CN109950119A - 等离子体处理装置以及等离子体处理方法 - Google Patents

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Abstract

本发明的目的在于提高等离子体处理装置的可靠性，并提高等离子体处理中的合格率。等离子体蚀刻装置(100)具有：基座环(113)，覆盖样品台的表面；导体环(131)，配置在基座环(113)的内部，并且供给来自第二高频电源的第二高频电力；和供电连接器(161)，构成向导体环(131)供给上述第二高频电力的路径。进而，供电连接器(161)具备板簧(135)，该板簧(135)配置于在上述样品台的贯通孔(120c)内配置的绝缘凸台(144)的内部，并且，与上部端子(143)以及下部端子(145)连接且具有沿上下方向P施力而伸缩的弹性。

Description

等离子体处理装置以及等离子体处理方法
技术领域
本发明涉及等离子体处理装置以及等离子体处理方法，特别涉及适用于半导体基板等被处理材料的加工的等离子体处理装置以及等离子体处理方法。
背景技术
在半导体制造工序中，一般进行使用等离子体的干式蚀刻。用于进行干式蚀刻的等离子体处理装置使用各种方式。
一般，等离子体处理装置由真空处理室、与其连接的气体供给装置、将真空处理室内的压力维持在期望的值的真空排气系统、载置作为被处理材料的晶圆的电极、用于在真空处理室内产生等离子体的等离子体产生单元等构成。通过由等离子体产生单元将从喷淋板等供给到真空处理室内的处理气体设为等离子体状态，从而进行保持于晶圆载置用电极的晶圆的蚀刻处理。
近年，随着半导体设备的集成度的提高，要求微细加工即加工精度的提高，并且，半导体设备的电路结构也变得更加微细，谋求能够合格率良好地制造到半导体设备的电路比形成于该半导体设备的电路上的半导体晶圆等基板更靠外周缘部为止性能良好的半导体设备。即，谋求使基板的外周缘部的区域的大小更小，以使等离子体处理装置所实施的处理不会使半导体设备的性能恶化。为了抑制这样的基板的外周侧部分的性能的恶化，在载置有基板的样品台的上表面的基板的外周侧的区域降低电场的集中。而且，需要抑制在基板的上表面的外周侧部分的处理的特性，例如蚀刻处理的情况下处理的速度(蚀刻速率)急剧增大。为了实现该目的，考虑对在基板的外周侧覆盖样品台的上部的上表面而配置的包含电介质制的基座环的基板的外周侧区域的电场进行调节，以抑制在基板的处理中形成于基板的上表面的上方的护套的厚度从基板的中心部到外周缘的变化。
作为这样的技术，例如，已知日本特开2016-225376号公报(专利文献1)所公开的技术。在上述专利文献1中，公开了如下技术，在包围载置有半导体晶圆等的基板状的样品的样品台上部的样品的外周而配置的绝缘体制的环的下方覆盖该绝缘体制的环，对在上述样品的外周侧包围该绝缘体制的环而配置的导电体制的环施加规定频率的高频电力，使样品的上表面的外周侧部分的带电粒子的进入方向与样品的上表面接近垂直，实现处理的合格率的提高。
此外，在日本特开2011-009351号公报(专利文献2)中公开了如下技术，向与等离子体面对的聚焦环供给偏置电位形成用的高频电力，由此，与导电体的等离子体引起的削除、消耗的程度相应地调节在导电体的上表面的上方形成的偏置电位的大小，从而抑制处理的性能随时间而变动。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2016-225376号公报
专利文献2：日本特开2011-009351号公报
发明内容
上述技术在针对下面的点考虑不充分，所以产生了问题。
即，上述专利文献1中，通过在向导电性的环供给高频电力的供电线路上产生串联谐振，虽然起到降低供电线路的阻抗而流动大的电流的作用，但是没有考虑到由于流动大的电流而在供电路径上的发热量变大这一方面。特别是，在流过大的电流时，没有考虑在构成在样品台的内部的供电路径上配置的电缆的连接器等的路径的两个部件的连接部分产生大的发热而有可能损伤上述连接部分或对周围的部件造成不良影响的方面。
此外，在专利文献2中，由于聚焦环面向等离子体，因此，来自相对于聚焦环的供电线路的高频电力的电流有可能因与等离子体接触而流入等离子体，此时，会产生与专利文献1同样的问题。在上述专利文献2的技术中没有考虑，在样品台的内部的供电路径上的连接部分，发热变大，供电路径损伤而损害装置的可靠性这一方面，在样品台的上表面或者其上载置的晶圆的上表面产生由发热的影响而导致的温度的不均匀的结果，处理后的形状与期望的形状大幅度偏离这一方面。
本发明的目的在于，提供一种能够提高等离子体处理装置的可靠性，并且，提高等离子体处理中的合格率的技术。
根据本说明书的描述以及附图，本发明的所述的目的和新的特征将变得清楚。
用于解决课题的手段
简单说明在本申请所公开的实施方式中的代表性内容的概要如下。
一个实施方式中的等离子体处理装置具有：真空容器，在内部具备形成有等离子体的处理室；样品台，配置在上述处理室内的下部，具备载置有处理对象的半导体晶圆的载置面；和电场形成部，使用供给到上述处理室内的气体形成等离子体形成用的电场。进而，具有：第一电极，构成上述样品台，在形成有上述等离子体的期间从第一高频电源供给第一高频电力；环状部件，配置在上述样品台的上述载置面的外周部且覆盖上述样品台的表面，该环状部件由电介质构成；和第二电极，配置在上述环状部件的内部，供给来自第二高频电源的第二高频电力。进而，具备：膜状的静电吸附用电极，构成上述样品台的上述载置面，并向内部供给静电所引起的半导体晶圆吸附用的直流电力；和供电连接器，构成向上述第二电极供给上述第二高频电力的路径。而且，上述供电连接器具备导电部件，该导电部件配置在绝缘性的圆筒形部件的内部，并且与上述绝缘性的圆筒形部件的上下端的端子连接且具有沿上下方向施力而伸缩的弹性，其中上述绝缘性的圆筒形部件配置在贯通由上述样品台的上述环状部件覆盖的部分的内部的贯通孔内。
此外，一个实施方式中的等离子体处理方法具有：(a)在设置于进行等离子体处理的真空容器内的样品台载置半导体晶圆的工序，和(b)在上述样品台上载置的上述半导体晶圆上形成等离子体，在形成上述等离子体的期间，从第一高频电源向上述样品台供给第一高频电力并对上述半导体晶圆进行等离子体处理的工序。进而，在上述等离子体处理中，从第二高频电源经由设置于上述样品台的供电连接器向配置于上述样品台的外周部的上部的电极供给第二高频电力。进而，经由上述供电连接器供给上述第二高频电力，该供电连接器具备：配置在贯通由上述样品台的环状部件覆盖的部分的内部的贯通孔内的绝缘体制的圆筒形部件；和配置在所述圆筒形部件的内部，并且，与该上下端的端子连接且具有沿上下方向施力而伸缩的弹性的导电部件。
发明效果
简单说明通过本申请所公开的发明中的代表性技术方案而得到的效果如下。
能够提高等离子体处理装置的可靠性，提高等离子体处理中的合格率。
附图说明
图1是示意性地表示本发明的实施方式所涉及的等离子体处理装置的结构的概况的剖视图。
图2是将图1所示的等离子体处理装置的样品台的基座环的部分的结构放大而示意性地表示的剖视图。
图3是将图2所示的板簧的结构放大而示意性地表示的立体图。
图4是示意性地表示帕邢定律的图表。
图5是将图2所示的样品台的基座环的其他部分的结构放大而示意性地表示的剖视图。
图6是将本发明的实施方式的变形例1所涉及的等离子体处理装置的样品台的基座环的部分的结构放大而示意性地表示的剖视图。
图7是将本发明的实施方式的变形例2所涉及的等离子体处理装置的样品台的基座环的部分的结构放大而示意性地表示的剖视图。
图8是将图7所示的曲面板簧的结构放大而示意性地表示的立体图。
图9是将本发明的实施方式的变形例3所涉及的等离子体处理装置的样品台的基座环的部分的结构放大而示意性地表示的剖视图。
符号说明
100：等离子体蚀刻装置(等离子体处理装置)，101：真空容器，102：喷淋板，102a：气体导入孔，103：电介质窗，104：处理室，105：导波管，106：电场产生用电源，107：磁场产生线圈，108：电极基材，109：半导体晶圆，110：真空排气口，111：导电体膜(静电吸附用电极)，112：接地，113：基座环(环状部件)，116：等离子体，120：晶圆载置用电极(样品台、第一电极)，120a：载置面，120b：上表面，120c：贯通孔，120d：凹部，124：高频电源(第一高频电源)，125：高频滤波器，126：直流电源，127：高频电源(第二高频电源)，128、129：匹配器，130：负载阻抗可变箱，131：导体环(第二电极)，131a：贯通孔，132：导电性螺钉，133：供电凸台，134：O型环，135：板簧(弹簧部件、导电部件)，136：绝缘性螺钉，137：插入件，138：上部基座，138a：抵接面，139：绝缘环，139a、139b：贯通孔，140：电介质膜，141：空间，142：曲面板簧，143：上部端子(上端的端子)，144：绝缘凸台(圆筒形部件)，145：下部端子(下端的端子)，146：密封部件，147：电极基底，148：中继端子，149：引导部，150：空间，151：绝缘板，152：接地板，153：冷媒流路，154：螺旋弹簧(弹簧部件、导电部件)，155：绞线(导电部件)，160：电场/磁场形成部，161：供电连接器，701、702、703：箭头。
具体实施方式
使用附图，说明本发明的实施方式。
以下，使用图1～图5，说明本发明的实施方式。图1是示意性地表示本发明的实施方式所涉及的等离子体处理装置的结构的概况的剖视图。特别是，图1表示使用微波的电场作为用于形成等离子体的电场，产生上述微波的电场和磁场的ECR(Electron CyclotronResonance：电子回旋共振)而形成等离子体，使用上述等离子体对半导体晶圆等的基板状的样品进行蚀刻处理的等离子体蚀刻装置。
对图1所示的等离子体蚀刻装置(等离子体处理装置)100进行说明。等离子体蚀刻装置100具有在内部具备形成有等离子体的处理室104的真空容器101。真空容器101具有圆筒形状的上部开放，在其上部配置有用于导入微波的电介质窗103(例如，石英制)作为盖部件，形成有内部和外部被气密地划分的处理室104。
此外，在真空容器101的下部配置有真空排气口110，与配置并连接于真空容器101的下方的真空排气装置(省略图示)连通。进而，在构成真空容器101的上部的盖部件的电介质窗103的下表面的下方设置有构成处理室104的顶面的喷淋板102。喷淋板102具有配置在中央部的多个气体导入孔102a，通过该多个气体导入孔102a将蚀刻处理用的气体导入处理室104。喷淋板102例如是石英等电介质制的圆板。
此外，在真空容器101的外侧的上方的部位配置有用于生成等离子体116的电场以及形成磁场的电场/磁场形成部160。电场/磁场形成部160包括以下的结构而设置于等离子体蚀刻装置100。即，在电场/磁场形成部160配置有导波管105，该导波管105配置在电介质窗103的上方，并且，为了将用于生成等离子体116的规定频率的高频电场供给到处理室104内，而电场在内部被传送。进而，在导波管105的内部被传送的电场在电场产生用电源106中振荡而形成。上述电场的频率没有特别限定，在本实施方式中使用2.45GHz的微波。
此外，在处理室104的电介质窗103的上方以及构成处理室104的圆筒形状部的真空容器101的侧壁以及导波管105的下端部的外周侧，分别以包围他们的状态配置有形成磁场的磁场产生线圈107。而且，从电场产生用电源106振荡出的微波的电场在导波管105的内部传播，透过电介质窗103以及喷淋板102从上方供给到处理室104。进而，通过与磁场产生线圈107产生并供给到处理室104内的磁场的相互作用，产生ECR(Electron CyclotronResonance：电子回旋共振)。然后，通过使经由喷淋板102的气体导入孔102a导入到处理室104内的处理用气体的原子或者分子激励、解离，在处理室104内生成高密度的等离子体116。
此外，在处理室104的下部且形成有等离子体116的空间的下方，设置有构成样品台的晶圆载置用电极(第一电极)120。另外，晶圆载置用电极120具备载置作为样品(处理对象)的半导体晶圆(以下，也简称为晶圆)109的载置面120a。而且，晶圆载置用电极120被配置成其载置面120a与喷淋板102或者电介质窗103对置。如图2所示，晶圆载置用电极120的上表面120b被构成载置面120a的电介质膜140覆盖。在电介质膜140的内部，配置有经由图1所示的高频滤波器125与直流电源126连接的静电吸附用的多个导电体膜(静电吸附用电极)111。在此，导电体膜111构成样品台的载置面120a，是向内部供给基于静电的半导体晶圆吸附用的直流电力的膜状的静电吸附用电极。此时，导电体膜111可以是被赋予多个膜状的电极中的一方和另一方不同的极性的双极，或者也可以是被赋予相同极性的单极，但在本实施方式中作为单极表示。
此外，在比高频滤波器125靠近静电吸附用电极(导电体膜111)的部位配置有高频电源(第一高频电源)124和匹配器129，这些高频电源124、匹配器129与配置在晶圆载置用电极120的内部的导电体制的具有圆形或圆筒形状的电极基材108连接。另外，高频电源124与接地112连接。而且，向电极基材108供给来自高频电源124的规定频率的高频电力(第一高频电力)，在晶圆109的处理中，在吸附保持在晶圆载置用电极120的上表面上的晶圆109的上方形成偏置电位。换言之，上述样品台具有在形成有等离子体116的期间从高频电源124供给高频电力(第一高频电力)的晶圆载置用电极(第一电极)120。
另外，在该电极基材108上设置有贯通孔，该贯通孔内置有将温度传感器(省略图示)、晶圆109保持在前端上并使其在载置面120a的上方抬起或者下降的多个升降销。进而，配置有检测上述升降销的位置的上下传感器(省略图示)等。因此，当晶圆载置用电极120的这种检知器(传感器)处于电噪声的环境下时，有可能误动作。进而，在冷媒流炉内流通而循环的冷媒也有可能在电噪声的环境下被带静电。
因此，也可以将电极基材108与未图示的接地电极连接而成为接地电位，并且，在电极基材108的表面的电介质膜140中配置其他的导电体制的膜状的电极，将该膜状的电极经由匹配电路129与高频电源124连接而供给高频电力，由此，在晶圆109的处理中在其上表面的上方形成偏置电位。此外，在电极基材108的内部，为了除去所传递的热而冷却晶圆载置用电极120，在电极基材108或者晶圆载置用电极120的上下方向的中心轴周围以螺旋状或者同心状重叠地配置有冷媒流路153。在该冷媒流路153中流动冷却电极基材108的冷却用的冷媒。
进而，在晶圆载置用电极120的上部的外周侧，在载置面120a的外周侧配置有包围该上部而配置的凹部120d。在该凹部120d的比样品台的载置面120a高度低地形成的环状的上表面被配置成载置有石英或氧化铝等陶瓷这样的电介质制的环状部件即基座环113。在基座环113的上表面被载置于凹部120d的状态下，基座环113的上表面具有比晶圆载置用电极120的载置面120a高的尺寸。另外，基座环113配置在晶圆载置用电极(样品台)120的载置面120a的外周部，并且，覆盖晶圆载置用电极120的表面。具体地说，基座环113被构成为覆盖凹部120d的上表面以及凹部120d的圆筒形的侧壁面以及凹部120d的下方的晶圆载置用电极(样品台)120的圆筒形的侧壁面。
在这样的等离子体蚀刻装置100中，在减压至与真空容器101的侧壁连结的其他真空容器即真空搬运容器的内部的处理室104相同的压力为止的真空搬送室内，处理前的晶圆109被载置于配置于真空搬运室内的晶圆搬运用机器人的臂前端上。而且，将作为真空搬运室与处理室104之间连通的通路的闸门(ゲ一ト)通过配置于真空搬运室内的阀的动作而开放，上述处理前的晶圆109在载置于上述机器人的臂前端上的状态下被搬运到处理室104内。进而，搬运到处理室104内的晶圆载置用电极120的载置面120a的上方的晶圆109通过升降销的上下移动而被交接到上述升降销上，进而载置在载置面上后，通过由从直流电源126施加的直流电力形成的静电力而被吸附并保持在晶圆载置用电极120的载置面120a。
在该状态下，蚀刻处理用的气体通过质量流量控制器(省略图示)调节其流量或者速度而导入到电介质窗103与石英制的喷淋板102之间的间隙的空间，在该空间内扩散后，通过喷淋板102的气体导入孔102a导入到处理室104。然后，通过真空排气装置的动作，通过真空排气口110对处理室104内的气体、粒子进行排气。根据来自喷淋板102的气体导入孔102a的气体的供给量与来自真空排气口110的排气量的平衡，将处理室104内调整为适于晶圆109的处理的范围内的规定的值。
此外，在吸附保持晶圆109的期间，从电介质膜140的上表面的未图示的开口向晶圆109与作为晶圆载置用电极120的载置面120a的电介质膜140的上表面之间的间隙供给He(氦)等具有导热性的气体，由此，促进晶圆109与晶圆载置用电极120之间的热传递。另外，调节为规定范围内的温度的冷媒在配置于晶圆载置用电极120的电极基材108内的冷媒流路153内流通并循环，由此，在载置晶圆109之前预先调节晶圆载置用电极120或者电极基材108的温度。因此，通过在热容量大的晶圆载置用电极120或者电极基材108之间进行热传递，在处理前将晶圆109的温度调节为接近这些温度，在处理开始后也传递来自晶圆109的热，调节晶圆109的温度。
在该状态下，微波的电场和磁场被供给到处理室104内，使用气体生成等离子体116。当形成等离子体116时，从高频电源124向电极基材108供给高频(RF)偏置电力，在晶圆109的上表面的上方形成偏置电位，根据与等离子体116的电位之间的电位差，等离子体116内的离子等带电粒子被诱导到晶圆109的上表面。进而，上述带电粒子与预先配置于晶圆109的上表面的包括掩模以及处理对象的膜层在内的膜构造的上述处理对象的膜层表面碰撞而进行蚀刻处理。在蚀刻处理中，导入到处理室104内的处理用的气体、处理中产生的反应生成物的粒子从真空排气口110排出。
而且，在本实施方式的等离子体蚀刻装置100中，在等离子体处理中，从高频电源(第二高频电源)127经由具备设置于上述样品台，且具有弹性的导电部件的后述的供电连接器161向配置于上述样品台的外周部的上部的导体环(第二电极)131供给第二高频电力。
在本实施方式的晶圆载置用电极120中，从高频电源(第二高频电源)127产生的交流高电压经由负载的匹配器128和负载阻抗可变箱130被导入配置在基座环113内的导电体制的导体环(第二电极)131。根据该结构，通过调节为适当的阻抗的值的负载阻抗可变箱130和配置在基座环113的上部的相对高的阻抗部分的组合，相对地减低从高频电源127通过电极基材108到晶圆109的外周缘部的相对于高频电力的阻抗值。由此，能够有效地向晶圆109的外周侧部分以及外周缘部供给高频电力，缓和外周侧部分或者外周缘部的电场的集中，从而能够在期望的方向将等离子体中的离子等带电粒子诱导到晶圆109上表面。高频电源127与接地112连接。另外，本实施方式中的高频电源127的频率优选被设定为与高频电源124相同或常数倍的值。
接下来，使用图2，对本实施方式的基座环113内的向导体环131的供电线路的结构进行详细说明。图2是将图1所示的等离子体处理装置的样品台的基座环的部分的结构放大而示意性地表示的剖视图，图3是将图2所示的板簧的结构放大而示意性地表示的立体图。
图2所示的导体环131是由金属等构成的导电体，只要是由在其表面形成具有绝缘性的皮膜的导电体构成的部件即可。本实施方式的导体环131作为母材对铝制的部件的表面实施了利用阳极氧化处理的防蚀铝的包覆来进行说明。
上述导体环(第二电极)131配置在基座环113的内部，进而从高频电源127供给第二高频电力。
此外，作为用于向上述导体环131供电偏置形成用的高频电力的供电路径，配置在导体环131的下方，且配置有与其下表面连接的导电体制的供电连接器161。而且，供电连接器161和导体环131通过从导体环131的上方嵌入到形成于导体环131的孔部的导电性螺钉132而被紧固且被电连接。供电连接器161具备由金属等导电体制的部件构成的具有圆筒形状的导电体制的供电凸台133、和与供电凸台133的下表面抵接并电连接的圆筒形的上部端子(上端的端子)143。进而，供电连接器161具备：上端与上部端子143的下表面连接的板簧(弹簧部件、导电部件)135；板簧135的下端与其上表面连接的圆筒形的下部端子(下端的端子)145；和通过螺钉或者螺栓紧固且连接于下部端子145的下表面的导电体制的中继端子148。板簧135是如图3所示的结构，在上下方向P上具有弹性。中继端子148配置在引导部149内。如上所述，供电连接器161是构成向导体环131供给第二高频电力的路径的连接器部件。
此外，晶圆载置用电极120具有构成其上部的电极基材108。该电极基材108具有圆筒或者圆板形，且具备冷媒在内侧流通的冷媒流路153。而且，晶圆载置用电极120由以下部分构成，即电极基材108、在电极基材108的下表面的下方与电极基材108连接地配置的圆板状的绝缘板151、和在绝缘板151的下表面的下方与绝缘板151抵接地配置的圆板状的导电体制的部件且被设为接地电位的接地板152。进而，晶圆载置用电极120通过未图示的螺栓等将电极基材108、绝缘板151和接地板152紧固而一体地连结。
此外，接地板152的外周端的下表面通过载置在上端面上的具有圆筒形状的电极基底147和未图示的螺栓，在这些之间夹着O型环等密封部件146而被紧固。详细而言，被封闭并紧固为使得接地板152的下方以及电极基底147的中央侧的空间150与晶圆载置用电极120的外部的处理室104成为气密。
在本实施方式中，供电连接器161嵌入地配置在贯通电极基材108和其下方的绝缘板151以及接地板152的贯通孔120c、和形成于绝缘体制或者电介质制的环状的绝缘环139的贯通孔139a的内部。贯通孔120c是在电极基材108的上部载置有晶圆109的中央部的圆筒形的凸部的外周侧以环状配置的凹部120d的上表面开口的孔。此外，贯通孔139a是在构成载置于凹部120d的基座环113的绝缘体制或者电介质制的环状的绝缘环139形成的孔。
而且，在贯通电极基材108和其下方的绝缘板151以及接地板152的贯通孔120c的内侧，使由绝缘性的材料构成的圆筒形的绝缘凸台(圆筒形部件)144的外周的壁面与贯通孔120c的周壁面抵接而嵌入绝缘凸台144。此外，在绝缘凸台144的内侧的空间141中插入并收纳有供电凸台133以及其下方的上部端子143、板簧135、下部端子145，在绝缘凸台144的外侧的电极基材108与接地板152之间绝缘。进而，在供电凸台133的外周的侧壁与绝缘凸台144的内周侧壁之间被它们夹着地配置有O型环134，该O型环134用于密封供电凸台133的下方的空间141与上方的空间之间。
另外，在本实施方式中，作为密封部的O型环134将绝缘凸台144或者贯通孔120c的上方的与处理室104连通的空间之间气密地封闭。由此，能够可靠地确保与空间150连通而维持为相同的大气压或者视为与该大气压程度近似的压力的空间141内接触的上部端子143、金属制的板簧135、下部端子145、中继端子148之间的电连接。进而，能够抑制处理室104内的反应性高的粒子进入这些上部端子143、金属制的板簧135、下部端子145、中继端子148彼此接触的部位并腐蚀，或者生成反应物，或者抑制由部件的变质引起的电连接的性能的劣化。
此外，促进冷却，以使能够促进来自被供给高频电力而被加热的导体环131的热的传递，并能够抑制由基座环113的温度的上升引起的晶圆109的外周部的处理结果从所期望的温度到允许范围外的情况。即，在本实施方式的供电连接器161中，作为导电体制的端子彼此之间的供电路径，使用长度方向的尺寸根据受到的外力而伸缩的板簧135。换句话说，设置于本实施方式的等离子体蚀刻装置100的供电连接器161具备板簧135，该板簧135被配置于绝缘体制的绝缘凸台144的内部，并且，与上部端子143以及下部端子145连接且具有沿上下方向施力而伸缩的弹性，该绝缘体制的绝缘凸台144配置在贯通由样品台(晶圆载置用电极120)的基座环113覆盖的部分的内部的贯通孔120c内。上下方向是图2的箭头P的方向。
进而，在等离子体蚀刻装置100中，板簧135、上部端子143以及下部端子145配置在成为大气压的空间141内。而且，利用O型环134等的密封部件，在大气压的空间141与处理室104内之间的位置且上部端子143的上方的贯通孔120c的内部的部位被气密地封闭。
在此，对本申请发明人研究的本申请的课题进行说明。
例如，在本发明人进行了比较研究的等离子体处理装置中，在晶圆109的处理中受到来自形成在处理室104内的等离子体116的热、晶圆109的表面的处理所涉及的相互作用而产生的热，晶圆载置用电极120被加热。此时，由于作为导电体制的部件的电极基材108以及接地板152与由与其连接的绝缘性材料或电介质材料构成的绝缘板151之间的热膨胀系数的差而在形状上产生差异，其结果是，在一体被连接的这些部件之间产生变形。于是，贯通电极基材108、绝缘板151、接地板152的贯通孔的长度等尺寸发生变化，载置于电极基材108上的导体环131与配置于晶圆载置用电极120的内部的空间150内的供电路径的端子部之间的距离发生变动。而且，对连接这些部件的供电连接器作用有欲使该供电连接器变形的外力。
在上述技术中，即使在上述外力超过了供电连接器的结构的强度时供电连接器破损，或者产生的变形的大小在供电连接器能够变形的范围内，在制造连续地处理多张晶圆109的等离子体蚀刻装置的半导体设备的工序中，在晶圆载置用电极120在每次处理的加热以及冷却和伴随于此的膨胀所引起的变形反复发生。由此，在供电连接器的内部或其与其他部件的接触部分产生伴随变形的滑动，产生由磨损、相互作用引起的反应物的形成、破损。其结果是，产生上述等离子体处理装置的长期的可靠性受损的课题。
因此，在本实施方式的等离子体蚀刻装置100中，在绝缘凸台144的内部的空间141中，供电凸台133的下方的上部端子143、下部端子145之间的板簧135相对于上部端子143、下部端子145沿图2的箭头P的方向(上下方向)被施力而被夹着地配置。由此，板簧135变形，以使相对于伴随着与因上述变形而引起的贯通孔120c的形状的变化、特别是贯通孔120c内的上下方向的供电路径的长度的变化而由螺栓连接的上部端子143、下部端子145的位置的变动，通过具有弹性的板簧135在上下方向上的伸长或者收缩来追随连接部位。而且，由于这些连接部位配置在成为大气压的空间141内，因此，能够维持板簧135的热传递的性能较高，能够抑制导体环131的温度过度上升。
进而，在本实施方式的等离子体蚀刻装置100中，具备如下结构，在经由供电连接器161向导体环131的高频电力的供电路径，特别是在晶圆载置用电极120的内部，适当地配置部件彼此之间的间隙，确保较大的高频电流流动的距离而提高耐电压。
在此，图4是示意性地表示帕邢定律的图表。如图4所示，在横轴取两个部件之间的电位差(电压)与部件彼此的最短距离之积的情况下，表示开始放电的电压的实线Q表示为向下凸的曲线。在部件彼此的距离属于非常接近的图表的曲线的左侧的区域的条件下，通过尽量减小上述最短距离，能够提高耐电压。另一方面，如本实施方式那样，在配置于电极基材108的内部的贯通孔120c内配置构成供电路径的供电连接器161，在与电极基材108完全电分离的情况下，成为图4的曲线右侧的区域的条件，通过使在产生电位差的部件彼此之间传递电流的距离更大，能够提高耐电压。
换句话说，为了提高耐电压，如箭头701所示，需要提高作为在横轴取得的参数即压力×距离，即距离或者压力。例如，通过使部件彼此之间的间隙为大气压，如箭头702所示，能够增大耐电压而有效地抑制放电。此外，通过设为能够得到规格上所需的值以上的耐电压的压力，也能够在得到必要的耐电压的范围内减小部件彼此的间隙的大小(箭头703)。
进而，设为大气压的空间141的内部的供电凸台133、板簧135、上部端子143、下部端子145等能够促进与经由大气压的气体的电极基材108之间的热传递，抑制供电连接器161或导体环131、基座环113的过度的温度的上升。
此外，如图2所示，板簧135具有在上下方向P伸缩时也不与绝缘凸台144的内壁接触的尺寸。进而，为了能够降低高频电流通过时的表皮电阻，使高频电流通过的面积更宽，具备将规定宽度的金属制的板材在长度方向(在此为上下方向P)交替地弯折成波纹状的结构。
而且，本实施方式的板簧135例如使用奥氏体系的SUS304-CSP作为材料，为了降低高频电流的表皮电阻而对板材的表面实施镀金。也可以使用能够维持弹性的一般的不锈钢、钛、铝或铜。
此外，通过使板簧135的厚度为相对于规定频率的高频电流的表皮深度×2的大小，能够使传递电流的效率最大。在此，在使用400kHz作为高频电力的频率的本实施方式中，用金计算表皮深度的结果为0.1mm。因此，最优选以板厚为0.1mm×2＝0.2mm来制作。考虑到制作上的公差、精度的极限，优选为0.1～1.0mm(0.1～1.0mm)程度。
此外，本实施方式的电介质制的基座环113由多个部件构成，能够分割成至少两个。即，基座环113被分割为：覆盖导体环131的上表面和内周且外周的壁面，在电极基材108的凸部的外周侧的凹部120d上覆盖该凹部120d而配置的上部基座138；和配置在上部基座138的内周侧部分的下方，并且导体环131载置在其上的绝缘环139。导体环131在载置于绝缘环139的上表面的上方的状态下被上部基座138覆盖上方和侧方的结果，内置于基座环113的内侧。
另外，基座环113也可以是不分割成多个部件而一体地连接的部件，而且，也可以在该一体型的基座环113的内部配置导体环131。例如，也可以在利用两个石英制的部件夹着导体环131的状态下使用石英彼此的扩散接合、一体烧结。
接下来，图5是将图2所示的样品台的基座环的其他部分的结构放大而示意性地表示的剖视图。
在图5所示的结构中，为了将绝缘环139载置在电极基材108的上部的外周侧部分的凹部120d来固定位置，绝缘环139通过插入到配置在载置有导体环131的部位的外周侧的贯通孔139b的绝缘性螺钉136而紧固于电极基材108。
进而，为了将载置在绝缘环139上的导体环131紧固在绝缘环139而固定位置，将具有内螺纹部的插入件(へリサ一ト)137插入到在绝缘环139的环状的上表面的多个部位配置的孔的内侧，由此，接合地固定在绝缘环139上。将以覆盖多个插入件137的方式载置的导体环131的贯通孔131a和插入件137的位置合在一起，将导电性螺钉132插入贯通孔131a而对绝缘环139进行紧固。
本实施方式的插入件137在绝缘环139的周向上配置在三处以上的部位，在三个以上的部位将平面度不好的导体环131紧固。由此，绝缘环139以及上部基座138包围导体环131的上下以及外周的周围而配置。通过在多个插入件137的部位与绝缘环139连结，能够提高导体环131的上表面在其周向上的平面度，抑制对处理中的晶圆109的上方的空间内的电位的分布带来影响的导体环131的上表面的高度的偏差。其结果是，能够使晶圆109的外周侧部分的上表面的处理特性、结果在周向上接近均匀。
此外，在上部基座138的内周侧部分的底面，在上部基座138内置有导体环131并载置于绝缘环139上的状态下，与绝缘环139的上表面的内周侧部分接触而抵接的抵接面138a在导体环131的内周侧的位置形成为环状。为了降低导体环131的表面与等离子体116的反应性高的粒子的相互作用，形成上部基座138和绝缘环139的抵接面138a，由此，能够抑制来自晶圆109的外周缘部、等离子体116的内部的反应性生物附着于导体环131的表面。
根据以上实施方式，通过在与导体环131相连的高频电力的供电路径设置供电连接器161，能够减低向配置于基座环113的内部且对供给高频电力的导体环131的高频电力的供电路径的阻抗，进而能够高效地冷却供电路径、特别是电极基材108的内部的供电连接器161。进而，能够减少因供电连接器161中的发热而引起的变形、滑动、以及由此引起的故障、消耗的进行，能够将等离子体蚀刻装置100的可靠性和合格率长期地维持为较高。
此外，通过设置板簧135作为供电连接器161的结构部件，能够扩大向晶圆109的周围施加高频的供电路径的散热面积，能够降低上述供电路径的阻抗。进而，能够使高频高效地向晶圆109的边缘传播，并抑制上述供电路径的发热。由此，能够提高等离子体处理装置的可靠性，并且能够提高等离子体处理中的合格率。
(变形例1)
使用图6，对本实施方式的变形例1进行说明。图6是将本发明的实施方式的变形例1所涉及的等离子体处理装置的样品台的基座环的部分的结构放大而示意性地表示的剖视图。
本变形例1的等离子体蚀刻装置100代替图2的结构的供电连接器161的板簧135而具备由金属等导电性部件构成且绕上下方向P的轴卷绕成多段而具有弹性的螺旋弹簧(弹簧部件、导电部件)154。关于螺旋弹簧154以外的其他结构，具备与图2的等离子体蚀刻装置100相同的结构。螺旋弹簧154的材料例如使用奥氏体系的SUS304-CSP，为了降低对于高频电力的表皮电阻，对螺旋弹簧154的表面实施镀金。作为材料，也可以是一般的不锈钢、钛、铝或铜。
在图6的等离子体蚀刻装置100中，由于使用400kHz作为高频电力的频率，因此，相对于该频率的采用金的表皮深度为0.1mm。由此，优选由具有0.1mm×2＝0.2mm以上的直径的线状的部件构成螺旋弹簧154。如果考虑制造上的公差、精度，则优选使用0.2～3.0mm的线径的部件。
(变形例2)
使用图7以及图8，对上述变形例1的其他的变形例(变形例2)进行说明。图7是将本发明的实施方式的变形例2所涉及的等离子体处理装置的样品台的基座环的部分结构放大而示意性地表示的剖视图，图8是将图7所示的曲面板簧的结构放大而示意性地表示的立体图。
本变形例2的等离子体蚀刻装置100代替图2的结构的供电连接器161的板簧135，具备由金属等导电性部件构成的板部件在图8所示的左右方向R具有凹凸的曲面板簧142。关于曲面板簧142以外的其他结构，具备与图2的等离子体蚀刻装置100相同的结构。曲面板簧142的材料例如使用奥氏体系的SUS304-CSP，为了降低对高频电力的表皮电阻，对曲面板簧142的表面实施镀金。作为材料，也可以是一般的不锈钢、钛、铝或铜。
在图7的等离子体蚀刻装置100中，曲面板簧142的厚度为表皮深度×2最有效。在本变形例2中，由于高频电力的频率使用400kHz，因此，相对于该频率的采用金的表皮深度为0.1mm。因此，曲面板簧142的厚度优选为0.1mm×2＝0.2mm以上。如果考虑制造上的公差、精度，则曲面板簧142的板厚度优选为0.1～1.0mm程度。
(变形例3)
使用图9，说明上述实施例的又一变形例(变形例3)。图9是将本发明的实施方式的变形例3所涉及的等离子体处理装置的样品台的基座环的部分的结构放大而示意性地表示的剖视图。
本变形例3的等离子体蚀刻装置100代替图2的结构的供电连接器161的板簧135，具备将多根金属等导电性部件的导线(例如，供电用线路)绞合而形成的绞线(导电部件)155。对于绞线155以外的其他结构，具备与图2的等离子体蚀刻装置100相同的结构。在本变形例3中，作为绞线155的材料，例如使用奥氏体系的SUS304-CSP，为了降低对于高频电力的表皮电阻，对各个导线的表面实施镀锡。作为材料，也可以是一般的不锈钢、钛、铝或铜。
在图9的等离子体蚀刻装置100中，绞线155的进行了集合所得到的线的直径为表皮深度×2最有效。在本变形例3中，由于高频电力的频率使用400kHz，因此，相对于该频率的采用锡的表皮深度为0.3mm。因此，绞线155的集合直径优选为0.3mm×2＝0.6mm以上。如果考虑制造上的公差、精度，则绞线155的集合直径优选为0.6～10mm程度。另外，绞线155的集合直径表示进行了集合所得到的绞线155的直径最大的部位的直径。
接下来，在上述实施方式或者变形例1～3中，在处理前预先将配置于晶圆109的上表面的膜构造中包括的处理对象的膜层的被蚀刻材料设为硅氧化膜，在该情况下，作为蚀刻用的处理气体以及清洗用的清洁气体，使用四氟化甲烷气体、氧气、三氟甲烷气体。此外，作为上述被蚀刻材料，不仅能采用硅氧化膜，还可以采用多晶硅膜、光致抗蚀剂膜、防反射有机膜、防反射无机膜、有机系材料、无机系材料、硅氧化膜、氮化硅氧化膜、氮化硅膜、Low-k材料、High-k材料、无定形碳膜、Si基板、金属材料等，在这些情况下也能够得到同等的效果。
此外，作为蚀刻用的处理气体，可以使用氯气、溴化氢气体、四氟化甲烷气体、三氟化甲烷气体、二氟化甲烷气体、氩气、氦气、氧气、氮气、二氧化碳气体、一氧化碳气体、氢气等。进而，作为蚀刻用的处理气体，可以使用氨气、八氟化丙烷气体、三氟化氮气体，六氟化硫气体、甲烷气体、四氟化硅气体、四氯化硅气体、氖气、氪气、氙气、氡气等。
以上，基于实施方式，对由本发明人完成的发明具体地进行了说明，但本发明并不限于上述实施方式，包括各种变形例。例如，上述的实施方式是为了容易理解地说明本发明而对本发明详细地进行了说明，并不限定于必须具备所说明的全部结构。
此外，能够将某实施方式的结构的一部分置换为其他实施方式的结构，此外，也能够在某实施方式的结构中添加其他实施方式的结构。此外，对于各实施方式的结构的一部分，能够进行其他结构的追加、削除、置换。另外，附图中记载的各部件、相对的尺寸为了容易理解地说明本发明而进行简化/理想化，在安装上成为更复杂的形状。
在上述实施方式中，说明了向处理室104内供给频率为2.45GHz的微波的电场和能够与之一并形成ECR的磁场，使处理用气体放电而形成等离子体的结构。然而，在上述实施方式中说明的结构，即使在使用其他放电(有磁场UHF放电、电容耦合型放电、感应耦合型放电、磁控管放电、表面波激励放电、转移耦合式放电(トランスファ一·力ツプルド放電))来形成等离子体的情况下，也能够起到与上述实施方式等中说明的结构相同的作用/效果。此外，在进行等离子体处理的其他等离子体处理装置，例如等离子体CVD装置、灰化装置、表面改性装置等配置的晶圆载置用电极应用上述实施方式以及变形例1～3的情况下，也能够起到同样的作用效果。

Claims (10)

1.一种等离子体处理装置，具有：
真空容器，在内部具备形成有等离子体的处理室；
样品台，配置于所述处理室内的下部，具备载置有处理对象的半导体晶圆的载置面；
电场形成部，使用供给到所述处理室内的气体而形成等离子体形成用的电场；
第一电极，构成所述样品台，在形成有所述等离子体的期间从第一高频电源供给第一高频电力；
环状部件，配置在所述样品台的所述载置面的外周部且覆盖所述样品台的表面，该环状部件由电介质构成；
第二电极，配置在所述环状部件的内部，供给来自第二高频电源的第二高频电力；
膜状的静电吸附用电极，构成所述样品台的所述载置面，并向内部供给静电所引起的半导体晶圆吸附用的直流电力；和
供电连接器，构成向所述第二电极供给所述第二高频电力的路径，
所述供电连接器具备导电部件，该导电部件配置在绝缘性的圆筒形部件的内部，并且与所述绝缘性的圆筒形部件的上下端的端子连接且具有沿上下方向施力而伸缩的弹性，其中所述绝缘性的圆筒形部件配置在贯通由所述样品台的所述环状部件覆盖的部分的内部的贯通孔内。
2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，
所述导电部件以及所述上下端的端子配置于设为大气压的空间内，并且在所述大气压的空间与所述处理室内之间的位置且所述上端的端子的上方的所述贯通孔的内部的部位被气密地封闭。
3.根据权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其中，
所述导电部件是弹簧部件。
4.根据权利要求3所述的等离子体处理装置，其中，
所述弹簧部件由板簧构成。
5.根据权利要求4所述的等离子体处理装置，其中，
所述板簧的厚度为0.1～1.0mm。
6.根据权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其中，
所述导电部件是弹簧部件，
所述弹簧部件由螺旋弹簧构成。
7.根据权利要求6所述的等离子体处理装置，其中，
所述螺旋弹簧的线径为0.2～3.0mm。
8.根据权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其中，
所述导电部件由绞合多个供电用线路的绞线构成。
9.根据权利要求8所述的等离子体处理装置，其中，
所述绞线的集合直径为0.6～10mm。
10.一种等离子体处理方法，具有以下工序：
(a)在设置于进行等离子体处理的真空容器内的样品台载置半导体晶圆；和
(b)在所述工序(a)后，在所述样品台上载置的所述半导体晶圆上形成等离子体，在形成所述等离子体期间，从第一高频电源向所述样品台供给第一高频电力并对所述半导体晶圆进行等离子体处理，
在所述等离子体处理中，从第二高频电源经由设置于所述样品台的供电连接器向配置于所述样品台的外周部的上部的电极供给第二高频电力，
在供给所述第二高频电力时，经由所述供电连接器进行供给，所述供电连接器具备：配置在贯通由所述样品台的环状部件覆盖的部分的内部的贯通孔内的绝缘性的圆筒形部件；和配置在所述圆筒形部件的内部，并且，与所述圆筒形部件的上下端的端子连接且具有沿上下方向施力而伸缩的弹性的导电部件。
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TW (1) TWI679925B (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112309818A (zh) * 2019-08-01 2021-02-02 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置和控制方法
CN113348732A (zh) * 2019-12-18 2021-09-03 株式会社日立高新技术 等离子处理装置
CN114698221A (zh) * 2022-03-03 2022-07-01 大连海事大学 一种采用旋转电极的滑动弧放电装置

Families Citing this family (180)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US10388493B2 (en) * 2011-09-16 2019-08-20 Lam Research Corporation Component of a substrate support assembly producing localized magnetic fields
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
JP6655310B2 (ja) 2015-07-09 2020-02-26 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US11127617B2 (en) 2017-11-27 2021-09-21 Asm Ip Holding B.V. Storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace
CN111344522B (zh) 2017-11-27 2022-04-12 阿斯莫Ip控股公司 包括洁净迷你环境的装置
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US11685991B2 (en) 2018-02-14 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
WO2020003000A1 (en) 2018-06-27 2020-01-02 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
JP2021529254A (ja) 2018-06-27 2021-10-28 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 金属含有材料ならびに金属含有材料を含む膜および構造体を形成するための周期的堆積方法
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10867829B2 (en) * 2018-07-17 2020-12-15 Applied Materials, Inc. Ceramic hybrid insulator plate
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
JP7145041B2 (ja) * 2018-11-08 2022-09-30 東京エレクトロン株式会社 基板支持器、プラズマ処理装置、及びフォーカスリング
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TW202037745A (zh) 2018-12-14 2020-10-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
US10784089B2 (en) * 2019-02-01 2020-09-22 Applied Materials, Inc. Temperature and bias control of edge ring
KR102638425B1 (ko) 2019-02-20 2024-02-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 내에 형성된 오목부를 충진하기 위한 방법 및 장치
JP2020136677A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
JP2020133004A (ja) 2019-02-22 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材を処理するための基材処理装置および方法
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP2021015791A (ja) 2019-07-09 2021-02-12 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN112323048B (zh) 2019-08-05 2024-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
JP7282646B2 (ja) * 2019-09-26 2023-05-29 株式会社アルバック 真空処理装置
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TW202129060A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 基板處理裝置、及基板處理方法
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
KR20210045930A (ko) 2019-10-16 2021-04-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
CN110634727B (zh) * 2019-11-18 2020-02-21 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种等离子体处理装置及其调节方法
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11885013B2 (en) 2019-12-17 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming vanadium nitride layer and structure including the vanadium nitride layer
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
JP2021109175A (ja) 2020-01-06 2021-08-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
US20210220813A1 (en) * 2020-01-16 2021-07-22 Johnson Matthey Public Limited Company Pallet for supporting a catalyst monolith during coating
KR20210095050A (ko) 2020-01-20 2021-07-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
TW202146715A (zh) 2020-02-17 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
JP7454961B2 (ja) * 2020-03-05 2024-03-25 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210117157A (ko) 2020-03-12 2021-09-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
JP2021172884A (ja) 2020-04-24 2021-11-01 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化バナジウム含有層を形成する方法および窒化バナジウム含有層を含む構造体
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210132605A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202200837A (zh) 2020-05-22 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基材上形成薄膜之反應系統
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
WO2022015614A1 (en) * 2020-07-17 2022-01-20 Lam Research Corporation Method of mounting wires to substrate support ceramic
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
TW202212623A (zh) 2020-08-26 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法、半導體結構、及系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
US20230070804A1 (en) * 2021-09-02 2023-03-09 Wonik Ips Co., Ltd. Substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
KR102586679B1 (ko) * 2021-11-02 2023-10-11 피에스케이 주식회사 커넥터 어셈블리, 이를 가지는 기판 처리 장치
CN114582698B (zh) * 2022-03-02 2023-09-19 中国科学院光电技术研究所 用于大曲率非平面器件的低温等离子体刻蚀装置及方法
TWI832336B (zh) * 2022-07-18 2024-02-11 友威科技股份有限公司 具高導電電極的連續電漿製程系統

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5348497A (en) * 1992-08-14 1994-09-20 Applied Materials, Inc. High voltage vaccum feed-through electrical connector
JPH10308299A (ja) * 1997-05-09 1998-11-17 Toshiba Corp プラズマ処理装置
TW201018320A (en) * 2008-07-07 2010-05-01 Tokyo Electron Ltd In-chamber member temperature control method, in-chamber member, substrate mounting table and plasma processing apparatus including same
US20100326957A1 (en) * 2009-06-24 2010-12-30 Kenji Maeda Plasma processing apparatus and plasma processing method
US20120160807A1 (en) * 2010-12-28 2012-06-28 Spansion Llc System, method and apparatus for reducing plasma noise on power path of electrostatic chuck
US20130045604A1 (en) * 2011-08-15 2013-02-21 Kenji Maeda Plasma processing apparatus and plasma processing method
US20150155140A1 (en) * 2013-12-04 2015-06-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor device manufacturing method using the same
US20160240422A1 (en) * 2013-10-15 2016-08-18 Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. Electrostatic chuck device
US20160351404A1 (en) * 2015-05-28 2016-12-01 Hitachi High-Technologies Corporation Plasma processing apparatus and plasma processing method

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5929373A (en) * 1997-06-23 1999-07-27 Applied Materials, Inc. High voltage feed through
JP2010021260A (ja) * 2008-07-09 2010-01-28 Sumitomo Electric Ind Ltd 極低温機器用の電流リードおよび端末接続構造
JP5936361B2 (ja) * 2012-01-12 2016-06-22 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
JP6442296B2 (ja) * 2014-06-24 2018-12-19 東京エレクトロン株式会社 載置台及びプラズマ処理装置

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5348497A (en) * 1992-08-14 1994-09-20 Applied Materials, Inc. High voltage vaccum feed-through electrical connector
JPH10308299A (ja) * 1997-05-09 1998-11-17 Toshiba Corp プラズマ処理装置
TW201018320A (en) * 2008-07-07 2010-05-01 Tokyo Electron Ltd In-chamber member temperature control method, in-chamber member, substrate mounting table and plasma processing apparatus including same
US20100326957A1 (en) * 2009-06-24 2010-12-30 Kenji Maeda Plasma processing apparatus and plasma processing method
US20120160807A1 (en) * 2010-12-28 2012-06-28 Spansion Llc System, method and apparatus for reducing plasma noise on power path of electrostatic chuck
US20130045604A1 (en) * 2011-08-15 2013-02-21 Kenji Maeda Plasma processing apparatus and plasma processing method
US20160240422A1 (en) * 2013-10-15 2016-08-18 Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. Electrostatic chuck device
US20150155140A1 (en) * 2013-12-04 2015-06-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor device manufacturing method using the same
US20160351404A1 (en) * 2015-05-28 2016-12-01 Hitachi High-Technologies Corporation Plasma processing apparatus and plasma processing method

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112309818A (zh) * 2019-08-01 2021-02-02 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置和控制方法
CN113348732A (zh) * 2019-12-18 2021-09-03 株式会社日立高新技术 等离子处理装置
CN113348732B (zh) * 2019-12-18 2024-02-09 株式会社日立高新技术 等离子处理装置
CN114698221A (zh) * 2022-03-03 2022-07-01 大连海事大学 一种采用旋转电极的滑动弧放电装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN109950119B (zh) 2021-07-23
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