CN115542659A - 防尘薄膜组件框架、其应用及角部部分的结构 - Google Patents

防尘薄膜组件框架、其应用及角部部分的结构 Download PDF

Info

Publication number
CN115542659A
CN115542659A CN202211318321.7A CN202211318321A CN115542659A CN 115542659 A CN115542659 A CN 115542659A CN 202211318321 A CN202211318321 A CN 202211318321A CN 115542659 A CN115542659 A CN 115542659A
Authority
CN
China
Prior art keywords
pellicle
chamfered
frame
corner
dustproof
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202211318321.7A
Other languages
English (en)
Inventor
滨田裕一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Original Assignee
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shin Etsu Chemical Co Ltd filed Critical Shin Etsu Chemical Co Ltd
Publication of CN115542659A publication Critical patent/CN115542659A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/62Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/62Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
    • G03F1/64Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof characterised by the frames, e.g. structure or material, including bonding means therefor
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/66Containers specially adapted for masks, mask blanks or pellicles; Preparation thereof
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70983Optical system protection, e.g. pellicles or removable covers for protection of mask

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Packaging Frangible Articles (AREA)

Abstract

本发明涉及防尘薄膜组件框架、其应用及角部部分的结构。提供一种在防尘薄膜组件框架的角部没有疑似异物,从而提高异物检查的精度,由此减少防尘薄膜组件制品的不合格率。使防尘薄膜组件框架的内侧面和上端面以及下端面所成的角部从截面来看为大略曲线状,特别是,防尘薄膜组件框架的内侧面和上端面以及下端面所成的各角部为被C倒棱的防尘薄膜组件中,防尘薄膜组件框架的内侧面和该C倒棱面形成的C倒棱面所成的角部被R倒棱或C倒棱。

Description

防尘薄膜组件框架、其应用及角部部分的结构
相关分案申请
本专利申请是申请号为201710003770.5的名称为“防尘薄膜组件”的发明专利申请的分案申请,原申请的申请日是2017年01月04日。
技术领域
本发明涉及半导体装置,IC封装体,印刷基板,液晶面板或有机EL面板等的制造时,作为光掩模的防尘器而使用的防尘薄膜组件。
背景技术
LSI,超LSI等的半导体制造或液晶显示板等的制造中,要向半导体晶片或液晶用原板照射光进行图案制作,在该场合使用的曝光原板(光刻用掩模)如有灰尘附着,该灰尘就会被光吸收,使光弯曲,这样就会发生转印的图案会变形,尖端不齐,还会使基底黑污,寸法,品质,外观等的问题。
由此,这些的作业通常在无尘室中进行,但是即使在该无尘室中,要保持曝光原板的经常清净也是困难的,所以,作为曝光原板的表面的防尘器一般贴附可以良好透过曝光光的防尘薄膜组件的方法。该场合,灰尘不在曝光原版的表面上直接附着,而是在防尘薄膜组件膜上附着,所以只要在光刻时将焦点对准曝光原版的图案上,防尘薄膜组件膜上的灰尘对转印的图案就没有影响。
防尘薄膜组件的基本的结构为,包括,进行了黑色氧化处理以及丙烯酸系电沈积涂装树脂涂布的铝合金制的防尘薄膜组件框和,该防尘薄膜组件框的上端面通过丙烯酸树脂,环氧树脂以及氟树脂等的接着剂接着的使曝光使用的光良好透过的硝化纤维素,醋酸纤维素,氟系聚合物等构成的透明的防尘薄膜组件膜和,为了将防尘薄膜组件在曝光原版上装着的在防尘薄膜组件框的下端面涂布的聚丁烯树脂,聚醋酸乙烯基树脂,丙烯酸树脂,硅树脂等构成的粘着剂层和,以该粘着剂层的保护为目的附于粘着剂层的粘着剂保护用片(例如,专利文献1,2参照)。
另外,专利文献3,公开了防尘薄膜组件框架的防尘薄膜组件膜接着面以及曝光原版接着面和框架内外侧面所成的角部进行了C倒棱,在曝光原版接着面的倒棱面的寸法为比C0.35大,C0.55以下的光刻用防尘薄膜组件。
现有技术文献
专利文献
专利文献1特开昭58-219023号公报
专利文献2美国专利第4861402号说明书
专利文献3特开2009-251022号公报
防尘薄膜组件为,围绕掩模基板的表面形成的图案领域而设置的。防尘薄膜组件是为了防止在掩模基板上有灰尘为附着的而设置的,该图案领域和防尘薄膜组件外部被分开,从而不使防尘薄膜组件外部的灰尘在图案面上附着。
近年,LSI的设计在向四分之一微米以下的微细化前进,由此,作为抑制对象的粒子的尺寸也越来越小。由此,不仅防尘薄膜组件框架的内侧面,而对上下端面和内侧面的境界角部部分以及上下端面和内侧面之间的C倒棱面附近的角部部分的粒子进行管理的必要性也越来越高了。
上述的那样的上下端面和内侧面的境界角部部分以及上下端面和内侧面之间的C倒棱面附近的角部,在防尘薄膜组件框架金属加工时以及框架皮膜形成时,以及防尘薄膜组件制造工程中发生的伤以及突起,有可能在防尘薄膜组件异物检查时会被看成粒子,被判定为疑似异物,所以有严格管理的必要。
一般地,防尘薄膜组件框架的各个角部部分,由于其形状,易于发生伤以及突起。由此,通常防尘薄膜组件框架的各内外侧面和上下端面之间上设置C倒棱面,C倒棱面和各上下端面,以及和内外侧面的境界部的角部部分虽然为钝角,也易于生成突起以及伤。
由此,本发明的目的为,提供一种,可以抑制上述的那样的防尘薄膜组件框架的各面的境界部处的角部部分的伤以及突起的生成的防尘薄膜组件。
为了解决上述课题,本发明人进行了充分的研究,得知,如使在防尘薄膜组件框架的内侧面和上端面以及下端面所成的角部从截面看为大略曲线状,防尘薄膜组件框架内侧面的上下角部部分的被看为粒子的伤以及突起就可以减少。
发明内容
即,本发明为,防尘薄膜组件框架的内侧面和上端面以及下端面所成的各个的角部从截面看为大略曲线的防尘薄膜组件。
上述防尘薄膜组件中为,优选将上述角部进行R倒棱。
另外,上述防尘薄膜组件中,如果上述防尘薄膜组件框架的内侧面和上端面以及下端面所成的各角部被C倒棱,所述防尘薄膜组件框架的内侧面与该C倒棱形成的C倒棱面所成的角部被R倒棱或C倒棱(二次C倒棱面),也可以得到同样的效果。
进一步,上述防尘薄膜组件框架的内侧面与上述被第二次C倒棱而形成的二次C倒棱面所成的角部的角度以及上述C倒棱面和上述二次C倒棱面所成的角部的角度以比135°大为优选。
另外,上述防尘薄膜组件框架的内侧面和上述被第二次C倒棱形成的二次C倒棱面所成的角部以及上述C倒棱面和上述二次C倒棱面所成的角部,也可以被进一步R倒棱或C倒棱。
上述防尘薄膜组件框架上,以附与阳极氧化皮膜或丙烯酸系电沈积涂装树脂皮膜为优选。
发明的效果
本发明的防尘薄膜组件,可以减少在防尘薄膜组件完成时实施的防尘薄膜组件框架外观异物检查中,防尘薄膜组件框架内侧面的上下角部的被看成粒子的伤以及突起,由此,上述检查精度可以提高,从而可以进行严格的粒子管理。
附图说明
图1一般的防尘薄膜组件的结构的概念截面图。
图2以往的防尘薄膜组件框架的内侧面和上端面以及下端面所成的各角部被C倒棱的防尘薄膜组件的一部分分的扩大概念截面图。
图3本发明的防尘薄膜组件框架的内侧面和上端面以及下端面所成的各角部被R倒棱的防尘薄膜组件的一部分的扩大概念截面图。
图4本发明的防尘薄膜组件框架的内侧面和C倒棱面所成的角部被第二次C倒棱的防尘薄膜组件一部分的扩大概念截面图。
图5以往的防尘薄膜组件框架的内侧面和上端面以及下端面所成的各角部被C倒棱的防尘薄膜组件的内侧面和上端面所成的角部附近的扩大概念截面图。
图6本发明的防尘薄膜组件框架的内侧面和C倒棱面所成的角部被R倒棱的防尘薄膜组件的内侧面和上端面所成的角部附近的扩大概念截面图。
图7本发明的防尘薄膜组件框架的内侧面和C倒棱面所成的角部被第二次C倒棱的防尘薄膜组件的内侧面和上端面所成的角部附近的扩大概念截面图。
具体实施方式
以下,对本发明参照附图进行详细说明。
首先,对含有本发明的防尘薄膜组件的一般的结构进行说明。图1为,一般的防尘薄膜组件的结构的概念截面图。通常,防尘薄膜组件包括,防尘薄膜组件框架1,防尘薄膜组件膜2,为了将防尘薄膜组件框架1和防尘薄膜组件膜2接着的接着剂层3,为了将防尘薄膜组件安装在光掩模5上的粘着剂层4,以及为了进一步在输送保管时对粘着剂层4进行保护的衬层(未图示)。本发明的防尘薄膜组件的结构也同样,是适用一般的防尘薄膜组件的结构而形成的。
防尘薄膜组件框架1的材料,多用进行了黑色氧化处理的铝合金以及丙烯酸系电沈积涂装树脂涂布了的铝合金。
另外,防尘薄膜组件框架1,在如图2中扩大表示的那样,包括,内侧面11或外侧面12和上端面13或下端面14所成的角部被C倒棱,是为了防止发生灰尘,做成的难以受伤的结构,并且提高了处理功能。通过上述C倒棱,防尘薄膜组件框架1上,如图2表示的那样,具有在防尘薄膜组件框架的内侧面和上端面所成的角部上设置的C倒棱面15,在防尘薄膜组件框架的内侧面和下端面所成的角部上设置的C倒棱面16,在防尘薄膜组件框架的外侧面和上端面所成的角部上设置的C倒棱面17,以及在防尘薄膜组件框架的外侧面和下端面所成的角部上设置的C倒棱面18。另外,在图2中,符号19为,在防尘薄膜组件框架的内侧面和上端面所成的角部设置的C倒棱面15与,防尘薄膜组件框架的内侧面11所成的角部;符号20为在防尘薄膜组件框架的内侧面和下端面所成的角部上设置的C倒棱面16和,防尘薄膜组件框架的内侧面11所成的角部。
另外,图5为,将防尘薄膜组件框架的内侧面11和上端面13所成的角部附近扩大的概念截面图。同图中,在防尘薄膜组件框架的内侧面11和上端面15所成的角部上设置的C倒棱面15与防尘薄膜组件框架的内侧面11所成的角部19的角度为135°。
在防尘薄膜组件膜2,使用了可以使曝光使用的光良好透过的硝化纤维素,醋酸纤维素,氟系聚合物等。下一个世代的光刻技术所期待的EUV曝光,也正在对硅结晶膜的使用进行讨论。
接着剂层3,使用了可以防尘薄膜组件框架1上将防尘薄膜组件膜2良好接着的丙烯酸树脂,环氧树脂以及氟树脂等的接着剂。另外,粘着剂层4,使用了聚丁烯树脂,聚醋酸乙烯基树脂,丙烯酸树脂以及硅树脂等构成的粘着剂。
以上,对一般地在防尘薄膜组件的结构以及各部件使用的材料进行了简单地说明,但是本发明,并不限于在此例举之物,可以根据需要进行设计变更。以下对本发明的特征进行说明。
图3为,权利要求2的发明的一例的概念截面图。如图3表示的那样,防尘薄膜组件框架的内侧面11和上端面13以及,防尘薄膜组件框架的内侧面11和下端面14所成的各角部,被R倒棱,R面21,22被形成。
进行R倒棱时,使用市售的加工机等即可,R(半径)的值没有限定。但是,如考虑防尘薄膜组件框架的强度,接着剂的涂布面积,粘着剂的涂布面积等,不优选R的值过大。
图6为权利要求3的发明的一例的概念截面图。如图6表示的那样,防尘薄膜组件框架的内侧面11和上端面13所成的角部,被C倒棱,进一步防尘薄膜组件框架的内侧面11和该被C倒棱形成的C倒棱面15所成的角部,被R倒棱,其结果,R面25形成。在此,其他的角部被倒棱也可,例如,防尘薄膜组件框架的上端面以及下端面和该C倒棱面所成的角部,被二次倒棱也可。
图4为,权利要求4的发明的一例的概念截面图。如图4表示的那样,防尘薄膜组件框架的内侧面11和上端面13以及,防尘薄膜组件框架的内侧面11和下端面14所成的各角部,被C倒棱,进一步防尘薄膜组件框架的内侧面11和该被C倒棱而形成的C倒棱面15,16所成的角部,被第二次C倒棱,其结果,二次C倒棱面23,24形成。
图7为上述被第二次C倒棱的防尘薄膜组件,内侧面和上端面所成的角部附近的扩大概念截面图。如图7表示的那样,本发明中,角部26以及角部27的角度(分别为θ,θ’),都为比135°大为优选。通过使该角部的角度比135°大,可以更进一步减少该角部发生伤以及突起。另外,图7中,符号26为,在防尘薄膜组件框架的内侧面和上端面所成的角部上设置的C倒棱面15和防尘薄膜组件框架的内侧面11所成的角部上设置的二次C倒棱面23和,防尘薄膜组件框架的内侧面11所成的角部;符号27为,在防尘薄膜组件框架的内侧面和上端面所成的角部上设置的C倒棱面15和防尘薄膜组件框架的内侧面11所成的角部上设置的二次C倒棱面23和,防尘薄膜组件框架的内侧面11与上端面13所成的角部上设置的C倒棱面15所成的角部。
另外,角部26以及角部27上,也可以进一步实施R倒棱或C倒棱,对通过进行该C倒棱而产生的角部进一步倒棱没有制限。如此,C倒棱可以多次进行,减少角部的伤以及突起的效果会更加变高,但是,要考虑操作性等,来决定是否实施。
然后,在进行了上述的那样加工的防尘薄膜组件框架上,以附与阳极氧化皮膜或丙烯酸系电沈积涂装树脂皮膜为优选。用过防尘薄膜组件框架表面上覆盖阳极氧化皮膜或丙烯酸系电沈积涂装树脂皮膜,可以使角部减少伤以及突起。
另外,通过使角部的R倒棱,C倒棱面部的角部角度变大,可以防止角部的阳极氧化皮膜或丙烯酸系电沈积涂装树脂皮膜的厚度大局部变薄,从而可以形成更均一的皮膜。
实施例
以下通过实施例以及比较例,对本发明进行具体说明,但是,本发明并不限定于这些实施例。
实施例1
作为防尘薄膜组件框架,准备框架外寸149mm×115mm×3.15mm,框架厚度2mm的铝制框架。该框架的上下端面和内侧面所成的角部部被以R0.5(mm)程度进行了R倒棱面加工。上下端面和外侧面和为所成的角部部,如以往一样进行200μm的C倒棱面加工。该加工后,使框架表面形成黑色氧化皮膜,防尘薄膜组件框架完成。
该防尘薄膜组件框架精密洗净后,在该防尘薄膜组件框架的内侧面涂布内面粘着剂,在下端面涂布掩模粘着剂,在上端面涂布防尘薄膜组件膜接着剂,进一步在上端面上贴附防尘薄膜组件膜。如此,制作100个的防尘薄膜组件。
对制作的防尘薄膜组件,进行防尘薄膜组件框架内侧面的外观检查,观察到,防尘薄膜组件膜和防尘薄膜组件框架的境界部分以及掩模粘着剂和防尘薄膜组件框架的境界部分的内侧面上有被疑为是伤以及异物的瞩目点一个也没有。
实施例2
准备作为防尘薄膜组件框架,框架外寸149mm×115mm×3.15mm,框架厚度2mm的铝制框架。在该框架的上下端面和内侧面所成的角部,上下端面和外侧面所成的角部上,如以往一样实施200μm的C倒棱面加工。然后,对该C倒棱面和该框架的内侧面和的境界角部用#600的砂纸进行打磨,来实施R倒棱面加工。该加工后,在该框架表面上形成黑色氧化皮膜,防尘薄膜组件框架完成。
在将该防尘薄膜组件框架精密洗净后,在该防尘薄膜组件框架的内侧面上将内面粘着剂,下端面上将掩模粘着剂,在上端面上将防尘薄膜组件膜接着剂涂布,进一步在上端面上将防尘薄膜组件膜贴附。如此,制得100个的防尘薄膜组件。
对完成的防尘薄膜组件,进行防尘薄膜组件框架内侧面的外观检查,得知在防尘薄膜组件膜和防尘薄膜组件框架的境界部分以及掩模粘着剂和防尘薄膜组件框架的境界部分的内侧面上,被认为是伤以及异物的瞩目点一个也没有观察到。
实施例3
准备作为防尘薄膜组件框架,框架外寸149mm×115mm×3.15mm,框架厚度2mm的铝制框架。在该框架的上下端面和内侧面所成的角部部和,上下端面和外侧面所成的角部上,与以往同样实施200μm的C倒棱面加工。然后,该C倒棱面和该框架的内侧面和的境界角部上,进一步实施100μm的二次C倒棱面加工。此时,防尘薄膜组件框架的内侧面和该二次C倒棱面所成的角部的角度和,该C倒棱面和该二次C倒棱面所成的角部的角度,都为157.5°。该加工后,在该框架表面上形成丙烯酸系电沈积涂装树脂皮膜,防尘薄膜组件框架。
在该防尘薄膜组件框架精密洗净后,在该防尘薄膜组件框架的内侧面上将内面粘着剂,在下端面上将掩模粘着剂,在上端面上将防尘薄膜组件膜接着剂涂布,进一步在上端面上将防尘薄膜组件膜贴附。如此,制作100个的防尘薄膜组件。
对完成的防尘薄膜组件,进行防尘薄膜组件框架内侧面的外观检查,得知防尘薄膜组件膜和防尘薄膜组件框架的境界部分以及掩模粘着剂和防尘薄膜组件框架的境界部分的内侧面上,被认为是伤以及异物的瞩目点一个也没有观察到。
实施例4
准备作为防尘薄膜组件框架,框架外寸149mm×115mm×3.15mm,框架厚度2mm的铝制框架。该框架的上下端面和内侧面所成的角部和,上下端面和外侧面所成的角部上,实施与以往同样的200μm的C倒棱面加工。然后,该C倒棱面和该框架的内侧面的境界角部上,进一步实施100μm的二次C倒棱面加工。然后,将防尘薄膜组件框架的内侧面和该二次C倒棱面所成的角部和,该C倒棱面和该二次C倒棱面所成的角部用#600的砂纸打磨,来实施R倒棱面加工。该加工后,在该框架表面上形成丙烯酸系电沈积涂装树脂皮膜,防尘薄膜组件框架完成。
该防尘薄膜组件框架精密洗净后,在该防尘薄膜组件框架的内侧面上将内面粘着剂,在下端面上将掩模粘着剂,在上端面上将防尘薄膜组件膜接着剂涂布,进一步在上端面上将防尘薄膜组件膜贴附。如此,制作100个的防尘薄膜组件。
对完成的防尘薄膜组件,进行防尘薄膜组件框架内侧面的外观检查,在防尘薄膜组件膜和防尘薄膜组件框架的境界部分以及掩模粘着剂和防尘薄膜组件框架的境界部分的内侧面上被认为是伤以及异物的瞩目点一个也没有观察到。
比较例1
准备作为防尘薄膜组件框架,框架外寸149mm×115mm×3.15mm,框架厚度2mm的铝制框架。该框架的上下端面和内侧面所成的角部和,上下端面和外侧面所成的角部上,与以往同样实施200μm的C倒棱面加工。该加工后,框架表面形成黑色氧化皮膜,制得防尘薄膜组件框架。
该防尘薄膜组件框架精密洗净后,在该防尘薄膜组件框架的内侧面上将内面粘着剂,在下端面上将掩模粘着剂,在上端面上将防尘薄膜组件膜接着剂涂布,进一步在上端面上将防尘薄膜组件膜贴附。如此,制得100个的防尘薄膜组件。
对完成防尘薄膜组件,对防尘薄膜组件框架内侧面的外观进行检查,防尘薄膜组件膜和防尘薄膜组件框架的境界部分以及掩模粘着剂和防尘薄膜组件框架的境界部分的内侧面被认为是伤以及异物的瞩目点有12个被观察到。
比较例2
作为防尘薄膜组件框架,框架外寸149mm×115mm×3.15mm,框架厚度2mm的铝制框架被准备。该框架的上下端面和内侧面所成的角部和,上下端面和外侧面所成的角部部上,与以往同样,进行200μm的C倒棱面加工。该加工后,在该框架表面上形成丙烯酸系电沈积涂装树脂皮膜,制得防尘薄膜组件框架。
该防尘薄膜组件框架精密洗净后,在该防尘薄膜组件框架的内侧面上将内面粘着剂,在下端面上将掩模粘着剂,在上端面上将防尘薄膜组件膜接着剂涂布,进一步在上端面上将防尘薄膜组件膜贴附。如此,制得100个的防尘薄膜组件。
对完成的防尘薄膜组件,进行防尘薄膜组件框架内侧面的外观检查,在防尘薄膜组件膜和防尘薄膜组件框架的境界部分以及掩模粘着剂和防尘薄膜组件框架的境界部分的内侧面上,被认为是伤以及异物的瞩目点有9个被观察到。
从以上的结果,可以得知,本发明的防尘薄膜组件,在防尘薄膜组件框架外观异物检查中,防尘薄膜组件膜和防尘薄膜组件框架的境界部分以及掩模粘着剂和防尘薄膜组件框架的境界部分的内侧面,异物以及伤没有被确认到,所以可以推测,被看作异物粒子的伤以及突起减少了,由此提高了上述检查精度,使更严格的粒子管理成为可能。
符号的说明
1 防尘薄膜组件框架
2 防尘薄膜组件膜
3 接着剂层
4 粘着剂层
5 光掩模
11 防尘薄膜组件框架的内侧面
12 防尘薄膜组件框架的外侧面
13 防尘薄膜组件框架的上端面
14 防尘薄膜组件框架的下端面
15 在防尘薄膜组件框架的内侧面和上端面和为所成的角部设置的C倒棱面
16 在防尘薄膜组件框架的内侧面和下端面和为所成的角部设置的C倒棱面
17 在防尘薄膜组件框架的外侧面和上端面和为所成的角部设置的C倒棱面
18 在防尘薄膜组件框架的外侧面和下端面和为所成的角部设置的C倒棱面
19 在防尘薄膜组件框架的内侧面和上端面和为所成的角部设置的C倒棱面和防尘薄膜组件框架的内侧面所成的角部
20 在防尘薄膜组件框架的内侧面和下端面和为所成的角部设置的C倒棱面和防尘薄膜组件框架的内侧面所成的角部
21 在防尘薄膜组件框架的内侧面和上端面所成的角部设置的R面
22 在防尘薄膜组件框架的内侧面和下端面所成的角部设置的R面
23 在防尘薄膜组件框架的内侧面和上端面所成的角部设置的C倒棱面和防尘薄膜组件框架的内侧面所成的角部设置的二次C倒棱面
24 在防尘薄膜组件框架的内侧面和下端面所成的角部设置的C倒棱面和防尘薄膜组件框架的内侧面所成的角部设置的二次C倒棱面
25 在防尘薄膜组件框架的内侧面和上端面所成的角部设置的C倒棱面和防尘薄膜组件框架的内侧面所成的角部设置的R面
26 在防尘薄膜组件框架的内侧面和上端面所成的角部设置的C倒棱面和防尘薄膜组件框架的内侧面所成的角部设置的二次C倒棱面和,防尘薄膜组件框架的内侧面所成的角部
27 在防尘薄膜组件框架的内侧面和上端面所成的角部设置的C倒棱面和防尘薄膜组件框架的内侧面所成的角部设置的二次C倒棱面和,在防尘薄膜组件框架的内侧面和上端面所成的角部上设置的C倒棱面所成的角部。

Claims (29)

1.一种防尘薄膜组件框架,其特征在于,防尘薄膜组件框架的内侧面和上端面以及下端面所成的各角部从截面看为大略曲线状。
2.根据权利要求1所述的防尘薄膜组件框架,其特征在于,所述各角部被R倒棱。
3.根据权利要求1所述的防尘薄膜组件框架,其特征在于,所述各角部被C倒棱,防尘薄膜组件框架的内侧面和所述被C倒棱形成的C倒棱面所成的角部被R倒棱。
4.根据权利要求1所述的防尘薄膜组件框架,其特征在于,所述各角部被C倒棱,防尘薄膜组件框架的内侧面和所述被C倒棱形成的C倒棱面所成的角部被第二次C倒棱。
5.根据权利要求4所述的防尘薄膜组件框架,其特征在于,防尘薄膜组件框架的内侧面和所述被第二次C倒棱形成的二次C倒棱面所成的角部的角度以及所述C倒棱面和所述二次C倒棱面所成的角部的角度比135°大。
6.根据权利要求4所述的防尘薄膜组件框架,其特征在于,防尘薄膜组件框架的内侧面和所述被第二次C倒棱形成的二次C倒棱面所成的角部以及所述C倒棱面和所述二次C倒棱面所成的角部被R倒棱或被C倒棱。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的防尘薄膜组件框架,其特征在于,阳极氧化皮膜被赋予至防尘薄膜组件框架。
8.根据权利要求1至6中任一项所述的防尘薄膜组件框架,其特征在于,丙烯酸系电沈积涂装树脂皮膜被赋予至防尘薄膜组件框架。
9.根据权利要求1至6中任一项所述的防尘薄膜组件框架,用于防尘薄膜组件,所述防尘薄膜组件用于制造具有四分之一微米以下的设计的半导体。
10.根据权利要求1至6中任一项所述的防尘薄膜组件框架,用于防尘薄膜组件,所述防尘薄膜组件用于极紫外光曝光。
11.一种防尘薄膜组件,包括根据权利要求1至10中任一项所述的防尘薄膜组件框架。
12.根据权利要求11所述的防尘薄膜组件,用于制造具有四分之一微米以下的设计的半导体。
13.根据权利要求11所述的防尘薄膜组件,用于极紫外光曝光。
14.一种带有防尘薄膜组件的曝光原版,在曝光原版上装着根据权利要求11所述的防尘薄膜组件而成。
15.一种曝光方法,其特征在于,使用根据权利要求14所述的带有防尘薄膜组件的曝光原版进行曝光。
16.根据权利要求15所述的曝光方法,其中所述曝光为极紫外光曝光。
17.一种半导体的制造方法,包括使用根据权利要求14所述的带有防尘薄膜组件的曝光原版进行曝光的步骤。
18.根据权利要求17所述的半导体的制造方法,其中所述半导体为具有四分之一微米以下的设计的半导体。
19.一种液晶显示板的制造方法,包括使用根据权利要求14所述的带有防尘薄膜组件的曝光原版进行曝光的步骤。
20.一种角部部分的结构,为防尘薄膜组件框架的内侧面和端面所成的角部部分的结构,其特征在于,从截面看所述角部部分为大略曲线状。
21.根据权利要求20所述的角部部分的结构,其特征在于,所述角部部分被R倒棱。
22.根据权利要求20所述的角部部分的结构,其特征在于,所述角部部分被C倒棱,所述内侧面和所述被C倒棱形成的C倒棱面所成的角部被R倒棱。
23.根据权利要求20所述的角部部分的结构,其特征在于,所述角部部分被C倒棱,所述内侧面和所述被C倒棱形成的C倒棱面所成的角部被第二次C倒棱。
24.根据权利要求23所述的角部部分的结构,其特征在于,所述内侧面和所述被第二次C倒棱形成的二次C倒棱面所成的角部的角度以及所述C倒棱面和所述二次C倒棱面所成的角部的角度比135°大。
25.根据权利要求23所述的角部部分的结构,其特征在于,所述内侧面和所述被第二次C倒棱形成的二次C倒棱面所成的角部以及所述C倒棱面和所述二次C倒棱面所成的角部被R倒棱或被C倒棱。
26.根据权利要求20至25中任一项所述的角部部分的结构,其特征在于,阳极氧化皮膜被赋予至表面。
27.根据权利要求20至25中任一项所述的角部部分的结构,其特征在于,丙烯酸系电沈积涂装树脂皮膜被赋予至表面。
28.根据权利要求20至25中任一项所述的角部部分的结构,用于防尘薄膜组件,所述防尘薄膜组件用于制造具有四分之一微米以下的设计的半导体。
29.根据权利要求20至25中任一项所述的角部部分的结构,用于防尘薄膜组件,所述防尘薄膜组件用于极紫外光曝光。
CN202211318321.7A 2016-01-07 2017-01-04 防尘薄膜组件框架、其应用及角部部分的结构 Pending CN115542659A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016-001629 2016-01-07
JP2016001629A JP6632057B2 (ja) 2016-01-07 2016-01-07 ペリクル
CN201710003770.5A CN106950796B (zh) 2016-01-07 2017-01-04 防尘薄膜组件

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710003770.5A Division CN106950796B (zh) 2016-01-07 2017-01-04 防尘薄膜组件

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN115542659A true CN115542659A (zh) 2022-12-30

Family

ID=57570171

Family Applications (4)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202211318321.7A Pending CN115542659A (zh) 2016-01-07 2017-01-04 防尘薄膜组件框架、其应用及角部部分的结构
CN202010667663.4A Active CN111679551B (zh) 2016-01-07 2017-01-04 防尘薄膜组件
CN201710003770.5A Active CN106950796B (zh) 2016-01-07 2017-01-04 防尘薄膜组件
CN202010667573.5A Pending CN111679550A (zh) 2016-01-07 2017-01-04 防尘薄膜组件

Family Applications After (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010667663.4A Active CN111679551B (zh) 2016-01-07 2017-01-04 防尘薄膜组件
CN201710003770.5A Active CN106950796B (zh) 2016-01-07 2017-01-04 防尘薄膜组件
CN202010667573.5A Pending CN111679550A (zh) 2016-01-07 2017-01-04 防尘薄膜组件

Country Status (6)

Country Link
US (1) US10241393B2 (zh)
EP (1) EP3190462A1 (zh)
JP (1) JP6632057B2 (zh)
KR (1) KR20170082990A (zh)
CN (4) CN115542659A (zh)
TW (1) TWI608289B (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7139133B2 (ja) * 2018-04-03 2022-09-20 信越化学工業株式会社 ペリクルフレーム、ペリクル、及びペリクルフレームの製造方法
CN111983888A (zh) * 2019-05-24 2020-11-24 长鑫存储技术有限公司 掩膜版及其制造方法
TW202129404A (zh) 2020-01-21 2021-08-01 日商信越化學工業股份有限公司 防護薄膜框架、防護薄膜、帶防護薄膜的曝光原版及曝光方法、以及半導體或液晶顯示器的製造方法
CN116997477A (zh) * 2021-03-12 2023-11-03 日立安斯泰莫株式会社 传动轴的节叉以及传动轴

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58219023A (ja) 1982-06-15 1983-12-20 Daicel Chem Ind Ltd 樹脂薄膜の製造方法
US4861402A (en) 1984-10-16 1989-08-29 Du Pont Tau Laboratories, Inc. Method of making a cellulose acetate butyrate pellicle
JPH05341502A (ja) * 1992-06-09 1993-12-24 Tosoh Corp ペリクル枠
US5422704A (en) * 1992-07-13 1995-06-06 Intel Corporation Pellicle frame
JPH06120551A (ja) * 1992-09-30 1994-04-28 Victor Co Of Japan Ltd 半導体装置
JPH0786459A (ja) * 1993-09-13 1995-03-31 Toppan Printing Co Ltd 半導体装置
JP3415703B2 (ja) * 1995-06-16 2003-06-09 三井化学株式会社 マスク保護装置のペリクル枠とその製造方法
JPH09281049A (ja) * 1996-04-08 1997-10-31 Nikon Corp 欠陥検査装置
JP3240261B2 (ja) * 1996-07-25 2001-12-17 信越化学工業株式会社 ペリクルの製造方法
JPH11106891A (ja) * 1997-10-07 1999-04-20 Suzuki Motor Corp 金属溶射法
JP3046003B2 (ja) * 1998-08-10 2000-05-29 ホーヤ株式会社 電子デバイス用ガラス基板及びその製造方法
JP3331996B2 (ja) * 1998-12-25 2002-10-07 日本電気株式会社 ペリクル
ATE283503T1 (de) * 1999-09-13 2004-12-15 Asahi Glass Co Ltd Membranabdeckung
JP2001147519A (ja) * 1999-11-19 2001-05-29 Asahi Glass Co Ltd ペリクルおよびペリクル板の製造方法
JP2006193375A (ja) * 2005-01-13 2006-07-27 Olympus Corp ガラスセルの製造方法及び金型
JP2006207704A (ja) * 2005-01-28 2006-08-10 Toyo Tire & Rubber Co Ltd 防振ゴム
JP2009128477A (ja) * 2007-11-21 2009-06-11 Fujitsu Microelectronics Ltd ペリクル、及びペリクル付きフォトマスク
JP5134418B2 (ja) * 2008-04-01 2013-01-30 信越化学工業株式会社 リソグラフィ用ペリクル
JP5481106B2 (ja) * 2009-06-24 2014-04-23 信越化学工業株式会社 ペリクルフレーム及びリソグラフィ用ペリクル
JP2011013611A (ja) * 2009-07-06 2011-01-20 Shin-Etsu Chemical Co Ltd ペリクル
JP5453701B2 (ja) * 2009-11-25 2014-03-26 住友電工ハードメタル株式会社 刃先交換式チップ及びスローアウェイ式カッタ
JP2011253176A (ja) * 2010-05-07 2011-12-15 Shin Etsu Chem Co Ltd ペリクル用粘着剤
JP5722760B2 (ja) * 2011-02-08 2015-05-27 信越化学工業株式会社 ペリクル製造用キット
JP5746662B2 (ja) * 2012-05-11 2015-07-08 信越化学工業株式会社 ペリクルフレーム
JP2014062940A (ja) * 2012-09-20 2014-04-10 Lasertec Corp 検査装置
JP5822401B2 (ja) * 2012-12-25 2015-11-24 信越化学工業株式会社 リソグラフィ用ペリクル
JP6008784B2 (ja) * 2013-04-15 2016-10-19 信越化学工業株式会社 ペリクルフレーム及びその製作方法とペリクル
JP5950467B2 (ja) * 2013-09-24 2016-07-13 信越化学工業株式会社 ペリクル
JP6025178B2 (ja) * 2013-11-11 2016-11-16 信越化学工業株式会社 ペリクルの貼り付け方法及びこの方法に用いる貼り付け装置
JP6308592B2 (ja) * 2014-04-02 2018-04-11 信越化学工業株式会社 Euv用ペリクル
JP6669464B2 (ja) 2015-10-19 2020-03-18 信越化学工業株式会社 Euv用ペリクル

Also Published As

Publication number Publication date
TWI608289B (zh) 2017-12-11
CN111679550A (zh) 2020-09-18
TW201732415A (zh) 2017-09-16
EP3190462A1 (en) 2017-07-12
CN111679551A (zh) 2020-09-18
US10241393B2 (en) 2019-03-26
CN106950796B (zh) 2022-11-18
CN106950796A (zh) 2017-07-14
US20170199452A1 (en) 2017-07-13
CN111679551B (zh) 2024-04-16
JP6632057B2 (ja) 2020-01-15
KR20170082990A (ko) 2017-07-17
JP2017122830A (ja) 2017-07-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI476510B (zh) 防護膠膜框架及微影用防護膠膜
EP2267527B1 (en) Pellicle frame and lithographic pellicle
CN106950796B (zh) 防尘薄膜组件
TWI476511B (zh) 防護膠膜框架及微影用防護膠膜
JP4889778B2 (ja) ペリクルの製造方法及びリソグラフィ用ペリクル
CN105446073B (zh) 防尘薄膜组件框架以及防尘薄膜组件
TWI409581B (zh) 防塵薄膜組件之製造方法、微影用防塵薄膜組件框架及微影用防塵薄膜組件
TW201305723A (zh) 微影用防塵薄膜組件
KR20110065364A (ko) 리소그래피용 펠리클 및 그 제조 방법
TWI460532B (zh) 防塵薄膜組件框架、其製造方法以及防塵薄膜組件
TWI498672B (zh) 微影用防塵薄膜組件
KR20150046716A (ko) 펠리클
JPH03138649A (ja) ペリクル

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination