JPS6334726A - 磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 工　発明の背景 技術分野 本発明は、特に六方晶系の板状磁性粉を含有する磁性層
を有する塗布型の磁気記録媒体に関する。　さらに詳し
くは六方晶系板状磁性粉を特にディスク媒体に使用した
時の耐久走行性を改善し、しかもさらに高記録密度を達
成しようとするものである。

先行技術とその問題点 近年、磁気記録に関して、記録の大容量化、小型化を達
成するために記録密度の向上が強く要望されている。

従来、生産性等に優れたメリットを有する塗布型の磁気
記録媒体としては、γ− Ｆｅ２０３　、Ｃｏ被着ｙＦｅ２０３等の針状磁性粉を
含有させた磁性層を有するものが汎用されてきた。　　
しかしながら、このような磁性粉を有する磁気記録媒体
では、その記録密度に、おのずから限界がある。

そこで、より高記録密度化を可能にならしめる方策とし
て、磁気記録媒体の面に対し垂直方向の残留磁化を用い
る方式が提案されている。

このような垂直方式に用いられる媒体としては、例えば
ＢａフェライトやＳｒフェライト等の六方晶系板状磁性
粉を磁性層に含有する磁気記録媒体がある（特開昭５７
−１９５３２８号公報等）。

このような媒体を用いることによって、より高い記録密
度化が実現でき、特に粒径の微細な磁性粉を使用した場
合この傾向は大きくなる。

しかしながらディスク媒体として微細磁性粉を使用した
場合、媒体使用時の耐久走行に問題がある。

さらにディスク媒体の使用に際しては、高速回転に寄因
する摩擦帯電が発生し、これもまた耐久走行性の向上を
阻害する原因ともなっている。

■　発明の目的 本発明の目的は、使用時の耐久走行性に優れしかも、さ
らに高記録密度化が可能な磁気記録媒体、特に、ディス
ク媒体を提供することにある。

■　発明の開示 このような目的は、下記の本発明によって達成される。

すなわち本発明は、支持体上に、下地層を有し、この上
に、六方晶系板状磁性粉と導電性物質とバインダーとを
含有する磁性層を有し、この磁性層の少なくとも記録側
表面に、炭素数１０〜２２の一塩基性の飽和ないし不飽
和の脂肪酸と炭素数２〜２２のｍ個の飽和ないし不飽和
のアルコールとからなる脂肪酸エステルが存在し、しか
も磁性層側の電気抵抗が５ｘｌＯ’Ω／　ｃ　ｍ　２以
下であることを特徴とする磁気記録媒体である。

■　発明の具体的構成 以下、本発明の具体的構成について詳細に説明する。

本発明の磁気記録媒体は、支持体上に磁性層を存し、さ
らに、この磁性層の少なくとも記録側表面上に後述する
所定のエステル化合物が存在し、しかも磁性層全体の電
気抵抗が５×１０９Ω／ｃｍ２以下となるように構成さ
れている。　本発明の磁性層中には下記に示すような板
状磁性粉と導電性物質とバインダーとが含有される。

磁性粉は、好ましくは六角板状のバリウムフェライト系
のものであり、電磁変換特性」＝、平均粒径が０．２−
以下、特に０．０１〜０．１５−のものが好ましい。

板状比は特に制限はないが４以上、特に６以上、さらに
は１０以上であるものが良い傾向である。　この場合、
板状比の上限値には特に制限はないが、通常、６０以下
である。

また、平均厚みは、０．００１〜０．１−程度である。

ここで、平均粒径とは、電子顕微鏡写真（走査形電子顕
微鏡（ＳＥＭ）および透過形電子顕微ｍ（ＴＥＭ））に
よって、例えば六方晶系のバリウムフェライト粒子の断
面５０個程度を観察し、粒径についての測定値を平均に
したものである。

また、Ｘ線回折による半値巾等によっても、測定可能で
ある。

平均厚みも上記の測定方法等に従えばよい。

また、板状比とは平均粒径／平均厚みの値である。　平
均粒径が０．２−をこえるとＣ／Ｎ比が悪くなり、実用
上好ましくない。

本発明で用いられる板状磁性粉は、通常板状比が大きく
なるほど配向しやすくなるため、板状比の大きいものを
用いれば垂直角型比が良好となり高密度化が容易に達成
される。　さらに耐久走行性もすぐれたものとなる。

バリウムフェライトとしては、 Ｂ　ａ　Ｆ　８１２０１９等の六方晶バリウムフェライ
トやバリウムフェライトのＢａ、Ｆｅの一部をＣａ、Ｓ
ｒ、Ｐｂ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｃｒ。

Ｚｎ、Ｉ　ｎ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｇｅ、Ｎｂ、Ｚｒ。

Ｓｎその他の金属で置換したもの等が挙げられる。

これらは併用してもよい。

また、六方晶ストロンチウムフェライトＳ　ｒ　Ｆ　ｅ
　１２０１ｇ、あるいはこれを上記に準じて置換したも
のであってもよい。

バリウムフェライト等の製法としては、セラミック法、
共沈−焼成法、水熱合成法、フラックス法、ガラス結晶
化法、アルコキシド法、プラズマジェット法等があり、
本発明ではいずれの方法を用いてもよい。　これらの方
法の詳細については小池吉康　、久保修共著“セラミッ
クス１８　（１９８３）　Ｎｏ、　　１０”などを参照
することができる。

このような磁性粉に加えて、磁性層中には下記の導電性
物質か含有される。

すなわち、導電性物質としては、いずわのものも使用可
能であるが、なかでも特にカーボンブラック、グラファ
イト、グラファイト化カーボンブラック等が好ましい。

カーボンブラックはファーネス、チャンネル、アセチレ
ン、サーマル、ランプ等いずれの方法で製造されたもの
でもよいが、アセチレンブラック、ファーネスブラック
、チャンネルブラック、ローラーおよびディスクブラッ
ク、およびドイツナフタリンブラックが好ましい。

本発明で使用するカーボンブラックの粒子径はどのよう
なものでもよいが、好ましいのは、電子顕微鏡撮影法に
より測定して１０〜１００ｎｕｎ、特に好ましくは１０
〜８０ｎｍである。　さらに粒子径について言えば、粒
子径１００ｒ＋ｍをこえると媒体の表面粗度が悪くなり
、磁性層塗布後の定時低下の原因となる。　またｆＯｎ
ｍ未満では分散かうまくいかず、やはり媒体の表面粗度
が悪くなる。

カーボンブラックには特殊なものとしてグラファイト化
カーボンブラックがあり、本発明ではグラファイト化カ
ーボンブラックも用いることができる。

グラファイト化カーボンブラックは、表面に炭素層面が
平行にならんだ殻のような構造がみられ、内部中心に近
い部分には空隙がみられる。　また多少角ばった中空カ
プセル状の形態のものもある。　そのためグラファイト
化カーボンブラックはカーボンブラックと構造上界なり
、電子顕微鏡により明確に区別することができる。　こ
の表面膜はグラファイト化されているためか滑らかであ
る。

グラファイト化したカーボンブラックはカーボンブラッ
ク中に含まれる微量の不純物（Ｓ、Ｃｕ）含有量が極め
て少なく、また水分の吸着性も弱く、非常に特徴のある
カーボンブラックである。　水分の吸着力が弱いと通常
はカーボンブラックの分散性か悪くなるが、グラファイ
ト化したカーボンブラックは意外にも水分が少ないにも
かかわらず、分散性が低下しない。

しかも表面がグラファイト化され殻になっているので、
非常に摩擦が低く、また水分の吸着力が弱いため、グラ
ファイト化カーボンを入れたものは高温多湿下で使用し
た場合好ましく、その効果か発揮される。

カーホンブラックは導電性を有するか、導電性は粒子の
小さい程良好となる。　グラファイト化カーボンは粒子
の結晶構造がグラファイト化の進行と共に導電性を与え
る。　そしてカーボンブラックの表面の揮発物や油性分
が導電性を阻害するので、これらを除去すると導電性が
向上するから、帯電防止の点でも有利であり、グラファ
イト化したカーボンブラックを用いることによりドロッ
プアウトの少ない磁気記録媒体が得られる。

グラファイト化したカーボンブラックは、アセチレンブ
ラック、ファーネスブラック、チャンネルブラック、ロ
ーラーおよびディスクブラックおよびドイツナフタリン
ブラック等のカーボンブラックを２７００〜３０００℃
の温度で加熱処理したものであり、平均粒子径１０〜１
１００ｎ、好ましくは１０〜８０ｎＩＩ＋１比表面８￥
ＢＥＴ２０〜３００ｒｎ”７ｇ、揮発分１．０％以下の
ものであり、例えば＃４０００Ｂ（三菱化成工業株式会
社）を挙げることができる。

また、本発明で使用することもあるグラファイト化カー
ボンブラックはｐＨが８以上のものが好ましい。

このような導電性物質は磁性粉１００重量部に対して、
９〜３０ｆｆｉｉ部の割合で含有される。

この値が３０重量部をこえると塗料中での分散性が悪く
なり、媒体の表面粗度の低下をまねき、ひいては線記録
密度特性に悪影雪をおよげす。− また９重量部未満であると、下記の所定の電気抵抗値を
維持するのかの困難となり、摩擦帯電が発生しやすくな
り、耐久走行性が悪くなる。

このような導電性物質と、上記の磁性粉および後述する
バインダーとが含有される磁性層側の電気抵抗は５ｘｌ
Ｏ９Ω／ｃｍ２以下、特にＩ　Ｘ　１０’Ω／ｃｍ２以
下が好ましい。

本発明において後述する所定の脂肪酸エステルを磁性層
表面に存在させ、しかも磁性層の下に下地層を設け、さ
らに媒体磁性層側の電気抵抗を５×１０９Ω／　ｃ　ｍ
　”以下にするのは、摩擦低下および高耐久性を得るた
めである。　特に、六方晶系板状磁性粉を用いる場合は
、耐久走行性を向上させるうえにおいては、上記いずれ
かの構成要素がかければ、十分満足のいく効果は発現し
ない。

なお、媒体の磁性層側の電気抵抗を測定するニハ、ＪＩ
Ｓ　（：　２３１８電気用ポリ工ステルフイルム体積抵
抗率の測定法に準じて行う。

このような導電性物質と磁性粉と後述するバインダーと
を含有する磁性層の厚さは、用いる磁性粉の形状寸法に
よって様々の値をとりうるが、通常０．１〜５−程度、
好ましくは０．　１〜４ｐｘｎである。

この値が上記の範囲をこえ磁性層を厚くシすぎると、磁
性粉の垂直配向度が悪くなるため磁性層表面の表面粗度
も悪くなる。　またＣ／Ｎ比も悪くなり、線記録密度も
低下する。

この磁性層表面の表面粗度Ｒ２０＝Ｏ，ｏａ鱗以下であ
り、特にＲ２０＝０．０６−以下であることが好ましい
。　通常、このＲπの限界値は０．０１程度である。

Ｒ２０が０．ｏｓ、ａをこえると、表面粗度が悪くなっ
てヘッドタッチが悪くなり、Ｃ／Ｎ比が悪化したり、線
記録密度も低下するからである。

ここで、表面粗度Ｒ２０の定義と表示は、ＪＩＳＢ　０
６０１に記載されている１０点平均表面粗度ＲＩＧに準
じ、測定点を１０点から２０点に増して新たに規定した
ものである。

すなわち、２０点平均表面粗度Ｒ２０は、例えば触針針
により描き出された断面曲線を用い、この断面曲線から
基準長さだけ抜き取った部分において、記録チャート進
行方向に記入した各山頂、谷底の平均線に並行、かつ断
面曲線を横切らない任意の基準直線から縦倍率の方向に
測定した最高から１０番目までの山頂の標高の平均値と
、最深から１０番目までの谷底までの山頂の標高の平均
値と、最深から１０番目までの谷底の標高の平均値との
差をマイクロメーター（−）で表わしたものをいう。

なお、２０点平均表面粗度Ｒ２０を求める場合の基準長
さしは、原則として２０点平均表面粗度Ｒ２０の範囲に
よって異なり、 ０．８−≦Ｒ２０の場合、Ｌ＝０．２５ｍｍ０．８４＜
Ｒ２０≦６．３−の場合 Ｌ＝０．８１１１Ｑ＋ ６．３１ｍ（Ｒ２０≦２５−の場合 Ｌ＝２．５１！ｌｍ ２５４＜Ｒ２０≦１００７ｍの場合 Ｌ　　＝　　８　　ｍｍ １００　ｐ＜　Ｒ２０≦４００−の場合Ｌ＝２５ｍｎ＋ とする。

また、カットオ）値は、触針スピード３０−／ｓｅｃで
、０．１８〜９Ｈｚ程度とする。

また、触針計の針先端面の大きさは０．１×２．５−１
針圧は２ＩＩＩｇとする。

このような磁性粉と、導電性物質と後述するバインダー
とを含有する磁性層の少なくとも記録表面上には下記の
化合物が存在する。

すなわち、この化合物としては、炭素数１０〜２２、よ
り好ましくは１０〜１８の一塩基性の飽和ないし不飽和
の脂肪酸と、炭素数２〜２２、より好ましくは、２〜１
８のｍ個の飽和ないし不飽和のアルコールとからなる脂
肪酸エステルである。　上記脂肪酸の炭素数が１０未満
でしかもアルコールの炭素数が２未満となると、エステ
ルの融点が低くなり、そのため潤滑効果があられれず耐
久性の向上が期待できない。

また、上記脂肪酸およびアルコールの炭素数がそれぞれ
２２をこえると、エステルの融点が高くなり、溶融性が
悪く、そのため潤滑効果があられれず耐久性の向上が期
待できない。

エステルにおける脂肪酸および／またはアルコールの脂
肪族鎖は飽和でも不飽和であってもよく、ｎ一体、ｉ一
体等種々のものであフてもよい。

このようなエステルの具体例としては、カプリン酸ブチ
ル、カプリン酸オクチル、カプリン酸イソオクチル、カ
プリン酸２エチルヘキシル、カプリン酸デシル、カプリ
ン酸イソデシル、カプリン酸ラウリル、カプリン酸トリ
デシル、カプリン酸イソトリデシル、カプリン酸ミリス
チル、カプリン酸イソテトラデシル、カプリン酸セチル
、カプリン酸イソヘキサデシル、カプリン酸ステアリル
、カプリン酸イソステアリル、カプリン酸オレイル、 ラウリン酸ビニル、ラウリン酸プロピル、ラウリン酸イ
ソプロピル、ラウリン酸ブチル、ラウリン酸イソブチル
、ラウリン酸アミル、ラウリン酸イソアミル、ラウリン
酸へブチル、ラウリン酸イソへブチル、ラウリン酸オク
チル、ラウリン酸イソオクチル、ラウリン酸２エチルヘ
キシル、ラウリン酸デシル、ラウリン酸イソデシル、ラ
ウリン酸ドデシル、ラウリン酸イソドデシル、ラウリン
酸トリデシル、ラウリン酸イントリデシル、ラウリン酸
ミリスチル、ラウリン酸インミリスチル、ラウリン酸ペ
ンタデシル、ラウリン酸インペンタデシル、ラウリン酸
セチル、ラウリン酸イソセチル、ラウリン酸ステアリル
、ラウリン酸イソステアリル、ラウリン酸オレイル、ラ
ウリン酸リシノール、ラウリン酸リノール、 ミリスチン酸ビニル、ミリスチン酸プロピル、ミリスチ
ン酸イソプロピル５ミリスチン酸ブチル、ミリスチン酸
イソブチル、ミリスチン酸アミル、ミリスチン酸イソア
ミル、ミリスチン酸へブチル、ミリスチン酸イソへブチ
ル、ミリスチン酸オクチル、ミリスチン酸インオクチル
、ミリスチン酸２エチルヘキシル、ミリスチン酸デシル
、ミリスチン酸イソデシル、ミリスチン酸ドデシル、ミ
リスチン酸イソドデシル、ミリスチン酸トリデシル、ミ
リスチン酸イントリデシル、ミリスチン酸ミリスチル、
ミリスチン酸イソミリスチル、ミリスチン酸ペンタデシ
ル、ミリスチン酸インペンタデシル、ミリスチン酸セチ
ル、ミリスチン酸イソセチル、ミリスチン酸ステアリル
、ミリスチン酸イソステアリル、ミリスチン酸オレイル
、ミリスチン酸リシノール、ミリスチン酸リノール、 インミリスチン酸プロピル、インミリスチン酸イソプロ
ピル、イソミリスチン酸ブチル、イソミリスチン酸イソ
ブチル、イソミリスチン酸アミル、イソミリスチン酸イ
ソアミル、イソミリスチン酸へブチル、インミリスチン
酸イソへブチル、イソミリスチン酸オクチル、イソミリ
スチン酸イソオクチル、イソミリスチン酸２エチルヘキ
シル、イソミリスチン酸デシル、イソミリスチン酸イソ
デシル、イソミリスチン酸ドデシル、イソミリスチン酸
イソドデシル、インミリスチン酸トリデシル、イソミリ
スチン酸イソトリデシル、インミリスチン酸ミリスチル
、イソミリスチン酸イソミリスチル、インミリスチン酸
ペンタデシル、イソミリスチン酸イソペンタデシル、イ
ソミリスチン酸セチル、イソミリスチン酸イソセチル、
イソミリスチン酸ステアリル、イソミリスチン酸イソス
テアリル、イソミリスチン酸オレイル、イソミリスチン
酸リシノール、イソミリスチン酸リノール、パルミチン
酸ビニル、バルミチン酸プロピル酸、バルミチン酸イソ
プロピル、パルミチン酸ブチル、パルミチン酸イソブチ
ル、バルミチン酸アミル、パルミチン酸イソアミル、パ
ルミチン酸へブチル、パルミチン酸イソヘプチル、バル
ミチン酸オクチル、パルミチン酸イソオクチル、パルミ
チン酸２エチルヘキシル、パルミチン酸デシル、バルミ
チン酸イソデシル、パルミチン酸ドデシル、パルミチン
酸インドデシル、バルミチン酸トリデシル、パルミチン
酸イントリデシル、パルミチン酸ミリスチル、バルミチ
ン酸イソミリスチル、パルミチン酸ペンタデシル、バル
ミチン酸インペンタデシル、バルミチン酸セチル、バル
ミチン酸イソセチル、バルミチン酸ステアリル、バルミ
チン酸イソステアリル、バルミチン酸オレイル、バルミ
チン酸リシノール、バルミチン酸リノール、 インパルミチン酸ビニル、イソパルミチン酸プロピル、
イソパルミチン酸イソプロピル、イソパルミチン酸ブチ
ル、イソパルミチン酸イソブチル、イソパルミチン酸ア
ミル、イソパルミチン酸イソアミル、イソパルミチン酸
ヘプチル、イソパルミチン酸イソへブチル、イソパルミ
チン酸オクチル、インパルミチン酸インオクチル、イソ
パルミチン酸２エチルヘキシル、インバルミチン酸デシ
ル、イソパルミチン酸イソデシル、イソパルミチン酸ド
デシル、イソパルミチン酸イソドデシル、イソパルミチ
ン酸トリデシル、イソパルミチン酸イソトリデシル、イ
ソパルミチン酸ミリスチル、イソパルミチン酸イソミリ
スチル、イソパルミチン酸ペンタデシル、イソパルミチ
ン酸イソペンタデシル、イソパルミチン酸セチル、イソ
パルミチン酸イソセチル、イソパルミチン酸ステアリル
、インパルミチン酸イソステアリル、インバルミチン酸
オレイル、イソパルミチン酸リシノール、イソパルミチ
ン酸リノール、 ステアリン酸ビニル、ステアリン酸プロピル、ステアリ
ン酸イソプロピル、ステアリン酸ブチル、ステアリン酸
イソブチル、ステアリン酸アミル、ステアリン酸イソア
ミル、ステアリン酸へブチル、ステアリン酸イソへブチ
ル、ステアリン酸オクチル、ステアリン酸イソオクチル
、ステアリン酸２エチルヘキシル、ステアリン酸デシル
、ステアリン酸イソデシル、ステアリン酸ドデシル、ス
テアリン酸イソドデシル、ステアリン酸トリデシル、ス
テアリン酸イソトリデシル、ステアリン酸ミリスチル、
ステアリン酸イソミリスチル、ステアリン酸ペンタデシ
ル、ステアリン酸イソペンタデシル、ステアリン酸セチ
ル、ステアリン酸イソセチル、ステアリン酸ステアリル
、ステアリン酸イソステアリル、ステアリン酸オレイル
、ステアリン酸リシノール、ステアリン酸リノール、 イソステアリン酸ビニル、イソステアリン酸プロピル、
イソステアリン酸イソプロピル、イソステアリン酸ブチ
ル、イソステアリン酸イソブチル、イソステアリン酸ア
ミル、イソステアリン酸イソアミル、イソステアリン酸
ヘプチル、イソステアリン酸イソヘプチル、イソステア
リン酸オクチル、イソステアリン酸イソオクチル、イソ
ステアリン酸２エチルヘキシル、イソステアリン酸デシ
ル、イソステアリン酸イソデシル、イソステアリン酸ド
デシル、イソステアリン酸イソドデシル、イソステアリ
ン酸トリデシル、イソステアリン酸イントリデシル、イ
ソステアリン酸ミリスチル、イソステアリン酸インミリ
スチル、イソステアリン酸ペンタデシル、イソステアリ
ン酸イソペンタデシル、イソステアリン酸セチル、イソ
ステアリン酸イソセチル、イソステアリン酸ステアリル
、イソステアリン酸インステアリル、イソステアリン酸
オレイル、イソステアリン酸リシノール、イソステアリ
ン酸リノール、 オレイン酸ブチル、オレイン酸イソブチル、オレイン酸
アミル、オレイン酸イソアミル、オレイン酸へブチル、
オレイン酸イソへブチル、オレイン酸オクチル、オレイ
ン酸イソオクチル、オレイン酸２エチルヘキシル、オレ
イン酸デシル、オレイン酸イソデシル、オレイン酸ドデ
シル、オレイン酸インドデシル、オレイン酸トリデシル
、オレイン酸イソトリデシル、オレイン酸ミリスチル、
オレイン酸イソミリスチル、オレイン酸ペンタデシル、
オレイン酸イソペンタデシル、オレイン酸セチル、オレ
イン酸イソセチル、オレイン酸ステアリル、オレイン酸
イソステアリル、オレイン酸オレイル、オレイン酸リシ
ノール、オレイン酸リノール、エライジン酸ブチル、エ
ライジン酸イソブチル、エライジン酸アミル、エライジ
ン酸イソアミル、エライジン酸へブチル、エライジン酸
イソヘプチル、エライジン酸オクチル、エライジン酸イ
ソオクチル、エライジン酸２エチルヘキシル、エライジ
ン酸デシル、エライジン酸イソデシル、エライジン酸ド
デシル、エライジン酸イソドデシル、エライジン酸トリ
デシル、エライジン酸イソトリデシル、エライジン酸ミ
リスチル、エライジン酸イソミリスチル、エライジン酸
ペンタデシル、エライジン酸イソペンタデシル、エライ
ジン酸セチル、エライジン酸イソセチル、エライジン酸
ステアリル、エライジン酸インステアリル、エライジン
酸オレイル、エライジン酸リシノール、エライジン酸リ
ノール、 １０−オクタデセン酸ブチル、１０−オクタデセン酸イ
ソブチル、１０−オクタデセン酸アミル、１０−オクタ
デセン酸イソアミル、ｌＯ−オクタデセン酸へブチル、
１０−オクタデセン酸イソへブチル、ｌＯ−オクタデセ
ン酸オクチル、１０−オクタデセン酸インオクチル、ｌ
Ｏ−オクタデセン酸２エチルヘキシル、ｌＯ−オクタデ
セン酸デシル、１０−オクタデセン酸イソデシル、１０
−オクタデセン酸ドデシル、１０−オクタデセン酸イン
ドデシル、１０−オクタデセン酸トリデシル、１０−オ
クタデセン酸イントリデシル、１０−オクタデセン酸ミ
リスチル、１０−オクタデセン酸イソミリスチル、１０
−オクタデセン酸ペンタデシル、１０−オクタデセン酸
イソペンタデシル、１〇−オクタデセン酸セチル、１０
−オクタデセン酸イソセチル、１０−オクタデセン酸ス
テアリル、１０−オクタデセン酸イソステアリル、１０
−オクタデセン酸オレイル、１０−オクタデセン酸リシ
ノール、１０−オクタデセン酸リノール、 リシノール酸ブチル、リシノール酸イソブチル、リシノ
ール酸アミル、リシノール酸イソアミル、リシノール酸
へブチル、リシノール酸イレヘブチル、リシノール酸オ
クチル、リシノール酸イソオクチル、リシノール酸２エ
チルヘキシル、リシノール酸デシル、リシノール酸イソ
デシル、リシノール酸ドデシル、リシノール酸イソドデ
シル、リシノール酸トリデシル、リシノール酸イントリ
デシル、リシノール酸ミリスチル、リシノール酸インミ
リスチル、リシノール酸ペンタデシル、リシノール酸イ
ソペンタデシル、リシノール酸セチル、リシノール酸イ
ソセチル、リシノール酸ステアリル、リンノール酸イソ
ステアリル、リシノール酸オレイル、リシノール酸リシ
ノール、ワシノール酸リノール　、 リノール酸ブチル、リノール酸イソブチル、リノール酸
アミル、リノール酸イソアミル、リノール酸へブチル、
リノール酸イソへブチル、リノール酸オクチル、リノー
ル酸イソオクチル、リノール酸２エチルヘキシル、リノ
ール酸デシル、リノール酸イソデシル、リノール酸ドデ
シル、リノール酸イソドデシル、リノール酸トリデシル
、リノール酸イソトリデシル、リノール酸ミリスチル、
リノール酸イソミリスチル、リノール酸ペンタデシル、
リノール酸イソペンタデシル、リノール酸セチル、リノ
ール酸イソセチル、リノール酸ステアリル、リノール酸
インステアリル、リノール酸オレイル、リノール酸リシ
ノール、リノール酸リノール、これらのエステルの融点
は、−２５〜７５℃、特に、−２５〜６５℃、さらに−
２０〜４５℃、さらに−２０〜３５℃のものが好ましく
、これらのものは特に耐久走行性に優れた効果を発揮す
る。

このような脂肪酸エステルは磁性粉１００重量部に対し
て総計２０重量部以下、特に０．１〜１５重量部使用す
ることが好ましい。

このような化合物に加え、さらに脂肪酸、脂肪酸のアル
カリ金属もしくはアルカリ土類金属からなる金属セッケ
ン、シリコーンオイル、フッ素オイル、パラフィン、流
動パラフィン、界面活性剤等も併用可能である。

脂肪酸としては、カプリル酸、カプリン酸、ラウリン酸
、ミリスチン酸、バルミチン酸、ステアリン酸、ベヘン
酸、オレイン酸、エライジン酸、リノール酸、リルン酸
、ステアロール酸等の炭素数８以上の脂肪ｆＩｌ（ＲＣ
ＯＯＨ，Ｒは炭素数７以上のアルキル基）が好ましい。

上述した脂肪酸エステルを磁性層の少なくとも記録側表
面上に存在させるには、以下の方法等がある。

すなわち、通常は、後述するバインダー中に磁性粉と上
記脂肪酸エステルとその他の所定の添加物を分散混合し
たものを支持体上に直接あるいは中間層を介して塗布す
ればよい。

また、あらかじめ支持体上に塗布されたバインダーと磁
性粉とを含有する磁性層上に上記脂肪酸エステルを塗布
または蒸着などによってトップコートとして被着させて
もよい。

この場合、脂肪酸エステルは必要に応じて磁性層上の全
面にあるいは部分的に点在させるように被着させてもよ
い。

さらには、磁性層中に添加するとともにトップコートと
して設けてもよい。

トップコート層として設ける場合、その１摸厚は通常程
度とし、トップコート層を塗設する前のトップコート溶
液中の脂肪酸エステル含有量は０．１〜１５胃Ｌｔ程度
とする。

本発明において、このように磁性層の少なくとも記録側
表面上に所定の脂肪酸エステルを存在させることによっ
て、媒体の耐久走行性は格段と向トする。　従って、−
原記録された情報の信頼性はきわめて高いものとなる。

磁性層に含有されるバインダーは、放射線硬化性、熱可
塑性樹脂、熱硬化性もしくは反応型樹脂またはこれらの
混合物等が使用されるが、得られる膜強度等から熱硬化
性樹脂、放射線硬化性樹脂を用いることが好ましい。

熱可塑性樹脂としては軟化温度が１５０℃以下、平均分
子量１０，０００〜 ２００．０００、重合度２００〜２．０００程度のもの
である。

熱硬化樹脂または反応型樹脂としてもこのような重合度
等のものであり、塗布、乾燥後に加熱することにより、
縮合、付加等の反応により分子量は無限大のものとなる
ものである。　そして、これらの樹脂のなかで、樹脂が
熱分解するまでの間に軟化または溶融しないものが好ま
しい。

具体的には例えばフェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリ
ウレタン硬化型樹脂、尿素樹脂、ブチラール樹脂、ホル
マール樹脂、メラミン樹脂、アルキッド樹脂、シリコー
ン樹脂、アクリル系反応樹脂、ポリアミド樹脂、エポキ
シ−ポリアミド樹脂、飽和ポリエステル樹脂、尿素ホル
ムアルデヒド樹脂などの縮重合系の樹脂あるいは高分子
ｍポリエステル樹脂とイソシアネートプレポリマーの混
合物、メタクリル酸塩共重合体とジイソシアネートプレ
ポリマーの混合物、ポリエステルポリオールとポリイソ
シアネートの混合物、低分子量グリコール／高分子１ジ
オール／トリフエニルメタントリイソシアネートの混合
物など、上記の縮重合系樹脂とイソシアネート化合物な
どの架橋剤との混合物、塩化ビニル−酢酸ビニル（カル
ボン酸含有も含む）、塩化ビニル−ビニルアルコール−
酢酸ビニル（カルボン酸含有も含む）、塩化ビニル−塩
化ビニリデン、塩化ビニル−アクリロニトリル、ビニル
ブチラール、ビニルホルマール等のビニル共重合系樹脂
と架橋剤との混合物、ニトロセルロース、セルロースア
セトブチレート等の繊維素系樹脂と架橋剤との混合物、
ブタジェン−アクリロニトリル等の合成ゴム系と架橋剤
との混合物、さらにはこれらの混合物が好適である。

そして、特に、エポキシ樹脂とブチラール樹脂とフェノ
ール樹脂との混合物、米国特許第３．０５８，８４４号
に記載のエポキシ樹脂とポリビニルメチルエーテルとメ
チロールフェノールエーテルとの混合物、また特開昭４
９−１３１１０１号に記載のビスフェノールＡ型エポキ
シ樹脂とアクリル酸エステルまたはメタクリル酸エステ
ル重合体との混合物が好ましい。

このような、熱硬化性樹脂を硬化するには、一般に加熱
オーブン中で５０〜８０℃にて６〜１００時間加熱すれ
ばよい。

バインダーとしては、放射線硬化型化合物を硬化したも
の、すなわち放射線硬化性樹脂を用いたものが特に好ま
しい。

放射線硬化性化合物の具体例としては、ラジカル重合性
を有する不飽和二重結合を示すアクリル酸、メタクリル
酸、あるいはそれらのエステル化合物のようなアクリル
系二重「結合、ジアリルフタレートのようなアリル系二
重結合、マレイン酸、マレイン酸誘導体等の不飽和結合
等の放射線照射による架橋あるいは重合乾燥する基を熱
可塑性樹脂の分子中に含有または導入した樹脂である。

　その他放射線照射により架橋重合する不飽和二重結合
を有する化合物であれば用いることかできる。

放射線照射による架橋あるいは重合乾燥する基を熱可塑
性樹脂の分子中に含有する樹脂としては次の様な不飽和
ポリエステル樹脂がある。

分子鎖中に放射線硬化性不飽和二重結合を含有するポリ
エステル化合物、例えば下記（２）の多塩基酸と多価ア
ルコールのエステル結合から成る飽和ポリエステル樹脂
で多塩基酸の一部をマレイン酸とした放射線硬化性不飽
和二重結合を含有する不飽和ポリエステル樹脂を挙げる
ことかできる。　放射線硬化性不飽和ポリエステル樹脂
は多塩基酸成分１種以上と多価アルコール成分１種以上
にマレイン酸、フマル酸等を加え常法、すなわち触媒の
存在下で、ｉｓｏ〜２００℃、窒素雰囲気下、脱水ある
いは説アルコール反応の後、２４０〜２８０℃まで昇温
し、０．５〜ｌｍｍＨｇの減圧下、縮合反応により得る
ことができる。　マレイン酸やフマル酸等の含有量は、
製造時の架橋、放射線硬化性等から酸成分中１〜４０モ
ル％、好ましくは１０〜３０モル％である。

放射線硬化性樹脂に変性できる熱可塑性樹脂の例として
は、次のようなものを挙げることができる。

（１）塩化ビニール系共重合体 塩化ビニール−酢酸ビニール−ビニールアルコール共重
合体、塩化ビニール−ビニールアルコール共重合体、塩
化ビニール−ビニールアルコール−プロピオン酸ビニー
ル共重合体、塩化ビニール−酢酸ビニール−マレイン酸
共重合体、塩化ビニール−酢酸ビニール−ビニルアルコ
ール−マレイン酸共重合体、塩化ビニール−酢酸ビニー
ル−末端ＯＨ側鎖アルキル基共重合体、例えばＵＣＣ社
製ＶＲＯＨ，ＶＹＮＣｌＶＹＥＧＸ、　　ＶＥＲＲ，Ｖ
ＹＥＳ、　　ＶＭＣＡ　、ＶＡＧＨ，ＵＣＡＲＭＡＧ５
２０　、　ＵＣＡＲＭＡＧ５２８等が挙げられ、このも
のにアクリル系二重結合、マレイン酸系二重結合、アリ
ル系二重結合を導入して放射線感応変性を行う。

これらはカルボン酸を含有してもよい。

（２）飽和ポリエステル樹脂 フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、コハク酸、ア
ジピン酸、セバシン酸のような飽和多塩基酸と、エチレ
ングリコール、ジエチレングリコール、グリセリン、ト
リメチロールプロパン、１．２プロピレングリコール、
！、３ブタンジオール、ジプロピレングリコール、１゜
４ブタンジオール、１．６ヘキサンジオール、ペンタエ
リスリット、ソルビトール、グリセリン、ネオペンチル
グリコール、１．４シクロヘキサンジメタツールのよう
な多価アルコールとのエステル結合により得られる飽和
ポリエステル樹脂またはこれらのポリエステル樹脂をＳ
Ｏ３Ｎａ等で変性した樹脂（例えばバイロン５３Ｓ）が
例として挙げられ、これらも放射線感応変性を行う。

（３）ポリビニルアルコール＆　樹１１ｉ’ｆポリビニ
ルアルコール、ブチラール樹脂、アセタール樹脂、ホル
マール樹脂およびこれらの成分の共重合体で、これら樹
脂中に含まれる水酸基に対し放射線感応変性を行う。

（４）エポキシ系樹脂、フォノキシ系樹脂ビスフェノー
ルＡとエピクロルヒドリン、メチルエピクロルヒドリン
の反応によるエポキシ樹脂、例えばシェル化学製（エピ
コート＋５２．１５４　、８２８　、　ｆｏｏｌ、１０
０４、＋００７）　、ダウケミカル族（ＤＥＮ４３１　
、ＤＥＲ７３２、ＤＥＲ５１１、ＤＥＲ３３り、大日本
インキ製（エビクロン４００　、８００）、さらに上記
エポキシの高重合度樹脂であるＵＣＣ社製フェノキシ樹
脂（ＰにＨＡ、ＰＫＨＣ，ＰＫＨＨ）、臭素化ビスフェ
ノールＡとエピクロルヒドリンとの共重合体、大日本イ
ンキ化学工業製（エビクロン１４５．１５２．１５３　
、１１２０）等があり、またこれらにカルボン酸基を含
有するものも含まれる。　これら樹脂中に含まれるエポ
キシ基を利用して放射線感応変性を行う。

（５）繊維素誘導体 各種のものが用いられるが、特に効果的なものは硝化綿
、セルローズアセトブチレート、エチルセルローズ、ブ
チルセルローズ、アセチルセルローズ等が好適である樹
脂中の水酸基を活用して放射線感応変性を行う。

その他、放射線感応変性に用いることのできる樹脂とし
ては、多官能ポリエステル樹脂、ポリエーテルエステル
樹脂、ポリビニルピロリドン樹脂および誘導体（ｐｖｐ
オレフィン共重合体）、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹
脂、フェノール樹脂、スピロアセタール樹脂、水酸基を
含有するアクリルエステルおよびメタクリルエステルを
組合成分として少なくとも一種含むアクリル系樹脂等も
有効である。

以ドにエラストマーもしくはプレポリマーの例を挙げる
。

（１）ポリウレタンエラストマーもしくはプレポリマー ポリウレタンの使用は耐摩耗性、および基体フィルム、
例えばＰＥＴフィルムへの接着性か良い点で特に有効で
ある。　ウレタン化合物の例としては、イソシアネート
として、２．４−トルエンジイソシアネート、２．６−
１−ルエンジイソシアネート、１．３−キシレンジイソ
シアネート、！、４−キシレンジイソシアネート、１．
５−ナフタレンジイソシアネート、ｍ−フェニレンジイ
ソシアネート、ｐ−フェニレンジイソシアネート、３．
３′−ジメチル−４，４′−ジフェニルメタンジイソシ
アネート、４．４′−ジフェニルメタンジイソシアネー
ト、３．３′−ジメチルビフェニレンジイソシアネート
、４．４′−ビフェニレンジイソシアネート、ヘキサメ
チレンジイソシアネート、イソフォロンシイソシアネー
ト、ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、デスモ
ジュールＬ、デスモジュールＮ等の各種多価イソシアネ
ートと、線状飽和ポリエステル（エチレングリコール、
ジエチレングリコール、グリセリン、トリメチロールプ
ロパン、１．４−ブタンジオール、１，６−ヘキサンジ
オール、ペンタエリスリット、ソルビトール、ネオペン
チルグリコール、１．４−シクロヘキサンジメタツール
の様な多価アルコールと、フタル酸、イソフタル酸、テ
レフタル酸、コハク酸、アジピン酸、セバシン酸の様な
飽和多塩基酸との縮重合によるもの）、線状飽和ポリエ
ーテル（ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリ
コール、ポリテトラメチレングリコール）やカプロラク
タム、ヒドロキシル含有アクリル酸エステル、ヒドロキ
シル含有メタクリル酸エステル等の各種ポリエステル類
の縮重合物により成るポリウレタンエラストマー、プレ
ポリマーが有効である。

これらのウレタンエラストマーの末端のイソシアネート
基または水酸基と、アクリル系二重結合またはアリル系
二重結合等を４−ｒする単ｈ１体とを反応させることに
より、放射線感応性に変性することは非常に効果的であ
る。　また、東端に極性基としてＯＨ，Ｃ０ＯＨ等を含
仔するものも含む。

さらに、不飽和二重結合を有する長鎖脂肪酸のモノある
いはジグリセリド等、インシアネート基と反応する活性
水素を持ち、かつ放射線硬化性を有する不飽和二重結合
を自する単ｆｉｔ体も含まれる。

（２）アクリロニトリル−ブタジェン共ｒｒ合エラスト
マー シンクレアベトロケミカル社製ポリＢＤリタイッドレシ
ンとして市販されている末端水酸基のあるアクリロニト
リルブタジェン共重合体プレポリマーあるいは日本ゼオ
ン社製ハイカーＩ４３２Ｊ等のエラストマーは、特にブ
タジェノ中の二重結合が放射線によりラジカルを生じ架
橋および重合させるエラストマー成分として適する。

（３）ポリブタジエンエラストマー シンクレアベトロケミカル社製ポリＢＤリタイッドレジ
ンＲ−１５等の低分子量末端水酸基を有するプレポリマ
ーが特に熱ｎＴ塑性樹脂との相溶性の点で好適である。

　Ｒ−１５プレポリマーにおいては分子末端が水酸基と
なりている為、分子末端にアクリル系不飽和二重結合を
付加することにより放射線感応性を高めることが可能で
あり、バインダーとしてさらに有利となる。

またポリブタジェンの環化物、日本合成ゴム製ＣＢＲ−
Ｍ９０１も熱可塑性樹脂との組合せによりすぐれた性質
を有している。

その他、熱可塑性エラストマーおよびそのプレポリマー
の系で好適なものとしては、スチレン−ブタジェンゴム
、塩化ゴム、アクリルゴム、イソプレンゴムおよびその
環化物（日本合成ゴム製ＣｌＲ７０１）があり、エポキ
シ変性ゴム、内部可塑化飽和線状ポリエステル（東洋紡
バイロン＃３００）等のエラストマーも放射線感応変性
処理を施すことにより有効に利用できる。

オリゴマー、千ツマ−として本発明て用いられる放射線
硬化性不飽和二重結合を有する化１１物としては、スチ
レン、エチルアクリレ−（・、エチレングリコールジア
クリレート、エチレングリコールジメタクリレート、ジ
エチレングリコールジアクリレート、ジエチレングリコ
ールジメタクリレート、１，６−ヘキサンクリコールジ
アクリレート、１．６−ヘキサンクリコールジアクリレ
ート、Ｎ−ビニルピロリドン、ペンタエリスリトールテ
トラアクリレート（メタクリレート）、ペンタエリスリ
トールトリアクリレート　（メタクリレート）、トリメ
チロールプロパントリアクリレート、トリメチロールプ
ロパントリメタクリレート、多官能オリゴエステルアク
リレート（アロニックスＭ−７１００、Ｍ−５４００，
５５００，５７００等、東亜合成）、ウレタンエラスト
マー　にッポンラン４０４０）のアクリル変性体、あ【
、いはこれらのものにＣ０ＯＨ等の官能基が導入された
もの、トリメチロールプロパンジアクリレート（メタク
リレート）フェノールエチレノキシド付加物のアクリレ
ート（メタクリレート）、下記一般式で示されるペンタ
エリスリトール縮合環にアクリルｆ！：（メタクリル基
）またはεカプロラクトン−アクリル基のついた化合物
、 式中、ｍ＝１、ａ＝２、ｂ＝４の化合物（以下、特殊ペ
ンタエリスリトール縮合物Ａという）、 ｍ＝１、ａ＝３、ｂ＝３の化合物（以下、特殊ペンタエ
リスリトール縮合物Ｂという）、ｍ＝１．ａ＝６、ｂ＝
ｏの化合物（以下、特殊ペンタエリスリトール縮合物Ｃ
という）、ｍ＝２、ａ＝６、ｂ＝ｏの化合物（以下、特
殊ペンタエリスリトール縮合物りという）、および下記
式一般式で示される特殊アクリレート類等が挙げられる
。

１　）　　（ＣＨ２＝ＣＨＣＯＯＣＨ２）　３−ＣＣＨ
２０Ｈ（特殊アクリレートＡ） ２）　　　（ＣＨ２＝ＣＨＣＯＯＣＨ２）３−ＣＣＨ２
０Ｈ３（特殊アクリレートＢ） ３）　　　（ＣＨ２＝ＣＨＣ０（ＯＣ３８６）ｎ　　０
ＣＨ２）３−ＣＣ８２ＣＨ３（特殊アクリレートＣ） （特殊アクリレートＤ） （特殊アクリレートＥ） （特殊アクリレートＦ） ８）　　ＣＨ２＝ＣＨＣＯＯ−（ＣＨ２ＣＨ２０）４−
ＣＯＣＨ＝ＣＨ２（特殊アクリレートＨ） ＣＨ２ＣＨ２Ｃ００ＣＨ＝ＣＨ２ （特殊アクリレート■） （特殊アクリレートＪ） Ａニアクリル酸、　　　Ｘ：多価アルコールＹ：多塩基
酸　　　　　（特殊アクリレートＫ）１２）　　　Ａ−
（−Ｍ−Ｎ＋−Ｍ−ＡＡニアクリル酸、　　　Ｍ：２価
アルコールＮ：２塩基酸　　　　　（特殊アクリレート
し）次に、放射線感応性バインダー合成例を説明する。

ａ）塩化ビニール酢酸ビニール共重合系樹脂のアクリル
変性体（放射線感応変性樹脂）の合成ＯＨ基を存する一
部ケン化塩ビー酢ビ共重合体（平均重合度　ｎ＝５００
）７５０部とトルエン１２５０部、シクロへキサノン５
００部を５１の４つ目フラスコに仕込み、加熱溶解し、
８０℃昇温昇温ジトリレンジイソシアネート−とドロキ
シエチルメタクリレートアダクト※を６１．４部加え、
さらにオクチル酸スズ０．０１２部、ハイドロキノン０
．０１２部を加え、８０℃でＮ２気流中、ＮＧＯ反応率
が９０％となるまで反応せしめる。

反応終了後冷却し、メチルエチルケトン１２５０部を加
え希釈する。

【※トリレンジイソシアネート（ＴＤＩ）の２−とドロ
キシエチルメタクリレート（２ＨＥＭＡ）アダクトの製
法 ＴＤ　Ｉ　３４８部をＮ２気流中１１の４つ目フラスコ
内で８０℃に加熱後、２−エチレンメタクリレート２６
０部、オクチル酸スズ０．０７部、ハイドロキノン０．
０５部を反応缶内の温度が８０〜８５℃となるように冷
却コントロールしながら滴下終了後８０℃で３時間撹拌
し、反応を完結させる。

反応終了後取り出して、冷却後、白色ペースト状のＴＤ
［の２ＨＥＭＡを得た。］ ｂ）ブラチール樹脂アクリル変性体に合成（放射線感応
変性樹脂） ブチラール樹脂ｈ１水化学製ＢＭ−Ｓ１００部をトルエ
ン１９１．２部、シクロへキサノン７１．４分と共に５
１の４つ目フラスコに仕込み、加熱溶解し、８０℃昇温
後ＴＤＩの２ＨＥＭＡアダクト※を７．４部加え、さら
にオクチル酸スズｏ、ｏｔｓ部、ハイドロキノン０．０
１５部を加え、８０℃でＮ２気流中ＮＣＯ反応率が９０
％以上となるまで反応せしめる。

反応終了後冷却し、メチルエチルケトンにて希釈する。

Ｃ）飽和ポリエステル樹脂アクリル変性体の合成（放射
線感応変性樹脂） 飽和ポリエステル樹脂（東洋紡バイロンＲＶ−２００）
、１００部をトルエン１１６部、メチルエチルケトン１
１６部に加熱溶解し、８０℃昇温後、ＴＤＩの２ＨＥＭ
Ａアダクト※を３．５５部加え、さらにオクチル酸スズ
０．００７部、ハイドロキノン０．００７部を加え、８
０℃でＮ２気流中ＮＣＯ反応率が９０％以上となるまで
反応せしめる。

ｄ）◎エポキシ樹脂アクリル変性体の合成（放射線感応
変性樹脂） エポキシ樹脂（シェル化学製エピコート１００７）４０
０部をトルエン５０部、メチルエチルケトン５０部に加
熱溶解後、Ｎ、Ｎ−ジメチルベンジルアミン０．００６
部、ハイドロキノン０．００３部を添加し８０℃とし、
アクリル酸６９部を滴下し、８０℃で酸価５以下となる
まで反応せしめる。

◎フェノキシ樹脂アクリル変性体の合成（放射線感応変
性樹脂） ＯＨ，！！を存するフェノキシ樹脂（ＰＫＨＨ：ＵＣＣ
社製　分子量３００００）６００部、メチルエチルケト
ン１８００部を３１の４つ目フラスコに仕込み、加熱溶
解し、８０℃昇？Ｈ１＆、トリレンジイソシアネートの
２とドロキシエチルメタクリレートアダクトを６．０部
加え、さらにオクチル酸スズ０．０１２部、ハイドロキ
ノン０．０１２部を加え、８０℃でＮ２気流中、ＮＣＯ
反応率が９０％となるまで反応せしめる。

このフェノキシ変性体の分子量は、 ３５０００．１分子当りの二重結合は１個である。

ｅ）ウレタンエラストマーアクリル変性体の合成（放射
線硬化性エラストマー） 末端イソシアネートのジフェニルメタンジイソシアネー
ト（ＭＤＩ）系ウレタンプレポリマー（日本ポリウレタ
ン製ニッポラン３１１９）２５０部、２ＨＥＭＡ３２．
５部、ハイドロキノン０．０７部、オクチル酸スズ０５
００９部を反応缶にいれ、８０℃に加熱溶解後、ＴＤ１
４３．５部を反応缶内の温度が８０〜９０℃となるよう
に冷却しながら滴下し、滴下終了後、８０℃で反応率９
５％以上となるまで反応せしめる。

ｆ）ポリエーテル系末端ウレタン変性エラストマーアク
リル変性体（放射線硬化性エラストマー）の合成 日本ポリウレタン社製ポリエーテルＰＴＧ−５００，２
５０部、２ＨＥＭＡ３２．５部、ハイドロキノン０．０
７部、オクチル酸スズ０．００９部を反応缶にいれ、８
０℃に加熱溶解後、ＴＤＩ４３．５部を反応缶内の温度
か８０〜９０℃となるように冷却しながら滴下し、滴下
終了後、８０℃で反応率９５％以上となるまで反応せし
める。

ｇ）ポリブタジェンエラストマーアクリル変性体の合成
（放射線硬化性エラストマー）シンクレアペトロケミカ
ル社製低分子量末端水酸基ポリブタジエンボリＢＤリク
イットレシンＲ−１５２５０部、２ＨＥＭＡ３２．５部
、ハイドロキノン０．０７部、オクチル酸スズ（１００
９部を反応缶にいれ、８０℃に加熱溶解後、ＴＤ１４３
．５部を反応缶内の温度が８０〜９０℃となるように冷
却しながら滴下し、滴下終了後、８０℃で反応率９５％
以上となるまで反応せしめる。

高分子には、放射線照射により崩壊するものと分子間に
架橋を起こすものが知られている。

分子間に架橋を起すものとしては、ポリエチレン、ポリ
プロピレン、ポリスチレン、ポリアクリル酸エステル、
ポリアクリルアミド、ポリ塩化ビニル、ポリエステル、
ポリビニルピロリドンゴム、ポリビニルアルコール、ポ
リアクリルンがある。　このような架橋型ポリマーであ
れば、上記のような変性を特に施さなくても、架橋反応
が起こるので、前記変性体の他に、これらの樹脂はその
まま使用可能である。

このような放射線硬化性樹脂を硬化するには、公知の種
々の方法に従えばよい。

なお、硬化に際して、紫外線を用いる場合、上述したよ
うな、放射線硬化型化合物の中には、光ｍ金増感剤が加
えられる。

この光重合増感剤としては、従来公知のものでよく、例
えばベンゾインメチルニーデル、ベンゾイネチルエーテ
ル、α−メチルベンゾイン、α−クロルデオキシヘンツ
イン等のベンゾイン系、ベンゾフェノン、アセトフェノ
ン、ビスジアルキルアミノベンゾフェノン等のケトン類
、アセドラキノン、フエナントラキノン等のキノン類、
ベンジルジスルフィド、テトラメチルチウラムモノスル
フィド等のスルフィド類、等を挙げることができる。　
光！ｎ合増感剤は樹脂固形分に対し、０．１〜１０　Ｅ
ｆｔ　川％の範囲が望ましい。

紫４線照射は、例えばキセノン放電管、水素放電管など
の紫外線電球等を用いればよい。

一方、電子線を用いる場合には、放射線特性としては、
加速電圧１００〜７５０ＫＶ、好ましくは１５０〜３０
０ＫＶの放射線加速器を用い、吸収線量を０．５〜２０
メガランドになるように照射するのが好都合である。

特に照射線源としては、吸収線量の制御、製造工程ライ
ンへの導入、電離放射線の遮蔽等の見地から、放射線加
熱器により電子線を使用する方法および眞述した紫外線
を使用する方法が有利である。

さらにまた、この方法によれば溶剤を使用しない無溶剤
型の樹脂であっても、短時間で硬化することができるの
で、このような樹脂を用いることができる。

このような放射線硬化性樹脂を用いることによって大径
のいわゆるジャンボロールで巻きしまりかなくなり、ジ
ャンボロール内外での電磁変換特性の差がなくなり特性
が向上する。　またオンラインで行えるので生産性が良
くなる。

磁性粉／バインダーは、重量比で１／１〜９／１、特に
２／１〜８／！であることが好ましい。

このような割合とするのは１／１未満では飽和磁束密度
が低くなり、９／１をこえると分散不良により表面粗度
が悪くなり、また塗膜ももろくなり好ましくないからで
ある。

この他、公知の各種熱可塑性樹脂をバインダーとして用
いることもできる。

本発明では必要に応じ、非反応性溶剤が使用される。　
溶剤としては特に制限はないが、バインダーの溶解性お
よび相溶性等を考慮して適宜選択される。

例えばアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチ
ルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、ギ酸エチル
、酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル類、メタノール
、エタノール、イソプロパツール、ブタノール等のアル
コール類、トルエン、キシレン、エチルベンゼン等の芳
香族炭化水素類、イソプロピルエーテル、エチルエーテ
ル、ジオキサン等のエーテル類、テトラヒドロフラン、
フルフラール等のフラン類等を単一溶剤またはこれらの
混合溶剤として用いられる。

これらの溶剤はバインダーに対して１０〜１００００ｗ
ｔ％、特に１００〜５０００ｗｔ、％の割合で用いる。

また、磁性層には無機顔料が含まれていてもよい。

無機顔料としては、無機充填剤とじて Ｓ　　ｉ　　０２　　、　　Ｔ　　ｉ　　０２　　、　
　ＡｌＩ３　０３　　、Ｃｒ２　０３　　、　　Ｓ　　
ｉＣ，Ｃａｂ、　　ＣａＣＯ３、酸化亜鉛、ゲーサイト
、γ−Ｆｅ２０３．タルク、カオリン、ＣａＳＯ４，窒
化硼素、フッ化黒鉛、二硫化モリブデン、ＺｎＳ等があ
る。

またこの他、次のような微粒子顔料（エアロジルタイプ
、コロイダルタイプ）：５ｉ０２、Ａｌ１０３　、Ｔｉ
Ｏ２、ＺｒＯ２、 Ｃｒ２０３　、Ｙ２０３　、ＣｅＯ２、Ｆｅ３０４　、
Ｆｅ２０３　、ＺｒＳ　ｉ　０４、Ｓｂ２０５．５ｎ０
２等も用いられる。　これら微粒子顔料は、例えばＳ　
ｉ　０２の場合、■無水硅酸の超微粒子コロイド溶液（
スノーテックス、水系、メタノールシリカゾル等、日産
化学）、■精製四塩化ケイ素の燃焼によって製造される
Ｍ微粒子状無水シリカ（標準品１００人）（アエロジル
、日本アエロジル株式会社）などが挙げられる。　また
、前記■の趙徹粒子コローｒド溶液および■と同様の気
相法で製造されるＭ微粒子状の酸化アルミニウム、並び
に酸化チタンおよび前述の微粒子顔料が使用され得る。

　この様な無機顔料の使用量は１〜３０重量部が適当で
あり、これらがあまり多くなると、塗膜がもろくなり、
かえってドロップアウトが多くなるという欠点がある。

また、無機顔料の径については０．７μｍ以下、さらに
は０．５μｍ以下が好ましい。

磁性層には分散剤が含まれていてもよい。

分散剤として有機チタンカップリング剤、シランカップ
リング剤や界面活性剤が、帯電防ＩＦ剤としてサポニン
などの天然界面活性剤；アルキレンオキサイド系、グリ
セリン系、グリシドール系などのノニオン界面活性剤；
高級アルキルアミン類、第４級アンモニウム塩類、ピリ
ジンその他の複素環類、ホスホニウムまたはスルホニウ
ム類などのカチオン界面活性剤、カルボン酸、スルホン
酸、燐酸、硫酸エステル基、燐酸エステル基等の酸性基
を含むアニオン界面活性剤；アミノ酸類、アミノスルホ
ン酸類、アミノアルコールの硫酸または燐酸エステル等
の両性活性剤などが使用される。

分散剤はバインダーに対して０．１〜２０重四部含ませ
るがよい。

支持体としては、ポリエチレンテレフタレート等のポリ
エステル類、ポリプロピレン等のポリオレフィン類、セ
ルローストリアセテート等のセルロース誘導体、ポリイ
ミド、ポリカーボネート、ポリサルホン、ポリエチレン
ナフタレート、芳香族アラミド、芳香族ポリエステル、
さらにはアルミニウム等の金属板、ガラス板が使用され
るがこれらに限定されるものではない。

これらの中では、特に、ポリエステル、ポリアミド、ポ
リイミド等を用いることが好ましい。

支持体の厚さは１〜２００−程度とする。

本発明の磁気記録媒体では通常、支持体の両面に磁性層
が設けられる。　このような媒体としては、例えばフロ
ッピーディスク、ハードディスク等がある。

本発明の媒体においては、支持体と磁性層との間に下地
層が設層される。

下地層としては、種々のものが考えられるが、特に導体
性物質とバインターとを含有する導体性の下地層あるい
はプラズマ重合膜の下地層とすることが好ましい。

前者のものに用いる導体性物質としては、前述の磁性層
を形成する際に使用可能なものとして列挙した中からそ
れぞれ適宜選定すればよい。

このような前者の下地層中の導体性物質はバインダー１
００重量部に対して２０〜３００重１部程度とする。

その他、前述の無機顔料、特に導体性の無機顔料等が２
〜１５０重量部の範囲で含有されていてもよい。

このような、下地層の厚さは１０人〜３−程度とする。

一方、下地層を後者のプラズマ重合膜とする場合、プラ
ズマ重合膜は、Ｃを含む薄膜であることが好ましく、こ
の場合、Ｃ単独で形成してもよいし、Ｃとその他の元素
を含有させて形成してもよい。

Ｃとその他の元素を含有させてプラズマ重合膜を形成す
る場合、その他の元素として、ＨｌＮ、０の１種以上を
含有させることが好ましい。

原料ガスとしては、通常操作性の良いことから、常温で
気体のメタン、エタン、プロパン、ブタン、ペンタン、
エチレン、プロピレン、ブテン、ブタジェン、アセチレ
ン、メチルアセチレン、その他の飽和ないし不飽和の炭
化水素のＩ　ＮＪ以上を用いるが、必要に応じて常温で
液体の炭化水素を原料としてもよい。

このような炭化水素の１種以上にＮ２．０２　、ｏ３　
、Ｎ２０、Ｎ２　、Ｎｏ、Ｎ２０、ＮＯ２などのＮＯｘ
、ＮＨ３、Ｃｏ、ｃｏ２等の１種以上を加えたものを原
料カスとして用いても好適である。

さらに必要に応じて、原料にＳｉ、Ｂ、Ｐ、Ｓ等のソー
スを微量成分として添加することもできる。

なお、プラズマ重合１漠をＣ単独で形成する場合には、
炭化水素ガスに対して大量の水素を加えた混合ガスに対
してプラズマ重合を行うことによって炭素膜が生成可能
である。　この炭素膜は混合ガス比、プラズマパワー、
基板温度等の条件により炭素の構造が変化する。

このような原料を用いて形成されるプラズマ重合膜の膜
厚は５〜８０人である。

この膜厚が８０人をこえると、成膜時の内部応力が膜中
に残留し、膜自体の強度が低下し、しかもプラズマ重合
膜自体が硬いためフレキシブルな媒体としての耐久性に
劣り、磁気記録媒体として実用に耐えない。

また、５人未満であると、重合膜を設けた効果がなくな
る。

なお、膜厚の測定は、エリプソメーター等を用いればよ
い。

このような膜厚の制御は、プラズマ重合膜形戊時の反応
時間、原料ガス流量等を制御すればよい。

プラズマ重合膜は、前述の原料ガスの放電プラズマを支
持体に接触させることにより重合膜を形成するものであ
る。

プラズマ重合の原理について概説すると、気体を低圧に
保ち電場を作用させると、気体中に少量存在する自由電
子は、常圧に比べ分子間距離が非常に大きいため、電界
加速を受け５〜１０ｅＶの運動エネルギー（電子温度）
を獲得する。

この加速電子が原子や分子に衝突すると、原子軌道や分
子軌道を分断し、これらを電子、イオン、中性ラジカル
など、通常の状態では不安定の化学種に解離させる。

解離した電子は再び電界加速を受けて、別の原子や分子
を解離させるが、この連鎖作用で気体はたちまち高度の
電離状態となる。　そしてこれはプラズマガスと呼ばれ
ている。

気体分子は電子との衝突の機会が少ないのでエネルギー
をあまり吸収せず、常温に近い温度に保たれている。

このように、電子の運動エネルギー（電子温度）と、分
子の熱運動（ガス温度）が分離した系は低温プラズマと
呼ばれ、ここでは化学種が比較的原型を保ったまま重合
等の加酸的化学反応を進めつる状況を創出しており、本
発明はこの状況を利用して支持体上にプラズマ重合膜を
形成しようとするものである。　なお低温プラズマを利
用するため、支持体への熱影響は全くない。

支持体表面にプラズマ重合膜を形成する装置例が第１図
に示しである。　第１図は、周波数可変型の電源を用い
たプラズマ重合装置である。

第１図において、反応容器Ｒには、原料ガス源５１１ま
たは５１２から原料ガスがそれぞれマスフローコントロ
ーラ５２１および５２２を経て供給される。ガス源５１
１または５１２から別々のガスを供給する場合は、混合
器５３において混合して供給する。

原料ガスは、各々１〜２５０ｍｎ／分の流量範囲をとり
つる。

反応容器Ｒ内には、支持体支持装置が設置され、ここで
は磁気テープ用の支持体の処理を目的として、繰出しロ
ール５６１と巻取りロール５６２が示しである。

磁気記録媒体の形態に応じて様々の支持装置が使用でき
、例えば載置式の回転支持体装置も使用されつる。

支持体を間に挟んで対向する電！Ｊｊ５５１．５５２が
設けられており、一方の電極５５１は例えば周波数可変
型の電源５４に接続され、他方の電極５５２は接地され
ている。

さらに、反応容器Ｒ内には、容器内を排気するための真
空系統が配備され、そしてこれは液体窒素トラップ５７
、油回転ポンプ５８および真空コントローラ５９を含む
。　これら真空系統は反応容器内を０．０１〜１０　　
Ｔｏｒｒの真空度の範囲に維持する。

操作においては、反応容器Ｒ内がまず１Ｏ−３Ｔｏｒｒ
以下になるまで油回転ポンプにより容器内を排気し、そ
の後原料ガスが所定の流量において容器内に混合状態で
供給される。

このとき、反応容器内の真空は０．Ｏ１〜１０　　Ｔｏ
ｒｒの範囲に管理される。

支持体の移行速度ならびに原料ガスの流量か安定すると
、電源がオンにされる。　こ　う　して、移行中の支持
体にプラズマ重合膜が形成される。　また、キャリアガ
スとして、Ａｒ。

Ｎ２　、Ｈｅ、Ｈ２などを使用してもよい。

なお、印加電流、処理時間等は通常の条件とすればよい
。

プラズマ発生源としては、高周波数放電の他に、マイク
ロ波放電、直流放電、交流放電等いずわでも利用できる
。

このように形成されるプラズマ重合膜は、前述したよう
に、ＣまたはＣとＨ，Ｎ、０の１種以上を含有しており
、Ｃの含有量はプラズマ（Ｆ金膜中に３０〜１００ａｔ
％、より好ましくは３０〜９０ａｔ％である。

Ｃの含有量が３０ａｔ％未満であると、プラズマ重合ｆ
ｆＡの膜強度が低下し、実用に耐えない。

また、Ｃに加えて１種以上含有されるＨｌＮ、０の含有
量は、水素と炭素の原子比（Ｈ／Ｃ比）が１以下、特に
１／６〜１、窒素と炭素の原子比（Ｎ／Ｃ比）が３７１
０以下、特に１／２０〜３／１０、酸素と炭素の原子比
（０／Ｃ比）が３／１０以下、特に１／２０〜３／！０
の範囲が好適である。　このようにＣに加えてＨ，Ｎ、
０の１種以上を含有させることによって耐スクラッチ性
が向上する。

なお、プラズマ重合１漠中のＣ，Ｈ，Ｎ、０およびその
他の元素の含［ｆｆｉの分析は、ＳＩＭＳ（２次イオン
質量分析）等に従えばよい。

ＳＩＭＳを用いる場合、本発明のプラズマ重合膜は５〜
８０人であるので、プラズマ重合膜表面にて、Ｃ，Ｈ，
Ｎ、０およびその他の元素をカウントして算出すればよ
い。

あるいは、Ａｒ等でイオンエツチングを行いながら、Ｃ
，Ｈ，Ｎ、Ｏおよびその他の元素のプロファイルを測定
して算出してもよい。

ＳＩＭＳの測定については、表面科学基礎講座　第３巻
（１９８４）表面分析の基礎と応用（Ｐ２Ｏ）　　“Ｓ
ＩＭＳおよびＬＡＭＭＡ”の記載に従えばよい。

このようなブラズム重合膜は、支持体上、特にプラズマ
処理された支持体上に形成されることか好ましい。

基板表面をプラズマ処理することによって、支持体との
接着力が向上し、ひいてはこの支持体と磁性層との接着
力が向上する。

支持体表面のプラズマ処理法の原理、方法および形成条
件等は前述したプラズマ重合法のそれと基本的には、は
ぼ同一である。

たたし、プラズマ処理は原則として、無機カスを処理ガ
スとして用い、他方、前述したプラズマ重合法によるプ
ラズマ重合膜の形成には原則として、有機ガス（場合に
よっ−Ｃは無機ガスを混入させてもよい）を原料ガスと
して用いる。

プラズマ処理ガスとしては、特に制限はない。　すなわ
ち、Ｋ２　、Ａｒ、Ｈｅ、０２、Ｎ２、空気等いずれで
あってもよい。

このような中では、０、Ｎ、Ｈの１種以上を含む無機ガ
スを用いることが好ましい。

このような無機ガスとしては、Ｎ２、Ｋ２、ＮＨ３，０
２，０３，Ｋ２０、Ｎｏ、Ｎ２０、ＮＯ２などのＮＯｘ
等の中から適宜選定し、これらの単独ないし混合したも
のか、これらとＡｒ、Ｈｅ、Ｎｅ等とを混合したものが
好適である。

さらに、プラズマ処理電源の周波数については、特に制
限はなく、直流、交流、マイクロ波等いずれであっても
よい。　これらの中では、ｌＯにｆｉｚ〜２００　Ｋｔ
ｌｚが特に好ましい。

周波数１０　Ｋ１１ｚ　〜２００　Ｋｔｌｚでは、耐久
性と接着強度がきわめて晶くなる。

以上、このように上述してきたような下地層の上には、
前述した磁性層が形成される。

また必要に応じて、バックココ−トを設けてもよい。

なお、バックコートを設けるときには、バインダー、顔
料および潤滑剤からなる組成と４−るのがよい。

本発明の磁気記録媒体を製造するには常法に従フて行え
ばよく、磁性粉をバインダー、有機溶剤等とともに混合
分散して磁性塗料を調製し、この磁性塗料をポリエステ
ルフィルムなどの支持体上にグラビアコート、リバース
ロールコート、エアーナイフコート、エアードクターコ
ート、ブレードコート、キスコート、スプレィコートな
どの手法を用いて塗布し、必要に応じて水平方向や垂直
方向の磁場等による配向処理を行って乾燥し、好ましく
は常法に従い放射線硬化すればよい。

配向処理は、常法に従い、種々の方法をとりつる。

たとえば配向方法としては永久磁石、直流磁石、交流磁
場が代表的なものとして用いられ、それらのものの各種
組合せ、例えば垂直と水平の組合せ、水平配向、永久磁
石または直流磁場と交流磁場の組合せ、機械的配向や機
械的配向と上記の組合せ等、種々のものが用いられる。

配向に用いる磁場強度としては１０００〜６０００Ｇが
好ましい。

本発明の記録媒体において、さらに支持体と磁性層との
間にパーマロイ等の高透磁率金属・薄膜を設けることも
できる。

なお、本発明の磁気記録媒体は、ディジタル記録用ある
いはアナログ記録用のいずれの媒体としても用いられる
。

■　発明の具体的作用効果 本発明によれば、耐久走行性に優れ、しかも高記録密度
特性の良好な磁気記録媒体が得られる。

この、Ｐうな磁気記録媒体は、各種フロッピーディスク
、オーディオ、ビデオ、ビデオフロッピー、画像ファイ
ル、計算機用ディスク、磁気ディスク、磁気カード等に
用いられ、ディジタル記録用あるいはアナログ記録用の
いずれの媒体であってもよい。

特にフロッピーディスク、計算機用ディスク、磁気ディ
スクに好適である。

■　発明の具体的実施例 以下、本発明の具体的実施例を示し、本発明をさらに詳
細に説明する。

［実施例１］ 厚さ７５μｍのポリエステル（ＰＥＴ）フィルムの表面
と裏面の両面上に下記に示すような種々の下地層１〜４
を設層した。

■」Ｌ層」１ 重量部 カーボンブラック　　　　　　　　　　　　５０平均粒
子径　　　・　　２５ｎｍ 比表面ＭＢ　ＥＴ　　：　　１５０ｍ２／ｇｐＨ７ （Ａ）アクリル変性塩ビー酢ビービニルアルコ−１し共
重合体　分子量４５．０００　　４５（Ｂ）アクリル変
性ポリウレタンエラストマー分子量　５．０００　　　
　　　　　　　４５（Ｇ）ペンタエリスリトールトリア
クリレートステアリン酸　　　　　　　　　　　　　　
　２ステアリン酸ブチル　　　　　　　　　　　２？ｇ
　今溶剤（ＭＩＢＫ／トＪＬ、エン＝１／１）　　３０
０上記混合物をボールミル中５時間分散させ、Ｅ記のポ
リエステル（ＰＥＴ）フィルム上に乾燥厚０．７μｍに
なるように塗布し、表面平滑化処理を行い、エレクトロ
ンカーテンタイプ′准子線加速装置を用いて加速電圧１
５０にｅＶ、’ｉ’Ｘ　Ｖｉｍ流１０ｍＡ、吸収線量５
　Ｍ　ｒ　ａ　ｄ、Ｎ２ガス中で電子線を下地層に照射
した。

ＬＪＩＬ仕遣 下地層ｌにおいて導電性物質として用いたカーボンブラ
ックを下記の形状および物性を有するカーホンブラック
６５川量部にかえた。

平均粒子径　　　・　　１８ｎｍ 比表面７１７ＢＥＴ　　：　　２６０ｍ２／ｇｐＨ：６
．ａ５ １庭夏ユ 下地層１において導電性物質として用いたカーボンブラ
ックを下記の形状および物性を有するカーボンブラック
８０重量部にかえた。

平均粒子径　　　・　　２０ｎｍ 比表面４１ＢＥＴ　　：　　　８０ｍ２７ｇｐＨ９ １皿１ 重量部 ＣａＣ０，、５０ｎｍ　　　　　　　　　　１０グラフ
アイト化カーボンブラツク　　　　３０平均粒子径　　
　・　　２５ｎｍ 比表面４’１ＢＥＴ　　：　　１５０ｍ２／ｇｐＨ９ 塩化ビニル−ビニルアルコール共重合体くユニオンカー
バイド社製ＶＡＧＨ）　　　５０ポリウレタンエラスト
マー （ＢＦ、グツドリッチ　ニステン５７０３）ステアリン
酸　　　　　　　　　　　　　　　２ステアリン酸ブチ
ル　　　　　　　　　　　２混合溶剤（ＭＩＢに／トル
エン＝１７１）　　３００上記混合物をボールミル中５
時間分散させた後、さらにイソシアネート化合物（日本
ポリウレタン社製コロネートし）を２０重量部加え、こ
の混合物を上記のポリエステル（ＰＥＴ）フィルム上に
乾燥厚３μｍになるように塗布し、表面平滑化処理を行
い、その後、８０℃で４８時間熱硬化を行った。

このような下地層の両面上に、さらに下記に示されるよ
うな磁性塗料からなる磁性層を形成し、種々のサンプル
を作製した。

（ｉｆｆ性層の形成） 磁」Ｌ層」よ 平均粒径０．０９４、平均厚み０．００７５−１平均板
状比１２をもつ六方晶系バリウムフェライト（ＢａＦｅ
＋ｚＯ＋９のＢａ、Ｆｅを一部Ｃｏ、Ｔｉで置換したも
のを水熱合成法で合成）を用いて以下のようにして磁性
塗料を作成した。

バリウムフェライト　　　　　　１２０重量部（Ｈｃ＝
７５０　０ｅ） ａ−ＡＪ２２０３　　　　　　　　　　　Ｚｊｌｊ量部
（０，５戸粉状） カーボンブラック　　　　　　　　　２０重量部（平均
粒子径１８ｎｍ、 比表面、）１１２６０ｒｎ”７ｇ、 ｐＨ６，５） 溶剤（ＭＥに／トルエン：　　１００重量部上記組成物
をボールミル中にて３時間混合し、バリウムフェライト
をよく湿潤させた。

次に、バインダーとして 塩化ビニル−酢酸ビニル−ビニルアルコール共重合体（
マレイン酸含有： ＭＷ４０，０００）６重量部（固型分換算）、アクリル
二重結合導入塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体（マレイ
ン酸含有： ＭＷ２０，０００）１２重量部（固型分換算）、 アクリル二重結合導入ポリエーテルウレタンエラストマ
ー（ＭＷ４０，０００）Ｑｆｆｉ量部（固型分換算）、 ペンタエリスリトールトリアクリレート３重量部、 溶剤（ＭＥに／トルエン、５０１５０）２００重量部 ステアリン酸を４重量部を混合溶解させた。

そして、さらにオレイン酸オレイルを６重量部加えて混
合し、こわを磁性粉混合物の入ったボールミル中に投入
し、再び４２時間混合分散させた。

檄Ｊ」１ス 上記、磁性層１で導電性物質として用いたカーボンブラ
ックを、平均粒子径３０ｎｍ、比表面ｇ２１０ｄ１ｇ、
ｐＨ７のカーボンブラック１５重量部にかえた以外は、
磁性層１の場合と同様にした。

九止塁１ 上記、磁性層１で導電性物質として用いたカーボンブラ
ックを、平均粒子径２５ｎｍ、比表面Ｍｌ　５０ｒｎ’
／ｇ、ｐＨ９のグラファイト化カーボンブラック２４重
量部にかえた以外は、磁性層１の場合と同様にした。

ｉ止ＭＡ 上記、磁性層１で導電性物質として用いたカーボンブラ
ックを７重量部にかえた以外は、磁性層１の場合と同様
にした。

このようにして得られた磁性塗料を、Ｊ５さ７５ｐｘｎ
のＰＥＴフィルム上にグラビアコートを行い、永久磁石
（３０００Ｇ）上で乾燥させながら垂直配向させ、その
後遠赤外ランプまたは熱風により溶剤を乾燥させた。

表面平滑化処理した後、ＥＳＩ社製エレクトロカーテン
タイプ電子線加速装置を使用して加速電圧１５０にｅＶ
　、電極電流２０ｍＡ、全照射１５　Ｍｒａｄの条件下
でＮ２雰囲気下にて電子線を照射し、塗膜を硬化させた
。　硬化後の膜厚は３−とした。　なおバリウムフェラ
イトの平均粒径、平均厚みは、電子顕微鏡写真〔走査形
電子顕微鏡（ＳＥＭ）および透過形電子顕微鏡（ＴＥＭ
））を用いて測定した。　また平均板状比は、平均粒径
／平均厚みによって算出した。

このようにして得られたサンプルを所定のディスク形状
に打ち抜いた後、これを評価サンプルとして下記の特性
を測定した。　なお、サンプルＮｏ、１０５および１０
６については上記、下地層を設けなかった。

（１）媒体の電気抵抗（９７ｃｍ２） ＪＩＳ　Ｇ　２３１８　　電気用ポリエステルフィルム
体積抵抗率の測定法に準じて行った。

（２）摩擦係数μ フェライトヘッドを用い、３００　ｒｐＩｌｌで回転す
る媒体サンプル表面上に押圧３０ｇでヘッドを摺接させ
たまま３０分間その状態を保つ。

３０分後の摩擦係数を測定した。

（３）耐久走行性 現行のフロッピーディスクドライブで常温で測定した。

（４）線記録密度Ｄ５゜（ＫＦＲＰＩ）回転数３００　
ｒｐｍ　、ヘッド；フェライトヘッド、ギャップ０．３
−にて低記録密度領域での出力（Ｅ）が高記録密度領域
でＥ／２となる線記録密度Ｄ　ｓｏ　（にＦｎＰＩ）を
測定した。

これらの結果を表１に示す。

表　　　　１ サンプル　　　下地層　　磁性層　　電気　　　　摩擦
　　　　耐久　　　Ｄ、。

Ｎｏ、　　　　　　　　　　　　　　　抵抗　　　係数
　　　走行性　　（ＫＦＩＩＰＩ）（９７ｃｍ２）　　
　　（μ）　　　（ガロパス）１０１　　　　　　１１
１０’以下　　０．１６　　３５００　　６８１０２　
　　　　　１２１０’以下　　０．１８　　３１００　
　７３１０３　　　　　　１３１０６以下　　０．１６
　　３８００　　６５１０４（比較）　　　　１　　　
　４　　９ｘ１０９　０．３０　　　６００　　７７１
０５（比較）　　　　１　　　　　１　　１ＸＩＯ６０
，１８１８００６８１０６（比較）　　　　１　　　　
４　　３Ｘ１０”　　　０．４１　　　　２００　　７
７１０７　　　　　　２１１０６以下　　０．４６　　
３５００　　６８１０８　　　　　　３１１０’以下　
　０．１６　　３５００　　６８１０９　　　　　　４
１１０６以下　　０．１６　　３５００　　６５［実施
例２］ 実施例１で用いたフィルム上に、実施例１で用いた下地
層１をフィルム両面上に設層した。

その後、下地層１の両面上にさらに下記の磁性層を形成
した。

（磁性層の形成） 上記、実施例１で用いた磁性層１のバインダーを下記の
ものにかえ、さらに拐滑剤として用いたオレイン酸オレ
イル６重量部を下記の化合物１〜５にかえた。　それ以
外は磁性層１の場合と四柱にした。

すなわち、バインダー組成として、 塩化ビニル−酢酸ビニル−ビニルアルコール共重合体く
マレイン酸含存率：０．８％ＭＷ３０，０００）１８重
ユ１部（固型分換算）アクリル二重結合導入ポリエーテ
ルウレタンエラストマー（ＭＷ５０，０００）１２重量
部（固型分換算）、 溶剤（ＭＥＫ／トルエン；５０１５０）２００重１部、 ステアリン酸を２重量部 オレイン酸を２重量部とした。

また、加える化合物として、 化合物１（本発明） カプリン酸へブチル　　　　　　　６重量部化合物２（
本発明） ステアリン酸イソセチル　　　　　３重量部ステアリン
酸ブチル　　　　　　　３重量部化合物３（本発明） ステアリン酸オクチル　　　　　　６重量部化合物４（
比較） カプロン酸プロピル　　　　　　　６重量部化合物５（
比較） リグノセレン酸トコシル　　　　　６重計部さらに必要
に応じて、下記表２に示されるように上記化合物１〜３
の１つをイソプロピルアルコール中に混合し、４ｗｔ％
の塗布溶液とし、このものを磁性層の上に塗布してトッ
プコート層を形成した。

このようにして得られたサンプルを所定のディスク形状
に打ち抜いた後、評価サンプルとし、上記、実施例１の
場合と同様な特性を測定した。

結果を表２に示す。

表　　　　２　　− サンプル　　磁性層含有　トップコート層　　電気　　
　摩擦　　耐久　　　Ｄ−、。

Ｎｏ、　　　　化合物　　　　　　　　　　　抵抗　　
　係数　　走行性　　□ｔＦＩｌｐｌ）（０７ｃｍ”）
　　（μ）　　（ガロバス）２０１　　　　　化合物！
５！ｋｌＯＩ′以下　０．１７　　　：１ＯＯＯ６８２
０２化合物１　　有（化合物２）　　１０６以下　０．
１１　　４０００　　　６１１２０３　　　　　化合物
２　　　　　無　　　　１０６以下　０．＋５　　３５
００　　　　ｆｉ８２０４　　　　　化合物２　　有（
化合物３）　　１０′″以下　０．＋２　　４４００　
　　　ｂ８２０５　　　　　化合物３　　　　　無　　
　　ｌＯら以下　０．１６　　３３００　　　　ａｌ１
２０６　　　　　化合物３　　有（化合物ｔ）　　ｔｏ
６以下　０．１４　　　：］９Ｑ０　　　６８２０７　
　　　　化合物３　　有（化合物２）　　１０６以下　
０．１２　　４：］００　　　　聞２０８（比較）化合
物４　　　　　無　　　　１０６以下　０．５０　　　
５０　　　５０２０９（比較）化合物５　　　　　無　
　　　１０６以下　０．５０　　　７０　　　５０〔実
施例３〕 磁性粉として、表３に示される平均粒径および平均板状
比を有する種々の磁性粉を用いた以外は、実施例１のサ
ンプルＮｏ、１０１の場合と同様にしてサンプルを作成
した。

これらのサンプルについて実施例１の場合と同様に特性
を調べた。

結果を表３に示す。

表　　　　３ サンプル　　磁　　性　　粉　　電気抵抗　Ｉｆ、療係
数　　耐久走行性　　Ｄ、。

Ｎｏ、　　平均粒径　　板状比　（Ω／Ｃが）　　　（
μ）　　　〈方間パス〉　（にＦｌツｌ）（戸） ３０１　　０．１０　　　２　　１０６以下　０．２３
　　１２００　　　４８３０２　　０．１０　　　４　
　１０６以下　０．２０　　２７００　　　５８３０３
　　０．１０　　　５　　１０１Ｉ以下　０．１８　　
３１００　　　６３３０４　　　’０．１０　　　６　
　１０’以下　０．１７　　３５００　　　６９３０５
　　０．１０　　　８　　１０６以下　０．１６　　３
７００　　　７２３０６　　０．１０　　１０　　１０
’以下　０．１６　　４０００　　　７６３０７　　０
．１０　　１５　　１０’以下　０．１６　　４３００
　　　８１３０８　　０．１０　　２０　　１０６以下
　０．１４　　４５００　　　８４３０９　　０．１０
　　２５　　１０’以下　０．１４　　４７００　　　
８５３１００．１０４０１０’以−Ｆｏ、＋４５０００
８８〔実Ｍｉ例４〕 実施例１のサンプルＮｏ、１０１において、磁性層中の
バインダーを下記のバインダーとした以外は、実施例１
の場合と同様にした。

すなわちバインダーとして、 塩化ビニル−酢酸ビニル−ビニルアルコール共重合体（
ユニオンカーバイド社製ＵＣＡＲ１ＭＡＧ５２８）　　
　１５重量部（固型分換算）ウレタン（日本ポリウレタ
ン社製ニラポラン３０２２）　　　　　１５重量部（固
型分換算）溶剤（ＭＥＫ／シクロヘキサノン； ７０／３０）　　　　　　　　　　２００重量部高級脂
肪酸変性シリコーンオイル　３重量部および ミリスチン酸ブチル　　　　　　　３重量部を混合溶解
させた。

ただし、分散後、磁性塗料中にイソシアネート化合物（
日本ポリウレタン社製コロネートし）を５重量部（固型
分換算）を加えた。

このようにして得られた磁性塗料をフィルム上にグラビ
アコートを行い、その後遠赤外線ランプまたは熱風によ
り溶剤を乾燥させ、表面平滑化処理をした。

その後、８０℃、４８時間熱硬化を行った。

このようにして作製したものを所定のディスク形状に打
ち抜いた後、評価サンプル（サンプルＮｏ、４０ｔ）と
した。

サンプルＮｏ、１０１およびサンプルＮｏ。

４０１について８インチ径の巻きとりロールに５０００
ｍ巻きとったときのジャンボロールの外側と内側での分
解能（％）の値を求めた。

なお、分解能は下記の条件で算出した。

（１）分解能 上記線記録密度Ｄ５ｏの測定において、４８ＫＦＲＰＩ
／１２　ＫＦＲＰＩの分解能を算出した。

サンプルＮｏ、１０１を基準とし、この値を１００％と
してサンプルＮｏ、４０１を％単位に換算した。

この結果を以下に示す。

分解能（％） 外　　側　　　　内　　側 サンプルＮｏ、ｆｏｌ　　　１００　　１００サンプル
Ｎｏ、４０１　　　１＋９６　　　８にの結果よりサン
プルＮｏ、４０１ではジャンボロールでの巻きしまりが
あり、内側での分解能の低下が著しいことがわかる。

〔実施例５〕 実施例１で用いたＰＥＴフィルムの支持体を真空チャン
バ中に入れ、連続搬送しながら、一旦１０　””Ｔｏｒ
ｒの真空に引いた後、処理ガスとして０□、キャリアカ
スとしてＡｒを用い、０２含有■［：１０％、流量：５
０＋ｄ／分にてガス圧０．１Ｔｏｒｒに保ちながら！０
ＯＫＩＩｚの高周波電圧をかけてプラズマを発生させ、
支持体の両面をプラズマ処理した。

その後、さらに下記の条件にてプラズマ重合膜を支持体
の両面上に形成した。

これらのプラズマ重合１１Ｑの元素分析はＳＩＭＳで測
定し、またＩ＋！２厚はエリプソメーターにて測定した
。　結果を表５に示す。

このように形成されたプラズマ重厚膜の両面上に実施例
１で用いた種々の磁性層（Ｗｔ性層１〜磁性層４）を形
成した。

このようにして得られたサンプルを所定のディスク形状
に打ち抜いた後、これを評価サンプルとして、実施例１
の場合と同様な特性を測定した。

プラズマ重合膜　プラズマ重合ＩＩ！２　　プラズマ重
合膜Ｎ１１３．５ＯＳＣＩ：Ｍ　　ＮＯ２、２５ＳＣＣ
Ｍキャリアーガス　　　　　　５０　ＳＣＣＭ　　　　
　　５０　ＳＣＣＭ　　　　　　５０　ＳＣ（：１４（
Ａｒ） 動作圧力　　　　　　０．Ｉ　Ｔｏｒｒ　　　　　　Ｏ
，Ｉ　Ｔｏｒｒ　　　　　Ｏ，Ｉ　Ｔｏｒｒプラズマ出
力　　　　２００　Ｗ　　　　　　　２００　Ｗ　　　
　　　２００　Ｗプラズマ周波数　　　１３．５６　Ｍ
ｌｌｚ　　　　　Ｉ：１．５６　Ｍｌｌｚ　　　　１３
．５６　ＭｌｌｚＩ摸　　厚　　　　　　　３０人　　
　　　　　　　２５人　　　　　　　　４０人０／Ｃ−
０，１５ 結果を表５に示す。

表　　　　５ サンプル　　　　磁性層　プラズマ　　電気　　　ｆ！
ｉｎ　　　　　耐久　　　Ｄ８゜Ｎｏ、　　　　　　　
　　＋ｌ’１合膜　　　抵抗　　　　係数　　　　走行
性　　（ＫＦＲＰＩ）（Ω／ｃａ＋’）　　　　（μ）
　　　（ガロパス）５０１　　　　　　１　　　１　　
　１ＸＩＯ’　　　０．１８　　３５００　　６８５０
２　　　　　　２　　　１　　　７Ｘ１０’　　　０．
２０　　３１００　　７３５０３　　　　　　３　　　
１　　　１０’以下　　０．１８　　３８００　　６５
５０４（比較）　　　４　　　１　　　３ｘｌＯ”　　
　０．４１　　　　Ｂｏｏ　　　７７５０５（比較）　
　　　１　　　１　　　１ＸＩＯ’　　　０．１８　　
１８００　　６８５０６（比較）　　　４　　　１　　
　３Ｘ１０Ｉ３　０．２０　　　２００　　７３５０７
　　　　　　１　　　２　　　　ｔＸ１０’　　　ｏ、
１ｓ　　　３５００　　６８５０８　　　　　　１　　
　３　　　１ＸＩＯ６０，１８３７００６８〔実施例６
〕 実施例５のサンプルＮｏ、５０１において、磁性層１中
の潤滑剤であるオレイン酸オレイル６重量部を、実施例
２で用いた化合物１〜５にかえた。　それ以外はサンプ
ルＮｏ、５０１と同様にした（サンプルＮｏ、６０１〜
６０９）。

、なお、サンプルＮｏ、６１０〜６１２については下地
層を設層していない。

このようにして得られたサンプルを所定のディスク状に
打ち扱いた後、これを評価サンプルとして、実施例１の
場合と同様な特性を測定した。

結果を表６に示す。

表　　　　６ Ｎｏ、　　　　化合物　　　　　　　　　　　抵抗　　
　係数　　走行性　　（にＦＩｔＰＩ）（Ω／ｃｍ２）
　　（μ）　　（ガロパス）６０１　　　　　化合物ｓ
　　　　　　ｊｑ　　　　　ｔｘｔｏ６０．１８　　３
０００　　　６８６０２　　　　化合物ｌ　　有（化合
物２）　　ｌＸｌ０６０．１４　　４０００　　　５８
６０３　　　　　化合物２　　　　　無　　　　１ｘｌ
Ｏ’　　０．２０　　３５００　　　６８６０４　　　
　　化合物２　　有（化合物３）　　ｆｘｌｏ’　　０
．１７　　４４００　　　６８６０５　　　　化合物３
　　　　　無　　　　１ｘｌＯ６０，１８３３００６８
５０６化合物３　　有（化合物１）　　ｌＸｌ０６０．
１６　　３９００　　　８８６０７　　　　　化合物３
　　有（化合物２）　　１ｘｌｏ’　　０．１４　　４
３００　　　６８６０８（比較）化合物４　　　　　無
　　　　１ｘ１０６０．５０　　　５０　　　５０６０
９（比較）　　−無　　　　Ｉ　Ｘ　１０６　　測定　
　１以Ｆ６８６１１（比較）化合物ｌ　　有（化合物２
）　　１ｘｌＯ’　　０．１５　　２２９０　　　１ｉ
８６１２（比較）　　−無　　　　ｌＸｌ０６　測定　
　１以下　　　６８不能 〔実施例７〕 実施例１のサンプルＮｏ、１０１について、磁性層の厚
さを種々かえたサンプルを作成し、これらについてＤ５
ｏの値を測定した。　結果を下記表７に示す。

表　　　　　７ Ｎｏ、　　　　　　　　厚さくＩＪ）　　　　（にＦＲ
ＰＩ）７０１　　　　　　　　　　　　１、　　Ｏ７６
７０２１、５７２ 以上の結果より本発明の効果は明らかである。

【図面の簡単な説明】

第１図は直流、交流および周波数可変型電源を使用した
プラズマ重合装置の概略図である。 符号の説明 ５３−・・混合器、 ５４・・・直流、交流および周波数可変型電源、５７・
・・液体窒素トラップ、 ５８−・・油回転ポンプ、 ５１１．５１２−・・処理ガス源、

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. （１）支持体上に、下地層を有し、この上に、六方晶系
   板状磁性粉と導電性物質とバインダーとを含有する磁性
   層を有し、この磁性層の少なくとも記録側表面に、炭素
   数１０〜２２の一塩基性の飽和ないし不飽和の脂肪酸と
   炭素数２〜２２の一価の飽和ないし不飽和のアルコール
   とからなる脂肪酸エステルが存在し、しかも磁性層側の
   電気抵抗が５×１０＾９Ω／ｃｍ＾２以下であることを
   特徴とする磁気記録媒体。
2. （２）下地層が導体性物質とバインダーとを含有する特
   許請求の範囲第１項に記載の磁気記録媒体。
3. （３）下地層がプラズマ重合膜である特許請求の範囲第
   １項に記載の磁気記録媒体。
4. （４）プラズマ重合膜のＣ含有量が３０〜 １００ａｔ％である特許請求の範囲第３項に記載の磁気
   記録媒体。
5. （５）導電性物質がカーボンブラック、グラファイト、
   グラファイト化カーボンブラックである特許請求の範囲
   第１項または第２項に記載の磁気記録媒体。
6. （６）バインダーが放射線硬化型化合物を硬化させたも
   のである特許請求の範囲第１項ないし第５項のいずれか
   に記載の磁気記録媒体。
7. （７）磁性粉が六方晶系バリウムフェライトである特許
   請求の範囲第１項ないし第６項のいずれかに記載の磁気
   記録媒体。