CN109037017A - 具有连续凹腔的加热器块 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种适于安装在包含喷淋头和反应室的等离子体沉积或等离子体蚀刻设备中的加热器块，所述加热器块适于布置在所述反应室中以支撑衬底，并且包含：至少一个通孔，所述至少一个通孔通过所述加热器块；在其上表面上的多个表面，所述多个表面彼此分离并且由连续凹腔限定，并且所述连续凹腔包括：多个主凹状部或凹陷部；多个凹状通道，所述多个凹状通道实质上连接每两个相邻的主凹状部或凹陷部；和在所述加热器块的中心处的凹状部或凹陷部，所述凹状部或凹陷部具有与所述多个主凹状部或凹陷部不同的形状或尺寸。

Description

具有连续凹腔的加热器块
发明领域
本说明书总体涉及一种用于在半导体制造工艺中使用的设备，特别是用在等离子体沉积或蚀刻设备中的加热器块或工件支撑件。
背景技术
作为半导体制造工艺的一部分，等离子体增强化学气相沉积(PECVD)和等离子体增强原子层沉积(PEALD)工艺通常被用于在位于室中的加热器块或工件支撑件上的工件(例如，半导体衬底)的图案化表面上沉积膜。这些工艺通常通过将前驱气体或气体混合物引入到含纳加热器块或工件支撑件上的工件的室中来完成。前驱气体或气体混合物通常经由位于室的顶部周围的喷淋板向下引导。
发明内容
在这样的工艺中，使用所述加热器块或工件支撑件来支撑衬底，并且可以对其表面进行处理以添加图案(例如，连续的凹状部和凸状部)，以使得凸状部支撑所述衬底并且凹状部不接触所述衬底以使得所述图案起到避免异物附着到所述衬底的背面或防止所述衬底粘附到所述加热器块或工件支撑件的作用。
传统上，衬底在加热器块或工件支撑件上的位置的确定通常由人类手动完成。然而，近年来，对衬底的位置的自动识别的技术已经改进，并且检测所述衬底的中心的位置对于实现用于衬底转移目的的衬底位置的自动识别已经变得重要。
图1示出了示出其上表面的加热器块11的概览。在图1中，多个圆柱形形状的凹状部2设置在加热器块11的衬底支撑区17的上表面上。图2示出了加热器块11的上表面的一部分的横截面A-A'的放大图。相邻的凹状部2的中心之间的距离大致恒定。图1中所示的加热器块11在衬底支撑表面6上具有多个凹坑状的凹状部2，并且衬底支撑表面6是连续的平面。用于衬底支撑销4的通孔与凹状部2的图案无关地布置。
当图1的这种加热器块与衬底的位置的自动识别的技术一起使用时，发现由于加热器块11的上表面具有凹状部2的类似图案，自动识别传感器难以准确地测量或检测放置在加热器块11的上表面上的目标衬底的中心点的位置。
本发明的实施例的目的是提供一种适于安装在包括喷淋头、加热器块和反应室的等离子体沉积或等离子体蚀刻设备中的加热器块，所述加热器块适于布置在所述反应室中以支撑衬底，并且包括：至少一个通孔，所述至少一个通孔穿过所述加热器块；和在其上表面上的多个表面，所述多个表面彼此分离并且由连续凹腔限定；并且所述连续凹腔包括：多个主凹状部或凹陷部；多个凹状通道，所述多个凹状通道实质上连接每两个相邻的主凹状部或凹陷部；和在所述加热器块的中心处的凹状部或凹陷部，所述凹状部或凹陷部具有与所述多个主凹状部或凹陷部不同的形状或尺寸。
在一方面中，加热器块适于安装在包括喷淋头、加热器块和反应室的等离子体沉积或等离子体蚀刻设备中，所述加热器块适于布置在所述反应室中以支撑衬底并且包括：至少一个通孔，所述至少一个通孔穿过所述加热器块；和在其上表面上的多个表面，所述多个表面彼此分离并且由连续凹腔限定；并且所述连续凹腔包括：多个主凹状部或凹陷部；多个凹状通道，所述多个凹状通道实质上连接每两个相邻的主凹状部或凹陷部，其中在所述加热器块的中心处的凹状部或凹陷部由多个凸状部的内侧壁限定，并且所述多个凸状部的外侧壁的轮廓具有圆形或多边形形状。
在实施例中，提供了一种衬底处理设备，所述衬底处理设备包括适于安装在包括喷淋头、加热器块和反应室的等离子体沉积或等离子体蚀刻设备中的加热器块，所述加热器块适于布置在所述反应室中以支撑衬底，并且包括：至少一个通孔，所述至少一个通孔穿过所述加热器块；在其上表面上的多个表面，所述多个表面彼此分离并且由连续凹腔限定；并且所述连续凹腔包括：多个主凹状部或凹陷部；多个凹状通道，所述多个凹状通道实质上连接每两个相邻的主凹状部或凹陷部；和在所述加热器块的中心处的凹状部或凹陷部，所述凹状部或凹陷部具有与所述多个主凹状部或凹陷部不同的形状或尺寸
在实施例中，提供了一种处理设备，包括：喷淋头；反应室；和加热器块，所述加热器块布置在所述反应室中，所述加热器块包括：至少一个通孔，所述至少一个通孔穿过所述加热器块；在其上表面上的多个表面，所述多个表面彼此分离并且由连续凹腔限定；并且所述连续凹腔包括：多个主凹状部或凹陷部；多个凹状通道，所述多个凹状通道实质上连接每两个相邻的主凹状部或凹陷部；和在所述加热器块的中心处的凹状部或凹陷部，所述凹状部或凹陷部具有与所述多个主凹状部或凹陷部不同的形状或尺寸。
为了总结本发明的各方面和相对于现有技术实现的一个或多个优点，在本公开中描述了某些目的和优点。当然，应该理解的是，根据任何特定实施例，未必能够实现所有或任何这样的目的或优点。因此，举例来说，本领域技术人员将认识到，本发明可以以实现或优化如本文所教导的一个优点或一组优点的方式来体现或执行，而不必实现如本文中教导或建议的一个或多个其它目的或优点。依据下面的详细描述，本发明的其它方面、特征和优点将变得显而易见。
在参考附图考虑到下面的描述和所附的权利要求书之后，本文中所公开的系统和/或方法的这些和其它目的、特征和特点以及结构的相关元件和部件组合的操作方法和功能、制造的经济性将变得更加显而易见，所有的这些描述以及权利要求和附图形成本说明书的一部分，其中，类似的附图标记指明各个附图中的相应零件。然而，要明确理解的是，附图仅出于图示和描述的目的，而不旨在作为对本发明的限制的定义。除非上下文另有明确说明，否则在说明书和权利要求中使用的单数形式“一”、“一个”和“所述”包括复数指代。
附图说明
现在将参考意在图示而不是限制本发明的实施例的附图来描述本发明的这些和其它特征。出于图示的目的，附图过于简化，并且未必按比例绘制。
图1是示出上表面的加热器块的示意图。
图2是示出了多个凹状部和衬底支撑表面的图1的加热器块的一部分的局部放大示意图。
图3是包括根据实施例的加热器块的PEALD设备的示意图。
图4是根据实施例的示出上表面的加热器块的示意图。
图5是示出了多个主凹状部和衬底支撑表面的根据实施例的加热器块的局部放大示意图。
图6是根据实施例的加热器块的中心区域的局部放大示意图。
图7是根据实施例的加热器块的示意图。
图8是根据实施例的加热器块的中心区域的局部放大示意图。
图9是根据实施例的加热器块的示意图。
图10是根据实施例的加热器块的中心区域的局部放大示意图。
图11是根据实施例的加热器块的示意图。
图12是根据实施例的加热器块的中心区域的局部放大示意图。
图13是根据实施例的加热器块的示意图。
图14是根据一个实施例的加热器块的中心区域的局部放大示意图。
具体实施方式
本发明包含但不限于以下实施例：
本发明的实施例通常应用于用于执行半导体制造工艺的设备的加热器块、工件支撑件或衬底支撑装置(下文中称为“加热器块”)。作为这样的制造工艺的示例，解释了等离子体增强ALD(PEALD)工艺，以更好地理解如何使用设备来沉积膜以及如何在设备中使用加热器块。不用说，加热器块可以可替选地或附加地用于执行PECVD工艺的设备。此外，本发明的实施例并不意在限于在执行PEALD和PECVD工艺的设备中或与其一起使用。
在PEALD工艺中，将工件(例如，衬底，例如半导体晶片)放置在反应室中并且经受交替地重复表面反应。通过重复自限性ALD循环形成薄的SiN膜。理想地，为了形成SiN膜，每一个ALD循环包括至少两个相异的阶段。从反应空间提供和除去反应物可被认为是一个阶段。在第一阶段中，包括硅的第一反应物被提供并且在所述工件表面上形成不超过大约一个单层。这个反应物在本文中也被称为“硅前体”、“含硅前体”、“含卤硅前体”或“硅反应物”，并且可以是举例来说H2SiI2、(SiI2)(NH2)2、(SiI2)(NHMe)2、(SiI2)(NHEt)2、(SiI2)(NHiPr)2、(SiI2)(NHtBu)2、(SiI2)(NMe2)2、(SiI2)(NMeEt)2、(SiI2)(NMeiPr)2、(SiI2)(NMetBu)2、(SiI2)(NEt2)2、(SiI2)(NEtiPr)2、(SiI2)(NEttBu)2、(SiI2)(NiPr2)2、(SiI2)(NiPrtBu)2和(SiI2)(NtBu)2。
在第二阶段中，包括反应性物种的第二反应物被提供并且可以将所吸附的硅转化成氮化硅。所述第二反应物可以包括氮前体。反应性物种可以包括激发态物种。来自惰性气体的这些反应性物种不一定对沉积膜贡献材料，但是在一些情况下可以有助于膜生长以及帮助形成和引燃等离子体。在一些实施例中，被用于形成等离子体的气体可以在整个沉积工艺中恒定地流动，但是只能被间歇地激活。
可根据需要添加或去除附加的阶段以调节最终膜的成分。反应物中的一个或多个可以借助于运载气体(例如，Ar或He)来提供。所述硅前体和所述第二反应物借助于运载气体来提供。阶段中的两个可能会重叠或组合。举例来说，可以以部分或完全重叠的脉冲同时提供所述硅前体和所述第二反应物。另外，尽管称为第一和第二阶段以及第一和第二反应物，但是阶段的顺序可以变化，并且ALD循环可以以阶段中的任何一个开始。也就是说，除非另有规定，否则所述反应物可以以任何顺序提供，并且所述工艺可以以任何反应物开始。
接下来，下面详细解释了等离子体沉积设备的示例性实施例的配置。
作为等离子体沉积设备的示例，图3示出了根据实施例的PEALD设备1的示意图。如图3中所示，PEALD设备1包括至少部分地由室壁19限定的真空(反应)室10、设置在室10的顶部的喷淋头12(或喷淋板12)以及围绕喷淋头12设置的绝缘体34(在一个实施例中，绝缘体34形成电极)。加热器块(或工件支撑件，衬底支撑装置)5实质上平行于喷淋头12设置在室10内部。RF功率源7和8连接到附接到喷淋头12的气体管道。室10在其侧部部分处具有带有排气阀(未示出)的开口并且包括连接到排气泵(未示出)的排气管道(未示出)。另外，室10接地并且通过绝缘体34与喷淋头12绝缘。室10还在内侧壁上具有带有闸门阀(未示出)的开口以用于工件转移。
喷淋头12和防护板13借助于一个或多个螺钉25彼此固定，并且O形环14设置在喷淋头12与防护板13之间。在喷淋头12中，如图3中所图示的许多气体出口孔隙21(在喷淋头12的区域20(例如，圆形区域)内的孔或孔口)被形成为使得从气体入口端口引入的源气体的射流从孔隙朝向加热器块5发射。加热器块5由承受器(susceptor)50和在加热器块5的下端处附接到承受器50的加热器51构成。承受器50被设置成与喷淋头12实质上平行，并且被用于支撑放置在其上表面上的衬底16。
衬底的位置的自动识别或检测可以使用ATS(自动教学系统)(例如WaferSenseTMATS)来执行。ATS传感器可以放置在升高的转移销上以使用发光二极管获得加热器块上的目标衬底的图像。ATS具有识别圆形目标衬底的优点，并且可以分析所获得的图像并且测量从其自身的几何中心到目标的中心的X-Y-Z偏移。然后，ATS可以将那些图像传输到计算机，并且在其屏幕上显示那些图像。ATS可以提供实时和准确的偏移测量。为了检测目标衬底的偏移，提供了清楚的标记，所述标记示出加热器块的中心以使得ATS可以测量从其中心到在加热器块上的目标衬底的中心的偏移。确保这不影响形成在衬底上的膜的质量也是重要的。
在一个实施例中，加热器块适于安装在包括喷淋头、加热器块和反应室的等离子体沉积或等离子体蚀刻设备中，加热器块适于布置在反应室中以支撑衬底并且包括：至少一个通孔，所述至少一个通孔穿过加热器块；和在其上表面上的多个表面，所述多个表面彼此分离并且由连续凹腔限定；并且所述连续凹腔包括：多个主凹状部或凹陷部；多个凹状通道，所述多个凹状通道实质上连接每两个相邻的主凹状部或凹陷部；和在所述加热器块的中心处的凹状部或凹陷部，所述凹状部或凹陷部具有与所述多个主凹状部或凹陷部不同的形状或尺寸。
在一个实施例中，在所述加热器块的中心处的凹状部或凹陷部具有与多个主凹状部或凹陷部不同的形状或尺寸，并且当以三维方式观察时，在加热器块的中心处的凹状部或凹陷部具有圆柱形形状、没有尖端的倒锥形形状或多边柱状形状。在一个实施例中，在加热器块的中心处的凹状部或凹陷部具有带有在大约2毫米与大约20毫米之间的直径的圆柱形形状。
在一个实施例中，在加热器块的中心处的凹状部或凹陷部由多个凸状部的内侧壁限定，并且多个凸状部的外侧壁的轮廓具有圆形或多边形形状。在一个实施例中，多个主凹状部或凹陷部和实质上连接每两个相邻的主凹状部或凹陷部的多个凹状通道由多个凸状部的侧壁限定。在一个实施例中，限定在加热器块的中心处的凹状部或凹陷部的多个凸状部具有与限定多个主凹状部或凹陷部和实质上连接每两个相邻的主凹状部或凹陷部的多个凹状通道的多个凸状部不同的形状。
在一个实施例中，限定在加热器块的中心处的凹状部或凹陷部的多个凸状部具有与限定多个主凹状部或凹陷部和实质上连接每两个相邻的主凹状部或凹陷部的多个凹状通道的多个凸状部不同的形状，并且所述多个凸状部两者都具有侧壁，所述侧壁的边缘被以大约0.1毫米与大约2毫米之间的半径圆化或倒角。如果多个凸状部的侧壁的边缘可以是圆化或倒角的，这意味着能够在一个金属加工工艺中形成每一个凸状部，从而实质上减少了毛刺在边缘处的形成。发现具有这样的凸状部的加热器块可以帮助改进在衬底上形成的膜的质量。
在一个实施例中，在加热器块的中心处的凹状部或凹陷部经由与实质上连接每两个相邻的主凹状部或凹陷部的多个凹状通道不同的形状或尺寸的凹状通道与相邻的主凹状部连接。在一个实施例中，主凹状部或凹陷部中的每一个具有实质上相同的形状和尺寸。在一个实施例中，至少一个通孔包含被用于衬底升降销的至少一个通孔。
在一个实施例中，加热器块适于安装在包括喷淋头、加热器块和反应室的等离子体沉积或等离子体蚀刻设备中，加热器块适于布置在反应室中以支撑衬底并且包括：至少一个通孔，所述至少一个通孔穿过所述加热器块；和在其上表面上的多个表面，所述多个表面彼此分离并且由连续凹腔限定；并且所述连续凹腔包括：多个主凹状部或凹陷部；多个凹状通道，所述多个凹状通道实质上连接每两个相邻的主凹状部或凹陷部，其中在加热器块的中心处的凹状部或凹陷部由多个凸状部的内侧壁限定，并且多个凸状部的外侧壁的轮廓具有圆形或多边形形状。在一个实施例中，在加热器块的中心处的凹状部或凹陷部经由与实质上连接每两个相邻的主凹状部或凹陷部的多个凹状通道不同的形状或尺寸的凹状通道与相邻的主凹状部连接。
在一个实施例中，加热器块适于安装在包括喷淋头、加热器块和反应室的等离子体沉积或等离子体蚀刻设备中，加热器块适于布置在反应室中以支撑衬底并且包括：至少一个通孔，所述至少一个通孔穿过所述加热器块；和在其上表面上的多个表面，所述多个表面彼此分离并且由连续凹腔限定；并且所述连续凹腔包括：多个主凹状部或凹陷部；多个凹状通道，所述多个凹状通道实质上连接每两个相邻的主凹状部或凹陷部，其中在加热器块的中心处的凹状部或凹陷部由多个凸状部的内侧壁限定，并且多个凸状部的外侧壁的轮廓具有圆形或多边形形状。
在一个实施例中，衬底处理设备包括如本文中所述的加热器块。在一个实施例中，衬底处理设备包括如本文中所述的加热器块，其中多个主凹状部或凹陷部、实质上连接每两个相邻的主凹状部或凹陷部的多个凹状通道和具有与多个主凹状部或凹陷部不同的形状或尺寸的在加热器块的中心处的凹状部或凹陷部由多个凸状部限定，并且衬底实质上由多个凸状部的顶表面支撑。在一个实施例中，衬底处理设备包括如本文中所述的加热器块，其中加热器块包括承受器和加热器。
在一个实施例中，处理设备包括：喷淋头；反应室；和加热器块，所述加热器块布置在反应室中，加热器块包括：至少一个通孔，所述至少一个通孔穿过所述加热器块；和在其上表面上的多个表面，所述多个表面彼此分离并且由连续凹腔限定；并且所述连续凹腔包括：多个主凹状部或凹陷部；多个凹状通道，所述多个凹状通道实质上连接每两个相邻的主凹状部或凹陷部；在所述加热器块的中心处的凹状部或凹陷部，所述凹状部或凹陷部具有与所述多个主凹状部或凹陷部不同的形状或尺寸。在一个实施例中，前述处理设备包括加热器块，当以三维方式观察时，其在加热器块的中心处的凹状部或凹陷部具有圆柱形形状、没有尖端的倒锥形形状或多边柱状形状。在一个实施例中，前述处理设备包括加热器块，其在加热器块的中心处的凹状部或凹陷部具有带有在大约2毫米与大约20毫米之间的直径的圆柱形形状。
在一个实施例中，加热器块的外周边被有意地以使得加热器块的顶表面始终接触衬底或晶片的方式成形。可以使已经添加了规则的凹状图案的加热器块区域小于晶片区域。
通过采用前述的加热器块，在衬底与加热器块表面之间的气体(存在于衬底背面下方的气体)可以沿着上述凹状结构移动，并且当在反应室中的压力或气体流速改变时流动穿过通孔。结果，在形成膜时或者在此后的净化循环期间，当处理条件改变时，加热器块可以最小化由于在加热器块的表面上方的滑动所致的不均匀膜厚度的形成的发生。
在实施例中，凹状部具有圆柱形形状、没有尖端的倒锥形形状或多边柱状形状。除了圆形之外，它的横截面形状还可以是三角形、正方形、五边形、六边形或其它多边形或者甚至椭圆形。在实施例中，凹状部具有梯形形状。理想地，主凹状部应该具有相同的尺寸和形状，并且大致均匀地分布在加热器块的整个顶表面上。连接这些凹状部的通道(或凹状通道)只需要连结和连接凹状部，并且除了正方形之外，还可以具有任何纵向横截面形状，例如，倒三角形、圆形或椭圆形。通道的深度与实施例中的凹状部大约相同，但通道可以比凹状部浅。在实施例中，通道的宽度小于凹状部的直径。然而，使通道太浅会增加排空传导性(排空阻力)，从而阻碍气体的充分排空并且妨碍实现预期的防滑效果。
在任何前述实施例中，主凹状部或凹陷部中的每一个可以具有实质上相同的形状和尺寸。在实施例中，凹陷通道或凹状通道的可以具有小于主凹状部或凹陷部的直径的宽度(例如，小于70％)。在另一个实施例中，凹陷通道可以具有与主凹状部或凹陷部的直径几乎相同的宽度。在实施例中，凹陷通道或凹状通道可以具有有效增强凹腔中的气体流动的深度(排空传导性有效地低)。在实施例中，深度可以与主凹状部或凹陷部的深度实质上相同或者小于主凹状部或凹陷部的深度(例如，小于70％)。
图4示出了根据一个实施例的加热器块的示意图。在图4中，凹状部与通道连接，并且然后与凹状部连接，并且孔被形成在周围以供晶片支撑销穿过衬底支撑装置。换句话说，图4中所示的加热器块11在衬底支撑区域17中具有许多像图1所示的凹状部(主凹状部)2，并且将三个相邻的凹状部的中心连接形成正三角形。而且，将与给定凹状部相邻的六个凹状部的中心连接形成正六边形。每一个凹状部2通过通道3连结，并且通道3的纵向横截面是矩形。图5示出了图4的虚线圆部分的放大视图以及加热器块11的截面B-B'的放大图。通道3使得衬底支撑表面(凸状部)6成为不连续的平面，或者成为由其边界由通道3和凹状部2限定的凸状部组成的一组隔离的表面。另一方面，凹状部2也形成包括由通道3连接的凹状部的连续的凹状结构。图4中示出的加热器块具有连接到用于衬底支撑销4的通孔的单个连续的凹状结构。这样，当衬底表面条件改变时，陷于凹状部内部的气体可以通过连接凹状部的通道从由衬底背面和加热器块构成的封闭空间排出。结果，可以防止衬底在加热器块上的滑动。
图6示出了加热器块的上表面的中心区域的放大透视图。还如图4中可见，中心凹状部15被形成并且通过通道3与相邻的主凹状部2连接。主凹状部2由多个凸状部6的内侧壁限定。中心凹状部15由多个凸状部9的内侧壁限定。中心凹状部15经由通过与实质上连接每两个相邻的主凹状部3的多个凹状通道3不同的形状或尺寸的凹状通道18与相邻的主凹状部3连接。凸状部9具有与凸状部6的横截面形状或尺寸不同的横截面形状或尺寸，并且凸状部9的外侧壁的轮廓形成实质上圆形的形状，而凸状部6的外侧壁不呈现这样的形状。由于凸状部9的形状，相邻的凸状部6形成部分圆形。
在(中心凹状部15和凸状部9的外侧壁的轮廓的)这些相异形状形成在加热器块的中心处的情况下，ATS可以识别加热器块的中心，并且检测圆形目标衬底的中心，以使得ATS可以成功地测量从其中心到加热器块上的目标衬底的中心的偏移。
而且，通过采用加热器块表面配置，当反应室中的压力或气体流动速率改变时，在衬底与加热器块表面之间的气体(存在于衬底背面下方的气体)仍然可以沿着前述凹状表面移动并且流动穿过通孔。
将参考不旨在限制本发明的具体示例来详细解释本发明的实施例。在具体示例中应用的数值可以被修改至少±50％的范围，其中可以包括或排除所述范围的端点。
示例
现在将参考以下实施例来解释本发明的实施例，所述实施例并不意在限制本发明的范围。
示例1
如图7和图8中所描绘的加热器块
图7中示出了加热器块的实施例的示意图。而且，图8中示出了加热器块的实施例的中心区域的放大示意图。在括号内示出了所述示例中所使用的具体值。
在这个示例中，加热器块的上表面的配置如下：
主凹状部的数量：选自大约300到大约1000的范围(示例：650)
主凹状部直径：选自大约2mm到大约20mm的范围(示例：9.0mm)
主凹状部深度：选自大约0.025mm到大约15mm的范围(示例：0.15mm)
主凹状部中心之间的距离：选自大约5mm到大约20mm的范围(示例：11.5mm)
通道宽度：选自大约1.0mm到大约14mm的范围(示例：2.0mm)
通道深度：选自大约0.025mm到大约15mm的范围(示例：0.2mm)
中心凹状部直径：选自大约2.0mm到大约17mm的范围(示例：9.0mm)
中心凹状部深度：选自大约0.025mm到大约15mm的范围(示例：0.15mm)
中心凹状部的形状：圆形(示例：圆形)
限定中心凹状部的凸状部的外侧壁的轮廓的形状：圆形(示例：圆形)
限定中心凹状部的凸状部的外侧壁的轮廓的形状的直径：选自大约3mm到大约25mm的范围(示例：13mm)
来自中心凹状部的通道的宽度：选自大约1.0mm到大约14mm的范围(示例：2.0mm)
来自中心凹状部的通道的深度：选自大约0.025mm到大约15mm的范围(示例：0.2mm)
加热器块材料：铝(示例：铝)
加热器块厚度：选自大约20mm到大约120mm的范围(示例：33mm)
加热器块直径：选自大约295mm到大约475mm的范围(示例：345mm)
在这个示例中，在中心处的凹状部或凹陷部具有圆形形状，并且限定中心凹状部或凹陷部的凸状部的外侧壁的轮廓也具有圆形形状。通过这种方式，ATS可以检测具有中心凹状部和圆形形状轮廓的圆形目标衬底的中心，所述圆形形状轮廓用作示出目标衬底的中心的清晰标记，以使得ATS可以成功地测量从其中心到加热器块上的目标衬底的中心的偏移。也证实这不影响形成在衬底上的膜的质量。
示例2
如图9和图10中所描绘的加热器块
在括号内示出了所述示例中所使用的具体值。.图9中示出了加热器块的实施例的示意图。而且，图10中示出了加热器块的实施例的中心区域的放大示意图。在括号内示出了所述示例中所使用的具体值。
在这个示例中，加热器块的上表面的配置如下：
主凹状部的数量：选自大约300到大约1000的范围(示例：650)
主凹状部直径：选自大约2mm到大约20mm的范围(示例：9.0mm)
主凹状部深度：选自大约0.025mm到大约15mm的范围(示例：0.15mm)
主凹状部中心之间的距离：选自大约5mm到大约20mm的范围(示例：11.5mm)
通道宽度：：选自大约1.0mm到大约14mm的范围(示例：2.0mm)
通道深度：选自大约0.025mm到大约15mm的范围(示例：0.2mm)
中心凹状部直径：选自大约2.0mm到大约17mm的范围(示例：9.0mm)
中心凹状部深度：选自大约0.025mm到大约15mm的范围(示例：0.15mm)
中心凹状部的形状：圆形(示例：圆形)
限定中心凹状部的凸状部的外侧壁的轮廓的形状：多边形(示例：六边形)
限定中心凹状部的凸状部的外侧壁的轮廓的形状的大小：选自大约3mm到大约25mm的范围(示例：12mm)
来自中心凹状部的通道的宽度：选自大约1.0mm到大约14mm的范围(示例：2.0mm)
来自中心凹状部的通道的深度：选自大约0.025mm到大约15mm的范围(示例：0.2mm)
加热器块材料：铝(示例：铝)
加热器块厚度：选自大约20mm到大约120mm的范围(示例：45mm)
加热器块直径：选自大约295mm到大约475mm的范围(示例：345mm)
在这个示例中，在中心处的凹状部或凹陷部具有圆形形状，并且限定中心凹状部或凹陷部的凸状部的外侧壁的轮廓具有六边形形状。通过这种方式，ATS可以检测具有圆形形状的中心凹状部和六边形形状的轮廓的圆形目标衬底的中心，所述六边形形状的轮廓用作示出目标衬底的中心的清晰标记，以使得ATS可以成功地测量从其中心到加热器块上的目标衬底的中心的偏移。也证实这不影响形成在衬底上的膜的质量。
示例3
如图11和图12所示的加热器块
在括号内示出了所述示例中所使用的具体值。图11中示出了加热器块的实施例的示意图。而且，图12中示出了加热器块的实施例的中心区域的放大示意图。在括号内示出了所述示例中所使用的具体值。
在这个示例中，加热器块的上表面的配置如下：
主凹状部的数量：选自大约300到大约1000的范围(示例：650)
主凹状部直径：选自大约2mm到大约20mm的范围(示例：9.0mm)(示例：9.0mm)
主凹状部深度：选自大约0.025mm到大约15mm的范围(示例：0.15mm)
主凹状部中心之间的距离：选自大约5mm到大约20mm的范围(示例：11.5mm)
通道宽度：选自大约1.0mm到大约14mm的范围(示例：2.0mm)
通道深度：选自大约0.025mm到大约15mm的范围(示例：0.2mm)
中心凹状部直径：选自大约2.0到大约20mm的范围(示例：9.0mm)
中心凹状部深度：选自大约0.025mm到大约15mm的范围(示例：0.15mm)
中心凹状部的形状：圆形(示例：圆形)
来自中心凹状部的通道的宽度：选自大约1.0mm到大约14mm的范围(示例：2.0mm)
来自中心凹状部的通道的深度：选自大约0.025mm到大约15mm的范围(示例：0.2mm)
加热器块材料：铝(示例：铝)
加热器块厚度：选自大约20mm到大约120mm的范围(示例：45mm)
加热器块直径：选自大约295mm到大约475mm的范围(示例：345mm)
在这个示例中，在中心处的凹状部或凹陷部具有比主凹状部或凹陷部的直径更小的直径的圆形形状。通过这种方式，ATS可以检测具有较小圆形形状的中心凹状部的圆形目标衬底的中心，所述具有较小圆形形状的中心凹状部用作示出目标衬底的中心的清晰标记，以使得ATS可以成功地测量从其中心到加热器块上的目标衬底的中心的偏移。也证实这不影响形成在衬底上的膜的质量。
示例4
如图13和图14所示的加热器块
图13中示出了加热器块的实施例的示意图。而且，图14中示出了加热器块的实施例的中心区域的放大示意图。在括号内示出了所述示例中所使用的具体值。
在这个示例中，加热器块的上表面的配置如下：
主凹状部的数量：选自大约300到大约1000的范围(示例：650)
主凹状部直径：选自大约2mm到大约20mm的范围(示例：9.0mm)(示例：9.0mm)
主凹状部深度：选自大约0.025mm到大约15mm的范围(示例：0.15mm)
主凹状部中心之间的距离：选自大约5mm到大约20mm的范围(示例：11.5mm)
通道宽度：选自大约1.0mm到大约14mm的范围(示例：2.0mm)
通道深度：选自大约0.025mm到大约15mm的范围(示例：0.2mm)
中心凹状部尺寸：距选自大约2.0mm到大约17mm的范围(示例：9.0mm)的中心点的最大长度，
中心凹状部深度：选自大约0.025mm到大约15mm的范围(示例：0.15mm)
中心凹状部的形状：多边形(示例：六边形)
限定中心凹状部的凸状部的外侧壁的轮廓的形状：圆形(示例：圆形)
限定中心凹状部的凸状部的外侧壁的轮廓的形状的直径：选自大约3mm到大约25mm的范围(示例：12mm)
来自中心凹状部的通道的宽度：选自大约1.0mm到大约14mm的范围(示例：2.0mm)
来自中心凹状部的通道的深度：选自大约0.025mm到大约15mm的范围(示例：0.2mm)
加热器块材料：铝(示例：铝)
加热器块厚度：选自大约20mm到大约120mm的范围(示例：45mm)
加热器块直径：选自大约295mm到大约475mm的范围(示例：345mm)
在这个示例中，在中心处的凹状部或凹陷部具有六边形形状，并且限定中心凹状部或凹陷部的凸状部的外侧壁的轮廓具有圆形形状。通过这种方式，ATS可以检测具有六边形形状的中心凹状部和圆形形状轮廓的圆形目标衬底的中心，所述圆形形状轮廓用作示出目标衬底的中心的清晰标记，以使得ATS可以成功地测量从其中心到加热器块上的目标衬底的中心的偏移。也证实这不影响形成在衬底上的膜的质量。
关于本文中实质上任何复数和/或单数术语的使用，本领域技术人员可以根据上下文适当地将复数转化为单数和/或将单数转化为复数。
已经包含在本公开中的对背景技术的任何讨论仅仅是出于提供本发明的背景的目的，并且不应当被视为承认任何或全部讨论形成先前技术的一部分或在作出本发明时在本领域中是已知的。
尽管出于图示的目的在目前认为最实用和优选的实施方案基础上对本公开的系统和/或方法进行了详细描述，但是应该理解的是，这样的细节仅仅是为了该目的，并且本公开并不限于所公开的实施方案，而是相反，旨在涵盖在所附的权利要求书的精神和范围内的修改和等同布置。举例来说，应该理解的是，本公开预期，在可能的范围内，任何实施方案的一个或多个特征可以与任何其它实施方案的一个或多个特征组合。

Claims (20)

1.一种加热器块，所述加热器块适于安装在包括喷淋头和反应室的等离子体沉积或等离子体蚀刻设备中，所述加热器块适于布置在所述反应室中以支撑衬底，并且包括：
至少一个通孔，所述至少一个通孔穿过所述加热器块，和
在所述加热器块的上表面上的多个表面，所述多个表面彼此分离并且由连续凹腔限定；并且所述连续凹腔包括：
多个主凹状部或凹陷部，和
多个凹状通道，所述多个凹状通道实质上连接每两个相邻的主凹状部或凹陷部，以及
在所述加热器块的中心处的凹状部或凹陷部，该凹状部或凹陷部具有与所述多个主凹状部或凹陷部不同的形状或尺寸。
2.根据权利要求1所述的加热器块，其中，当以三维方式观察时，在所述加热器块的所述中心处的所述凹状部或凹陷部具有圆柱形形状、没有尖端的倒锥形形状或多边柱状形状。
3.根据权利要求1所述的加热器块，其中，在所述加热器块的所述中心处的所述凹状部或凹陷部具有圆柱形形状，所述圆柱形形状具有选自大约2毫米到大约20毫米的范围的直径。
4.根据权利要求1所述的加热器块，其中，在所述加热器块的所述中心处的所述凹状部或凹陷部由多个凸状部的内侧壁限定，并且所述多个凸状部的外侧壁的轮廓具有圆形或多边形形状。
5.根据权利要求1所述的加热器块，其中，所述多个主凹状部或凹陷部和所述多个凹状通道由多个凸状部的侧壁限定。
6.根据权利要求1所述的加热器块，其中，限定在所述加热器块的所述中心处的所述凹状部或凹陷部的多个凸状部具有与限定所述多个主凹状部或凹陷部和所述多个凹状通道的多个凸状部不同的形状。
7.根据权利要求1所述的加热器块，其中，限定在所述加热器块的所述中心处的所述凹状部或凹陷部的多个凸状部具有与限定所述多个主凹状部或凹陷部和所述多个凹状通道的多个凸状部不同的形状，并且所述多个凸状部两者都具有侧壁，所述侧壁的边缘被以选自大约0.1毫米到大约2毫米的范围的半径圆化或倒角。
8.根据权利要求1所述的加热器块，其中，在所述加热器块的所述中心处的所述凹状部或凹陷部经由具有与实质上连接每两个相邻的主凹状部或凹陷部的所述多个凹状通道不同的形状或尺寸的凹状通道与相邻的主凹状部连接。
9.根据权利要求1所述的加热器块，其中，所述主凹状部或凹陷部中的每一个具有实质上相同的形状和尺寸。
10.根据权利要求1所述的加热器块，其中，所述至少一个通孔包含被用于衬底升降销的至少一个通孔。
11.一种加热器块，所述加热器块适于安装在包括喷淋头和反应室的等离子体沉积或等离子体蚀刻设备中，所述加热器块适于布置在所述反应室中以支撑衬底，并且包括：
至少一个通孔，所述至少一个通孔穿过所述加热器块，和
在所述加热器块的上表面上的多个表面，所述多个表面彼此分离并且由连续凹腔限定；并且所述连续凹腔包括：
多个主凹状部或凹陷部，和
多个凹状通道，所述多个凹状通道实质上连接每两个相邻的主凹状部或凹陷部，
其中在所述加热器块的所述中心处的凹状部或凹陷部由多个凸状部的内侧壁限定，并且所述多个凸状部的外侧壁的轮廓具有圆形或多边形形状。
12.一种衬底处理设备，包括根据权利要求1所述的加热器块。
13.根据权利要求12所述的衬底处理设备，其中，所述多个主凹状部或凹陷部、所述多个凹状通道和具有与所述多个主凹状部或凹陷部不同的形状或尺寸的在所述加热器块的中心处的所述凹状部或凹陷部由多个凸状部限定，并且所述衬底实质上由所述多个凸状部的顶表面支撑。
14.根据权利要求12所述的衬底处理设备，其中，所述加热器块包括承受器和加热器。
15.一种处理设备，包括：
喷淋头；
反应室；和
加热器块，所述加热器块布置在所述反应室中，所述加热器块包括：
至少一个通孔，所述至少一个通孔穿过所述加热器块，和
在所述加热器块的上表面上的多个表面，所述多个表面彼此分离并且由连续凹腔限定；并且所述连续凹腔包括：
多个主凹状部或凹陷部，
多个凹状通道，所述多个凹状通道实质上连接每两个相邻的主凹状部或凹陷部，和
在所述加热器块的中心处的凹状部或凹陷部，该凹状部或凹陷部具有与所述多个主凹状部或凹陷部不同的形状或尺寸。
16.根据权利要求15所述的处理设备，其中，当以三维方式观察时，在所述加热器块的所述中心处的所述凹状部或凹陷部具有圆柱形形状、没有尖端的倒锥形形状或多边柱状形状。
17.根据权利要求15所述的处理设备，其中在所述加热器块的所述中心处的所述凹状部或凹陷部具有圆柱形形状，所述圆柱形形状具有选自大约2毫米到大约20毫米的范围的直径。
18.根据权利要求15所述的处理设备，其中，在所述加热器块的所述中心处的所述凹状部或凹陷部由多个凸状部的内侧壁限定，并且所述多个凸状部的外侧壁的轮廓具有圆形或多边形形状。
19.根据权利要求15所述的处理设备，其中，所述多个主凹状部或凹陷部和所述多个凹状通道由多个凸状部的侧壁限定。
20.根据权利要求15所述的处理设备，其中所述处理设备被配置成用于在衬底上沉积或蚀刻材料。
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