CN105713512B - 用于形成二氧化硅类层的组成物、用于制造二氧化硅类层的方法以及电子装置 - Google Patents

用于形成二氧化硅类层的组成物、用于制造二氧化硅类层的方法以及电子装置 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种用于形成二氧化硅类层的组成物、用于制造二氧化硅类层的方法以及电子装置。本发明的用于形成二氧化硅类层的组成物包括含硅化合物和一或多种类别的溶剂。所述含硅化合物包括聚硅氮烷、聚硅氧氮烷或其组合。并且，所述组成物具有小于或等于0.13的浊度增加率。本发明可以提供一种具有极好储存稳定性的用于形成二氧化硅类层的组成物。

Description

用于形成二氧化硅类层的组成物、用于制造二氧化硅类层的 方法以及电子装置
相关申请案的交叉参考
本申请案主张2014年12月19日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请案第10-2014-0184766号的优先权和权益，所述申请案的全部内容以引用的方式并入本文中。
技术领域
本揭露书涉及用于形成二氧化硅类(silica-based)层的组成物、制造二氧化硅类层的方法以及包含所述二氧化硅类层的电子装置。
背景技术
平板显示器使用包含栅极电极、源极电极、漏极电极以及半导体的薄膜晶体管(thin film transistor，TFT)作为切换装置，并且配备有传递用于控制薄膜晶体管的扫描信号的栅极线和传递施加到像素电极的信号的数据线。另外，在半导体与若干电极之间形成绝缘层以将半导体与若干电极隔开。绝缘层可通过使用二氧化硅类组成物而形成。于此，绝缘层可能在制造工艺期间由于多种原因而具有缺陷，并且所述缺陷可能对装置的良率和可靠性具有负面影响。
发明内容
一个实施例提供一种用于形成二氧化硅类层的组成物，所述组成物使层中缺陷的产生减到最少。
另一个实施例提供一种使用所述用于形成二氧化硅类层的组成物制造二氧化硅类层的方法。
又一个实施例提供一种电子装置，所述电子装置包含根据所述方法制造的二氧化硅类层。
根据一个实施例，提供一种用于形成二氧化硅类层的组成物，所述组成物包括：含硅化合物，其包含聚硅氮烷、聚硅氧氮烷或其组合；和一或多种类别的溶剂，并且所述组成物具有小于或等于约0.13的浊度增加率。
然而，浊度增加率是由关系方程式1定义，并且胶凝时间是在约23℃±约2℃下，在约50％±约10％的相对湿度下测量得到。
[关系方程式1]
浊度增加率(NTU/hr)＝(胶凝时的浊度-初始浊度)/胶凝时间
含硅化合物可以包含聚硅氮烷〔polysilazane〕，聚硅氮烷包含由化学式1表示的部分。
[化学式1]
在化学式1中，R1到R3独立地为氢、经取代或未经取代的C1到C30烷基、经取代或未经取代的C3到C30环烷基、经取代或未经取代的C6到C30芳基、经取代或未经取代的C7到C30芳基烷基、经取代或未经取代的C1到C30杂烷基、经取代或未经取代的C2到C30杂环烷基、经取代或未经取代的C2到C30烯基、经取代或未经取代的烷氧基、羧基、醛基(aldehydegroup)、羟基或其组合，以及
“*”指示连接点。
含硅化合物可以包含聚硅氧氮烷〔polysiloxazane〕，聚硅氧氮烷包含由化学式2表示的部分。
[化学式2]
其中化学式2的R4到R7独立地为氢、经取代或未经取代的C1到C30烷基、经取代或未经取代的C3到C30环烷基、经取代或未经取代的C6到C30芳基、经取代或未经取代的C7到C30芳基烷基、经取代或未经取代的C1到C30杂烷基、经取代或未经取代的C2到C30杂环烷基、经取代或未经取代的C2到C30烯基、经取代或未经取代的烷氧基、羧基、醛基、羟基或其组合，以及
“*”指示连接点。
溶剂可以包含三甲苯、三乙苯、十氢萘(decahydronaphthalene)、四氢萘(tetrahydronaphthalene)、茚(indene)、二乙苯以及甲基萘(methylnaphthalene)中的至少一个。
所述组成物可具有小于或等于约0.125的浊度增加率。
根据另一个实施例，提供一种用于制造二氧化硅类层的方法，所述方法包含在衬底上涂布所述用于形成二氧化硅类层的组成物，干燥涂布有所述用于形成二氧化硅类层的组成物的衬底，以及在惰性氛围下，在大于或等于约150℃的温度下，固化所述衬底。
所述用于形成二氧化硅类层的组成物可以使用旋涂法涂布。
根据又一个实施例，提供一种电子装置，包含使用所述组成物制造的二氧化硅类层。
可以提供一种具有极好储存稳定性的用于形成二氧化硅类层的组成物。
具体实施方式
本发明的示例性实施例将在下文中被详细描述，并且可以由具有所述领域技术人员容易地进行。然而，本揭露书可以多种不同形式实施，并且不应解释为局限于本文中所阐述的示例性实施例。
在附图中，为清楚起见放大层、膜、面板、区域等的厚度。在说明书通篇，相同元件符号表示相同元件。应理解，当如层、膜、区域或衬底的元件被称作“在”另一元件“上”时，其可以直接在另一元件上或还可以存在插入元件。相比之下，当元件被称作“直接在”另一元件“上”时，不存在插入元件。
如本文所用，当未另外提供定义时，术语‘经取代’是指经由以下选出的取代基取代：卤素原子(F、Br、Cl或I)、羟基(hydroxy group)、烷氧基(alkoxy group)、硝基(nitrogroup)、氰基(cyano group)、氨基(amino group)、叠氮基(azido group)、脒基(amidinogroup)、肼基(hydrazino group)、亚肼基(hydrazono group)、羰基(carbonyl group)、氨甲酰基(carbamyl group)、硫醇基(thiol group)、酯基(ester group)、羧基或其盐、磺酸基或其盐、磷酸或其盐、烷基、C2到C16烯基(alkenyl group，)、C2到C16炔基(alkynylgroup)、芳基(aryl group)、C7到C13芳基烷基(arylalkyl group)、C1到C4氧基烷基(oxyalkyl group)、C1到C20杂烷基(heteroall(yl group)、C3到C20杂芳基烷基(heteroarylalkyl group)、环烷基(cycloalkyl group)、C3到C15环烯基(cycloalkenylgroup)、C6到C15环炔基(cycloalkynyl group)、杂环烷基(heterocycloalkyl group)以及其组合，代替化合物的氢。
如本文所用，当未另外提供定义时，术语‘杂’是指包含1到3个由N、O、S以及P中选出的杂原子。
另外，在说明书中，标志“*”是指某物在何处与相同或不同的原子或化学式连接。
在下文中，描述根据本发明的一个实施例的用于形成二氧化硅类层的组成物。
根据本发明的一个实施例的用于形成二氧化硅类层的组成物包括：含硅化合物，所述含硅化合物包含聚硅氮烷、聚硅氧氮烷或其组合；和溶剂。
根据一个实施例，提供一种用于形成二氧化硅类层的组成物，所述组成物包含：含硅化合物，包含聚硅氮烷、聚硅氧氮烷或其组合；和一或多种类别的溶剂，并且所述组成物具有小于或等于约0.13的浊度增加率。
组成物的浊度增加率可以根据关系方程式1计算得到。
[关系方程式1]
浊度增加率(NTU/hr)＝(胶凝时的浊度-初始浊度)/胶凝时间
胶凝时间是在约23℃±约2℃下，在约50％±约10％的相对湿度下测量得到。
当所述组成物的浊度增加率在所述范围内时，所述组成物可以在形成层时具有极好的储存稳定性和极好的缺陷水平(defect level)，并且由此改善装置的制造良率和性能。确切地说，所述组成物可具有小于或等于约0.125的浊度增加率。
用于形成二氧化硅类层的组成物的聚硅氮烷可以包含由化学式1表示的部分。
[化学式1]
在化学式1中，R1到R3独立地为氢、经取代或未经取代的C1到C30烷基、经取代或未经取代的C3到C30环烷基、经取代或未经取代的C6到C30芳基、经取代或未经取代的C7到C30芳基烷基、经取代或未经取代的C1到C30杂烷基、经取代或未经取代的C2到C30杂环烷基、经取代或未经取代的C2到C30烯基、经取代或未经取代的烷氧基、羧基、醛基、羟基或其组合。
聚硅氮烷可以通过多种方法制备，举例来说，已知其是通过使卤代硅烷与氨反应而制备。
用于形成二氧化硅类层的组成物的聚硅氧氮烷可以包含由化学式2表示的部分。
[化学式2]
在化学式2中，R4到R7与化学式1中定义的R1到R3相同。
以此方式，当所述组成物还包含由化学式2表示的部分时，根据所述实施例制备的聚硅氧氮烷在其结构中除硅-氮〔Si-N〕键部分以外包含硅-氧-硅〔Si-O-Si〕键部分，并且所述硅-氧-硅〔Si-O-Si〕键部分可以在通过热处理固化期间减弱应力并且减少收缩。
此外，用于形成二氧化硅类层的组成物的聚硅氮烷或聚硅氧氮烷可以在末端处包含由化学式3表示的部分。
[化学式3]
*-SiH3
由化学式3表示的部分为末端用氢封端的结构，并且以聚硅氮烷或聚硅氧氮烷结构的Si-H键的总量计，由化学式3表示的部分的含量可为约15重量％到约35重量％。当化学式3的部分在所述范围内包含在聚硅氮烷或聚硅氧氮烷结构中时，防止SiH3部分分散在SiH4中，同时在热处理期间充分发生氧化反应，并且可以防止填充剂图案破裂。
以用于形成二氧化硅类层的组成物的总量计，二氧化硅类化合物的含量可为约0.1重量％到约50重量％。当其含量在所述范围内时，其可以维持适当粘度并且产生平坦、均一并且不具有间隙(空隙)的层。
用于形成二氧化硅类层的组成物的溶剂可以包含三甲苯、三乙苯、十氢萘、四氢萘、茚、二乙苯以及甲基萘中的至少一个。
用于形成二氧化硅类层的组成物可能还包含热酸产生剂〔thermal acidgenerator，TAG〕。
热酸产生剂可以是改善用于形成二氧化硅类层的组成物的显影特性的添加剂，并且由此使得所述组成物的含硅化合物在相对低的温度下显影。
如果热酸产生剂因热量而产生酸(H+)，那么其可以包含任何化合物而不受特定限制。具体来说，其可以包含在90℃或高于90℃下活化并且产生足够酸以及具有低挥发性的化合物。
热酸产生剂可以例如由甲苯磺酸硝基苯甲基酯〔nitrobenzyl tosylate〕、苯磺酸硝基苯甲基酯〔nitrobenzyl benzenesulfonate〕、苯酚磺酸酯〔phenol sulfonate〕以及其组合中选出。
以用于形成二氧化硅类层的组成物的总量计，热酸产生剂的含量可为约0.01重量％到约25重量％。在所述范围内，所述化合物可以在低温下显影并且同时具有改善的涂布特性。
用于形成二氧化硅类层的组成物可以还包含表面活性剂。
表面活性剂不受特定限制，并且可能是例如非离子表面活性剂，如聚氧乙烯烷基醚〔polyoxyethylene alkyl ethers〕，如聚氧乙烯十二烷基醚〔polyoxyethylene laurylether〕、聚氧乙烯十八烷基醚〔polyoxyethylene stearyl ether〕、聚氧乙烯十六烷基醚〔polyoxyethylene cetyl ether〕、聚氧乙烯油醇醚〔polyoxyethylene oleyl ether〕或其类似物；聚氧乙烯烷基烯丙基醚(polyoxyethylene alkylallyl ethers)，如聚氧乙烯壬基酚醚(polyoxyethylenenonyl phenol ether)或其类似物；聚氧乙烯·聚氧丙烯嵌段共聚物(polyoxyethylene·polyoxypropylene block copolymers)；聚氧乙烯脱水山梨糖醇脂肪酸酯(polyoxyethylene sorbitan fatty acid ester)，如脱水山梨糖醇单月桂酸酯(sorbitan monolaurate)、脱水山梨糖醇单棕榈酸酯(sorbitan monopalmitate)、脱水山梨糖醇单硬脂酸酯(sorbitan monostearate)、脱水山梨糖醇单油酸酯(sorbitanmonoleate)、聚氧乙烯脱水山梨糖醇单硬脂酸酯(polyoxyethylene sorbitanmonostearate)、聚氧乙烯脱水山梨糖醇三油酸酯(polyoxyethylene sorbitantrioleate)、聚氧乙烯脱水山梨糖醇三硬酯酸酯(polyoxyethylene sorbitantristearate)或其类似物；氟类表面活性剂，伊夫妥EF301(EFTOP EF301)、伊夫妥EF303、伊夫妥EF352的(托化工制品株式会社(Tochem Products Co.，Ltd.))、麦格菲斯F171(MEGAFACE F171)、麦格菲斯F173(大日本油墨及化学株式会社(Dainippon Ink&Chem.，Inc.))、氟罗拉FC430(FLUORAD FC430)、氟罗拉FC431(住友3M(Sumitomo 3M))、旭硝子防护AG710(Asahi guardAG710)、索龙S-382(Surflon S-382)、SC101、SC102、SC103、SC104、SC105、SC106(旭硝子玻璃株式会社(Asahi Glass Co.，Ltd.))等等；其它硅酮类表面活性剂，如有机硅氧烷聚合物KP341(信越化学工业株式会社(Shin-Etsu Chemical Co.，Ltd.))或其类似物。
以用于形成二氧化硅类层的组成物的总量计，表面活性剂的含量可为约0.001重量％到约10重量％。在所述范围内，可以改善溶液的分散，并且同时可以改善层的均一厚度。
用于形成二氧化硅类层的组成物可以是通过将含硅化合物溶解于溶剂中而获得的溶液。
根据本发明的另一个实施例，用于制造二氧化硅类层的方法包含将用于形成二氧化硅类层的组成物涂布在衬底上；干燥涂布有用于形成二氧化硅类层的组成物的衬底；以及在大于或等于约150℃的惰性气体氛围下固化所得物。
举例来说，用于形成二氧化硅类层的组成物可以使用如旋涂法的溶液法加以涂布。
衬底可以是例如装置衬底，如半导体、液晶或其类似物，但并不限于此。
根据本发明的另一个实施例，提供一种电子装置，包含根据所述方法制造的二氧化硅类层。电子装置可以是例如显示装置，如LCD或LED；或半导体装置，并且二氧化硅类层可以是电子装置的绝缘层或填充层。
以下实例更详细地说明本发明的实施例。然而，这些实例是示例性的，并且本发明并不限于此。
用于形成二氧化硅类层的组成物的制备
[比较例1]
干燥氮气取代配备有搅拌器和温度控制器的2升反应器内部。接着，将1，500克无水吡啶放置在反应器中，并且使反应器维持在0℃下。随后，历经一小时将100克二氯硅烷缓慢注入其中。接着，历经3小时将70克氨缓慢注入其中，同时搅拌混合物。随后，将干燥氮气注入其中30分钟，并且去除反应器中剩余的氨。在干燥氮气氛围下，经由1微米铁氟龙(teflon)过滤器过滤所获得的白色浆料产物，获得1,000克经过滤的溶液。接着，向其中添加1,000克无水二甲苯，通过使用旋转蒸发器三次重复地用吡啶取代二甲苯而将混合物调节到具有30重量％的固体浓度，并且接着使用孔径为0.03微米的铁氟龙过滤器过滤。
随后，将300克无水吡啶添加到经过滤的溶液，并且在100℃下加热混合物直到其重量平均分子量达到8,000为止。接着，向其中添加1,000克无水二丁醚，并且通过使用旋转蒸发器三次重复地用二丁醚取代溶剂而将混合物调节到具有20重量％的固体，获得聚硅氮烷溶液。溶液中的聚硅氮烷的重量平均分子量为8,000。在本说明书中，聚硅氮烷的重量平均分子量和多分散性分别通过使用沃特斯公司(Waters Corp)制造的GPC(PLC泵1515、RI检测器2414)测量得到。
经由所述工艺获得的聚硅氮烷溶液用于制备用于形成二氧化硅类层的组成物。
[比较例2]
经由与比较例1相同的工艺进行热处理，直到聚硅氮烷的重量平均分子量为23,000为止。接着，过滤通过使用二丁醚经由与比较例1相同的溶剂取代所获得的聚硅氮烷溶液，制备用于形成二氧化硅类层的组成物。
[比较例3]
经由与比较例1相同的工艺进行热处理，直到聚硅氮烷的重量平均分子量为8,000为止。接着，过滤通过使用丙二醇单甲基醚乙酸酯经由与比较例1相同的溶剂取代所获得的聚硅氮烷溶液，制备用于形成二氧化硅类层的组成物。
[比较例4]
经由与比较例1相同的工艺进行热处理，直到聚硅氮烷的重量平均分子量为23,000为止。接着，过滤通过使用丙二醇单甲基醚乙酸酯经由与比较例1相同的溶剂取代所获得的聚硅氮烷溶液，制备用于形成二氧化硅类层的组成物。
[实例1]
经由与比较例1相同的工艺进行热处理，直到聚硅氮烷的重量平均分子量为8,000为止。接着，过滤通过使用十氢萘经由与比较例1相同的溶剂取代所获得的聚硅氮烷溶液，制备用于形成二氧化硅类层的组成物。
[实例2]
经由与比较例1相同的工艺进行热处理，直到聚硅氮烷的重量平均分子量为23,000为止。接着，过滤通过使用十氢萘经由与比较例1相同的溶剂取代所获得的聚硅氮烷溶液，制备用于形成二氧化硅类层的组成物。
[实例3]
经由与比较例1相同的工艺进行热处理，直到聚硅氮烷的重量平均分子量为8,000为止。接着，过滤通过使用四氢萘经由与比较例1相同的溶剂取代所获得的聚硅氮烷溶液，制备用于形成二氧化硅类层的组成物。
[实例4]
经由与比较例1相同的工艺进行热处理，直到聚硅氮烷的重量平均分子量为23,000为止。接着，过滤通过使用四氢萘经由与比较例1相同的溶剂取代所获得的聚硅氮烷溶液，制备用于形成二氧化硅类层的组成物。
[实例5]
经由与比较例1相同的工艺进行热处理，直到聚硅氮烷的重量平均分子量为8,000为止。接着，过滤通过使用二乙苯经由与比较例1相同的溶剂取代所获得的聚硅氮烷溶液，制备用于形成二氧化硅类层的组成物。
[实例6]
经由与比较例1相同的工艺进行热处理，直到聚硅氮烷的重量平均分子量为23,000为止。接着，过滤通过使用二乙苯经由与比较例1相同的溶剂取代所获得的聚硅氮烷溶液，制备用于形成二氧化硅类层的组成物。
[实例7]
经由与比较例1相同的工艺进行热处理，直到聚硅氮烷的重量平均分子量为8,000为止。接着，过滤通过使用茚经由与比较例1相同的溶剂取代所获得的聚硅氮烷溶液，制备用于形成二氧化硅类层的组成物。
[实例8]
经由与比较例1相同的工艺进行热处理，直到聚硅氮烷的重量平均分子量为23,000为止。接着，过滤通过使用茚经由与比较例1相同的溶剂取代所获得的聚硅氮烷溶液，制备用于形成二氧化硅类层的组成物。
[实例9]
经由与比较例1相同的工艺进行热处理，直到聚硅氮烷的重量平均分子量为8,000为止。接着，过滤通过使用三甲苯经由与比较例1相同的溶剂取代所获得的聚硅氮烷溶液，制备用于形成二氧化硅类层的组成物。
[实例10]
经由与比较例1相同的工艺进行热处理，直到聚硅氮烷的重量平均分子量为23,000为止。接着，过滤通过使用三甲苯经由与比较例1相同的溶剂取代所获得的聚硅氮烷溶液，制备用于形成二氧化硅类层的组成物。
[实例11]
经由与比较例1相同的工艺进行热处理，直到聚硅氮烷的重量平均分子量为8,000为止。接着，过滤通过使用甲基萘经由与比较例1相同的溶剂取代所获得的聚硅氮烷溶液，制备用于形成二氧化硅类层的组成物。
[实例12]
经由与比较例1相同的工艺进行热处理，直到聚硅氮烷的重量平均分子量为23,000为止。接着，过滤通过使用甲基萘经由与比较例1相同的溶剂取代所获得的聚硅氮烷溶液，制备用于形成二氧化硅类层的组成物。
[测量浊度的方法]
将20克各种根据比较例1到4以及实例1到12的组成物填充在30毫升小瓶中，并使其在洁净室中在23±2℃下在50±10％的相对湿度下静置，并且测量其浊度。浊度是通过使用哈希公司(HACH Co)制造的2100N测量。
[测量胶凝时间的方法]
使填充有各种根据比较例1到4以及实例1到12的组成物的30毫升小瓶在洁净室中在23±2℃下在50±10％的相对湿度下静置，并且通过在45下倾斜小瓶5分钟，接着用裸眼检查组成物是否流动，并且在每小时测量组成物浊度直到2天为止并且从第三天每4小时测量组成物浊度之后，发现组成物何时不流动来测量其胶凝时间。
各种根据比较例1到4以及实例1到12的组成物的浊度和胶凝时间用于计算其浊度增加率，并且结果提供于表1中。
*浊度增加率(NTU/hr)＝(胶凝时的浊度-初始浊度)/胶凝时间
[表1]
浊度增加率 胶凝时间(hr)
实例1 0.005 300
实例2 0.028 160
实例3 0.013 120
实例4 0.073 64
实例5 0.015 103
实例6 0.084 57
实例7 0.027 47
实例8 0.125 32
实例9 0.013 84
实例10 0.073 49
实例11 0.023 65
实例12 0.12 38
比较例1 0.138 28
比较例2 0.717 10
比较例3 0.23 14
比较例4 1.388 6
参照表1，各种根据实例1到12的用于形成二氧化硅类层的组成物与各种根据比较例1到4的用于形成二氧化硅类层的组成物相比，显示明显极好的胶凝时间和浊度增加率。
因此，胶凝时间视用于形成二氧化硅类层的组成物所用的溶剂而变化，并且使用预定溶剂的根据实例1到12的用于形成二氧化硅类层的组成物显示胶凝时间增加和极好的储存稳定性。
评估2：层特征
[测量绝缘层缺陷数目的方法]
获取3 cc的各种比较例1到4以及实例1到12的组成物，在1500 rpm下涂布在直径为8英寸的晶片上20秒，并且接着在150℃热板上加热干燥3分钟，形成层。层的缺陷水平是通过使用SP1(Surf Scan SP-1，科磊公司(KLA-Tencor Co.))来测量，并且结果提供于表2中。
[表2]
在SP1打开后的初始阶段 在SP1打开后的2小时
实例1 极好 极好
实例2 极好 极好
实例3 极好 极好
实例4 极好 极好
实例5 极好 极好
实例6 极好 良好
实例7 良好 良好
实例8 良好 良好
实例9 极好 极好
实例10 良好 良好
实例11 极好 极好
实例12 良好 良好
比较例1 极好 差
比较例2 良好 差
比较例3 良好 差
比较例4 良好 差
参考表3评估缺陷水平。
[表3]
尺寸为0.2微米的缺陷的数目
极好 小于100
良好 100-300
差 大于300
参照表2和表3，各种根据实例1到12的用于形成二氧化硅类层的组成物与各种根据比较例1到4的用于形成二氧化硅类层的组成物相比，显示随着时间推移减小的缺陷水平。
虽然已经结合目前视为实用的示例性实施例来描述本发明，但应理解，本发明不限于所揭示的实施例，而是相反，意欲涵盖包含于所附权利要求书的精神和范围内的各种修改和等效布置。

Claims (7)

1.一种用于形成二氧化硅类层的组成物，
包括含硅化合物以及一或多种类别的溶剂，所述含硅化合物包含聚硅氮烷、聚硅氧氮烷或其组合，
其中所述溶剂包括四氢萘、茚以及甲基萘中的至少一个；以及
具有小于或等于0.13的浊度增加率，
其中所述浊度增加率是由关系方程式1定义，并且所述关系方程式1中的胶凝时间是在23℃±2℃下，在50％±10％的相对湿度下测量得到：
[关系方程式1]
浊度增加率＝(胶凝时的浊度-初始浊度)/胶凝时间，
其中所述浊度增加率的单位为NTU/小时。
2.根据权利要求1所述的用于形成二氧化硅类层的组成物，其中所述含硅化合物包括含有由化学式1表示的部分的聚硅氮烷：
[化学式1]
其中，在化学式1中，R1到R3独立地为氢、经取代或未经取代的C1到C30烷基、经取代或未经取代的C3到C30环烷基、经取代或未经取代的C6到C30芳基、经取代或未经取代的C7到C30芳基烷基、经取代或未经取代的C1到C30杂烷基、经取代或未经取代的C2到C30杂环烷基、经取代或未经取代的C2到C30烯基、经取代或未经取代的烷氧基、羧基、醛基、羟基或其组合，以及
“*”指示连接点。
3.根据权利要求1所述的用于形成二氧化硅类层的组成物，其中所述含硅化合物包括含有由化学式2表示的部分的聚硅氧氮烷：
[化学式2]
其中，在化学式2中，R4到R7独立地为氢、经取代或未经取代的C1到C30烷基、经取代或未经取代的C3到C30环烷基、经取代或未经取代的C6到C30芳基、经取代或未经取代的C7到C30芳基烷基、经取代或未经取代的C1到C30杂烷基、经取代或未经取代的C2到C30杂环烷基、经取代或未经取代的C2到C30烯基、经取代或未经取代的烷氧基、羧基、醛基、羟基或其组合，以及
“*”指示连接点。
4.根据权利要求1所述的用于形成二氧化硅类层的组成物，其中所述组成物具有小于或等于0.125的浊度增加率。
5.一种用于制造二氧化硅类层的方法，包括：
将根据权利要求1到4中的任一项权利要求所述的用于形成二氧化硅类层的组成物涂布在衬底上；
干燥涂布有所述用于形成二氧化硅类层的组成物的衬底；以及
在惰性氛围下，在大于或等于150℃的温度下固化所述衬底。
6.根据权利要求5所述的用于制造二氧化硅类层的方法，其中所述用于形成二氧化硅类层的组成物是使用旋涂法涂布。
7.一种电子装置，包括根据权利要求5所述的方法制造的二氧化硅类层。
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