KR20220152941A - 기판 처리 장치 및 방법 - Google Patents

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KR20220152941A
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바이뇌 킬피
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피코순 오와이
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Abstract

반응 챔버(50), 반응 챔버(50)를 적어도 부분적으로 둘러싸고 그 사이에 중간 체적(70)을 형성하는 외부 챔버(80), 및 중공 내부 체적(42)을 포함하는, 반응 챔버(50) 내의 기판 지지부(40)를 포함하며, 중공 내부 체적(42) 및 중간 체적(70)은 중공 내부 체적(42)에서 중간 체적(70)으로 연장되는 채널(45)을 통해 유체 연통되는, 기판 처리 장치(100)가 제공된다.

Description

기판 처리 장치 및 방법{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND METHOD}
본 발명은 일반적으로 기판 처리 장치 및 방법에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 그러나 배타적인 것은 아닌 것으로, 본 발명은 화학 증착(chemical deposition) 또는 에칭 반응기에 관한 것이다.
이 섹션은 최신 기술을 대표하는 본원에 기술된 임의의 기술의 승인되지 않은 유용한 배경 정보를 설명한다.
화학 증착 또는 에칭 반응기에서, 처리된 기판 또는 기판들은 기판 지지부에 의해 지지된다. 기판 지지부에는 전형적으로 배선(wiring) 및 배관(tubing)이 필요하지만, 장치 내에서 이러한 배선 및 배관의 위치를 지정하면 이를 세척하고 표준 유지보수(maintenance)를 수행하기 위해 접근하기 어려워 유지보수 가동 중지 시간에 부정적인 영향을 미친다.
본 발명의 특정한 구현예의 목적은 기판 처리 장치 및 장치의 유지보수를 개선하는 방법을 제공하거나 적어도 기존 기술에 대한 대안적인 해결방안을 제공하는 것이다.
본 발명의 제1 예시적인 측면에 따르면, 기판 처리 장치로서,
반응 챔버;
반응 챔버를 적어도 부분적으로 둘러싸고 그 사이에 중간 체적(intermediate volume)을 형성하는 외부 챔버; 및
중공 내부 체적을 포함하는, 반응 챔버 내의 기판 지지부를 포함하며,
중공 내부 체적 및 중간 체적은 중공 내부 체적에서 중간 체적으로 연장되는 채널을 통해 유체 연통되는, 기판 처리 장치가 제공된다.
특정한 구현예에서, 중간 체적 및 기판 지지부의 중공 내부 체적은 장치의 기판 처리 스테이지에서 채널을 통해 공유 압력 공간(shared pressure space)을 형성한다. 특정한 구현예에서, 채널의 수는 하나보다 많은, 예컨대 3개이다.
특정한 구현예에서, 채널은 반응 챔버 벽의 피드스루(feedthrough)를 통해 연장된다. 특정한 구현예에서, 기판 지지부는 중공 내부 체적에서 반응 챔버 벽의 피드스루로 연장하는 채널을 수용하는 돌출부를 포함한다.
특정한 구현예에서, 반응 챔버의 내부 체적은 채널을 둘러싼다.
특정한 구현예에서, 중간 체적은 기판 처리 페이스(substrate processing phase) 동안 반응 챔버의 기판 처리 공간으로부터 밀봉(또는 격리)된다.
특정한 구현예에서, 중공 내부 체적은 중간 체적의 압력에 있으며, 채널은 상기 체적 사이에서 유동 연결(flow connection)을 형성한다. 특정한 구현예에서, 상기 채널은 반응 챔버 압력을 갖는 압력 영역에 의해 둘러싸여 있다. 특정한 구현예에서, 반응 챔버는 기판 처리 동안 중간 공간 내의 압력보다 낮은 압력을 갖는다.
특정한 구현예에서, 기판 지지부는 분리 가능하게 부착되거나 부착 가능한 기판 테이블을 포함한다.
특정한 구현예에서, 기판 지지부는 기판 지지부의 중공 내부 체적에서 채널을 통해 중간 체적으로 그리고 그로부터 외부 챔버의 외부로 연장하는 배선을 포함한다.
특정한 구현예에서, 채널은 배선이 기판 지지부에서 중간 체적으로 채널 내에서 연장되는 배선을 수용한다.
특정한 구현예에서, 배선은 중간 체적에서 외부 챔버의 외부로 외부 챔버의 외부로 추가로 연장된다.
특정한 구현예에서, 기판 지지부는 기판 테이블 및 페데스탈(pedestal)(또는 바텀 커버(bottom cover))를 포함한다. 특정한 구현예에서, 페데스탈은 지지 구조부에 대해(예를 들어, 반응 챔버에 대해) 페데스탈을 지지하는 하나 이상의 페데스탈 레그를 포함한다. 특정한 구현예에서, 하나의 페데스탈 레그가 상기 채널을 제공한다(또는 하나 보다 많은(또는 각각의) 페데스탈 레그가 채널을 포함하는 경우, 복수의 채널이 제공될 수 있다).
특정한 구현예에서, 배선은 외부 챔버의 바텀(bottom)에서 적어도 하나의 피드스루를 통해 외부 챔버를 빠져나간다.
특정한 구현예에서, 적어도 하나의 피드스루 파트(part)는 외부 챔버의 바텀 플랜지에 분리 가능하게 부착되거나 부착 가능하다. 특정한 구현예에서, 적어도 하나의 피드스루 파트는 반응 챔버 어셈블리에 부착된 연결 플랜지에 분리 가능하게 부착되거나 부착 가능하다.
특정한 구현예에서, 적어도 하나의 피드스루 파트는 적어도 반응 챔버의 하부 파트(lower part) 및 기판 지지부를 포함하는 어셈블리의 연결 플랜지에 분리 가능하게 부착되거나 부착 가능하다.
특정한 구현예에서, 적어도 하나의 피드스루 파트는 위에서 또는 아래에서 해제될 수 있는 적어도 하나의 패스너에 의해 중간 체적의 바텀 플랜지에 분리 가능하게 부착되거나 부착 가능하다. 특정한 구현예에서, 적어도 하나의 피드스루 파트는 외부 직경이 채널의 내부 직경보다 작은 진공 플랜지이다.
특정한 구현예에서, 연결 플랜지는 외부 챔버의 바텀 플랜지에 분리 가능하게 부착되거나 부착 가능하다.
특정한 구현예에서, 중간 체적의 연결 플랜지는 위에서 또는 아래에서 해제할 수 있는 적어도 하나의 패스너에 의해 외부 챔버의 바텀 플랜지에 분리 가능하게 부착되거나 부착 가능하다.
특정한 구현예에서, 장치는 반응 챔버 보울의 바텀에서 시작하는 반응 챔버 배기 라인을 포함한다. 특정한 구현예에서, 배기 라인(exhaust line)은 외부 챔버의 바텀(bottom)을 통해 외부 챔버를 빠져나간다.
특정한 구현예에서, 배기 라인은 반응 챔버의 회전 대칭 축 주위에서 반응 챔버 아래에 대칭적으로 위치된다. 특정한 구현예에서, 배기 라인은 외부 챔버의 바텀 플랜지를 통해 중앙으로(그리고 (선택적) 연결 플랜지를 통해 중앙으로) 이동한다.
특정한 구현예에서, 장치는 반응 챔버를 하강 및 상승시키도록 구성된 액추에이터, 및 수직 이동을 허용하는 세로로(수직으로) 연장된 튜브형(튜브(tube)) 파트를 반응 챔버 배기 라인에 포함한다.
특정한 구현예에서, 상기 수직 이동을 허용하는 것은 배기 라인의 수직 수축 및 연장을 허용함으로써 구현된다.
특정한 구현예에서, 장치는 세로로 연장된 튜브형 파트(longitudinally extensional tubular part) 주위에 권취되거나 나선형으로 된 배선(예를 들어, 전선의 다발)을 포함한다.
특정한 구현예에서, 장치는 채널의 길이를 연장함으로써 기판 지지부의 수직 위치를 조정하도록 구성된다. 특정한 구현예에서, 기판 지지부는 탑 파트(top part) 또는 기판 테이블 및 기판 테이블 아래의 페데스탈(바텀 파트(bottom part) 또는 바텀 커버)로 형성된다. 특정한 구현예에서, 페데스탈은 상기 채널을 형성하는 레그(leg)를 포함한다. 특정한 구현예에서, 레그의 수는 적어도 하나이다. 특정한 구현예에서, 레그의 수는 적어도 2개이다. 특정한 구현예에서, 레그의 수는 3개 이상이다. 특정한 구현예에서, 레그는 대칭적으로 위치된다.
특정한 구현예에서, 장치는 채널의 일부를 형성하는 세로로 연장된 파트(extensional part)의 세로 치수를 변경함으로써 기판 지지부에 의해 포함된 기판 테이블의 레벨을 하강 및 상승시키도록 구성된 액추에이터를 포함한다. 따라서, 특정한 구현예에서, 장치는 페데스탈 레그의 길이를 조정하도록 구성된 액추에이터를 포함한다. 특정한 구현예에서, 채널(또는 페데스탈 레그)을 형성하는 세로로(또는 수직으로) 연장된 파트는 벨로우즈(bellows)(또는 진공 벨로우즈) 또는 중첩된 서브 파트(nested sub part), 예를 들어, 서로의 내부에서 수직으로 이동할 수 있는 직경이 다른 둘 이상의 중첩된 튜브형 파트에 의해 수행된다. 이러한 방식에서, 세로로 연장된 파트(longitudinally extensional part)의 수축된 형상 및 연장된 형상은 기판 지지부 (또는 지지 테이블)의 상이한 수직 위치를 제공하도록 실현될 수 있다.
특정한 구현예에서, 장치는 기판 지지부 위의 반응 챔버 내에 위치된 플라즈마 형성을 위한 안테나를 포함한다. 특정한 구현예에서, 안테나는 플라즈마 어플리케이터의 복사 송신 안테나(radiation transmitting antenna)이다. 특정한 구현예에서, 복사 송신 안테나는 반응 챔버에 의해 제공되는 중공 내부 체적 내에 위치된다. 특정한 구현예에서, 안테나와 기판 지지부 둘 모두는 동일한 중공 내부 체적 내에 위치된다 (또는 안테나와 처리될 기판 둘 모두는 동일한 중공 내부 체적 내에 위치하도록 구성된다).
특정한 구현예에서, 장치는 안테나 사이의 공간으로 그리고 나아가 반응 챔버 내로 연장하는 전구체 파이프를 포함하여 안테나의 하류 지점에서 비-플라즈마 가스를 방출한다. 특정한 구현예에서, 장치는 안테나 위로부터 안테나 사이의 공간을 통해 안테나 아래로 플라즈마 가스 흐름을 제공하는 플라즈마 가스 유입구를 추가로 포함한다. 안테나는 커버링 배관 내에 위치할 수 있다. 플라즈마 처리 도중에, 플라즈마 가스가 안테나를 통과할 때 플라즈마가 점화된다. 형성된 플라즈마 종은 기판 지지부 쪽으로, 즉 기판(들) 쪽으로 아래쪽으로 흐른다.
본 발명의 제2 예시적인 측면에 따르면, 기판 처리 장치로서:
반응 챔버;
반응 챔버를 적어도 부분적으로 둘러싸고 그 사이에 중간 체적을 형성하는 외부 챔버; 및
반응 챔버 내부의 기판 지지부를 포함하며, 기판 지지부는 반응 챔버의 벽에 고정되고, 기판 지지부는 반응 챔버와 함께, 반응 챔버의 바텀에 연결된 배기 라인을 수축 및 연장하여 수직으로 이동할 수 있는, 기판 처리 장치가 제공된다.
본 발명의 제3 예시적인 측면에 따르면, 반응 챔버, 반응 챔버를 적어도 부분적으로 둘러싸고 그 사이에 중간 체적을 형성하는 외부 챔버, 및 반응 챔버 내의 기판 지지부를 포함하는 기판 처리 장치의 분해 방법으로서,
분해 방법은:
외부 챔버의 바텀 구조부(bottom structure)에서 기판 지지부 및 반응 챔버의 하부 파트(lower part)를 포함하는 반응 챔버 어셈블리를 분리하는 단계;
기판 지지부에 서스펜드된 배선 및 이의 플러그를 바텀 구조부에 배열된 각각의 개구(들)를 통해 외부 챔버의 외부로부터 중간 체적으로 이동시키는 단계; 및
서스펜드된 배선 및 이의 플러그를 포함하는 반응 챔버 어셈블리를 유지보수를 위해 장치에서 들어 올려 제거하는 단계를 포함하는 분해 방법이 제공된다.
특정한 구현예에서, 바텀 구조부는 외부 챔버의 바텀 플랜지를 포함한다. 특정한 구현예에서, 분리하는 단계는 바텀 구조부의 주위 압력(ambient pressure) 사이드에서 각각의 패스너를 해제(releasing)함으로써 수행된다.
특정한 구현예에서, "배선 및 플러그"라는 표현은 전선 및 이의 플러그에 추가하여 유체 및 이의 커넥터(들)에 적용 가능한 배관(tubing)(들)을 포함한다.
특정한 구현예에서, 반응 챔버 어셈블리의 상기 분리하는 단계는 외부 챔버의 바텀 구조부로부터 반응 챔버 어셈블리의 연결 플랜지를 분리하는 단계를 포함한다.
특정한 구현예에서, 연결 플랜지는 반응 챔버 보울에서 아래쪽으로 연장하는 배기 라인에 부착된다. 특정한 구현예에서, 배기 라인은 가요성 및/또는 세로로 연장된 튜브형 파트, 예컨대 진공 벨로우즈, 및 가요성 및/또는 세로로 연장된 튜브형 파트 아래의 고정 파트(stationary part)를 포함한다. 특정한 구현예에서, 연결 플랜지는 배기 라인의 고정 파트에 부착된다.
특정한 구현예에서, 연결 플랜지를 분리하는 단계는 바텀 구조부에서 바텀 구조부에 배열된 상기 개구를 밀봉하는 밀봉 피드스루 파트를 분리하는 단계를 포함한다.
다른 구속력이 없는 예시적인 측면 및 구현예가 상기에서 예시되었다. 상기 구현예는 단지 본 발명의 구현에서 이용될 수 있는 선택된 측면 또는 단계를 설명하기 위해 사용된다. 일부 구현예는 특정한 예시적인 측면을 참조하여만 제시될 수 있다. 대응하는 구현예는 다른 예시적인 측면에도 적용되는 것으로 이해되어야 한다. 특히, 제1 측면과 관련하여, 설명된 구현예는 각각의 추가 측면에 적용 가능하고, 그 반대도 마찬가지이다. 구현예의 임의의 적절한 조합이 형성될 수 있다.
이제 본 발명은 첨부 도면을 참조하여 단지 예로서 설명될 것이며, 여기서:
도 1은 특정한 구현예에 따른 기판 처리 스테이지에서 기판 처리 장치의 개략적인 단면도를 도시하고;
도 2는 특정한 구현예에 따른 기판 로딩 스테이지에서 도 1의 기판 처리 장치의 개략적인 단면도를 도시하고;
도 3은 특정한 구현예에 따른 기판 처리 스테이지에서 도 1의 기판 처리 장치의 추가적인 단면도를 도시하고;
도 4는 특정한 구현예에 따른 장치의 특정한 세부사항을 도시하고;
도 5는 배선이 배기 채널(exhaust channel) 주위에 권취된 기판 처리 장치의 대안적인 구현예를 도시하고;
도 6은 특정한 구현예에 따라 포함된 플라즈마 소스를 갖는 기판 처리 장치의 단면도를 도시하고;
도 7은 수축된 구성의 조정 가능한 기판 홀더 페데스탈 레그를 구비한 기판 처리 장치의 대안적인 구현예를 도시하고;
도 8은 연장된 구성의 페데스탈 레그를 갖는 도 7의 기판 처리 장치를 도시하고;
도 9는 특정한 구현예에 따른 유지보수를 위해 기판 처리 장치를 분해하는 방법의 플로우 챠트를 도시하며; 그리고
도 10은 특정한 다른 구현예에 따른 유지보수를 위해 기판 처리 장치를 분해하는 다른 방법의 플로우 챠트를 도시한다.
하기 설명에서, 원자층 증착(Atomic Layer Deposition, ALD) 기술과 원자층 에칭(Atomic Layer Etching, ALE) 기술을 예로 들어 설명한다.
ALD 성장 메커니즘의 기초는 당업자에게 알려져 있다. ALD는 적어도 하나의 기판에 적어도 두 가지의 반응성 전구체 종을 순차적으로 도입하는 것을 기반으로 하는 특수 화학 증착 방법이다. 기본 ALD 증착 사이클은 4가지 순차적 단계로 구성된다: 펄스 A, 퍼지 A, 펄스 B 및 퍼지 B. 펄스 A는 제1 전구체 증기 그리고 다른 전구체 증기의 펄스 B로 구성된다. 불활성 가스 및 진공 펌프는 전형적으로 퍼지 A 및 퍼지 B 동안 반응 공간에서 기체 반응 부산물 및 잔류 반응물 분자의 퍼지에 사용된다. 증착 시퀀스는 적어도 하나의 증착 사이클을 포함한다. 증착 시퀀스가 원하는 두께의 박막 또는 코팅을 생성할 때까지 증착 사이클이 반복된다. 증착 사이클은 더 단순하거나 더 복잡할 수도 있다. 예를 들어, 사이클은 퍼지 단계에 의해 분리된 3개 이상의 반응물(reactant) 증기 펄스를 포함할 수 있거나, 또는 특정 퍼지 단계가 생략될 수 있다. 또는, 플라즈마-보조(plasma-assisted) ALD, 예를 들어 PEALD(플라즈마-강화 원자층 증착), 또는 광자-보조(photon-assisted) ALD의 경우, 하나 이상의 증착 단계는 각각 플라즈마 또는 광자 주입(in-feed)를 통해 표면 반응에 필요한 추가 에너지를 제공함으로써 보조(assist)될 수 있다. 또는 반응성 전구체 중 하나가 에너지로 대체되어, 단일 전구체 ALD 공정이 될 수도 있다. 따라서, 펄스 및 퍼지 시퀀스는 각각의 특정한 경우에 따라 다를 수 있다. 증착 사이클은 로직 유닛 또는 마이크로프로세서에 의해 제어되는 시간에 따른 증착 시퀀스(timed deposition sequence)를 형성하다. ALD에 의해 성장된 박막은 밀도가 높고, 핀홀이 없으며 두께가 균일하다.
기판 처리 단계와 관련하여, 적어도 하나의 기판은 전형적으로 순차적인 자체-포화 표면 반응(self-saturating surface reaction)에 의해 기판 표면 상에 물질을 증착하기 위해 반응 용기(또는 챔버)에서 일시적으로 분리된 전구체 펄스에 노출된다. 본 출원과 관련하여, ALD라는 용어는 모든 적용 가능한 ALD 기반 기술 및 임의의 균등하거나 밀접하게 관련된 기술, 예컨대, 예를 들어 다음의 ALD 하위-유형을 포함한다: MLD(분자층 증착), 플라즈마-보조 ALD, 예를 들어 PEALD(플라즈마 강화 원자층 증착) 및 광자-보조 또는 광자-강화 원자층 증착(플래시 강화 ALD 또는 포토-ALD라고도 알려짐).
그러나, 본 발명은 ALD 기술에 제한되지 않으나, 광범위한 기판 처리 장치, 예를 들어, 화학 기상 증착(CVD) 반응기, 또는 에칭 반응기, 예컨대 원자층 에칭(Atomic Layer Etching, ALE) 반응기에서 활용될 수 있다.
ALE 에칭 메커니즘의 기본은 당업자에게 알려져 있다. ALE는 자체-제한적인 순차적 반응 단계를 사용하여 표면에서 재료 층이 제거되는 기술이다. 전형적인 ALE 에칭 사이클은 반응층을 형성하기 위한 개질 단계(modification step)와 반응층만을 제거하기 위한 제거 단계를 포함한다. 제거 단계는 플라즈마 종, 특히 이온을 층 제거를 위해 사용하는 것을 포함할 수 있다. 플라즈마 종의 소스는 다양할 수 있으며, 상대적으로 넓은 영역에 플라즈마 소스를 제공하는 플라즈마 어플리케이터가 바람직하다. 플라즈마 어플리케이터는 예를 들어 플라즈마 어레이, 중공 캐소드(hollow cathode) 또는 마이크로파 플라즈마를 포함할 수 있다.
ALD 및 ALE 기술과 관련하여, 자체-제한적 표면 반응은 표면 반응성 부위가 완전히 고갈될 때 표면의 반응성 층에 대한 표면 반응이 중단되고 자체-포화됨을 의미한다.
도 1은 특정한 구현예에 따른 기판 로딩 스테이지에서의 기판 처리 장치(100)의 개략적인 단면도를 도시한다. 기판 처리 장치(100)는, 예를 들어, ALD 반응기 또는 ALE 반응기일 수 있다. 장치(100)는 반응 챔버(50), 및 반응 챔버(50)를 적어도 부분적으로 둘러싸는 외부 챔버(80)(또는 진공 챔버)를 포함한다. 중간 체적(70)(또는 중간 공간)은 반응 챔버(50)와 외부 챔버(80) 사이에 형성된다. 특정한 구현예에서, 중간 체적(70)은 반응 챔버(50)의 외부에서 외부 챔버(80) 내에 형성되어, 중간 체적(70)이 외부 챔버 벽과 반응 챔버 벽 모두에 의해 한정되고(defined), 따라서 그 사이에 형성된다.
장치(100)는 반응 챔버(50) 내에 기판 지지부(40)를 추가로 포함한다. 기판 지지부(40)는 중공 내부 체적(42)을 포함한다. 특정한 구현예에서, 기판 테이블(48)(또는 웨이퍼 테이블)은 기판 지지부(40)의 탑 파트(top part)를 형성한다. 지지부(40)는 기판 테이블(48) 아래의 바텀 파트 또는 페데스탈(49)을 추가로 포함한다. 기판 지지부(40)는 실질적인 원형 보울의 베이스 주위에 1개, 2개, 3개 또는 그 이상의 페데스탈 레그를 포함할 수 있다. 특정한 구현예에서, 원형 보울에 실질적으로 등거리에 배열된 3개의 페데스탈 레그가 있다. 특정한 구현예에서, 중공 내부 체적(42)은 기판 테이블(48)과 페데스탈(49) 사이에 형성된다. 특정한 구현예에서, 중공 내부 체적(42)은 기판 테이블(48) 아래에 존재한다.
반응 챔버(50)는 프로세스 가스(process gas) 공간을 포함한다. 프로세스 가스 공간은 기판 처리 스테이지 동안(기판이 기판 테이블(48)에 또는 위에 놓여 있는 동안) 프로세스 가스가 흐르는 반응 챔버(50) 내의 체적이다. 특정한 구현예에서, 중공 내부 체적(42)은 프로세스 가스 공간으로부터 격리된다. 페데스탈(49)은 중공 내부 체적(42)에서 중간 체적(70)으로 연장하는 채널(45)을 포함하여 상기 체적(42, 70)이 유체 연통하도록 한다. 특정한 구현예에서, 채널(45)은 반응 챔버(50)의 프로세스 가스 공간에 의해 둘러싸여 있다(그러나 처리 동안 채널(45)로부터 프로세스 가스 공간으로의 흐름 연결은 없다). 특정한 구현예에서, 체적(42)은 채널(45)을 따라 반응 챔버 벽까지 그리고 이를 통해 중간 체적(70)으로 연장된다. 따라서, 특정한 구현예에서, 중간 체적(70)은 반응 챔버(50) 내부에서 체적(42) 내로 계속되지만, 반응 챔버(50)의 프로세스 가스 공간으로부터 격리되어 있다. 특정한 구현예에서, 중간 체적(70), 채널(45) 및 체적(42)은 공통(동일하거나 적어도 유사한) 압력을 갖는 (연속 체적을 형성하기 위해) 유체 연통한다. 특정한 구현예에서, 채널(45)은 실질적으로 수직으로 배향된다. 특정한 구현예에서, 장치는 복수의 기술된 채널(45), 예를 들어 3개의 채널을 포함한다. 특정한 구현예에서, 채널(45)은 페데스탈 파트(49)를 반응 챔버 벽(들)에 선택적으로 연결하는 페데스탈 레그에 의해 구현된다.
체적(42)은 기판 테이블(48)에서 요구되는 다양한 배선(43)(예를 들어, 전기 케이블, 히터 및 센서 와이어, 가스(기체) 및/또는 액체용(예컨대 보호 가스, 선택적 냉각재(coolant)) 배관 등)을 수용한다. 이러한 배선(43)은 채널(45)을 통해 체적(42)에서 중간 체적(70)으로 안내된다. 외부 챔버(80)의 벽은 벽의 양쪽 사이드에서 서로 다른 압력을 견딜 수 있으며, 예를 들어 압력은 진공 압력 또는 주위 압력일 수 있다. 특정한 구현예에서, 중간 체적(70)은 기판 처리 동안 진공에 있는 반면, 외부 챔버(80) 외부의 체적은 (더 높은) 주위 압력 또는 룸 압력(room pressure)에 있다.
장치(100)는 배선(43)을 기판 테이블(48)에서 중간 체적(70)을 통해 외부 챔버(80)의 외부로 안내하기 위한 적어도 하나의 피드스루 파트(44)를 포함한다. 특정한 구현예에서, 피드스루 파트(44)는 외부 챔버(80)의 벽 구조부, 바람직하게는 외부 챔버(80)의 바텀 구조부에 부착된다. 특정한 구현예에서, 벽 구조부는 외부 챔버(80)의 바텀 플랜지(89)이다. 특정한 구현예에서, 중간 체적(70)의 바텀에 추가 플랜지가 있다(여기서 연결 플랜지(88)로 나타냄). 특정한 구현예에서, 상기 플랜지(88, 89)는 서로의 탑(top)에 있고 서로 부착되거나 부착될 수 있다. 특정한 구현예에서, 플랜지(88, 89)는 패스너(fastener)(47), 예를 들어 볼트(들)에 의해 서로 부착되거나 부착될 수 있다. 특정한 구현예에서, 피드스루 파트(44)는 두 플랜지(88, 89)를 통해 연장된다.
특정한 대안적인 구현예에서, 적어도 하나의 피드스루 파트(44)는 플랜지(88)에만 부착된다.
특정한 구현예에서, 도 1에 도시된 바와 같이, 외부 챔버(80)의 구조는 선택적으로 바텀 플랜지(89)를 향해 연장되는 튜브형 체적(또는 파트)(55)을 형성하는 실질적으로 중앙의 목 부분을 향하여 위축(constrict)되도록 되어 있다. 튜브형 체적(55)은 반응 챔버(50)로부터 연장되고 진공 펌프(미도시) 쪽으로 바텀 플랜지(89)(및 연결 플랜지(88))를 통해 통과하는 배기 라인 또는 포어라인(foreline)(30)을 포함한다.
특정한 구현예에서, 배기 라인(30)의 일부는 세로로 연장된 (튜브형) 파트(35)로서 형성된다. 파트(35)는 배기 라인(30)의 탑(top)에 있는 반응 챔버(50)의 실질적으로 수직 이동을 허용하는 수축된 형상 및 (또는 적어도 하나의) 연장된 형상을 갖는다. 반응 챔버(50)는 보울-형상 파트, 또는 회전 대칭을 갖는 다른(예, 실린더형) 파트일 수 있다.
특정한 구현예에서, 파트(35)는 진공 벨로우즈에 의해 구현된다. 특정한 다른 구현예에서, 파트(35)는 중첩된 서브 파트, 예를 들어 수축 및 연장된 형상(들)을 실현하기 위해 서로 내부에서 수직으로 이동할 수 있는 직경이 다른 둘 이상의 중첩된 튜브형 파트에 의해 구현된다.
연결 플랜지(88)는 특정한 구현예에서 반응 챔버(50)에 부착된다. 특정한 구현예에서, 이는 배기 라인(30)에 고정되는 연결 플랜지(88)를 통해 달성된다.
외부 챔버의 바텀 플랜지(89)는 외부 챔버(80)의 본체에 놓이거나 고정될 수 있다. 특정한 구현예에서, 바텀 플랜지(89)는 부착 지점 또는 영역(81)에서 외부 챔버의 본체(80)에 부착된다. 특정한 구현예에서, 부착 지점 또는 영역(81)은 (예를 들어 본체의 바텀 에지(edge)에 위치된) 추가 플랜지에 의해 제공된다. 특정한 구현예에서, 부착 지점 또는 영역(81)은 체적 또는 파트(55)를 우회한다.
특정한 구현예에서, 장치는 외부 챔버 피드스루(52)를 통해 연장되고 반응 챔버(50) 또는 그의 에지 또는 외부 벽에 부착되는 힘 전달 요소(force transmission element)(또는 로드)(51)를 포함하는 액추에이터(53)를 포함한다.
도 1에서, 반응 챔버(50)는 기판 처리 동안 중간 체적(70)으로부터 반응 챔버(50)의 내부를 밀봉하기 위해 상부(upper) 대응파트(counterpart)(또는 대응면(countersurface))(20)(예를 들어, 리드 시스템 또는 측벽 파트)와 접촉한다. 적어도 하나의 기판은 예를 들어 진공 조건 하에서 ALD 또는 ALE에 의해 처리될 기판 테이블(48)(기판은 도시되지 않음)에 또는 위에 위치될 수 있다.
도 2는 액추에이터(53)에 의해 그리고 파트(35)로 인한 배기 라인(30)의 수축/제한 이동에 의해 허용/가능하게 되어, 반응 챔버(50)가 기판 처리를 위한 제1 위치에서 기판 로딩을 위한 제2 위치로 이동될 수 있고 것을 도시한다. 반응 챔버(50)가 제2 위치에 있을 때, 대응파트(20)와 이동 가능한 반응 챔버(50) 사이에 로딩 갭이 형성되어 하나 이상의 기판이 기판 테이블(48) 상에(처리 전) 그리고 기판 테이블(48)에서 멀어지게(처리 완료시) 로딩 및 언로딩되도록 한다. 반응 챔버(50)의 기판 처리 구성은 반응 챔버(50)의 이동 파트를 제2 위치에서 제1 위치(도 1에 도시된 바와 같이)로 다시 상승시킴으로써 재개될 수 있다. 특정한 구현예에서, 세로로 연장된 파트(35)의 영역에서 배선(43)은 이동하는 반응 챔버(50)의 수직 이동을 용이하게 하기 위해 나선형으로 설정된다.
피드스루 파트(44)는 진공 압력 영역에서 주위 압력 영역으로 배선(43)을 위한 밀봉된 피드스루를 제공한다. 특정한 구현예에서, 피드스루 파트(44)는 진공 플랜지, 예를 들어 KF16 진공 플랜지에 의해 구현된다. 배선(예, 피복된 와이어 또는 케이블, 유리하게는 금속 피복, 및/또는 튜브형 도관)(43)은 예를 들어 납땜에 의해 피드스루 파트(44)에 부착된다.
특정한 구현예에서, 외부 챔버(80)의 벽 구조부(또는 바텀 구조부)에 부착된 복수의 피드스루 파트(44), 예를 들어 적어도 3개의 피드스루 파트(44)가 있다. 특정한 구현예에서, 각각의 피드스루 파트(44), 예를 들어 이들 중 3개는 복수의 와이어 또는 튜브형 도관을 위한 피드스루를 제공한다. 특정한 구현예에서, 바텀 구조부는 페데스탈 레그당 하나의 피드스루 파트(44)를 갖는다.
특정한 구현예에서, 피드스루 파트(또는 적어도 하나의 피드스루 파트)(44)는 진공의 외부로부터(예, 벽 구조부의 주위 압력 사이드로부터) 또는 일부 구현예에서, 진공 압력 사이드로부터 개방될 수 있는 패스너에 의해 벽 구조부(또는 바텀 구조부)에 분리 가능하게 부착된다. 이러한 특정한 구현예에서, 적어도 하나의 피드스루 파트(44)는 아래에서 또는 위에서 개방될 수 있는 적어도 하나의 패스너에 의해 플랜지(88)에 분리 가능하게 부착된다. 특정한 구현예에서, 적어도 하나의 피드스루 파트(44)의 치수는 너무 작아서 채널(45)을 통해 끼워진다. 이러한 방식으로 기판 테이블(48)은 기판 지지부(40)의 나머지 부분으로부터(바텀 커버 또는 페데스탈(49)로부터) 분해될 수 있고, 위로 들어 올려지고(채널(45)을 통해 통과하고 배선(43)에 매달린(또는 서스펜드된) 적어도 하나의 피드스루 파트(44)), 서비스를 위해 장치(100)로부터 멀리 이송된다(예를 들어, 기판 로딩 갭을 통해). 외부 챔버(80)의 외부(진공의 외부)에서, 특정한 구현예에서 배선(43)은 분해를 더욱 용이하게 하는 전기 플러그 및/또는 가스/유체 도관용 (빠른) 커넥터(74)를 포함한다.
또한, 특정한 구현예에서, 바텀 플랜지(88)의 수평 치수는 튜브형 체적 또는 파트(55)의 수평 치수보다 작다. 따라서 특정한 구현예에서 진공의 외부(외부 챔버(80)의 아래로부터) 또는 위에서 개방 가능한 패스너에 의해 고정된 바텀 플랜지(88)는 패스너를 개방함으로써 해제될 수 있으며, 반응 챔버(보울)(50), 기판 테이블(48)을 포함하고 반응 챔버(보울)(50)에 부착된 기판 지지부(40), 바텀 플랜지(88), 피드스루 파트(들)(44) 및 관련 배선(43)뿐만 아니라 배기 라인 까지의 그리고 선택적으로 파트(35)를 포함하는 전체 패키지가 위쪽으로 들어올려질 수 있다. 이러한 방식으로 전체 패키지는 서비스를 위해 탑(top)으로부터 장치(100)에서 제거될 수 있다(분리 레벨은 도 2에서 라인(11)로 도시됨).
도 3은 특정한 구현예에 따른 기판 처리 스테이지에서의 기판 처리 장치(100)의 추가 단면도를 도시한다.
도 4는 특정한 구현예에 따른 장치(100)의 특정한 세부사항을 도시한다. 보다 상세하게, 도 4는 외부 챔버(80)의 벽 구조부에 피드스루 파트(44)를 부착하는 한 가지 방법을 도시한다. 파트(44)는 플랜지(88) 내로 연장되는 (나사산(threaded)) 구멍 내에 위치된 패스너(92)에 의해 고정되는 고정 요소(91)에 의해 연결 플랜지(88)에 대해 프레스된다. 추가 패스너(47)는 선택적으로 플랜지(89)를 통해 플랜지(88)로 연장되며, 패스너(47)는 외부 챔버(80)의 외부로부터 해제될 수 있으므로 반응 챔버(50) 및 기판 지지부(40)를 포함하는 패키지가 유지보수를 위해 장치(100)로부터 해제 가능하게 제거될 수 있다.
특정한 구현예에서, 전술한 바와 같이, 플랜지(89)는 외부 챔버(80)에 부착되지만 플랜지(88)는 파트(44)가 연결되는 기판 보울 웨이퍼 테이블 패키지에 부착된다. 파트(44 및 88)는 (중간 공간(70)의) 내부에서 패스너(또는 볼트)(92)로 연결되는 반면, 파트(88, 및 89)는 (외부 챔버(80)의) 외부에서 패스너(또는 볼트)(47)로 연결된다.
추가의 구현예에서, 패스너(92)는 플랜지(88)를 통해 플랜지(89)로 연장된다. 이러한 특정한 구현예에서, 패스너(47)는 생략될 수 있다.
특정한 구현예에서, 배선(43)은 플랜지(88, 89)의 진공 압력 사이드에 나선형 형태로 되어 있어 진공 챔버(50)의 수직 이동을 용이하게 한다. 이의 예가 세로로 연장된 튜브형 파트(35) 주위에 권취된(또는 나선형으로 된) 배선(43)을 도시하는 도 5에 도시되어 있다. 특정한 구현예에서, 배선은 피팅 파트(64)에 의해 페데스탈(49)에 부착된다.
특정한 구현예에서, 도 6에 도시된 바와 같이, 장치(100)는 기판 지지부(40) 위의 반응 챔버(50) 내에 위치된 플라즈마 형성을 위한 안테나를 포함한다. 특정한 구현예에서, 안테나는 플라즈마 어플리케이터의 복사 송신 안테나(61)이다. 특정한 구현예에서, 안테나(61)와 기판 지지부(40) 모두는 동일한 체적 내에 위치된다 (또는 안테나(61)와 처리될 기판 모두는 동일한 체적 내에 위치하도록 구성된다).
특정한 구현예에서, 장치(100)는 안테나(61) 사이의 공간으로 그리고 추가로 반응 챔버(50) 내에서 연장되는 전구체 파이프(62)를 포함하여 안테나(61)로부터 하류 지점에서 비-플라즈마 가스를 방출한다. 특정한 구현예서, 장치(100)는 안테나(61) 위로부터 안테나 사이의 공간을 통해 안테나(61) 아래로 플라즈마 가스 흐름을 제공하는 플라즈마 가스 유입구를 추가로 포함한다. 특정한 구현예에서, 안테나(61)는 커버링 튜브 내에 위치된다. 플라즈마 처리 도중에, 플라즈마 가스가 안테나(61)를 통과할 때 플라즈마가 점화된다. 형성된 플라즈마 종은 기판 지지부(40) 쪽으로, 즉 기판(들) 쪽으로 아래쪽으로 흐른다.
특정한 구현예에서, 안테나(61)를 포함하는 플라즈마 어플리케이터는 대응면(20)의 상부 대응파트(upper counterpart)(대응파트는 특정한 구현예에서 두 챔버(50 및 80) 모두에 대해 공통인 리드(lid) 또는 리드 시스템일 수 있음)에 부착된다. 특정한 구현예에서, 리드 또는 리드 시스템은 이동 가능하다. 도 6의 점선(12)은 특정한 구현예에서 이동가능한 리드 또는 리드 시스템이 열릴 수 있는 레벨을 도시한다.
특정한 구현예에서, 플라즈마 종의 소스는 달라질 수 있으며, 비교적 넓은 영역에 걸쳐 플라즈마의 소스를 제공하는 플라즈마 어플리케이터가 바람직하다. 플라즈마 어플리케이터는 예를 들어, 플라즈마 어레이(도 6에 도시된 것과 같은), 중공 캐소드 또는 마이크로파 플라즈마를 포함할 수 있다.
특정한 구현예에서, 장치(100)는 반응 챔버(50)의 이동과 무관하게 반응 챔버(50) 내에서 기판 지지부(40)의 수직 위치, 또는 특히 기판 테이블(48)의 수직 위치를 조정하도록 구성된다. 이를 위해, 장치(100)는 페데스탈(49) 레그의 세로 치수를 변경하도록(즉, 채널(45)을 포함하는 페데스탈(49) 레그를 늘리거나 줄이도록) 구성된 액추에이터를 포함한다. 특정한 구현예에서, 도 7에 도시된 바와 같이, 세로로 연장된 파트(83)는 채널(45)의 일부를 형성한다. 채널(또는 페데스탈 레그)(45)을 형성하는 세로로 (또는 수직으로) 연장된 파트는 예를 들어 벨로우즈(또는 진공 벨로우즈)에 의해 또는 중첩된 서브 파트, 예컨대 서로 내부에서 수직으로 이동할 수 있는 직경이 다른 두 개 이상의 중첩된 튜브형 파트에 의해 구현된다. 특정한 구현예에서, 힘 전달 요소(또는 로드)는 리프터로부터 외부 챔버 피드스루를 통해 연장되고 지판 지지부(40)에 적절한 지점, 예를 들어 페데스탈(49), 페데스탈 레그 또는 파트(83)에서 부착된다. 도 7 및 도 8은 위치가 서로 다른 두 개의 대안적인 리프터(73 및 73')를 도시한다. 리프터(73)의 힘 전달 요소(71)는 플랜지(88 및 89)를 통해 통과하는 반면, 대안적인 리프터(73')의 힘 전달 요소(71')는 외부 챔버(80) 벽의 다른 피드스루를 통해 통과한다. 두 경우에, 세로로 연장된 파트(83)의 수축된 형상 및 연장된 형상은 기판 지지부(40)(또는 지지 테이블(48))의 상이한 수직 위치를 제공하여 기판 표면으로부터 최적 거리에 대해 다른 플라즈마의 다른 요구사항을 충족하도록 실현될 수 있다. 도 7은 파트(83)의 수축된 형상을 나타내고, 도 8은 파트(83)의 연장된 형상 중 하나를 나타낸다.
도 9는 특정한 구현예에 따른 유지보수를 위해 기판 처리 장치(100)를 분해하는 방법의 플로우 챠트를 도시한다.
단계(901)에서, 기판 지지부(40)를 포함하는 반응 챔버 어셈블리는 외부 챔버(80)의 바텀 구조부(89)에서 분리된다. 특정한 구현예에서, 이는 또한 바텀 구조부(89)에서 피드스루 파트(44)를 분리하는 것을 포함한다. 특정한 구현예에서, 분리하는 단계는 외부 챔버(80)의 외부에서 패스너(47)를 해제함으로써 구현된다.
단계(902)에서, 플러그를 포함하는 배선(43)(외부 챔버(80)의 외부로부터 해제됨)은 바텀 구조부(89)을 통해 바텀 구조부(89)의 개구를 통해 바텀 구조부의 반응 챔버 사이드로 이동된다.
단계(903)에서, 유지보수를 위해 서스펜드된 와이어(43) 및 이들의 플러그와 함께 반응 챔버 어셈블리가 위쪽으로 들어 올려지고 장치(100)로부터 멀리 이동/제거된다.
도 10은 특정한 다른 구현예에 따른 유지보수를 위해 기판 처리 장치(100)를 분해하는 다른 방법의 플로우 챠트를 도시한다. 이들 구현예에서, 단지 기판 테이블(48)만 장치에서 분리된다.
단계(1001)에서, 피드스루 파트(44)는 바텀 구조부(89)에서 분리된다. 특정한 구현예에서, 분리하는 단계는 적용 가능한 경우, 외부 챔버(80)의 외부로부터 패스너(47)를 해제함으로써 구현된다. 특정한 구현예에서, 피드스루 파트(44)는 또한 적용 가능한 경우 연결 플랜지(88)로부터 분리된다. 특정한 구현예에서, 이는 적용 가능한 경우, 상응하는 패스너, 예를 들어 패스너(92)를 해제함으로써 달성된다. 특정한 구현예에서, 패스너(92)는 바텀 구조부(89)의 진공 챔버 사이드에서 해제된다.
단계(1002)에서, 플러그를 포함하는 배선(43)(외부 챔버(80)의 외부에서 해제됨)은 바텀 구조부(89)을 통해 바텀 구조부(89)의 개구를 통해 바텀 구조부(89)의 반응 챔버 사이드로로 이동된다.
단계(1003 및 1004)에서, 플러그 및 피드스루 파트(44)를 포함하는 배선(43)은 페데스탈(49) 레그의 채널(45)을 통해 이동되고, 기판 테이블(48)은, 배선(43), 이의 플러그, 및 기판 테이블(48)에 매달린/서스펜드된 피드스루 파트(44)과 함께, 유지보수를 위해 위쪽으로 들어 올려지고 장치(100)로부터 멀리 이동된다. 특정한 구현예에서, 단계(1004)는 리프팅 이동에 의해 페데스탈(49)에서 기판 테이블(48)을 분리하는 단계를 포함한다(특정한 구현예에서 단계(1004) 이전에 해제될 관련 패스너가 있을 수 있다(도시되지 않음)).
특허 청구범위의 범위 및 해석을 제한하지 않고, 본원에 개시된 하나 이상의 예시적인 구현예의 특정한 기술적 효과는 다음과 같이 나열된다. 기술적인 효과는 진공에서 외부로 배선을 안내하는 방법을 제공하는 것이다. 다른 기술적 효과는 배선을 세척할 필요가 감소된다는 것이다. 추가 기술적 효과는 장치로부터, 특히 리드가 탑(top)에 위치한 장치의 리드를 통한 장치로부터의 반응기 파트(예, 반응 챔버 보울-벨로우즈-웨이퍼 테이블을 포함하는 반응 챔버 패키지)의 분해(해체) 가능성으로 인해 서비스 측면이 개선된다. 또 다른 기술적 효과는 반응 챔버와 무관하게, 높이-조정이 가능한 기판 홀더 페데스탈 레그에 의한 플라즈마 안테나와 기판 표면 사이에 조정 가능한 거리를 제공하는 것이다.
상기한 설명은 본 발명의 특정한 구현 및 구현예의 비제한적인 예로서 본 발명을 실시하기 위해 본 발명자에 의해 현재 고려되는 최상의 모드의 완전하고 유익한 설명을 제공한다. 그러나, 본 발명이 상기 제시된 구현예의 세부사항에 제한되지 않고, 그러나, 본 발명의 특징을 벗어나지 않는 등가 수단을 사용하여 다른 구현예에서 구현될 수 있다는 것은 당업자에게 명백하다.
또한, 본 발명의 상기한 구현예의 특징 중 일부는 다른 특징의 상응하는 사용 없이 유리하게 사용될 수 있다. 따라서, 상기한 설명은 단지 본 발명의 원리를 예시하는 것으로 간주되어야 하며, 이에 제한되는 것은 아니다. 따라서, 본 발명의 범위는 첨부된 특허 청구범위에 의해서만 제한된다.

Claims (15)

  1. 기판 처리 장치(100)로서,
    반응 챔버(50);
    반응 챔버(50)를 적어도 부분적으로 둘러싸고 그 사이에 중간 체적(70)을 형성하는 외부 챔버(80); 및
    중공 내부 체적(42)을 포함하는, 반응 챔버(50) 내의 기판 지지부(40)를 포함하며,
    중공 내부 체적(42) 및 중간 체적(70)은 중공 내부 체적(42)에서 중간 체적(70)으로 연장되는 채널(45)을 통해 유체 연통되는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    채널(45)은 배선(43)을 수용하며, 이 배선은 채널(45) 내에서 기판 지지부(40)에서 중간 체적(70)으로 연장되는 기판 처리 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    배선(43)은 외부 챔버(80)의 바텀에 있는 적어도 하나의 피드스루를 통해 외부 챔버(80)를 빠져나가는 기판 처리 장치.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    적어도 반응 챔버(50)의 하부 파트 및 기판 지지부(40)를 포함하는 어셈블리에 부착된 연결 플랜지(88)에 적어도 하나의 피드스루 파트(44)가 분리 가능하게 부착되는 기판 처리 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    연결 플랜지(88)는 외부 챔버(80)의 바텀 플랜지(89)에 분리 가능하게 부착되는 기판 처리 장치.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    반응 챔버(50)를 하강 및 상승시키도록 구성된 액추에이터, 그리고 반응 챔버 배기 라인(30)에 수직 이동을 허용하는 세로로 연장된 튜브형 파트(35)를 포함하는 기판 처리 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    세로로 연장된 튜브형 파트(35)의 둘레에 권취된 배선(43)을 포함하는 기판 처리 장치.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
    장치는 채널(45)의 길이를 연장함으로써 기판 지지부(40)의 수직 위치를 조정하도록 구성되는, 기판 처리 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    채널(45)의 일부를 형성하는 세로로 연장된 파트(83)의 세로 치수를 변경함으로써 기판 지지부(40)에 의해 포함된 기판 테이블(48)의 레벨을 하강 및 상승시키도록 구성된 액추에이터(73, 73')를 포함하는 기판 처리 장치.
  10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
    기판 지지부(40) 위의 반응 챔버(50) 내에 위치된 플라즈마를 형성하기 위한 안테나(61)를 포함하는 기판 처리 장치.
  11. 제10항에 있어서,
    안테나(61) 사이의 공간으로 그리고 나아가 반응 챔버(50) 내부로 연장되어 안테나(61)의 하류 지점에서 비-플라즈마 가스를 방출하는 전구체 파이프(62)를 포함하는 기판 처리 장치.
  12. 기판 처리 장치(100)로서,
    반응 챔버(50);
    반응 챔버(50)를 적어도 부분적으로 둘러싸고 그 사이에 중간 체적(70)을 형성하는 외부 챔버(80); 및
    반응 챔버(50) 내부의 기판 지지부(40)를 포함하며, 기판 지지부(40)는 반응 챔버(50)의 벽에 고정되고, 기판 지지부(40)는 반응 챔버(50)와 함께, 반응 챔버(50)의 바텀에 연결된 배기 라인(30)을 수축 및 연장하여 수직으로 이동될 수 있는 기판 처리 장치.
  13. 반응 챔버(50), 반응 챔버(50)를 적어도 부분적으로 둘러싸고 그 사이에 중간 체적(70)을 형성하는 외부 챔버(80), 및 반응 챔버(50) 내의 기판 지지부(40)를 포함하는 기판 처리 장치의 분해 방법으로서,
    분해 방법은:
    외부 챔버(80)의 바텀 구조부(89)에서 기판 지지부(40) 및 반응 챔버(50)의 하부 파트를 포함하는 반응 챔버 어셈블리를 분리하는 단계;
    기판 지지부(40)에서 서스펜드된 배선 및 이의 플러그를 바텀 구조부(89)에 배열된 각각의 개구(들)를 통해 외부 챔버(80)의 외부로부터 중간 체적(70)으로 이동시키는 단계; 및
    서스펜드된 배선 및 이의 플러그를 포함하는 반응 챔버 어셈블리를 유지보수를 위해 장치에서 들어 올려서 제거하는 단계를 포함하는 분해 방법.
  14. 제13항에 있어서,
    반응 챔버 어셈블리를 분리하는 단계는 외부 챔버의 바텀 구조부(89)에서 반응 챔버 어셈블리의 연결 플랜지(88)를 분리하는 단계를 포함하는 방법.
  15. 제14항에 있어서,
    연결 플랜지(88)를 분리하는 단계는 바텀 구조부(89)에서 바텀 구조부(89)에 배열된 개구를 밀봉하는 밀봉 피드스루 파트(44)를 분리하는 단계를 포함하는 방법.
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