CN101135047B - 气化装置和半导体处理系统 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种用于由液体原料得到处理气体的气化装置，该装置包括：气化容器，规定上述气化装置的气化空间；喷射器，安装在上述气化容器中，使上述液体原料呈雾状向上述气化空间内喷出；和加热器，安装在上述气化容器中，对喷出至上述气化空间内的上述液体原料进行加热。气化装置还包括：气体导出路，与上述气化容器连接，使由上述液体原料得到的生成气体从上述气化空间导出；过滤器，配置在上述气体导出路内或上述气体导出路与上述气化空间之间，捕捉上述生成气体中的雾；和红外线照射机构，向上述过滤器照射红外线。

Description

气化装置和半导体处理系统
技术领域
本发明涉及用于由液体原料得到处理气体的气化装置和半导体处理系统。这里，所谓半导体处理意味着，通过在晶片或LCD(LiquidCrystal Display：液晶显示器)等FPD(Flat Panel Display：平板显示器)用的玻璃基板等被处理基板上以规定的图案形成半导体层、绝缘层和导电层等，为了在该被处理基板上制造半导体设备和包括与半导体设备连接的配线、电极等构件而实施的各种处理。
背景技术
作为半导体制造处理之一，有在半导体晶片W的表面形成规定膜的成膜处理。该处理使用例如减压CVD(Chemical Vapor Deposition：化学气相沉积)装置进行。该减压CVD装置，以气体状态供给原料，进行化学反应，使薄膜堆积在晶片表面。在这种装置中，有时将使液体原料气化得到的处理气体作为成膜气体，导入处理室内。
作为使用将液体原料气化得到的处理气体的成膜处理的示例，有以下的例子。即。使用将TEOS(Si(OC2HO5)4，tetra ethoxy silane：四乙氧基硅烷)气化得到处理气体和氧(O2)气，形成SiO2膜。使用将六氯二硅烷(Si2ClO6)气化得到的处理气体和氨(NH3)气，形成氮化硅(Si3N4)膜。
另外，也可以使用金属的有机化合物(配位化合物)形成其金属膜。作为其示例，有以下的例子。即，使用将铪系液体原料气化得到的处理气体和氧气，形成铪氧化膜。使用分别将钛(Ti)、锶(Sr)和钡(Ba)系液体原料气化得到的处理气体和氧气，形成BST(钡锶钛)氧化膜。
一直以来，TEOS等蒸气压高的液体原料，利用热烘方式使液体原料中所含的液中颗粒(约3000个/1ml)气化。由此，只将蒸气供给至处理腔室，液中颗粒残留在贮存于加热槽中的液体原料中。但是，铪系液体原料等蒸气压低的液体原料，由于气体的分解温度低，难以利用热烘方式气化。并且，由于将液体原料长时间保存在高温的容器内，液体原料变质。因此，通过采用利用载气将由喷射器雾化的液体原料供给至加热到规定温度的气化室内的喷射方式，可以促进液体原料的气化。但是，由于液中颗粒也被一起注入喷射器内，因此需要在气化室内具有收集该颗粒的过滤器。
另外，为了与半导体设备设计的多样化对应，使用各种金属有机化合物作为液体原料。例如，当使用Hf、Zr、St等有机化合物时，蒸气压比TEOS等低1/10以上。在这种低蒸气压液体原料的情况下，难以气化，无法避免未气化成分(雾)的残留。如果处理气体中含有雾，则成为作为颗粒附着在晶片上的主要原因，因此需要在气化器的出口侧或气体供给路上设置过滤器。
过滤器通过固定部件固定在形成气化器的气化室的容器上。过滤器由埋设在容器内的加热器，隔着固定部件，从其周边部被加热。在专利文献1(日本特开2004-211183号公报(段落0012，图2))中公开了以覆盖在腔室本体的侧面上形成的排出口的方式配置有过滤器的气化器。用螺栓固定该过滤器，使其背面侧与腔室本体的壁面紧密贴合，利用配置在腔室本体的过滤器安装面附近的加热器进行加热。
发明内容
本发明的目的在于提供一种能够长时间地进行稳定气化的气化装置和使用该装置的半导体处理系统。
在本发明的第一观点中，提供一种用于由液体原料得到处理气体的气化装置，其特征在于，包括：气化容器，规定上述气化装置的气化空间；喷射器，安装在上述气化容器中，使上述液体原料呈雾状向上述气化空间内喷出；加热器，安装在上述气化容器中，对喷出至上述气化空间内的上述液体原料进行加热；气体导出路，与上述气化容器连接，使由上述液体原料得到的生成气体从上述气化空间导出；过滤器，配置在上述气体导出路内或上述气体导出路与上述气化空间之间，捕捉上述生成气体中的雾；和红外线照射机构，向上述过滤器照射红外线。
在本发明的第二观点中，提供一种半导体处理系统，其特征在于，包括：收纳被处理基板的处理室；支承部件，在上述处理室内，支承上述被处理基板；加热上述处理室内的上述被处理基板的加热器；排出上述处理室内气体的排气系统；和向上述处理室内供给处理气体的气体供给系统，上述气体供给系统包括用于由液体原料得到上述处理气体的气化装置。上述气化装置包括：气化容器，规定上述气化装置的气化空间；喷射器，安装在上述气化容器中，使上述液体原料呈雾状向上述气化空间内喷出；加热器，安装在上述气化容器中，对喷出至上述气化空间内的上述液体原料进行加热；气体导出路，与上述气化容器连接，使由上述液体原料得到的生成气体从上述气化空间导出；过滤器，配置在上述气体导出路内或上述气体导出路与上述气化空间之间，捕捉上述生成气体中的雾；和红外线照射机构，向上述过滤器照射红外线。
本发明的其他目的和优点将在以下说明中阐明、通过以下说明部分变得明显、或可通过对本发明的实施而获知。本发明的目的和优点可通过以下具体指出的手段及组合而实现和获得。
附图说明
结合在本说明书中且构成其一部分的附图，图解显示了本发明目前的优选实施例，与以上给出的总体说明和以下给出的优选实施例的详细说明一起，用于解释本发明的本质。
图1为表示具有本发明一种实施方式的气化装置的半导体处理系统(成膜系统)的结构图。
图2为表示在图1所示的系统中使用的气化装置的纵截面图。
图3为表示安装在图2所示的气化装置内的过滤器的立体示意图。
图4A为表示利用图2所示的气化装置进行的液体原料的气化方法的图像的图。
图4B为表示图2所示的气化装置的过滤器和红外线照射机构的关系的示意图。
图5为表示图2所示的气化装置的变形例的纵截面图。
图6为表示具有本发明另一实施方式的气化装置的半导体处理系统(成膜系统)的结构图。
图7为表示在图6所示的系统中使用的气化装置的过滤器单元的纵截面图。
图8为表示图7所示的过滤器单元的变形例的纵截面图。
具体实施方式
在开发本发明的过程中，本发明者等对于现有的气化器和气化系统的问题进行了研究。结果，本发明者等得到下述的认识。
在专利文献1所述类型的气化器中，通过使处理气体通过过滤器内，并利用附着在过滤器上的雾发生气化时的蒸发热夺去过滤器的热量，过滤器的温度降低。利用加热器对过滤器进行加热，但由于其材质使用金属烧结体或纤维等，热量难以从过滤器的周边部传至中央部。因此，过滤器中央部的温度降低，难以使该中央部的温度恢复到规定的温度。当不再气化的雾堆积在过滤器中时，该过滤器迅速闭塞，过滤器的使用寿命缩短。
另一方面，当为了提高过滤器中央部的温度而提高加热器的输出时，过滤器周边部的温度过高，液体原料变质。例如，如果为在290～300℃下气化的液体原料，当比该温度升高5～10℃时，该液体原料会发生变质。如果提高加热器的输出，使过滤器中央部的温度为290～300℃时，过滤器周边部的温度比中央部的温度高很多，附着在周边部的雾会发生变质。
下面，参照附图，说明根据这种认识构成的本发明的实施方式。其中，在以下的说明中，具有大致相同的功能和结构的构成元件，用相同的符号表示，只在必要时进行重复说明。
图1为表示具有本发明一种实施方式的气化装置的半导体处理系统(成膜系统)的结构图。该系统包括对被处理基板例如晶片W进行规定的成膜处理(在晶片W上形成规定的薄膜)的成膜处理部100。用于供给规定处理气体的气体供给系统200与成膜处理部100连接。
成膜处理部100具备具有例如作为反应室(处理室)的立式反应管110的分批式的减压CVD装置。搭载有多片晶片W的晶舟120可以在反应管110内搬入搬出。晶片W由设置在反应管110外侧的加热器130加热。反应管110内通过作为真空排气单元的真空泵150维持在规定的真空度。规定的处理气体从后述的处理气体供给管路向反应管110供给。
气体供给系统200包含贮存槽1、气化装置2和与它们连接的配管系。贮存槽1贮存例如在85℃下的蒸气压为0.55Pa以下的低蒸气压的液体原料，例如TEMAH(Tetrakis(N-ethyl-N-methylamino)hafnium：四(N-乙基-N-甲氨基)铪)或HTB(hafnium tetra-t-butoxide：四叔丁氧基铪)等铪系材料。气化装置2使从贮存槽1供给的液体原料气化，生成处理气体。
具体而言，贮存槽1通过供给管路(液体原料供给路)51与气化装置2连接。供给管路51的贮存槽1一侧的端部与贮存槽1内的液体原料接触。在供给管路51上，从上游侧(贮存槽1侧)依次设置有第一阀V1、液体质量流量计M、第二阀V2。
设置有阀Va的气体供给管路21与贮存槽1连接。气体供给管路21的一端侧位于贮存槽1的液体原料液面的上方侧。气体供给管路21的另一端侧与加压气体例如N2气的供给源22连接。从贮存槽1向气化装置2供给液体原料时，向贮存槽1内供给例如1.0kg/cm2左右的N2气。由此，将液体原料加压，利用该加压能够将液体原料以规定流量从贮存槽1压送至气化装置2。其中，作为加压气体，除了N2气以外，还可以使用氦(He)气或氩(Ar)气等惰性气体。
在气化装置2中，还通过气体供给管路23连接有用作吹扫气体或雾化用气体的辅助气体例如N2气的供给源24。在气体供给管路23上，从气体供给源24一侧，依次设置有第一质量流量控制器M1、阀Vb。由此，能够以规定的流量向气化装置2供给作为辅助气体的N2气。其中，作为辅助气体，除了N2气以外，可以使用例如He气或氩气等惰性气体。
图2为表示在图1所示的系统中使用的气化装置2的纵截面图。为了规定气化空间，气化装置2包括作为本体的气密的圆筒形气化容器40和覆盖容器40外周面的四角形状的盖体41。容器40由例如内径为30～40mm、长度为250mm的不锈钢制的立式圆筒状体构成。在容器40上端部的中心轴上配置有与供给管路51连接的喷射器30。喷射器30构成为具有由内管和外管的二重管结构的喷射式喷射器。从该内管供给从供给管路51输送的液体原料，从外管供给从供给管路23作为雾化用气体输送的氮气。液体原料从喷射器30前端的喷出口30a(例如孔径为0.1mm)雾化(成为雾)，向喷雾器40内供给。
在容器40下端部的侧壁上，形成有用于向横方向导出液体原料气化得到的生成气体的导出口32。导出口32通过口连接部件52与用于向成膜装置供给处理气体的气体供给管路53连接。口连接部件52与气体供给管路53一起形成气体供给路。该气体供给路(在图1中相当于符号53的部位)通过阀V3与成膜处理部100连接。
在容器40中，以覆盖导出口32的方式配置有用于捕捉雾的圆形的过滤器7。图3为表示过滤器7的立体示意图。以塞住环状固定部件71的中央开口部的方式安装过滤器7。安装有过滤器7的固定部件71固定在盖体41上，这可以通过将螺栓(未图示)插入固定部件71周边部的螺栓插入孔72中、并旋入盖体41的壁面侧而进行。过滤器7由金属烧结体或纤维等制成，其厚度例如为2mm左右。
如图2所示，在气化装置2下端部的侧壁与过滤器7相对的部位上形成有开口部20。在该开口部20上以将其前面部插入的方式配置有红外线照射机构8。该红外线照射机构8具有内面为镜面的筒状的反射器80。在反射器80的基端侧配置有红外线照射源，例如卤素灯81。以塞住反射器80前面部的方式配置有石英制、科瓦铁镍钴合金玻璃制的透射窗83。
设定红外线照射机构8的位置，使卤素灯81的光轴大致通过过滤器7的中心部。由此，红外线照射机构8负责加热比过滤器7周边略靠近内侧的圆形区域。在红外线照射机构8中配置有具有法兰82a的固定部件82，它包围反射器80，并与反射器80的基端侧一体化。红外线照射机构8气密地安装在盖体41上，这通过利用螺栓等将法兰82a固定在气化装置2的盖体41上而进行。
在盖体41的内部，以包围容器40的方式配置有加热器48，该加热器例如沿着容器40的长度方向延伸，由多个例如电阻发热体构成。在本实施例中，在靠近气体导出口32侧的位置配置有两个加热器48，在靠近与导出口32相反一侧的位置配置有两个加热器48。并且，为了使容器40的导出口32与气体供给管路(气体导出路)53连接，在安装于盖体上的口连接部件52内也配置有例如由电阻发热体等构成的加热器49。
气化装置2的加热器48、49分别与由控制部60控制的电力供给部50a、50b连接。由此，能够进行控制使气化装置2内壁面的温度和过滤器7的周边附近的温度为预先设定的温度。并且，红外线照射机构8的卤素灯81也与由控制部60控制的电力供给部50c连接。这样，能够进行控制使过滤器7中央部的温度为预先设定的温度。即，在本实施方式中，利用来自加热器48、49的传导热对过滤器7周边部区域进行加热，利用来自红外线照射机构8的辐射热对中央区域进行加热。将利用加热器48、49和红外线照射机构8的过滤器7的目标温度设定在液体原料气化但不变质的温度范围。
在容器40的底面，形成有用于排出未气化的液体原料的排出口34。排出管路42与排出口34连接。在排出管路42上，在容器40底部附近配置有雾排出用的阀Vm。当阀Vm关闭时，雾贮存在该排出口34附近，这里成为雾积存部。在排出管路42的另一端侧连接有用于吸引排出雾的排出泵44，排出管路42和排出泵44构成吸引路。
下面，说明利用该成膜装置进行的成膜方法。图4A为表示利用图2所示的气化装置进行的液体原料的气化方法的图像的图。图4B为表示图2所示的气化装置的过滤器和红外线照射机构的关系的示意图。
首先，为了进行成膜处理，打开阀V1、V2、V3、Va。即，利用气体供给系统200，通过气体供给管路21，向贮存槽1内供给作为加压气体的N2气。利用该加压气体，通过供给管路51，将贮存槽1内的低蒸气压的液体原料例如铪系液体原料在由液体质量流量计M调整流量后的状态下，压送至气化装置2。此时，利用配置在供给管路5周围的加热器(未图示)，将在供给管路51内流通的液体原料的温度设定为例如40℃左右。
这里，在成膜处理部100中，由于将反应管110真空排气至规定的真空度，通过打开设在供给管路上的各阀，气体供给系统200的流体向下游侧通气。这样，可将例如5sccm流量的铪系液体原料导入气化装置2中。另外，由于此时导出口32的阀V3打开，而排出口34的阀Vm关闭，所以在容器40内形成从垂直方向的水平方向弯曲的流体流。
在气化装置2中，利用加热器48、49例如将容器40内部加热至140℃左右。这里从喷射器30向下方喷出经过雾化的(成为微细颗粒的)液体原料。该经过雾化的液体原料，将容器40上部侧区域扩大为圆锥状，并均匀地微粒化，同时一部分由于加热而被气化。并且，含有粒状物质的雾和蒸气的圆锥形的原料流，向容器40下部侧区域流动，此过程中由于热交换而被气化。
在容器40内向下流动的原料流中，气体被吸引到成膜处理部100侧，从垂直方向向水平方向弯曲。另一方面，由于雾重量大，无法由于惯性力变换方向，仍向下方流动。结果，雾从气体中分离，收集在容器40底部的雾积存部中。但是，即便如此，在从导出口32流出的流体中仍含有部分未分离的雾。因此，当处理气体通过过滤器7时，处理气体中所含的雾被过滤器7捕捉。
另一方面，利用来自加热器48、49通过气化装置2的盖体41和固定部件71的传导热，对过滤器7的周边部进行加热，并且热量从周边部向中央部传导。又如上所述，由于在过滤器7内热的传导性差，红外线照射在中央区域上，可利用辐射热直接加热。因此，能够将过滤器7的整个面大致均匀地维持在适于雾的气化的设定温度。由此，被过滤器7捕捉的雾发生气化，成为处理气体，通过过滤器7，向气体供给管路53流动。由于处理气体通过过滤器7内，并且由于雾发生气化时的蒸发热，过滤器7的热量被夺取。但是，其放热部分立即由红外线的辐射热所补充，结果，仍然能够将过滤器7保持为设定温度，连续地进行雾的捕捉和气化。
另外，由于在气化装置2中关闭雾排出阀Vm，如上所述，未气化的粒状物质积存在排出口34。并且，在成膜处理后，在规定时间打开阀Vm，通过使排气泵44工作，将贮存在容器40中的雾通过雾排出管42向装置外排出。
这样，在气化装置2内生成的处理气体通过气体供给管路53向成膜处理部100输送。此时，利用配置在气体供给管路53周围的(未图示)的加热器，将气体供给管路53内流通的处理气体的温度设定为例如150℃左右。
另一方面，在成膜处理部100中，预先将规定片数的晶片W搭载在舟120上，搬入例如维持在规定温度的反应管110内，对反应管110内进行真空排气至规定的真空度。另外，在使反应管110内稳定在规定温度和规定压力后，从供给管路53向反应管110内供给将铪系材料气化得到的处理气体和氧气(未图示)。由此，进行在晶片W上形成铪氧化膜的成膜处理。
采用上述实施方式能够得到下述效果。在气化装置2中，利用加热器48、49的传导热加热过滤器7的周边部，同时，红外线照射过滤器7的中央区域进行加热。由此，能够充分确保温度的恢复，能够将过滤器7在整个面上维持在适于雾的气化的设定温度。由于雾被有效地气化，能够抑制由于雾的附着堆积引起的过滤器7的堵塞，延长过滤器的使用寿命。另外，由于能够抑制过滤器7的堵塞，能够使容器40内的压力不上升，长期维持稳定的气化作用。并且，由于雾的气化效率高，能够减小由于雾的通过引起的颗粒在晶片上的附着。结果，气化作用稳定，能够长期进行稳定的成膜处理。
另外，通过利用红外线的辐射热对过滤器7进行加热，即使容器40内在减压气氛下，也能够有效地加热过滤器7。其中，液体原料气化得到的处理气体通过的部位通常利用的加热器进行加热。对于过滤器7的加热，也可以扩大红外线照射机构8的照射区域，利用红外线照射进行过滤器整个面的加热。
图5为表示图2所示的气化装置的变形例的纵截面图。在该变形例中，利用固定部件85将红外线照射机构8的透射窗83配置在盖体41的外侧壁面上。并且，利用固定部件86将反射器80配置在盖体41的外侧壁面上。由此，构成向过滤器7上游侧表面照射红外线的红外线照射机构8。
进一步具体而言，以覆盖在气化装置2下端部侧面上形成的开口部20的方式从气化装置2的外侧配置透射窗83。以塞住环状固定部件85的中央开口部的方式安装透射窗83。将螺栓85a插入形成于固定部件85的周边部的孔(未图示)中，旋入盖体41的外侧壁面，将固定部件85固定在盖体41上。在盖体41的外侧壁面上，配置有一端侧与反射器80连接的L形的固定部件86。将螺栓86a旋入形成于固定部件86另一端侧的孔(未图示)中，将固定部件86固定在盖体41上。并且，将螺栓86b旋入形成于固定部件86一端侧的孔(未图示)中，将反射器80固定。
如此构成的红外线照射机构8同上所述，也能够有效地加热过滤器7。其中，上述实施方式中的红外线照射机构8的结构不限于上述结构。
图6为表示具有本发明另一实施方式的气化装置的半导体处理系统(成膜系统)的结构图。在该实施方式中，在气化装置2X中，过滤器单元9B通过气体供给管路53与气化单元9A离开地配置。在过滤器单元9B中配置有上述的过滤器7和红外线照射机构8。在其他方面，本实施方式的气化装置2X与上述实施方式的气化装置2相同。
如图6所示，在从气化单元9A延伸的气体供给管路53上，配置有过滤器单元9B。图7为表示过滤器单元9B的截面图。过滤器单元9B具有立式圆筒状的过滤器容器90，在过滤器容器90的上端部形成有导入口91。处理气体从气体供给管路53(图7中未图示)通过导入口91供给至过滤器容器90内。
在过滤器容器90下端部的侧壁上，形成有用于将处理气体供给至成膜处理部100的导出口92。在过滤器容器90中，以覆盖导出口92的内侧开口部92a的方式配置有上述过滤器7。示意性地表示了过滤器7的固定结构，例如通过图3所示的固定部件71，固定在过滤器容器90上。
在过滤器容器90的侧壁上配置有上述的红外线照射机构8。在过滤器容器90的与过滤器7相对的侧壁部位形成有开口部93。红外线照射机构8的前面部与该开口部93嵌合。过滤器7和过滤器容器90的固定结构，可以采用例如与气化装置2的情况相同的结构等。
在过滤器单元9B中，以覆盖包括过滤器容器90的整体的方式配置有加热块96。为了避免图的烦杂，该加热块96用虚线示意性表示，在该块体内部，设有由电阻发热体构成的加热器。通过对过滤器容器90、导入口91的一部分、导出口92的一部分进行加热，能够将与处理气体接触的部位维持在处理气体不液化且不变质程度的适当温度。过滤器7的周边部利用该加热块96加热，中央部利用来自红外线照射机构8的红外线加热。另外，在过滤器容器90的底面上，形成有用于排出未气化的液体原料的排出口94，并配置有用于气密地密封该排出口94的盖95。
下面，对该实施方式的作用进行说明。在本例中，由于不在气化单元9A中配置过滤器7和红外线照射机构8，含有液体原料蒸气和未气化的粒状物质(雾)的处理气体从该气化单元9A的导出口排出。该处理气体通过气体供给管路53和导入口91，供给至过滤器容器90内，在过滤器容器90内向下流动。
处理气体中所含的雾由于重力向过滤器容器90的底面落下，从处理气体分离。处理气体由于来自导出口92侧的吸引，向导出口92弯曲。该处理气体中含有部分未由于重力分离的雾，当处理气体通过过滤器7时，雾被过滤器7捕捉。因此，与上述实施方式的气化装置2的情况相同，雾被气化，与处理气体一起通过过滤器7，通过导出口92和气体供给管路53向成膜处理部100输送。
采用本实施方式的气化装置2X，与上述实施方式的气化装置2中所述的效果同样，能够得到长期良好的过滤器功能。其中，由于雾大多在过滤器7的上游侧表面被捕捉，因此就加热效率而言，优选红外线照射机构8与上游侧表面相对配置。但是，也可以以与过滤器7的下游侧表面相对的方式配置红外线照射机构8。
图8为表示图7所示的过滤器单元9B的变形例的纵截面图。在该变形例的过滤器单元9X中，在过滤器容器90的下端部侧壁上形成有导入口91，并且在过滤器容器的上端部形成有导出口92。在过滤器容器90中，以覆盖导入口91的内侧开口部91a的方式配置有上述过滤器7。在这种情况下，也能够抑制过滤器7中央部的温度降低，能够得到同样的效果。
另外，在本发明中，作为低蒸气压的液体原料，除了铪系材料和HEAD以外，可以使用例如140℃下的蒸气压为40Pa以下的Ta(OC2H5)5、120℃下的蒸气压为40Pa以下的TDEAH(HF{N(C2H5)}4)等。另外，还可以使用将钛(Ti)、锶(Sr)、钡(Ba)的各有机物质(金属有机物质)溶解在四氢呋喃(THF)溶液中而构成的液体原料等。并且，适用于使用将HEAD气化得到的处理气体和NH3气，形成氮化硅膜的处理；和使用将Ta(OC2H5)5气化得到的处理气体和O3，形成Ta2O5膜的处理。此外，作为成膜处理部，除了分批式的减压CVD装置以外，也可以使用枚叶式的成膜装置。
其他优点和改型对于本领域技术人员将是显而易见的。因此，本发明的更广泛的实施方式不局限于在此显示和说明的具体细节和代表性的实施例。因此，可进行不同的改型，而不脱离由所附权利要求及其等效物所确定的总体发明构思的实质和范围。

Claims (20)

1.一种用于由液体原料得到处理气体的气化装置，其特征在于，包括：
气化容器，规定所述气化装置的气化空间；
喷射器，安装在所述气化容器中，使所述液体原料呈雾状向所述气化空间内喷出；
加热器，安装在所述气化容器中，对喷出至所述气化空间内的所述液体原料进行加热；
气体导出路，与所述气化容器连接，使由所述液体原料得到的生成气体从所述气化空间导出；
过滤器，配置在所述气体导出路内或所述气体导出路与所述气化空间之间，捕捉所述生成气体中的雾；
对所述过滤器周边部进行加热的辅助加热器；和
红外线照射机构，向所述过滤器照射红外线。
2.如权利要求1所述的气化装置，其特征在于：
配置所述红外线照射机构，向所述过滤器的上游侧表面照射红外线。
3.如权利要求1所述的气化装置，其特征在于：
所述红外线照射机构构成为，呈同心状向所述过滤器照射红外线。
4.如权利要求1所述的气化装置，其特征在于：
在所述气化容器上设置有所述过滤器和所述红外线照射机构。
5.如权利要求4所述的气化装置，其特征在于：
所述气体导出路与所述气化容器的下部侧面连接，向横向导出所述生成气体。
6.如权利要求5所述的气化装置，其特征在于：
所述过滤器安装在与所述气体导出路对应形成于所述气化容器的一侧部的导出口上，
所述红外线照射机构包括形成于与所述导出口相对的所述气化容器另一侧部的透射窗、和配置在所述透射窗外侧的红外线光源。
7.如权利要求4所述的气化装置，其特征在于：
所述喷射器配置在所述气化容器的上部，并且在所述气化容器内向下方喷出所述液体原料。
8.如权利要求7所述的气化装置，其特征在于：
所述喷射器具有由内管和外管构成的二重管结构，从所述内管供给所述液体原料，从所述外管供给雾化用气体。
9.如权利要求1所述的气化装置，其特征在于：
所述气化装置还包括所述生成气体通过的过滤器容器，该过滤器容器与所述气化容器离开，配置在所述气体导出路上，
在所述过滤器容器上设置有所述过滤器和所述红外线照射机构。
10.如权利要求9所述的气化装置，其特征在于：
所述过滤器安装在形成于所述过滤器容器一侧部的所述生成气体的出口上，
所述红外线照射机构包括形成于与所述出口相对的所述过滤器容器的另一侧部的透射窗，和配置在所述透射窗外侧的红外线光源。
11.一种半导体处理系统，其特征在于，包括：
收纳被处理基板的处理室；
在所述处理室内支承所述被处理基板的支承部件；
加热所述处理室内的所述被处理基板的加热器；
排出所述处理室内气体的排气系；和
向所述处理室内供给处理气体的气体供给系统，所述气体供给系统包括用于由液体原料得到所述处理气体的气化装置，
所述气化装置包括：
气化容器，规定所述气化装置的气化空间；
喷射器，安装在所述气化容器中，使所述液体原料呈雾状向所述气化空间内喷出；
加热器，安装在所述气化容器中，对喷出至所述气化空间内的所述液体原料进行加热；
气体导出路，与所述气化容器连接，使由所述液体原料得到的生成气体从所述气化空间导出；
过滤器，配置在所述气体导出路内或所述气体导出路与所述气化空间之间，捕捉所述生成气体中的雾；
对所述过滤器周边部进行加热的辅助加热器；和
红外线照射机构，向所述过滤器照射红外线。
12.如权利要求11所述的系统，其特征在于：
配置所述红外线照射机构，向所述过滤器的上游侧表面照射红外线。
13.如权利要求11所述的系统，其特征在于：
所述红外线照射机构构成为，呈同心状向所述过滤器照射红外线。
14.如权利要求11所述的系统，其特征在于：
在所述气化容器上设置有所述过滤器和所述红外线照射机构。
15.如权利要求14所述的系统，其特征在于：
所述气体导出路与所述气化容器的下部侧面连接，向横向导出所述生成气体。
16.如权利要求15所述的系统，其特征在于：
所述过滤器安装在与所述气体导出路对应形成于所述气化容器的一侧部的导出口上，
所述红外线照射机构包括形成于与所述导出口相对的所述气化容器另一侧部的透射窗、和配置在所述透射窗外侧的红外线光源。
17.如权利要求14所述的系统，其特征在于：
所述喷射器配置在所述气化容器的上部，并且在所述气化容器内向下方喷出所述液体原料。
18.如权利要求17所述的系统，其特征在于：
所述喷射器具有由内管和外管构成的二重管结构，从所述内管供给所述液体原料，从所述外管供给雾化用气体。
19.如权利要求11所述的系统，其特征在于：
所述气化装置还包括所述生成气体通过的过滤器容器，该过滤器容器与所述气化容器离开，配置在所述气体导出路上，
在所述过滤器容器上设置有所述过滤器和所述红外线照射机构。
20.如权利要求19所述的系统，其特征在于：
所述过滤器安装在形成于所述过滤器容器一侧部的所述生成气体的出口上，
所述红外线照射机构包括形成于与所述出口相对的所述过滤器容器另一侧部的透射窗，和配置在所述透射窗外侧的红外线光源。
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