JPH06953B2 - 薄膜形成装置 - Google Patents
薄膜形成装置Info
- Publication number
- JPH06953B2 JPH06953B2 JP61220158A JP22015886A JPH06953B2 JP H06953 B2 JPH06953 B2 JP H06953B2 JP 61220158 A JP61220158 A JP 61220158A JP 22015886 A JP22015886 A JP 22015886A JP H06953 B2 JPH06953 B2 JP H06953B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- processed
- substrate
- thin film
- cvd
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Description
【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は薄膜形成装置に関し、特にレーザＣＶＤ（気相
反応）法により薄膜を加工位置に形成する薄膜形成装置
に関する。
反応）法により薄膜を加工位置に形成する薄膜形成装置
に関する。
従来技術 従来、この種の薄膜形成装置では、ＸＹテーブル上に試
料（被加工基板）を載置し、この試料上にＣＶＤガス
［反応気体，Cr(CO)６やMo(CO)６］を吹付け、試料上の
加工位置に対物レンズを介してレーザ光を照射して薄膜
を形成させている。
料（被加工基板）を載置し、この試料上にＣＶＤガス
［反応気体，Cr(CO)６やMo(CO)６］を吹付け、試料上の
加工位置に対物レンズを介してレーザ光を照射して薄膜
を形成させている。
試料と対物レンズとの中間にはＣＶＤガスを注入するノ
ズルを設け、対物レンズの周囲にはその一部からＣＶＤ
ガスを排気するようにした覆いを設けている。この対物
レンズを試料に接しない程度に接近させて、ノズルから
ＣＶＤガスを注入し、この注入されたＣＶＤガスをすぐ
に対物レンズ周囲に設けられた覆いから排気して、有毒
性の強いＣＶＤガスが外部に漏れないようにしている。
ズルを設け、対物レンズの周囲にはその一部からＣＶＤ
ガスを排気するようにした覆いを設けている。この対物
レンズを試料に接しない程度に接近させて、ノズルから
ＣＶＤガスを注入し、この注入されたＣＶＤガスをすぐ
に対物レンズ周囲に設けられた覆いから排気して、有毒
性の強いＣＶＤガスが外部に漏れないようにしている。
この従来技術については、その実用化されたものの例が
「Repair of Both Clear and Opaque Mask Defects」
（Microelectronic Manufacturing and Testing.,Octob
er,1985.,pp.19〜20）に詳細に掲載されている。
「Repair of Both Clear and Opaque Mask Defects」
（Microelectronic Manufacturing and Testing.,Octob
er,1985.,pp.19〜20）に詳細に掲載されている。
このような従来の薄膜形成装置では、試料がＸＹテーブ
ルによってＸＹ座標軸方向に移動するため、ＣＶＤガス
を密閉した状態で試料上に注入することができないの
で、ＣＶＤガスが外部に漏出することを完全に阻止する
ことができないという欠点がある。
ルによってＸＹ座標軸方向に移動するため、ＣＶＤガス
を密閉した状態で試料上に注入することができないの
で、ＣＶＤガスが外部に漏出することを完全に阻止する
ことができないという欠点がある。
発明の目的 本発明は上記のような従来のものの欠点を除去すべくな
されたもので、反応気体の外部への漏出を阻止すること
ができ、被加工基板にのみ反応気体を滞留させることが
できる薄膜形成装置の提供を目的とする。
されたもので、反応気体の外部への漏出を阻止すること
ができ、被加工基板にのみ反応気体を滞留させることが
できる薄膜形成装置の提供を目的とする。
発明の構成 本発明による薄膜形成装置は、被加工基板上の加工位置
において反応気体を注入し、排気して、前記加工位置に
レーザ光を照射しながら前記反応気体の成分の薄膜を前
記加工位置に形成する薄膜形成装置において、前記被加
工基板を搭載するＸＹテーブルと、前記ＸＹテーブル上
に搭載されかつ前記被加工基板の周囲に配置された隔壁
と、前記ＸＹテーブルと前記隔壁とを囲むチャンバと、
前記チャンバを通して前記被加工基板上に前記反応気体
を供給しかつ排出する手段と、前記隔壁内の前記被加工
基板近傍周囲に不活性気体を注入する手段とを含み、前
記被加工基板上の気圧を前記被加工基板外の気圧よりも
低くすることで、前記反応気体を前記加工位置上に滞留
せしめて、前記被加工基板上への前記反応気体の漏出を
抑止するようにしたことを特徴とする。
において反応気体を注入し、排気して、前記加工位置に
レーザ光を照射しながら前記反応気体の成分の薄膜を前
記加工位置に形成する薄膜形成装置において、前記被加
工基板を搭載するＸＹテーブルと、前記ＸＹテーブル上
に搭載されかつ前記被加工基板の周囲に配置された隔壁
と、前記ＸＹテーブルと前記隔壁とを囲むチャンバと、
前記チャンバを通して前記被加工基板上に前記反応気体
を供給しかつ排出する手段と、前記隔壁内の前記被加工
基板近傍周囲に不活性気体を注入する手段とを含み、前
記被加工基板上の気圧を前記被加工基板外の気圧よりも
低くすることで、前記反応気体を前記加工位置上に滞留
せしめて、前記被加工基板上への前記反応気体の漏出を
抑止するようにしたことを特徴とする。
実施例 次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の縦断面図である。図におい
て、試料１は周囲を二重隔壁２により囲まれて、ＸＹテ
ーブル３上に載置されている。また、試料１は二重隔壁
２とＸＹテーブル３とともにチャンバ４によりＣＶＤガ
スが漏出しないように完全に密閉されるように覆われて
いる。
て、試料１は周囲を二重隔壁２により囲まれて、ＸＹテ
ーブル３上に載置されている。また、試料１は二重隔壁
２とＸＹテーブル３とともにチャンバ４によりＣＶＤガ
スが漏出しないように完全に密閉されるように覆われて
いる。
試料１上にはＣＶＤガス注入口５からＣＶＤガスが注入
され、このＣＶＤガスはＣＶＤガス排気口６により排気
される。また、試料１上には対物レンズ７とシールドガ
ラス８とを介してレーザ光９が照射されて、試料１上に
ＣＶＤガスの成分の薄膜が形成される。ＣＶＤガス注入
口５及び排気口６は試料６に接しない程度にこの試料に
近接して設置されているものとする。
され、このＣＶＤガスはＣＶＤガス排気口６により排気
される。また、試料１上には対物レンズ７とシールドガ
ラス８とを介してレーザ光９が照射されて、試料１上に
ＣＶＤガスの成分の薄膜が形成される。ＣＶＤガス注入
口５及び排気口６は試料６に接しない程度にこの試料に
近接して設置されているものとする。
チャンバ４には不活性ガス注入口１０より窒素ガス等の
不活性ガスが注入され、二重隔壁排気口１１により二重
隔壁２の内部空間のガスが排気され、図示せぬ排気ガス
処理部で安全な気体となるように処理される。この二重
隔壁２は試料１の近傍周囲に設置されており、この二重
隔壁２の内側の試料１が載置されている場所の気圧は内
部圧力計１２により測定され、二重隔壁２の外側の気圧
は外部圧力計１３による測定される。
不活性ガスが注入され、二重隔壁排気口１１により二重
隔壁２の内部空間のガスが排気され、図示せぬ排気ガス
処理部で安全な気体となるように処理される。この二重
隔壁２は試料１の近傍周囲に設置されており、この二重
隔壁２の内側の試料１が載置されている場所の気圧は内
部圧力計１２により測定され、二重隔壁２の外側の気圧
は外部圧力計１３による測定される。
第２図は本発明の一実施例におけるＣＶＤガスと不活性
ガスとの流れを示す図である。第１図と第２図とを用い
て本発明の一実施例の動作について説明する。
ガスとの流れを示す図である。第１図と第２図とを用い
て本発明の一実施例の動作について説明する。
ＸＹテーブル３上に載置された試料１は、その面上にＣ
ＶＤガス注入口５からＣＶＤガスが注入され、対物レン
ズ７を介して照射されるレーザ光９によりその面上に薄
膜が形成される。このとき、ＣＶＤガス注入口５から注
入されるＣＶＤガスの量よりもＣＶＤガス排気口６から
排気されるＣＶＤガスの量を常に多くしておく。さら
に、不活性ガス注入口１０から注入される不活性ガスの
量は、ＣＶＤガス排気口６より排気されるＣＶＤガスの
量よりも充分多くなるようにする。すなわち、ＣＶＤガ
ス注入量＜ＣＶＤガス排気量＞不活性ガス注入量という
関係を保っておく。
ＶＤガス注入口５からＣＶＤガスが注入され、対物レン
ズ７を介して照射されるレーザ光９によりその面上に薄
膜が形成される。このとき、ＣＶＤガス注入口５から注
入されるＣＶＤガスの量よりもＣＶＤガス排気口６から
排気されるＣＶＤガスの量を常に多くしておく。さら
に、不活性ガス注入口１０から注入される不活性ガスの
量は、ＣＶＤガス排気口６より排気されるＣＶＤガスの
量よりも充分多くなるようにする。すなわち、ＣＶＤガ
ス注入量＜ＣＶＤガス排気量＞不活性ガス注入量という
関係を保っておく。
この関係を保ちながら、外部圧力計１３と内部圧力計１
２とにより二重隔壁２の内側と外側との気圧を測定し、
二重隔壁排気口１１より二重隔壁２の内部空間のガスの
排気を行う。この二重隔壁２の内部空間のガス排気量
は、大気圧＞外部圧力計１３＞内部圧力計１２という関
係を保つようにこのガス排気量を内部圧力計１２と外部
圧力計１３との測定結果に応じて調節する。
２とにより二重隔壁２の内側と外側との気圧を測定し、
二重隔壁排気口１１より二重隔壁２の内部空間のガスの
排気を行う。この二重隔壁２の内部空間のガス排気量
は、大気圧＞外部圧力計１３＞内部圧力計１２という関
係を保つようにこのガス排気量を内部圧力計１２と外部
圧力計１３との測定結果に応じて調節する。
このように、二重隔壁２を用いて二重隔壁２の内部空間
のガス排気量を調節することによって、不活性ガス注入
口１０より注入された不活性ガスはほとんどが二重隔壁
排気口１１から排気され、さらに、この不活性ガスの一
部分は試料１が載置されている二重隔壁２の内側にも流
入する。二重隔壁２の内側に流入した不活性ガスは、Ｃ
ＶＤガス排気口６に向って試料１の外側から内側に向っ
て流れる。
のガス排気量を調節することによって、不活性ガス注入
口１０より注入された不活性ガスはほとんどが二重隔壁
排気口１１から排気され、さらに、この不活性ガスの一
部分は試料１が載置されている二重隔壁２の内側にも流
入する。二重隔壁２の内側に流入した不活性ガスは、Ｃ
ＶＤガス排気口６に向って試料１の外側から内側に向っ
て流れる。
この不活性ガス１の流れの向きは、ＣＶＤガス注入口５
から注入されたＣＶＤガスの流れの向きを制限し、ＣＶ
Ｄガス排気口６に向って流れるように作用する。このた
め、ＣＶＤガスは試料１上に滞留して、二重隔壁２の外
側に漏出することはない。
から注入されたＣＶＤガスの流れの向きを制限し、ＣＶ
Ｄガス排気口６に向って流れるように作用する。このた
め、ＣＶＤガスは試料１上に滞留して、二重隔壁２の外
側に漏出することはない。
第３図は本発明の他の実施例の縦断面図である。図にお
いて、本発明の他の実施例は二重隔壁１４の形状が本発
明の一実施例の二重隔壁２の形状と異なるほかは、本発
明の一実施例と同様の構成をとり、同様の動作となる。
いて、本発明の他の実施例は二重隔壁１４の形状が本発
明の一実施例の二重隔壁２の形状と異なるほかは、本発
明の一実施例と同様の構成をとり、同様の動作となる。
本発明の他の実施例では、本発明の一実施例と比べて二
重隔壁１４がチェンバ４に接して不活性ガスを排気する
ための開口部を大きくしてある。
重隔壁１４がチェンバ４に接して不活性ガスを排気する
ための開口部を大きくしてある。
二重隔壁１４の開口部を大きくすることによってＣＶＤ
ガスの排気が停止した場合に、ＣＶＤガスが二重隔壁１
４の外側に拡散しにくいという利点がある。
ガスの排気が停止した場合に、ＣＶＤガスが二重隔壁１
４の外側に拡散しにくいという利点がある。
このように、試料１の近傍の周囲に二重隔壁２，１４を
設けて、二重隔壁２，１４の外側から不活性ガスを注入
し、二重隔壁２，１４の内部空間からガスを排気するこ
とにより、チャンバ４内部の気圧をチャンバ４の外部の
大気圧より低くおさえながら、二重隔壁２，１４の外側
と試料１のある内側とに圧力差をつけることができ、ま
た、不活性ガスの流量をＣＶＤガスの流量に比べて充分
多くすることにより、ＣＶＤガスの流量を変化させるこ
とが必要な場合においても、圧力差を安定させることが
できるので、レーザＣＶＤ法により薄膜を形成する際
に、レーザ光９の照射位置の近傍にＣＶＤガスを滞留さ
せることができる。
設けて、二重隔壁２，１４の外側から不活性ガスを注入
し、二重隔壁２，１４の内部空間からガスを排気するこ
とにより、チャンバ４内部の気圧をチャンバ４の外部の
大気圧より低くおさえながら、二重隔壁２，１４の外側
と試料１のある内側とに圧力差をつけることができ、ま
た、不活性ガスの流量をＣＶＤガスの流量に比べて充分
多くすることにより、ＣＶＤガスの流量を変化させるこ
とが必要な場合においても、圧力差を安定させることが
できるので、レーザＣＶＤ法により薄膜を形成する際
に、レーザ光９の照射位置の近傍にＣＶＤガスを滞留さ
せることができる。
また、試料１上に注入されるＣＶＤガスは、不活性ガス
の注入により二重隔壁２，１４の内側に滞留させられる
ので、ＣＶＤガスの外部への漏出を阻止することができ
る。さらに、ＣＶＤガスと不活性ガスとの排気が停止さ
れても、チャンバ４の内側の大気圧よりも低しく、チャ
ンバ４が密閉構造としてあるので、ＣＶＤガスの外部へ
の漏出を阻止することができる。
の注入により二重隔壁２，１４の内側に滞留させられる
ので、ＣＶＤガスの外部への漏出を阻止することができ
る。さらに、ＣＶＤガスと不活性ガスとの排気が停止さ
れても、チャンバ４の内側の大気圧よりも低しく、チャ
ンバ４が密閉構造としてあるので、ＣＶＤガスの外部へ
の漏出を阻止することができる。
尚、本発明の一実施例と他の実施例とにおいては二重隔
壁２，１４を設けて、不活性ガスを注入することで遮蔽
手段としたが、不活性ガスによるいわゆるエアカーテン
を試料１の周囲に設けて試料１の外側と遮蔽してもよ
く、これに限定されない。
壁２，１４を設けて、不活性ガスを注入することで遮蔽
手段としたが、不活性ガスによるいわゆるエアカーテン
を試料１の周囲に設けて試料１の外側と遮蔽してもよ
く、これに限定されない。
発明の効果 以上説明したように本発明によれば、被加工基板上の気
圧を被加工基板外の周囲の気圧よりも低くなるように遮
蔽手段を設けることによって、被加工基板上にのみ反応
気体を滞留させることができ、反応気体の外部への漏出
を阻止することができるという効果がある。
圧を被加工基板外の周囲の気圧よりも低くなるように遮
蔽手段を設けることによって、被加工基板上にのみ反応
気体を滞留させることができ、反応気体の外部への漏出
を阻止することができるという効果がある。
第１図は本発明の一実施例の縦断面図、第２図は本発明
の一実施例における反応気体と不活性気体との流れを示
す図、第３図は本発明の他の実施例の縦断面図である。 主要部分の符号の説明 ２，１４……二重隔壁 １０……不活性ガス注入口 １１……二重隔壁排気口 １２……内部圧力計 １３……外部圧力計
の一実施例における反応気体と不活性気体との流れを示
す図、第３図は本発明の他の実施例の縦断面図である。 主要部分の符号の説明 ２，１４……二重隔壁 １０……不活性ガス注入口 １１……二重隔壁排気口 １２……内部圧力計 １３……外部圧力計
Claims (2)
- 【請求項１】被加工基板上の加工位置において反応気体
を注入、排気して、前記加工位置にレーザ光を照射しな
がら前記反応気体の成分の薄膜を前記加工位置に形成す
る薄膜形成装置において、前記被加工基板を搭載するＸ
Ｙテーブルと、前記ＸＹテーブル上に搭載されかつ前記
被加工基板の周囲に配置された隔壁と、前記ＸＹテーブ
ルと前記隔壁とを囲むチャンバと、前記チャンバを通し
て前記被加工基板上に前記反応気体を供給しかつ排出す
る手段と、前記隔壁内の前記被加工基板近傍周囲に不活
性気体を注入する手段とを含み、前記被加工基板上の気
圧を前記被加工基板外の気圧よりも低くすることで、前
記反応気体を前記加工位置上に滞留せしめて、前記被加
工基板外への前記反応気体の漏出を抑止するようにした
ことを特徴とする薄膜形成装置。 - 【請求項２】前記隔壁は、内部空間を有する二重隔壁で
あり、前記二重隔壁から前記不活性気体を前記反応気体
の注入量よりも多く注入するとともに、前記内部空間よ
り前記不活性気体を排気して、前記二重隔壁の内側の気
圧が前記二重隔壁の外側の気圧よりも低くなるようにし
たことを特徴とする特許請求の範囲第１項の薄膜形成装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61220158A JPH06953B2 (ja) | 1986-09-18 | 1986-09-18 | 薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61220158A JPH06953B2 (ja) | 1986-09-18 | 1986-09-18 | 薄膜形成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6376880A JPS6376880A (ja) | 1988-04-07 |
| JPH06953B2 true JPH06953B2 (ja) | 1994-01-05 |
Family
ID=16746796
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61220158A Expired - Lifetime JPH06953B2 (ja) | 1986-09-18 | 1986-09-18 | 薄膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06953B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4772215B2 (ja) * | 2001-06-12 | 2011-09-14 | 積水化学工業株式会社 | 常圧プラズマ処理装置 |
| KR100806113B1 (ko) * | 2006-12-26 | 2008-02-21 | 주식회사 코윈디에스티 | 박막증착 장치의 원료가스 공급장치 및 잔류가스 처리장치및 그 방법 |
| JP6054470B2 (ja) | 2015-05-26 | 2016-12-27 | 株式会社日本製鋼所 | 原子層成長装置 |
| JP6050860B1 (ja) | 2015-05-26 | 2016-12-21 | 株式会社日本製鋼所 | プラズマ原子層成長装置 |
| JP6054471B2 (ja) * | 2015-05-26 | 2016-12-27 | 株式会社日本製鋼所 | 原子層成長装置および原子層成長装置排気部 |
| JP5990626B1 (ja) | 2015-05-26 | 2016-09-14 | 株式会社日本製鋼所 | 原子層成長装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59197560A (ja) * | 1983-04-22 | 1984-11-09 | Nec Corp | レ−ザ利用金属堆積方法 |
-
1986
- 1986-09-18 JP JP61220158A patent/JPH06953B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6376880A (ja) | 1988-04-07 |
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