TWI741182B - 基板處理裝置及基板保持部之製造方法 - Google Patents

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Abstract

[課題] 效率良好地進行伴隨紫外線處理之基板處理。 　　[解決手段] 基板處理裝置(30)，係具有：第1保持部(200)，保持被處理基板(W)；第2保持部(300)，與第1保持部(200)對向配置，將支撐基板(S)靜電吸附保持；及 　　紫外線照射部(400)，對被設置於被處理基板(W)與支撐基板(S)之間的黏著劑(G)照射紫外線，該被處理基板(W)，係被保持於第1保持部(200)，該支撐基板(S)，係被保持於第2保持部(300)。支撐基板(S)與第2保持部(300)，係分別由透過紫外線的材料所構成。在第2保持部(300)之內部，係設置有用以將支撐基板(S)靜電吸附的電極(320)。在第2保持部(300)之內部且比電極(320)更往支撐基板(S)側，係形成有將紫外線之透過方向擴散的擴散層(330)。

Description

基板處理裝置及基板保持部之製造方法
本發明，係關於對被處理基板與支撐基板進行預定處理之基板處理裝置及將基板靜電吸附保持的基板保持部之製造方法。
近年來，例如在半導體元件的製造工程中，矽晶圓或化合物半導體晶圓等的半導體基板之大直徑化及薄型化正在發展中。像這樣的大直徑且薄之半導體基板(以下，稱為被處理基板)，係在搬送時或研磨處理時，有發生翹曲或破裂之虞。因此，藉由將支撐基板貼合於被處理基板的方式，進行增強被處理基板。
例如在專利文獻1，係揭示有經由黏著膠帶，將被處理基板(晶圓)與支撐基板(玻璃板)接合之內容。而且，在像這樣地將被處理基板與支撐基板接合後，從支撐基板側照射紫外線，使黏著膠帶之黏著性提高。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1] 日本特開2015-149433號公報
[本發明所欲解決之課題]
然而，由於在專利文獻1所記載的方法中，係個別地進行被處理基板與支撐基板的接合處理及來自支撐基板側的紫外線處理，因此，一連串之基板處理的處理量存在有改善之餘地。而且，在專利文獻1，係並未揭示且亦未暗示用以提高該處理量之具體的裝置構成。
本發明，係有鑑於該點而進行研究者，以效率良好地進行伴隨紫外線處理之基板處理為目的。 [用以解決課題之手段]
為了達成前述之目的，本發明，係一種基板處理裝置，其係對被處理基板與支撐基板進行預定處理，該基板處理裝置，其特徵係，具有：第1保持部，保持前述被處理基板；第2保持部，與前述第1保持部對向配置，將前述支撐基板靜電吸附保持；及紫外線照射部，對被設置於前述被處理基板與前述支撐基板之間的紫外線硬化材料照射紫外線，前述被處理基板，係被保持於前述第1保持部，前述支撐基板，係被保持於前述第2保持部，前述支撐基板與前述第2保持部，係分別由透過紫外線的材料所構成，在前述第2保持部之內部，係設置有用以將前述支撐基板靜電吸附的電極，在前述第2保持部之內部且比前述電極更往前述支撐基板側，係形成有將紫外線之透過方向擴散的擴散層。
在本發明之基板處理裝置中，係可在以第1保持部來保持被處理基板，並以第2保持部保持支撐基板的狀態下，經由紫外線硬化材料，將被處理基板與支撐基板接合。又，在基板處理裝置中，係可藉由紫外線照射部，從第2保持部及支撐基板側對紫外線硬化材料照射紫外線。如此一來，根據本發明，可藉由一裝置進行接合處理與紫外線處理，並可使一連串之基板處理的處理量提高。
又，為了抑制空氣進入被處理基板與支撐基板之間而產生空隙，本發明之基板處理，係在真空氛圍下進行為較佳。為了在像這樣的真空氛圍下保持支撐基板，在第2保持部之內部，係設置有電極，並藉由該電極靜電吸附支撐基板。然而，在紫外線處理中，雖係紫外線透過第2保持部之內部，但當存在有電極時，則紫外線的分布會產生不均。亦即，由於第2保持部之紫外線透過率與電極之紫外線透過率不同，因此，例如未設置電極之部分的紫外線透過率雖高，但設置有電極之部分的紫外線透過率變低。如此一來，無法均勻地進行紫外線處理，且接合後之重合基板的接合狀態(接合強度或厚度)變得不均勻。而且，在紫外線硬化材料被使用於光學應用的情況下，當像這樣不均勻地進行紫外線處理時，則產品中之光的透過狀況亦變得不均勻。
因此，在本發明之第2保持部的內部且比電極更往支撐基板側，係形成有擴散層。紫外線之透過方向藉由該擴散層而擴散，可藉由電極之有無，使不均勻的紫外線分布均勻。因此，根據本發明，可均勻地進行紫外線處理。
前述擴散層，係亦可在比前述電極更往前述支撐基板側，被形成為複數層。
前述基板處理裝置，係亦可更具有：真空腔室，將前述被處理基板與前述支撐基板收容於內部。
前述紫外線照射部，係亦可被設置於前述真空腔室的外部。
前述第2保持部，係亦可被設成為前述支撐基板之保持面位於真空腔室的內部，與該保持面相反側之面從前述真空腔室露出。
另一觀點之本發明，係一種將基板靜電吸附保持之基板保持部之製造方法，其特徵係，具有：第1工程，在第1基體的表面形成凹凸；第2工程，在前述第1基體的表面設置電極；及第3工程，將填充劑填充於前述第1基體的表面與第2基體的表面之間，並貼合該第1基體與第2基體。
前述基板保持部之製造方法，係亦可具有：第4工程，在前述第3工程後，在前述第1基體的背面形成凹凸。
前述基板，係亦可為經由紫外線硬化材料支撐被處理基板的支撐基板。 [發明之效果]
根據本發明，可效率良好地進行伴隨紫外線處理之基板處理。
以下，參閱添加圖面，說明關於本發明之實施形態。在本實施形態中，係作為基板之處理，說明關於將被處理基板與支撐基板接合的接合處理及對紫外線硬化材料即黏著劑的紫外線處理。另外，該發明並不受以下所示的實施形態所限定。
＜1.基板處理系統之構成＞ 　　首先，參閱圖1～圖3，說明關於具備有本實施形態之基板處理裝置之基板處理系統的構成。圖1，係表示基板處理系統之構成之概略的平面圖。圖2，係表示基板處理系統之內部構成之概略的側面圖。圖3，係被處理基板與支撐基板的側面圖。另外，在以下中，係為了明確位置關係，而規定相互正交之X軸方向、Y軸方向及Z軸方向，並將Z軸正方向設成為垂直向上方向。
在以下中，係如圖3所示，將被處理基板W的板面中經由黏著劑G與支撐基板S接合之側邊的板面稱為「接合面Wj」，將與接合面Wj相反側的板面稱為「非接合面Wn」。又，將支撐基板S的板面中經由黏著劑G與被處理基板W接合之側邊的板面稱為「接合面Sj」，將與接合面Sj相反側的板面稱作「非接合面Sn」。而且，經由黏著劑G接合被處理基板W與支撐基板S，加以製作重合基板T。
被處理基板W，係例如複數個電子電路(元件)被形成於矽晶圓或化合物半導體晶圓等的半導體基板之基板，將形成有電子電路之側邊的板面設成為接合面Wj。該被處理基板W，係在與支撐基板S接合後，藉由研磨處理非接合面Wn的方式進行薄化。另外，在被處理基板W，係亦可使用玻璃基板。
支撐基板S，係與被處理基板W大致相同直徑的基板，支撐被處理基板W。在支撐基板S，係例如使用玻璃基板等。另外，支撐基板S，係只要為由透過紫外線的材料所構成者，則不特別限定，例如亦可使用石英板或藍寶石板、壓克力板等。
在黏著劑G，係將被處理基板W與支撐基板S黏著接合。另外，在黏著劑G，係使用因紫外線而硬化的材料例如紫外線硬化樹脂。
基板處理系統1，係如圖1及圖2所示，具有將搬入搬出站2與處理站3一體連接的構成，該搬入搬出站2，係例如在與外部之間，搬入搬出可分別收容複數個被處理基板W、複數個支撐基板S、複數個重合基板T的匣盒Cw、Cs、Ct，該處理站3，係具備有對被處理基板W、支撐基板S、重合基板T施予預定處理的各種處理裝置。
在搬入搬出站2，係設置有匣盒載置台10。在匣盒載置台10，係設置有複數個例如4個匣盒載置板11。匣盒載置板11，係沿Y軸方向(圖1中之上下方向)並排地配置成一列。在相對於基板處理系統1的外部搬入搬出匣盒Cw、Cs、Ct之際，可將匣盒Cw、Cs、Ct載置於該些匣盒載置板11。如此一來，搬入搬出站2，係被構成為可持有複數個被處理基板W、複數個支撐基板S、複數個重合基板T。
另外，匣盒載置板11之個數，係不限定於本實施形態，可任意決定。又，亦可使用1個匣盒作為不良基板之回收用。亦即，其為可將因各種主要原因而於被處理基板W與支撐基板S之接合產生不良的基板與其他正常之重合基板T分離的匣盒。
在搬入搬出站2，係與匣盒載置台10相鄰地設置有第1基板搬送區域20。在第1基板搬送區域20，係設置有可在延伸於Y軸方向之搬送路徑21上移動自如的第1基板搬送裝置22。第1基板搬送裝置22，係亦在垂直方向及繞垂直軸(θ方向)移動自如，並可在各匣盒載置板11上的匣盒Cw、Cs、Ct與後述之處理站3之第3處理區塊G3的移轉裝置50、51之間，搬送被處理基板W、支撐基板S、重合基板T。
在處理站3，係設置有具備各種處理裝置的複數個例如3個處理區塊G1、G2、G3。例如在處理站3之正面側(圖1中之Y軸負方向側)，係設置有第1處理區塊G1，在處理站3之背面側(圖1中之Y軸正方向側)，係設置有第2處理區塊G2。又，在處理站3之搬入搬出站2側(圖1中之X軸負方向側)，係設置有第3處理區塊G3。
例如在第1處理區塊G1，係基板處理裝置30～33從搬入搬出站2側起依該順序沿X軸方向並排地配置，該基板處理裝置30～33，係對被處理基板W與支撐基板S進行接合處理及紫外線處理。另外，基板處理裝置30～33之裝置數或配置，係可任意設定。又，關於基板處理裝置30～33之構成，係如後述。
例如在第2處理區塊G2，係塗佈裝置40～43從搬入搬出站2側起依該順序沿X軸方向並排地配置，該塗佈裝置40～43，係對被處理基板W塗佈黏著劑G。另外，塗佈裝置40～43之裝置數或配置，係可任意設定。
在上述塗佈裝置40～43，係使用習知的旋轉塗布裝置。亦即，塗佈裝置40～43，係具有：旋轉卡盤，保持被處理基板W且使其旋轉；及黏著劑噴嘴，對被保持於旋轉卡盤之被處理基板W上供給黏著劑G。
例如在第3處理區塊G3，係被處理基板W、支撐基板S、重合基板T之移轉裝置50、51從下依該順序設成為2段。另外，在第3處理區塊G3，係另外亦可設置有基板識別裝置(未圖示)或被處理基板W、支撐基板S、重合基板T之緩衝裝置(未圖示)，該基板識別裝置，係讀取接合前之被處理基板W、支撐基板S的識別編號，識別被處理基板W、支撐基板S。
如圖1所示，在被第1處理區塊G1～第3處理區塊G3所包圍的區域，係形成有第2基板搬送區域60。在第2基板搬送區域60，係例如配置有第2基板搬送裝置61。
第2基板搬送裝置61，係具有例如沿垂直方向、水平方向(X軸方向、Y軸方向)及繞垂直軸移動自如的搬送臂。第2基板搬送裝置61，係可在第2基板搬送區域60內移動，並將被處理基板W、支撐基板S、重合基板T搬送至周圍之第1處理區塊G1、第2處理區塊G2及第3處理區塊G3內的預定裝置。
在以上的基板處理系統1，係如圖1所示，設置有控制部70。控制部70，係例如電腦，具有程式儲存部(未圖示)。在程式儲存部，係儲存有控制基板處理系統1中之被處理基板W、支撐基板S、重合基板T的處理之程式。又，在程式儲存部，係亦儲存有用以控制上述之各種處理裝置或搬送裝置等的驅動系統之動作，以實現基板處理系統1中之後述的接合處理之程式。另外，前述程式，係例如亦可為被記錄於電腦可讀取之硬碟(HD)、軟碟片(FD)、光碟(CD)、磁光碟(MO)、記憶卡等的電腦可讀取之記憶媒體H者，且亦可為從該記憶媒體H安裝於控制部70者。
＜2.基板處理裝置之構成＞ 　　其次，說明關於上述之基板處理裝置30～33的構成。另外，在以下中，係說明關於基板處理裝置30的構成，由於基板處理裝置31～33的構成，係與基板處理裝置30的構成相同，故省略說明。
如圖4所示，基板處理裝置30，係具有可密閉內部的真空腔室100。在真空腔室100，係例如設置有具備真空泵的減壓機構(未圖示)，藉由該減壓機構，真空腔室100之內部，係被維持為預定真空度的真空氛圍。另外，在真空腔室100，係亦可設置有將例如氮氣等的惰性氣體供給至真空腔室100內之氣體供給機構(未圖示)。
在真空腔室100之第2基板搬送區域60側的側面，係形成有被處理基板W、支撐基板S、重合基板T的搬入搬出口(未圖示)，在該搬入搬出口，係設置有開關閘門(未圖示)。而且，在真空腔室100之內部，係收容有被處理基板W、支撐基板S、重合基板T。
在真空腔室100之內部，係具有：第1保持部200，以下面保持被處理基板W；及第2保持部300，以上面保持支撐基板S。第2保持部300，係被設置於第1保持部200之下方，並配置成與第1保持部200對向。亦即，保持於第1保持部200之被處理基板W與保持於第2保持部300之支撐基板S，係對向配置。
在第1保持部200，係使用習知的靜電夾具。為了適當地進行被處理基板W與支撐基板S之接合處理，該些被處理基板W與支撐基板S必需被保持於預定位置。因此，在第1保持部200，係使用即便在真空氛圍下亦可適當地保持被處理基板W的靜電夾具。
又，第1保持部200，係被構成為藉由升降機構(未圖示)沿垂直方向升降自如。另外，亦可被構成為將真空腔室100分割成上部腔室與下部腔室，且使上部腔室沿垂直方向升降自如，第1保持部200，係亦可被構成為與該上部腔室連動地升降自如。
在第2保持部300，係使用靜電夾具。該第2保持部300使用靜電夾具的理由亦與上述第1保持部200使用靜電夾具的理由相同。另外，關於第2保持部300之構成，係如後述。
又，第2保持部300，係被設成為其下部(底面)從真空腔室100露出。如後述般，在第2保持部300之下方，係設置有紫外線照射部400，從該紫外線照射部400所照射之紫外線，係透過第2保持部300的內部。當第2保持部300完全被設置於真空腔室100的內部時，則必需以紫外線透過之材料來形成真空腔室100之底面的一部分。該點，由於在本實施形態中，係使第2保持部300從真空腔室100露出，因此，不需以紫外線透過材料來形成真空腔室100之底面。因此，可簡化裝置構成，並可抑制裝置之成本。
在真空腔室100之外部，係設置有對黏著劑G照射紫外線的紫外線照射部400。從紫外線照射部400所照射之紫外線的波長，雖係並不特別限定，但例如為365 nm。
在紫外線照射部400，係使用習知的紫外線照射裝置。亦即，紫外線照射部400，係例如具有在基板上配置了複數個LED(發光二極體)的構成。該情況下，由於LED，係紫外線照射時的發熱量大，又亦產生釋氣(outgas)，因此，紫外線照射部400，係被配置於真空腔室100的外部。
另外，在基板處理裝置30，係除了上述的構成以外，另設置有位置調節部(未圖示)或反轉部(未圖示)等，該位置調節部，係在接合前，調節被處理基板W或支撐基板S之水平方向的朝向，該反轉部，係在接合前，使被處理基板W或支撐基板S反轉。
又，基板處理裝置30～33中之各部的動作，係藉由上述的控制部70予以控制。
＜3.第2保持部之構成及其製造方法＞ 　　其次，說明關於上述之第2保持部300的構成及其製造方法。圖5，係放大第2保持部300之一部分的說明圖。
如圖5所示，第2保持部300，係具有平板狀之基體310。在基體310，係例如使用石英玻璃等。另外，基體310，係只要為由透過紫外線的材料所構成者，則不特別限定，例如亦可使用其他的透明體。
在基體310之內部，係設置有用以將支撐基板S靜電吸附的電極320。在電極320，係例如使用ITO(氧化銦錫)。另外，電極320，係只要為由透過紫外線的材料所構成者，則不特別限定，例如亦可使用其他的透明電極。
電極320，係於側視下，以預定間隔例如0.2μm配置，又，於俯視下，配置成梳齒狀。在此，由於在第2保持部300，係將絕緣體即支撐基板S靜電吸附，因此，使用所謂的梯度型之靜電夾具。該情況下，在第2保持部300中，係相對於施加至電極320的電荷，支撐基板S因靜電感應或介電極化帶電而吸附。而且，如上述般，以使電極320變細且縮小間隔的方式，可形成較大的非均勻電場，並藉由梯度力吸附絕緣體即支撐基板S。
於基體310之內部，係在電極320的上方形成有將紫外線之透過方向擴散的擴散層330。擴散層330，係具有凹凸，可藉由該凹凸，使紫外線漫反射且擴散。又，擴散層330，係於俯視下，被形成於基體310的整面。
在此，說明關於擴散層330的作用效果。圖6，係表示透過了第2保持部300之紫外線之透過率的分布；(a)表示不形成擴散層330的情況下之紫外線透過率的分布；(b)表示形成有擴散層330的情況下之紫外線透過率的分布。
參閱圖6(a)，在設置有電極320的部分，係紫外線透過率低至40%，在未設置電極320的部分，係紫外線透過率高達90%。此係因為電極320易吸收紫外線，且與基體310相比，難以透過紫外線之緣故。亦即，在電極320與基體310中，係紫外線透過率不同。因此，在不形成擴散層330的情況下，紫外線透過率之分布(水平方向分布)變得不均勻，在被照射至黏著劑G的紫外線中，係發生因電極320之圖案引起的投影不均。因此，無法對黏著劑G均勻地進行紫外線處理。而且，在紫外線處理中，當黏著劑G中之紫外線照射強度像這樣地發生不均時，則黏著劑G之硬化產生時間差而造成硬化不均。當發生硬化不均時，則重合基板T之接合狀態(接合強度或厚度)有時變得不均勻。
另一方面，參閱圖6(b)，透過擴散層330之紫外線的透過率，係沿水平方向成為均勻。此係因為透過電極320或基體310的紫外線藉由擴散層330而擴散，並沿水平方向均勻地分布之緣故。因此，在形成有擴散層330的情況下，不論有無電極320，可使紫外線透過率之分布均勻，並可對黏著劑G均勻地進行紫外線處理。
其次，說明關於具有的構成之第2保持部300的製造方法。圖7，係表示該第2保持部300的製造方法中之主要工程的說明圖。
首先，如圖7(a)所示，在平板狀之第1基體311的表面311a形成凹凸。例如藉由噴砂，在表面311a的整面形成凹凸。而且，形成有該凹凸之表面311a成為擴散層330。另外，表面311a之凹凸的形成方法，係不限定於本實施形態。例如，亦可在表面311a貼附具備凹凸之樹脂系的薄片。
其次，如圖7(b)所示，在第1基體311之表面311a設置電極320。電極320，係例如藉由凹版印刷，以預定圖案(線與間隙)設置。另外，電極320之配設方法，係不限定於本實施形態。例如，亦可進行光微影處理，在表面311a設置電極320。
其次，如圖7(c)所示，以使第1基體311的表面311a與平板狀之第2基體312的表面312a對向之方式，配置第1基體311與第2基體312。而且，將填充劑313填充於第1基體311的表面311a與第2基體312的表面312a之間，並貼合第1基體311與第2基體312。另外，在填充劑313，係例如使用有機系的黏著劑。
其次，如圖7(d)所示，將第1基體311的背面311b進行切割、研磨，使第1基體311薄化。另外，第1基體311、第2基體312及填充劑313構成基體310。如此一來，加以製作第2保持部300。
＜4.基板處理系統之動作＞ 　　其次，說明關於使用如上述般所構成的基板處理系統1而進行之被處理基板W與支撐基板S的基板處理方法。
首先，收容有複數片被處理基板W之匣盒Cw、收容有複數片支撐基板S之匣盒Cs及空的匣盒Ct，係被載置於搬入搬出站2之預定的匣盒載置板11。其後，藉由第1基板搬送裝置22取出匣盒Cs內的支撐基板S，並搬送至處理站3之第3處理區塊G3的移轉裝置50。此時，支撐基板S，係以其接合面Sj朝向上方的狀態被予以搬送。
其次，支撐基板S，係藉由第2基板搬送裝置61被搬送至塗佈裝置40。搬入至塗佈裝置40之支撐基板S，係從第2基板搬送裝置61被收授而吸附保持於旋轉夾盤。此時，吸附保持支撐基板S之非接合面Sn。而且，一面藉由旋轉夾盤使支撐基板S旋轉，一面從黏著劑噴嘴對支撐基板S之接合面Sj供給黏著劑G。所供給之黏著劑G，係藉由離心力被擴散至支撐基板S之接合面Sj的整面，而在該支撐基板S之接合面Sj塗佈黏著劑G。
其次，支撐基板S，係藉由第2基板搬送裝置61被搬送至基板處理裝置30。在基板處理裝置30中，係藉由位置調節部調節支撐基板S之槽口部的位置，從而調節該支撐基板S之水平方向的朝向。而且，支撐基板S，係被保持於第2保持部300。在第2保持部300中，係以支撐基板S之接合面Sj朝向上方的狀態，亦即，黏著劑G朝向上方的狀態保持支撐基板S。
在對支撐基板S進行上述之處理的期間，於該支撐基板S後，進行被處理基板W之處理。被處理基板W，係藉由第2基板搬送裝置61被搬送至基板處理裝置30。此時，被處理基板W，係以其接合面Wj朝向上方的狀態予以搬送。
在基板處理裝置30中，係藉由位置調節部調節被處理基板W之槽口部的位置，在調整了該被處理基板W之水平方向的朝向後，藉由反轉部反轉被處理基板W的表面背面。而且，被處理基板W，係被保持於第1保持部200。在第1保持部200中，係以被處理基板W之接合面Wj朝向下方的狀態，保持被處理基板W。
其後，在基板處理裝置30中，係調節被保持於第1保持部200之被處理基板W與被保持於第2保持部300之支撐基板S之水平方向的相對位置，並且密閉真空腔室100。接著，藉由減壓機構，吸引真空腔室100之內部的氛圍，並使真空腔室100之內部減壓至預定真空度例如100Pa以下。如此一來，即便真空腔室100之內部被維持為真空氛圍，第1保持部200，係亦可將被處理基板W靜電吸附保持，又，第2保持部300亦可將支撐基板S靜電吸附保持。
而且，在該真空氛圍下，使第1保持部200下降，將被處理基板W與支撐基板S按壓接合。此時，由於真空腔室100之內部，係被維持為真空氛圍，因此，即便使被處理基板W與支撐基板S抵接，亦可抑制該被處理基板W與支撐基板S之間的空隙之產生。
又，在該接合處理中，使第1保持部200下降，當被處理基板W抵接於支撐基板S上的黏著劑G時，則從紫外線照射部400朝向黏著劑G照射例如365nm波長的紫外線。紫外線，係透過第2保持部300與支撐基板S被照射至黏著劑G，該黏著劑G之黏著劑硬化。如此一來，黏著劑G之黏著性提高。亦即，藉由第1保持部200所致之被處理基板W的按壓與黏著劑G的紫外線硬化，接合被處理基板W與支撐基板S。
在紫外線處理中，在紫外線透過第2保持部300之際，如上述般，可藉由擴散層300，使紫外線之分布均勻。因此，可對黏著劑G均勻地進行紫外線處理。
其次，接合了被處理基板W與支撐基板S之重合基板T，係藉由第2基板搬送裝置61被搬送至移轉裝置51，其後，藉由搬入搬出站2的第1基板搬送裝置22被搬送至預定之匣盒載置板11的匣盒Ct。如此一來，一連串之被處理基板W與支撐基板S的基板處理結束。
根據以上的實施形態，可藉由一基板處理裝置30，對被處理基板W與支撐基板S進行接合處理與紫外線處理，並可使一連串之基板處理的處理量提高。
又，由於在第2保持部300之內部，係形成有擴散層330，因此，可將透過該第2保持部300之紫外線的透過方向擴散。因此，不論有無電極320，可使紫外線之分布均勻，並可對黏著劑G均勻地進行紫外線處理。
＜5.其他實施形態＞ 　　接下來，說明關於本發明的其他實施形態。
在以上之實施形態的第2保持部300中，擴散層330，雖係形成1層，但亦可形成2層。如圖8所示，於擴散層330的更上方，在基體310之背面形成有擴散層331。
在製造具備有該擴散層331的第2保持部300之際，係只要對於圖5所示的第2保持部300，在基體310之背面(第1基體311之背面311b)形成凹凸即可。亦即，在進行了上述之圖7(a)～(d)的工程後，例如對第1基體311之背面311b進行噴砂而形成凹凸。而且，形成有擴散層331。另外，背面311b之凹凸的形成方法，係不限於本實施形態，例如亦可在背面311b貼附具備凹凸之樹脂系的薄片。
該情況下，在紫外線處理中，在從紫外線照射部400所照射之紫外線透過第2保持部300的內部之際，紫外線，係在擴散層330、331擴散。因此，可使紫外線之分布更均勻，並可對黏著劑G更均勻地進行紫外線處理。
另外，第2保持部300中之擴散層330、331，係亦可形成3層以上。
在上述之實施形態的第2保持部300中，雖然擴散層330，係被鄰接設置於電極320，但如圖9所示，擴散層330，係亦可與電極320分開地設置。該情況下，除了透過電極320之紫外線(圖9中之直線箭頭)外，透過電極320、320間之紫外線的一部分(圖9中之斜箭頭)等亦進入至電極320與擴散層330之間的空間320a。如此一來，以將擴散層330與電極320分開配置的方式，可使透過擴散層330之前之紫外線的透過率在水平方向上均勻。其結果，透過擴散層330之紫外線的透過率變高，並可在水平方向上更均勻。
在以上之實施形態的基板處理裝置30中，雖係將保持被處理基板W之第1保持部200配置於上側，並將保持支撐基板S之第2保持部300配置於下側，但亦可使該些第1保持部200與第2保持部300的上下配置相反。該情況下，紫外線照射部400，係被配置於第2保持部300的上方。而且，使上述實施形態中之對被處理基板W與支撐基板S的處理相反，藉此，可進行一連串之基板處理。
在以上的實施形態中，雖係對支撐基板S之接合面Sj塗佈了黏著劑G，但亦可對被處理基板W之接合面Wj塗佈黏著劑G，或亦可對被處理基板W之接合面Wj與支撐基板S之接合面Sj兩者塗佈黏著劑G。
另外，在以上的實施形態中，雖係說明了關於將黏著劑G使用作為紫外線硬化材料的情形，但本發明，係亦可應用到其他用途所使用的紫外線硬化材料。在例如所謂的壓印處理中，塗佈於基板上之光阻雖有時為紫外線硬化材料，但在該情況下，亦可應用本發明，該壓印處理，係使用模板(模具)，在基板上形成預定的光阻圖案。
以上，雖參閱附加圖面說明了關於本發明之適宜的實施形態，但本發明並不限定於該例。只要為本發明所屬技術領域中具有通常知識者，顯然可在申請專利範圍所記載之思想範疇內思及各種變更例或修正例，並了解關於該些當然亦屬於本發明的技術性範圍。
1‧‧‧基板處理系統30～33‧‧‧接合裝置100‧‧‧真空腔室200‧‧‧第1保持部300‧‧‧第2保持部310‧‧‧基體311‧‧‧第1基體312‧‧‧第2基體313‧‧‧填充劑320‧‧‧電極330、331‧‧‧擴散層400‧‧‧紫外線照射部G‧‧‧黏著劑S‧‧‧支撐基板T‧‧‧重合基板W‧‧‧被處理基板
[圖1] 表示具備有本實施形態之基板處理裝置之基板處理系統之構成之概略的平面圖。 　　[圖2] 表示基板處理系統之內部構成之概略的側面圖。 　　[圖3] 被處理基板與支撐基板的側面圖。 　　[圖4] 表示基板處理裝置之構成之概略的側面圖。 　　[圖5] 放大第2保持部之一部分的說明圖。 　　[圖6] 表示透過了第2保持部之紫外線之透過率的分布；(a)表示不形成擴散層的情況下之紫外線透過率的分布；(b)表示形成有擴散層的情況下之紫外線透過率的分布。 　　[圖7] 表示第2保持部的製造方法中之主要工程的說明圖。 　　[圖8] 放大其他實施形態之第2保持部之一部分的說明圖。 　　[圖9] 放大其他實施形態之第2保持部之一部分的說明圖。
30‧‧‧基板處理裝置
100‧‧‧真空腔室
200‧‧‧第1保持部
300‧‧‧第2保持部
310‧‧‧基體
320‧‧‧電極
330‧‧‧擴散層
400‧‧‧紫外線照射部
G‧‧‧黏著劑
S‧‧‧支撐基板
W‧‧‧被處理基板

Claims (8)

  1. 一種基板處理裝置，係對被處理基板與支撐基板進行預定處理，該基板處理裝置，其特徵係，具有： 　　第1保持部，保持前述被處理基板； 　　第2保持部，與前述第1保持部對向配置，將前述支撐基板靜電吸附保持；及 　　紫外線照射部，對被設置於前述被處理基板與前述支撐基板之間的紫外線硬化材料照射紫外線，前述被處理基板，係被保持於前述第1保持部，前述支撐基板，係被保持於前述第2保持部， 　　前述支撐基板與前述第2保持部，係分別由透過紫外線的材料所構成， 　　在前述第2保持部之內部，係設置有用以將前述支撐基板靜電吸附的電極， 　　在前述第2保持部之內部且比前述電極更往前述支撐基板側，係形成有將紫外線之透過方向擴散的擴散層。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中， 　　前述擴散層，係在比前述電極更往前述支撐基板側，被形成為複數層。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之基板處理裝置，其中，更具有： 　　真空腔室，將前述被處理基板與前述支撐基板收容於內部。
  4. 如申請專利範圍第3項之基板處理裝置，其中， 　　前述紫外線照射部，係被設置於前述真空腔室的外部。
  5. 如申請專利範圍第3項之基板處理裝置，其中， 　　前述第2保持部，係被設成為前述支撐基板之保持面位於真空腔室的內部，與該保持面相反側之面從前述真空腔室露出。
  6. 一種將基板靜電吸附保持之基板保持部之製造方法，其特徵係，具有： 　　第1工程，在第1基體的表面形成凹凸； 　　第2工程，在前述第1基體的表面設置電極；及 　　第3工程，將填充劑填充於前述第1基體的表面與第2基體的表面之間，並貼合該第1基體與第2基體。
  7. 如申請專利範圍第6項之基板保持部之製造方法，其中，具有： 　　第4工程，在前述第3工程後，在前述第1基體的背面形成凹凸。
  8. 如申請專利範圍第6或7項之基板保持部之製造方法，其中， 　　前述基板，係經由紫外線硬化材料支撐被處理基板的支撐基板。
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