JPS6376880A - 薄膜形成装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は薄膜形成装置に関し、特にレーザＣ■Ｄ（気相
反応）法により薄膜を加工位置に形成する薄膜形成装置
に関する。

従来技術 従来、この種の薄膜形成装置では、ＸＹテーブル上に試
料（被加工基板）を！置し、この試料上にｃｖｏガス［
反応気体、　Ｃｒ（ＣＯ）６や８０（Ｃｏ）６　］を吹
付け、試料上、の加工位置に対物レンズを介してレーザ
光を照射して３ｔ［を形成させている。

試料と対物レンズとの中間にはＣＶＤガスを注入するノ
ズルを設け、対物レンズの周囲にはその７部からＣＶＤ
ガスを排気するようにした覆いを設けている。この対物
レンズを試料に接しない程度に接近させて、ノズルから
ＣＶＤガスを注入し、この注入されたＣＶ［）ガスをす
ぐに対物レンズ周囲に設けられた覆いから排気して、有
ｍ性の強いＣＶＤガスが外部に漏れないようにしている
。

この従来技術については、その実用化されたものの例が
ｒ　Ｒｅｐａｉｒ　ｏｆ　Ｂｏｔｈ　Ｃ１ｅａｒ　ａｎ
ｄ　０ｐａｑｕｅ　Ｈａｓｋ　ＤｅｆｅｃｔｓＪ　（Ｈ
ｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ　Ｈａｎｕｆａｃｔｕｒ
ｉｒ＋ｏ　ａｎｄ　Ｔｅ５ｔｉｎａ、、０ｃｔｏｂｅｒ
、１９８５．、ｐｐ、１９〜２０）に詳細に揚収されて
いる。

このような従来の薄膜形成装置では、試料がＸＹテーブ
ルによってＸＹ座標軸方向に移動するため、ＣＶＤガス
を密関した状態で試料上に注入することができないので
、ＣＶＤガスが外部に漏出することを完全に阻止するこ
とができないという欠点がある。

発明の目的 本発明は上記のような従来のものの欠点を除去すべくな
されたもので、反応気体の外部への漏出を阻止すること
ができ、被加工基板上にのみ反応気体を滞留させること
ができる薄膜形成装置の提供を目的とする。

発明の構成 本発明による薄膜形成装置は、被加工基板上の加工位置
において反応気体を注入、排気して、前記加工位置にレ
ーザ光を照射しながら前記反応気体の成分の薄膜を前記
加工位置に形成する薄膜形成装置であって、前記反応気
体を前記加工位置上にｆｄ留せしめて、前記被加工基板
外への前記反応気体の漏出を抑止する遮蔽手段を前記被
加工基板の近傍周囲に設けたことを特徴とする。

実施例 次に本発明について図面を参照して説ＵｆＪＪ？ｉる。

第１図は本発明の一実施例の縦断面図である。

図において、試料１は周囲を二重隔壁２により囲まれて
、ＸＹテーブル３上にｖ、＠されている。また、試料１
は二重隔壁２とＸＹテーブル３とともにチャンバ４によ
りＣＶＤガスが漏出しないように完全に密閉されるよう
に覆われている。

試料１上にはＣＶＤガス注入口５からＣＶＤガスが注入
され、このＣＶＤガスはＣＶＤガス排気口６により排気
される。また、試料１上には対物レンズ７とシールドガ
ラス８とを介してレーザ光９が照射されて、試料１上に
ＣＶＤガスの成分の薄膜が形成される。ＣＶＤガス注入
口５及び排気口６は試料１に接しない程度にこの試料に
近接して設置されているものとする。

チャンバ４には不活性ガス注入口１０Ｊ：り窒素ガス等
の不活性ガスが注入され、二重隔壁排気口１１により二
重隔壁２の内部空間のガスが排気され、図示せぬ排気ガ
ス処理部で安全な気体となるように処理される。この二
重隔壁２は試料１の近傍周囲に設置されており、この二
重隔壁２の内側の試料１が載置されている場所の気圧は
内部圧力計１２により測定され、二重隔壁２の外側の気
圧は外部圧力計１３により測定される。

第２図は本発明の一実施例におけるＣＶＤガスと不活性
ガスとの流れを示ず図である。第１図と第２図とを用い
て本発明の一実施例の動作について説明する。

ＸＹテーブル３上に載置された試料１は、その面上にＣ
ＶＤガス注入口５からＣＶＤガスが注入され、対物レン
ズ７を介して照射されるレーザ光９によりその面上に薄
膜が形成される。このとき、ＣＶＤガス注入口５から注
入されるＣＶＤガスの量よりもＣＶＤガス排気口６から
排気されるＣＶＤガスの量を常に多くしておく。さらに
、不活性ガス注入口１０から注入される不活性ガスの値
は、ＣＶＤガス排気口６より排気されるＣＶＤガスの量
よりも充分多くなるようにする。すなわち、ＣＶＤガス
注入１ｉ＜ＣＶＤガス排気量（不活性ガス注入量という
関係を保っておく。

この関係を保ちながら、外部圧力計１３と内部圧力計１
２とにより二重隔壁２の内側と外側との気圧を測定し、
二重隔壁排気口１１より二重隔壁２の内部空間のガスの
排気を行う。この二重隔壁２の内部空間のガス排気値は
、大気圧〉外部圧力計１３〉内部圧力計１２という関係
を保つようにこのガス排気量を内部圧力計１２と外部圧
力計１３との測定結果に応じて調節する。

このように、二重隔壁２を用いて二重隔壁２の内部空間
のガス排気昂を調節することによって、不活性ガス注入
口１０より注入された不活性ガスはほとんどが二重隔壁
排気口１１から排気され、さらに、この不活性ガスの一
部分は試料１が載置されている二重隔壁２の内側にも流
入する。二重隔壁２の内側に流入した不活性ガスは、Ｃ
ＶＤガス排気口６に向って試料１の外側から内側に向っ
て流れる。

この不活性ガス１の流れの向きは、ＣＶＤガス注入口５
から注入されたＣＶＤガスの流れの向きを制限し、ＣＶ
Ｄガス排気口６に向って流れるように作用する。このた
め、ＣＶＤガスは試料１上に滞留して、二重隔壁２の外
側に漏出することはない。

第３図は本発明の他の実施例の縦断面図である。

図において、本発明の他の実施例は二重隔壁１４の形状
が本発明の一実施例の二重隔壁２の形状と異なるほかは
、本発明の一実施例と同様の構成をとり、同様の動作と
なる。

本発明の他の実施例では、本発明の一実施例と比べて二
重隔壁１４がチェンバ４に接して不活性ガスを排気する
ための開口部を大きくしである。

二ｍ隔壁１４の開口部を大きくすることによってＣＶＤ
ガスの排気が停止した場合に、ＣＶＤガスが二重隔壁１
４の外側に拡散しにくいという利点がある。

このように、試料１の近傍の周囲に二重隔壁２゜１４を
設けて、二重隔壁２，１４の外側から不活性ガスを注入
し、二重隔壁２，１４の内部空間からガスを排気するこ
とにより、チャンバ４内部の気圧をチャンバ４の外部の
大気圧より低くおさえながら、二重隔壁２，１４の外側
と試料１のある内側とに圧力差をつけることかでき、ま
た、不活性ガスの流量をＣＶＤガスの流量に比べて充分
多くすることにより、ＣＶＤガスの流用を変化させるこ
とが必要な場合においても、圧力差を安定させることが
できるので、レーザＣＶＤ法により薄膜を形成する際に
、レーザ光９の照射位置の近傍にＣＶＤガスを滞留させ
ることができる。

また、試料１上に注入されるＣＶＤガスは、不活性ガス
の注入により二重隔壁２．１４の内側に滞留させられる
ので、ＣＶＤガスの外部への漏出を阻止することができ
る。さらに、ＣＶＤガスと不活性ガスとの排気が停止さ
れても、チャンバ４の内側を大気圧よりも低くし、チャ
ンバ４が密閉構造としであるので、ＣＶＤガスの外部へ
の漏出を阻止することができる。

尚、本発明の一実施例と他の実施例とにＪ３いては二重
隔壁２，１４を設けて、不活性ガスを注入づ−ることで
遮蔽手段としたが、不活性ガスによるいわゆるエアカー
テンを試料１の周囲に設けて試料１の外側と遮蔽しても
よく、これに限定されない。

発明の詳細 な説明したように本発明によれば、被加工基板上の気圧
を被加工基板外の周囲の気圧よりも低くなるように遮蔽
手段を設けることによって、被加工基板上にのみ反応気
体を滞留させることができ、反応気体の外部への漏出を
阻止することができるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の縦断面図、第２図は本発明
の一実施例における反応気体と不活性気体との流れを示
す図、第３図は本発明の他の実施例の縦断面図である。 主要部分の符号の説明 ２．１４・・・・・・二重隔壁 １０・・・・・・不活性ガス注入口 １１・・・・・・二重隔壁排気口 １２・・・・・・内部圧力計 １３・・・・・・外部圧力計

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）被加工基板上の加工位置において反応気体を注入
   、排気して、前記加工位置にレーザ光を照射しながら前
   記反応気体の成分の薄膜を前記加工位置に形成する薄膜
   形成装置であって、前記反応気体を前記加工位置上に滞
   留せしめて、前記被加工基板外への前記反応気体の漏出
   を抑止する遮蔽手段を前記被加工基板の近傍周囲に設け
   たことを特徴とする薄膜形成装置。
2. （２）前記遮蔽手段として、前記被加工基板上の気圧を
   前記被加工基板外の気圧よりも低くする手段を設けたこ
   とを特徴とする特許請求の範囲第１項の薄膜形成装置。
3. （３）前記被加工基板の近傍周囲に、内部空間を有する
   二重隔壁を設け、前記二重隔壁から不活性気体を前記反
   応気体の注入量よりも多く注入するとともに、前記内部
   空間より前記不活性気体を排気して、前記二重隔壁の内
   側の気圧が前記二重隔壁の外側の気圧よりも低くなるよ
   うにしたことを特徴とする特許請求の範囲第１項または
   第２項の薄膜形成装置。