JP2000349079A - 処理装置における紫外線ランプの光量測定方法及び装置 - Google Patents
処理装置における紫外線ランプの光量測定方法及び装置Info
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- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
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- C01B13/00—Oxygen; Ozone; Oxides or hydroxides in general
- C01B13/10—Preparation of ozone
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
- C30B33/005—Oxydation
Abstract
(57)【要約】
【課題】 処理容器内を大気に曝さずに紫外線ランプの
光量を容易に測定可能とする。 【解決手段】 処理容器１、オゾンを処理容器１内に導
入するガス導入管６、処理容器１に設けられた紫外線透
過窓１０、紫外線透過窓１０の外側に設けられたランプ
ハウス２０、ランプハウス２０内に配された紫外線ラン
プ２１を備えた酸化処理装置において、ランプハウス２
０内の紫外線ランプ２１と紫外線透過窓１０との間にセ
ンサ挿入スペース３１を確保し、該センサ挿入スペース
３１に外部から光量センサ３０を挿入して紫外線ランプ
の光量を測定する。
光量を容易に測定可能とする。 【解決手段】 処理容器１、オゾンを処理容器１内に導
入するガス導入管６、処理容器１に設けられた紫外線透
過窓１０、紫外線透過窓１０の外側に設けられたランプ
ハウス２０、ランプハウス２０内に配された紫外線ラン
プ２１を備えた酸化処理装置において、ランプハウス２
０内の紫外線ランプ２１と紫外線透過窓１０との間にセ
ンサ挿入スペース３１を確保し、該センサ挿入スペース
３１に外部から光量センサ３０を挿入して紫外線ランプ
の光量を測定する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、処理装置における
紫外線ランプの光量測定方法及び装置に関する。
紫外線ランプの光量測定方法及び装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、被処理体である例えば半導体ウエ
ハを収容する処理容器と、オゾン（Ｏ 3）を含む処理ガ
スを処理容器内に供給する処理ガス供給手段と、処理容
器の壁面の一部に設けられた紫外線透過窓と、紫外線透
過窓の外側に設けられたランプハウスと、ランプハウス
内に配され紫外線透過窓を通して処理容器内の雰囲気中
に紫外線を照射することでオゾンを分解して活性酸素を
発生させる紫外線ランプとを備え、発生させた活性酸素
により処理容器内に導入した半導体ウエハを酸化処理す
る処理装置が知られている（特開平１０−７９３７７号
公報参照）。
ハを収容する処理容器と、オゾン（Ｏ 3）を含む処理ガ
スを処理容器内に供給する処理ガス供給手段と、処理容
器の壁面の一部に設けられた紫外線透過窓と、紫外線透
過窓の外側に設けられたランプハウスと、ランプハウス
内に配され紫外線透過窓を通して処理容器内の雰囲気中
に紫外線を照射することでオゾンを分解して活性酸素を
発生させる紫外線ランプとを備え、発生させた活性酸素
により処理容器内に導入した半導体ウエハを酸化処理す
る処理装置が知られている（特開平１０−７９３７７号
公報参照）。
【０００３】このような紫外線ランプによってオゾン
（Ｏ3）から活性酸素（Ｏ+）を生じさせる処理装置にお
いては、紫外線ランプの光量が基板の処理品質に大きな
影響を及ぼすので、紫外線ランプの劣化等を判断するた
めにランプの光量を適宜測定する必要がある。従来で
は、紫外線ランプの光量を測定する場合、処理容器の側
面に形成された開口部の蓋を開いて、その開口部から棒
状の治具に取り付けた光量センサを処理容器内に挿入す
ることで測定していた。
（Ｏ3）から活性酸素（Ｏ+）を生じさせる処理装置にお
いては、紫外線ランプの光量が基板の処理品質に大きな
影響を及ぼすので、紫外線ランプの劣化等を判断するた
めにランプの光量を適宜測定する必要がある。従来で
は、紫外線ランプの光量を測定する場合、処理容器の側
面に形成された開口部の蓋を開いて、その開口部から棒
状の治具に取り付けた光量センサを処理容器内に挿入す
ることで測定していた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
方法は、光量測定時に処理容器の側面開口部を開放して
光量センサを挿入するというものであるため、オゾンを
導入した処理容器内が大気に曝されてしまう。そのた
め、予め処理容器内を窒素ガスでパージしながら側面開
口部より光量センサを挿入する等の余計な操作が必要で
あった。
方法は、光量測定時に処理容器の側面開口部を開放して
光量センサを挿入するというものであるため、オゾンを
導入した処理容器内が大気に曝されてしまう。そのた
め、予め処理容器内を窒素ガスでパージしながら側面開
口部より光量センサを挿入する等の余計な操作が必要で
あった。
【０００５】本発明は、前記事情を考慮してなされたも
ので、処理容器内を大気に曝すことなく、紫外線ランプ
の光量測定を容易に行うことのできる処理装置における
紫外線ランプの光量測定方法及び装置を提供することを
目的とする。
ので、処理容器内を大気に曝すことなく、紫外線ランプ
の光量測定を容易に行うことのできる処理装置における
紫外線ランプの光量測定方法及び装置を提供することを
目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明のうち、請求項１
に係る発明は、被処理体を収容する処理容器と、オゾン
を含む処理ガスを前記処理容器内に供給する処理ガス供
給手段と、前記処理容器の壁面の一部に設けられた紫外
線透過窓と、該紫外線透過窓の外側に設けられたランプ
ハウスと、該ランプハウス内に配され前記紫外線透過窓
を通して処理容器内の雰囲気中に紫外線を照射すること
でオゾンを分解して前記被処理体を処理するための活性
酸素を生じさせる紫外線ランプとを備えた処理装置にお
いて、前記ランプハウス内の紫外線ランプと前記紫外線
透過窓との間にセンサ挿入スペースを確保し、該センサ
挿入スペースにランプハウス外部から光量センサを挿入
して、紫外線ランプの光量を測定することを特徴とす
る。
に係る発明は、被処理体を収容する処理容器と、オゾン
を含む処理ガスを前記処理容器内に供給する処理ガス供
給手段と、前記処理容器の壁面の一部に設けられた紫外
線透過窓と、該紫外線透過窓の外側に設けられたランプ
ハウスと、該ランプハウス内に配され前記紫外線透過窓
を通して処理容器内の雰囲気中に紫外線を照射すること
でオゾンを分解して前記被処理体を処理するための活性
酸素を生じさせる紫外線ランプとを備えた処理装置にお
いて、前記ランプハウス内の紫外線ランプと前記紫外線
透過窓との間にセンサ挿入スペースを確保し、該センサ
挿入スペースにランプハウス外部から光量センサを挿入
して、紫外線ランプの光量を測定することを特徴とす
る。
【０００７】請求項２に係る発明は、請求項１におい
て、前記紫外線ランプが前記光量センサの挿入方向と略
直交する方向に複数配列されており、前記光量センサを
紫外線ランプの配列方向に移動しながら各紫外線ランプ
の光量を測定することを特徴とする。
て、前記紫外線ランプが前記光量センサの挿入方向と略
直交する方向に複数配列されており、前記光量センサを
紫外線ランプの配列方向に移動しながら各紫外線ランプ
の光量を測定することを特徴とする。
【０００８】請求項３に係る発明は、被処理体を収容す
る処理容器と、オゾンを含む処理ガスを前記処理容器内
に供給する処理ガス供給手段と、前記処理容器の壁面の
一部に設けられた紫外線透過窓と、該紫外線透過窓の外
側に設けられたランプハウスと、該ランプハウス内に配
され前記紫外線透過窓を通して処理容器内の雰囲気中に
紫外線を照射することでオゾンを分解して前記被処理体
を処理するための活性酸素を生じさせる紫外線ランプと
を備えた処理装置において、前記ランプハウス内の紫外
線ランプと前記紫外線透過窓との間に確保されたセンサ
挿入スペースと、前記紫外線ランプの光量測定時に前記
センサ挿入スペースにランプハウス外部から挿入される
光量センサと、前記ランプハウス外部から前記センサ挿
入スペースに光量センサを挿入するために前記ランプハ
ウスの壁面に設けられた開閉蓋付のセンサ挿入口と、前
記光量センサを保持すると共に前記センサ挿入スペース
への光量センサの挿入時に前記センサ挿入口を塞ぐセン
サ保持治具とを備えていることを特徴とする。
る処理容器と、オゾンを含む処理ガスを前記処理容器内
に供給する処理ガス供給手段と、前記処理容器の壁面の
一部に設けられた紫外線透過窓と、該紫外線透過窓の外
側に設けられたランプハウスと、該ランプハウス内に配
され前記紫外線透過窓を通して処理容器内の雰囲気中に
紫外線を照射することでオゾンを分解して前記被処理体
を処理するための活性酸素を生じさせる紫外線ランプと
を備えた処理装置において、前記ランプハウス内の紫外
線ランプと前記紫外線透過窓との間に確保されたセンサ
挿入スペースと、前記紫外線ランプの光量測定時に前記
センサ挿入スペースにランプハウス外部から挿入される
光量センサと、前記ランプハウス外部から前記センサ挿
入スペースに光量センサを挿入するために前記ランプハ
ウスの壁面に設けられた開閉蓋付のセンサ挿入口と、前
記光量センサを保持すると共に前記センサ挿入スペース
への光量センサの挿入時に前記センサ挿入口を塞ぐセン
サ保持治具とを備えていることを特徴とする。
【０００９】請求項４に係る発明は、請求項３におい
て、前記紫外線ランプが前記光量センサの挿入方向と略
直交する方向に複数配列されており、前記光量センサ
が、前記センサ保持治具に対して紫外線ランプの配列方
向に移動自在に保持されていることを特徴とする。
て、前記紫外線ランプが前記光量センサの挿入方向と略
直交する方向に複数配列されており、前記光量センサ
が、前記センサ保持治具に対して紫外線ランプの配列方
向に移動自在に保持されていることを特徴とする。
【００１０】請求項５に係る発明は、請求項４におい
て、前記センサ保持治具に、前記紫外線ランプの配列方
向に移動自在とされた移動体が装備され、該移動体に、
先端に前記光量センサを取り付けたアームの基端が固定
されると共に、光量センサ挿入時に外部から移動体を操
作し得る操作部材が取り付けられ、更に、センサ保持治
具と移動体の間に、前記光量センサを紫外線ランプの位
置に対応させて位置決めする位置決め手段が設けられて
いることを特徴とする。
て、前記センサ保持治具に、前記紫外線ランプの配列方
向に移動自在とされた移動体が装備され、該移動体に、
先端に前記光量センサを取り付けたアームの基端が固定
されると共に、光量センサ挿入時に外部から移動体を操
作し得る操作部材が取り付けられ、更に、センサ保持治
具と移動体の間に、前記光量センサを紫外線ランプの位
置に対応させて位置決めする位置決め手段が設けられて
いることを特徴とする。
【００１１】請求項６に係る発明は、請求項３〜５のい
ずれかにおいて、前記ランプハウスに、光量センサによ
る測定時に前記センサ挿入口より漏れる紫外線から作業
者の目を保護するための紫外線遮蔽カバーが設けられて
いることを特徴とする。
ずれかにおいて、前記ランプハウスに、光量センサによ
る測定時に前記センサ挿入口より漏れる紫外線から作業
者の目を保護するための紫外線遮蔽カバーが設けられて
いることを特徴とする。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態を添
付図面に基づいて詳述する。図１は実施の形態の光量測
定装置を含む枚葉式酸化処理装置（処理装置）を示す概
略構成図である。
付図面に基づいて詳述する。図１は実施の形態の光量測
定装置を含む枚葉式酸化処理装置（処理装置）を示す概
略構成図である。
【００１３】この酸化処理装置は、密閉可能な処理容器
（プロセスチャンバ）１を有する。処理容器１の底部に
は排気口２が設けられている。この排気口２には、真空
ポンプおよび圧力制御機構を備えた排気系４が接続され
ており、処理容器１の内部を所定の圧力に減圧排気でき
るようになっている。処理容器１内には、回転する載置
台３が設けられ、被処理体としての半導体ウエハｗは、
この載置台３の上面に載置され、図示省略の静電チャッ
クによって吸着保持される。載置台３には加熱手段（図
示省略）が埋設されており、載置された半導体ウエハｗ
を所望の温度に加熱できるようになっている。
（プロセスチャンバ）１を有する。処理容器１の底部に
は排気口２が設けられている。この排気口２には、真空
ポンプおよび圧力制御機構を備えた排気系４が接続され
ており、処理容器１の内部を所定の圧力に減圧排気でき
るようになっている。処理容器１内には、回転する載置
台３が設けられ、被処理体としての半導体ウエハｗは、
この載置台３の上面に載置され、図示省略の静電チャッ
クによって吸着保持される。載置台３には加熱手段（図
示省略）が埋設されており、載置された半導体ウエハｗ
を所望の温度に加熱できるようになっている。
【００１４】処理容器１内の天井部には、処理ガスを半
導体ウエハｗの被処理面（上面）に向けて噴射供給する
シャワーヘッド５が設けられている。このシャワーヘッ
ド５は紫外線を透過する耐熱材料、例えば石英よりなっ
ている。シャワーヘッド５には、該シャワーヘッド５内
に導入された処理ガスを、処理空間Ｓ内の半導体ウエハ
ｗに向けて放出する多数の噴射孔（図示省略）が設けら
れている。このシャワーヘッド５には、処理ガス供給手
段のガス導入管６から、処理ガスとしてオゾン（Ｏ3）
が供給される。
導体ウエハｗの被処理面（上面）に向けて噴射供給する
シャワーヘッド５が設けられている。このシャワーヘッ
ド５は紫外線を透過する耐熱材料、例えば石英よりなっ
ている。シャワーヘッド５には、該シャワーヘッド５内
に導入された処理ガスを、処理空間Ｓ内の半導体ウエハ
ｗに向けて放出する多数の噴射孔（図示省略）が設けら
れている。このシャワーヘッド５には、処理ガス供給手
段のガス導入管６から、処理ガスとしてオゾン（Ｏ3）
が供給される。
【００１５】ガス導入管６には、マスフローコントロー
ラ（図示省略）を介して公知のオゾン発生器（図示省
略）が接続されている。オゾン発生器には、オゾン発生
の原料となる酸素ガスが供給されると共に、発生効率を
向上させるための微量の添加ガス、例えばＮ2ガスが添
加される。
ラ（図示省略）を介して公知のオゾン発生器（図示省
略）が接続されている。オゾン発生器には、オゾン発生
の原料となる酸素ガスが供給されると共に、発生効率を
向上させるための微量の添加ガス、例えばＮ2ガスが添
加される。
【００１６】また、処理容器１の天井部には、半導体ウ
エハｗの径よりも大きな円形の開口が形成されており、
この開口には、紫外線を透過する材料、例えば石英によ
り形成された紫外線透過窓１０が気密に取り付けられて
いる。なお、処理容器１の側壁の一方には、ゲートバル
ブ８を装備したウエハ搬入出口７が設けられ、処理容器
１の側壁の他方には、従来において光量センサを挿入す
るため等に使用された蓋１２付の開口部１１が設けられ
ている。
エハｗの径よりも大きな円形の開口が形成されており、
この開口には、紫外線を透過する材料、例えば石英によ
り形成された紫外線透過窓１０が気密に取り付けられて
いる。なお、処理容器１の側壁の一方には、ゲートバル
ブ８を装備したウエハ搬入出口７が設けられ、処理容器
１の側壁の他方には、従来において光量センサを挿入す
るため等に使用された蓋１２付の開口部１１が設けられ
ている。
【００１７】前記紫外線透過窓１０の上方には箱形のラ
ンプハウス２０が設けられている。その中には、処理容
器１内に向けて紫外線を照射する紫外線ランプ２１が複
数個、載置台３の上面に対向させて平行に配列されてい
る。そして、紫外線ランプ２１より放出される紫外線
が、紫外線透過窓１０を通して処理容器１内の雰囲気中
に照射されることにより、該雰囲気中のオゾンを分解し
て活性酸素を発生するようになっている。
ンプハウス２０が設けられている。その中には、処理容
器１内に向けて紫外線を照射する紫外線ランプ２１が複
数個、載置台３の上面に対向させて平行に配列されてい
る。そして、紫外線ランプ２１より放出される紫外線
が、紫外線透過窓１０を通して処理容器１内の雰囲気中
に照射されることにより、該雰囲気中のオゾンを分解し
て活性酸素を発生するようになっている。
【００１８】紫外線ランプ２１は、ランプ表面の温度が
所定の範囲内にあるときに効率よく紫外線を放出する。
そこで、ランプハウス２０には、紫外線ランプ２１の表
面温度を一定に保つための空冷系として、給気口２２と
排気口２３と強制排気のためのブロア２４とが設けられ
ている。排気口２３は、図示しない工場の熱排気ライン
に接続されている。
所定の範囲内にあるときに効率よく紫外線を放出する。
そこで、ランプハウス２０には、紫外線ランプ２１の表
面温度を一定に保つための空冷系として、給気口２２と
排気口２３と強制排気のためのブロア２４とが設けられ
ている。排気口２３は、図示しない工場の熱排気ライン
に接続されている。
【００１９】図２、図３はランプハウス２０内に、紫外
線ランプ２１の光量を測定する光量センサ３０を挿入し
た状態を示している。このランプハウス２０内には、図
１にも示すように、紫外線ランプ２１と紫外線透過窓１
０の間に、光量センサ３０を挿入するためのセンサ挿入
スペース３１が確保されている。
線ランプ２１の光量を測定する光量センサ３０を挿入し
た状態を示している。このランプハウス２０内には、図
１にも示すように、紫外線ランプ２１と紫外線透過窓１
０の間に、光量センサ３０を挿入するためのセンサ挿入
スペース３１が確保されている。
【００２０】図２、図３に示すように、ランプハウス２
０は、処理容器１に固定された台形箱形の本体部２０ａ
と、該本体部２０ａに対して開閉し得る前面カバー２０
ｂとから構成されている。前面カバー２０ｂは、上側の
傾斜板２０ｃと下側の垂直板２０ｄとからなり、上側の
傾斜板２０ｃの上端で、本体部２０ａの前端に上下方向
開閉自在にヒンジ２７を介して結合されている。なお、
前面カバー２０ｂを開閉するときには、垂直板２０ｄの
外面に突設した取っ手４２を掴んで行うことができる。
０は、処理容器１に固定された台形箱形の本体部２０ａ
と、該本体部２０ａに対して開閉し得る前面カバー２０
ｂとから構成されている。前面カバー２０ｂは、上側の
傾斜板２０ｃと下側の垂直板２０ｄとからなり、上側の
傾斜板２０ｃの上端で、本体部２０ａの前端に上下方向
開閉自在にヒンジ２７を介して結合されている。なお、
前面カバー２０ｂを開閉するときには、垂直板２０ｄの
外面に突設した取っ手４２を掴んで行うことができる。
【００２１】また、下側の垂直板２０ｄの下端には上下
スライド式の開閉蓋２８が設けられており、該開閉蓋２
８を上方にスライドさせることで、ランプハウス２０の
前面下端に、光量センサ３０を挿入するための横長の挿
入口２９が開口するようになっている。
スライド式の開閉蓋２８が設けられており、該開閉蓋２
８を上方にスライドさせることで、ランプハウス２０の
前面下端に、光量センサ３０を挿入するための横長の挿
入口２９が開口するようになっている。
【００２２】また、光量センサ３０による測定時等に、
挿入口２９より漏れる紫外線から作業者の目を保護する
安全上の目的で、ランプハウス２０の前面カバー２０ｂ
上には、紫外線遮蔽カバー４５が取り付けられている。
紫外線遮蔽カバー４５は、いわゆる紫外線避けのサング
ラスのようなものであり、前面カバー２０ｂの傾斜板２
０ｃと垂直板２０ｄの境界部にヒンジ４６で上下方向回
動自在に取り付けられている。そして、使用時には、手
前へ倒すことで、図３中実線で示すように、取っ手４２
に当たって必要な斜めの姿勢に保持され、不要時には、
上に跳ね上げることで、図３中一点鎖線で示すように、
傾斜板２０ａの上に載るようになっている。なお、この
紫外線遮蔽カバー４５にも、操作用のツマミ４７が付け
られている。
挿入口２９より漏れる紫外線から作業者の目を保護する
安全上の目的で、ランプハウス２０の前面カバー２０ｂ
上には、紫外線遮蔽カバー４５が取り付けられている。
紫外線遮蔽カバー４５は、いわゆる紫外線避けのサング
ラスのようなものであり、前面カバー２０ｂの傾斜板２
０ｃと垂直板２０ｄの境界部にヒンジ４６で上下方向回
動自在に取り付けられている。そして、使用時には、手
前へ倒すことで、図３中実線で示すように、取っ手４２
に当たって必要な斜めの姿勢に保持され、不要時には、
上に跳ね上げることで、図３中一点鎖線で示すように、
傾斜板２０ａの上に載るようになっている。なお、この
紫外線遮蔽カバー４５にも、操作用のツマミ４７が付け
られている。
【００２３】ランプハウス２０内の紫外線ランプ２１
は、前面カバー２０ｂのある前面側から見て左右方向に
一定高さで複数個（本例では４個）配列されており、紫
外線ランプ２１と紫外線透過窓１０との間に確保された
センサ挿入ペース３１に、前記挿入口２９から光量セン
サ３０を挿入できるようになっている。
は、前面カバー２０ｂのある前面側から見て左右方向に
一定高さで複数個（本例では４個）配列されており、紫
外線ランプ２１と紫外線透過窓１０との間に確保された
センサ挿入ペース３１に、前記挿入口２９から光量セン
サ３０を挿入できるようになっている。
【００２４】図４は前面カバー２０ａの反対側から見た
場合の光量センサ３０と紫外線ランプ２１の関係を示し
ている。また、図５（ａ）、（ｂ）は光量センサ３０を
備えたセンサユニット５０の構成を示している。前記光
量センサ３０はセンサユニット５０に装備されている。
場合の光量センサ３０と紫外線ランプ２１の関係を示し
ている。また、図５（ａ）、（ｂ）は光量センサ３０を
備えたセンサユニット５０の構成を示している。前記光
量センサ３０はセンサユニット５０に装備されている。
【００２５】センサユニット５０は、光量センサ３０を
保持すると共にセンサ挿入スペース３１への光量センサ
３０の挿入時にセンサの挿入口２９を塞ぐ機能を持った
センサ保持治具３２を有している。センサ保持治具３２
は、センサ挿入方向の前面側から見た大きさが、前記挿
入口２９をほぼ塞げる程度に設定されており、底壁１３
ａと、手前壁１３ｂと、上壁１３ｃと、左右壁１３ｄ、
１３ｄとからなる一側面開放の断面コ字形の箱状本体１
３を具備している。この箱状本体１３の両側部には、ラ
ンプハウス２０の両側部に突設された位置決めピン１４
に係合して箱状召される本体１３を位置決めするための
位置決めアーム１５が設けられている。
保持すると共にセンサ挿入スペース３１への光量センサ
３０の挿入時にセンサの挿入口２９を塞ぐ機能を持った
センサ保持治具３２を有している。センサ保持治具３２
は、センサ挿入方向の前面側から見た大きさが、前記挿
入口２９をほぼ塞げる程度に設定されており、底壁１３
ａと、手前壁１３ｂと、上壁１３ｃと、左右壁１３ｄ、
１３ｄとからなる一側面開放の断面コ字形の箱状本体１
３を具備している。この箱状本体１３の両側部には、ラ
ンプハウス２０の両側部に突設された位置決めピン１４
に係合して箱状召される本体１３を位置決めするための
位置決めアーム１５が設けられている。
【００２６】この箱状本体１３には、底壁１３ａ上に配
したレール３３に沿って左右方向に移動可能な移動体３
５が内蔵されている。この移動体３５には、手前壁１３
ｂと反対方向に延びるアーム３６が固定され、このアー
ム３６の先端に光量センサ３０が上向きに取り付けられ
ている。また、移動体３５には、手前壁３２ｂの方向へ
延び出す操作片（操作部材）３７が取り付けられ、この
操作片３７の先端が、手前壁３２ｂに形成した左右方向
に長いスリット３８から外に突出しており、その突出し
た先端部分にツマミ３７ａが付けられている。
したレール３３に沿って左右方向に移動可能な移動体３
５が内蔵されている。この移動体３５には、手前壁１３
ｂと反対方向に延びるアーム３６が固定され、このアー
ム３６の先端に光量センサ３０が上向きに取り付けられ
ている。また、移動体３５には、手前壁３２ｂの方向へ
延び出す操作片（操作部材）３７が取り付けられ、この
操作片３７の先端が、手前壁３２ｂに形成した左右方向
に長いスリット３８から外に突出しており、その突出し
た先端部分にツマミ３７ａが付けられている。
【００２７】光量センサ３０は１つだけ設けられてお
り、移動体３５を左右方向へ移動させることにより、光
量センサ３０を、各紫外線ランプ２１の直下に位置させ
ることができる。その位置決めのために、移動体３５と
センサ保持治具３２との間には位置決め手段が設けられ
ている。位置決め手段としては、移動体３５の底面にボ
ールプランジャ３９が設けられ、センサ保持治具３２の
底壁１３ａの各紫外線ランプ２１に対応した位置に、ボ
ールプランジャ３９の係合する凹所４０が設けられてい
る。ボールプランジャ３９は、これらの凹所４０に軽く
係合することで、移動体３５をクリック感を持って位置
決めすることができる。なお、光量センサ３０からアー
ム３６内を通して導かれた信号ケーブルは、箱状本体１
３から外部に導出され、計測器に接続されている（図示
省略）。
り、移動体３５を左右方向へ移動させることにより、光
量センサ３０を、各紫外線ランプ２１の直下に位置させ
ることができる。その位置決めのために、移動体３５と
センサ保持治具３２との間には位置決め手段が設けられ
ている。位置決め手段としては、移動体３５の底面にボ
ールプランジャ３９が設けられ、センサ保持治具３２の
底壁１３ａの各紫外線ランプ２１に対応した位置に、ボ
ールプランジャ３９の係合する凹所４０が設けられてい
る。ボールプランジャ３９は、これらの凹所４０に軽く
係合することで、移動体３５をクリック感を持って位置
決めすることができる。なお、光量センサ３０からアー
ム３６内を通して導かれた信号ケーブルは、箱状本体１
３から外部に導出され、計測器に接続されている（図示
省略）。
【００２８】次に酸化処理装置の作用を説明し、引き続
いて紫外線ランプの光量測定方法を説明する。この酸化
処理装置で半導体ウエハを処理する場合には、まず、図
示省略の搬送室内の搬送アームにより半導体ウエハｗ
を、ゲートバルブ８を介してウエハ搬入出口７から処理
容器１内に導入し、これを載置台３上に載置して静電チ
ャックで吸着保持する。そして、加熱手段で半導体ウエ
ハｗを所定のプロセス温度に維持すると共に、処理容器
１内を減圧排気して、所定のプロセス圧力に維持しつ
つ、処理ガスとしてオゾンを供給して処理を開始する。
オゾン発生器で生成されるオゾン（Ｏ3）は、ガス導入
管６を介してシャワーヘッド５内に導入され、多数の噴
射孔より処理空間Ｓ内の半導体ウエハｗに向けて噴出さ
れる。
いて紫外線ランプの光量測定方法を説明する。この酸化
処理装置で半導体ウエハを処理する場合には、まず、図
示省略の搬送室内の搬送アームにより半導体ウエハｗ
を、ゲートバルブ８を介してウエハ搬入出口７から処理
容器１内に導入し、これを載置台３上に載置して静電チ
ャックで吸着保持する。そして、加熱手段で半導体ウエ
ハｗを所定のプロセス温度に維持すると共に、処理容器
１内を減圧排気して、所定のプロセス圧力に維持しつ
つ、処理ガスとしてオゾンを供給して処理を開始する。
オゾン発生器で生成されるオゾン（Ｏ3）は、ガス導入
管６を介してシャワーヘッド５内に導入され、多数の噴
射孔より処理空間Ｓ内の半導体ウエハｗに向けて噴出さ
れる。
【００２９】一方、これと同時に、ランプハウス２０内
の紫外線ランプ２１を点灯して紫外線を照射させる。こ
の紫外線は、石英製の紫外線透過窓１０を透過して、所
定の真空圧に維持された処理容器１内に入り、さらに、
石英製のシャワーヘッド５を透過して、処理空間Ｓにお
けるオゾンを主体成分とする処理ガス雰囲気中に注がれ
る。ここで、オゾンは紫外線の照射により励起されて多
量の活性酸素原子を発生し、この活性酸素原子が載置台
３上の半導体ウエハｗの表面に対して酸化処理を施す。
の紫外線ランプ２１を点灯して紫外線を照射させる。こ
の紫外線は、石英製の紫外線透過窓１０を透過して、所
定の真空圧に維持された処理容器１内に入り、さらに、
石英製のシャワーヘッド５を透過して、処理空間Ｓにお
けるオゾンを主体成分とする処理ガス雰囲気中に注がれ
る。ここで、オゾンは紫外線の照射により励起されて多
量の活性酸素原子を発生し、この活性酸素原子が載置台
３上の半導体ウエハｗの表面に対して酸化処理を施す。
【００３０】このような処理の際、紫外線ランプ２１の
表面温度を一定範囲に維持するために、ランプハウス２
０内に、給気口２２と排気口２３とブロア２４を用いて
冷却用ガス例えば空気を流通させる。
表面温度を一定範囲に維持するために、ランプハウス２
０内に、給気口２２と排気口２３とブロア２４を用いて
冷却用ガス例えば空気を流通させる。
【００３１】次に、紫外線ランプ２１の光量測定を行う
場合は、スライド式の開閉蓋２８を上に持ち上げて、ラ
ンプハウス２０の下端の挿入口２９を開く。そして、こ
の挿入口２９から、光量センサ３０を、紫外線ランプ２
１と紫外線透過窓１０との間に確保したセンサ挿入スペ
ース３１に挿入する。そのとき、光量センサ３０はセン
サ保持治具３２に取り付けてあるので、センサ保持治具
３２が挿入口２９を塞ぐ。具体的には、センサ保持治具
３２の箱状本体１３により挿入口２９が塞がれる。これ
により、ランプハウス２０内からのガスの漏れや紫外線
の漏れを確実に防止することができる。また、センサ保
持治具３２と挿入口２９の隙間からの紫外線の漏れに対
しては、紫外線遮蔽カバー４５を手前に倒すことで対処
することができる。
場合は、スライド式の開閉蓋２８を上に持ち上げて、ラ
ンプハウス２０の下端の挿入口２９を開く。そして、こ
の挿入口２９から、光量センサ３０を、紫外線ランプ２
１と紫外線透過窓１０との間に確保したセンサ挿入スペ
ース３１に挿入する。そのとき、光量センサ３０はセン
サ保持治具３２に取り付けてあるので、センサ保持治具
３２が挿入口２９を塞ぐ。具体的には、センサ保持治具
３２の箱状本体１３により挿入口２９が塞がれる。これ
により、ランプハウス２０内からのガスの漏れや紫外線
の漏れを確実に防止することができる。また、センサ保
持治具３２と挿入口２９の隙間からの紫外線の漏れに対
しては、紫外線遮蔽カバー４５を手前に倒すことで対処
することができる。
【００３２】このように光量センサ３０をランプハウス
２０内に挿入したら、センサ保持治具３２の手前に突出
した操作片３７を左右に動かすことで、光量センサ３０
を各紫外線ランプ２１の直下に位置決めし、光量の測定
を行う。これにより、紫外線ランプ２１の光量を直接測
定することができる。
２０内に挿入したら、センサ保持治具３２の手前に突出
した操作片３７を左右に動かすことで、光量センサ３０
を各紫外線ランプ２１の直下に位置決めし、光量の測定
を行う。これにより、紫外線ランプ２１の光量を直接測
定することができる。
【００３３】この場合、紫外線ランプ２１の光量測定に
当たって、処理容器１内の雰囲気を大気に曝すことがな
いので、処理容器１内を窒素ガスでパージするような余
計な操作が必要なく、紫外線ランプ２１の光量測定を容
易に行なうことができる。また、センサ保持治具３２に
よって、ランプハウス２０内からのガス漏れや紫外線漏
れを防止するようにしているので、作業の安全を図るこ
とができる。また、紫外線遮蔽カバー４５を予めランプ
ハウス２０に付属させているので、取り扱いが楽であ
る。また、１個の光量センサ３０で複数の紫外線ランプ
２１の光量を順次測定することができるので、コストの
低減が図れる。
当たって、処理容器１内の雰囲気を大気に曝すことがな
いので、処理容器１内を窒素ガスでパージするような余
計な操作が必要なく、紫外線ランプ２１の光量測定を容
易に行なうことができる。また、センサ保持治具３２に
よって、ランプハウス２０内からのガス漏れや紫外線漏
れを防止するようにしているので、作業の安全を図るこ
とができる。また、紫外線遮蔽カバー４５を予めランプ
ハウス２０に付属させているので、取り扱いが楽であ
る。また、１個の光量センサ３０で複数の紫外線ランプ
２１の光量を順次測定することができるので、コストの
低減が図れる。
【００３４】以上、本発明の実施の形態を図面により詳
述してきたが、本発明は前記実施の形態に限定されるも
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲での種々の
設計変更等が可能である。例えば、紫外線ランプ２１の
本数や形状は任意に設定することができる。また、ラン
プハウス２０の内面に反射鏡を取り付けたりしてもよ
い。
述してきたが、本発明は前記実施の形態に限定されるも
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲での種々の
設計変更等が可能である。例えば、紫外線ランプ２１の
本数や形状は任意に設定することができる。また、ラン
プハウス２０の内面に反射鏡を取り付けたりしてもよ
い。
【００３５】
【発明の効果】以上要するに本発明によれば、次のよう
な効果を奏することができる。
な効果を奏することができる。
【００３６】（１）請求項１に係る発明によれば、紫外
線ランプの光量測定を処理容器内ではなく、ランプハウ
ス内で行うようにしたので、光量測定のために処理容器
内を大気に曝すことがなくなり、光量測定のために処理
容器内を窒素ガスでパージするなどの余計な操作が必要
なくなり、紫外線ランプの光量測定を容易に行なうこと
ができる。
線ランプの光量測定を処理容器内ではなく、ランプハウ
ス内で行うようにしたので、光量測定のために処理容器
内を大気に曝すことがなくなり、光量測定のために処理
容器内を窒素ガスでパージするなどの余計な操作が必要
なくなり、紫外線ランプの光量測定を容易に行なうこと
ができる。
【００３７】（２）請求項２に係る発明によれば、光量
センサを紫外線ランプの配列方向に移動しながら各紫外
線ランプの光量を測定するようにしたので、１個の光量
センサで複数の紫外線ランプの光量を測定することがで
き、コストの低減が図れる。
センサを紫外線ランプの配列方向に移動しながら各紫外
線ランプの光量を測定するようにしたので、１個の光量
センサで複数の紫外線ランプの光量を測定することがで
き、コストの低減が図れる。
【００３８】（３）請求項３に係る発明によれば、ラン
プハウス内にセンサ挿入スペースを確保し、光量測定時
にそのセンサ挿入スペースに対して外部から光量センサ
を挿入するようにしたので、光量測定のために処理容器
内を大気に曝すことがなくなり、光量測定のために処理
容器内を窒素ガスでパージするなどの余計な操作が不要
となる。また、光量測定時には、光量センサを保持する
センサ保持治具によってランプハウスのセンサ挿入口を
塞ぐようにしたので、ランプハウス内のガスや紫外線を
外に漏らすことがなく、安全に光量測定を行うことがで
きる。
プハウス内にセンサ挿入スペースを確保し、光量測定時
にそのセンサ挿入スペースに対して外部から光量センサ
を挿入するようにしたので、光量測定のために処理容器
内を大気に曝すことがなくなり、光量測定のために処理
容器内を窒素ガスでパージするなどの余計な操作が不要
となる。また、光量測定時には、光量センサを保持する
センサ保持治具によってランプハウスのセンサ挿入口を
塞ぐようにしたので、ランプハウス内のガスや紫外線を
外に漏らすことがなく、安全に光量測定を行うことがで
きる。
【００３９】（４）請求項４に係る発明によれば、光量
センサをセンサ保持治具に対して紫外線ランプの配列方
向に移動自在に保持させたので、１個の光量センサで複
数の紫外線ランプの光量を測定することができ、コスト
の低減が図れる。
センサをセンサ保持治具に対して紫外線ランプの配列方
向に移動自在に保持させたので、１個の光量センサで複
数の紫外線ランプの光量を測定することができ、コスト
の低減が図れる。
【００４０】（５）請求項５に係る発明によれば、セン
サ保持治具に設けた移動体に光量センサ付のアームと操
作部材を取り付け、更に、センサ保持治具と移動体の間
に、光量センサを各紫外線ランプに対して位置決めする
手段を設けたので、簡単確実に光量センサを適切な位置
に保持することができ、１個の光量センサで各紫外線ラ
ンプの光量を正確に測定することができる。
サ保持治具に設けた移動体に光量センサ付のアームと操
作部材を取り付け、更に、センサ保持治具と移動体の間
に、光量センサを各紫外線ランプに対して位置決めする
手段を設けたので、簡単確実に光量センサを適切な位置
に保持することができ、１個の光量センサで各紫外線ラ
ンプの光量を正確に測定することができる。
【００４１】（６）請求項６に係る発明によれば、ラン
プハウスに紫外線遮蔽カバーを設けたので、紫外線遮蔽
メガネ等を別に用意することなく、手軽に且つ安全に光
量測定を行うことができる。
プハウスに紫外線遮蔽カバーを設けたので、紫外線遮蔽
メガネ等を別に用意することなく、手軽に且つ安全に光
量測定を行うことができる。
【図１】本発明の実施の形態を示す側断面図である。
【図２】図１のランプハウスの光量センサを挿入した状
態を示す平面図である。
態を示す平面図である。
【図３】図１のランプハウスの光量センサを挿入した状
態を示す側面図である。
態を示す側面図である。
【図４】図１のランプハウスの光量センサを挿入した状
態を示す背面図である。
態を示す背面図である。
【図５】光量センサを装備したセンサユニットの構成図
で、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図である。
で、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図である。
Ｗ 半導体ウエハ（被処理体） １ 処理容器 ６ ガス導入管（処理ガス導入手段） １０ 紫外線透過窓 ２０ ランプハウス ２１ 紫外線ランプ ２８ 開閉蓋 ２９ 挿入口 ３０ 光量センサ ３１ センサ挿入スペース ３２ センサ保持治具 ３５ 移動体 ３６ アーム ３７ 操作片（操作部材） ３９ ボールプランジャ（位置決め手段） ４５ 紫外線遮蔽カバー
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 邵 寿潜 神奈川県津久井郡城山町町屋１丁目２番41 号 東京エレクトロン山梨株式会社相模事 業所内 (72)発明者 仲野 哲也 神奈川県津久井郡城山町町屋１丁目２番41 号 東京エレクトロン山梨株式会社相模事 業所内 Ｆターム(参考） 5F045 AA20 AC11 BB08 DP03 EB02 EK12 EK19
Claims (6)
- 【請求項１】 被処理体を収容する処理容器と、オゾン
を含む処理ガスを前記処理容器内に供給する処理ガス供
給手段と、前記処理容器の壁面の一部に設けられた紫外
線透過窓と、該紫外線透過窓の外側に設けられたランプ
ハウスと、該ランプハウス内に配され前記紫外線透過窓
を通して処理容器内の雰囲気中に紫外線を照射すること
でオゾンを分解して前記被処理体を処理するための活性
酸素を生じさせる紫外線ランプとを備えた処理装置にお
いて、 前記ランプハウス内の紫外線ランプと前記紫外線透過窓
との間にセンサ挿入スペースを確保し、該センサ挿入ス
ペースにランプハウス外部から光量センサを挿入して、
紫外線ランプの光量を測定することを特徴とする処理装
置における紫外線ランプの光量測定方法。 - 【請求項２】 前記紫外線ランプが前記光量センサの挿
入方向と略直交する方向に複数配列されており、前記光
量センサを紫外線ランプの配列方向に移動しながら各紫
外線ランプの光量を測定することを特徴とする請求項１
記載の処理装置における紫外線ランプの光量測定方法。 - 【請求項３】 被処理体を収容する処理容器と、オゾン
を含む処理ガスを前記処理容器内に供給する処理ガス供
給手段と、前記処理容器の壁面の一部に設けられた紫外
線透過窓と、該紫外線透過窓の外側に設けられたランプ
ハウスと、該ランプハウス内に配され前記紫外線透過窓
を通して処理容器内の雰囲気中に紫外線を照射すること
でオゾンを分解して前記被処理体を処理するための活性
酸素を生じさせる紫外線ランプとを備えた処理装置にお
いて、 前記ランプハウス内の紫外線ランプと前記紫外線透過窓
との間に確保されたセンサ挿入スペースと、前記紫外線
ランプの光量測定時に前記センサ挿入スペースにランプ
ハウス外部から挿入される光量センサと、前記ランプハ
ウス外部から前記センサ挿入スペースに光量センサを挿
入するために前記ランプハウスの壁面に設けられた開閉
蓋付のセンサ挿入口と、前記光量センサを保持すると共
に前記センサ挿入スペースへの光量センサの挿入時に前
記センサ挿入口を塞ぐセンサ保持治具とを備えているこ
とを特徴とする処理装置における紫外線ランプの光量測
定装置。 - 【請求項４】 前記紫外線ランプが前記光量センサの挿
入方向と略直交する方向に複数配列されており、前記光
量センサが、前記センサ保持治具に対して紫外線ランプ
の配列方向に移動自在に保持されていることを特徴とす
る請求項３記載の処理装置における紫外線ランプの光量
測定装置。 - 【請求項５】 前記センサ保持治具に、前記紫外線ラン
プの配列方向に移動自在とされた移動体が装備され、該
移動体に、先端に前記光量センサを取り付けたアームの
基端が固定されると共に、光量センサ挿入時に外部から
移動体を操作し得る操作部材が取り付けられ、更に、セ
ンサ保持治具と移動体の間に、前記光量センサを紫外線
ランプの位置に対応させて位置決めする位置決め手段が
設けられていることを特徴とする請求項４記載の処理装
置における紫外線ランプの光量測定装置。 - 【請求項６】 前記ランプハウスに、光量センサによる
測定時に前記センサ挿入口より漏れる紫外線から作業者
の目を保護するための紫外線遮蔽カバーが設けられてい
ることを特徴とする請求項３〜５のいずれかに記載の処
理装置における紫外線ランプの光量測定装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15885199A JP4176236B2 (ja) | 1999-06-07 | 1999-06-07 | 処理装置における紫外線ランプの光量測定方法及び装置 |
| KR1020000030293A KR100657113B1 (ko) | 1999-06-07 | 2000-06-02 | 반도체 처리 시스템의 오존 처리 장치 및 자외선 광량측정 방법 |
| TW089110977A TW447003B (en) | 1999-06-07 | 2000-06-05 | Ozone-processing apparatus for semiconductor process system |
| US09/587,571 US6224934B1 (en) | 1999-06-07 | 2000-06-06 | Ozone-processing apparatus for semiconductor process system |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15885199A JP4176236B2 (ja) | 1999-06-07 | 1999-06-07 | 処理装置における紫外線ランプの光量測定方法及び装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000349079A true JP2000349079A (ja) | 2000-12-15 |
| JP4176236B2 JP4176236B2 (ja) | 2008-11-05 |
Family
ID=15680808
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15885199A Expired - Fee Related JP4176236B2 (ja) | 1999-06-07 | 1999-06-07 | 処理装置における紫外線ランプの光量測定方法及び装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6224934B1 (ja) |
| JP (1) | JP4176236B2 (ja) |
| KR (1) | KR100657113B1 (ja) |
| TW (1) | TW447003B (ja) |
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| JP2018098400A (ja) * | 2016-12-14 | 2018-06-21 | 東京エレクトロン株式会社 | ネジ落下防止機構及び熱処理装置 |
| JP7433936B2 (ja) | 2020-01-31 | 2024-02-20 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 熱処理装置 |
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| JP4449226B2 (ja) * | 2000-05-22 | 2010-04-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 金属酸化膜の改質方法、金属酸化膜の成膜方法及び熱処理装置 |
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| US6436194B1 (en) * | 2001-02-16 | 2002-08-20 | Applied Materials, Inc. | Method and a system for sealing an epitaxial silicon layer on a substrate |
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| DE60320665T2 (de) * | 2002-12-10 | 2009-05-28 | Semitool, Inc., Kalispell | Arbeitsstück-bearbeitungssystem |
| US20050250346A1 (en) * | 2004-05-06 | 2005-11-10 | Applied Materials, Inc. | Process and apparatus for post deposition treatment of low k dielectric materials |
| US20060251827A1 (en) | 2005-05-09 | 2006-11-09 | Applied Materials, Inc. | Tandem uv chamber for curing dielectric materials |
| US20060249175A1 (en) * | 2005-05-09 | 2006-11-09 | Applied Materials, Inc. | High efficiency UV curing system |
| DE102006023497B4 (de) * | 2006-05-18 | 2008-05-29 | Siltronic Ag | Verfahren zur Behandlung einer Halbleiterscheibe |
| JP5213594B2 (ja) * | 2008-09-04 | 2013-06-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
| JP4676567B1 (ja) * | 2010-07-20 | 2011-04-27 | 三井造船株式会社 | 半導体基板熱処理装置 |
| JP5063755B2 (ja) | 2010-08-09 | 2012-10-31 | 三井造船株式会社 | 誘導加熱装置および誘導加熱方法 |
| DE102011077005B4 (de) * | 2011-06-06 | 2017-11-16 | Rehm Thermal Systems Gmbh | Anlage zur Wärmebehandlung von Substraten und Verfahren zum Erfassen von Messdaten darin |
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|---|---|---|---|---|
| EP0209131B1 (en) * | 1985-07-17 | 1991-12-04 | Nec Corporation | Optical cvd method with a strong optical intensity used during an initial period and device therefor |
| US6159297A (en) * | 1996-04-25 | 2000-12-12 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor process chamber and processing method |
| US6143081A (en) * | 1996-07-12 | 2000-11-07 | Tokyo Electron Limited | Film forming apparatus and method, and film modifying apparatus and method |
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1999
- 1999-06-07 JP JP15885199A patent/JP4176236B2/ja not_active Expired - Fee Related
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2000
- 2000-06-02 KR KR1020000030293A patent/KR100657113B1/ko not_active IP Right Cessation
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- 2000-06-06 US US09/587,571 patent/US6224934B1/en not_active Expired - Fee Related
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