CN108962809B - 基板处理装置以及基板保持部的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及基板处理装置以及基板保持部的制造方法，能够高效地进行伴随紫外线处理的基板处理。所述基板处理装置具有：第一保持部，其保持被处理基板(W)；第二保持部，其与第一保持部相向配置，并对支承基板(S)进行静电吸附来保持支承基板(S)；以及紫外线照射部，其对设置在被第一保持部保持的被处理基板(W)与被第二保持部保持的支持基板(S)之间的粘接剂(G)照射紫外线。支承基板(S)和第二保持部分别由透过紫外线的材料构成。在第二保持部的内部设置有用于对支承基板(S)进行静电吸附的电极。在第二保持部的内部中的比电极靠支承基板(S)侧的位置形成有用于使紫外线的透过方向扩散的扩散层。

Description

基板处理装置以及基板保持部的制造方法
技术领域
本发明涉及一种对被处理基板和支承基板进行规定的处理的基板处理装置、以及进行静电吸附来保持基板的基板保持部的制造方法。
背景技术
近年来，例如在半导体元件的制造工序中，硅晶圆、化合物半导体晶圆等半导体基板不断向大口径化以及薄化发展。这样的大口径且薄的半导体基板(以下称作被处理基板。)在搬送时、研磨处理时存在发生翘曲、裂纹的风险。因此，通过将支承基板粘贴于被处理基板来加强被处理基板。
例如在专利文献1中公开了如下内容：借助粘接带将被处理基板(晶圆)与支承基板(玻璃板)接合。而且，在像这样接合被处理基板与支承基板之后，从支承基板侧照射紫外线，使粘接带的粘接性提高。
专利文献1：日本特开2015-149433号公报
发明内容
发明要解决的问题
然而，在专利文献1所记载的方法中，分别进行被处理基板与支承基板的接合处理以及自支承基板侧的紫外线处理，因此一系列的基板处理的生产率具有改善的余地。而且，在专利文献1中，没有公开用于提高所述生产率的具体的装置结构，也没有提示。
本发明是鉴于所述点而发明的，其目的在于高效地进行伴随紫外线处理的基板处理。
用于解决问题的方案
为了达成所述的目的，本发明为对被处理基板和支承基板进行规定的处理的基板处理装置，其特征在于，具有：第一保持部，其保持所述被处理基板；第二保持部，其与所述第一保持部相向配置，并且对所述支承基板进行静电吸附来保持所述支承基板；以及紫外线照射部，其对设置在被所述第一保持部保持的所述被处理基板与被所述第二保持部保持的所述支承基板之间的紫外线固化材料照射紫外线，其中，所述支承基板和所述第二保持部分别由透过紫外线的材料构成，在所述第二保持部的内部设置用于对所述支承基板进行静电吸附的电极，在所述第二保持部的内部中的比所述电极靠所述支承基板侧的位置形成有用于使紫外线的透过方向扩散的扩散层。
在本发明的基板处理装置中，能够在由第一保持部保持被处理基板、并且由第二保持部保持支承基板的状态下借助紫外线固化材料将被处理基板与支承基板接合。另外，在基板处理装置中，能够利用紫外线照射部从第二保持部和支承基板侧对紫外线固化材料照射紫外线。像这样，根据本发明，能够通过一个装置进行接合处理和紫外线处理，从而能够使一系列的基板处理的生产率提高。
另外，为了抑制空气进入被处理基板与支承基板之间而产生空隙，优选本发明的基板处理在真空气氛下进行。为了在这样的真空气氛下保持支承基板，在第二保持部的内部设置电极，利用该电极对支承基板进行静电吸附。然而，在紫外线处理中，紫外线透过第二保持部的内部，但当存在电极时，紫外线的分布产生不均。即，由于第二保持部的紫外线透过率与电极的紫外线透过率不同，因此例如没有设置有电极的部位的紫外线透过率高，但设置有电极的部位的紫外线透过率低。于是，不能够均匀地进行紫外线处理，使得接合后的复合基板的接合状态(接合强度、厚度)不均匀。并且，在紫外线固化材料用于光学的应用的情况下，当像这样不均匀地进行紫外线处理时，在产品中也产生光的透过情况不均匀。
因此，在本发明的第二保持部的内部中的比电极靠支承基板侧的位置形成有扩散层。通过该扩散层，紫外线的透过方向扩散，由此能够使因电极有无而不均匀的紫外线分布变得均匀。因而，根据本发明，能够均匀地进行紫外线处理。
所述扩散层可以在比所述电极靠所述支承基板侧的位置形成有多层。
所述基板处理装置还可以具有在内部收容所述被处理基板和所述支承基板的真空腔室。
所述紫外线照射部可以设置于所述真空腔室的外部。
所述第二保持部可以设置为所述支承基板的保持面位于真空腔室的内部，并且与该保持面相反侧的面从所述真空腔室露出。
基于其它观点的本发明为对基板进行静电吸附来保持基板的基板保持部的制造方法，其特征在于，具有：第一工序，在第一基体的表面形成凹凸；第二工序，在所述第一基体的表面设置电极；以及第三工序，在所述第一基体的表面与第二基体的表面之间充填充填剂，来粘贴该第一基体与第二基体。
所述基板保持部的制造方法可以在所述第三工序之后具有在所述第一基体的背面形成凹凸的第四工序。
所述基板可以是借助紫外线固化材料支承被处理基板的支承基板。
发明的效果
根据本发明，能够高效地进行伴随紫外线处理的基板处理。
附图说明
图1是示出具备本实施方式所涉及的基板处理装置的基板处理系统的结构的概要的俯视图。
图2是示出基板处理系统的内部结构的概要的侧视图。
图3是被处理基板与支承基板的侧视图。
图4是示出基板处理装置的结构的概要的侧视图。
图5是放大了第二保持部的一部分的说明图。
图6示出透过第二保持部的紫外线的透过率的分布，图6的(a)示出不形成扩散层的情况下的紫外线透过率的分布，图6的(b)示出形成了扩散层的情况下的紫外线透过率的分布。
图7是示出第二保持部的制造方法中的主要的工序的说明图。
图8是其它实施方式所涉及的放大了第二保持部的一部分的说明图。
图9是其它实施方式所涉及的放大了第二保持部的一部分的说明图。
附图标记说明
1：基板处理系统；30～33：接合装置；100：真空腔室；200：第一保持部；300：第二保持部；310：基体；311：第一基体；312：第二基体；313：充填剂；320：电极；330、331：扩散层；400：紫外线照射部；G：粘接剂；S：支承基板；T：复合基板；W：被处理基板。
具体实施方式
下面参照附图来说明本发明的实施方式。在本实施方式中，作为基板的处理，说明将被处理基板与支承基板接合的接合处理、以及对作为紫外线固化材料的粘接剂进行的紫外线处理。此外，并非通过以下所示的实施方式来限定本发明。
<1.基板处理系统的结构>
首先，参照图1～图3来说明具备本实施方式所涉及的基板处理装置的基板处理系统的结构。图1是示出基板处理系统的结构的概要的俯视图。图2是示出基板处理系统的内部结构的概要的侧视图。图3是被处理基板和支承基板的侧视图。此外，在以下，为了使位置关系明确，规定彼此正交的X轴方向、Y轴方向以及Z轴方向，并且将Z轴正向设为铅垂向上方向。
在以下，如图3所示，将被处理基板W的板面中的借助粘接剂G来与支承基板S接合的一侧的板面称作“接合面Wj”，将与接合面Wj相反侧的板面称作“非接合面Wn”。另外，将支承基板S的板面中的借助粘接剂G来与被处理基板W接合的一侧的板面称作“接合面Sj”，将与接合面Sj相反侧的板面称作“非接合面Sn”。而且，被处理基板W与支承基板S借助粘接剂G被接合，从而制作复合基板T。
被处理基板W为例如在硅晶圆、化合物半导体晶圆等半导体基板形成有多个电子电路(元件)的基板，并且将形成电子电路的一侧的板面设为接合面Wj。所述被处理基板W在与支承基板S接合后，对非接合面Wn进行研磨处理，由此进行薄化。此外，被处理基板W也可以使用玻璃基板。
支承基板S是与被处理基板W大致等径的基板，并且支承被处理基板W。支承基板S例如使用玻璃基板等。此外，支承基板S如果由透过紫外线的材料构成则不特别进行限定，例如可以使用石英板、蓝宝石板、亚克力板等。
利用粘接剂G来粘接接合被处理基板W与支承基板S。此外，粘接剂G使用会因紫外线固化的材料、例如紫外线固化树脂。
如图1和图2所示，基板处理系统1例如具有一体化连接搬入搬出站2与处理站3的结构，所述搬入搬出站2在其与外部之间搬入搬出能够分别收容多个被处理基板W、多个支承基板S、多个复合基板T的盒Cw、Cs、Ct，所述处理站3具备对被处理基板W、支承基板S、复合基板T实施规定的处理的各种处理装置。
在搬入搬出站2设置有盒载置台10。在盒载置台10设置有多个、例如四个盒载置板11。盒载置板11沿Y轴方向(图1中的上下方向)排列成一列地进行配置。在相对于基板处理系统1的外部搬入搬出盒Cw、Cs、Ct时，能够在这些盒载置板11上载置盒Cw、Cs、Ct。像这样，搬入搬出站2构成为能够保有多个被处理基板W、多个支承基板S、多个复合基板T。
此外，盒载置板11的个数不限定为本实施方式，能够任意地确定。另外，可以使用其中一个盒用于不良基板的回收。即，为能够将因各种原因而导致被处理基板W与支承基板S的接合发生不良的基板与其它正常的复合基板T分离的盒。
在搬入搬出站2中，以与盒载置台10相邻的方式设置有第一基板搬送区域20。在第一基板搬送区域20设置有能够在沿Y轴方向延伸的搬送路21上自由移动的第一基板搬送装置22。第一基板搬送装置22也能够沿铅垂方向以及绕铅垂轴(θ方向)自由移动，并且能够在各盒载置板11上的盒Cw、Cs、Ct与后述的处理站3的第三处理块G3的传送装置50、51之间搬送被处理基板W、支承基板S、复合基板T。
在处理站3设置有具备各种处理装置的多个例如三个处理块G1、G2、G3。例如在处理站3的正面侧(图1中的Y轴负方向侧)设置有第一处理块G1，在处理站3的背面侧(图1中的Y轴正方向侧)设置有第二处理块G2。另外，在处理站3的搬入搬出站2侧(图1中的X轴负方向侧)设置有第三处理块G3。
例如对被处理基板W和支承基板S进行接合处理和紫外线处理的基板处理装置30～33以从搬入搬出站2侧起按照这个顺序沿X轴方向排列的方式配置于第一处理块G1。此外，能够任意地设定基板处理装置30～33的装置个数、配置。另外，在之后对基板处理装置30～33的结构进行叙述。
例如对被处理基板W涂布粘接剂G的涂布装置40～43以从搬入搬出站2侧起按照这个顺序沿X轴方向排列的方式配置于第二处理块G2。此外，涂布装置40～43的装置个数、配置能够任意地进行设定。
上述涂布装置40～43使用公知的旋转涂布装置。即，涂布装置40～43具有保持被处理基板W并使其旋转的旋转卡盘、向被保持于旋转卡盘的被处理基板W上供给粘接剂G的粘接剂喷嘴。
例如被处理基板W、支承基板S、复合基板T的传送装置50、51从下起按照这个顺序分两层设置于第三处理块G3。此外，在第三处理块G3还可以设置有读取接合前的被处理基板W、支承基板S的识别序号来识别被处理基板W、支承基板S的基板识别装置(未图示)、被处理基板W、支承基板S、复合基板T的缓冲装置(未图示)。
如图1所示，在由第一处理块G1～第三处理块G3所围成的区域中形成有第二基板搬送区域60。在第二基板搬送区域60中例如配置有第二基板搬送装置61。
第二基板搬送装置61具有例如在铅垂方向、水平方向(X轴方向、Y轴方向)上以及绕铅垂轴自由移动的搬送臂。第二基板搬送装置61在第二基板搬送区域60内移动，从而能够向周围的第一处理块G1、第二处理块G2和第三处理块G3内的规定的装置搬送被处理基板W、支承基板S、复合基板T。
如图1所示，在以上的基板处理系统1中设置有控制部70。控制部70例如为计算机，具有程序保存部(未图示)。在程序保存部中保存有用于控制基板处理系统1中的被处理基板W、支承基板S、复合基板T的处理的程序。另外，在程序保存部中还保存有用于控制上述的各种处理装置、搬送装置等驱动系统的动作来实现基板处理系统1中的后述的接合处理的程序。此外，所述程序例如记录在可由计算机读取的硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁光盘(MO)、存储卡等可由计算机读取的存储介质H中，也可以从该存储介质H中安装于控制部70。
<2.基板处理装置的结构>
接着，对上述的基板处理装置30～33的结构进行说明。此外，在以下对基板处理装置30的结构进行说明，基板处理装置31～33的结构与基板处理装置30的结构相同，因此省略说明。
如图4所示，基板处理装置30具有能够密闭内部的真空腔室100。在真空腔室100中设置例如具备真空泵的减压机构(未图示)，利用该减压机构使真空腔室100的内部维持为规定的真空度的真空气氛。此外，在真空腔室100中可以设置有向真空腔室100内例如供给氮气等非活性气体的气体供给机构(未图示)。
在真空腔室100的第二基板搬送区域60侧的侧面形成被处理基板W、支承基板S、复合基板T的搬入搬出口(未图示)，在该搬入搬出口设置有开闭闸门(未图示)。而且，在真空腔室100的内部收容被处理基板W、支承基板S、复合基板T。
在真空腔室100的内部具有在下表面保持被处理基板W的第一保持部200、在上表面保持支承基板S的第二保持部300。第二保持部300设置于第一保持部200的下方，以与第一保持部200相向的方式配置。即，被保持于第一保持部200的被处理基板W与被保持于第二保持部300的支承基板S相向地配置。
第一保持部200使用公知的静电卡盘。为了恰当地进行被处理基板W与支承基板S的接合处理，这些被处理基板W与支承基板S需要被保持在规定的位置。因此，第一保持部200使用在真空气氛下也能够恰当地保持被处理基板W的静电卡盘。
另外，第一保持部200构成为能够利用升降机构(未图示)沿铅垂方向自由升降。此外，也可以构成为将真空腔室100分隔为上部腔室和下部腔室，将上部腔室构成为沿铅垂方向自由升降，第一保持部200与该上部腔室连动地自由升降。
第二保持部300使用静电卡盘。该第二保持部300使用静电卡盘的理由也与上述的第一保持部200使用静电卡盘的理由相同。此外，在之后对第二保持部300的结构进行叙述。
另外，第二保持部300设置为其下部(底面)从真空腔室100露出。如后述的那样，在第二保持部300的下方设置紫外线照射部400，从该紫外线照射部400照射的紫外线透过第二保持部300的内部。当第二保持部300完全设置于真空腔室100的内部时，需要由紫外线可透过的材料形成真空腔室100的底面的一部分。关于该点，在本实施方式中，使第二保持部300从真空腔室100露出，因此不需由紫外线透过材料形成真空腔室100的底面。因而，能够简化装置结构，从而能够抑制装置所需的成本。
在真空腔室100的外部设置有对粘接剂G照射紫外线的紫外线照射部400。从紫外线照射部400照射的紫外线的波长并不特别进行限定，例如为365nm。
紫外线照射部400使用公知的紫外线照射装置。即，紫外线照射部400具有例如在基板上配置有多个LED(发光二极管)的结构。在该情况下，LED在紫外线照射时的发热量大，另外还产生排气，因此紫外线照射部400配置于真空腔室100的外部。
此外，除了上述的结构外，在基板处理装置30中还设置有在接合前调节被处理基板W或支承基板S的水平方向的朝向的位置调节部(未图示)、在接合前使被处理基板W或支承基板S翻转的翻转部(未图示)等。
另外，基板处理装置30～33中的各部的动作由上述的控制部70进行控制。
<3.第二保持部的结构以及其制造方法>
接着，对上述的第二保持部300的结构以及其制造方法进行说明。图5为放大了第二保持部300的一部分的说明图。
如图5所示，第二保持部300具有平板状的基体310。基体310例如使用石英玻璃等。此外，基体310如果由透过紫外线的材料构成则不特别进行限定，例如可以使用其它透明体。
在基体310的内部设置有用于静电吸附支承基板S的电极320。电极320例如使用ITO(氧化铟锡)。此外，电极320如果由透过紫外线的材料构成则不特别进行限定，例如可以使用其它透明电极。
电极320在侧视观察时以规定的间隔例如0.2μm进行配置，另外，在俯视观察时配置为梳齿状。在此，为了在第二保持部300静电吸附作为绝缘体的支承基板S，使用所谓的梯度型的静电卡盘。在所述情况下，在第二保持部300中，对电极320施加电荷，通过静电感应或介电极化带电来吸附支承基板S。而且，如上述的那样，使电极320较细并且使间隔狭窄，由此形成大的不平等电场，由此能够利用梯度力吸附作为绝缘体的支承基板S。
在基体310的内部，在电极320的上方形成有使紫外线的透过方向扩散的扩散层330。扩散层330具有凹凸，能够通过该凹凸使紫外线漫反射而扩散。另外，扩散层330在俯视观察时形成于基体310的整面。
在此，对扩散层330的作用效果进行说明。图6示出透过第二保持部300的紫外线的透过率的分布，图6的(a)示出没有形成扩散层330的情况下的紫外线透过率的分布，图6的(b)示出形成有扩散层330的情况下的紫外线透过率的分布。
当参照图6的(a)时，在设置有电极320的部分处紫外线透过率低至40％，在没有设置电极320的部分处紫外线透过率高至90％。这是因为电极320容易吸收紫外线，相比于基体310难以透过紫外线。即，在电极320和基体310中，紫外线透过率不同。因而，在没有形成扩散层330的情况下，紫外线透过率的分布(水平方向分布)不均匀，照射于粘接剂G的紫外线产生因电极320的图案引起的投影不均。因此，不能够均匀地进行针对粘接剂G的紫外线处理。而且，在紫外线处理中，当像这样在粘接剂G中的紫外线照射强度产生不均时，粘接剂G的固化产生时间差，这导致固化不均。当产生固化不均时，有时复合基板T的接合状态(接合强度、厚度)不均匀。
另一方面，当参照图6的(b)时，透过了扩散层330的紫外线的透过率在水平方向上均匀。这是因为透过了电极320或基体310的紫外线通过扩散层330扩散，均匀地分布于水平方向上。因而，在形成有扩散层330的情况下，不管有无电极320都能够使紫外线透过率的分布均匀，从而能够均匀地进行针对粘接剂G的紫外线处理。
接着，对具有以上的结构的第二保持部300的制造方法进行说明。图7是示出所述第二保持部300的制造方法中的主要的工序的说明图。
首先，如图7的(a)所示，在平板状的第一基体311的表面311a形成凹凸。例如利用喷砂在表面311a的整面形成凹凸。而且，形成有该凹凸的表面311a成为扩散层330。此外，表面311a的凹凸的形成方法不限定为本实施方式。例如可以在表面311a粘贴具备凹凸的树脂系的薄片。
接着，如图7的(b)所示，在第一基体311的表面311a设置电极320。电极320例如通过照相凹版印刷设定为规定的图案(线和空间)。此外，电极320的配设方法不限定为本实施方式。例如可以进行光刻处理来在表面311a设置电极320。
接着，如图7的(c)所示，以第一基体311的表面311a与平板状的第二基体312的表面312a相向的方式配置第一基体311和第二基体312。而且，在第一基体311的表面311a与第二基体312的表面312a之间充填充填剂313来粘贴第一基体311与第二基体312。此外，充填剂313例如使用有机系的粘接剂。
接着，如图7的(d)所示，切削并且研磨第一基体311的背面311b，使第一基体311薄化。此外，第一基体311、第二基体312和充填剂313构成基体310。像这样制作第二保持部300。
<4.基板处理系统的动作>
接着，对使用如以上那样构成的基板处理系统1进行的被处理基板W和支承基板S的基板处理方法进行说明。
首先，将收容有多张被处理基板W的盒Cw、收容有多张支承基板S的盒Cs以及空的盒Ct载置于搬入搬出站2的规定的盒载置板11。之后，利用第一基板搬送装置22取出盒Cs内的支承基板S，并且搬送到处理站3的第三处理块G3的传送装置50。此时，支承基板S在其接合面Sj朝向上方的状态下被搬送。
接着，利用第二基板搬送装置61向涂布装置40搬送支承基板S。被搬入到涂布装置40的支承基板S从第二基板搬送装置61交接到旋转卡盘并被吸附保持。此时，支承基板S的非接合面Sn被吸附保持。然后，一边利用旋转卡盘使支承基板S旋转，一边从粘接剂喷嘴向支承基板S的接合面Sj供给粘接剂G。供给来的粘接剂G由于离心力扩散到支承基板S的整个接合面Sj，从而向该支承基板S的接合面Sj涂布粘接剂G。
接着，利用第二基板搬送装置61向基板处理装置30搬送支承基板S。在基板处理装置30中，利用位置调节部调节支承基板S的切口部的位置，该支承基板S的水平方向的朝向被调节。而且，支承基板S被保持于第二保持部300。在第二保持部300中，在支承基板S的接合面Sj朝向上方的状态、即粘接剂G朝向上方的状态下保持支承基板S。
在对支承基板S进行上述的处理的期间，在该支承基板S之后进行被处理基板W的处理。利用第二基板搬送装置61向基板处理装置30搬送被处理基板W。此时，被处理基板W在其接合面Wj朝向上方的状态下被搬送。
在基板处理装置30中，利用位置调节部调节被处理基板W的切口部的位置，在该被处理基板W的水平方向的朝向被调节之后，利用翻转部将被处理基板W的表背面翻转。而且，被处理基板W保持于第一保持部200。在第一保持部200中，在被处理基板W的接合面Wj朝向下方的状态下保持被处理基板W。
之后，在基板处理装置30中，调节被保持于第一保持部200的被处理基板W与被保持于第二保持部300的支承基板S的水平方向的相向位置，并且密闭真空腔室100。接着，利用减压机构吸引真空腔室100的内部的气氛，将真空腔室100的内部减压到规定的真空度、例如100Pa以下。即使像这样真空腔室100的内部维持为真空气氛，第一保持部200也能够进行静电吸附来保持被处理基板W，另外第二保持部300也能够进行静电吸附来保持支承基板S。
而且，在该真空气氛下，使第一保持部200下降，按压被处理基板W与支承基板S来进行接合。此时，真空腔室100的内部维持为真空气氛，因此即使将被处理基板W与支承基板S抵接，也能够抑制该被处理基板W与支承基板S之间产生空隙。
另外，在该接合处理中，使第一保持部200下降，当被处理基板W与支承基板S上的粘接剂G抵接时，从紫外线照射部400朝向粘接剂G照射例如365nm波长的紫外线。紫外线透过第二保持部300和支承基板S照射到粘接剂G，该粘接剂G的粘接剂固化。像这样，粘接剂G的粘接性提高。即，由第一保持部200进行对被处理基板W的按压和粘接剂G的紫外线固化，由此接合被处理基板W与支承基板S。
在紫外线处理中，在紫外线透过第二保持部300时，能够如上述的那样通过扩散层330使紫外线的分布均匀。因而，能够均匀地进行针对粘接剂G的紫外线处理。
接着，利用第二基板搬送装置61向传送装置51搬送被处理基板W与支承基板S接合而成的复合基板T，之后利用搬入搬出站2的第一基板搬送装置22将该复合基板T搬送到规定的盒载置板11的盒Ct。像这样，一系列的被处理基板W和支承基板S的基板处理结束。
根据以上的实施方式，能够通过一个基板处理装置30对被处理基板W和支承基板S进行接合处理和紫外线处理，从而能够使一系列的基板处理的生产率提高。
另外，在第二保持部300的内部形成有扩散层330，因此能够使透过该第二保持部300的紫外线的透过方向扩散。因此，不论有无电极320，都能够使紫外线的分布均匀，从而能够均匀地进行针对粘接剂G的紫外线处理。
<5.其它实施方式>
接着，对本发明的其它实施方式进行说明。
在以上的实施方式的第二保持部300中，扩散层330形成为一层，但也可以形成为两层。如图8所示，在扩散层330的更上方处，在基体310的背面形成扩散层331。
在制造具备该扩散层331的第二保持部300时，针对图5所示的第二保持部300，在基体310的背面(第一基体311的背面311b)形成凹凸即可。即，在进行上述的图7的(a)～(d)的工序之后，例如对第一基体311的背面311b进行喷砂，形成凹凸。而且，形成扩散层331。此外，背面311b的凹凸的形成方法不限定为本实施方式，例如可以在背面311b粘贴具备凹凸的树脂系的薄片。
在所述情况下，在紫外线处理中，在从紫外线照射部400照射的紫外线透过第二保持部300的内部时，紫外线在扩散层330、331中扩散。因而，能够使紫外线的分布更均匀，从而能够更均匀地进行针对粘接剂G的紫外线处理。
此外，第二保持部300的扩散层330、331可以形成为三层以上。
在以上的实施方式的第二保持部300中，扩散层330与电极320相邻地进行设置，但如图9所示，扩散层330也可以与电极320分离地进行设置。在该情况下，除了透过电极320的紫外线(图9中的直线箭头)以外，透过了电极320、320间的紫外线的一部分(图9中的斜箭头)等也进入电极320与扩散层330之间的空间320a中。于是，通过与电极320分离地配置扩散层330，能够使透过扩散层330之前的紫外线的透过率在水平方向上均匀化。其结果是，透过扩散层330的紫外线的透过率高，能够使透过率在水平方向更均匀。
在以上的实施方式的基板处理装置30中，在上侧配置保持被处理基板W的第一保持部200，在下侧配置保持支承基板S的第二保持部300，但也可以使第一保持部200与第二保持部300的上下配置相反。在该情况下，紫外线照射部400配置于第二保持部300的上方。而且，通过使上述实施方式中的被处理基板W和针对支承基板S的处理相反，能够进行一系列的基板处理。
在以上的实施方式中，在支承基板S的接合面Sj涂布有粘接剂G，但也可以在被处理基板W的接合面Wj涂布粘接剂G，或者也可以在被处理基板W的接合面Wj和支承基板S的接合面Sj这两方涂覆粘接剂G。
此外，在以上的实施方式中，对使用粘接剂G作为紫外线固化材料的情况进行了说明，但本发明也能够应用于其它用途中使用的紫外线固化材料。例如在使用模板(模具)在基板上形成规定的抗蚀图案的、所谓的压印处理中，有时涂布于基板上的抗蚀剂为紫外线固化材料，在该情况下也能够应用本发明。
以上参照附图对本发明的优选的实施方式进行了说明，但本发明不限定为该例。只要是本领域人员就能够了解，在权利要求所记载的技术构思内能够想到各种变更例或修正例，而这些也当然属于本发明的技术范围内。

Claims (5)

1.一种基板处理装置，对被处理基板和支承基板进行规定的处理，所述基板处理装置的特征在于，具有：
第一保持部，其保持所述被处理基板；
第二保持部，其与所述第一保持部相向配置，并对所述支承基板进行静电吸附来保持所述支承基板；以及
紫外线照射部，其对设置在被所述第一保持部保持的所述被处理基板与被所述第二保持部保持的所述支承基板之间的紫外线固化材料照射紫外线，其中，所述支承基板和所述第二保持部分别由透过紫外线的材料构成，
在所述第二保持部的内部设置用于对所述支承基板进行静电吸附的电极，
在所述第二保持部的内部中的比所述电极靠所述支承基板侧的位置形成有用于使紫外线的透过方向扩散的扩散层，
所述扩散层形成在比所述电极靠所述支承基板侧的基体的至少表面和背面，所述扩散层具有凹凸。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述扩散层在比所述电极靠所述支承基板侧的位置形成有多层。
3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，
所述基板处理装置还具有在内部收容所述被处理基板和所述支承基板的真空腔室。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，
所述紫外线照射部设置于所述真空腔室的外部。
5.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，
所述第二保持部设置为所述支承基板的保持面位于真空腔室的内部，并且与该保持面相反侧的面从所述真空腔室露出。
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