JPH04243122A - 化学気相成長装置 - Google Patents
化学気相成長装置Info
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- JPH04243122A JPH04243122A JP410791A JP410791A JPH04243122A JP H04243122 A JPH04243122 A JP H04243122A JP 410791 A JP410791 A JP 410791A JP 410791 A JP410791 A JP 410791A JP H04243122 A JPH04243122 A JP H04243122A
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は化学気相成長装置、特に
石英反応管内に配置した被処理基板を該石英管の外部に
配置した赤外線ランプからのからの赤外線照射により加
熱して該被処理基板上に反応生成物の薄膜を気相成長さ
せる赤外線ランプ加熱方式の化学気相成長装置に関する
。
石英反応管内に配置した被処理基板を該石英管の外部に
配置した赤外線ランプからのからの赤外線照射により加
熱して該被処理基板上に反応生成物の薄膜を気相成長さ
せる赤外線ランプ加熱方式の化学気相成長装置に関する
。
【０００２】近年、半導体装置の製造工程においては、
高集積化に伴いシャロー化される不純物拡散領域の不純
物プロファイルの変動等を防止等のために、急熱・急冷
が容易な赤外線ランプ加熱方式の化学気相成長（ＣＶＤ
）装置が多く用いられるようになったが、この方式のＣ
ＶＤ装置には、赤外線を透過する反応管管壁への堆積物
の被着による加熱効率の低下、加熱分布の劣化等の問題
があり、改善が望まれている。
高集積化に伴いシャロー化される不純物拡散領域の不純
物プロファイルの変動等を防止等のために、急熱・急冷
が容易な赤外線ランプ加熱方式の化学気相成長（ＣＶＤ
）装置が多く用いられるようになったが、この方式のＣ
ＶＤ装置には、赤外線を透過する反応管管壁への堆積物
の被着による加熱効率の低下、加熱分布の劣化等の問題
があり、改善が望まれている。
【０００３】
【従来の技術】図４は赤外線ランプ加熱方式のＣＶＤ装
置の従来例の模式断面図で、図中、１は透明石英からな
る石英反応管、２はガス導入口、３は真空排気口、４は
基板出し入れ用蓋、５は真空パッキン、６は赤外線ラン
プ、７は反射板、８は石英製基板搭載治具、９は基板支
持ピン、１０は被処理基板、１１はパイロメータ、１２
は扇風機を示す。
置の従来例の模式断面図で、図中、１は透明石英からな
る石英反応管、２はガス導入口、３は真空排気口、４は
基板出し入れ用蓋、５は真空パッキン、６は赤外線ラン
プ、７は反射板、８は石英製基板搭載治具、９は基板支
持ピン、１０は被処理基板、１１はパイロメータ、１２
は扇風機を示す。
【０００４】この図に示されるように赤外線ランプ加熱
方式のＣＶＤ装置においては、ガス導入口２から反応ガ
スを所定流量で導入し、真空排気口３から所定の真空排
気を行って反応管１内を所定の圧力に保った状態で、赤
外線の導入窓を兼ねる石英反応管１を通して赤外線ラン
プ６で発する赤外線（ＩＲ）を被処理基板１０上に照射
し被処理基板１０を加熱して被処理基板１０上への薄膜
の成長がなされるために、石英反応管１の赤外線（ＩＲ
）が通過する領域は赤外線（ＩＲ）の吸収によって昇温
するが、従来の装置においては、この昇温部の冷却が、
常温の低圧窒素の吹きつけや排気ファンや扇風機１２等
を用いた常温の気体流による空冷によってのみなされて
いた。
方式のＣＶＤ装置においては、ガス導入口２から反応ガ
スを所定流量で導入し、真空排気口３から所定の真空排
気を行って反応管１内を所定の圧力に保った状態で、赤
外線の導入窓を兼ねる石英反応管１を通して赤外線ラン
プ６で発する赤外線（ＩＲ）を被処理基板１０上に照射
し被処理基板１０を加熱して被処理基板１０上への薄膜
の成長がなされるために、石英反応管１の赤外線（ＩＲ
）が通過する領域は赤外線（ＩＲ）の吸収によって昇温
するが、従来の装置においては、この昇温部の冷却が、
常温の低圧窒素の吹きつけや排気ファンや扇風機１２等
を用いた常温の気体流による空冷によってのみなされて
いた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】そのために従来の装置
においては石英反応管１の冷却効果が十分でなく、例え
ば ５００〜１０００℃程度の高温で行われるシリコン
（Ｓｉ）膜成長の場合には、照射される赤外線（ＩＲ）
の吸収により昇温するする部分の石英反応管１の内壁に
も図示のようにＳｉ膜１３が順次成長し、このＳｉ膜１
３に赤外線（ＩＲ）が吸収されて、被処理基板９上に到
達する赤外線量が減少して必要な基板温度が得られず成
長が不能になったり、また成長時間の経過と共に反応管
１内壁に析出するＳｉ膜１２の厚みが増して赤外線透過
量が順次減少することによって、被処理基板毎に成長膜
厚の変動を生ずるという問題や、析出するＳｉ膜厚が場
所により異なるため被処理基板面に温度分布を生じ、成
長膜厚に面内分布を生ずるという問題もあった。
においては石英反応管１の冷却効果が十分でなく、例え
ば ５００〜１０００℃程度の高温で行われるシリコン
（Ｓｉ）膜成長の場合には、照射される赤外線（ＩＲ）
の吸収により昇温するする部分の石英反応管１の内壁に
も図示のようにＳｉ膜１３が順次成長し、このＳｉ膜１
３に赤外線（ＩＲ）が吸収されて、被処理基板９上に到
達する赤外線量が減少して必要な基板温度が得られず成
長が不能になったり、また成長時間の経過と共に反応管
１内壁に析出するＳｉ膜１２の厚みが増して赤外線透過
量が順次減少することによって、被処理基板毎に成長膜
厚の変動を生ずるという問題や、析出するＳｉ膜厚が場
所により異なるため被処理基板面に温度分布を生じ、成
長膜厚に面内分布を生ずるという問題もあった。
【０００６】そこで本発明は、石英反応管の赤外線通過
領域の昇温を抑えてそこに反応生成物が析出するのを防
止した赤外線ランプ加熱方式のＣＶＤ装置を提供し、基
板毎の膜厚の分布及び基板面内の膜厚分布を減少せしめ
て気相成長膜の膜厚精度を向上させることを目的とする
。
領域の昇温を抑えてそこに反応生成物が析出するのを防
止した赤外線ランプ加熱方式のＣＶＤ装置を提供し、基
板毎の膜厚の分布及び基板面内の膜厚分布を減少せしめ
て気相成長膜の膜厚精度を向上させることを目的とする
。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題は、石英反応管
内に配置した被処理基板を該石英管の外部に配置した赤
外線ランプからのからの赤外線照射により加熱して該被
処理基板上に反応生成物の薄膜を気相成長させる赤外線
ランプ加熱方式の化学気相成長装置において、該石英反
応管と赤外線ランプとの間にフィルタを挿入し該石英反
応管で吸収される波長の光を遮断する本発明による化学
気相成長装置、若しくは石英反応管の少なくとも赤外線
を透過する領域が、断熱膨張効果により冷却された気体
の吹きつけにより冷却される本発明による化学気相成長
装置、若しくは石英反応管の少なくとも赤外線を透過す
る領域が、化学組成の中にＣ−Ｈ結合、Ｏ−Ｈ結合、Ｎ
−Ｈ結合の何れをも持たない冷媒により冷却される本発
明による化学気相成長装置により解決される。
内に配置した被処理基板を該石英管の外部に配置した赤
外線ランプからのからの赤外線照射により加熱して該被
処理基板上に反応生成物の薄膜を気相成長させる赤外線
ランプ加熱方式の化学気相成長装置において、該石英反
応管と赤外線ランプとの間にフィルタを挿入し該石英反
応管で吸収される波長の光を遮断する本発明による化学
気相成長装置、若しくは石英反応管の少なくとも赤外線
を透過する領域が、断熱膨張効果により冷却された気体
の吹きつけにより冷却される本発明による化学気相成長
装置、若しくは石英反応管の少なくとも赤外線を透過す
る領域が、化学組成の中にＣ−Ｈ結合、Ｏ−Ｈ結合、Ｎ
−Ｈ結合の何れをも持たない冷媒により冷却される本発
明による化学気相成長装置により解決される。
【０００８】
【作用】即ち第１の発明においては、石英反応管と赤外
線ランプとの間にフィルタを配置し、反応管が吸収する
波長の赤外線をこのフィルタに吸収させることによって
反応管に達する上記波長の赤外線を遮断して、赤外線吸
収による反応管の温度上昇を防止する。なおこの際、フ
ィルタに反応管と同質の石英材料を用いればフィルタに
よって上記以外の波長の赤外線が遮断されないので、加
熱効率は高まる。
線ランプとの間にフィルタを配置し、反応管が吸収する
波長の赤外線をこのフィルタに吸収させることによって
反応管に達する上記波長の赤外線を遮断して、赤外線吸
収による反応管の温度上昇を防止する。なおこの際、フ
ィルタに反応管と同質の石英材料を用いればフィルタに
よって上記以外の波長の赤外線が遮断されないので、加
熱効率は高まる。
【０００９】また第２の発明においては、石英反応管の
赤外線透過部に高圧ガスをノズルから急速で吹きつけ、
その際断熱膨張効果によって低温になるガスによって赤
外線の吸収及び被処理基板からの熱輻射により昇温する
上記赤外線透過部を冷却する。 また第３の発明にお
いては、石英反応管の赤外線透過領域を石英の２重管で
形成し、外管に常温近傍の冷媒を流してその部分の赤外
線吸収及び被処理基板からの熱輻射による温度上昇を抑
える。この際使用する冷媒に石英の透明な Ｏ．２〜５
μｍの波長領域に強い吸収を持つＣ−Ｈ結合、Ｏ−Ｈ結
合、Ｎ−Ｈ結合を持たない冷媒を用いることにより赤外
線透過率の低下を防ぐ。
赤外線透過部に高圧ガスをノズルから急速で吹きつけ、
その際断熱膨張効果によって低温になるガスによって赤
外線の吸収及び被処理基板からの熱輻射により昇温する
上記赤外線透過部を冷却する。 また第３の発明にお
いては、石英反応管の赤外線透過領域を石英の２重管で
形成し、外管に常温近傍の冷媒を流してその部分の赤外
線吸収及び被処理基板からの熱輻射による温度上昇を抑
える。この際使用する冷媒に石英の透明な Ｏ．２〜５
μｍの波長領域に強い吸収を持つＣ−Ｈ結合、Ｏ−Ｈ結
合、Ｎ−Ｈ結合を持たない冷媒を用いることにより赤外
線透過率の低下を防ぐ。
【００１０】以上により、本発明によれば赤外線ランプ
加熱方式のＣＶＤ装置において、石英反応管の赤外線透
過領域の温度上昇が抑えられて反応生成物が赤外線透過
領域の反応管管壁に堆積するのが回避されるので、気相
成長膜の基板毎の膜厚の分布や基板面内の膜厚分布が減
少して膜厚精度が向上する。
加熱方式のＣＶＤ装置において、石英反応管の赤外線透
過領域の温度上昇が抑えられて反応生成物が赤外線透過
領域の反応管管壁に堆積するのが回避されるので、気相
成長膜の基板毎の膜厚の分布や基板面内の膜厚分布が減
少して膜厚精度が向上する。
【００１１】
【実施例】以下本発明を、図示実施例により具体的に説
明する。図１は本発明に係るＣＶＤ装置の第１の実施例
の模式断面図、図２は本発明に係るＣＶＤ装置の第２の
実施例の模式断面図、図３は本発明に係るＣＶＤ装置の
第３の実施例の模式断面図である。全図を通じ同一対象
物は同一符合で示す。
明する。図１は本発明に係るＣＶＤ装置の第１の実施例
の模式断面図、図２は本発明に係るＣＶＤ装置の第２の
実施例の模式断面図、図３は本発明に係るＣＶＤ装置の
第３の実施例の模式断面図である。全図を通じ同一対象
物は同一符合で示す。
【００１２】図１において、１は厚さ１５ｍｍ程度の透
明石英からなり赤外線導入窓を兼ねる石英反応管、２は
ガス導入口、３は真空排気口、４は石英若しくは金属等
からなる基板出し入れ用蓋、５は真空パッキン、６は赤
外線ランプ、７は反射板、８は例えば石英製の基板搭載
治具、９例えば基板搭載治具と一体に形成され先端を細
めて基板との熱抵抗を高めた基板支持ピン、１０は被処
理基板、１１はパイロメータ、１４は特定の波長を有す
る赤外線のフィルタとなる厚さ３０ｍｍ程度の透明な石
英板を示す。
明石英からなり赤外線導入窓を兼ねる石英反応管、２は
ガス導入口、３は真空排気口、４は石英若しくは金属等
からなる基板出し入れ用蓋、５は真空パッキン、６は赤
外線ランプ、７は反射板、８は例えば石英製の基板搭載
治具、９例えば基板搭載治具と一体に形成され先端を細
めて基板との熱抵抗を高めた基板支持ピン、１０は被処
理基板、１１はパイロメータ、１４は特定の波長を有す
る赤外線のフィルタとなる厚さ３０ｍｍ程度の透明な石
英板を示す。
【００１３】この図のように本発明に係る第１の発明に
おいては、石英反応管１の赤外線透過領域１５と、これ
から １００ｍｍ程度隔たった赤外線ランプ６との間の
石英反応管１から例えば１０ｍｍ程度隔たった位置に上
記厚さの石英板１４を配置し、赤外線ランプ６から反応
管１内に基板搭載治具８の基板支持支持ピン９によって
高熱抵抗で支持されている被処理基板１０面に投射され
る赤外線（ＩＲ）の中の石英反応管１が吸収する特定の
波長の赤外線（ＩＲ）を選択的に吸収遮断する。
おいては、石英反応管１の赤外線透過領域１５と、これ
から １００ｍｍ程度隔たった赤外線ランプ６との間の
石英反応管１から例えば１０ｍｍ程度隔たった位置に上
記厚さの石英板１４を配置し、赤外線ランプ６から反応
管１内に基板搭載治具８の基板支持支持ピン９によって
高熱抵抗で支持されている被処理基板１０面に投射され
る赤外線（ＩＲ）の中の石英反応管１が吸収する特定の
波長の赤外線（ＩＲ）を選択的に吸収遮断する。
【００１４】この装置を用い、水素（Ｈ２）流量：１リ
ットル、モノシラン（ＳｉＨ４）流量：１００ｃｃ 、
反応圧力：５Ｔｏｒｒ、基板温度 ９００℃、赤外線ラ
ンプ電流：８０〜１８０ Ａ、赤外線ランプ基板間距離
：１３０ 〜１５０ｍｍ の成長条件で５分間の成長を
行い、１００ 面を有するｐ型Ｓｉ基板からなる被処理
基板１０上に厚さ約５μｍの多結晶シリコン膜の成長を
行ったが、この成長を行った後にも、石英反応管１の赤
外線透過領域１５内面に多結晶シリコン膜の堆積は全然
認められなかった。このことは、石英板１４を用いなか
った従来装置において同一成長条件で ８００Å程度の
厚さの多結晶シリコン膜が堆積していたのに比べて大幅
な改善である。
ットル、モノシラン（ＳｉＨ４）流量：１００ｃｃ 、
反応圧力：５Ｔｏｒｒ、基板温度 ９００℃、赤外線ラ
ンプ電流：８０〜１８０ Ａ、赤外線ランプ基板間距離
：１３０ 〜１５０ｍｍ の成長条件で５分間の成長を
行い、１００ 面を有するｐ型Ｓｉ基板からなる被処理
基板１０上に厚さ約５μｍの多結晶シリコン膜の成長を
行ったが、この成長を行った後にも、石英反応管１の赤
外線透過領域１５内面に多結晶シリコン膜の堆積は全然
認められなかった。このことは、石英板１４を用いなか
った従来装置において同一成長条件で ８００Å程度の
厚さの多結晶シリコン膜が堆積していたのに比べて大幅
な改善である。
【００１５】また上記実施例において、石英板１２と石
英反応管１の材質を同一のものにした例においては、赤
外線の透過効率が更に向上し、上記実施例に比べてラン
プ電流を平均で ０．５Ａ程度節約できた。
英反応管１の材質を同一のものにした例においては、赤
外線の透過効率が更に向上し、上記実施例に比べてラン
プ電流を平均で ０．５Ａ程度節約できた。
【００１６】図２に示す第２の実施例においては、石英
反応管１の赤外線（ＩＲ）の吸収及び基板１０からの輻
射熱により昇温する赤外線透過領域１５上に、 １００
Ｋｇ／ｃｍ２程度の高圧窒素（Ｎ２）を高圧ノズル１６
先端の１ｍｍφ程度のガス噴出孔１７から急速に噴射し
たＮ２ガスを吹きつけ、噴出の際の断熱膨張によって低
温に冷却されたＮ２ガスによって石英反応管１の赤外線
透過領域１５を冷却するようにした装置である。この装
置を用い、前記第１の実施例の条件で３０分間多結晶シ
リコンの成長を行ったが、石英反応管１の赤外線透過領
域１５内面に多結晶シリコン膜の付着は全然見られなか
った。一方低圧の常温Ｎ２を吹きつけていた従来の装置
においては、同一成長条件における同一時間の成長にお
いて厚さ ３００Å程度の多結晶シリコン膜の付着が認
められており、この構成の装置の改善効果も大きい。
反応管１の赤外線（ＩＲ）の吸収及び基板１０からの輻
射熱により昇温する赤外線透過領域１５上に、 １００
Ｋｇ／ｃｍ２程度の高圧窒素（Ｎ２）を高圧ノズル１６
先端の１ｍｍφ程度のガス噴出孔１７から急速に噴射し
たＮ２ガスを吹きつけ、噴出の際の断熱膨張によって低
温に冷却されたＮ２ガスによって石英反応管１の赤外線
透過領域１５を冷却するようにした装置である。この装
置を用い、前記第１の実施例の条件で３０分間多結晶シ
リコンの成長を行ったが、石英反応管１の赤外線透過領
域１５内面に多結晶シリコン膜の付着は全然見られなか
った。一方低圧の常温Ｎ２を吹きつけていた従来の装置
においては、同一成長条件における同一時間の成長にお
いて厚さ ３００Å程度の多結晶シリコン膜の付着が認
められており、この構成の装置の改善効果も大きい。
【００１７】図３に示す第３の実施例においては、石英
反応管１の赤外線透過領域１５を選択的に石英の２重管
構造にし、石英反応管１と石英外管１８との間に冷媒導
入口１９及び冷媒排出口２０を介して常温近傍温度の冷
媒２１を循環させて、赤外線（ＩＲ）の吸収及び基板９
からの輻射熱により昇温する石英反応管１の赤外線透過
領域１５を冷却する。
反応管１の赤外線透過領域１５を選択的に石英の２重管
構造にし、石英反応管１と石英外管１８との間に冷媒導
入口１９及び冷媒排出口２０を介して常温近傍温度の冷
媒２１を循環させて、赤外線（ＩＲ）の吸収及び基板９
からの輻射熱により昇温する石英反応管１の赤外線透過
領域１５を冷却する。
【００１８】この装置では赤外線（ＩＲ）は外管１８、
冷媒２１及び石英反応管１を透過して被処理上に照射さ
れるのでそれらによる吸収により第１、第２の実施例に
比べランプ電流を増加させる必要があるが、前記実施例
同様に ９００℃で多結晶シリコン膜の成長を行い、冷
媒に常温の水を用いた場合には赤外線ランプ６の電流は
１８０Ａ必要であっったものが、本発明にかかるＣ−
Ｈ、Ｏ−Ｈ、Ｎ−Ｈ結合を持たない常温の例えば４塩化
炭素（ＣＣｌ４）を冷媒に用いた際には、ランプ電流を
１４０Ａまで低減することが可能であった。また反応
管１の赤外線透過領域１５内面への多結晶シリコン膜の
付着も皆無であった。なお第１、第２の実施例ではラン
プ電流は １００Ａ程度である。
冷媒２１及び石英反応管１を透過して被処理上に照射さ
れるのでそれらによる吸収により第１、第２の実施例に
比べランプ電流を増加させる必要があるが、前記実施例
同様に ９００℃で多結晶シリコン膜の成長を行い、冷
媒に常温の水を用いた場合には赤外線ランプ６の電流は
１８０Ａ必要であっったものが、本発明にかかるＣ−
Ｈ、Ｏ−Ｈ、Ｎ−Ｈ結合を持たない常温の例えば４塩化
炭素（ＣＣｌ４）を冷媒に用いた際には、ランプ電流を
１４０Ａまで低減することが可能であった。また反応
管１の赤外線透過領域１５内面への多結晶シリコン膜の
付着も皆無であった。なお第１、第２の実施例ではラン
プ電流は １００Ａ程度である。
【００１９】
【発明の効果】以上説明のように本発明によれば、赤外
線ランプ加熱方式のＣＶＤ装置において、石英反応管の
赤外線透過領域の温度上昇が抑えられて反応生成物が赤
外線透過領域の反応管管壁に堆積するのが回避されるの
で、気相成長膜の基板毎の膜厚の分布や基板面内の膜厚
分布が減少して膜厚精度が向上する。
線ランプ加熱方式のＣＶＤ装置において、石英反応管の
赤外線透過領域の温度上昇が抑えられて反応生成物が赤
外線透過領域の反応管管壁に堆積するのが回避されるの
で、気相成長膜の基板毎の膜厚の分布や基板面内の膜厚
分布が減少して膜厚精度が向上する。
【００２０】またそれに伴って、石英反応管を清浄化す
る頻度が大幅に減少し、保守手番の短縮及び装置の稼働
率の向上が図れる。
る頻度が大幅に減少し、保守手番の短縮及び装置の稼働
率の向上が図れる。
【図１】本発明に係るＣＶＤ装置の第１の実施例の模式
断面図
断面図
【図２】本発明に係るＣＶＤ装置の第２の実施例の模式
断面図
断面図
【図３】本発明に係るＣＶＤ装置の第３の実施例の模式
断面図
断面図
【図４】赤外線ランプ加熱方式ＣＶＤ装置の従来例の模
式断面図
式断面図
１ 石英反応管
２ ガス導入口
３ 真空排気口
４ 基板出し入れ用蓋
５ 真空パッキン
６ 赤外線ランプ
７ 基板搭載治具
８ 基板支持ピン
９ 被処理基板
１１ パイロメータ
１４ 石英板
１５ 赤外線透過領域
１６ 高圧ノズル
１７ ガス噴出孔
１８ 石英外管
１９ 冷媒導入口
２０ 冷媒排出口
２１ 冷媒
Claims (4)
- 【請求項１】 石英反応管内に配置した被処理基板を
該石英管の外部に配置した赤外線ランプからのからの赤
外線照射により加熱して該被処理基板上に反応生成物の
薄膜を気相成長させる赤外線ランプ加熱方式の化学気相
成長装置において、該石英反応管と赤外線ランプとの間
にフィルタを挿入し該石英反応管で吸収される波長の光
を遮断することを特徴とする化学気相成長装置。 - 【請求項２】 前記フィルタに該石英反応管と同一種
類の石英を用いることを特徴とする請求項１記載の化学
気相成長装置。 - 【請求項３】 石英反応管内に配置した被処理基板を
該石英管の外部に配置した赤外線ランプからの赤外線照
射により加熱して該被処理基板上に反応生成物の薄膜を
気相成長させる赤外線ランプ加熱方式の化学気相成長装
置において、該石英反応管の少なくとも赤外線を透過す
る領域が、断熱膨張効果により冷却された気体の吹きつ
けにより冷却されることを特徴とする化学気相成長装置
。 - 【請求項４】 石英反応管内に配置した被処理基板を
該石英管の外部に配置した赤外線ランプからのからの赤
外線照射により加熱して該被処理基板上に反応生成物の
薄膜を気相成長させる赤外線ランプ加熱方式の化学気相
成長装置において、該石英反応管の少なくとも赤外線を
透過する領域が、化学組成の中にＣ−Ｈ結合、Ｏ−Ｈ結
合、Ｎ−Ｈ結合の何れをも持たない冷媒により冷却され
ることを特徴とする化学気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP410791A JPH04243122A (ja) | 1991-01-18 | 1991-01-18 | 化学気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP410791A JPH04243122A (ja) | 1991-01-18 | 1991-01-18 | 化学気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04243122A true JPH04243122A (ja) | 1992-08-31 |
Family
ID=11575573
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP410791A Withdrawn JPH04243122A (ja) | 1991-01-18 | 1991-01-18 | 化学気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04243122A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5551985A (en) * | 1995-08-18 | 1996-09-03 | Torrex Equipment Corporation | Method and apparatus for cold wall chemical vapor deposition |
| JP2006080195A (ja) * | 2004-09-08 | 2006-03-23 | Taiyo Nippon Sanso Corp | 気相成長装置 |
| JP2008060417A (ja) * | 2006-08-31 | 2008-03-13 | Tokyo Electron Ltd | 気化装置、フィルタ装置、成膜装置及び気化方法 |
| JP2008205427A (ja) * | 2007-01-24 | 2008-09-04 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 気相反応成長装置および気相反応成長方法 |
| CN103839854A (zh) * | 2012-11-23 | 2014-06-04 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 半导体加工设备及其去气腔室和加热组件 |
| JP2017226860A (ja) * | 2016-06-20 | 2017-12-28 | トヨタ自動車株式会社 | 表面処理方法および表面処理装置 |
-
1991
- 1991-01-18 JP JP410791A patent/JPH04243122A/ja not_active Withdrawn
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| US10570497B2 (en) | 2016-06-20 | 2020-02-25 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Surface treatment method and surface treatment device |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
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