CN101471216B - 等离子体显示屏的制造方法以及基板保持件 - Google Patents

Abstract

本发明是在对于等离子体显示屏的基板的成膜中，能够抑制对膜质产生不良影响的成膜装置内部的灰尘发生的等离子体显示屏的制造方法及其基板保持件。通过具有由从下方支撑的支撑单元和限制基板(3)的面方向位置的限制单元构成的保持单元的框体所组成的第1基板保持件(3)以及保持第1基板保持件(31)的第2基板保持件(32)，在保持基板(3)和虚拟基板(35)的同时进行成膜。

Description

等离子体显示屏的制造方法以及基板保持件

技术领域

本发明涉及对于作为大画面、既薄又轻的显示装置所知道的等离子体显示屏(以下，记为PDP)用基板进行成膜的PDP的制造方法以及基板保持件。

背景技术

PDP通过由气体放电发生紫外线，用该紫外线激励荧光体发光，进行图像显示。

在PDP中，大致区分为在的驱动方式方面有AC型和DC型，在放电方式方面有面放电型和相对放电型，由于高清晰度、大画面以及伴随着结构的简单性产生的制造简便性，当前在三电极结构的AC型中面放电型的PDP是主流。AC型面放电的PDP由前面板和背面板构成。前面板在玻璃等的基板上具有由扫描电极和维持电极构成的显示电极，覆盖在其上面的电介质层，和进而覆盖在该电介质层上面的保护层，另一方面，背面板具有多个地址电极，覆盖在其上面的电介质层，电介质层上的间壁，和设置在电介质层上和间壁侧面上的荧光体层。把前面板与背面板相对配置使得显示电极与地址电极正交，在显示电极与地址电极的交叉部分形成放电单元。

这样的PDP与液晶屏相比较能够进行高速的显示。另外，从视野角宽，易于大型化，进而由于是自发光型因此显示品质高等理由出发，最近在平板型显示屏中特别引人注目，作为在大量人群聚集的场所的显示装置或者在家庭中用于欣赏大画面图像的显示装置，在各种用途中使用。

在以上的结构中，例如，通过蒸镀或者溅射等的成膜方法形成前面板的保护层或者显示电极，背面板的数据电极等的例子，例如公开在株式会社电子杂志发行的2001年FPD工艺学大全中(2000年10月25日，p576-580)。如上所述，在对于PDP的前面板以及背面板的基板进行成膜时，例如，为了对基板连续成膜这样的目的，用基板保持件保持基板的同时，使基板保持件接触或者连接传送辊、钢丝、链条等传送装置，在传送基板的同时进行成膜。从而，由于是这样的传送形态，因此基板保持件成为比基板更大的尺寸，进而，基板保持件被基板覆盖的部分以外的区域中也被成膜而附着膜。在该区域中，如果反复成膜，所附着的膜增厚，则膜的一部分脱落，成为成膜装置内的灰尘发生源。因此，成膜装置的灰尘被卷入到膜中，或者混入到膜的原材料中，对膜质或者膜的均匀性产生不良影响。作为解决上述问题的方法，有在附着的膜的厚度变厚而脱落之前定期地清除附着在基板保持件上的膜的方法。但是，PDP的画面尺寸例如是42英寸或者50英寸等的大画面，基板也成为重。因此，基板保持件的体积也很大，成为具有能够支撑大尺寸且很重的基板并且稳定传送的刚性的重物。从而，在清除上述那样的膜时，基板保持件的操作成为重体力劳动，成为操作困难而且效率差的主要原因。另外，清除操作需要把基板保持件从成膜工艺的流程中取出进行，在清除膜的期间必须中断成膜工艺，成为阻碍生产效率的原因。

发明内容

本发明是鉴于这样的问题而产生的，目的在于为了实现使用了PDP的显示装置的良好图像显示，在对于PDP用基板的成膜中，抑制对于膜质产生不良影响的成膜装置内的灰尘的发生。本发明的一种等离子体显示屏的制造方法，该方法把等离子体显示屏的基板保持在基板保持件上进行成膜，其特征在于：上述基板保持件包括：具有从下方支撑上述基板的周边部分的支撑单元和限制上述基板的面方向的位置的限制单元的框体，以及具有从下方支撑虚拟基板的周边部分的支撑单元和限制上述虚拟基板的面方向的位置的限制单元的框体，通过将上述基板及上述虚拟基板分别嵌入到上述框体，并在上述基板及上述虚拟基板分别由上述框体支撑和限制的状态下进行成膜。本发明的一种等离子体显示屏的基板保持件，该基板保持件在对于等离子体显示屏的基板进行成膜时使用，其特征在于：上述基板保持件包括：具有从下方支撑上述基板的周边部分的支撑单元和限制上述基板的面方向的位置的限制单元的框体，以及具有从下方支撑虚拟基板的周边部分的支撑单元和限制上述虚拟基板的面方向的位置的限制单元的框体，上述基板及上述虚拟基板分别嵌入到上述框体，由此，上述基板及上述虚拟基板分别由上述框体支撑和限制。

附图的简单说明

图1是示出使用了本发明实施形态中的PDP的制造方法的PDP的概略结构的剖面斜视图。

图2是示出在本发明实施形态中的PDP的制造方法中使用的成膜装置的概略结构的剖面图。

图3A是示出在本发明实施形态中的PDP的制造中使用的第1基板保持件的概略结构的平面图。图3B是图3A的A-A剖面图。

图4A是示出在本发明实施形态中的PDP的制造中使用的第2基板保持件的概略结构的平面图。图4B是图4A的A-A剖面图。

图5A是示出在本发明实施形态中的PDP的制造中使用的基板保持件的概略结构的平面图。图5B是图5A的A-A剖面图。

图6是示出在本发明实施形态中的PDP的制造中使用的基板保持件的保持单元的概略结构的斜视图。

图7是示出在本发明实施形态中的PDP的制造中使用的基板保持件的保持单元的其它概略结构的斜视图。

图8是示出在本发明实施形态中的PDP的制造中使用的基板保持件的保持单元的其它概略结构的斜视图。

图9是示出在本发明实施形态中的PDP的制造中使用的基板保持件的保持单元的其它概略结构的斜视图。

具体实施方式

以下，使用附图说明根据本发明的一个实施形态中的PDP的制造方法。

首先，说明PDP结构的一个例子。图1是示出根据本发明的实施形态中的PDP的制造方法所制造的PDP的概略结构的剖面斜视图。

PDP1的前面板2具有由形成在前面一侧的例如玻璃等的透明而且绝缘的基板3的一个主面上的扫描电极4和维持电极5构成的显示电极6，覆盖该显示电极6的电介质层7，和进而覆盖该电介质层7的例如由MgO形成的保护层8。扫描电极4和维持电极5以降低电阻为目的，采用在透明电极4a、5a上叠层了由金属材料例如由Ag等构成的母线电极4b、5b的结构。

另外，背面板9具有形成在背面一侧的例如玻璃等的绝缘性基板10的一个主面上的地址电极11，覆盖该地址电极11的电介质层12，设置在电介质层12上的在相邻的地址电极11之间相当的位置的间壁13，和间壁13之间的荧光体层14R、14G、14B。

前面板2与背面板9把间壁13夹在中间，使得显示电极6与地址电极11正交地相对配置，由密封构件(未图示)密封图像显示区以外的周围。在形成于前面板2与背面板9之间的放电空间15中，例如以66.5kPa(500Torr)的压力封入Ne-Xe5％的放电气体。而且，放电空间15的显示电极6与地址电极11的交叉部分成为放电单元16(单位发光区)。

其次，参照图1、图2对于上述的PDP1说明其制造方法。

前面板2在基板3上首先条纹形地形成扫描电极4以及维持电极5。具体地讲，使用蒸镀或者溅射等的成膜工艺在基板3上形成ITO膜等。然后，通过用光刻法等进行构图，条纹形地形成透明电极4a、5a。进而，从其上表面开始，使用蒸镀或者溅射等的成膜工艺形成例如由Ag等形成的膜，然后，通过用光刻法等构图，条纹形地形成母线电极4b、5b。通过以上方法，能够形成由条纹形的扫描电极4以及维持电极5构成的显示电极6。

接着，用电介质层7覆盖以上那样形成的显示电极6。电介质层7例如用丝网印刷等涂敷包含铅系玻璃材料的膏以后，通过在预定的温度(例如560℃)，预定的时间(例如20分钟)下烧结，形成预定的层厚(例如大约20μm)。作为包含上述铅系玻璃材料的膏，例如使用PbO(70wt％)，B₂O₃(15wt％)，SiO₂(10wt％)以及Al₂O₃(5wt％)和有机粘合剂(例如，在α-萜品醇中溶解了10％的乙基纤维素的材料)的混合物。这里，所谓有机粘合剂是在有机溶剂中溶解了树脂的材料。除去乙基纤维素以外作为树脂还能够使用丙烯酸类树脂，作为有机溶剂还能够使用正丁基卡必醇等。进而，在这样的有机粘合剂中还可以混入分散剂(例如三油酸甘油酯)。

接着，用保护层8覆盖以上那样形成的电介质层7。保护层8例如由MgO等构成，通过蒸镀或者溅射等成膜工艺，保护层8形成为预定的厚度(例如大约0.5μm)。

另一方面，背面板9在基板10上条纹形地形成地址电极11。具体来讲，在基板10上，用蒸镀或者溅射法等的成膜工艺形成地址电极11的材料例如由Ag形成的膜，然后，使用光刻法等构图。

接着，用电介质层12覆盖地址电极11。电介质层12例如在通过丝网印刷涂敷了例如包含铅系玻璃材料的膏以后，通过在预定的温度(例如560℃)，预定的时间(例如20分钟)下烧结，形成为预定的厚度(例如大约20μm)那样的形成。

接着，例如条纹形地形成间壁13。间壁13与电介质层12相同，例如用丝网印刷法等按照预定的图形反复涂敷包含铅系玻璃材料的膏以后，通过烧结而形成。这里，间壁13的间隙尺寸例如在32英寸～50英寸的HD-TV的构造下，是130μm～240μm左右。

而且，在间壁13与相邻的间壁13之间的沟槽中，形成由发光为红色(R)，绿色(G)以及蓝色(B)的各种颜色的荧光体粒子构成的荧光体层14R、14G以及14B。荧光体层14R、14G以及14B通过涂敷由各种颜色荧光体粒子和有机粘合剂构成的膏状的荧光体墨水，把该荧光体墨水在例如在400～590℃的温度下烧结，烧结成有机粘合剂，使各荧光体粒子粘接而形成。

把以上那样制作的前面板2与背面板9重叠成使得前面板2的显示电极6与背面板9的地址电极11正交，图像显示区以外的边缘中插入例如密封用玻璃等的密封构件，通过把该密封构件在例如450℃左右下烧结10～20分钟密封。而且，在一旦把放电空间15内排气成高真空(例如1.1×10^-4pa)以后，通过以预定的压力封入例如He-Xe系，Ne-Xe系的惰性气体等的放电气体来制作PDP1。

如上所述，在PDP的制造工艺中，成膜工艺被大量使用。因此，对于该成膜工艺，以用蒸镀形成由MgO形成的的保护层8的构造作为例子，使用图2所示的成膜装置结构的一例进行说明。图2是示出用于形成保护层8的成膜装置20的概略结构的剖面图。

成膜装置20由对于PDP1的基板3蒸镀MgO，形成MgO薄膜的保护层8的蒸镀室21；用于在投入到蒸镀室21之前，把基板3预加热的同时进行预排气的基板投入室22；和用于在蒸镀室21中的蒸镀结束以后，把取出的基板3冷却的基板取出室3构成。基板投入室22、蒸镀室21、基板取出室23的每一个都成为了能够把内部做成真空环境的密闭结构，各个室独立分别具备真空排气系统24a、24b和24c。

另外，贯通基板投入室22，蒸镀室21、基板取出室23，设置传送辊、钢丝、链条等形成的传送单元25。在成膜装置20外部(外气)与基板投入室22之间，基板投入室22与蒸镀室21之间，蒸镀室21与基板取出室23之间，基板取出室23与成膜装置20外部之间分别用可开闭的隔片26a、26b、26c、26d隔开。通过传送单元25的驱动与隔片26a、26b、26c和26d的开闭的联动，把基板投入室22、蒸镀室21和基板取出室23的各自真空度的变动抑制在最小限度。使基板3从成膜装置20的外部开始按照基板投入室22、蒸镀室21和基板取出室23的顺序通过，在各个室中进行预定的处理，然后，传送到成膜装置20的外部。

另外，在基板投入室22和蒸镀室21的各个室中，分别设置用于加热基板3的加热灯泡27a、27b。

另外，作为装置结构除去上述的结构以外，可以是例如，根据基板3的温度分布的设定条件，在基板投入室22与蒸镀室21之间有一个或一个以上的用于加热基板3的基板加热室的结构，另外也可以是在蒸镀室21与基板取出室23之间有一个或一个以上的基板冷却室的结构等。

另外，在蒸镀室21中设置用于使得所蒸镀的MgO不会由于氧缺少而而变为Mg。导入含氧气体的导入单元28，用于使蒸镀时的环境成为氧环境，进而，在蒸镀室21中，设置加入了作为蒸镀源29a的MgO粒子的炉床(hearth)29b，电子枪29c，和施加磁场的偏转磁铁(未图示)等。从电子枪29c照射的电子束29d由于由偏转磁铁发生的磁场而偏转，照射到蒸镀源29a上，发生作为蒸镀源29a的MgO的蒸汽流29e。而且，使发生的蒸汽流29e在基板3的表面沉积形成MgO的保护层8。另外，该蒸汽流29e在不需要时能够用挡板29f遮断。

在以上的成膜装置20中，在保持在基板保持件30上的状态下进行基板3的传送。而且，基板保持件30由保持基板3的第1基板保持件31和用其外周部保持第1基板保持件31的同时，通过与成膜装置20的传送单元25接触或者连接来传送基板保持件30的整体的第2基板保持件32构成，通过传送基板保持件30的整体，进行基板3的传送。

其次，使用图3～图5说明基板保持件30。

图3A示出第1基板保持件31的概略结构的平面图，图3B示出图3A中的A-A剖面图。另外，图4A示出第2基板保持件32的概略结构的平面图，图4B示出图4A中的A-A剖面图。另外，图5A是由第1基板保持件31保持基板3和虚拟基板35，进而，由第2基板保持件32保持第1基板保持件31的基板保持件30的概略结构的平面图。另外，图5B是图5A中的A-A剖面图。

如图3所示，第1基板保持件31是排列了多个用其周边部分保持基板3那样的板形物体的框体33的结构。这里，作为排列了多个框体33的结构，能够举出例如，通过组合多个每一个都是框形的物体构成的构造，或者组合直线形的物体构成梯子形的构造，或者通过切削板形的物体设置孔而构成的构造等各种各样的结构。这里，框体33具有用于保持基板3那样的板形物体的保持单元34。

图6作为保持单元34一例的概略结构放大地示出框体33的一部分。如图6所示，框体33把其剖面形状做成L形或者倒T形，框体33的横条部分构成为从下方支撑基板3那样的板形物体的支撑单元34a。另外，框体33的纵条部分作为限制基板3那样的板形物体的面方向位置的限制单元34b发挥作用。由此，基板3那样的板形物体通过嵌入到限制单元34b中，放置在支撑单元34a上进行保持，框体33兼作为保持单元34。

另外，作为保持单元34的其它结构，也可以是图7所示结构。即，能够举出由设置在框体33下面一侧的从下方支撑基板3那样的板形物体的支撑单元34a和限制基板3那样的板形物体的面方向位置的限制单元34b的框体33的框部构成的，基板3那样的板形物体通过嵌入到限制单元34b中，放置在支撑单元34a上进行保持的结构。

另外，作为保持单元34的其它结构，也可以是图8所示的结构。即，能够举出由设置在框体33上面一侧的限制基板3那样的板形物体的面方向位置的限制单元34b和从下方支撑基板3那样的板形物体的支撑单元34a，即框体33的框部而构成。基板3那样的板形物体通过嵌入到限制单元34b中，放置在支撑单元34a上进行保持的结构。

而且，在第1基板保持件31中，通过具有上述那样的保持单元34的框体33保持作为成膜对象物的基板3和用于沉积来自成膜装置20的炉床29b的蒸汽流29e中飞散到基板3以外的区域的部分的虚拟基板35。反过来可以说，如果能够沉积飞散到基板3以外的区域的部分，则在所有的框体33中就不需要保持虚拟基板35。

另外，如图4所示，第2基板保持件32用其外周部分保持第1基板保持件31。而且，在该状态下，通过与成膜装置20的传送单元25接触或者连接，传送基板保持件30的整体。因此，第2基板保持件32成为通过第1基板保持件31可靠地保持基板3的同时，具有为了实现其传送的稳定性所需要的强度的结构。

而且，通过用传送单元25把保持基板3的基板保持件30传送到成膜装置20内，对于基板3进行成膜。由此，由成膜工艺而获得的膜形成成为在第1基板保持件31的框体33上，由其保持的基板3上以及虚拟基板35上，而通过减小框体33的宽度能够使形成的膜大部分处在基板3上以及虚拟基板35上。

其次，使用图1、图2以及图5说明成膜流程的一个例子。首先，如图5所示，在第1基板保持件31上保持基板3和虚拟基板35，在第2基板保持件32上保持该第1基板保持件31，构成基板保持件30。把该基板保持件30投入到如图2所示那样的成膜装置20的基板投入室22中，通过真空排气系统24a进行预排气的同时通过加热灯泡27a加热。这里，基板3是形成了显示电极6和电介质层7的状态。

如果基板投入室22内达到预定的真空度，则打开隔片26b的同时，使用传送单元25，把已被加热状态的基板3并被保持在基板保持件30上的状态下传送到蒸镀室21。

在蒸镀室21中通过加热灯泡27b加热基板3，把其保持在预定温度。该温度被设定为使得显示电极6或者电介质层7不会发生热恶化，例如100℃～400℃左右。而且，在关闭了挡板29f的状态下，在把来自电子枪29c的电子束29d向蒸镀源29a照射进行预加热，释放完蒸镀源29a的气体以后，从导入单元28导入含有氧的气体。在该状态下，如果打开挡板29f，则MgO的蒸气流29e向保持在基板保持件30上的基板3以及虚拟基板35(图1、2中没有图示)照射。其结果，在保持在第1基板保持件31上的基板3以及虚拟基板35上形成MgO的蒸镀膜。这时，第1基板保持件31的框体33由于仅具有在其周边部分可以放置基板3或者虚拟基板35的宽度，因此形成在框体33上的膜非常少。

形成在基板3上的MgO的蒸镀膜成为保护层8。如作为MgO蒸镀膜的保护层8的膜厚达到了预定的值(例如大约0.5μm)，则关闭挡板29f，通过隔片26c把基板3向基板取出室23传送。这里，传送单元25例如采用仅接触或者连接基板保持件30的第2基板保持件32的两个端部进行传送的结构，由此，在蒸镀室21中的蒸镀时，能够抑制由于传送单元25的影响导致在基板3上形成的膜的品质方面产生问题。

然后，在基板取出室23中把基板3冷却到预定温度或预定温度以下后，从基板保持件30的第1基板保持件31的框体33的保持单元34中取出基板3。这里，在本实施形态中，基板3由于是通过放置在设置在框体33中的支撑单元34a上进行保持的结构，因此即使是取出也可以仅通过把基板3向框体33的上方抬起来完成，能够非常简单地进行该操作。

另外，要求操作基板3而在其表面不发生伤痕等。从这样的观点出发，在基板3与保持单元34的特别是支撑单元34a的接触位置，最好是采用例如图9所示那样设置缓冲构件34c的结构。即，作为缓冲构件34c，通过使用硬度比基板3的材料低的材料，能够得到在基板上不产生伤痕的效果。进而，通过使用热传导率比框体33低的材料，还能够得到基板3的温度分布均匀的效果。另外，缓冲构件34c最好采用能够根据其恶化进行更换的结构。

然后，取下完成蒸镀的基板3以后的基板保持件30在保持新的未成膜的基板3以后，再次投入到成膜装置20中。这时，在第1基板保持件31的虚拟基板35上是附着了MgO膜的状态，而根据该状态，即，在判断为对于虚拟基板35的MgO膜的附着量多，发生脱落等剥离的状态的构造下，仅更换虚拟基板35。由此，基板3以外的无用部分上附着的膜能够在由于脱落等的剥离而成为蒸镀室21内的灰尘之前进行清除。另外，依据本发明，由于附着在第1基板保持件31的框体33上或者第2基板保持件32上的膜的量减少，因此更换或者清洗的必要性低。这里，虚拟基板35的更换既可以是根据构造进行判断的方式，也可以是根据过去的数据，如果进行了预定次数的成膜则进行更换的定期的方式。另外，既可以同时更换所有的虚拟基板35，也可以根据其膜的附着状况部分地进行更换。

这里，虚拟基板35的更换能够在从基板取出室23取出以后，再次投入到基板投入室22之前进行，进而，也可以在用框体33保持了基板3的状态下仅取出虚拟基板35。由于在该更换中，虚拟基板35也是采用通过放置在设置在框体33上的支撑单元34a上进行保持的结构，因此仅把虚拟基板35向框体33的上方抬起就能够取出，其操作非常简单，操作性提高。

即，依据本实施形态，清除基板保持件30的附着在基板3以外区域上的膜不必从成膜工艺的流程中取出基板保持件30，可以在成膜工艺的流程中，仅通过更换第1基板保持件31的虚拟基板35这样非常简单的操作进行。从以上的宗旨出发，最好将虚拟带板35构成为更换时不会成为负担的大小或者数量，根据该虚拟基板35的大小或数量构成第1基板保持件31的框体33的大小或者数量。

另外，也可以中断成膜工艺的流程进行用于清除附着在基板保持件30的基板3以外部分上的膜的虚拟基板35的更换。即使是这样的构造下，由于基板保持件30的结构如上所述，因此与使用以往的结构的基板保持件的情况相比也能够简单地完成膜的清除操作，成膜工艺中断的期间也短。

另外，第1基板保持基板31是排列了多框体33的结构而由于成膜装置20内的传送通过第2基板保持件32进行，因此能够减轻对于稳定地传送以及基板3的影响。

另外，相对于基板3的蒸镀室21内的MgO的蒸镀既可以在停止传送的静止状态下进行，也可以边传输边进行。

另外，成膜装置20的结构不限于上述结构，对于采用了为了调整管道等在各个室之间设置了缓冲室的结构，设置了用于加热和冷却的腔室的结构或者以批量方式在腔室内设置基板保持件30进行成膜的结构等的成膜装置都能够得到本发明的效果。另外，在以批量方式在腔室内设置基板保持件30的构造下，可以举出在腔室内设置的保持单元上设置基板保持件30或者仅设置第1基板保持件31的结构。另外，在仅设置第1基板保持件31的构造下，能够把设置在腔室内的保持单元作为第2基板保持件32。

在本实施形态中特别对于MgO的成膜进行了叙述，而在MgO的成膜时还发现了以下的效果。即，由于MgO膜具有对水分或者二氧化碳等的气体吸附性，因此在蒸镀时再次释放出附着在基板保持件上的MgO膜所吸附的气体，蒸镀室的气压变动，产生难以进行良好的MgO膜的成膜的问题。然而，依据本发明，由于能够通过虚拟基板的更换抑制吸附气体的量，因此能够容易地实现稳定地进行良好的MgO膜的成膜。

在以上的说明中，作为例子示出了由MgO形成保护层8的构造，但并不限于这种构造，对于由ITO或者Ag等形成显示电极6或者地址电极11的构造等的成膜也能够得到同样的效果。

另外，在上述的说明中，作为成膜方法，作为例子示出电子束蒸镀法，而不仅是电子束蒸镀法，在通过空心阴极方式的离子电镀以及溅射这样的成膜方法中，也能够得到同样的效果。

如以上所说明的那样，依据本发明，能够实现在可以简单地抑制在对于PDP用基板的成膜中，对于膜质产生不良影响的成膜装置内的灰尘的发生的PDP的制造方法中有用，且显示性能出色的等离子体显示装置等。

附图的参考符号的一览表

1：等离子体显示屏

2：前面板

3，10：基板

4：扫描电极

4a，5a：透明电极

4b，5b：母线电极

5：维持电极

6：显示电极

7，12：电介质层

8：保护层

9：背面板

11：地址电极

13：间壁

14R，14B，14G：荧光体层

15：放电空间

20：成膜装置

21：蒸镀室

22：基板投入室

23：基板取出室

24a，24b，24c：真空排气系统

25：传送单元

26a，26b，26c，26d：隔片

27a，27b：加热灯泡

28：导入单元

29a：蒸镀源

29b：炉床

29c：电子枪

29d：电子束

29e：蒸汽流

29f：挡板

30：基板保持件

31：第1基板保持件

32：第2基板保持件

33：框体

34：保持单元

34a：支撑单元

34b：限制单元

35：虚拟基板

Claims (2)

1.一种等离子体显示屏的制造方法，该方法把等离子体显示屏的基板保持在基板保持件上进行成膜，其特征在于：

上述基板保持件包括：具有从下方支撑上述基板的周边部分的支撑单元和限制上述基板的面方向的位置的限制单元的框体，以及

具有从下方支撑虚拟基板的周边部分的支撑单元和限制上述虚拟基板的面方向的位置的限制单元的框体，

通过将上述基板及上述虚拟基板分别嵌入到上述框体，并在上述基板及上述虚拟基板分别由上述框体支撑和限制的状态下进行成膜。

2.一种等离子体显示屏的基板保持件，该基板保持件在对于等离子体显示屏的基板进行成膜时使用，其特征在于：

上述基板保持件包括：具有从下方支撑上述基板的周边部分的支撑单元和限制上述基板的面方向的位置的限制单元的框体，以及

具有从下方支撑虚拟基板的周边部分的支撑单元和限制上述虚拟基板的面方向的位置的限制单元的框体，

上述基板及上述虚拟基板分别嵌入到上述框体，由此，上述基板及上述虚拟基板分别由上述框体支撑和限制。

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