,直至在粘合的基片叠50的上表面和上部基片保持部270的支承部分之间形成预定的间隙。
随后打开外部压力管的电磁阀,使流体从基片保持部1010的伯努里夹具1013的中央部分径向喷出。由此卡住粘合的基片叠50。
接着起动马达110,将转动力传送到转动轴140。由此转动轴140、基片保持部270、接合的基片叠件50、基片保持部1010和转动轴1020整体转动。
在保持快门251关闭的同时,起动连接于喷嘴260的泵(未示出),将高压喷射介质(例如水)输送到喷嘴260。由此从喷嘴260射出高压喷流。在喷流稳定时,打开快门251。从喷嘴260射出的喷流连续射向粘合的基片叠50的多孔层上,由此开始分离粘合的基片叠50。
当粘合的基片叠50的分离结束时,关闭快门251。停止连接于喷嘴260的泵,从而停止喷射喷流射向接合的基片叠件50。也停止马达110的转动。
在保持基片保持部1010的伯努里夹具1013驱动的同时,起动基片保持部270的真空夹持机构,从而使基片保持部270真空吸持分开的上部基片,并使基片保持部1010的伯努里夹具真空吸持分开的下部基片。
随后,空气缸320退回活塞杆,在基片保持部270和1010之间形成预定间隙。从而使两个分离的基片彼此分开。
使自动机械手400进到基片和基片保持部270之间。自动机械手400卡住基片。此后,放开基片保持部270的真空夹持。使基片从基片保持部270转移到自动机械手400上。然后自动机械手400将基片输送到预定位置(例如盘片盒)。
使自动机械手400嵌入到基片和基片保持部1010的伯努里夹具1013的中间。由此自动机械手400卡住基片。随后,放开基片保持部1010的伯努里夹具1013的夹持。由此基片从基片保持部1010转移到自动机械手400上。而后自动机械手400将基片传送到预定位置(例如盘片盒)。可以用自动机械手以相反次序接收两个分离的基片,或者可以同时用两个机械手(未示出)进行接收。
在粘合的基片叠50分离成两个基片之后,在两个基片之间存在喷流介质。当喷流介质是液体(例如水时),表面张力相当大。因此为要使用比较小的力使两个基片彼此分开,最好将喷嘴260的喷流射到两个基片之间的间隙上。在这种情况下,在两个基片彼此分开之后才停止喷嘴260的喷流。还可以代之以单独配备一个机构,用于喷出一股喷流,使两个基片彼此分开。
如上所述,当基片保持部1010采用伯努里夹具1013,并且在基片保持部1010和粘合的基片叠50之间的距离可以调节时,由基片保持部1010作用于粘合的基片叠50的力(压力或吸力)便可以调节。
(第8实施例)
图10示出本发明第8实施例的分离装置的示意配置。图10中与其它图中相同的编号大体表示同样的构成部件。
分离装置1100具有一对基片保持部270和280。该一对基片保持部270和280均与粘合的基片叠50接触,压着和夹紧粘合的基片叠50。作为压着粘合的基片叠50的力,采用流体(气体或液体)压力。
下部基片保持部280连接于转动轴1113。该转动轴1113通过往复运动/转动导向件112由下部支承件1110支承。基片保持部280具有抽吸孔,用于真空吸持粘合的基片叠50。抽吸孔281连接于转动轴1113上的真空管1116。该真空管1116通过环形件1114连接于外部真空管。该外部真空管上具有电磁阀(未示出)。需要时可利用操作选择件控制该电磁阀的开/关。
下部支承件1110具有流体吹送部分1111。该吹送部分1111连接于外部压力管。该外部压力管具有电磁阀(未示出)。需要时利用操作选择件可以控制该电磁阀的开/关。
下部支承件1110连接于固定于空气缸1101活塞杆的升降台1115,并随升降台1115的垂直运动而进行垂直运动。空气缸1101固定于支承台1102上。
上部基片保持部270和其构成部件与上述的相同。
当粘合的基片叠50由上述装置夹持时,在分离时粘合的基片叠50的翘曲与图5或6所示的分离装置相比受到更大的限制。可以增加分离时粘合的基片叠50的稳定性,例如可以阻止粘合的基片叠50的摆动。
下面说明利用分离装置1100进行分离作业的程序。首先,空气缸1101退回活塞件,在基片保持部270和280之间形成适当的间隙。在此状态下,利用自动机械手400从下侧水平支承粘合的基片叠50,将其插入到基片保持部270和280之间的预定位置,并将其放置在基片保持部280上。
然后,空气缸1101伸出活塞杆,使下部基片保持部280向上运动,直至在粘合的基片叠50的上表面和上部基片保持部270的支承部分之间形成预定的间隙。
随后打开外部压力管的电磁阀,使流体从下部支承件1110的吹气部分1111吹出。使下部基片保持部280向上移动,以压着和夹持粘合的基片叠50。
接着起动马达110,将转动力传送到转动轴140。因而转动轴140、基片保持部270、粘合的基片叠50、基片保持部280和转动轴1113整体转动。
在快门251保持关闭的同时,起动连接于喷嘴260的泵(未示出),将高压喷射介质(例如水)输送到喷嘴260。因而从喷嘴260中射出高压喷流。当喷流稳定时,打开快门251。喷流从喷嘴260连续喷向粘合的基片叠50的多孔层,从而开始分离该粘合的基片叠50。
当粘合的基片叠50的分离结束时,关闭快门251,并停止连接于喷嘴260的泵,从而使喷流停止喷到粘合的基片叠50上。也停止马达110的操作。
起动基片保持部270和280的真空夹持机构(打开电磁阀),使基片保持部270真空吸持分离的上部基片和使基片保持部280真空吸持分离的下部基片。
随后空气缸1101退回活塞杆,在基片保持部270和280之间形成预定的间隙。用自动机械手400卡住基片。此后松开基片保持部270的真空吸持机构的夹持。由此,基片从基片保持部270转移到自动机械手400上。然后自动机械手400将基片传送到预定位置(例如盘片盒)。
将自动机械手400插到基片和基片保持部280之间,使自动机械手400卡住基片。此后松开基片保持部280的真空吸持机构的夹持。由此基片从基片保持部280转移到自动机械手400上。然后自动机械手400将基片输送到预定位置(例如盘片盒)。可以用自动机械手以相反的顺序接收两个分离的基片,或同时同两个自动机械手(来示出)进行接收。
在粘合的基片叠50被分离成两个基片后,在两个基片之间存在喷流介质。当喷流介质是液体(例如水)时,表面张力相当大。因此为要用较小的力使两个基片彼此分开,最好使喷嘴260的喷流射到两个基片之间的间隙上。在这种情况下,在使两个基片彼此分开之后才停止喷嘴260的喷流。可以代之以单独配备一个机构,喷射出用于使两个基片彼此分开的喷流。
(第9实施例)
图11示出本发明第9实施例的分离装置的示意配置。图11中与其它附图中的编号相同的编号基本上表示同样构成的部件。
分离装置1200具有一对基片保持部270和280。该一对基片保持部270和280均与粘合的基片叠50接触,以便压着和夹持粘合的基片叠50。采用流体(气体或液体)压力作为压住粘合的基片叠50的力。
下部基片保持部280连接于转动轴1220。该转动轴1220经往复运动/转动导向件1213由下部支承件1210支承。基片保持部280具有抽吸孔281,用于真空吸持粘合的基片叠50。该抽吸孔281连接于转动轴1220上的真空管1221。该真空管1221X环形件1022连接于外部真空管。该外部真空管具有电磁阀(未示出)。需要时可利用操作选择件控制该电磁阀的开/关。
下部支承件1210具有流体吹出部分1212。该吹出部分1212连接于外部压力管。该外部压力管上具有电磁阀(未示出)。需要时可利用操作选择件控制电磁阀的开/关。下部支承件1210具有排放管1211,用于向外排放吹出部分1212吹出流体。
下部支承件1210连接于固定于空气缸1101上的活塞杆,并随升降台1115的垂直运动而垂直运动。
上述基片保持部270的配置及其构成部件与上述的相同。
当用上述配置夹持粘合的基片叠50时,与图7所示的分离装置相比,分离时粘合的基片叠50的翘曲受到更大的约束。因而在分离时可以增加粘合的基片叠50的稳定性,例如可以防止粘合的基片叠50的摆动。
下面说明用分离装置进行分离作业的程序。首先,空气缸1101退回活塞杆,在基片保持部270和280之间形成适当的间隙。在这种状态下,用自动机械手400从下侧水平支承粘合的基片叠50,将其插入基片保持部270和280之间的预定位置,并将其放在基片保持部280上。
然后使空气缸1101伸出活塞杆,使下部基片保持部280向上运动,直至在接合的基片叠件50的上表面和上部基片保持部270之间形成预定的间隙。
随后打开外部压力管上的电磁阀,使流体从下部支承件1210的吹出部分1212吹出。因而下部基片保持部280向上运动,从而压住和夹持粘合的基片叠50。
接着起动马达110,将转动力传送到转动轴140。因而转动轴140、基片保持部270、粘合的基片叠50、基片保持部280和转动轴1220整体转动。
在保持快门251关闭的同时,起动连接于喷嘴260的泵(未示出),将高压喷射介质(例如水)输送到喷嘴260。由此从喷嘴260射出高压喷流。从喷嘴260射出的喷流连续地射到粘合的基片叠50的多孔层上,从而开始分离粘合的基片叠50。
当粘合的基片叠50的分离结束时,关闭快门251,停止连接于喷嘴260的泵,从而停止喷流射到粘合的基片叠50上。也停止马达110的操作。
接着起动基片保持部270和280的真空吸持机构(打开电磁阀),使基片保持部270真空吸持分离的上部基片和使基片保持部280真空吸持分离的下部基片。
随后,空气缸1101退回活塞,在基片保持部270和280之间形成预定的间隙。使两个分离的基片彼此分开。
然后使自动机械手400插在基片和基片保持部270之间。自动机械手400卡住基片。随后松开基片保持部270的真空吸持机构的吸持。从而使基片从基片保持部270转移到自动机械手400上。该自动机械手400随后将基片传送到预定位置(例如盘片盒)。
使自动机械手400插在基片和基片保持部280之间。机械手400卡住基片。随后松开基片保持部280的真空夹持机构的吸持。因而使基片从基片保持部280转移到自动机械手400上。自动机械手400然后将基片传送到预定位置(例如盘片盒)。可以用自动机械手以相反次序接收两个分离的基片,或者可以同时用两个自动机械手(未示出)进行接收。
在粘合的基片叠50分离成两个基片之后,在两个基片之间存在喷流介质。当喷流介质是液体(例如水)时,表面张力相当大。为了用较小的力使两个基片彼此分开,最好将喷嘴260的喷流射到两个基片之间的间隙上。在这种情况下,在两个基片彼此分开之后才停止喷嘴260的喷流。可代之以单独配备一个射出喷流的机构,用于使两个基片彼此分开。
(第10实施例)
图12示出本发明第10实施例的分离装置的示意配置。图12中与其它图中相同的编号基本上表示同样的构成部件。
分离装置1300具有一对基片保持部270和1310。一对基片保持部270和1310均与粘合的基片叠50接触,从而压着和夹持粘合的基片叠。作用于该粘合的基片叠50上的力由伯努里夹具1320控制。
下部基片保持部1310具有抽吸孔1312,用于真空吸持结合基片叠件50。该抽吸孔连接于电磁阀1311的一端,该电磁阀由操作选择件(未示出)控制。电磁阀1311经轴承1313连接于基片保持部1310。这使得基片保持部1310在电磁阀1311固定的同时可以转动。当基片保持部1310在电磁阀1311固定的同时可以转动时,可以防止控制电磁阀1311的控制线随基片保持部1310的转动而缠绕。电磁阀1311的另一端部与下侧连通。
下部基片保持部1310其外周部分具有许多导向部件,像图3所示的基片保持部一样,用于防止粘合的基片叠发生位移,或防止在分离期间伸出基片保持部。该导向部件最好配置成自动机械手可以插在基片和基片保持部1310之间,像上述导向部件283(273)一样。
下部基片保持部1310由从伯努里夹具1320伸出的支承件支承。伯努里夹具1320从伞形夹具的中心沿伞形部分径向喷出气体,因为该伞形部分的中心部分具有负压力,所以伯努里夹具可以向基片保持部1310施加力。
伯努里夹具1320连接于升降轴1020的一端。伯努里夹具1320的气体引入部分1321连接于升降轴1020上的压力管1021。该压力管1021经环形件1022连接于外部压力管。外部压力管具有电磁阀(未示出)。需要时可用操作选择件控制电磁阈的开/关。
升降轴1020的另一端经连接件330连接于空气缸320的活塞杆。升降轴1020经往复运动/转动导向件1030由下部台子240支承。
下面说明用上述分离装置进行分离作业的程序。首先空气缸320退回活塞杆,在基片保持部270和1310之间形成适当的间隙。在此状态下用自动机械手400从下侧水平支承粘合的基片叠50,将其插入到基片保持部270和1310之间的预定位置,并将其放在基片保持部1310上。
随后空气缸320伸出活塞杆,使下部基片保持部1310向上运动,直至在粘合的基片叠50的上表面和上部基片保持部270的支承部分之间形成预定的间隙。
然后打开外部压力管的电磁阀,使流体从伯努里夹具1320的气体引入部分1321吹出。从而将预定的力作用于下部基片保持部1310,使得基片保持部270和1310从两侧夹住和固定粘合的基片叠50。在此时,为使粘合的基片叠50自由地翘曲,最好关闭电磁阀1311。但是也可以打开电磁阀1311。
起动马达110,将转动力传送给转动轴140。由此转动轴140、基片保持部270、粘合的基片叠50、基片保持部1310、伯努里夹具1320和转动轴1020整体转动。
在保持快门251关闭的同时,起动连接于喷嘴260的泵,将高压喷射介质(例如水)输送到喷嘴260。因而从喷嘴260喷出高压喷流。在喷流稳定后,关闭快门251。使喷嘴260喷出的喷流连续地射到粘合的基片叠50的多孔层上,从而开始粘合的基片叠50的分离。
在粘合的基片叠50的分离结束时,停止连接于喷嘴260的泵,从而停止喷流射向粘合的基片叠50。也停止马达110的转动。
随后起动基片保持部270的真空吸持机构,并打开伯努里夹具1320的电磁阀1311,使基片保持部270夹持分开的上部基片和使基片保持部1310夹持分开的下部基片。在打开电磁阀1311时,基片保持部可以吸持基片,因为在电磁阀1311下面的空间由于伯努里夹具1320的作用而变成负压。
随后空气缸320退回活塞杆,在基片保持部270和1310之间形成预定的间隙。使两个分离的基片彼此分开。
使自动机械手400插在基片和基片保持部270之间。该自动机械手400卡住基片。随后松开基片保持部270的真空吸持。因而基片从基片保持部270转移到自动机械手400上。然后该自动机械手将基片输送到预定位置(例如盘片盒)。
再使自动机械手400插在基片和基片保持部1310之间。因而自动机械手卡住基片。此后关闭伯努里夹具1320的电磁阀1311,松开基片保持部1310对基片的夹持。因而基片从基片保持部1310转移到自动机械手400上。随后自动机械手400将基片传送到预定位置(例如盘片盒)。可以用自动机械手以相反次序接收两个分离的基片,或可以同时用两个自动机械手进行接收。
在粘合的基片叠50被分离成两个基片之后,在两个基片之间存在喷流介质。当喷流介质是液体(例如水)时,表面张力相当大。为了用较小的力使两个基片彼此分开,最好使喷嘴260喷出的喷流射向两个基片之间的间隙上。在这种情况下,使两个基片彼此分开之后才停止喷嘴260的喷流。可以代之以单独配备一个喷射喷流的机构,用于使两个基片彼此分开。
(第11实施例)
图13是示出按照本发明第11实施例的分离装置原理结构的视图。与其它图中相同的标号基本上代表图13中的构成元件。
分离装置1400具有一对基片保持部270和280。该对基片保持部270和280二者都与一粘合的基片叠50接触,以便压紧和夹持该粘合的基片叠50。采用磁力作为用于压紧和夹持该粘合的基片叠50的力。
下面的基片保持部280联接到一个旋转轴1113上。该旋转轴1113通过一个往复/旋转的导向件1112被一下面的支承件1401支承。基片保持部280具有一个吸入孔281,用于真空夹紧粘合的基片叠50。吸入孔281连接到旋转轴1113内的真空管1116上。该真空管1116通过一个环1114连接到外部真空管上。该外部真空管具有一个电磁阀(未示出)。必要时,该电磁阀用一个控制装置控制开/关。
一块磁铁1402附接到下面的基片保持部280上。一块磁铁1403在与磁铁1402相对的位置处附接到下面支承件1401的上表面上。由于磁力在磁铁1402和1403之间起作用,所以有一个向上的磁力作用在下面的基片保持部280上。结果,粘合的基片叠50被压紧。
磁铁1402和1403至少其中之一可以是电磁铁。在这种情况下,用于压紧粘合的基片叠50的力可以很容易调节。此外,压紧力可以适当地随分离进程而改变。
下面将说明通过分离装置1400处理的分离步骤。首先,气缸1101使活塞杆收缩,以便在基片保持部270和280之间形成一个合适的间隙。在这种状态下,粘合的基片叠50被下方的机械手400水平地支承、插入基片保持部270和280之间的一个预定位置,并安放在基片保持部280上。
气缸1101使活塞杆伸出,以便向上移动下面的支承件1401。因此,下面的基片保持部280通过磁力向上移动。该基片保持部280压紧并夹持粘合的基片叠50。
开动电机110,以便将旋转力传送到旋转轴140上。旋转轴140、基片保持部270、粘合的基片叠50、基片保持部280、和旋转轴1113整体式旋转。
当保持闸板250关闭时,开动一台连接到喷嘴260上的泵(未示出),以便将一种高压喷射流介质(例如水)送到喷嘴260。高压喷射流从喷嘴260排出。当喷射流稳定时,闸板250被打开。从喷嘴260排出的喷射流连续注入粘合的基片叠50的多孔层,以便开始分离粘合的基片叠50。
当接合的基板叠层50的分离结束时,关闭闸板250,并使连接到喷嘴260的泵停止下来,以便使喷射流停止注入粘合的基片叠50中。电机110也停止工作。
开动基片保持部270和280的真空夹紧机构(打开电磁阀),以便使基片保持部270真空夹紧上面分离开的基片,并使基片保持部280真空夹紧下面分离开的基片。
气缸1101使活塞杆收缩,以便在基片保持部270和280之间形成一个预定的间隙。使两个分离开的基片彼此间隔开。
将机械手400插在基片和基片保持部270之间。机械手400夹紧基片。此后,解除基片保持部270真空夹紧机构的夹紧作用。将基片从基片保持部270传送到机械手400。机械手400将基片运送到一个预定位置(例如一个盒子中)。
将机械手400插在基片和基片保持部280之间。机械手400夹紧基片。此后,解除基片保持部280真空夹紧机构的夹紧作用。将基片从基片保持部280传送到机械手400。机械手400将基片运送到一个预定位置(例如一个盒子中)。两个分离开的基片可以被机械手以相反的次序接收,或者被两个机械手(未示出)同时接收。
在粘合的基片叠50被分离成两块基片后,在两块基片之间存在有喷射流介质。当喷射流介质是一种液体(例如水)时,表面张力相当大。因此,为了用一个很小的力使两块基片彼此间隔开,最好是将喷射流从喷嘴260供给两块基片之间的间隙。在这种情况下,在两块基片彼此间隔开之后,使来自喷嘴260的喷射流停下来。
诚然,用于排出一种用来使两块基片彼此间隔开的喷射流的机构可以独立地准备。
(第12实施例)
图14是示出按照本发明的第12实施例的分离装置原理结构的视图。与其它图中相同的标号代表图14中相同的构成元件。
分离装置1500具有一对基片保持部270和280。基片保持部270和280通过从上面和下面将一个粘合的基片叠50夹在中间,来水平地夹持该粘合的基片叠50。从喷嘴260排出一股喷射流并注射到靠近粘合的基片叠多孔层的部分,因而在多孔层处将粘合的基片叠50分离开成两块基片。分离装置1500以下面的基片保持部280为基准,控制喷嘴260的位置。
上面的基片保持部270联接到旋转轴1503的一端上。旋转轴1503的另一端通过一个联接件1502联接到气缸1501的活塞杆上。一个真空管1504贯穿旋转轴1503,该真空管1504用于将粘合的基片叠50真空夹紧在基片保持部270上。通过一个环1505将该真空管1504连接到一个外部真空管上。外部真空管具有一个电磁阀(未示出)。必要时,该电磁阀用控制装置控制开/关。基片保持部270具有一个吸入孔271,用于真空夹紧粘合的基片叠50。将吸入孔271连接到真空管1504上。吸入孔271、真空管1504,和电磁阀构成基片保持部270的真空夹紧机构。旋转轴1503通过一往复/旋转的导向件1506被一个上面的平台170支承。
下面的基片保持部280联接到旋转轴750的一端上。旋转轴750的另一端通过一个联接件770联接到电机790的旋转轴上。电机790固定到一个支承件780上,该支承件780固定到下面的平台240上。电机790由控制装置控制。
真空管751贯穿旋转轴750,该真空管751用于将粘合的基片叠50真空夹紧在基片保持部280上。真空管751通过一个环760连接到一个外部真空管上。该外部真空管具有一个电磁阀(未示出)。必要时,该电磁阀用控制装置控制开/关。基片保持部280具有一个吸入孔281,用于真空夹紧粘合的基片叠50。将吸入孔连接到真空管751上。吸入孔281、真空管751、和电磁阀构成基片保持部280的真空夹紧机构。旋转轴750通过一个轴承230被下面的平台240支承。
喷嘴260通过一个支承件(未示出)附接到例如下面的平台240上。在第12实施例的分离装置1500中,以下面的基片保持部280的位置为基准,来控制喷嘴260的位置。一个闸板251由一台电机250驱动,该闸板251插在喷嘴260与基片保持部270和280之间。当打开闸板251,并且从喷嘴260排出一股喷射流时,该喷射流可被注入粘合的基片叠50中。当关闭闸板251时,可以使喷射流注入到粘合的基片叠50中停止下来。
下面将说明通过分离装置1500处理的分离步骤。首先,气缸1501使活塞杆收缩,以便在基片保持部270和280之间形成一个合适的间隙。在这种状态下,粘合的基片叠50被下方的机械手400水平地支承,插入基片保持部270和280之间的一个预定位置,并安放在基片保持部280上。
气缸1501使活塞杆伸出,以便向下移动上面的基片保持部270。基片保持部270和280压紧并夹持粘合的基片叠50。
开动电机790,以便将旋转力传送到旋转轴750上。旋转轴750,基片保持部280,粘合的基片叠50,基片保持部270,和旋转轴1503整体式旋转。
当保持闸板251关闭时,开动一台连接到喷嘴260上的泵(未示出),以便将一种高压喷射流介质(例如水)送到喷嘴260。从喷嘴260排出一股高压喷射流。当喷射流稳定时,闸板251被打开。从喷嘴260排出的喷射流连续注入粘合的基片叠50的多孔层中,以便开始分离粘合的基片叠50。
当粘合的基片叠50的分离结束时,关闭闸板251,并使连接到喷嘴260的泵停止下来,以便使喷射流停止注入粘合的基片叠50中。电机790也停止工作。
开动基片保持部270和280的真空夹紧机构(打开电磁阀),以便使基片保持部270真空夹紧上面分离开的基片,并使基片保持部280真空夹紧下面分离开的基片。
气缸1501使活塞杆收缩,以便在基片保持部270和280之间形成一个预定的间隙。使两个分离开的基片彼此间隔开。
机械手400插在基片和基片保持部270之间。机械手400夹紧基片。此后,解除基片保持部270真空夹紧机构的夹紧作用,将基片从基片保持部270传送到机械手400。机械手400将基片运送到一个预定位置(例如一个盒子中)。
在粘合的基片叠50被分离成两块基片之后,在两块基片之间存在有喷射流介质。当喷射流介质是一种液体(例如水)时,表面张力相当大。因此,为了用一个很小的力使两块基片彼此间隔开,最好是将喷射流从喷嘴260供给两块基片之间的间隙。在这种情况下,在两块基片彼此间隔开之后,使来自喷嘴260的喷射流停下来。诚然,用于排出一种用来使两块基片彼此间隔开的喷射流的机构可以独立地准备。
(第13实施例)
图15是示出按照本发明的第13实施例的分离装置原理结构的视图。与其它图中相同的标号代表图14中相同的构成元件。
分离装置1600具有一对基片保持部270和280。这样向该对基片保持部270和280二者施加一个压紧力,以致从两边压紧并夹持一个粘合的基片叠。
上面的基片保持部270联接到旋转轴1503的一端上。旋转轴1503的另一端联接到齿轮1601上。通过一个联接件1502将齿轮1601联接到气缸1501的活塞杆上。一个真空管1504贯穿旋转轴1503,该真空管用于将一粘合的基片叠50真空夹紧在基片保持部270上。通过一个环1505将真空管1504连接到一个外部真空管上。该外部真空管具有一个电磁阀(未示出)。必要时,该电磁阀用控制装置控制开/关。基片保持部270具有一个吸入孔271,用于真空夹紧粘合的基片叠50。将吸入孔271连接到真空管1504上。吸入孔271、真空管1504和电磁阀构成基片保持部270的真空夹紧机构。旋转轴1503通过一往复/旋转的导向件1506被一个上面的平台170支承。
齿轮1601与一齿轮1604啮合,齿轮1604被一个轴承1605在轴向上支承。齿轮1604通过一个联接件1603联接到一台电机1602上。电机1602由控制装置控制。由电机1602所产生的旋转力通过齿轮1604和1601传送到旋转轴1503上,以便使基片保持部270旋转。
下面的基片保持部280联接到旋转轴180的一端上。该旋转轴180的另一端通过一个联接件330联接到气缸320的活塞杆上。一个真空管181贯穿旋转轴180,该真空管181用于将粘合的基片叠50真空夹紧在基片保持部280上。真空管181通过一个环190连接到一个外部真空管上。该外部真空管具有一个电磁阀(未示出)。必要时,该电磁阀用控制装置控制开/关。基片保持部280具有一个吸入孔281,用于真空夹紧粘合的基片叠50。将吸入孔281连接到真空管181上。吸入孔281、真空管181和电磁阀构成基片保持部280的真空夹紧机构。旋转轴140通过一个往复/旋转导向件230被一个下面的平台240支承。
下面将说明通过分离装置1600处理的分离步骤。首先,气缸1501和/或气缸320收缩活塞杆,以便在基片保持部270和280之间形成一个合适的间隙。在这种状态下,粘合的基片叠50被下方的机械手400水平支承,并插到基片保持部270和280之间的一个预定位置。
气缸1501和/或气缸320使活塞杆伸出。基片保持部270和280从两边压紧并夹持粘合的基片叠50。
开动电机1602,以便将旋转力传送到旋转轴1503上。旋转轴1503、基片保持部270粘合的基片叠50基片保持部280和旋转轴180整体式旋转。
当保持闸板251关闭时,开动一台连接到喷嘴260上的泵(未示出),以便将一种高压喷射流介质(例如水)送到喷嘴260。从喷嘴260排出一股高压喷射流。当喷射流稳定时,闸板251被打开。从喷嘴260排出的喷射流连续注入粘合的基片叠50的多孔层,以便开始分离粘合的基片叠50。
当粘合的基片叠50的分离结束时,关闭闸板251,并使连接到喷嘴260的泵停止下来,以便使喷射流停止注入粘合的基片叠50中。电机110也停止工作。
开动基片保持部270和280的真空夹紧机构(打开电磁阀),以便使基片保持部270真空夹紧上面分离开的基片,并使基片保持部280真空夹紧下面分离开的基片。
气缸1501和/或气缸320使活塞杆收缩,以便在基片保持部270和280之间形成一个预定的间隙。使两个分离开的基片间隔开。
将机械手400插在基片和基片保持部270之间。机械手400夹紧基片。此后,解除基片保持部270真空夹紧机构的夹紧作用。将基片从基片保持部270传送到机械手400。机械手400将基片运送到一个预定位置(例如一个盒子中)。
将机械手400插在基片和基片保持部280之间。机械手400夹紧基片。此后,解除基片保持部280真空夹紧机构的夹紧作用。将基片从基片保持部280传送到机械手400。机械手400将基片运送到一个预定位置(例如一个盒子中)。
在粘合的基片叠50被分离成两块基片之后,在两块基片之间存在有喷射流介质。当喷射流介质是一种液体(例如水)时,表面张力相当大。因此,为了用一个很小的力使两块基片彼此间隔开,最好是将喷射流从喷嘴260供给两块基片之间的间隙。在这种情况下,在两块基片彼此间隔开之后,使来自喷嘴260的喷射流停止下来。诚然,用于排出一种用来使两块基片彼此间隔开的喷射流的机构可以独立地准备。
(第14实施例)
图16-19是示出按照本发明的第14实施例的分离装置原理结构的视图。与其它图中相同的标号代表图16-19中相同的构成元件。
分离装置1700将一个重物安放在粘合的基片叠50上,以便从上面压紧粘合的基片叠50,并且在这种状态下,分离粘合的基片叠50。在本实施例中,使用两个重物1705和1706,随着分离进程转换施加以粘合的基片叠50上的压紧力。使用三个以上重物并且随着分离进程逐步转换施加到粘合的基片叠50上的压紧力,也是有效的。可供选择地,可以这样只用一个重物,以便在分离进程期间,将一预定的压紧力施加到粘合的基片叠50上。
分离装置1700具有一个操作装置1703。将压紧力施加到粘合的基片叠50上由垂直移动的操作装置1703控制。操作装置1703具有一个第1托架1703a和一个第2托架1703b,该第1托架1703a用于支承处于悬挂状态的第1重物1705,而第2托架部分1703b用于支承处于悬挂状态的第2重物1706。
通过一个联接器1702将操作装置1703联接到气缸1701的活塞杆上,并借助气缸1701垂直地移动。当操作装置1703向下移动到第1步时,作用在第1重物1705上的总重量被施加到粘合的基片叠50上。当操作装置1703向下移动到第2步时,作用在第2重物1706上的总重量被施加到第1重物1705上。这时,作用在第1重物1705和第2重物1706上的总重量被施加到粘合的基片叠50上。若用这种结构,则施加到粘合的基片叠50上的压紧力可以成两步控制。当重物数和托架部分数目增加时,施加到粘合的基片叠50上的压紧力可以成更多步控制。
操作装置1703在其下端处,具有一个吸入孔1704,用于真空夹紧粘合的基片叠50。吸入孔1704连接到一个外部真空管上。该外部真空管具有一个电磁阀(未示出)。必要时,该电磁阀用控制装置控制开/关。
下面的基片保持部280联接到旋转轴750的一端上。该旋转轴750的另一端通过一个联接件770连接到一台电机790上。旋转轴750通过一个轴承230用一下面的平台240支承。电机790固定到支承件780上,支承件780固定到下面的平台上。
连接到基片保持部280的一个吸入孔281上的真空管751贯穿旋转轴750。真空管751通过一个环760连接到外部真空管上。该外部真空管具有一个电磁阀(未示出)。必要时,该电磁阀用控制装置控制开/关。
图20是示出图16-19所示操作装置1703原理结构的透视图。操作装置1703在其外周边部分具有许多个导向件1703c,用于在分离期间防止粘合的基片叠产生位移或从操作装置1703和基片保持部280中伸出。
对运输机器人的机械手来说,为了能够夹紧上面分离开的基片的背侧表面,并能接收来自操作装置1703的基片,最好是以适当的间隔安装许多个导向件1703c,以便机械手400能够进入/离开。
操作装置1703还具有一些凸形的支承部1703d,以便当夹紧基片时,机械手400能够插在基片和操作装置1703的下端之间。
下面按顺序参照图16-19说明分离装置1700处理的分离步骤。首先,气缸1701使活塞杆收缩,以便在基片保持部280和操作装置1703的下端之间形成一合适的间隙。粘合的基片叠50被下方的机械手400水平地支承,插到基片保持部280和操作装置1703的下端之间一个预定的位置,并安放在基片保持部280上。
如图17所示,气缸使活塞杆伸出,以便将操作装置1703向下移动到第1步,因而将作用在第1重物1705上的总重量施加到粘合的基片叠50上。
当保持闸板251关闭时,开动一台连接到喷嘴260的泵(未示出),以便将一种高压喷射流介质(如水)送到喷嘴260。从喷嘴260排出一股高压喷射流。当喷射流稳定时,闸板251被打开。从喷嘴260排出的喷射流连续注入粘合的基片叠50的多孔层,以便开始分离粘合的基片叠50(分离的第1步)。
当粘合的基片叠50的外周边部分(围绕中央部分的部分)的分离结束时,气缸1701进一步使活塞杆伸出,以便将操作装置1703移动到第2步,如图18所示,同时继续分离。作用在第1重物1705和第2重物1706上的总重量被施加到粘合的基片叠50上(分离的第2步)。该粘合的基片叠50被一比第1步分离更大的力压紧。第1重物1705最好是例如重约100kg,而第2重物1706最好是例如重约150kg。
在本实施例中,粘合的基片叠50被分离开,在分离粘合的基片叠50外周边部分的这一步(分离的第1步),当旋转粘合的基片叠50时,它被一个比较小的力压紧。在分离粘合的基片叠50的中央部分这一步(分离的第2步),该粘合的基片叠50被一比较大的力压紧。
当粘合的基片叠50的外周边部分被分离开时(第1步),分离开部分的区域是小的,并且注入粘合的基片叠50的喷射流介质有效地被排出。由于这个原因,能使已经分离开部分彼此间隔开而起作用的力(分离力)比较小。另一方面,当粘合的基片叠50的中央部分被分离开时(第2步),被分离开部分的区域是大的,并且注入粘合的基片叠50的喷射流介质几乎不被排出。因此,要求稳定地夹持粘合的基片叠50所需的压紧力在第2步中要比第1步中大。在第2步的最终阶段,亦即分离的最终阶段,由于未分离开的部分立即被分开,所以可能产生缺陷。因此,在分离的最终阶段,分离最好是适度地进行。
在不旋转粘合的基片叠50分离它时,当粘合的基片叠50的外周边部分被分离开(分离的第1步),该粘合的基片叠50最好是用一比较大的力压紧。当粘合的基片叠50的中央部分被分离开时(分离的第2步),粘合的基片叠最好是用一比较小的力压紧。
当粘合的基片叠50的分离结束时,将闸板251关闭,并且使连接到喷嘴260上的泵停下来,以便使喷射流注入到粘合的基片叠50中停下来。当电机110正在开动时,电机的运行也停下来。
开动操作装置1703和基片保持部280的真空夹紧机构,以便使操作装置1703夹紧上面分离开的基片,而基片夹紧部分280夹紧下面分离开的基片。
如图19所示,气缸1701使活塞杆收缩,以便在基片保持部280和操作装置1703下端之间形成一个合适的间隙。两块分离开的基片叠被彼此间隔开。
将机械手400插在基片和操作装置1703的下端之间。机械手400夹紧基片。此后,解除操作装置1703真空夹紧机构的夹紧作用。将基片从操作装置1703传送到机械手400。机械手400将基片运送到一个预定位置(例如一个盒子中)。
将机械手400插在基片和基片保持部280之间。机械手400夹紧基片。此后,解除基片保持部280真空夹紧机构的夹紧作用。将基片从基片保持部280传送到机械手400。机械手400将基片运送到一个预定位置(例如一个盒子中)。两块分离开的基片可以被机械手以相反的次序接收,或者被两个机械手(未示出)同时接收。
在粘合的基片叠被分离成两块基片之后,在两块基片之间存在有喷射流介质。当喷射流介质是一种液体(例如水)时,表面张力相当大。因此,为了用一个很小的力将两块基片彼此间隔开,最好是将喷射流从喷嘴260供给两块基片之间的间隙。在这种情况下,在两块基片彼此间隔开之后,使来自喷嘴的喷射流停止下来。诚然,用于排出一种用来使两块基片间隔开的喷射流的机构可以独立地准备。
(第15实施例)
图21是示出按照本发明的第15实施例的分离装置原理结构的视图。分离装置1800具有一个第1基片保持部1801和一个第2基片保持部1809,该第1基片保持部1801在其外周边部分具有许多个吸入孔1802,用于夹紧粘合的基片叠,而第2基片保持部1809与第1基片保持部1801相对。
下面的基片保持部1801具有一凸形的支承部1803,用于在粘合的基片叠50和基片保持部1801的表面之间形成一个间隙,以便接收机械手400。为了甚至在分离的开始阶段时也能有效地将粘合的基片叠50夹紧在基片保持部1801上,凸形的支承部1803最好具有一个吸入孔。
支承部1803最好是设置在例如靠近基片保持部1801表面的中央部分。当支承部1803形成时,机械手400可以从下方水平地支承粘合的基片叠50,并将它转移到基片保持部1801上。此外,当支承部1803形成时,在分离结束之后,可以将机械手400插在下面的基片和基片保持部1801之间。机械手400可以从下方支承基片并接收它。因此,可以将落下基片的危险减至最小。
基片保持部1801联接到旋转轴1804的一端上。旋转轴1804通过一个轴承1806用一支承平台1820支承。轴承1806在其上面部分具有一密封件1805,用于密封为通过旋转轴1804而在支承平台1820中所形成的开口部分。真空管1807贯穿旋转轴1804。该真空管1807连接到基片保持部1801的许多个吸入孔1802上。真空管1807还通过一个环1808连接到一个外部真空管上。旋转轴1804联接到一个旋转源(未示出)上,它借助由旋转源施加的旋转力来旋转。
基片保持部1809设置在基片保持部1801的上方。基片保持部1809被一驱动机构1810驱动,以便垂直移动,并且还被该驱动机构1810旋转轴向式支承。基片保持部1809最好是具有一个夹紧机构,用于夹紧粘合的基片叠50或分离开的基片。
喷嘴1811通过一个支承件(未示出)附接到例如支承平台1820上。在分离装置1800中,以基片保持部1801的位置为基准,来控制喷嘴1811的位置。一个闸板1812插在喷嘴1811和基片保持部1801之间。当闸板1812打开,并且从喷嘴1811排出一股喷射流时,该喷射流可以注入粘合的基片叠50。当闸板1812关闭时,可以使喷射流注入粘合的基片叠停止下来。
下面将说明通过分离装置1800处理的分离步骤。首先,驱动机构1810向上移动基片保持部1809,以便在基片保持部1809和1801之间形成一个合适的间隙。在这种状态下,粘合的基片叠50被下方的机械手400水平地支承,并安放在基片保持部1801的支承部1803上。驱动机构1810向下移动基片保持部1809,以便使它压紧粘合的基片叠50。该粘合的基片叠50被两边的基片保持部1809和1801压紧并夹持。
基片保持部1801的吸入孔1802中压力通过真空管1807降低,以使基片保持部1801夹紧粘合的基片叠50。这时可以开动基片保持部1809的夹紧机构。
开动旋转源(未示出),以便将旋转力传送到旋转轴1804上。旋转轴1804、基片保持部1801、粘合的基片叠50、和基片保持部1809整体式旋转。
当保持闸板1812关闭时,开动一台连接到喷嘴1811上的泵(来示出),以便将一种高压喷射流介质(例如水)送到喷嘴1811。从喷嘴1811排出一股高压喷射流。当喷射流稳定时,闸板1812被打开。从喷嘴1811排出的喷射流连续注入粘合的基片叠50的多孔层中,以便开始分离粘合的基片叠50。
当粘合的基片叠50的外周边部分被分离开时,各分离开的部分卷绕并且彼此间隔开。分离开的部分被基片保持部1801夹紧。当粘合的基片叠50的整个外周边部分被分离开时,粘合的基片叠50的下面基片被基片保持部1801呈一种屏蔽形式夹紧。在这种状态下,因为用于夹持粘合的基片叠50的力足够,所以可以通过向上移动基片保持部1809解除基片保持部1809的夹持作用。
当粘合的基片叠50的分离结束时,关闭闸板1812,并使连接到喷嘴1811的泵停止下来,以便停止喷射流注入粘合的基片叠50。通过停止驱动旋转轴1804,使粘合的基片叠50的旋转停止下来。
在其中开动基片保持部1809和1801的夹紧机构的状态下,亦即使基片保持部1809夹紧上面分离开的基片,并且使基片保持部1801夹紧下面分离开的基片,通过驱动机构1810来向上移动基片保持部1809。两块分离开的基片彼此间隔开。
机械手接收被基片保持部1809夹持的基片,并将该基片运送到一个预定位置(例如一个盒子中)。
解除通过基片保持部1801的真空夹紧机构夹紧基片的作用。将机械手400插在基片和基片保持部1801之间。将基片从基片保持部1801传送到机械手400。机械手400将基片运送到一个预定位置(例如一个盒子中)。两块分离开的基片可以被机械手以相反的次序接收,或者被两个机械手(未示出)同时接收。
在粘合的基片叠50被分离开成两块基片之后,在两块基片之间存在有喷射流介质。当喷射流介质是一种液体(例如水)时,表面张力相当大。因此,为了用很小的力分离两块基片,喷射流最好是从喷嘴1811供给两块基片之间的间隙。在这种情况下,在两块基片被分离开后,使来自喷嘴1811的喷射流停止下来。诚然,用于排出一种用来分离两块基片的喷射流的机构可以独立地准备。
(第16实施例)
图22-24示出按照本发明第16实施例的分离装置原理结构的视图。分离装置1900具有一对基片保持部1909和1901。基片保持部1909和1901通过从上边和下边将一粘合的基片叠50夹在中间,来水平地夹持该粘合的基片叠50。喷射流从喷嘴1921排出并注入靠近粘合的基片叠50多孔层的一部分,因而在多孔层处将粘合的基片叠分离成两块基片。
在分离装置1900中,当粘合的基片叠50的外周边部分(围绕中央部分的部分)被分离开时,该粘合的基片叠50最好是被基片保持部1909和1901夹紧。当中央部分被分离开时,最好是解除粘合的基片叠50的夹紧作用。这有效地防止了分离时的任何缺陷。然而,本实施例不否定上述的那些实施例。同样在上述各实施例中,诸如粘合的基片叠类样品能够以很高的产率被分离开。第16实施例意图是在使用具有特定形状和尺寸的基片保持部的特定条件下,防止在分离粘合的基片叠50时产生任何缺陷。
下面的基片保持部1901具有一个凸形支承部1903,用于在粘合的基片叠50和基片保持部1901的表面之间形成一个间隙,以便接收机械手400。支承部1903具有一个吸入孔1902,用于真空夹紧粘合的基片叠50。基片保持部1901围绕支承部1903具有一个防止移动的构件1911。该防止移动的构件1911由例如橡胶或一种树脂形成,该构件1911防止粘合的基片叠50在平面方向上移动。若用防止移动的构件1911,则粘合的基片叠50可以用很小的压紧力或抽吸力夹持。
基片保持部1901联接到旋转轴1904的一端上。旋转轴1904通过一个轴承1906用一支承平台1920支承。该轴承1906在其上面部分具有一个密封件1905,用于密封为通过旋转轴1904而在支承平台1920中所形成的开口部分。一个真空管1907贯穿旋转轴1904。将真空管1907连接到基片保持部1901的吸入孔1902上。该真空管1907还通过一个环1908连接到一个外部真空管上。旋转轴1904联接到一个旋转源(未示出)上,它借助由旋转源施加的旋转力来旋转。
基片保持部1909位于基片保持部1901的上方。基片保持部1909被一驱动机构1910驱动,以便垂直移动,并且它还被该驱动机构1910旋转轴向式支承。
上面的基片保持部1909具有一个凸形的支承部1912,用于在粘合的基片叠50和基片保持部1901之间形成一个间隙,以便接收机械手400。支承部1912具有一个吸入孔1914,用于真空夹紧粘合的基片叠50。基片保持部1909围绕支承部1912的防止移动构件1913。该防止移动构件1913由例如橡胶或一种树脂形成,它防止粘合的基片叠50在平面方向上移动。若用防止移动构件1913,则粘合的基片叠底50可以用很小的压紧力或抽吸力来夹持。
喷嘴1921通过一个支承件(未示出)附接到例如支承平台1920上。在分离装置1900中,以基片保持部1901的位置为基准,控制喷嘴1921的位置。将闸板1922插在喷嘴1921和基片保持部1901之间。当闸板1922打开,并且从喷嘴1921排出一股喷射流时,该喷射流可以注入粘合的基片叠50。当闸板1922关闭时,可以使喷射流注入粘合的基片叠停下来。
下面将说明通过分离装置1900处理的分离步骤。首先,驱动机构1910向上移动基片保持部1909,以便在基片保持部1909和1901之间形成一个合适的间隙。在这种状态下,粘合的基片叠50被下方的机械手400水平地支承,并安放在基片保持部1901的支承部1903上。驱动机构1910向下移动基片保持部1909,以便使它压紧粘合的基片叠50。该粘合的基片叠50被基片保持部1909和1901从两边压紧和夹持。
粘合的基片叠50被基片保持部1901和1909的真空夹紧机构真空夹紧。
开动旋转源(未示出),以便将旋转力传送到旋转轴1904上。旋转轴1904、基片保持部1901、粘合的基片叠50和基片保持部1909整体式旋转。
当保持闸板1922关闭时,开动一台连接到喷嘴1921上的泵(未示出),以便将一种高压喷射流介质(例如水)送到喷嘴1921。从喷嘴1921排出一股高压喷射流。当喷射稳定时,闸板1922被打开。如图23所示,从喷嘴1921排出的喷射流连续注入粘合的基片叠50的多孔层,以便开始分离粘合的基片叠50。在这种状态下,该粘合的基片叠50的外周边部分被分离开。
当外周边部分被分离开时,解除基片保持部1901和1909真空夹紧机构夹紧粘合的基片叠50的作用,如图24所示。在这种状态下,粘合的基片叠50完全被分离开。在特定的条件下,当粘合的基片叠50被分离开时,解除夹紧该粘合的基片叠50的作用,因而防止了在分离时基片中的任何缺陷。
当粘合的基片叠50的分离结束时,关闭闸板1922,并且使连接到喷嘴1921的泵停下来,以便停止喷射流注入粘合的基片叠50。通过停止驱动旋转轴1904使粘合的基片叠50的旋转停止下来。
开动基片保持部1901和1909的真空夹紧机构。通过基片保持部1909夹紧上面分离开的基片,并通过基片保持部1901夹紧下面分离开的基片。通过驱动机构1910使基片保持部1909向上移动。两块分离开的基片被彼此间隔开。
将机械手400插在基片和基片保持部1909之间。用机械手400夹紧该基片。解除基片保持部1909真空夹紧机构的夹紧作用。将基片从基片保持部1909传送到机械手400。机械手400将基片运送到一个预定的位置(例如一个盒子中)。
将机械手400插在基片和基片保持部1901之间。该基片用机械手400夹紧。解除基片保持部1901夹紧机构的夹紧作用。将基片从基片保持部1901传送到机械手400。机械手400将基片运送到一个预定位置(例如一个盒子中)。两块分离开的基片可以被机械手以相反的次序接收,或者被两个机械手(未示出)同时接收。
在粘合的基片叠50被分离开成两块基片之后,在两块基片之间存在有喷射流介质。当喷射流介质是一种液体(例如水)时,表面张力相当大。因此,为了用一个很小的力使两块基片彼此间隔开,最好是将喷射流从喷嘴1921供给两块基片之间的间隙。在这种情况下,在两块基片彼此间隔开之后,使来自喷嘴1921的喷射流停止下来。诚然,用于排出一种用来使两块基片彼此间隔开的喷射流的机构可以独立地准备。
(第17实施例)
图25和26是示出按照本发明第17实施例的分离装置原理结构的视图。在分离装置2000中,有:一个凸形的支承部2015,用于支承粘合的基片叠50的中央部分;一个或多个旋转力传送辊2004,用于将旋转力传送到粘合的基片叠50的边缘部分,以便使粘合的基片叠50旋转;和一个或多个导向辊2002,用于当旋转粘合的基片叠50时,在水平夹持该粘合的基片叠50的平面方向上,调整粘合的基片叠50的移动。喷射流从喷嘴2021排出,并注入靠近粘合的基片叠50多孔层的部分,因而在多孔层处将粘合的基片叠50分离成两块基片。
中央支承部2015通过一个轴承2017被平台2001旋转轴向式支承。支承部2015具有一个吸入孔2016,用于真空夹紧粘合的基片叠50。通过一个支承件2009将平台2001固定到支承平台2020上。一个真空管2010贯穿支承件2009。当吸入孔2016中的压力通过真空管2010降低时,可以将粘合的基片叠50夹紧在中央支承部2015上。
旋转力传送辊2004通过一个轴承2005被平台2001旋转轴向式支承,并且还联接到一个旋转源2011的旋转轴上。当旋转源2011使旋转力传送辊2004旋转时,粘合的基片叠50旋转。可以安装许多个旋转力传送辊2004。特别是,当粘合的基片叠50具有一个定向平面时,至少需要两个旋转力传送辊2004,以便连续旋转粘合的基片叠50。旋转力传送辊2004最好是设置在喷嘴2021对面一侧上。在这种情况下,因为粘合的基片叠50被从喷嘴2021排出的喷射流压紧,所以在粘合的基片叠50和旋转力传送辊2004之间起作用的摩擦力变得很大,并且粘合的基片叠50可以有效地旋转。
导向辊2002通过一个轴承2003被平台2001旋转轴向式支承。最好是安装许多个导向辊2002,以便稳定地夹持粘合的基片叠50。
旋转力传送辊2004和导向辊2002其中每一个都可以具有一个接合部分(例如,一个沟槽),该接合部分与粘合的基片叠50边缘部分的形状一致。这种接合部分有效地防止了例如粘合的基片叠50的垂直摆动。
喷嘴2021通过一个支承件(未示出)附接到例如支承平台2020上。在分离装置2000中,以中央支承部2015的位置为基准,控制喷嘴2021的位置。将闸板2022插在喷嘴2021和平台2001之间。当闸板2022被打开,并从喷嘴2021排出一股喷射流时,该喷射流可以注入粘合的基片叠50。当闸板2022被关闭时,可以使喷射流注入粘合的基片叠50停止下来。
基片保持部2014设置在中央支持部分2015的上方。基片保持部2014被一驱动机构2013驱动,以便在垂直方向上移动。基片保持部2014具有一个夹紧机构,用于夹紧一个分离开的基片。
下面将说明通过分离装置2000处理的分离步骤。首先,粘合的基片叠50被下方的机械手400水平地支承,并安放在平台2001中央处的支承部2015上。这时,粘合的基片叠50最好是通过使它与辊2002和2004接触来定位。在这种状态下,最好是开动中央支承部2015的真空夹紧机构,以便使它夹紧粘合的基片叠50。
开始旋转源2011,以便使旋转力传送辊2004旋转。旋转力被传送到粘合的基片叠50上,这样,粘合的基片叠50与中央支承部2015一起旋转。
当保持闸板2022关闭时,开动一台连接到喷嘴2021上的泵(未示出),以便将一种高压喷射流介质(例如水)送到喷嘴2021。从喷嘴2021排出一股高压喷射流。当喷射流稳定时,闸板2022被打开。从喷嘴2021排出的喷射流连续注入粘合的基片叠50的多孔层,以便开始分离粘合的基片叠50。
当粘合的基片叠50的分离结束时,关闭闸板2022,并使连接到喷嘴2021的泵停止下来,以便停止喷射流注入粘合的基片叠50。旋转源2011的运行也停下来。
通过驱动机构2013向下移动基片保持部2014,以便停靠在上面分离开的基片上。开动基片保持部2014的夹紧机构,以便夹紧上面分离开的基片。在这种状态下,通过驱动机构2013向上移动基片保持部2014。两块分离开的基片被彼此间隔开。
机械手400接收被基片保持部2014夹持的基片,并将该基片运送到一个预定位置(例如一个盒子中)。
解除中央支承部2015真空夹紧机构夹紧基片的作用。将机械手400插在基片和基片中央支承部2015之间。将基片从中央支承部2015传送到机械手400。机械手400将基片运送到一个预定位置(例如一个盒子中)。两块分离开的基片可以被机械手以相反的次序接收,或是被两个机械手(未示出)同时接收。
在粘合的基片叠50被分离开成两块基片之后,在两块基片之间存在有喷射流介质。当喷射流介质是一种液体(例如水)时,表面张力相当大。因此,为了用一个很小的力使两块基片彼此间隔开,最好是将喷射流从喷嘴2021供给两块基片之间的间隙。在这种情况下,在两块基片彼此间隔开之后,使来自喷嘴2021的喷射流停止下来。诚然,用于排出一种用来使两块基片彼此间隔开的喷射流的机构可以独立地准备。
在上述分离处理中,不用通过基片保持部2014压紧粘合的基片叠50,将该粘合的基片叠50分离开。然而,当用基片保持部2014压紧时,可以将粘合的基片叠50分离开。在这种情况下,驱动机构2013最好是旋转式支承基片保持部2014。
(第18实施例)
图27是示出按照本发明第18实施例的分离装置原理结构的视图。分离装置2100具有许多个夹紧销2102,用于夹紧粘合的基片叠50的外周边部分。许多个夹紧销2102水平地夹持粘合的基片叠50。一股喷射流从喷嘴2107排出并注射到靠近粘合的基片叠50多孔层的部分,因而在多孔层处将粘合的基片叠50分离成两块基片。
分离装置2100具有一个平台2101。平台2101具有许多个夹紧销2102,用于支承粘合的基片叠50的外周边部分。夹紧销2102的数量最好是三个或更多。当粘合的基片叠50具有一个定向平面时,夹紧销2102的数量最好是四个或更多。夹紧销2102其中每一个都可以具有一个接合部分(例如一个沟槽),该接合部分与粘合的基片叠50边缘部分的形状一致。这种接合部分有效地防止了例如粘合的基片叠50的垂直摆动。
平台2101具有一个驱动机构,用于沿着移动导向件2103在平台2101的径向方向(朝向中央或朝向外周边)上移动夹紧销2102,该移动导向件2103在平台2101中形成。为了夹持粘合的基片叠50,首先,将粘合的基片叠50安放在平台2101上。此后,将夹紧销2102朝平台2101中央的方向移动,因而通过夹紧销2102支承粘合的基片叠50。可以应用一种驱动机构,用于不移动全部夹紧销2102,而只是移动其中某些夹紧销2102。
平台2101最好是具有一个凸形的支承部2104,用于在粘合的基片叠50和平台2101的表面之间形成一个间隙,以便接收一个机械手400。
平台2101联接到旋转轴2106的一端上。旋转轴2106通过一个轴承2109被支承平台2110支承。轴承2109在其上面部分具有一个密封件2105,用于密封为通过旋转轴2106而在支持平台2110中所形成的开口部分。旋转轴2106联接到一个旋转源(未示出)上,该旋转轴2106借助从旋转源传送的旋转力来旋转。
喷嘴2107通过一个支承件(未示出)附接到例如支承平台2110上。在分离装置2100中,以平台2110的位置为基准,来控制喷嘴2107的位置。将闸板2108插在喷嘴2107和平台2101之间。当闸板2108被打开,并且从喷嘴2107排出一股喷射流时,该喷射流可以注入粘合的基片叠50。当闸板2108被关闭时,可以使喷射流注入粘合的基片叠50停止下来。
下面将说明通过分离装置2100处理的分离步骤。首先,通过驱动机构使夹紧销2102朝外周边方向移动,以便在安放粘合的基片叠50的平台2101上形成一个空间。
粘合的基片叠50被下方的机械手400水平地支承,并安放在平台2101的支承部2104上。通过驱动机构使夹紧销2102朝中央方向移动,以便固定粘合的基片叠50。按照分离装置2100,通过朝中央方向移动夹紧销2102,来将粘合的基片叠50定位。
开动旋转源(未示出),以便将旋转力传送到旋转轴2106上。平台2101和粘合的基片叠50在一起旋转。
当保持闸板2108关闭时,开动一台连接到喷嘴2107上的泵(未示出),以便将一种高压喷射流介质(例如水)送到喷嘴2107。从喷嘴2107排出一股高压喷射流。当喷射流稳定时,将闸板2108打开。从喷嘴2107排出的喷射流连续注入粘合的基片叠50的多孔层,以便开始分离粘合的基片叠50。
当粘合的基片叠50的分离结束时,关闭闸板2108,并使连接到喷嘴2107的泵停止下来,以便使喷射流停止注入粘合的基片叠50中。通过停止驱动旋转轴2106使粘合的基片叠50的旋转停止下来。
将机械手400插在平台2101和下面的基片之间,并夹紧基片。同时,用另一个机械手将上面的基片夹紧,以便使两块基片彼此间隔开。将各基片运送到预定的位置(例如盒子中)。
分离装置2100可以具有一个由基片保持部2014形成的基片转移机构和如图25所示的驱动机构2103,这样通过转移机构使两块已分开的基片分离开。
在粘合的基片叠50被分离开成两块基片之后,在两块基片之间存在有喷射流介质。当喷射流介质是一种液体(例如水)时,表面张力相当大。因此,为了用一个很小的力使两块基片彼此间隔开,喷射流最好是从喷嘴2107供给两块基片之间的间隙。在这种情况下,在两块基片彼此间隔开之后,使来自喷嘴2107的喷射流停止下来。诚然,用于排出一种用来使两块基片彼此间隔开的喷射流的机构可以独立地准备。
(第19实施例)
图28和29是示出按照本发明第19实施例的分离装置原理结构的视图。在分离装置2200中,有:一个或多个旋转力传送辊2202,用于将旋转力传送到粘合的基片叠50的边缘部分,以便使粘合的基片叠50旋转;和一个或多个导向辊2204和2207,用于当旋转粘合的基片叠50时,在水平夹持该粘合的基片叠50的平面方向上,调整粘合的基片叠50的移动。喷射流从喷嘴2209排出,并注入靠近粘合的基片叠50的多孔层部分,因而在多孔层处将粘合的基片叠50分离成两块基片。
旋转力传送辊2202通过一个轴承2206被平台2201旋转轴向式支承,并且还联接到旋转源2203的旋转轴上。当旋转源2203使旋转力传送辊2202旋转时,粘合的基片叠50旋转。可以安装许多个旋转力传送辊2202。特别是,当粘合的基片叠50具有一个定向平面时,至少需要两个旋转力传送辊2202,以便连续地旋转粘合的基片叠50。
导向辊2204其中每个都通过一个轴承2205被平台2201旋转轴向式支承。导向辊2207其中每个都被一个轴承2208旋转轴向式支承。平台2201具有一个驱动机构,用于在平台2201的径向方向(朝向中央或朝向外周边)上移动轴承2208。为了夹持粘合的基片叠50,首先,将粘合的基片叠50安放在平台2201上。此后,将导向辊2207朝平台中央的方向移动。平台2201被支承在支承平台2213上。
平台2201最好是具有一个凸形的支承部2211,用于在粘合的基片叠50和平台2201的表面之间形成一个间隙,以便接收机械手400。支承部2211最好是通过例如一个轴承2212被平台2201旋转轴向式支承,该轴承2212不妨碍粘合的基片叠50的旋转。
喷嘴2209通过一个支承件(未示出)附接到例如平台2201上。在分离装置2200中,以平台2201的位置为基准,来控制喷嘴2209的位置。将闸板2210插在喷嘴2209和平台2201之间。当闸板2210被打开,并且从喷嘴2209排出一股喷射流时,该喷射流可以注入粘合的基片叠50。当闸板2210被关闭时,可以使喷射流注入粘合的基片叠50停止下来。
下面将说明通过分离装置2200处理的分离步骤。首先,通过驱动机构使导向辊2207朝外周边方向移动,以便在安放粘合的基片叠50的平台2101上形成一个空间。
粘合的基片叠50被下方的机械手400水平地支承,并安放在平台2201的中央支承部2211上。将导向辊朝中央方向移动,以便固定粘合的基片叠50。按照分离装置2200,通过朝中央方向移动导向辊2207,来将粘合的基片叠50定位。
开动旋转源2203,以便将旋转力传送到旋转传送辊2202上,这样,粘合的基片叠50旋转。
当保持闸板2210关闭时,开动一台连接到喷嘴2209上的泵(未示出),以便将一种高压喷射流介质(例如水)送到喷嘴2209。从喷嘴2209排出高压喷射流。当喷射流稳定时,打开闸板2210。将从喷嘴2209排出的喷射流连续注入粘合的基片叠50的多孔层,以便开始分离该粘合的基片叠50。
当粘合的基片叠50的分离结束时,将闸板2210关闭,并且使连接到喷嘴2209的泵停止下来,以便使喷射流停止注入粘合的基片叠50。通过停止驱动旋转源2203使粘合的基片叠50的旋转停止下来。
将机械手400插在平台2201和下面的基片之间,并夹紧该基片。同时,用另一个机械手将上面的基片夹紧,以便使两块基片彼此间隔开。将各基片运送到预定的位置(例如盒子中)。
分离装置2200可以具有一个由基片保持部2104所形成的基片间隔机构和如图25所示的驱动机构,这样,通过间隔机构将两块已分开的基片分离开。
在粘合的基片叠50被分离开成两块基片之后,在两块基片之间存在有喷射流介质。当喷射流介质是一种液体(例如水)时,表面张力相当大。因此,为了用一个很小的力将两块基片彼此间隔开,最好是将喷射流从喷嘴2209供给两块基片之间的间隙。在这种情况下,在两块基片彼此间隔开之后,使来自喷嘴2209的喷射流停下来。诚然,用于排出一种用来使两块基片彼此间隔开的喷射流的机构可以独立地准备。
(第20实施例)
图30是示出按照本发明第20实施例的分离装置原理结构的视图。在分离装置2300中,有:一个或多孔旋转力传送件2306,用于将一个旋转力从粘合的基片叠50的边缘部分传送到该粘合的基片叠50上;和一个或多个导向件2307,用于当旋转粘合的基片叠50时,在水平夹持该粘合的基片叠50的平面方向上,调整该粘合的基片叠50的移动。一股喷射流从喷嘴2309排出,并注射到靠近粘合的基片叠50多孔层的部分,因而在多孔层处将粘合的基片叠分离成两块基片。旋转力传送件2306和导向件2307其中每个最好是都具有一种斜方形状,该形状通过例如将两个锥形物的底部结合在一起得到。
旋转力传送件2306通过一个轴承2305被一平台2301旋转轴向式支承,并且还联接到一个旋转源2303的旋转轴上。当旋转源2303使旋转力传送件2306旋转时,粘合的基片叠旋转。可以安装许多个旋转力传送件2306。特别是,当粘合的基片叠50具有一个定向平面时,至少需要两个旋转力传送件2306,以便连续地旋转粘合的基片叠50。导向件2307通过一个轴承(未示出)被平台2301旋转轴向式支承,可以安装许多个导向件2307。
分离装置2300具有一个驱动机构(未示出),用于在平台2301的径向方向(朝向中央或朝向外周边)上移动旋转力传送件2306和/或导向件2307。
当应用一个构件作为旋转力传送件2306或导向件2307,而该构件具有一种如上所述通过将两个锥形物的底部结合起来所得到的形状时,可以通过将该构件的外周边部分插入粘合的基片叠50或已经分离开的部分的结合表面来夹持粘合的基片叠50。这就防止了例如粘合的基片叠50的垂直摆动,并且还能让粘合的基片叠50已经分开的部分卷绕,和彼此间隔开。结果,能够稳定地夹持粘合的基片叠,并能增加分离效率。
平台2301最好是具有一个凸形的支承部2310,用于在粘合的基片叠50和平台2301的表面之间形成一个间隙,以便接收机械手400。支承部2310最好是通过例如一个轴承2311被平台2301旋转轴向式支承,该轴承2311不妨碍粘合的基片叠50的旋转。
喷嘴2309通过一个支承件(未示出)附接到例如平台2301上。在分离装置2300中,以平台2301的位置为基准,来控制喷嘴2309的位置。将闸板2308插在喷嘴2309和粘合的基片叠50之间。当闸板2308被打开,并且从喷嘴2309排出一股喷射流时,该喷射流可以注入粘合的基片叠50。当闸板2308被关闭时,可以使喷射流注入粘合的基片叠50停止下来。
下面将说明通过分离装置2300处理的分离步骤。首先,将旋转力传送件2306和/或导向件2307朝外周边方向移动,以便在安放粘合的基片叠50的平台2301上形成一个空间。
粘合的基片叠50被下方的机械手400水平地支承,并安放在平台2301的中央支承部2310上。旋转力传送件2306和/或导向件2307朝中央方向移动,以便固定粘合的基片叠50。若用这种操作,就将粘合的基片叠定位。
开动旋转源2303,以便使旋转力传送件2306旋转。粘合的基片叠50就旋转。
当保持闸板2308关闭时,开动一台连接到喷嘴2309上的泵(未示出),以便将一种高压喷射流介质(例如水)送到喷嘴2309。从喷嘴2309排出一股高压喷射流。当喷射流稳定时,将闸板2308打开。将从喷嘴2309排出的喷射流连续注入粘合的基片叠50的多孔层,以便开始分离粘合的基片叠50。
当粘合的基片叠50的分离结束时,将闸板2308关闭,并且使连接到喷嘴2309的泵停止下来,以便使喷射流停止注入粘合的基片叠50。通过停止驱动旋转源2303,使粘合的基片叠50的旋转停止下来。
将机械手400插在平台2301和下面的基片之间,并夹紧基片。同时,用另一个机械手夹紧上面的基片,以便使两块基片彼此间隔开。将各基片运送到预定的位置(例如盒子中)。
分离装置2300可以具有一个由基片保持部2014所形成的基片间隔机构和如图25所示的驱动机构,以便使两块分离开的基片被间隔机构分离开。
在粘合的基片叠50被分离开成两块基片之后,在两块基片之间存在有喷射流介质。当喷射流介质是一种液体(例如水)时,表面张力相当大。因此,为了用一个很小的力使两块基片彼此间隔开,最好是从喷嘴2309将喷射流供给两块基片之间的间隙。在这种情况下,在两块基片彼此间隔开之后,将来自喷嘴2309的喷射流停止下来。诚然,用于排出一种用来使两块基片彼此分离开的喷射流的机构可以独立地准备。
(第21实施例)
图40是示出按照本发明的第21实施例的分离装置原理结构的视图。与其它图中相同的标号基本上代表图40中相同的构成元件。
分离装置5000具有一对基片保持部270和280。基片保持部270和280通过从上边和下边将粘合的基片叠50夹在中间,来水平地夹持该粘合的基片叠50并使其旋转。一股喷射流从喷嘴排出,并注射到靠近粘合的基片叠50多孔层的部分,因而在多孔层处将该粘合的基片叠50分离成两块基片。
上面的基片保持部270联接到旋转轴140的一端上。旋转轴140的另一端通过一个联接件130联接到一台电机110的旋转轴上。电机110和旋转轴140可以不通过联接件联接,而是通过例如一根皮带或另一种机构联接。电机110固定到支承件120上,该支承件120固定在上面平台170上。电机由一控制装置控制。
一个真空管141贯穿旋转轴140,该真空管141用于将粘合的基片叠50真空夹紧在基片保持部270上。真空管141通过一个环150连接到一个外部真空管上。外部真空管具有一个电磁阀(未示出)。必要时,电磁阀用控制装置控制开/关。基片保持部270具有一个吸入孔271,用于真空夹紧粘合的基片叠50。吸入孔271连接到真空管141上。吸入孔271,真空管141,和电磁阀构成基片保持部270的真空夹紧机构。旋转轴140通过一个轴承160被上面的平台170支承。
下面的基片保持部280联接到一个旋转轴180上。旋转轴180通过一个往复/旋转的导向件230被一下面的平台240支承。下面的平台240在其上面部分处具有一个密封件231,用于防止喷射流介质进入往复/旋转的导向件230。
旋转轴180通过一个联接件330联接到气缸320的活塞杆上,该联接件330具有一个径向轴承340,用于旋转轴向式支承旋转轴180。旋转轴180具有一个凸缘182,用于调整旋转轴180和联接件330之间的位置关系。因此,当联接件330被气缸320向上或向下驱动时,旋转轴180相应地向上或向下移动。此外,当粘合的基片叠50的分离在进行,并且已经分离开的部分在粘合的基片叠50的轴向方向上卷绕,以便向下移动下面的基片保持部280和旋转轴180时,联接件330相应地向下移动。
分离装置5000具有一个意外操作防止机构4000,该意外操作防止机构4000防止在分离粘合的基片叠50期间,下面的基片保持部280和旋转轴180意外地向下(亦即在它们与上面的基片保持部270分离开的方向上)移动,并且还允许下面的基片保持部280和旋转轴180适度地移动。该意外操作防止机构4000被一个支承件351支承,该支承件351固定在下面的平台240上。
意外操作防止机构4000由例如一个阻尼机构形成。图41是示出使用一个阻尼机构的意外操作防止机构4000结构的视图。本例的意外操作防止机构4000具有:框架件(例如一个气缸)4440,活动部分4480,复原部分4470,通道4450,和阀4460。
活动部分4480具有一个活塞(隔板)4430、一个活塞杆4420,和一个接触件4410,该活塞4430在活塞和框架件4440的内壁之间形成一个压力室。这些构件具有一个整体式结构。压力室4490通过通道4450与阀4460的一端连通。在粘合的基片叠50的分离处理开始之前,将压力室4490装满一种流体(例如,一种气体如空气或一种液体如油)。
阀4460的另一端连接到一个贮存例如一种流体的容器上。该容器的容积最好是比压力室4490的容积大得多。当用大气压下的空气作为流体时,阀4460的另一端可以敞开通向空气。阀4460最好是具有一种调节打开程度(流速)的功能。
在粘合的基片叠分离处理时,由于连续地注入因分离而形成的间隙的喷射流介质的压力,所以粘合的基片叠50的已经分开的部分在该粘合的基片叠50的轴向方向上卷绕。下面的基片保持部280和旋转轴180在它们与上面的基片保持部270间隔开的方向,亦即向下的方向上接收一个力。因此,意外操作防止机构4000的活动部分4480也接收来自旋转轴180的向下的力。
这时,意外操作防止机构4000产生一个反作用力,抵抗由旋转轴180施加的力。该反抗力的大小程度取决于下面的基片保持部280和旋转轴180的加速度,也就是取决于活动部分4480的加速度。
更具体地说,意外操作防止机构4000具有一个通道4450和阀4460。该通道4450用于从压力室4490排放流体,而阀4460用于调节流体的排放量。随着活动部分4480向下移动,压力室4490中的流体就排放出来。当活动部分4480适度地向下移动时,压力室4490中的流体随着移动而排放出来,并且压力室4490中的压力较少增加。因此,从活动部分4480施加到旋转轴180上的反作用力很小。另一方面,当活动部分4480意外地向下移动时,压力室4490中流体的排放不能随着移动而进行,并且压力室4490中的压力意外地增加。因此,从活动部分4480施加到旋转轴上的反作用力很大。
意外操作防止机构4000防止下面的基片保持部280意外地向下移动,但允许它适度地向下移动。换句话说,意外操作防止机构4000防止粘合的基片叠50在轴向方向上意外地卷绕,但允许它适度地卷绕。
当一个粘合的基片叠50的分离结束,并进行下一个粘合的基片叠50的分离处理时,下面的基片保持部280和旋转轴180被气缸320向上驱动,以便夹持新的粘合的基片叠50。这时,复原部分4470向上压紧活动部分4480,以便使活动部分4480的接触件4410与旋转轴180接触。
复原部分4470使活塞4430延伸,以便用流体装满压力室4490,或者使流体装满压力室4490,以便使活塞延伸。在图41所示的结构中,复原部分包括一个弹簧。通过弹簧的复原力将活塞4430延伸。随着这种操作,压力室4490通过通道4450和阀4460被装满流体。
相反,可以应用另一种装置,其中压力室4490通过另外的通道4450和阀4460装满流体,如图42所示,或者压力室4490通过另一个通道装满流体,如图43所示,以便使活塞4430延伸。
图42是示出如图41所示的意外操作防止机构4000一种修改方案的视图。图42示出一种意外操作防止机构,其中压力室4490通过通道4450装满流体,该通道4450用来从压力室4490排放流体。在具有这种结构的意外操作防止机构4000中,当进行分离处理时,将一个阀4530打开,并将一个阈4510关闭,以便通过通道4450、阀4460、通道4500,和阀4530排放压力室4490中的流体。为了使活动部分4480延伸,将阀4530关闭,并将阀4510打开,以便通过一个压力源4520将压力室装满流体。
图43是示出图41所示的意外操作防止机构另一种修改方案的视图。图43示出一种意外操作防止机构,该意外操作防止机构除了具有用来从压力室4490排放流体的通道4450之外,还具有一个通道4600,用于将压力室4490装满流体。在具有这种结构的意外操作防止机构4000中,当进行分离处理时,将阀4460调节到一个所希望的打开程度,并将阀4610关闭,以便通过通道4450和阀4460排放压力室4490中的流体。为了使活动部分4480延伸,将阀4460关闭,并将阀4610打开,以便通过压力源4620将压力室4490装满流体。
这种意外操作防止机构4000防止粘合的基片叠50在轴向方向上意外地卷绕,但能让它适度地卷绕,如上所述。意外操作防止机构4000有效地防止了在分离处理粘合的基片叠50时第1基片侧或第2基片侧上的任何缺陷,更具体地说,有效地防止了在分离处理最终阶段时第1基片侧或第2基片侧上的任何缺陷。下面将说明这方面的原因。
由于注射到已经分离开的各基片之间的喷射流介质的压力,粘合的基片叠50的已经分离开的各部分在该粘合的基片叠50的轴向方向上卷绕。根据这种卷绕的程度,下面的基片保持部280在它与上面的基片保持部270分开的方向,亦即向下的方向上移动。当分离在进行并到达粘合的基片叠50的中央部分时,卷绕量变大,并且下面的基片保持部280的移动量相应地增加。
当分离进一步进行并到达最终阶段时,粘合的基片叠50未分离开部分的接合力(用于接合第1基片侧和第2基片侧的力)意外地比由喷射流介质所引起的粘合的基片叠的分离力(为将粘合的基片叠剥离成两块基片而起作用的力)要小。
在一种没有任何意外操作防止机构4000的分离装置中,接合力经受不住分离力,并且下面的基片保持部280瞬时地意外移动。这时,粘合的基片叠50的未分离开的区域立即被剥离,而这可能在第1或第2基片侧上产生缺陷。
按照第21实施例所述的分离装置5000具有意外操作防止机构4000,该意外操作防止机构4000预防上述基片保持部280的意外操作。结果,能够预防第1或第2基片侧上的任何缺陷。意外操作防止机构4000允许基片保持部280在分离时适度地移动。因此,在分离时粘合的基片叠50已经分离开的各部分在粘合的基片叠50的轴向方向上卷绕,并且能够有效地将粘合的基片叠分离开。
意外操作防止机构4000最好是具有一种能在活动部分4480移动时防止碰撞的结构,亦即是一种有较小摩擦阻力的结构。当碰撞发生时,下面的基片保持部逐步的移动。由于这个原因,粘合的基片叠50的分离是逐步的进行,而这可以在第1或第2基片侧上产生缺陷。
意外操作防止机构4000最好是与旋转轴同轴。若用这种结构,基片保持部270和基片保持部280能够平缓地旋转。
一个真空管181贯穿旋转轴180,该真空管181用于真空夹紧基片保持部280上的粘合的基片叠50。真空管181通过一个环190连接到一个外部真空管上。该外部真空管具有一个电磁阀(未示出)。必要时,电磁阀用控制装置(未示出)控制开/关。
基片保持部280具有一个吸入孔281,用于真空夹紧粘合的基片叠50。吸入孔281连接到真空管181上。吸入孔281、真空管181,和电磁阀构成基片保持部280的真空夹紧机构。
下面的平台240被许多个支柱件310支承。将上面的平台170支承在下面的平台240上。
喷嘴260通过一个支承件(未示出)附接到例如下面的平台240上。在第21实施例的分离装置5000中,以上面的基片保持部270为基准,控制喷嘴260的位置。将一个由电机250驱动的闸板251插在喷嘴260与基片保持部270和280之间。当闸板251被打开,并且从喷嘴260排出喷射流时,可将该喷射流注入粘合的基片叠50。当闸板251关闭时,可使喷射流注入粘合的基片叠50停止下来。
在分离装置5000中,因为上面的基片保持部270不在垂直方向上移动,所以用于防止上面的基片保持部270意外操作的意外操作防止机构是不必要的。然而,当应用一种在垂直方向上移动的基片保持部作为上面的基片保持部270时,最好是准备一个意外操作防止机构,用于防止面面的基片保持部270的意外操作。
下面将说明通过分离装置5000分离处理粘合的基片叠的步骤。首先,气缸320使活塞杆收缩,以便在基片保持部270和280之间形成一个合适的间隙。在这种状态下,粘合的基片叠50被下方的机械手400水平地支承,并插到基片保持部270和280之间一个预定位置。
气缸320使活塞延伸,以便向上移动下面的基片保持部280。下面的基片保持部280压紧并夹持粘合的基片叠50。
将意外操作防止机构4000的活动部分4480向上移动,以便使活动部分4480的接触件4410靠着旋转轴180的下端。
开动电机110,以便将旋转力传送到旋转轴140上。旋转轴140,基片保持部270,粘合的基片叠50,基片保持部280,和旋转轴180整体式旋转。
当保持闸板251关闭时,开动一台连接到喷嘴260上的泵(未示出),以便将一种高压喷射流介质(例如水)送到喷嘴260。从喷嘴260排出一股喷射流。当喷射流稳定时,将闸板251打开。将从喷嘴260排出的喷射流连续注入粘合的基片叠的多孔层中,以便开始分离粘合的基片叠50。
粘合的基片叠50的分离呈螺旋形地从外周边部分进行到中央部分。更具体地说,粘合的基片叠50的分离这样进行,以致在已经分离开的区域(分开的区域)和没有分离开(未分开)的区域之间的边界画出一个螺旋形的轨迹。
由于注射喷射流介质的压力,已分离开的区域卷绕。当分离进行,并且卷绕变得大到某种程度时,基片保持部280被粘合的基片叠压紧,并且开始向下移动。如上所述,基片保持部280的移动由意外操作防止机构4000控制。更具体地说,基片保持部280适度地移动,但不意外地移动。因此,能够有效地防止上述由于基片保持部280意外的移动而引起的缺陷。
通过按照分离的进程来控制阀4460的打开程度,可以按照分离的进程改变意外操作防止机构4000的特点。可以按照波处理的粘合的基片叠50的特点(例如直径或厚度)或者分离处理的条件(例如喷射流压力或喷射流直径)来调节阀4460的打开程度。
当粘合的基片叠50的分离结束时,将闸板251关闭,并使连接到喷嘴260的泵停止下来,以便停止将喷射流注入粘合的基片叠50。电机110的运行也停止下来。
开动基片保持部270和280的真空夹紧机构(打开电磁阀),以便使基片保持部270真空夹紧上面分离开的基片,和使基片保持部280真空夹紧下面分离开的基片。
气缸320使活塞杆收缩,以便在基片保持部270和280之间形成一个预定的间隙。两块分离开的基片彼此间隔开。
将机械手400插在基片和基片保持部270之间。机械手400夹紧基片。此后,解除基片保持部270真空夹紧机构的夹紧作用。将基片从基片保持部270输送到机械手400。机械手400将基片运送到一个预定位置(例如一个盒子中)。
将机械手400插在基片和基片保持部280之间。机械手400夹紧基片。此后,解除基片保持部280真空夹紧机构的夹紧作用。将基片从基片保持部280传送到机械手400。机械手400将基片运送到一个预定位置(例如一个盒子中)。两块分离开的基片可以用机械手以相反的次序接收,或者用两个机械手同时接收(未示出)。
在粘合的基片叠50被分离开成两块基片之后,在两块基片之间存在有喷射流介质。当喷射流介质是一种液体(例如水)时,表面张力相当大。因此,为了用一个很小的力将两块基片彼此间隔开,最好是将喷射流从喷嘴260供给两块基片之间的间隙。在这种情况下,在两块基片彼此间隔开之后,使来自喷嘴260的喷射流停止下来。诚然,用于排出用来使两块基片彼此间隔开的喷射流的机构可以独立地准备。
(第22实施例)
图31和32是示出按照本发明第22实施例的分离装置原理结构的视图。分离装置2400把上述实施例其中之一所代表的分离装置和一个清洗装置结合起来。
作为一种有代表性的分离装置,将把一种分离装置作为例子,其中一对基片保持部2401和2402水平地夹持并旋转粘合的基片叠50,并将一股喷射流从喷嘴2405朝向粘合的基片叠50的多孔层排出,因而在多孔层处将粘合的基片叠50分离成两块基片。在此分离装置中,基片保持部2401和2402分别联接到旋转轴2403和2404上。至少通过旋转轴其中之一将旋转力传送到基片保持部上。
将闸板2406插在喷嘴2405与基片保持部2401和2402之间。闸板2406不需要总是准备。喷射流注入粘合的基片叠50可以不通过使用闸板2406,而是通过移动喷嘴2405或控制一台连接到喷嘴2405的泵来加以控制(这也适用于其余的实施例)。
清洗装置将一种清洗液(例如水)从清洗喷嘴2407排出到粘合的基片叠50,该清洗液由清洗液供给管2408供给。
下面将说明用这种分离装置处理步骤的例子。首先,这对基片保持部2401和2402水平地夹持并旋转粘合的基片叠50。如图31所示,从喷嘴2405排出一股喷射流,并且将闸板2406打开。将喷射流注入粘合的基片叠50的多孔层,以便分离粘合的基片叠50。
当从清洗喷嘴排出清洗液,以便清洗粘合的基片叠50时,可以将粘合的基片叠50分离开。
当粘合的基片叠50的分离结束时,将闸板2406关闭。此后,使喷射流从喷嘴2405排出停止下来(使泵的运行停止下来)。
如图32所示,在其中使基片保持部2401和2402旋转或停止下来的状态下,分离开的各基片被基片保持部2401和2402夹紧并彼此间隔开。
将清洗液从清洗喷嘴2407排出,以使清洗两块分离开的基片。
按照这种分离装置,能够有效地完成粘合的基片叠50的分离处理和分离开的基片的清洗。
(第23实施例)
图33和34是示出按照本发明第23实施例的分离装置原理结构的视图。在分离装置2500中,一对保持部2501和2502水平地夹持粘合的基片叠50。在通过从喷嘴2505排出的一股喷射流将粘合的基片叠50分离开成两块基片之后,在水平方向上移动基片保持部2501和2502的其中一个或二者都移动,以便使分离开的基片彼此间隔开。
将基片保持部2501和2502分别联接到旋转轴2503和2504上。至少通过旋转轴其中之一将旋转力传送到各基片保持部上。基片保持部2501和2502分别具有吸入孔2501a和2502a,用于真空夹紧粘合的基片叠50。将吸入孔2501a和2502a分别连接到旋转轴2503和2504内的真空管2503a和2504a上。将闸板2506插在喷嘴2505与基片保持部2501和2502之间。
下面将说明通过分离装置2500分离处理的步骤。首先,如图33所示,这对基片保持部2501和2502水平地夹持粘合的基片叠50。至少使旋转轴2503和2504其中之一旋转,以便使粘合的基片叠50旋转。其次,如图33所示,从喷嘴2505排出一股喷射流,并将闸板2506打开。将喷射流注入粘合的基片叠50的多孔层,以便开始分离粘合的基片叠50。
当粘合的基片叠50的分离结束时,将闸板2506关闭。此后,使喷射流从喷嘴2505排出停止下来(使泵的运行停止下来)。
如图34所示,在其中使基片保持部2501和2502旋转或停止下来的状态下,在水平方向上移动这对基片保持部2501和2502的其中之一或两个都移动,以便使分离开的基片彼此间隔开。当沿着粘合的基片叠50的分离开的表面在水平方向上移动基片保持部2501和2502的其中之一或两个都移动时,两块基片能很容易地彼此间隔开,而与在两块基片之间作用的表面张力的影响无关。
(第24实施例)
本实施例提供各种分离方法,这些方法着重于在分离处理时粘合的基片叠和用于排出喷射流的喷嘴之间的关系。尽管以下的分离方法适合于分离水平地夹持粘合的基片叠,但它们也可用来分离以另外角度(例如垂直地)夹持的粘合的基片叠。
在第1种分离方法中,将一股喷射流平行于粘合的基片叠的多孔层注入该多孔层中,同时,围绕基本上是粘合的基片叠的中央使该粘合的基片叠旋转,如上述各实施例所述。
在第2种分离方法中,如图35(平面图)所示,将一股喷射流平行于粘合的基片叠的多孔层注入该多孔层中,同时,通过一个驱动机构2601将喷嘴51沿着多孔层扫掠。
在第3种分离方法中,将一股喷射流平行于粘合的基片叠的多孔层注入该多孔层中,同时,通过一个驱动机构2603移动粘合的基片叠50的一个保持部52安装于其上的平台2602,以便扫掠该粘合的基片叠50。
在第4种分离方法中,如图37A和图37B(平面图)所示,将一股喷射流平行于粘合的基片叠50的多孔层注入该多孔层中,同时,使旋转轴2604绕枢轴旋转,以便使固定在旋转轴2604上的喷嘴51绕枢轴旋转并扫掠喷射流,这样使喷射流产生一个扇形轨迹。
在第5种分离方法中,如图38(平面图)所示,将一股喷射流平行于粘合的基片叠50的多孔层注入该多孔层中,同时,当使保持部52旋转,以便旋转粘合的基片叠50时,通过一个驱动机构2601使喷嘴51沿着该多孔层扫掠。
所有上述分离方法都可应用于上述各实施例的分离装置。然而,可以用另一种分离方法。
(第25实施例)
图39是示出按照本发明第25实施例的分离装置原理结构的平面图。作为一个分离装置3020,本实施例的分离装置3000具有一个上述各实施例其中之一所阐明的分离装置。
分离装置3000在支承平台3200上的一个预定位置处(例如在中央)具有一个标量自动装置3150。在离该标量自动装置3150基本上是等距离的位置处,围绕该自动装置3150设置了各种处理装置。更具体地说,在本实施例中,在离标量自动装置3150基本上是等距离的位置处,设置了一个装料机3080、定心装置3070、分离装置3020、翻转装置3130、清洗/干燥装置3120、第3卸料机3110、第2卸料机3100,和第1卸料机3090。
在处理之前,将一个第1盒子3081安放在装料机3080上,该第1盒子3081贮存一个或多个粘合的基片叠。处理之前,分别将空盒子3091、3101、和3111安放在第1卸料机3090、第2卸料机3100,和第3卸料机3110上。
定心装置3070接收一个来自标量自动装置3150的粘合的基片叠,进行处理(定中心),用于在一预定位置处对准粘合的基片叠的中央,然后将该粘合的基片叠转移到标量自动装置3150上。
分离装置3020设置在一个小室3010中,以防止后面所述的喷射流介质(例如水)散布到周边部分上。小室3010具有一个闸板3060,标量自动装置3150的机械手穿过该闸板3060进入/离开该小室。分离装置3020具有一个喷嘴3040,用于排出一股喷射流。喷嘴3040的位置用一个正交的自动装置3050控制。
翻转装置3130将两块分离开的基片的上面基片旋转180°,以便使基片转向(分离开的表面朝上)。清洗/干燥装置3120清洗和干燥各分离开的表面。
分离装置3000根据一个操作面板3140的指令进行粘合的基片叠的分离处理。
下面将说明通过这种处理系统3000进行分离处理的步骤。首先,将贮存欲处理的粘合的基片叠的盒子3081用人工或自动地安放在装料机3080上一个预定位置处。分别将空盒子3091、3101、和3111安放在第1卸料机3090、第2卸料机3100和第3卸料机3110上。在本实施例中,用盒子3091来贮存上面分离开的基片、用盒子3101来贮存下面分离开的基片,和用盒子311 1来贮存分离已经失败的粘合的基片叠(或分离开的基片)。将盒子3081这样安放在装料机3080上,以使贮存的粘合的基片叠变成水平放置。分别这样将盒子3091、3101,和3111安放在第1卸料机、第2卸料机、和第3卸料机上,以便各基片能够以一种水平状态贮存。
标量自动装置3150夹紧盒子3081中最下面的粘合的基片叠,提取出该粘合的基片叠,并且在保持水平状态时将它转移到定心装置3070上。定心装置3070将粘合的基片叠定中心,并将它转移到标量自动装置3150上。
当保持水平状态时,将小室3010的闸板3060打开,以便将定好中心的粘合的基片叠从标量自动装置3150转移到分离装置3020。粘合的基片叠已经定好中心了。由于这个原因,当标量自动装置3150的机械手被移动到一个预定的位置,以便将粘合的基片叠转移到分离装置3020上时,可以将粘合的基片叠定位到分离装置上。
将小室3010的闸板3060关闭,并通过分离装置3020进行分离处理。更具体地说,当旋转成水平状态夹持的粘合的基片叠时,分离装置3020将从喷嘴3040出来的一股喷射流排出到粘合的基片叠的多孔层上,并借助该喷射流将粘合的基片叠分离成两块基片。
将小室3010的闸板3060打开,而标量自动装置3150接收来自分离装置3020的上面分离开的基片并将该基片转移到翻转装置3130上。当夹紧基片的上面部分时,标量自动装置3150最好是接收上面分离开的基片,并将它转移到翻转装置3130上。附着在分离开的表面上的芯片很少附着到标量自动装置的机械手上。翻转装置3130将所接收的基片旋转180°,亦即将基片转向并将它转移到标量自动装置3150上。代替翻转装置3130,可以准备一种用于将标量自动装置3150的机械手旋转180°的机构,并且可以通过将机械手旋转180°来使基片转向。
标量自动装置3150将转向的基片转移到清洗/干燥装置3120上。当成水平状态从下表面支承基片时,标量自动装置3150最好是接收来自翻转装置的基片,并将该基片转移到清洗/干燥装置3120上。这就防止了基片落下。清洗/干燥装置3120清洗并干燥所接收的基片,并将它成水平状态转移到标量自动装置3150上。
标量自动装置3150将已清洗并干燥好的基片贮存在第1卸料机3090上的盒子3091中。当成水平状态从下方支承基片时,标量自动装置3150最好是接收来自清洗/干燥装置3120的基片,并将它贮存在盒子3091中。这就防止了基片落下。
标量自动装置3150接收来自分离装置3020的下面的分离开的基片,并将该基片转移到清洗/干燥装置3120上。当成水平状态从下方支承基片时,标量自动装置最好是接受该基片,并将它转移到清洗干燥装置3120上。这就防止了基片落下。清洗/干燥装置3120清洗并干燥所接收的基片,并成水平状态将它转移到标量自动装置3150上。
标量自动装置3150将清洗并干燥过的基片贮存在第2卸料机3100上的盒子3111中。当成水平状态从下方支承基片时,标量自动装置最好是接收来自清洗/干燥装置3120的基片,并将该基片贮存在盒子3111中。这就防止了基片落下。
上面已经说明了用于一个粘合的基片叠的分离装置3000的操作。在分离装置3000中,能够平行地处理许多个粘合的基片叠。例如,当将第1个粘合的基片叠从定心装置3070转移到分离装置3020,并通过该分离装置3020将其分离开时,将第2个粘合的基片叠从装料机3080上的盒子3081中提取出来,转移到定心装置3070上,并进行定中心处理。也就是说,在分离装置3000中,用定心装置3070进行定中心处理,用分离装置3020进行分离处理、用回转装置3130进行回转处理,及用清洗/干燥装置3120进行清洗/干燥处理能够平行地进行。
在分离装置3000中,标量自动装置3150按照由操作人员通过操作面板3140输入的指令,将分离已经失败的基片贮存在第3个卸料机3110上的盒子3111中。代替按照操作人员的指令识别分离失败,可以准备一个分离状态监测装置,来检测分离失败。
按照本实施例,因为成水平状态运送粘合的基片叠或分离开的基片,所以可以应用具有比较简单结构的标量自动装置作为运送机构。
此外,按照本实施例,因为各个装置被设置在离标量自动装置3150基本上是等距离的位置处,所以能够有效地在各装置之间运送粘合的基片叠或分离开的基片。
按照本发明,因为样品被水平地夹持,所以能够防止例如一种平板状的样品落下,并且能够以很高的产率进行分离处理。
本发明不限于上述的各实施例,并且在本发明的精神和范围内,能够作各种改变和修改。因此,为了通告本发明范围的专利权,提出下列权利要求。
Claims (87)
1.一种用来把具有分离层的板状样件在分离层处分离开的分离设备,其特征在于,它包括:
保持机构,用来将此板状样件保持于基本水平的状态同时能转动此样件;
喷射部,用来将流体喷射到此保持机构所保持的板状样件的分离层,以通过该流体在分离层处分离此板状样件。
2.如权利要求1所述的分离设备,其特征在于,上述保持机构包括一对样件保持机构,用来以从上、下两侧夹住的方式来保持此板状样件。
3.如权利要求2所述的分离设备,其特征在于,这对保持机构具有夹具机构,用来分别夹定此板状样件。
4.如权利要求2所述的分离设备,其特征在于,这对保持机构具有加压力部,用来沿轴向对此板状样件施加压力,并保持该由所述加压力部正在施加压力的板状样件。
5.如权利要求4所述的分离设备,其特征在于,上述加压力部用弹簧产生的力沿轴向对板状样件加压。
6.如权利要求4所述的分离设备,其特征在于,上述加压力部用动力缸产生的力沿轴向对板状样件加压。
7.如权利要求4所述的分离设备,其特征在于,上述加压力部用流体压力沿轴向对板状样件加压。
8.如权利要求2所述的分离设备,其特征在于,上述这对样件保持机构中的至少一个包括Bernoulli夹具。
9.如权利要求4所述的分离设备,其特征在于,上述加压力部将流体供应到板状样件的表面而用此流体对此样件施加压力。
10.如权利要求9所述的分离设备,其特征在于,上述由所述加压力部供应到板状样件表面上的流体是液体。
11.如权利要求9所述的分离设备,其特征在于,上述由所述加压力部供应到板状样件表面上的流体是气体。
12.如权利要求4所述的分离设备,其特征在于,上述这对样件保持机构中的至少一个包括一与板状样件接触而保持它的保持件,所述加压力部通过此保持件给板状样件施加压力。
13.如权利要求12所述的分离设备,其特征在于,上述加压力部用流体对此保持件加压,而通过此保持件将压力施加到此板状样件上。
14.如权利要求13所述的分离设备,其特征在于,由所述加压力部供给于所述保持件的流体是液体。
15.如权利要求13所述的分离设备,其特征在于,由所述加压力部供给于所述保持件的流体是气体。
16.如权利要求2所述的分离设备,其特征在于,上述这对样件保持机构中的至少一个包括:一与板状样件接触以保持该板状样件的保持件;和一用来支承所述保持件的Bernoulli夹具。
17.如权利要求12所述的分离设备,其特征在于,上述加压力部用磁力压迫此保持件并通过所述保持件给板状样件施加压力。
18.如权利要求4所述的分离设备,其特征在于,上述加压力部从这对样件保持机构的下部样件保持机构对板状样件施加压力,同时,将上部样件保持机构固定于垂直位置。
19.如权利要求4所述的分离设备,其特征在于,上述加压力部从这对样件保持机构的上部样件保持机构对板状样件施加压力,同时,将下部样件保持机构固定于垂直位置。
20.如权利要求4所述的分离设备,其特征在于,上述加压力部从这对样件保持机构的两个机构对板状样件施加压力。
21.如权利要求4所述的分离设备,其特征在于,上述加压力部用重物给板状样件施加压力。
22.如权利要求21所述的分离设备,其特征在于,上述加压力部用多个重物逐步地改变压迫板状样件的力。
23.如权利要求21所述的分离设备,其特征在于,当要分离板状样件周边附近的部分时,上述加压力部用较小的力压迫板状样件,而当要分离板状样件中心附近的部分时则用较大的力压迫此板状样件。
24.如权利要求21至23其中之一所述的分离设备,其特征在于,上述加压力部压迫板状样件中心附近的部分。
25.如权利要求4所述的分离设备,其特征在于,当要分离板状样件周边附近的部分时,上述加压力部用较小的力压迫板状样件,而当要分离板状样件中心附近的部分时则用较大的力压迫此板状样件。
26.如权利要求4所述的分离设备,其特征在于,在板状样件的第一分离步骤中,上述加压力部用较小的力压迫板状样件,而在板状样件的第二分离步骤中用较大的力压迫板状样件。
27.如权利要求4所述的分离设备,其特征在于,上述加压力部压迫板状样件中心附近的部分。
28.如权利要求1所述的分离设备,其特征在于,上述保持机构具有能够向/从输送结构转移/接收板状样件的结构,以夹定板状样件的表面来保持此样件。
29.如权利要求12所述的分离设备,其特征在于,上述保持机构包括凸形支承部用来保持板状样件,同时,在板状样件表面的预定部分和上述保持件表面的预定部分间形成一间隙。
30.如权利要求1所述的分离设备,其特征在于,上述保持机构保持板状样件的基本上中央部分。
31.如权利要求1所述的分离设备,其特征在于,上述保持机构包括用来保持板状样件一个表面的样件保持机构。
32.如权利要求31所述的分离设备,其特征在于,上述样件保持机构包括用来夹定板状样件的夹具机构。
33.如权利要求32所述的分离设备,其特征在于,上述夹具机构夹住板状样件的多个部分。
34.如权利要求32或33所述的分离设备,其特征在于,上述夹具机构夹住板状样件的周边部分。
35.如权利要求32所述的分离设备,其特征在于,上述夹具机构夹住板状样件以弯曲该板状样件。
36.如权利要求32所述的分离设备,其特征在于,上述保持机构具有能使板状样件与输送机构交换以夹定板状样件的表面来保持此样件的结构。
37.如权利要求33所述的分离设备,其特征在于,上述保持机构包括基本上处于中央部分的凸形支承部。
38.如权利要求32所述的分离设备,其特征在于,当要分离板状样件周边附近的部分时,上述夹具机构夹住板状样件,而当要分离板状样件中心附近的部分时则不夹住板状样件。
39.如权利要求1所述的分离设备,其特征在于,上述保持机构包括用来支承板状样件的边缘部的边缘部支承件。
40.如权利要求1所述的分离设备,其特征在于,上述保持机构包括用来支承板状样件边缘部的多个边缘部支承件以及用来转动该多个边缘部支承件中的至少一个的转动源,而此板状样件则通过将转动力由所述转动的边缘部支承件传送给板状样件而转动。
41.如权利要求39所述的分离设备,其特征在于,上述保持机构包括用来支承所述边缘部支承件的台部以及用来转动此台部的转动源,而板状样件则通过转动此台部而转动。
42.如权利要求39所述的分离设备,其特征在于,上述保持机构还包括凸形支承部,用来部分地支承板状样件的下表面。
43.如权利要求40所述的分离设备,其特征在于,上述保持机构还包括用来部分地支承板状样件下表面的凸形支承部,此凸形支承部与设于其上的板状样件一起转动。
44.如权利要求39至43其中之一所述的分离设备,其特征在于,还包括驱动机构,用来将所述边缘部支承件驱动向板状样件的中心或外边缘,而在保持住板状样件时,所述驱动机构将上述边缘部支承件驱向中央。
45.如权利要求39所述的分离设备,其特征在于,各所述多个边缘部支承件中的每一个均具有由将两个锥体的底部粘合到一起所得到的形状。
46.如权利要求1所述的分离设备,其特征在于,还包括有分隔机构,用来在板状样件被分离成两个样件后将这两个分开的板状样件相互分隔开。
47.如权利要求46所述的分离设备,其特征在于,所述分隔机构使上述分离的板状样件基本上沿轴向分开。
48.如权利要求46所述的分离设备,其特征在于,所述分隔机构使上述分离的板状样件基本上沿平面方向分开。
49.如权利要求1所述的分离设备,其特征在于,还包括清洗部,用来清洗分离中的板状样件或已被分开的板状样件。
50.一种对具有分离层的板状样件于此分离层处加以分离的分离设备,其特征在于,它包括:
以基本水平状态保持住板状样件同时压迫此样件的保持机构;和
将流体喷射到由所述保持机构所保持的板状样件的分离层以通过该流体在分离层处分离板状样件的喷射部。
51.如权利要求50所述的分离设备,其特征在于,还包括扫描部,用来在分离板状样件时扫描此喷射部或板状样件。
52.如权利要求50所述的分离设备,其特征在于,还包括枢轴部,用于使上述喷射部绕平行于板状样件的轴线的轴线旋转。
53.如权利要求1至52其中之一所述的分离设备,其特征在于,上述拟处理的板状样件具有易碎层来作为这种分离层。
54.如权利要求53所述的分离设备,其特征在于,所述易碎层是多孔层。
55.如权利要求53所述的分离设备,其特征在于,所述易碎层是微腔式层。
56.如权利要求1所述的分离设备,其特征在于,所述待处理的板状样件是半导体基片。
57.如权利要求1所述的分离设备,其特征在于,所述待处理的板状样件由粘合第一和第二基片形成并且具有易碎层作为分离层。
58.如权利要求1所述的分离设备,其特征在于,此拟处理的板状样件是由下述方式形成:在第一半导体基片的表面上形成多孔层,在此多孔层上形成无孔层,然后在此无孔层上粘合第二基片。
59.一种分离系统,其特征在于,它包括:
用于把具有分离层的板状样件在分离层处分离开的分离设备;和
输送用自动装置,此自动装置将板状样件依基本水平状态传送到此分离设备,并依基本水平状态接收由此分离设备分离的板状样件,
其中,所述分离设备包括:
保持机构,用来将此板状样件保持于基本水平的状态同时能转动此样件;和
喷射部,用来将流体喷射到由所述保持机构所保持的板状样件的分离层,以通过该流体在分离层处分离此板状样件。
60.如权利要求59所述的分离系统,其特征在于,所述输送用自动装置输送板状样件,同时从下侧支承此样件到所述分离设备上。
61.如权利要求59或60所述的分离系统,其特征在于,所述输送用自动装置从所述分离设备接收所分离的两个板状样件中的下部的板状样件,同时从下侧支承此样件。
62.如权利要求59所述的分离系统,其特征在于,所述输送用自动装置从所述分离设备接收所分离的两个板状样件中的上部的板状样件,同时从上侧支承此样件。
63.如权利要求59所述的分离系统,其特征在于,所述系统还包括定心设备,用来使板状样件的中心设置于预定位置,而上述输送用自动装置则从此定心设备接收板状样件并将其输送给所述分离设备。
64.如权利要求59所述的分离系统,其特征在于,还包括翻转设备,用来使板状样件转过180°而将其翻转,而上述输送用自动装置则将由所述分离设备分离出的上部板状样件依水平状态输送到此翻转设备上。
65.如权利要求59所述的分离系统,其特征在于,还包括清洗/干燥设备,用来清洗和干燥由所述分离设备分离的各板状样件。
66.一种把具有分离层的板状样件在分离层处分离开的分离方法,其特征在于,它包括下述步骤:
由保持机构将板状样件保持在基本水平状态;
从喷射部将流体喷射到板状样件的分离层,并同时转动由所述保持机构保持的板状样件以用此流体在分离层处分离板状样件;和
从所述保持机构上取下分离开的各板状样件。
67.一种对具有分离层的板状样件于此分离层处将其分离的分离方法,其特征在于,它包括下述步骤:
由保持机构压迫和保持板状样件于基本水平的状态;
从喷射部将流体喷射到由所述保持机构保持的板状样件的分离层,以用此流体在分离层处分离板状样件;和
从保持机构取下分离开的各板状样件。
68.一种用来把具有分离层的板状样件在分离层处分离开的分离设备,其特征在于,它包括:
保持机构,用来保持此板状样件;
喷射部,用来将流体喷射到由此保持机构保持的板状样件,以用此流体将板状样件于分离层处分离;
意外操作防止机构,用来防止因作用于板状样件上流体的力致保持机构突发运动,同时允许此保持机构在分离板状样件时适度地运动。
69.如权利要求68所述的分离设备,其特征在于,所述意外操作防止机构包括阻尼机构。
70.如权利要求68或69所述的分离设备,其特征在于,还包括转动机构,用来在分离板状样件时使所述保持机构围绕基本上垂直于所述喷射部的流体喷射方向的轴线转动。
71.如权利要求70所述的分离设备,其特征在于,所述意外操作防止机构与所述保持机构同轴。
72.如权利要求68所述的分离设备,其特征在于,所述保持机构包括一对样件保持部,用于夹定和保持板状样件,这对样件保持部中的至少一个能沿基本上垂直于所述喷射部的流体喷射方向的方向运动,所述意外操作防止机构防止所述可动的样件保持部产生意外运动,同时允许所述可动的样件保持部在分离板状样件时适度地运动。
73.如权利要求72所述的分离设备,其特征在于,所述意外操作防止机构包括:
可动部分,其移动,与所述可动样件夹持部接触;和
反作用力发生部,用来产生反抗自所述可动样件保持部施加给所述可动部分的力的反作用力。
74.如权利要求73所述的分离设备,其特征在于,所述可动部分作平滑地移动。
75.如权利要求73或74所述的分离设备,其特征在于,所述可动部分包括活塞,所述反作用力发生部包括形成压力室的框架构件,用于产生压力作用于所述活塞上,所述框架构件具有用来使流体从所述压力室排出的通道。
76.如权利要求75所述的分离设备,其特征在于,所述意外操作防止机构具有用来控制流过上述通道的流体的阀。
77.如权利要求75所述的分离设备,其特征在于,所述意外操作防止机构还包括有复原机构,用来使回缩入上述框架构件中的活塞伸出,并同时在分离板状样件时用所述流体充填所述压力室。
78.如权利要求77所述的分离设备,其特征在于,所述复原机构具有弹簧,所述活塞通过该弹簧的力伸出以用所述流体充填所述压力室。
79.如权利要求77所述的分离设备,其特征在于,所述复原机构包括充填机构,用于用上述流体充填此压力室,所述活塞通过由所述充填机构用所述流体充填压力室而伸出。
80.如权利要求68所述的分离设备,其特征在于,所述保持机构还包括加压机构,用来在保持此板状样件时,沿基本上垂直于所述喷射部的流体喷射方向的方向对此板状样件施加压力。
81.如权利要求68所述的分离设备,其特征在于,所述设备还包括驱动部,用于改变从所述喷射部喷出的流体喷射入板状样件内的位置,所述板状样件在改变位置的同时分离开。
82.如权利要求81所述的分离设备,其特征在于,所述驱动部包括用来使板状样件围绕基本上垂直于此喷射部的流体喷射方向的轴线转动的马达。
83.如权利要求68所述的分离设备,其特征在于,所述分离层是易碎层。
84.如权利要求83所述的分离设备,其特征在于,所述易碎层是多孔层。
85.如权利要求83所述的分离设备,其特征在于,所述易碎层是微腔式层。
86.如权利要求68所述的分离设备,其特征在于,所述待分离的板状样件是半导体基片。
87.如权利要求68所述的分离设备,其特征在于,所述待分离的板状样件通过将第一基片粘合到第二基片上形成。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP316574/1998 | 1998-11-06 | ||
JP10316574A JP2000150456A (ja) | 1998-11-06 | 1998-11-06 | 試料の分離装置及び分離方法 |
JP27298799A JP2001094081A (ja) | 1999-09-27 | 1999-09-27 | 試料の分離装置及び分離方法並びに基板の製造方法 |
JP272987/1999 | 1999-09-27 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN1254942A CN1254942A (zh) | 2000-05-31 |
CN1160760C true CN1160760C (zh) | 2004-08-04 |
Family
ID=26550466
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CNB991236866A Expired - Fee Related CN1160760C (zh) | 1998-11-06 | 1999-11-05 | 样件的分离设备与分离方法以及基片的制造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US6527031B1 (zh) |
EP (1) | EP0999575A3 (zh) |
KR (1) | KR20000035283A (zh) |
CN (1) | CN1160760C (zh) |
TW (1) | TW484184B (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113257718A (zh) * | 2021-06-08 | 2021-08-13 | 陛通半导体设备(苏州)有限公司 | 一种便于位置校准的堆叠结构腔体设备 |
Families Citing this family (33)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW484184B (en) * | 1998-11-06 | 2002-04-21 | Canon Kk | Sample separating apparatus and method, and substrate manufacturing method |
JP2000150836A (ja) | 1998-11-06 | 2000-05-30 | Canon Inc | 試料の処理システム |
US6672358B2 (en) | 1998-11-06 | 2004-01-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Sample processing system |
JP3580227B2 (ja) * | 2000-06-21 | 2004-10-20 | 三菱住友シリコン株式会社 | 複合基板の分離方法及び分離装置 |
JP2002353081A (ja) * | 2001-05-25 | 2002-12-06 | Canon Inc | 板部材の分離装置及び分離方法 |
JP2002353423A (ja) * | 2001-05-25 | 2002-12-06 | Canon Inc | 板部材の分離装置及び処理方法 |
JP2002353082A (ja) | 2001-05-28 | 2002-12-06 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 貼り合わせウェーハの製造方法 |
JP4102040B2 (ja) * | 2001-07-31 | 2008-06-18 | 信越半導体株式会社 | Soiウェーハの製造方法およびウェーハ分離治具 |
FR2832846B1 (fr) * | 2001-11-26 | 2005-12-09 | Commissariat Energie Atomique | Reacteur nucleaire compact a eau sous pression |
CN101471216B (zh) * | 2003-02-18 | 2010-10-13 | 松下电器产业株式会社 | 等离子体显示屏的制造方法以及基板保持件 |
JP4303041B2 (ja) * | 2003-06-18 | 2009-07-29 | 株式会社ディスコ | 半導体ウエーハの加工装置 |
EP2293326A3 (en) * | 2004-06-10 | 2012-01-25 | S.O.I.TEC Silicon on Insulator Technologies S.A. | Method for manufacturing a SOI wafer |
US7829152B2 (en) * | 2006-10-05 | 2010-11-09 | Lam Research Corporation | Electroless plating method and apparatus |
JP4467379B2 (ja) * | 2004-08-05 | 2010-05-26 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
KR100660389B1 (ko) * | 2005-04-25 | 2006-12-21 | 대한민국 | 목재부후균을 이용한 프탈레이트화합물의 생물학적복구방법 |
KR100829923B1 (ko) * | 2006-08-30 | 2008-05-16 | 세메스 주식회사 | 스핀헤드 및 이를 이용하는 기판처리방법 |
JP4731500B2 (ja) * | 2007-01-18 | 2011-07-27 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板支持装置、表面電位測定装置、膜厚測定装置および基板検査装置 |
DE102007063383B4 (de) * | 2007-12-18 | 2020-07-02 | HAP Handhabungs-, Automatisierungs- und Präzisionstechnik GmbH | Vorrichtung und Verfahren zur Entfernung von Pelliclen von Masken |
US8198567B2 (en) | 2008-01-15 | 2012-06-12 | Applied Materials, Inc. | High temperature vacuum chuck assembly |
JP5457216B2 (ja) * | 2009-02-27 | 2014-04-02 | キヤノンアネルバ株式会社 | 基板支持装置及び基板搬送装置、電気デバイスの製造方法 |
JP2011091386A (ja) * | 2009-09-24 | 2011-05-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 熱処理装置、熱処理方法及び半導体装置の作製方法 |
US9263314B2 (en) * | 2010-08-06 | 2016-02-16 | Brewer Science Inc. | Multiple bonding layers for thin-wafer handling |
JP5323867B2 (ja) * | 2011-01-19 | 2013-10-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板反転装置、基板反転方法、剥離システム、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
CN102181844B (zh) * | 2011-04-07 | 2015-04-22 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 清洁装置及清洁方法、薄膜生长反应装置及生长方法 |
WO2012158874A1 (en) * | 2011-05-17 | 2012-11-22 | Solidus Biosciences, Inc. | Fluid discharging device and method |
KR102350216B1 (ko) * | 2011-08-12 | 2022-01-11 | 에베 그룹 에. 탈너 게엠베하 | 기판의 접합을 위한 장치 및 방법 |
TWI445118B (zh) * | 2012-02-09 | 2014-07-11 | Subtron Technology Co Ltd | 分邊設備及其操作方法 |
KR102023392B1 (ko) * | 2012-05-25 | 2019-09-20 | 엘지전자 주식회사 | 유리 기판 분리 장치 및 그 방법 |
US8945344B2 (en) * | 2012-07-20 | 2015-02-03 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Systems and methods of separating bonded wafers |
JP5806185B2 (ja) * | 2012-09-07 | 2015-11-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 剥離システム |
JP6188123B2 (ja) | 2012-12-28 | 2017-08-30 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 貼合装置および貼合処理方法 |
KR20160008382A (ko) * | 2014-07-14 | 2016-01-22 | 서울대학교산학협력단 | 반도체 적층 구조, 이를 이용한 질화물 반도체층 분리방법 및 장치 |
KR102440751B1 (ko) * | 2017-12-19 | 2022-09-08 | 주식회사 포스코 | 시편 고정 장치 |
Family Cites Families (89)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2191513A (en) | 1937-03-13 | 1940-02-27 | William P Bigelow | Bottle washer |
US2517394A (en) | 1945-02-19 | 1950-08-01 | Pate Oil Company | Apparatus for conditioning containers and the like |
US3094207A (en) | 1961-05-24 | 1963-06-18 | Ajem Lab Inc | Power washer and the like |
US3489608A (en) | 1965-10-26 | 1970-01-13 | Kulicke & Soffa Ind Inc | Method and apparatus for treating semiconductor wafers |
US3549446A (en) | 1968-05-16 | 1970-12-22 | Corning Glass Works | Decal applying |
GB1297954A (zh) | 1969-05-01 | 1972-11-29 | ||
US3493155A (en) | 1969-05-05 | 1970-02-03 | Nasa | Apparatus and method for separating a semiconductor wafer |
US3730410A (en) | 1971-06-16 | 1973-05-01 | T Altshuler | Wafer breaker |
US3970471A (en) | 1975-04-23 | 1976-07-20 | Western Electric Co., Inc. | Methods and apparatus for treating wafer-like articles |
US4047973A (en) | 1976-10-27 | 1977-09-13 | Xerox Corporation | Recovery of selenium and selenium alloys by hydraulic lathing |
US4208760A (en) | 1977-12-19 | 1980-06-24 | Huestis Machine Corp. | Apparatus and method for cleaning wafers |
US4215928A (en) | 1978-04-11 | 1980-08-05 | Uniroyal Limited | Apparatus for treating the surfaces of cylindrical objects in a number of sequential steps |
JPS5630650A (en) | 1979-08-22 | 1981-03-27 | Hitachi Ltd | Automatic chemical analyzer |
JPS605530A (ja) | 1984-04-25 | 1985-01-12 | Hitachi Ltd | 半導体ウエハ洗浄装置 |
US4887904A (en) * | 1985-08-23 | 1989-12-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Device for positioning a semi-conductor wafer |
US4915564A (en) | 1986-04-04 | 1990-04-10 | Materials Research Corporation | Method and apparatus for handling and processing wafer-like materials |
JPS6316455A (ja) | 1986-07-08 | 1988-01-23 | Pioneer Electronic Corp | デイスククランプ装置 |
US5292393A (en) | 1986-12-19 | 1994-03-08 | Applied Materials, Inc. | Multichamber integrated process system |
US4850381A (en) | 1988-02-01 | 1989-07-25 | Rolf Moe | Machine for stripping wafers |
KR970003907B1 (ko) | 1988-02-12 | 1997-03-22 | 도오교오 에레구토론 가부시끼 가이샤 | 기판처리 장치 및 기판처리 방법 |
DE68914228T2 (de) | 1988-09-30 | 1994-08-18 | Daikin Ind Ltd | Vorrichtung für die Trennung von Flüssigkeiten. |
US4962879A (en) * | 1988-12-19 | 1990-10-16 | Duke University | Method for bubble-free bonding of silicon wafers |
US5357645A (en) | 1989-04-09 | 1994-10-25 | System Seiko Co., Ltd. | Apparatus for cleaning and drying hard disk substrates |
US5133284A (en) | 1990-07-16 | 1992-07-28 | National Semiconductor Corp. | Gas-based backside protection during substrate processing |
JP2608351B2 (ja) | 1990-08-03 | 1997-05-07 | キヤノン株式会社 | 半導体部材及び半導体部材の製造方法 |
JPH05275511A (ja) | 1991-03-01 | 1993-10-22 | Tokyo Electron Ltd | 被処理体の移載システム及び処理装置 |
JP3194592B2 (ja) | 1991-03-20 | 2001-07-30 | ソニー株式会社 | 枚葉式ウェハー洗浄装置 |
US5255853A (en) * | 1991-04-02 | 1993-10-26 | Ingersoll-Rand Company | Adjustable fluid jet cleaner |
EP0515091B1 (en) | 1991-05-21 | 1997-01-02 | Jack Fisher | System and method for the measurement of mechanical properties of elastic materials |
FR2681472B1 (fr) | 1991-09-18 | 1993-10-29 | Commissariat Energie Atomique | Procede de fabrication de films minces de materiau semiconducteur. |
NL9200446A (nl) | 1992-03-10 | 1993-10-01 | Tempress B V | Inrichting voor het behandelen van microschakeling-schijven (wafers). |
JPH06268051A (ja) * | 1993-03-10 | 1994-09-22 | Mitsubishi Electric Corp | ウエハ剥し装置 |
EP0634787B1 (en) | 1993-07-15 | 1997-05-02 | Applied Materials, Inc. | Subsrate tray and ceramic blade for semiconductor processing apparatus |
US5510019A (en) | 1993-07-30 | 1996-04-23 | Mitsubishi Oil Co., Ltd. | Bubble separating apparatus |
JPH07211677A (ja) | 1993-11-30 | 1995-08-11 | M Setetsuku Kk | 基板のスクラビング方法とその装置 |
JP3257580B2 (ja) | 1994-03-10 | 2002-02-18 | キヤノン株式会社 | 半導体基板の作製方法 |
JPH07297258A (ja) | 1994-04-26 | 1995-11-10 | Tokyo Electron Ltd | 板状体の搬送装置 |
US5664337A (en) | 1996-03-26 | 1997-09-09 | Semitool, Inc. | Automated semiconductor processing systems |
US5934856A (en) | 1994-05-23 | 1999-08-10 | Tokyo Electron Limited | Multi-chamber treatment system |
JPH0878372A (ja) | 1994-09-01 | 1996-03-22 | Hitachi Ltd | 有機物除去方法及びその装置 |
US6074442A (en) | 1994-10-28 | 2000-06-13 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method of separating slice base mounting member from wafer and jig adapted therefor |
US5849602A (en) | 1995-01-13 | 1998-12-15 | Tokyo Electron Limited | Resist processing process |
JP3381443B2 (ja) * | 1995-02-02 | 2003-02-24 | ソニー株式会社 | 基体から半導体層を分離する方法、半導体素子の製造方法およびsoi基板の製造方法 |
DE19511439C1 (de) | 1995-03-29 | 1996-03-14 | Dornier Gmbh Lindauer | Verfahren zur Leistungssteigerung beim Schußfadeneintrag in ein Webfach einer Luftdüsenwebmaschine und Eintragsdüse zur Durchführung des Verfahrens |
JPH098095A (ja) * | 1995-06-22 | 1997-01-10 | Fuji Electric Co Ltd | 積層半導体ウエハの分離装置およびその分離方法 |
TW309503B (zh) | 1995-06-27 | 1997-07-01 | Tokyo Electron Co Ltd | |
US5653247A (en) | 1995-08-14 | 1997-08-05 | D.I.S. Inc. | Wheel cleaning assembly |
KR0165467B1 (ko) | 1995-10-31 | 1999-02-01 | 김광호 | 웨이퍼 디본더 및 이를 이용한 웨이퍼 디본딩법 |
JP3250722B2 (ja) | 1995-12-12 | 2002-01-28 | キヤノン株式会社 | Soi基板の製造方法および製造装置 |
US5792709A (en) | 1995-12-19 | 1998-08-11 | Micron Technology, Inc. | High-speed planarizing apparatus and method for chemical mechanical planarization of semiconductor wafers |
US5746565A (en) | 1996-01-22 | 1998-05-05 | Integrated Solutions, Inc. | Robotic wafer handler |
JP3192610B2 (ja) | 1996-05-28 | 2001-07-30 | キヤノン株式会社 | 多孔質表面の洗浄方法、半導体表面の洗浄方法および半導体基体の製造方法 |
US6058945A (en) | 1996-05-28 | 2000-05-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Cleaning methods of porous surface and semiconductor surface |
JPH105704A (ja) | 1996-06-25 | 1998-01-13 | Speedfam Co Ltd | ディスク形ワークの洗浄装置 |
US5944940A (en) | 1996-07-09 | 1999-08-31 | Gamma Precision Technology, Inc. | Wafer transfer system and method of using the same |
US6203582B1 (en) | 1996-07-15 | 2001-03-20 | Semitool, Inc. | Modular semiconductor workpiece processing tool |
US5972780A (en) * | 1996-08-22 | 1999-10-26 | Nippon Telegraph Telephone Corporation | Thin film forming apparatus and method |
US5928389A (en) | 1996-10-21 | 1999-07-27 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for priority based scheduling of wafer processing within a multiple chamber semiconductor wafer processing tool |
KR19980033377A (ko) | 1996-10-31 | 1998-07-25 | 이데이노부유끼 | 박막 반도체 소자와 그 제조 방법 및 제조 장치, 및 박막 단결정 반도체 태양 전지와 그 제조 방법 |
EP0840381A3 (en) | 1996-10-31 | 1999-08-04 | Sony Corporation | Thin-film semiconductor device and its manufacturing method and apparatus and thin-film semiconductor solar cell module and its manufacturing method |
SG55413A1 (en) | 1996-11-15 | 1998-12-21 | Method Of Manufacturing Semico | Method of manufacturing semiconductor article |
US5855681A (en) | 1996-11-18 | 1999-01-05 | Applied Materials, Inc. | Ultra high throughput wafer vacuum processing system |
JPH10270533A (ja) | 1997-03-26 | 1998-10-09 | Enya Syst:Kk | ウエ−ハセンタリング装置及びそれを用いたウエ−ハ貼付装置 |
SG71094A1 (en) * | 1997-03-26 | 2000-03-21 | Canon Kk | Thin film formation using laser beam heating to separate layers |
SG68035A1 (en) * | 1997-03-27 | 1999-10-19 | Canon Kk | Method and apparatus for separating composite member using fluid |
JPH10284403A (ja) | 1997-04-04 | 1998-10-23 | Ricoh Co Ltd | ウエハのリソグラフィー装置 |
US5820329A (en) | 1997-04-10 | 1998-10-13 | Tokyo Electron Limited | Vacuum processing apparatus with low particle generating wafer clamp |
US6013563A (en) * | 1997-05-12 | 2000-01-11 | Silicon Genesis Corporation | Controlled cleaning process |
JPH115064A (ja) | 1997-06-16 | 1999-01-12 | Canon Inc | 試料の分離装置及びその方法並びに基板の製造方法 |
US6153524A (en) | 1997-07-29 | 2000-11-28 | Silicon Genesis Corporation | Cluster tool method using plasma immersion ion implantation |
SG70141A1 (en) * | 1997-12-26 | 2000-01-25 | Canon Kk | Sample separating apparatus and method and substrate manufacturing method |
US6171982B1 (en) | 1997-12-26 | 2001-01-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Method and apparatus for heat-treating an SOI substrate and method of preparing an SOI substrate by using the same |
US5954888A (en) | 1998-02-09 | 1999-09-21 | Speedfam Corporation | Post-CMP wet-HF cleaning station |
DE69908591T2 (de) | 1998-02-14 | 2004-04-29 | Lam Research Corp., Fremont | Vorrichtung zum Laden von Halbleiterscheiben |
US6122566A (en) | 1998-03-03 | 2000-09-19 | Applied Materials Inc. | Method and apparatus for sequencing wafers in a multiple chamber, semiconductor wafer processing system |
KR100303396B1 (ko) | 1998-05-26 | 2001-11-30 | 윤종용 | 반도체장치제조용웨이퍼그라인딩장치 |
JP2000124092A (ja) | 1998-10-16 | 2000-04-28 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 水素イオン注入剥離法によってsoiウエーハを製造する方法およびこの方法で製造されたsoiウエーハ |
TW484184B (en) | 1998-11-06 | 2002-04-21 | Canon Kk | Sample separating apparatus and method, and substrate manufacturing method |
JP4343295B2 (ja) | 1998-11-06 | 2009-10-14 | キヤノン株式会社 | 試料の処理システム |
US6672358B2 (en) * | 1998-11-06 | 2004-01-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Sample processing system |
JP2000223683A (ja) | 1999-02-02 | 2000-08-11 | Canon Inc | 複合部材及びその分離方法、貼り合わせ基板及びその分離方法、移設層の移設方法、並びにsoi基板の製造方法 |
US6277234B1 (en) | 1999-06-01 | 2001-08-21 | Lucent Technologies, Inc. | Method and apparatus for removing work pieces adhered to a support |
FR2796491B1 (fr) | 1999-07-12 | 2001-08-31 | Commissariat Energie Atomique | Procede de decollement de deux elements et dispositif pour sa mise en oeuvre |
WO2001010644A1 (en) | 1999-08-10 | 2001-02-15 | Silicon Genesis Corporation | Method and apparatus for cleaving a substrate |
US6221740B1 (en) | 1999-08-10 | 2001-04-24 | Silicon Genesis Corporation | Substrate cleaving tool and method |
US6507187B1 (en) * | 1999-08-24 | 2003-01-14 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Ultra-sensitive magnetoresistive displacement sensing device |
DE10128924A1 (de) * | 2001-06-15 | 2003-01-23 | Philips Corp Intellectual Pty | Verfahren zum Umsetzen eines im wesentlichen scheibenförmigen Werkstücks sowie Vorrichtung zum Durchführen dieses Verfahrens |
KR100511656B1 (ko) * | 2002-08-10 | 2005-09-07 | 주식회사 실트론 | 나노 에스오아이 웨이퍼의 제조방법 및 그에 따라 제조된나노 에스오아이 웨이퍼 |
US7187162B2 (en) * | 2002-12-16 | 2007-03-06 | S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies S.A. | Tools and methods for disuniting semiconductor wafers |
-
1999
- 1999-11-03 TW TW88119176A patent/TW484184B/zh not_active IP Right Cessation
- 1999-11-04 EP EP19990308761 patent/EP0999575A3/en not_active Withdrawn
- 1999-11-05 US US09/434,740 patent/US6527031B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1999-11-05 CN CNB991236866A patent/CN1160760C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1999-11-06 KR KR1019990049120A patent/KR20000035283A/ko not_active Application Discontinuation
-
2002
- 2002-12-27 US US10/330,705 patent/US20030116275A1/en not_active Abandoned
-
2004
- 2004-10-12 US US10/963,483 patent/US7579257B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113257718A (zh) * | 2021-06-08 | 2021-08-13 | 陛通半导体设备(苏州)有限公司 | 一种便于位置校准的堆叠结构腔体设备 |
CN113257718B (zh) * | 2021-06-08 | 2021-09-17 | 陛通半导体设备(苏州)有限公司 | 一种便于位置校准的堆叠结构腔体设备 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20000035283A (ko) | 2000-06-26 |
US20050045274A1 (en) | 2005-03-03 |
TW484184B (en) | 2002-04-21 |
US20030116275A1 (en) | 2003-06-26 |
EP0999575A3 (en) | 2004-08-25 |
EP0999575A2 (en) | 2000-05-10 |
CN1254942A (zh) | 2000-05-31 |
US7579257B2 (en) | 2009-08-25 |
US6527031B1 (en) | 2003-03-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN1160760C (zh) | 样件的分离设备与分离方法以及基片的制造方法 | |
CN1157762C (zh) | 组合元件的分离方法和制作一种半导体基底的方法 | |
CN1251933C (zh) | 积层剥离容器 | |
CN1856392A (zh) | 基板切割系统、基板制造装置及基板切割方法 | |
CN1163148C (zh) | 两片贝生剥方法和装置及分离前加热装置 | |
CN1685080A (zh) | 基板处理装置和基板处理方法 | |
CN1260778C (zh) | 基片加工方法 | |
CN1297389C (zh) | 粉末成型装置 | |
CN1058223C (zh) | 压制成型装置和压制成型方法 | |
CN1215363C (zh) | 显示屏制造方法和装置及粘纸粘合方法和板粘合方法 | |
CN1149645C (zh) | 多孔区的去除方法和半导体衬底的制造方法 | |
CN1564730A (zh) | 基板分离装置及相关方法 | |
CN1735489A (zh) | 基板分断系统、基板制造装置、基板切割方法以及基板分断方法 | |
CN1426363A (zh) | 绝热容器 | |
CN1289298C (zh) | 液滴喷射头及其制造方法、微型器件、喷墨头、墨盒以及喷墨打印设备 | |
CN1269599A (zh) | 制造半导体部件的方法 | |
CN1885160A (zh) | 基板处理装置 | |
CN1299875C (zh) | 零件安装机 | |
CN1341277A (zh) | 半导体基片处理装置及处理方法 | |
CN1757106A (zh) | 在剥离薄层之后重复利用包含多层结构的晶片 | |
CN1805126A (zh) | 基片处理设备 | |
CN1678439A (zh) | 贴合基板的基板截断系统及基板截断方法 | |
CN1073550A (zh) | 半导体基体材料的制作方法 | |
CN1173862C (zh) | 物品搬运保管装置及由该装置搬运的物品 | |
CN101035649A (zh) | 液体珩磨加工机和液体珩磨加工方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
C17 | Cessation of patent right | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20040804 Termination date: 20101105 |