CN105206526B - 基板处理方法、基板处理装置以及基板处理系统 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种能够在抑制对基板造成的影响的同时在常压气氛下将形成在基板的表面上的被处理膜的一部分去除的基板处理方法、基板处理装置以及基板处理系统。将会因在含氧气氛下照射紫外线而分解的被处理膜的原料涂敷在基板(W)上，对涂敷在基板(W)上的原料进行加热而形成被处理膜。接着，将形成有被处理膜的基板(W)配置在气体的流速为10cm/秒以下的含氧气氛的处理室(61)内并对该基板(W)照射紫外线而将被处理膜的一部分去除。

Description

基板处理方法、基板处理装置以及基板处理系统
技术领域
本发明涉及一种用于向基板照射紫外线而对被处理膜进行处理的基板处理方法、基板处理装置以及基板处理系统。
背景技术
在例如多层配线构造的半导体器件的制造工序中，依次进行在半导体晶圆(以下，称作“晶圆”)上涂敷抗蚀剂液而形成抗蚀剂膜的抗蚀剂涂敷处理、以规定图案对该抗蚀剂膜进行曝光的曝光处理、以及使曝光后的抗蚀剂膜显影的显影处理等，从而在晶圆上形成抗蚀剂图案。将该抗蚀剂图案作为掩模来对晶圆进行蚀刻处理，之后进行抗蚀剂膜的去除处理等，从而在晶圆上形成规定图案。如此多次重复进行在层叠后的各层上形成图案的工序，从而制成多层配线构造的半导体器件。
另外，在如此在晶圆上重复形成图案的情况下，在第n层上形成图案之后，为了使第(n+1)层的抗蚀剂膜形成为适当的高度，需要使被涂敷有抗蚀剂液的面为平坦的。
因此，以往，在晶圆的图案上形成被处理膜而使其表面平坦化。例如专利文献1所记载那样，能够通过如下方法来实现形成这样的被处理膜：在晶圆上涂敷原料，对涂敷后的原料进行加热而形成被处理膜，之后，利用例如干蚀刻法(反应性离子蚀刻法)对被处理膜进行回蚀(日文：エッチバック)而去除该被处理膜的表面。以下，将为了使基板平坦化而涂敷形成的被处理膜称作SOC(Spin On Cap：顶层旋涂)膜。
专利文献1：日本特开2003－218116号公报，段落0002～段落0003
发明内容
发明要解决的问题
在使用所述专利文献1所记载的方法的情况下，原料的涂敷和之后的加热是分别在常压气氛下进行的，而SOC膜的回蚀是在真空气氛下进行的。在这种情况下，需要使用分开的系统来进行这些常压气氛下的处理和真空气氛下的处理并在系统之间输送晶圆。因此，使系统的制造成本高额化，并还使晶圆处理的生产率降低。
另外，在利用干蚀刻法对SOC膜进行回蚀的情况下，晶圆、晶圆上的膜有可能被等离子体损伤。并且，晶圆上的膜还有可能被该等离子体改性。
本发明是考虑到这样的情况而做出的，其目的在于，提供一种能够在抑制对基板造成的影响的同时在常压气氛下将形成在基板的表面上的被处理膜的一部分去除的基板处理方法、基板处理装置以及基板处理系统。
用于解决问题的方案
本发明提供一种基板处理方法，其特征在于，该基板处理方法包括以下工序：在基板上涂敷被处理膜的原料，该被处理膜会因在含氧气氛下照射紫外线而分解；对涂敷在所述基板上的原料进行加热而形成被处理膜；以及将形成有所述被处理膜的基板配置在气体的流速为10cm/秒以下的含氧气氛的处理室内并对该基板照射紫外线而将所述被处理膜的一部分去除。
另外，本发明提供另一种基板处理方法，其特征在于，该基板处理方法包括以下工序：在基板上涂敷被处理膜的原料，该被处理膜会因在含氧气氛下照射紫外线而分解；对涂敷在所述基板上的原料进行加热而形成被处理膜；将形成有所述被处理膜的基板配置在具有排气机构的含氧气氛的处理室内，在停止利用所述排气机构进行排气的状态下向该基板照射紫外线而将所述被处理膜的一部分去除；以及接着，利用所述排气机构对处理室内进行排气。
所述各基板处理方法也可以具有以下的技术方案。
(a)该基板处理方法包括以下工序：在执行将所述被处理膜的一部分去除的工序之前，向所述处理室供给氧浓度高于空气中的氧浓度且为60体积％以下的范围内的含氧气体而形成所述含氧气氛。此时，在所述本发明的另一基板处理方法中，重复执行形成所述含氧气氛的工序、将所述被处理膜的一部分去除的工序、以及对所述处理室内进行排气的工序。
(b)包括如下工序：在利用所述排气机构对处理室内进行排气时供给用于促进该处理室的排气的排气用气体，在执行对所述处理室内进行排气的工序时，执行供给所述排气用气体的工序。
(c)包括如下工序：在执行将所述被处理膜的一部分去除的工序的过程中，对所述基板进行加热。对所述基板进行加热的工序是以使基板的中央部侧的温度低于该基板的周缘部侧的温度的方式进行的。
(d)将所述被处理膜的一部分去除的工序是针对基板的每个区域设定紫外线的照度而进行的。
(e)在该基板处理方法中，使用载置台和升降机构，在所述处理室的下表面侧形成有开口部，该载置台能与所述开口部相嵌合，用于载置基板，该升降机构用于使载置台在用于进行所述基板的交接的交接位置与设于所述交接位置的上方侧的、用于将所述处理室的开口部封堵而将基板载置在处理室内的处理位置之间进行升降，包含如下工序：在所述交接位置将至少涂敷有所述被处理膜的原料之后的基板载置在载置台上，并使该载置台上升到处理位置；以及使载置有被处理膜的一部分被去除后的基板的载置台自处理位置下降到交接位置并将该基板输出。
(f)所述被处理膜是含有碳化合物的有机膜。
(g)在基板上涂敷所述被处理膜的原料的工序是针对在表面上形成有图案的基板进行的，分别依次多次进行在基板上涂敷所述被处理膜的原料的工序、形成所述被处理膜的工序、以及将所述被处理膜的一部分去除的工序，至少在最后进行的将被处理膜的一部分去除的工序之前进行的将被处理膜的一部分去除的工序中，将所述被处理膜的一部分去除，直至使所述图案的表面暴露为止。
本发明提供一种基板处理装置，其特征在于，该基板处理装置包括：载置台，其用于载置基板，在该基板上形成有会因在含氧气氛下照射紫外线而分解的被处理膜；以及处理室，其用于容纳被载置在载置台上的基板，该处理室内为含氧气氛；以及紫外线照射部，其用于向所述处理室内的基板照射紫外线，在所述载置台上设有包围构件，该包围构件包围被载置在该载置台上的基板的周围，用于限制气体自基板的外侧向该基板的上方侧流入的流入量。
另外，本发明提供另一种基板处理装置，其特征在于，该基板处理装置包括：载置台，其用于载置基板，在该基板上形成有会因在含氧气氛下照射紫外线而分解的被处理膜；以及处理室，其用于容纳被载置在载置台上的基板，该处理室内为含氧气氛；以及紫外线照射部，其用于向所述处理室内的基板照射紫外线；排气机构，其用于对所述处理室内进行排气；以及控制部，输出控制信号，以执行如下步骤：在停止利用所述排气机构进行排气的状态下自所述紫外线照射部向基板照射紫外线而将所述被处理膜的一部分去除；以及接着，利用所述排气机构对处理室内进行排气。
发明的效果
在本发明中，向被处理膜照射紫外线而将处理膜的一部分去除，因此能够在抑制对基板造成的影响的同时在常压气氛下进行处理。此时，通过在气体的流速为10cm/秒以下的处理室内进行紫外线照射，能够抑制气流的影响而将被处理膜的一部分在基板面内均匀地去除。
另外，在其他的发明中，于在具有排气机构的处理室内向基板照射紫外线时，通过停止利用所述排气机构对处理室内进行排气，能够抑制气流的影响而将被处理膜的一部分在基板面内均匀地去除。
附图说明
图1是本发明的实施方式的晶圆处理系统的俯视图。
图2是所述晶圆处理系统的纵剖侧视图。
图3是从另一方向看所述晶圆处理系统的纵剖侧视图。
图4是设置在所述晶圆处理系统中的涂敷装置的纵剖侧视图。
图5是设置在所述晶圆处理系统中的晶圆处理装置的纵剖侧视图。
图6是设置在所述晶圆处理装置中的处理室的横剖俯视图。
图7是设置在所述晶圆处理装置中的灯室的横剖俯视图。
图8是表示使载置台自所述处理室下降后的状态的纵剖侧视图。
图9是表示在一方向流动内照射UV光的情况下的SOC膜的膜厚分布的示意图。
图10是表示加热处理时的晶圆处理装置的状态的放大纵剖侧视图。
图11是表示所述晶圆处理装置的作用的第1说明图。
图12是表示所述晶圆处理装置的作用的第2说明图。
图13是表示利用所述晶圆处理系统对晶圆实施的处理的内容的说明图。
图14是第2实施方式的晶圆处理装置的纵剖侧视图。
图15是第2实施方式的晶圆处理装置的另一纵剖侧视图。
图16是第2实施方式的晶圆处理装置的横剖俯视图。
图17是将第3实施方式的晶圆处理装置的一部分放大的示意图。
图18是第3实施方式的晶圆处理装置的作用说明图。
图19是表示载置台的温度与有机膜的去除速度的经时变化之间的关系的说明图。
图20是表示利用UV照射来去除有机膜时的去除速度的分布的第1说明图。
图21是表示利用UV照射来去除有机膜时的去除速度的分布的第2说明图。
图22是表示利用UV照射来去除有机膜时的去除速度的分布的第3说明图。
具体实施方式
以下，说明本发明的实施方式。图1是表示本实施方式的晶圆处理系统(基板处理系统)1的概略结构的俯视图。图2和图3是表示晶圆处理系统1的内部的概略结构的侧视图。此外，在本实施方式的晶圆处理系统1中，说明使会因向作为基板的晶圆W的表面照射紫外线而分解的有机膜形成为SOC膜的情况。另外，在要被晶圆处理系统1处理的晶圆W的表面上预先形成有SiO2膜等的图案。
如图1所示，晶圆处理系统1是通过将盒站110和处理站120相连接而构成的，该盒站110用于自外部输入已容纳有多张例如25张晶圆W的盒C、将盒C输出到外部，并用于自盒C输出晶圆W、将晶圆W输入盒C，该处理站120具有用于对晶圆W实施规定处理的多个处理装置。
以下，在说明晶圆处理系统1时，将设有盒站110的方向作为前方侧，将设有处理站120的方向作为后方侧。
在盒站110中设有盒载置台111。盒载置台111沿着晶圆处理系统1的前表面设成一列，能够载置多个盒C。
在盒站110内，设有能够在自前方侧看沿左右方向延伸的行进路径112上移动的晶圆输送机构113。晶圆输送机构113也能够沿铅垂方向和绕铅垂方向(θ方向)进行移动，并能够在盒C与处理站120之间输送晶圆W。
在处理站120的中心部设有晶圆输送机构122。在该晶圆输送机构122的周边配置有多级地设有各种处理装置的例如4个处理组件G1～G4。在自近前侧看时，在晶圆输送机构122的右手侧，自近前起按照第1处理组件G1、第2处理组件G2的顺序配置有第1处理组件G1、第2处理组件G2。另外，在自相同方向看时，在晶圆输送机构122的左手侧，自近前起按照第3处理组件G3、第4处理组件G4的顺序配置有第3处理组件G3、第4处理组件G4。
另外，在处理站120的与盒站110侧相对的前方侧中央位置配置有用于进行晶圆W的交接的交接架121。晶圆输送机构122能够向配置在这些处理组件G1～G4内的后述的各种处理装置和交接架121输送晶圆W。
如图2所示，在第1处理组件G1中，自下方起依次重叠有两级用于在晶圆W上涂敷用于形成SOC膜的原料的涂敷装置130、131。在第2处理组件G2中，也同样地自下方起依次重叠有两级涂敷装置132、133。另外，在第1处理组件G1和第2处理组件G2的最下层分别设有用于向涂敷装置130～涂敷装置133供给SOC膜的原料的化学室134、135。
作为自化学室134、135供给的、SOC膜的原料，使用将有机膜原料、例如具有聚乙烯构造((－CH2－)n)的骨架的聚合物原料溶解在溶剂中而得到的液体，该有机膜原料含有能与通过在含氧气氛下照射紫外线而产生的活性氧、臭氧发生反应而分解的碳化合物。
在第3处理组件G3中，如图3所示，自下方起依次重叠有5级用于对晶圆W进行热处理并对晶圆W进行紫外线照射处理的晶圆处理装置140、141、142和用于调节晶圆W的温度的温度调节装置143、144。另外，与第3处理组件G3同样地，在第4处理组件G4中，也自下方起依次重叠有5级晶圆处理装置150、151、152、温度调节装置153、154。
接下来，说明涂敷装置130～涂敷装置133的结构。这些涂敷装置130～133具有互相共用的结构，因此，在图4中示出涂敷装置130的例子。
涂敷装置130具有能够使内部密闭的处理容器200。在处理容器200的靠晶圆输送机构122侧的侧面上形成有晶圆W的输入输出口(未图示)，在该输入输出口设有开闭器(未图示)。
在处理容器200内设有用于保持晶圆W而使其旋转的旋转卡盘210。在旋转卡盘210的上表面上形成有晶圆W的载置面，在该载置面上设有例如用于吸引晶圆W的吸引口(未图示)。能够通过自该吸引口进行吸引来将晶圆W吸附保持在旋转卡盘210上。
在旋转卡盘210的下方设有卡盘驱动部211，该卡盘驱动部211具有例如马达等。能够利用卡盘驱动部211使旋转卡盘210以规定的速度旋转。另外，在卡盘驱动部211上设有例如作动缸等升降机构，从而能够使卡盘驱动部211进行升降。
在旋转卡盘210的周围设有用于接收、回收自晶圆W飞散或落下的液体的杯212。在杯212的下表面上连接有用于将回收了的液体排出的排出管213和用于对杯212内的气氛气体进行抽吸而将其排出的排气管214。
在旋转卡盘210的上方侧配置有保持于喷嘴头221的涂敷喷嘴222。喷嘴头221保持于臂(未图示)，该臂能沿着面向图4沿左右方向延伸地设置的导轨(未图示)行进。在杯212的侧方的位置上设有喷嘴槽224，在不向晶圆W涂敷原料的期间，使喷嘴222在该喷嘴槽224中待机。
由此，涂敷喷嘴222能够在待机位置处的喷嘴槽224与对载置在旋转卡盘210上的晶圆W供给原料的、该晶圆W的中央部上方侧的位置之间移动。另外，也可以是，用于保持喷嘴头221的臂以能够进行升降的方式构成，从而调节涂敷喷嘴222的高度位置。
涂敷喷嘴222与用于向该涂敷喷嘴222供给SOC膜的原料的供给管225相连接。供给管225与在内部储存有所述原料的原料供给源226相连通。另外，在供给管225上设有流量调节部227，该流量调节部227用于进行原料的供给和切断供给、流量调节。
此外，也可以在旋转卡盘210的下方设置用于朝向晶圆W的背面喷射清洗液的背面冲洗喷嘴(未图示)。利用自该背面冲洗喷嘴喷射的清洗液来对晶圆W的背面和晶圆W的外周部进行清洗。
接下来，参照图5～图8说明所述晶圆处理装置140～142、150～152的结构。由于这些晶圆处理装置140～142、150～152具有互相共用的结构，因此，在图5～图8中示出晶圆处理装置140的例子。
如图5所示，晶圆处理装置140设置于扁平且在前后方向上细长的长方体形状的壳体300。在壳体300的前方侧的侧壁面上设有供晶圆W输入输出的输入输出口301和用于对该输入输出口301进行开闭的开闭器302。
壳体300的内部被分隔板303在上下方向上划分，在自输入输出口301看位于近前侧的、分隔板303的上方侧的空间中设有用于输送晶圆W的输送臂41。在输送臂41上设有未图示的移动机构，该移动机构用于使输送臂41在与晶圆处理系统1的晶圆输送机构122之间交接晶圆W的近前侧的位置与在与后述的载置台51之间交接晶圆W的进深侧的位置之间沿着前后方向移动。输送臂41还发挥用于将处理后的晶圆W冷却的冷却臂的作用。
在与晶圆输送机构122之间交接晶圆W的近前侧的位置设有支承销421，该支承销421用于在晶圆输送机构122与输送臂41之间交接晶圆W时暂时支承该晶圆W。支承销421经由配置于分隔板303的下方侧的空间的升降构件422与升降马达423相连接，支承销421能够在比输送臂41上的晶圆W的载置面靠下方侧的位置与比该载置面靠上方侧的位置、且用于与晶圆输送机构122之间交接晶圆W的位置之间进行升降。
在输送臂41与晶圆输送机构122之间交接晶圆W的位置的后方侧配置有晶圆W的载置台51。如图6的俯视图所示，载置台51由SiC、AlN等陶瓷制的矩形形状的板材等构成。在载置台51的内部埋入有加热器512，由此，载置台51还具有作为用于对晶圆W进行加热的加热部的功能。加热器512被沿晶圆W的径向分割开，能够根据晶圆W的位置来使加热温度变化，在后面叙述其详细的结构。
载置台51被以能够进行伸缩的方式构成的多根支承构件531自背面侧支承，通过利用设于各支承构件531的基端侧的马达532来使支承构件531伸缩，能够使载置台51沿上下方向在用于进行晶圆W的处理的处理位置与用于在与输送臂41之间交接晶圆W的交接位置之间移动。在分隔板303上设有与载置台51的形状相对应的缺口，如图8所示，在使载置台51下降时，载置台51嵌合于所述缺口内，从而成为分隔板303和载置台51大致平齐的状态。
如图5、图8所示，在载置台51的下方侧设有支承销541，该支承销541用于在载置台51与输送臂41之间交接晶圆W时暂时支承该晶圆W。如图6所示，在载置台51上设有供支承销541贯穿的通孔511，在使载置台51向下方侧下降时，支承销541的顶端部成为自载置台51的上表面突出了的状态(图8)。
支承销541经由升降构件542与升降马达543相连接，通过使支承销541在移动到载置台51的上方侧的输送臂41上的晶圆W的载置面的下方侧位置与该载置面的上方侧位置之间升降，从而在支承销541与输送臂41之间交接晶圆W。另外，通过在使输送臂41退避到前方侧的位置的状态下使载置台51升降，从而在载置台51与支承销541之间交接晶圆W。
在载置台51的上方侧的、壳体300的顶面形成有与载置台51相对应的形状的开口部63。另外，在壳体300的上表面侧，以覆盖该开口部63的方式设有扁平的处理室61。由支承构件531支承的载置台51与所述开口部63相嵌合而与处理室61之间形成晶圆W的处理空间60(图5)。
载置在载置台51上的晶圆W的上表面与处理空间60的顶面(后述的UV透过部73)之间的高度尺寸在几mm～十几mm的范围内、例如为3mm。
在该处理空间60中，进行对涂敷有SOC膜的原料的晶圆W进行加热而形成SOC膜的处理和进行对该SOC膜照射紫外线(UV光)而将SOC膜的一部分去除的处理。
如图5、图6所示，在处理空间60的前方侧的位置，沿着载置台51的前端缘形成有供气部621，该供气部621自近前侧看沿左右方向延伸。供气部621经由供气管624与清洁空气供给部625相连接，自该清洁空气供给部625向供气部621供给清洁空气。
另外，在供气部621的与处理空间60相对的侧壁面上，以互相隔开间隔的方式形成有多个供气孔622，使供给到供气部621的清洁空气均匀地流入到处理空间60内。此外，设置在供气部621与处理室61之间的锥部623用于对清洁空气自供气孔622喷出的喷出位置和清洁空气向处理空间60流入的流入位置进行位置调节。
另一方面，在处理空间60的后方侧的位置，沿着载置台51的后端缘形成有排气部641，排气部641自近前侧看沿左右方向延伸。排气部641与设有用于执行处理空间60内的气氛的排气的排气扇645的排气管644相连接，该排气管644与外部的除害设备646相连接。
排气部641、排气管644、排气扇645等相当于本实施方式的排气机构。
在排气部641的与处理空间60相对的侧壁面上，以互相空开间隔的方式形成有多个排气孔642，将处理空间60内的气氛气体经由这些排气孔642向排气部641排出。同样地，设置在处理室61与排气部641之间的锥部643也用于对处理空间60内的气氛气体的流出位置和气氛气体自排气孔642排出的排气位置进行位置调节。
如图5、图6所示，通过将供气部621、排气部641以隔着处理空间60在前后方向上相对的方式配置，能够在处理空间60内形成由自供气部621供给的清洁空气通过处理空间60朝向排气部641同样地流动而成的一方向流动。
在处理室61的上表面侧设有灯室71，在该灯室71内容纳有用于向配置于处理空间60内的晶圆W照射UV光的UV灯72。如图7所示，在灯室71内，直管型的UV灯72以沿前后方向延伸的方式互相隔开间隔地配置有多根、在本例子中配置有4根，以便能够向晶圆W的整个表面照射UV光。
只要自UV灯72照射的UV光的波长能够使在处理空间60内的气氛中含有的氧产生用于去除SOC膜的活性氧、臭氧，则没有特别限定。UV光的波长越短，其能量越大，但也越容易被处理空间60内的气体吸收，在本例子中，考虑到这些平衡而使用了能照射波长为172nm的UV光的UV灯72。
这些UV灯72与电源部74相连接，通过进行自该电源部74的电力的供给和切断供给来使这些UV灯72点亮、熄灭。
如图5、图11等所示，在以沿上下方向堆叠的方式配置的处理室61与灯室71之间设有使自UV灯72照射过来的UV光朝向处理空间60内透过的UV透过部73。UV透过部73由供例如UV光透过的玻璃板等构成。
UV灯72、电源部74、UV透过部73等相当于本实施方式的紫外线照射部。
在具有以上说明的结构的晶圆处理装置140中，如所述那样，进行在处理空间60内对晶圆W进行加热而形成作为被处理膜的SOC膜的处理和进行向晶圆W照射UV光而将SOC膜的一部分去除而使晶圆W的表面平坦化的处理。
这些处理中的、形成SOC膜的处理是在自供气部621朝向排气部641流动的清洁空气的一方向流动内进行的，由此将在加热时由SOC膜的原料产生的成分自处理空间60排出。
另一方面，发明人新发现了：当在与形成SOC膜时相同的条件即在清洁空气的一方向流动内向晶圆W照射UV光时，难以将SOC膜均匀地去除，有时成为使晶圆W的表面平坦化方面的阻碍因素。
如图9所示，当朝向形成有自供气部621向排气部641流动的清洁空气的一方向流动的处理空间60照射UV光时，在流动方向的上游侧形成有活性氧、臭氧丰富的气氛。另外，在扁平的处理室61内，从近前侧看接近左右两旁的侧壁面的区域中的气流的流速慢于中央部侧的区域中的气流的流速。其结果，在处理空间60的前方侧的、左右两旁的位置形成为活性氧、臭氧丰富的状态。并且，在配置于该处理空间60内的晶圆W上形成有在活性氧、臭氧丰富的区域即膜减少量变多的区域(膜减少区域R)，从而不均匀地进行SOC膜的去除。
因此，在本例子的晶圆处理装置140中，如图5、图6所示，设置了包围被载置在载置台51上的晶圆W的周围的圆环形状的包围构件52，以限制气体向被照射UV光的晶圆W的上方侧流入。另外，在照射UV光时，停止自供气部621供给清洁空气并停止自排气部641强制进行排气，在静置气氛下进行处理，由此抑制了形成使用图9所示的膜减少区域R。
如在后面作用说明中叙述那样，由于在被包围构件52包围的处理空间60内形成有对流，因此，本例子中的处理空间60内的气体的流速不会成为零。只要该处理空间60内的气体的流速为例如10cm/秒以下，就能够抑制形成膜减少区域R，从而能够实施使晶圆W的表面平坦化的处理。
另一方面，在被包围构件52包围的狭小空间内，当在不自外部供给氧的情况下照射UV光时，还有可能缺乏去除SOC膜所需的活性氧、臭氧。因此，如图11、图12的放大图所示，在包围构件52的上端与处理室61的顶面之间形成有间隙(氧进入口601)，能够使含有氧的清洁空气自包围构件52的外部(图6等所示的氧供给空间602)经由该氧进入口601进入到包围构件52的内侧。
将氧进入口601的间隙的宽度设定在大于零且为3mm以下的范围内、例如0.8mm。氧进入口601并不限定于由包围构件52的上端与处理室61的顶面之间的间隙构成的情况，也可以是构成为，沿着包围构件52的周向设置狭缝状的氧进入口601，在利用UV光进行处理时将所述间隙关闭。
此外，在图11、图12中，放大地示出了处理空间60、包围构件52的高度尺寸。
如在后述的实施例中的实验结果所示那样，发明人掌握了：在被包围构件52包围的处理空间60内进行向晶圆W照射UV光的处理的情况下，也利用加热器512使载置台51升温而加热晶圆W的方法会提高SOC膜的去除速度。另一方面，发明人还发现如下事实：当使晶圆W的面内温度均匀而照射UV光时，会形成如下膜厚分布，即，在晶圆W的周缘部，膜减少量会变大，随着朝向晶圆W的中央部侧去膜减少量变小。
发明人认为形成所述膜厚分布的原因可能是，在使SOC膜分解时产生的副产物在处理空间60内浮动而吸收UV光，从而抑制产生活性氧、臭氧，另外，这些副产物会与活性氧、臭氧发生反应而阻碍活性氧、臭氧与SOC膜之间的反应(图11)。并且，发明人推断出形成所述膜厚分布的原因可能是，在接近包围构件52的、晶圆W的周缘区域中，与中央侧的区域相比，副产物的产生量较小，另外，由于将成为活性氧、臭氧的原料的氧经由氧进入口601向晶圆W的接近包围构件52的周缘区域供给，因此，与中央部侧相比，接近包围构件52的、晶圆W的周缘区域中的膜减少量变大。
因此，在本例子的晶圆处理装置140中，如图11所示，以朝向晶圆W的径向将载置台51呈同心圆状分割的方式设置了第1载置台部(第1加热部)51a和第2载置台部(第2加热部)51b。并且，利用用于向设于中央部侧的第1载置台部51a的第1加热器512a供给电力的电源部514a和利用用于向设于周缘部侧的第2载置台部51b的第2加热器512b供给电力的电源部514b来使功率变化。另外，如图11所示，在第1载置台部51a与第2载置台部51b之间设置了绝热部513。
在本例子中，将中央部侧的第1载置台部51a的温度设定在200℃～350℃的范围内的300℃，将周缘部侧的第2载置台部51b的温度设定在200℃～350℃的范围内的250℃。由此，在对面内均匀地进行加热时，提高了膜减少量变小的、晶圆W的中央部侧的去除速度，从而谋求使照射UV光之后的SOC膜的膜厚分布均匀化。
在图11中，说明了将载置台51朝向晶圆W的径向分割成两部分的例子，但当然，也可以是，将载置台51分割成3个以上的部分，以更高精度地调整膜厚。
并且，在本例子的晶圆处理装置140中，也通过与晶圆W的照射区域相对应地改变UV透过部73的材质来谋求照射UV光之后的SOC膜的膜厚分布的均匀化。
即，如图7、图11等所示，UV透过部73被朝向晶圆W的径向分割成第1UV透过部731和第2UV透过部732。并且，第1UV透过部731由UV光的透过率较高的玻璃板构成，而第2UV透过部732由UV光的透过率较低的磨砂玻璃板构成。
通过这样的材质的差异，例如，能够使透过第1UV透过部731后的UV光以30mW/cm2～60mW/cm2的范围内的40mW/cm2的照度向处理空间60照射，使透过第2UV透过部732后的UV光以20mW/cm2～45mW/cm2的范围内的30mW/cm2的照度向处理空间60照射。其结果，在晶圆W的周缘部侧使活性氧、臭氧的产生量相对地变少，能够谋求照射UV光之后的SOC膜的膜厚分布的均匀化。
第1UV透过部731、第2UV透过部732相当于本实施方式的照度调节机构。当然，同样地，也可以是，将UV透过部73沿晶圆W的径向分割成3个以上的部分，以更高精度地调节UV光的照度。
具有以上说明的结构的晶圆处理系统1、涂敷装置130～涂敷装置133、以及晶圆处理装置140～142、150～152与控制部8相连接。控制部8由具有CPU和存储部的计算机构成。在存储部内存储有程序，在该程序中编入有与晶圆处理系统1、各涂敷装置130～133、晶圆处理装置140～142、150～152的作用、即与以下控制有关的步骤(命令)组：自盒C取出晶圆W并将晶圆W向涂敷装置130～涂敷装置133、晶圆处理装置140～142、150～152输送，利用涂敷原料、加热来形成SOC膜，通过照射UV来去除SOC膜的一部分而使晶圆W的表面平坦化，在进行这些处理之后使晶圆W返回到盒C。该程序被存储在例如硬盘、光盘、磁光盘、存储卡等存储介质中，并从所述存储介质安装到计算机中。
以下，参照图10～图13来说明晶圆处理系统1的作用。图10表示在形成SOC膜的加热处理时的处理空间60的状态，图11、图12分别表示照射UV光时的处理空间60的状态，图13的(a)～图13的(g)示意性地示出了在执行这些处理的过程中的晶圆W的表面附近的纵截面。
在由晶圆处理系统1处理的晶圆W的表面上，如图13所示那样形成有例如SiO2膜的图案。该图案P疏密地形成，从而设有仅配置有图案P的空白的区域A和交替地形成有图案P和凹陷部Q的线和间隙(line and space)的区域B。
在将容纳有形成了所述图案P的晶圆W的盒C载置在盒载置台111上之后，利用晶圆输送机构113将晶圆W自盒C取出。将取出后的晶圆W输送到处理站120的交接架121上，并利用晶圆输送机构122将晶圆W输送到温度调节装置143、144、153、154而将其温度调节至规定的温度。
之后，利用晶圆输送机构122将晶圆W输送到涂敷装置130。将输入到涂敷装置130中的晶圆W自晶圆输送机构122交接到旋转卡盘210上而对晶圆W进行吸附保持。接着，使在喷嘴槽224处待机的涂敷喷嘴222移动到晶圆W的中心部的上方位置，向借助旋转卡盘210而旋转的晶圆W供给SOC膜的原料。被供给到旋转的晶圆W上的原料在离心力的作用下在晶圆W的整个表面上呈膜状扩展。
此时，如图13的(a)所示，对于涂敷在晶圆W上的原料L，由于原料的表面张力、粘度的原因，与涂敷在空白的区域A中的原料L(以下，称作“原料LA”)相比，涂敷在线和间隙的区域B中的原料L(以下，称作“原料LB”)成为向下方侧凹陷了的状态。即，自图案P的上端起到原料LB的表面为止的高度HB1低于自图案P的上端起到原料LA的表面为止的高度HA1。其结果，在原料LA与原料LB之间产生高度差D1。
之后，利用晶圆输送机构122将晶圆W自涂敷装置130～涂敷装置133输出，并将晶圆W向晶圆处理装置140～142、150～152(以下，为了便于记载，仅标记晶圆处理装置140的附图标记)输送。在晶圆输送机构122自输入输出口301进入时，在输送臂41移动到前方侧的位置且载置台51下降到下方侧的状态下待机。
打开开闭器302，在晶圆输送机构122自输入输出口301进入到晶圆处理装置140内并在输送臂41的上方位置停止之后，支承销421上升而自晶圆输送机构122接收晶圆W。然后，晶圆输送机构122自晶圆处理装置140内退出并关闭开闭器302。
当使支承着晶圆W的支承销421下降时，晶圆W被自该支承销421交接到输送臂41上，使保持着晶圆W的输送臂41朝向载置台51正在待机的后方侧移动。在使输送臂41移动到载置台51的上方侧并停止之后，使支承销541上升而将晶圆W自输送臂41交接到支承销541上(图8)。
然后，使输送臂41移动到前方侧的待机位置，使载置台51上升而自支承销541接收晶圆W，将晶圆W载置在包围构件52的内侧的区域的载置台51上。使载置有晶圆W的载置台51上升到处理室61的下表面侧的位置而将开口部63封堵。
在此，如图11所示，当使载置台51上升到包围构件52的上端与处理室61的顶面之间的间隙为0.8mm的位置时，难以在被包围构件52包围的晶圆W的上方形成同样的一方向流动。因此，如图10所示，在例如包围构件52的上端与锥部623、643的上端成为平齐的时刻使载置台51停止上升。
在如此形成于处理室61与载置台51之间的处理空间60内，自供气部621朝向排气部641的方式形成一方向流动，自电源部514(514a、514b)朝向加热器512(512a、512b)供给电力而将晶圆W加热至例如300℃。此时，电源部514a、514b的功率一致，晶圆W的整个表面被加热至均匀的温度。
当将晶圆W加热规定时间之后，由原料L形成作为有机膜的SOC膜F(图13的(b))。此时，在区域A的SOC膜F(以下，有时称作“SOC膜FA”)与区域B的SOC膜F(以下，有时称作“SOC膜FB”)之间也产生了所述的高度差D1。
在形成SOC膜时产生的副产物顺着一方向流动而被自处理空间60向排气部641排出(图10)。
接着，停止自供气部621供给清洁空气并停止利用排气部641对处理空间60内进行排气，使载置台51上升到包围构件52的上端与处理室61的顶面之间形成有0.8mm的氧进入口601的位置(图11)。另外，使电源部514b的功率降低，将第2载置台部51b上的晶圆W的加热温度调节至250℃。
然后，自电源部74供给电力，将各UV灯72点亮而向处理空间60照射UV光。在所照射的UV光的作用下，由处理空间60内的清洁空气(含氧气氛气体)中的氧产生活性氧、臭氧。在这些活性氧和臭氧的作用下，SOC膜F的表面(SOC膜F的一部分)发生分解而被去除，执行所谓的回蚀。
此时，由于使处理空间60内的排气停止，并在由包围构件52包围的处理空间60内照射UV光，在气体的流速为10cm/秒以下的气氛下将SOC膜的一部分去除，因此能够在面内进行均匀的处理。并且，载置有晶圆W的载置台51被加热器512加热，而处理空间60的顶面侧没有被加热至250℃～300℃这样的高温。其结果，在处理空间60内，自下方侧朝向上方侧产生气体的温度变低的温度差，从而如图12所示那样在晶圆W的上方侧产生沿上下方向循环的对流而对处理空间60内均匀地进行搅拌。在该对流的作用下，也能执行晶圆W的面内的均匀的处理。
另外，由于在包围构件52处设有氧进入口601，因此，在被包围构件52包围的处理空间60内，当活性氧、臭氧被消耗而使这些活性成分的浓度降低时，含有氧的气氛气体(也可以是被照射UV光而成为活性氧、臭氧的状态)会自包围构件52的外部向包围构件52的内侧流入。这样，包围构件52的外侧的空间作为所谓的氧补充空间发挥功能，有助于将SOC膜的一部分去除的处理。
另外，与中央部侧的第1载置台部51a相比，在晶圆W的周缘部侧，第2载置台部51b的温度调节为低温，第2UV透过部732的UV光的透过率低于中央部侧的第1UV透过部731的UV光的透过率。因此，能够将受到副产物的影响较小的、晶圆W的周缘区域中的SOC膜的去除速度抑制得较低，因而，能够将SOC膜的一部分在面内均匀地去除。
执行所述UV光的照射，例如，如图13的(c)所示，去除高度HA1量的SOC膜F，直到区域A侧的SOC膜FA被完全地去除的规定的深度为止。其结果，成为如下状态，即，使晶圆W的图案P的表面暴露，在区域A中不存在SOC膜FA，在区域B中的图案P的凹陷部Q内残留有高度HC1的SOC膜FB。
在如此以规定时间照射UV光之后，使UV灯72熄灭，停止向加热器512供给电力并使载置台51下降到图10所示的位置。然后，自供气部621供给清洁空气并自排气部641进行排气而使处理空间60内形成一方向流动，将活性氧、臭氧、副产物等自处理空间60内排出。
接着，使载置台51下降，利用与输入时相反的步骤将处理后的晶圆W交接到输送臂41上。接收到晶圆W的输送臂41在移动到与晶圆输送机构122之间交接晶圆W的前方侧的位置之后待机规定时间，等待晶圆W冷却到规定的温度。利用与输入时相反的步骤将温度调节后的晶圆W交接到晶圆输送机构122上并将晶圆W自晶圆处理装置140输出。
以上说明的利用涂敷装置130～涂敷装置133对原料进行的涂敷处理、对晶圆处理装置140～142、150～152中的晶圆W进行的加热处理、之后的UV光的照射处理依次进行多次、例如n次。
在例如第二次原料涂敷中，利用涂敷装置130～涂敷装置133在晶圆W上再次涂敷SOC膜的原料L。
在该第二次中，与第1次的原料涂敷相比，以使原料L的膜厚变小的方式进行调节。具体而言，能够采用例如增大旋转卡盘210的旋转速度或者减少向晶圆W上供给的原料L的供给量等方法。其结果，如图13的(d)所示，第二次的SOC膜FA、FB(原料LA、LB)的高度HA2、HB2低于第1次的SOC膜FA、FB的高度HA1、HB1。
之后，在晶圆处理装置140的处理空间60内对晶圆W上的原料L进行加热而形成SOC膜F(图13的(d))。此时，SOC膜FA与SOC膜FB之间的高度差D2小于第1次的高度差D1。
然后，通过向晶圆处理装置141的处理空间60内的晶圆W照射UV光，如图13的(e)所示，去除高度HA2量的SOC膜F，直到区域A侧的SOC膜FA被完全地去除的规定的深度为止。其结果，成为如下状态：在区域A中不存在SOC膜FA，在区域B中的图案P的凹陷部Q内残留有高度HC2的SOC膜FB。此外，在第二次照射UV光之后残留的SOC膜FB的高度HC2大于在第1次照射UV光之后残留的SOC膜FB的高度HC1。即，当每重复一次原料的涂敷、SOC膜的形成、SOC膜的一部分去除这一系列的处理序列的次数时，就会在图案P的凹陷部Q内堆积SOC膜FB。
与以上说明的第二次的处理的序列同样地，在第3次～第n次中，也重复原料的涂敷、SOC膜的形成、SOC膜的一部分去除这样的处理序列。其结果，使SOC膜FA与SOC膜FB之间的高度差D3～Dn逐渐地变小，最终使高度差Dn大致为零。在这种情况下，如图13的(f)所示，成为SOC膜FB的表面的高度与图案P的表面的高度相一致的状态。此外，只要高度差Dn在所要求的规定的范围内即可，高度差Dn也可以不完全地为零。
之后，利用涂敷装置130～涂敷装置133在晶圆W上涂敷规定膜厚的原料L，接着在晶圆处理装置140的处理空间60内仅执行对晶圆W上的原料L进行加热的处理。其结果，如图13的(g)所示，形成在晶圆W上具有规定膜厚且表面平坦化了的SOC膜F。
在形成图13的(g)所示的SOC膜F之后，不照射UV光，而将晶圆W交接到输送臂41上并进行温度调节，之后，利用晶圆输送机构122将晶圆W自晶圆处理装置140输出。然后，将晶圆自处理站120经由交接架121和晶圆输送机构113输送到盒站110上，并使晶圆返回到盒载置台111上的盒C中。这样，完成了形成用于使晶圆W的表面平坦化的SOC膜的、晶圆处理系统1的处理。
本实施方式的晶圆处理系统1、晶圆处理装置140～142、150～152具有以下的效果。由于向SOC膜照射UV光而将SOC膜的一部分去除，因此，能够在抑制对晶圆W造成的影响的同时在常压气氛下对晶圆W进行处理。此时，在具有排气机构(排气部641、排气扇645等)的处理室61内，使处理室61内(处理空间60)的排气停止，在气体的流速为10cm/秒以下的状态下照射UV光，由此能够抑制气流的影响而将SOC膜的一部分在晶圆W面内均匀地去除。
接着，参照图14～图16说明第2实施方式的晶圆处理装置140a。在该晶圆处理装置140a中，用于朝向处理空间60供给含氧气体的供气部621和用于将自处理空间60排出后的气体排出的排气部641设于比载置台51靠下方侧的位置，这点与这些供气部621、排气部641以及处理空间60以沿横向排列的方式设置的第1实施方式的晶圆处理装置140(参照图5、图10)不同。
此外，在使用图14～图18说明的各实施方式中，对于与第1实施方式的晶圆处理装置140具有共用的功能的构成要件，标注了与在图5～图12中示出的构成要件相同的附图标记。另外，在这些图14～图18中，省略了对UV透过部73的分割(第1UV透过部731、第2UV透过部732)和载置台51的分割(第1载置台部51a和第2载置台部51b)的记载。
如图14～图16所示，在本例子的晶圆处理装置140a的载置台51上，以包围载置台51的侧周面的方式设有圆筒状的凸缘部640，该凸缘部640的下端部比载置台51向下方侧伸出。凸缘部640安装在载置台51上并随着支承构件531的伸缩动作而与载置台51一起在上下方向上移动。
如图16所示，在从载置台51看位于后方侧的凸缘部640内，设有沿着载置台51形成为圆弧状的作为槽状的空间的供气部621。如图14所示，供气部621与供气管624相连接，自清洁空气供给部625向供气部621供给作为含氧气体的清洁空气。在本例子的晶圆处理装置140a中，使用被设置在供气管624上的气泵626来强制地供给清洁空气。此外，配置在壳体300a内的供气管624由挠性的软管构成而能够与凸缘部640的升降动作相对应地进行变形。
所述供气部621的上表面被凸缘部640的上表面侧的构件覆盖，在覆盖该供气部621的构件上，沿着载置台51的周向互相隔开间隔地设有多个供气孔622。将在供气部621内扩展的清洁空气自这些供气孔622分散地喷出(图16)。如图14所示，供气孔622形成在比容纳有晶圆W的处理空间60(载置在载置台51上的晶圆W)低的高度位置。
另一方面，在从载置台51看位于前方侧的凸缘部640内，设有沿着载置台51形成为圆弧状的作为槽状的空间的排气部641(图16)。如图14所示，排气部641与排气管644相连接，被自处理空间60内排出的气体在流入到排气部641之后被向外部的除害设备646排出。此外，该排气管644也由挠性的软管等构成而能够与凸缘部640的升降动作相对应地进行变形。另外，也可以是，不使用供气管624侧的气泵626来进行强制供气，而利用设于排气管644侧的排气扇645来进行排气，或者与使用供气管624侧的气泵626来进行强制供气并行地，利用设于排气管644侧的排气扇645来进行排气。
并且，供气部641的上表面被凸缘部640的上表面侧的构件覆盖，在覆盖该供气部641的构件上，沿着载置台51的周向互相隔开间隔地设有多个供气孔642。被自处理空间60排出后的气体经由这些排气孔642被向排气部641排出(图16)。如图14所示，供气孔642也形成在比处理空间60(载置在载置台51上的晶圆W)低的高度位置。
另外，供气部621和排气部641以彼此隔离的方式形成在凸缘部640内，从而不会使供给到供气部621的清洁空气直接流入到排气部641内。
在凸缘部640的上端部设有具有凸弯曲面的圆环状的下部侧流路形成构件652，该下部侧流路形成构件652自载置台51的周缘部朝向被设置在载置台51上的包围构件52a弯曲。另一方面，在壳体300a的顶面设有上部侧流路形成构件651，该上部侧流路形成构件651具有形状与载置台51和凸缘部640相对应的开口部63(参照图15)。在该上部侧流路形成构件651上，沿着开口部63在周向上形成有凹弯曲面。
在使载置台51上升到处理位置时，在形成有供气孔622、排气孔642的区域中，上部侧流路形成构件651的凹弯曲面形成为与下部侧流路形成构件652的凸弯曲面相隔几mm左右相对。如图14所示，由这些上部侧流路形成构件651、下部侧流路形成构件652的互相相对的弯曲面围成的空间成为供被供给到处理空间60内的清洁空气或被自处理空间60排出的气体流动的狭缝状的流路653a、653b。在本例子的晶圆处理装置140a中，由所述上部侧流路形成构件651、载置台51以及壳体300a的顶面(UV透过部73)围成的扁平的圆盘状的空间成为处理空间60。因而，在包围构件52a的外侧的区域中，基本上没有形成图6等所示的氧供给空间602。
另一方面，可以是，构成为使上部侧流路形成构件651和下部侧流路形成构件652的弯曲面彼此在没有形成供气孔622、排气孔642的区域中尽可能地接近而不形成气体的流路，自供气孔622供给过来的清洁空气不会绕过处理空间60而流入排气孔642内。
在具有以上说明的结构的晶圆处理装置140a中，在使载置台51上升到处理位置时，在UV透过部73与载置台51之间形成有处理空间60，另外，在下部侧流路形成构件652与上部侧流路形成构件651之间形成有清洁空气的供给用的流路653a和来自处理空间60气体的排气用的流路653b。于是，当自供气管624向供气部621供给清洁空气时，清洁空气被自流路653a朝向处理空间60供给，从而在处理空间60内形成有含氧气氛。与清洁空气置换后的处理空间60内的气体成为一方向流动并被向流路653b排出，从而将该气体经由排气孔642向排气部641的下游侧排出。
此处，在本例子的晶圆处理装置140a中，将包围构件52a的上端与处理室61的顶面之间的间隙的宽度设定以下程度的尺寸：使得被气泵626送出的气体自排气孔642朝向排气部641流通并能够在处理空间60内形成一方向流动。
当在该状态下利用加热器512对晶圆W进行加热时，在涂敷有原料L的晶圆W的表面形成SOC膜F，此时产生的生成物被自处理空间60内向排气孔642排出，这点与使用图10说明的第1实施方式的晶圆处理装置140相同。
并且，在进行如下处理的方面(参照图11)和在执行该处理之后形成自供气孔622朝向排气孔642去的一方向流动而对处理空间60内进行排气的方面也与第1实施方式的晶圆处理装置140相同，该处理指的是，在形成了SOC膜F的时刻，停止自供气孔622供给清洁空气并停止自排气孔642对处理空间60内进行排气，将UV灯72点亮而使处理空间60内产生臭氧、活性氧，以将SOC膜F的一部分去除。
在图14～图16所示的、第2实施方式的晶圆处理装置140a中，用于朝向处理室60供给清洁空气的供气部621配置在比处理室60靠下方侧的位置，另外，用于将自处理空间60排出后的气体排出的排气部641也配置于比处理室60靠下方侧的位置。其结果，能够利用构成晶圆处理装置140a的壳体300a内的空间来设置清洁空气的供给机构(形成有供气部621的区域中的凸缘部640、供气管624等)、处理空间60内的气体的排气机构(形成有排气部641的区域中的凸缘部640、排气管644等)，因此，与这些供气部621、排气部641以及处理空间60以横向排列的方式设置的第1实施方式的晶圆处理装置140(图8)相比，能够使装置小型化。
除了以上说明的方面以外，本例子的晶圆处理装置140a还通过下述几方面来谋求小型化。即，省略设置作为冷却臂而使用的输送臂41，使自输入输出口301进入后的晶圆输送机构122与支承销541之间直接交接晶圆W。另外，支承销541配置为，通过基台部543a固定于规定的高度位置而构成为不进行升降动作，由此，还谋求抑制壳体300a的高度尺寸。
接着，参照图17、图18说明第3实施方式的晶圆处理装置140b。
如所述那样，在第2实施方式的晶圆处理装置140a中，从谋求装置的小型化的观点等考虑，省略设置在第1实施方式的晶圆处理装置140中设置了的氧供给空间602。在该情况下也有可能，在停止供给清洁空气的状态下向狭小的处理空间60内的含氧气氛照射UV光时，随着SOC膜的去除的进行，活性氧、臭氧的浓度会降低，从而使SOC膜的去除速度变慢。
因此，如图17示意性地所示，本例子的晶圆处理装置140b构成为，将用于供给“高浓度氧”的高浓度氧供给部626a连接于处理空间60而使在含氧气氛中含有的氧的量增加，由此确保去除SOC膜所需的量的活性氧、臭氧。
此外，如图17的(a)～图17的(e)和图18的(a)～图18的(e)所示的晶圆处理装置140b表示的是没有在载置台51上设置包围构件52、52a的例子。
在本实施方式中，“高浓度氧”指的是，氧浓度高于空气中的氧浓度即21体积％(以0℃、1大气压的标准状态为基准)且为60体积％以下的气体、更优选为氧浓度在25体积％～60体积％的范围内的含氧气体。例如，高浓度氧是通过向清洁空气中混合氧气来制备的。
图17所示的晶圆处理装置140b的处理空间60经由供气管624a与高浓度氧供给部626a相连接，自供气孔622a向处理空间60内供给高浓度氧。利用空压阀628a来执行高浓度氧向处理空间60的供给和切断供给。此处，在例如将使液体氧气化而得到的氧和清洁空气相混合而制备高浓度氧时，还存在因在使液体氧气化时的气化热而使高浓度氧的温度降低的情况。因此，为了防止处理空间60内的温度降低，在进行高浓度氧的供给的供气管624a上设有用于对高浓度氧进行加热的加热部627。
并且，晶圆处理装置140b与用于在对处理空间60内的气体进行排气时向处理空间60供给作为排气用气体的例如清洁空气的清洁空气供给部626b相连接。经由与供气孔622b相连接的供气管624b而自清洁空气供给部626b向处理空间60供给清洁空气，利用空压阀628b来执行清洁空气向该处理空间60的供给和切断供给。另外，自清洁空气供给部626b供给的清洁空气还能应用于使用图10、图14等说明的SOC膜F的形成。用于供给作为排气用气体的清洁空气的清洁空气供给部626b相当于本实施方式的排气用气体供给部。
并且，如图17所示，利用空压阀647自排气孔642向排气管644排出处理空间60内的气体、停止自排气孔642向排气管644排出处理空间60内的气体。通过根据自控制部8输出的控制信号并借助未图示的阀动作空气供给系统向各空压阀628a、628b、647供给动作用空气、停止供给动作用空气而执行所述的各空压阀628a、628b、647的动作控制。
接着，参照图18的(a)～图18的(e)说明本例子的晶圆处理装置140b的作用。
在将处理对象的晶圆W载置在载置台51上之后，使载置台51上升而形成处理空间60(图18的(a))。之后，自清洁空气供给部626b向处理空间60内供给清洁空气，另一方面，自排气孔642进行排气，从而在处理空间60内形成清洁空气的一方向流动，在该状态下对晶圆W进行加热，由此在晶圆W上形成SOC膜F，该处理与第1实施方式的晶圆处理装置140和第2实施方式的140a相同，故此省略说明。
在形成了SOC膜F之后，将向处理空间60供给的气体自清洁空气切换为高浓度氧，从而在处理空间60内形成高浓度氧的含氧气氛(图18的(b))。此时，可以继续自排气孔642对处理空间60内进行排气，以促进处理空间60内的气体的置换。
接着，在处理空间60内成为具有规定的氧浓度的含氧气氛的时刻，停止供给高浓度氧和停止对处理空间60内进行排气。然后，进行如下处理，即，将UV灯72点亮而使处理空间60内产生臭氧、活性氧，从而将SOC膜F的一部分去除(图18的(c))。
在处理空间60内的臭氧、活性氧被消耗而成为使这些成分的浓度低于预先设定好的目标浓度的时刻，将UV灯72熄灭，一边向处理空间60内供给作为排气用气体的清洁空气一边对处理空间60内进行排气(图18的(d))。然后，在完成处理空间60内的排气之后，将供给的气体切换为高浓度氧，从而在处理空间60内再次形成含氧气氛。
多次、例如3次以上重复地执行以上说明的图18的(b)～图18的(d)的动作。并且，在以预先设定好的次数重复进行这些动作之后，使载置台51下降而将晶圆W自晶圆处理装置140b输出(图18的(e))。
在本实施方式的晶圆处理装置140b中，通过供给高浓度氧而形成含氧气氛并在臭氧、活性氧被消耗的时刻替换处理空间60内的气体而形成新的含氧气氛，能够抑制SOC膜F的去除速度的降低而在较短的时间内去除期望量的SOC膜F。
此外，在使用高浓度氧来去除SOC膜F时，当然也可以使用具有包围构件52且形成有氧供给空间602的第1实施方式的晶圆处理装置140来进行。另外，也可以是，不如本例子那样供给高浓度氧，在仅使用清洁空气来进行将SOC膜F的一部分去除的处理的情况下，也多次重复进行图18的(b)～图18的(d)的动作而将处理空间60内的气体替换。
在以上说明的各实施方式的晶圆处理装置140、140a、140b中，在处理室61内设置包围构件52并不是必须条件(参照第3实施方式的晶圆处理装置140b)。也可以是，例如，将晶圆W载置在没有设置包围构件52的载置台51上并形成处理空间60，之后，在停止向处理空间60供给清洁空气并停止对处理空间60内进行排气的状态下照射UV光。通过在使用图9说明的没有形成活性氧、臭氧的浓度的偏差的条件下照射UV光，能够将SOC膜在晶圆W面内更均匀地去除。
另外，在图5等所示的晶圆处理装置140、140a、140b中，使用相同的载置台51在共用的处理空间60内进行用于形成SOC膜的晶圆W的加热处理、用于将SOC膜的一部分去除的UV光的照射处理。也可以在分开的载置台51(加热部)、处理空间60内进行这些处理。
并且，对于处理室61的结构，其并不限于在处理室61的下表面设置开口部63并利用载置台51来封堵该开口部63而形成处理室61的方式。也可以是，例如，将晶圆W自扁平的处理室的侧面输入输出。
并且，以下设置也不是必须的，即，将载置台51分割成第1载置台部51a和第2载置台部51b而使加热温度在晶圆W的径向上变化或者将UV透过部73分割成第1UV透过部731和第2UV透过部732而使UV光的照度沿晶圆W的径向发生变化。
另外，也可以是，使用其他的温度调节装置143、144、153、154来进行原使用输送臂41对晶圆W进行的温度调节或者使照射UV光时的晶圆W的加热温度较低而省略对晶圆W进行的温度调节。如后述的实施例所示，虽然存在当使晶圆W的加热温度较低时、去除SOC膜的速度会降低这样的关系，但若对处理时间没有限制，则也不能排除在常温下进行UV光的照射的情况。
并且，在以上的说明中，在用于使晶圆W的表面平坦化而将SOC膜的一部分去除的处理中，说明了如下方法：通过在气体的流速为10cm/秒以下或者在使处理空间60的排气停止的状态下照射UV光，从而在晶圆W的面内均匀地去除SOC膜。使用该方法而一部分被自晶圆W的表面去除的膜的用途并不限定于将SOC膜的一部分去除。也能够将本发明应用于例如将其他涂敷膜的一部分去除。
实施例
实验1
在被密闭的处理室61内(处理空间60)，使对晶圆W进行加热的载置台51的温度发生各种变化，观察了SOC膜的去除速度的经时变化。
A.实验条件
实施例1－1
将形成有有机膜的晶圆W载置在整个表面被设定在300℃的载置台51上，以40mW/cm2的照度照射波长为172nm的UV光，使处理时间变化为5分钟、10分钟、20分钟、30分钟、60分钟。晶圆W的上表面与UV透过部73的下表面之间的间隙为3mm。
实施例1－2
使载置台51的设定温度为250℃，除该点以外，以与实施例1－1相同的条件对晶圆W进行了处理。
实施例1－3
使载置台51的设定温度为200℃，除该点以外，以与实施例1－1相同的条件对晶圆W进行了处理。
B.实验结果
将实施例1－1～1－3的结果表示在图19中。图19的横轴表示处理时间(分钟)，纵轴表示有机膜的去除速度(nm/分)。以空心的圆来描绘实施例1－1的结果，以空心的三角来描绘实施例1－2的结果，以空心的四角来描绘实施例1－1的结果。
由图19所示的结果可知，随着载置台51的温度的变高，有机膜的去除速度变高。另一方面，在使载置台51的温度为300℃的实施例1－1中，随着处理时间的变长，有机膜的去除速度(各处理时间内的平均值)降低。另外，在使载置台51的温度为250℃的实施例1－2中，也看到了随着处理时间的变长而有机膜的去除速度降低这样的、与实施例1－1相同的倾向。但是，在实施例1－2中，与实施例1－1相比，去除速度的降低率变得平缓。并且，在使载置台51的温度降低到200℃的实施例1－3中，没有观察到有机膜的去除速度的降低。
能够想到，如上所述那样在使载置台51的温度为高温的情况下观察到随着处理时间的经过而去除速度降低的原因在于，照射UV光时的晶圆W的温度越高，有机膜的分解越更快地进行，而处理空间60内的氧越被更快地消耗。另外，还想到其原因可能是，随着有机膜的分解而在处理空间60内积存副产物，这会使如下影响变得显著，即，阻碍通过照射UV光而使氧产生活性氧、臭氧的反应或使由氧产生的活性氧与副产物发生反应。
基于该观点，如使用图11进行说明那样，能够想到，将包围构件52的外侧设为氧的补充空间这样的结构具有抑制有机膜的去除速度的降低的效果。此外，即使有机膜的去除速度降低，只要能够在预先设定的时间内去除规定量的有机膜，则在对晶圆W进行处理方面没有问题。
实验2
对在被密闭的处理室61内(处理空间60)使UV光的照度、载置台51的温度发生变化而对晶圆W进行处理时的有机膜的去除速度的面内分布进行了测量。
A.实验条件
实施例2－1
以与实施例1－3(载置台51的温度为200℃，UV光的照度为40mW/cm2)相同的条件对晶圆W进行了1分钟处理。
实施例2－2
使UV光的照度为60mW/cm2，除该点以外，以与实施例2－1相同的条件对晶圆W进行了处理。
实施例2－3
使载置台51的温度为300℃并使UV光的照度为60mW/cm2，除该点以外，以与实施例2－1相同的条件对晶圆W进行了处理。
B.实验结果
将实施例2－1～实施例2－3的结果分别表示在图20～图22中。各图中的圆表示晶圆W的轮廓，横轴和纵轴是表示距各晶圆W的中心的距离的坐标轴。
对于各实施例中的有机膜的去除速度的面内平均值，在实施例2－1中为16.9nm/分，在实施例2－2中为20.5nm/分，在实施例2－3中为36.6nm/分。如上所述，UV光的照度越高且载置台51的温度越高，有机膜的去除速度越是上升。
另一方面，对图20～图22进行比较，与载置台51的温度为200℃的实施例2－1、2－2相比，在载置台51的温度为300℃的实施例2－3中，自晶圆W的中央部朝向周缘部去有机膜的去除速度上升且去除速度的面内均匀性变差。如使用图11进行说明那样，认为其可能是因照射UV光而产生的副产物的分布所导致的现象。基于该观点，在第1载置台部51a与第2载置台部51b之间设置温度差而使晶圆W的周缘部侧的温度降低或者在第1UV透过部731的UV光的透过率与第2UV透过部732的UV光的透过率之间设置差而使向晶圆W的周缘部侧照射的UV光的照度降低，可以说这样的方法是在对晶圆W的面内均匀地进行处理时的有效的方法。
附图标记说明
W、晶圆；1、晶圆处理系统；130～133、涂敷装置；140～142、150～152、140a、140b、晶圆处理装置；51、载置台；512、加热器；52、52a、包围构件；60、处理空间；601、氧进入口；602、氧供给空间；61、处理室；622a、622b、供气孔；624a、624、供气管；626a、高浓度氧供给部；626b、清洁空气供给部；627、加热部；63、开口部；641、排气部；72、UV灯；73、UV透过部；74、电源部；8、控制部。

Claims (39)

1.一种基板处理方法，其特征在于，
该基板处理方法包括以下工序：
在基板上涂敷被处理膜的原料，该被处理膜会因在含氧气氛下照射紫外线而分解；
对涂敷在所述基板上的原料进行加热而形成被处理膜；以及
将形成有所述被处理膜的基板配置在气体的流速为10cm/秒以下的含氧气氛的处理室内并对该基板照射紫外线而将所述被处理膜的表面去除。
2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，
该基板处理方法包括以下工序：在执行将所述被处理膜的表面去除的工序之前，向所述处理室供给氧浓度高于空气中的氧浓度且为60体积％以下的范围内的含氧气体而形成所述含氧气氛。
3.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其特征在于，
该基板处理方法包括以下工序：在执行将所述被处理膜的表面去除的工序的过程中，对所述基板进行加热。
4.根据权利要求3所述的基板处理方法，其特征在于，
对所述基板进行加热的工序是以使基板的周缘部侧的温度低于该基板的中央部侧的温度的方式进行的。
5.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其特征在于，
将所述被处理膜的表面去除的工序是针对基板的每个区域设定紫外线的照度而进行的。
6.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其特征在于，
在该基板处理方法中，使用载置台和升降机构，在所述处理室的下表面侧形成有开口部，该载置台能与所述开口部相嵌合，用于载置基板，该升降机构用于使载置台在用于进行所述基板的交接的交接位置与设于所述交接位置的上方侧的、用于将所述处理室的开口部封堵而将基板载置在处理室内的处理位置之间进行升降，
该基板处理方法包含如下工序：
在所述交接位置将至少涂敷有所述被处理膜的原料之后的基板载置在载置台上，并使该载置台上升到处理位置；以及
使载置有被处理膜的表面被去除后的基板的载置台自处理位置下降到交接位置并将该基板输出。
7.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其特征在于，
所述被处理膜是含有碳化合物的有机膜。
8.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其特征在于，
在基板上涂敷所述被处理膜的原料的工序是针对在表面上形成有图案的基板进行的，
分别依次多次进行在基板上涂敷所述被处理膜的原料的工序、形成所述被处理膜的工序、以及将所述被处理膜的表面去除的工序，
至少在最后进行的将被处理膜的表面去除的工序之前进行的将被处理膜的表面去除的工序中，将所述被处理膜的表面去除，直至使所述图案的表面暴露为止。
9.一种基板处理方法，其特征在于，
该基板处理方法包括以下工序：
在基板上涂敷被处理膜的原料，该被处理膜会因在含氧气氛下照射紫外线而分解；
对涂敷在所述基板上的原料进行加热而形成被处理膜；
将形成有所述被处理膜的基板配置在具有排气机构的含氧气氛的处理室内，在停止利用所述排气机构进行排气的状态下向该基板照射紫外线而将所述被处理膜的表面去除；以及
接着，利用所述排气机构对处理室内进行排气。
10.根据权利要求9所述的基板处理方法，其特征在于，
该基板处理方法包括以下工序：在执行将所述被处理膜的表面去除的工序之前，向所述处理室供给氧浓度高于空气中的氧浓度且为60体积％以下的范围内的含氧气体而形成所述含氧气氛。
11.根据权利要求9所述的基板处理方法，其特征在于，
该基板处理方法包括以下工序：在执行将所述被处理膜的表面去除的工序之前，向所述处理室供给氧浓度高于空气中的氧浓度且为60体积％以下的范围内的含氧气体而形成所述含氧气氛，
重复执行形成所述含氧气氛的工序、将所述被处理膜的表面去除的工序、以及对所述处理室内进行排气的工序。
12.根据权利要求9或11所述的基板处理方法，其特征在于，
该基板处理方法包括以下工序：在利用所述排气机构对处理室内进行排气时，供给用于促进该处理室的排气的排气用气体，
在执行对所述处理室内进行排气的工序时，执行供给所述排气用气体的工序。
13.根据权利要求9至11中任一项所述的基板处理方法，其特征在于，
该基板处理方法包括以下工序：在执行将所述被处理膜的表面去除的工序的过程中，对所述基板进行加热。
14.根据权利要求13所述的基板处理方法，其特征在于，
对所述基板进行加热的工序是以使基板的周缘部侧的温度低于该基板的中央部侧的温度的方式进行的。
15.根据权利要求9至11中任一项所述的基板处理方法，其特征在于，
将所述被处理膜的表面去除的工序是针对基板的每个区域设定紫外线的照度而进行的。
16.根据权利要求9至11中任一项所述的基板处理方法，其特征在于，
在该基板处理方法中，使用载置台和升降机构，在所述处理室的下表面侧形成有开口部，该载置台能与所述开口部相嵌合，用于载置基板，该升降机构用于使载置台在用于进行所述基板的交接的交接位置与设于所述交接位置的上方侧的、用于将所述处理室的开口部封堵而将基板载置在处理室内的处理位置之间进行升降，
该基板处理方法包含如下工序：
在所述交接位置将至少涂敷有所述被处理膜的原料之后的基板载置在载置台上，并使该载置台上升到处理位置；以及
使载置有被处理膜的表面被去除后的基板的载置台自处理位置下降到交接位置并将该基板输出。
17.根据权利要求9至11中任一项所述的基板处理方法，其特征在于，
所述被处理膜是含有碳化合物的有机膜。
18.根据权利要求9至11中任一项所述的基板处理方法，其特征在于，
在基板上涂敷所述被处理膜的原料的工序是针对在表面上形成有图案的基板进行的，
分别依次多次进行在基板上涂敷所述被处理膜的原料的工序、形成所述被处理膜的工序、以及将所述被处理膜的表面去除的工序，
至少在最后进行的将被处理膜的表面去除的工序之前进行的将被处理膜的表面去除的工序中，将所述被处理膜的表面去除，直至使所述图案的表面暴露为止。
19.一种基板处理装置，其特征在于，
该基板处理装置包括：
载置台，其用于载置基板，在该基板上形成有会因在含氧气氛下照射紫外线而分解的被处理膜；以及
处理室，其用于容纳被载置在载置台上的基板，该处理室内为含氧气氛；以及
紫外线照射部，其用于向所述处理室内的基板照射紫外线，
在所述载置台上设有包围构件，该包围构件包围被载置在该载置台上的基板的周围，用于限制气体自基板的外侧向该基板的上方侧流入的流入量。
20.根据权利要求19所述的基板处理装置，其特征在于，
该基板处理装置包括供气部，该供气部用于向所述处理室供给氧浓度高于空气中的氧浓度且为60体积％以下的范围内的含氧气体，以便形成所述含氧气氛。
21.根据权利要求19所述的基板处理装置，其特征在于，
在所述包围构件上设有氧进入口，该氧进入口供含有氧的气体自该包围构件的外侧进入。
22.根据权利要求19至21中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
在所述载置台上设有加热部，该加热部用于在自所述紫外线照射部向基板照射紫外线的过程中对该基板进行加热。
23.根据权利要求22所述的基板处理装置，其特征在于，
所述加热部具有第1加热部和第2加热部，该第1加热部用于对基板的中央部侧进行加热，该第2加热部用于将该基板的周缘部侧的温度加热至低于所述基板的中央部侧的温度的温度。
24.根据权利要求19至21中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述紫外线照射部具有照度调节机构，该照度调节机构对照度进行调节，以便能够针对基板的每个区域设定紫外线的照度。
25.根据权利要求19至21中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
在所述处理室的下表面侧形成有开口部，所述载置台以能够与所述开口部相嵌合的方式形成，
基板处理装置包括：
升降机构，其用于使载置台在用于进行所述基板的交接的交接位置与设于所述交接位置的上方侧的、用于将所述处理室的开口部封堵而将基板载置在处理室内的处理位置之间进行升降；以及
控制部，其输出控制信号，以执行如下步骤：
在所述交接位置将至少涂敷有所述被处理膜的原料之后的基板载置在载置台上，之后使该载置台上升到处理位置；以及
使载置有被处理膜的表面被去除后的基板的载置台自处理位置下降到交接位置并将该基板输出。
26.根据权利要求19至21中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
在所述载置台的侧方设有供气部和排气部，该供气部与用于供给含氧气体的供气管相连接，用于自比所述处理室靠下方侧的位置朝向该处理室供给含氧气体，该排气部与排气管相连接，用于将自所述处理室内排出后的气体朝向所述处理室的下方侧排出。
27.一种基板处理装置，其特征在于，
该基板处理装置包括：
载置台，其用于载置基板，在该基板上形成有会因在含氧气氛下照射紫外线而分解的被处理膜；以及
处理室，其用于容纳被载置在载置台上的基板，该处理室内为含氧气氛；以及
紫外线照射部，其用于向所述处理室内的基板照射紫外线；
排气机构，其用于对所述处理室内进行排气；以及
控制部，输出控制信号，以执行如下步骤：
在停止利用所述排气机构进行排气的状态下自所述紫外线照射部向基板照射紫外线而将所述被处理膜的表面去除；以及
接着，利用所述排气机构对处理室内进行排气。
28.根据权利要求27所述的基板处理装置，其特征在于，
该基板处理装置包括供气部，该供气部用于向所述处理室供给氧浓度高于空气中的氧浓度且为60体积％以下的范围内的含氧气体，以便形成所述含氧气氛。
29.根据权利要求27所述的基板处理装置，其特征在于，
该基板处理装置包括供气部，该供气部用于向所述处理室供给氧浓度高于空气中的氧浓度且为60体积％以下的范围内的含氧气体，以便形成所述含氧气氛，
所述控制部输出控制信号，以重复执行如下步骤：
自所述供气部向处理室供给含氧气体而形成含氧气氛；
将所述被处理膜的表面去除；以及
对所述处理室内进行排气。
30.根据权利要求27或29所述的基板处理装置，其特征在于，
该基板处理装置包括排气用气体供气部，该排气用气体供气部用于在利用所述排气机构对处理室内进行排气时供给用于促进该处理室的排气的排气用气体，
所述控制部输出控制信号，以便在执行对所述处理室内进行排气的步骤时，执行自所述排气用气体供气部向处理室供给排气用气体的步骤。
31.根据权利要求27或29所述的基板处理装置，其特征在于，
在所述载置台上设有包围构件，该包围构件包围被载置在该载置台上的基板的周围，用于限制气体自基板的外侧向该基板的上方侧流入的流入量。
32.根据权利要求31所述的基板处理装置，其特征在于，
在所述包围构件上设有氧进入口，该氧进入口供含有氧的气体自该包围构件的外侧进入。
33.根据权利要求27至29中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
在所述载置台上设有加热部，该加热部用于在自所述紫外线照射部向基板照射紫外线的过程中对该基板进行加热。
34.根据权利要求33所述的基板处理装置，其特征在于，
所述加热部具有第1加热部和第2加热部，该第1加热部用于对基板的中央部侧进行加热，该第2加热部用于将该基板的周缘部侧的温度加热至低于所述基板的中央部侧的温度的温度。
35.根据权利要求27至29中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述紫外线照射部具有照度调节机构，该照度调节机构对照度进行调节，以便能够针对基板的每个区域设定紫外线的照度。
36.根据权利要求27至29中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
在所述处理室的下表面侧形成有开口部，所述载置台以能够与所述开口部相嵌合的方式形成，
基板处理装置包括：
升降机构，其用于使载置台在用于进行所述基板的交接的交接位置与设于所述交接位置的上方侧的、用于将所述处理室的开口部封堵而将基板载置在处理室内的处理位置之间进行升降；以及
控制部，其输出控制信号，以执行如下步骤：
在所述交接位置将至少涂敷有所述被处理膜的原料之后的基板载置在载置台上，之后使该载置台上升到处理位置；以及
使载置有被处理膜的表面被去除后的基板的载置台自处理位置下降到交接位置并将该基板输出。
37.根据权利要求27至29中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
在所述载置台的侧方设有供气部和排气部，该供气部与用于供给含氧气体的供气管相连接，用于自比所述处理室靠下方侧的位置朝向该处理室供给含氧气体，该排气部与排气管相连接，用于将自所述处理室内排出后的气体朝向所述处理室的下方侧排出。
38.一种基板处理系统，其特征在于，
该基板处理系统包括：
涂敷装置，其用于在基板上涂敷被处理膜的原料，该被处理膜会因在含氧气氛下照射紫外线而分解；
加热装置，其用于对涂敷在所述基板上的原料进行加热而形成被处理膜；以及
权利要求19至37中任一项所述的基板处理装置。
39.根据权利要求38所述的基板处理系统，其特征在于，
所述涂敷装置对在表面上形成有图案的基板涂敷被处理膜的原料，
该基板处理系统包括控制部，该控制部输出控制信号，以分别依次多次进行利用所述涂敷装置在基板上涂敷被处理膜的原料的步骤、利用所述加热装置在基板上形成被处理膜的步骤、以及利用所述基板处理装置将被处理膜的表面去除的步骤，至少在最后进行的将被处理膜的表面去除的工序之前进行的将被处理膜的表面去除的步骤中，将所述被处理膜的表面去除，直至使所述图案的表面暴露为止。
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Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015040907A1 (ja) * 2013-09-17 2015-03-26 株式会社村田製作所 垂直共振器型面発光レーザの製造方法
JP6854611B2 (ja) * 2016-01-13 2021-04-07 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、基板処理装置及び基板処理システム
JP6671993B2 (ja) * 2016-02-01 2020-03-25 東京エレクトロン株式会社 基板受け渡し位置の教示方法及び基板処理システム
JP6655418B2 (ja) 2016-02-17 2020-02-26 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP6722492B2 (ja) * 2016-04-06 2020-07-15 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、基板処理装置及び記録媒体
JP6899217B2 (ja) 2016-12-28 2021-07-07 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置、基板処理方法および基板処理システム
JP6917147B2 (ja) 2017-01-27 2021-08-11 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP7232886B2 (ja) * 2017-11-13 2023-03-03 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法、及び記憶媒体
JP6974126B2 (ja) 2017-11-13 2021-12-01 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法、及び記憶媒体
JP7011947B2 (ja) 2018-01-29 2022-02-10 東京エレクトロン株式会社 アッシング装置、アッシング方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体
JP7109211B2 (ja) 2018-03-06 2022-07-29 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
CN111819662B (zh) * 2018-03-14 2024-03-26 东京毅力科创株式会社 基板处理系统、基板处理方法以及计算机存储介质
JP7058177B2 (ja) * 2018-05-22 2022-04-21 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
KR20190137449A (ko) * 2018-06-01 2019-12-11 주식회사 디엠에스 기판처리장치
JP7232586B2 (ja) * 2018-07-31 2023-03-03 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
CN109244023B (zh) * 2018-09-30 2020-10-09 上海华力集成电路制造有限公司 半导体设备工艺腔的晶圆升降装置
JP2021086993A (ja) * 2019-11-29 2021-06-03 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
CN112099314B (zh) * 2020-11-10 2021-03-19 晶芯成(北京)科技有限公司 气体置换装置及光阻烘烤设备
KR20220103330A (ko) 2021-01-15 2022-07-22 삼성전자주식회사 웨이퍼 클리닝 장치 및 방법
WO2023140955A1 (en) * 2022-01-20 2023-07-27 Applied Materials, Inc. Low oxygen scanning uv source with localized purge

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1197418A (ja) * 1997-09-17 1999-04-09 Toshiba Corp レジスト剥離方法
CN101341584A (zh) * 2005-12-20 2009-01-07 东京毅力科创株式会社 高电介质薄膜的改性方法和半导体装置
CN101421828A (zh) * 2006-09-29 2009-04-29 东京毅力科创株式会社 基板处理方法和基板处理装置
CN102522504A (zh) * 2006-10-31 2012-06-27 株式会社半导体能源研究所 半导体装置的制造方法以及半导体装置

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS622621A (ja) * 1985-06-28 1987-01-08 Nec Corp レジスト除去装置
JP2588511B2 (ja) * 1986-09-24 1997-03-05 株式会社日立製作所 処理装置
JPH0430519A (ja) * 1990-05-28 1992-02-03 Fujitsu Ltd 基板表面処理装置
JPH05275324A (ja) * 1991-04-19 1993-10-22 Hitachi Ltd レジスト除去方法および装置
JPH06163510A (ja) * 1992-11-20 1994-06-10 Mitsubishi Electric Corp 半導体基板への溝の形成方法
JP2656745B2 (ja) * 1993-11-03 1997-09-24 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション ウエハ加工方法
DE69733962T2 (de) 1996-10-11 2006-05-24 Tokyo Electron Ltd. Plasma-ätzmethode
KR100319494B1 (ko) * 1999-07-15 2002-01-09 김용일 원자층 에피택시 공정을 위한 반도체 박막 증착장치
JP2003218116A (ja) * 2002-01-23 2003-07-31 New Japan Radio Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
US6921556B2 (en) * 2002-04-12 2005-07-26 Asm Japan K.K. Method of film deposition using single-wafer-processing type CVD
JP4077241B2 (ja) * 2002-05-14 2008-04-16 富士通株式会社 半導体装置の製造方法
JP2004273619A (ja) * 2003-03-06 2004-09-30 Hitachi High-Technologies Corp 真空処理装置用の試料載置装置
KR100728547B1 (ko) * 2003-12-18 2007-06-15 동경 엘렉트론 주식회사 기판 처리 방법, 기판 처리 장치 및 컴퓨터 판독가능한기록 매체
JP2008546203A (ja) * 2005-06-01 2008-12-18 マットソン テクノロジー インコーポレイテッド パルス化された加熱処理の間に熱収支を最適化する方法
US7651955B2 (en) * 2005-06-21 2010-01-26 Applied Materials, Inc. Method for forming silicon-containing materials during a photoexcitation deposition process
JP4245012B2 (ja) * 2006-07-13 2009-03-25 東京エレクトロン株式会社 処理装置及びこのクリーニング方法
JP4204611B2 (ja) * 2006-09-25 2009-01-07 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランクの製造方法
JP5109376B2 (ja) * 2007-01-22 2012-12-26 東京エレクトロン株式会社 加熱装置、加熱方法及び記憶媒体
JP2008192844A (ja) * 2007-02-05 2008-08-21 Tokyo Electron Ltd 基板処理方法及び塗布現像処理装置
WO2008136372A1 (ja) * 2007-04-27 2008-11-13 Idemitsu Kosan Co., Ltd. フォトレジスト基材、及びそれを含んでなるフォトレジスト組成物
JP2009094218A (ja) * 2007-10-05 2009-04-30 Dainippon Printing Co Ltd 被加工物の平坦化方法
KR101094982B1 (ko) * 2008-02-27 2011-12-20 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라즈마 에칭 처리 장치 및 플라즈마 에칭 처리 방법
JP5193121B2 (ja) * 2009-04-17 2013-05-08 東京エレクトロン株式会社 レジスト塗布現像方法
US8528224B2 (en) * 2009-11-12 2013-09-10 Novellus Systems, Inc. Systems and methods for at least partially converting films to silicon oxide and/or improving film quality using ultraviolet curing in steam and densification of films using UV curing in ammonia
JPWO2012049823A1 (ja) * 2010-10-15 2014-02-24 株式会社アルバック 半導体装置の製造方法および半導体装置
JP5905476B2 (ja) * 2010-10-19 2016-04-20 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ Ｎａｎｏｃｕｒｅｕｖチャンバ用の石英シャワーヘッド
US20130252432A1 (en) * 2010-12-17 2013-09-26 Tazmo Co., Ltd. Patterning method
JP5954125B2 (ja) * 2012-02-07 2016-07-20 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
US8753449B2 (en) * 2012-06-25 2014-06-17 Applied Materials, Inc. Enhancement in UV curing efficiency using oxygen-doped purge for ultra low-K dielectric film

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1197418A (ja) * 1997-09-17 1999-04-09 Toshiba Corp レジスト剥離方法
CN101341584A (zh) * 2005-12-20 2009-01-07 东京毅力科创株式会社 高电介质薄膜的改性方法和半导体装置
CN101421828A (zh) * 2006-09-29 2009-04-29 东京毅力科创株式会社 基板处理方法和基板处理装置
CN102522504A (zh) * 2006-10-31 2012-06-27 株式会社半导体能源研究所 半导体装置的制造方法以及半导体装置

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