CN111983888A - 掩膜版及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明实施例涉及一种掩膜版及其制造方法，掩膜版包括：基板；图形层，所述图形层位于所述基板上，且所述图形层包括图形区以及环绕所述图形区的外围区；透光盖板，所述透光盖板设置于所述外围区上，所述透光盖板、所述基板与所述外围区围成掩膜腔室，所述图形区位于所述掩膜腔室内。本发明能够显著改善掩膜版质量，提高掩膜版的使用寿命。

Description

掩膜版及其制造方法

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种掩膜版及其制造方法。

背景技术

图形化技术是集成电路制造领域常用的技术之一。图形化技术中重要的一个环节包括，采用包含电路设计信息的掩膜版(mask)进行光刻技术，将电路设计信息转移到晶圆(wafer)上，其中的掩膜版也称为光刻胶版、光刻掩膜版或者光罩。

掩膜版包括对曝光光线具有透光性的基板以及位于基板上的图形层，所述图形层包括对曝光光线具有遮光性的至少一个几何图形，可进行有选择地遮挡照射到晶圆表面的光刻胶(PR)上的光线，最终在晶圆表面的光刻胶上形成相应的图案。掩膜版的质量会直接影响所形成的光刻胶图案的质量。

然而，现有技术提供的掩膜版的质量较差。

发明内容

本发明实施例解决的技术问题为提供一种掩膜版及其制造方法，改善掩膜版的质量。

为解决上述技术问题，本发明实施例提供一种掩膜版，包括：基板；图形层，所述图形层位于所述基板上，且所述图形层包括图形区以及环绕所述图形区的外围区；透光盖板，所述透光盖板设置在所述外围区上，所述透光盖板、所述基板与所述外围区围成掩膜腔室，所述图形区位于所述掩膜腔室内。

本发明实施例还提供一种掩膜版的制造方法，包括：提供基板；在所述基板上形成图形层，且所述图形层包括图形区以及环绕所述图形区的外围区；提供透光盖板；将所述透光盖板固定连接于所述外围区上，且所述透光盖板、所述基板与所述外围区围成掩膜腔室，所述图形区位于所述掩膜腔室内。

与现有技术相比，本发明实施例提供的技术方案具有以下优点：

本发明实施例提供一种结构性能优越的掩膜版，位于基板上的图形层具有图形区和外围区，透光盖板设置在外围区的图形层上，且透光盖板、基板与外围区的图形层围成掩膜腔室，图形区的图形层位于所述掩膜腔室内。透光盖板具有高强度以及高的耐磨性，因此所述透光盖板的使用寿命长，从而使得透光盖板能够持续有效的对图形区的图形层提供保护作用，防止杂质附着到图形区的图形层上，进而显著的提高掩膜版的使用寿命，改善掩膜版的质量。

另外，还包括贯穿粘附层的至少一个排气孔，所述排气孔连通掩膜腔室与外界，从而减小掩膜腔室与外界之间的压强差，当掩膜版受热造成掩膜腔室内气体发生膨胀时，所述排气孔能够及时将气体排出，避免气体膨胀对图形区的图形层的图形造成不良影响，从而进一步的改善掩膜版的质量。

另外，图形区的图形层顶面与透光盖板朝向图形层的表面之间具有间隙，保证透光盖板不会触碰到图形层，避免对图形层的形貌造成影响，从而有利于进一步的改善掩膜版的质量。

附图说明

一个或多个实施例通过与之对应的附图中的图片进行示例性说明，这些示例性说明并不构成对实施例的限定，附图中具有相同参考数字标号的元件表示为类似的元件，除非有特别申明，附图中的图不构成比例限制。

图1为一种掩膜版的剖面结构示意图；

图2为本发明一实施例提供的掩膜版的俯视结构示意图；

图3为图2中沿AA1方向切割的剖面结构示意图；

图4为本发明另一实施例提供的掩膜版的俯视结构示意图；

图5为图4中沿BB1方向切割的剖面结构示意图；

图6至图9为本发明实施例提供的掩膜版制造方法中各步骤对应的剖面结构示意图。

具体实施方式

由背景技术可知，现有技术提供的掩膜版的质量较差。

分析发现，如果掩膜版中附着有杂质，则该杂质的图形会转移到晶圆上，从而影响在晶圆上制备的器件的性能和成品率。

为了在使用过程中更好的保护掩膜版，降低掩膜版上出现杂质的几率，提出一种能够防止杂质附着的掩膜版。图1为一种掩膜版的剖面结构示意图，参考图1，掩膜版包括：基板100以及位于基板100上的图形金属层，图形金属层包括图形区(未标示)以及环绕图形区的外围区(未标示)；框架(frame)102，所述框架102位于所述外围区的图形金属层上，且环绕图形区；透光薄膜(pellicle)103，所述透光薄膜103通过所述框架102支撑以设置于图形区的图形金属层上方。其中，图形金属层包括：位于图形区和外围区的第一图形层104；位于外围区的第一图形层104表面的第二图形层105。

然而，上述掩膜版的质量仍较差。分析发现，透光薄膜103的厚度需要达到足够薄，以保证够透光薄膜103具有高的光传导率，进而保证曝光光线经由透光薄膜103后的光损失小，具有很薄厚度的透光薄膜103的使用寿命短，如容易发生破损、光传导率变低等。尤其是在半导体制程中，透光薄膜103还会经历至少一道的清洗工艺以及曝光工艺，这些工艺步骤也会造成透光薄膜103的使用寿命变短。

为解决上述问题，本发明实施例提供一种掩膜版，设置固定于外围区的图形层上的透光盖板，且透光盖板、基板与外围区围成掩膜腔室，从而对图形区的图形层提供保护作用。透光盖板具有易清洗以及耐清洗高的优点，且透光盖板较现有的透光薄膜抗破坏能力强，因而能够显著的提高掩膜版的使用寿命，改善掩膜版的质量。

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明的各实施例进行详细的阐述。然而，本领域的普通技术人员可以理解，在本发明各实施例中，为了使读者更好地理解本申请而提出了许多技术细节。但是，即使没有这些技术细节和基于以下各实施例的种种变化和修改，也可以实现本申请所要求保护的技术方案。

图2为本发明一实施例提供的掩膜版的俯视结构示意图，图3为图2中沿AA1方向切割的剖面结构示意图。

参考图2及图3，本实施例提供的掩膜版包括：基板200；图形层201，所述图形层201位于所述基板200上，且所述图形层201包括图形区I以及环绕所述图形区I的外围区II；透光盖板202，所述透光盖板202与所述基板200分别位于所述图形层201相对的两侧，且所述透光盖板200设置在所述外围区II上，所述透光盖板202、所述基板200与所述外围区II围成掩膜腔室，且图形区I位于所述掩膜腔室内。

以下将结合附图对本发明实施例提供的掩膜版进行详细说明。

需要说明的是，为了便于图示和说明，图2中未示出基板200和透光盖板202。

所述基板200为透光基板。本实施例中，所述基板200为石英基板，石英基板具有高透过率(high transmission rate)的优势，且曝光光线经由石英基板的光损耗小。在其他实施例中，所述基板还可以是硼硅基板、苏打基板或者掺氟的石英基板。

本实施例中，以所述基板200的表面形状为方形作为示例。在其他实施例中，基板的表面形状还可以为圆形、梯形或者不规则形状。

所述图形层201位于所述基板200表面。本实施例中，所述外围区II的图形层201侧壁与所述基板200侧壁齐平，在其他实施例中，所述外围区的图形层还可以暴露出基板200边缘表面。

图形层201包括图形区I以及环绕所述图形区I的外围区II，其中，图形区I的图形层201中具有暴露出基板200的区域，从而定义出图形层201定义的图案信息。本实施例中，以所述图形区I的形状为方形作为示例，在其他实施例中，图形区的形状还可以为圆形、梯形或者不规则形状。

本实施例中，图形区I的图形层201顶面与外围区II的图形层201顶面齐平。在其他实施例中，外围区的图形层顶面还可以高于图形区的图形层顶面。

在使用掩膜版时，外围区II的图形层201所在的区域为遮光区域，图形区I的相邻图形层201之间的区域为透光区域。

掩膜版还可以包括：遮光层221，遮光层221位于外围区II上。遮光层221的作用包括：一方面，遮光层221可以起到遮光作用，进一步的保证外围区II的图形层201所在的区域为遮光区域，进一步的避免光线经由外围区的图形层201传输至不期望区域；另一方面，当外围区II的图形层201顶面与图形区I的图形层201顶面齐平或者顶面高度相差很小时，相较于透光盖板202与外围区II的图形层201直接相接触的方案而言，在外围区II的图形层201上设置有遮光层221，有利于增加图形区I的图形层201顶面与透光盖板202朝向图形层201的表面之间的垂直距离，此处的垂直距离指的是，垂直于图形区I的图形层201顶面的距离。

所述遮光层221的材料包括Cr、Al或者Cr的金属化合物中的一种或者多种，Cr的金属化合物可以为CrO_x。

需要说明的是，在其他实施例中，掩膜版也可以不设置遮光层。

本实施例中，以提供的掩膜版为相移掩膜版(PSM，Phase Shift Mask)为例，所述图形层201包括：相移层，所述相移层可以为单层结构也可以为叠层结构，所述相移层的材料包括Si、Mo、Ta、Co、Ni、Zr、Nb或者Zn中的一种或多种。本实施例中，所述相移层的材料为MoSi，所述遮光层221的材料为Cr。

需要说明的是，本实施例中以所述掩膜版为相移掩膜版作为示例，在其他实施例中，所述掩膜版还可以为传统掩膜版。

所述透光盖板202设置于外围区II的图形层201上，对所述图形区I的图形层201提供保护作用。具体地，所述透光盖板202、基板200与所述外围区II的图形层201围成掩膜腔室，因而能够将图形区I的图形层201密封于所述掩膜腔室内，从而防止气体分子污染物(AMC，Airborne Molecular Contamination)或者颗粒等杂质附着在图形区I的图形层201上，气体分子污染物可以为无机气体如NH₄或者有机气体。由于掩膜腔室将杂质与图形区I的图形层201隔绝，因而能够避免杂质对图形层201的图形造成不良影响，减小掩膜版雾状缺陷(mask haze)出现的概率，延长掩膜版的使用寿命。

此外，透光盖板202的耐磨性和强度均优于现有使用的透光薄膜；在清洗透光盖板202表面的杂质的清洗工艺中透光盖板202不易被破坏，从而保证透光盖板202始终具有高的透光性以及低的光损耗性质；并且，去除透光盖板202表面的杂质的清洗工艺简单，可以采用如湿法清洗、干法清洗或擦拭清洗等工艺有效的去除透光盖板202表面的杂质，从而降低清洗工艺对掩膜版质量带来的损伤。需要说明的是，所述透光盖板202表面指的是透光盖板202背离所述图形层201的表面。

由上述分析可知，采用透光盖板202对图形区I的图形层201进行保护，有利于为图形区I的图形层201提供持续有效的保护，进而有利于有效的提高掩膜版的使用寿命，改善掩膜版的质量。

另外，采用透光盖板202替代现有的框架以及透光薄膜的保护模式，有利于降低掩膜版的制造成本，尤其是当图形区I的窗口较大时，掩膜版制造成本降低更明显。

透光盖板202与基板200材质相同。石英玻璃具有热膨胀系数低、耐高温、化学稳定性好、高光透过率以及低光损耗的优点，本实施例中，所述透光盖板202为石英玻璃。所述透光盖板202可以与基板200采用具有同样性能的石英玻璃。

在其他实施例中，所述透光盖板还可以为硼硅玻璃、苏打玻璃或者有机玻璃，其中，有机玻璃的主要成分为聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA，Polymethyl methacrylate)。

所述透光盖板202的厚度不宜过薄，也不宜过厚。若所述透光盖板202的厚度过薄，相应透光盖板202的机械强度较弱；若所述透光盖板202的厚度过厚，则曝光光线经由所述透光盖板202的光透光率变低，容易造成曝光光线具有不必要的光损耗。为此，本实施例中，所述透光盖板202的厚度为1.1mm～1.6mm，例如为1.2mm、1.35mm、1.52mm。

本实施例中，以所述透光盖板202的表面面积与所述基板200表面面积相同作为示例。在其他实施例中，透光盖板的表面面积还可以小于基板的表面面积。

透光盖板202固定设置于外围区II的图形层201上。本实施例中，为了提高所述透光盖板202与外围区II的图形层201之间的结合强度，避免透光盖板202从外围区II的图形层201上脱落，掩膜版还包括：粘附层203，所述粘附层203位于所述透光盖板202与所述外围区II之间，起到粘附透光盖板202与外围区II的图形层201的作用。

所述粘附层203不仅需要满足能够起到粘附透光盖板202与外围区II的图形层201的目的，并且，粘附层203还需要具有耐久性好、热稳定性好以及密封性好的特点。并且，由于掩膜版在使用过程中，可能会经历温度升高或者高温工艺环境，为了避免从粘附层203中释放出气体分子污染物附着在图形区I的图形层201上，所述粘附层203还需要满足经历过除气处理(outgassing)。

本实施例中，所述粘附层203的材料为热熔胶材料。

具体地，热熔胶材料可以为丙烯酸胶，即丙烯酸酯胶粘剂。在其他实施例中，热熔胶材料还可以为乙烯-醋酸乙烯酯共聚物胶(EVA)。

在其他实施例中，所述粘附层的材料还可以为玻璃胶材料或者双面胶材料，双面胶材料包括环氧树脂、EVA材料或者聚丙烯塑胶材料等。

粘附层203的厚度越厚，粘附层203可能释放出气体分子污染物的概率越大，相应气体分子污染物附着在图形区I的图形层201上的概率越大；粘附层203的厚度过薄，也会影响其起到的粘附效果。为此，本实施例中，所述粘附层203的厚度为0.2mm～0.55mm，例如为0.3mm、0.49mm、0.51mm。

本实施例中，掩膜腔室为密封腔室，相应的，在平行于图形层201表面方向上，粘附层203为封闭环形。本实施例中，以粘附层203为封闭方环形为例，在其他实施例中，粘附层还可以为封闭圆环形、封闭梯形环形或者其他封闭不规则环形。

本实施例中，所述粘附层203覆盖外围区II的图形层201整个表面。在其他实施例中，粘附层还可以覆盖外围区的图形层的部分表面。

此外，本实施例中，利用粘附层203固定透光盖板202，避免了杂质脱落以及挥发性物质造成的缺陷，保证掩模腔室在长时间内仍保持良好的环境。具体地，若采用现有技术中的框架固定透光盖板，则框架中易出现表面膜层材料脱落以及产生挥发性物质，在掩膜腔室内产生缺陷，影响图形的传递。

并且，采用粘附层203固定透光盖板202，掩模腔室具有较小的体积，利用该掩膜板进行曝光处理时各区域透光的距离趋于一致，从而有利于减小外界因素造成的干扰，能更真实的模拟曝光处理结果，进而有利于进一步的改善图形传递效果。

本实施例中，图形区I的图形层201顶面与透光盖板202朝向图形层201的表面之间具有间隙，有利于防止图形层201顶部表面触碰到透光盖板202，进而防止掩膜版转移的图形质量变差，其中，图形层201顶面指的是图形层201朝向透光盖板202的表面。

这样设置，主要是考虑到，若图形区I的图形层201受到工艺环境变化的影响如温度升高等而出现体积膨胀的现象，或者透光盖板202受到工艺环境的变化出现体积膨胀的现象，由于图形区I的图形层201顶面与透光盖板202朝向图形层201的表面之间具有间隙，即使图形区I的图形层201或者透光盖板202发生体积膨胀，也能够保证图形区I的图形层201顶部表面不会触碰到透光盖板202，防止透光盖板202挤压图形层201而造成的图形层201的图形改变的问题。

在垂直于图形区I的图形层201顶面方向上，若间隙的距离过小，易出现透光盖板202与图形层201膨胀变形相互挤压的风险；若间隙的距离过大，掩膜腔室的体积也相应较大，对于改善“减小外界因素造成的干扰”的效果不明显。为此，本实施例中，在垂直于图形层201顶面方向上，间隙的距离为0.1mm～0.2mm，例如为0.12mm、0.15mm、0.18mm；在该范围内，既能够保证在掩膜版使用过程中，图形层201与透光盖板202不会受到环境的影响而相互挤压，也能够保证掩膜腔室具有小的腔室体积，有利于改善图形传递效果。

需要说明的是，在其他实施例中，图形区的图形层顶面与透光盖板朝向图形层的表面也可以相接触，可以通过合理选择具有低的热膨胀系数的材料作为透光盖板以及图形层的材料，也能够很好的避免透光盖板与图形层之间的相互挤压问题，保证掩膜版始终具有良好的性能。

本实施例提供的掩膜版，透光盖板202具有高强度以及高的耐磨性，因此所述透光盖板202的使用寿命长，从而使得透光盖板202能够持续有效的对图形区I的图形层201提供保护作用，防止杂质附着到图形区I的图形层201上，进而显著的提高掩膜版的使用寿命，改善掩膜版的质量。

此外，本实施例提供的掩膜版的清洗方式更为灵活，只需要对透光盖板进行清洗即可，在清洗掩膜版时可以不用去除透光盖板，使得掩膜版的使用寿命更长。而现有的掩膜版在清洗时需要去除透光薄膜，然后再进行清洗，去除的透光薄膜将不能再使用，且去除透光薄膜后的掩膜版在使用前，还需要重新设置透光曝光进行保护，不仅浪费材料成本且还浪费人工成本。本发明另一实施例还提供一种掩膜版，与前一实施例不同的是，本实施例中，掩膜版腔室不是完全密封的腔室，掩膜版具有贯穿粘附层的排气孔，用于连通掩膜腔室与外界。以下将结合附图对本实施例提供的掩膜版进行详细说明，需要说明的是，与前一实施例相同或者相应的部分，可参考前述实施例的详细说明，以下将不做赘述。

图4为本发明另一实施例提供的掩膜版的俯视结构示意图，图5为图4中沿BB1方向切割的剖面结构示意图。

参考图4及图5，本实施例提供的掩膜版包括：基板300；图形层301，所述图形层301位于所述基板300上，且所述图形层301包括图形区I以及环绕所述图形区I的外围区II；透光盖板302，所述透光盖板302与所述基板300分别位于所述图形层301相对的两侧，且所述透光盖板302设置在所述外围区II上，所述透光盖板302、所述基板300与所述外围区II围成掩膜腔室，所述图形区I位于所述掩膜腔室内。需要说明的是，为了便于图示和说明，图4中未示出基板300和透光盖板302。

本实施例中，掩膜版还包括：遮光层321，遮光层321位于外围区II的图形层301上。

本实施例中，所述图形层301包括：相移层，所述遮光层321位于所述外围区II的相移层上，且所述外围区II的相移层位于所述遮光层321与所述基板300之间。

有关所述基板300、图形层301以及透光盖板302的详细描述，可参考前述实施例的相应说明。

本实施例中，掩膜版还包括：粘附层303，所述粘附层303位于透光盖板302与外围区II的图形层301之间。

所述掩膜腔室为非密封腔室。相应的，掩膜版还包括：至少一个排气孔304，所述排气孔304贯穿所述粘附层303，且排气孔304连通所述掩膜腔室与外界。

这样设置的好处包括：当掩膜腔室内具有气体时，该气体可以为制造掩膜版时的环境气体，也可以为了提高掩膜结构质量而设置的气体，在利用掩膜版进行曝光处理过程中，掩膜版结构的温度升高，相应的掩膜腔室内气体压强变大而使得掩膜腔室内气体膨胀；由于掩膜结构中设有所述排气孔304，因而当掩膜腔室内气体压强变大时气体能够经由排气孔304及时从掩膜腔室内排出至外界，从而降低掩膜腔室内压强，防止由于掩膜腔室压强变大而对图形层301的图形造成不良影响，进一步的提高掩膜版的质量。

需要说明的是，为了避免外界环境中的气体经由排气孔304进入到掩膜腔室内，防止气体对掩膜图形造成不良影响，本实施例中，在设置排气孔304时，还需要考虑减小外界环境中的气体进入掩膜腔室的概率。

本实施例中，所述排气孔304的数量为两个，且每一排气孔304分别位于图形区I的图形层301相对的两侧。如此，不仅有利于保证掩膜腔室内气体排出的及时性，并且，由于两个排气孔304离得较远，当一个排气孔304附近区域存在气体分子污染物时，该气体分子污染物只可能从一个排气孔304进入掩膜腔室，因而有利于降低杂质落入图形区I的图形层301上的风险。

在垂直于所述排气孔304延伸方向上，所述排气孔304的剖面面积不宜过大。若所述排气孔304的剖面面积过大，则会增加气体分子污染物进入掩膜腔室的风险。为此，本实施例中，在垂直于所述排气孔304延伸方向上，所述排气孔304的剖面面积为0.025mm²～0.08mm²，例如为0.03mm²、0.04mm²、0.07mm²。

需要说明的是，在其他实施例中，还可以根据具体工艺需求，合理设置排气孔的数量和位置，例如排气孔的数量可以为一个、三个、五个、十个等。

本实施例提供的掩膜版，由于在粘附层303上开设有排气孔304，有利于减小掩膜腔室与外界的压强差异，甚至能够使在曝光处理过程中掩膜腔室压强与外界压强之间达到平衡，从而避免出现由于掩膜腔室内压强过高而对图形层301的图形造成不良影响，进而进一步的改善掩膜版质量。

相应的，本发明实施例还提供一种用于制造上述掩膜版的制造方法，以下将结合附图对本发明实施例提供的掩膜版的制造方法进行详细说明。

图6至图9为本发明实施例提供的掩膜版制造方法中各步骤对应的剖面结构示意图。

参考图6，提供基板400；在所述基板400上形成图形层401，且所述图形层401包括图形区I以及环绕所述图形区I的外围区II。

本实施例中，所述图形层401包括：相移层，所述相移层包括所述图形区I和所述外围区II。

在形成图形层401后，还包括：在外围区II的图形层401上形成遮光层421，所述遮光层421位于所述外围区II的图形层401上，且所述外围区II的图形层401位于所述遮光层421与所述基板400之间。

有关所述基板400以及图形层401的详细描述，可参考前述说明。

参考图7，提供透光盖板402。

本实施例中，所述透光盖板402为石英玻璃。在其他实施例中，透光盖板还可以为掺氟的石英玻璃、苏打玻璃或者硼硅玻璃。

后续的工艺步骤包括：将将所述透光盖板402设置在所述外围区II的图形层401上，且所述透光盖板402、所述基板400与所述外围区II围成掩膜腔室，所述图形区I位于所述掩膜腔室内。

本实施例中，还包括：提供粘附层；利用粘附层将透光盖板402固定连接于外围区II的图形层401上。所述粘附层包括双面胶层、热熔胶层或者玻璃胶层。以下将以粘附层为热熔胶层为例进行详细说明。

参考图8，在所述外围区II的图形层401表面形成初始热熔胶层403；将所述透光盖板402置于所述初始热熔胶层403表面，且透光盖板402还位于图形区I的图形层401上方。

本实施例中，所述初始热熔胶层403的材料为丙烯酸胶。

需要说明的是，本实施例中，以后续形成的粘附层为封闭环形为例，相应的合理设置初始热熔胶层403的位置，保证后续形成的粘附层为封闭环形。在其他实施例中，后续形成的粘附层还可以排气孔时，相应的也需要合理设置初始热熔胶层的位置，保证后续形成的粘附层中具有排气孔。

在其他实施例中，还可以选择在透光盖板部分表面形成初始热熔胶层403。

参考图9，对所述初始热熔胶层403(参考图8)进行加热处理，使所述初始热熔胶层403融化，且融化后的初始热熔胶层冷却固化后形成粘附透光盖板402与外围区I的图形层401的粘附层404。

本实施例中，通过材料为热熔胶材料的粘附层404粘附透光盖板402与外围区I的图形层401。在其他实施例中，粘附层的材料还可以为玻璃胶。

在其他实施例中，粘附层为双面胶层时，双面胶层具有正面和与正面相对的背面；将透光盖板设置于外围区的图形层上的方法包括：利用所述双面胶层的正面粘附所述透光盖板，利用所述双面胶层的背面粘附所述外围区的图形层。具体地，提供具有隔离纸的双面胶带，将双面胶带具有粘性的一面粘附于透光盖板上；揭去隔离纸，露出双面胶带具有粘性的另一面，将外围区的图形层表面粘附于所述具有粘性的另一面上。

本发明实施例制造的掩膜版，由于透光盖板402不易被破坏，因而能够改善对图形区I的图形层401的保护效果，延长制造的掩膜版的使用寿命。

本领域的普通技术人员可以理解，上述各实施方式是实现本发明的具体实施例，而在实际应用中，可以在形式上和细节上对其作各种改变，而不偏离本发明的精神和范围。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各自更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求限定的范围为准。

Claims (12)

1.一种掩膜版，其特征在于，包括：

基板；

图形层，所述图形层位于所述基板上，且所述图形层包括图形区以及环绕所述图形区的外围区；

透光盖板，所述透光盖板设置在所述外围区上，所述透光盖板、所述基板与所述外围区围成掩膜腔室，所述图形区位于所述掩膜腔室内。

2.如权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述透光盖板与所述基板材质相同。

3.如权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述透光盖板的厚度为1.1mm～1.6mm。

4.如权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，还包括：粘附层，所述粘附层位于所述透光盖板与所述外围区之间。

5.如权利要求4所述的掩膜版，其特征在于，所述粘附层的厚度为0.2mm～0.55mm。

6.如权利要求4所述的掩膜版，其特征在于，所述掩膜腔室为密封腔室。

7.如权利要求6所述的掩膜版，其特征在于，在平行于所述图形层表面方向上，所述粘附层为封闭环形。

8.如权利要求4所述的掩膜版，其特征在于，还包括：至少一个排气孔，所述排气孔贯穿所述粘附层，所述排气孔连通所述掩膜腔室与外界。

9.如权利要求1或4所述的掩膜版，其特征在于，还包括：遮光层，所述遮光层位于所述外围区上。

10.如权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述图形区的图形层顶面与所述透光盖板朝向所述图形层的表面之间具有间隙。

11.如权利要求10所述的掩膜版，其特征在于，在垂直于所述图形区的图形层顶面方向上，所述间隙的距离为0.1mm～0.2mm。

12.一种掩膜版的制造方法，其特征在于，包括：

提供基板；

在所述基板上形成图形层，且所述图形层包括图形区以及环绕所述图形区的外围区；提供透光盖板；

将所述透光盖板设置在所述外围区上，所述透光盖板、所述基板与所述外围区围成掩膜腔室，所述图形区位于所述掩膜腔室内。

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