CN104425319A - 支撑体供应装置、叠层体制造装置 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 154
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims abstract description 155
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 173
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 138
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 132
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 14
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 13
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 11
- 238000004513 sizing Methods 0.000 claims description 7
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 7
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 17
- 238000012546 transfer Methods 0.000 abstract description 3
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 485
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 291
- 239000010408 film Substances 0.000 description 227
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 126
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 88
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 88
- 239000000463 material Substances 0.000 description 72
- 230000008569 process Effects 0.000 description 53
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 49
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 49
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 46
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 44
- 238000009940 knitting Methods 0.000 description 44
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 31
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 29
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 29
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 29
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 27
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 26
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 24
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 24
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 22
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 22
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 20
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 19
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 18
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 17
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 16
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 16
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 15
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 15
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 15
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 15
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 206010040844 Skin exfoliation Diseases 0.000 description 14
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 14
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 13
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 13
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 13
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 13
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 13
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 12
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 12
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 12
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- OBNDGIHQAIXEAO-UHFFFAOYSA-N [O].[Si] Chemical compound [O].[Si] OBNDGIHQAIXEAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 11
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 11
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 10
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 10
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000009471 action Effects 0.000 description 10
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 10
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 10
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 10
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 10
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 10
- 102220579879 Ceramide-1-phosphate transfer protein_F50R_mutation Human genes 0.000 description 9
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 9
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 9
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 9
- 102220153358 rs142411445 Human genes 0.000 description 9
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 8
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 8
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 8
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 8
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 8
- 239000002648 laminated material Substances 0.000 description 8
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 8
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 8
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 8
- 239000000047 product Substances 0.000 description 8
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 8
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 7
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 7
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 7
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- 102220480220 Dolichyl-diphosphooligosaccharide-protein glycosyltransferase subunit 1_F67R_mutation Human genes 0.000 description 6
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N Nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 6
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 6
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 6
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 102220242537 rs762217448 Human genes 0.000 description 6
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 6
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 5
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 5
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 5
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 5
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 5
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 5
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 5
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- 102200089579 rs786202787 Human genes 0.000 description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 5
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 5
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 4
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N but-3-enoic acid;ethene Chemical compound C=C.OC(=O)CC=C DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 4
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 4
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 4
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 4
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 4
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 4
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910021536 Zeolite Inorganic materials 0.000 description 3
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003463 adsorbent Substances 0.000 description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 3
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000035618 desquamation Effects 0.000 description 3
- HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 3
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 3
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- 239000001272 nitrous oxide Substances 0.000 description 3
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 3
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 3
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 3
- 229920005644 polyethylene terephthalate glycol copolymer Polymers 0.000 description 3
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 3
- -1 pottery Substances 0.000 description 3
- 102220216497 rs782192817 Human genes 0.000 description 3
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 3
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 239000010457 zeolite Substances 0.000 description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 3
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 2
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004760 aramid Substances 0.000 description 2
- 229920003235 aromatic polyamide Polymers 0.000 description 2
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Inorganic materials [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSSYLTMKCUORDA-UHFFFAOYSA-N barium(2+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Ba+2] CSSYLTMKCUORDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 210000002858 crystal cell Anatomy 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000001962 electrophoresis Methods 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 2
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 2
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 2
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 2
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 2
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 2
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 description 1
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 240000004859 Gamochaeta purpurea Species 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N Methyl methacrylate Chemical compound COC(=O)C(C)=C VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005041 Mylar™ Substances 0.000 description 1
- 229920005372 Plexiglas® Polymers 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001080 W alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 1
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 1
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 239000002772 conduction electron Substances 0.000 description 1
- 239000006071 cream Substances 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 239000005007 epoxy-phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 235000013312 flour Nutrition 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N indium tin Chemical compound [In].[Sn] RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 1
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000001659 ion-beam spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005355 lead glass Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 1
- 229920002521 macromolecule Polymers 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 238000010606 normalization Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920006350 polyacrylonitrile resin Polymers 0.000 description 1
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 1
- 229920005990 polystyrene resin Polymers 0.000 description 1
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 description 1
- 239000005307 potash-lime glass Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000001454 recorded image Methods 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 238000002407 reforming Methods 0.000 description 1
- 102220059220 rs786202787 Human genes 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 1
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- 230000005236 sound signal Effects 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 1
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010023 transfer printing Methods 0.000 description 1
- 230000017105 transposition Effects 0.000 description 1
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
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Abstract
本发明涉及支撑体供应装置、叠层体制造装置。本发明的一个方式的目的之一是提供一种具有清洁的表面的支撑体的供应装置。或者,本发明的目的之一是提供一种叠层体制造装置,该叠层体具备表面被剥离的加工构件的剩余部及支撑体。上述装置包括对准部、切口形成部及剥离部。对准部包括具备支撑体及隔膜的叠层膜的第一传送机构及固定叠层膜的工作台。切口形成部包括形成残留有隔膜的切口的刀具。剥离部包括第二传送机构及在拉长隔膜后将其剥离的剥离机构。此外,装置包括使支撑体的表面活化的预处理部。
Description
技术领域
本发明涉及一种物体、方法或制造方法。或者,本发明涉及一种工序(process)、机器(machine)、产品(manufacture)或组合物(composition of matter)。尤其是,本发明例如涉及一种半导体装置、显示装置、发光装置、蓄电装置、上述装置的驱动方法或制造方法。尤其是,本发明的一个方式涉及一种支撑体供应装置或叠层体制造装置。
背景技术
与信息传送方法有关的社会基础越来越充实。因此,通过使用信息处理装置,不仅可以在工作场所或家里还可以在外出目的地取得、加工或发送多种丰富的信息。
在上述背景下,对便携式信息处理装置积极地展开了开发。
例如,便携式信息处理装置经常在室外被使用,所以有时因掉下而使便携式信息处理装置及在其中使用的显示装置意外受到意外的外力冲击。作为不容易破损的显示装置的一个例子,已知具有使发光层分离的结构体与第二电极层之间的紧密性得到提高的结构的显示装置(专利文献1)。
[专利文献1]日本专利申请公开2012-190794号公报
发明内容
本发明的一个方式的目的之一是提供一种具有清洁的表面的支撑体供应装置。或者,本发明的目的之一是提供一种叠层体制造装置,该叠层体制造装置具备表面被剥离的加工构件的剩余部及支撑体。或者,本发明的一个方式的目的之一是提供一种新颖的制造装置。或者,本发明的一个方式的目的之一是提供一种使用新颖的制造装置制造的装置。
注意,这些目的的记载不妨碍其他目的的存在。此外,本发明的一个方式并不需要实现所有上述目的。另外,说明书、附图以及权利要求书等的记载中显然存在上述目的以外的目的,可以从说明书、附图以及权利要求书等的记载中获得上述目的以外的目的。
本发明的一个方式是一种支撑体供应装置,该支撑体供应装置包括对准部、切口形成部以及剥离部,其中,该对准部包括:具备能够供应支撑体及相接于支撑体的一个面的隔膜的薄片状叠层膜的第一传送机构;以及固定被供应的叠层膜的工作台,该切口形成部包括:能够在叠层膜的端部附近形成残留有隔膜的切口的切割器,该剥离部包括:支撑叠层膜的另一面并进行传送的第二传送机构;以及持着与形成有切口的端部重叠的隔膜,并在拉长隔膜后将其剥离的剥离机构。
另外,本发明的一个方式是一种包括预处理部的上述支撑体供应装置,该预处理部包括:对支撑体的一个面照射超声波,并一边喷射压缩空气一边抽吸气氛的第一预处理机构或/及照射紫外线的第二预处理机构。
上述本发明的一个方式的支撑体供应装置包括对准部、切口形成部及剥离部。对准部包括:具备支撑体及隔膜的叠层膜的第一传送机构;以及固定叠层膜的工作台。切口形成部包括形成残留有隔膜的切口的切割器。剥离部包括第二传送机构及在拉长隔膜后将其剥离的剥离机构。此外,上述本发明的一个方式的支撑体供应装置包括使支撑体表面活化的预处理部。由此,可以将隔膜从支撑体与隔膜的叠层膜剥离,而使支撑体的表面保持清洁的状态。再者,可以使该表面活化而供应。其结果是,可以提供一种能够供应清洁且粘合性良好的支撑体的支撑体供应装置。
另外,本发明的一个方式是一种包括薄片供应部的上述支撑体供应装置,包括:容纳有薄片状叠层膜的托盘;对第一传送机构从托盘中拾起的叠层膜的端部喷射气体的重送防止机构;以及检测第一传送机构所拾起的叠层膜是否为一个的重送检测机构。
上述本发明的一个方式的支撑体供应装置包括薄片供应部,该薄片供应部包括:整理第一传送机构所拾起的多个叠层膜来防止重送的重送防止机构;以及检测重送的叠层膜的重送检测机构。由此,第一传送机构可以以良好的再现性来供应一个薄片状叠层膜。其结果是,可以减少伴随重送的停滞时间,而可以提供一种生产率被提高的支撑体供应装置。
此外,本发明的一个方式是一种包括薄片供应部的上述支撑体供应装置,包括:从被卷起的状态供应叠层膜的开卷机构;将供应的叠层膜切割成预定尺寸的薄片状的切割机构;以及容纳薄片状叠层膜的托盘。
上述本发明的一个方式的支撑体供应装置将叠层膜开卷,将其切割成预定尺寸的薄片,并包括容纳薄片状的托盘。由此,从被卷起的叠层膜制造预定尺寸的薄片状叠层膜,并容纳于托盘。其结果是,可以提供一种能够供应所希望的尺寸的支撑体的支撑体供应装置。
此外,本发明的一个方式是一种叠层体制造装置,包括:供应加工部件的第一供应单元;形成第一剩余部的第一分离单元;被供应第一支撑体,并使用第一粘合层将第一支撑体贴合于第一剩余部的第一贴合单元;供应第一支撑体的支撑体供应单元;以及第一装运单元,该第一装运单元装运具备第一剩余部、第一粘合层以及由第一粘合层贴合的第一支撑体的第一叠层体。
并且,支撑体供应单元包括对准部、切口形成部以及剥离部,其中,该对准部包括:具备能够供应支撑体及相接于支撑体的一个面的隔膜的薄片状叠层膜的第一传送机构;以及固定被供应的叠层膜的工作台,该切口形成部包括:能够在叠层膜的端部附近形成残留有隔膜的切口的切割器,该剥离部包括:支撑叠层膜的另一面并传送的第二传送机构;以及持着与形成有切口的端部重叠的隔膜,并在拉长隔膜后将其剥离的剥离机构。
上述本发明的一个方式的叠层体制造装置包括:加工构件的供应单元;形成第一剩余部的第一分离单元;将第一支撑体贴合于第一剩余部的第一贴合单元;供应第一支撑体的支撑体供应单元;以及第一装运单元,该第一装运单元装运具备第一剩余部、第一粘合层以及由第一粘合层贴合的第一支撑体的第一叠层体。由此,可以从加工构件剥离其一个表层,形成第一剩余部,并将第一支撑体贴合于第一剩余部。其结果是,可以提供一种包括表层被剥离的加工构件的剩余部及支撑体的叠层体制造装置。
另外,本发明的一个方式的叠层体制造装置包括:供应加工构件的第一供应单元;剥离加工构件的一个表层,而形成第一剩余部的第一分离单元;使用第一粘合层将第一支撑体贴合于第一剩余部的第一贴合单元;供应第一支撑体及第二支撑体的支撑体供应单元;第一装运单元,该第一装运单元装运具备第一剩余部、第一粘合层以及由第一粘合层贴合的第一支撑体的第一叠层体;供应第一叠层体的第二供应单元;在第一剩余部及第一支撑体的端部附近形成剥离起点的起点形成单元;剥离第一叠层体的一个表层,而形成第二剩余部的第二分离单元;被供应第二支撑体,使用第二粘合层将第二支撑体贴合于第二剩余部的第二贴合单元;以及第二装运单元,该第二装运单元装运具备第二剩余部、第二粘合层以及由第二粘合层贴合的第二支撑体的第二叠层体。
并且,支撑体供应单元包括对准部、切口形成部以及剥离部,其中,该对准部包括:具备能够供应支撑体及相接于支撑体的一个面的隔膜的薄片状叠层膜的第一传送机构;以及固定被供应的叠层膜的工作台,该切口形成部包括:能够在叠层膜的端部附近形成残留有隔膜的切口的切割器,该剥离部包括:支撑叠层膜的另一面并传送的第二传送机构;以及持着与形成有切口的端部重叠的隔膜,并在拉长隔膜后将其剥离的剥离机构。
上述本发明的一个方式的叠层体制造装置包括:加工构件的供应单元;形成第一剩余部的第一分离单元;将第一支撑体贴合于第一剩余部的第一贴合单元;供应第一支撑体及第二支撑体的支撑体供应单元;第一装运单元,该第一装运单元装运具备第一剩余部、第一粘合层以及由第一粘合层贴合的第一支撑体的第一叠层体;叠层体的供应单元;形成剥离起点的起点形成单元;形成第二剩余部的第二分离单元;将第二支撑体贴合于第二剩余部的第二贴合单元;以及第二装运单元,该第二装运单元装运具备第二剩余部、第二粘合层以及由第二粘合层贴合的第二支撑体的第二叠层体。由此,可以从加工构件剥离其两个表层,形成第二剩余部,并将第一支撑体及第二支撑体贴合于第二剩余部。其结果是,可以提供一种包括表层被剥离的加工构件的剩余部及支撑体的叠层体制造装置。
根据本发明的一个方式可以提供一种具有清洁的表面的支撑体的供应装置。或者,可以提供一种包括加工构件的剩余部及支撑体的叠层体制造装置。
附图说明
图1是说明支撑体供应装置的结构的示意图;
图2A1至图2C2说明支撑体供应装置的对准部及切口形成部的结构及工作的图;
图3A至图3D是说明支撑体供应装置的剥离部的工作的图;
图4A1至图4D2说明支撑体供应装置的预处理部的结构及工作的图;
图5A和图5B是说明能够用于支撑体供应装置的薄片供应部的结构及工作的图;
图6是说明根据实施方式的叠层体制造装置的结构的示意图;
图7A1至图7E2是说明根据实施方式的叠层体的制造工序的示意图;
图8是说明根据实施方式的叠层体制造装置的结构的示意图;
图9A1至图9E2是说明根据实施方式的叠层体的制造工序的示意图;
图10A1至图10E2是说明根据实施方式的叠层体的制造工序的示意图;
图11是说明根据实施方式的叠层体制造装置的结构的示意图;
图12A1至图12B2是说明根据实施方式的加工构件的结构的示意图;
图13A和图13B是说明根据实施方式的发光面板的图;
图14A和图14B是说明根据实施方式的发光面板的图;
图15A至图15C是说明根据实施方式的发光面板的制造方法的图;
图16A至图16C是说明根据实施方式的发光面板的制造方法的图;
图17A和图17B是说明根据实施方式的发光面板的图;
图18是说明根据实施方式的发光面板的图;
图19A至图19D是说明电子设备及照明装置的一个例子的图;
图20A和图20B是说明电子设备的一个例子的图;
图21A和图21B是说明根据实施方式的发光元件及发光面板的结构的图;
图22是说明根据实施方式的发光面板的显示品质的图;
图23是说明根据实施方式的发光元件产生的亮度的经时变化的图;
图24说明根据实施方式的发光面板的显示品质的图;
图25说明根据实施方式的发光面板的显示品质的图;
图26A和图26B说明根据实施方式的发光面板的显示品质的图;
图27说明根据实施方式的发光面板的显示品质的图;
图28A和图28B说明根据实施方式的发光面板的显示品质的图;
图29是说明制造根据实施方式的具有柔性的发光面板的工序的图;
图30是说明将根据实施方式的形成有OCA的薄膜卷成辊状的工序的图;
图31是说明制造根据实施方式的具有柔性的发光面板的工序的图;
图32是说明制造根据实施方式的具有柔性的发光面板的工序的图;
图33A1至图33D2是说明根据实施方式的从加工构件制造叠层体的方法的图;
图34A1至图34B2是说明从根据实施方式的加工构件制造叠层体的方法的图;
图35A1至图35D2是说明具有根据实施方式的开口部的叠层体的制造方法的图;
图36A至图36C是说明能够使用根据实施方式的制造装置制造的具有柔性的输入输出装置的结构的图;
图37A和图37B是说明能够使用根据实施方式的制造装置制造的具有柔性的输入输出装置的结构的图;
图38是说明能够使用根据实施方式的制造装置制造的具有柔性的输入输出装置的结构的图。
具体实施方式
本发明的一个方式的支撑体供应装置包括对准部、切口形成部及剥离部。对准部包括:具备支撑体及隔膜的叠层膜的第一传送机构;以及固定叠层膜的工作台。切口形成部包括形成残留有隔膜的切口的切割器。剥离部包括第二传送机构及在拉长隔膜后将其剥离的剥离机构。此外,包括使支撑体表面活化的预处理部。
由此,可以将隔膜从支撑体与隔膜的叠层膜剥离,而在使支撑体的表面保持清洁的状态下进行处理。再者,可以使该表面活化而进行供应。其结果是,可以提供一种能够供应清洁且粘合性良好的支撑体的支撑体供应装置。
此外,本发明的一个方式的叠层体制造装置包括:加工构件的供应单元;分离第一剩余部的第一分离单元;将第一支撑体贴合于第一剩余部的第一贴合单元;供应第一支撑体的支撑体供应单元;以及第一装运单元,该第一装运单元装运具备第一剩余部、第一粘合层以及由第一粘合层贴合的第一支撑体的第一叠层体。
由此,可以剥离加工构件的一个表层,分离第一剩余部,并将第一支撑体贴合于第一剩余部。其结果是,可以提供一种包括表层被剥离的加工构件的剩余部及支撑体的叠层体制造装置。注意,本说明书中的表层是指位于加工构件或叠层体的表面的层。表层不局限于单层,也可以由多个层构成。此外,剩余部是指除加工构件或叠层体的一个表面以外的部分。
参照附图对实施方式进行详细说明。注意,本发明不局限于以下说明,而所属技术领域的普通技术人员可以很容易地理解一个事实就是其方式及详细内容在不脱离本发明的宗旨及其范围的情况下可以被变换为各种各样的形式。因此,本发明不应该被解释为仅局限在以下所示的实施方式所记载的内容中。另外,在下面说明的发明的结构中,在不同附图之间共同使用同一附图标记来表示同一部分或具有同一功能的部分,而省略其重复说明。
实施方式1
在本实施方式中,参照图1至图5B说明本发明的一个方式的支撑体供应装置的结构。
图1是说明本发明的一个方式的支撑体供应装置500的结构的示意图。
图2A1至图2C2是说明本发明的一个方式的支撑体供应装置500的对准部520及切口形成部530的结构及工作的图。
图3A至图3D是说明本发明的一个方式的支撑体供应装置500的剥离部539的工作的图。
图4A1至图4D2说明本发明的一个方式的支撑体供应装置500的预处理部540的结构及工作的图。
图5A和图5B是说明能够用于本发明的一个方式的支撑体供应装置500的薄片供应部510的结构及工作的图。
在本实施方式中说明的支撑体供应装置500包括对准部520,对准部520包括:供应具备支撑体41及接于支撑体41的一个面的隔膜41a的薄片状叠层膜41c的第一传送机构521;以及固定被供应了的叠层膜41c的工作台525(参照图1、图2A1及图2A2)。另外,第一传送机构521可以以每次供应一个的方式供应薄片状叠层膜41c。
另外,支撑体供应装置500包括切口形成部530,切口形成部530包括能够在叠层膜41c的端部附近形成残留有隔膜41a的切口41s的切割器538(参照图1及图2B1和图2B2)。
另外,支撑体供应装置500包括剥离部539,剥离部539包括:支撑叠层膜41c的不与隔膜41a相接的面地进行传送的第二传送机构531;以及持着与形成有切口41s的端部重叠的隔膜41a,并在拉长隔膜41a后将其剥离的剥离机构535(参照图1、图3A至图3D)。注意,剥离机构535对于第二传送机构531相对地移动,因此可以在拉长隔膜41a后将其剥离。此外,剥离部539可以容纳被剥离了的隔膜41a。
另外,支撑体供应装置500包括预处理部540,预处理部540包括:对支撑体41的一个面照射超声波,并一边喷射压缩空气一边抽吸气氛的第一预处理机构542或/及照射紫外线的第二预处理机构547(参照图1、图4A1、图4A2、图4B1及图4B2)。
在本实施方式中说明的支撑体供应装置500包括对准部520、切口形成部530及剥离部539。对准部520包括:具备支撑体41及隔膜41a的叠层膜41c的第一传送机构521;以及固定叠层膜41c的工作台525。切口形成部530包括形成残留有41a隔膜的切口41s的切割器538。剥离部539包括第二传送机构531及在拉长隔膜41a后将其剥离的剥离机构535。此外,包括使支撑体41表面活化的预处理部540。由此,可以将隔膜从支撑体与隔膜的叠层膜剥离,而在使支撑体41的表面保持清洁的状态下进行处理。再者,可以使该表面活化而进行供应。其结果是,可以提供一种能够供应清洁且粘合性良好的支撑体的支撑体供应装置。
另外,在本实施方式中说明的支撑体供应装置500包括:对准用相机528;喷射孔534;支撑体固定物541;处理槽546;以及递送机器人551等(参照图2A1、图2A2、图4A1、图4B1及图4C1)。
对准用相机528设置于对准部520,可以用来判断薄片状叠层膜41c的端部是否被配置到工作台525的规定位置。
喷射孔534设置于第二传送机构531的吸附工作台532,喷射气体,而可以使叠层膜41c的形成有切口41s的端部从吸附工作台532浮起(图3)。
支撑体固定物541设置于预处理部540,并将支撑体41的端部固定于吸附工作台532,可以防止支撑体41的端部因第一预处理机构542而从第二传送机构531浮起,其中第一预处理机构542照射超声波,并一边喷射压缩空气一边抽吸气氛。
处理槽546设置于预处理部540,并在其上部具备由第二传送机构531能够堵塞的开口部。由此,可以防止第二预处理机构547所照射的紫外线泄露到装置内的现象。
下面说明构成本发明的一个方式的支撑体供应装置的各要素。
《薄片供应部》
薄片供应部510容纳薄片状叠层膜41c。例如,可以将上部具备开口且具有能够备齐并容纳薄片状叠层膜的规定尺寸的托盘等用于薄片供应部510。
另外,薄片状叠层膜41c具备支撑体41及接于支撑体41的一个面的隔膜41a。此外,也可以采用支撑体41的另一个面具备支撑体41b的结构(图2A1)。隔膜41a及支撑体41b可以保护支持体41的表面以避免该表面产生损伤或污垢附着于该表面。
可以将具有柔性的树脂薄膜等用于支撑体41。可以将对表面进行了离型处理的树脂薄膜等用于隔膜41a及支撑体41b。作为树脂,例如可以使用:聚酯、聚酰胺、聚酰亚胺、聚烯烃、芳族聚酰胺、聚碳酸酯、丙烯酸等树脂;包括选自上述树脂的多个树脂的合成体的材料;或者包括选自上述树脂的多个树脂的叠层体等。
《第一传送机构》
第一传送机构521可以在薄片供应部510与对准部520之间移动(参照图1、图2A1及图2A2)。第一传送机构521将薄片状叠层膜41c传送到对准部520的工作台525。
第一传送机构521具备可以前进及后退的吸盘523。
作为第一传送机构521,通过前进了的吸盘523来吸附薄片状叠层膜41c的不与隔膜41a相接的面,并通过使吸盘523后退而从薄片供应部510拾起薄片状叠层膜41c。
第一传送机构521将薄片状叠层膜41c配置于工作台525的预定位置(参照图2A1及图2A2)。
《工作台》
工作台525可以在对准部520与切口形成部530之间移动(参照图1)。
工作台525在上部具备平坦部,该平坦部可以固定叠层膜41c。作为叠层膜41c的固定机构,可以举出抽吸卡盘或静电卡盘等。
工作台525可以沿着包括平坦部的平面使平坦部移动及旋转(参照图2A2及图2B2)。
《对准用相机》
对准用相机528可以拍摄用来判断薄片状叠层膜41c的端部是否被配置于工作台525的预定位置的图像。当没有被配置于预定位置时,使薄片状叠层膜41c离开工作台525,使用第一传送机构521将其拾起,并移动及旋转工作台525以使薄片状叠层膜41c的端部配置于预定位置。
另外,当以薄片状叠层膜41c的角为基准并针对每个尺寸决定配置薄片状叠层膜41c的预定位置时,可以利用相同的方法将尺寸不同的薄片状叠层膜41c配置于各自的预定位置,所以很方便。
《切割器》
切割器538位于切口形成部530。切割器538在叠层膜41c的端部附近形成残留有隔膜41a的切口41s(参照图2B1及图2B2)。具体而言,将从切割器538的刀刃的从工作台525起的高度按如下方式进行调整来使用:薄片状叠层膜41c的支撑体41b及支撑体41被切断且隔膜41a不被切断。注意,残留被加工物的一部分而形成切口的情况也被称为半切断(half-cut-off)。
也可以采用对切割器538设置检测刀锋的相接的检测器而使切割器的刀刃压入规定的深度来进行使用的结构。
另外,当将形成切口41s的位置设定为薄片状叠层膜41c的角时,可以利用相同的方法将切口41s形成于尺寸不同的薄片状叠层膜41c中,所以很方便。
《第二传送机构》
第二传送机构531可以在切口形成部530与剥离部539之间移动(参照图1)。此外,第二传送机构531可以在切口形成部530与预处理部540之间移动。
第二传送机构531在支撑叠层膜41c的不与隔膜41a相接的面的状态下在切口形成部530与剥离部539之间传送叠层膜41c。
第二传送机构531包括:吸附叠层膜41c的不与隔膜41a相接的面的吸附工作台532;可以从吸附工作台前进及后退的吸盘533;以及能够喷射气体以使形成有切口41s的叠层膜41c的端部从吸附工作台532浮起的喷射孔534(参照图2C1、图2C2及图3A至图3D)。
另外,第二传送机构531可以在预处理部540的递送室550一侧递送支撑体41b。
具体而言,在使用吸盘533吸附支撑体41b之后,使支撑体41b离开吸附工作台532。接着使吸盘533前进,并使支撑体41b与吸附工作台532间隔开(参照图4C1及图4C2)。
具备吸盘553的递送机器人551被插入吸附工作台532与支撑体41b之间,并将支撑体41从吸盘533递送到吸盘553。
拉出吸附于递送机器人551的吸盘553的支撑体41b,并将支撑体41供应到递送室550(参照图4D1及图4D2)。
《剥离机构》
剥离机构535位于剥离部539。剥离机构535可以持着与叠层膜41c的形成有切口41s的端部重叠的隔膜41a。例如,可以将吸盘等用于剥离机构535(参照图3A)。
参照图3A至图3D说明使用剥离机构535剥离隔膜41a的方法。
在第一步骤中,移动第二传送机构531,以使叠层膜41c的形成有切口41s的端部位于剥离机构535的附近(参照图3A)。
在第二步骤中,使剥离机构535的吸盘成为能够吸附的状态,并使空气等气体从喷射孔534喷射。喷射出的气体使叠层膜41c的形成有切口41s的端部从第二传送机构531浮起,并使该端部吸附于剥离机构535的吸盘(参照图3B)。
在第三步骤中,对于吸附形成有切口41s的端部的剥离机构535的吸盘,相对地移动具备吸附工作台532的第二传送机构531,并对隔膜41a的拉伸方向或扭转方向施加应力。由此,在形成有切口41s的部分中形成隔膜41a从支撑体41被剥离的剥离起点(参照图3C)。
在第四步骤中,将第二传送机构531或/及剥离机构535向隔膜41a被剥离的方向移动。由此,可以剥离隔膜41a(参照图3D)。例如,当将规定的切口41s形成于薄片状叠层膜41c的角时,使剥离机构535向第二传送机构531的对角线方向移动。
另外,在剥离隔膜41a之后,从剥离机构535的吸盘分离隔膜41a。由此,隔膜41a落下,而容纳于剥离部539中。
根据该剥离方法,可以准确地只剥离在切口处未被切断的隔膜41a。具体而言,可以使支撑体41从在切口处被切断的支撑体41b不小心被剥离的不良现象不容易发生。
《第一预处理机构》
第一预处理机构542被设置于预处理部540(参照图1、图4A1及图4A2)。第二传送机构531以使支撑体41的一个面朝向第一预处理机构542的方式配置。
第一预处理机构542可以对支撑体41的一个表面照射超声波并一边喷射压缩空气一边抽吸气氛,来去除附着于支撑体41的一个面的异物。注意,例如可以将压缩空气的压力设定为14kPa,优选为25kPa,压力越高越可以有效地去除异物,所以是优选的。另外,通过以不接触于第一预处理机构542且距离第一预处理机构542有5mm以下的方式配置支撑体41的一个面,可以有效地去除异物,所以是优选的。
此外,当将支撑体41的一个面处理成线状时,第一预处理机构542对于支撑体41的一个面相对地移动。
此外,支撑体固定物541固定支撑体41的端部而可以防止支撑体41的端部从第二传送机构531浮起的现象。
《第二预处理机构》
第二预处理机构547位于预处理部540(参照图1)。第二传送机构531以支撑体41的一个面朝向第二预处理机构547的方式配置(参照图4B1及图4B2)。
第二预处理机构547可以对支撑体41的一个表面照射紫外线来去除附着于或吸附于支撑体41的一个面的有机物等。另外,当以不接触于支撑体41的一个面的程度接近地配置第二预处理机构547,可以有效地去除有机物等,所以是优选的,例如支撑体41的一个面与第二预处理机构547之间的距离可以是5mm左右。此外,通过产生臭氧可以有效地去除附着或吸附了的有机物等。
此外,当第二预处理机构547将支撑体41的一个面处理成线状时,对于支撑体41的一个面相对地移动第二预处理机构547。
此外,处理槽546在其上部具备能够使用第二传送机构531堵住的开口部。由此,可以防止第二预处理机构547所照射的紫外线泄露的现象。
〈变形例子〉
作为本实施方式的变形例子,参照图5A和图5B说明上述支撑体供应装置500具备供应薄片状叠层膜41c的薄片供应部510的结构。
图5A和图5B是说明薄片供应部510的结构及工作的图。图5A是说明薄片供应部510的托盘及重送防止机构的图,图5B是说明薄片供应部510的开卷机构及裁断机构的图。
在本实施方式的变形例子中说明的支撑体供应装置500包括薄片供应部510,薄片供应部510包括:容纳有薄片状叠层膜41c的托盘517;对第一传送机构521从托盘517中拾起的叠层膜41c的端部喷射气体的重送防止机构518;以及检测第一传送机构521所拾起的叠层膜41c是否为一个的重送检测机构519(参照图5A)。
在本实施方式的变形例子中说明的支撑体供应装置500包括薄片供应部510,薄片供应部510包括:整理第一传送机构521所拾起了的多个叠层膜41c来防止重送的重送防止机构518;以及检测被重送了的叠层膜的重送检测机构519。由此,第一传送机构521可以以良好的再现性来供应一个薄片状叠层膜41c。其结果是,可以可以提供一种缩短伴随重送的停滞时间而生产率被提高的支撑体供应装置。
此外,在本实施方式的变形例子中说明的支撑体供应装置500包括薄片供应部510,薄片供应部510包括:从被卷起了的状态供应叠层膜的开卷机构511;将被供应了的叠层膜裁断成预定大小的薄片状的裁断机构513;以及容纳被形成薄片状了的叠层膜41c的托盘517(参照图5B)。
在本实施方式的变形例子中说明的支撑体供应装置500将叠层膜开卷,将其裁断成预定大小的薄片,并包括容纳被形成为薄片状了的叠层膜41c的托盘517。由此,由辊状的叠层膜41r制造预定大小的薄片状叠层膜41c,并容纳于托盘517。其结果是,可以提供一种能够供应符合需要的尺寸的支撑体的支撑体供应装置。
下面,说明构成本实施方式的变形例子的支撑体供应装置的各要素。
《托盘》
托盘517在其上部具有开口,来容纳多个薄片状叠层膜41c(参照图5A)。
第一传送机构521可以使吸盘523前进,吸附一个叠层膜41c的背面并使其后退而将其拾起。
另外,也可以调整托盘517的高度,以使第一传送机构521能够以相同的高度拾起叠层膜41c。具体而言,也可以检测托盘517的高度并使用伺服电机或气缸进行控制以使其高度为恒定。
此外,可以从托盘的高度得知残留在托盘517中的叠层膜41c的量。采用当叠层膜41c的剩余数较少时发出警报的结构,可以提醒使用者补充叠层膜41c。
不仅通过使用距离传感器,还可以通过使用检测吸盘523直到吸附叠层膜41c为止所前进的距离的传感器等来获知托盘517的高度。
《重送防止机构》
重送防止机构518防止发生第一传送机构521将多个叠层膜41c传送到工作台525的不良现象。例如,对第一传送机构521所拾起的叠层膜41c的端部喷射空气等气体,并将未吸附于吸盘523的叠层膜41c从吸附于吸盘523的叠层膜41c分离。
《重送检测机构》
重送检测机构519检测第一传送机构521是否传送多个叠层膜41c。例如,可以根据照射的超声波的反射波的强度或照射的光的透过强度获知第一传送机构521是否传送一个叠层膜41c。
《开卷机构》
开卷机构511是从被卷起成辊状的叠层膜41r取出叠层膜的装置。
《裁断机构》
裁断机构513从大于预定大小的叠层膜切割出预定大小的叠层膜。例如,可以举出包括如下构成要素的结构:抵接部512b、将被开卷了的叠层膜引导到抵接部512b的导向装置(未图示)以及配置于离抵接部512b有规定距离的膜固定物512a。由此,可以将被开卷了的膜切割成预定大小。
另外,也可以将托盘517配置于裁断机构513的下方,来容纳被切割掉落的薄片状叠层膜41c。
另外,也可以将多个托盘517配置于回转台,针对每个尺寸容纳裁断机构513所切割掉落的薄片状叠层膜。由此,使用者可以旋转回转台并选择所需尺寸的薄片状叠层膜。
注意,本实施方式可以与本说明书所示的其他实施方式适当地组合。
实施方式2
在本实施方式中,参照图6及图7A1至图7E2说明本发明的一个方式的叠层体制造装置的结构。
图6是说明本发明的一个方式的叠层体制造装置1000A的结构以及加工构件和工序中的叠层体被传送的路径的示意图。图7A1至图7E2是说明使用本发明的一个方式的叠层体制造装置1000A制造叠层体的工序的示意图。图7A1、图7B1、图7C、图7D1及图7E1示出说明加工构件及叠层体的结构的截面图(左侧)(沿着线X1-线X2),图7A2、图7B2、图7D2及图7E2示出分别对应于图7A1、图7B1、图7D1及图7E1的俯视图(右侧)。
〈叠层体制造装置1000A的结构〉
在本实施方式中说明的叠层体制造装置1000A包括:第一供应单元100;第一分离单元300;第一贴合单元400;以及支撑体供应单元500U(参照图6)。
第一供应单元100可以被供应加工构件80并且供应加工构件80。此外,第一供应单元100可以兼作第一装运单元。
第一分离单元300将加工构件80的一个表层80b剥离,而分离第一剩余部80a(参照图6及图7A1至图7C)。
第一贴合单元400被供应第一剩余部80a及第一支撑体41,并使用第一粘合层31将第一剩余部80a贴合于第一支撑体41(参照图6及图7D1至图7E2)。
支撑体供应单元500U包括实施方式1中说明的支撑体供应装置500,并供应第一支撑体41(参照图6)。
兼作第一装运单元的第一供应单元100可以被供应叠层体81并且装运叠层体81,叠层体81具备第一粘合层31以及由第一粘合层31贴合的第一剩余部80a与第一支撑体41(参照图6、图7E1及图7E2)。
上述本发明的一个方式的叠层体制造装置1000A包括:兼作第一装运单元的第一供应单元100,供应加工构件80并且装运叠层体81,其中叠层体81具备第一粘合层31以及由第一粘合层31贴合的第一剩余部80a与第一支撑体41;分离第一剩余部80a的第一分离单元300;将第一支撑体41贴合于第一剩余部80a的第一贴合单元400;以及供应第一支撑体41的支撑体供应单元500U。由此,可以将第一支撑体41贴合于加工构件80的被分离了一个表层的第一剩余部80a。其结果是,可以提供一种包括加工构件80的第一剩余部80a及第一支撑体41的叠层体81的制造装置。
此外,在本实施方式中说明的叠层体制造装置1000A包括第一收纳部300b、第一清洗装置350以及传送机构111。
第一收纳部300b容纳从加工构件80剥离的一个表层80b。
第一清洗装置350清洗从加工构件80分离的第一剩余部80a。
传送机构111传送加工构件80、从加工构件80分离的第一剩余部80a以及叠层体81。
下面说明构成本发明的一个方式的叠层体制造装置的各要素。
《第一供应单元》
第一供应单元100被供应加工构件80并且供应加工构件80。例如,可以采用包括能够容纳多个加工构件80的多层容纳库的结构,以便传送机构111可以连续地传送加工构件80。
另外,在本实施方式中说明的第一供应单元100兼作第一装运单元。第一供应单元100装运叠层体81,叠层体81具备第一剩余部80a、第一粘合层31及由第一粘合层31贴合的第一支撑体41。例如,可以采用包括能够容纳多个叠层体81的多层容纳库的结构,以便传送机构111可以连续地传送叠层体81。
《第一分离单元》
第一分离单元300包括保持加工构件80的一个表层的机构以及保持与上述表层对置的另一个表层的机构。通过使一个保持机构从另一个保持机构分离,剥离加工构件80的一个表层,而分离第一剩余部80a。
《第一贴合单元》
第一贴合单元400包括:形成第一粘合层31的机构;以及使用第一粘合层31在第一剩余部80a与第一支撑体41之间夹着第一粘合层31地进行贴合的压接机构。
作为形成第一粘合层31的机构,例如,除了涂敷液状的粘合剂的分配器或丝网印刷以外,还可以举出供应预先成形为薄片状的粘合薄片的装置等。
注意,第一粘合层31也可以形成于第一剩余部80a或/及第一支撑体41。具体而言,也可以是使用预先形成有预先成形为薄片状等的第一粘合层31的第一支撑体41的方法。
例如,可以将被控制为压力或间隙恒定的一对辊、平板与辊或者一对对置的平板等加压机构用于贴合第一剩余部80a与第一支撑体41的机构。
《支撑体供应单元》
支撑体供应单元500U供应第一支撑体41。例如,支撑体供应单元500U包括:将以辊状被供应的薄膜与保护膜的叠层体开卷并裁断成规定长度的薄片供应部510;将被裁断了的薄膜配置于预定位置的对准部520;切割保护膜的一部分的切口形成部530;从薄膜剥离保护膜的剥离部539;清洗或/及活化被去除保护膜了的薄膜的表面的预处理部540;以及作为第一支撑体41供应被清洗或/及活化了的薄膜的递送室550。
下面,参照图6及图7A1至图7E2说明利用叠层体制造装置1000A从加工构件80制造叠层体81的方法。
加工构件80包括第一衬底11、第一衬底11上的第一剥离层12、其一个表面相接于第一剥离层12的第一被剥离层13、其一个表面相接于第一被剥离层13的另一个表面的接合层30、以及与接合层30的另一个表面相接的基体材料25(参照图7A1至图7A2)。此外,加工构件80的详细结构将在实施方式4中说明。
《剥离起点的形成》
准备剥离起点13s被形成于接合层30的端部附近的加工构件80(参照图7B1及图7B2)。剥离起点13s具有第一被剥离层13的一部分从第一衬底11分离的结构。可以利用由锋利的尖端从第一衬底11一侧刺入第一被剥离层13的方法或使用激光等的方法(例如激光烧蚀法)等,从剥离层12部分地剥离第一被剥离层13的一部分。由此,可以形成剥离起点13s。
《第一步骤》
预先在接合层30附近形成有剥离起点13s的加工构件80被搬入到第一供应单元100。第一供应单元100供应加工构件80,被供应了加工构件80的传送机构111传送加工构件80,并且第一分离单元300被供应加工构件80。
《第二步骤》
剥离加工构件80的一个表层80b。由此,从加工构件80得到第一剩余部80a。具体而言,从形成于接合层30的端部附近的剥离起点13s将第一衬底11与第一剥离层12一起从第一被剥离层13剥离(参照图7C)。由此,得到具备第一被剥离层13、其一个表面相接于第一被剥离层13的接合层30以及与接合层30的另一个表面相接的基体材料25的第一剩余部80a。此外,也可以对剥离层12与被剥离层13的界面附近照射离子,一边去除静电一边进行剥离。具体而言,也可以照射使用离子发生器生成的离子。此外,当从剥离层12剥离被剥离层13时,使液体渗透到剥离层12与被剥离层13的界面。或者,也可以使液体从喷嘴99喷射出。例如,可以将水、极性溶剂等用于渗透的液体或喷射的液体。通过使液体渗透,可以抑制随着剥离而发生的静电等的影响。此外,也可以一边使溶解剥离层的液体渗透一边进行剥离。尤其是,当将包含氧化钨的膜用于剥离层12时,若一边使包含水的液体渗透或者喷射包含水的液体一边剥离第一被剥离层13,则可以减少施加到第一被剥离层13的随着剥离的应力,所以是优选的。例如,当使用叠层体制造装置1000A实施第二步骤时,使用第一分离单元300剥离加工构件80的一个表层80b。
传送机构111可以传送且供应第一剩余部80a。被供应了第一剩余部80a的第一清洗装置350可以清洗第一剩余部80a。
《第三步骤》
将第一粘合层31形成于第一剩余部80a,并使用第一粘合层31将第一剩余部80a与第一支撑体41贴合(参照图7D1及图7D2)。
由此,由第一剩余部80a得到叠层体81。
具体而言,得到叠层体81,叠层体81包括第一支撑体41、第一粘合层31、第一被剥离层13、其一个面相接于第一被剥离层13的接合层30以及与接合层30的另一个面相接的基体材料25(参照图7E1及图7E2)。另外,可以将各种方法用作形成粘合层31的方法。例如可以使用分配器或丝网印刷法等形成粘合层31。此外,使用对应于用于粘合层31的材料的方法使粘合层31固化。例如,当对粘合层31使用光固化型的粘合剂时,照射包含规定的波长的光的光。另外,例如,当使用叠层体制造装置1000A时,传送机构111传送第一剩余部80a,支撑体供应单元500U供应第一支撑体41。第一贴合单元400被供应第一剩余部80a及第一支撑体41,第一贴合单元400使用第一粘合层31将第一剩余部80a与第一支撑体41贴合(参照图6)。
《第四步骤》
传送机构111传送叠层体81,兼作第一装运单元的第一供应单元100被供应叠层体81。
经上述步骤,可以装运叠层体81。
注意,若在第一粘合层31没有固化的状态下装运叠层体81,并使第一粘合层31在叠层体制造装置1000A的外部固化,则可以缩短装置的占有时间,所以是优选的。
注意,本实施方式可以与本说明书所示的其他实施方式适当地组合。
实施方式3
在本实施方式中,参照图8至图10E2说明本发明的一个方式的叠层体制造装置的结构。
图8是说明本发明的一个方式的叠层体制造装置1000的结构以及加工构件和工序中的叠层体的传送的路径的示意图。
图9A1至图9E2及图10A1至图10E2是说明使用本发明的一个方式的叠层体制造装置1000制造叠层体的工序的示意图。图9A1、图9B1、图9C、图9D1、图9E1、图10A1、图10B、图10C、图10D1及图10E1示出说明加工构件及叠层体的结构的截面图(左侧)(沿着线Y1-Y2或线Y3-Y4),图9A2、图9B2、图9D2、图9E2、图10A2、图10D2及图10E2示出分别对应于图9A1、图9B1、图9D1、图9E1、图10A1、图10D1及图10E1的俯视图(右侧)。
〈叠层体制造装置的结构〉
在本实施方式中说明的叠层体制造装置1000包括:第一供应单元100;第一分离单元300;第一贴合单元400;支撑体供应单元500U;第二供应单元600;起点形成单元700;第二分离单元800;以及第二贴合单元900。
第一供应单元100可以被供应加工构件90并且供应加工构件90。此外,第一供应单元100可以兼作第一装运单元。
第一分离单元300剥离加工构件90的一个表层90b,而分离第一剩余部90a(参照图8及图9A1至图9C)。
第一贴合单元400被供应第一剩余部90a及第一支撑体41,并使用第一粘合层31将第一支撑体41贴合于第一剩余部90a(参照图8及图9D1至图9E2)。
支撑体供应单元500U包括实施方式1中说明的支撑体供应装置500,并供应第一支撑体41及第二支撑体42(参照图8)。
兼作第一装运单元的第一供应单元100可以被供应叠层体91并且装运叠层体91,叠层体91具备第一粘合层31以及由第一粘合层31贴合的第一剩余部90a与第一支撑体41(参照图8、图9E1及图9E2)。
第二供应单元600可以被供应第一叠层体91并且供应第一叠层体91。注意,第二供应单元600可以兼作第二装运单元。
起点形成单元700在第一叠层体91的第一剩余部90a及第一支撑体41b的端部附近形成剥离起点91s(参照图10A1及图10A2)。
第二分离单元800剥离叠层体91的一个表层91b,而分离第二剩余部91a(参照图10A1及图10B)。
第二贴合单元900被供应第二剩余部91a及第二支撑体42,并使用第二粘合层32将第二支撑体42贴合于第二剩余部91a(参照图10D1至图10E2)。
兼作第二装运单元的第二供应单元600被供应第二叠层体92并且装运第二叠层体92,第二叠层体92具备第二剩余部91a及由第二粘合层32贴合的第二支撑体42(参照图8、图10E1及图10E2)。
在本实施方式中说明的叠层体制造装置包括:兼作装运单元的供应单元100,供应加工构件90且装运叠层体91,其中叠层体91具备第一剩余部90a以及由第一粘合层31贴合的第一支撑体41;分离第一剩余部90a的第一分离单元300;将第一支撑体41贴合于第一剩余部90a的第一贴合单元400;供应第一支撑体41及第二支撑体42的支撑体供应单元500U;供应叠层体91且装运叠层体92的供应单元600,其中叠层体92具备第二剩余部91a、第二粘合层32及由第二粘合层32贴合的第二支撑体42;形成剥离起点的起点形成单元700;分离第二剩余部91a的第二分离单元800;以及将第二支撑体42贴合于第二剩余部91a的第二贴合单元900。由此,可以将第一支撑体41及第二支撑体42贴合于被分离了加工构件90的两个表层的第二剩余部91a。其结果是,可以提供一种包括加工构件90的第二剩余部91a、第一支撑体41及第二支撑体42的叠层体92的制造装置。
此外,在本实施方式中说明的叠层体制造装置1000包括:第一收纳部300b;第二收纳部800b;第一洗净装置350;第二洗净装置850;传送机构111;以及传送机构112等。
第一收纳部300b容纳从加工构件90剥离的一个表层90b。
第二收纳部800b容纳从叠层体91剥离的一个表层91b。
第一清洗装置350清洗从加工构件90分离的第一剩余部90a。
第二清洗装置850清洗从叠层体91分离的第二剩余部91a。
传送机构111传送加工构件90、从加工构件90分离了的第一剩余部90a以及叠层体91。
传送机构112传送叠层体91、从叠层体91分离了的第二剩余部91a以及叠层体92。
下面说明构成本发明的一个方式的叠层体制造装置的各要素。
注意,叠层体制造装置1000与在实施方式2中说明的叠层体制造装置1000A的不同之处在于叠层体制造装置1000包括:第二供应单元600;起点形成单元700;第二分离单元800;第二贴合单元900;第二收纳部800b;以及第二清洗装置850。在本实施方式中,说明叠层体制造装置1000与叠层体制造装置1000A的不同的结构,而相同的结构援用上述实施方式2的说明。
《第二供应单元》
第二供应单元600可以供应叠层体91,除此之外可以适用与在实施方式2中说明的第一供应单元100同样的结构。
另外,在本实施方式中说明的第二供应单元600兼作第二装运单元。
《起点形成单元》
起点形成单元700例如包括切断第一叠层体91的第一支撑体41及第一粘合层31并从第二衬底21分离第二被剥离层23的一部分的切断机构。
具体而言,切断机构包括具有锋利的尖端的一个或多个刀具及使该刀具对于叠层体91相对地移动的移动机构。
《第二分离单元》
第二分离单元800包括保持第一叠层体91的一个表层的机构以及保持与上述一个表层对置的另一个表层的机构。通过使一个保持机构从另一个保持机构分离,剥离第一叠层体91的一个表层,而分离第二剩余部91a。
《第二贴合单元》
第二贴合单元900包括:形成第二粘合层32的机构;以及在第二剩余部91a与第二支撑体42之间夹着第二粘合层32地进行贴合的压接机构。
作为形成第二粘合层32的机构,例如可以适用与在实施方式2中说明的第一贴合单元400同样的结构。
注意,第二粘合层32也可以形成于第二剩余部91a或/及第二支撑体42。具体而言,也可以使用预先薄片状地形成有第二粘合层32的第二支撑体42。
作为贴合第二剩余部91a与第二支撑体42的压接机构,例如可以适用与在实施方式2中说明的第一贴合单元400同样的结构。
〈叠层体的制造方法〉
参照图8至图10E2说明利用叠层体制造装置1000来从加工构件90制造叠层体92的方法。
加工构件90与加工构件80的不同之处在于:作为加工构件90,第二被剥离层23的一个面代替基体材料25与接合层30的另一个面相接。具体而言,不同之处在于:代替基体材料25,加工构件90具有第二衬底21、第二衬底21上的第二剥离层22以及其另一个表面与第二剥离层22相接的第二被剥离层23,第二被剥离层23的一个面相接于接合层30的另一个面。
加工构件90以如下顺序被配置有:第一衬底11;第一剥离层12;其一个面与第一剥离层12的相接的第一被剥离层13;其一个面相接于第一被剥离层13的另一个面的接合层30;其一个面相接于接合层30的另一个面的第二被剥离层23;其一个面相接于第二被剥离层23的另一个面的第二剥离层22;以及第二衬底21(参照图9A1及图9A2)。另外,加工构件90的详细结构将在实施方式4中说明。
《第一步骤》
准备剥离起点13s形成于接合层30的端部附近的加工构件90(参照图9B1及图9B2)。剥离起点13s具有第一被剥离层13的一部分从第一衬底11分离的结构。例如,可以利用以锋利的尖端从第一衬底11一侧刺入第一被剥离层13的方法或使用激光等的方法(例如激光烧蚀法)等,从剥离层12部分地剥离第一被剥离层13的一部分。由此,可以形成剥离起点13s。例如,当使用叠层体制造装置1000实施第一步骤时,准备形成有剥离起点13s的加工构件90。第一供应单元100供应加工构件90,被供应了加工构件90的传送机构111传送加工构件90,并且第一分离单元300被供应加工构件90。
《第二步骤》
剥离加工构件90的一个表层90b。由此,从加工构件90得到第一剩余部90a。具体而言,从形成于接合层30的端部附近的剥离起点13s将第一衬底11与第一剥离层12一起从第一被剥离层13分离(参照图9C)。
由此,得到第一剩余部90a,该第一剩余部90a以如下顺序配置有:第一被剥离层13;其一个面相接于第一被剥离层13的接合层30;其一个面相接于接合层30的另一个面的第二被剥离层23;其一个面相接于第二被剥离层23的另一个面的第二剥离层22;以及第二衬底21。此外,也可以对剥离层22与被剥离层23的界面附近照射离子,一边去除静电一边进行剥离。具体而言,也可以照射使用离子发生器生成的离子。此外,当从剥离层22剥离被剥离层23时,使液体渗透到剥离层22与被剥离层23的界面。此外,也可以使液体从喷嘴99喷出并进行喷射。例如,可以将水、极性溶剂等用于渗透的液体或喷射的液体。通过使液体渗透,可以抑制随着剥离而产生的静电等的影响。此外,也可以一边使溶解剥离层的液体渗透一边进行剥离。尤其是,当将包含氧化钨的膜用于剥离层22时,若一边使包含水的液体渗透或喷射包含水的液体一边剥离第二被剥离层23,可以减少施加到第二被剥离层23的随着剥离的应力,所以是优选的。例如,当使用叠层体制造装置1000实施第二步骤时,使用第一分离单元300剥离加工构件90的一个表层90b。
另外,传送机构111可以传送且供应第一剩余部90a。被供应第一剩余部90a了的第一清洗装置350可以清洗且供应第一剩余部90a。
《第三步骤》
将第一粘合层31形成于第一剩余部90a(参照图9D1及图9D2),并使用第一粘合层31将第一剩余部90a与第一支撑体41贴合。由此,由第一剩余部90a得到叠层体91。
具体而言,得到叠层体91,该叠层体91以如下顺序配置有:第一支撑体41;第一粘合层31;第一被剥离层13、其一个面相接于第一被剥离层13的接合层30;其一个面相接于接合层30的另一个面的第二被剥离层23;其一个面相接于第二被剥离层23的另一个面的第二剥离层22;以及第二衬底21(参照图9E1及图9E2)。
传送机构111传送第一剩余部90a,支撑体供应单元500U供应第一支撑体41。并且,第一贴合单元400被供应第一剩余部90a及第一支撑体41,第一贴合单元400使用第一粘合层31将第一剩余部90a与第一支撑体41贴合(参照图9D1至图9E2)。
《第四步骤》
传送机构111传送叠层体91,被供应叠层体91了的兼作第一装运单元的第一供应单元100装运叠层体91。
注意,当第一粘合层31的固化需要时间时,可以装运在第一粘合层31没有固化的状态下的叠层体91,并在叠层体制造装置1000的外部固化第一粘合层31。由此,可以缩短装置的占有时间。
《第五步骤》
准备叠层体91。第二供应单元600被供应叠层体91并且供应叠层体91,被供应叠层体91了的传送机构112传送叠层体91,起点形成单元700被供应叠层体91。
《第六步骤》
将位于叠层体91的第一粘合层31的端部附近的第二被剥离层23的一部分从第二衬底21分离,而形成第二剥离起点91s。
例如,从第一支撑体41一侧切断第一支撑体41及第一粘合层31,并且沿着新形成的第一粘合层31的端部从第二衬底21分离第二被剥离层23的一部分。
具体而言,使用具有锋利的尖端的刀具切断位于剥离层22上的设置有第二被剥离层23的区域的第一粘合层31及第一支撑体41,并且沿着新形成的第一粘合层31的端部从第二衬底21分离第二被剥离层23的一部分(参照图10A1及图10A2)。
通过该步骤,在新形成的第一支撑体41b及第一粘合层31的端部附近形成起点91s。
《第七步骤》
从叠层体91分离第二剩余部91a。由此,由叠层体91得到第二剩余部91a(参照图10C)。
具体而言,从在第一粘合层31的端部附近形成的剥离起点91s将剥离第二剥离层22与第二衬底21一起从第二剥离层23分离。由此,得到第二剩余部91a,该第二剩余部91a以如下顺序配置有:第一支撑体41b;第一粘合层31;第一被剥离层13;其一个面相接于第一被剥离层13的接合层30;以及其一个面相接于接合层30的另一个面的第二被剥离层23。此外,也可以对剥离层22与被剥离层23的界面附近照射离子,一边去除静电一边进行剥离。具体而言,也可以照射使用离子发生器生成的离子。此外,当从剥离层22剥离被剥离层23时,使液体渗透到剥离层22与被剥离层23的界面。此外,也可以使液体从喷嘴99喷出并进行喷射。例如,可以将水、极性溶剂等用于渗透的液体或喷射的液体。通过使液体渗透,可以抑制随着剥离而产生的静电等的影响。此外,也可以一边使溶解剥离层的液体渗透一边进行剥离。尤其是,当将包含氧化钨的膜用于剥离层22时,若一边使包含水的液体渗透或喷射包含水的液体一边剥离第一被剥离层23,可以减少施加到第一被剥离层23的随着剥离的应力,所以是优选的。例如,当使用叠层体制造装置1000实施第七步骤时,使用第二分离单元800剥离叠层体91的一个表层91b。
《第八步骤》
传送机构112传送第二剩余部91a,以第二被剥离层23朝上的方式反转第二剩余部91a。第二清洗装置850清洗所供应的第二剩余部91a。
传送机构112传送被清洗了的第二剩余部91a,支撑体供应单元500U供应第二支撑体42。
此外,也可以是第二清洗装置不被供应第二剩余部91a,而是第二贴合单元900被供应第二剩余部。
《第九步骤》
将第二粘合层32形成于第二剩余部91a(参照图10D1及图10D2)。使用第二粘合层32贴合第二剩余部91a与第二支撑体42。通过该步骤,可以由第二剩余部91a得到叠层体92(参照图10E1及图10E2)。
具体而言,得到叠层体92,该叠层体92以如下顺序配置有:第一支撑体41b;第一粘合层31;第一被剥离层13;其一个面相接于第一被剥离层13的另一个面的接合层30;其一个面相接于接合层30的另一个面的第二被剥离层23;第二粘合层32;以及第二支撑体42。
《第十步骤》
传送机构112传送叠层体92,被供应叠层体92了的兼作第二装运单元的第二供应单元600装运叠层体92。
通过该步骤,可以装运叠层体92。
〈变形例子〉
参照图11说明本实施方式的变形例子。
图11是说明本发明的一个方式的叠层体制造装置1000的结构及加工构件和工序中的叠层体被传送的路径的示意图。
在本实施方式的变形例子中,参照图9A1至图11说明使用叠层体制造装置1000来从加工构件90制造叠层体92的不同于上述方法的方法。
具体而言,不同之处在于,在本实施方式的变形例子中:在第四步骤中,传送机构111传送叠层体91且第二清洗装置850被供应叠层体91;在第五步骤中,传送机构112传送叠层体91且起点形成单元700被供应叠层体91;以及在第八步骤中,第二贴合单元900被供应第二剩余部91a。在此,仅对不同的步骤进行详细说明,而关于可使用相同步骤的部分,援用上述说明。
《第四步骤的变形例子》
传送机构111传送叠层体91,第二清洗装置850被供应叠层体91。
在本实施方式的变形例子中,作为用于传送机构111递送叠层体91至传送机构112的递送室,使用第二清洗装置850(参照图11)。
当将第二清洗装置850用于递送室时,可以连续地进行加工而不从叠层体制造装置1000装运叠层体91。
《第五步骤的变形例子》
传送机构112传送叠层体91,起点形成单元700被供应叠层体91。
《第八步骤的变形例子》
传送机构112传送第二剩余部91a,以第二被剥离层23朝上的方式反转第二剩余部。第二贴合单元900被供应第二剩余部91a。
第二贴合单元900将第二粘合层32形成于被供应了的第二剩余部91a(参照图10D1及图10D2)。使用第二粘合层32贴合第二剩余部91a与第二支撑体42(参照图10E1及图10E2)。
通过该步骤,可以由第二剩余部91a得到叠层体92。具体而言,叠层体92包括:第一被剥离层13;使用第一粘合层31贴合于第一被剥离层13的一个面第一支撑体41b;其一个面相接于第一被剥离层13的另一个面的接合层30;其一个面相接于接合层30的另一个面的第二被剥离层23;以及使用第二粘合层32贴合于第二被剥离层23的另一个面的第二支撑体42。
注意,本实施方式可以与本说明书所示的其他实施方式适当地组合。
实施方式4
在本实施方式中,参照图12A1至图12C2说明可适用于本发明的一个方式的叠层体制造装置的加工构件的结构。
图12A1至图12C2是说明可以使用本发明的一个方式的叠层体制造装置形成叠层体的加工构件的结构的示意图。
图12A1是说明能够做成叠层体的加工构件80的结构的截面图(沿着线X1-X2),图12A2是对应于图12A1的俯视图。
图12B1是说明能够做成叠层体的加工构件90的其他结构的截面图(沿着线Y1-Y2),图12B2是对应于图12B1的俯视图。
<加工构件的结构例子1>
加工构件80包括:第一衬底11;第一衬底11上的第一剥离层12;其一个表面与第一剥离层12相接的第一被剥离层13;其一个表面与第一被剥离层13的另一个表面相接的接合层30;与接合层30的另一个表面相接的基体材料25(参照图12A1至图12A2)。
另外,也可以将剥离起点13s设置在接合层30的端部附近。
《第一衬底》
第一衬底11只要具有能够经受制造工序的程度的耐热性以及可适用于制造装置的厚度及尺寸,就没有特别的限制。
可以将有机材料、无机材料或有机材料与无机材料等的复合材料等用于第一衬底11。例如可以将玻璃、陶瓷、金属等无机材料用于第一衬底11。
具体而言,可以将无碱玻璃、钠钙玻璃、钾钙玻璃或水晶玻璃等用于第一衬底11。具体而言,可以将金属氧化物膜、金属氮化物膜或金属氧氮化物膜等用于第一衬底11。例如,可以将氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、氧化铝膜等用于第一衬底11。可以将SUS(不锈钢)或铝等用于第一衬底11。例如,可以将树脂、树脂薄膜或塑料等有机材料用于第一衬底11。具体而言,可以将聚酯、聚烯烃、聚酰胺、聚酰亚胺、聚碳酸酯或丙烯酸树脂等的树脂薄膜或树脂板用于第一衬底11。例如,第一衬底11可以使用将金属板、薄板状的玻璃板或无机材料等的膜贴合于树脂薄膜的复合材料。例如,第一衬底11可以使用将纤维状或粒子状的金属、玻璃或无机材料等分散到树脂薄膜而得到的复合材料。例如,第一衬底11可以使用将纤维状或粒子状的树脂或有机材料等分散到无机材料而得到的复合材料。
另外,可以将单层材料或层叠有多个层的叠层材料用于第一衬底11。例如,也可以将层叠有基体材料及用来防止包含在基体材料中的杂质扩散的绝缘层等的叠层材料用于第一衬底11。具体而言,可以将层叠有玻璃与选自防止包含在玻璃中的杂质扩散的氧化硅层、氮化硅层或氧氮化硅层等中的一种或多种的膜的叠层材料应用于第一衬底11。或者,可以将层叠有树脂与防止透过树脂的杂质的扩散的氧化硅膜、氮化硅膜或氧氮化硅膜等的叠层材料应用于第一衬底11。
《第一剥离层》
第一剥离层12设置在第一衬底11与第一被剥离层13之间。第一剥离层12是其附近形成有能够分离第一衬底11与第一被剥离层13的边界的层。此外,第一剥离层12只要具有能够经受被形成于其上的第一被剥离层13的制造工序的程度的耐热性,就没有特别的限制。
例如可以将无机材料或有机树脂等用于第一剥离层12。
具体而言,作为可以用于第一剥离层12的无机材料,可以是包含选自钨、钼、钛、钽、铌、镍、钴、锆、锌、钌、铑、钯、锇、铱、硅中的元素的金属、包含该元素的合金或者包含该元素的化合物等的无机材料。
具体而言,可以将聚酰亚胺、聚酯、聚烯烃、聚酰胺、聚碳酸酯或丙烯酸树脂等有机材料用于第一剥离层12。
另外,可以将单层材料或层叠有多个层的材料用于第一剥离层12。具体而言,也可以将层叠有包含钨的层与包含钨氧化物的层的材料用于第一剥离层12。
另外,包含钨氧化物的层也可以使用在包含钨的层上层叠其他层来形成。具体而言,也可以通过在包含钨的层上层叠氧化硅或氧氮化硅等的方法形成包含钨氧化物的层。此外,也可以通过对包含钨的层的表面进行热氧化处理、氧等离子体处理、一氧化二氮(N2O)等离子体处理或使用氧化性高的溶液(臭氧水等)的处理等而形成包含钨氧化物的层。
另外,具体而言,可以将包含聚酰亚胺的层用于第一剥离层12。包含聚酰亚胺的层具有能够经受在形成第一被剥离层13时所需的各种制造工序的程度的耐热性。例如,含聚酰亚胺的层具有200℃以上、优选为250℃以上、更优选为300℃以上、进一步优选为350℃以上的耐热性。可以使用通过加热形成于第一衬底11的包含单体的膜而缩合的包含聚酰亚胺的膜。
《第一被剥离层》
第一被剥离层13只要可以从第一衬底11分离且具有能够经受制造工序的程度的耐热性,就没有特别的限制。能够将第一被剥离层13从第一衬底11分离的边界既可以形成在第一被剥离层13与第一剥离层12之间,又可以形成在第一剥离层12与第一衬底11之间。当在第一被剥离层13与第一剥离层12之间形成边界时,第一剥离层12不包括在叠层体中,当在第一剥离层12与第一衬底11之间形成边界时,第一剥离层12包括在叠层体中。可以将无机材料、有机材料、或单层材料或层叠有多个层的叠层材料用于第一被剥离层13。
例如,可以将金属氧化物膜、金属氮化物膜或金属氧氮化物膜等无机材料用于第一被剥离层13。具体而言,可以将氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、氧化铝膜等用于第一被剥离层13。此外,可以将树脂、树脂薄膜或塑料等用于第一被剥离层13。具体而言,可以将聚酰亚胺膜等用于第一被剥离层13。
例如,可以使用具有层叠有如下层的结构的材料:与第一剥离层12重叠的功能层;以及在第一剥离层12与功能层之间的能够防止损害该功能层的功能的杂质的无意扩散的绝缘层。具体而言,将厚度为0.7mm的玻璃板用于第一衬底11,并将从第一衬底11一侧依次层叠有厚度为200nm的氧氮化硅膜及30nm的钨膜的叠层材料用于第一剥离层12。并且,可以将包含从第一剥离层12一侧依次层叠有厚度为600nm的氧氮化硅膜及厚度为200nm的氮化硅膜的叠层材料的膜用于第一被剥离层13。注意,氧氮化硅膜中的氧的组成比氮的组成多,而氮氧化硅膜中的氮的组成比氧的组成多。具体而言,可以将包含从第一剥离层12一侧依次层叠有厚度为600nm的氧氮化硅膜、厚度为200nm的氮化硅膜、厚度为200nm的氧氮化硅膜、厚度为140nm的氮氧化硅膜以及厚度为100nm的氧氮化硅膜的叠层材料的膜代替上述第一被剥离层13用于被剥离层。具体而言,可以使用从第一剥离层12一侧依次层叠有聚酰亚胺膜、包含氧化硅或氮化硅等的层及功能层的结构。
《功能层》
功能层包括在第一被剥离层13中。例如,可以将功能电路、功能元件、光学元件、或功能膜或者包含选自它们中的多个的层用于功能层。具体而言,可以举出能够用于显示装置的显示元件、驱动显示元件的像素电路、驱动像素电路的驱动电路、滤色片、防潮膜等或者包含选自它们中的多个的层。
《接合层》
接合层30只要是将第一被剥离层13与基体材料25接合的层,就没有特别的限制。
例如,可以将无机材料或有机树脂等用于接合层30。
具体地,可以使用熔点为400℃以下,优选为300℃以下的玻璃层或粘合剂等。
例如,可以将光固化型粘合剂、反应固化型粘合剂、热固化型粘合剂或/及厌氧型粘合剂等用于接合层30。
具体而言,可以使用包含环氧树脂、丙烯酸树脂、硅酮树脂、酚醛树脂、聚酰亚胺树脂、亚胺树脂、PVC(聚氯乙烯)树脂、PVB(聚乙烯醇缩丁醛)树脂、EVA(乙烯-醋酸乙烯酯)树脂等的粘合剂。
《基体材料》
基体材料25只要具有能够经受制造工序的程度的耐热性以及可适用于制造装置的厚度及尺寸,就没有特别的限制。
作为可以用于基体材料25的材料,例如,可以使用与第一衬底11同样的材料。
《剥离起点》
加工构件80的剥离起点13s也可以设置在接合层30的端部附近。
剥离起点13s具有从第一衬底11分离第一被剥离层13的一部分的结构。
利用使用锋利的尖端从第一衬底11一侧刺入第一被剥离层13的方法或使用激光等的方法(例如激光烧蚀法)等,可以从剥离层12部分地剥离第一被剥离层13的一部分。由此可以形成剥离起点13s。
〈加工构件的结构例子2〉
参照图12B1及图12B2说明能够应用于本发明的一个方式的叠层体制造装置的加工构件的结构的变形例子。
加工构件90与加工构件80的不同之处在于:接合层30的另一个面与加工构件90的第二被剥离层23的一个面相接,而不与基体材料25相接。在此详细说明不同之处,而可以使用相同结构的部分援用上述说明。具体而言,加工构件90包括:形成有第一剥离层12及其一个面与第一剥离层12相接的第一被剥离层13的第一衬底11;形成有第二剥离层22及其另一个面与第二剥离层22相接的第二被剥离层23的第二衬底21;以及其一个面与第一被剥离层13的另一个面相接且其另一个面与第二被剥离层23的一个面相接的接合层30。
《第二衬底》
第二衬底21可以使用与第一衬底11相同的衬底。另外,第二衬底21不一定需要采用与第一衬底11相同的结构。
《第二剥离层》
第二剥离层22可以使用与第一剥离层12相同的衬底。另外,第第二剥离层22不一定需要采用与第一剥离层12相同的结构。
《第二被剥离层》
第二被剥离层23可以使用与第一被剥离层13相同的衬底。另外,第二被剥离层23也可以采用与第一被剥离层13不同的结构。
具体而言,也可以采用如下结构:第一被剥离层13具备功能电路,并使第二被剥离层23具备防止杂质向该功能电路的扩散的功能层。
具体而言,也可以采用如下结构:第一被剥离层13具备向第二被剥离层23发射光的发光元件、驱动该发光元件的像素电路及驱动该像素电路的驱动电路,并且第二被剥离层23具备使发光元件所发射的光的一部分透过的滤色片及防止杂质向发光元件无意扩散的防潮膜。注意,具有该结构的加工构件可以做成能够被用作具有柔性的显示装置的叠层体。
本实施方式可以与本说明书所示的其他实施方式适当地组合。
实施方式5
在本实施方式中,说明可以利用在实施方式2及实施方式3中说明的叠层体制造装置制造的具有柔性的发光装置(发光面板)的例子。
〈具体例子1〉
图13A示出柔性发光面板的平面图,图13B示出沿图13A中的点划线G1-G2之间的截面图的一个例子。另外,图17A和17B示出截面图的另一个例子。
图13B所示的发光面板包括元件层1301、粘合层1305以及衬底1303。元件层1301包括衬底1401、粘合层1403、绝缘层1405、晶体管1440、导电层1357、绝缘层1407、绝缘层1409、发光元件1430、绝缘层1411、密封层1413、绝缘层1461、着色层1459、遮光层1457以及绝缘层1455。
导电层1357经由连接体1415与FPC1308电连接。
发光元件1430包括下部电极1431、EL层1433以及上部电极1435。下部电极1431与晶体管1440的源电极或漏电极电连接。下部电极1431的端部由绝缘层1411覆盖。发光元件1430采用顶部发射结构。上部电极1435具有透光性且使EL层1433发射的光透过。
如图17B所示,也可以通过使用EL层1433A及EL层1433B作为EL层,以使每个像素具有不同的EL层。在此情况下,发光的颜色变得不同。由此,在此情况下,不一定必须要设置着色层1459等。
在与发光元件1430重叠的位置设置有着色层1459,在与绝缘层1411重叠的位置设置有遮光层1457。着色层1459以及遮光层1457由绝缘层1461覆盖。在发光元件1430与绝缘层1461之间填充有密封层1413。
发光面板在光提取部1304及驱动电路部1306中包括多个晶体管。晶体管1440设置于绝缘层1405上。使用粘合层1403将绝缘层1405与衬底1401贴合在一起。另外,使用粘合层1305将绝缘层1455与衬底1303贴合在一起。当作为绝缘层1405、绝缘层1455使用透水性低的膜时,由于能够抑制水等杂质侵入发光元件1430、晶体管1440中,从而可以提高发光面板的可靠性,所以是优选的。粘合层1403可以使用与粘合层1305同样的材料。
具体例子1示出一种发光面板,该发光面板可以通过在耐热性高的制作衬底上制作绝缘层1405、晶体管1440、发光元件1430,剥离该制作衬底,并使用粘合层1403将绝缘层1405、晶体管1440、发光元件1430转置到衬底1401上来制造。另外,具体例子1示出一种发光面板,该发光面板可以通过在耐热性高的制作衬底上制作绝缘层1455、着色层1459以及遮光层1457,剥离该制作衬底,并使用粘合层1305将绝缘层1455、着色层1459以及遮光层1457转置到衬底1303上来制造。
当作为衬底使用透水性高且耐热性低的材料(树脂等)时,在制造工序中不能对衬底施加高温度,所以对在该衬底上制造晶体管、绝缘膜的条件有限制。在本实施方式的制造方法中,由于可以在耐热性高的制作衬底上制作晶体管等,因此可以形成可靠性高的晶体管以及透水性充分低的绝缘膜。并且,通过将它们转置到衬底1303或衬底1401,可以制造可靠性高的发光面板。由此,在本发明的一个方式中,能够实现轻量或薄型且可靠性高的发光装置。详细制造方法将在后面说明。
衬底1303和衬底1401分别都优选使用韧性高的材料。由此,能够实现抗冲击性高且不易破损的显示装置。例如,通过作为衬底1303使用有机树脂衬底,并且作为衬底1401使用厚度薄的由金属材料、合金材料构成的衬底,从而与作为衬底使用玻璃衬底的情况相比,能够实现轻量且不易破损的发光面板。
由于金属材料、合金材料的热传导率高,并且容易将热传给整个衬底,因此能够抑制发光面板的局部的温度上升,所以是优选的。使用金属材料、合金材料的衬底的厚度优选为10μm以上且200μm以下,更优选为20μm以上且50μm以下。
另外,当作为衬底1401使用热辐射率高的材料时,能够抑制发光面板的表面温度上升,从而能够抑制发光面板的损坏、可靠性的下降。例如,衬底1401也可以采用金属衬底与热辐射率高的层(例如,可以使用金属氧化物、陶瓷材料)的叠层结构。
〈具体例子2〉
图14A示出发光面板中的光提取部1304的另一个例子。
图14A所示的光提取部1304包括衬底1303、粘合层1305、衬底1402、绝缘层1405、晶体管1440、绝缘层1407、导电层1408、绝缘层1409a、绝缘层1409b、发光元件1430、绝缘层1411、密封层1413以及着色层1459。
发光元件1430包括下部电极1431、EL层1433以及上部电极1435。下部电极1431隔着导电层1408与晶体管1440的源电极或漏电极电连接。下部电极1431的端部由绝缘层1411覆盖。发光元件1430采用底部发射结构。下部电极1431具有透光性且使EL层1433发射的光透过。
在与发光元件1430重叠的位置设置有着色层1459,发光元件1430所发射的光经由着色层1459在衬底1303一侧被提取。在发光元件1430与衬底1402之间填充有密封层1413。衬底1402可以使用与上述衬底1401同样的材料来制造。
〈具体例子3〉
图14B示出发光面板的另一个例子。
图14B所示的发光面板包括元件层1301、粘合层1305以及衬底1303。元件层1301包括衬底1402、绝缘层1405、导电层1510a、导电层1510b、多个发光元件、绝缘层1411、导电层1412以及密封层1413。
导电层1510a及1510b是发光面板的外部连接电极,并且可以与FPC等电连接。
发光元件1430包括下部电极1431、EL层1433以及上部电极1435。下部电极1431的端部由绝缘层1411覆盖。发光元件1430采用底部发射结构。下部电极1431具有透光性且使EL层1433发射的光透过。导电层1412与下部电极1431电连接。
衬底1303作为光提取结构也可以具有半球透镜、微透镜阵列、被施加了凹凸结构的薄膜、光扩散薄膜等。例如,通过将上述透镜、薄膜使用具有与该衬底、该透镜或该薄膜相同程度的折射率的粘合剂等粘合在树脂衬底上,可以形成光提取结构。
虽然导电层1412不一定必须设置,但因为导电层1412可以抑制起因于下部电极1431的电阻的电压下降,所以优选设置。另外,出于同样的目的,也可以在绝缘层1411上设置与上部电极1435电连接的导电层。
导电层1412可以通过使用选自铜、钛、钽、钨、钼、铬、钕、钪、镍和铝中的材料或以这些材料为主要成分的合金材料,以单层或叠层地形成。可以将导电层1412的厚度设定为0.1μm以上且3μm以下,优选为0.1μm以上且0.5μm以下。
当作为与上部电极1435电连接的导电层的材料使用膏料(银膏等)时,构成该导电层的金属成为粒状而凝集。因此,该导电层的表面成为粗糙且具有较多的间隙的结构,EL层1433不容易完全覆盖该导电层,从而上部电极与该导电层容易电连接,所以是优选的。
〈材料的一个例子〉
接下来,说明可用于发光面板的材料等。注意,省略本实施方式中的前面已说明的结构。
元件层1301至少具有发光元件。作为发光元件,可以使用能够进行自发光的元件,并且在其范畴内包括由电流或电压控制亮度的元件。例如,可以使用发光二极管(LED)、有机EL元件以及无机EL元件等。
元件层1301也可以还具有用来驱动发光元件的晶体管以及触摸传感器等。
对发光面板所具有的晶体管的结构没有特别的限制。例如,可以采用交错型晶体管或反交错型晶体管。此外,还可以采用顶栅型或底栅型的任一种的晶体管结构。对用于晶体管的半导体材料没有特别的限制,例如可以举出硅、锗等。或者,也可以使用包含铟、镓和锌中的至少一个的氧化物半导体,诸如In-Ga-Zn类金属氧化物等。
对用于晶体管的半导体材料的状态也没有特别的限制,可以使用非晶半导体、具有结晶性的半导体(微晶半导体、多晶半导体、单晶半导体或其一部分具有结晶区域的半导体)的任一种。尤其是当使用具有结晶性的半导体时,可以抑制晶体管的特性劣化,所以是优选的。
发光面板所具有的发光元件包括一对电极(下部电极1431及上部电极1435)以及设置于该一对电极之间的EL层1433。将该一对电极的一个电极用作阳极,而将另一个电极用作阴极。
发光元件可以采用顶部发射结构、底部发射结构、双面发射结构的任一种。作为位于提取光的一侧的电极使用使可见光透过的导电膜。另外,作为位于不提取光的一侧的电极优选使用反射可见光的导电膜。
作为使可见光透过的导电膜,例如可以使用氧化铟、铟锡氧化物(ITO:Indium Tin Oxide)、铟锌氧化物、氧化锌、添加有镓的氧化锌等形成。另外,也可以通过将金、银、铂、镁、镍、钨、铬、钼、铁、钴、铜、钯或钛等金属材料、包含这些金属材料的合金或这些金属材料的氮化物(例如,氮化钛)等形成得薄到具有透光性来使用。此外,可以将上述材料的叠层膜用作导电膜。例如,当使用银和镁的合金与ITO的叠层膜等时,可以提高导电性,所以是优选的。另外,也可以使用石墨烯等。
作为反射可见光的导电膜,例如可以使用铝、金、铂、银、镍、钨、铬、钼、铁、钴、铜或钯等金属材料或包含这些金属材料的合金。另外,也可以在上述金属材料、合金中添加有镧、钕或锗等。此外,反射可见光的导电膜可以使用铝和钛的合金、铝和镍的合金、铝和钕的合金等包含铝的合金(铝合金)、银和铜的合金、银和钯和铜的合金、银和镁的合金等包含银的合金来形成。包含银和铜的合金具有高耐热性,所以是优选的。并且,通过以与铝合金膜相接的方式层叠金属膜或金属氧化物膜,可以抑制铝合金膜的氧化。作为该金属膜、金属氧化物膜的材料,可以举出钛、氧化钛等。另外,也可以层叠上述使可见光透过的导电膜与由金属材料构成的膜。例如,可以使用银与ITO的叠层膜、银和镁的合金与ITO的叠层膜等。
电极可以分别通过利用蒸镀法或溅射法形成。除此之外,也可以通过利用喷墨法等喷出法、丝网印刷法等印刷法、或者镀覆法形成。
当对下部电极1431与上部电极1435之间施加高于发光元件的阈值电压的电压时,空穴从阳极一侧注入到EL层1433中,而电子从阴极一侧注入到EL层1433中。被注入的电子和空穴在EL层1433中重新结合,由此,包含在EL层1433中的发光物质发光。
EL层1433至少包括发光层。作为发光层以外的层,EL层1433也可以还包括包含空穴注入性高的物质、空穴传输性高的物质、空穴阻挡材料、电子传输性高的物质、电子注入性高的物质或双极性的物质(电子传输性及空穴传输性高的物质)等的层。
作为EL层1433可以使用低分子化合物或高分子化合物,还可以包含无机化合物。构成EL层1433的层分别可以通过利用蒸镀法(包括真空蒸镀法)、转印法、印刷法、喷墨法、涂敷法等方法形成。
在元件层1301中,发光元件优选设置于一对透水性低的绝缘膜之间。由此,能够抑制水等杂质侵入发光元件中,从而能够抑制发光装置的可靠性下降。
作为透水性低的绝缘膜,可以举出氮化硅膜、氮氧化硅膜等含有氮与硅的膜、氮化铝膜等含有氮与铝的膜等。另外,也可以使用氧化硅膜、氧氮化硅膜以及氧化铝膜等。
例如,将透水性低的绝缘膜的水蒸气透过量设定为1×10-5[g/m2·day]以下,优选为1×10-6[g/m2·day]以下,更优选为1×10-7[g/m2·day]以下,进一步优选为1×10-8[g/m2·day]以下。
衬底1303具有透光性,并且至少使元件层1301所具有的发光元件所发射的光透过。衬底1303具有柔性。另外,衬底1303的折射率高于大气的折射率。
由于有机树脂的比重小于玻璃,因此若作为衬底1303使用有机树脂,则与作为衬底1303使用玻璃的情况相比,能够使发光装置的重量小,所以是优选的。
作为具有柔性以及对可见光具有透过性的材料,例如可以举出如下材料:其厚度允许其具有柔性的玻璃、聚酯树脂诸如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)或聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)等、聚丙烯腈树脂、聚酰亚胺树脂、聚甲基丙烯酸甲酯树脂、聚碳酸酯(PC)树脂、聚醚砜(PES)树脂、聚酰胺树脂、环烯烃树脂、聚苯乙烯树脂、聚酰胺-酰亚胺树脂或聚氯乙烯树脂等。尤其优选使用热膨胀系数低的材料,例如优选使用聚酰胺-酰亚胺树脂、聚酰亚胺树脂以及PET等。另外,也可以使用将有机树脂浸渗于玻璃纤维中而得到的衬底或将无机填料混合到有机树脂中来降低热膨胀系数的衬底。
衬底1303可以是叠层结构,其中层叠使用上述材料的层与保护发光装置的表面免受损伤等的硬涂层(例如,氮化硅层等)、能够使按压分散的材质的层(例如,芳族聚酰胺树脂层等)等。另外,为了抑制由于水分等导致的发光元件的寿命的下降等,也可以具有上述透水性低的绝缘膜。
粘合层1305具有透光性,并且至少使元件层1301所具有的发光元件所发射的光透过。另外,粘合层1305的折射率高于大气的折射率。
作为粘合层1305,可以使用两液混合型树脂等在常温下固化的固化树脂、光固化树脂、热固化树脂等树脂。例如,可以举出环氧树脂、丙烯酸树脂、硅酮树脂、酚醛树脂等。尤其优选使用环氧树脂等透湿性低的材料。
另外,在上述树脂中也可以包含干燥剂。例如,可以使用碱土金属的氧化物(氧化钙或氧化钡等)等通过化学吸附来吸附水分的物质。或者,也可以使用沸石或硅胶等通过物理吸附来吸附水分的物质。当在树脂中包含干燥剂时,能够抑制水等杂质侵入发光元件中,从而提高发光装置的可靠性,所以是优选的。
此外,因为通过在上述树脂中混合折射率高的填料(氧化钛等)可以提高发光元件的光提取效率,所以是优选的。
另外,粘合层1305也可以具有散射光的散射构件。例如,作为粘合层1305也可以使用上述树脂和折射率不同于该树脂的粒子的混合物。将该粒子用作光的散射构件。
树脂与折射率不同于该树脂的粒子的折射率差优选有0.1以上,更优选有0.3以上。具体而言,作为树脂可以使用环氧树脂、丙烯酸树脂、酰亚胺树脂以及硅酮树脂等。另外,作为粒子,可以使用氧化钛、氧化钡以及沸石等。
由于氧化钛的粒子以及氧化钡的粒子具有很强的散射光的性质,所以是优选的。另外,当使用沸石时,能够吸附树脂等所具有的水,因此能够提高发光元件的可靠性。
绝缘层1405以及绝缘层1455可以使用无机绝缘材料。尤其当使用上述透水性低的绝缘膜时,可以实现可靠性高的发光面板,所以是优选的。
绝缘层1407具有抑制杂质扩散到构成晶体管的半导体中的效果。作为绝缘层1407,可以使用氧化硅膜、氧氮化硅膜、氧化铝膜等无机绝缘膜。
为了减小起因于晶体管等的表面凹凸,作为绝缘层1409、绝缘层1409a以及绝缘层1409b优选选择具有平坦化功能的绝缘膜。例如,可以使用聚酰亚胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯类树脂等有机材料。另外,除了上述有机材料之外,还可以使用低介电常数材料(low-k材料)等。此外,也可以层叠多个由这些材料形成的绝缘膜、无机绝缘膜。
以覆盖下部电极1431的端部的方式设置有绝缘层1411。为了提高形成于绝缘层1411的上层的EL层1433、上部电极1435的覆盖性,优选将绝缘层1411的侧壁形成为具有连续曲率的倾斜面。
作为绝缘层1411的材料,可以使用树脂或无机绝缘材料。作为树脂,例如,可以使用聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂、丙烯酸树脂、硅氧烷树脂、环氧树脂或酚醛树脂等。尤其优选使用负型光敏树脂或正型光敏树脂,以使绝缘层1411的制造变得容易。
虽然对绝缘层1411的形成方法没有特别的限制,但可以利用光刻法、溅射法、蒸镀法、液滴喷射法(喷墨法等)、印刷法(丝网印刷、胶版印刷等)等。
作为密封层1413,可以使用两液混合型树脂等在常温下固化的固化树脂、光固化树脂、热固化树脂等树脂。例如,可以使用PVC(聚氯乙烯)树脂、丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、环氧树脂、硅酮树脂、PVB(聚乙烯醇缩丁醛)树脂、EVA(乙烯-醋酸乙烯酯)树脂等。在密封层1413中可以包含干燥剂。另外,在发光元件1430的光穿过密封层1413被提取到发光面板的外部的情况下,优选在密封层1413中包含折射率高的填料或散射构件。作为干燥剂、折射率高的填料以及散射构件的材料,可以举出与可用于粘合层1305的材料同样的材料。
导电层1357可以使用与构成晶体管或发光元件的导电层相同的材料、相同的工序形成。例如,该导电层分别都可以通过使用钼、钛、铬、钽、钨、铝、铜、钕、钪等金属材料或含有上述元素的合金材料,以单层或叠层地形成。另外,上述导电层分别都可以使用导电金属氧化物形成。作为导电金属氧化物,可以使用氧化铟(In2O3等)、氧化锡(SnO2等)、氧化锌(ZnO)、铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(In2O3-ZnO等)或者在这些金属氧化物材料中含有氧化硅的材料。
另外,导电层1408、导电层1412、导电层1510a以及导电层1510b也分别都可以使用上述金属材料、合金材料或导电金属氧化物等形成。
作为连接体1415,可以使用对热固化树脂混合金属粒子而得到的膏状或薄片状的材料且通过热压接合呈现各向异性的导电材料。作为金属粒子,优选使用两种以上的金属成为层状的粒子,例如覆盖有金的镍粒子等。
着色层1459是使特定波长区域的光透过的有色层。例如,可以使用使红色波长区域的光透过的红色(R)滤色片、使绿色波长区域的光透过的绿色(G)滤色片、使蓝色波长区域的光透过的蓝色(B)滤色片等。各着色层通过利用各种材料并利用印刷法、喷墨法、使用光刻法技术的蚀刻方法等分别在所需的位置形成。
另外,在相邻的着色层1459之间设置有遮光层1457。遮光层1457遮挡从相邻的发光元件绕过来的光,从而抑制相邻的像素之间的混色。在此,通过以与遮光层1457重叠的方式设置着色层1459的端部,可以抑制漏光。遮光层1457可以使用遮挡发光元件的发光的材料,可以使用金属材料、包含颜料、染料的树脂材料等形成。另外,如图13B所示,通过将遮光层1457设置于驱动电路部1306等光提取部1304之外的区域中,可以抑制起因于波导光等的无意的漏光,所以是优选的。
此外,通过设置覆盖着色层1459以及遮光层1457的绝缘层1461,可以抑制包含在着色层1459、遮光层1457中的颜料等杂质扩散到发光元件等中,所以是优选的。作为绝缘层1461,使用具有透光性的材料,可以使用无机绝缘材料、有机绝缘材料。绝缘层1461也可以使用上述透水性低的绝缘膜
<制造方法例>
接下来,参照图15A至图16C例示出发光面板的制造方法。在此,以具有具体例子1(图13B)的结构的发光面板为例进行说明。
首先,在制作衬底1501上形成剥离层1503,并在该剥离层1503上形成绝缘层1405。接着,在绝缘层1405上形成晶体管1440、导电层1357、绝缘层1407、绝缘层1409、发光元件1430以及绝缘层1411。注意,以使导电层1357露出的方式对绝缘层1411、绝缘层1409以及绝缘层1407进行开口(参照图15A)。
另外,在制作衬底1505上形成剥离层1507,并在该剥离层1507上形成绝缘层1455。接着,在绝缘层1455上形成遮光层1457、着色层1459以及绝缘层1461(参照图15B)。
作为制作衬底1501以及制作衬底1505,分别可以使用玻璃衬底、石英衬底、蓝宝石衬底、陶瓷衬底以及金属衬底等硬质衬底。
另外,作为玻璃衬底,例如可以使用铝硅酸盐玻璃、铝硼硅酸盐玻璃或钡硼硅酸盐玻璃等玻璃材料。在后面进行的加热处理温度高的情况下,优选使用应变点为730℃以上的玻璃衬底。除此之外,还可以使用晶化玻璃等。
在作为上述制作衬底使用玻璃衬底的情况下,当在制作衬底与剥离层之间形成氧化硅膜、氧氮化硅膜、氮化硅膜、氮氧化硅膜等绝缘层时,可以防止来自玻璃衬底的污染,所以是优选的。
作为剥离层1503以及剥离层1507,分别都是由如下材料形成的单层或叠层的层:选自钨、钼、钛、钽、铌、镍、钴、锆、锌、钌、铑、钯、锇、铱、硅中的元素;包含该元素的合金材料;或者包含该元素的化合物材料。包含硅的层的结晶结构可以为非晶、微晶或多晶。
剥离层可以通过利用溅射法、等离子体CVD法、涂敷法、印刷法等形成。另外,涂敷法包括旋涂法、液滴喷射法、分配法。
当剥离层采用单层结构时,优选形成钨层、钼层或者包含钨和钼的混合物的层。另外,也可以形成包含钨的氧化物或氧氮化物的层、包含钼的氧化物或氧氮化物的层或者包含钨和钼的混合物的氧化物或氧氮化物的层。此外,钨和钼的混合物例如相当于钨和钼的合金。
另外,当作为剥离层形成包含钨的层和包含钨的氧化物的层的叠层结构时,可以通过形成包含钨的层且在其上层形成由氧化物形成的绝缘层,在钨层与绝缘层之间的界面形成包含钨的氧化物的层。此外,也可以对包含钨的层的表面进行热氧化处理、氧等离子体处理、一氧化二氮(N2O)等离子体处理、使用臭氧水等氧化性高的溶液的处理等形成包含钨的氧化物的层。另外,等离子体处理、加热处理可以在单独使用氧、氮、一氧化二氮的气氛下或者在上述气体和其他气体的混合气体气氛下进行。通过进行上述等离子体处理或加热处理来改变剥离层的表面状态,由此可以控制剥离层和在后面形成的绝缘层之间的粘合性。
作为该绝缘层,优选以单层或多层形成氮化硅膜、氧氮化硅膜或氮氧化硅膜等。
各绝缘层可以通过利用溅射法、等离子体CVD法、涂敷法、印刷法等形成,例如可以通过利用等离子体CVD法在250℃以上且400℃以下的温度下形成,从而做成致密且透水性极低的膜。
接着,将用作密封层1413的材料涂敷于制作衬底1505的设置有着色层1459等的面或者制作衬底1501的设置有发光元件1430等的面,隔着密封层1413将这些面彼此贴合在一起(参照图15C)。
然后,剥离制作衬底1501,并使用粘合层1403将露出的绝缘层1405与衬底1401贴合在一起。另外,剥离制作衬底1505,并使用粘合层1305将露出的绝缘层1455与衬底1303粘合在一起。在图16A中,虽然采用衬底1303不与导电层1357重叠的结构,但也可以使衬底1303与导电层1357重叠。
在此,衬底1401相当于在实施方式1中说明的支撑体41,衬底1303相当于第二支撑体42。
上述衬底1303或制作衬底1401可以使用实施方式1所说明的支撑体供应装置来供应。另外,到制作衬底1501的剥离、衬底1401的贴合、制作衬底1505的剥离以及衬底1303的贴合为止的工序可以使用在实施方式2或实施方式3中说明的叠层体制造装置来进行。
另外,在使用本发明的一个实施方式的叠层体制造装置的剥离工序中,可以对制作衬底实施各种剥离方法。例如,当在与被剥离层相接的一侧形成作为剥离层的包含金属氧化膜的层时,可以通过使该金属氧化膜结晶化而使其脆化,从制作衬底剥离被剥离层。此外,当在耐热性高的制作衬底与被剥离层之间形成作为剥离层的包含氢的非晶硅膜时,可以通过激光照射或蚀刻来去除该非晶硅膜,从而将被剥离层从制作衬底剥离。另外,当在与被剥离层相接的一侧形成作为剥离层的包含金属氧化膜的层时,通过使该金属氧化膜结晶化而使其脆化,进而在通过使用了溶液、NF3、BrF3、ClF3等氟化气体的蚀刻来去除该剥离层的一部分之后,可以在脆化了的金属氧化膜处进行剥离。再者,也可以采用如下方法:作为剥离层使用包含氮、氧或氢等的膜(例如,包含氢的非晶硅膜、含氢的合金膜、含氧的合金膜等),并且对剥离层照射激光使包含在剥离层中的氮、氧或氢作为气体释放出以促进被剥离层与衬底之间的剥离。此外,可以采用机械性地去除形成有被剥离层的制作衬底的方法、或者通过基于溶液或NF3、BrF3、ClF3等氟化气体的蚀刻去除形成有被剥离层的制作衬底的方法等。此时,也可以不设置剥离层。
另外,可以通过组合多个上述剥离方法以更容易进行剥离工序。即,也可以通过进行激光照射、利用气体或溶液等对剥离层进行蚀刻、或者利用锋利的刀或手术刀等机械性地去除,以使剥离层和被剥离层处于容易剥离的状态,然后利用物理力(通过机械等)进行剥离。该工序相当于本说明书中的形成剥离起点的工序。使用本发明的一个方式的叠层体制造装置进行加工的加工构件及叠层体优选被形成有该剥离起点。
此外,也可以通过使液体浸透到剥离层与被剥离层之间的界面来从制作衬底剥离被剥离层。另外,当进行剥离时,也可以边浇水等液体边进行剥离。
作为其他剥离方法,当使用钨形成剥离层时,优选边使用氨水和过氧化氢水的混合溶液对剥离层进行蚀刻边进行剥离。
另外,当能够在制作衬底与被剥离层之间的界面进行剥离时,也可以不设置剥离层。例如,作为制作衬底使用玻璃,以相接于玻璃的方式形成聚酰亚胺等有机树脂,并在该有机树脂上形成绝缘层、晶体管等。此时,可以通过加热有机树脂,在制作衬底与有机树脂之间的界面进行剥离。或者,也可以通过在制作衬底与有机树脂之间设置金属层,并且通过使电流流过该金属层加热该金属层,在金属层与有机树脂之间的界面进行剥离。
最后,通过对绝缘层1455以及密封层1413进行开口,使导电层1357露出(参照图16B)。另外,在衬底1303与导电层1357重叠的情况下,也对衬底1303以及粘合层1305进行开口(参照图16C)。对开口的机构没有特别的限制,例如可以使用激光烧蚀法、蚀刻法以及离子束溅射法等。另外,也可以使用锋利的刀具等在导电层1357上的膜上切开切口,然后利用物理力将膜的一部分剥下来。
通过上述步骤,可以制造发光面板。
另外,也可以设置有触摸传感器或触摸面板。例如,图18示出对图13A和图13B所示的发光面板上组合触摸面板而使用的情况的例子。触摸传感器既可以直接形成于衬底1303,又可以配置形成于其他衬底的触摸面板9999。
另外,在此示出了作为显示元件使用发光元件的情况的例子,但是本发明的一个方式不局限于此。可以对本发明的一个方式使用各种显示元件。例如,在本说明书等中,显示元件、作为具有显示元件的装置的显示装置、发光元件以及作为具有发光元件的装置的发光装置可以采用各种方式或具有各种元件。作为显示元件、显示装置、发光元件或发光装置的一个例子,存在对比度、亮度、反射率、透射率等因电磁作用而产生变化的显示媒体,诸如EL(电致发光)元件(包含有机物及无机物的EL元件、有机EL元件、无机EL元件)、LED(白色LED、红色LED、绿色LED、蓝色LED等)、晶体管(根据电流发光的晶体管)、电子发射元件、液晶元件、电子墨水、电泳元件、光栅光阀(GLV)、等离子体显示器(PDP)、MEMS(微电子机械系统)、数字微镜设备(DMD)、DMS(数码微快门)、MIRASOL(在日本注册的商标)、IMOD(干涉调制)元件、电湿润(electrowetting)元件、压电陶瓷显示器、碳纳米管等。作为使用EL元件的显示装置的一个例子,有EL显示器等。作为使用电子发射元件的显示装置的一个例子,有场致发射显示器(FED)或SED方式平面型显示器(SED:Surface-conductionElectron-emitter Display:表面传导电子发射显示器)等。作为使用液晶元件的显示装置的一个例子,有液晶显示器(透过型液晶显示器、半透过型液晶显示器、反射型液晶显示器、直观型液晶显示器、投射型液晶显示器)等。作为使用电子墨水或电泳元件的显示装置的一个例子,有电子纸等。
此外,在本说明书中可以采用在像素中具有有源元件的有源矩阵方式或在像素中没有有源元件的无源矩阵方式。
在有源矩阵方式中,作为有源元件(非线性元件),不仅可以使用晶体管,而且还可以使用各种有源元件(非线性元件)。例如,也可以使用MIM(Metal Insulator Metal;金属-绝缘体-金属)或TFD(ThinFilm Diode;薄膜二极管)等。由于这些元件的制造工序少,所以可以降低制造成本或提高成品率。另外,由于这些元件的尺寸小,所以可以提高开口率,从而实现低功耗或高亮度化。
另外,除了有源矩阵方式以外,也可以采用没有有源元件(非线性元件)的无源矩阵方式。由于不使用有源元件(非线性元件),所以制造工序少,从而可以降低制造成本或提高成品率。另外,由于不使用有源元件(非线性元件),所以可以提高开口率,并实现低功耗或高亮度化等。
如上所述,本实施方式的发光面板包括衬底1303和衬底1401这两个衬底。并且,即便是包括触摸传感器的结构也可以由该两个衬底构成。通过将衬底数量抑制到最低,容易使光提取效率以及显示的清晰度得到提高。
此外,作为应用了能够使用本发明的一个方式的叠层体制造装置制造的具有柔性的发光装置的电子设备,例如可以举出电视装置(也称为电视机或电视接收机)、用于计算机等的监视器、数码相机、数码摄像机、数码相框、移动电话机(也称为移动电话、移动电话装置)、便携式游戏机、便携式信息终端、声音再现装置、弹珠机等大型游戏机等。
作为应用了具有柔韧形状的显示装置的电子设备,例如可以举出电视装置(也称为电视或电视接收机)、用于计算机等的监视器、数码相机、数码摄像机、数码相框、移动电话机(也称为移动电话、移动电话装置)、便携式游戏机、便携式信息终端、音频再现装置、弹珠机等的大型游戏机等。
此外,也可以将照明装置或显示装置沿着在房屋及高楼等的内壁或外壁、汽车的内部装修或外部装修的曲面组装。
图19A示出移动电话机的一个例子。移动电话机7400除了组装在框体7401中的显示部7402之外,还包括操作按钮7403、外部连接端口7404、扬声器7405、麦克风7406等。另外,通过将显示装置用于显示部7402制造移动电话机7400。
图19A所示的移动电话机7400通过用手指等触摸显示部7402,可以输入信息。此外,通过用手指等触摸显示部7402可以进行打电话或输入文字等的所有操作。
此外,通过操作按钮7403的操作,可以切换电源的ON、OFF或显示在显示部7402的图像的种类。例如,可以将电子邮件的编写画面切换为主菜单画面。
在此,在显示部7402中组装有本发明的一个方式的显示装置。因此,可以提供一种具备弯曲的显示部且可靠性高的移动电话机。
图19B是腕带型的显示装置的一个例子。便携式显示装置7100包括框体7101、显示部7102、操作按钮7103以及收发装置7104。
便携式显示装置7100能够由收发装置7104接收影像信号,且可以将所接收的影像显示在显示部7102。此外,也可以将声音信号发送到其他接收设备。
此外,可以由操作按钮7103进行电源的ON、OFF工作或所显示的影像的切换或者音量调整等。
在此,在显示部7102中组装有本发明的一个方式的显示装置。因此,可以提供一种具备弯曲的显示部且可靠性高的便携式显示装置。
图19C及图19D示出照明装置的一个例子。照明装置7210、照明装置7220分别包括具备操作开关7203的底座7201、以及由底座7201支撑的发光部。
图19C所示的照明装置7210所具备的发光部7212采用对称地配置了弯曲为凸状的两个发光部的结构。因此,可以以照明装置7210为中心全方位地照射光。
图19D所示的照明装置7220具备弯曲为凹状的发光部7222。因此,因为将来自发光部7222的发光聚集到照明装置7220的前面,所以适合应用于照亮特定的范围的情况。
此外,因为照明装置7210、照明装置7220所具备的各发光部具有柔韧性,所以也可以采用使用可塑性构件或可动框架等构件固定该发光部,按照用途可以随意弯曲发光部的发光面。
在此,在照明装置7210及照明装置7220所具备的各个发光部中组装有本发明的一个方式的显示装置。因此,可以提供一种具备弯曲的发光部且可靠性高的照明装置。
图20A示出便携式显示装置的一个例子。显示装置7300具备框体7301、显示部7302、操作按钮7303、显示部取出构件7304以及控制部7305。
显示装置7300在筒状的框体7301中具备辊状地卷起来的具有柔韧性的显示部7302。显示部7302包括形成有遮光层等的第一衬底及形成有晶体管等的第二衬底。显示部7302以在框体7301内第二衬底一直位于外侧的方式被卷起。
此外,显示装置7300可以由控制部7305接收影像信号,而将所接收的影像显示在显示部7302。此外,控制部7305具备电池。此外,也可以采用控制部7305具备连接器,而直接供应影像信号或电力的结构。
此外,可以由操作按钮7303进行电源的ON、OFF工作或所显示的影像的切换等。
图20B示出使用取出构件7304取出显示部7302的状态。在该状态下,可以在显示部7302显示影像。此外,通过使用配置于框体7301的表面的操作按钮7303可以以单手容易进行操作。
此外,也可以在显示部7302的端部设置用来加强的框,以防止当取出显示部7302时该显示部7302弯曲。
此外,除了该结构以外,也可以采用在框体中设置扬声器而使用与影像信号同时接收的音声信号输出音声的结构。
显示部7302组装有本发明的一个方式的显示装置。因此,因为显示部7302是具有柔韧性和高可靠性的显示装置,所以作为显示装置7300可以实现轻量且可靠性高的显示装置。
另外,只要具备本发明的一个方式的显示装置,就并不局限于如上所示的电子设备或照明装置。
本实施方式可以与其他实施方式所记载的结构适当地组合而实施。
实施方式6
在本实施方式中,说明能够使用在实施方式2及实施方式3中说明的叠层体制造装置制造的具有柔性的发光装置(发光面板)的例子。
图21A和图21B是说明发光元件及发光面板的结构的截面图。图21A是说明具有WTC结构的发光元件的结构的截面图,图21B是说明具备多个具有WTC结构的发光元件的发光面板的结构的截面图。
图22是说明使用具有WTC结构的发光元件的显示装置的显示品质的照片。
图23是说明在连续点亮具有WTC结构的发光元件时发现的相对于初始亮度的归一化亮度的逐次变化的图。
〈有机EL显示器〉
有机EL(OLED:Organic Light-Emitting Diode)是由电极夹着包含发光性有机材料的大约亚微米的薄膜(也称为EL层)的结构的发光元件,并且是面状的发光体。
至现在为止被商品化的有机EL显示器大部分是在形成EL层时使用像素掩模(下面称为分别涂布掩模)这样的金属掩模的分别涂布法来制造的。
但是,该成膜方法难以形成窄于分别涂布掩模的厚度的间距的开口,因此对于高清晰化有限制。再者,对于金属掩模的大型化有限制,难以制造高清晰且大屏幕的显示器。因此,具有250ppi以下的清晰度的中小型显示器的商品化推进,据称实际上制造的面板的清晰度的上限为300ppi左右。
再者,有如下问题:若使用分别涂布掩模则难以提高制造工序中的成品率的问题;以及清晰度越高FFM(Fine Metal Mask:高精度金属掩模)的价格越高,而使制造成本提高的问题。
此外,对于EL器件的结构,虽然初始发售了底部发射型的显示器,但是近年来被商品化的显示器的主流为顶部发射型。考虑到色纯度较高的显示、开口率,若要实现更高清晰化及低功耗化,对中小型显示器使用该方法是有利的。
于是,为了开发不使用分别涂布掩模且能够实现高清晰化及比现有的有机EL显示器功耗更低寿命更长的显示器,进行了对WTC(Whitetandem-Top emission-Color filter)结构的开发。WTC结构的“WTC”是白色串联+顶部发射+滤色片(CF)的首字母缩写。WTC结构一般来说与白+CF方式相同,但其特征是其OLED元件中使用白色串联。EL器件结构为蓝色发光单元与绿色·红色发光单元的两层串联结构。通过对此组合微腔结构及滤色片,能够以不使用分别涂布掩模的方式制造高清晰面板。
图21A示出WTC结构,图21B示出衬底结构的示意图。在玻璃/FET上依次层叠有反射电极(阳极)、透明电极、B荧光单元、中间层、G·R磷光单元、半透射金属膜(阴极)以及滤色片。
可以想到采用顶部发射结构有如下优点。能够不被FET衬底一侧的布局影响而维持较高的开口率,并能够实现面板的长寿命化。此外,通过利用微腔结构,正面方向的亮度变强,所以能够实现高效率化。再者,通过利用微腔结构+CF,除了光谱变得尖锐,通过CF可以削减多余的波长的光,所以色纯度也提高,而可以实现较高的颜色再现性。因此,该结构的NTSC比为95%以上。
此外,表1示出使用WTC结构的显示装置的显示性能的规格和使用分别涂布法的显示装置的显示性能的规格,表2示出使用WTC结构的显示装置的结构的规格和使用分别涂布法的显示装置的结构的规格。
[表1]
WTC | |
方式 | 白色串联+CF |
屏幕尺寸 | 13.3英寸 |
像素数 | 7680×RGB×4320 |
清晰度 | 664 ppi |
像素尺寸 | 12.75μm×RGB×38.25μm |
EL方式 | 白色 |
像素排列 | 条状排列 |
开口率 | R=G=B=44.3% |
[表2]
WTC | |
白色串联+CF | |
密封 | 中空密封 |
偏振片 | 无 |
滤色片 | 有 |
微腔 | 有(阳极一侧) |
光提取 | 顶部发射 |
像素电路设计 | 5Tr+1C |
像素FET | OS |
此外,图22示出说明采用了WTC结构的具有664ppi的清晰度的13.3英寸(像素数:7680×4320)的显示器的照片。
表3示出WTC结构的各RGB元件的特性。
[表3]
※1:包括CF的透光性。
※2:在300cd/m2时对应于全白面板的亮度。
※3:开口率为35%时的本征亮度。
当开口率为35%时,使R像素以大约650cd/cm2、G像素以大约1700cd/cm2以及B像素以大约250cd/cm2的方式发光,可以使D65的色度中的白色亮度为300cd/cm2。
通过使用微腔结构及滤色片(也称为CF),可以实现高的色纯度。
此外,表4示出WTC结构的各RGB元件的特性。
[表4]
可以使RGB各元件的直到亮度下降5%为止的时间(LT95)为1000hr以上。这意味着可以抑制烙印(burn-in)一个月以上(参照图23及表4)。
注意,本实施方式可以与本说明书所示的其他实施方式适当地组合。
实施方式7
在本实施方式中,说明能够使用在实施方式2及实施方式3中说明的叠层体制造装置来制造的具有柔性的发光装置(发光面板)的例子。
图24至图27是说明使用了具有WTC结构的发光元件的显示面板的显示品质的照片。
〈柔性显示器的例子1〉
对于使用了具有WTC结构的发光元件的柔性显示面板的一个例子,表5示出了规格,图24示出说明显示品质的照片。
[表5]
规格 | |
显示区域 | 42.12mm(H)×74.88mm(V) |
分辨率 | 540×RGB(H)×960(V) |
清晰度 | 326ppi |
开口率 | 40% |
像素电路 | 2Tr+1C |
扫描驱动器 | 内置 |
源极驱动器 | 内置 |
发光结构 | 白色发光+底部发射+CF(WBC结构) |
对置衬底 | SUS膜 |
厚度 | 100μm以下 |
重量 | 2g |
〈柔性显示器的例子2〉
对于使用了具有WTC结构的发光元件的柔性显示面板的一个例子,表6示出了规格,图25示出说明显示品质的照片。
[表6]
规格 | |
显示区域 | 299.5mm(H)×168.5mm(V) |
分辨率 | 960×RGB(H)×540(V) |
清晰度 | 81.5ppi |
开口率 | 60% |
像素电路 | 6Tr+1C |
扫描驱动器 | 内置 |
源极驱动器 | COF |
发光结构 | 白色发光+底部发射+CF(WBC结构) |
对置衬底 | SUS膜 |
厚度 | 100μm以下 |
重量 | 18g(不包括FPC、COF) |
〈柔性显示器的例子3〉
对于使用了具有WTC结构的发光元件的柔性显示面板的一个例子,表7示出了规格,图26A和图26B示出说明显示品质的照片。
[表7]
规格 | |
显示区域 | 42.12mm(H)×74.88mm(V) |
分辨率 | 540×RGB(H)×960(V) |
清晰度 | 326ppi |
开口率 | 57% |
像素电路 | 2Tr+1C |
扫描驱动器 | 内置 |
源极驱动器 | 内置 |
发光结构 | 白色发光+顶部发射+CF(WTC结构) |
对置衬底 | SUS膜 |
厚度 | 100μm以下 |
重量 | 2g |
〈柔性显示器的例子4〉
对于使用了具有WTC结构的发光元件的柔性显示面板的一个例子,表8示出了规格,图27示出说明显示品质的照片。
[表8]
规格 | |
显示区域 | 299.5mm(H)×168.5mm(V) |
分辨率 | 3840×RGB(H)×2160(V) |
清晰度 | 326ppi |
开口率 | 55.80% |
像素电路 | 5Tr+1C |
扫描驱动器 | 内置 |
源极驱动器 | COF |
发光结构 | 白色发光+顶部发射+CF(WTC结构) |
厚度 | 300μm以下(包括保护膜) |
重量 | 30g以下(包括保护膜,不包括FPC、COF) |
注意,本实施方式可以与本说明书所示的其他实施方式适当地组合。
实施方式8
在本实施方式中,参照图28A和28B说明本发明的一个实施方式的支撑体供应装置的结构。
图28A和图28B是说明在实施方式1中说明的支撑体供应装置的外观的照片。图28A是说明从被卷起的状态供应叠层膜的开卷机构的一个例子的照片,图28B是说明使支撑体的表面活化的预处理部的一个例子的照片。
〈支撑体供应装置的例子〉
说明支撑体供应装置供应支撑体的方法。注意,在此作为支撑体使用薄膜。
在第一步骤中,从滚筒膜将薄膜开卷,并切割成在贴合单元中使用的指定长度。
另外,支撑体被两个隔膜夹着。此外,图28A示出薄片供应部的开卷机构的照片。
在第二步骤中,在薄膜储存室中待机。根据贴合单元所供应的定时(传送指示)信号进入第三步骤。
在第三步骤中,留下下方的隔膜而形成切口,来形成剥离起点。
在第四步骤中,剥离处于下方的隔膜。
在第五步骤中,使用US清洗机(超声波清洗机)照射超声波并一边喷射压缩空气一边抽吸气氛,来去除异物。另外,图28B示出预处理部的照片。
在第六步骤中,使用UV照射装置且由紫外线及臭氧处理,来重整表面的润湿性。
在第七步骤中,将支撑体供应到贴合室。
注意,本实施方式可以与本说明书所示的其他实施方式适当地组合。
实施方式9
在本实施方式中,参照图29至图32说明使用本发明的一个方式的叠层体制造装置制造具有柔性的发光装置(发光面板)的工序。
图29是说明剥离形成在玻璃衬底上的功能元件并使用光学透明树脂(OCR:Optical Clear Resin)将其转置到薄膜上的工序的图。
图30是说明对薄膜贴合光学透明双面胶带(OCA:Optical ClearAdhesive)并辊状地卷起来的工序的图。
图31是说明剥离形成在玻璃衬底上的功能元件并使用OCA将其转置到薄膜上的工序的图。
图32是说明剥离形成在玻璃衬底上的功能元件并将其转置到薄膜上的工序的图。
〈装置的概要〉
剥离形成在玻璃衬底上的功能元件并以不破坏该功能元件的方式将其转置到薄膜上的装置被称为TT(Transfer Technology)装置。
使用TT装置的话可以提高成品率。例如,通过交换300mm×360mm的尺寸的衬底或构件的一部分,可以剥离形成于320mm×400mm的尺寸的衬底的元件,并将其转置。
例如,也可以采用能够以10分钟处理一个形成有功能元件的衬底的规格。由此,每月可以处理超过大约4000个的衬底。
注意,一个月工作28天,2天或3天进行保养或整备。
将装置内的洁净度设定为100级,也可以在各处理单元中设置离子发生器(ionizer),而可以除去传送时、剥离时的向衬底的带电。
〈用于光学透明树脂的工序〉
图29示出使用OCR时的工序。
《切割工序》
从在薄膜被夹在一对隔膜中的状态下被卷起了的滚筒膜将薄膜与一对隔膜一起开卷,并将其切割成在贴合单元中使用的长度。
《隔膜剥离工序》
剥离一对隔膜中的一个,使薄膜的一个面露出。
《玻璃衬底剥离工序》
以与依次形成有第一剥离层及第一被剥离层的第一玻璃衬底的第一被剥离层相对的方式将依次形成有第二剥离层及第二被剥离层的第二玻璃衬底的第二被剥离层贴合,来准备加工衬底。接着,将加工衬底的一个玻璃衬底从一个被剥离层剥离。
此外,例如可以采用第一被剥离层和第二被剥离层中的一个包括发光元件而另一个包括滤色片的结构。
《粘合剂涂敷工序》
对与剥离了的玻璃衬底相接的面使用分配器等涂敷粘合剂。
《薄膜贴合工序》
使用粘合剂将完成了粘合剂涂敷工序的加工衬底与完成了隔膜剥离工序的薄膜贴合。
《薄膜剥离工序》
准备依次贴合了隔膜、薄膜、粘合剂、第一被剥离层、第二被剥离层以及另一个玻璃衬底而得到的加工衬底,并将另一个玻璃衬底从被剥离层剥离。
《粘合剂涂敷工序》
对相接于剥离了的玻璃衬底的面使用分配器等涂敷粘合剂。
《薄膜贴合工序》
使用粘合剂将完成了粘合剂涂敷工序的加工衬底与完成了隔膜剥离工序的薄膜贴合。
〈使用粘合剂的工序〉
图30示出在薄膜上形成粘合剂并辊状地卷起来的工序。例如可以将OCA用于粘合剂。
《隔膜剥离工序》
剥离夹着薄膜的一对隔膜中的一个,使薄膜的一个面露出。
剥离夹着粘合剂的一对隔膜中的一个,使粘合剂的一个面露出。
《贴合工序》
将完成了隔膜剥离工序的薄膜与粘合剂贴合。
〈使用光学透明双面胶带的工序〉
图31示出使用OCA时的工序。
注意,使用OCA的工序比使用OCR的工序简单。
《切割工序》
从在附有粘合剂的薄膜被夹在一对隔膜中的状态下被卷起的滚筒膜对粘合剂与一对隔膜进行开卷,并将附有粘合剂的薄膜切割成在贴合单元中使用的长度。
《隔膜剥离工序》
剥离一对隔膜中的相接于粘合剂的隔膜,使粘合剂露出。
《玻璃衬底剥离工序》
准备如下加工衬底并将一个玻璃衬底从一个被剥离层玻璃,该加工衬底是以与依次形成有第一剥离层及第一被剥离层的第一玻璃衬底的第一被剥离层相对的方式将依次形成有第二剥离层及第二被剥离层的第二玻璃衬底的第二被剥离层贴合而得到的。
此外,例如可以采用第一被剥离层和第二被剥离层中的一个包括发光元件而另一个包括滤色片的结构。
《薄膜贴合工序》
使用粘合剂将加工衬底与完成了隔膜剥离工序的附有粘合剂的薄膜贴合。
《薄膜剥离工序》
准备依次贴合有隔膜、薄膜、粘合剂、第一被剥离层、第二被剥离层以及另一个玻璃衬底而得到的加工衬底,并将另一个玻璃衬底从被剥离层剥离。
《薄膜贴合工序》
使用粘合剂将完成了隔膜剥离工序的薄膜贴合于加工衬底的与被剥离发的玻璃衬底相接的面。
〈柔性发光面板的制造工序〉
图32示出柔性发光面板的制造工序。
《处理前》
加工衬底依次包括:加工衬底;包含钨的层(W层);钝化层;包含晶体管的层(FET);包含发光元件的层(EL+阴极);密封树脂层;滤色片(CF);钝化层;包含钨的层(W层);以及玻璃衬底。
《第一次剥离处理后》
被剥离了一个玻璃衬底的加工衬底依次包括:钝化层;包含晶体管的层(FET);包含发光元件的层(EL+阴极);密封树脂层;滤色片(CF);钝化层;包含钨的层(W层);以及玻璃衬底。
《第一次贴合处理后》
一侧被贴合了薄膜的加工衬底依次包括:保护膜;粘合剂;钝化层;包含晶体管的层(FET);包含发光元件的层(EL+阴极);密封树脂层;滤色片(CF);钝化层;包含钨的层(W层);以及玻璃衬底。
《第二次剥离处理后》
被剥离了另一个玻璃衬底的加工衬底依次包括:保护膜;粘合剂;钝化层;包含晶体管的层(FET);包含发光元件的层(EL+阴极);密封树脂层;滤色片(CF);以及钝化层。
《第二次贴合处理后》
另一侧被贴合了薄膜的柔性发光面板依次包括:保护膜;粘合剂;钝化层;包含晶体管的层(FET);包含发光元件的层(EL+阴极);密封树脂层;滤色片(CF);钝化层;粘合剂;以及保护膜。
注意,本实施方式可以与本说明书所示的其他实施方式适当地组合。
实施方式10
在本实施方式中,参照图33A1至图35D2说明本发明的一个方式的叠层体的制造方法。注意,有时为了促进对发明的理解而不图示结构的一部分。
图33A1至图34B2是说明从本发明的一个方式的一个加工构件制造一个叠层体或多个叠层体的方法的俯视图。
图35A1至图35D2是说明具有本发明的一个方式的开口部的叠层体的制造方法的图。
〈叠层体的制造方法〉
在本实施方式中说明的叠层体的制造方法在从一个加工构件制造多个叠层体这一点上与在实施方式3中说明的叠层体的制造方法不同。在此,仅对不同步骤进行详细的说明,而关于可使用相同步骤的部分,援用上述说明。
根据该方法可以从各种尺寸的加工构件制造各种尺寸的叠层体。
具体而言,可以使用126.6mm×126.6mm的玻璃衬底制造包括3.4英寸的显示面板的叠层体。或者,可以使用300mm×360mm的玻璃衬底制造包括13.5英寸的显示面板的叠层体。
此外,可以使用300mm×360mm的玻璃衬底制造配置有四个3.4英寸的显示面板的叠层体或配置有两个5.9英寸的显示面板的叠层体。注意,配置有多个显示面板的叠层体可以被分断,由此可以从一个叠层体制造多个显示面板。
《第一步骤》
准备用于制造叠层体92(1)的加工构件90(1)。参照图33A1及图33B1说明加工构件90(1)的结构。
准备用于制造叠层体92(2)的加工构件90(2)。参照图33A2及图33B2说明加工构件90(2)的结构。
加工构件90(1)具有使用粘合层(未图示)将图33A1的左侧所示的结构与右侧所示的结构贴合的结构(参照图33B1)。
具体而言,加工构件90(1)具有如下结构:使用粘合层将层叠有第一衬底11、在第一衬底11上形成的第一剥离层(未图示)及其一个面相接于第一剥离层的第一被剥离层13(1)的结构(参照图33A1左侧)、与层叠有第二衬底21、在第二衬底21上形成的第二剥离层(未图示)及其一个面相接于第二剥离层的第二被剥离层23(1)的结构(参照图33A1右侧)贴合的结构(参照图33B1)。
加工构件90(2)具有使用粘合层(未图示)将图33A2的左侧所示的结构与右侧所示的结构贴合的结构(参照图33B2)。
具体而言,加工构件90(2)具有如下结构:使用粘合层将层叠有第一衬底11、在第一衬底11上形成的第一剥离层(未图示)及其一个面相接于第一剥离层的第一被剥离层13(2)的结构(参照图33A2左侧)、与层叠有第二衬底21、在第二衬底21上形成的第二剥离层(未图示)及其一个面相接于第二剥离层的第二被剥离层23(2)的结构(参照图33A2右侧)贴合的结构(参照图33B2)。
注意,加工构件90(2)与加工构件90(1)具有如下两个不同之处。
第一不同之处在于:第一被剥离层13(2)包括以间隙分离的多个功能层及分别电连接于各功能层的导电层13b(2),而第一被剥离层13(1)包括一个功能层及电连接于该功能层的导电层13b(1)。
第二不同之处在于:第二被剥离层23(2)包括以间隙分离的多个功能层23b(2),而第二被剥离层23(1)包括一个功能层23b(1)。
另外,例如可以将导电层13b(1)或导电层13b(2)用于被供应信号的端子或供应信号的端子。此外,导电层13b(1)或导电层13b(2)可以被供应信号并供应信号。
另外,以与分离第一被剥离层13(2)的多个功能层的间隙及分离导电层13b(2)的间隙重叠的方式配置分离第二被剥离层23(2)的多个功能层23b(2)的间隙。
此外,加工构件90(1)或加工构件90(2)的未图示的粘合层的端部附近形成有剥离起点13s。
《第二步骤》
将包括加工构件90(1)或加工构件90(2)的第一衬底11的表层剥离,而得到各自的第一剩余部(未图示)。
《第三步骤》
在各自的第一剩余部形成第一粘合层(未图示),并使用第一粘合层贴合第一剩余部与第一支撑体(未图示),而得到第一叠层体91(1)或第一叠层体91(2)。
具体而言,得到叠层体91(1),该叠层体91(1)依次配置有:第一支撑体;第一粘合层;第一被剥离层13(1)、其一个面相接于第一被剥离层13(1)的接合层;其一个面相接于接合层的另一个面的第二被剥离层23(1);其一个面相接于第二被剥离层23(1)的另一个面的第二剥离层;以及第二衬底21(参照图33C1)。
此外,得到叠层体91(2),该叠层体91(2)依次配置有:第一支撑体;第一粘合层;第一被剥离层13(2)、其一个面相接于第一被剥离层13(2)的接合层;其一个面相接于接合层的另一个面的第二被剥离层23(2);其一个面相接于第二被剥离层23(2)的另一个面的第二剥离层;以及第二衬底21(参照图33C2)。
《第六步骤》
将位于叠层体91(1)的第一粘合层的端部附近的第二被剥离层23(1)的一部分从第二衬底21(1)分离,而形成第二剥离起点(未图示)。
此外,将位于叠层体91(2)的第一粘合层的端部附近的第二被剥离层23(2)的一部分从第二衬底21(2)分离,而形成第二剥离起点(未图示)。
《第七步骤》
通过与叠层体91(1)或叠层体91(2)分离而得到第二剩余部(未图示)。
《第九步骤的变形例子》
在各自的第二剩余部形成第二粘合层(未图示)。并且,使用第二粘合层将第二剩余部与第二支撑体42(1)或第二支撑体42(2)贴合,而得到叠层体92(1)或叠层体92(2)。
注意,也可以将第二支撑体42(1)的尺寸设为露出第二被剥离层23(1)的一部分的尺寸(参照图33D1)。此外,也可以将第二支撑体42(2)的尺寸设为露出第二被剥离层23(2)的一部分的尺寸(参照图33D2)。
具体而言,得到叠层体92(1),该叠层体92(1)依次配置有:第一支撑体;第一粘合层;第一被剥离层13(1);其一个面相接于第一被剥离层13(1)的另一个面的接合层;其一个面相接于接合层的另一个面的第二被剥离层23(1);第二粘合层;以及第二支撑体42(1)(参照图33D1)。
此外,得到叠层体92(2),该叠层体92(2)依次配置有:第一支撑体;第一粘合层;第一被剥离层13(2);其一个面相接于第一被剥离层13(2)的另一个面的接合层;其一个面相接于接合层的另一个面的第二被剥离层23(2);第二粘合层;以及第二支撑体42(2)(参照图33D2)。
此外,使用后面说明的方法,也可以将露出导电层13b(1)的开口部设置在叠层体92(1)的第二被剥离层23(1),还可以将露出导电层13b(2)的开口部设置在叠层体92(2)的第二被剥离层23(2)(参照图34A1或图34A2)。尤其是,决定第二支撑体42(1)或第二支撑体42(2)的尺寸及贴合位置以使设置开口部的位置露出即可(参照图34B1)。
此外,也可以切割第二支撑体42(1)以使叠层体92(1)成为预定的尺寸。
此外,可以切断分离第二被剥离层23(2)的多个功能层23b(2)的间隙、分离第一被剥离层13(2)的多个功能层的间隙以及分离导电层13b(2)的间隙重叠的位置,而从一个叠层体92(2)制造多个具有功能层的叠层体92(3)(参照图34B2)。
注意,当从一个叠层体92(2)制造四个叠层体92(3)时,也可以使用分割成两个带状的第二支撑体42b(2)。通过使用形成为带状的第二支撑体42b(2),可以容易地将其与第二被剥离层23(2)贴合。或者,可以使用分割成四个的第二支撑体42b(2),还可以使用未被分割的第二支撑体42b(2)。
例如,在使用该方法制造在实施方式6中说明的具备WTC结构的发光面板的情况下,需要以CF衬底一侧的滤色片高精确地重叠于FET衬底一侧的像素的方式调整位置来进行贴合。此外,若加工构件较大,有时因弯曲等影响而使接合层、第一粘合层或第二粘合层的厚度不同。此外,有时因在贴合工序中混入的尘土、粉尘等而使构成叠层体的膜的一部分剥离。加工构件越大,尘土、粉尘等混入的可能性越高,因此需要降低制造装置的尘土、粉尘。
例如,可以将发光面板的制造工序分成下面的三个工序。
将FET衬底一侧的衬底被剥离且与第一支撑体贴合的状态、换言之第三步骤完成了的状态设为第一次的剥离工序。
将CF衬底一侧的衬底被剥离且与第二支撑体贴合的状态、换言之第九步骤的变形例子完成了的状态设为第二次的剥离工序。
将在FET衬底一侧形成到达导电层的开口部并使用各向异性导电膜连接了柔性印刷衬底的状态设为FPC连接工序。
表9汇总了在使用尺寸为300mm×360mm的第一衬底及第二衬底从一个叠层体制造两个具有WTC结构的5.3英寸的柔韧性显示装置的情况下的各工序的成品率。注意,表9示出了制造76个显示装置(38个衬底)的情况。
[表9]
各工序的成品率都是90%以上。整体的成品率为84%。另外,在第一次的剥离工序及第二次的剥离工序中,因异物而引起的有机膜的剥离的不良最多。
〈具有开口部的叠层体的制造方法〉
在本实时方式中说明的叠层体的制造方法在具有形成开口部的步骤这一点上与在实施方式3种说明的叠层体的制造方法不同。
在此,仅对不同步骤进行详细的说明,而关于可使用相同步骤的部分,援用上述说明。
将参照图35A1至图35D2说明具有开口部的叠层体的制造方法。
图35A1至图35D2是说明具有使被剥离层的一部分露出的开口部的叠层体的制造方法的图。图35A1、35B1、35C1以及35D1是说明叠层体的结构的截面图(左侧),而图35A2、35B2、35C2以及35D2是对应于上述截面图的俯视图(右侧)。
图35A1至图35B2是说明使用比第一支撑体41b小的第二支撑体42b制造具有开口部的叠层体92c的方法的图。
图35C1、35C2、35D1以及35D2是说明制造具有形成在第二支撑体42中的开口部的叠层体92d的方法的图。
《具有开口部的叠层体的制造方法例子1》
在上述第九步骤中,除了使用比第一支撑体41b小的第二支撑体42b代替第二支撑体42这一点不同之外,叠层体的制造方法具有相同的步骤。由此,可以制造第二被剥离层23的一部分露出的叠层体(参照图35A1及35A2)。
第二粘合剂层32既可使用液体状的粘合剂。又可使用流动性得到抑制且预先成型为单片形状的粘合剂(薄片状粘合剂)。通过使用薄片状粘合剂,可以减少露出到第二支撑体42b的外侧的第二粘合层32的量。另外,还可以容易使第二粘合层32的厚度均匀。
另外,也可以切除第二被剥离层23的露出部分,得到使第一被剥离层13露出的状态(参照图35B1及35B2)。
具体而言,使用其顶端锐利的刀等损伤第二被剥离层23的露出部分。接着,例如,将具有粘合性的胶带等以使应力集中到该损伤部附近的方式贴合到第二被剥离层23的一部分,来可以将第二被剥离层23的一部分与被贴合的胶带等一起剥离而选择性地切除该一部分。
另外,也可以在第一被剥离层13的一部分上选择性地形成能够抑制粘合层30粘合于第一被剥离层13的力的层。例如,可以选择性地形成不容易与粘合层30粘合的材料。具体而言,也可以将有机材料蒸镀为岛形状。由此,可以容易与第二被剥离层23一起选择性地除去粘合层30的一部分。其结果是,可以得到使第一被剥离层13露出的状态。
例如,在第一被剥离层13包括功能层及电连接于功能层的导电层13b的情况下,可以使导电层13b露出于第二叠层体92c的开口部。由此,可以将露出于第二叠层体92c的开口部的导电层13b用于被供应信号的端子。
其结果是,可以将其一部分露出于开口部的导电层13b用于能够取出由功能层供应的信号的端子。或者,可以用于能够被供应外部装置所供应的信号的端子。
《具有开口部的叠层体的制造方法例子2》
将具有设置为与设置在第二支撑体42中的开口部重叠的开口部的掩模48形成于叠层体92。接着,将溶剂49滴到掩模48的开口部。由此,可以使用溶剂49使露出于掩模48的开口部的第二支撑体42膨润或溶解(参照图35C1及35C2)。
在去除剩余的溶剂49之后,摩擦露出于掩模48的开口部的第二支撑体42等来施加应力。由此,可以去除与掩模48的开口部重叠的第二支撑体42等。
另外,通过使用使粘合层30膨润或溶解的溶剂,可以得到使第一被剥离层13露出的状态(参照图35D1及35D2)。
本实施方式可以与本说明书所示的其他实施方式适当地组合。
实施方式11
在本实施方式中,参照图36A至36C说明可以利用在实施方式2及实施方式3中说明的叠层体制造装置制造的具有柔性的输入输出装置的结构。
图36A是说明可应用于本发明的一个方式的信息处理装置的输入输出装置的结构的俯视图。
图36B是沿着图36A的切断线A-B及切断线C-D的截面图。
图36C是沿着图36A的切断线E-F的截面图。
<俯视图的说明>
在本实施方式中例示出的输入输出装置S00具有显示部S01(参照图36A)。
显示部S01具备多个像素S02以及多个摄像像素S08。摄像像素S08可以检测出触摸显示部S01的指头等。由此,使用摄像像素S08可以形成触摸传感器。
像素S02具备多个子像素(例如为子像素S02R),该子像素具备发光元件及能够供应用来驱动该发光元件的电力的像素电路。
像素电路与能够供应选择信号的布线以及能够供应图像信号的布线电连接。
另外,输入输出装置S00具备能够对像素S02供应选择信号的扫描线驱动电路S03g(1)及能够对像素S02供应图像信号的图像信号线驱动电路S03s(1)。
摄像像素S08具备光电转换元件以及用来驱动光电转换元件的摄像像素电路。
摄像像素电路与能够供应控制信号的布线以及能够供应电源电位的布线电连接。
作为控制信号,例如可以举出能够选择用于读出所记录的摄像信号的摄像像素电路的信号、能够使摄像像素电路初始化的信号以及能够决定摄像像素电路检测光的时间的信号等。
输入输出装置S00具备能够对摄像像素S08供应控制信号的摄像像素驱动电路S03g(2)及读出摄像信号的摄像信号线驱动电路S03s(2)。
<截面图的说明>
输入输出装置S00具有衬底S10及与衬底S10对置的对置衬底S70(参照图36B)。
衬底S10是叠层体,在该叠层体中层叠有具有柔性的衬底S10b、用来防止杂质无意地向发光元件扩散的阻挡膜S10a以及用来贴合衬底S10b与阻挡膜S10a的粘合层S10c。
对置衬底S70是叠层体,该叠层体包括具有柔性的衬底S70b、用来防止杂质无意地向发光元件扩散的阻挡膜S70a以及用来贴合衬底S70b与阻挡膜S70a的粘合层S70c(参照图36B)。
密封剂S60贴合对置衬底S70与衬底S10。另外,密封剂S60具有高于大气的折射率,兼作光学粘合层。像素电路及发光元件(例如为第一发光元件S50R)设置在衬底S10与对置衬底S70之间。
《像素结构》
像素S02具有子像素S02R、子像素S02G以及子像素S02B(参照图36C)。另外,子像素S02R具备发光模块S80R,子像素S02G具备发光模块S80G,子像素S02B具备发光模块S80B。
例如,子像素S02R具备第一发光元件S50R以及包含能够对第一发光元件S50R供应电力的晶体管S02t的像素电路(参照图36B)。另外,发光模块S80R具备第一发光元件S50R以及光学元件(例如为着色层S67R)。
发光元件S50R包括第一下部电极S51R、上部电极S52以及在下部电极S51R与上部电极S52之间的包含发光有机化合物的层S53(参照图36C)。
包含发光有机化合物的层S53包括发光单元S53a、发光单元S53b以及在发光单元S53a与发光单元S53b之间的中间层S54。
在发光模块S80R中,在对置衬底S70上具有第一着色层S67R。着色层只要是可以使具有特定的波长的光透过即可,例如,可以使用使呈现红色、绿色或蓝色等的光选择性地透过的着色层。此外,也可以设置使发光元件发射的光直接透过的区域。
例如,发光模块S80R具有与第一发光元件S50R及第一着色层S67R相接的密封剂S60。
第一着色层S67R位于与第一发光元件S50R重叠的位置。由此,使第一发光元件S50R发射的光的一部分透过兼作光学粘合层的密封剂S60及第一着色层S67R,如图36B和36C中的箭头所示地发射到发光模块S80R的外部。
《显示面板结构》
输入输出装置S00在对置衬底S70上具有遮光层S67BM。以包围着色层(例如为第一着色层S67R)的方式设置有遮光层S67BM。
输入输出装置S00具备位于与显示部S01重叠的位置上的反射防止层S67p。作为反射防止层S67p,例如可以使用圆偏振片。
输入输出装置S00具备绝缘膜S21,该绝缘膜S21覆盖晶体管S02t。另外,可以将绝缘膜S21用作使起因于像素电路的凹凸平坦化的层。此外,可以将层叠有能够抑制杂质向晶体管S02t等扩散的层的绝缘膜用于绝缘膜S21。
输入输出装置S00在绝缘膜S21上具有发光元件(例如为第一发光元件S50R)。
输入输出装置S00在绝缘膜S21上具有与第一下部电极S51R的端部重叠的隔壁S28(参照图36C)。另外,在隔壁S28上具有用来控制衬底S10与对置衬底S70的间隔的间隔物S29。
《图像信号线驱动电路结构》
图像信号线驱动电路S03s(1)包括晶体管S03t以及电容S03c。另外,驱动电路可以通过与像素电路相同的制造工序形成在与像素电路相同的衬底上。
《摄像像素结构》
摄像像素S08具备光电转换元件S08p以及用来检测照射到光电转换元件S08p的光的摄像像素电路。另外,摄像像素电路包括晶体管S08t。
例如,可以将pin型光电二极管用于光电转换元件S08p。
《其他结构》
输入输出装置S00具备能够供应信号的布线S11,端子S19设置在布线S11上。另外,能够供应图像信号及同步信号等信号的FPC(1)与端子S19电连接。
另外,该FPC(1)也可以安装有印刷线路板(PWB)。
本实施方式可以与本说明书所示的其他实施方式适当地组合。
实施方式12
在本实施方式中,参照图37A至图38说明作为输入机构将触摸传感器(触摸检测装置)重叠于显示部地设备且能够折叠的触摸面板的结构。
图37A是说明本发明的一个方式所示例的触摸面板F00的透视示意图。注意,为了明确起见,图37A和图37B示出典型的构成要素。图37B是将触摸面板F00展开的透视示意图。
图38是沿着图37A所示的触摸面板F00的Z1-Z2的截面图。
触摸面板F00具备显示部F01及触摸传感器F95(参照图37B)。另外,触摸面板F00具有衬底F10、衬底F70以及衬底F90。此外,衬底F10、衬底F70以及衬底F90都具有柔性。
显示部F01包括:衬底F10;在衬底F10上的多个像素;以及在衬底F10上的能够对像素供应信号的多个布线F11。多个布线F11被引导到衬底F10的外周部,其一部分构成端子F19。端子F19与FPC(1)电连接。
<触摸传感器>
在衬底F90中,具备触摸传感器F95以及多个与触摸传感器F95电连接的布线F98。多个布线F98被引导在衬底F90的外周部,其一部分构成用来与FPC(2)电连接的端子。另外,为了明确起见,在图37B中由实线示出设置在衬底F90的背面一侧(纸面的里面一侧)的触摸传感器F95的电极、布线等。
优选使用静电电容式的触摸传感器。作为静电电容式,有表面型静电电容式、投影型静电电容式等,作为投影型静电电容式,主要根据驱动方法的不同,有自电容式、互电容式等。当使用互电容式时,可以同时检测出多点,所以是优选的。
下面,参照图37B说明在采用投影型静电电容式的触摸传感器的情况,但是也可以应用能够检测出指头等检测对象接近或接触的各种传感器。
投影型静电电容式的触摸传感器F95具有电极F91及电极F92。电极F91与多个布线F98中的某一个电连接,电极F92与多个布线F98中的其他的某一个电连接。
如图37A和37B所示,电极F92具有多个四边形在一个方向上连续地配置的形状。此外,电极F91是四边形。电极F94电连接在与电极F92延伸的方向交叉的方向上排列的两个电极F91。此时,优选具有电极F92与布线F94的交叉部的面积尽量小的形状。由此,可以减少不设置电极的区域的面积,所以可以降低透射率的不均匀。其结果,可以降低透过触摸传感器F95的光的亮度不均匀。
另外,电极F91及电极F92的形状不局限于此,可以具有各种形状。例如,也可以采用如下结构:将多个电极F91配置为尽量没有间隙,并隔着绝缘膜间隔开地设置多个电极F92,以形成不重叠于电极F91的区域。此时,通过在相邻的两个电极F92之间设置与它们电绝缘的虚拟电极,可以减少透射率不同的区域的面积,所以是优选的。
参照图38说明触摸传感器F95的结构。
触摸传感器F95包括:衬底F90;在衬底F90上的配置为交错形状的电极F91及电极F92;覆盖电极F91及电极F92的绝缘层F93;以及使相邻的电极F91电连接的布线F94。
树脂层F97以触摸传感器F95与显示部F01重叠的方式贴合衬底F90与衬底F70。
电极F91及电极F92使用具有透光性的导电材料形成。作为具有透光性的导电材料,可以使用氧化铟、铟锡氧化物、铟锌氧化物、氧化锌、添加有镓的氧化锌等导电氧化物。
在通过溅射法在衬底F90上形成由具有透光性的导电材料构成的膜之后,可以通过光刻法等的已知的图案化技术去除不需要的部分来形成电极F91及电极F92。
此外,绝缘层F93覆盖电极F91及电极F92。作为用于绝缘层F93的材料,除了丙烯酸树脂、环氧树脂、具有硅氧烷键的树脂之外,例如还可以使用氧化硅、氧氮化硅、氧化铝等无机绝缘材料。
达到电极F91的开口设置在绝缘层F93中,并且布线F94电连接相邻的电极F91。由于使用透光导电材料形成的布线F94可以提高触摸面板的开口率,所以是优选的。另外,优选将其导电性比电极F91及电极F92高的材料用于布线F94。
一个电极F92延在一个方向上,多个电极F92设置为条纹状。
布线F94以与电极F92交叉的方式设置。
夹着一个电极F92设置有一对电极F91,并且一对电极F91电连接于布线F94。
另外,多个电极F91不一定必须设置在与一个电极F92正交的方向上,也可以设置为成小于90°角。
一个布线F98与电极F91或电极F92电连接。布线F98的一部分用作端子。作为布线F98,例如可以使用金属材料诸如铝、金、铂、银、镍、钛、钨、铬、钼、铁、钴、铜或钯等或者包含该金属材料的合金材料。
另外,通过设置覆盖绝缘层F93及布线F94的绝缘层,可以保护触摸传感器F95。
另外,连接层F99电连接布线F98与FPC(2)。
作为连接层F99,可以使用已知的各向异性导电膜(ACF:Anisotropic Conductive Film)、各向异性导电膏(ACP:AnisotropicConductive Paste)等。
粘合层F97具有透光性。例如,可以使用热固化树脂、紫外线固化树脂,具体而言,可以使用丙烯酸树脂、聚氨酯树脂、环氧树脂或具有硅氧烷键的树脂等的树脂。
<显示部>
显示部F01具备配置为矩阵状的多个像素。像素具备显示元件及驱动显示元件的像素电路。
在本实施方式中说明将白色的有机电致发光元件应用于显示元件的情况,但是显示元件不局限于此。
例如,作为显示元件,除了有机电致发光元件之外,还可以使用利用电泳方式、电子粉流体方式等进行显示的显示元件(也称为电子墨水)、快门方式的MEMS显示元件、光干涉方式的MEMS显示元件等各种显示元件。另外,适用于所采用的显示元件的结构可以从已知的像素电路选择而使用。
衬底F10是叠层体,在该叠层体中层叠有具有柔性的衬底F10b、用来防止杂质地无意向发光元件扩散的阻挡膜F10a以及用来贴合衬底F10b与阻挡膜F10a的粘合层F10c。
衬底F70是叠层体,在该叠层体中层叠有具有柔性的衬底F70b、用来防止杂质无意地向发光元件扩散的阻挡膜F70a以及用来贴合衬底F70b与阻挡膜F70a的树脂层F70c。
密封剂F60贴合衬底F70与衬底F10。此外,密封剂F60具有高于大气的折射率,并兼作光学粘合层。像素电路及发光元件(例如为第一发光元件F50R)设置在衬底F10与衬底F70之间。
《像素结构》
像素包含子像素F02R,子像素F02R具备发光模块F80R。
子像素F02R具备第一发光元件F50R以及包含能够对第一发光元件F50R供应电力的晶体管F02t的像素电路。另外,发光模块F80R具备第一发光元件F50R以及光学元件(例如为第一着色层F67R)。
第一发光元件F50R包括下部电极、上部电极以及在下部电极与上部电极之间的包含发光有机化合物的层。
发光模块F80R在衬底F70上具有第一着色层F67R。着色层只要是可以使具有特定的波长的光透过即可,例如,可以使用使呈现红色、绿色或蓝色等的光选择性地透过的着色层。或者,也可以设置使发光元件发射的光直接透过的区域。
发光模块F80R具有相接于第一发光元件F50R及第一着色层F67R的密封剂F60。
第一着色层F67R位于与第一发光元件F50R重叠的位置。由此,使第一发光元件F50R发射的光的一部分透过兼作光学粘合层的密封剂F60及第一着色层F67R,如图中的箭头所示地发射到发光模块F80R的外部。
《显示部结构》
显示部F01在衬底F70上具有遮光层F67BM。以包围着色层(例如为第一着色层F67R)的方式设置有遮光层F67BM。
显示部F01在重叠于像素的位置上具备反射防止层F67p。作为反射防止层F67p,例如可以使用圆偏振片。
显示部F01具备绝缘膜F21。该绝缘膜F21覆盖晶体管F02t。另外,可以将绝缘膜F21用作使起因于像素电路的凹凸平坦化的层。此外,可以将层叠有能够抑制杂质的向晶体管F02t等的扩散的层的叠层膜适用于绝缘膜F21。
显示部F01在绝缘膜F21上具有发光元件(例如为第一发光元件F50R)。
显示部F01绝缘膜F21上具有与第一下部电极的端部重叠的隔壁F28。另外,在隔壁F28上具有用来控制衬底F10与衬底F70的间隔的间隔物。
《像素信号线驱动电路结构》
像素信号线驱动电路F03s(1)包括晶体管F03t以及电容F03c。另外,驱动电路可以通过与像素电路相同的制造工序形成在与像素电路相同的衬底上。
《其他结构》
显示部F01具备能够供应信号的布线F11,端子F19设置于布线F11。另外,能够供应图像信号及同步信号等信号的FPC(1)与端子F19电连接。
另外,该FPC(1)也可以安装有印刷线路板(PWB)。
本实施方式可以与本说明书所示的其他实施方式适当地组合。
Claims (15)
1.一种支撑体供应装置,包括:
对准部;
设置有切割器的切口形成部;
设置有剥离机构的剥离部;
第一传送机构;
第二传送机构;以及
工作台,
其中,所述第一传送机构被配置为将支撑体及与所述支撑体的一个面相接的隔膜传送到所述对准部,该操作在所述第一传送机构支撑所述支撑体的另一个面的期间中执行,并且所述第一传送机构被配置为将所述支撑体及所述隔膜放置于所述工作台的预定位置处,
其中,所述工作台被配置为:进行移动且旋转,以在所述对准部中针对所述预定位置调整所述支撑体及所述隔膜,将所述支撑体及所述隔膜固定在所述预定位置处,并且将所述支撑体及所述隔膜从所述对准部传送到所述切口形成部,
其中,所述第二传送机构被配置为在所述切口形成部与所述剥离部之间传送所述支撑体及所述隔膜,该操作在所述第二传送机构支撑所述支撑体的所述另一个面的期间中执行,
其中,所述切割器被配置为在所述支撑体的端部的附近形成不穿过所述隔膜的切口,并且
其中,所述剥离机构被配置为保持且拉伸与所述支撑体的所述端部重叠的所述隔膜,并接着从所述支撑体剥离所述隔膜。
2.根据权利要求1所述的支撑体供应装置,还包括所述对准部中的相机,其中所述相机被配置为进行拍照以判断所述支撑体及所述隔膜是否位于所述工作台的所述预定位置处。
3.根据权利要求1所述的支撑体供应装置,其中所述工作台被配置为在所述切口形成部中旋转。
4.根据权利要求1所述的支撑体供应装置,还包括预处理部,该预处理部包括:
第一预处理机构,使用超声波照射所述支撑体的所述一个面,并一边喷射压缩空气一边抽吸气氛;或者
第二预处理机构,使用紫外线照射所述支撑体的所述一个面。
5.根据权利要求1所述的支撑体供应装置,还包括预处理部,该预处理部包括:
第一预处理机构,使用超声波照射所述支撑体的所述一个面,并一边喷射压缩空气一边抽吸气氛;以及
第二预处理机构,使用紫外线照射所述支撑体的所述一个面。
6.根据权利要求1所述的支撑体供应装置,还包括薄片供应部,该薄片供应部包括:
托盘,其中储存有包括所述支撑体及所述隔膜的叠层膜;
重送防止机构,对由所述第一传送机构从所述托盘拾起的所述叠层膜的端部喷射气体;以及
重送检测机构,检测由所述第一传送机构拾起的所述叠层膜是否是一个。
7.根据权利要求1所述的支撑体供应装置,还包括薄片供应部,该薄片供应部包括:
开卷机构,将包括处于被卷起的状态的所述支撑体及所述隔膜的叠层膜开卷并供应所述叠层膜;
切割机构,将所述叠层膜切割成预定大小的薄片状叠层膜;以及
托盘,其中储存有所述薄片状叠层膜。
8.一种供应支撑体的方法,包括如下步骤:
由第一传送机构将支撑体及与所述支撑体的一个面相接的隔膜传送到对准部,该操作在所述第一传送机构支撑所述支撑体的另一个面的期间中执行;
移动且旋转工作台以在所述对准部中针对所述工作台的预定位置调整所述支撑体及所述隔膜;
将所述支撑体及所述隔膜放置于所述工作台的所述预定位置处;
将所述支撑体及所述隔膜从所述对准部传送到切口形成部;
在所述切口形成部中的所述支撑体的端部附近形成不穿过所述隔膜的切口;
由第二传送机构将所述支撑体及所述隔膜从所述切口形成部传送到剥离部,该操作在所述第二传送机构支撑所述支撑体的所述另一个面的期间中执行;以及
保持且拉伸与所述支撑体的所述端部重叠的所述隔膜,并接着由剥离机构从所述支撑体剥离所述隔膜。
9.根据权利要求8所述的供应支撑体的方法,其中在将所述支撑体及所述隔膜放置于所述工作台的所述预定位置处的步骤中,相机进行拍照以判断所述支撑体及所述隔膜是否位于所述工作台的预定位置处。
10.根据权利要求8所述的供应支撑体的方法,其中在形成所述切口的步骤之前,所述工作台在所述切口形成部中旋转。
11.根据权利要求8所述的供应支撑体的方法,还包括如下步骤:
使用超声波照射所述支撑体的所述一个面,并一边喷射压缩空气一边抽吸气氛;或者
使用紫外线照射所述支撑体的所述一个面。
12.根据权利要求8所述的供应支撑体的方法,还包括如下步骤:
使用超声波照射所述支撑体的所述一个面,并一边喷射压缩空气一边抽吸气氛;以及
使用紫外线照射所述支撑体的所述一个面。
13.一种包括通过根据权利要求8所述的供应支撑体的方法来供应的支撑体的半导体装置。
14.一种包括通过根据权利要求8所述的供应支撑体的方法来供应的支撑体的发光装置。
15.一种包括通过根据权利要求8所述的供应支撑体的方法来供应的支撑体的显示装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201911097742.XA CN110993829B (zh) | 2013-08-30 | 2014-08-29 | 支撑体供应装置、叠层体制造装置 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013179700 | 2013-08-30 | ||
JP2013-179700 | 2013-08-30 | ||
JP2014029405 | 2014-02-19 | ||
JP2014-029405 | 2014-02-19 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201911097742.XA Division CN110993829B (zh) | 2013-08-30 | 2014-08-29 | 支撑体供应装置、叠层体制造装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN104425319A true CN104425319A (zh) | 2015-03-18 |
CN104425319B CN104425319B (zh) | 2019-12-10 |
Family
ID=52581951
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201911097742.XA Expired - Fee Related CN110993829B (zh) | 2013-08-30 | 2014-08-29 | 支撑体供应装置、叠层体制造装置 |
CN201410436403.0A Expired - Fee Related CN104425319B (zh) | 2013-08-30 | 2014-08-29 | 支撑体供应装置、叠层体制造装置 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201911097742.XA Expired - Fee Related CN110993829B (zh) | 2013-08-30 | 2014-08-29 | 支撑体供应装置、叠层体制造装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
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US (2) | US9455418B2 (zh) |
JP (3) | JP6359388B2 (zh) |
KR (1) | KR102254536B1 (zh) |
CN (2) | CN110993829B (zh) |
TW (2) | TWI671141B (zh) |
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- 2014-08-26 US US14/468,808 patent/US9455418B2/en active Active
- 2014-08-29 KR KR1020140114454A patent/KR102254536B1/ko active IP Right Grant
- 2014-08-29 CN CN201911097742.XA patent/CN110993829B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2014-08-29 CN CN201410436403.0A patent/CN104425319B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2014-08-29 JP JP2014174889A patent/JP6359388B2/ja active Active
-
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- 2016-07-26 US US15/219,930 patent/US10065808B2/en not_active Expired - Fee Related
-
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Publication number | Publication date |
---|---|
KR20150026978A (ko) | 2015-03-11 |
JP6359388B2 (ja) | 2018-07-18 |
US20150060933A1 (en) | 2015-03-05 |
CN104425319B (zh) | 2019-12-10 |
JP2015171947A (ja) | 2015-10-01 |
JP2020023398A (ja) | 2020-02-13 |
TW201521890A (zh) | 2015-06-16 |
JP6596123B2 (ja) | 2019-10-23 |
US20160332826A1 (en) | 2016-11-17 |
CN110993829A (zh) | 2020-04-10 |
JP2018150178A (ja) | 2018-09-27 |
TWI705861B (zh) | 2020-10-01 |
JP6823134B2 (ja) | 2021-01-27 |
TW201936280A (zh) | 2019-09-16 |
US10065808B2 (en) | 2018-09-04 |
US9455418B2 (en) | 2016-09-27 |
TWI671141B (zh) | 2019-09-11 |
KR102254536B1 (ko) | 2021-05-20 |
CN110993829B (zh) | 2022-07-26 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20191210 |