CN115323357A - 衬底处理装置和方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种衬底处理装置和方法。一种衬底处理装置(100)，包括：反应室(50)；外室(80)，至少部分地围绕所述反应室(50)并且在其间形成中间体积(70)；以及所述反应室(50)内的衬底支撑件(40)，包括中空内部体积(42)，其中所述中空内部体积(42)和所述中间体积(70)通过从所述中空内部体积(42)延伸到所述中间体积(70)的通道(45)流体连通。

Description

衬底处理装置和方法
技术领域
本发明大体上涉及一种衬底处理装置和方法。更具体地但非排他地，本发明涉及化学沉积或蚀刻反应器。
背景技术
该章节图示了有用的背景信息，而不承认本文描述的代表现有技术的任何技术。
在化学沉积或蚀刻反应器中，处理后的一个或多个衬底由衬底支撑件支撑。衬底支撑件通常需要布线和管道，然而，这些布线和管道在装置内的定位使得它们难以触及以便能够对它们进行清洁并且执行标准维护，从而对维护停机时间产生负面影响
发明内容
本发明的某些实施例的目的是提供一种衬底处理装置和一种用于改善装置的维护的方法，或者至少提供一种现有技术的替代解决方案。
根据本发明的第一示例方面，提供了一种衬底处理装置，包括：
反应室；
外室，至少部分地围绕反应室并且在其间形成中间体积；以及
衬底支撑件，位于反应室内，包括中空内部体积，其中中空内部体积和中间体积通过从中空内部体积延伸到中间体积的通道流体连通。
在某些实施例中，衬底支撑件的中间体积和中空内部体积在装置的衬底处理阶段通过通道形成共享压力空间。在某些实施例中，通道的数量多于一个，诸如三个。
在某些实施例中，通道延伸通过在反应室壁中的馈通。在某些实施例中，衬底支撑件包括容纳通道的突起，该通道从中空内部体积延伸到反应室壁中的馈通。
在某些实施例中，反应室的内部体积围绕通道。
在某些实施例中，中间体积在衬底处理阶段期间与反应室的衬底处理空间密封(或隔离)。
在某些实施例中，中空内部体积处于中间体积的压力下，通道在所述体积之间形成流动连接。在某些实施例中，所述通道被具有反应室压力的压力区域围绕。在某些实施例中，反应室的压力低于衬底处理期间中间空间内的压力。
在某些实施例中，衬底支撑件包括可分离地附接或可附接的衬底台。
在某些实施例中，衬底支撑件包括从衬底支撑件的中空内部体积通过通道延伸到中间体积并且从其延伸到外室外部的布线。
在某些实施例中，通道容纳布线，该布线在通道内从衬底支撑件延伸到中间体积。
在某些实施例中，布线进一步从中间体积延伸到外室的外部，到外室的外部。
在某些实施例中，衬底支撑件包括衬底台和基座(或底盖)。在某些实施例中，基座包括一个或多个基座腿，该一个或多个基座腿抵靠支撑结构支撑基座(例如抵靠反应室)。在某些实施例中，一个基座腿提供所述通道(或者在多于一个(或每个)基座腿包括通道的情况下可以提供多个通道)。
在某些实施例中，布线通过外室底部的至少一个馈通离开外室。
在某些实施例中，至少一个馈通部分被可分离地附接至或可附接至外室的底部法兰。在某些实施例中，至少一个馈通部分被可分离地附接至或可附接至连接法兰，该连接法兰被附接至反应室组件。
在某些实施例中，至少一个馈通部分被可分离地附接至或可附接至组件的连接法兰，该组件至少包括反应室的下部和衬底支撑件。
在某些实施例中，至少一个馈通部分由可从上方或从下方释放的至少一个紧固件可分离地附接至或可附接至中间体积的底部法兰。在某些实施例中，至少一个馈通部分是真空法兰，其外径小于通道的内径。
在某些实施例中，连接法兰被可分离地附接至或可附接至外室的底部法兰。
在某些实施例中，中间体积的连接法兰通过可从上方或下方释放的至少一个紧固件可分离地附接至或可附接至外室的底部法兰。
在某些实施例中，该装置包括从反应室碗的底部开始的反应室排气线。在某些实施例中，排气线通过外室的底部离开外室。
在某些实施例中，排气线围绕反应室的旋转对称轴对称地定位在反应室下方。在某些实施例中，排气线居中穿过外室的底部法兰(并且居中地穿过(可选的)连接法兰)。
在某些实施例中，该装置包括被配置为降低和升高反应室的致动器，以及在反应室排气线中允许垂直移动的纵向(垂直)延伸管状(管道)部分。
在某些实施例中，所述允许垂直运动是通过允许排气线的垂直收缩和延伸而实现的。
在某些实施例中，该装置包括围绕纵向延伸管状部分缠绕或盘绕的布线(例如电线束)。
在某些实施例中，该装置被配置为通过延伸通道的长度来调整衬底支撑件的垂直位置。在某些实施例中，衬底支撑件由顶部部分或衬底台和衬底台下方的基座(底部部分或底盖)形成。在某些实施例中，基座包括形成所述通道的腿。在某些实施例中，腿的数量是至少一个。在某些实施例中，腿的数量是至少两个。在某些实施例中，腿的数量是三个或多个。在某些实施例中，腿被对称定位。
在某些实施例中，该装置包括致动器，该致动器被配置为通过改变纵向延伸部分的形成通道的一部分的纵向尺寸来降低和升高由衬底支撑件包括的衬底台的水平。因此，在某些实施例中，该装置包括被配置成调整基座腿的长度的致动器。在某些实施例中，形成通道(或基座腿)的纵向(或垂直)延伸部分由波纹管(或真空波纹管)或嵌套的子部分实施，例如可以在彼此内部垂直移动的不同直径的两个或多个嵌套管状部分。通过这种方式，纵向延伸部分的收缩形状和延伸形状可以被实现，从而提供衬底支撑件(或支撑台)的不同垂直位置。
在某些实施例中，该装置包括用于位于衬底支撑件上方的反应室内的等离子体形成的天线。在某些实施例中，天线是等离子体施加器的辐射发送天线。在某些实施例中，辐射发送天线位于由反应室提供的中空内部体积内。在某些实施例中，天线和衬底支撑件都位于相同的中空内部体积内(或者天线和要被处理的衬底都被配置为位于相同的中空内部体积内)。
在某些实施例中，该装置包括前体管线，该前体管线延伸到天线之间的空间中并且进一步在反应室内以在天线下游的点处排放非等离子气体。在某些实施例中，该装置还包括等离子气体入口，该等离子气体入口提供从天线上方经由天线之间的空间到天线下方的等离子气体流。天线可以被定位在覆盖管道内。在等离子体处置期间，等离子体在等离子气体通过天线时会点燃。形成的等离子体物质向下流向衬底支撑，即，流向(多个)衬底。
根据本发明的第二示例方面，提供了一种衬底处理装置，包括：
反应室；
外室，至少部分地围绕反应室并且在其间形成中间体积；以及
反应室内的衬底支撑件，其中衬底支撑件被固定至反应室的壁，并且衬底支撑件以及反应室通过收缩和延伸连接至反应室的底部的排气线垂直可移动。
根据本发明的第三示例方面，提供了一种用于拆卸衬底处理装置的方法，该衬底处理装置包括反应室、至少部分地围绕反应室并且在其间形成中间体积的外室，以及反应室内的衬底支撑件，该方法包括：
从外室的底部结构分离反应室组件，该反应室组件包括衬底支撑件和反应室的下部；
通过布置在底部结构中的(多个)相应开口，将悬置在衬底支撑件上的布线及其插头从外室的外部移动到中间体积；以及
从装置提升和移除反应室组件以用于进行维护，该反应室组件包括悬置的布线及其插头。
在某些实施例中，底部结构包括外室的底部法兰。在某些实施例中，分离通过从底部结构的环境压力侧释放相应的紧固件来执行。
在某些实施例中，表述“布线和插头”除了电线及其插头之外还包括适用于流体的(多个)管道及其(多个)连接器。
在某些实施例中，反应室组件的所述分离包括从外室的底部结构分离反应室组件的连接法兰。
在某些实施例中，连接法兰被附接至从反应室碗向下延伸的排气线。在某些实施例中，排气线包括柔性和/或可纵向延伸的管状部分(诸如真空波纹管)以及位于柔性和/或可纵向延伸的管状部分下方的静止部分。在某些实施例中，连接法兰被附接至排气线的静止部分。
在某些实施例中，所述分离连接法兰包括从底部结构分离密封馈通部分，该密封馈通部分密封布置在底部结构中的所述开口。
不同的非约束性的示例方面和实施例已经在前述内容中图示。以上实施例仅用于解释可以在实施本发明时使用的所选方面或步骤。一些实施例可以仅参照某些示例方面呈现。应该了解，对应实施例也适用于其他示例方面。具体地，在第一方面的上下文中描述的实施例适用于每个又一方面，反之亦然。实施例的任何适当组合可以被形成。
附图说明
本发明现在仅通过示例的方式参照附图描述，其中：
图1示出了根据某些实施例的衬底处理阶段中的衬底处理装置的示意性横截面；
图2示出了根据某些实施例的衬底装载阶段中的图1的衬底处理装置的示意性横截面；
图3示出了根据某些实施例的衬底处理阶段中的图1的衬底处理装置的又一截面图；
图4示出了根据某些实施例的装置的某些细节；
图5示出了布线围绕排气通道缠绕的衬底处理装置的备选实施例；
图6示出了根据某些实施例的等离子体源被包括在内的衬底处理装置的截面图；
图7示出了衬底处理装置的替代实施例，其具有处于收缩配置的可调整衬底保持器基座腿；
图8示出了图7的衬底处理装置，其中基座腿处于它们的延伸的配置中；
图9示出了根据某些实施例的用于分离衬底处理装置以进行维护的方法的流程图；以及
图10示出了根据某些其他实施例的用于分离衬底处理装置以进行维护的另一方法的流程图。
具体实施方式
在以下描述中，原子层沉积(ALD)技术和原子层蚀刻(ALE)技术被用作示例。
ALD生长机制的基础是技术人员已知的。ALD是基于将至少两种反应性前体物质连续引入到至少一个衬底的特殊化学沉积方法。基本ALD沉积循环由四个连续步骤组成：脉冲A、吹扫A、脉冲B和吹扫B。脉冲A由第一前体蒸汽组成，并且脉冲B由另一前体蒸汽组成。在吹扫A和吹扫B期间，惰性气体和真空泵通常被用于吹扫气态反应副产物以及来自反应空间的残余反应物分子。沉积序列包括至少一个沉积循环。沉积循环被重复，直到沉积序列产生了期望厚度的薄膜或涂层为止。沉积循环也可以更简单或更复杂。例如，循环可以包括由吹扫步骤分开的三个或多个反应物蒸汽脉冲，或者某些吹扫步骤可以被省略。或者，针对等离子体辅助ALD，例如PEALD(等离子体增强原子层沉积)，或针对光子辅助ALD，一个或多个沉积步骤可以通过分别为通过等离子体或光子进料的表面反应提供所需的附加能量来辅助。或者反应性前体中的一个前体可以被能量替代，导致单个前体ALD过程。因此，脉冲和吹扫序列可以取决于每个特定情况而不同。这些沉积循环形成由逻辑单元或微处理器控制的定时沉积序列。由ALD生长的薄膜是致密的、无针孔并且具有均匀的厚度。
针对衬底处理步骤，至少一个衬底通常被暴露于反应容器(或腔室)中的时间上分离的前体脉冲，以通过连续的自饱和表面反应将材料沉积在衬底表面上。在本申请的上下文中，术语ALD包括所有适用的基于ALD的技术和任何等效或密切相关的技术，例如以下ALD子类型：MLD(分子层沉积)、等离子体辅助ALD(例如PEALD(等离子体增强原子层沉积))和光子辅助或光子增强原子层沉积(也称为闪光增强ALD或光ALD)。
然而，本发明不被限于ALD技术，而是可以在多种衬底处理装置中使用，例如在化学气相沉积(CVD)反应器中，或在蚀刻反应器中，诸如在原子层蚀刻(ALE)反应器中。
ALD蚀刻机制的基础是技术人员已知的。ALE是一种使用自限制的连续反应步骤从表面移除材料层的技术。典型的ALE蚀刻循环包括形成反应层的修改步骤和仅移除反应层的移除步骤。移除步骤可以包括使用等离子体物质，特别是离子，用于层移除。等离子体物质的来源可以被改变，在相对较大的面积上提供等离子体来源的等离子体施加器是优选的。例如，等离子体施加器可以包括等离子体阵列、中空阴极或微波等离子体。
在ALD和ALE技术的上下文中，自限性表面反应意味着当表面反应位点被完全耗尽时，表面的反应层上的表面反应将停止并且自饱和。
图1示出了根据某些实施例的衬底装载阶段中的衬底处理装置100的示意性横截面。衬底处理装置100可以是例如ALD反应器或ALE反应器。装置100包括反应室50和至少部分地围绕反应室50的外室80(或真空室)。中间体积70(或中间空间)在反应室50和外室80之间形成。在某些实施例中，中间体积70在反应室50外部的外室80内形成，使得中间体积70由外室壁和反应室壁两者限定，并且因此在其间形成。
装置100还包括反应室50内的衬底支撑件40。衬底支撑件40包括中空内部体积42。在某些实施例中，衬底台48(或晶片台)形成衬底支撑件40的顶部部分。支撑件40还包括在衬底台48下方的底部部分或基座49。衬底支撑件40可以包括围绕基本圆形碗的基部的一个、两个、三个或多个基座腿。在某些实施例中，三个基座腿基本等距布置在圆形碗上。在某些实施例中，中空内部体积42在衬底台48和基座49之间形成。在某些实施例中，中空内部体积42位于衬底台48下方。
反应室50包括过程气体空间。过程气体空间是反应室50内的体积，过程气体在衬底处理阶段期间(当衬底位于衬底台48上或上方时)在其中流动。在某些实施例中，中空内部体积42与过程气体空间隔离。基座49包括从中空内部体积42延伸到中间体积70的通道45，使得所述体积42、70流体连通。在某些实施例中，通道45被反应室50的过程气体空间围绕(但在处理期间没有从通道45到过程气体空间的流动连接)。在某些实施例中，体积42沿着通道45延伸到反应室壁并且穿过那里延伸到中间体积70中。因此，在某些实施例中，中间体积70在反应室50内部继续进入体积42，然而与反应室50的过程气体空间隔离。在某些实施例，中间体积70、通道45和体积42处于具有共同的(相同或至少类似的)压力流体连通(以便形成连续体积)。在某些实施例中，通道45基本上垂直定向。在某些实施例中，该装置包括多个所描述的通道45，例如三个通道。在某些实施例中，通道45由基座腿实施，该基座腿任选地将基座部分49连接至(多个)反应室壁。
体积42容纳衬底台48所需的各种布线43(例如电缆、加热器和传感器线以及用于气体和/或液体(诸如保护气体、可选的冷却剂等)的管道，)。这些布线43通过通道45从体积42引导到中间体积70。外室80的壁可以在壁的任一侧承受不同的压力，例如压力可以是真空压力或环境压力。在某些实施例中，中间体积70在衬底处理期间处于真空中，而外室80外部的体积处于(较高的)环境压力或室压下。
装置100包括至少一个馈通部分44，用于将布线43通过中间体积70从衬底台48引导到外室80的外部。在某些实施例中，馈通部分44被附接至外室80的壁结构，优选地外室80的底部结构。在某些实施例中，壁结构是外室80的底部法兰89。在某些实施例中，在中间体积70的底部存在又一法兰(在本文中表示为连接法兰88)。在某些实施例中，所述法兰88、89在彼此的顶部并且彼此附接或可附接。在某些实施例中，法兰88、89通过紧固件47(例如(多个)螺栓)彼此附接或可附接。在某些实施例中，馈通部分44延伸穿过两个法兰88、89。
在某些替代实施例中，至少一个馈通部分44仅被附接至法兰88。
在某些实施例中，如图1所示，外室80的结构可选地使得它朝向基本中央的颈部部分收缩，该颈部部分形成朝向底部法兰89延伸的管状体积(或部分)55。管状体积55包括从反应室50延伸并且朝向真空泵(未示出)穿过底部法兰89(和连接法兰88)的排气线或前级管道30。
在某些实施例中，排气线30的一部分被形成为纵向延伸的(管状)部分35。部分35具有收缩形状和(或至少一种)延伸形状，允许位于排气线30顶部的反应室50基本上垂直移动。反应室50可以是碗状部分，或具有旋转对称性的另一(例如圆柱形)部分。
在某些实施例中，部分35由真空波纹管实现。在某些其他实施例中，部分35由嵌套的子部分实施，例如不同直径的两个或多个嵌套管状部分，它们可以在彼此内部垂直移动以实现收缩和延伸的(多个)形状。
在某些实施例中，连接法兰88被附接至反应室50。在某些实施例中，这通过连接法兰88被固定至排气线30来实现。
外室的底部法兰89可以搁置在或固定至外室80的主体。在某些实施例中，底部法兰89在附接点或区域81处附接至外室的主体80。在某些实施例中，附接点或区域81由又一法兰(例如定位在主体的底部边缘处)提供。在某些实施例中，附接点或区域81绕过体积或部分55。
在某些实施例中，该装置包括致动器53，该致动器53包括力传输元件(或杆)51，该力传输元件(或杆)51延伸通过外室馈通52并且附接至反应室50或其边缘或外壁。
在图1中，反应室50接触上部对应物(或相对表面)20(例如盖系统或侧壁部分)以在衬底处理期间将反应室50的内部与中间体积70密封。至少一个衬底可以位于衬底台48上或上方(衬底未示出)以例如在真空条件下通过ALD或ALE处理。
图2示出了反应室50可以通过致动器53从用于衬底处理的第一位置移动到用于衬底装载的第二位置，并且由于部分35通过排气线30的收缩/限制移动所允许/许可。当反应室50处于第二位置时，装载间隙在对应物20和可移动反应室50之间形成，以允许将一个或多个衬底装载和卸载到(处理之前)衬底台48并且离开(当处理完成时)衬底台48。通过将反应室50的移动部分从第二位置升高回到第一位置(如图1所示)，可以恢复反应室50的衬底处理配置。在某些实施例中，纵向延伸部分35区域处的布线43被设置为螺旋状，以利于移动反应室50的垂直移动。
馈通部分44为从真空压力区域到环境压力区域的布线43提供密封馈通。在某些实施例中，馈通部分44由真空法兰实施，例如KF16真空法兰。布线(例如被护套(sheathed)的电线或电缆，有利地被金属护套，和/或管状导管)43例如通过钎焊附接至馈通部分44。
在某些实施例中，存在多个附接至外室80的壁结构(或底部结构)的馈通部分44，例如至少三个馈通部分44。在某些实施例中，每个馈通部分44(例如其中的三个)为多个电线或管状导管提供馈通。在某些实施例中，底部结构的每个基座腿具有一个馈通部分44。
在某些实施例中，馈通部分(或至少一个馈通部分)44通过可从真空外部(例如从壁结构的环境压力侧)或在一些实施例中从真空压力侧打开的紧固件可分离地附接至壁结构(或底部结构)。在某些这种实施例中，至少一个馈通部分44通过可从下方或从上方打开的至少一个紧固件可分离地附接至法兰88。在某些实施例中，至少一个馈通部分44的尺寸非常小，以至于它装配通过通道45。以这种方式，衬底台48可以从衬底支撑件40的其余部分(从底盖或基座49)拆卸，提升(至少一个馈通部分44穿过通道45并且悬吊(或悬置)在布线43上)并且从装置100运走以供维修(例如经由衬底装载间隙)。在外室80的外部(在真空的外部)，在某些实施例中，布线43包括电插头和/或用于气体/流体导管的(快速)连接器74，以进一步便于拆卸。
此外，在某些实施例中，底部法兰88的水平尺寸小于管状体积或部分55的水平尺寸。由可从真空外部(从外室80下方)或在某些实施例中从上方打开的紧固件紧固的底部法兰88因此可以通过打开紧固件释放，并且反应室(碗)50的整个封装、包括衬底台48并附接至反应室(碗)50的衬底支撑件40、底部法兰88、(多个)馈通部分44和相关的布线43以及直到和可选地包括部分35的排气线都可以被提升。通过这种方式，整个包装可以从装置100的顶部移除以进行维修(分离水平由图2中的线11描绘)。
图3示出了根据某些实施例的衬底处理阶段中的衬底处理装置100的又一截面图。
图4示出了根据某些实施例的装置100的某些细节。更详细地，图4示出了用于将馈通部分44附接至外室80的壁结构中的一种方法。部分44通过固定元件91压靠到连接法兰88，该固定元件91通过定位在延伸到法兰88中的(螺纹)孔的紧固件92紧固。其他紧固件47可选地通过法兰89延伸到法兰88中，这些紧固件47可以从外室80的外部释放，从而使得包括反应室50和衬底支撑件40的封装能够可分离地从装置100移除以进行维护。
在某些实施例中，如前文提及的，法兰89被附接至外室80，但法兰88被附接至部分44所连接的衬底碗晶片台封装。部分44和88从(中间空间70的)内部与紧固件(或螺栓)92连接，而部分88和89从(外室80的)外部与紧固件(或螺栓)47连接。
在其他实施例中，紧固件92经由法兰88延伸到法兰89中。在某些这种实施例中，紧固件47可以被省略。
在某些实施例中，布线43在法兰88、89的真空压力侧呈螺旋形式，以促进真空室50的垂直运动。这样的示例在图5中示出，其描绘了布线43围绕纵向延伸的管状部分35缠绕(或盘绕)。在某些实施例中，布线通过装配部分64附接至基座49。
在某些实施例中，如图6所示，装置100包括用于等离子体形成的天线，该天线位于衬底支撑件40上方的反应室50内。在某些实施例中，天线是等离子体施加器的辐射发送天线61。在某些实施例中，天线61和衬底支撑件40都位于相同的体积内(或者天线和要被处理的衬底都被配置为位于相同的体积内)。
在某些实施例中，装置100包括延伸到天线61之间的空间中并且进一步在反应室50内的前体管线62，以在天线61下游的点处排放非等离子气体。在某些实施例中，装置100还包括等离子体气体入口，提供经由天线之间的空间从天线61上方到天线61下方的等离子气流。在某些实施例中，天线61位于覆盖管道内。在等离子体处置期间，当等离子气体通过天线61时，等离子体点燃。所形成的等离子体物质向下流向衬底支撑件40，即，流向(多个)衬底。
在某些实施例中，包括天线61的等离子体施加器被附接至相对表面20的上部对应物(该对应物可以是盖或盖系统，在某些实施例中，这对于腔室50和80都是共同的)。在某些实施例中，盖或盖系统是可移动的。图6中的虚线12示出了在某些实施例中可移动盖子或盖子系统可打开的水平。
在某些实施例中，等离子体物质的来源可以被改变，在相对较大的面积上提供等离子体来源的等离子体施加器是优选的。例如，等离子体施加器可以包括等离子体阵列(诸如图6所示的)、中空阴极或微波等离子体。
在某些实施例中，装置100被配置为调整衬底支撑件40的垂直位置，或者具体地，调整反应室50内的衬底台48的垂直位置，而与反应室50的移动无关。为此目的，装置100包括致动器，该致动器被配置为改变基座49腿的纵向尺寸(即，延长或缩短包括通道45的基座49腿)。在某些实施例中，如在图7中看到的，纵向延伸部分83形成通道45的一部分。形成通道(或基座腿)45的纵向(或垂直)延伸部分例如通过波纹管(或真空波纹管)或例如通过嵌套的子部分实施，诸如不同直径的两个或多个嵌套管状部分，它们可以在彼此内部垂直移动。在某些实施例中，力传输元件(或杆)通过外室馈通从升降器延伸，并且在合适的点处附接至衬底支撑件40，例如在基座49、基座腿或直接在部分83处。图7和8示出了两个备选的升降器73和73'，它们的位置彼此不同。升降器73的力传输元件71经由法兰88和89通过，而备选的升降器73'的力传输元件71'经由外室80壁中的另一馈通通过。在两种情况下，纵向延伸部分83的收缩形状和延伸形状可以被实现，从而提供衬底支撑件40(或支撑台48)的不同垂直位置，以满足不同等离子体对其与衬底表面的最优距离的不同要求。图7示出了处于其收缩形状的部分83，并且图8示出了处于其延伸形状中的一个形状的部分83。
图9示出了根据某些实施例的用于拆卸衬底处理装置100以进行维护的方法的流程图。
在步骤901中，包括衬底支撑件40的反应室组件从外室80的底部结构89分离。在某些实施例中，这还包括从底部结构89分离馈通部分44。在某些实施例中，分离步骤通过从外室80的外部释放紧固件47来实施。
在步骤902中，经由底部结构89中的开口，包括其插头(从外室80的外部释放)的布线43经由底部结构89移动到底部结构的反应室侧。
在步骤903中，反应室组件连同悬置线43及其插头一起被提升，并且从装置100移开/移除以进行维护。
图10示出了根据某些其他实施例的用于拆卸衬底处理装置100以进行维护的另一方法的流程图。在这些实施例中，只有衬底台48从装置分离。
在步骤1001中，馈通部分44从底部结构89分离。在某些实施例中，分离步骤通过从外室80的外部释放紧固件47来实施，如果适用的话。在某些实施例中，如果适用的话，馈通部分44也从连接法兰88分离。在某些实施例中，这通过释放对应的紧固件(例如紧固件92，如果适用的话)来实现。在某些实施例中，紧固件92从底部结构89的真空室侧释放。
在步骤1002中，经由底部结构89中的开口，包括其插头(从外室80的外部释放)的布线43经由底部结构89移动到底部结构89的反应室侧。
在步骤1003和1004中，包括其插头和馈通部分44的布线43通过基座49腿中的通道45移动，并且衬底台48被提升并且远离装置100移动以进行维护，连同从衬底台48悬吊/悬置的布线43、其插头和馈通部分44。在某些实施例中，步骤1004包括通过提升移动将衬底台48从基座49分离(可能存在关联的紧固件，在某些实施例(未示出)中，将在步骤1004之前释放)。
在不限制专利权利要求的范围和解释的情况下，本文公开的一个或多个示例实施例的某些技术效果在下文中列举。技术效果是提供了一种将布线从真空中引导出来的方式。又一技术效果是减少了清洁布线的需要。又一技术效果是改善维修方面，因为可以从装置拆卸反应器部分(例如包括反应室碗-波纹管-晶片台的反应室封装)，特别是通过装置的盖子，该盖子位于顶部。又一技术效果是提供等离子体天线和衬底表面之间的可调整距离，这是由于高度可调整的衬底保持器基座腿，其独立于反应室。
前面的描述已经通过本发明的特定实施方式和实施例的非限制性示例提供了本发明人当前设想的用于执行本发明的最佳模式的完整且信息丰富的描述。然而，对于本领域技术人员来说清楚的是，本发明并不限于前面呈现的实施例的细节，而是可以在不脱离本发明的特点的情况下使用等效部件在其他实施例中实施。
此外，本发明的上面公开的实施例的一些特征可以在没有对应地使用其他特征的情况下有利地使用。因此，前面的描述应该被认为仅是对本发明的原理的说明，而不是对其的限制。因此，本发明的范围仅受所附专利权利要求的限制。

Claims (15)

1.一种衬底处理装置，包括：
反应室；
外室，至少部分地围绕所述反应室并且在其间形成中间体积；以及
衬底支撑件，位于所述反应室内，包括中空内部体积，其中
所述中空内部体积和所述中间体积通过从所述中空内部体积延伸到所述中间体积的通道流体连通。
2.根据权利要求1所述的装置，其中所述通道容纳布线，所述布线在所述通道内从所述衬底支撑件延伸到所述中间体积。
3.根据权利要求2所述的装置，其中所述布线通过在所述外室的所述底部的至少一个馈通离开所述外室。
4.根据权利要求1或2所述的装置，其中至少一个馈通部分被可分离地附接至连接法兰，所述连接法兰被附接至至少包括所述反应室的下部和所述衬底支撑件的组件。
5.根据权利要求4所述的装置，其中所述连接法兰被可分离地附接至所述外室的底部法兰。
6.根据权利要求1或2所述的装置，包括：
致动器，所述致动器被配置为降低和升高所述反应室；以及
纵向延伸管状部分，在反应室排气线中允许垂直移动。
7.根据权利要求6所述的装置，包括布线，所述布线缠绕在所述纵向延伸管状部分周围。
8.根据权利要求1或2所述的装置，其中所述装置被配置为通过延伸所述通道的长度来调整所述衬底支撑件的垂直位置。
9.根据权利要求8所述的装置，包括致动器，所述致动器被配置为通过改变纵向延伸部分的形成所述通道的一部分的纵向尺寸来降低和升高由所述衬底支撑件包括的衬底台的水平。
10.根据权利要求1或2所述的装置，包括用于等离子体形成的天线，所述天线位于所述衬底支撑件上方的所述反应室内。
11.根据权利要求10所述的装置，包括前体管线，所述前体管线延伸到所述天线之间的空间中并且进一步在所述反应室内以在所述天线下游的点处排放非等离子气体。
12.一种衬底处理装置，包括：
反应室；
外室，至少部分地围绕所述反应室并且在其间形成中间体积；以及
衬底支撑件，位于所述反应室内，其中所述衬底支撑件被固定至所述反应室的壁，并且所述衬底支撑件以及所述反应室一起通过收缩和延伸连接至所述反应室的底部的排气线而垂直可移动。
13.一种用于拆卸衬底处理装置的方法，所述衬底处理装置包括反应室、至少部分地围绕所述反应室并且在其间形成中间体积的外室，以及所述反应室内的衬底支撑件，所述方法包括：
从所述外室的底部结构分离反应室组件，所述反应室组件包括所述衬底支撑件和所述反应室的下部；
通过布置在所述底部结构中的相应开口，将从所述衬底支撑件悬置的的布线及其插头从所述外室的外部移动到所述中间体积；以及
从所述装置提升和移除所述反应室组件以用于维护，所述反应室组件包括所述悬置的布线及其插头。
14.根据权利要求13所述的方法，其中所述反应室组件的所述分离包括从所述外室的所述底部结构分离所述反应室组件的连接法兰。
15.根据权利要求14所述的方法，其中所述分离连接法兰包括从所述底部结构分离密封馈通部分，所述密封馈通部分密封布置在所述底部结构中的所述开口。
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Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101171365A (zh) * 2005-05-09 2008-04-30 Asm吉尼泰克韩国株式会社 多入口原子层沉积反应器
US20090142933A1 (en) * 2007-11-29 2009-06-04 Masayoshi Yajima Manufacturing apparatus for semiconductor device and manufacturing method for semiconductor device
WO2012136875A1 (en) * 2011-04-07 2012-10-11 Picosun Oy Deposition reactor with plasma source
KR101281124B1 (ko) * 2011-01-10 2013-07-02 엘아이지에이디피 주식회사 화학기상 증착장치
CN110234793A (zh) * 2017-02-08 2019-09-13 皮考逊公司 具有可移动结构的沉积或清洁装置和操作方法
CN111357090A (zh) * 2017-11-11 2020-06-30 微材料有限责任公司 用于高压处理腔室的气体输送系统

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6499425B1 (en) * 1999-01-22 2002-12-31 Micron Technology, Inc. Quasi-remote plasma processing method and apparatus
JP4127488B2 (ja) * 2002-07-03 2008-07-30 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP4879509B2 (ja) * 2004-05-21 2012-02-22 株式会社アルバック 真空成膜装置
KR100550803B1 (ko) * 2004-06-17 2006-02-09 주식회사 에이디피엔지니어링 플라즈마 식각장비
JP4956469B2 (ja) * 2008-03-24 2012-06-20 株式会社ニューフレアテクノロジー 半導体製造装置
TWI638587B (zh) * 2011-10-05 2018-10-11 美商應用材料股份有限公司 對稱電漿處理腔室
US10049862B2 (en) * 2015-04-17 2018-08-14 Lam Research Corporation Chamber with vertical support stem for symmetric conductance and RF delivery
US20190341233A1 (en) * 2018-05-02 2019-11-07 Applied Materials, Inc. Semiconductor substrate processing apparatus and method
US11434569B2 (en) * 2018-05-25 2022-09-06 Applied Materials, Inc. Ground path systems for providing a shorter and symmetrical ground path
KR102253808B1 (ko) * 2019-01-18 2021-05-20 주식회사 유진테크 기판 처리 장치
KR102412341B1 (ko) * 2019-06-25 2022-06-23 피코순 오와이 기판 후면 보호

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101171365A (zh) * 2005-05-09 2008-04-30 Asm吉尼泰克韩国株式会社 多入口原子层沉积反应器
US20090142933A1 (en) * 2007-11-29 2009-06-04 Masayoshi Yajima Manufacturing apparatus for semiconductor device and manufacturing method for semiconductor device
KR101281124B1 (ko) * 2011-01-10 2013-07-02 엘아이지에이디피 주식회사 화학기상 증착장치
WO2012136875A1 (en) * 2011-04-07 2012-10-11 Picosun Oy Deposition reactor with plasma source
CN110234793A (zh) * 2017-02-08 2019-09-13 皮考逊公司 具有可移动结构的沉积或清洁装置和操作方法
US20190390339A1 (en) * 2017-02-08 2019-12-26 Picosun Oy Deposition or cleaning apparatus with movable structure and method of operation
CN111357090A (zh) * 2017-11-11 2020-06-30 微材料有限责任公司 用于高压处理腔室的气体输送系统

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