CN112309818A - 等离子体处理装置和控制方法 - Google Patents

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Abstract

本公开提供一种能够监视等离子体的状态的等离子体处理装置和控制方法。基于本公开的一个方式的等离子体处理装置具备：处理容器，其具有形成有开口部的顶板；具有导电性的圆环状构件，其以与所述顶板绝缘的状态设置于所述开口部；微波辐射机构，其以包括所述圆环状构件的中心的方式配置于所述顶板上，用于向所述处理容器的内部辐射微波；以及等离子体检测部，其与所述圆环状构件连接，用于检测生成的等离子体的状态。

Description

等离子体处理装置和控制方法
技术领域
本公开涉及一种等离子体处理装置和控制方法。
背景技术
已知一种通过在处理容器的壁面设置从处理容器的壁面向处理容器的径向的内侧突出的探针、来监视在处理容器的内部生成的等离子体的电子密度和电子温度中的至少任一个的技术(例如参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2018-181633号公报
发明内容
发明要解决的问题
本公开提供一种能够监视等离子体的状态的技术。
用于解决问题的方案
基于本公开的一个方式的等离子体处理装置具备：处理容器，其具有形成有开口部的顶板；具有导电性的圆环状构件，其以与所述顶板绝缘的状态设置于所述开口部；微波辐射机构，其以包括所述圆环状构件的中心的方式配置于所述顶板上，用于向所述处理容器的内部辐射微波；以及等离子体检测部，其与所述圆环状构件连接，用于检测生成的等离子体的状态。
发明的效果
根据本公开，能够监视等离子体的状态。
附图说明
图1是表示一个实施方式的微波等离子体处理装置的纵截面的一例的图。
图2是表示一个实施方式的微波等离子体处理装置的顶板的内壁的一例的图。
图3是表示一个实施方式的微波等离子体源的一例的图。
图4是表示图1的微波等离子体处理装置的探针的一例的图。
图5是表示图1的微波等离子体处理装置的探针的其它例的图。
图6是表示图1的微波等离子体处理装置的探针的另一其它例的图。
具体实施方式
下面，参照附图来说明本公开的非限定性的、例示的实施方式。在所附的所有附图中，对相同或者对应的构件或部件标注相同或对应的参照标记，并省略重复的说明。
〔微波等离子体处理装置〕
图1是表示一个实施方式的微波等离子体处理装置100的纵截面的一例的图。微波等离子体处理装置100具有用于收容半导体晶圆(下面称作“晶圆W”。)的腔室1。微波等离子体处理装置100为利用通过微波形成于腔室1侧的表面的表面波等离子体、来对晶圆W进行规定的等离子体处理的等离子体处理装置的一例。作为规定的等离子体处理的一例，例示成膜处理或蚀刻处理。
腔室1为气密地构成的大致圆筒状的处理容器，由铝或不锈钢等金属材料形成，腔室1接地。微波等离子体源2被设置为从形成于腔室1的顶板的内壁的开口部1a面向腔室1的内部。当从微波等离子体源2通过开口部1a向腔室1内导入微波时，在腔室1内形成表面波等离子体。
在腔室1内设置有用于载置晶圆W的载置台11。载置台11被经由绝缘构件12a竖立设置于腔室1的底部中央的筒状的支承构件12支承。作为构成载置台11和支承构件12的材料，例示表面被进行了铝阳极化处理(阳极氧化处理)的铝等金属、在内部具有高频用的电极的绝缘构件(陶瓷等)。可以在载置台11设置有用于对晶圆W进行静电吸附的静电吸盘、温度控制机构、用于向晶圆W的背面供给热传递用的气体的气体流路等。
载置台11经由匹配器13来与高频偏置电源14电连接。通过从高频偏置电源14向载置台11供给高频电力，来向晶圆W侧吸引等离子体中的离子。此外，根据等离子体处理的特性，可以不设置高频偏置电源14。
腔室1的底部与排气管15连接，该排气管15与包括真空泵的排气装置16连接。当使排气装置16工作时，对腔室1内进行排气，由此，高速地将腔室1内减压至规定的真空度。在腔室1的侧壁设置有用于进行对晶圆W的搬入搬出的搬入搬出口17、用于打开关闭搬入搬出口17的闸阀18。
微波等离子体源2具有微波输出部30、微波传输部40、微波辐射机构50。微波输出部30分配到多个路径来输出微波。
微波传输部40传输从微波输出部30输出的微波。微波传输部40中设置的周缘微波导入机构43a和中央微波导入机构43b具有将从放大器部42输出来的微波导入微波辐射机构50的功能和使阻抗匹配的功能。
在周缘微波导入机构43a和中央微波导入机构43b中，将筒状的外侧导体52和设置于该外侧导体52的中心的棒状的内侧导体53配置为同轴状。向外侧导体52与内侧导体53之间供给微波电力，成为朝向微波辐射机构50传输微波的微波传输路径44。
在周缘微波导入机构43a和中央微波导入机构43b设置有芯(slug)61和位于其前端部的阻抗调整构件140。具有通过使芯61移动、来使腔室1内的负载(等离子体)的阻抗与微波输出部30中的微波电源的特性阻抗匹配的功能。阻抗调整构件140由电介质形成，根据其相对介电常数来调整微波传输路径44的阻抗。
微波辐射机构50以被气密地密封的状态设置于支承环129，将从微波输出部30输出并在微波传输部40中传输来的微波辐射至腔室1内，其中，支承环129设置于腔室1的上部。微波辐射机构50设置于腔室1的顶板，构成顶部的一部分。
微波辐射机构50具有主体部120、慢波件(日语：遅波材)121、131、微波透射构件122、132和缝隙(Slot)123、133。主体部120由金属构成。
主体部120与六个周缘微波导入机构43a及一个中央微波导入机构43b连接。图2是表示一个实施方式的微波等离子体处理装置100的顶板的内壁的一例的图。在图2中省略气体的供给孔。如图2所示，六个周缘微波导入机构43a沿周向等间隔地配置于腔室1的顶板(主体部120)的外侧。一个中央微波导入机构43b配置于腔室1的顶板的中央。
返回图1，慢波件121以与周缘微波导入机构43a连接的状态嵌入主体部120。慢波件131以与中央微波导入机构43b连接的状态嵌入主体部120。慢波件121、131由使微波透射的圆盘状的电介质形成。慢波件121、131具有比真空的相对介电常数大的相对介电常数，例如能够由石英、氧化铝(Al2O3)等陶瓷、聚四氟乙烯等氟系树脂、聚酰亚胺系树脂形成。由于在真空中微波的波长变长，因此通过使慢波件121、131由相对介电常数比真空的相对介电常数大的材料构成，来使慢波件121、131具有缩短微波的波长从而使包括缝隙123、133的天线变小的功能。
在慢波件121、131的下方，圆盘状的微波透射构件122、132嵌入于主体部120。在慢波件121与微波透射构件122之间的部分形成有缝隙123。在慢波件131与微波透射构件132之间的部分形成有缝隙133。
微波透射构件122、132由使微波透射的材料即电介质材料构成。
如图2所示，在一个实施方式中，与六个周缘微波导入机构43a对应的六个微波透射构件122在主体部120中沿周向等间隔地配置，在腔室1的内部露出为圆形。另外，与中央微波导入机构43b对应的一个微波透射构件132在腔室1的中央朝向内部露出为圆形。
微波透射构件122、132具有作为电介质窗的功能，所述电介质窗用于在周向上形成均匀的表面波等离子体。微波透射构件122、132与慢波件121、131同样，例如可以由石英、氧化铝(Al2O3)等陶瓷、聚四氟乙烯等氟系树脂、聚酰亚胺系树脂形成。
另外，在微波透射构件122、132分别设置有探针70。探针70为具有圆环形状的环探针，设置于微波透射构件122、132的外周部。在后文叙述探针70。
此外，在一个实施方式中，周缘微波导入机构43a的数量为六个，但不限于此，被配置N个。N为2以上即可，但优选为3以上，例如可以为3～6。
返回图1，在微波辐射机构50设置有喷淋构造的第一气体导入部21，第一气体导入部21经由气体供给配管111来与第一气体供给源22连接。从第一气体供给源22供给来的第一气体通过第一气体导入部21以喷淋状被供给到腔室1内。第一气体导入部21为从形成于腔室1的顶部的多个气体孔以第一高度供给第一气体的第一气体喷淋头。作为第一气体的一例，能够举出例如Ar气等等离子体生成用的气体、例如O2气、N2气等希望以高能量分解的气体。
在腔室1内的载置台11与微波辐射机构50之间的位置，在腔室1设置有作为第二气体导入部的一例的气体供给喷嘴27。气体供给喷嘴27从腔室1的侧壁朝向腔室1的内侧沿水平方向突出。气体供给喷嘴27经由气体供给配管28来与第二气体供给源29连接。
在进行成膜处理、蚀刻处理等等离子体处理时，从第二气体供给源29供给希望尽可能不分解地供给的处理气体、例如SiH4气体、C5F8气体等第二气体。气体供给喷嘴27以比供给从第一气体供给源22供给来的第一气体的多个气体孔的高度低的高度从多个气体孔供给第二气体。此外，作为从第一气体供给源22和第二气体供给源29供给的气体，能够使用与等离子体处理的内容相应的各种气体。
微波等离子体处理装置100的各部由控制装置3进行控制。控制装置3具有微型处理器4、ROM(Read Only Memory：只读存储器)5、RAM(Random Access Memory：随机存取存储器)6。在ROM 5或RAM 6中存储有微波等离子体处理装置100的工艺序列和控制参数即工艺制程。微型处理器4是基于工艺序列和工艺制程来控制微波等离子体处理装置100的各部的控制部的一例。另外，控制装置3具有触摸面板7和显示器8，能够进行按照工艺序列和工艺制程进行规定的控制时的输入、结果的显示等。
在所涉及的微波等离子体处理装置100中进行等离子体处理时，首先，将晶圆W在被保持于搬送臂(未图示)上的状态下从开口的闸阀18通过搬入搬出口17搬入腔室1内。在晶圆W被搬入后关闭闸阀18。当晶圆W被搬送至载置台11的上方时，将晶圆W从搬送臂移至推动销(日语：プッシャーピン)(未图示)，并使推动销下降，由此将晶圆W载置于载置台11。腔室1的内部的压力通过排气装置16保持为规定的真空度。从第一气体导入部21以喷淋状向腔室1内导入第一气体，从气体供给喷嘴27以喷淋状向腔室1内导入第二气体。经由周缘微波导入机构43a和中央微波导入机构43b从设置于中央微波导入机构43b和六个周缘微波导入机构43a的下表面的各微波辐射机构50辐射微波。由此，第一气体和第二气体被分解，通过在腔室1侧的表面生成的表面波等离子体对晶圆W实施等离子体处理。
〔微波等离子体源〕
图3是表示一个实施方式的微波等离子体源的一例的图。如图3所示，微波等离子体源2的微波输出部30具有微波电源31、微波振荡器32、将振荡出的微波放大的放大器33、将放大后的微波分配为多个的分配器34。
微波振荡器32使规定频率的微波例如进行PLL(Phase Locked Loop：锁相环)振荡。在分配器34中，一边取得输入侧与输出侧的阻抗匹配以尽可能抑制微波的损失，一边分配由放大器33放大后的微波。此外，作为微波的频率，能够使用700MHz至3GHz的范围的各种频率。
微波传输部40具有多个放大器部42、与放大器部42对应地设置的周缘微波导入机构43a和中央微波导入机构43b。放大器部42将由分配器34分配后的微波导向周缘微波导入机构43a和中央微波导入机构43b。放大器部42具有相位器46、可变增益放大器47、构成固态放大器的主放大器48、以及隔离器49。
相位器46能够通过使微波的相位变化来调制辐射特性。例如，能够通过调整向周缘微波导入机构43a和中央微波导入机构43b的各机构导入的微波的相位，来控制指向性从而使等离子体分布变化。另外，能够设为在相邻的微波导入机构中使相位偏移90°来获得圆偏振波。另外，相位器46能够调整放大器内的部件间的延迟特性，以调谐器内的空间合成为目的来使用。但是，在不需要这样的对辐射特性的调制、对放大器内的部件间的延迟特性的调整的情况下，可以不设置相位器46。
可变增益放大器47调整向主放大器48输入的微波的电力水平，从而调整等离子体强度。使可变增益放大器47按每个天线模块变化，由此能够使产生的等离子体产生分布。
构成固态放大器的主放大器48例如具有输入匹配电路、半导体放大元件、输出匹配电路、以及高Q谐振电路。隔离器49用于将被缝隙天线部反射从而朝向主放大器48的反射微波分离出来，具有环形器和假负载(同轴终端器)。环形器将反射的微波导向假负载，假负载将由环形器导来的反射微波转换为热。周缘微波导入机构43a和中央微波导入机构43b将从放大器部42输出来的微波导入微波辐射机构50。
〔探针〕
图4是表示图1的微波等离子体处理装置的探针的一例的图。在图4中，放大地示出同与六个周缘微波导入机构43a中的一个连接的微波辐射机构50对应地设置的探针70。但是，同与中央微波导入机构43b和剩余的周缘微波导入机构43a连接的微波辐射机构50对应地设置的探针70也为同样的结构。
探针70包括绝缘体环71、导电性板72、保持部73、密封构件74、密封构件75。
绝缘体环71设置于微波透射构件122的外周部。绝缘体环71为具有比微波透射构件122的外径小的内径、并具有比微波透射构件122的外径大的外径的圆环形状的绝缘构件，被配置为覆盖微波透射构件122的下表面的一部分。在绝缘体环71与微波透射构件122的下表面之间设置有O环等密封构件74，被气密地密封。绝缘体环71例如由氧化铝(Al2O3)、氮化铝(AlN)等陶瓷材料形成。
导电性板72被埋入绝缘体环71的内部。导电性板72例如具有圆环形状，沿绝缘体环71的周向设置。优选导电性板72完全地被埋入绝缘体环71的内部。由此，能够避免在等离子体处理过程中由导电性板72引起的腔室1内的金属污染的发生，从而抑制微粒的产生。但是，导电性板72的一部分可以从绝缘体环71露出。导电性板72与后述的等离子体检测部80的供电线84连接。导电性板72例如可以为膜状，也可以为网状。导电性板72例如由铝(Al)等金属材料形成。
保持部73设置于绝缘体环71的外周部。保持部73为具有比绝缘体环71的外径小的内径、并具有比绝缘体环71的外径大的外径的圆环形状的构件，被配置为覆盖绝缘体环71的下表面的一部分。在保持部73与绝缘体环71的下表面之间设置有O环等密封构件75，被气密地密封。保持部73固定于主体部120的下表面，由此将绝缘体环71保持于微波透射构件122的外周部。保持部73例如由Al等金属材料形成。
等离子体检测部80包括交流电源81、测定器82、低通滤波器83。
交流电源81经由供电线84来与探针70的导电性板72连接。交流电源81通过控制装置3的控制来经由供电线84对导电性板72施加交流电压。交流电压的电压值例如为数V，频率例如为数十kHz。此外，可以针对七个探针70的各个探针设置交流电源81，也可以针对七个探针70共用地设置一个交流电源81。
当从交流电源81经由供电线84对导电性板72施加交流电压时，测定器82经由供电线84来测定在等离子体处理过程中流向导电性板72的电流。此时，由于导电性板72被埋入绝缘体环71的内部，因此导电性板72与主体部120及保持部73被绝缘体环71电绝缘。由此，从导电性板72流向主体部120及保持部73的电流(杂散电流)小，因此测定器82的测定灵敏度(S/N比)提高。
低通滤波器83设置于供电线84。低通滤波器83去除流过供电线84的交流电流中的不需要的高频成分，由此防止在交流电源81对导电性板72施加交流电压时产生的不需要的高频成分通过供电线84流入测定器82。另外，可以在供电线84设置电容器。
在所涉及的等离子体检测部80中，当通过控制装置3的控制从交流电源81对探针70的导电性板72施加交流电压时，测定器82经由供电线84来测定在等离子体处理过程中流向导电性板72的电流。流向导电性板72的电流与流向在腔室1的内部生成的等离子体的电流是等效的。因此，通过测定在等离子体处理过程中流向导电性板72的电流，能够检测在腔室1的内部生成的等离子体的状态。
测定器82将表示测定出的电流的波形的信号发送至控制装置3。接收到信号的控制装置3的微型处理器4对信号中包含的电流的波形进行傅立叶变换来进行分析，计算等离子体的状态。等离子体的状态例如为电子密度Ne、电子温度Te。由此，能够实时地监视处于一个微波透射构件132和六个微波透射构件122的各个微波透射构件的下方的等离子体的状态。其结果，能够探测等离子体处理过程中的等离子体的状态的随时间变化、面内分布的变动。
微型处理器4根据基于使用探针70的测定结果计算出的等离子体的电子密度Ne和电子温度Te，来在等离子体处理过程中实时地控制从与计算中使用的探针70对应的周缘微波导入机构43a向腔室1导入的微波的输出(功率)。具体地说，微型处理器4根据计算出的等离子体的电子密度Ne和电子温度Te，来控制向对应的周缘微波导入机构43a输出微波的放大器部42的可变增益放大器47，从而调整向主放大器48输入的微波的电力水平。由此，通过调整向对应的周缘微波导入机构43a导入的微波的等离子体强度，来使等离子体分布变化。
另外，微型处理器4根据计算出的等离子体的电子密度Ne和电子温度Te，来实时地控制在与计算中使用的探针70对应的周缘微波导入机构43a中传播的微波的相位。具体地说，微型处理器4根据计算出的等离子体的电子密度Ne和电子温度Te，来控制向对应的周缘微波导入机构43a输出微波的放大器部42的相位器46，使微波的相位变化，由此调制辐射特性。由此，通过调整向对应的周缘微波导入机构43a导入的微波的相位，来控制指向性，从而使等离子体分布变化。
像这样，在一个实施方式中，控制微波的功率和微波的相位，但控制微波的功率和微波的相位中的至少任一个即可。但是，优选控制微波的功率和微波的相位这两方。
图5是表示图1的微波等离子体处理装置的探针的其它例的图。在图5中，放大地示出同与六个周缘微波导入机构43a中的一个连接的微波辐射机构50对应地设置的探针70A。但是，同与中央微波导入机构43b和剩余的周缘微波导入机构43a连接的微波辐射机构50对应地设置的探针70A也为同样的结构。
探针70A包括导体环72A、保持部73A、密封构件74A、密封构件75A。
导体环72A设置于微波透射构件122的外周部。导体环72A为具有比微波透射构件122的外径小的内径、并具有比微波透射构件122的外径大的外径的圆环形状的导电构件，被配置为覆盖微波透射构件122的下表面的一部分。在导体环72A与微波透射构件122的下表面之间设置有O环等密封构件74A，被气密地密封。导体环72A的下表面与主体部120的下表面处于相同的高度或大致相同的高度。导体环72A例如由Al等金属材料形成，在金属材料的表面形成有绝缘膜76A。由此，导体环72A相对于主体部120和保持部73A是绝缘的。绝缘膜76A例如通过铝阳极化处理、绝缘材料的喷镀等绝缘处理形成。导体环72A与等离子体检测部80的供电线84连接。
保持部73A设置于导体环72A的外周部。保持部73A为具有比导体环72A的外径小的内径、并具有比导体环72A的外径大的外径的圆环形状的构件，被配置为覆盖导体环72A的下表面的一部分。在保持部73A与导体环72A的下表面之间设置有O环等密封构件75A，被气密地密封。保持部73A固定于主体部120的下表面，由此将导体环72A保持于微波透射构件122的外周部。保持部73A例如由Al等金属材料形成。
等离子体检测部80与图4所示的例子同样，包括交流电源81、测定器82、低通滤波器83。
在图5的例子中，当通过控制装置3的控制从交流电源81对探针70A的导体环72A施加交流电压时，测定器82经由供电线84来测定在等离子体处理过程中流向导体环72A的电流。流向导体环72A的电流与流向在腔室1的内部生成的等离子体的电流是等效的。因此，通过测定在等离子体处理过程中流向导体环72A的电流，能够检测在腔室1的内部生成的等离子体的状态。
图6是表示图1的微波等离子体处理装置的探针的另一其它例的图。在图6中，放大地示出同与六个周缘微波导入机构43a中的一个连接的微波辐射机构50对应地设置的探针70B。但是，同与中央微波导入机构43b和剩余的周缘微波导入机构43a连接的微波辐射机构50对应地设置的探针70B也为同样的结构。
探针70B包括导体环72B、保持部73B、密封构件74B、密封构件75B。
导体环72B设置于微波透射构件122的外周部。导体环72B为具有比微波透射构件122的外径小的内径、并具有比微波透射构件122的外径大的外径的圆环形状的导电构件，被配置为覆盖微波透射构件122的下表面的一部分。在导体环72B与微波透射构件122的下表面之间设置有O环等密封构件74B，被气密地密封。导体环72B的下表面位于比主体部120的下表面靠上方的位置，导体环72B的下表面由保持部73B保持。导体环72B例如由Al等金属材料形成，在金属材料的表面形成有绝缘膜76B。由此，导体环72B相对于主体部120和保持部73B是绝缘的。绝缘膜76B例如通过铝阳极化处理、绝缘材料的喷镀等绝缘处理来形成。导体环72B与等离子体检测部80的供电线84连接。
保持部73B设置于导体环72B的外周部。保持部73B为具有比导体环72B的外径小的内径、并具有比导体环72B的外径大的外径的圆环形状的构件，被配置为覆盖导体环72B的下表面的一部分。在保持部73B与导体环72B的下表面之间设置有O环等密封构件75B，被气密地密封。保持部73B固定于主体部120的下表面，由此保持导体环72B的下表面从而将导体环72B固定于微波透射构件122的外周部。保持部73B例如由Al等金属材料形成。
等离子体检测部80与图4所示的例子同样，包括交流电源81、测定器82和低通滤波器83。
在图6的例子中，当通过控制装置3的控制从交流电源81对探针70B的导体环72B施加交流电压时，测定器82经由供电线84来测定在等离子体处理过程中流向导体环72B的电流。流向导体环72B的电流与流向在腔室1的内部生成的等离子体的电流是等效的。因此，通过测定在等离子体处理过程中流向导体环72B的电流，能够检测在腔室1的内部生成的等离子体的状态。
如以上说明的那样，根据微波等离子体处理装置100，在腔室1内设置有导电性的圆环状构件(导电性板72、导体环72A、72B)，因此能够监视在腔室1内生成的等离子体的状态。另外，微波辐射机构50以包括导电性的圆环状构件的中心的方式配置，因此能够监视微波辐射机构50的附近的等离子体的状态。
另外，具有如下方法：在腔室1内，将腔室1的顶板或侧壁贯通并插入棒状的探针，由此监视腔室1内的等离子体的状态。但是，如果将棒状的探针插入等离子体空间，则可能产生等离子体的紊乱从而对工艺产生影响。与此相对，在一个实施方式的微波等离子体处理装置100中，使用导电性的圆环状构件，因此由于是不遮蔽等离子体的构造，能够抑制等离子体的紊乱的发生。
此外，在上述的实施方式中，腔室1是处理容器的一例，导电性板72、导体环72A、72B为具有导电性的圆环状构件的一例。
应认为，本次公开的实施方式的所有点均是例示性、而非限制性的。可以不脱离所附的权利要求书及其主旨地对上述的实施方式以各种方式进行省略、置换、变更。
例如，本公开的微波等离子体处理装置能够进行膜厚度的监视。具体地说，在等离子体处理过程中在探针上附着膜，由此测定器所测定的流向各探针的电流的波形变化。因而，本公开的微波等离子体处理装置的控制装置通过分析从各探针获取的信号的强度的变化，能够估计附着于探针的膜厚度。由此，能够掌握腔室的内部的状态。
另外，本公开的微波等离子体处理装置能够通过监视附着于探针的估计膜厚度，来掌握去除附着于腔室1的内部的沉积物的腔室清洁的执行定时。另外，通过在腔室清洁的执行过程中监视附着于探针的估计膜厚度，能够进行腔室清洁的终点探测。

Claims (14)

1.一种等离子体处理装置，具备：
处理容器，其具有形成有开口部的顶板；
具有导电性的圆环状构件，其以与所述顶板绝缘的状态设置于所述开口部；
微波辐射机构，其以包括所述圆环状构件的中心的方式配置于所述顶板上，用于向所述处理容器的内部辐射微波；以及
等离子体检测部，其与所述圆环状构件连接，用于检测生成的等离子体的状态。
2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，
所述等离子体检测部对所述圆环状构件施加交流电压并测定流向该圆环状构件的电流，由此检测所述等离子体的状态。
3.根据权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征在于，
所述圆环状构件被埋入支承于所述顶板的绝缘构件。
4.根据权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于，
所述圆环状构件为膜状或网状。
5.根据权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征在于，
所述圆环状构件支承于所述顶板。
6.根据权利要求1、2或5所述的等离子体处理装置，其特征在于，
所述圆环状构件由金属材料形成，在该金属材料的表面形成有绝缘膜。
7.根据权利要求5或6所述的等离子体处理装置，其特征在于，
所述圆环状构件的下表面位于比所述顶板的下表面靠上方的位置。
8.根据权利要求5或6所述的等离子体处理装置，其特征在于，
所述圆环状构件的下表面与所述顶板的下表面处于相同的高度或大致相同的高度。
9.根据权利要求1至8中的任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，
所述等离子体的状态包括等离子体的电子密度、电子温度中的至少任一个。
10.根据权利要求1至9中的任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，
还具备控制部，所述控制部基于在进行等离子体处理时由所述等离子体检测部检测出的所述等离子体的状态，来控制所述等离子体处理的条件。
11.根据权利要求10所述的等离子体处理装置，其特征在于，
所述等离子体处理的条件包括所述微波的输出。
12.根据权利要求1至11中的任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，
在所述顶板形成有多个所述开口部，
所述圆环状构件以与所述顶板绝缘的状态设置于多个所述开口部的各个开口部，
所述等离子体检测部通过测定流向多个所述圆环状构件的各个圆环状构件的电流，来检测与多个所述圆环状构件的各个圆环状构件对应的所述等离子体的状态，探测所述等离子体的状态的面内分布的变动。
13.根据权利要求12所述的等离子体处理装置，其特征在于，
沿所述顶板的周向配置有多个所述开口部。
14.一种控制方法，是使用等离子体处理装置来控制等离子体的方法，所述等离子体处理装置具备：处理容器，其具有形成有开口部的顶板；具有导电性的圆环状构件，其以与所述顶板绝缘的状态设置于所述开口部；微波辐射机构，其以包括所述圆环状构件的中心的方式配置于所述顶板上，用于向所述处理容器的内部辐射微波；以及等离子体检测部，其与所述圆环状构件连接，用于检测生成的等离子体的状态，
所述控制方法的特征在于，
基于在进行等离子体处理时由所述等离子体检测部检测出的所述等离子体的状态，来控制所述等离子体处理的条件。
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