CN1069775C - 磁记录介质 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及磁记录介质，其中在由芳香族聚酰胺制成的基底薄膜的至少一面上设置磁性层，其特征在于该基底薄膜至少一个方向上的拉伸杨氏模量为700kg/mm2以上，二氯甲烷提取物含量在0.5%以下，该基底薄膜纵长方向上每1mm2施加1kg负荷时，在100℃下、10分钟内尺寸变化率在2%以下，提供了一种在恶劣的环境下运行性、耐用性优异的磁记录介质。

Description

磁记录介质
本发明涉及磁记录介质，特别是涉及耐用性、运行性能优异的磁记录介质。
对芳香族聚酰胺薄膜的优异的耐热性、机械特性的有效利用以及各种用途业已做了研究。特别是对位定向系列的芳香族聚酰胺，由于其刚性、强度等机械特性比其它聚合物要好，所以非常有利于薄膜的减薄化，被用于打印带、磁带、电容器等。尤其是适合用作小型录象机磁带、计算机外部存储器用磁带的基础薄膜，特别引人注目。这些用途中，例如录象机磁带、由于户外使用的情形增多，所以要求即使温度变化较大，磁带也具有稳定使用的优异耐用性。此外，作为计算机外部存储器所用磁带，在高温下以及反复走带的严历条件下使用的情形增多，而且从极为重视可靠性来看，也要求磁带具有优异的运行性能和耐用性。
过去，作为使用芳香族聚酰胺薄膜的磁记录介质，如特开昭58-168655公报所公开的，出于提高尺寸对外力、温度、湿度的稳定性的目的，在50摩尔％以上为对位结合的，至少一个方向上的张力杨氏模量为500kg/mm2以上的芳香族聚酰胺薄膜上设置强磁性层。此外，特开昭62-112218公报中所公开的磁带，是出于减少信号跳动、减少磁带折断、折皱的目的，在厚度为3-8μm，纵长方向拉伸杨氏模量为1300kg/mm2以上、全方向的端到阻抗为1kgf以上、600nm光线透射率为60％以上的芳香族聚酰胺薄膜上形成磁性层。在USP4645702中公开的磁记录介质，是出于提高磁性层形成后的平整性的目的，在密度为1,400-1.490g/cm3、热膨胀系数与热收缩率的乘积为1.0×10-4-1.0×10-7(mm/mm/℃)*(％)的芳香族聚酰胺薄膜上形成磁性层。此外，在特公昭55-9425公报中，公开了一种芳香族聚酰胺薄膜的制造方法，出于改进芳香族聚酰胺薄膜的卷曲，提高耐热性的目的，在芳香族聚酰胺中引入取代基，而且，为了使固有粘度在0.55以上，离子性无机化合物的重量比应在1000ppm以下。这里，所说离子性无机化合物，是指聚合时用作助溶剂的锂盐、从钙盐等衍生的化合物、作为溶剂使用的硫酸等。但是，近年来，越来越要求磁记录介质具有高容量化、小型、薄膜化、以及在高温等严历条件下使用，从而日益要求磁记录介质在运行性能和耐用性上比上述公开的技术更为优异，今后可以说要求更为严格。
本发明人根据运行性能、耐用性的支配因素的研究结果，已探明通过控制薄膜中含有的低聚物等低分子量杂质的析出，可以提高运行性能和耐用性，由此完成了本发明。
本发明的目的在于解决上述问题，提供一种磁记录介质，能有效地利用芳香族聚酰胺的优异耐热性及高度刚性、而且即使长时间使用后仍具有优异的运行性能及耐用性。
亦即，本发明涉及的磁记录介质，其中在由芳香族聚酰胺制成的基底薄膜的至少一面上设置磁性层，其特征在于该基底薄膜的至少一个方向上的拉伸杨氏模量为700kg/mm2以上二氯甲烷提取物含量为0.5重量％以下，在该基底薄膜纵长方向上每1mm2施加1kg负荷时，在100℃下10分钟内尺寸变化率为2％以下。
本发明的芳香族聚酰胺，最好含有50摩尔％以上的下列通式(Ⅰ)和/或通式(Ⅱ)所表示的重复单元，含有70摩尔％以上更好：
-(HN-Ar1-NHCO-Ar2-CO)-                 (Ⅰ)
-(HN-Ar3-CO)-                          (Ⅱ)其中，Ar1、Ar2、Ar3例如是下列等等：
Figure C9511844500051
X、Y选自下列等，但并不限于此：
-O-,-CH2-,-CO-,-SO2-,-S-,-C(CH3)2-进一步，这些芳香环上的一部分氢原子可用氟、氯、溴等卤素(特别是氯)，硝基、甲基、乙基、丙基等烷基(特别是甲基)，甲氧基、乙氧基、丙氧基、异丙氧基等烷氧基(特别是甲氧基)等取代基来置换，而且，可以用其它取代基置换构成聚合物的酰胺键中的氢。
从特性方面来说，上述对位结合的芳香环占全部芳香环的50％以上、更好地为70％以上的聚合物，由于其薄膜的刚性高、耐热性良好，所以较好。而且从吸湿率小这一点来看，用卤素(特别是氯)置换芳香环上的一部分氢原子的芳香环占全部芳香环的30％以上的聚合物为好。
作为更好的结构，下列结构应占50摩尔％以上、更好为70摩尔％以上(其中m、n是0-4)。
本发明的芳香族聚酰胺，含通式(Ⅰ)和/或通式(Ⅱ)所表示的重复单元达50摩尔％以上，不满50摩尔％的部分可以与其它重复单元共聚合(例如芳香族聚酰亚胺等)，或者进行掺合也可以，而且在不损害薄膜物性的条件下，也可掺合导电粒子、润滑剂、抗氧化剂等添加剂。
本发明的磁记录介质，基底薄膜必须至少一个方向上的拉伸杨氏模量为700kg/mm2以上。较好地应为900kg/mm2以上，更好地为1200kg/mm2以上。如果小于700kg/mm2，则磁带强度较弱，不能实现足够的输出，磁带变形，无法持久实用。
本发明的磁记录介质，其基底薄膜的二氯甲烷提取物必须在0.5重量％以下。较好应在0.2重量％以下，更好应在0.1重量％以下。如果大于0.5重量％，则在使用中会从薄膜表面产生出低聚物等杂质，从而使磁带运行性恶化，而且磁带的耐用性也恶化。必须考虑在磁性层或者非磁性层表面析出杂质，使运行性能、耐用性恶化的问题。
而且，如果提取物的重量比多于0.1ppm，则可发挥出润滑效果，含量在0.1ppm为好。在1ppm以上较好，在5ppm以上更好。
本发明的磁记录介质，基底薄膜在纵长方向每1mm2负荷1kg时，在100℃下，10分钟内尺寸变化率必须在2％以下。在1.5％以下较好，在1.0％以下更好。本发明的磁记录介质，由于要满意磁记录介质薄膜化的要求而较多使用薄膜，所以如果尺寸变化率大于2％，则在高温下使用时磁带运行中，或者停止/起动时所承受的张力导致磁带伸缩，使记录重放性能降低。此外，基底薄膜具有较高的尺寸稳定性(2％以下)，则可抑制涂覆层形成后的干燥处理中的磁带尺寸变化，从而便于加工。
为了使本发明的磁记录介质的运行性、耐用性得以稳定，要具有适当的粗糙度，因而最好基底薄膜中预先存在粒子。粒子的种类可以是，SiO2、TiO2、Al2O3、CaSO4、BaSO4、CaCO3、碳黑、沸石、其它金属微粉末等无机粒子，硅粒子、聚酰亚胺粒子、交联共聚合物粒子、交联聚酯粒子、特氟隆粒子等有机高分子等，从耐热性来看，无机粒子更好些。粒径为0.01-1.0μm,0.05-0.5μm更好，在此范围时，由于电磁变换特性、运行性能良好，所以此时为好。含量为0.01-10wt％,0.1-5wt％较好，此时输出特性、还行性能均较好。
本发明的磁记录介质，基底薄膜至少单面的表面粗糙度，其粗糙度算术平均偏差值(以下表示为“Ra”)在0.1-100mm为好，在0.3-70mm更好，在0.5-50nm最好。若Ra大于100nm，则输出特性会恶化。若Ra小于0.1nm则运行性、耐用性会恶化。
此外，基底薄膜至少单面的中心线平均高度(以下表示为“Rp”)在2-500nm为好，在3-300nm更好，在4-200nm最好。若Rp大于500nm，则输出特性会恶化。若Rp小于2nm，则运行性、耐用性会恶化。
基底薄膜至少单面的十点线平均粗糙度(以下表示为“Rz”)在2-500nm为好，在3-300nm更好，在4-200nm最好。若Rz大于500nm，则输出特性会恶化。若Rp小于2nm，则运行性、耐用性会恶化。
本发明的磁记录介质，基底薄膜至少一个方向上的拉伸杨氏模量如果在700kg/mm2以上，可在纵长方向、横向或者斜向加以张应力，而一般是在纵向或横向上加以张应力。对张应力的程度无特别限定，但如果考虑到延展度、抗裂力某特征，纵向的拉伸杨氏模量EMD与横向的拉伸杨氏模量ETD应在下列范围内较为实用：
          0.5≤EMD/ETD≤2
本发明的磁记录介质，其基底薄膜的厚度应在0.5-15μm，在1-8μm更好，在2-5μm最好，由此作为薄膜的磁记录介质，可实现本发明的效果，即优异的运行性、电磁变换特性。
本发明的磁记录介质，基底薄膜至少一个方向的延迟度应在10％以上，较好地为20％以上，更好地为30％以上，这样磁带可望具有适度的柔软性。
本发明的磁记录介质，其基底薄膜的吸湿率应在4％以下，3％以下更好，2％以下最好，这样，可望使因湿度变化而引起的尺寸变化较小，保持良好的电磁变换特性。
本发明的磁记录介质，至少在上述基底薄膜的单面上设有磁性层。
形成磁性层的方法，可以是以采用各种粘结剂的磁性涂料把强磁性粉末涂覆在基底薄膜上的湿法、蒸镀法、溅射法、离子镀法等干法，并无特别的限定，但这里以湿法为例说明。
构成磁性体的磁性粉末的种类没有特别的限定，下列强磁性粉末都可以使用，例如氧化铁、氧化铬、Fe、Ba-Fe、Co、Fe-Co、Fe-Co-Ni、Co-Ni、Co-Cr等。
可以用各种粘结剂与磁性粉末制成磁性涂料，使用热固性树脂类粘结剂以及辐射固化类粘结剂为好，作为其它添加剂，可以使用分散剂、润滑剂、防静电干扰剂等。例如可使用由氯乙烯。醋酸乙烯·乙烯醇共聚物、聚氨酯预聚体以及聚异氰酸酯制成的粘结剂。
本发明的磁记录介质，为了进一步提高运行性能，可以在磁性层形成面的反面上设置背面涂层。
以下说明本发明的制造方法，但不仅限于此。
首先，对于由酰氯和二元胺获取芳香族聚酰胺的情形，在N-甲基吡咯烷酮(NMP)、二甲基乙酰胺(DMAC)、二甲基甲酰胺(DMF)等非质子性有机极性溶剂中，进行溶液聚合，或通过使用水系介质的界面聚合等来合成。如果使用酰氯和二元胺单体，则会生成氯化氢付产品，对此中和时，可使用氢氧化钙、氢氧化锂、碳酸钙、碳酸锂等无机中和剂，或者使用环氧乙烷、环氧丙烷、氨、三乙胺、三乙醇胺、二乙醇胺等有机中和剂。另外，异氰酸酯和羧酸的反应，在非质子性有机溶剂中，在催化剂存在的情况下进行。
这些聚合物溶液可以直接用作制膜原液，也可以对聚合物进行一次分离，再溶解于有机溶剂、硫酸等无机溶剂中，来调制制膜原液。
为了制取本发明的芳香族聚酰胺薄膜，聚合物的固有粘度(把0.59聚合物置于硫酸中所得100ml溶液，在30℃测定该值)，最好在0.5以上。
在制膜原液中可以添加无机盐作为助溶剂，例如氯化钙、氯化镁、氯化锂、硝酸锂等。制膜原液中的聚合物浓度以2-40wt％的程度为好。
粒子的添加方法有，预先将粒子在溶剂中进行充分地浆液化后，作为聚合用溶剂或者稀释用溶剂使用的方法，或者直接添加入调制后的制膜原液的方法等。
通过所谓的溶液制膜法，用上述调制的制膜原液制做薄膜。溶液制膜法中有干湿法、干法、湿法等，用其中任何一种方法制膜都无妨，这里以干湿法举例说明。
用于湿法制膜时，把该原液从喷嘴挤出施加在由镍、不锈钢、铜、钛、Hastelloy(耐蚀耐热镍基合金)、钽等材料制成的转筒、环形带等支承体上，制成薄膜，然后使溶剂从这样的薄膜层中飞溅出去，进行干燥直至留下薄膜自身。干燥条件是室温-250℃、60分钟内的范围，更好是室温-200℃的范围。如果干燥温度超过250℃，由于急剧加热而产生了孔隙，表面成为粗糙，元法得到作为工业材料、磁性材料的实用的薄膜。
上述干式处理结束后，从支承体上剥离薄膜，进入湿式处理，在此步骤把薄膜中含有的溶剂和杂质除去。一般用水系溶剂进行浸浴，也可含有其它有机溶剂和无机盐等。但是，一般水分含量应在30％以上，更好为50％以上，浸浴温度通常为0-100℃。为了进一步减少薄膜中的杂质，把浸浴温度提高到50℃以上，设置有机溶剂的浸浴，有利于渗透进去。作为有机溶剂，有氯仿、二氯甲烷、氟利昂等卤代烃和醇、酮、醚等有机溶剂等。在此湿式处理中，把剥离下的薄膜拉伸地浸入这样的浴液中，把薄膜中的杂质提取出至0.5重量％以下，较好为0.2重量％以下，更好为0.1重量％以下。
进行湿式处理后的薄膜再进行拉伸、干燥、热处理、制成薄膜。
按上述制成的薄膜，在该制膜步骤中，进行拉伸使机械特性达到本发明的范围内，拉伸倍率以面倍率(面倍率定义为拉伸后的薄膜面积除以拉伸前的薄膜面积的值。1以下则意味着松驰)表示是0.8-5.0的范围内为好，1.1-3.0更好。热处理后使薄膜缓慢冷却，可减少尺寸变化率，冷却速度在100℃/秒以下是有利的。
然后在薄膜上涂覆磁性层。可以使用公知的方法来涂覆磁性层，采用照相凹版辊子的方法来涂膜，均匀性较好。涂覆后干燥温度为80℃-150℃。还可以在25℃-150℃的范围内进行压光处理。
之后，为了进一步提高运行性能，可用公知方法在磁性层的反面上设置背面涂层。
进一步，在涂覆了磁性层的薄膜固化后，进行切割，从而制成本发明的磁记录介质。例如8mm等民用、专业用的，D-1、2、3等广播局用的，DDS-2、3、4、QIC、数据8mm等数据记录用的，对此并无限制。
以下，说明对本发明的特性测试方法以及评价方法。
(1)拉伸杨氏模量·伸展度·强度
使用英斯特朗型拉伸试验装置，按ASTM D882-81标准测试。样品为幅宽10mm、测试长度为100mm，拉伸速度为300mm/分钟。
(2)尺寸变化率
在薄膜上每隔150mm做上标记线，按10mm幅宽分割，制成测试样品。用测微计测量厚度，按1kg/mm2的负荷施加上重物，在烘箱中100℃下，加热10分钟，按下式计算尺寸变化率：
Figure C9511844500121
(3)二氯甲烷提取物量
把裁断的薄膜装入索格利特提取器中，并在其中放入精制的二氯甲烷，在沸点加热1小时，进行提取。然后把溶液移至旋转蒸发器，一边调整减压度，一边浓缩至恒量，对残留物的重量进行测量确定。
(4)表示粗糙度
采用小坂研究所制造的薄膜台阶高差测试器(ET-10)，探针尖端半径为0.5μm，探针负荷5mg，截止值为0.08mm，测试长度为0.5mm，在以条件下测试5次，取其平均。
(5)运行性能
把形成了磁性层的薄膜按1/2英寸的幅宽截割，使用磁带走带试验机，在导向销(表面粗糙度：Ra为100nm)上走带(走带速度为100m/分钟、卷绕角：60度)。在走带试验前，在60℃、80％RH的气氛下进行老化。走带试验是把非磁性面置于导向销上，在40℃、80％RH的气氛中进行走带。通过10次走带后，测量动摩擦系数的变化，变化率在10％以内的标为◎，起过10％但在15％以内的标为○，超过15％但在20％以内的标为△，超过20％的标为X。
(6)耐用性
在运行性试验的条件下，通过100次走带，试验结束后观察磁带。全部未变形的标为○，部分磁带稍有变形的标为△，全长上大部分磁带均有变形标为×。
以下根据实施例来说明本发明，但本发明并不限于这些实施例。
实施例1
在N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)中，把初始粒径为0.02μm的干式二氧化硅粒子分散成为平均粒径0.2μm的浆料备用。
把NMP与上述二氧化硅浆料放入聚合槽，其中，溶解进作为芳香族二胺成分的相当于85摩尔％的2-氯对苯二胺和相当于15摩尔％的4、4′-二氨基二苯醚，在其中添加相当于99摩尔％的2-氯对苯二甲酰氯，搅拌2小时完成聚合。用氢氧化锂中和所产生的氯化氢的97摩尔％，再加入7摩尔％的二乙醇胺，得到聚合物溶液。粒子含量相对于芳香族聚酰胺为2wt％。把聚合浓度为11wt％、30℃时的溶液粘度调节在4000泊，作为制膜原液。
使用螺杆挤出机，在100乇真空中把该制膜原液中的气泡除去，并通过5μm粒度级的过滤器，之后由被加热至50℃的喷嘴向金属传送带流淌。用150℃的热风对此流淌的薄膜加热2分钟，使溶剂蒸发，从传送带上连续地剥离具有自保持性的薄膜。然后，把薄膜引入具有NMP浓度梯度的60℃水槽内，与残余溶剂中和，把生成的无机盐提取出。提取时间为5分钟。进一步在30℃的氯仿浴中浸渍2分钟。而且在此浸浴中沿纵向(MD方向)拉伸达1.1倍。
然后引入链式定幅烘干机，在280℃进行1分钟的水分干燥及热处理。此时，在薄膜的幅宽方向拉伸1.4倍，以30℃/秒的速度缓冷至200℃，制得4.5μm的薄膜。此薄膜的特性如表1所示。
之后，在此薄膜制膜时不与金属传送带接触的一侧表面上，把按如下组成调制的磁性涂料，用照相凹版辊子涂覆至一定的涂层厚度，硬化之后，进行砑光处理。磁性层厚度为2μm。
磁性末(金属粉末)                     80重量份
氯乙烯系共聚合体                     10重量份
聚氨酯                               10重量份
硬化剂                               5重量份
抛光剂                               5重量份
甲苯                                 100重量份
甲基乙基甲酮                         100重量份
然后，进行切割，制成磁带，对运行性能、耐用性进行评价，非常优异。此磁带的运行性能、耐用性如表1所示。
实施例2
把作为芳香族二胺成分的95摩尔％的2-氯对苯二胺、5摩尔％的4、4′-二氨基二苯醚，按与实施例1相同的方法聚合，中和。把聚合物浓度为9wt％、30℃的溶液粘度调节为4000泊，作为制膜原液。
然后，与实施例1一样，在金属传送带上流淌、蒸发溶剂，再把薄膜引入水槽，把因与残余溶剂中和而生成的无机盐提取出。提取时间为5分钟。再在30℃的氯仿浴中浸渍1分钟。而且在此浸浴中沿纵向(MD方向)拉伸1.4倍。
然后导入链式定幅烘干机中，在280℃进行1分钟的水分干燥及热处理。此时在薄膜的幅宽方向施加1.2倍的拉伸，之后以50℃/秒缓冷至150℃，制得4.5μm薄膜。该薄膜特性如表1所示。
随后，按与实施例1相同的方式，在薄膜上设置2μm的磁性层，然后在非磁性面设置0.5μm的背面层。背面涂层用的涂料按下面组成制备。
碳黑                                 100重量份
氯乙烯系共聚物                       20重量份
聚氨酯                               50重量份
甲苯                                 200重量份
甲基乙基甲酮                         400重量份
对此进行裁割，制成磁带，对运行性能、耐用性进行评价，非常优异。该磁带的运行性能、耐用性的评价如表1所示。
实施例3
采用与实施例1相同结构的聚合物，构成蒸镀磁带。向溶解有芳香族二胺的NMP中分散相当于聚合物的0.5wt％的50mm球状二氧化硅。与实施例1一样，向其中添加2-氯对苯二甲酰氯，完成聚合，再进行中和，把聚合物浓度调节至11wt％、30℃的溶液粘度为5000泊。
使该制膜原液通过粒度级为1μm的过滤器，之后用喷嘴向金属传送带上流淌，用180℃的热风加热50秒，使溶剂蒸发，从传送带连续地剥离，并送入40℃的水槽内。浸渍时间为3分钟。再在30℃的二氯甲烷浴中浸渍2分钟。而且在此浸浴中沿纵向(MD方向)拉伸1.2倍。
然后送至链式定幅干燥机，在300℃进行1分钟的水分干燥及热处理。此时沿幅宽方向把薄膜拉出伸1.3倍，以50℃/秒缓冷至150℃，制得3.5μm的薄膜。该薄膜特性如表1所示。
随后，把薄膜装入真空槽，在10-2乇的氩气氛中做辉光处理，再把真空槽抽真空至10-5，一边使薄膜沿20℃的滚桶移动，一边用电子束加热Co-Ni合金(Co:80wt％、Ni:20wt％)，在薄膜上形成150nm的磁性层。再按实施例2的方式设置同样的背面涂层，制成磁带。测试磁带的运行性能、耐用性，非常优异。对磁带的运行性能、耐用性的评价见表1。
实施例4
使用实施例3的制膜原液制得3.5μm的薄膜。用在20℃的氟利昂中浸渍1分钟来代替二氯甲烷中的浸浴，其它均相同，由此制成膜。按与实施例3相同的方式设置磁性层、背面涂层并评价，运行性能、耐用性非常优异。对薄膜特性、运行性能、耐用性的评价见表1。
实施例5
使用实施例1的原液，用在10℃的甲醇浴中浸渍60秒，来代替30℃的氯仿浴，沿MD方向的拉伸倍率为1.2倍，TD方向为1.3倍，其他与实施例1相同，制成4.5μm的薄膜。在此薄膜上形成与实施例2相同的磁性层、背面涂层，对运行性能、耐用性进行评价，能达到满足要求的水平。薄膜特性、运行性能、耐用性的评价见表1。
实施例6
使用实施例1的原液，用在10℃的甲醇浴中浸渍30秒，来代替30℃的氯仿浴，沿MD方向的拉伸倍率为1.2倍，TD方向为1.3倍，其他与实施例1相同，制成4.5μm薄膜。在此薄膜上形成与实施例2相同的磁性层、背面涂层，对运行性能、耐用性进行评价，能达到满足要求的水平。薄膜特性、运行性能、耐用性的评价见表1。
实施例7
用实施例1的原液，在具有NMP浓度梯度的60℃水槽中浸渍15分钟，再在30℃的氯仿浴中浸渍10分钟，沿MD方向的拉伸倍率为1.2倍，TD方向为1.3倍，其它与实施例相同，制得2.3μm的薄膜。在此薄膜上形成与实施例2相同的磁性层、背面涂层，对运行性能、耐用性的评价能达到满足要求的水平。薄膜特性、运行性能、耐用性见表1。
实施例8
使用与实施例1结构相同的聚合物，调制成膜原液。向溶解了芳香族二胺的NMP中，分散相当于聚合物的0.01wt％的10nm球状二氧化硅。向其中添加与实施例1相同的2-氯对苯二甲酰氯，完成聚合，再进行中和，把聚合物调节至浓度为11wt％、30℃的溶液粘度为4200泊。
使用此原液，但用1μm的过滤器代替5μm的过滤器，沿MD方向的拉伸倍率为1.2倍，TD方向为1.3倍，其它与实施例1相同，制成4.5μm的薄膜。在此薄膜上形成与实施例2相同的磁性层、背面层，对运行性、耐用性的评价能达到满足要求的水平。薄膜特性、运行性、耐用性的评价见表1。
实施例9
使用实施例1的原液，MD方向、TD方向的拉伸倍率均为1.0倍，其它与实施例1相同，制成4.5μm的薄膜。在此薄膜上形成与实施例2相同的磁性层、背面涂层，对运行性能、耐用性的评价优异，薄膜特性、运行性能、耐用性见表1。
实施例10
使用实施例1的原液，MD方向的拉伸倍率为1.2倍，TD方向为1.3倍，其它与实施例1相同，制成7.5μm的薄膜。在此薄膜上形成与实施例2相同的磁性层、背面涂层，对运行性能、耐用性的评价优异。薄膜特性、运行性能、耐用性的评价见表1。
比较例1
使用实施例1的制膜原液，在干式处理与实施例1相同的条件下制膜。而湿式处理为，在水温0℃浸渍1分钟，不使用氯仿浴。如表1所示，薄膜的提取量多。对运行性能、耐用性的评价很差。薄膜特性、运行性能、耐用性的评价见表1。
比较例2
采用实施例1的原液，不通过具有NMP浓度梯度的湿式浴，而仅在30℃的氯仿浴中浸渍30秒，MD方向的拉伸倍率为1.2倍，TD方向为1.3倍，其它与实施例1相同，制成4.5μm的薄膜。在此薄膜上形成与实施例2相同的磁性层、背面涂层，对运行性能、耐用性的评价很差。薄膜特性，运行性能、耐用性的评价见表1。
比较例3
使用实施例1的原液，链式定幅烘干机的热处理温度为200℃，但从链式定幅烘干机取出时不是缓冷，其它与实施例1相同，制成4.5μm的薄膜。在此薄膜上形成与实施例2相同的磁性层，背面涂层，对运行性能、耐用性的评价很差。薄膜特性、运行性能、耐用性的评价见表1。
比较例4
使用2-氯对苯二胺作为芳香族二胺，99摩尔％的间苯二甲酰氯作为酸成分，在MD方向拉伸倍率为1.2倍，TD方向为1.3倍，其它与实施例1相同，制成4.5μm的薄膜。此薄膜的杨氏模量，在MD方向为650kg/mm2，TD方向为600kg/mm2，从MD方向顺时针转动30℃的方向上杨氏模量最大，为660kg/mm2。在此薄膜上形成与实施例2相同的磁性层、背面涂层，对运行性能、耐用性的评价很差。薄膜特性、运行性能、耐用性的评价见表1。
比较例5
在聚合槽内装入NMP和实施例1所用的二氧化硅浆料，在其中溶解作为芳香族二胺成分的相当于100摩尔％的4、4-二氨基二苯醚，再在其中添加相当于99摩尔％的均苯四甲酸酐，搅拌2小时，完成聚合，制得聚合物溶液。而且，粒予相对于芳香族聚酰亚胺的含量为2wt％。调节聚合物浓度为15wt％、30℃的溶液粘度为4000泊，作为制膜原液。
用螺杆挤出机，在100乇的真空中把该制膜原液中的气泡除去，并通过5μm粒度级的过滤器，之后从加热至50℃的喷嘴流淌在金属传送带上。用150℃的热风对流淌的薄膜加热2分钟，使溶剂蒸发，从传送带上连续地剥离具有自保持性的薄膜。把如此得到自保持性的薄膜送入链式定幅烘干机，用350℃热处理1分钟，进行残余溶剂的干燥及热处理。此时，在薄膜的MD方向拉伸1.2倍，在TD方向位伸1.3倍，再以30℃/秒的速度缓冷至200℃，制得12.0μm的薄膜。此薄膜的杨氏模量，MD方向为310kg/mm2,TD方向为320kg/mm2，从TD方向顺时针转动30°的方向的杨氏模量最大，为340kg/mm2。在此薄膜上形成与实施例2相同的磁性层、背面涂层，对运行性能、耐用性的评价很差。薄膜特性、运行性、耐用性的评价见表1。
                      表1
薄膜厚度(μm) 提取物量重量％ Ra(nm) Rp(nm) Rz(nm) 足寸变化率(％) 梯氏模量(kg,mm2) 强度(kg/mm2) 拉伸度(％) 吸湿率(％) 运行性能 耐久性
MD  TD  MD  TD  MD  TD  MD  TD
实施例1     4.5  0.02     7  41     56  0.9  0.2  1100  1600     52     70     50  43     1.5 ◎ ○
实施例2     4.5  0.05     7  45     58  0.1  0.6  1800  1200     72     55     35  43     1.2 ◎ ○
实施例3     3.5  0.001     1   7     8  0.3  0.3  1450  1450     64     63     40  41     1.5 ◎ ○
实施例4     3.5  0.1     1   9     10  0.3  0.3  1450  1450     63     63     43  41     1.5 ◎ ○
实施例5     4.5  0.18     8   45     60  0.9  0.3  1100  1600     51     69     48  42     1.6 ○ ○
实施例6     4.5  0.4     8   45     55  0.4  0.4  1450  1420     61     60     39  38     1.6 △ ○
实施例7     2.3  NIL     6   37     48  0.6  0.5  1480  1460     66     64     44  45     1.7 ○ △
实施例8     4.5  0.02     0.5   1.7     2.5  0.5  0.4  1430  1450     64     63     40  41     1.5 △ ○
实施例9     4.5  0.02     7   42     55  1.4  1.5   920   860     37     36     55  53     1.8 ○ △
实施例10     7.5  0.1     8   43     60  0.3  0.4  1400  1390     61     61     42  43     1.6 ◎ ○
比较例1 4.5 0.7 7 44 60 1 0.2 1100 1550 50 69 52 43 1.5 × ×
比较例2     4.5  0.8     9   45     60  0.6  0.7  1430  1440     59     58     39  38     2.1 × ×
比较例3     4.8  0.07     8   41     55  2.3  1.2   640   920     34     41     50  44     2.5 × ×
比较例4     4.5  0.04     6   38     50  2.7  2.6   650   600     44     43     75  75     2.0 × ×
比较例5     12  1.2     10   50     65  0.2  0.2   310   320     30     29     75  70     2.6 × ×

Claims (3)

1．一种磁记录介质，它在由芳香族酰胺制成基底薄膜的至少一面上设置有磁性层，其特征在于，该基底薄膜的至少一个方向上的拉伸杨氏模量为860kg/mm2以上，二氯甲烷提取物含量为0.5重量％以下，在该基底薄膜纵长方向上每1mm2施加1kg负荷时，在100℃、10分钟内的尺寸变化率为2％以下。
2．根据权利要求1所述的磁记录介质，其中，所述基底薄膜的二氯甲烷提取物含量以重量比表示在0.1ppm以上、0.5重量％以下。
3．根据权利要求1或2所述的磁记录介质，其特征在于基底薄膜至少单面的中心线平均高度为2-500nm，粗糙度算术平均偏差值为0.1-100nm，十点平均粗糙度为2-500nm。
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