CN115261823B - 工艺腔室的进气装置、半导体工艺设备及半导体加工工艺 - Google Patents

Abstract

本申请公开一种半导体工艺腔室的进气装置、半导体工艺设备及半导体加工工艺，属于半导体技术领域。进气装置包括用于通入工艺气体的第一进气管、用于通入保护气体的第二进气管、混气组件和导流件，混气组件设有第一混气腔和第二混气腔，第一混气腔的腔壁设有第一进气孔和第一射流孔，第一进气管通过第一进气孔与第一混气腔连通，第二混气腔的腔壁设有第二进气孔和第二射流孔，第二进气管通过第二进气孔与第二混气腔连通；导流件设于混气组件背向第一进气管和第二进气管的一侧，导流件内设有第一导流腔和第二导流腔，第一导流腔和第二导流腔均沿导流件的延伸方向延伸，且二者相邻设置，第一导流腔与第一射流孔连通，第二导流腔与第二射流孔连通。

Description

工艺腔室的进气装置、半导体工艺设备及半导体加工工艺

技术领域

本申请属于半导体技术领域，具体涉及一种半导体工艺腔室的进气装置、半导体工艺设备及半导体加工工艺。

背景技术

在半导体工艺腔室中，通常利用化学气相沉积方法沉积晶圆，即在高温环境下，利用工艺气体对晶圆的表面进行沉积。具体来讲，半导体工艺腔室包括反应腔室，反应腔室的内部在竖直方向上间隔设置第一加热件和第二加热件，晶圆设置在上被加热件和下被加热件之间，而且，反应腔室上设有加热线圈，在加热线圈的作用下，上被加热件和下被加热件被加热，从而为晶圆提供温度较高的工艺环境；同时，利用进气装置向上被加热件和下被加热之间通入工艺气体，工艺气体在晶圆的表面进行沉积。

但是，在高温环境下，上被加热件朝向晶圆的表面会生成副产物，副产物过多会脱落至晶圆的表面，在晶圆的表面形成颗粒等缺陷，导致晶圆的良率下降。

发明内容

本申请实施例的目的是提供一种半导体工艺腔室的进气装置、半导体工艺设备及半导体加工工艺，能够解决相关技术中半导体工艺腔室内产生副产物进而导致晶圆的良率下降的问题。

第一方面，本申请实施例提供一种半导体工艺腔室的进气装置，包括：

进气组件，所述进气组件包括用于通入工艺气体的第一进气管和用于通入保护气体的第二进气管；

混气组件，所述混气组件设有第一混气腔和第二混气腔，所述第一混气腔的腔壁设有第一进气孔和第一射流孔，所述第一进气管通过所述第一进气孔与所述第一混气腔连通，所述第二混气腔的腔壁设有第二进气孔和第二射流孔，所述第二进气管通过所述第二进气孔与所述第二混气腔连通；

导流件，所述导流件设置于所述混气组件背向所述进气组件的一侧，所述导流件的内部设有第一导流腔和第二导流腔，所述第一导流腔和所述第二导流腔均沿所述导流件的延伸方向延伸，且二者相邻设置，所述第一导流腔与所述第一射流孔连通，所述第二导流腔与所述第二射流孔连通。

第二方面，本申请实施例还提供一种半导体工艺设备，包括工艺腔室以及上述的半导体工艺腔室的进气装置，其中：

所述工艺腔室的内部在竖直方向上设有第一加热件和第二加热件，所述第一加热件和所述第二加热件之间形成工艺空间，所述第二加热件上设置有用于承载晶圆的承载装置，

所述导流件与所述工艺腔室相连，且所述导流件的出口端与所述工艺空间连通，在竖直方向上，所述第二导流腔靠近所述第一加热件设置，所述第一导流腔靠近所述第二加热件设置。

第三方面，本申请实施例还提供一种半导体加工工艺，采用上述的半导体工艺设备，所述半导体加工工艺包括：

通过第一进气管向工艺腔室内通入工艺气体，通过第二进气管向工艺腔室内通入保护气体；

其中，所述保护气体的流速大于所述工艺气体的流速。

在本申请实施例中，进气装置设置第一进气管、第一混气腔和第一导流腔，使得工艺气体能够通入半导体工艺腔室内，工艺气体对晶圆进行加工；同时，进气装置设置第二进气管、第二混气腔和第二导流腔，使得保护气体能够通入半导体工艺腔室内，由于第一导流腔和第二导流腔相邻设置，那么，导流件流出的保护气体邻近工艺气体，保护气体能够在工艺气体的附近形成保护层，在一定程度上避免工艺气体扩散而与半导体工艺腔室内的加热件接触，避免加热件的表面形成副产物，进而避免副产物脱落至晶圆上而影响晶圆的良率。同时，延长加热件的使用寿命，无需频繁维护工艺腔室内的部件，减小工艺成本。

附图说明

图1是本申请实施例公开的半导体工艺腔室的结构示意图；

图2是本申请实施例公开的进气组件与混气组件的示意图；

图3是本申请实施例公开的进气装置的分解示意图；

图4是本申请实施例公开的混气件和射流板的示意图；

图5是本申请实施例公开的导流件的示意图。

附图标记说明：

100-进气组件、110-第一进气管、120-第二进气管、

200-混气组件、210-混气件、211-第一凹槽、a-第一端、b-第二端、212-第二凹槽、c-第三端、d-第四端、213-第一进气孔、214-第二进气孔、220-射流板、221-第一射流孔、222-第二射流孔、

300-导流件、310-第一导流腔、320-第二导流腔、330-第一隔板、340-第二隔板、

400-工艺腔室、

500-第一加热件、

600-第二加热件、

700-工艺空间、710-工艺气体区域、720-保护气体区域。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

本申请的说明书和权利要求书中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便本申请的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施，且“第一”、“第二”等所区分的对象通常为一类，并不限定对象的个数，例如第一对象可以是一个，也可以是多个。此外，说明书以及权利要求中“和/或”表示所连接对象的至少其中之一，字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。

下面结合附图，通过具体的实施例及其应用场景对本申请实施例提供的半导体工艺腔室的进气装置、半导体工艺设备及半导体加工工艺进行详细地说明。

请参考图1-图5，本申请实施例公开的半导体工艺腔室的进气装置包括进气组件100、混气组件200和导流件300，其中，进气组件100、混气组件200和导流件300依次连通，进气组件100用于通入工艺气体和保护气体，工艺气体和保护气体分别在混气组件200内进行扩散，导流件300将工艺气体和保护气体通入工艺腔室400内的第一加热件500和第二加热件600之间的工艺空间700内。

进气组件100包括用于通入工艺气体的第一进气管110和用于通入保护气体的第二进气管120。可选地，第一进气管110和第二进气管120可以为波纹管。

混气组件200设有第一混气腔和第二混气腔，第一混气腔的腔壁设有第一进气孔213和第一射流孔221，第一混气腔分别与第一进气孔213和第一射流孔221连通，第一进气管110与混气组件200相连，且第一进气管110通过第一进气孔213与第一混气腔连通；第二混气腔的腔壁设有第二进气孔214和第二射流孔222，第二混气腔分别与第二进气孔214和第二射流孔222连通，第二进气管120与混气组件200相连，且第二进气管120通过第二进气孔214与第二混气腔连通。可选地，第一混气腔和第二混气腔可以设置于同一部件，也可以设置于不同的部件。如此，由第一进气管110通入的工艺气体流入第一混气腔内，工艺气体在第一混气腔内扩散后经第一射流孔221射出；由第二进气管120通入的保护气体流入第二混气腔内，保护气体在第二混气腔内扩散后经第二射流孔222射出。

导流件300设置于混气组件200背向进气组件100的一侧，即混气组件200位于导流件300和进气组件100之间。导流件300的内部设有第一导流腔310和第二导流腔320，第一导流腔310和第二导流腔320均沿导流件300的延伸方向延伸，且二者相邻设置，导流件300可以与混气组件200相连，且第一导流腔310与第一射流孔221连通，第二导流腔320与第二射流孔222连通。可选地，如图5所示，导流件300内设有第一隔板330，第一隔板330可以为水平隔板，第一隔板330将导流件300的内部空间分隔为第一导流腔310和第二导流腔320。如此，在第一混气腔内扩散后的工艺气体通过第一导流腔310流入工艺腔室400内，在第二混气腔内扩散后的保护气体通过第二导流腔320流入工艺腔室400内，避免工艺气体和保护气体在导流件300中相互接触。可选地，导流件300可以为石英管，导流件300的长度可以为300mm，较长的第一导流腔310有助于工艺气体充分扩散，同时，较长的第二导流腔320有助于保护气体充分扩散。

工艺腔室400内在竖直方向上依次设置第一加热件500和第二加热件600，第一加热件500位于第二加热件600的上方，第二加热件600上设置有用于承载晶圆的承载装置。

在本申请的实施例中，进气装置设置第一进气管110、第一混气腔和第一导流腔310，使得工艺气体能够通入半导体工艺腔室内，工艺气体对晶圆进行加工；同时，进气装置设置第二进气管120、第二混气腔和第二导流腔320，使得保护气体能够通入半导体工艺腔室内，由于第一导流腔310和第二导流腔320相邻设置，那么，导流件300流出的保护气体邻近工艺气体，保护气体能够在工艺气体的附近形成保护层，在一定程度上避免工艺气体扩散而与工艺腔室400内的第一加热件500接触，避免第一加热件500的表面形成副产物，进而避免副产物脱落至晶圆上而影响晶圆的良率。同时，延长第一加热件500和第二加热件600的使用寿命，无需频繁维护工艺腔室400内的部件，减小工艺成本。

在可选的实施例中，混气组件200可以包括相连的第一混气件和第二混气件，第一混气件和第二混气件均设有凹槽，第一混气件的凹槽和第二混气件的凹槽对应连通，以形成第一混气腔或第二混气腔。

在另一实施例中，混气组件200包括相连的混气件210和射流板220，混气件210间隔设置有第一凹槽211以及第二凹槽212，第一凹槽211与射流板220共同形成第一混气腔，第二凹槽212与射流板220共同形成第二混气腔，第一进气孔213开设于第一凹槽211的槽壁，第二进气孔214开设于第二凹槽212的槽壁，第一射流孔221和第二射流孔222均开设于射流板220。具体地，第一进气孔213设置于第一凹槽211的槽底壁，第二进气孔214设置于第二凹槽212的槽底壁，射流板220设置于第一凹槽211和第二凹槽212的槽口处。可选地，混气件210与射流板220可以通过螺钉连接等可拆卸的方式相连，以根据需要对混气件210、射流板220和导流件300进行安装和拆卸；或者，混气件210设有容纳槽，射流板220安装于该容纳槽内，混气件210与导流件300通过螺钉连接等可拆卸的方式相连，以根据需要对混气件210、射流板220和导流件300进行安装和拆卸。采用本实施例，射流板220直接封闭第一凹槽211和第二凹槽212即可，射流板220与混气件210的对接要求较低。

可选地，第一导流腔310和第二导流腔320沿进气装置的高度方向相邻设置，且第一凹槽211和第二凹槽212也在进气装置的高度方向上间隔设置，第一凹槽211与第一导流腔310相对，第二凹槽212与第二导流腔320相对。如此，第一进气管110通入的工艺气体在第一凹槽211内充分扩散后，经第一射流孔221射出至第一导流腔310，工艺气体的流动速度提高，进而使工艺气体能够流至工艺腔室400内的第一加热件500和第二加热件600之间的工艺空间700；同样地，第二进气管120通入的保护气体在第二凹槽212内充分扩散后，经第二射流孔222射出至第二导流腔320，保护气体的流动速度提高，进而使保护气体能够流至第一加热件500和第二加热件600之间的工艺空间700。

在可选的实施例中，如图3所示，第一凹槽211、第一进气管110和第一导流腔310均可以设置一个，或者，第一凹槽211、第一进气管110和第一导流腔310均在进气装置的宽度方向上间隔设置为多个，第一进气管110、第一凹槽211以及第一导流腔310分别沿进气装置的长度方向一一对应设置。后一实施例中，可以同时通过至少两个第二进气管120通入工艺气体，提升工艺气体的进气效率和均匀性；而且，各路工艺气体分别可以在对应的第一凹槽211内充分扩散，提升工艺气体的混气效率，进而有利于提升晶圆的工艺效果。在本实施例中，第一凹槽211、第一进气管110和第一导流腔310均设置三个。

在可选的实施例中，第二凹槽212可以为圆形槽，或者，第二凹槽212的开口长度沿进气装置的宽度方向延伸，即第二凹槽212为条形槽。后一实施例中，保护气体在进气装置的宽度方向上进一步扩散，故保护气体在进气装置的宽度方向上的分布范围增大，那么，保护气体由导流件300流出后，所形成的保护层的面积增大，有效隔开工艺气体和第一加热件500，进一步避免工艺气体在第一加热件500的表面形成副产物，有利于提升晶圆的良率。

在可选的实施例中，第一凹槽211可以为圆形槽，或者，第一凹槽211的开口长度沿进气装置的宽度方向延伸，即第一凹槽211与第二凹槽212的延伸方向相同。后一实施例中，工艺气体由第一进气孔213进入第一凹槽211后，在射流板220的阻挡作用下，工艺气体沿进气装置的宽度方向向第一进气孔213的两侧扩散，实现充分扩散，提升工艺气体的均匀性，有利于提升工艺气体对晶圆的加工效果。

一种可选的实施例中，各第一凹槽211形成凹槽组，凹槽组在进气装置的宽度方向上具有第一端a和第二端b，第二凹槽212在进气装置的宽度方向上具有第三端c和第四端d，第一端a与第二端b之间的距离大于或等于第三端c与第四端d之间的距离，且第三端c可以与第一端a错位设置，第四端d可以与第二端b错位设置。如此，保护气体所形成的保护层的面积有限，工艺气体在工艺腔室400内形成的部分工艺气体区域710和第一加热件500未被分隔开，导致工艺气体仍旧在第一加热件500的表面形成副产物，影响晶圆的良率。

在另一实施例中，第三端c与第一端a相平齐，第四端d与第二端b相平齐，也就是说，第一端a与第二端b之间的距离等于第三端c与第四端d之间的距离；或者，第三端c相对于第一端a伸出，第四端d相对于第二端b伸出，即第三端c与第一端a错位设置，第四端d与第二端b错位设置，且第一端a与第二端b之间的距离小于第三端c与第四端d之间的距离。如此，保护气体所形成的保护层的面积进一步增大，使得保护气体能够将工艺气体在工艺腔室400内形成的工艺气体区域710和第一加热件500彻底分隔开，进一步避免工艺气体与第一加热件500接触，避免工艺气体在第一加热件500的表面形成副产物，有利于提升晶圆的良率。

一种可选的实施例中，第一射流孔221和第二射流孔222在进气装置的高度方向上间隔设置，且射流板220在进气装置的宽度方向上间隔设置多个第一射流孔221，第一凹槽211与第一射流孔221一一对应连通；射流板220在进气装置的宽度方向上间隔设置多个第二射流孔222，第二凹槽212与第二射流孔222一一对应连通。相比于第一射流孔221和第二射流孔222仅设置一个的方案，在进气装置的宽度方向上分别间隔设置多个第一射流孔221和多个第二射流孔222时，在第一凹槽211内充分扩散后的工艺气体能够及时通过多个第一射流孔221射出至第一导流腔310内，使工艺气体在射出之后保持均匀性，有利于提升工艺效果；在第二凹槽212内充分扩散后的保护气体也能够及时通过多个第二射流孔222射出至第二导流腔320内，使保护气体在射出之后也保持均匀性，有利于提升保护层的隔离效果。

在另一实施例中，每个第一凹槽211与多个第一射流孔221连通，每个第二凹槽212与多个第二射流孔222连通。采用本实施例，在进气装置的宽度方向上，第一凹槽211和第二凹槽212的扩散空间均较大，第一凹槽211和第二凹槽212分别供工艺气体和保护气体充分扩散，进而保证工艺气体和保护气体的流量；而且，相比于第一凹槽211与第一射流孔221一一对应，且第二凹槽212与第二射流孔222一一对应的方案，第一凹槽211和第二凹槽212的数量减少，混气件210所需开设槽的数量减少，制造成本降低。可选地，如图3和图4所示，射流板220设置一排第一射流孔221和一排第二射流孔222，两排射流孔在进气装置的高度方向上间隔设置。

在可选的实施例中，第二进气管120和第二进气孔214均可以设置为一个；或者，第二进气管120和第二进气孔214分别在进气装置的宽度方向上间隔设置为至少两个，第二进气管120与第二进气孔214一一对应连通。在本实施例中，第二凹槽212设置为一个，各第二进气管120分别通过对应的第二进气孔214与第二凹槽212连通。可选地，第二凹槽212的开口长度在进气装置的宽度方向上的尺寸可以为4mm-8mm，第二进气孔214的孔径为1.5mm-3.5mm。

通过至少两个第二进气管120同时通入保护气体，提升保护气体的进气效率；而且，各第二进气管120分别在第二凹槽212的不同的位置处通入保护气体，使至少两股保护气体分别在第二凹槽212内扩散，有利于提升第二凹槽212内保护气体的均匀性。

可选地，第二导流腔320可以设置为一个，或者，第二导流腔320在进气装置的宽度方向上间隔设置为多个，各第二导流腔320均与第二凹槽212连通。在后一实施例中，多个第二导流腔320将保护气体分为多路，保护气体分别在各路第二导流腔320内充分扩散，从而增大保护气体的覆盖面积，改善保护效果。可选地，导流件300内可以设有第二隔板340，第二隔板340与第一隔板330相连，且第二隔板340为竖直隔板，利用第二隔板340将第一导流腔310分隔为多个以及将第二导流腔320分隔为多个。实际应用时，首先安装第二隔板340，再安装第一隔板330。

一种可选的实施例中，第二射流孔222为圆孔，或者，第二射流孔222为条形孔，条形孔的开口长度沿进气装置的宽度方向延伸。在本实施例中，如图4所示，第二射流孔222可以为方形孔，方形孔的开口长度方向为进气装置的宽度方向，方形孔的开口宽度方向即为进气装置的高度方向。如此设置，由于第二射流孔222的开口长度在进气装置的宽度方向上的尺寸大于第二射流孔222的开口长度在进气装置的高度方向上的尺寸，故保护气体在射出过程中会沿进气装置的宽度方向扩散，有利于进一步提升保护气体的均匀性。

在可选的实施例中，在进气装置的长度方向上，即在第二进气管120、第二凹槽212和第二导流腔320的排布方向上，第二射流孔222与第二进气孔214相对设置；或者，在进气装置的长度方向上，第二射流孔222与第二进气孔214错位设置。后一实施例中，射流板220未设置第二射流孔222的位置与第二进气孔214相对，故在射流板220的阻挡作用下，由第二进气孔214进入第二凹槽212的保护气体会沿第二凹槽212的延伸方向充分扩散，避免保护气体未及时扩散就由第二射流孔222射出，有利于提升保护气体的均匀性。

在可选的实施例中，在进气装置的长度方向上，即在第一进气管110、第一凹槽211和第一导流腔310的排布方向上，第一射流孔221与第一进气孔213相对设置；或者，在进气装置的长度方向上，第一射流孔221与第一进气孔213错位设置。后一实施例中，射流板220未设置第一射流孔221的位置与第一进气孔213相对，故在射流板220的阻挡作用下，由第二进气孔214进入第一凹槽211的工艺气体会沿第一凹槽211的延伸方向充分扩散，避免工艺气体未及时扩散就由第一射流孔221射出，有利于提升工艺气体的均匀性。

上文中所提及的进气装置的长度方向为图1中的X方向，进气装置的宽度方向为图2中的Z方向，进气装置的高度方向为图1和图2中的Y方向。

基于本申请公开的半导体工艺腔室的进气装置，本申请实施例还公开一种半导体工艺设备，如图1所示，所公开的半导体工艺设备包括工艺腔室400以及上述实施例中的进气装置，其中，工艺腔室400的内部在竖直方向上设有第一加热件500和第二加热件600，第一加热件500和第二加热件600之间形成工艺空间700，第二加热件600上设置有用于承载晶圆的承载装置，导流件300与工艺腔室400相连，且导流件300的出口端与工艺空间700连通，故保护气体和工艺气体能够流向工艺空间700。而且，在竖直方向上(Y方向)，第二导流腔320靠近第一加热件500设置，第一导流腔靠近第二加热件600设置，故工艺气体由导流件300流出后形成工艺气体区域710，保护气体由导流件300流出后形成保护气体区域720，保护气体区域720位于工艺气体区域710和第一加热件500之间。

如此，保护气体区域720将工艺气体区域710和第一加热件500隔开，避免工艺气体扩散而与第一加热件500接触，避免第一加热件500的表面形成副产物，进而避免副产物脱落至晶圆上而影响晶圆的良率。

本申请实施例还公开一种半导体加工工艺，采用于上述实施例中的半导体工艺设备，所公开的半导体加工工艺包括：

通过第一进气管110向工艺腔室400内通入工艺气体，通过第二进气管120向工艺腔室400内通入保护气体；其中，保护气体的流速大于工艺气体的流速。

可选地，可以在通入工艺气体的同时通入保护气体；或者，先通入保护气体，再通入工艺气体，保证保护气体能够隔开工艺气体和第一加热件500即可。可选地，保护气体可以为氩气。

由于保护气体的质量较大，若保护气体的流速较小，保护气体抵达第一加热件500和第二加热件600之间的空间时，保护气体会在重力作用下移动，从而与工艺气体混合，无法较好的发挥间隔作用。因此，保护气体的流速大于工艺气体的流速，有利于保护气体沿进气装置的长度方向即水平方向形成保护层，避免保护气体沿竖直方向扩散位移，有利于提升保护气体所形成的保护层的间隔效果。

在可选的实施例中，保护气体的流速与工艺气体的流速之间的比值大于等于10。如此，保护气体的流速远高于工艺气体的流速，有利于保护气体准确地沿水平方向流动，进一步避免保护气体沿竖直方向扩散，有利于进一步提升保护气体所形成的保护层的间隔效果。

一种可选的实施例中，第一进气管110的进气流量为300sccm-550sccm，工艺气体的流速为0.03-0.06m/s；第二进气管120的进气流量为2500sccm-3500sccm，保护气体的流速为0.4m/s-0.6m/s。实际应用时，通过设置合适的第一凹槽211的体积和第一射流孔221的面积，使工艺气体的流速满足以上范围，同样地，通过设置合适的第二凹槽212的体积和第二射流孔222的面积，使保护气体的流速满足以上范围。当然，工艺气体的流速和保护气体的流速也可以位于其它范围内，保证保护气体的流速与工艺气体的流速之间的比值大于等于10即可。

上面结合附图对本申请的实施例进行了描述，但是本申请并不局限于上述的具体实施方式，上述的具体实施方式仅仅是示意性的，而不是限制性的，本领域的普通技术人员在本申请的启示下，在不脱离本申请宗旨和权利要求所保护的范围情况下，还可做出很多形式，均属于本申请的保护之内。

Claims (11)

1.一种半导体工艺腔室的进气装置，其特征在于，包括：

进气组件（100），所述进气组件（100）包括用于通入工艺气体的第一进气管（110）和用于通入保护气体的第二进气管（120）；

混气组件（200），所述混气组件（200）设有第一混气腔和第二混气腔，所述第一混气腔的腔壁设有第一进气孔（213）和第一射流孔（221），所述第一进气管（110）通过所述第一进气孔（213）与所述第一混气腔连通，所述第二混气腔的腔壁设有第二进气孔（214）和第二射流孔（222），所述第二进气管（120）通过所述第二进气孔（214）与所述第二混气腔连通；

导流件（300），所述导流件（300）设置于所述混气组件（200）背向所述进气组件（100）的一侧，所述导流件（300）的内部设有第一导流腔（310）和第二导流腔（320），所述第一导流腔（310）和所述第二导流腔（320）均沿所述导流件（300）的延伸方向延伸，且二者相邻设置，所述第一导流腔（310）与所述第一射流孔（221）连通，所述第二导流腔（320）与所述第二射流孔（222）连通；

所述第一导流腔（310）和所述第二导流腔（320）沿所述进气装置的高度方向相邻设置，所述混气组件（200）包括相连的混气件（210）和射流板（220），所述混气件（210）在所述进气装置的高度方向上间隔设置有第一凹槽（211）以及第二凹槽（212），所述第一凹槽（211）、所述第一进气管（110）和所述第一导流腔（310）均在所述进气装置的宽度方向上间隔设置为多个，且所述第一进气管（110）、所述第一凹槽（211）以及所述第一导流腔（310）分别沿所述进气装置的长度方向一一对应设置。

2.根据权利要求1所述的半导体工艺腔室的进气装置，其特征在于，所述第一凹槽（211）与所述射流板（220）共同形成所述第一混气腔，所述第二凹槽（212）与所述射流板（220）共同形成所述第二混气腔，所述第一进气孔（213）开设于所述第一凹槽（211）的槽壁，所述第二进气孔（214）开设于所述第二凹槽（212）的槽壁，所述第一射流孔（221）和所述第二射流孔（222）均开设于所述射流板（220）。

3.根据权利要求1所述的半导体工艺腔室的进气装置，其特征在于，各所述第一凹槽（211）和所述第二凹槽（212）的开口长度均沿所述进气装置的宽度方向延伸，各所述第一凹槽（211）形成凹槽组，所述凹槽组在所述进气装置的宽度方向上具有第一端（a）和第二端（b），所述第二凹槽（212）在所述进气装置的宽度方向上具有第三端（c）和第四端（d），所述第三端（c）与所述第一端（a）相平齐，所述第四端（d）与所述第二端（b）相平齐；

或者，所述第三端（c）相对于所述第一端（a）伸出，所述第四端（d）相对于所述第二端（b）伸出。

4.根据权利要求1所述的半导体工艺腔室的进气装置，其特征在于，所述第二导流腔（320）在所述进气装置的宽度方向上间隔设置为多个，各所述第二导流腔（320）均与所述第二凹槽（212）连通。

5.根据权利要求1所述的半导体工艺腔室的进气装置，其特征在于，所述第一射流孔（221）和所述第二射流孔（222）在所述进气装置的高度方向上间隔设置，且所述射流板（220）在所述进气装置的宽度方向上间隔设置多个所述第一射流孔（221），每个所述第一凹槽（211）与多个所述第一射流孔（221）对应连通；

所述射流板（220）在所述进气装置的宽度方向上间隔设置多个所述第二射流孔（222），每个所述第二凹槽（212）与多个所述第二射流孔（222）连通。

6.根据权利要求1所述的半导体工艺腔室的进气装置，其特征在于，所述第二进气管（120）和所述第二进气孔（214）分别在所述进气装置的宽度方向上间隔设置为至少两个，所述第二进气管（120）与所述第二进气孔（214）一一对应连通。

7.根据权利要求1所述的半导体工艺腔室的进气装置，其特征在于，在所述进气装置的长度方向上，所述第二射流孔（222）与所述第二进气孔（214）错位设置。

8.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括工艺腔室（400）以及权利要求1-7任一项所述的进气装置，其中：

所述工艺腔室（400）的内部在竖直方向上相对设有第一加热件（500）和第二加热件（600），所述第一加热件（500）和所述第二加热件（600）之间形成工艺空间（700），所述第二加热件（600）上设置有用于承载晶圆的承载装置，

所述导流件（300）与所述工艺腔室（400）相连，且所述导流件（300）的出口端与所述工艺空间（700）连通，在竖直方向上，所述第二导流腔（320）靠近所述第一加热件（500）设置，所述第一导流腔（310）靠近所述第二加热件（600）设置。

9.一种半导体加工工艺，采用如权利要求8所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述半导体加工工艺包括：

通过第一进气管（110）向工艺腔室（400）内通入工艺气体，通过第二进气管（120）向工艺腔室（400）内通入保护气体；

其中，所述保护气体的流速大于所述工艺气体的流速。

10.根据权利要求9所述的半导体加工工艺，其特征在于，所述保护气体的流速与所述工艺气体的流速之间的比值大于等于10。

11.根据权利要求9所述的半导体加工工艺，其特征在于，所述第一进气管（110）的进气流量为300sccm-550sccm，所述工艺气体的流速为0.03-0.06m/s；所述第二进气管（120）的进气流量为2500sccm-3500sccm，所述保护气体的流速为0.4m/s-0.6m/s。