CN107614751A - 原子层生长装置 - Google Patents

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Abstract

本发明的原子层生长装置具备安装到成膜容器开口部的喷射器和插入安装到开口部的喷射器防粘构件，在喷射器分隔设有喷射器原料气体供给路径、喷射器原料气体供给口、喷射器反应气体供给路径、喷射器反应气体供给口、喷射器惰性气体供给路径、喷射器惰性气体供给口，在喷射器防粘构件分隔设有防粘构件原料气体供给路径、防粘构件原料气体供给口、防粘构件反应气体供给路径、防粘构件反应气体供给口、防粘构件惰性气体供给路径、防粘构件惰性气体供给口，在喷射器防粘构件的外周侧和开口部的内周侧的间隙，设有防粘构件惰性气体供给路径，以使惰性气体流过。

Description

原子层生长装置
技术领域
本发明涉及在基板上形成薄膜的原子层生长装置。
背景技术
众所周知，原子层生长法是在基板上交互供给构成要形成的薄膜的元素的气体，在基板上以原子层单位形成薄膜，因此是使薄膜均匀地形成的技术。原子层生长法与一般的CVD(Chemical Vapor Deposition：化学气相沉积)法比较，阶差覆盖性、膜厚控制性更佳。
若通过原子层生长法反复形成薄膜，则在成膜容器的内表面也附着薄膜。成膜容器内表面附着的薄膜的厚度若变厚，则堆积的薄膜剥离，其一部分形成颗粒，成为在基板上形成的薄膜的质量劣化的原因。因此，优选为定期地去除成膜容器的内表面附着的薄膜。
作为成膜容器的清洁方法，有湿法蚀刻方法、气体蚀刻方法。湿法蚀刻方法中，例如，采用氟酸等液体，去除在成膜容器的内表面附着的薄膜。另一方面，气体蚀刻方法中，通过向成膜容器的内部供给蚀刻气体，去除在成膜容器的内表面附着的薄膜。
另外，已知有在CVD成膜、溅射成膜中使用防粘板的装置(参照专利文献1)、通过用非晶质膜覆盖在腔室的内壁堆积的堆积物来抑制从堆积在腔室的内壁的堆积物产生气体的气相生长装置(参照专利文献2)。
而且，提出了通过向在供给气体的喷射器和成膜装置的间隙形成的空间吹出氮气来避免对于安装有喷射器的喷射器插入口的沉积膜的装置(参照专利文献3)。
现有技术文献
专利文献
【专利文献1】日本专利特开平11-335849号公报
【专利文献2】日本专利特开2006-351655号公报
【专利文献3】日本专利特开2012-175055号公报
发明内容
发明所要解决的技术问题
若采用专利文献1的防粘板，则通过喷射器的湿法蚀刻进行的保养变得容易。但是，在CVD成膜、溅射成膜中，由于膜的阶差覆盖性小，因此能够忽略膜绕回到防粘板背面，但是在原子层生长法中，由于膜的阶差覆盖性大，因此原料气体及反应气体绕回到防粘板与喷射器的间隙。因而，仅仅靠一般的防粘板，难以避免喷射器的沉积膜，沉积膜量增大后成为颗粒源，因此，必须与防粘板同样，定期地进行喷射器及装置的保养。
根据专利文献2的装置，能够降低清洁的频度，但是腔室的内壁堆积的堆积物、覆盖堆积物的非晶质膜的厚度达到规定的厚度以上时，必须用湿法蚀刻方法进行清洁。湿法蚀刻方法中，为了开启成膜容器，成膜容器越大型，随之开启操作越费工夫，在能够采用气体蚀刻方法时，优选为采用气体蚀刻方法。但是，为了通过气体蚀刻方法进行刻蚀，必须将成膜容器的内壁面的薄膜的附着部分加热到规定的温度以上，而从加热器远离的部分中，达不到必要的加热温度，难以进行气体蚀刻。因此，在难以进行气体蚀刻的部位附着一定程度的量的薄膜时，必须开启成膜容器，进行湿法蚀刻。
而且，根据专利文献3的装置，通过对在喷射器和装置的间隙形成的空间吹出氮气，能够避免安装有喷射器的喷射器插入口的沉积膜。但是，在原料气体和反应气体混合的成膜室附近的部分中，由于两者发生反应，因此，不能避免喷射器内部的沉积膜及颗粒的产生。因此，每次定期保养时必须更换喷射器。通常，喷射器大多与不锈钢制的原料气体配管、反应气体配管、吹出气体配管连接，因此，不容易拆卸喷射器，喷射器需要避免保养。
本发明以上述问题为背景而完成，目的是提供保养性佳的原子层生长装置。
解决技术问题的技术方案
即，本发明的原子层生长装置中，第1本发明是一种原子层生长装置，其特征在于，具备：
成膜容器；
能够安装到所述成膜容器的开口部的喷射器；以及
喷射器防粘构件，其能够插入安装到所述开口部，使得与所述喷射器相比，位于所述成膜容器内侧，
在所述喷射器分别分隔设有：
供给薄膜的原料即原料气体的喷射器原料气体供给路径；设于所述喷射器原料气体供给路径并流出所述原料气体的喷射器原料气体供给口；
供给与所述原料气体反应而形成所述薄膜的反应气体的喷射器反应气体供给路径；设于所述喷射器反应气体供给路径并流出所述反应气体的喷射器反应气体供给口；
用于惰性气体流过的喷射器惰性气体供给路径；设于所述喷射器惰性气体供给路径并流出所述惰性气体的喷射器惰性气体供给口，
在所述喷射器防粘构件分别分隔设有：
与所述喷射器原料气体供给口连接并供给所述原料气体的防粘构件原料气体供给路径；设于防粘构件原料气体供给路径并向所述成膜容器内流出所述原料气体的防粘构件原料气体供给口；
与所述喷射器反应气体供给口连接并供给所述反应气体的防粘构件反应气体供给路径；设于所述防粘构件反应气体供给路径并向所述成膜容器内流出所述反应气体的防粘构件反应气体供给口；
与所述喷射器惰性气体供给口连接并供给所述惰性气体的防粘构件惰性气体供给路径；设于所述防粘构件惰性气体供给路径并向所述成膜容器内流出所述惰性气体的防粘构件惰性气体供给口，
在所述喷射器防粘构件的外周侧和所述开口部的内周侧之间的间隙设有所述防粘构件惰性气体供给路径，以使所述惰性气体流过。
第2本发明的原子层生长装置，其特征在于，在所述本发明中，所述喷射器与所述喷射器防粘构件在经由所述喷射器原料气体供给口连通所述喷射器原料气体供给路径与所述防粘构件原料气体供给路径的部件彼此之间和经由所述喷射器反应气体供给口连通所述喷射器反应气体供给路径与所述防粘构件反应气体供给路径的部件彼此之间，至少在分隔所述原料气体和所述反应气体的位置，配置有密封构件。
第3本发明的原子层生长装置，其特征在于，在所述本发明中，所述喷射器前端与所述喷射器防粘构件前端对接配置，将所述喷射器防粘构件以安装到所述成膜容器的状态按压所述密封构件。
第4本发明的原子层生长装置，其特征在于，在所述本发明中，所述密封构件是O形环。
第5本发明的原子层生长装置，其特征在于，在所述本发明中，在所述喷射器防粘构件，形成收纳所述O形环的截面形状的一部分的O形环槽。
第6本发明的原子层生长装置，其特征在于，在所述本发明中，在所述成膜容器和所述喷射器的接触面配置密封构件。
第7本发明的原子层生长装置，其特征在于，在所述本发明中，所述防粘构件惰性气体供给路径由喷射器防粘构件外壁和所述开口部内壁内侧之间的空间形成。
第8本发明的原子层生长装置，其特征在于，在所述本发明中，所述喷射器防粘构件在所述成膜容器侧具有尺寸超过所述开口部的法兰，所述法兰与所述开口部所邻接的成膜容器内壁之间具有间隙，在该间隙设有所述防粘构件惰性气体供给口。
第9本发明的原子层生长装置，其特征在于，在所述本发明中，所述间隙的尺寸为10mm以下。
第10本发明的原子层生长装置，其特征在于，在所述本发明中，利用可调节所述间隙的安装部件将所述法兰安装到所述成膜容器。
第11本发明的原子层生长装置，其特征在于，在所述本发明中，所述开口部形成筒孔形状，所述喷射器的至少所述成膜容器侧的所述喷射器原料气体供给路径及所述喷射器反应气体供给路径以及所述喷射器防粘构件的所述防粘构件原料气体供给路径及所述防粘构件反应气体供给路径沿所述开口部的轴向形成。
第12本发明的原子层生长装置，其特征在于，在所述本发明中，具有吹出所述原料气体及所述反应气体的吹出气体供给路径。
第13本发明的原子层生长装置，其特征在于，在所述本发明中，将喷射器原料气体供给路径和防粘构件原料气体供给路径兼用作吹出所述原料气体的吹出气体供给路径，
将喷射器反应气体供给路径和防粘构件反应气体供给路径兼用作吹出所述反应气体的吹出气体供给路径。
第14本发明的原子层生长装置，其特征在于，在所述本发明中，所述防粘构件惰性气体供给路径至少在所述成膜容器侧端部形成环状的流路，所述喷射器惰性气体供给路径具有多个朝向所述成膜容器侧的直线状的流路，与所述环状的流路连通。
第15本发明的原子层生长装置，其特征在于，在所述本发明中，所述防粘构件原料气体供给口及所述防粘构件反应气体供给口与所述防粘构件的成膜容器内侧端面相比，位于喷射器侧。
发明效果
根据本发明，能够从成膜室侧简单拆卸喷射器防粘构件，能够抑制喷射器及喷射器防粘构件附近的沉积膜，因此，能够降低喷射器及安装喷射器的喷射器插入口的清洁的频度，提高保养操作性。
附图说明
图1是表示本发明一实施方式的原子层生长装置的简要结构图。
图2A是相同的图1所示喷射器及喷射器防粘构件的放大图，图2B是分解图。
图3A是相同的图1所示喷射器，图3B是喷射器防粘构件的端面图。
图4是表示相同的原子层生长方法的一例的流程图。
图5A、图5B、图5C、图5D是表示在相同的基板上形成薄膜的工序的图。
具体实施方式
首先，参照图1，说明本实施方式的原子层生长装置的结构。
图1是表示本实施方式的原子层生长装置的一例的简要结构图。
本实施方式的原子层生长装置10交互供给原料气体和反应气体，在基板13上以原子层单位形成薄膜。此时，为了提高反应活性，能够加热基板13。特别地，本实施方式中，采用TMA(Tri-Methyl Aluminum：三甲基铝)作为原料气体，此时，提高反应活性，因此也能够产生等离子体。本实施方式中，在等离子体的产生中采用平行平板电极，但是不限于该方式。
成膜容器11具备：喷射器20；与喷射器20相比位于成膜容器11内侧的喷射器防粘构件30；排气部40；具有加热器14A的平台14；上部电极12；高频电源15。通过加热器14A，能够调节基板13的温度。例如，为等离子体ALD时，能够将基板13加热到50～200℃。上部电极12设为位于在平台14上设置的基板13的上方，与高频电源15连接。高频电源15通过供给规定频率的高频电流，在上部电极12和平台14之间生成等离子体。
接着，说明喷射器20和喷射器防粘构件30。喷射器20及喷射器防粘构件30安装到成膜容器11的筒状的开口部11A，从成膜容器11外向成膜容器11内供给原料气体及反应气体。图2A、2B是从与气体流动方向平行的成膜室侧面观察时的喷射器20及喷射器防粘构件30的放大图。形成开口部11A，使得喷射器20及喷射器防粘构件30的气体的流动与基板13面平行。即，该实施方式的原子层生长装置是层流型的装置。但是，作为本发明，原子层生长装置不限于层流型。
如图2A、2B所示，在喷射器20具有原料气体供给路径22和反应气体供给路径23。原料气体供给路径22与本发明的喷射器原料气体供给路径相当，反应气体供给路径23与本发明的喷射器反应气体供给路径相当。在喷射器20的前端侧中，在原料气体供给路径22的前端侧形成原料气体供给口22A，在反应气体供给路径23的前端侧形成反应气体供给口23A。原料气体供给口22A与本发明的喷射器原料气体供给口相当，反应气体供给口23A与本发明的喷射器反应气体供给口相当。
另外，原料气体供给路径22兼用作吹出原料气体的供给路径，反应气体供给路径23兼用作吹出反应气体的供给路径。
原料气体供给路径22在喷射器20的外周面开口，如图2A、2B所示，具有在轴心跟前改变朝向，沿轴向朝成膜容器11侧直线状延伸的角孔形状。
反应气体供给路径23在喷射器20的另一侧的外周面开口，如图2A、2B所示，具有在轴心跟前改变朝向，沿轴向朝成膜容器11侧直线状延伸的角孔形状。原料气体供给路径22及原料气体供给口22A与反应气体供给路径23及反应气体供给口23A通过位于彼此间的壁部分隔。
另外，在喷射器20的外周面，在与上述原料气体供给路径22及反应气体供给路径23的开口相比靠成膜容器11侧的位置，4个惰性气体供给路径24以等角度间隔开口。各个惰性气体供给路径24向轴中心延伸，在到达原料气体供给路径22及反应气体供给路径23的外侧改变朝向，在这些气体供给路径的上方、下方、两侧方位置，分别沿轴向朝成膜容器11侧直线状延伸。在喷射器20的前端侧，在各个惰性气体供给路径24形成惰性气体供给口24A。
如上所述，优选为在喷射器20具有一处以上的惰性气体供给路径24。例如，在喷射器宽度和高度纵横比为10:1的长方体形状中，优选为至少在喷射器20顶面和喷射器20底面的两处设置原料气体供给路径，在喷射器防粘构件30侧，如后述那样形成喷淋头部构造。通过喷淋构造，能够向成膜容器11内更均匀地供给气体。
惰性气体供给路径24及惰性气体供给口24A与原料气体供给路径22及原料气体供给口22A以及反应气体供给路径23及反应气体供给口23A通过位于相互间的壁部分隔。
惰性气体供给路径24与本发明的喷射器惰性气体供给路径相当，惰性气体供给口24A与本发明的喷射器惰性气体供给口相当。
接着，说明喷射器防粘构件30。
喷射器防粘构件30具有插入开口部11A时在外周侧与开口部11A的内周面具有间隙的筒形状，其前端配置为与上述喷射器20的前端对接。
喷射器防粘构件30具有与上述原料气体供给口22A连通的原料气体供给路径32，在原料气体供给路径32的成膜容器侧端部，形成原料气体供给口32A。
另外，喷射器防粘构件30具有与上述反应气体供给口23A连通的反应气体供给路径33，在反应气体供给路径33的成膜容器侧端部，形成反应气体供给口33A。原料气体供给路径32及原料气体供给口32A与反应气体供给路径33及反应气体供给口33A通过位于相互间的壁部分隔。
原料气体供给路径32与本发明的防粘构件原料气体供给路径相当，原料气体供给口32A与本发明的防粘构件原料气体供给口相当。
反应气体供给路径33与本发明的防粘构件反应气体供给路径相当，反应气体供给口33A与本发明的防粘构件反应气体供给口相当。
另外，该实施方式中，原料气体供给路径32和反应气体供给路径33之间的壁部的位置与喷射器防粘构件30的成膜容器侧前端相比位于喷射器侧，从而，原料气体供给口32A和反应气体供给口33A位于喷射器侧。其理由是为了尽可能在远离基板的位置使气体向流动方向的垂直方向扩散，均匀地向基板13供给气体。
但是，防粘构件的原料气体供给路径32和反应气体供给路径33之间的壁部是必要的。由于膜堆积在壁部的接近成膜位置的部分，因此在壁部不存在时，膜附着到原料气体供给口22A、反应气体供给口23A的喷射器，必须进行喷射器20的保养。壁部水平长度为0～50mm，而且优选为30mm。
另外，喷射器防粘构件30与开口部11A的间隙形成如上所述的环状，构成惰性气体供给路径34。惰性气体供给路径34与喷射器20的惰性气体供给口24A连通，形成喷淋头部构造。惰性气体供给路径34与本发明的防粘构件惰性气体供给路径相当。
另外，在喷射器防粘构件30，仅仅在成膜容器11侧设置环状的流路时，与之相比优选为在喷射器侧，与惰性气体供给路径24同样，设置一处以上环状的流路。
在喷射器防粘构件30的成膜容器11内侧的端部，具有尺寸超过上述开口部11A的法兰30A，该法兰30A安装成与成膜容器11的内表面具有间隙。该间隙优选为10mm以下。间隙的下限没有特别限定，只要能够流出惰性气体即可。即使在部件彼此抵接的情况下，若彼此为粗糙面，则能够通过该间隙流出气体。
例如，也可以将法兰30A的内表面有意设为粗糙面(例如Ra(算术平均粗糙度)＝3～6μm)，将法兰30A内表面与成膜容器11内壁抵接，进行安装。
通过形状该粗糙面来确保气体流动的惰性气体供给路径34。间隙优选为至少为0.001mm以上。
在这方面，间隙的下限例如可以为0.001mm。
上述惰性气体供给路径34将该间隙作为结构的一部分，在间隙的外周端形成惰性气体供给口34A。惰性气体供给口34A与本发明的防粘构件惰性气体供给口相当。
原料气体供给路径32及原料气体供给口32A、反应气体供给路径33及反应气体供给口33A与惰性气体供给路径34及惰性气体供给口34A通过位于相互间的壁部分隔。
另外，原料气体供给路径32兼用作吹出原料气体的供给路径，反应气体供给路径33兼用作吹出反应气体的供给路径。
接着，用图2A、图2B、图3A、图3B说明喷射器20与喷射器防粘构件30的密封部分。
在经由惰性气体供给口24A的惰性气体供给路径24与惰性气体供给路径34的连通部分、经由原料气体供给口22A的原料气体供给路径22与原料气体供给路径32的连通部分、经由反应气体供给口23A的反应气体供给路径23与反应气体供给路径33的连通部分，喷射器20与喷射器防粘构件30的前端相互对接。
喷射器20具有比开口部11A大的筒形状，在开口部11A的外侧，其前端与成膜容器11的外壁环状相接，其间配置O形环35A作为密封构件，通过未图示固定工具安装到成膜装置11。
另外，在喷射器防粘构件30的法兰30A的内表面和开口部11A附近的内壁面，分别形成螺钉孔，在相互间配置螺钉38，在相互的内表面确保间隙的同时，将喷射器防粘构件30固定到成膜容器11。喷射器防粘构件30的法兰30A与开口部11A附近的成膜容器11的内壁的距离设为例如0.1mm。上述距离例如能够通过在螺钉部分应用垫片来调节，也可以不使用垫片而直接固定。
另外，在喷射器20与喷射器防粘构件30的上述对接面中，在惰性气体供给路径24、34的内径侧，在原料气体供给路径22、32、反应气体供给路径23、33的外径侧，配置O形环35B作为密封构件。喷射器防粘构件30中，对应O形环35B的配置位置，环状形成容纳O形环35B的截面形状的一部分的O形环槽36。
另外，在O形环35B的配置位置的内径侧，在包围原料气体供给路径22、32的位置配置O形环35C，使其位于原料气体供给路径22、32与反应气体供给路径23、33间的对接面。在喷射器防粘构件30中，对应O形环35C的配置位置，环状形成容纳O形环35C的截面形状的一部分的O形环槽37。
将喷射器防粘构件30用螺钉38安装到成膜装置11时，喷射器防粘构件30通过与喷射器20侧抵接，按压各O形环，提高密封性。
各O形环可靠地实现各供给路径及各供给口的分隔。
在喷射器防粘构件30设置O形环槽36、37是为了保养时从成膜容器11内侧拉出喷射器防粘构件30时，同时拉出并更换O形环35B、35C。在喷射器20设置O形环槽的情况下，保养时必须从成膜容器11分离喷射器20，保养性降低。
通过上述结构，向原料气体供给路径22供给的原料气体经由原料气体供给口22A、原料气体供给路径32、原料气体供给口32A，供给到成膜容器11的内部。吹出原料气体的吹出气体也同样。
另外，从反应气体供给路径23供给的反应气体经由反应气体供给口23A、反应气体供给路径33、反应气体供给口33A，供给到成膜容器11的内部。吹出反应气体的吹出气体也同样。
另外，从惰性气体供给路径24供给的惰性气体经由惰性气体供给口24A、惰性气体供给路径34、惰性气体供给口34A，供给到成膜容器11的内部。
向成膜容器11内供给的原料气体、反应气体、吹出气体、惰性气体从排气部40排出。
上述结构中，原料气体及反应气体混合的位置在喷射器防粘构件30内，原料气体和反应气体在喷射器20内部反应，能够抑制膜沉积。
通过O形环35B，能够将导入喷射器防粘构件30的开口部11A与喷射器防粘构件30可靠地分隔，能够抑制原料气体及反应气体向惰性气体供给口24A及惰性气体供给口34A泄漏的量。
另外，通过O形环35C，能够将导入喷射器防粘构件30的开口部11A与喷射器防粘构件30可靠地分隔，能够抑制原料气体从原料气体供给路径22进入反应气体供给路径23、33，并且能够抑制反应气体从反应气体供给路径23进入原料气体供给路径22、32。
原料气体及反应气体从成膜容器11内侧的扩散进入能够通过从惰性气体供给路径24、34向惰性气体供给口24A、34A供给惰性气体来抑制。惰性气体例如是氮、氩。
接着，说明上述原子层生长装置10中的处理顺序。
图4是表示本实施方式的原子层堆积方法的一例的流程图。图5A～5D是表示在基板S上形成薄膜的工序的图。
首先，原料气体供给部向成膜容器11的内部供给原料气体(步骤s1)。具体地说，向原料气体供给路径22供给原料气体(步骤s1)。原料气体经由原料气体供给路径22、原料气体供给口22A、原料气体供给路径32、原料气体供给口32A，供给到成膜容器11的内部。原料气体例如在0.1秒期间供给到成膜容器11的内部。如图5A所示，通过步骤s1，向成膜容器11的内部供给原料气体110，原料气体110吸附在基板S上，形成吸附层102。
另外，步骤s1中，向喷射器20的内表面及喷射器防粘构件30的外表面供给惰性气体。具体地说，向惰性气体供给路径24供给惰性气体。惰性气体经由惰性气体供给路径24、惰性气体供给口24A、惰性气体供给路径34、惰性气体供给口34A，供给到成膜容器11的内部。
本实施方式中，不仅在步骤s1，也包含后述步骤s2～s4，经由惰性气体供给路径24等恒定地供给惰性气体。因此，步骤s1中，经由原料气体供给路径22等向成膜容器11的内部供给原料气体时，能够抑制原料气体进入成膜容器11和喷射器20的间隙及成膜容器11和喷射器防粘构件30的间隙。
另外，步骤s1中，也可以通过反应气体供给路径23使吹出气体流过。能够抑制原料气体通过扩散绕回反应气体供给口33A并在反应气体供给口23A形成沉积膜。
接着，停止原料气体的供给，向原料气体供给路径22供给吹出气体(步骤s2)。吹出气体经由原料气体供给路径22、原料气体供给口22A、原料气体供给路径32、原料气体供给口32A，供给到成膜容器11的内部。原料气体从排气部40向成膜容器11的外部排出。
吹出气体例如在0.1秒期间供给到成膜容器11的内部。排气部40排出成膜容器11的内部的原料气体110、吹出气体112。排气部40例如在2秒期间排出成膜容器11的内部的原料气体110、吹出气体112。如图5B所示，通过步骤s2，向成膜容器11的内部供给吹出气体112，从成膜容器11吹出未在基板S上吸附的原料气体110。
接着，向成膜容器11的内部供给反应气体(步骤s3)。具体地说，向反应气体供给路径23供给反应气体(步骤s3)。反应气体经由反应气体供给路径23、反应气体供给口23A、反应气体供给路径33、反应气体供给口33A，供给到成膜容器11的内部。反应气体例如在1秒期间供给到成膜容器11的内部。如图5C所示，通过步骤s3，向成膜容器11的内部供给反应气体114。
另外，步骤s3中，也通过惰性气体供给路径24等向喷射器20的内表面、喷射器防粘构件30的外表面供给惰性气体。因此，在步骤s3中，通过反应气体供给路径23等向成膜容器11的内部供给反应气体时，能够抑制反应气体进入成膜容器11和喷射器20的间隙及成膜容器11和喷射器防粘构件30的间隙。
另外，步骤s3中，也可以通过原料气体供给路径22使吹出气体流过。能够抑制反应气体通过扩散绕回原料气体供给口32A并在原料气体供给口22A形成沉积膜。
接着，停止反应气体的供给，向反应气体供给路径23供给吹出气体(步骤s4)。吹出气体经由反应气体供给路径23、反应气体供给口23A、反应气体供给路径33、反应气体供给口33A，供给到成膜容器11的内部。吹出气体从排气部40向成膜容器11的外部排出。吹出气体例如在0.1秒期间供给到成膜容器11的内部。排气部40排出成膜容器11的内部的反应气体114、吹出气体112。如图5D所示，通过步骤s4，向成膜容器11的内部供给吹出气体112，从成膜容器11吹出反应气体114。
通过以上说明的步骤s1～s4，在基板S上形成一原子层量的薄膜层104。以下，通过以规定次数反复步骤s1～s4，能够形成期望膜厚的薄膜层104。
本实施方式的原子层生长装置10中，惰性气体在喷射器20的内表面及喷射器防粘构件30的外表面流动，能够抑制原料气体、反应气体进入成膜容器11与喷射器20的间隙。因此，能够抑制薄膜附着到成膜容器11与喷射器20的间隙。
另外，例如，用TMA作为原料气体，用O3作为反应气体所形成的氧化铝膜能够通过BCl3气体进行气体蚀刻。为了通过BCl3气体对氧化铝膜进行气体蚀刻，例如，必须加热到500℃左右的高温。
位于加热器14A的附近的成膜容器11的内壁能够通过加热器14A加热到500℃左右的高温。因此，在位于加热器14A的附近的成膜容器11的内壁上所附着的薄膜能够通过气体蚀刻去除。
如上所述，根据本实施方式，能够抑制薄膜附着到成膜容器11的内壁，另外，附着在内壁上的薄膜能够通过气体蚀刻去除，因此，能够降低通过湿法蚀刻进行的清洁的频度。
【实施例1】
采用实施方式1的成膜容器11，在370mm×470mm的G2玻璃基板形成AlON薄膜。采用TMA(三甲基铝)作为液体原料(Al源)，采用氧等离子体体和氮等离子体体作为反应气体。成膜采用图4所示的工序。惰性气体的流量设为200sccm(80℃)，在成膜工序中恒定供给。
实施20μm的成膜后，目视观察对应于惰性气体供给口24A、34A部分的喷射器防粘构件30及喷射器20的全部部分的膜厚，未观测到通过目视观察的AlON薄膜的干涉膜，其堆积量确认为50nm以下。气体供给口的保养仅限于喷射器防粘构件30及螺钉38，喷射器20及开口部11A能够成为免保养。
以上，根据上述实施方式说明了本发明，但是只要不脱离本发明的范围，就能够对本实施方式进行适宜的变更。
本申请主张2015年5月26日在日本申请的日本专利特愿2015-106855号的优先权，参考引用该申请所述的全部内容。
标号说明
10 原子层生长装置
11 成膜容器
13 基板
14 平台
14A 加热器
15 高频电源
20 喷射器
22 原料气体供给路径
22A 原料气体供给口
23 反应气体供给路径
23A 反应气体供给口
24 惰性气体供给路径
24A 惰性气体供给口
30 喷射器防粘构件
32 原料气体供给路径
32A 原料气体供给口
33 反应气体供给路径
33A 反应气体供给口
34 惰性气体供给路径
34A 惰性气体供给口
35A O形环
35B O形环
35C O形环
36 O形环槽
37 O形环槽
40 排气部
S 基板
102 吸附层
104 薄膜层
110 原料气体
112 吹出气体
114 反应气体。

Claims (15)

1.一种原子层生长装置，其特征在于，具备：
成膜容器；
能够安装到所述成膜容器的开口部的喷射器；以及
喷射器防粘构件，其能够以位于所述喷射器的靠所述成膜容器内侧的方式插入安装到所述开口部，
在所述喷射器分隔开地设有：
供给薄膜的原料即原料气体的喷射器原料气体供给路径；设于所述喷射器原料气体供给路径并流出所述原料气体的喷射器原料气体供给口；
供给与所述原料气体反应而形成所述薄膜的反应气体的喷射器反应气体供给路径；设于所述喷射器反应气体供给路径并流出所述反应气体的喷射器反应气体供给口；
用于惰性气体流过的喷射器惰性气体供给路径；设于所述喷射器惰性气体供给路径并流出所述惰性气体的喷射器惰性气体供给口，
在所述喷射器防粘构件分隔开地设有：
与所述喷射器原料气体供给口连接并供给所述原料气体的防粘构件原料气体供给路径；设于防粘构件原料气体供给路径并向所述成膜容器内流出所述原料气体的防粘构件原料气体供给口；
与所述喷射器反应气体供给口连接并供给所述反应气体的防粘构件反应气体供给路径；设于所述防粘构件反应气体供给路径并向所述成膜容器内流出所述反应气体的防粘构件反应气体供给口；
与所述喷射器惰性气体供给口连接并供给所述惰性气体的防粘构件惰性气体供给路径；设于所述防粘构件惰性气体供给路径并向所述成膜容器内流出所述惰性气体的防粘构件惰性气体供给口，
在所述喷射器防粘构件的外周侧和所述开口部的内周侧之间的间隙设有所述防粘构件惰性气体供给路径，以使所述惰性气体流过。
2.如权利要求1所述的原子层生长装置，其特征在于，
所述喷射器与所述喷射器防粘构件在经由所述喷射器原料气体供给口连通所述喷射器原料气体供给路径与所述防粘构件原料气体供给路径的部件彼此之间、经由所述喷射器反应气体供给口连通所述喷射器反应气体供给路径与所述防粘构件反应气体供给路径的部件彼此之间，至少在分隔所述原料气体和所述反应气体的位置配置有密封构件。
3.如权利要求2所述的原子层生长装置，其特征在于，
所述喷射器前端与所述喷射器防粘构件前端对接配置，在所述喷射器防粘构件安装到所述成膜容器的状态下按压所述密封构件。
4.如权利要求2或3所述的原子层生长装置，其特征在于，
所述密封构件是O形环。
5.如权利要求4所述的原子层生长装置，其特征在于，
在所述喷射器防粘构件，形成收纳所述O形环的一部分截面形状的O形环槽。
6.如权利要求2或4所述的原子层生长装置，其特征在于，
在所述成膜容器和所述喷射器的接触面配置密封构件。
7.如权利要求1～6的任一项所述的原子层生长装置，其特征在于，
所述防粘构件惰性气体供给路径由喷射器防粘构件外壁和所述开口部内壁内侧之间的空间形成。
8.如权利要求1～7的任一项所述的原子层生长装置，其特征在于，
所述喷射器防粘构件在所述成膜容器侧具有尺寸超过所述开口部的法兰，所述法兰与所述开口部所邻接的成膜容器内壁之间具有间隙，在该间隙设有所述防粘构件惰性气体供给口。
9.如权利要求8所述的原子层生长装置，其特征在于，
所述间隙的尺寸为10mm以下。
10.如权利要求8或9所述的原子层生长装置，其特征在于，
利用可调节所述间隙的安装部件将所述法兰安装到所述成膜容器。
11.如权利要求1～10的任一项所述的原子层生长装置，其特征在于，
所述开口部形成为筒孔形状，所述喷射器的至少所述成膜容器侧的所述喷射器原料气体供给路径及所述喷射器反应气体供给路径以及所述喷射器防粘构件的所述防粘构件原料气体供给路径及所述防粘构件反应气体供给路径沿所述开口部的轴向形成。
12.如权利要求1～11的任一项所述的原子层生长装置，其特征在于，
具有对所述原料气体及所述反应气体进行吹扫的吹扫气体供给路径。
13.如权利要求12所述的原子层生长装置，其特征在于，
将喷射器原料气体供给路径和防粘构件原料气体供给路径兼用作对所述原料气体进行吹扫的吹扫气体供给路径，
将喷射器反应气体供给路径和防粘构件反应气体供给路径兼用作对所述反应气体进行吹扫的吹扫气体供给路径。
14.如权利要求1～13的任一项所述的原子层生长装置，其特征在于，
所述防粘构件惰性气体供给路径至少在所述成膜容器侧端部形成环状的流路，所述喷射器惰性气体供给路径具有多个朝向所述成膜容器侧的直线状的流路，并与所述环状的流路连通。
15.如权利要求1～14的任一项所述的原子层生长装置，其特征在于，
所述防粘构件原料气体供给口及所述防粘构件反应气体供给口位于所述防粘构件的成膜容器内侧端面的靠喷射器侧。
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WO (1) WO2016190004A1 (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115261823A (zh) * 2022-08-26 2022-11-01 北京北方华创微电子装备有限公司 工艺腔室的进气装置、半导体工艺设备及半导体加工工艺
CN117467984A (zh) * 2023-11-08 2024-01-30 江苏首芯半导体科技有限公司 薄膜沉积装置及沉积方法

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5990626B1 (ja) * 2015-05-26 2016-09-14 株式会社日本製鋼所 原子層成長装置
WO2017209901A2 (en) * 2016-06-03 2017-12-07 Applied Materials, Inc. Substrate distance monitoring
US10889894B2 (en) * 2018-08-06 2021-01-12 Applied Materials, Inc. Faceplate with embedded heater
FI129868B (en) * 2021-03-30 2022-10-14 Beneq Oy Gas supply cup and gas manifold assembly

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11335849A (ja) * 1998-05-27 1999-12-07 Ebara Corp 成膜装置
JP2012175055A (ja) * 2011-02-24 2012-09-10 Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd 原子層堆積装置
JP2015073021A (ja) * 2013-10-03 2015-04-16 三井造船株式会社 原子層堆積装置および原子層堆積方法
JP2015073020A (ja) * 2013-10-03 2015-04-16 三井造船株式会社 原子層堆積装置および原子層堆積方法

Family Cites Families (88)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61163279A (ja) 1985-01-09 1986-07-23 Nec Corp Ｃｖｄ装置
JPH06953B2 (ja) 1986-09-18 1994-01-05 日本電気株式会社 薄膜形成装置
JPH01183113A (ja) 1988-01-18 1989-07-20 Fujitsu Ltd 気相成長装置
JPH0752716B2 (ja) * 1990-06-05 1995-06-05 松下電器産業株式会社 熱分解セル
JP2763222B2 (ja) * 1991-12-13 1998-06-11 三菱電機株式会社 化学気相成長方法ならびにそのための化学気相成長処理システムおよび化学気相成長装置
JPH06244269A (ja) * 1992-09-07 1994-09-02 Mitsubishi Electric Corp 半導体製造装置並びに半導体製造装置におけるウエハ真空チャック装置及びガスクリーニング方法及び窒化膜形成方法
JP3118737B2 (ja) 1992-10-23 2000-12-18 東京エレクトロン株式会社 被処理体の処理方法
US5326725A (en) 1993-03-11 1994-07-05 Applied Materials, Inc. Clamping ring and susceptor therefor
US5578132A (en) * 1993-07-07 1996-11-26 Tokyo Electron Kabushiki Kaisha Apparatus for heat treating semiconductors at normal pressure and low pressure
JP2875458B2 (ja) * 1993-07-16 1999-03-31 大日本スクリーン製造株式会社 基板の熱処理装置
US5457298A (en) * 1993-07-27 1995-10-10 Tulip Memory Systems, Inc. Coldwall hollow-cathode plasma device for support of gas discharges
JP3207993B2 (ja) 1993-12-28 2001-09-10 株式会社荏原製作所 半導体製造装置
US5665640A (en) * 1994-06-03 1997-09-09 Sony Corporation Method for producing titanium-containing thin films by low temperature plasma-enhanced chemical vapor deposition using a rotating susceptor reactor
US6200389B1 (en) * 1994-07-18 2001-03-13 Silicon Valley Group Thermal Systems Llc Single body injector and deposition chamber
US5643394A (en) * 1994-09-16 1997-07-01 Applied Materials, Inc. Gas injection slit nozzle for a plasma process reactor
JPH08186081A (ja) 1994-12-29 1996-07-16 F T L:Kk 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置
US5599371A (en) * 1994-12-30 1997-02-04 Corning Incorporated Method of using precision burners for oxidizing halide-free, silicon-containing compounds
JP3982844B2 (ja) * 1995-01-12 2007-09-26 株式会社日立国際電気 半導体製造装置及び半導体の製造方法
JP3477953B2 (ja) 1995-10-18 2003-12-10 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
JPH09251935A (ja) * 1996-03-18 1997-09-22 Applied Materials Inc プラズマ点火装置、プラズマを用いる半導体製造装置及び半導体装置のプラズマ点火方法
JP3696983B2 (ja) * 1996-06-17 2005-09-21 キヤノン株式会社 プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置
US6293310B1 (en) * 1996-10-30 2001-09-25 Unit Instruments, Inc. Gas panel
US5992463A (en) * 1996-10-30 1999-11-30 Unit Instruments, Inc. Gas panel
US5935283A (en) * 1996-12-31 1999-08-10 Atmi Ecosys Corporation Clog-resistant entry structure for introducing a particulate solids-containing and/or solids-forming gas stream to a gas processing system
JP4317608B2 (ja) 1999-01-18 2009-08-19 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
JP2000243711A (ja) 1999-02-24 2000-09-08 Kokusai Electric Co Ltd 基板処理装置
JP4252702B2 (ja) * 2000-02-14 2009-04-08 株式会社荏原製作所 反応副生成物の配管内付着防止装置及び付着防止方法
JP4567148B2 (ja) * 2000-06-23 2010-10-20 東京エレクトロン株式会社 薄膜形成装置
JP2002093598A (ja) * 2000-07-11 2002-03-29 Daihen Corp プラズマ発生装置
KR100372251B1 (ko) * 2001-02-09 2003-02-15 삼성전자주식회사 반도체 설비용 가스 분배장치
JP2002302770A (ja) 2001-04-09 2002-10-18 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
JP2002334868A (ja) * 2001-05-10 2002-11-22 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置および半導体装置の製造方法
JP4963336B2 (ja) 2001-08-28 2012-06-27 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
JP2003074468A (ja) * 2001-08-31 2003-03-12 Toshiba Corp 真空排気システム及びその監視・制御方法
US20030047282A1 (en) * 2001-09-10 2003-03-13 Yasumi Sago Surface processing apparatus
JP2003179045A (ja) * 2001-12-13 2003-06-27 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置及びその制御方法
US20030124842A1 (en) * 2001-12-27 2003-07-03 Applied Materials, Inc. Dual-gas delivery system for chemical vapor deposition processes
US6827815B2 (en) * 2002-01-15 2004-12-07 Applied Materials, Inc. Showerhead assembly for a processing chamber
KR100481874B1 (ko) * 2003-02-05 2005-04-11 삼성전자주식회사 집적회로 제조에 사용되는 확산로 및 확산로의 냉각방법
JP4268429B2 (ja) * 2003-03-17 2009-05-27 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP2004339581A (ja) 2003-05-16 2004-12-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜形成装置
KR20060064067A (ko) * 2003-09-03 2006-06-12 동경 엘렉트론 주식회사 가스 처리 장치 및 처리 가스 토출 기구의 방열 방법
JP4513329B2 (ja) * 2004-01-16 2010-07-28 東京エレクトロン株式会社 処理装置
JP4451221B2 (ja) * 2004-06-04 2010-04-14 東京エレクトロン株式会社 ガス処理装置および成膜装置
US20060021574A1 (en) * 2004-08-02 2006-02-02 Veeco Instruments Inc. Multi-gas distribution injector for chemical vapor deposition reactors
JP2006080148A (ja) 2004-09-07 2006-03-23 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
KR100782369B1 (ko) * 2004-11-11 2007-12-07 삼성전자주식회사 반도체 제조장치
US8163087B2 (en) * 2005-03-31 2012-04-24 Tokyo Electron Limited Plasma enhanced atomic layer deposition system and method
JP4492963B2 (ja) 2005-06-14 2010-06-30 ルネサスエレクトロニクス株式会社 薄膜の成膜方法、気相成長装置、プログラム
JP4749785B2 (ja) * 2005-07-19 2011-08-17 東京エレクトロン株式会社 ガス処理装置
US8454749B2 (en) * 2005-12-19 2013-06-04 Tokyo Electron Limited Method and system for sealing a first assembly to a second assembly of a processing system
JP4877748B2 (ja) * 2006-03-31 2012-02-15 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および処理ガス吐出機構
JP2007281150A (ja) 2006-04-05 2007-10-25 Tokyo Electron Ltd 処理装置
KR100850275B1 (ko) * 2006-12-20 2008-08-04 삼성전자주식회사 반도체 디바이스 제조설비의 가스 박스 모듈
US8821637B2 (en) * 2007-01-29 2014-09-02 Applied Materials, Inc. Temperature controlled lid assembly for tungsten nitride deposition
JP5034594B2 (ja) * 2007-03-27 2012-09-26 東京エレクトロン株式会社 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体
JP5141141B2 (ja) * 2007-08-23 2013-02-13 東京エレクトロン株式会社 気化器、気化器を用いた原料ガス供給システム及びこれを用いた成膜装置
JP5077748B2 (ja) 2007-09-06 2012-11-21 富士電機株式会社 成膜装置
JP5347294B2 (ja) * 2007-09-12 2013-11-20 東京エレクトロン株式会社 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体
JP2009088229A (ja) * 2007-09-28 2009-04-23 Tokyo Electron Ltd 成膜装置、成膜方法、記憶媒体及びガス供給装置
JP4929199B2 (ja) * 2008-02-01 2012-05-09 株式会社日立国際電気 基板処理装置および半導体装置の製造方法
FI122941B (fi) * 2008-06-12 2012-09-14 Beneq Oy Sovitelma ALD-reaktorin yhteydessä
JP4564570B2 (ja) 2009-03-10 2010-10-20 三井造船株式会社 原子層堆積装置
JP4523661B1 (ja) 2009-03-10 2010-08-11 三井造船株式会社 原子層堆積装置及び薄膜形成方法
US9540731B2 (en) * 2009-12-04 2017-01-10 Applied Materials, Inc. Reconfigurable multi-zone gas delivery hardware for substrate processing showerheads
JP5812606B2 (ja) * 2010-02-26 2015-11-17 株式会社日立国際電気 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
TWI527090B (zh) * 2010-07-12 2016-03-21 愛發科股份有限公司 成膜裝置
JP5743266B2 (ja) 2010-08-06 2015-07-01 キヤノンアネルバ株式会社 成膜装置及びキャリブレーション方法
JP2012126977A (ja) 2010-12-16 2012-07-05 Ulvac Japan Ltd 真空成膜装置及び成膜方法
KR101923167B1 (ko) * 2011-04-07 2018-11-29 피코순 오와이 플라즈마 소오스를 갖는 원자층 퇴적
WO2013051248A1 (ja) * 2011-10-07 2013-04-11 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
KR101411993B1 (ko) * 2012-09-25 2014-06-26 (주)젠 안테나 어셈블리 및 이를 구비한 플라즈마 처리 챔버
JP6123208B2 (ja) * 2012-09-28 2017-05-10 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
JP6134522B2 (ja) * 2013-01-30 2017-05-24 株式会社ニューフレアテクノロジー 気相成長装置および気相成長方法
TWI473903B (zh) * 2013-02-23 2015-02-21 Hermes Epitek Corp 應用於半導體設備的噴射器與上蓋板總成
JP6040075B2 (ja) 2013-03-27 2016-12-07 株式会社アルバック 真空成膜装置及び成膜方法
US20150004798A1 (en) * 2013-06-28 2015-01-01 Lam Research Corporation Chemical deposition chamber having gas seal
US10781516B2 (en) * 2013-06-28 2020-09-22 Lam Research Corporation Chemical deposition chamber having gas seal
US9018111B2 (en) * 2013-07-22 2015-04-28 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor reaction chamber with plasma capabilities
JP6334880B2 (ja) 2013-10-03 2018-05-30 Ｊｓｗアフティ株式会社 原子層堆積装置および原子層堆積方法
US10167557B2 (en) * 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
JP6297509B2 (ja) * 2015-01-26 2018-03-20 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP5990626B1 (ja) * 2015-05-26 2016-09-14 株式会社日本製鋼所 原子層成長装置
JP6050860B1 (ja) * 2015-05-26 2016-12-21 株式会社日本製鋼所 プラズマ原子層成長装置
JP6054471B2 (ja) * 2015-05-26 2016-12-27 株式会社日本製鋼所 原子層成長装置および原子層成長装置排気部
JP6778553B2 (ja) * 2016-08-31 2020-11-04 株式会社日本製鋼所 原子層成長装置および原子層成長方法
JP6723116B2 (ja) * 2016-08-31 2020-07-15 株式会社日本製鋼所 原子層成長装置および原子層成長方法
JP2019033236A (ja) * 2017-08-10 2019-02-28 株式会社日本製鋼所 原子層成長装置並びに原子層成長装置を使用した成膜方法および原子層成長装置のクリーニング方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11335849A (ja) * 1998-05-27 1999-12-07 Ebara Corp 成膜装置
JP2012175055A (ja) * 2011-02-24 2012-09-10 Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd 原子層堆積装置
JP2015073021A (ja) * 2013-10-03 2015-04-16 三井造船株式会社 原子層堆積装置および原子層堆積方法
JP2015073020A (ja) * 2013-10-03 2015-04-16 三井造船株式会社 原子層堆積装置および原子層堆積方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115261823A (zh) * 2022-08-26 2022-11-01 北京北方华创微电子装备有限公司 工艺腔室的进气装置、半导体工艺设备及半导体加工工艺
CN115261823B (zh) * 2022-08-26 2023-09-08 北京北方华创微电子装备有限公司 工艺腔室的进气装置、半导体工艺设备及半导体加工工艺
CN117467984A (zh) * 2023-11-08 2024-01-30 江苏首芯半导体科技有限公司 薄膜沉积装置及沉积方法
CN117467984B (zh) * 2023-11-08 2024-07-05 江苏首芯半导体科技有限公司 薄膜沉积装置及沉积方法

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