CN1136545C - 磁性记录介质 - Google Patents

磁性记录介质 Download PDF

Info

Publication number
CN1136545C
CN1136545C CNB951905791A CN95190579A CN1136545C CN 1136545 C CN1136545 C CN 1136545C CN B951905791 A CNB951905791 A CN B951905791A CN 95190579 A CN95190579 A CN 95190579A CN 1136545 C CN1136545 C CN 1136545C
Authority
CN
China
Prior art keywords
film
recording medium
magnetic recording
young
under
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CNB951905791A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1129991A (zh
Inventor
佃明光
v
米山和祐
明
伊藤伸明
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toray Industries Inc
Original Assignee
Toray Industries Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toray Industries Inc filed Critical Toray Industries Inc
Publication of CN1129991A publication Critical patent/CN1129991A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1136545C publication Critical patent/CN1136545C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
    • G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
    • G11B5/739—Magnetic recording media substrates
    • G11B5/73923—Organic polymer substrates
    • G11B5/73937—Substrates having an organic polymer comprising a ring structure
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
    • G11B5/68—Record carriers characterised by the selection of the material comprising one or more layers of magnetisable material homogeneously mixed with a bonding agent
    • G11B5/70—Record carriers characterised by the selection of the material comprising one or more layers of magnetisable material homogeneously mixed with a bonding agent on a base layer
    • G11B5/702—Record carriers characterised by the selection of the material comprising one or more layers of magnetisable material homogeneously mixed with a bonding agent on a base layer characterised by the bonding agent
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10S428/90—Magnetic feature
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24355—Continuous and nonuniform or irregular surface on layer or component [e.g., roofing, etc.]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24942—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including components having same physical characteristic in differing degree
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31721—Of polyimide
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31725—Of polyamide

Landscapes

  • Magnetic Record Carriers (AREA)
  • Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)

Abstract

本发明是在用芳香族聚酰胺或芳香族聚酰亚胺制成的片基一面涂敷磁性层的磁性记录介质。本发明是关于以满足以下指标为特征的磁性记录介质；其片基涂敷磁性层一面的表面粗大突起个数H2、非磁性层一面的表面粗大突起个数H3满足：H2≤50；2≤H3≤100；同时，该片基在20℃下的至少一个方向杨氏拉伸模量E20和在100℃下的同方向杨氏拉伸模量E100满足：E20≥800kg/mm2；0.5≤E100/E20。本发明提供在严酷环境下(特别是高温下)具有优异的耐久性、运行特性和输出特性的磁性记录介质。

Description

磁性记录介质
                           技术领域
本发明系涉及磁性记录介质、特别是具有优异的运行特性、耐久性和输出特性的磁性记录介质。
                           背景技术
近年来，由于视频摄像机在室外使用的机会增多，或要求摄像机小型化、录象长时间化，还要求把摄像机作为计算机的外部存储器使用等，因此对薄膜、在严酷条件下具有优越的耐久性、运行特性和输出特性的高密度磁性记录介质的要求，就变得很强烈了。
迄今为止，已知的磁性记录介质是在聚酯胶片上涂敷氧化物磁性层和涂敷金属磁性层两种类型(例如特开昭61-26933号公报、特开昭60-66319号公报等)。另外，关于芳香族聚酰胺方面，也有使用纵向和横向杨氏模量不同的胶片作的磁性记录介质的，例如特开昭62-62424号公报所示的那种。
可是，上述用聚酯片基或芳香族聚酰胺片基做成的磁性记录介质，在常温下使用虽没有问题，但若在高温下使用，则其运行特性和输出特性会恶化，同时，在反复运行中还会发生所谓drop out(脱落)的问题。这可认为是由于片基的耐热性不够，其表面特性和运行特性不良所造成的。
另外，作为磁性记录介质规定非磁性体表面粗大突起数量的例子，象特开平6-195679号公报中所规定的那样，薄膜背面涂层的粗大突起数量H2规定为H2≤50个/100cm2。此外，还有特开昭63-146941号公报规定H2≤100个/25cm2和特开昭59-203232号公报规定(H3-H2)≤200个/mm2的例子。
可是，在特开平6-195679号公报中只规定了薄膜背面涂层的粗大突起数量，而没有规定磁性面的粗大突起数量，因此不能达到充分良好的输出特性和运行特性。又如在特开昭63-146941号公报和特开昭59-203232号公报中，虽限定用聚酯薄膜作片基，但粗大突起数量程度很高，在高温条件下使用时，会有运行特性和输出特性恶化的缺点。
又如，特开昭64-53330号公报指出，磁性记录介质所用的片基应符合下列规定：即在90℃下的杨氏模量E90与室温下的杨氏模量ERT之比应为：1.0≥E90/ERT≥0.6。虽有这项规定，但关于该片基的粗大突起数量却未加以规定，这就不可能获得高密度磁性记录介质所应有的充分的输出特性。
又如，特开昭63-28695号公报中公开了一种在1kg/mm2荷重下，在200℃温度下经5分钟其尺寸变化率为5％以下的芳酰胺薄膜，但由于它含有10～40％的碳黑，且其用途又是作为热敏复印介质，因此与本申请的目的是大不相同的。
本发明人研究了产生这些缺点的原因，结果弄清与片基的耐热性、以及涂敷磁性层一面和非磁性层一面的表面粗大突起个数有关，从而完成了本发明。
                           发明的公开
本发明的目的，是要解决上述存在的问题，有效地利用芳香族聚酰胺或芳香族聚酰亚胺的优良耐热性和高刚性，而且通过规定其表面特性指标的办法来提供出即使在高温和反复运行等严酷条件下也具有优异的运行特性、耐久性和输出特性的磁性记录介质。
也就是说，本发明涉及一种磁性记录介质，它是用芳香族聚酰胺或芳香族聚酰亚胺片基涂敷磁性层而成，其特征是片基涂磁性层一面的表面粗大突起个数H2、非磁性层一面的表面粗大突起个数H3满足下列条件：
                    H2≤50
                    2≤H3≤100而且该片基在20℃下的最低限度单方向杨氏拉伸模量E20和在100℃下同方向杨氏拉伸模量E100满足下列条件：
                    E20≥800kg/mm2
                    0.5≤E100/E20。
                    实施本发明的最佳方案
本发明所说的聚酰胺，其中所含的下列通式(I)和/或通式(II)的重复单元，优选50摩尔％以上，更优选70摩尔％以上。
Figure C9519057900051
式中Ar1、Ar2、Ar3可举例如下：
Figure C9519057900053
其中的X、Y可由以下几种化学式中选择，对此不加限定：
-O-、-CH2-、-CO-、-SO2-、-S-、-C(CH3)2-再则，包括这些芳香环上的氢原子的一部分是被卤素(特别是氯)、硝基、C1～C3的烷基(特别是甲基)、C1～C3的烷氧基等取代基所取代的，而且，也包括构成聚合体的酰胺键中的氢被其他取代基所取代的。
从特性方面来说，上述芳香环是对位结合的，若是全芳香环占50％以上或更理想的占75％以上的聚合体，则薄膜的刚性就高，耐热性也良好，因此是令人满意的。另外，从使吸湿率变小的观点考虑，如聚合体中芳香环上的部分氢原子被卤素(特别是氯)取代的芳香环占30％以上时，就是令人满意的聚合体。
本发明的芳香族聚酰胺，是通式(I)和/或通式(II)所示的重复单元含量达50摩尔％以上的物质，当未满50摩尔％时，也不妨与其他重复单元共聚，甚至混合。
本发明中的芳香族聚酰亚胺，是在聚合体重复单元中含有芳香环和酰亚胺环一个以上的物质，优选的是通式(III)和/或通式(IV)所示的重复单元含量为50摩尔％以上，更优选的是含有70摩尔％以上的。
式中Ar4、Ar6至少含有一个芳香环，形成酰亚胺的二个羰基与芳香环上邻接的碳原子相结合。这Ar4是来自芳香族四羧酸或酸酐。代表性例子如下。
Figure C9519057900071
其中Z可由下列化学式中选取：-O-、-CH2-、-CO-、-SO2-、-S-、-C(CH3)2-另外，Ar6是来自羧酸酐或卤化物。Ar5、Ar7可举出以下例：其中的X、Y可由下列化学式中选取，对此不加限定：
-O-、-CH2-、-CO-、-SO2-、-S-、-C(CH3)2-进而，包括这些芳香环上含有的氢原子的一部分被卤素(特别是氯)、硝基、C1～C3的烷基(特别是甲基)、C1～C3的烷氧基等的取代基所取代的，而且，也包括构成聚合体的酰胺键中的氢被其他取代基所取代的。
本发明中的芳香族聚酰亚胺，是含有通式(m)和/或通式(IV)所示的重复单元达50摩尔％以上的物质，当未满50摩尔％时，也不妨与其他重复单元共聚，甚至混合。
另外，本发明的芳香族聚酰胺、芳香族聚酰亚胺中，也可以混合进润滑剂、抗氧化剂等的其他添加剂，但以不损害薄膜的特性为限。
本发明的磁性记录介质，其片基涂敷磁性层一面的表面粗大突起个数H2，必须是
                        H2≤50更优选的是H2≤30，最优选的是H2≤20。H2大于50时，就会发生磁性记录介质的表面特性恶化、脱落，就不能作为高密度磁性记录介质使用。
另外，本发明的磁性记录介质，其片基的非磁性层一面的表面粗大突起个数H3必须是
                        2≤H3≤100更优选的是2≤H3≤70，最优选的是2≤H3≤50。只要H3小于2时，磁性记录介质与导辊等部件的接触阻力就会增大，运行特性就会下降。另外，H3大于100时，磁带就在磁性层上把粗大突起复制出来，或者在制造涂敷型磁性记录介质时的涂敷工序中用砑光机处理时，粗大突起就会使磁性层一面的表面特性受到影响，成为脱落的起因。
另外，本发明的磁性记录介质，其片基的涂敷磁性层一面的表面粗大突起个数H1优选的是
                          H1≤100更优选的是H1≤70，最优选的是H1≤50。若是这样，就可实现优越的电磁变换特性。
再则，本发明的磁性记录介质，其片基在20℃下的单方向杨氏拉伸模量E20至少必须为
                          E20≥800kg/mm2优选的是E20≥900kg/mm2，更优选的是E20≥1000kg/mm2。为响应磁性记录介质薄膜化的要求，本发明的磁性记录介质多是采用薄膜，为了能耐受运行中以及开停时的张力，薄膜必须具有较高的杨氏模量(E20≥800kg/mm2)。杨氏模量一低于此值，磁带就会伸长，记录的再生性能就会下降。另外，由于片基有了较高的杨氏模量(E20≥800kg/mm2)，也能耐受磁性记录介质在涂敷磁性层和背面涂层等工序时与制作有关的张力，对加工有利。
另外，本发明的磁性记录介质，如果它的片基在20℃下的单方向杨氏拉伸模量数E20至少有
            E20≥800kg/mm2则不妨在长、宽方向或斜向加上升高的张力，但一般是在长或宽方向加张力。张力升高的程度没有特别限制，但只要考虑到拉伸率和抗拉抗割裂能力等特性，并使长度方向杨氏拉伸模量EMD与宽度方向杨氏拉伸模量ETD在下列范围内即可：
            0.5≤EMD/ETD≤2
再则，本发明的磁性记录介质，其片基在20℃下的单方向杨氏拉伸模量E20与在100℃下同方向的杨氏拉伸模量E100，必须至少满足下式：
            0.5≤E100/E20优选的是0.6≤E100/E20，更优选的是0.7≤E100/E20。若是0.5＞E100/E20，在高温条件下使用时，磁带由于刚性降低就会发生受热伸长，记录的再生性能就会降低。另外，若高温下的杨氏模量降低得小(0.5≤E100/E20)，在制造涂敷磁性层后的干燥工序和制造蒸镀型磁性记录介质的蒸镀金属薄膜工序中，由于磁带的尺寸变化受到抑制，因此对加工也很有利。
再则，本发明的磁性记录介质，其片基在纵向每1mm2悬挂约1kg重量时，在100℃下经10分钟，其尺寸变化在2％以下即属满意，更加满意的是在1.5％以下，更加理想的是在1.0％以下。为适应磁性记录介质薄膜化的要求，本发明的磁性记录介质多是采用薄膜，只要其尺寸变化率在2％以下，则磁带在高温场合下使用时，就可以抑制在运行中或在开-停时由于张力产生的磁带伸缩，因此记录的再生性就可提高。另外，由于片基在面对较高外力下能保持尺寸稳定(2％以下)，在制造涂敷型磁性记录介质的涂敷磁性层后的干燥工序和制造蒸镀型磁性记录介质的蒸镀金属薄膜工序中，由于磁带的尺寸变化受到抑制，因此对加工也很有利。
本发明是在上述片基上单面涂敷磁性层的磁性记录介质。
形成磁性层的方法，有用强磁性粉末与各种粘合剂做成的磁性涂料向片基上涂敷的湿式法，也有蒸镀法、喷镀法、离子镀膜法等于式法，没有特别的限定，这里用湿式法为例加以说明。
做成磁性体的磁性粉末种类没有特别的限定，只要是强磁性粉末，例如氧化铁、氧化铬、Fe、Co、Fe-Co、Fe-C0-Ni、Co-Ni等均可满意地使用。
磁性粉末和以各种粘合剂即可作为磁性涂料，用受热硬化的树脂系粘合剂或放射线硬化类粘合剂是可以令人满意的，也可以把分散剂、润滑剂、抗静电剂等作为其他添加剂使用。举例说，可以使用氯乙烯·醋酸乙烯·乙烯醇共聚合物、由聚氨酯预聚物或聚异氰酸酯构成的粘合剂。
本发明的磁性记录介质为保持适度的粗糙度，最好在片基中留置粒子物质。粒子的种类，可以是SiO2、TiO2、Al2O3、CaSO4、BaSO4、CaCO3、炭黑、沸石和其他金属微粉末等无机粒子，也可以是硅粒子、聚酰亚胺粒子、交联共聚合物粒子、交联聚酯粒子、聚四氟乙烯粒子等有机高分子物质，从耐热性能的观点看，无机粒子更满意些。再则，本发明的薄膜中所含粒子的原始粒子直径平均为0.005～5μm，理想的是0.01～2μm，如在这一范围之内，则电磁变换特性和运行特性都变得很好，因此是所希望的。本发明的磁性记录介质的片基中粒子的含量是0.01～5重量％，优选的是0.05～3重量％。粒子的含量少于上述范围时，磁带的运行性能就不好，相反，若多了，则易于使电磁变换特性不良。
另外，本发明的磁性记录介质的片基，不仅能使用单层的，而且使用层压式薄膜也是很好。用层压式薄膜时，涂磁性层一面做成按本发明规定的表面粗大突起个数H2≤50的表面，然后层压，非磁性一面做成按本发明规定的表面粗大突起个数2≤H3≤100的表面，然后层压，立即它的运行特性和电磁变换特性就会变得良好。这里，层压起来的本发明的磁性记录介质的片基与基层部(指层压起来的本发明的片基以外的薄膜组成部分)可以是同类物质，也可以是不同类的物质。组成该基层部的薄膜至少有一层中含有粒子物质，根据本发明的薄膜所要求的来选择粒子种类、粒子平均原始粒径和含量。基层部中的粒子的粒径若比层压起来的本发明片基中的粒子的直径大，则可使片基表面保持适度的起伏波纹，磁带的运行特性会更好。
本发明的磁性记录介质中的片基的厚度优选的是0.5～50μm，更优选的是1～20μm，最优选的是2～10μm，如果做到这一点，作为薄膜式磁性记录介质，就可实现本发明的优良运行特性和电磁变换特性，因此，这是所希望的。
本发明的磁性记录介质中的片基，其单向性拉伸率至少10％以上，更优选的是20％以上，最优选的是30％以上，如果是这样，就能保持适度的柔软性，因此是所希望的。
本发明的磁性记录介质中的片基的吸湿率应在5％以下，更优选的是在3％下，最优选的是在2％以下，如果做到这一点，由于湿度变化而引起的磁带尺寸变化就小，就能保持良好的电磁变换特性，因此是所希望的。
在层压的情况下，层压薄膜也能满足这些要求，因此是令人满意的。
下面说明一下本发明的制造方法，但不受这些限制。
首先是芳香族聚酰胺从酰氯和二胺制得时，是在N-甲基吡咯烷酮(NMP)、二甲基乙酰胺(DMAc)、二甲基甲酰胺(DMF)等非质子性有机极性溶剂中，进行溶液聚合，或使用水系介质的界面聚合等法来合成的。聚合物溶液，当使用作为单体的酰氯和二胺时，会产生副产品氯化氢，中和该溶液时要使用氢氧化钙、碳酸钙、碳酸锂等无机中和剂，还可使用氧化乙烯、氧化丙烯、氨、三乙基胺、三乙醇胺、二乙醇胺等有机中和剂。此外，异氰酸酯与羧酸的反应是在非质子性有机极性溶剂中、在催化剂的存在下进行的。
可以把这些溶液直接当作制膜原液使用，也可以把聚合物一次离析后在上述有机溶剂、硫酸等无机溶剂中再溶解制成制膜原液。
为了获得本发明的芳香族聚酰胺薄膜，聚合物的特性粘度(将聚合物0.5g溶于硫酸中形成100ml溶液，在30℃下的测定值)，以0.5以上为满意。
在制膜原液中有时还加入无机盐作为助溶剂，例如加入氯化钙、氯化镁、氯化锂、硝酸锂等。制膜原液中聚合物的浓度最好2～40重量％。
另一方面，芳香族聚酰亚胺或聚酰胺的酸溶液可按以下办法制得。即可把四羧酸二酐与芳香族二胺在N-甲基吡咯烷酮(NMP)、二甲基乙酰胺(DMAc)、二甲基甲酰胺(DMF)等非质子性有机溶媒中进行反应而制得聚酰胺酸。另外，芳香族聚酰亚胺，可把含有上述聚酰胺酸的溶液加热，同时加入吡啶等亚胺化剂而制得聚酰亚胺粉末，然后把粉末再一次放入溶媒中溶解而制得。制膜原液中的聚合物浓度以5～40重量％为满意。
添加粒子的方法，可以将粒子预先放入溶剂中充分浆液化后再作为聚合用溶剂或稀释用溶剂使用，也可往制成的制膜原液中直接添加粒子。
照上述方法制成的制膜原液，可用所谓的溶液制膜法制成薄膜。溶液制膜法有干湿式法、干式法、湿式法等几种，用哪一种来制膜都不妨，在这里只以干湿式法为例加以说明。
用干湿式法制膜时，将该制膜原液从容器喷口挤出到滚筒、无缝环带等支承物上制成薄膜后，接着就从这样的薄膜层上把溶剂挥发掉，并进行干燥直到薄膜能保持自己的形状为止。干燥的条件是在室温～220℃、60分钟以下的范围内，优选的是在室温～200℃范围内。干燥温度一超过220℃，表面粗大突起个数H2就会增大，就会超出本发明的范围。而且这一干燥工序所用的滚筒、无缝环带，对其表面上的缺陷的频率应加控制，以把H3控制在本发明的范围内。直径在30μm以上的表面缺陷的频率在0.001～0.02个/mm2即属满意，更满意的是0.002～0.015个/mm2。
上述干式工序结束后，就把薄膜从支承体上剥离下来而进入湿式工序，在此除去薄膜内含有的溶剂等类不纯物。这种液体浴一般都用水系介质配制，但除水以外也可以含有有机溶剂、无机盐等。然而一般来说，水的份额应有30％以上，满意的应有50％以上，水浴的温度通常为0～100℃。
再则，为了使薄膜中的杂质减少，应准备有机溶剂浴并把它的温度提高到50℃以上，并使薄膜从该浴中通过。可作有机溶剂用的有：氯仿、二氯甲烷、氟氯烷等卤化烃，以及乙醇、酮、醚等有机溶剂等。用这一湿式工序将剥离下来的薄膜在这有机溶剂浴中在绷紧的状态下浸渍，直到薄膜中的杂质被萃取到0.5％以下，更满意的是0.2％以下，更理想的是0.1％以下为止。
经过湿式工序的薄膜，再进行拉伸、干燥、热处理，就成了成品薄膜。
按以上方法制成的薄膜，在制膜工序中，为使其机械特性处于本发明的范围，还须进行拉伸，要使拉伸倍率处于0.8～8面倍率的范围内为满意，更满意的是1.1～5.0。(面倍率的定义是指拉伸后的薄膜面积与拉伸前的薄膜面积之比，1以下意味着松弛。)。另外，拉伸或热处理后的薄膜应慢慢冷却才有效，以100℃/s以下的速度来冷却是有效的。
还有，本发明的薄膜，也可作成层压式薄膜。例如做二层式薄膜时，把聚合的芳香族聚酰胺溶液分成两部分，分别加入不同的粒子后再进行层压。做三层以上的薄膜时也是用同样的方法。大家熟知的层压方法有在金属板缝内层压、用复合管层压、在做好的一层上形成其他层等方法。
往下就是在薄膜上涂敷磁性层，涂敷的方法可用前述的湿式法、干式法，用哪一种都可以。现以湿式法为例，可用众所周知的涂敷方法，但使用照相凹板滚子的方法，在涂膜的均匀性方面是更理想的。涂敷后的干燥温度最好90℃～150℃。另外砑光工序的温度以在25℃～150℃的范围内进行比较理想。
此后，为使磁性层及磁带背面的运行特性更提高一步，还可以加敷背面涂层。
再则，把涂敷完磁性层的薄膜固化后加以切割成条，即成为本发明的磁性记录介质。比如切成8mm等规格的作为民用和专业用、切成D-1、2、3等规格的作为广播台用、切成DDS-2、3、4、QIC、Data 8mm等规格作数据记录用，等等，对此没有什么限制。
下面，说明一下关于本发明的物性测定方法及评价方法。(1)表面粗大突起个数(H1、H2、H3)
用体视显微镜在偏光下观测胶片表面100cm2范围内的异物，并作出标记。标记出来的异物的高度系用546nm波长、使用多重干涉仪观测，根据干涉条纹的环数来测定。一层环以上的异物的个数用H1表示，二层环以上的异物个数以H2表示，三层环以上的异物个数以H3表示。(2)杨氏拉伸模量
用英斯特郎(Instron)型拉伸试验机来测定。样品宽10mm，试验长度50mm，拉伸速度300mm/min，测定温度为20℃、100℃。(3)尺寸变化率
在薄膜上间隔150mm打上标线，把它切割成10mm宽的条，以此作为测试样品。厚度以测微计测定，荷重以1kg/mm2的标准附上重物，在烘箱内用100℃、10分钟时间进行测定，尺寸变化率用下式计算：
Figure C9519057900151
(4)电磁变换特性
将涂敷好磁性层的薄膜切割成幅宽1/2英寸的长条，把它装入VTR磁带盒内即做成VTR磁带。用家用录像机，并借助电视试验波形发生器，根据它发出的100％的彩色信号，用彩色视频噪声测定器就可测出该磁带的彩色信/噪比。以市场出售的磁带作基准，信/噪比超过它的可判定为O，低于它的即判定为×。(5)运行特性
将薄膜切割成1/2英寸宽的带状，用SFT-700型运行特性试验机((株)横浜系统研究所制造)在40℃、相对湿度80％的大气中运行，可用下式求出第50次运行的摩擦系数：
                   μK＝0.733log(T2/T1)式中T1为入口侧张力，T2为出口侧张力。导辊的直径为φ6mm，导辊的材质为聚氧化甲烯(表面粗糙度约20～40nm)，卷绕角度90°，运行速度3.3cm/s，重复行程为15cm。用这种测定方法得出的μK值为0.35以下时，可判定运行特性为O，超过0.35时，可判定运行特性为×，这μK是用来控制将薄膜加工成磁性记录介质、电容器、包装用品等时操作性能的一个临界点。
                           实施例
下面将根据实施例来说明本发明，但不受这些限制。实施例1
在N-甲基吡咯烷酮(NMP)中，作为芳香族二胺成分，把相当80摩尔％的二氯对苯二胺和相当20摩尔％的4，4′-二氨基苯醚溶解，再加入相当100摩尔％的2-氯对苯二甲酰氯，经2小时的搅拌即聚合完毕。把它用氢氧化锂中和后，就得到了聚合物浓度为10重量％、粘度为3000泊的芳香族聚酰胺溶液。在该溶液中再加入相当聚合物重量2％的原始粒径为16nm，二次粒径为0.2μm的干燥的二氧化硅。
把这聚合物溶液通过5μm孔道的过滤器后，在直径30μm以上的表面缺陷的频度为0.006个/mm2的环带上流淌，用180℃的热风加热2分钟使溶剂蒸发，当薄膜能保持自己的形状后，就连续地从环带上剥离下来。然后把薄膜送入形成NMP浓度梯度的水槽内，使残存的溶剂和由于中和生成的无机盐水萃取出来，再用拉幅烘干机使之经过水分干噪和热处理，这就获得了厚6μm的芳香族聚酰胺薄膜。在此期间薄膜的长宽方向已分别延长了1.2倍和1.3倍，经280℃下1.5分钟的干燥和热处理后，以20℃/s的速度慢慢冷却下来。
该薄膜不与环带接触的一面的表面粗大突起个数H2为20个/100cm2，H1为45个/100cm2，与环带接触一面的表面粗大突起个数H3为40个/100cm2。该薄膜在20℃下的杨氏拉伸模量E20，长宽方向都是1250kg/mm2，与100℃下的杨氏拉伸模量E100之比E100/E20，长宽方向都是0.72。另外，该薄膜在1kg/mm2荷重下的尺寸变化率为0.6％。
其后，该薄膜的运行特性和电磁变换特性经测定均为良好。实施例2
与实施例1同样的聚合物通过5μm孔道的过滤器后，在直径30μm以上的表面缺陷的频度为0.002个/mm2的环带上流淌，用200℃的热风加热2分钟使溶剂蒸发，当薄膜能保持自己的形状后，就连续地从环带上剥离下来。此后用与实施例1相同的方法就得到了厚5μm的芳香族聚酰胺薄膜。
该薄膜不与环带接触的一面，其表面粗大突起个数H2为30个/100cm2，H1为60个/100cm2，与环带接触一面的表面粗大突起个数H3为5个/100cm2。该薄膜在20℃下的杨氏拉伸模量E20，在长宽方向都是1280kg/mm2，与100℃下的杨氏拉伸模量E100之比E100/E20＝0.70，长宽方向都是如此。另外，该薄膜在1kg/mm2荷重下的尺寸变化率为0.6％。
其后，该薄膜的运行特性、电磁变换特性经测定均为良好。实施例3
薄膜在长度方向拉伸1.1倍，宽度方向拉伸1.45倍，其余都与实施例1的作法相同，这样获得了厚5μm的芳香族聚酰胺薄膜。
该薄膜不与环带接触一面的表面粗大突起个数H2为20个/100cm2，H1为45个/100cm2，与环带接触一面的表面粗大突起个数H3为40个/100cm2。该薄膜在20℃下长度方向的杨氏拉伸模量为900kg/mm2，宽度方向的杨氏拉伸模量为1640kg/mm2，是在宽度方向升高张力的薄膜，与在100℃下的杨氏拉伸模量E100之比，长、宽方向各为0.75和0.70。另外，该薄膜在1kg/mm2荷重下的尺寸变化率为0.6％。
其后，该薄膜的运行特性、电磁变换特性经测定均为良好。实施例4
在NMP中，作为芳香族二胺成分，把相当60摩尔％的对苯二胺和相当40摩尔％的4，4′-二氨基苯醚使之溶解，再在其中加入相当100摩尔％的二氯对苯二甲酰氯，经2小时搅拌后即聚合完毕。用氢氧化锂把它中和后，就得到了聚合物浓度为10重量％、粘度为3000泊的芳香族聚酰胺溶液。再往该溶液中加入原始粒径16nm、二次粒径为0.2μm的干燥的二氧化硅，其重量为聚合物重量的2％。
将该聚合物溶液通过5μm孔道的过滤器后，在直径30μm以上的表面缺陷的频度为0.015个/mm2的环带上流淌，用180℃的热风加热2分钟使溶剂蒸发，当薄膜能保持自己的形状后，就连续地从环带上剥离下来。此后就用与实施例1同样的方法得到厚5μm的芳香族聚酰胺薄膜。
该薄膜不与环带接触一面的表面粗大突起个数H2为20个/100cm2，H1为45个/100cm2，与环带接触一面的表面粗大突起个数H3为75个/100cm2。该薄膜在20℃下的杨氏拉伸模量E20，长宽方向均为920kg/mm2，与100℃下的杨氏拉伸模量E100之比E100/E20，长宽方向均等于0.57。另外，该薄膜在1kg/mm2荷重下的尺寸变化率为1.1％。
其后，该薄膜经运行特性和电磁变换特性测定均属良好。实施例5
在NMP中，作为芳香族二胺成分，加入相当100摩尔％的2-氯对苯二胺使之溶解，再在其中加入相当100摩尔％的3，3′，4，4′-双苯四羧酸二酐进行聚合。这就得到了聚酰胺溶液。再在这溶液中加入原始粒径为16μm的干燥二氧化硅，其重量为聚合物重量的2％。
将该聚合物溶液通过5μm孔道的过滤器后，在直径30μm以上的表面缺陷的频度为0.006个/mm2的环带上流淌，用150℃的热风进行干燥直到薄膜能保持自己的形状为止，然后就连续地从环带上剥离下来。其后用420℃的拉幅烘干机进行热处理，然后在20℃/s的速度慢慢冷却下来。拉伸倍率MD和TD均为1.1倍，厚度为6μm。
该薄膜不与环带接触一面的表面粗大突起个数H2为15个/100cm2，H1为40个/100cm2，与环带接触一面的表面粗大突起个数H3为55个/100cm2。该薄膜在20℃下的杨氏拉伸模量E20，长、宽方向均为880kg/mm2，与100℃下的杨氏拉伸模量E100之比E100/E20，长、宽方向均等于0.85。另外，该薄膜在1kg/mm2荷重下的尺寸变化率为0.6％。
其后，该薄膜的运行特性和电磁变换特性经测定均属良好。比较例1
将与实施例1相同的聚合物通过5μm孔道的过滤器后，在直径30μm以上的表面缺陷的频度为0.006个/mm2的环带上流淌，用230℃的热风使溶剂蒸发，然后把能保持自己形状的薄膜从环带上连续地剥离下来。此后就用与实施例1相同的方法获得了厚5μm的芳香族聚酰胺薄膜。
该薄膜不与环带接触一面的表面粗大突起个数H2为70个/100cm2，H1为130个/cm2，与环带接触一面的表面粗大突起个数H3为40个/100cm2。该薄膜在20℃下的杨氏拉伸模量E20，在长、宽方向均为1230kg/mm2，与100℃下的杨氏拉伸模量E100之比E100/E20，在长、宽方向均等于0.69。另外，该薄膜在1kg/mm2荷重下的尺寸变化率为0.6％。
其后，该薄膜的运行特性经测试虽然良好，但测定电磁变换特性的结果是粗大突起个数多，电磁变换特性不良。比较例2
将与实施例1相同的聚合物通过5μm孔道的过滤器后，在直径30μm以上的表面缺陷的频度为0.0001个/mm2的环带上流淌，此后用与实施例1相同的方法获得了厚5μm的芳香族聚酰胺薄膜。
该薄膜不与环带接触一面的表面粗大突起个数H2为15个/100cm2，H1为35个/100cm2，与环带接触一面的表面粗大突起个数H3为1个/100cm2。该薄膜在20℃下的杨氏拉伸模量E20，在长、宽方向均为1250kg/mm2，与在100℃下的杨氏拉伸模量E100之比E100/E20，在长、宽方向均等于0.72。另外，该薄膜在1kg/mm2荷重下的尺寸变化率为0.6％。
其后，该薄膜的电磁变换特性经测定为良好，但测出的运行特性不良。比较例3
将与实施例1相同的聚合物通过5μm孔道的过滤器后，在直径30μm以上的表面缺陷的频度为0.0025个/mm2的环带上流淌，又用与实施例1相同的方法获得了厚5μm的芳香族聚酰胺薄膜。
该薄膜不与环带接触一面的表面粗大突起个数H2为20个/100cm2，H1为50个/100cm2，与环带接触一面的表面粗大突起个数H3为160个/100cm2。该薄膜的在20℃下的杨氏拉伸模量E20，在长、宽方向均为1250kg/mm2，与100℃下的杨氏拉伸模量E100之比，在长、宽方向都是E100/E20＝0.72。另外，该薄膜在1kg/mm2荷重下的尺寸变化率为0.6％。
其后，薄膜的运行特性测定良好，但电磁变换特性经测定结果为不良。比较例4
在NMP中，作为芳香族二胺成分，将相当50摩尔％的对苯二胺和相当50摩尔％的4，4′-二氨基苯醚加以溶解，再往其中加入相当100摩尔％的无水苯均四羧酸，聚合后即获得聚酰胺酸溶液。再往该溶液中加入原始粒径为16nm的干燥二氧化硅，其重量为聚合物重量的2％。
把该溶液通过5μm孔道的过滤器后，在直径30μm以上的表面缺陷的频度为0.006个/mm2的环带上流淌，用180℃的热风进行干燥直到薄膜能保持自己的形状为止，然后就连续地从环带上剥离下来。此后用420℃的拉幅烘干机进行热处理，然后以20℃/s的速度慢慢冷却下来。拉伸倍率MD、TD均为1.1倍，厚度为8μm。
该薄膜不与环带接触一面的表面粗大突起个数H2为20个/100cm2，H1为45个/100cm2，与环带接触一面的表面粗大突起个数H3为50个/100cm2。该薄膜在20℃下的杨氏拉伸模量E20，长度方向为420kg/mm2，宽度方向为430kg/mm2，离宽度方向时针35°方向为450kg/mm2，这个方向的杨氏模量最大。20℃下的杨氏拉伸模量E20与100℃下的杨氏拉伸模量E100之比，在长、宽方向和宽方向时针35°的方向均为E100/E20＝0.80。另外，该薄膜在1kg/mm2荷重下的尺寸变化率为0.6％。
其后，该薄膜的电磁变换特性测定为良好，但运行特性经测定结果为不良。比较例5
在N-甲基吡咯烷酮(NMP)中，作为芳香族二胺成分，溶解相当100摩尔％的4，4′-二氨基二苯基甲烷，再在其中加入相当50摩尔％的邻苯二酰氯和相当50摩尔％的对苯二酰氯，经2小时搅拌即聚合完毕。将该溶液用氢氧化锂中和后，就得到了聚合物浓度为10重量％、粘度为3000泊的芳香族聚酰胺溶液。再在这溶液内加入聚合物重量的2％的原始粒径为16nm，二次粒径为0.2μm的干燥的二氧化硅。
用这聚合物溶液，用与实施例1相同的方法就获得了厚6μm的芳香族聚酰胺薄膜。
该薄膜不与环带接触一面的表面粗大突起个数H2为20个/100cm2，H1为45个/100cm2，与环带接触一面的表面粗大突起个数H3为40个/100cm2。该薄膜20℃下的杨氏拉伸模量E20，在长、宽方向均为900kg/mm2，与在100℃下的杨氏拉伸模量E100之比E100/E20，在长、宽方向均等于0.46。另外，该薄膜在1kg/mm2荷重下的尺寸变化率为2.2％。
其后，该薄膜的运行性能测定为良好，但电磁变换特性经测定为不良。
                    产业上的利用领域
本发明能提供一种有效地利用了芳香族聚酰胺或芳香族聚酰亚胺的优良耐热性能和高刚性，而且借助规定表面特性而能在即使是高温和反复运行等严酷条件下也表现出优异运行特性、耐久性和输出特性的磁性记录介质。
                                             表1
            表面粗大突起数(个/100cm2)    杨氏拉伸模量E20(20℃)(kg/mm2) E100/E20 尺寸变化率(％) 电磁变换特性 运行特性
   II1    II2    II3
实施例1     45     20     40     1250     0.72     0.6     ○     ○
实施例2     60     30     5     1280     0.70     0.6     ○     ○
实施例3 45 20 40 900(MD)1640(TD) 0.75(MD)0.70(TD) 0.6 ○ ○
实施例4     45     20     75     920     0.57     1.1     ○     ○
实施例5     40     15     55     880     0.85     0.6     ○     ○
比较例1 130 70 40 1230 0.69 0.6 × ○
比较例2     35     15     1     1250     0.72     0.6     ○     ×
比较例3     50     20     160     1250     0.72     0.6     ×     ○
比较例4     45     20     50     450     0.80     0.6     ○     ×
比较例5     45     20     40     900     0.46     2.2 ×     ○

Claims (3)

1.一种磁性记录介质，是在用芳香族聚酰胺或芳香族聚酰亚胺制成的片基一面涂敷磁性层，其特征是，其片基的涂敷磁性层一面的通过多重干涉仪观察的具有二层环以上的表面粗大突起个数H2、非磁性层一面的通过多重干涉仪观察的具有三层环以上的表面粗大突起个数H3满足：
                          H2≤50
                          2≤H3≤100同时，该片基在20℃下的至少一个方向杨氏拉伸模量E20和在100℃下的同方向的杨氏拉伸模量E100满足：
                          E20≥800kg/mm2
                          0.5≤E100/E20。
2.按权利要求1所述的磁性记录介质，其特征是，其片基的涂敷磁性层一面的通过多重干涉仪观察的具有一层环以上的表面粗大突起个数H1满足：
                          H1≤100。
3.按权利要求1或2中所述的磁性记录介质，其特征是片基纵向在每1mm2加有1kg/mm2荷重下，在100℃温度和10分钟时间内，其尺寸变化率在2％以下。
CNB951905791A 1994-06-23 1995-06-21 磁性记录介质 Expired - Fee Related CN1136545C (zh)

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP141814/1994 1994-06-23
JP14181494 1994-06-23
JP141814/94 1994-06-23
JP15236094 1994-07-04
JP152360/1994 1994-07-04
JP152360/94 1994-07-04

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1129991A CN1129991A (zh) 1996-08-28
CN1136545C true CN1136545C (zh) 2004-01-28

Family

ID=26473984

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB951905791A Expired - Fee Related CN1136545C (zh) 1994-06-23 1995-06-21 磁性记录介质

Country Status (8)

Country Link
US (2) US5686166A (zh)
EP (1) EP0716414B1 (zh)
KR (1) KR100376157B1 (zh)
CN (1) CN1136545C (zh)
CA (1) CA2169293A1 (zh)
DE (1) DE69530463T2 (zh)
TW (1) TW382701B (zh)
WO (1) WO1996000439A1 (zh)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA2169293A1 (en) * 1994-06-23 1996-01-04 Akimitsu Tsukuda Magnetic recording medium
TW354286B (en) * 1996-05-22 1999-03-11 Toray Industries Thin-film made of aryl polyamide and/or aryl polyimide and magnetic recording media using the same
TW385275B (en) * 1996-08-29 2000-03-21 Toray Industries Aromatic polyamide-based resin molding, a process therefor and magnetic recording medium made from the molding
KR100540731B1 (ko) * 1997-03-21 2006-04-21 도레이 가부시끼가이샤 방향족 폴리아미드 필름 및 그로부터 제조된 자기 기록 매체
US6338896B1 (en) * 1998-03-27 2002-01-15 Fuji Photo Film Co., Ltd. Magnetic recording medium
US6783889B2 (en) * 2000-12-13 2004-08-31 Toray Industries, Inc. Polyester film and magnetic recording medium using the same

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5344957B2 (zh) * 1973-12-28 1978-12-02
DE3379923D1 (en) * 1982-03-30 1989-06-29 Toray Industries Magnetic recording medium
JPH0685208B2 (ja) * 1986-04-21 1994-10-26 帝人株式会社 磁気記録媒体
EP0277783B1 (en) * 1987-02-02 1994-04-06 Canon Kabushiki Kaisha Magnetic recording medium
JPS6453330A (en) * 1987-08-25 1989-03-01 Konishiroku Photo Ind Magnetic recording medium
JPH0677984B2 (ja) * 1989-06-20 1994-10-05 宇部興産株式会社 記録媒体用ポリイミドフィルム及びその製造法
JPH06195679A (ja) * 1992-12-25 1994-07-15 Sony Corp 磁気記録媒体及びその製造方法
CA2169293A1 (en) * 1994-06-23 1996-01-04 Akimitsu Tsukuda Magnetic recording medium

Also Published As

Publication number Publication date
CN1129991A (zh) 1996-08-28
KR100376157B1 (ko) 2003-08-21
WO1996000439A1 (fr) 1996-01-04
KR960703258A (ko) 1996-06-19
TW382701B (en) 2000-02-21
US6010765A (en) 2000-01-04
EP0716414B1 (en) 2003-04-23
US5686166A (en) 1997-11-11
EP0716414A1 (en) 1996-06-12
DE69530463D1 (de) 2003-05-28
EP0716414A4 (en) 1996-12-18
DE69530463T2 (de) 2004-02-12
CA2169293A1 (en) 1996-01-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1303937C (zh) 粘性尘埃除尘器
WO2012008543A1 (ja) ポリイミド前駆体水溶液組成物、及びポリイミド前駆体水溶液組成物の製造方法
KR20090026284A (ko) 폴리이미드 부직포 및 그 제조 방법
CN103930470A (zh) 水性聚酰亚胺前体溶液组合物，以及制备水性聚酰亚胺前体溶液组合物的方法
JP2021042382A (ja) ポリイミドフィルム及び電子デバイス
CN1136545C (zh) 磁性记录介质
CN105906813A (zh) 一种规整嵌段共聚聚酰亚胺硅氧烷单层膜的制备方法
TW202142609A (zh) 單層聚合物膜及電子裝置
KR20180050349A (ko) 다공질막의 제조 방법
JP2000202970A (ja) ポリイミド被覆フィルム
CN106661262A (zh) 多孔性酰亚胺系树脂膜制造系统、隔膜、及多孔性酰亚胺系树脂膜制造方法
CN108473679A (zh) 固化膜及其制造方法
CN1064586C (zh) 由芳香族聚酰胺和/或芳香族聚酰亚胺制成的薄膜以及使用该薄膜的磁性记录载体
JP2012141571A (ja) 芳香族ポリイミドシームレスベルトの製造方法
CN110511424A (zh) 酰亚胺系树脂膜制造系统及酰亚胺系树脂膜制造方法
TWI391223B (zh) 合成樹脂膜之製造方法及合成樹脂膜
CN101260188B (zh) 一种可溶性聚酰亚胺树脂及其组合物及使用了该树脂或组合物的复合材料和挠性电路板
US20230137913A1 (en) Polyimide films
CN109836578A (zh) 聚酰亚胺前驱物及其所制得的光刻图案
JP3862129B2 (ja) 芳香族ポリアミドフィルムおよびそれを用いた磁気記録媒体および感熱転写記録媒体
CN1069775C (zh) 磁记录介质
JPH0288677A (ja) ポリイミドシロキサン組成物および膜
JP2001152013A (ja) 熱安定性半導電ポリアミド酸組成物及びその使用
JP7436023B2 (ja) ポリアミドイミド溶液および多孔質ポリアミドイミドフィルムの製造方法
JPH03114830A (ja) 積層フィルム

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C12 Rejection of a patent application after its publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C17 Cessation of patent right
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20040128

Termination date: 20100621