TWI761443B - 具有連續凹部之加熱器組件 - Google Patents

具有連續凹部之加熱器組件 Download PDF

Info

Publication number
TWI761443B
TWI761443B TW107104135A TW107104135A TWI761443B TW I761443 B TWI761443 B TW I761443B TW 107104135 A TW107104135 A TW 107104135A TW 107104135 A TW107104135 A TW 107104135A TW I761443 B TWI761443 B TW I761443B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
heater assembly
recess
recesses
shape
center
Prior art date
Application number
TW107104135A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201903933A (zh
Inventor
近藤裕志
Original Assignee
荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 filed Critical 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司
Publication of TW201903933A publication Critical patent/TW201903933A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI761443B publication Critical patent/TWI761443B/zh

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4586—Elements in the interior of the support, e.g. electrodes, heating or cooling devices
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45527—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the ALD cycle, e.g. different flows or temperatures during half-reactions, unusual pulsing sequence, use of precursor mixtures or auxiliary reactants or activations
    • C23C16/45536—Use of plasma, radiation or electromagnetic fields
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • H01J37/32724—Temperature
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/332—Coating
    • H01J2237/3321—CVD [Chemical Vapor Deposition]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/334—Etching

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

本發明提供一種適於安裝於包含一噴淋頭及一反應腔室之一電漿沈積或電漿蝕刻裝置中之加熱器組件，該加熱器組件適於配置於該反應腔室中以支撐一基板且包含：至少一個通孔，其穿過該加熱器組件；及其上表面上之複數個表面，其等彼此分離且由一連續凹部界定；且該連續凹部包含：複數個主要凹部或凹陷；複數個凹部通道，其等實質上連接每兩個相鄰主要凹部或凹陷；及該加熱器組件之中心處的一凹部或凹陷，其具有不同於該複數個主要凹部或凹陷之一形狀或大小。

Description

具有連續凹部之加熱器組件
本發明大體上係關於一種用於在一半導體製程中使用之一裝置，特定言之用於一電漿沈積或蝕刻裝置的加熱器組件或工件支架。
作為一半導體製程之部分，一般使用電漿增強化學氣相沈積(PECVD)及電漿增強原子層沈積(PEALD)程序以將膜沈積於定位於腔室中之一加熱器組件或工件支架上的一工件(諸如一半導體基板)之一圖案化表面上。彼等程序通常藉由將一前驅物氣體或氣體混合物引入至含有一加熱器組件或工件支架上之一工件之一腔室中而實現。通常經由定位於腔室之頂部周圍的一噴淋板向下引導前驅物氣體或氣體混合物。
在此一程序中，使用加熱器組件或工件支架以支撐基板，且可處理其表面以添加圖案(例如，連續凹部及凸部)，使得凸部支撐基板且凹部不接觸基板，使得圖案發揮避免外物附著至基板之背面或防止基板黏至加熱器組件或工件支架的作用。 習知地，常常由一人手動完成一基板在一加熱器組件或工件支架上之一位置的判定。然而，近來，自動辨識一基板之一位置的技術已進步，且出於基板轉移目的，偵測基板中心之位置已對達成自動辨識基板位置變得更重要。 圖1展示一加熱器組件11的一概圖，其展示該加熱器組件11之一上表面。在圖1中，複數個圓柱形形狀之凹部2提供於一加熱器組件11之一基板支撐區域17的上表面上。圖2展示加熱器組件11之上表面的一部分之截面A-A′的一放大圖。相鄰凹部2之中心之間的距離大致恆定。圖1中所展示之加熱器組件11具有一基板支撐表面6上之複數個凹坑狀凹部2且基板支撐表面6係一連續平面。配置用於基板支撐銷4之通孔，而不管凹部2之圖案為何。 在結合自動辨識一基板之一位置的技術使用圖1之此種類加熱器組件時，發現由於加熱器組件11之上表面具有凹部2之一類似圖案，故一自動辨識感測器難以準確地量測或偵測放置於加熱器組件11之上表面上的一目標基板之一中心點的位置。 本發明之一實施例之一目的係提供一種適於安裝於包括一噴淋頭、一加熱器組件及一反應腔室之一電漿沈積或電漿蝕刻裝置中之加熱器組件，該加熱器組件適於配置於該反應腔室中以支撐一基板且包括：至少一個通孔，其穿過該加熱器組件；及其上表面上之複數個表面，其等彼此分離且由一連續凹部界定；且該連續凹部包括：複數個主要凹部或凹陷；複數個凹部通道，其等實質上連接每兩個相鄰主要凹部或凹陷；及該加熱器組件之中心處的一凹部或凹陷，其具有不同於該複數個主要凹部或凹陷之一形狀或大小。 在一態樣中，一種加熱器組件適於安裝於包括一噴淋頭、一加熱器組件及一反應腔室之一電漿沈積或電漿蝕刻裝置中，該加熱器組件適於配置於該反應腔室中以支撐一基板且包括：至少一個通孔，其穿過該加熱器組件；及其上表面上之複數個表面，其等彼此分離且由一連續凹部界定；且該連續凹部包括：複數個主要凹部或凹陷；複數個凹部通道，其等實質上連接每兩個相鄰主要凹部或凹陷，其中該加熱器組件之中心處的一凹部或凹陷係由複數個凸部之內側壁界定，且該複數個凸部之外側壁的輪廓具有一圓形或一多邊形形狀。 在一實施例中，提供一種包括一加熱器組件之基板處理裝置，該加熱器組件適於安裝於包括一噴淋頭、一加熱器組件及一反應腔室之一電漿沈積或電漿蝕刻裝置中，該加熱器組件適於配置於該反應腔室中以支撐一基板且包括：至少一個通孔，其穿過該加熱器組件；及其上表面上之複數個表面，其等彼此分離且由一連續凹部界定；且該連續凹部包括：複數個主要凹部或凹陷；複數個凹部通道，其等實質上連接每兩個相鄰主要凹部或凹陷；及該加熱器組件之中心處的一凹部或凹陷，其具有不同於該複數個主要凹部或凹陷之一形狀或大小。 在一實施例中，提供一種處理裝置，其包括：一噴淋頭；一反應腔室；及一加熱器組件，其配置於該反應腔室中，該加熱器組件包括：至少一個通孔，其穿過該加熱器組件；及其上表面上之複數個表面，其等彼此分離且由一連續凹部界定；且該連續凹部包括：複數個主要凹部或凹陷；複數個凹部通道，其等實質上連接每兩個相鄰主要凹部或凹陷；及該加熱器組件之中心處的一凹部或凹陷，其具有不同於該複數個主要凹部或凹陷之一形狀或大小。 出於概述本發明之態樣及經由相關技術達成之一或多個優點的目的，在本發明中描述特定目的及優點。當然，應理解，未必可根據任何特定實施例達成所有或任何此等目的或優點。因此，例如，熟習此項技術者將認知，可以達成或最佳化如本文中所教示之一個優點或優點群組而未必達成如可本文中所教示或所建議之一或多個其他目的或優點之一方式體現或執行本發明。本發明之進一步態樣、特徵及優點將自下文詳細描述變得顯而易見。 本文中所揭示之系統及/或方法的此等及其他目的、特徵及特性以及相關結構元件及部件組合之操作方法及功能與製造之經濟性將在參考隨附圖式(全部隨附圖式形成本說明書之一部分，其中相同元件符號在各個圖中指定對應部分)考量下文描述及隨附技術方案之後變得更加顯而易見。然而，應明確地理解，圖式僅用於繪示及描述之目的且並不意欲為界定本發明之限制。如在說明書中及技術方案中使用，除非內文另有清楚地規定，否則單數形式「一」、「一個」及「該」包含複數個參考物。
本發明包含但不限於下列實施例： 本發明之實施例一般應用於用於執行一半導體製程之一裝置的加熱器組件、工件支架或基板支撐器件(後文中稱為「加熱器組件」)。作為此製程之一實例，解釋電漿增強ALD (PEALD)以更好地理解如何使用裝置以沈積膜及如何在裝置中使用加熱器組件。毋庸置疑，加熱器組件可替代地或另外用於執行一PECVD程序之一裝置。此外，本發明之實施例並非意欲於限於在執行PEALD及PECVD程序之裝置中使用或結合執行PEALD及PECVD程序之裝置使用。 在PEALD程序中，一工件(例如，一基板，諸如一半導體晶圓)放置於一反應腔室中且經受交替重複表面反應。薄SiN膜係藉由重複一自限性ALD循環而形成。期望地，為了形成SiN膜，各ALD循環包括至少兩個相異階段。自反應空間供應及移除一反應物可被視為一階段。在一第一階段中，提供包括矽之一第一反應物且該反應物在工件表面上形成不多於約一個單層。此反應物亦在本文中稱為「矽前驅物」、「含矽前驅物」、「含鹵素矽前驅物」或「矽反應物」且可為例如H2 SiI2 、(SiI2 )(NH2 )2 、(SiI2 )(NHMe)2 、(SiI2 )(NHEt)2 、(SiI2 )(NHi Pr)2 、(SiI2 )(NHt Bu)2 、(SiI2 )(NMe2 )2 、(SiI2 )(NMeEt)2 、(SiI2 )(NMei Pr)2 、(SiI2)(NMet Bu)2 、(SiI2 )(NEt2 )2 、(SiI2 )(NEti Pr)2 、(SiI2 )(NEtt Bu)2 、(SiI2 )(Ni Pr2 )2 、(SiI2 )(Ni Prt Bu)2 及(SiI2 )(Nt Bu)2 。 在一第二階段中，提供包括一反應性物質之一第二反應物且該第二反應物可將經吸附矽轉換為氮化矽。第二反應物可包括氮前驅物。反應性物質可包括一激發物質。來自惰性氣體之此等反應性物質未必對經沈積膜貢獻材料，但可在一些境況中促進膜生長並以及幫助電漿的形成及點燃。在一些實施例中，用以形成一電漿之一氣體可貫穿沈積程序恆定地流動但僅間歇地激活。 可根據期望添加或移除額外階段以調整最終膜之組合物。可借助於一載氣(諸如Ar或He)提供反應物之一或多者。借助於一載氣提供矽前驅物及第二反應物。兩個階段可重疊或組合。例如，可依部分或完全重疊之脈衝同時提供矽前驅物及第二反應物。另外，儘管稱為第一階段與第二階段及第一反應物與第二反應物，但階段之次序可變化，且一ALD循環可開始於階段中任一者。即，除非另有指定，否則可以任何次序提供反應物，且程序可開始於反應物中任一者。 接著，下文更詳細解釋一電漿沈積裝置之一實例性實施例的組態。 作為電漿沈積裝置之一實例，圖3展示根據一實施例之一PEALD裝置1的一示意圖。如圖3中所展示，PEALD裝置1包括：一真空(反應)腔室10，其至少部分由一腔室壁19界定；一噴淋頭12 (或一噴淋板12)，其提供於腔室10之頂部處；及一絕緣體34，其提供於噴淋頭12 (其在一實施例中形成一電極)周圍。一加熱器組件(或工件支架、基板支撐器件) 5實質上平行於噴淋頭12提供於腔室10內側。RF電源7及8連接至附接至噴淋頭12之一氣體導管。腔室10具有在其側部處具一排氣閥(未展示)之一開口且包括連接至一排氣泵(未展示)之一排氣導管(未展示)。另外，腔室10接地且藉由絕緣體34而與噴淋頭12絕緣。腔室10亦具有在一內側上具一閘閥(未展示)用於工件轉移之一開口。 噴淋頭12及一遮罩板13藉由一或多個螺桿25而固定至彼此，且一O形環14提供於噴淋頭12與遮罩板13之間。在噴淋頭12中，如圖3中所繪示之諸多氣體出口孔隙21 (噴淋頭12之一區20 (例如，圓形區)內的洞或孔)經形成使得自氣體入口通孔引入之一源氣體的一噴流自孔隙朝向加熱器組件5發射。加熱器組件5由一基座50及在加熱器組件5之下端處附接至基座50的一加熱器51組成。基座50實質上平行於噴淋頭12安置，且用以支撐放置於其上表面上之一基板16。 可使用ATS (自動教導系統)(例如，WaferSenseTM ATS)執行一基板之一位置的自動辨識或偵測。ATS感測器可放置於凸起轉移銷上以使用發光二極體獲得加熱器組件上之一目標基板的影像。ATS具有辨識圓形目標基板之一優點，並且可分析經獲得影像且量測自其本身幾何中心至目標中心之X-Y-Z偏移。ATS接著可將彼等影像傳輸至一電腦且將彼等影像顯示於其螢幕上。ATS可提供一即時且準確的偏移量測。為了偵測一目標基板之偏移，提供一清晰標記，該清晰標記展示加熱器組件之中心，使得ATS可量測自其中心至加熱器組件上之一目標基板的中心之偏移。亦重要的是，確保此不影響形成於一基板上之膜的一品質。 在一實施例中，一種加熱器組件適於安裝於包括一噴淋頭、一加熱器組件及一反應腔室之一電漿沈積或電漿蝕刻裝置中，該加熱器組件適於配置於該反應腔室中以支撐一基板且包括：至少一個通孔，其穿過該加熱器組件；及其上表面上之複數個表面，其等彼此分離且由一連續凹部界定；且該連續凹部包括：複數個主要凹部或凹陷；複數個凹部通道，其等實質上連接每兩個相鄰主要凹部或凹陷；及該加熱器組件之中心處的一凹部或凹陷，其具有不同於該複數個主要凹部或凹陷之一形狀或大小。 在一實施例中，該加熱器組件之該中心處的一凹部或凹陷具有不同於該複數個主要凹部或凹陷之一形狀或大小，且在以三維觀看時，該加熱器組件之該中心處的該凹部或凹陷具有一圓柱形形狀、無尖端之一倒錐形形狀或一多邊形柱狀形狀。在一實施例中，該加熱器組件之該中心處的該凹部或凹陷具有一圓柱形形狀，該圓柱形形狀具有約2毫米與約20毫米之間的一直徑。 在一實施例中，該加熱器組件之該中心處的該凹部或凹陷係由複數個凸部之內側壁界定，且該複數個凸部之外側壁的輪廓具有一圓形或一多邊形形狀。在一實施例中，該複數個主要凹部或凹陷及實質上連接每兩個相鄰主要凹部或凹陷之該複數個凹部通道係由複數個凸部之側壁界定。在一實施例中，界定該加熱器組件之該中心處的該凹部或凹陷之複數個凸部具有不同於界定該複數個主要凹部或凹陷及實質上連接每兩個相鄰主要凹部或凹陷之該複數個凹部通道的複數個凸部之一形狀。 在一實施例中，界定該加熱器組件之該中心處的該凹部或凹陷之複數個凸部具有不同於界定該複數個主要凹部或凹陷及實質上連接每兩個相鄰主要凹部或凹陷之該複數個凹部通道的複數個凸部之一形狀，且兩種該複數個凸部具有側壁，該等側壁之邊緣呈圓角或倒角，具有約0.1毫米與約2毫米之間的一半徑。若該複數個凸部之該等側壁的該等邊緣可為圓角或倒角，則此意謂可能在一個金屬加工程序中形成各凸部，由此實質上減少在該等邊緣處毛邊之形成。已發現具有此等凸部之該加熱器組件可幫助改良形成於該基板上之膜的品質。 在一實施例中，該加熱器組件之該中心處的該凹部或凹陷經由具有不同於實質上連接每兩個相鄰主要凹部或凹陷之該複數個凹部通道的一形狀或大小之凹部通道而與相鄰主要凹部連接。在一實施例中，該等主要凹部或凹陷之各者具有實質上相同形狀及大小。在一實施例中，該至少一個通孔包含用於一基板升降銷之至少一個通孔。 在一實施例中，一種加熱器組件適於安裝於包括一噴淋頭、一加熱器組件及一反應腔室之一電漿沈積或電漿蝕刻裝置中，該加熱器組件適於配置於該反應腔室中以支撐一基板且包括：至少一個通孔，其穿過該加熱器組件；及其上表面上之複數個表面，其等彼此分離且由一連續凹部界定；且該連續凹部包括：複數個主要凹部或凹陷；複數個凹部通道，其等實質上連接每兩個相鄰主要凹部或凹陷，其中該加熱器組件之中心處的一凹部或凹陷係由複數個凸部之內側壁界定，且該複數個凸部之外側壁的輪廓具有一圓形或一多邊形形狀。在一實施例中，該加熱器組件之該中心處的該凹部或凹陷經由具有不同於實質上連接每兩個相鄰主要凹部或凹陷之該複數個凹部通道的一形狀或大小之凹部通道而與相鄰主要凹部連接。 在一實施例中，一種加熱器組件適於安裝於包括一噴淋頭、一加熱器組件及一反應腔室之一電漿沈積或電漿蝕刻裝置中，該加熱器組件適於配置於該反應腔室中以支撐一基板且包括：至少一個通孔，其穿過該加熱器組件；及其上表面上之複數個表面，其等彼此分離且由一連續凹部界定；且該連續凹部包括：複數個主要凹部或凹陷；複數個凹部通道，其等實質上連接每兩個相鄰主要凹部或凹陷，其中該加熱器組件之中心處的一凹部或凹陷係由複數個凸部之內側壁界定，且該複數個凸部之外側壁的輪廓具有一圓形或一多邊形形狀。 在一實施例中，一種基板處理裝置包括如本文中所描述之一加熱器組件。在一實施例中，一種基板處理裝置包括如本文中所描述之一加熱器組件，其中複數個主要凹部或凹陷、實質上連接每兩個相鄰主要凹部或凹陷之複數個凹部通道及在加熱器組件之中心處具有不同於該複數個主要凹部或凹陷之一形狀或大小的凹部或凹陷係由複數個凸部界定，且該基板實質上由該複數個凸部之頂面支撐。在一實施例中，一種基板處理裝置包括如本文中所描述之一加熱器組件，其中該加熱器組件包括一基座及一加熱器。 在一實施例中，一種處理裝置包括：一噴淋頭；一反應腔室；及一加熱器組件，其配置於該反應腔室中，該加熱器組件包括：至少一個通孔，其穿過該加熱器組件；及其上表面上之複數個表面，其等彼此分離且由一連續凹部界定；且該連續凹部包括：複數個主要凹部或凹陷；複數個凹部通道，其等實質上連接每兩個相鄰主要凹部或凹陷；該加熱器組件之中心處的一凹部或凹陷，其具有不同於該複數個主要凹部或凹陷之一形狀或大小。在一實施例中，前述處理裝置包括一加熱器組件，在以三維觀看時，該加熱器組件在其中心處的凹部或凹陷具有一圓柱形形狀、無一尖端之一倒錐形形狀或一多邊形柱狀形狀。在一實施例中，前述處理裝置包括一加熱器組件，該加熱器組件在其中心處的凹部或凹陷具有一圓柱形形狀，該圓柱形形狀約2毫米與約20毫米之間的一直徑。 在一實施例中，該加熱器組件之外周邊有意地經成形，使得該加熱器組件之頂面總是接觸該基板或晶圓。可使已添加一規則凹部圖案之該加熱器組件區域小於該晶圓區域。 藉由調適前述加熱器組件，當反應腔室中之壓力或氣體流速改變時，基板與加熱器組件表面之間的氣體(存在於基板背面下方的氣體)可沿前述凹部結構移動且流動通過通孔。因此，加熱器組件可最小化在程序條件於正形成一膜時或在此後沖洗循環期間改變之情況下歸因於在加熱器組件之一表面上方滑動而發生非均勻膜厚度之形成。 在一實施例中，凹部具有一圓柱形形狀、無一尖端之一倒錐形形狀或一多邊形柱狀形狀。除一圓形外，其截面形狀亦可為一三角形、正方形、五邊形、六邊形或其他多邊形或甚至橢圓形。在一實施例中，凹部具有一梯形形狀。理想地，主要凹部應具有相同大小及形狀且大致均勻地分佈遍及加熱器組件之整個頂面。連接此等凹部之通道(或凹部通道)僅需要連結及連接凹部且可具有除一正方形外之任何縱向截面形狀，諸如一倒三角形、圓形或橢圓形。在一實施例中，通道之深度大致相同於凹部，但通道可淺於凹部。在一實施例中，通道之寬度小於凹部之直徑。然而，使通道過淺增大排氣流導(排氣阻力)，從而防止充分排出氣體且阻礙達成一所預期防滑效應。 在前述實施例中任一者中，主要凹部或凹陷之各者可具有實質上相同形狀及大小。在一實施例中，凹陷通道或凹部通道可具有比主要凹部或凹陷之一直徑小(例如，小於70%)的一寬度。在另一實施例中，凹陷通道可具有接近相同於主要凹部或凹陷之直徑的一寬度。在一實施例中，凹陷通道或凹部通道可具有有效增強凹部中之氣流(排氣流導足夠低)的一深度。在一實施例中，深度可實質上相同於主要凹部或凹陷之一深度，或比主要凹部或凹陷之深度小(例如，小於70%)。 圖4展示根據一實施例之一加熱器組件的一示意圖。在圖4中，凹部與通道連接且接著與凹部連接，且圍繞穿過基板支撐器件之晶圓支撐銷產生洞。換言之，圖4中所展示之一加熱器組件11在基板支撐區域17(正如圖1中之基板支撐區域)中具有諸多凹部(主要凹部) 2，且連接三個相鄰凹部之中心形成一正三角形。再者，連接相鄰於一給定凹部之六個凹部之中心形成一正六邊形。各凹部2藉由一通道3而連結，且通道3之縱向截面係一矩形。圖5展示圖4之虛線圓部分的一放大圖及加熱器組件11之區段B-B′的一放大圖。通道3使基板支撐表面(凸部) 6呈一斷續平面或由邊界係由通道3及凹部2界定之凸部組成的一隔離表面群組。另一方面，凹部2亦形成包括藉由通道3而連接之凹部的一連續凹部結構。圖4中所展示之加熱器組件具有連接至用於基板支撐銷4之通孔的一單一連續凹部結構。以此方式，在基板表面條件改變時，捕集於凹部內側之氣體可通過連接凹部之通道自由基板之背面及加熱器組件構成的封閉空間排出。因此，可防止基板在一加熱器組件上滑動。 圖6展示加熱器組件之上表面的中心區域之一放大透視圖。亦如圖4中所見，一中心凹部15經形成且透過通道3與相鄰的主要凹部2連接。主要凹部2係由複數個凸部6之內側壁界定。中心凹部15係由複數個凸部9之內側壁界定。中心凹部15經由具有不同於實質上連接每兩個相鄰主要凹部3之複數個凹部通道3的一形狀或大小之凹部通道18而與相鄰的主要凹部3連接。一凸部9具有不同於一凸部6之彼截面形狀或大小的一截面形狀或大小，且凸部9之外側壁的輪廓實質上形成一圓之一形狀，而凸部6之外側壁未展現此一形狀。由於凸部9之形狀，相鄰凸部6形成一部分圓。 在(一中心凹部15及凸部9之外側壁的一輪廓之)此等相異形狀形成於加熱器組件之中心處的情況下，ATS可辨識加熱器組件之中心，且偵測一圓形目標基板之中心，使得ATS可成功地量測自其中心至加熱器組件上之一目標基板的中心之偏移。 再者，藉由採用加熱器組件表面組態，當反應腔室中之壓力或氣體流速改變時，基板與加熱器組件表面之間的氣體(存在於基板之背面下方的氣體)仍可沿前述凹部結構移動且流動通過通孔。 將參考並非意欲於限制本發明之特定實例詳細解釋本發明之實施例。特定實例中應用之數值可修改達至少±50%之一範圍，其中可包含或不含範圍之端點。實例 現將參考並非意欲於限制本發明之範疇的下列實例解釋本發明之一實施例。實例 1 如圖7及圖8中所描繪之加熱器組件 圖7中展示一加熱器組件之一實施例的一示意圖。再者，圖8中展示一加熱器組件之一實施例的一中心區域之一放大示意圖。在括弧中展示實例中使用之特定值。 在此實例中，一加熱器組件之一上表面的組態如下： 主要凹部之數目：選自約300至約1000之一範圍(實例：650) 主要凹部直徑：選自約2 mm至約20 mm之一範圍(實例：9.0 mm) 主要凹部深度：選自約0.025 mm至約15 mm之一範圍(實例：0.15 mm) 主要凹部中心之間的距離：選自約5 mm至約20 mm之一範圍(實例：11.5 mm) 通道寬度：選自約1.0 mm至約14 mm之一範圍(實例：2.0 mm) 通道深度：選自約0.025 mm至約15 mm之一範圍(實例：0.2 mm) 中心凹部直徑：選自約2.0 mm至約17 mm之一範圍(實例：9.0 mm) 中心凹部深度：選自約0.025 mm至約15 mm之一範圍(實例：0.15 mm) 中心凹部之形狀：圓形(實例：圓形) 界定中心凹部之凸部的外側壁之輪廓的形狀：圓形(實例：圓形) 界定中心凹部之凸部的外側壁之輪廓的形狀之直徑：選自約3 mm至約25 mm之一範圍(實例：13 mm) 通道距中心凹部之寬度：選自約1.0 mm至約14 mm之一範圍(實例：2.0 mm) 通道距中心凹部之深度：選自約0.025 mm至約15 mm之一範圍(實例：0.2 mm) 加熱器組件材料：鋁(實例：鋁) 加熱器組件厚度：選自約20 mm至約120 mm之一範圍(實例：33 mm) 加熱器組件直徑：選自約295 mm至約475 mm之一範圍(實例：345 mm) 在此實例中，中心處之凹部或凹陷具有一圓形形狀，且界定中心凹部或凹陷之凸部的外側壁之輪廓亦具有一圓形形狀。以此方式，ATS可偵測一圓形目標基板之中心，該圓形目標基板具有一中心凹部及用作一清晰標記之一圓形形狀的輪廓，該清晰標記展示目標基板之中心，使得ATS可成功地量測自其中心至加熱器組件上之一目標基板的中心之偏移。亦證實，此不影響形成於一基板上之膜的一品質。實例 2 如圖9及圖10中所描繪之加熱器組件 圖9中展示一加熱器組件之一實施例的一示意圖。再者，圖10中展示一加熱器組件之一實施例的一中心區域之一放大示意圖。在括弧中展示實例中使用之特定值。 在此實例中，一加熱器組件之一上表面的組態如下： 主要凹部之數目：選自約300至約1000之一範圍(實例：650) 主要凹部直徑：選自約2 mm至約20 mm之一範圍(實例：9.0 mm) 主要凹部深度：選自約0.025 mm至約15 mm之一範圍(實例：0.15 mm) 主要凹部中心之間的距離：選自約5 mm至約20 mm之一範圍(實例：11.5 mm) 通道寬度：選自約1.0 mm至約14 mm之一範圍(實例：2.0 mm) 通道深度：選自約0.025 mm至約15 mm之一範圍(實例：0.2 mm) 中心凹部直徑：選自約2.0 mm至約17 mm之一範圍(實例：9.0 mm) 中心凹部深度：選自約0.025 mm至約15 mm之一範圍(實例：0.15 mm) 中心凹部之形狀：圓形(實例：圓形) 界定中心凹部之凸部的外側壁之輪廓的形狀：多邊形(實例：六邊形) 界定中心凹部之凸部的外側壁之輪廓的形狀之大小：選自約3 mm至約25 mm之一範圍(實例：12 mm) 通道距中心凹部之寬度：選自約1.0 mm至約14 mm之一範圍(實例：2.0 mm) 通道距中心凹部之深度：選自約0.025 mm至約15 mm之一範圍(實例：0.2 mm) 加熱器組件材料：鋁(實例：鋁) 加熱器組件厚度：選自約20 mm至約120 mm之一範圍(實例：45 mm) 加熱器組件直徑：選自約295 mm至約475 mm之一範圍(實例：345 mm) 在此實例中，中心處之凹部或凹陷具有一圓形形狀，且界定中心凹部或凹陷之凸部的外側壁之輪廓具有一六邊形形狀。以此方式，ATS亦可偵測一圓形目標基板之中心，該圓形目標基板具有一圓形形狀之一中心凹部及用作一清晰標記之一六邊形形狀的輪廓，該清晰標記展示目標基板之中心，使得ATS可成功地量測自其中心至加熱器組件上之一目標基板的中心之偏移。亦證實，此不影響形成於一基板上之膜的一品質。實例 3 如圖11及圖12中所描繪之加熱器組件 圖11中展示一加熱器組件之一實施例的一示意圖。再者，圖12中展示一加熱器組件之一實施例的一中心區域之一放大示意圖。在括弧中展示實例中使用之特定值。 在此實例中，一加熱器組件之一上表面的組態如下： 主要凹部之數目：選自約300至約1000之一範圍(實例：650) 主要凹部直徑：選自約2 mm至約20 mm之一範圍(實例：9.0 mm) 主要凹部深度：選自約0.025 mm至約15 mm之一範圍(實例：0.15 mm) 主要凹部中心之間的距離：選自約5 mm至約20 mm之一範圍(實例：11.5 mm) 通道寬度：選自約1.0 mm至約14 mm之一範圍(實例：2.0 mm) 通道深度：選自約0.025 mm至約15 mm之一範圍(實例：0.2 mm) 中心凹部直徑：選自約2.0 mm至約20 mm之一範圍(實例：9.0 mm) 中心凹部深度：選自約0.025 mm至約15 mm之一範圍(實例：0.15 mm) 中心凹部之形狀：圓形(實例：圓形) 通道距中心凹部之寬度：選自約1.0 mm至約14 mm之一範圍(實例：2.0 mm) 通道距中心凹部之深度：選自約0.025 mm至約15 mm之一範圍(實例：0.2 mm) 加熱器組件材料：鋁(實例：鋁) 加熱器組件厚度：選自約20 mm至約120 mm之一範圍(實例：45 mm) 加熱器組件直徑：選自約295 mm至約475 mm之一範圍(實例：345 mm) 在此實例中，中心處之凹部或凹陷具有一圓形形狀，該圓形形狀具小於主要凹部或凹陷之彼直徑的一直徑。以此方式，ATS可偵測一圓形目標基板之中心，該圓形目標基板具有用作一清晰標記之一較小圓形形狀的一中心凹部，該清晰標記展示目標基板之中心，使得ATS可成功地量測自其中心至加熱器組件上之一目標基板的中心之偏移。亦證實，此不影響形成於一基板上之膜的一品質。實例 4 如圖13及圖14中所描繪之加熱器組件 圖13中展示一加熱器組件之一實施例的一示意圖。再者，圖14中展示一加熱器組件之一實施例的一中心區域之一放大示意圖。在括弧中展示實例中使用之特定值。 在此實例中，一加熱器組件之一上表面的組態如下： 主要凹部之數目：選自約300至約1000之一範圍(實例：650) 主要凹部直徑：選自約2 mm至約20 mm之一範圍(實例：9.0 mm) 主要凹部深度：選自約0.025 mm至約15 mm之一範圍(實例：0.15 mm) 主要凹部中心之間的距離：選自約5 mm至約20 mm之一範圍(實例：11.5 mm) 通道寬度：選自約1.0 mm至約14 mm之一範圍(實例：2.0 mm) 通道深度：選自約0.025 mm至約15 mm之一範圍(實例：0.2 mm) 中心凹部大小：選自約2.0 mm至約17 mm之一範圍之距中心點的最大長度(實例：9.0 mm) 中心凹部深度：選自約0.025 mm至約15 mm之一範圍(實例：0.15 mm) 中心凹部之形狀：多邊形(實例：六邊形) 界定中心凹部之凸部的外側壁之輪廓的形狀：圓形(實例：圓形) 界定中心凹部之凸部的外側壁之輪廓的形狀之直徑：選自約3 mm至約25 mm之一範圍(實例：12 mm) 通道距中心凹部之寬度：選自約1.0 mm至約14 mm之一範圍(實例：2.0 mm) 通道距中心凹部之深度：選自約0.025 mm至約15 mm之一範圍(實例：0.2 mm) 加熱器組件材料：鋁(實例：鋁) 加熱器組件厚度：選自約20 mm至約120 mm之一範圍(實例：45 mm) 加熱器組件直徑：選自約295 mm至約475 mm之一範圍(實例：345 mm) 在此實例中，中心處之凹部或凹陷具有一六邊形形狀，且界定中心凹部或凹陷之凸部的外側壁之輪廓具有一圓形形狀。以此方式，ATS可偵測一圓形目標基板之中心，該圓形目標基板具有兩者皆用作一清晰標記之一六邊形形狀的一中心凹部及一圓形形狀的輪廓，該清晰標記展示目標基板之中心，使得ATS可成功地量測自其中心至加熱器組件上之一目標基板的中心之偏移。亦證實，此不影響形成於一基板上之膜的一品質。 關於本文中實質上任何複數及/或單數術語的使用，根據內文需要，熟習此項技術者可從複數轉化為單數及/或從單數轉化為複數。 已包含於本發明中之背景技術的任何論述僅用於提供本發明之內文之目的，且不應被視為承認在製作本發明時，任何或全部論述形成先前技術之部分或在此項技術中係已知的。 儘管為繪示目的已基於目前被認為最實際及較佳的實施方案詳細描述本發明之(若干)系統及/或(若干)方法，但應理解，此細節僅用於彼目的且本發明不限於所揭示實施方案，反而意欲於涵蓋在隨附發明申請專利範圍之精神及範疇內的修改及等效配置。例如，應理解，本發明預期在可能的程度上，任何實施方案之一或多個特徵可與任何其他實施方案之一或多個特徵組合。
1‧‧‧電漿增強原子層沈積(PEALD)裝置2‧‧‧凹部3‧‧‧通道4‧‧‧基板支撐銷5‧‧‧加熱器組件6‧‧‧基板支撐表面/凸部7‧‧‧RF電源8‧‧‧RF電源9‧‧‧凸部10‧‧‧真空腔室11‧‧‧加熱器組件12‧‧‧噴淋頭/噴淋板13‧‧‧遮罩板14‧‧‧O形環15‧‧‧中心凹部16‧‧‧基板17‧‧‧基板支撐區域18‧‧‧凹部通道19‧‧‧腔室壁20‧‧‧區21‧‧‧氣體出口孔隙25‧‧‧螺桿34‧‧‧絕緣體50‧‧‧基座51‧‧‧加熱器
現將參考意欲於繪示且非限制本發明之實施例的圖式描述本發明之此等及其他特徵。圖式出於繪示目的而過度簡化且未必按比例繪製。 圖1係一加熱器組件的一示意圖，其展示一上表面。 圖2係圖1的加熱器組件之一部分的一部分放大示意圖，其展示複數個凹部及一基板支撐表面。 圖3係包括根據一實施例之一加熱器組件的一PEALD裝置之一示意圖。 圖4係根據一實施例之一加熱器組件之一示意圖，其展示一上表面。 圖5係根據一實施例之一加熱器組件的一部分放大示意圖，其展示複數個主要凹部及一基板支撐表面。 圖6係根據一實施例之一加熱器組件的一中心區域之一部分放大示意圖。 圖7係根據一實施例之一加熱器組件的一示意圖。 圖8係根據一實施例之一加熱器組件的一中心區域之一部分放大示意圖。 圖9係根據一實施例之一加熱器組件的一示意圖。 圖10係根據一實施例之一加熱器組件的一中心區域之一部分放大示意圖。 圖11係根據一實施例之一加熱器組件的一示意圖。 圖12係根據一實施例之一加熱器組件的一中心區域之一部分放大示意圖。 圖13係根據一實施例之一加熱器組件的一示意圖。 圖14係根據一實施例之一加熱器組件的一中心區域之一部分放大示意圖。
2‧‧‧凹部
4‧‧‧基板支撐銷
6‧‧‧基板支撐表面/凸部
11‧‧‧加熱器組件
17‧‧‧基板支撐區域

Claims (19)

  1. 一種適於安裝於包括一噴淋頭(showerhead)及一反應腔室之一電漿沈積或電漿蝕刻裝置中之加熱器組件(heater block)，該加熱器組件適於配置於該反應腔室中以支撐一基板且包括：至少一個通孔(through-hole)，其穿過該加熱器組件；及其上表面上之複數個表面，其等彼此分離且由一連續凹部(continuous concavity)界定，該連續凹部包括：複數個第一凸部(convexes)，其至少部分地界定複數個主要凹部(concaves)或凹陷(depressions)，一凹部通道，其實質上連接每兩個相鄰主要凹部或凹陷，及複數個第二凸部，其至少部分地界定該加熱器組件之中心處的一凹部或凹陷，其具有不同於該複數個主要凹部或凹陷之一形狀或大小，其中至少一第一凸部具有不同於至少一第二凸部的一形狀。
  2. 如請求項1之加熱器組件，其中在以三維觀看時，該加熱器組件之該中心處的該凹部或凹陷具有一圓柱形形狀、無一尖端之一倒錐形形狀或一多邊形柱狀形狀。
  3. 如請求項1之加熱器組件，其中該加熱器組件之該中心處的該凹部或凹陷具有一圓柱形形狀，該圓柱形形狀具有選自約2毫米至約20毫米之範圍的一直徑。
  4. 如請求項1之加熱器組件，其中該加熱器組件之該中心處的該凹部或凹陷係由該複數個第二凸部之內側壁界定，且該複數個第二凸部之外側壁的輪廓具有一圓形或一多邊形形狀。
  5. 如請求項1之加熱器組件，其中該複數個主要凹部或凹陷及複數個該等凹部通道係由該複數個第一凸部之側壁界定。
  6. 如請求項1之加熱器組件，其中該複數個第一及第二凸部具有側壁，該等側壁之邊緣呈圓角或倒角(chamfered)，具有選自約0.1毫米至約2毫米之範圍的一半徑。
  7. 如請求項1之加熱器組件，其中該加熱器組件之該中心處的該凹部或凹陷經由具有不同於實質上連接每兩個相鄰主要凹部或凹陷之該凹部通道的一形狀或大小之凹部通道而與相鄰主要凹部或凹陷連接。
  8. 如請求項1之加熱器組件，其中該等主要凹部或凹陷之各者具有實質上相同形狀及大小。
  9. 如請求項1之加熱器組件，其中該至少一個通孔包含用於一基板升降銷之至少一個通孔。
  10. 一種適於安裝於包括一噴淋頭及一反應腔室之一電漿沈積或電漿蝕 刻裝置中之加熱器組件，該加熱器組件適於配置於該反應腔室中以支撐一基板且包括：至少一個通孔，其穿過該加熱器組件；及其上表面上之複數個表面，其等彼此分離且由一連續凹部界定，該連續凹部包括：複數個第一凸部，其至少部分地界定複數個主要凹部或凹陷，及一凹部通道，其實質上連接每兩個相鄰主要凹部或凹陷，其中該加熱器組件之中心處的一凹部或凹陷係至少部分地由複數個第二凸部之內側壁界定，且該複數個第二凸部之外側壁的輪廓(contour)具有一圓形或一多邊形形狀，且其中至少一第一凸部具有不同於至少一第二凸部的一形狀。
  11. 一種基板處理裝置，其包括如請求項1之加熱器組件。
  12. 如請求項11之基板處理裝置，其中複數個主要凹部或凹陷、複數個凹部通道及在加熱器組件之中心處具有不同於該複數個主要凹部或凹陷之形狀或大小的凹部或凹陷係由複數個凸部界定，且基板實質上由該複數個凸部之頂面支撐。
  13. 如請求項11之基板處理裝置，其中該加熱器組件包括一基座及一加熱器。
  14. 一種處理裝置，其包括： 一噴淋頭；一反應腔室；及一加熱器組件，其配置於該反應腔室中，該加熱器組件包括：至少一個通孔，其穿過該加熱器組件，及其上表面上之複數個表面，其等彼此分離且由一連續凹部界定，該連續凹部包括：複數個第一凸部，其至少部分地界定複數個主要凹部或凹陷，一凹部通道，其實質上連接每兩個相鄰主要凹部或凹陷，及複數個第二凸部，其至少部分地界定該加熱器組件之中心處的一凹部或凹陷，其具有不同於該複數個主要凹部或凹陷之一形狀或大小，其中至少一第一凸部具有不同於至少一第二凸部的一形狀。
  15. 如請求項14之處理裝置，其中在以三維觀看時，該加熱器組件之該中心處的該凹部或凹陷具有一圓柱形形狀、無一尖端之一倒錐形形狀或一多邊形柱狀形狀。
  16. 如請求項14之處理裝置，其中該加熱器組件之該中心處的該凹部或凹陷具有一圓柱形形狀，該圓柱形形狀具有選自約2毫米至約20毫米之範圍的一直徑。
  17. 如請求項14之處理裝置，其中該加熱器組件之該中心處的該凹部或凹陷係由該複數個第二凸部之內側壁界定，且該複數個第二凸部之外側壁 的輪廓具有一圓形或一多邊形形狀。
  18. 如請求項14之處理裝置，其中該複數個主要凹部或凹陷及複數個該等凹部通道係由該複數個第一凸部之側壁界定。
  19. 如請求項14之處理裝置，其中該處理裝置經組態以用於將一材料沈積於一基板上或蝕刻一基板上之一材料。
TW107104135A 2017-06-12 2018-02-06 具有連續凹部之加熱器組件 TWI761443B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US15/620,454 US10246777B2 (en) 2017-06-12 2017-06-12 Heater block having continuous concavity
US15/620,454 2017-06-12

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201903933A TW201903933A (zh) 2019-01-16
TWI761443B true TWI761443B (zh) 2022-04-21

Family

ID=64563261

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW107104135A TWI761443B (zh) 2017-06-12 2018-02-06 具有連續凹部之加熱器組件

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10246777B2 (zh)
KR (1) KR102514109B1 (zh)
CN (1) CN109037017A (zh)
TW (1) TWI761443B (zh)

Families Citing this family (270)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
USD876504S1 (en) 2017-04-03 2020-02-25 Asm Ip Holding B.V. Exhaust flow control ring for semiconductor deposition apparatus
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
KR102597978B1 (ko) 2017-11-27 2023-11-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배치 퍼니스와 함께 사용하기 위한 웨이퍼 카세트를 보관하기 위한 보관 장치
CN111344522B (zh) 2017-11-27 2022-04-12 阿斯莫Ip控股公司 包括洁净迷你环境的装置
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TW202325889A (zh) 2018-01-19 2023-07-01 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
KR20200108016A (ko) 2018-01-19 2020-09-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 플라즈마 보조 증착에 의해 갭 충진 층을 증착하는 방법
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
CN111699278B (zh) 2018-02-14 2023-05-16 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR102636427B1 (ko) * 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TWI811348B (zh) 2018-05-08 2023-08-11 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
TW202349473A (zh) 2018-05-11 2023-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
TWI815915B (zh) 2018-06-27 2023-09-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法
CN112292478A (zh) 2018-06-27 2021-01-29 Asm Ip私人控股有限公司 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
KR20200002519A (ko) 2018-06-29 2020-01-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TW202037745A (zh) 2018-12-14 2020-10-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
TW202405220A (zh) 2019-01-17 2024-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
CN111593319B (zh) 2019-02-20 2023-05-30 Asm Ip私人控股有限公司 用于填充在衬底表面内形成的凹部的循环沉积方法和设备
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
JP2020133004A (ja) 2019-02-22 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材を処理するための基材処理装置および方法
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
KR102640172B1 (ko) 2019-07-03 2024-02-23 삼성전자주식회사 기판 처리 장치 및 이의 구동 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
CN112242296A (zh) 2019-07-19 2021-01-19 Asm Ip私人控股有限公司 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法
TW202113936A (zh) 2019-07-29 2021-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN112323048B (zh) 2019-08-05 2024-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
CN112635282A (zh) 2019-10-08 2021-04-09 Asm Ip私人控股有限公司 具有连接板的基板处理装置、基板处理方法
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11885013B2 (en) 2019-12-17 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming vanadium nitride layer and structure including the vanadium nitride layer
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
TW202129068A (zh) 2020-01-20 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 形成薄膜之方法及修飾薄膜表面之方法
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
TW202146715A (zh) 2020-02-17 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
TW202140831A (zh) 2020-04-24 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含氮化釩層及包含該層的結構之方法
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR20210145080A (ko) 2020-05-22 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220006455A (ko) 2020-07-08 2022-01-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US11725280B2 (en) 2020-08-26 2023-08-15 Asm Ip Holding B.V. Method for forming metal silicon oxide and metal silicon oxynitride layers
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
KR20230073144A (ko) * 2020-09-28 2023-05-25 램 리써치 코포레이션 트루 라디칼 (true radical) 프로세싱을 위한 리모트 플라즈마 아키텍처
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
US11832520B2 (en) * 2021-04-27 2023-11-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Voltage breakdown uniformity in piezoelectric structure for piezoelectric devices
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD1009816S1 (en) * 2021-08-29 2024-01-02 Applied Materials, Inc. Collimator for a physical vapor deposition chamber
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5810933A (en) * 1996-02-16 1998-09-22 Novellus Systems, Inc. Wafer cooling device
TW200824487A (en) * 2006-09-28 2008-06-01 Covalent Materials Corp Planar heater and semiconductor heat treatment apparatus provided with the heater
US7993462B2 (en) * 2008-03-19 2011-08-09 Asm Japan K.K. Substrate-supporting device having continuous concavity
TWI463588B (zh) * 2006-04-27 2014-12-01 Applied Materials Inc 具有雙溫度區之靜電夾盤的基材支撐件
TWI511232B (zh) * 2012-12-21 2015-12-01 Applied Materials Inc 單體靜電夾盤
TW201633451A (zh) * 2015-01-16 2016-09-16 Toto Ltd 靜電吸盤

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5531835A (en) * 1994-05-18 1996-07-02 Applied Materials, Inc. Patterned susceptor to reduce electrostatic force in a CVD chamber
JP2002134484A (ja) * 2000-10-19 2002-05-10 Asm Japan Kk 半導体基板保持装置
JP2002237375A (ja) * 2000-12-05 2002-08-23 Ibiden Co Ltd 半導体製造・検査装置用セラミック基板およびその製造方法
KR20060124441A (ko) * 2005-05-31 2006-12-05 삼성전자주식회사 모듈 히터가 구비된 반도체 제조장치
USD643055S1 (en) 2008-09-11 2011-08-09 Asm Japan K.K. Heater block for use in a semiconductor processing tool
US9469912B2 (en) * 2014-04-21 2016-10-18 Lam Research Corporation Pretreatment method for photoresist wafer processing

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5810933A (en) * 1996-02-16 1998-09-22 Novellus Systems, Inc. Wafer cooling device
TWI463588B (zh) * 2006-04-27 2014-12-01 Applied Materials Inc 具有雙溫度區之靜電夾盤的基材支撐件
TW200824487A (en) * 2006-09-28 2008-06-01 Covalent Materials Corp Planar heater and semiconductor heat treatment apparatus provided with the heater
US7993462B2 (en) * 2008-03-19 2011-08-09 Asm Japan K.K. Substrate-supporting device having continuous concavity
TWI511232B (zh) * 2012-12-21 2015-12-01 Applied Materials Inc 單體靜電夾盤
TW201633451A (zh) * 2015-01-16 2016-09-16 Toto Ltd 靜電吸盤

Also Published As

Publication number Publication date
US20180355480A1 (en) 2018-12-13
CN109037017A (zh) 2018-12-18
KR102514109B1 (ko) 2023-03-24
US10246777B2 (en) 2019-04-02
KR20180135413A (ko) 2018-12-20
TW201903933A (zh) 2019-01-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI761443B (zh) 具有連續凹部之加熱器組件
TWI741066B (zh) 用於排出沈積抑制氣體之噴淋板結構
TWI698549B (zh) 噴淋頭總成及其組件
JP4426306B2 (ja) 半導体ウェハ上に材料を形成する装置およびガスを分配する方法
TWI783955B (zh) 具有台面間區域之變化深度的基板支座及對應之與溫度相關的製造方法
US8845806B2 (en) Shower plate having different aperture dimensions and/or distributions
KR20140145095A (ko) 기판을 가공하기 위한 플라즈마 보조 가공 장치 및 플라즈마 보조 가공에 의해 처리된 기판의 면내 균일성을 제어하는 방법
US20150252475A1 (en) Cvd apparatus with gas delivery ring
JP2006324610A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
TW201618155A (zh) 電漿處理裝置及氣體供給構件
WO2019015388A1 (zh) 一种等离子体刻蚀系统的喷淋头
CN111785604A (zh) 气体喷淋头、制作方法及包括气体喷淋头的等离子体装置
TW202204687A (zh) 電漿處理方法及電漿處理裝置
TWI618140B (zh) Inductively coupled plasma processor
CN111118474A (zh) 化学气相沉积设备及导流盘
TWI817102B (zh) 具有局部化的流動控制的面板
JP2020202243A (ja) プラズマ処理装置
US10465290B2 (en) Substrate processing apparatus
KR102337411B1 (ko) 증착 장치
KR20080061948A (ko) 배치식 원자층 증착 장비
JP2006310702A (ja) 基板支持方法および半導体基板
TW202400830A (zh) 用於薄膜沉積之製程控制及監控的方法、插入件及設備
KR102328916B1 (ko) 기판 처리 장치
US20170207102A1 (en) Semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor manufacturing method
KR20200120860A (ko) 샤워헤드, 그를 포함하는 반도체 소자의 제조 장치, 및 반도체 소자의 제조 방법