KR20190116056A - 기판 처리 시스템, 기판 처리 방법 및 기억 매체 - Google Patents

기판 처리 시스템, 기판 처리 방법 및 기억 매체

Info

Publication number
KR20190116056A
KR20190116056A KR1020190027591A KR20190027591A KR20190116056A KR 20190116056 A KR20190116056 A KR 20190116056A KR 1020190027591 A KR1020190027591 A KR 1020190027591A KR 20190027591 A KR20190027591 A KR 20190027591A KR 20190116056 A KR20190116056 A KR 20190116056A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
processed
adhesive member
board
chuck
Prior art date
Application number
KR1020190027591A
Other languages
English (en)
Inventor
타케시 타무라
타이치 모리
Original Assignee
도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 filed Critical 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Publication of KR20190116056A publication Critical patent/KR20190116056A/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02002—Preparing wafers
    • H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
    • H01L21/02008—Multistep processes
    • H01L21/0201—Specific process step
    • H01L21/02013—Grinding, lapping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/185—Joining of semiconductor bodies for junction formation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

접합되는 피처리 기판과 지지 기판을 처리함에 있어서, 기판 처리를 효율적으로 행하고, 처리 후의 피처리 기판의 두께의 면내 균일성을 향상시킨다. 접착 부재(G)를 개재하여 접합되는 피처리 기판(W)과 지지 기판(S)을 처리하는 기판 처리 시스템은, 접착 부재(G)를 개재하여 지지 기판(S)에 접합되는 피처리 기판(W)의 비접합면(Wn)에 접촉하며, 당해 피처리 기판(W)을 성형하는 기판 성형부(160)와, 기판 성형부(160)에 피처리 기판(W)의 비접합면(Wn)이 접촉한 상태로 접착 부재(G)에 에너지를 공급하는 에너지 공급부(161)를 가진다.

Description

기판 처리 시스템, 기판 처리 방법 및 기억 매체 {SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM, SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND RECORDING MEDIUM}
본 발명은 기판 처리 시스템, 기판 처리 방법 및 기억 매체에 관한 것이다.
최근, 반도체 디바이스의 제조 공정에 있어서는, 표면에 복수의 전자 회로 등의 디바이스가 형성된 반도체 웨이퍼(이하, “웨이퍼”라고 함)에 대하여, 당해 웨이퍼의 이면을 연삭 혹은 연마하여, 웨이퍼를 박화하는 것이 행해지고 있다. 그리고, 이 박화 된 웨이퍼를 그대로 반송하거나 후속의 처리를 행하거나 하면, 웨이퍼에 휨 또는 분열이 생길 우려가 있다. 이 때문에, 웨이퍼를 보강하기 위하여, 예를 들면 지지 기판에 웨이퍼를 부착하는 것이 행해지고 있다.
예를 들면 특허 문헌 1에는, 복합 기판의 제조 방법이 개시되어 있다. 이 제조 방법에서는, 먼저, 지지 기판의 일방의 면을 연마함으로써 당해 일방의 면을 타방의 면에 대하여 경사진 경사면을 형성한 후, 지지 기판의 경사면에 압전 기판을 접합한다. 이 후, 압전 기판의 노출면이 지지 기판의 타방의 면과 평행이 되도록 당해 압전 기판을 가공한 후, 또한 압전 기판을 연마하여 복합 기판을 얻는다. 그리고, 복합 기판에 있어서, 압전 기판의 두께를 균일하게 하는 것이 도모되고 있다.
일본특허공개공보 2015-159499호
그러나 특허 문헌 1에 기재된 방법에서는, 압전 기판을 연마하여 박화함에 있어 당해 압전 기판의 두께를 균일하게 하기 위하여, 지지 기판의 일방의 면의 연마와 압전 기판의 노출면의 가공이 별도로 행해지고 있다. 이 때문에, 기판 처리가 번잡해지고, 또한 처리 시간도 걸린다. 따라서, 종래의 기판 처리에는 개선의 여지가 있다.
본 발명은 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 접합되는 피처리 기판과 지지 기판을 처리함에 있어서, 기판 처리를 효율적으로 행하고 처리 후의 피처리 기판의 두께의 면내 균일성을 향상시키는 것을 목적으로 한다.
상기 과제를 해결하는 본 발명은, 접착 부재를 개재하여 접합되는 피처리 기판과 지지 기판을 처리하는 기판 처리 시스템으로서, 상기 접착 부재를 개재하여 상기 지지 기판에 접합되는 상기 피처리 기판의 비접합면에 접촉하며, 상기 피처리 기판을 성형하는 기판 성형부와, 상기 기판 성형부에 상기 피처리 기판의 비접합면이 접촉한 상태로 상기 접착 부재에 에너지를 공급하는 에너지 공급부를 가진다.
다른 관점에 따른 본 발명의 일태양은, 접착 부재를 개재하여 접합되는 피처리 기판과 지지 기판을 처리하는 기판 처리 방법으로서, 상기 접착 부재를 개재하여 상기 지지 기판에 접합되는 상기 피처리 기판의 비접합면에 기판 성형부를 접촉시켜, 상기 피처리 기판을 성형하는 기판 성형 공정과, 상기 기판 성형부에 상기 피처리 기판의 비접합면이 접촉한 상태로 상기 접착 부재에 에너지를 공급하여 상기 접착 부재를 경화시키는 에너지 공급 공정을 가진다.
또 다른 관점에 따른 본 발명의 일태양에 따르면, 상기 기판 처리 방법을 기판 처리 시스템에 의해 실행시키도록, 상기 기판 처리 시스템을 제어하는 제어부의 컴퓨터 상에서 동작하는 프로그램이 제공된다.
또 다른 관점에 따른 본 발명의 일태양에 따른, 상기 프로그램을 저장한 판독 가능한 컴퓨터 기억 매체가 제공된다.
본 발명에 따르면, 접합되는 피처리 기판과 지지 기판을 처리함에 있어서, 기판 처리를 효율적으로 행하고 처리 후의 피처리 기판의 두께의 면내 균일성을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템의 구성의 개략을 모식적으로 나타내는 평면도이다.
도 2는 중합 기판의 구성의 개략을 나타내는 측면도이다.
도 3은 본 실시 형태에 따른 접합 장치의 접합 유닛의 구성의 개략을 나타내는 측면도이다.
도 4는 본 실시 형태에 따른 자외선 처리 장치의 구성의 개략을 나타내는 측면도이다.
도 5는 본 실시 형태에 따른 가공 장치의 연삭 유닛의 구성의 개략을 나타내는 측면도이다.
도 6은 본 실시 형태에 따른 자외선 처리 장치가 동작하는 모습을 나타내는 설명도이다.
도 7은 다른 실시 형태에 따른 처리 장치의 접합 유닛의 구성의 개략을 나타내는 측면도이다.
도 8은 다른 실시 형태에 따른 처리 장치의 접합 유닛이 동작하는 모습을 나타내는 설명도이다.
도 9는 다른 실시 형태에 따른 자외선 처리 장치의 구성의 개략을 나타내는 측면도이다.
도 10은 다른 실시 형태에 따른 자외선 처리 장치의 구성의 개략을 나타내는 측면도이다.
도 11은 다른 실시 형태에 따른 열처리 장치의 구성의 개략을 나타내는 측면도이다.
이하, 본 발명의 실시 형태에 대하여, 도면을 참조하여 설명한다. 또한, 본 명세서 및 도면에서 실질적으로 동일한 기능 구성을 가지는 요소에 있어서는, 동일한 부호를 부여함으로써 중복 설명을 생략한다.
먼저, 본 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템의 구성에 대하여 설명한다. 도 1은 기판 처리 시스템(1)의 구성의 개략을 모식적으로 나타내는 평면도이다. 또한 이하에 있어서는, 위치 관계를 명확하게 하기 위하여, 서로 직교하는 X축 방향, Y축 방향 및 Z축 방향을 규정하고, Z축 정방향을 연직 상향 방향으로 한다.
기판 처리 시스템(1)에서는, 도 2에 나타내는 바와 같이 예를 들면 접착 부재로서의 접착제(G)를 개재하여 피처리 기판(W)과 지지 기판(S)을 접합하여 중합 기판(T)을 형성하고, 또한 피처리 기판(W)을 박화한다. 이하, 피처리 기판(W)에 있어서, 접착제(G)를 개재하여 지지 기판(S)과 접합된 면을 '접합면(Wj)'이라 하고, 당해 접합면(Wj)과 반대측의 면을 '비접합면(Wn)'이라 한다. 마찬가지로, 지지 기판(S)에 있어서, 접착제(G)를 개재하여 피처리 기판(W)과 접합된 면을 '접합면(Sj)'이라 하고, 접합면(Sj)과 반대측의 면을 '비접합면(Sn)'이라 한다.
접착제(G)에는, 자외선에 의해 경화되는 재료가 이용된다.
피처리 기판(W)은, 예를 들면 실리콘 웨이퍼 또는 화합물 반도체 웨이퍼 등의 반도체 웨이퍼로, 접합면(Wj)에 복수의 디바이스가 형성되어 있다.
지지 기판(S)은 피처리 기판(W)을 지지한다. 지지 기판(S)으로서는, 예를 들면 글라스 기판 등을 이용할 수 있다. 또한, 지지 기판(S)은 자외선을 투과하는 재료로 이루어지는 것이면 특별히 한정되지 않고, 예를 들면 석영판 또는 사파이어판 등을 이용해도 된다.
도 1에 나타내는 바와 같이 기판 처리 시스템(1)은, 예를 들면 외부와의 사이에서 복수의 피처리 기판(W), 복수의 지지 기판(S), 복수의 중합 기판(T)을 각각 수용 가능한 카세트(Cw, Cs, Ct)가 반입반출되는 반입반출 스테이션(2)과, 피처리 기판(W), 지지 기판(S), 중합 기판(T)에 대하여 정해진 처리를 실시하는 각종 처리 장치를 구비한 처리 스테이션(3)을 일체로 접속한 구성을 가지고 있다.
반입반출 스테이션(2)에는 카세트 배치대(10)가 마련되어 있다. 도시의 예에서는, 카세트 배치대(10)에는 복수, 예를 들면 4 개의 카세트(Cw, Cs, Ct)를 X축 방향으로 일렬로 배치 가능하게 되어 있다. 또한, 카세트 배치대(10)에 배치되는 카세트(Cw, Cs, Ct)의 개수는 본 실시 형태에 한정되지 않고, 임의로 결정할 수 있다.
반입반출 스테이션(2)에는 카세트 배치대(10)에 인접하여 웨이퍼 반송 영역(20)이 마련되어 있다. 웨이퍼 반송 영역(20)에는 X축 방향으로 연장되는 반송로(21) 상을 이동 가능한 웨이퍼 반송 장치(22)가 마련되어 있다. 웨이퍼 반송 장치(22)는 중합 기판(T)을 유지하여 반송하는, 예를 들면 2 개의 반송 암(23, 23)을 가지고 있다. 각 반송 암(23)은 수평 방향, 연직 방향, 수평축 둘레 및 연직축 둘레로 이동 가능하게 구성되어 있다. 또한, 반송 암(23)의 구성은 본 실시 형태에 한정되지 않고, 임의의 구성을 취할 수 있다.
처리 스테이션(3)에는 웨이퍼 반송 영역(20)의 Y축 정방향측에, 피처리 기판(W)과 지지 기판(S)을 접합하는 접합 장치(30), 중합 기판(T)(접착제(G))에 자외선을 조사하는 자외선 처리 장치(31) 및 피처리 기판(W)의 비접합면(Wn)을 연삭하여 가공하는 가공 장치(32)가 X축 부방향으로부터 정방향측을 향해 나열되어 배치되어 있다. 또한, 이들 접합 장치(30), 자외선 처리 장치(31), 가공 장치(32)의 수 및 배치는 본 실시 형태에 한정되지 않고, 임의로 결정할 수 있다.
이상의 기판 처리 시스템(1)에는 제어 장치(40)가 마련되어 있다. 제어 장치(40)는 예를 들면 컴퓨터이며, 프로그램 저장부(도시하지 않음)를 가지고 있다. 프로그램 저장부에는, 기판 처리 시스템(1)에 있어서의 피처리 기판(W), 지지 기판(S), 중합 기판(T)의 처리를 제어하는 프로그램이 저장되어 있다. 또한, 프로그램 저장부에는 상술한 각종 처리 장치 또는 반송 장치 등의 구동계의 동작을 제어하여, 기판 처리 시스템(1)에 있어서의 후술하는 기판 처리를 실현시키기 위한 프로그램도 저장되어 있다. 또한 상기 프로그램은, 예를 들면 컴퓨터 판독 가능한 하드 디스크(HD), 플렉시블 디스크(FD), 콤팩트 디스크(CD), 마그넷 옵티컬 디스크(MO), 메모리 카드 등의 컴퓨터에 판독 가능한 기억 매체(H)에 기록되어 있던 것으로, 그 기억 매체(H)로부터 제어 장치(40)에 인스톨된 것이어도 된다.
이어서, 접합 장치(30), 자외선 처리 장치(31) 및 가공 장치(32)에 대하여 설명한다.
접합 장치(30)는 피처리 기판(W)과 지지 기판(S)을 접합한다. 구체적으로 접합 장치(30)는, 예를 들면 지지 기판(S)에 접착제(G)를 도포하는 도포 유닛(100), 접착제(G)를 개재하여 피처리 기판(W)과 지지 기판(S)을 압압(押壓)하여 접합하는 접합부로서의 접합 유닛(101) 등을 구비하고 있다.
도포 유닛(100)에서는, 지지 기판(S)의 접합면(Sj)에 접착제(G)를 스핀 도포한다. 구체적으로, 스핀 척(도시하지 않음)에 유지된 지지 기판(S)을 회전시키면서, 노즐(도시하지 않음)로부터 지지 기판(S)의 접합면(Sj)에 접착제(G)를 공급한다. 또한, 도포 유닛(100)의 구성은 임의이며, 공지의 장치를 이용할 수 있다.
도 3에 나타내는 바와 같이, 접합 유닛(101)은 지지 기판(S)을 상면에서 배치하여 유지하는 하 척(110)과, 피처리 기판(W)을 하면에서 흡착 유지하는 상 척(111)을 가지고 있다. 하 척(110)은 상 척(111)의 하방에 마련되고, 상 척(111)과 대향하도록 배치되어 있다. 즉, 하 척(110)에 유지된 지지 기판(S)과 상 척(111)에 유지된 피처리 기판(W)은 대향하여 배치되어 있다.
하 척(110)에는, 예를 들면 지지 기판(S)을 정전 흡착하기 위한 정전 척이 이용된다. 하 척(110)의 내부에는 지지 기판(S)을 가열하는 가열 기구(112)가 마련되어 있다. 가열 기구(112)에는 예를 들면 히터가 이용된다.
상 척(111)에도, 예를 들면 피처리 기판(W)을 정전 흡착하기 위한 정전 척이 이용된다. 상 척(111)의 내부에는, 피처리 기판(W)을 가열하는 가열 기구(113)가 마련되어 있다. 가열 기구(113)에는 예를 들면 히터가 이용된다.
상 척(111)의 상면측에는, 상 척(111)을 연직 하방으로 압압하는 가압 기구(120)가 마련되어 있다. 가압 기구(120)는 상 척(111)을 연직 하방으로 이동시킴으로써, 피처리 기판(W)을 지지 기판(S)에 접촉시켜 가압한다. 이러한 가압 기구(120), 상하 한 쌍의 지지판(121, 122)(하측의 지지판을 121이라 하고, 상측의 지지판을 122라 함)과, 지지판(121, 122)의 사이에서 피처리 기판(W)과 지지 기판(S)을 덮도록 마련된 압력 용기(123)와, 압력 용기(123)의 내부에 유체, 예를 들면 압축 공기를 공급하는 유체 공급관(124)과, 내부에 유체를 저류하고 유체 공급관(124)을 거쳐 압력 용기(123)로 유체를 공급하는 유체 공급원(125)을 가지고 있다.
압력 용기(123)는, 예를 들면 연직 방향으로 신축 가능한 예를 들면 벨로우즈에 의해 구성되어 있다. 그리고, 압력 용기(123)에 유체 공급관(124)으로부터 유체를 공급함으로써, 압력 용기(123)가 하방향으로 연장되고, 당해 압력 용기(123)의 하면측에 마련된 상 척(111)을 하방으로 압압할 수 있다. 이에 의해, 피처리 기판(W)은 지지 기판(S)과 접촉하여 가압된다.
접합 유닛(101)은 내부를 밀폐 가능한 챔버(130)를 가지고 있다. 챔버(130)는 상술한 하 척(110), 상 척(111) 및 가압 기구(120)를 내부에 수용한다.
챔버(130)는 하 척(110)을 지지하는 하 챔버(131)와, 상 척(111)을 지지하는 상 챔버(132)를 가지고 있다. 상 챔버(132)는 승강 기구(도시하지 않음)에 의해 연직 방향으로 승강 가능하게 구성되어 있다. 상 챔버(132)에 있어서의 하 챔버(131)와의 접합면에는, 챔버(130)의 내부의 기밀성을 유지하기 위한 씰재(133)가 마련되어 있다. 씰재(133)에는 예를 들면 O링이 이용된다.
하 챔버(131)에는, 챔버(130) 내의 분위기를 감압하는 감압 기구(140)가 마련되어 있다. 감압 기구(140)는 챔버(130) 내의 분위기를 흡기하기 위한 흡기관(141)과, 흡기관(141)에 접속된 예를 들면 진공 펌프 등의 흡기 장치(142)를 가지고 있다.
자외선 처리 장치(31)는 중합 기판(T)(접착제(G))에 자외선을 조사하여, 접착제(G)를 경화시킨다. 구체적으로 도 1에 나타내는 바와 같이 자외선 처리 장치(31)는, 예를 들면 중합 기판(T)의 표리면을 반전시키는 반전 유닛(150), 중합 기판(T)(접착제(G))에 자외선을 조사하는 자외선 조사 유닛(151) 등을 구비하고 있다.
반전 유닛(150)은 중합 기판(T)의 표리면을 반전시킨다. 반전 유닛(150)의 구성은 임의이며, 공지의 장치를 이용할 수 있다.
도 4에 나타내는 바와 같이 자외선 조사 유닛(151)은, 피처리 기판(W)이 하측으로서 지지 기판(S)이 상측에 배치된 상태로, 중합 기판(T)을 유지하는 척(160)을 가지고 있다. 척(160)은 피처리 기판(W)의 비접합면(Wn)을 흡착 유지한다. 척(160)의 흡착 방법은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 피처리 기판(W)을 진공 흡착해도 되고, 정전 흡착해도 된다. 또한, 척(160)은 승강 기구(도시하지 않음)에 의해 연직 방향으로 승강 가능하게 구성되어 있다.
척(160)의 유지면(160a)은, 그 중심부가 외주부에 비해 오목한 오목 형상을 가지고 있다. 그리고, 척(160)으로 피처리 기판(W)을 흡착 유지했을 시, 당해 피처리 기판(W)은 유지면(160a)의 형상을 따라 변형된다. 즉, 피처리 기판(W)은, 그 중심부를 외주부에 비해 지지 기판(S)과 반대측으로 돌출시킨 볼록 형상으로 성형된다. 또한 본 실시 형태에서는, 척(160)이 기판 성형부를 구성하고 있다.
척(160)의 상방에는, 중합 기판(T)(접착제(G))에 자외선을 조사하는 자외선 조사부(161)가 마련되어 있다. 자외선 조사부(161)는 케이싱(162)의 내부에 수용되어 있다. 자외선 조사부(161)에는, 예를 들면 자외선을 발하는 LED(도시하지 않음)가 복수 배열되어 배치되어 있다. 이들 복수의 LED의 배치 및 수는 임의이다. 그리고, 자외선 조사부(161)로부터의 자외선은, 적어도 척(160)에 유지된 중합 기판(T)의 전면에 조사된다. 보다 상세하게는, 자외선 조사부(161)로부터의 자외선은, 후술하는 커버(163)를 투과하고, 또한 지지 기판(S)도 투과하여, 접착제(G)의 전면에 조사된다. 또한 본 실시 형태에서는, 자외선 조사부(161)가 에너지 공급부를 구성하며, 즉 접착제(G)에 공급되는 에너지는 자외선이다.
케이싱(162)의 하면에는, 자외선 처리 중에 지지 기판(S)의 비접합면(Sn)에 접촉하는 커버(163)가 마련되어 있다. 커버(163)의 접촉면(163a)은 평탄 형상을 가지고 있다. 이 때문에, 자외선 처리 중, 척(160)에 유지된 피처리 기판(W)이 볼록 형상으로 변형되어도, 커버(163)에 접촉하는 지지 기판(S)은 변형되지 않고 평탄한 상태이다. 커버(163)는, 자외선 조사부(161)로부터 발해진 자외선을 투과하는 재료로 이루어지며, 예를 들면 글라스 기판을 이용할 수 있다.
가공 장치(32)는 피처리 기판(W)의 비접합면(Wn)을 연삭하여 가공한다. 구체적으로 가공 장치(32)는, 예를 들면 비접합면(Wn)을 연삭하는 연삭부로서의 연삭 유닛, 피처리 기판(W)의 비접합면(Wn) 또는 지지 기판(S)의 비접합면(Sn)을 세정하는 세정 유닛 등을 구비하고 있다.
도 5에 나타내는 바와 같이 연삭 유닛(170)은, 피처리 기판(W)이 상측으로서 지지 기판(S)이 하측에 배치된 상태로, 중합 기판(T)을 유지하는 척(180)을 가지고 있다. 척(180)은 회전 기구(도시하지 않음)에 의해 연직축 둘레로 회전 가능하게 구성되어 있다. 또한, 척(180)은 경사 기구(181)에 의해 수평 방향으로부터의 기울기를 조정 가능하게 구성되어 있다. 경사 기구(181)는 척(180)의 하면에 마련된 고정부(182)와 복수의 승강부(183)를 가지고 있다. 각 승강부(183)는 척(180)을 승강시킨다. 이 경사 기구(181)에 의해, 척(180)의 외주부의 일단부(고정부(182)에 대응하는 위치)를 기점으로 타단부를 승강부(183)에 의해 연직 방향으로 승강시킴으로써, 척(180)을 경사시킬 수 있다. 그리고 이와 같이 척(180)의 기울기를 조정하여, 척(180)과 후술하는 연삭 숫돌(184)과의 상대적인 기울기가 조정된다.
척(180)의 상방에는 환상 형상의 연삭 숫돌(184)이 마련되어 있다. 연삭 숫돌(184)에는 스핀들(185)을 개재하여 구동부(186)가 마련되어 있다. 구동부(186)는 예를 들면 모터(도시하지 않음)를 내장하여 연삭 숫돌(184)을 회전시키고, 또한 연직 방향 및 수평 방향으로 이동시킨다.
그리고, 연삭 유닛(170)에서는, 척(180)에 유지된 피처리 기판(W)과 연삭 숫돌(184)의 원호의 일부를 접촉시킨 상태로 척(180)과 연삭 숫돌(184)을 각각 회전시킴으로써, 피처리 기판(W)의 비접합면(Wn)을 연삭한다.
이어서, 이상과 같이 구성된 기판 처리 시스템(1)을 이용하여 행해지는 기판 처리에 대하여 설명한다.
먼저, 복수의 피처리 기판(W)을 수납한 카세트(Cw), 복수의 지지 기판(S)을 수납한 카세트(Cs)가 반입반출 스테이션(2)의 카세트 배치대(10)에 배치된다.
이어서, 웨이퍼 반송 장치(22)에 의해 카세트(Cs) 내의 지지 기판(S)이 취출되고, 접합 장치(30)로 반송된다. 접합 장치(30)에서는, 먼저, 도포 유닛(100)에 있어서 지지 기판(S)의 접합면(Sj)에 접착제(G)가 도포된다. 이 후, 접합 유닛(101)에 있어서, 지지 기판(S)은 하 척(110)에 유지된다. 이 때, 하 척(110)에서는, 접합면(Sj)이 상방을 향한 상태, 즉 접착제(G)가 상방을 향한 상태로 지지 기판(S)이 유지된다.
계속하여, 웨이퍼 반송 장치(22)에 의해 카세트(Cw) 내의 피처리 기판(W)도 취출되어, 접합 장치(30)로 반송된다. 접합 장치(30)에 있어서 피처리 기판(W)은, 접합 유닛(101)의 상 척(111)에 유지된다. 이 때, 상 척(111)에서는, 접합면(Wj)이 하방을 향한 상태로 피처리 기판(W)이 유지된다.
접합 유닛(101)에서는, 하 챔버(131)와 상 챔버(132)를 접촉시켜, 챔버(130)의 내부에 밀폐 공간을 형성한 후, 감압 기구(140)에 의해 당해 밀폐 공간을 정해진 진공도까지 감압한다. 이 후, 가압 기구(120)에 의해 피처리 기판(W)의 전면과 지지 기판(S)의 전면을 압압하고, 당해 피처리 기판(W)과 지지 기판(S)이 접합되어 중합 기판(T)이 형성된다. 또한, 피처리 기판(W)과 지지 기판(S)을 압압할 시, 가열 기구(113, 112)에 의해 피처리 기판(W)과 지지 기판(S)을 각각 정해진 온도로 가열한다. 이 가열에 의해, 접착제(G)를 개재하여 피처리 기판(W)과 지지 기판(S)이 접착된다. 단, 접착제(G)는 완전하게는 고화되어 있지 않고, 어느 정도의 유동성을 가진 상태가 되어 있다.
이어서, 중합 기판(T)은 웨이퍼 반송 장치(22)에 의해 자외선 처리 장치(31)로 반송된다. 자외선 처리 장치(31)에서는, 먼저, 반전 유닛(150)에 있어서 중합 기판(T)의 표리면이 반전되고, 즉 피처리 기판(W)이 하측으로서 지지 기판(S)이 상측을 향해진다. 이 후, 자외선 조사 유닛(151)에 있어서 중합 기판(T)은, 도 6의 (a)에 나타내는 바와 같이 척(160)에 유지된다. 척(160)은 피처리 기판(W)의 비접합면(Wn)을 흡착 유지하고, 당해 피처리 기판(W)은 유지면(160a)의 형상을 따라 변형된다. 즉, 피처리 기판(W)은, 그 중심부를 외주부에 비해 지지 기판(S)과 반대측으로 돌출시킨 볼록 형상으로 성형된다. 이 때, 접착제(G)는 유동하고, 지지 기판(S)이 변형되지는 않는다.
이 후, 도 6의 (b)에 나타내는 바와 같이 척(160)을 상승시켜, 지지 기판(S)의 비접합면(Sn)이 커버(163)의 접촉면(163a)에 접촉한다. 그리고, 피처리 기판(W)과 지지 기판(S)을 정해진 압력으로 압압하여, 피처리 기판(W)의 형상과 지지 기판(S)의 형상을 각각 적절하게 유지한다.
이 후, 피처리 기판(W)과 지지 기판(S)을 압압한 상태로 도 6의 (c)에 나타내는 바와 같이 자외선 조사부(161)로부터 중합 기판(T)에 자외선을 조사한다. 보다 상세하게는, 자외선 조사부(161)로부터 발해진 자외선은, 커버(163)를 투과하고 또한 지지 기판(S)도 투과하여, 접착제(G)의 전면에 조사된다. 그리고, 자외선에 의해 접착제(G)가 경화되고, 피처리 기판(W)이 볼록 형상으로 유지되며, 지지 기판(S)이 평탄 형상으로 유지된다.
이 후, 도 6의 (d)에 나타내는 바와 같이 척(160)을 하강시켜, 자외선 처리가 종료된다. 이 후, 반전 유닛(150)에 있어서 중합 기판(T)의 표리면이 반전되고, 즉 피처리 기판(W)이 상측으로서 지지 기판(S)이 하측을 향해진다.
이어서, 중합 기판(T)은 웨이퍼 반송 장치(22)에 의해 가공 장치(32)로 반송된다. 가공 장치(32)로 반송된 중합 기판(T)은 척(180)에 전달되어 유지된다. 척(180)은 지지 기판(S)의 비접합면(Sn)을 유지한다. 이 때, 비접합면(Sn)이 평탄하게 되어 있으므로, 지지 기판(S)을 적절히 유지할 수 있다. 또한 척(180)에서는, 피처리 기판(W)의 볼록 형상에 맞추어, 경사 기구(181)에 의해 척(180)의 기울기가 조정된다. 즉, 연삭 숫돌(184)에 대하여 피처리 기판(W)의 비접합면(Wn)이 적절히 접촉하도록 척(180)의 기울기가 조정된다. 그리고, 이와 같이 피처리 기판(W)(중합 기판(T))의 유지 상태를 조정한 후, 피처리 기판(W)과 연삭 숫돌(184)의 원호의 일부를 접촉시킨 상태로, 연삭 숫돌(184)을 하강시키면서, 척(180)과 연삭 숫돌(184)을 각각 회전시킴으로써, 피처리 기판(W)의 비접합면(Wn)을 연삭한다.
여기서, 종래, 예를 들면 피처리 기판의 반경분에 대하여 연삭 숫돌을 접촉시키면, 피처리 기판의 중심부가 외주부에 비해 많이 연삭되게 되고, 그 결과, 연삭량이 기판 면내에서 불균일해져, 연삭 후의 피처리 기판의 두께가 기판 면내에서 불균일해진다. 이 점, 본 실시 형태에서는, 미리 연삭량의 면내 불균일을 고려하여, 피처리 기판(W)이 볼록 형상을 가지고 있다. 즉, 연삭량의 면내 불균일을 상쇄하도록, 피처리 기판(W)이 볼록 형상으로 형성되어 있다. 또한, 상술한 바와 같이 척(180)의 기울기를 조정하여, 피처리 기판(W)의 비접합면(Wn)에 연삭 숫돌(184)이 적절히 접촉한다. 따라서, 연삭을 균일하게 행할 수 있어, 연삭 후의 피처리 기판(W)의 두께를 기판 면내에서 균일하게 할 수 있다.
이 후, 모든 처리가 실시된 중합 기판(T)은, 웨이퍼 반송 장치(22)에 의해 카세트 배치대(10)의 카세트(Ct)로 반송된다. 이렇게 하여, 기판 처리 시스템(1)에 있어서의 일련의 기판 처리가 종료된다.
이상의 실시 형태에 따르면, 자외선 처리 장치(31)에 있어서 중합 기판(T)에 대하여, 접착제(G)에 자외선을 조사하여 경화시키고, 척(160)에 유지된 피처리 기판(W)을 볼록 형상으로 변형시킨다. 그러면 이 후, 가공 장치(32)에 있어서, 연삭 숫돌(184)에 의한 연삭의 불균일을 억제할 수 있다. 따라서, 연삭 후의 피처리 기판(W)의 두께를 기판 면내에서 균일하게 할 수 있다.
또한 가공 장치(32)에서는, 척(180)의 기울기를 조정함으로써, 피처리 기판(W)의 비접합면(Wn)에 연삭 숫돌(184)을 적절히 접촉시킬 수 있다. 그 결과, 피처리 기판(W)의 두께의 면내 균일성을 더 향상시킬 수 있다.
또한 본 실시 형태에 따르면, 피처리 기판(W)의 두께의 면내 균일성을 향상시킴에 있어서, 상술한 종래의 특허 문헌 1에 기재된 방법과 같이, 지지 기판을 연마(연삭)할 필요가 없다. 따라서, 기판 처리를 간이화할 수 있어, 기판 처리의 스루풋도 향상된다.
또한 이상의 실시 형태에서는, 접합 장치(30)의 접합 유닛(101)에 있어서, 하 척(110)으로 지지 기판(S)을 유지하고, 상 척(111)으로 피처리 기판(W)을 유지하고 있었지만, 반대로 하 척(110)으로 피처리 기판(W)을 유지하고, 상 척(111)으로 지지 기판(S)을 유지해도 된다. 이러한 경우, 도포 유닛(100)에서는, 피처리 기판(W)의 접합면(Wj)에 접착제(G)가 도포된다. 또한, 접합 장치(30)로 접합되고, 자외선 처리 장치(31)로 반송된 중합 기판(T)은, 반전 유닛(150)에서 표리면이 반전되지 않고, 자외선 조사 유닛(151)으로 직접 반송된다.
또한 이상의 실시 형태에서는, 반전 유닛(150)에 있어서 중합 기판(T)의 표리면을 반전시키고 있었지만, 웨이퍼 반송 장치(22)에 의해 중합 기판(T)의 표리면을 반전시켜도 된다.
이어서, 본 발명의 다른 실시 형태에 대하여 설명한다.
이상의 실시 형태에서는, 접합 장치(30)에 있어서의 접합 처리와 자외선 처리 장치(31)에 있어서의 자외선 처리는 개별로 행해지고 있었지만, 이들 접합 처리와 자외선 처리를 하나의 처리 장치에서 행하도록 해도 된다. 이러한 경우, 도 7에 나타내는 바와 같이 처리 장치(200)는, 상기 실시 형태의 접합 장치(30)에 있어서, 도 3에 나타낸 접합 유닛(101)의 하 척(110) 대신에 하 척(201)이 마련되고, 또한 예를 들면 상 척(111)과 지지판(121)과의 사이에 자외선 조사부(202)가 마련된 구성을 가지고 있다. 또한, 본 실시 형태의 처리 장치(200)에 있어서의 다른 구성은, 상기 실시 형태의 접합 장치(30)에 있어서의 구성과 동일하므로 설명을 생략한다.
하 척(201)은, 상기 실시 형태의 자외선 처리 장치(31)에 있어서의 척(160)과 동일한 구성을 가지고 있다. 즉, 하 척(201)의 유지면(201a)은, 그 중심부가 외주부에 비해 오목한 오목 형상을 가지고 있다. 또한 하 척(201)은, 피처리 기판(W)을 정전 흡착한다. 그리고, 하 척(201)으로 피처리 기판(W)을 흡착 유지했을 시, 당해 피처리 기판(W)은 유지면(201a)의 형상을 따라 변형된다. 또한 본 실시 형태에서는, 하 척(201)이 기판 성형부를 구성하고 있다. 또한, 하 척(201)에는 피처리 기판(W)을 가열하는 가열 기구(203)가 마련되어 있다. 가열 기구(203)에는, 예를 들면 히터가 이용된다.
자외선 조사부(202)는, 상기 실시 형태의 자외선 처리 장치(31)에 있어서의 자외선 조사부(161)와 동일한 구성을 가지고 있다. 즉, 자외선 조사부(202)에는, 예를 들면 자외선을 발하는 LED(도시하지 않음)가 복수 배열되어 배치되어 있다. 또한, 상 척(111)은 자외선을 투과하는 재료로 이루어진다. 그리고, 자외선 조사부(202)로부터의 자외선은 상 척(111)을 투과하고, 또한 지지 기판(S)도 투과하여, 접착제(G)의 전면에 조사된다. 또한 본 실시 형태에서는, 자외선 조사부(202)가 에너지 공급부를 구성한다.
이러한 경우, 처리 장치(200)의 접합 유닛(101)에서는, 먼저, 접착제(G)가 도포된 피처리 기판(W)이 하 척(201)에 흡착 유지된다. 이 때, 피처리 기판(W)은 유지면(201a)의 형상을 따라, 그 중심부를 외주부에 비해 지지 기판(S)과 반대측으로 돌출시킨 볼록 형상으로 성형된다. 이어서, 지지 기판(S)이 상 척(111)에 유지된다.
이 후, 도 8에 나타내는 바와 같이 하 챔버(131)와 상 챔버(132)를 접촉시켜, 챔버(130)의 내부에 밀폐 공간을 형성한 후, 감압 기구(140)에 의해 당해 밀폐 공간을 정해진 진공도까지 감압한다. 또한, 가압 기구(120)에 의해 피처리 기판(W)의 전면과 지지 기판(S)의 전면을 압압하여, 당해 피처리 기판(W)과 지지 기판(S)을 접합한다.
이 피처리 기판(W)과 지지 기판(S)의 접합 중에, 도 8에 나타내는 바와 같이 자외선 조사부(202)로부터 상 척(111)과 지지 기판(S)을 개재하여 접착제(G)의 전면에, 자외선이 조사된다. 그리고, 자외선에 의해 접착제(G)가 경화되고, 피처리 기판(W)이 볼록 형상으로 유지되며, 지지 기판(S)이 평탄 형상으로 유지된다.
본 실시 형태에 있어서도, 상기 실시 형태의 효과와 동일한 효과를 나타낼 수 있다. 또한 본 실시 형태에서는, 하나의 처리 장치(200)에 있어서, 접합 처리와 자외선 처리가 동시에 행해지므로, 기판 처리의 스루풋을 더 향상시킬 수 있다.
이상의 실시 형태의 자외선 처리 장치(31)의 자외선 조사 유닛(151)에는, 도 9에 나타내는 바와 같이 접착 부재 제거부로서의 접착제 제거부(210)가 더 마련되어 있어도 된다. 도 6의 (b)에 나타낸 바와 같이 척(160)을 상승시켜 피처리 기판(W)과 지지 기판(S)을 압압할 시, 피처리 기판(W)과 지지 기판(S)의 외측면으로부터 외방으로 접착제(G)가 밀려나오는 경우가 있다. 따라서, 도 9에 나타낸 접착제 제거부(210)를 이용하여, 이 밀려나온 접착제(G)를 제거한다. 접착제 제거부(210)의 구성은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들면 접착제(G)에 용제를 공급하여 제거해도 되고, 혹은 바이트를 이용하여 접착제(G)를 잘라내도 된다. 이러한 경우, 후속의 웨이퍼 반송 장치(22)에 의한 중합 기판(T)의 반송 또는 접합 장치(30)에 있어서의 처리에 있어서, 밀려나온 접착제(G)가 장치에 부착하는 것을 억제할 수 있다. 또한 이 접착제 제거부(210)는, 도 7에 나타낸 처리 장치(200)의 접합 유닛(101)에도 마련되어 있어도 된다.
또한, 이상의 실시 형태의 자외선 처리 장치(31)의 자외선 조사 유닛(151)에서는, 척(160)의 유지면(160a)은, 그 중심부가 외주부에 비해 오목한 오목 형상을 가지고 있었지만, 요철(凹凸) 형상은 이와 반대여도 된다. 즉, 도 10에 나타내는 바와 같이 척(160)의 유지면(160a)은, 그 중심부가 외주부에 비해 돌출된 볼록 형상을 가지고 있어도 된다. 이러한 경우, 척(160)으로 피처리 기판(W)을 흡착 유지했을 시, 당해 피처리 기판(W)은, 그 중심부를 외주부에 비해 지지 기판(S)측으로 오목하게 한 오목 형상으로 성형된다.
이러한 경우라도, 피처리 기판(W)이 오목 형상을 가지고 있으므로, 가공 장치(32)에 있어서 연삭 숫돌(184)에 의한 연삭량의 면내 불균일을 상쇄하고, 연삭 후의 피처리 기판(W)의 두께를 기판 면내에서 균일하게 할 수 있다. 또한 가공 장치(32)에서는, 피처리 기판(W)의 오목 형상에 맞추어 척(180)의 기울기를 조정하고, 이에 의해 피처리 기판(W)의 비접합면(Wn)에 연삭 숫돌(184)을 적절히 접촉시킬 수 있다. 그 결과, 피처리 기판(W)의 두께의 면내 균일성을 더 향상시킬 수 있다. 환언하면, 피처리 기판(W)이 볼록 형상 또는 오목 형상 어느 것이라도, 피처리 기판(W)의 중심으로부터 대칭인 형상(시메트리인 형상)이면, 본 실시 형태와 동일한 효과를 나타낼 수 있다. 또한, 척(160)의 유지면(160a)을 일단으로부터 타단을 향해 경사시켜, 당해 척(160)에 유지되는 피처리 기판(W)을, 지지 기판(S)에 대하여 일단으로부터 타단으로 경사시키도록 형성해도 되고, 이러한 경우라도, 본 실시 형태와 동일한 효과를 나타낼 수 있다. 또한, 도 7에 나타낸 처리 장치(200)의 접합 유닛(101)의 하 척(201)에 대해서도, 요철 형상은 반대여도 되고, 혹은 일단으로부터 타단으로 경사지는 형상이어도 된다.
이상의 실시 형태에서는, 자외선 처리 장치(31)에 있어서 접착제(G)에 자외선을 공급했지만, 접착제(G)에 공급하는 에너지는 이에 한정되지 않는다. 예를 들면 접착제(G)가 열에 의해 경화되는 재료로 이루어지는 경우, 에너지 공급부로서 접착제(G)를 가열해도 된다.
이러한 경우, 도 11에 나타내는 바와 같이 열처리 장치(220)는, 척(160)과 열판(221)을 가지고 있다. 척(160)은 자외선 처리 장치(31)에 있어서의 척(160)과 동일한 구성이다. 또한, 척(160)은 승강 기구(도시하지 않음)에 의해 연직 방향으로 승강 가능하게 구성되어 있다.
열판(221)에 있어서, 열처리 처리 중에 지지 기판(S)의 비접합면(Sn)에 접촉하는 접촉면(221a)은 평탄 형상을 가지고 있다. 이 때문에, 열처리 중, 척(160)에 유지된 피처리 기판(W)이 볼록 형상으로 변형되어도, 열판(221)에 접촉하는 지지 기판(S)은 변형되지 않고 평탄한 상태이다. 또한, 열판(221)의 내부에는 접착제(G)를 가열하는 가열 기구(222)가 마련되어 있다. 가열 기구(222)에는 예를 들면 히터가 이용된다.
이러한 열처리 장치(220)에서는, 척(160)에 유지된 피처리 기판(W)을 볼록 형상으로 성형한 후, 척(160)을 상승시켜 피처리 기판(W)과 지지 기판(S)을 압압한 상태로, 가열 기구(222)에 의해 접착제(G)를 가열한다. 그러면, 접착제(G)가 경화되고, 피처리 기판(W)이 볼록 형상으로 유지되며, 지지 기판(S)이 평탄 형상으로 유지된다. 이와 같이 에너지로서 열을 이용한 경우라도, 자외선을 이용한 경우와 동일한 효과를 나타낼 수 있다.
또한, 열처리 장치(220)로 접착제(G)를 가열하는 경우, 지지 기판(S)은 자외선을 투과시킬 필요가 없으며, 글라스 기판 이외에도 웨이퍼를 이용해도 된다. 또한, 열처리 장치(220)로 접착제(G)를 가열하는 방법은, 도 11에 나타낸 예에 한정되지 않는다. 예를 들면 척(160)의 내부에 가열 기구(도시하지 않음)를 마련하여, 접착제(G)를 가열해도 되며, 혹은 별도 마련한 적외선 등의 히터를 이용하여, 접착제(G)를 가열해도 된다.
이상의 실시 형태에서는, 자외선 처리 장치(31)의 척(160), 처리 장치(200)의 하 척(201), 혹은 열처리 장치(220)의 척(160)에 의해, 피처리 기판(W)을 변형시키고 있었지만, 기판 성형부는 이들 척에 한정되지 않는다. 예를 들면 자외선 처리 장치(31)의 커버(163), 처리 장치(200)의 상 척(111), 혹은 열처리 장치(220)의 열판(221)에 의해, 피처리 기판(W)을 볼록 형상 또는 오목 형상, 경사 형상 등의 정해진 형상으로 성형해도 된다.
이상의 실시 형태에서는, 피처리 기판(W)과 지지 기판(S)을 접합하는 접착 부재로서, 접착제(G)를 이용했지만, 접착 부재는 이에 한정되지 않는다. 예를 들면 접착 테이프에 의해 피처리 기판(W)과 지지 기판(S)을 접합해도 된다. 이러한 경우, 접착 테이프의 양면에는, 자외선 또는 열에 의해 경화되는 재료가 마련된다.
이상의 실시 형태의 기판 처리 시스템(1)에는 가공 장치(32)가 마련되어 있었지만, 이 가공 장치(32)는 기판 처리 시스템(1)의 외부에 마련되어 있어도 된다.
이상, 본 발명의 실시 형태에 대하여 설명했지만, 본 발명은 이러한 예에 한정되지 않는다. 당업자라면, 특허 청구의 범위에 기재된 기술적 사상의 범주 내에 있어서, 각종의 변경예 또는 수정예에 상도할 수 있는 것은 명백하며, 그들에 대해서도 당연히 본 발명의 기술적 범위에 속하는 것으로 이해된다.
1 : 기판 처리 시스템
2 : 반입반출 스테이션
3 : 처리 스테이션
22 : 웨이퍼 반송 장치
30 : 접합 장치
31 : 자외선 처리 장치
32 : 가공 장치
40 : 제어 장치
101 : 접합 유닛
151 : 자외선 조사 유닛
160 : 척
161 : 자외선 조사부
170 : 연삭 유닛
200 : 처리 장치
201 : 척
202 : 자외선 조사부
210 : 접착제 제거부
220 : 열처리 장치
221 : 열판
222 : 가열 기구
S : 지지 기판
T : 중합 기판
W : 피처리 기판

Claims (15)

  1. 접착 부재를 개재하여 접합되는 피처리 기판과 지지 기판을 처리하는 기판 처리 시스템으로서,
    상기 접착 부재를 개재하여 상기 지지 기판에 접합되는 상기 피처리 기판의 비접합면에 접촉하며, 상기 피처리 기판을 성형하는 기판 성형부와,
    상기 기판 성형부에 상기 피처리 기판의 비접합면이 접촉한 상태로 상기 접착 부재에 에너지를 공급하는 에너지 공급부를 가지는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 시스템.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 에너지 공급부는 상기 지지 기판을 개재하여 상기 접착 부재에 자외선을 조사하고,
    상기 지지 기판은 자외선을 투과하는 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 시스템.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 에너지 공급부는 상기 접착 부재를 가열하는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 시스템.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판 성형부는, 중심부를 외주부에 비해 상기 지지 기판과 반대측으로 돌출시킨 볼록 형상 또는 중심부를 외주부에 비해 상기 지지 기판측으로 오목하게 한 오목 형상으로, 상기 피처리 기판을 성형하는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 시스템.
  5. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 접착 부재를 개재하여 상기 피처리 기판과 상기 지지 기판을 접합 처리하는 접합부를 가지고,
    상기 접합부에 있어서의 접합 처리 중에, 상기 기판 성형부에 의한 상기 피처리 기판의 성형과 상기 에너지 공급부에 의한 상기 접착 부재에의 에너지 공급이, 각각 행해지는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 시스템.
  6. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판 성형부에서 성형된 상기 피처리 기판의 비접합면을 연삭하는 연삭부를 가지고,
    상기 연삭부는 상기 피처리 기판의 형상에 맞추어 상기 피처리 기판의 유지 상태를 조정하여 상기 비접합면을 연삭하는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 시스템.
  7. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판 성형부에서 상기 피처리 기판을 성형했을 시, 상기 피처리 기판과 상기 지지 기판의 외측면으로부터 외방으로 밀려나온 상기 접착 부재를 제거하는 접착 부재 제거부를 가지는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 시스템.
  8. 접착 부재를 개재하여 접합되는 피처리 기판과 지지 기판을 처리하는 기판 처리 방법으로서,
    상기 접착 부재를 개재하여 상기 지지 기판에 접합되는 상기 피처리 기판의 비접합면에 기판 성형부를 접촉시켜, 상기 피처리 기판을 성형하는 기판 성형 공정과,
    상기 기판 성형부에 상기 피처리 기판의 비접합면이 접촉한 상태로 상기 접착 부재에 에너지를 공급하여 상기 접착 부재를 경화시키는 에너지 공급 공정을 가지는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 에너지 공급 공정에 있어서, 상기 지지 기판을 개재하여 상기 접착 부재에 자외선을 조사하고,
    상기 지지 기판은 자외선을 투과하는 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 방법.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 에너지 공급 공정에 있어서, 상기 접착 부재를 가열하는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 방법.
  11. 제 8 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판 성형 공정에 있어서, 상기 기판 성형부는, 중심부를 외주부에 비해 상기 지지 기판과 반대측으로 돌출시킨 볼록 형상 또는 중심부를 외주부에 비해 상기 지지 기판측으로 오목하게 한 오목 형상으로, 상기 피처리 기판을 성형하는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 방법.
  12. 제 8 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 접착 부재를 개재하여 상기 피처리 기판과 상기 지지 기판을 접합 처리하는 접합 공정을 가지고,
    상기 접합 공정에 있어서의 접합 처리 중에, 상기 기판 성형 공정과 상기 에너지 공급 공정이 각각 행해지는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 방법.
  13. 제 8 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판 성형 공정으로 성형된 상기 피처리 기판의 비접합면을 연삭하는 연삭 공정을 가지고,
    상기 연삭 공정에 있어서, 상기 피처리 기판의 형상에 맞추어 상기 피처리 기판의 유지 상태를 조정하여 상기 비접합면을 연삭하는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 방법.
  14. 제 8 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판 성형 공정에 있어서, 상기 피처리 기판과 상기 지지 기판의 외측면으로부터 외방으로 밀려나온 상기 접착 부재를 제거하는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 방법.
  15. 제 8 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 기재된 기판 처리 방법을 기판 처리 시스템에 의해 실행시키기 위한 프로그램을 기억한, 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체.
KR1020190027591A 2018-04-03 2019-03-11 기판 처리 시스템, 기판 처리 방법 및 기억 매체 KR20190116056A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2018-071298 2018-04-03
JP2018071298A JP2019186265A (ja) 2018-04-03 2018-04-03 基板処理システム、基板処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20190116056A true KR20190116056A (ko) 2019-10-14

Family

ID=68171755

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190027591A KR20190116056A (ko) 2018-04-03 2019-03-11 기판 처리 시스템, 기판 처리 방법 및 기억 매체

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP2019186265A (ko)
KR (1) KR20190116056A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210090911A (ko) * 2020-01-13 2021-07-21 (주)제이쓰리 반도체 웨이퍼 형상을 제어하는 웨이퍼 가공기술

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7400360B2 (ja) 2019-11-06 2023-12-19 富士電機株式会社 半導体素子の製造方法
JP2023179882A (ja) * 2022-06-08 2023-12-20 タツモ株式会社 接合装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015159499A (ja) 2014-02-25 2015-09-03 日本碍子株式会社 複合基板の製法及び複合基板

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2848337B1 (fr) * 2002-12-09 2005-09-09 Commissariat Energie Atomique Procede de realisation d'une structure complexe par assemblage de structures contraintes
JP5528405B2 (ja) * 2011-09-07 2014-06-25 東京エレクトロン株式会社 接合方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び接合システム
JP6082654B2 (ja) * 2013-05-22 2017-02-15 株式会社ディスコ 研削方法
JP5816388B1 (ja) * 2015-05-07 2015-11-18 信越エンジニアリング株式会社 貼合デバイスの製造方法及び貼合デバイスの製造装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015159499A (ja) 2014-02-25 2015-09-03 日本碍子株式会社 複合基板の製法及び複合基板

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210090911A (ko) * 2020-01-13 2021-07-21 (주)제이쓰리 반도체 웨이퍼 형상을 제어하는 웨이퍼 가공기술

Also Published As

Publication number Publication date
JP2019186265A (ja) 2019-10-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5752639B2 (ja) 接合システム、接合方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
KR101880766B1 (ko) 접합 장치, 접합 시스템, 접합 방법 및 컴퓨터 판독가능한 기억매체
JP5485958B2 (ja) 接合方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体、接合装置及び接合システム
KR20190116056A (ko) 기판 처리 시스템, 기판 처리 방법 및 기억 매체
KR101849788B1 (ko) 접합 장치, 접합 시스템, 접합 방법 및 컴퓨터 기억 매체
KR20130111533A (ko) 접합시스템, 기판 처리 시스템, 접합방법, 프로그램 및 컴퓨터 저장매체
KR20100018458A (ko) 임프린트 장치, 임프린트 방법 및 부품 제조 방법
KR101883028B1 (ko) 접합 시스템, 기판 처리 시스템 및 접합 방법
KR102450309B1 (ko) 웨이퍼의 가공 방법
KR102075175B1 (ko) 접합 시스템
WO2013035620A1 (ja) 接合方法及び接合システム
JP6925160B2 (ja) 接合装置
JP5528405B2 (ja) 接合方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び接合システム
CN110609447A (zh) 涂布膜形成方法和涂布膜形成装置
JP5905509B2 (ja) 接合装置、接合システム、接合方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP6412804B2 (ja) 接合方法および接合システム
JP6854696B2 (ja) 接合装置および接合方法
JP2015170621A (ja) 接合方法、接合システムおよび接合装置
JP6955904B2 (ja) 基板処理装置
JP5869960B2 (ja) 接合システム、接合方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
WO2013035621A1 (ja) 接合方法、コンピュータ記憶媒体及び接合システム
JP2014056910A (ja) 塗布処理装置、接合システム、塗布処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP7062330B2 (ja) ダイボンド用樹脂層形成装置
JP2019204895A (ja) 型を用いて基板上の組成物を成形する成形装置、成形方法、基板処理方法、および、物品製造方法
JP2019016518A (ja) 保護膜形成装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application