CN105027212A - 用于使用感测电路执行逻辑运算的设备及方法 - Google Patents

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Abstract

本发明包含与使用感测电路执行逻辑运算有关的设备及方法。实例性设备包括存储器单元阵列及耦合到所述阵列的感测电路。所述感测电路经配置以使用存储于耦合到感测线的第一存储器单元中的数据值作为第一输入及使用存储于耦合到所述感测线的第二存储器单元中的数据值作为第二输入来执行逻辑运算。所述感测电路经配置以在不经由感测线地址存取传送数据的情况下执行所述逻辑运算。

Description

用于使用感测电路执行逻辑运算的设备及方法
技术领域
本发明一般来说涉及半导体存储器及方法，且更特定来说涉及与使用感测电路执行逻辑运算有关的设备及方法。
背景技术
存储器装置通常作为内部半导体集成电路提供于计算机或其它电子系统中。存在包含易失性及非易失性存储器的许多不同类型的存储器。易失性存储器可需要电力来维持其数据(例如，主机数据、错误数据等)且包含随机存取存储器(RAM)、动态随机存取存储器(DRAM)、静态随机存取存储器(SRAM)、同步动态随机存取存储器(SDRAM)及晶闸管随机存取存储器(TRAM)以及其它存储器。非易失性存储器可通过在未经供电时保持所存储数据而提供永久数据且可包含NAND快闪存储器、NOR快闪存储器及例如相变随机存取存储器(PCRAM)、电阻式随机存取存储器(RRAM)及磁阻随机存取存储器(MRAM)(例如自旋扭矩转移随机存取存储器(STT RAM))的电阻可变存储器以及其它存储器。
电子系统通常包含若干个处理资源(例如，一或多个处理器)，所述处理资源可检索并执行指令且将所执行指令的结果存储到适合位置。处理器可包括(举例来说)可用以通过对数据(例如，一或多个运算数)执行例如AND、OR、NOT、NAND、NOR及XOR逻辑运算等逻辑运算来执行指令的若干个功能单元，例如算术逻辑单元(ALU)电路、浮点单元(FPU)电路及/或组合逻辑块。举例来说，功能单元电路(FUC)可用以对运算数执行例如加法、减法、乘法及/或除法的算术运算。
在向FUC提供指令以供执行时可涉及电子系统中的若干个组件。指令可(例如)通过例如控制器及/或主机处理器的处理资源产生。数据(例如，将对其执行指令的运算数)可存储于可由FUC存取的存储器阵列中。可在FUC开始对数据执行指令之前从存储器阵列检索且定序及/或缓冲指令及/或数据。此外，在可经由FUC在一或多个时钟周期中执行不同类型的运算时，也可定序及/或缓冲指令及/或数据的中间结果。
在许多实例中，处理资源(例如，处理器及/或相关联的FUC)可在存储器阵列外部，且经由处理资源与存储器阵列之间的总线存取数据以执行一组指令。处理性能可在存储器中处理器(PIM)装置中进行改良，其中处理器可在存储器内部及/或接近存储器(例如，直接在与存储器阵列相同的芯片上)而实施，此可在处理时节约时间及电力。然而，此类PIM装置可具有例如增大的芯片大小的各种缺陷。此外，此类PIM装置可仍然消耗与执行逻辑运算(例如，计算函数)相关联的不期望量的电力。
附图说明
图1是根据本发明的若干个实施例的呈包含存储器系统的计算系统的形式的设备的框图。
图2A图解说明根据本发明的若干个实施例的耦合到感测电路的存储器阵列的一部分的示意图。
图2B图解说明根据本发明的若干个实施例的与使用感测电路执行逻辑运算相关联的时序图。
图3图解说明根据本发明的若干个实施例的感测电路的一部分的示意图。
具体实施方式
本发明包含与使用感测电路执行逻辑运算有关的设备及方法。实例性设备包括存储器单元阵列及耦合到所述阵列的感测电路。所述感测电路经配置以使用存储于耦合到感测线的第一存储器单元中的数据值作为第一输入及使用存储于耦合到所述感测线的第二存储器单元中的数据值作为第二输入来执行逻辑运算。所述感测电路经配置以在不经由感测线地址存取传送数据的情况下执行逻辑运算。
如与例如先前PIM系统及具有外部处理器(例如，位于存储器阵列外部(例如在单独集成电路芯片上)的处理资源)的系统的先前系统相比，本发明的若干个实施例可提供经改进的并行性及/或与执行计算函数相关联的减小的电力消耗。例如，若干个实施例可提供(例如)在不经由总线(例如，数据总线、地址总线、控制总线)将数据传送出存储器阵列及感测电路的情况下全面地执行例如整数加法、减法、乘法、除法的完整计算函数及CAM(内容可定址存储器)功能。此类计算函数可涉及执行若干个逻辑运算(例如，AND、NOT、NOR、NAND、XOR等)。然而，实施例并不限于这些实例。例如，执行逻辑运算可包含执行例如复制、比较、销毁等若干个非布尔逻辑运算。
在先前方法中，可从阵列及感测电路(例如，经由包括输入/输出(I/O)线的总线)将数据传送到可包括ALU电路及/或经配置以执行适当逻辑运算的其它功能单元电路的处理资源，例如处理器、微处理器及/或计算引擎。然而，将数据从存储器阵列及感测电路传送到此类处理资源可涉及显著电力消耗。即使处理资源位于与存储器阵列相同的芯片上，也可在将数据从阵列移动出到计算电路时消耗显著电力，此可涉及执行感测线地址存取(例如，列解码信号的发射)以便将数据从感测线传送到I/O线上，从而将数据移动到阵列周边，且给计算函数提供数据。
此外，处理资源的电路(例如，计算引擎)可能不符合与存储器阵列相关联的间距规则。举例来说，存储器阵列的单元可具有4F2或6F2单元大小，其中“F”是对应于单元的特征大小。如此，与先前PIM系统的ALU电路相关联的装置(例如，逻辑栅极)可不能够与存储器单元成间距地形成，此可(举例来说)影响芯片大小及/或存储器密度。
在本发明的以下详细说明中，参考形成其一部分的随附图式，且在随附图式中通过图解说明的方式展示可如何实践本发明的一或多个实施例。足够详细地描述这些实施例使得所属领域的技术人员能够实践本发明的实施例，且将理解，可利用其它实施例且可在不背离本发明的范围的情况下做出过程、电及/或结构改变。如本文中所使用，指示符“N”(特定来说关于图式中的元件符号)指示可包含经如此设计的若干个特定特征。如本文中所使用，“若干个”特定事物可指代一或多个此类事物(例如，若干个存储器阵列可指代一或多个存储器阵列)。
本文中的图遵循其中第一数字或前几个数字对应于图式图编号且剩余数字识别图式中的元件或组件的编号惯例。不同图之间的类似元件或组件可通过使用类似数字来识别。举例来说，130可指代图1中的元件“30”，且类似元件可称为图2中的230。如将了解，本文中的各种实施例中所展示的元件可经添加、交换及/或消除以便提供本发明的若干个额外实施例。另外，如将了解，图中所提供的元件的比例及相对比例尺打算图解说明本发明的特定实施例，且不应视为具有限制性意义。
图1是根据本发明的若干个实施例的呈包含存储器装置120的计算系统100的形式的设备的框图。如本文中所使用，存储器装置120、存储器阵列130及/或感测电路150也可单独地视为“设备”。
系统100包含耦合到存储器装置120的主机110，所述存储器装置包含存储器阵列130。主机110可为主机系统，例如个人膝上型计算机、桌上型计算机、数码相机、移动电话或存储器读卡器以及各种其它类型的主机。主机102可包含系统主板及/或底板且可包含若干个处理资源(例如，一或多个处理器、微处理器或某些其它类型的控制电路)。系统100可包含单独集成电路或主机110及存储器装置120两者均可在相同集成电路上。系统100可为(例如)服务器系统及/或高性能计算(HPC)系统及/或其一部分。尽管图1中所展示的实例图解说明具有冯·诺伊曼(von Neumann)架构的系统，但本发明的实施例可在非冯·诺伊曼架构(例如，图灵机)中实施，非冯·诺伊曼架构可不包含通常与冯·诺伊曼架构相关联的一或多个组件(例如，CPU、ALU等)。
为清晰起见，系统100已经简化以着重于与本发明特别相关的特征。存储器阵列130可为(例如)DRAM阵列、SRAM阵列、STT RAM阵列、PCRAM阵列、TRAM阵列、RRAM阵列、NAND快闪阵列及/或NOR快闪阵列。阵列130可包括布置成由存取线(其可在本文中称为字线或选择线)耦合的行及由感测线(其可在本文中称为数字线或数据线)耦合的列的存储器单元。尽管单个阵列130展示于图1中，但实施例并不受限于此。例如，存储器装置120可包含若干个阵列130(例如，若干个DRAM单元库)。与图2相关联地描述实例性DRAM阵列。
存储器装置120包含地址电路142，所述地址电路用以经由I/O电路144锁存经由I/O总线156(例如，数据总线)所提供的地址信号。地址信号由行解码器146及列解码器152接收并解码以存取存储器阵列130。可通过使用感测电路150感测感测线上的电压及/或电流改变从存储器阵列130读取数据。感测电路150可从存储器阵列130读取并锁存数据页(例如，行)。I/O电路144可用于经由I/O总线156与主机110进行双向数据通信。写入电路148用以将数据写入到存储器阵列130。
控制电路140解码由控制总线154从主机110提供的信号。这些信号可包含用以控制对存储器阵列130执行的运算(包含数据读取、数据写入及数据擦除运算)的芯片启用信号、写入启用信号及地址锁存信号。在各种实施例中，控制电路140负责执行来自主机110的指令。控制电路140可为状态机、定序器或某一其它类型的控制器。
下文与图2及3相关联地进一步描述感测电路150的实例。例如，在若干个实施例中，感测电路150可包括若干个读出放大器(例如，图2中所展示的读出放大器206或图3中所展示的读出放大器306)及若干个计算组件，所述计算组件可包括累加器(例如，图2中所展示的计算组件231)且可用以执行逻辑运算(例如，对与互补感测线相关联的数据)。在若干个实施例中，感测电路(例如，150)可用以使用存储于阵列130中的数据作为输入在不经由感测线地址存取传送的情况下(例如，在不发射列解码信号的情况下)执行逻辑运算且将逻辑运算的结果存储回阵列130。如此，可在感测电路150内使用所述感测电路来执行各种计算函数，而非通过所述感测电路外部的处理资源(例如，通过与主机110相关联的处理器及/或位于装置120上(例如，位于控制电路140上或其它地方)的其它处理电路(例如ALU电路))来执行计算函数。在各种先前方法中，与运算数相关联的数据(例如)将经由感测电路从存储器读取且经由本地I/O线提供到外部ALU电路。外部ALU电路将使用运算数执行计算函数且将经由本地I/O线把结果传送回阵列。相比来说，在本发明的若干个实施例中，感测电路(例如，150)经配置以对存储于存储器(例如，阵列130)中的数据执行逻辑运算且在不启用耦合到感测电路的本地I/O线的情况下将结果存储到存储器。
如此，在若干个实施例中，不需要阵列130及感测电路150外部的电路来执行计算函数，这是因为感测电路150可在不使用外部处理资源的情况下执行适当逻辑运算以执行此类计算函数。因此，可使用感测电路150至少在某种程度上补充及/或替换此外部处理资源(或至少此外部处理资源的带宽)。然而，在若干个实施例中，感测电路150可用以执行除由外部处理资源(例如，主机110)执行的逻辑运算以外的逻辑运算(例如，用以执行指令)。例如，主机110及/或感测电路150可限于仅执行特定逻辑运算及/或特定数目个逻辑运算。
图2图解说明根据本发明的若干个实施例的耦合到感测电路的存储器阵列230的一部分的示意图。在此实例中，存储器阵列230是各自由存取装置202(例如，晶体管)及存储元件203(例如，电容器)构成的1T1C(一晶体管一电容器)存储器单元的DRAM阵列。在若干个实施例中，存储器单元是破坏性读取存储器单元(例如，读取存储于单元中的数据销毁所述数据，使得最初存储于单元中的数据在读取之后被刷新)。阵列230的单元布置成由字线204-0(Row0)、204-1(Row1)、204-2(Row2)、204-3(Row3)、…、204-N(RowN)耦合的行及由感测线(例如，数字线)205-1(D)及205-2(D_)耦合的列。在此实例中，每单元列与一对互补感测线205-1(D)及205-2(D_)相关联。尽管仅在图2A中图解说明了单个存储器单元列，但实施例并不受限于此。例如，特定阵列可具有若干个存储器单元列及/或感测线(例如，4096、8192、16384个等)。特定存储器单元晶体管202的栅极耦合到其对应字线204-0、204-1、204-2、204-3、…、204-N，第一源极/漏极区域耦合到其对应感测线205-1，且特定存储器单元晶体管的第二源极/漏极区域耦合到其对应电容器203。尽管未在图2A中图解说明，但感测线205-2也可耦合到存储器单元列。
阵列230耦合到根据本发明的若干个实施例的感测电路。在此实例中，感测电路包括读出放大器206及计算组件231。感测电路可为图1中所展示的感测电路150。读出放大器206耦合到对应于特定存储器单元列的互补感测线D、D_。读出放大器206可为例如下文与图3相关联地描述的读出放大器306的读出放大器。如此，读出放大器206可经操作以确定选定单元中所存储的状态(例如，逻辑数据值)。实施例并不限于实例性读出放大器206。例如，根据本文中所描述的若干个实施例的感测电路可包含电流模式读出放大器及/或单端读出放大器(例如，耦合到一个感测线的读出放大器)。
在若干个实施例中，计算组件(例如，231)可包括若干个晶体管，所述晶体管与读出放大器(例如，206)的晶体管及/或阵列(例如，230)的存储器单元成间距地形成，此可符合特定特征大小(例如，4F2、6F2等)。如下文进一步所描述，计算组件231可结合读出放大器206一起操作以使用来自阵列230的数据作为输入在不经由感测线地址存取传送数据的情况下(例如，在不发射列解码信号使得数据经由本地I/O线传送到阵列及感测电路外部的电路的情况下)执行各种逻辑运算且将结果存储回阵列230。如此，本发明的若干个实施例可使得能够使用比各种先前方法少的电力执行逻辑运算及与其相关联的计算函数。另外，由于若干个实施例消除了对跨越本地I/O线传送数据以便执行计算函数的需要，因此若干个实施例可实现与先前方法相比增加的并行处理能力。
在图2中所图解说明的实例中，对应于计算组件231的电路包括耦合到感测线D及D_中的每一者的五个晶体管；然而，实施例并不限于此实例。晶体管207-1及207-2具有分别耦合到感测线D及D_的第一源极/漏极区域及耦合到交叉耦合的锁存器(例如，耦合到例如交叉耦合的NMOS晶体管208-1及208-2及交叉耦合的PMOS晶体管209-1及209-2的一对交叉耦合的晶体管的栅极)的第二源极/漏极区域。如本文中进一步所描述，包括晶体管208-1、208-2、209-1及209-2的交叉耦合的锁存器可称为次级锁存器(对应于读出放大器206的交叉耦合的锁存器可在本文中称为初级锁存器)。
晶体管207-1及207-2可称为传递晶体管，所述传递晶体管可经由相应信号211-1(Passd)及211-2(Passdb)启用以便将相应感测线D及D_上的电压或电流传递到包括晶体管208-1、208-2、209-1及209-2的交叉耦合的锁存器的输入(例如，次级锁存器的输入)。在此实例中，晶体管207-1的第二源极/漏极区域耦合到晶体管208-1及209-1的第一源极/漏极区域以及晶体管208-2及209-2的栅极。类似地，晶体管207-2的第二源极/漏极区域耦合到晶体管208-2及209-2的第一源极/漏极区域以及晶体管208-1及209-1的栅极。
晶体管208-1及208-2的第二源极/漏极区域通常耦合到负控制信号212-1(Accumb)。晶体管209-1及209-2的第二源极/漏极区域通常耦合到正控制信号212-2(Accum)。Accum信号212-2可为供应电压(例如，Vcc)且Accumb信号可为参考电压(例如，接地)。启用信号212-1及212-2激活对应于次级锁存器的包括晶体管208-1、208-2、209-1及209-2的交叉耦合的锁存器。经激活读出放大器对操作以放大共同节点217-1与共同节点217-2之间的差分电压，使得节点217-1被驱动到Accum信号电压及Accumb信号电压中的一者(例如，到Vcc及接地中的一者)，且节点217-2被驱动到Accum信号电压及Accumb信号电压中的另一者。如下文进一步所描述，信号212-1及212-2标记为“Accum”及“Accumb”，这是因为次级锁存器可在用以执行逻辑运算时用作累加器。在若干个实施例中，累加器包括形成次级锁存器的交叉耦合的晶体管208-1、208-2、209-1及209-2以及传递晶体管207-1及208-2。如本文中进一步所描述，在若干个实施例中，包括耦合到读出放大器的累加器的计算组件可经配置以执行包括对由一对互补感测线中的至少一者上的信号(例如，电压或电流)表示的数据值执行累加运算的逻辑运算。
计算组件231还包含具有耦合到相应数字线D及D_的第一源极/漏极区域的反相晶体管214-1及214-2。晶体管214-1及214-2的第二源极/漏极区域分别耦合到晶体管216-1及216-2的第一源极/漏极区域。晶体管214-1及214-2的栅极耦合到信号213(InvD)。晶体管216-1的栅极耦合到共同节点217-1，晶体管208-2的栅极、晶体管209-2的栅极及晶体管208-1的第一源极/漏极区域也耦合到所述共同节点。以互补方式，晶体管216-2的栅极耦合到共同节点217-2，晶体管208-1的栅极、晶体管209-1的栅极及晶体管208-2的第一源极/漏极区域也耦合到所述共同节点。如此，启用信号InvD用以使存储于次级锁存器中的数据值反相且将经反相值驱动到感测线205-1及205-2上。
在图2中，计算组件231经配置以执行AND、NAND及/或NOT(例如，反相)运算。以下实例将演示可如何使用存储于阵列230中的数据作为输入执行3输入NAND运算，及可如何经由感测电路(例如，读出放大器206及计算组件231)的运算将NAND运算的结果存储于阵列中。实例涉及使用存储于耦合到字线204-0、204-1及204-2且通常耦合到感测线205-1的存储器单元中的数据值(例如，逻辑1或逻辑0)作为NAND运算的相应输入。NAND运算的结果将存储于耦合到字线204-3且耦合到感测线205-1的存储器单元中(例如，通过重写存储于单元中的先前数据值)。
3输入NAND运算的第一运算阶段包含在Row0存储器单元上使用读出放大器206执行感测运算以确定用作NAND运算的第一输入的其所存储数据值。读出放大器206可以与下文与图3相关联地描述的读出放大器306类似的方式操作。感测运算涉及启用Row0(例如，以激活存取晶体管202)且产生感测线D上的对应于逻辑1的电压(例如，Vcc)或对应于逻辑0的电压(例如，接地)(及互补感测线D_上的其它电压)，使得所感测数据值存储于对应于读出放大器206的初级锁存器中。在感测Row0存储器单元之后，启用Passd信号211-1及Passdb信号211-2且启用Accumb信号212-1及Accum信号212-2，此导致存储于Row0存储器单元中的所感测数据值被复制到对应于计算组件231的次级锁存器。然后停用Passd及Passdb信号；然而，Accum及Accumb信号保持启用(如下文所描述在第二、第三、第四运算阶段期间)。然后停用Row0且平衡发生。如下文与图3相关联地描述，平衡可涉及(例如)在可为Vcc/2的平衡电压下使互补感测线D及D_一起短路。平衡可(例如)在存储器单元感测运算之前发生。
3输入NAND运算的第二阶段包含在Row1存储器单元上使用读出放大器206执行感测运算以确定用作NAND运算的第二输入的其所存储数据值。如此，启用Row1且将感测线D及D_各自经驱动到Vcc及接地中的不同者。在此实例中，感测线D上的Vcc电压对应于存储于存储器单元中的逻辑1且感测线D上的接地电压对应于逻辑0；然而，实施例并不限于此实例。在感测Row1存储器单元之后，启用Passd信号211-1而Passdb信号211-2保持停用(例如，仅启用Passd)。想到Accumb信号212-1及Accum信号212-2保持启用。如果存储于Row1存储器单元中的数据值为逻辑0，那么与次级锁存器相关联的所累加值被断言为低，使得次级锁存器存储逻辑0。如果存储于Row1存储器单元中的数据值并非逻辑0，那么次级锁存器保持其所存储Row0数据值(例如，逻辑1或逻辑0)。如此，在此实例中，次级锁存器用作零(0)累加器。然后停用Passd信号，停用Row1且平衡发生。
3输入NAND运算的第三阶段包含在Row2存储器单元上使用读出放大器206执行感测运算以确定用作NAND运算的第三输入的其所存储数据值。如此，启用Row2且将感测线D及D_各自驱动到Vcc及接地中的不同者。在感测Row2存储器单元之后，启用Passd信号211-1，同时Passdb信号211-2保持停用(例如，仅启用Passd)。想到Accumb信号212-1及Accum信号212-2保持启用。如果存储于Row2存储器单元中的数据值为逻辑0，那么与次级锁存器相关联的所累加值被断言为低，使得次级锁存器存储逻辑0。如果存储于Row2存储器单元中的数据值并非逻辑0，那么次级锁存器保持其先前所存储值(例如，其所存储值)。如此，存储于次级锁存器中的值(例如，累加器的输出)是存储于相应Row0、Row1及Row2存储器单元中的数据值的AND。然后停用Passd信号，停用Row2且平衡发生。
3输入NAND运算的第四阶段包含停用平衡使得感测线D及D_浮动。然后启用InvD信号213，此致使存储于次级锁存器中的数据值的反相(例如，使所累加输出反相)。如此，如果Row0到Row2的存储器单元中的任一者存储逻辑0(例如，如果NAND运算的三个输入中的任一者为逻辑0)，那么感测线D_将载运对应于逻辑0的电压(例如，接地电压)且感测线D将载运对应于逻辑1的电压(例如，Vcc)。如果Row0到Row2的所有存储器单元存储逻辑1(例如，NAND运算的所有三个输入为逻辑1)，那么感测线D_将载运对应于逻辑1的电压且感测线D将载运对应于逻辑0的电压。然后启用读出放大器206的初级锁存器且感测线D现在含有从Row0到Row2存储器单元的相应输入数据值的经NAND运算的结果。如此，如果Row0到Row2存储器单元中的任一者存储逻辑0，那么感测线D将处于Vcc，且如果所有Row0到Row2存储器单元存储逻辑1，那么感测线D将接地。然后将NAND运算的结果存储回阵列230的存储器单元。在此实例中，NAND运算的结果可存储到Row3存储器单元。将NAND运算的结果存储到Row3存储器单元仅涉及通过启用Row3激活Row3存取晶体管202。Row3存储器单元的电容器203将被驱动到对应于感测线D上的数据值(例如，逻辑1或逻辑0)的电压，此基本上重写先前存储于Row3存储器单元中的任何数据值。实施例并不受限于此。例如，在若干个实施例中，逻辑运算的结果可写入到除Row3的存储器单元以外的存储器单元。举例来说，可将结果存储回最初存储用作运算的输入的数据的存储器单元中的一者(例如，到Row0、Row1及Row2的单元中的一者)。在若干个实施例中，逻辑运算的结果可不存储回阵列。例如，在执行逻辑运算之后，可将结果从累加器(例如，计算组件231的累加器)传送到外部装置(例如，经由耦合到读出放大器的本地I/O线)。
尽管上述实例涉及3输入NAND运算，但实施例并不受限于此。例如，在若干个实施例中，输入的数目可等于与特定阵列相关联的行的数目(例如，N)。即，图2中所描述的相同感测电路可用以执行N输入NAND函数。例如图2中所描述的感测电路的感测电路也可实现并行的众多逻辑运算的执行。例如，可在阵列中具有16K个列，可在不经由总线从阵列及感测电路传送数据及/或在不经由本地I/O线从阵列及感测电路传送数据的情况下并行地执行16K个逻辑运算。
此外，所属领域的技术人员将了解，执行NAND逻辑运算的能力可实现例如加法、减法及乘法等较为复杂的计算函数以及其它主要数学函数及/或图案比较函数的性能。举例来说，一系列NAND运算可经组合以执行全加法器函数。作为实例，如果全加法器需要12个NAND门将两个数据值连同进位输入及进位输出一起相加，那么可执行总共384次NAND运算(12×32)来添加两个32位数目。本发明的实施例也可用以执行可为非布尔运算(例如，复制、比较等)及/或可比NAND运算较复杂或较不复杂的逻辑运算。
另外，在若干个实施例中，到所执行的逻辑运算的输入可并非存储于感测电路(例如，150)耦合到其的存储器阵列中的数据值。例如，到逻辑运算的若干个输入可在不激活阵列(例如，230)的行的情况下由读出放大器(例如，206)感测。作为实例，可由读出放大器206经由耦合到其的I/O线(例如，图3中所展示的I/O线334-1及334-2)接收所述若干个输入。例如，此类输入可从阵列230外部的源(例如从主机处理器(例如，主机110)及/或外部控制器)(例如，经由适当I/O线)提供到读出放大器206。作为另一实例，与执行逻辑运算相关联，到特定读出放大器(例如，206)及其对应计算组件(例如，231)的输入可从不同读出放大器/计算组件对接收。例如，存储于耦合到第一单元列的第一累加器中的数据值(例如，逻辑结果)可传送到与不同单元列(其可或可不位于与第一列相同的阵列中)相关联的不同(例如，邻近)读出放大器/计算组件对。
本发明的实施例不限于图2中所图解说明的特定感测电路配置。例如，不同计算组件电路可用以执行根据本文中所描述的若干个实施例的逻辑运算。尽管图2中未图解说明，但在若干个实施例中，控制电路可耦合到阵列230、读出放大器206及/或计算组件231。例如，此控制电路可实施于与阵列及感测电路相同的芯片上及/或实施于例如外部处理器等外部处理资源上，且可控制启用/停用对应于阵列及感测电路的各种信号以便执行如本文中所描述的逻辑运算。
图2B图解说明根据本发明的若干个实施例的与使用感测电路执行逻辑运算相关联的时序图285。作为实例，时序图285可图解说明例如上文所描述的运算的3输入NAND运算的阶段。时序图285图解说明与执行逻辑运算的第一阶段相关联的电压信号。如下文进一步所描述，执行图2B中所图解说明的逻辑运算阶段可涉及消耗比先前处理方法显著少的能量(例如，大约一半)，此可涉及提供电压轨之间(例如，供应电压与接地之间)的全摆动以执行计算函数。
在图2B中所图解说明的实例中，对应于互补逻辑值(例如，“1”及“0”)的电压轨是供应电压274(VDD)及接地电压272(Gnd)。在执行逻辑运算之前，平衡可发生，使得互补感测线D及D_在平衡电压225(VDD/2)下一起短路。下文与图3相关联地进一步描述平衡。
在时间t1处，去激活平衡信号226，且然后激活行(例如，对应于将感测其数据值的存储器单元的行)。信号204表示施加到选定行的电压信号。当行信号204达到对应于选定单元的存取晶体管(例如，202)的阈值电压(Vt)时，存取晶体管接通且将感测线D耦合到选定存储器单元(例如，如果单元是1T1C DRAM单元，那么耦合到电容器203)，此在时间t2与时间t3之间在感测线D与D_(例如，如分别由信号205-1及205-2指示)之间形成差分电压信号。选定单元的电压由信号203表示。由于能量守恒，因此在D与D_之间(例如，通过将单元耦合到D)形成差分信号不消耗能量，这是因为与激活/去激活行信号204相关联的能量可分摊于耦合到行的多个存储器单元上。
在时间t3处，读出放大器发射(例如，正控制信号231(例如，图3中所展示的PSA 331)变高，且负控制信号228(例如，RNL_328)变低)，此放大差分信号。在将感测线D 205-1从VDD/2充电到VDD时发生主要能量消耗。
在时间t4处，取决于特定逻辑运算激活传递晶体管207-1及/或207-2。由于时序图285是描述NAND运算的第一阶段，因激活此传递晶体管207-1及207-2两者(如上文所描述，在累加运算期间在NAND运算的后续阶段中仅激活传递晶体管(例如，207-1)中的一者)。在时间t5处，激活累加器控制信号212-1(Accumb)及212-2(Accum)。如上文所描述，在NAND运算的后续阶段中，将已激活累加器控制信号212-1及212-2。如此，在此实例中，激活控制信号212-1及212-2激活累加器。如果先前激活了累加器，那么激活passd 211致使累加对应于电压信号205-1的数据值。
在时间t6处，去激活传递晶体管207-1及207-2；然而，由于累加器控制信号212-1及212-2保持激活，因此所累加结果存储(例如，锁存)于累加器中。在时间t7处，去激活行信号204，且在时间t8处去激活阵列读出放大器(例如，去激活读出放大器控制信号228及231)。
在时间t9处，使感测线D及D_平衡(例如，激活平衡信号226)，如由从其相应轨值移动到平衡电压225(VDD/2)的感测线电压信号205-1及205-2所图解说明。由于能量守恒定律，平衡消耗较少能量。
与图2相关联地描述的实例性逻辑运算阶段涉及累加数据值(例如，从存储器单元感测的数据值及/或对应于感测线的电压或电流的数据值)。由于能量守恒，因此在执行逻辑运算阶段时所消耗的能量大致等于在于时间t3(例如，当发射读出放大器时)开始的将感测线D或D_的电容从VDD/2充电到VDD期间所消耗的能量。如此，执行大致消耗用以将感测线(例如，数字线)从VDD/2充电到VDD的能量的逻辑运算。相比来说，各种先前处理方法消耗用以将感测线从轨到轨(例如，从接地到VDD)充电的能量的至少量。
图3图解说明根据本发明的若干个实施例的感测电路的一部分的示意图。在此实例中，感测电路的部分包括读出放大器306。在若干个实施例中，针对阵列(例如，阵列130)中的每一存储器单元列提供一个读出放大器306(例如，“读出放大器”)。读出放大器306可为(例如)DRAM阵列的读出放大器。在此实例中，读出放大器306耦合到一对互补感测线305-1(“D”)及305-2(“D_”)。如此，读出放大器306经由感测线D及D_耦合到相应列中的所有存储器单元。
读出放大器306包含分别具有耦合到负控制信号328(RNL_)的其相应源极及耦合到感测线D及D_的其漏极的一对交叉耦合的n沟道晶体管(例如，NMOS晶体管)327-1及327-2。读出放大器306还包含分别具有耦合到正控制信号331(PSA)的其相应源极及耦合到感测线D及D_的其漏极的一对交叉耦合的p沟道晶体管(例如，PMOS晶体管)329-1及329-2。
读出放大器306包含分别耦合到感测线D及D_的一对隔离晶体管321-1及321-2。隔离晶体管321-1及321-2耦合到控制信号322(ISO)，当启用所述控制信号时，激活(例如，接通)晶体管321-1及321-2以将读出放大器306连接到存储器单元列。尽管图3中未图解说明，但读出放大器306可耦合到第一及第二存储器阵列且可包含耦合到互补控制信号(例如，ISO_)的另一对隔离晶体管，当启用ISO时停用所述互补控制信号，使得当读出放大器306耦合到第二阵列时读出放大器306与第一阵列隔离，且反之亦然。
读出放大器306还包含经配置以平衡感测线D及D_的电路。在此实例中，平衡电路包括具有耦合到平衡电压325(dvc2)的第一源极/漏极区域的晶体管324，所述平衡电压可等于Vcc/2，其中Vcc为与阵列相关联的供应电压。晶体管324的第二源极/漏极区域耦合到一对晶体管323-1及323-2的共同第一源极/漏极区域。晶体管323-1及323-2的第二源极漏极区域分别耦合到感测线D及D_。晶体管324、323-1及323-2的栅极耦合到控制信号326(EQ)。如此，启用EQ激活晶体管324、323-1及323-2，此使感测线D对感测线D_有效地短路，使得感测线D及D_被平衡到平衡电压dvc2。
读出放大器306还包含其栅极耦合到信号333(COLDEC)的晶体管332-1及332-2。信号333可称为列解码信号或列选择信号。响应于启用信号333，感测线D及D_连接到相应本地I/O线334-1(IO)及334-2(IO_)(例如，以执行例如与读取操作相关联的感测线存取的操作)。如此，可启用信号333以在I/O线334-1及334-2上将对应于正存取的存储器单元的状态的信号(例如，例如逻辑0或逻辑1的逻辑数据值)传送出阵列。
在运算中，当感测到存储器单元(例如，读取)时，感测线D、D_中的一者上的电压将稍微大于感测线D、D_中的另一者上的电压。然后PSA信号被驱动为高且RNL_信号被驱动为低以启用读出放大器306。具有较低电压的感测线D、D_将把PMOS晶体管329-1、329-2中的一者接通到与PMOS晶体管329-1、329-2中的另一者相比较大的程度，借此将具有较高电压的感测线D、D_驱动为高到与将另一感测线D、D_驱动为高相比较大的程度。类似地，具有较高电压的感测线D、D_将把NMOS晶体管327-1、327-2中的一者接通到与NMOS晶体管327-1、327-2中的另一者相比较大的程度，借此将具有较低电压的感测线D、D_驱动为低到与另一感测线D、D_驱动为低相比较大的程度。因此，在短延迟之后，具有稍微较大电压的感测线D、D_被驱动到PSA信号的电压(其可为供应电压Vcc)，且另一感测线D、D_被驱动到RNL_信号的电压(其可为例如接地电势的参考电势)。因此，交叉耦合的NMOS晶体管327-1、327-2及PMOS晶体管329-1、329-2用作读出放大器对，所述读出放大器对放大感测线D及D_上的差分电压且用以锁存从选定存储器单元感测的数据值。如本文中所使用，读出放大器306的交叉耦合的锁存器可称为初级锁存器。相比来说，且如上文连同图2一起描述，与计算组件(例如，图2中所展示的计算组件231)相关联的交叉耦合的锁存器可称为次级锁存器。
结论
本发明包含与使用感测电路执行逻辑运算有关的设备及方法。实例性设备包括存储器单元阵列及耦合到所述阵列的感测电路。所述感测电路经配置以使用存储于耦合到感测线的第一存储器单元中的数据值作为第一输入及使用存储于耦合到所述感测线的第二存储器单元中的数据值作为第二输入来执行逻辑运算。所述感测电路经配置以在不经由感测线地址存取传送数据的情况下执行逻辑运算。
尽管本文中已图解说明及描述特定实施例，但所属领域的技术人员将了解，经计算以达成相同结果的布置可替代所展示的特定实施例。本发明打算涵盖本发明的一或多个实施例的修改或变化。将理解，已以说明性方式且非限制性方式做出上述说明。所属领域的技术人员在阅读上述说明后将即刻明了上述实施例及本文中未具体描述的其它实施例的组合。本发明的一或多个实施例的范围包含其中使用上述结构及方法的其它应用。因此，本发明的一或多个实施例的范围应参考所附权利要求书以及此等权利要求书所授权的等效物的全部范围而确定。
在前述详细说明中，在单个实施例中出于简化本发明的目的将某些特征分组在一起。本发明的此方法不应解释为反映本发明的所揭示实施例必须使用比每一权利要求中所明确陈述的特征多的特征的意图。而是，如以下权利要求书所反映，发明性标的物在于少于单个所揭示的实施例的所有特征。因此，以下权利要求书特此并入到详细说明中，其中每一权利要求独立地作为单独实施例。

Claims (38)

1.一种设备，其包括：
存储器单元阵列；及
感测电路，其耦合到所述阵列且经配置以在第一时间点使用耦合到所述感测电路的所述阵列的感测线上的第一数据值作为第一输入及在第二时间点使用所述感测线上的第二数据值作为第二输入来执行逻辑运算；且
其中所述感测电路经配置以在不经由感测线地址存取传送数据的情况下执行所述逻辑运算。
2.根据权利要求1所述的设备，其中所述感测电路包括耦合到所述阵列的列的读出放大器及计算组件。
3.根据权利要求2所述的设备，其中所述读出放大器及/或计算组件经配置以从另一读出放大器及/或另一计算组件接收输入，其中所述另一读出放大器及计算组件耦合到另一存储器单元列。
4.根据权利要求3所述的设备，其中所述另一存储器单元列在所述阵列中。
5.根据权利要求3所述的设备，其中所述另一存储器单元列在另一存储器单元阵列中。
6.根据权利要求1到5中任一权利要求所述的设备，其中所述感测电路进一步经配置以将所述逻辑运算的结果存储于耦合到所述感测线的存储器单元中。
7.根据权利要求1到5中任一权利要求所述的设备，其中所述感测电路进一步经配置以在所述感测电路及所述阵列的外部传送所述逻辑运算的结果。
8.根据权利要求1到5中任一权利要求所述的设备，其中所述感测电路经配置以执行逻辑运算包括：所述感测电路经配置以执行布尔运算。
9.根据权利要求1到5中任一权利要求所述的设备，其中所述感测电路经配置以执行逻辑运算包括：所述感测电路经配置以执行非布尔运算。
10.根据权利要求1到5中任一权利要求所述的设备，其中所述感测电路经配置以从耦合到所述感测线的第一存储器单元感测所述第一数据值且经配置以从耦合到所述感测线的第二存储器单元感测所述第二数据值。
11.根据权利要求1到5中任一权利要求所述的设备，其中所述感测电路经配置以从耦合到所述感测电路的I/O线提供所述感测线上的所述第一数据值及/或所述第二数据值。
12.根据权利要求1到5中任一权利要求所述的设备，其中所述感测电路经配置以从另一感测电路提供所述感测线上的所述第一数据值及/或所述第二数据值。
13.根据权利要求1到5中任一权利要求所述的设备，其中所述感测电路进一步包括读出放大器，所述读出放大器经配置以从耦合到所述读出放大器的I/O线接收所述第一数据值及/或所述第二数据值。
14.根据权利要求1到5中任一权利要求所述的设备，其中所述感测电路进一步包括读出放大器，所述读出放大器经配置以从耦合到所述读出放大器的另一读出放大器接收所述第一数据值及/或所述第二数据值。
15.一种设备，其包括：
存储器单元阵列；及
感测电路，其耦合到所述阵列且经配置以：
使用存储于耦合到感测线的第一存储器单元中的数据值作为第一输入及使用存储于耦合到所述感测线的第二存储器单元中的数据值作为第二输入来执行逻辑运算；且
其中所述感测电路经配置以在不经由感测线地址存取传送数据的情况下执行所述逻辑运算。
16.根据权利要求15所述的设备，其中所述感测线包括一对互补感测线中的第一感测线，且其中所述感测电路包括：
读出放大器，其耦合到所述对互补感测线；及
计算组件，其耦合到所述读出放大器且包括：
交叉耦合的锁存器；
耦合到所述交叉耦合的锁存器且耦合到所述第一感测线的传递晶体管；及
耦合到所述交叉耦合的锁存器且耦合到所述对互补感测线中的第二感测线的传递晶体管。
17.根据权利要求16所述的设备，其中所述计算组件的晶体管与所述阵列的存储器单元及/或与所述读出放大器的晶体管成间距地形成。
18.根据权利要求16所述的设备，其中所述计算组件进一步包括：
耦合到所述交叉耦合的锁存器且耦合到所述第一感测线的反相晶体管；及
耦合到所述交叉耦合的锁存器且耦合到所述第二感测线的反相晶体管。
19.根据权利要求18所述的设备，其中所述交叉耦合的锁存器包括一对n沟道晶体管及一对p沟道晶体管，且其中：
所述对n沟道晶体管中的第一者的栅极及所述对p沟道晶体管中的第一者的栅极与耦合到所述交叉耦合的锁存器且耦合到所述第一感测线的所述反相晶体管的栅极耦合；及
所述对n沟道晶体管中的第二者的栅极及所述对p沟道晶体管中的第二者的栅极与耦合到所述交叉耦合的锁存器且耦合到所述第二感测线的所述反相晶体管的栅极耦合。
20.根据权利要求18所述的设备，其中所述感测电路经配置以响应于施加到所述计算组件及所述读出放大器中的至少一者的特定控制信号而执行AND运算、NAND运算及反相运算中的至少一者。
21.根据权利要求15到20中任一权利要求所述的设备，其中所述第一存储器单元及所述第二存储器单元中的至少一者为破坏性读取存储器单元。
22.一种方法，其包括：
确定存储于存储器单元阵列的第一行的若干个存储器单元中的数据值，所述若干个存储器单元中的每一者耦合到若干个感测线中的相应感测线；及
使用存储于所述第一行的所述若干个存储器单元中的所述数据值作为若干个第一输入及使用存储于所述阵列的第二行的若干个存储器单元中的数据值作为若干个第二输入来并行地执行逻辑运算，其中所述第二行的所述若干个存储器单元中的每一者耦合到所述若干个感测线中的相应感测线；且
其中在不经由总线传送数据的情况下并行地执行所述逻辑运算。
23.根据权利要求22所述的方法，其进一步包括将所述逻辑运算的结果存储于所述阵列中。
24.根据权利要求22所述的方法，其中：
所述若干个感测线中的每一者耦合到若干个读出放大器中的相应读出放大器；
所述若干个读出放大器中的每一者耦合到若干个交叉耦合的锁存器中的相应交叉耦合的锁存器，其中所述若干个交叉耦合的锁存器中的每一者包括一对n沟道晶体管、一对p沟道晶体管、一对传递晶体管及一对反相晶体管；且
其中执行所述逻辑运算包括：
在其中启用所述传递晶体管的第一运算阶段期间将存储于所述第一行的所述若干个存储器单元中的所述数据值传送到所述若干个交叉耦合的锁存器；
在停用所述传递晶体管时确定存储于所述第二行的所述若干个存储器单元中的所述数据值；及
随后启用所述对传递晶体管中的每一者中的仅一个相应传递晶体管，使得所述若干个交叉耦合的锁存器中的每一交叉耦合的锁存器存储相应数据值，所述相应数据值对应于存储于所述第一行的所述若干个存储器单元中的相应存储器单元中的数据值与存储于所述第二行的所述若干个存储器单元中的相应存储器单元中的数据值的AND。
25.根据权利要求24所述的方法，其中执行所述逻辑运算进一步包括启用所述反相晶体管，使得所述若干个交叉耦合的锁存器中的每一交叉耦合的锁存器存储相应数据值，所述相应数据值对应于存储于所述第一行的所述若干个存储器单元中的相应存储器单元中的数据值与存储于所述第二行的所述若干个存储器单元中的相应存储器单元中的数据值的NAND。
26.一种方法，其包括：
将对应于第一输入及第二输入的数据存储于存储器单元阵列中；
使用所述第一输入及所述第二输入来执行逻辑运算，及
将所述逻辑运算的结果存储于所述阵列中；
其中执行所述逻辑运算且在不经由感测线地址存取传送数据的情况下将所述结果存储于所述阵列中。
27.根据权利要求26所述的方法，其中存储对应于所述第一输入及所述第二输入的数据包括将对应于所述第一输入的所述数据存储于所述阵列的第一行中及将对应于所述第二输入的所述数据存储于所述阵列的第二行中；其中将所述逻辑运算的所述结果存储于所述阵列中包括将所述结果存储于所述阵列的第三行中。
28.根据权利要求26到27中任一权利要求所述的方法，其中执行所述逻辑运算包括：
确定存储于存储器单元中的数据值；
经由耦合到对应于所述存储器单元的感测线的所启用第一传递晶体管及耦合到对应于所述存储器单元的互补感测线的所启用第二传递晶体管将所述所确定数据值复制到交叉耦合的锁存器中；
通过随后执行在其期间启用所述第一传递晶体管及所述第二传递晶体管中的仅一者的若干个运算阶段而执行AND、OR、NAND及NOR逻辑运算中的至少一者。
29.根据权利要求28所述的方法，其中执行所述逻辑运算进一步包括将所述若干个运算阶段的结果累加于所述交叉耦合的锁存器中，且其中存储所述逻辑运算的所述结果包括将所述若干个运算阶段的所述结果从所述交叉耦合的锁存器传送到不同存储器单元。
30.一种设备，其包括：
存储器单元阵列；
控制器，其耦合到所述阵列且经配置以：
将控制信号施加到耦合到所述阵列的感测电路以使用一对互补感测线上的数据作为逻辑运算的输入来执行所述逻辑运算；及
将控制信号施加到所述感测电路以在不经由耦合到所述感测电路的本地输入/输出I/O线传送数据的情况下将所述逻辑运算的结果存储于所述阵列中。
31.根据权利要求30所述的设备，其进一步包括耦合到所述控制器的处理资源。
32.根据权利要求31所述的设备，其中所述控制器与所述阵列位于同一芯片上且经由I/O总线耦合到所述芯片，且其中所述处理资源包括在所述同一芯片外部的处理器。
33.根据权利要求32所述的设备，其中所述控制器与所述阵列位于同一芯片上且经由I/O总线耦合到所述芯片，且其中所述处理资源包括位于所述同一芯片上的处理器。
34.一种设备，其包括：
读出放大器，其耦合到存储器单元阵列的一对互补感测线；及
累加器，其耦合到所述读出放大器，所述累加器包括：
第一传递晶体管，其具有耦合到所述对互补感测线中的第一感测线的第一源极/漏极区域；
第二传递晶体管，其具有耦合到所述对互补感测线中的第二感测线的第一源极/漏极区域；
第一对交叉耦合的晶体管及第二对交叉耦合的晶体管；且
其中所述设备经配置以执行逻辑运算，所述逻辑运算包括对由所述对互补感测线中的至少一者上的信号表示的数据值执行累加运算。
35.一种方法，其包括：
使用耦合到对应于存储器单元阵列的一对互补感测线的读出放大器来感测数据值；
使用所述数据值作为输入来执行逻辑运算，其中执行所述逻辑运算包含：
向累加器的第一对交叉耦合的晶体管的第一源极/漏极区域提供第一控制信号；
向所述累加器的第二对交叉耦合的晶体管的第一源极/漏极区域提供第二控制信号；及
在向所述累加器的所述相应第一及第二对交叉耦合的晶体管的所述第一源极/漏极区域提供所述第一及第二控制信号时，提供以下各项中的至少一者：
向第一传递晶体管的栅极提供第三控制信号，所述第一传递晶体管具有耦合到所述对互补感测线中的第一感测线的第一源极/漏极区域且具有通常耦合到所述第一对交叉耦合的晶体管中的第一晶体管的第二源极/漏极区域、所述第一对交叉耦合的晶体管中的第二晶体管的栅极及所述第二对交叉耦合的晶体管中的第二晶体管的栅极的第二源极/漏极区域；及
向第二传递晶体管的栅极提供第四控制信号，所述第二传递晶体管具有耦合到所述对互补感测线中的第二感测线的第一源极/漏极区域且具有通常耦合到所述第一对交叉耦合的晶体管中的所述第二晶体管的第二源极/漏极区域、所述第一对交叉耦合的晶体管中的所述第一晶体管的栅极及所述第二对交叉耦合的晶体管中的第一晶体管的栅极的第二源极/漏极区域。
36.根据权利要求35所述的方法，其中所述方法包含在不激活所述阵列的行的情况下感测所述数据值。
37.根据权利要求35到36中任一权利要求所述的方法，其中所述数据值包括第一数据值且其中执行所述逻辑运算进一步包含：
将所述第一数据值复制到所述累加器；
使用所述读出放大器来感测第二数据值，所述第二数据值用作到所述逻辑运算的第二输入；
通过在向所述累加器的所述相应第一及第二对交叉耦合的晶体管的所述第一源极/漏极区域提供所述第一及第二控制信号时仅激活所述第一及第二传递晶体管中的一者来执行累加函数。
38.一种设备，其包括：
读出放大器，其耦合到存储器单元阵列的一对互补感测线；及
计算组件，其耦合到所述读出放大器且包括：
第一传递晶体管，其耦合到所述对互补感测线中的第一感测线；及第二传递晶体管，其耦合到所述对互补感测线中的第二感测线；
一对交叉耦合的n沟道晶体管中的第一n沟道晶体管，其耦合到所述第一传递晶体管；及所述对交叉耦合的n沟道晶体管中的第二n沟道晶体管，其耦合到所述第二传递晶体管；
一对交叉耦合的p沟道晶体管中的第一p沟道晶体管，其耦合到所述第一传递晶体管；及所述对交叉耦合的p沟道晶体管中的第二p沟道晶体管，其耦合到所述第二传递晶体管；
第一下拉晶体管，其耦合到所述第一感测线；及第二下拉晶体管，其耦合到所述第二感测线；
第三下拉晶体管，其耦合到所述第一下拉晶体管且耦合到所述第二n沟道晶体管的栅极，所述第二n沟道晶体管耦合到所述第二p沟道晶体管的栅极；及
第四下拉晶体管，其耦合到所述第二下拉晶体管且耦合到所述第一n沟道晶体管的栅极，所述第一n沟道晶体管耦合到所述第一p沟道晶体管的栅极。
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Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105556607A (zh) * 2013-08-08 2016-05-04 美光科技公司 使用感测电路执行逻辑运算的设备及方法
CN108604169A (zh) * 2016-02-10 2018-09-28 美光科技公司 用于经分割并行数据移动的设备和方法
CN108701473A (zh) * 2016-02-17 2018-10-23 美光科技公司 用于数据移动的设备及方法
CN108713196A (zh) * 2016-02-19 2018-10-26 美光科技公司 使用位向量运算装置进行的数据传送
CN108885600A (zh) * 2016-03-16 2018-11-23 美光科技公司 使用经压缩及经解压缩数据进行操作的设备及方法
CN109147842A (zh) * 2017-06-19 2019-01-04 美光科技公司 同时进行数据路径中计算操作的设备及方法
CN109937450A (zh) * 2016-11-11 2019-06-25 美光科技公司 用于存储器对准的设备及方法
CN110998727A (zh) * 2017-08-25 2020-04-10 美光科技公司 减少存储器裸片中的线间电容耦合
CN111033617A (zh) * 2017-08-23 2020-04-17 美光科技公司 感测存储器中的操作
CN111630596A (zh) * 2017-12-19 2020-09-04 美光科技公司 用于子行寻址的设备及方法
CN111724832A (zh) * 2019-03-20 2020-09-29 美光科技公司 用于存储器阵列数据结构正数运算的设备、系统及方法
CN111949571A (zh) * 2017-02-21 2020-11-17 美光科技公司 存储器阵列页面表格寻选
CN112204663A (zh) * 2018-05-31 2021-01-08 美光科技公司 存储器中的感测操作
CN112639976A (zh) * 2018-09-04 2021-04-09 美光科技公司 使用逻辑运算组件的逻辑运算
CN113168855A (zh) * 2018-10-12 2021-07-23 美光科技公司 调适信道电流
CN113674780A (zh) * 2016-01-06 2021-11-19 美光科技公司 操作存储器的方法、设备及系统
CN111949571B (zh) * 2017-02-21 2024-04-26 美光科技公司 存储器阵列页面表格寻选

Families Citing this family (138)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9158667B2 (en) 2013-03-04 2015-10-13 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for performing logical operations using sensing circuitry
US8964496B2 (en) 2013-07-26 2015-02-24 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for performing compare operations using sensing circuitry
US9153305B2 (en) 2013-08-30 2015-10-06 Micron Technology, Inc. Independently addressable memory array address spaces
US9019785B2 (en) 2013-09-19 2015-04-28 Micron Technology, Inc. Data shifting via a number of isolation devices
US9449675B2 (en) 2013-10-31 2016-09-20 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for identifying an extremum value stored in an array of memory cells
US9430191B2 (en) 2013-11-08 2016-08-30 Micron Technology, Inc. Division operations for memory
JP2015188071A (ja) * 2014-03-14 2015-10-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9934856B2 (en) 2014-03-31 2018-04-03 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for comparing data patterns in memory
US9910787B2 (en) 2014-06-05 2018-03-06 Micron Technology, Inc. Virtual address table
US9779019B2 (en) 2014-06-05 2017-10-03 Micron Technology, Inc. Data storage layout
US9786335B2 (en) 2014-06-05 2017-10-10 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for performing logical operations using sensing circuitry
US9449674B2 (en) 2014-06-05 2016-09-20 Micron Technology, Inc. Performing logical operations using sensing circuitry
US9704540B2 (en) 2014-06-05 2017-07-11 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for parity determination using sensing circuitry
US10074407B2 (en) 2014-06-05 2018-09-11 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for performing invert operations using sensing circuitry
US9455020B2 (en) * 2014-06-05 2016-09-27 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for performing an exclusive or operation using sensing circuitry
US9496023B2 (en) 2014-06-05 2016-11-15 Micron Technology, Inc. Comparison operations on logical representations of values in memory
US9830999B2 (en) 2014-06-05 2017-11-28 Micron Technology, Inc. Comparison operations in memory
US9711207B2 (en) 2014-06-05 2017-07-18 Micron Technology, Inc. Performing logical operations using sensing circuitry
US9711206B2 (en) 2014-06-05 2017-07-18 Micron Technology, Inc. Performing logical operations using sensing circuitry
US9747961B2 (en) 2014-09-03 2017-08-29 Micron Technology, Inc. Division operations in memory
US9589602B2 (en) 2014-09-03 2017-03-07 Micron Technology, Inc. Comparison operations in memory
US10068652B2 (en) 2014-09-03 2018-09-04 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for determining population count
US9904515B2 (en) 2014-09-03 2018-02-27 Micron Technology, Inc. Multiplication operations in memory
US9898252B2 (en) 2014-09-03 2018-02-20 Micron Technology, Inc. Multiplication operations in memory
US9847110B2 (en) 2014-09-03 2017-12-19 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for storing a data value in multiple columns of an array corresponding to digits of a vector
US9740607B2 (en) 2014-09-03 2017-08-22 Micron Technology, Inc. Swap operations in memory
US9836218B2 (en) 2014-10-03 2017-12-05 Micron Technology, Inc. Computing reduction and prefix sum operations in memory
US9940026B2 (en) 2014-10-03 2018-04-10 Micron Technology, Inc. Multidimensional contiguous memory allocation
US10163467B2 (en) 2014-10-16 2018-12-25 Micron Technology, Inc. Multiple endianness compatibility
US10147480B2 (en) 2014-10-24 2018-12-04 Micron Technology, Inc. Sort operation in memory
US9779784B2 (en) 2014-10-29 2017-10-03 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for performing logical operations using sensing circuitry
US10073635B2 (en) 2014-12-01 2018-09-11 Micron Technology, Inc. Multiple endianness compatibility
US9747960B2 (en) 2014-12-01 2017-08-29 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for converting a mask to an index
US10032493B2 (en) 2015-01-07 2018-07-24 Micron Technology, Inc. Longest element length determination in memory
US10061590B2 (en) 2015-01-07 2018-08-28 Micron Technology, Inc. Generating and executing a control flow
US9583163B2 (en) 2015-02-03 2017-02-28 Micron Technology, Inc. Loop structure for operations in memory
WO2016126472A1 (en) 2015-02-06 2016-08-11 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for scatter and gather
CN107408404B (zh) 2015-02-06 2021-02-12 美光科技公司 用于存储器装置的设备及方法以作为程序指令的存储
CN107408405B (zh) 2015-02-06 2021-03-05 美光科技公司 用于并行写入到多个存储器装置位置的设备及方法
CN107408408B (zh) 2015-03-10 2021-03-05 美光科技公司 用于移位决定的装置及方法
US9741399B2 (en) 2015-03-11 2017-08-22 Micron Technology, Inc. Data shift by elements of a vector in memory
US9898253B2 (en) 2015-03-11 2018-02-20 Micron Technology, Inc. Division operations on variable length elements in memory
WO2016144726A1 (en) 2015-03-12 2016-09-15 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for data movement
US10146537B2 (en) 2015-03-13 2018-12-04 Micron Technology, Inc. Vector population count determination in memory
US10049054B2 (en) 2015-04-01 2018-08-14 Micron Technology, Inc. Virtual register file
US10140104B2 (en) 2015-04-14 2018-11-27 Micron Technology, Inc. Target architecture determination
US9959923B2 (en) 2015-04-16 2018-05-01 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods to reverse data stored in memory
US10073786B2 (en) 2015-05-28 2018-09-11 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for compute enabled cache
US11164033B2 (en) 2015-05-29 2021-11-02 Micron Technology, Inc. Histogram creation process for memory devices
US9704541B2 (en) 2015-06-12 2017-07-11 Micron Technology, Inc. Simulating access lines
US9921777B2 (en) 2015-06-22 2018-03-20 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for data transfer from sensing circuitry to a controller
US9996479B2 (en) 2015-08-17 2018-06-12 Micron Technology, Inc. Encryption of executables in computational memory
US9891842B2 (en) 2015-09-08 2018-02-13 Micron Technology, Inc. Searching data in parallel using processor-in-memory devices
US10282486B2 (en) 2015-09-08 2019-05-07 Micron Technology, Inc. Methods and apparatuses for searching data stored in a memory array using a replicated data pattern
US9905276B2 (en) 2015-12-21 2018-02-27 Micron Technology, Inc. Control of sensing components in association with performing operations
US9892767B2 (en) 2016-02-12 2018-02-13 Micron Technology, Inc. Data gathering in memory
US9899070B2 (en) 2016-02-19 2018-02-20 Micron Technology, Inc. Modified decode for corner turn
US9697876B1 (en) 2016-03-01 2017-07-04 Micron Technology, Inc. Vertical bit vector shift in memory
US10262721B2 (en) 2016-03-10 2019-04-16 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for cache invalidate
US9997232B2 (en) 2016-03-10 2018-06-12 Micron Technology, Inc. Processing in memory (PIM) capable memory device having sensing circuitry performing logic operations
US9910637B2 (en) 2016-03-17 2018-03-06 Micron Technology, Inc. Signed division in memory
US11074988B2 (en) 2016-03-22 2021-07-27 Micron Technology, Inc. Apparatus and methods for debugging on a host and memory device
US10388393B2 (en) 2016-03-22 2019-08-20 Micron Technology, Inc. Apparatus and methods for debugging on a host and memory device
US10120740B2 (en) 2016-03-22 2018-11-06 Micron Technology, Inc. Apparatus and methods for debugging on a memory device
US10474581B2 (en) 2016-03-25 2019-11-12 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for cache operations
US10977033B2 (en) 2016-03-25 2021-04-13 Micron Technology, Inc. Mask patterns generated in memory from seed vectors
US10074416B2 (en) 2016-03-28 2018-09-11 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for data movement
US10430244B2 (en) 2016-03-28 2019-10-01 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods to determine timing of operations
US10453502B2 (en) 2016-04-04 2019-10-22 Micron Technology, Inc. Memory bank power coordination including concurrently performing a memory operation in a selected number of memory regions
US10607665B2 (en) 2016-04-07 2020-03-31 Micron Technology, Inc. Span mask generation
US9818459B2 (en) 2016-04-19 2017-11-14 Micron Technology, Inc. Invert operations using sensing circuitry
US9659605B1 (en) 2016-04-20 2017-05-23 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for performing corner turn operations using sensing circuitry
US10153008B2 (en) 2016-04-20 2018-12-11 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for performing corner turn operations using sensing circuitry
US10042608B2 (en) 2016-05-11 2018-08-07 Micron Technology, Inc. Signed division in memory
US9659610B1 (en) 2016-05-18 2017-05-23 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for shifting data
US10049707B2 (en) 2016-06-03 2018-08-14 Micron Technology, Inc. Shifting data
US10387046B2 (en) 2016-06-22 2019-08-20 Micron Technology, Inc. Bank to bank data transfer
US10037785B2 (en) 2016-07-08 2018-07-31 Micron Technology, Inc. Scan chain operation in sensing circuitry
US10388360B2 (en) 2016-07-19 2019-08-20 Micron Technology, Inc. Utilization of data stored in an edge section of an array
US10387299B2 (en) 2016-07-20 2019-08-20 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for transferring data
US10733089B2 (en) * 2016-07-20 2020-08-04 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for write address tracking
US9767864B1 (en) 2016-07-21 2017-09-19 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for storing a data value in a sensing circuitry element
US9972367B2 (en) 2016-07-21 2018-05-15 Micron Technology, Inc. Shifting data in sensing circuitry
US10303632B2 (en) 2016-07-26 2019-05-28 Micron Technology, Inc. Accessing status information
US10468087B2 (en) 2016-07-28 2019-11-05 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for operations in a self-refresh state
US20180039425A1 (en) * 2016-08-02 2018-02-08 Alibaba Group Holding Limited Method and apparatus for improved flash memory storage latency and robustness
US9990181B2 (en) 2016-08-03 2018-06-05 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for random number generation
US11029951B2 (en) 2016-08-15 2021-06-08 Micron Technology, Inc. Smallest or largest value element determination
US10606587B2 (en) 2016-08-24 2020-03-31 Micron Technology, Inc. Apparatus and methods related to microcode instructions indicating instruction types
US10466928B2 (en) 2016-09-15 2019-11-05 Micron Technology, Inc. Updating a register in memory
US10387058B2 (en) 2016-09-29 2019-08-20 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods to change data category values
US10014034B2 (en) 2016-10-06 2018-07-03 Micron Technology, Inc. Shifting data in sensing circuitry
US10529409B2 (en) 2016-10-13 2020-01-07 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods to perform logical operations using sensing circuitry
US9805772B1 (en) 2016-10-20 2017-10-31 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods to selectively perform logical operations
CN207637499U (zh) 2016-11-08 2018-07-20 美光科技公司 用于形成在存储器单元阵列上方的计算组件的设备
US9761300B1 (en) 2016-11-22 2017-09-12 Micron Technology, Inc. Data shift apparatuses and methods
US10403352B2 (en) 2017-02-22 2019-09-03 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for compute in data path
US10268389B2 (en) 2017-02-22 2019-04-23 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for in-memory operations
US10838899B2 (en) 2017-03-21 2020-11-17 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for in-memory data switching networks
US11222260B2 (en) 2017-03-22 2022-01-11 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for operating neural networks
US10185674B2 (en) 2017-03-22 2019-01-22 Micron Technology, Inc. Apparatus and methods for in data path compute operations
US10049721B1 (en) 2017-03-27 2018-08-14 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for in-memory operations
US10147467B2 (en) 2017-04-17 2018-12-04 Micron Technology, Inc. Element value comparison in memory
US10043570B1 (en) 2017-04-17 2018-08-07 Micron Technology, Inc. Signed element compare in memory
US9997212B1 (en) 2017-04-24 2018-06-12 Micron Technology, Inc. Accessing data in memory
US10942843B2 (en) 2017-04-25 2021-03-09 Micron Technology, Inc. Storing data elements of different lengths in respective adjacent rows or columns according to memory shapes
US10236038B2 (en) 2017-05-15 2019-03-19 Micron Technology, Inc. Bank to bank data transfer
US10068664B1 (en) 2017-05-19 2018-09-04 Micron Technology, Inc. Column repair in memory
US10013197B1 (en) 2017-06-01 2018-07-03 Micron Technology, Inc. Shift skip
US10152271B1 (en) 2017-06-07 2018-12-11 Micron Technology, Inc. Data replication
US10262701B2 (en) 2017-06-07 2019-04-16 Micron Technology, Inc. Data transfer between subarrays in memory
US10162005B1 (en) 2017-08-09 2018-12-25 Micron Technology, Inc. Scan chain operations
US10534553B2 (en) 2017-08-30 2020-01-14 Micron Technology, Inc. Memory array accessibility
US10416927B2 (en) 2017-08-31 2019-09-17 Micron Technology, Inc. Processing in memory
US10346092B2 (en) 2017-08-31 2019-07-09 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for in-memory operations using timing circuitry
US10741239B2 (en) 2017-08-31 2020-08-11 Micron Technology, Inc. Processing in memory device including a row address strobe manager
US10079067B1 (en) 2017-09-07 2018-09-18 Winbond Electronics Corp. Data read method and a non-volatile memory apparatus using the same
US11435251B2 (en) * 2017-09-13 2022-09-06 Nec Corporation Control apparatus, array-type sensor, sensor usage method, control method, and program
US10409739B2 (en) 2017-10-24 2019-09-10 Micron Technology, Inc. Command selection policy
US10522210B2 (en) 2017-12-14 2019-12-31 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for subarray addressing
US10614875B2 (en) 2018-01-30 2020-04-07 Micron Technology, Inc. Logical operations using memory cells
US11194477B2 (en) 2018-01-31 2021-12-07 Micron Technology, Inc. Determination of a match between data values stored by three or more arrays
US10437557B2 (en) 2018-01-31 2019-10-08 Micron Technology, Inc. Determination of a match between data values stored by several arrays
US10725696B2 (en) 2018-04-12 2020-07-28 Micron Technology, Inc. Command selection policy with read priority
US10440341B1 (en) 2018-06-07 2019-10-08 Micron Technology, Inc. Image processor formed in an array of memory cells
US11175915B2 (en) 2018-10-10 2021-11-16 Micron Technology, Inc. Vector registers implemented in memory
US10769071B2 (en) 2018-10-10 2020-09-08 Micron Technology, Inc. Coherent memory access
US10483978B1 (en) 2018-10-16 2019-11-19 Micron Technology, Inc. Memory device processing
US11184446B2 (en) 2018-12-05 2021-11-23 Micron Technology, Inc. Methods and apparatus for incentivizing participation in fog networks
US10942889B2 (en) 2019-06-04 2021-03-09 Micron Technology, Inc. Bit string accumulation in memory array periphery
CN113924622B (zh) * 2019-06-04 2022-09-09 美光科技公司 存储器阵列外围中的位串累加
US10867655B1 (en) 2019-07-08 2020-12-15 Micron Technology, Inc. Methods and apparatus for dynamically adjusting performance of partitioned memory
US11360768B2 (en) 2019-08-14 2022-06-14 Micron Technolgy, Inc. Bit string operations in memory
US11449577B2 (en) 2019-11-20 2022-09-20 Micron Technology, Inc. Methods and apparatus for performing video processing matrix operations within a memory array
US11853385B2 (en) 2019-12-05 2023-12-26 Micron Technology, Inc. Methods and apparatus for performing diversity matrix operations within a memory array
US11177002B1 (en) * 2020-06-30 2021-11-16 Sandisk Technologies Llc Programming memory cells using encoded TLC-fine
US11227641B1 (en) * 2020-07-21 2022-01-18 Micron Technology, Inc. Arithmetic operations in memory
US20230022347A1 (en) * 2021-07-16 2023-01-26 Mediatek Singapore Pte. Ltd. Memory array with programmable number of filters

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090067218A1 (en) * 2007-09-06 2009-03-12 Philippe Graber Sense amplifier circuitry for integrated circuit having memory cell array, and method of operating same
CN102141905A (zh) * 2010-01-29 2011-08-03 上海芯豪微电子有限公司 一种处理器体系结构
US20120134225A1 (en) * 2010-11-29 2012-05-31 Chow Daniel C Sense amplifier latch with integrated test data multiplexer

Family Cites Families (270)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4380046A (en) 1979-05-21 1983-04-12 Nasa Massively parallel processor computer
JPS6032911B2 (ja) 1979-07-26 1985-07-31 株式会社東芝 半導体記憶装置
US4435792A (en) 1982-06-30 1984-03-06 Sun Microsystems, Inc. Raster memory manipulation apparatus
US4727474A (en) 1983-02-18 1988-02-23 Loral Corporation Staging memory for massively parallel processor
JPH0214718Y2 (zh) 1985-06-06 1990-04-20
EP0214718A3 (en) 1985-07-22 1990-04-04 Alliant Computer Systems Corporation Digital computer
US5201039A (en) 1987-09-30 1993-04-06 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Multiple address-space data processor with addressable register and context switching
JPH0831168B2 (ja) 1987-11-06 1996-03-27 沖電気工業株式会社 窓口用自動取引装置
US4843264A (en) 1987-11-25 1989-06-27 Visic, Inc. Dynamic sense amplifier for CMOS static RAM
US5276643A (en) 1988-08-11 1994-01-04 Siemens Aktiengesellschaft Integrated semiconductor circuit
JPH0713858B2 (ja) 1988-08-30 1995-02-15 三菱電機株式会社 半導体記憶装置
US5023838A (en) 1988-12-02 1991-06-11 Ncr Corporation Random access memory device with integral logic capability
US4958378A (en) 1989-04-26 1990-09-18 Sun Microsystems, Inc. Method and apparatus for detecting changes in raster data
US5253308A (en) 1989-06-21 1993-10-12 Amber Engineering, Inc. Massively parallel digital image data processor using pixel-mapped input/output and relative indexed addressing
EP0446721B1 (en) 1990-03-16 2000-12-20 Texas Instruments Incorporated Distributed processing memory
US5034636A (en) 1990-06-04 1991-07-23 Motorola, Inc. Sense amplifier with an integral logic function
US5210850A (en) 1990-06-15 1993-05-11 Compaq Computer Corporation Memory address space determination using programmable limit registers with single-ended comparators
JP3361825B2 (ja) 1990-08-22 2003-01-07 テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド メモリ・アレイ・アーキテクチャ
JPH06103599B2 (ja) * 1990-11-16 1994-12-14 三菱電機株式会社 半導体集積回路装置
US5325519A (en) 1991-10-18 1994-06-28 Texas Microsystems, Inc. Fault tolerant computer with archival rollback capabilities
FR2685973B1 (fr) 1992-01-03 1994-02-25 France Telecom Point memoire pour memoire associative.
KR950005095Y1 (ko) 1992-03-18 1995-06-22 문정환 양방향성 그로벌 비트 라인을 갖는 dram
EP0584783A3 (en) 1992-08-25 1994-06-22 Texas Instruments Inc Method and apparatus for improved processing
KR950004854B1 (ko) 1992-10-08 1995-05-15 삼성전자 주식회사 반도체 메모리 장치
US5440482A (en) 1993-03-25 1995-08-08 Taligent, Inc. Forward and reverse Boyer-Moore string searching of multilingual text having a defined collation order
US5485373A (en) 1993-03-25 1996-01-16 Taligent, Inc. Language-sensitive text searching system with modified Boyer-Moore process
US5369622A (en) 1993-04-20 1994-11-29 Micron Semiconductor, Inc. Memory with isolated digit lines
US5754478A (en) * 1993-04-20 1998-05-19 Micron Technology, Inc. Fast, low power, write scheme for memory circuits using pulsed off isolation device
JP2663838B2 (ja) 1993-07-27 1997-10-15 日本電気株式会社 半導体集積回路装置
JP3252306B2 (ja) 1993-08-10 2002-02-04 株式会社日立製作所 半導体不揮発性記憶装置
JP3904244B2 (ja) 1993-09-17 2007-04-11 株式会社ルネサステクノロジ シングル・チップ・データ処理装置
JP3251421B2 (ja) 1994-04-11 2002-01-28 株式会社日立製作所 半導体集積回路
US5655113A (en) 1994-07-05 1997-08-05 Monolithic System Technology, Inc. Resynchronization circuit for a memory system and method of operating same
JPH0831168A (ja) * 1994-07-13 1996-02-02 Hitachi Ltd 半導体記憶装置
US5481500A (en) 1994-07-22 1996-01-02 International Business Machines Corporation Precharged bit decoder and sense amplifier with integrated latch usable in pipelined memories
US5615404A (en) 1994-10-31 1997-03-25 Intel Corporation System having independently addressable bus interfaces coupled to serially connected multi-ported signal distributors generating and maintaining frame based polling schedule favoring isochronous peripherals
US5638128A (en) 1994-11-08 1997-06-10 General Instrument Corporation Of Delaware Pixel interpolation filters for video decompression processor
US5724366A (en) 1995-05-16 1998-03-03 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor memory device
KR0146530B1 (ko) 1995-05-25 1998-09-15 김광호 단속제어회로를 구비한 반도체 메모리 장치와 제어방법
US7301541B2 (en) 1995-08-16 2007-11-27 Microunity Systems Engineering, Inc. Programmable processor and method with wide operations
JP2812262B2 (ja) 1995-08-31 1998-10-22 日本電気株式会社 連想記憶装置
US6385634B1 (en) 1995-08-31 2002-05-07 Intel Corporation Method for performing multiply-add operations on packed data
JP2817836B2 (ja) 1995-11-30 1998-10-30 日本電気株式会社 半導体メモリ装置
JP3356612B2 (ja) 1996-02-29 2002-12-16 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション 高速な輪郭スムージング方法及び装置
US6092186A (en) 1996-05-07 2000-07-18 Lucent Technologies Inc. Apparatus and method for aborting un-needed instruction fetches in a digital microprocessor device
US5915084A (en) 1996-09-30 1999-06-22 Advanced Micro Devices, Inc. Scannable sense amplifier circuit
US5991209A (en) 1997-04-11 1999-11-23 Raytheon Company Split sense amplifier and staging buffer for wide memory architecture
JP3592887B2 (ja) 1997-04-30 2004-11-24 株式会社東芝 不揮発性半導体記憶装置
US6510098B1 (en) 1997-05-28 2003-01-21 Cirrus Logic, Inc. Method and apparatus for transferring data in a dual port memory
JPH1115773A (ja) 1997-06-24 1999-01-22 Matsushita Electron Corp 半導体集積回路、コンピュータシステム、データ処理装置及びデータ処理方法
US5935263A (en) 1997-07-01 1999-08-10 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for memory array compressed data testing
US6195734B1 (en) 1997-07-02 2001-02-27 Micron Technology, Inc. System for implementing a graphic address remapping table as a virtual register file in system memory
US6181698B1 (en) 1997-07-09 2001-01-30 Yoichi Hariguchi Network routing table using content addressable memory
US6025221A (en) 1997-08-22 2000-02-15 Micron Technology, Inc. Processing methods of forming integrated circuitry memory devices, methods of forming DRAM arrays, and related semiconductor masks
US5991785A (en) 1997-11-13 1999-11-23 Lucent Technologies Inc. Determining an extremum value and its index in an array using a dual-accumulation processor
US5867429A (en) 1997-11-19 1999-02-02 Sandisk Corporation High density non-volatile flash memory without adverse effects of electric field coupling between adjacent floating gates
US6163862A (en) 1997-12-01 2000-12-19 International Business Machines Corporation On-chip test circuit for evaluating an on-chip signal using an external test signal
JP3488612B2 (ja) 1997-12-11 2004-01-19 株式会社東芝 センス増幅回路
US5986942A (en) 1998-01-20 1999-11-16 Nec Corporation Semiconductor memory device
JPH11260057A (ja) 1998-03-13 1999-09-24 Nec Corp 半導体記憶装置
JPH11265995A (ja) 1998-03-17 1999-09-28 Mitsubishi Electric Corp 半導体記憶装置
JPH11306751A (ja) 1998-04-22 1999-11-05 Toshiba Corp 半導体記憶装置
US6005799A (en) 1998-08-06 1999-12-21 Silicon Aquarius Methods and circuits for single-memory dynamic cell multivalue data storage
US6141286A (en) 1998-08-21 2000-10-31 Micron Technology, Inc. Embedded DRAM architecture with local data drivers and programmable number of data read and data write lines
US7409694B2 (en) 1998-09-09 2008-08-05 Microsoft Corporation Highly componentized system architecture with loadable virtual memory manager
JP2000173269A (ja) 1998-12-08 2000-06-23 Mitsubishi Electric Corp 半導体記憶装置
KR100381968B1 (ko) 1998-12-30 2004-03-24 주식회사 하이닉스반도체 고속동작용디램
US6389507B1 (en) 1999-01-15 2002-05-14 Gigabus, Inc. Memory device search system and method
US5999435A (en) 1999-01-15 1999-12-07 Fast-Chip, Inc. Content addressable memory device
US6134164A (en) 1999-04-22 2000-10-17 International Business Machines Corp. Sensing circuit for a memory cell array
US6741104B2 (en) * 1999-05-26 2004-05-25 Micron Technology, Inc. DRAM sense amplifier for low voltages
US6157578A (en) 1999-07-15 2000-12-05 Stmicroelectronics, Inc. Method and apparatus for accessing a memory device
US6208544B1 (en) 1999-09-09 2001-03-27 Harris Corporation Content addressable memory cell providing simultaneous read and compare capability
US6578058B1 (en) 1999-10-06 2003-06-10 Agilent Technologies, Inc. System and method for comparing values from target systems
US7124221B1 (en) 1999-10-19 2006-10-17 Rambus Inc. Low latency multi-level communication interface
US6418498B1 (en) 1999-12-30 2002-07-09 Intel Corporation Integrated system management memory for system management interrupt handler independent of BIOS and operating system
JP4627103B2 (ja) * 2000-01-18 2011-02-09 富士通セミコンダクター株式会社 半導体記憶装置及びその制御方法
US6687175B1 (en) 2000-02-04 2004-02-03 Renesas Technology Corporation Semiconductor device
WO2001065359A2 (en) 2000-02-29 2001-09-07 Peter Petrov Method and apparatus for building a memory image
JP3983969B2 (ja) 2000-03-08 2007-09-26 株式会社東芝 不揮発性半導体記憶装置
US7028170B2 (en) 2000-03-08 2006-04-11 Sun Microsystems, Inc. Processing architecture having a compare capability
US6678678B2 (en) 2000-03-09 2004-01-13 Braodcom Corporation Method and apparatus for high speed table search
JP3822412B2 (ja) 2000-03-28 2006-09-20 株式会社東芝 半導体記憶装置
US6965648B1 (en) 2000-05-04 2005-11-15 Sun Microsystems, Inc. Source synchronous link integrity validation
KR100869870B1 (ko) 2000-07-07 2008-11-24 모사이드 테크놀로지스, 인코포레이티드 메모리 소자에서의 읽기 명령 수행 방법 및 ｄｒａｍ액세스 방법
US6466499B1 (en) 2000-07-11 2002-10-15 Micron Technology, Inc. DRAM sense amplifier having pre-charged transistor body nodes
US7302582B2 (en) 2000-08-21 2007-11-27 United States Postal Service Delivery point validation system
US6301164B1 (en) 2000-08-25 2001-10-09 Micron Technology, Inc. Antifuse method to repair columns in a prefetched output memory architecture
US6704828B1 (en) 2000-08-31 2004-03-09 Micron Technology, Inc. System and method for implementing data pre-fetch having reduced data lines and/or higher data rates
US6948056B1 (en) 2000-09-28 2005-09-20 Intel Corporation Maintaining even and odd array pointers to extreme values by searching and comparing multiple elements concurrently where a pointer is adjusted after processing to account for a number of pipeline stages
US6304477B1 (en) 2001-01-31 2001-10-16 Motorola, Inc. Content addressable magnetic random access memory
US6563754B1 (en) 2001-02-08 2003-05-13 Integrated Device Technology, Inc. DRAM circuit with separate refresh memory
US6650158B2 (en) 2001-02-21 2003-11-18 Ramtron International Corporation Ferroelectric non-volatile logic elements
US7546438B2 (en) 2001-07-19 2009-06-09 Chung Shine C Algorithm mapping, specialized instructions and architecture features for smart memory computing
US6807614B2 (en) 2001-07-19 2004-10-19 Shine C. Chung Method and apparatus for using smart memories in computing
ITRM20010531A1 (it) 2001-08-31 2003-02-28 Micron Technology Inc Dispositivo rilevatore a bassa potenza e alta tensione per memorie ditipo flash.
US7260672B2 (en) 2001-09-07 2007-08-21 Intel Corporation Using data stored in a destructive-read memory
US7062689B2 (en) 2001-12-20 2006-06-13 Arm Limited Method and apparatus for memory self testing
US20040073773A1 (en) 2002-02-06 2004-04-15 Victor Demjanenko Vector processor architecture and methods performed therein
US6707729B2 (en) 2002-02-15 2004-03-16 Micron Technology, Inc. Physically alternating sense amplifier activation
AU2003221680A1 (en) 2002-04-09 2003-10-27 The Research Foundation Of State University Of New York Multiplier-based processor-in-memory architectures for image and graphics processing
JP2003331598A (ja) 2002-05-13 2003-11-21 Mitsubishi Electric Corp 半導体記憶装置
US7406494B2 (en) 2002-05-14 2008-07-29 Texas Instruments Incorporated Method of generating a cycle-efficient bit-reverse index array for a wireless communication system
JP2003346484A (ja) 2002-05-23 2003-12-05 Mitsubishi Electric Corp 不揮発性半導体記憶装置
US6789099B2 (en) 2002-06-10 2004-09-07 International Business Machines Corporation Sense-amp based adder with source follower evaluation tree
US7054178B1 (en) 2002-09-06 2006-05-30 Etron Technology, Inc. Datapath architecture for high area efficiency
US6987693B2 (en) 2002-09-24 2006-01-17 Sandisk Corporation Non-volatile memory and method with reduced neighboring field errors
US7079407B1 (en) 2002-10-18 2006-07-18 Netlogic Microsystems, Inc. Content addressable memory (CAM) device including match line sensing
US6765834B2 (en) 2002-11-19 2004-07-20 Hewlett-Packard Development Company, L.P. System and method for sensing memory cells of an array of memory cells
KR100546307B1 (ko) 2002-12-05 2006-01-26 삼성전자주식회사 글로벌 입출력라인을 프리차지 및/또는 이퀄라이징하기위한 프리차지 회로를 구비하는 반도체 장치 및프리차지 및/또는 이퀄라이즈하는 트랜지스터의 레이아웃
US6731542B1 (en) 2002-12-05 2004-05-04 Advanced Micro Devices, Inc. Circuit for accurate memory read operations
US6888372B1 (en) 2002-12-20 2005-05-03 Altera Corporation Programmable logic device with soft multiplier
US20050015557A1 (en) 2002-12-27 2005-01-20 Chih-Hung Wang Nonvolatile memory unit with specific cache
US7346903B2 (en) 2003-02-04 2008-03-18 Sun Microsystems, Inc. Compiling and linking modules of a cycle-based logic design
US6768679B1 (en) 2003-02-10 2004-07-27 Advanced Micro Devices, Inc. Selection circuit for accurate memory read operations
US6819612B1 (en) 2003-03-13 2004-11-16 Advanced Micro Devices, Inc. Apparatus and method for a sense amplifier circuit that samples and holds a reference voltage
US6865122B2 (en) 2003-04-11 2005-03-08 Intel Corporation Reclaiming blocks in a block-alterable memory
US7574466B2 (en) 2003-04-23 2009-08-11 Micron Technology, Inc. Method for finding global extrema of a set of shorts distributed across an array of parallel processing elements
US7447720B2 (en) 2003-04-23 2008-11-04 Micron Technology, Inc. Method for finding global extrema of a set of bytes distributed across an array of parallel processing elements
US7454451B2 (en) 2003-04-23 2008-11-18 Micron Technology, Inc. Method for finding local extrema of a set of values for a parallel processing element
US9015390B2 (en) 2003-04-25 2015-04-21 Micron Technology, Inc. Active memory data compression system and method
DE10319271A1 (de) 2003-04-29 2004-11-25 Infineon Technologies Ag Speicher-Schaltungsanordnung und Verfahren zur Herstellung
JP3898152B2 (ja) 2003-05-27 2007-03-28 ローム株式会社 演算機能付き記憶装置および演算記憶方法
WO2005024843A1 (en) 2003-09-04 2005-03-17 Koninklijke Philips Electronics N.V. Integrated circuit and a method of cache remapping
US6956770B2 (en) 2003-09-17 2005-10-18 Sandisk Corporation Non-volatile memory and method with bit line compensation dependent on neighboring operating modes
US7177183B2 (en) 2003-09-30 2007-02-13 Sandisk 3D Llc Multiple twin cell non-volatile memory array and logic block structure and method therefor
US7913125B2 (en) 2003-11-04 2011-03-22 Lsi Corporation BISR mode to test the redundant elements and regular functional memory to avoid test escapes
US6950771B1 (en) 2003-12-09 2005-09-27 Xilinx, Inc. Correlation of electrical test data with physical defect data
US7401281B2 (en) 2004-01-29 2008-07-15 International Business Machines Corporation Remote BIST high speed test and redundancy calculation
US7631236B2 (en) 2004-01-29 2009-12-08 International Business Machines Corporation Hybrid built-in self test (BIST) architecture for embedded memory arrays and an associated method
JP4819316B2 (ja) 2004-02-23 2011-11-24 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
US7088606B2 (en) 2004-03-10 2006-08-08 Altera Corporation Dynamic RAM storage techniques
US7020017B2 (en) 2004-04-06 2006-03-28 Sandisk Corporation Variable programming of non-volatile memory
US7120063B1 (en) 2004-05-07 2006-10-10 Spansion Llc Flash memory cell and methods for programming and erasing
US8522205B2 (en) 2004-05-18 2013-08-27 Oracle International Corporation Packaging multiple groups of read-only files of an application's components into multiple shared libraries
JP2006127460A (ja) 2004-06-09 2006-05-18 Renesas Technology Corp 半導体装置、半導体信号処理装置、およびクロスバースイッチ
US7061817B2 (en) 2004-06-30 2006-06-13 Micron Technology, Inc. Data path having grounded precharge operation and test compression capability
US7116602B2 (en) 2004-07-15 2006-10-03 Micron Technology, Inc. Method and system for controlling refresh to avoid memory cell data losses
US7434024B2 (en) 2004-08-30 2008-10-07 Ati Technologies, Inc. SIMD processor with register addressing, buffer stall and methods
JP2006099232A (ja) 2004-09-28 2006-04-13 Renesas Technology Corp 半導体信号処理装置
US20060069849A1 (en) 2004-09-30 2006-03-30 Rudelic John C Methods and apparatus to update information in a memory
US7685365B2 (en) 2004-09-30 2010-03-23 Intel Corporation Transactional memory execution utilizing virtual memory
US20060149804A1 (en) 2004-11-30 2006-07-06 International Business Machines Corporation Multiply-sum dot product instruction with mask and splat
US7230851B2 (en) 2004-12-23 2007-06-12 Sandisk Corporation Reducing floating gate to floating gate coupling effect
KR100673901B1 (ko) 2005-01-28 2007-01-25 주식회사 하이닉스반도체 저전압용 반도체 메모리 장치
US7543119B2 (en) 2005-02-10 2009-06-02 Richard Edward Hessel Vector processor
US7624313B2 (en) 2005-03-28 2009-11-24 Hewlett-Packard Development Company, L.P. TCAM BIST with redundancy
US7196928B2 (en) 2005-04-05 2007-03-27 Sandisk Corporation Compensating for coupling during read operations of non-volatile memory
US7187585B2 (en) 2005-04-05 2007-03-06 Sandisk Corporation Read operation for non-volatile storage that includes compensation for coupling
US7193898B2 (en) 2005-06-20 2007-03-20 Sandisk Corporation Compensation currents in non-volatile memory read operations
JP4738112B2 (ja) 2005-09-12 2011-08-03 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体記憶装置
KR100720644B1 (ko) 2005-11-17 2007-05-21 삼성전자주식회사 메모리 장치 및 메모리 그 동작 방법
WO2007069295A1 (ja) 2005-12-13 2007-06-21 Spansion Llc 半導体装置およびその制御方法
JP5129450B2 (ja) 2006-01-16 2013-01-30 ルネサスエレクトロニクス株式会社 情報処理装置
US8077533B2 (en) 2006-01-23 2011-12-13 Freescale Semiconductor, Inc. Memory and method for sensing data in a memory using complementary sensing scheme
JP4989900B2 (ja) 2006-01-31 2012-08-01 ルネサスエレクトロニクス株式会社 並列演算処理装置
US7400532B2 (en) 2006-02-16 2008-07-15 Micron Technology, Inc. Programming method to reduce gate coupling interference for non-volatile memory
KR100755370B1 (ko) 2006-04-17 2007-09-04 삼성전자주식회사 반도체 메모리 장치
TW200828333A (en) 2006-04-28 2008-07-01 Samsung Electronics Co Ltd Sense amplifier circuit and sense amplifier-based flip-flop having the same
US7752417B2 (en) 2006-06-05 2010-07-06 Oracle America, Inc. Dynamic selection of memory virtualization techniques
US7372715B2 (en) 2006-06-14 2008-05-13 Micron Technology, Inc. Architecture and method for NAND flash memory
US8069377B2 (en) 2006-06-26 2011-11-29 Micron Technology, Inc. Integrated circuit having memory array including ECC and column redundancy and method of operating the same
US7724559B2 (en) 2006-07-14 2010-05-25 International Business Machines Corporation Self-referenced match-line sense amplifier for content addressable memories
US7443729B2 (en) 2006-07-20 2008-10-28 Sandisk Corporation System that compensates for coupling based on sensing a neighbor using coupling
US7885119B2 (en) 2006-07-20 2011-02-08 Sandisk Corporation Compensating for coupling during programming
US7692466B2 (en) 2006-08-18 2010-04-06 Ati Technologies Ulc Sense amplifier based flip-flop
US7805587B1 (en) 2006-11-01 2010-09-28 Nvidia Corporation Memory addressing controlled by PTE fields
US8151082B2 (en) 2007-12-06 2012-04-03 Fusion-Io, Inc. Apparatus, system, and method for converting a storage request into an append data storage command
US7471536B2 (en) 2006-12-08 2008-12-30 Texas Instruments Incorporated Match mismatch emulation scheme for an addressed location in a CAM
US7460387B2 (en) 2007-01-05 2008-12-02 International Business Machines Corporation eDRAM hierarchical differential sense amp
US7603605B2 (en) 2007-01-08 2009-10-13 Arm Limited Performance control of an integrated circuit
KR100826497B1 (ko) * 2007-01-22 2008-05-02 삼성전자주식회사 전력 소모를 줄이기 위한 반도체 메모리 장치의 입출력센스 앰프 회로
US7743303B2 (en) 2007-01-22 2010-06-22 Micron Technology, Inc. Defective memory block remapping method and system, and memory device and processor-based system using same
JP4936914B2 (ja) 2007-01-23 2012-05-23 株式会社東芝 半導体記憶装置
WO2008098973A1 (en) * 2007-02-13 2008-08-21 Chr. Hansen A/S Coagulation of milk
US7937535B2 (en) 2007-02-22 2011-05-03 Arm Limited Managing cache coherency in a data processing apparatus
US7804718B2 (en) 2007-03-07 2010-09-28 Mosaid Technologies Incorporated Partial block erase architecture for flash memory
US7492640B2 (en) 2007-06-07 2009-02-17 Sandisk Corporation Sensing with bit-line lockout control in non-volatile memory
JP2009009665A (ja) 2007-06-29 2009-01-15 Elpida Memory Inc 半導体記憶装置
US7996749B2 (en) 2007-07-03 2011-08-09 Altera Corporation Signal loss detector for high-speed serial interface of a programmable logic device
US7489543B1 (en) 2007-07-25 2009-02-10 Micron Technology, Inc. Programming multilevel cell memory arrays
US7694195B2 (en) 2007-08-14 2010-04-06 Dell Products L.P. System and method for using a memory mapping function to map memory defects
US7869273B2 (en) 2007-09-04 2011-01-11 Sandisk Corporation Reducing the impact of interference during programming
US8042082B2 (en) 2007-09-12 2011-10-18 Neal Solomon Three dimensional memory in a system on a chip
US7965564B2 (en) 2007-09-18 2011-06-21 Zikbit Ltd. Processor arrays made of standard memory cells
US7663928B2 (en) 2007-10-09 2010-02-16 Ememory Technology Inc. Sense amplifier circuit having current mirror architecture
US8156299B2 (en) 2007-10-19 2012-04-10 Virident Systems Inc. Managing memory systems containing components with asymmetric characteristics
US7924628B2 (en) 2007-11-14 2011-04-12 Spansion Israel Ltd Operation of a non-volatile memory array
US7979667B2 (en) 2007-12-10 2011-07-12 Spansion Llc Memory array search engine
US7755960B2 (en) 2007-12-17 2010-07-13 Stmicroelectronics Sa Memory including a performance test circuit
US8495438B2 (en) 2007-12-28 2013-07-23 Texas Instruments Incorporated Technique for memory imprint reliability improvement
US7808854B2 (en) 2008-02-19 2010-10-05 Kabushiki Kaisha Toshiba Systems and methods for data transfers between memory cells
JP5194302B2 (ja) * 2008-02-20 2013-05-08 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体信号処理装置
US20090254694A1 (en) 2008-04-02 2009-10-08 Zikbit Ltd. Memory device with integrated parallel processing
US8332580B2 (en) 2008-04-02 2012-12-11 Zikbit Ltd. System, method and apparatus for memory with embedded associative section for computations
US7957206B2 (en) 2008-04-04 2011-06-07 Micron Technology, Inc. Read circuitry for an integrated circuit having memory cells and/or a memory cell array, and method of operating same
US8339824B2 (en) 2008-07-02 2012-12-25 Cooke Laurence H Nearest neighbor serial content addressable memory
US8555037B2 (en) 2008-08-15 2013-10-08 Apple Inc. Processing vectors using wrapping minima and maxima instructions in the macroscalar architecture
US8417921B2 (en) 2008-08-15 2013-04-09 Apple Inc. Running-min and running-max instructions for processing vectors using a base value from a key element of an input vector
US8259509B2 (en) 2008-08-18 2012-09-04 Elpida Memory, Inc. Semiconductor memory device and method with auxiliary I/O line assist circuit and functionality
ITRM20080543A1 (it) 2008-10-09 2010-04-10 Micron Technology Inc Architettura e metodo per la programmazione di memorie.
KR101596283B1 (ko) 2008-12-19 2016-02-23 삼성전자 주식회사 개선된 로컬 입출력라인 프리차아지 스킴을 갖는 반도체 메모리 장치
US8027214B2 (en) 2008-12-31 2011-09-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Asymmetric sense amplifier
KR101622922B1 (ko) 2009-03-06 2016-05-20 삼성전자 주식회사 개선된 로컬 입출력라인 프리차아지 스킴을 갖는 반도체 메모리 장치
US8484276B2 (en) 2009-03-18 2013-07-09 International Business Machines Corporation Processing array data on SIMD multi-core processor architectures
KR20100134235A (ko) 2009-06-15 2010-12-23 삼성전자주식회사 반도체 메모리 장치
US7898864B2 (en) 2009-06-24 2011-03-01 Sandisk Corporation Read operation for memory with compensation for coupling based on write-erase cycles
US8412985B1 (en) 2009-06-30 2013-04-02 Micron Technology, Inc. Hardwired remapped memory
US8412987B2 (en) 2009-06-30 2013-04-02 Micron Technology, Inc. Non-volatile memory to store memory remap information
US8238173B2 (en) 2009-07-16 2012-08-07 Zikbit Ltd Using storage cells to perform computation
US9076527B2 (en) 2009-07-16 2015-07-07 Mikamonu Group Ltd. Charge sharing in a TCAM array
JP4951041B2 (ja) 2009-08-06 2012-06-13 株式会社東芝 半導体記憶装置
US8059438B2 (en) 2009-08-28 2011-11-15 International Business Machines Corporation Content addressable memory array programmed to perform logic operations
US8077532B2 (en) 2009-09-02 2011-12-13 Micron Technology, Inc. Small unit internal verify read in a memory device
US8482975B2 (en) 2009-09-14 2013-07-09 Micron Technology, Inc. Memory kink checking
US8495465B1 (en) 2009-10-15 2013-07-23 Apple Inc. Error correction coding over multiple memory pages
US9477636B2 (en) 2009-10-21 2016-10-25 Micron Technology, Inc. Memory having internal processors and data communication methods in memory
US20120246380A1 (en) 2009-10-21 2012-09-27 Avidan Akerib Neighborhood operations for parallel processing
US8650232B2 (en) 2009-10-26 2014-02-11 Via Technologies, Inc. System and method for determination of a horizontal minimum of digital values
KR101634340B1 (ko) 2009-11-03 2016-06-28 삼성전자주식회사 반도체 메모리 장치의 프로그램 방법
US8583896B2 (en) 2009-11-13 2013-11-12 Nec Laboratories America, Inc. Massively parallel processing core with plural chains of processing elements and respective smart memory storing select data received from each chain
KR20110054773A (ko) 2009-11-18 2011-05-25 삼성전자주식회사 비트라인 디스털번스를 개선하는 반도체 메모리 장치
US8089815B2 (en) 2009-11-24 2012-01-03 Sandisk Technologies Inc. Programming memory with bit line floating to reduce channel-to-floating gate coupling
US8605015B2 (en) 2009-12-23 2013-12-10 Syndiant, Inc. Spatial light modulator with masking-comparators
JP2011146102A (ja) 2010-01-15 2011-07-28 Elpida Memory Inc 半導体装置及びデータ処理システム
US8164942B2 (en) 2010-02-01 2012-04-24 International Business Machines Corporation High performance eDRAM sense amplifier
US8533245B1 (en) 2010-03-03 2013-09-10 Altera Corporation Multipliers with a reduced number of memory blocks
US10242720B2 (en) * 2010-03-25 2019-03-26 Qualcomm Incorporated Dual sensing current latched sense amplifier
US9317536B2 (en) 2010-04-27 2016-04-19 Cornell University System and methods for mapping and searching objects in multidimensional space
KR101119371B1 (ko) 2010-04-29 2012-03-06 주식회사 하이닉스반도체 반도체 메모리 장치 및 이의 동작 방법
US8559232B2 (en) 2010-05-03 2013-10-15 Aplus Flash Technology, Inc. DRAM-like NVM memory array and sense amplifier design for high temperature and high endurance operation
US8351278B2 (en) 2010-06-23 2013-01-08 International Business Machines Corporation Jam latch for latching memory array output data
KR101143471B1 (ko) 2010-07-02 2012-05-11 에스케이하이닉스 주식회사 센스앰프 및 이를 포함하는 반도체 장치
US20120017039A1 (en) 2010-07-16 2012-01-19 Plx Technology, Inc. Caching using virtual memory
US8462532B1 (en) 2010-08-31 2013-06-11 Netlogic Microsystems, Inc. Fast quaternary content addressable memory cell
US8347154B2 (en) 2010-09-21 2013-01-01 International Business Machines Corporation Use of hashing function to distinguish random and repeat errors in a memory system
US8904115B2 (en) 2010-09-28 2014-12-02 Texas Instruments Incorporated Cache with multiple access pipelines
US8850137B2 (en) * 2010-10-11 2014-09-30 Cisco Technology, Inc. Memory subsystem for counter-based and other applications
US8332367B2 (en) 2010-10-20 2012-12-11 International Business Machines Corporation Parallel data redundancy removal
KR101148352B1 (ko) 2010-11-02 2012-05-21 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 메모리 장치 및 그의 동작 방법
JP5528987B2 (ja) 2010-11-11 2014-06-25 ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエル 半導体装置
US9165023B2 (en) 2011-01-31 2015-10-20 Freescale Semiconductor, Inc. Integrated circuit device and method for determining an index of an extreme value within an array of values
KR20120088973A (ko) 2011-02-01 2012-08-09 삼성전자주식회사 로컬 센스앰프 회로 및 이를 포함하는 반도체 메모리 장치
JP2012174016A (ja) 2011-02-22 2012-09-10 Renesas Electronics Corp データ処理装置およびそのデータ処理方法
JP5259765B2 (ja) 2011-03-29 2013-08-07 株式会社東芝 不揮発性半導体メモリ
US8725730B2 (en) 2011-05-23 2014-05-13 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Responding to a query in a data processing system
US8706958B2 (en) 2011-09-01 2014-04-22 Thomas Hein Data mask encoding in data bit inversion scheme
US20140247673A1 (en) 2011-10-28 2014-09-04 Naveen Muralimanohar Row shifting shiftable memory
US8891297B2 (en) 2011-11-01 2014-11-18 Micron Technology, Inc. Memory cell sensing
US9830158B2 (en) 2011-11-04 2017-11-28 Nvidia Corporation Speculative execution and rollback
KR101321481B1 (ko) 2011-11-04 2013-10-28 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 메모리 장치 및 이를 위한 테스트 회로
KR20130052971A (ko) 2011-11-14 2013-05-23 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치의 동작 방법
WO2013078085A1 (en) 2011-11-22 2013-05-30 Mips Technologies, Inc. Processor with kernel mode access to user space virtual addresses
CN103959237B (zh) 2011-11-30 2016-09-28 英特尔公司 用于提供向量横向比较功能的指令和逻辑
KR20130072869A (ko) 2011-12-22 2013-07-02 에스케이하이닉스 주식회사 프리차지 회로 및 비휘발성 메모리 장치
US20140108480A1 (en) 2011-12-22 2014-04-17 Elmoustapha Ould-Ahmed-Vall Apparatus and method for vector compute and accumulate
US20130286705A1 (en) 2012-04-26 2013-10-31 David B. Grover Low power content addressable memory hitline precharge and sensing circuit
US8938603B2 (en) 2012-05-31 2015-01-20 Samsung Electronics Co., Ltd. Cache system optimized for cache miss detection
US20130332707A1 (en) 2012-06-07 2013-12-12 Intel Corporation Speed up big-number multiplication using single instruction multiple data (simd) architectures
KR102062301B1 (ko) 2013-01-03 2020-01-03 삼성전자주식회사 메모리 장치의 페이지 복사 방법 및 메모리 시스템의 페이지 관리 방법
KR102060308B1 (ko) 2013-01-14 2019-12-30 휴렛 팩커드 엔터프라이즈 디벨롭먼트 엘피 비휘발성 메모리 어레이 로직
US20140215185A1 (en) 2013-01-29 2014-07-31 Atmel Norway Fetching instructions of a loop routine
US9158667B2 (en) * 2013-03-04 2015-10-13 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for performing logical operations using sensing circuitry
US9171153B2 (en) 2013-05-17 2015-10-27 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Bloom filter with memory element
US8964496B2 (en) 2013-07-26 2015-02-24 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for performing compare operations using sensing circuitry
US8971124B1 (en) 2013-08-08 2015-03-03 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for performing logical operations using sensing circuitry
US9430191B2 (en) 2013-11-08 2016-08-30 Micron Technology, Inc. Division operations for memory
WO2015171914A1 (en) 2014-05-08 2015-11-12 Micron Technology, Inc. Hybrid memory cube system interconnect directory-based cache coherence methodology
KR101887797B1 (ko) 2014-05-08 2018-09-10 마이크론 테크놀로지, 인크. 메모리 내 가벼운 일관성
US9779784B2 (en) * 2014-10-29 2017-10-03 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for performing logical operations using sensing circuitry

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090067218A1 (en) * 2007-09-06 2009-03-12 Philippe Graber Sense amplifier circuitry for integrated circuit having memory cell array, and method of operating same
CN102141905A (zh) * 2010-01-29 2011-08-03 上海芯豪微电子有限公司 一种处理器体系结构
US20120134225A1 (en) * 2010-11-29 2012-05-31 Chow Daniel C Sense amplifier latch with integrated test data multiplexer

Cited By (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11495274B2 (en) 2013-08-08 2022-11-08 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for performing logical operations using sensing circuitry
US9899068B2 (en) 2013-08-08 2018-02-20 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for performing logical operations using sensing circuitry
CN105556607B (zh) * 2013-08-08 2018-05-18 美光科技公司 使用感测电路执行逻辑运算的设备及方法
US10535384B2 (en) 2013-08-08 2020-01-14 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for performing logical operations using sensing circuitry
CN105556607A (zh) * 2013-08-08 2016-05-04 美光科技公司 使用感测电路执行逻辑运算的设备及方法
US10186303B2 (en) 2013-08-08 2019-01-22 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for performing logical operations using sensing circuitry
US10878863B2 (en) 2013-08-08 2020-12-29 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for performing logical operations using sensing circuitry
CN113674780B (zh) * 2016-01-06 2023-09-01 美光科技公司 操作存储器的方法、设备及系统
CN113674780A (zh) * 2016-01-06 2021-11-19 美光科技公司 操作存储器的方法、设备及系统
CN108604169A (zh) * 2016-02-10 2018-09-28 美光科技公司 用于经分割并行数据移动的设备和方法
CN108604169B (zh) * 2016-02-10 2020-04-21 美光科技公司 用于经分割并行数据移动的设备和方法
CN108701473A (zh) * 2016-02-17 2018-10-23 美光科技公司 用于数据移动的设备及方法
CN108701473B (zh) * 2016-02-17 2022-05-17 美光科技公司 用于数据移动的设备及方法
CN108713196A (zh) * 2016-02-19 2018-10-26 美光科技公司 使用位向量运算装置进行的数据传送
CN108885600B (zh) * 2016-03-16 2022-09-09 美光科技公司 使用经压缩及经解压缩数据进行操作的设备及方法
CN108885600A (zh) * 2016-03-16 2018-11-23 美光科技公司 使用经压缩及经解压缩数据进行操作的设备及方法
US11314429B2 (en) 2016-03-16 2022-04-26 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for operations using compressed and decompressed data
CN109937450A (zh) * 2016-11-11 2019-06-25 美光科技公司 用于存储器对准的设备及方法
CN109937450B (zh) * 2016-11-11 2023-07-18 美光科技公司 用于存储器对准的设备及方法
CN111949571B (zh) * 2017-02-21 2024-04-26 美光科技公司 存储器阵列页面表格寻选
CN111949571A (zh) * 2017-02-21 2020-11-17 美光科技公司 存储器阵列页面表格寻选
CN109147842B (zh) * 2017-06-19 2021-06-25 美光科技公司 同时进行数据路径中计算操作的设备及方法
CN109147842A (zh) * 2017-06-19 2019-01-04 美光科技公司 同时进行数据路径中计算操作的设备及方法
US11693561B2 (en) 2017-06-19 2023-07-04 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for simultaneous in data path compute operations
US11372550B2 (en) 2017-06-19 2022-06-28 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for simultaneous in data path compute operations
US10795582B2 (en) 2017-06-19 2020-10-06 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for simultaneous in data path compute operations
CN111033617B (zh) * 2017-08-23 2024-03-26 美光科技公司 感测存储器中的操作
CN111033617A (zh) * 2017-08-23 2020-04-17 美光科技公司 感测存储器中的操作
CN110998727A (zh) * 2017-08-25 2020-04-10 美光科技公司 减少存储器裸片中的线间电容耦合
CN110998727B (zh) * 2017-08-25 2023-10-27 美光科技公司 减少存储器裸片中的线间电容耦合
CN111630596A (zh) * 2017-12-19 2020-09-04 美光科技公司 用于子行寻址的设备及方法
CN112204663A (zh) * 2018-05-31 2021-01-08 美光科技公司 存储器中的感测操作
CN112639976A (zh) * 2018-09-04 2021-04-09 美光科技公司 使用逻辑运算组件的逻辑运算
CN112639976B (zh) * 2018-09-04 2024-04-16 美光科技公司 使用逻辑运算组件的逻辑运算
CN113168855A (zh) * 2018-10-12 2021-07-23 美光科技公司 调适信道电流
CN111724832A (zh) * 2019-03-20 2020-09-29 美光科技公司 用于存储器阵列数据结构正数运算的设备、系统及方法

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US11495274B2 (en) Apparatuses and methods for performing logical operations using sensing circuitry

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