WO2013035621A1 - 接合方法、コンピュータ記憶媒体及び接合システム - Google Patents

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WO2013035621A1
WO2013035621A1 PCT/JP2012/071994 JP2012071994W WO2013035621A1 WO 2013035621 A1 WO2013035621 A1 WO 2013035621A1 JP 2012071994 W JP2012071994 W JP 2012071994W WO 2013035621 A1 WO2013035621 A1 WO 2013035621A1
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adhesive
wafer
substrate
processed
bonding
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PCT/JP2012/071994
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雅敏 出口
雅敏 白石
修 平河
英二 眞鍋
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東京エレクトロン株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to a bonding method for bonding a substrate to be processed and a support substrate, a computer storage medium, and a bonding system for performing the bonding method.
  • the diameter of a semiconductor wafer (hereinafter referred to as “wafer”) has been increased. Further, in a specific process such as mounting, it is required to make the wafer thinner. For example, if a thin wafer with a large diameter is transported or polished as it is, the wafer may be warped or cracked. For this reason, for example, in order to reinforce the wafer, the wafer is attached to, for example, a wafer that is a support substrate or a glass substrate.
  • the bonding of the wafer and the support substrate is performed by interposing an adhesive between the wafer and the support substrate using, for example, a bonding apparatus.
  • the bonding apparatus includes, for example, a first holding member that holds a wafer, a second holding member that holds a support substrate, a heating mechanism that heats an adhesive disposed between the wafer and the support substrate, and at least a first And a moving mechanism for moving the holding member or the second holding member in the vertical direction. And in this bonding apparatus, after supplying an adhesive agent between a wafer and a support substrate and heating the said adhesive agent, the wafer and a support substrate are pressed and bonded together (patent document 1).
  • the adhesive protrudes between the wafer and the support substrate.
  • the adhesive that protrudes in this way may adversely affect the transfer process and processing process of the wafer and the support substrate.
  • an adhesive adheres to a transport device that transports a wafer and a support substrate in the transport process, the adhesive adheres to another wafer or support substrate.
  • an adhesive may adhere to a processing apparatus that performs a predetermined processing on the wafer and the support substrate. In such a case, the wafer and the support substrate cannot be bonded appropriately.
  • the present invention has been made in view of such a point, and an object thereof is to suppress an adhesive protruding from between a substrate to be processed and a support substrate and to appropriately bond the substrate to be processed and the support substrate.
  • the present invention provides a bonding method for bonding a substrate to be processed and a support substrate, an adhesive application step of applying an adhesive to the substrate to be processed or the support substrate, and then the adhesive.
  • surplus adhesive does not adhere to a transport apparatus that transports a substrate to be processed, a support substrate, and a polymerization substrate, or a processing apparatus that performs a predetermined process on these substrates. Therefore, the substrate to be processed and the support substrate can be appropriately bonded.
  • an adhesive solvent is supplied to the surplus adhesive, and an ultrasonic wave is applied to the surplus adhesive to remove the surplus adhesive.
  • an ultrasonic wave is applied to the surplus adhesive to remove the surplus adhesive.
  • Another aspect of the present invention is a readable computer storage medium storing a program that operates on a computer of a control unit that controls the joining system in order to cause the joining method to be executed by the joining system.
  • the present invention according to another aspect is a bonding system for bonding a substrate to be processed and a support substrate,
  • An adhesive supply section for supplying and applying an adhesive to a substrate to be processed or a support substrate;
  • a bonding apparatus that presses and bonds the substrate to be processed and the support substrate through the adhesive applied by the adhesive supply unit; At least after the adhesive is applied in the adhesive supply unit and before the substrate to be processed and the support substrate are bonded in the bonding apparatus, or after the substrate to be processed and the support substrate are bonded in the bonding apparatus.
  • a solvent supply unit for supplying a solvent of the adhesive to the excess adhesive so as to remove the excess adhesive of the adhesive applied by the supply unit;
  • An ultrasonic supply unit for applying ultrasonic waves to the excess adhesive; have.
  • the adhesive agent protruding from between a to-be-processed substrate and a support substrate can be suppressed, the said to-be-processed substrate and a support substrate can be joined appropriately, and also the throughput of the joining process of a to-be-processed substrate and a support substrate Can be improved.
  • FIG. 1 is a plan view showing the outline of the configuration of the joining system 1 according to the present embodiment.
  • FIG. 2 is a side view illustrating the outline of the internal configuration of the joining system 1.
  • a processing target wafer W as a processing target substrate and a supporting wafer S as a supporting substrate are bonded via an adhesive G.
  • a surface bonded to the support wafer S via the adhesive G is referred to as a “bonding surface W J ” as a surface, and a surface opposite to the bonding surface W J is defined as a “back surface”. It is referred to as “non-bonding surface W N ”.
  • a surface bonded to the processing target wafer W via the adhesive G is referred to as a “bonding surface S J ” as a surface, and a surface opposite to the bonding surface S J is defined as a “back surface”. It is referred to as “non-joint surface S N ”.
  • the to-be-processed wafer W and the support wafer S are joined, and the superposition
  • wafer W is a wafer as a product, for example, joint surface W J A plurality of electronic circuit is formed on the non-bonding surface W N is polished.
  • the support wafer S is a wafer having the same diameter as that of the wafer W to be processed and supporting the wafer W to be processed.
  • the case where a wafer is used as the support substrate will be described, but another substrate such as a glass substrate may be used.
  • the bonding system 1 includes cassettes C W , C S , and C T that can accommodate, for example, a plurality of wafers W to be processed, a plurality of support wafers S, and a plurality of superposed wafers T, respectively.
  • the loading / unloading station 2 for loading / unloading and the processing station 3 including various processing apparatuses for performing predetermined processing on the processing target wafer W, the supporting wafer S, and the overlapped wafer T are integrally connected. .
  • the loading / unloading station 2 is provided with a cassette mounting table 10.
  • the cassette mounting table 10 is provided with a plurality of, for example, four cassette mounting plates 11.
  • the cassette mounting plates 11 are arranged in a line in the X direction (vertical direction in FIG. 1). These cassette mounting plates 11, cassettes C W to the outside of the interface system 1, C S, when loading and unloading the C T, a cassette C W, C S, can be placed on C T .
  • the carry-in / out station 2 is configured to be capable of holding a plurality of wafers W to be processed, a plurality of support wafers S, and a plurality of superposed wafers T.
  • the number of cassette mounting plates 11 is not limited to the present embodiment, and can be arbitrarily determined.
  • One of the cassettes may be used for collecting defective wafers. That is, this is a cassette that can separate from a normal superposed wafer T a wafer in which a defect occurs in the joining of the processing target wafer W and the supporting wafer S due to various factors.
  • this is a cassette that can separate from a normal superposed wafer T a wafer in which a defect occurs in the joining of the processing target wafer W and the supporting wafer S due to various factors.
  • using a one cassette C T for the recovery of the fault wafer, and using the other cassette C T for the accommodation of a normal bonded wafer T among the plurality of cassettes C T, using a one cassette C T for the recovery of the fault wafer, and using the other cassette C T for the accommodation of a normal bonded wafer T.
  • a wafer transfer unit 20 is provided adjacent to the cassette mounting table 10.
  • the wafer transfer unit 20 is provided with a wafer transfer device 22 that is movable on a transfer path 21 extending in the X direction.
  • the wafer transfer device 22 is also movable in the vertical direction and around the vertical axis ( ⁇ direction), and includes cassettes C W , C S , and C T on each cassette mounting plate 11 and a third of the processing station 3 to be described later.
  • the to-be-processed wafer W, the support wafer S, and the superposed wafer T can be transferred to and from the transition devices 50 and 51 of the processing block G3.
  • the processing station 3 is provided with a plurality of, for example, three processing blocks G1, G2, G3 provided with various processing devices.
  • a first processing block G1 is provided on the front side of the processing station 3 (X direction negative direction side in FIG. 1), and on the back side of the processing station 3 (X direction positive direction side in FIG. 1).
  • a second processing block G2 is provided.
  • a third processing block G3 is provided on the processing station 3 on the side of the loading / unloading station 2 (the Y direction negative direction side in FIG. 1).
  • bonding devices 30 to 33 for pressing and bonding the processing target wafer W and the supporting wafer S via the adhesive G are provided in this order from the loading / unloading station 2 side in the Y direction. They are arranged side by side.
  • the second processing block G2 is bonded to a coating apparatus 40 for applying the adhesive G to the wafer W to be processed as shown in FIG. 2 and an outer adhesive protruding from the outer surface of the superposed wafer T as will be described later.
  • An adhesive removing device 41 that supplies a solvent of the agent G and applies ultrasonic waves to the outer adhesive to remove the surface of the outer adhesive so that the outer adhesive is formed in a predetermined size; Are stacked in two steps in the vertical direction in this order from the bottom.
  • the heat treatment apparatuses 42 to 44 for heating the above to a predetermined temperature and similar heat treatment apparatuses 45 to 47 are arranged in this order in the direction toward the loading / unloading station 2 side.
  • the heat treatment apparatuses 42 to 44 and the heat treatment apparatuses 45 to 47 are stacked in three stages in the vertical direction in this order from the bottom.
  • the number of the heat treatment apparatuses 42 to 47 and the arrangement in the vertical direction and the horizontal direction can be arbitrarily set.
  • transition devices 50 and 51 for the processing target wafer W, the supporting wafer S, and the overlapped wafer T are stacked in two steps in the vertical direction in this order from the bottom.
  • a wafer transfer region 60 is formed in a region surrounded by the first processing block G1 to the third processing block G3.
  • a wafer transfer device 61 is disposed in the wafer transfer region 60. Note that the pressure in the wafer transfer region 60 is equal to or higher than atmospheric pressure, and the wafer to be processed W, the support wafer S, and the superposed wafer T are transferred in a so-called atmospheric system in the wafer transfer region 60.
  • the wafer transfer device 61 has, for example, a transfer arm that can move around the vertical direction, horizontal direction (Y direction, X direction), and vertical axis.
  • the wafer transfer device 61 moves within the wafer transfer region 60, and moves to a predetermined device in the surrounding first processing block G1, second processing block G2, and third processing block G3. S and superposed wafer T can be conveyed.
  • the bonding apparatus 30 includes a processing container 100 that can seal the inside.
  • a loading / unloading port 101 for the wafer W to be processed, the support wafer S, and the overlapped wafer T is formed on the side surface of the processing container 100 on the wafer transfer region 60 side, and an opening / closing shutter (not shown) is provided at the loading / unloading port. Yes.
  • the inside of the processing container 100 is partitioned by the inner wall 102 into a preprocessing region D1 and a joining region D2.
  • the loading / unloading port 101 described above is formed on the side surface of the processing container 100 in the preprocessing region D1.
  • a carry-in / out port 103 for the wafer W to be processed, the support wafer S, and the overlapped wafer T is also formed on the inner wall 102.
  • a delivery unit 110 for delivering the wafer W to be processed, the support wafer S, and the overlapped wafer T to and from the outside of the bonding apparatus 30 is provided.
  • the delivery unit 110 is disposed adjacent to the loading / unloading port 101.
  • a plurality of, for example, two stages of delivery units 110 are arranged in the vertical direction, and any two of the processing target wafer W, the supporting wafer S, and the overlapped wafer T can be delivered at the same time.
  • the processing target wafer W or the support wafer S before bonding may be delivered by one delivery unit 110, and the superposed wafer T after joining may be delivered by another delivery unit 110.
  • the wafer W to be processed before bonding may be delivered by one delivery unit 110 and the support wafer S before joining may be delivered by another delivery unit 110.
  • a reversing unit 111 for reversing the front and back surfaces of the support wafer S is provided on the Y direction negative direction side of the pretreatment region D1, that is, on the loading / unloading port 103 side, vertically above the delivery unit 110. Note that the reversing unit 111 can adjust the horizontal direction of the support wafer S as described later, and can also adjust the horizontal direction of the wafer W to be processed.
  • a transfer unit 112 that transfers the wafer W, the support wafer S, and the overlapped wafer T to the delivery unit 110, the reversing unit 111, and the bonding unit 113 described later is provided. ing.
  • the transport unit 112 is attached to the loading / unloading port 103.
  • a bonding portion 113 that presses and bonds the processing target wafer W and the support wafer S via the adhesive G is provided.
  • the delivery unit 110 includes a delivery arm 120 and wafer support pins 121.
  • the delivery arm 120 can deliver the wafer W to be processed, the support wafer S, and the overlapped wafer T to the outside of the bonding apparatus 30, that is, between the wafer transfer device 61 and the wafer support pins 121.
  • the wafer support pins 121 are provided in a plurality of, for example, three locations, and can support the processing target wafer W, the supporting wafer S, and the overlapped wafer T.
  • the delivery arm 120 includes an arm unit 130 that holds the processing target wafer W, the support wafer S, and the overlapped wafer T, and an arm driving unit 131 that includes, for example, a motor.
  • the arm part 130 has a substantially disk shape.
  • the arm drive unit 131 can move the arm unit 130 in the X direction (vertical direction in FIG. 5).
  • the arm drive part 131 is attached to the rail 132 extended
  • the delivery arm 120 can move in the horizontal direction (X direction and Y direction), and the wafer W to be processed, the support wafer S, and the overlap between the wafer transfer device 61 and the wafer support pins 121.
  • the wafer T can be delivered smoothly.
  • a plurality of, for example, four wafer support pins 140 for supporting the processing target wafer W, the supporting wafer S, and the overlapped wafer T are provided on the arm unit 130.
  • a guide 141 for positioning the processing target wafer W, the supporting wafer S, and the overlapped wafer T supported by the wafer supporting pins 140 is provided on the arm unit 130.
  • a plurality of guides 141 are provided, for example, at four locations so as to guide the side surfaces of the processing target wafer W, the supporting wafer S, and the overlapped wafer T.
  • notches 142 are formed at, for example, four locations on the outer periphery of the arm portion 130.
  • the notch 142 causes the transfer arm of the wafer transfer device 61 to interfere with the arm unit 130 when the wafer W to be processed, the support wafer S, and the overlapped wafer T are transferred from the transfer arm of the wafer transfer device 61 to the transfer arm 120. Can be prevented.
  • the arm part 130 is formed with two slits 143 along the X direction.
  • the slit 143 is formed from the end surface of the arm portion 130 on the wafer support pin 121 side to the vicinity of the center portion of the arm portion 130.
  • the slit 143 can prevent the arm unit 130 from interfering with the wafer support pins 121.
  • the reversing unit 111 has a holding arm 150 that holds the support wafer S and the wafer W to be processed, as shown in FIGS.
  • the holding arm 150 extends in the horizontal direction (X direction in FIGS. 8 and 9).
  • the holding arm 150 is provided with, for example, four holding members 151 for holding the support wafer S and the wafer W to be processed.
  • the holding member 151 is configured to be movable in the horizontal direction with respect to the holding arm 150.
  • a notch 152 for holding the outer periphery of the support wafer S and the wafer W to be processed is formed. These holding members 151 can sandwich and hold the support wafer S and the wafer W to be processed.
  • the holding arm 150 is supported by a first drive unit 153 provided with, for example, a motor as shown in FIGS.
  • the holding arm 150 is rotatable about the horizontal axis and can move in the horizontal direction (X direction in FIGS. 8 and 9 and Y direction in FIGS. 8 and 10).
  • the first drive unit 153 may rotate the holding arm 150 about the vertical axis to move the holding arm 150 in the horizontal direction.
  • a second drive unit 154 including a motor or the like is provided below the first drive unit 153.
  • the first driving unit 153 can move in the vertical direction along the support pillar 155 extending in the vertical direction.
  • the support wafer S and the wafer W to be processed held by the holding member 151 by the first drive unit 153 and the second drive unit 154 can rotate around the horizontal axis and move in the vertical and horizontal directions. it can.
  • the position adjusting mechanism 160 that adjusts the horizontal direction of the support wafer S and the wafer W to be processed held by the holding member 151 is supported by the support column 155 via the support plate 161.
  • the position adjustment mechanism 160 is provided adjacent to the holding arm 150.
  • the position adjustment mechanism 160 includes a base 162 and a detection unit 163 that detects the positions of the notch portions of the support wafer S and the wafer W to be processed.
  • the position adjusting mechanism 160 detects the positions of the notch portions of the support wafer S and the wafer W to be processed by the detection unit 163 while moving the support wafer S and the wafer W to be processed held in the holding member 151 in the horizontal direction.
  • the horizontal orientation of the support wafer S and the wafer W to be processed is adjusted by adjusting the position of the notch portion.
  • the delivery unit 110 configured as described above is arranged in two stages in the vertical direction, and the reversing unit 111 is arranged vertically above these delivery units 110. That is, the delivery arm 120 of the delivery unit 110 moves in the horizontal direction below the holding arm 150 and the position adjustment mechanism 160 of the reversing unit 111. Further, the wafer support pins 121 of the delivery unit 110 are disposed below the holding arm 150 of the reversing unit 111.
  • the transport unit 112 has a plurality of, for example, two transport arms 170 and 171.
  • the first transfer arm 170 and the second transfer arm 171 are arranged in two stages in this order from the bottom in the vertical direction.
  • the first transfer arm 170 and the second transfer arm 171 have different shapes as will be described later.
  • an arm driving unit 172 provided with a motor or the like is provided at the base ends of the transfer arms 170 and 171.
  • Each arm 170, 171 can be independently moved in the horizontal direction by the arm driving unit 172.
  • the transfer arms 170 and 171 and the arm driving unit 172 are supported by the base 173.
  • the transport unit 112 is provided at the loading / unloading port 103 formed on the inner wall 102 of the processing container 100 as shown in FIGS. 4 and 14.
  • the transport unit 112 can be moved in the vertical direction along the loading / unloading port 103 by, for example, a driving unit (not shown) provided with a motor or the like.
  • the first transfer arm 170 holds and transfers the back surface of the processing target wafer W, the supporting wafer S, and the overlapped wafer T (non-bonding surfaces W N and S N in the processing target wafer W and the supporting wafer S). As shown in FIG. 15, the first transfer arm 170 has an arm portion 180 whose tip is branched into two tip portions 180 a and 180 a, and a support that is formed integrally with the arm portion 180 and supports the arm portion 180. Part 181.
  • a plurality of O-rings 182 are provided on the arm unit 180, for example, at four locations.
  • the O-ring 182 comes into contact with the back surface of the wafer to be processed W, the support wafer S, and the overlapped wafer T, and the frictional force between the O-ring 182 and the back surface of the wafer to be processed W, the support wafer S, and the overlap wafer T is
  • the O-ring 182 holds the back surface of the processing target wafer W, the supporting wafer S, and the overlapped wafer T.
  • the first transfer arm 170 can horizontally hold the processing target wafer W, the supporting wafer S, and the superposed wafer T on the O-ring 182.
  • guide members 183 and 184 provided on the outside of the processing target wafer W, the support wafer S, and the superposed wafer T held by the O-ring 182 are provided.
  • the first guide member 183 is provided at the distal end of the distal end portion 180 a of the arm portion 180.
  • the second guide member 184 is formed in an arc shape along the outer periphery of the processing target wafer W, the supporting wafer S, and the overlapped wafer T, and is provided on the supporting portion 181 side. These guide members 183 and 184 can prevent the wafer W to be processed, the support wafer S, and the overlapped wafer T from jumping out of the first transfer arm 170 or sliding down.
  • the to-be-processed wafer W, the support wafer S, and the overlapped wafer T are held at appropriate positions on the O-ring 182, the to-be-processed wafer W, the support wafer S, and the overlapped wafer T are in contact with the guide members 183 and 184. do not do.
  • Second transfer arm 171 carries for example the surface of the support wafer S, that is, holding the outer periphery of the joint surface S J. That is, the second transfer arm 171 holds and conveys the outer periphery of the joint surface S J of the support wafer S to the front and back surfaces by the reversing unit 111 has been reversed. As shown in FIG. 17, the second transfer arm 171 has an arm portion 190 whose front end branches into two front end portions 190 a and 190 a, and a support that is formed integrally with the arm portion 190 and supports the arm portion 190. Part 191.
  • the 2nd holding member 192 is provided in multiple, for example, four places.
  • the second holding member 192 includes a mounting portion 193 for mounting the outer peripheral portion of the joint surface S J of the support wafer S, extending from the mounting portion 193 upwards, the inner surface from the lower side to the upper side And a taper portion 194 expanding in a taper shape.
  • the mounting portion 193 holds an outer peripheral portion within 1 mm from the peripheral edge of the support wafer S, for example.
  • the support wafer S delivered to the second holding member 192 is displaced from a predetermined position in the horizontal direction.
  • the support wafer S is smoothly guided and positioned by the taper portion 194 and is held by the placement portion 193.
  • the second transfer arm 171 can hold the support wafer S horizontally on the second holding member 192.
  • the notch 201a is formed in the 2nd holding
  • the second holding member 192 of the second transfer arm 171 is moved to the second holding unit 201 by the notch 201a. Interference can be prevented.
  • the bonding unit 113 includes a first holding unit 200 that holds and holds the processing target wafer W on the upper surface, and a second holding unit 201 that holds the supporting wafer S on the lower surface by suction. is doing.
  • the first holding unit 200 is provided below the second holding unit 201 and is disposed so as to face the second holding unit 201. That is, the wafer W to be processed held by the first holding unit 200 and the support wafer S held by the second holding unit 201 are arranged to face each other.
  • a suction tube 210 for sucking and holding the processing target wafer W is provided inside the first holding unit 200.
  • the suction pipe 210 is connected to a negative pressure generator (not shown) such as a vacuum pump.
  • the first holding unit 200 is made of a material having a strength that does not deform even when a load is applied by a pressurizing mechanism 260 described later, for example, a ceramic such as silicon carbide ceramic or aluminum nitride ceramic.
  • a heating mechanism 211 for heating the processing target wafer W is provided inside the first holding unit 200.
  • a heater is used for the heating mechanism 211.
  • the moving mechanism 220 that moves the first holding unit 200 and the wafer W to be processed in the vertical direction and the horizontal direction is provided below the first holding unit 200.
  • the moving mechanism 220 can move the first holding unit 200 three-dimensionally with an accuracy of, for example, ⁇ 1 ⁇ m.
  • the moving mechanism 220 includes a vertical moving unit 221 that moves the first holding unit 200 in the vertical direction and a horizontal moving unit 222 that moves the first holding unit 200 in the horizontal direction.
  • the vertical moving unit 221 and the horizontal moving unit 222 each have, for example, a ball screw (not shown) and a motor (not shown) that rotates the ball screw.
  • a support member 223 that is extendable in the vertical direction is provided.
  • the support member 223 is provided at, for example, three locations outside the first holding unit 200. As shown in FIG. 21, the support member 223 can support the protruding portion 230 provided to protrude downward from the lower surface of the outer periphery of the second holding portion 201.
  • the wafer W to be processed on the first holding unit 200 can be aligned in the horizontal direction, and the first holding unit 200 is raised as shown in FIG.
  • a bonding space R for bonding the processing wafer W and the support wafer S can be formed.
  • the joint space R is a space surrounded by the first holding part 200, the second holding part 201, and the protruding part 230. Further, when the bonding space R is formed, the vertical distance between the processing target wafer W and the supporting wafer S in the bonding space R can be adjusted by adjusting the height of the support member 223.
  • lifting pins are provided below the first holding unit 200 for supporting and lifting the wafer to be processed W or the overlapped wafer T from below.
  • the elevating pin is inserted through a through hole (not shown) formed in the first holding part 200 and can protrude from the upper surface of the first holding part 200.
  • the above-described protruding portion 230 that protrudes downward from the outer peripheral lower surface is formed on the outer peripheral lower surface of the second holding portion 201.
  • the protruding portion 230 is formed along the outer periphery of the second holding portion 201. Note that the protruding portion 230 may be formed integrally with the second holding portion 201.
  • a sealing material 231 for maintaining the airtightness of the joining space R is provided on the lower surface of the protruding portion 230.
  • the sealing material 231 is provided in an annular shape in a groove formed on the lower surface of the protruding portion 230, and for example, an O-ring is used. Moreover, the sealing material 231 has elasticity. Note that the sealing material 231 may be any component having a sealing function, and is not limited to this embodiment.
  • a suction tube 240 for sucking and holding the support wafer S is provided inside the second holding unit 201.
  • the suction tube 240 is connected to a negative pressure generator (not shown) such as a vacuum pump.
  • an intake pipe 241 for taking in the atmosphere of the joint space R is provided inside the second holding unit 201.
  • One end of the intake pipe 241 opens at a place where the support wafer S is not held on the lower surface of the second holding unit 201.
  • the other end of the intake pipe 241 is connected to a negative pressure generator (not shown) such as a vacuum pump.
  • a heating mechanism 242 for heating the support wafer S is provided inside the second holding unit 201.
  • a heater is used for the heating mechanism 242.
  • the pressurizing mechanism 260 includes a pressure vessel 261 provided so as to cover the processing target wafer W and the support wafer S, and a fluid supply pipe 262 that supplies a fluid, for example, compressed air, to the inside of the pressure vessel 261.
  • the support member 250 is configured to be extendable in the vertical direction, and is provided at, for example, three locations outside the pressure vessel 261.
  • the pressure vessel 261 is made of, for example, a stainless steel bellows that can be expanded and contracted in the vertical direction.
  • the lower surface of the pressure vessel 261 is in contact with the upper surface of the second holding unit 201, and the upper surface is in contact with the lower surface of the support plate 263 provided above the second holding unit 201.
  • the fluid supply pipe 262 has one end connected to the pressure vessel 261 and the other end connected to a fluid supply source (not shown). Then, by supplying fluid from the fluid supply pipe 262 to the pressure vessel 261, the pressure vessel 261 extends.
  • the pressure vessel 261 extends only in the downward direction, and the second holding portion 201 provided on the lower surface of the pressure vessel 261 is moved downward. Can be pressed.
  • the pressure vessel 261 can press the second holding part 201 uniformly in the surface. Adjustment of the load when pressing the second holding unit 201 is performed by adjusting the pressure of the compressed air supplied to the pressure vessel 261.
  • the support plate 263 is preferably formed of a member having a strength that does not deform even when the pressure mechanism 260 receives a reaction force of a load applied to the second holding unit 201. Note that the support plate 263 of this embodiment may be omitted, and the upper surface of the pressure vessel 261 may be in contact with the ceiling surface of the processing vessel 100.
  • the configuration of the joining devices 31 to 33 is the same as the configuration of the joining device 30 described above, and a description thereof will be omitted.
  • the coating device 40 has a processing container 270 that can be sealed inside.
  • a loading / unloading port (not shown) for the wafer W to be processed is formed on the side surface of the processing container 270 on the wafer transfer region 60 side, and an opening / closing shutter (not shown) is provided at the loading / unloading port.
  • a spin chuck 280 that holds and rotates the wafer W to be processed is provided at the center of the processing container 270.
  • the spin chuck 280 has a horizontal upper surface, and a suction port (not shown) for sucking the wafer W to be processed is provided on the upper surface, for example.
  • the wafer W to be processed can be sucked and held on the spin chuck 280 by suction from the suction port.
  • a chuck drive unit 281 provided with a motor or the like is provided below the spin chuck 280.
  • the spin chuck 280 can be rotated at a predetermined speed by the chuck driving unit 281.
  • the chuck driving unit 281 is provided with an elevating drive source such as a cylinder, and the spin chuck 280 can be moved up and down.
  • a cup 282 that receives and collects the liquid scattered or dropped from the wafer W to be processed.
  • a discharge pipe 283 for discharging the collected liquid
  • an exhaust pipe 284 for evacuating and exhausting the atmosphere in the cup 282.
  • a rail 290 extending along the Y direction (left-right direction in FIG. 23) is formed on the X direction negative direction (downward direction in FIG. 23) side of the cup 282.
  • the rail 290 is formed, for example, from the outside of the cup 282 on the Y direction negative direction (left direction in FIG. 23) side to the outside of the Y direction positive direction (right direction in FIG. 23) side.
  • An arm 291 is attached to the rail 290.
  • the arm 291 supports an adhesive nozzle 292 as an adhesive supply unit that supplies a liquid adhesive G to the wafer W to be processed, as shown in FIGS. 22 and 23.
  • the arm 291 is movable on the rail 290 by a nozzle driving unit 293 shown in FIG.
  • the adhesive nozzle 292 can move from the standby part 294 installed on the outer side of the Y direction positive side of the cup 282 to the upper part of the center of the wafer W to be processed in the cup 282, and further the wafer W to be processed It can move in the radial direction of the wafer W to be processed.
  • the arm 291 can be moved up and down by a nozzle driving unit 293, and the height of the adhesive nozzle 292 can be adjusted.
  • a supply pipe 295 for supplying the adhesive G to the adhesive nozzle 292 is connected to the adhesive nozzle 292 as shown in FIG.
  • the supply pipe 295 communicates with an adhesive supply source 296 that stores the adhesive G therein.
  • the supply pipe 295 is provided with a supply device group 297 including a valve for controlling the flow of the adhesive G, a flow rate adjusting unit, and the like.
  • a back rinse nozzle (not shown) for injecting the cleaning liquid toward the back surface of the processing target wafer W, that is, the non-bonding surface W N may be provided below the spin chuck 280.
  • the non-bonded surface W N of the wafer to be processed W and the outer peripheral portion of the wafer to be processed W are cleaned by the cleaning liquid sprayed from the back rinse nozzle.
  • the adhesive removing device 41 includes a processing container 300 that can be hermetically sealed.
  • a loading / unloading port (not shown) for the overlapped wafer T is formed on the side surface of the processing container 300 on the wafer transfer region 60 side, and an opening / closing shutter (not shown) is provided at the loading / unloading port.
  • a spin chuck 310 that holds and rotates the superposed wafer T is provided in the center of the processing container 300.
  • the spin chuck 310 has a horizontal upper surface, and a suction port (not shown) for sucking the overlapped wafer T, for example, is provided on the upper surface.
  • the superposed wafer T can be sucked and held on the spin chuck 310 by the suction from the suction port.
  • a chuck driving unit 311 provided with a motor or the like is provided below the spin chuck 310.
  • the spin chuck 310 can be rotated at a predetermined speed by the chuck driving unit 311.
  • the chuck driving unit 311 is provided with an elevating drive source such as a cylinder, for example, and the spin chuck 310 is movable up and down.
  • the chuck driving unit 311 is attached to a rail 312 extending along the Y direction (left-right direction in FIG. 24).
  • the spin chuck 310 is movable along the rail 312 by a chuck driving unit 311.
  • a solvent supply unit 320 that supplies a solvent for the adhesive G and an ultrasonic vibrator 328 described later are provided.
  • the ultrasonic waves are applied from a solvent and the ultrasonic transducer 328 of the adhesive G supplied from the solvent supply unit 320, the surface of the outer adhesive G E is removed.
  • the solvent supply unit 320 is fixed to the processing container 300 by a support member (not shown). Note that the adhesive G protruding from the outer surface of the bonded wafer T, for convenience of explanation, although granted individual designation outer adhesive G E, the adhesive G and outer adhesive G E The same adhesive It is an agent.
  • the solvent supply unit 320 includes an upper nozzle 321 disposed above the superposed wafer T and a lower nozzle 322 disposed below the superposed wafer T as shown in FIG.
  • the upper nozzle 321 includes a ceiling part 321a and a side wall part 321b, and is provided so as to cover the upper part of the outer peripheral part of the overlapped wafer T.
  • the lower nozzle 322 includes a bottom part 322a and a side wall part 322b, and is provided so as to cover the lower part of the outer peripheral part of the overlapped wafer T.
  • the solvent supply part 320 has a substantially rectangular parallelepiped shape.
  • the side surface of the solvent supply unit 320 on the side of the spin chuck 310 is opened, and the outer peripheral portion of the overlapped wafer T held by the spin chuck 310 is inserted into the opening.
  • the supply port 323 is formed for supplying a solvent adhesive G .
  • the supply port 324 is formed for supplying a solvent of the adhesive G.
  • a supply pipe 325 for supplying a solvent of the adhesive G to the supply port 323 of the upper nozzle 321 and the supply port 324 of the lower nozzle 322.
  • the supply pipe 325 communicates with a solvent supply source 326 that stores the solvent of the adhesive G therein.
  • the supply pipe 326 is provided with a supply device group 327 including a valve that controls the flow of the solvent of the adhesive G, a flow rate adjusting unit, and the like.
  • organic thinner or limonene is used as the solvent for the adhesive G.
  • the organic thinner for example, trimethylbenzene (mesitylene) is used.
  • the ultrasonic transducer as an ultrasonic supply unit that applies ultrasound (ultrasonic vibration) 328 Is provided.
  • the ultrasonic transducer as an ultrasonic supply unit that applies ultrasound (ultrasonic vibration) 329 Is provided.
  • Ultrasonic oscillators 330 for oscillating ultrasonic waves from the ultrasonic vibrators 328 and 329 are connected to the ultrasonic vibrators 328 and 329.
  • a discharge pipe 331 is provided for exhausting the atmosphere in the region.
  • the discharge pipe 331 is connected to the ejector 332.
  • the solvent supply unit 320 is configured as described above, and the solvent of the adhesive G supplied from the supply port 323 of the upper nozzle 321 and the supply port 324 of the lower nozzle 322 to the superposed wafer T is on the outer adhesive GE . And is discharged from the discharge pipe 331. Also, the solvent is supplied glue G from the supply port 323 to the outer adhesive G E, ultrasonic waves are applied from the ultrasonic transducer 328 and 329 outside the adhesive G E. The solvent and ultrasonic adhesive G, the surface of the outer adhesive G E is removed, the outer adhesive G E is formed in a predetermined size. The predetermined size of the outer adhesive G E will be described in detail in later.
  • a cup (not shown) is provided around the spin chuck 310 and outside the solvent supply unit 320 for receiving and collecting the liquid scattered or dropped from the superposed wafer T. It may be.
  • the configuration of this cup is the same as the configuration of the cup 282 in the coating apparatus 40.
  • the spin chuck 310 is moved along the rail 312, but the solvent supply unit 320 is moved in the horizontal direction (Y direction in FIGS. 24 and 25). May be.
  • the heat treatment apparatus 42 has a processing container 340 whose inside can be closed.
  • a loading / unloading port (not shown) for the wafer W to be processed is formed on the side surface of the processing container 340 on the wafer transfer region 60 side, and an opening / closing shutter (not shown) is provided at the loading / unloading port.
  • a gas supply port 341 for supplying an inert gas such as nitrogen gas is formed inside the processing container 340 on the ceiling surface of the processing container 340.
  • a gas supply pipe 343 communicating with the gas supply source 342 is connected to the gas supply port 341.
  • the gas supply pipe 343 is provided with a supply device group 344 including a valve for controlling the flow of the inert gas, a flow rate adjusting unit, and the like.
  • An air inlet 345 for sucking the atmosphere inside the processing container 340 is formed on the bottom surface of the processing container 340.
  • An intake pipe 347 that communicates with a negative pressure generator 346 such as a vacuum pump is connected to the intake port 345.
  • a heating unit 350 that heat-processes the processing target wafer W and a temperature control unit 351 that controls the temperature of the processing target wafer W are provided.
  • the heating unit 350 and the temperature adjustment unit 351 are arranged side by side in the Y direction.
  • the heating unit 350 includes an annular holding member 361 that houses the hot plate 360 and holds the outer peripheral portion of the hot plate 360, and a substantially cylindrical support ring 362 surrounding the outer periphery of the holding member 361.
  • the hot plate 360 has a thick and substantially disk shape, and can place and heat the wafer W to be processed. Further, the heating plate 360 incorporates a heater 363, for example.
  • the heating temperature of the hot plate 360 is controlled by the control unit 400, for example, and the wafer W to be processed placed on the hot plate 360 is heated to a predetermined temperature.
  • elevating pins 370 for supporting the wafer W to be processed from below and elevating it are provided.
  • the elevating pin 370 can be moved up and down by an elevating drive unit 371. Near the center of the hot plate 360, through holes 372 that penetrate the hot plate 360 in the thickness direction are formed, for example, at three locations. The elevating pin 370 is inserted through the through hole 372 and can protrude from the upper surface of the hot plate 360.
  • the temperature adjustment unit 351 has a temperature adjustment plate 380.
  • the temperature adjustment plate 380 has a substantially rectangular flat plate shape, and the end surface on the heat plate 360 side is curved in an arc shape.
  • two slits 381 along the Y direction are formed in the temperature adjusting plate 380.
  • the slit 381 is formed from the end surface of the temperature adjustment plate 380 on the heat plate 360 side to the vicinity of the center of the temperature adjustment plate 380.
  • the slit 381 can prevent the temperature adjustment plate 380 from interfering with the elevation pins 370 of the heating unit 350 and the elevation pins 390 of the temperature adjustment unit 351 described later.
  • the temperature adjustment plate 380 includes a temperature adjustment member (not shown) such as a Peltier element.
  • the cooling temperature of the temperature adjustment plate 380 is controlled by, for example, the control unit 400, and the processing target wafer W placed on the temperature adjustment plate 380 is cooled to a predetermined temperature.
  • the temperature adjustment plate 380 is supported by the support arm 382 as shown in FIG.
  • a drive unit 383 is attached to the support arm 382.
  • the drive unit 383 is attached to a rail 384 extending in the Y direction.
  • the rail 384 extends from the temperature adjustment unit 351 to the heating unit 350. With this drive unit 383, the temperature adjustment plate 380 can move between the heating unit 350 and the temperature adjustment unit 351 along the rail 384.
  • the elevating pin 390 is inserted through the slit 381 and can protrude from the upper surface of the temperature adjustment plate 380.
  • the configuration of the heat treatment apparatuses 42 to 47 is the same as that of the heat treatment apparatus 42 described above, and a description thereof will be omitted.
  • the temperature of the superposed wafer T can be adjusted by the heat treatment apparatuses 42 to 47. Further, in order to adjust the temperature of the superposed wafer T, a temperature adjusting device (not shown) may be provided.
  • the temperature adjusting device has the same configuration as the heat treatment device 42 described above, and a temperature adjusting plate is used instead of the hot plate 360.
  • a cooling member such as a Peltier element is provided inside the temperature adjustment plate, and the temperature adjustment plate can be adjusted to a set temperature.
  • the control unit 400 is a computer, for example, and has a program storage unit (not shown).
  • the program storage unit stores a program for controlling processing of the processing target wafer W, the supporting wafer S, and the overlapped wafer T in the bonding system 1.
  • the program storage unit also stores a program for controlling the operation of drive systems such as the above-described various processing apparatuses and transfer apparatuses to realize the below-described joining process in the joining system 1.
  • the program is recorded on a computer-readable storage medium H such as a computer-readable hard disk (HD), a flexible disk (FD), a compact disk (CD), a magnetic optical desk (MO), or a memory card. May have been installed in the control unit 400 from the storage medium H.
  • FIG. 29 is a flowchart showing an example of main steps of the joining process.
  • a cassette C W housing a plurality of the processed the wafer W, the cassette C S accommodating a plurality of support wafer S, and an empty cassette C T is a predetermined cassette mounting plate 11 of the carry-out station 2 Placed.
  • the wafer W to be processed in the cassette CW is taken out by the wafer transfer device 22 and transferred to the transition device 50 of the third processing block G3 of the processing station 3.
  • the wafer W to be processed is transported with its non-bonding surface W N facing downward.
  • the wafer W to be processed is transferred to the coating device 40 by the wafer transfer device 61.
  • the wafer W to be processed loaded into the coating device 40 is transferred from the wafer transfer device 61 to the spin chuck 280 and is sucked and held. At this time, the non-bonding surface W N of the wafer W is held by suction.
  • the arm 291 moves the adhesive nozzle 292 of the standby unit 294 to above the center of the wafer W to be processed. Thereafter, while rotating the wafer W by the spin chuck 280, and supplies the adhesive G from the adhesive nozzles 292 on the bonding surface W J of wafer W. Supplied adhesive G is diffused into the entire surface of the bonding surface W J of wafer W by the centrifugal force, the adhesive G on the bonding surface W J of the wafer W is applied (step of FIG. 29 A1 ).
  • the wafer W to be processed is transferred to the heat treatment apparatus 42 by the wafer transfer apparatus 61.
  • the inside of the heat treatment apparatus 42 is maintained in an inert gas atmosphere.
  • the superposed wafer T is transferred from the wafer transfer apparatus 61 to the lift pins 390 that have been lifted and waited in advance. Subsequently, the elevating pins 390 are lowered, and the processing target wafer W is placed on the temperature adjustment plate 380.
  • the temperature adjustment plate 380 is moved along the rail 384 to the upper side of the heat plate 360 by the driving unit 383, and the wafer W to be processed is transferred to the lift pins 370 that have been lifted and waited in advance. Thereafter, the elevating pins 370 are lowered, and the wafer W to be processed is placed on the hot plate 360. Then, the wafer W to be processed on the hot plate 360 is heated to a predetermined temperature, for example, 100 ° C. to 300 ° C. (step A2 in FIG. 29). By performing the heating by the hot plate 360, the adhesive G on the processing target wafer W is heated and the adhesive G is cured.
  • a predetermined temperature for example, 100 ° C. to 300 ° C.
  • the elevating pins 370 are raised, and the temperature adjusting plate 380 is moved above the hot plate 360.
  • the wafer W to be processed is transferred from the lift pins 370 to the temperature adjustment plate 380, and the temperature adjustment plate 380 moves to the wafer transfer region 60 side.
  • the temperature of the processing target wafer W is adjusted to a predetermined temperature.
  • the wafer W to be processed that has been heat-treated by the heat treatment apparatus 42 is transferred to the bonding apparatus 30 by the wafer transfer apparatus 61.
  • the wafer W to be processed transferred to the bonding apparatus 30 is transferred from the wafer transfer apparatus 61 to the transfer arm 120 of the transfer unit 110 and then transferred from the transfer arm 120 to the wafer support pins 121. Thereafter, the wafer W to be processed is transferred from the wafer support pins 121 to the reversing unit 111 by the first transfer arm 170 of the transfer unit 112.
  • the wafer W to be processed transferred to the reversing unit 111 is held by the holding member 151 and moved to the position adjusting mechanism 160. Then, the position adjusting mechanism 160 adjusts the position of the notch portion of the processing target wafer W to adjust the horizontal direction of the processing target wafer W (step A3 in FIG. 29).
  • the wafer W to be processed is transferred from the reversing unit 111 to the bonding unit 113 by the first transfer arm 170 of the transfer unit 112.
  • the to-be-processed wafer W conveyed to the junction part 113 is mounted in the 1st holding
  • the supporting wafer S is processed following the processing target wafer W.
  • the support wafer S is transferred to the bonding apparatus 30 by the wafer transfer device 61.
  • description is abbreviate
  • the support wafer S transferred to the bonding apparatus 30 is transferred from the wafer transfer apparatus 61 to the transfer arm 120 of the transfer unit 110 and then transferred from the transfer arm 120 to the wafer support pins 121. Thereafter, the support wafer S is transferred from the wafer support pins 121 to the reversing unit 111 by the first transfer arm 170 of the transfer unit 112.
  • the support wafer S transferred to the reversing unit 111 is held by the holding member 151 and moved to the position adjusting mechanism 160. Then, the position adjustment mechanism 160 adjusts the position of the notch portion of the support wafer S to adjust the horizontal direction of the support wafer S (step A5 in FIG. 29).
  • the support wafer S whose horizontal direction is adjusted is moved in the horizontal direction from the position adjustment mechanism 160 and moved upward in the vertical direction, and then the front and back surfaces thereof are reversed (step A6 in FIG. 29). That is, the bonding surface S J of the support wafer S is directed downward.
  • the support wafer S is moved downward in the vertical direction, and then transferred from the reversing unit 111 to the bonding unit 113 by the second transfer arm 171 of the transfer unit 112.
  • second transfer arm 171 since it holds only the outer peripheral portion of the joint surface S J of the support wafer S, for example, that the joint surface S J is soiled by particles or the like adhering to the second transfer arm 171 There is no.
  • the support wafer S transferred to the bonding unit 113 is sucked and held by the second holding unit 201 (step A7 in FIG. 29).
  • the supporting wafer S is held in a state where the bonding surfaces S J is directed downward of the support wafer S.
  • the bonding apparatus 30 when the processing target wafer W and the support wafer S are held by the first holding unit 200 and the second holding unit 201, respectively, a moving mechanism is provided so that the processing target wafer W faces the support wafer S.
  • the horizontal position of the first holding unit 200 is adjusted by 220 (step A8 in FIG. 29).
  • the pressure in the pressure vessel 261 of the pressurizing mechanism 260 may be set to atmospheric pressure, or the upper surface of the second holding unit 201 and the pressure vessel 261 may be maintained. A gap may be formed between the two.
  • the first holding unit 200 is raised by the moving mechanism 220 and the support member 223 is extended to support the second holding unit 201 on the support member 223.
  • the vertical distance between the wafer to be processed W and the support wafer S is adjusted to be a predetermined distance (step A9 in FIG. 29).
  • the predetermined distance is such that when the sealant 231 comes into contact with the first holding unit 200 and the center of the second holding unit 201 and the supporting wafer S is bent as described later, the supporting wafer S Is the height at which the central portion of the wafer contacts the wafer W to be processed. In this way, a sealed joint space R is formed between the first holding part 200 and the second holding part 201.
  • the atmosphere of the joint space R is sucked from the suction pipe 241.
  • the pressure applied to the upper surface of the second holding portion 201 and the bonding space R are applied to the second holding portion 201.
  • the center portion of the second holding portion 201 is bent, and the center portion of the support wafer S held by the second holding portion 201 is also bent.
  • the atmosphere of the joining space R is further sucked and the inside of the joining space R is depressurized.
  • the second holding unit 201 cannot hold the support wafer S
  • the support wafer S as shown in FIG. is dropped down
  • the bonding surface S J entire support wafer S comes into contact with the bonding surface W J entire treated wafer W.
  • the support wafer S sequentially comes into contact with the processing target wafer W from the central portion toward the radially outer side. That is, for example, even when air that can be a void exists in the bonding space R, the air is always present outside the portion where the support wafer S is in contact with the wafer W to be processed. It is possible to escape from between the processing wafer W and the support wafer S. In this way, the processing target wafer W and the support wafer S are bonded by the adhesive G while suppressing the generation of voids (step A10 in FIG. 29).
  • the height of the support member 223 is adjusted, and the lower surface of the second holding unit 201 is brought into contact with the non-joint surface SN of the support wafer S.
  • the sealing material 231 is elastically deformed, and the first holding unit 200 and the second holding unit 201 are in close contact with each other.
  • maintenance part 201 is made into predetermined pressure, for example, 0.5 MPa with the pressurization mechanism 260. Press down. Then, the processing target wafer W and the support wafer S are more firmly bonded and bonded (step A11 in FIG. 29).
  • the overlapped wafer T in which the wafer W to be processed and the support wafer S are bonded is transferred from the bonding unit 110 to the delivery unit 110 by the first transfer arm 170 of the transfer unit 112.
  • the overlapped wafer T transferred to the transfer unit 110 is transferred to the transfer arm 120 via the wafer support pins 121, and further transferred from the transfer arm 120 to the wafer transfer device 61.
  • the overlapped wafer T is transferred to the heat treatment apparatus 43 by the wafer transfer apparatus 61.
  • the temperature of the superposed wafer T is adjusted to a predetermined temperature, for example, normal temperature (23 ° C.).
  • the overlapped wafer T is transferred to the adhesive removing device 41 by the wafer transfer device 61.
  • the overlapped wafer T carried into the adhesive removing device 41 is transferred from the wafer transfer device 61 to the spin chuck 310 and is sucked and held. At this time, the non-bonding surface W N of the wafer W is held by suction. Further, the spin chuck 310 is retracted to a position where the overlapped wafer T does not collide with the solvent supply unit 320.
  • the spin chuck 310 is lowered to a predetermined position, the spin chuck 310 is further moved in the horizontal direction toward the solvent supply unit 320, and the outer peripheral portion of the overlapped wafer T is moved to the upper nozzle 321 in the solvent supply unit 320. And the lower nozzle 322. At this time, the overlapped wafer T is located in the middle between the upper nozzle 321 and the lower nozzle 322.
  • the solvent of the adhesive G is supplied to the outer peripheral portion of the overlapped wafer T from the supply ports 323 and 324 of the upper nozzle 321 and the lower nozzle 322 while rotating the overlapped wafer T by the spin chuck 310.
  • Solvent supplied adhesive G is the centrifugal force generated by rotation of the injection pressure and the bonded wafer T from the supply port 323 and 324, it flows to the outer adhesive G E.
  • the solvent is supplied glue G from the supply port 323 to the outer adhesive G E, ultrasonic waves are applied from the ultrasonic transducer 328 and 329 outside the adhesive G E. Then, the solvent and ultrasonic of the adhesive G, it is removed the surface of the outer adhesive G E as shown in FIG.
  • the outer adhesive G E is formed in a predetermined size (step of FIG. 29 A12).
  • a solvent or adhesive G after removal of the surface of the outer adhesive G E, the atmosphere in the solvent supply unit 320 is forcibly discharged from the discharge pipe 331 by the ejector 332.
  • the wafer W to be processed is thinned.
  • the wafer W to be processed is thinned, if the outer adhesive GE is too larger than the position of the end of the wafer W to be processed (the dashed line in FIG. 35), the wafer W to be processed is thinned. an outer adhesive G E adhere to the device. If it does so, the to-be-processed wafer W cannot be thinned appropriately.
  • the outer adhesive GE is too smaller than the position of the end of the wafer W to be processed after being thinned, the outer periphery of the wafer W to be processed may be damaged.
  • step A12 the ultrasonic waves from the solvent and the ultrasonic transducer 328 and 329 of the adhesive G from the upper nozzle 321 and lower nozzle 322, the surface of the outer adhesive G E are evenly removed from the upper and lower The That is, the upper end of the outer adhesive G E after removal of the surface distance between the lower surface of the support wafer S (two-dot chain line in FIG. 35), the distance between the lower end portion and the wafer W of the outer adhesive G E Is equal to By removing this way the surface of the outer adhesive G E vertically equally, it is possible to properly carry out the transport and processing of the subsequent polymerization wafer T.
  • step A12 by the control unit 400 controls the rotational speed of the bonded wafer T by controlling the spin chuck 310, the outer adhesive G E by adjusting the amount of removing the surface of the outer adhesive G E Are formed in a predetermined size. Further, the removal amount of the surface of the outer adhesive G E, the supply amount of the adhesive G, supply time, supply timing, attachment time of the ultrasonic wave, applying timing, or is controlled by emission due ejector 332.
  • Bonded wafer T of which the surface is removed outside the adhesive G E with adhesive remover 41 is transferred to the transition unit 51 by the wafer transfer apparatus 61, a predetermined cassette placement by the wafer transfer apparatus 22 of the subsequent unloading station 2 It is conveyed to the cassette C T of the plate 11. In this way, a series of bonding processing of the processing target wafer W and the supporting wafer S is completed.
  • step A12 supplies solvent adhesive G outside the adhesive G E, by applying ultrasonic waves to the outer adhesive G E, it is removed the surface of the outer adhesive G E.
  • an ultrasonic wave was applied to the outer adhesive G E, can be removed more quickly outer adhesive G E. Therefore, according to the present invention, the throughput of the bonding process between the processing target wafer W and the supporting wafer S can be improved.
  • step A12 the outer adhesive GE is formed in such a size that the position of the lower end portion thereof coincides with the position of the end portion of the wafer W to be processed after thinning. For this reason, it does not adhere to the thinning device of the wafer W to be processed provided outside the bonding system 1 and the outer peripheral portion of the wafer W to be bonded is not damaged. Further, the surface of the outer adhesive G E in step A12 so is removed vertically equally, it is possible to properly carry out the transport and processing of the subsequent polymerization wafer T.
  • the solvent for the adhesive G is supplied onto the adhesive G on the outer periphery of the wafer W to be processed.
  • An ultrasonic wave (ultrasonic vibration) may be applied on the adhesive G to remove the adhesive G on the outer peripheral portion.
  • the removal of the adhesive G on the outer peripheral portion of the wafer W to be processed may be performed before or after the heat treatment of the wafer W to be processed in the step A2.
  • the coating apparatus 40 supplies the solvent for the adhesive G as shown in FIG. A solvent nozzle 500 serving as a solvent supply unit, and another ultrasonic transducer 501 serving as another ultrasonic supply unit that applies ultrasonic waves (ultrasonic vibration).
  • the solvent nozzle 500 and the other ultrasonic transducer 501 are supported by the arm 502.
  • a rail 503 extending along the Y direction (left and right direction in FIG. 37) is formed between the cup 282 and the rail 290.
  • the rail 503 is formed, for example, from the outside of the cup 282 in the negative Y direction (left direction in FIG. 37) to the vicinity of the center of the cup 282.
  • the arm 502 is movable on the rail 503 by the nozzle driving unit 504.
  • the solvent nozzle 500 and the other ultrasonic transducers 501 can move from the standby unit 505 installed outside the Y direction negative side of the cup 282 to above the outer peripheral portion of the wafer W to be processed in the cup 282. Further, the wafer W can be moved in the radial direction of the wafer W to be processed.
  • the arm 502 can be moved up and down by a nozzle driving unit 504, and the heights of the solvent nozzle 500 and other ultrasonic transducers 501 can be adjusted.
  • the solvent nozzle 500 is connected to a supply pipe 506 for supplying the solvent of the adhesive G to the solvent nozzle 500 as shown in FIG.
  • the supply pipe 506 communicates with a solvent supply source 507 that stores the solvent of the adhesive G therein.
  • the supply pipe 506 is provided with a supply device group 508 including a valve for controlling the flow of the solvent of the adhesive G, a flow rate adjusting unit, and the like.
  • organic thinner or limonene is used as the solvent for the adhesive G.
  • the organic thinner for example, trimethylbenzene (mesitylene) is used.
  • the other ultrasonic transducer 501 is connected to an ultrasonic oscillation device 509 for oscillating ultrasonic waves from the other ultrasonic transducer 501.
  • the arm 502 moves the solvent nozzle 500 of the standby unit 505 and the other ultrasonic transducer 501 to above the outer periphery of the wafer W to be processed.
  • the solvent nozzle 500 and the other of the ultrasonic transducer 501 as shown in FIG. 38, the distance from the outer surface W S of the processing target wafer W L, are positioned for example at the position of 5 mm ⁇ 7.5 mm.
  • the spin chuck 280 while rotating the wafer W by the spin chuck 280, and supplies the solvent adhesive G from the solvent nozzle 500 the adhesive G of an outer peripheral portion W E of the wafer W.
  • Solvent supplied adhesive G flows over the outer peripheral portion W E of the wafer W toward the outer surface W S by centrifugal force. Further, the solvent of the adhesive G from the solvent nozzle 500 the adhesive G on the outer peripheral portion W E is supplied, ultrasonic waves are applied to the adhesive G on the outer peripheral portion W E from the other ultrasonic transducer 501 The Then, as shown in FIG. 39, the adhesive G on the outer peripheral portion W E of the wafer W is removed by the solvent and ultrasonic adhesive G.
  • the predetermined distance L from the outer surface W S of the wafer W in the outer peripheral portion W E in this step, the control unit 400, is applied at least type of adhesive G, in step A1 on wafer W It is determined based on the target film thickness of the adhesive G, the heat treatment temperature for heating the wafer to be processed W in the step A2 or the step A11, or the pressure for pressing the wafer to be processed W and the support substrate in the step A11.
  • step A11 prior to bonding the support wafer S and wafer W in step A11, since the removal of adhesive G on the outer peripheral portion W E of the pre-wafer W, in step A11 it is possible to suppress the outer adhesive G E extend beyond the bonded wafer T. And further removing the surface of the outer adhesive G E protruding in step A12. Since such polymerization protrude from the wafer T outer adhesive G E adjusted in two stages, it is possible to properly form the outer adhesive G E by a predetermined magnitude. Therefore, the wafer W to be processed and the support wafer S can be bonded more appropriately.
  • a coating of adhesive G onto the processed the wafer W since the removal of adhesive G on the outer peripheral portion W E, an external device of the coating apparatus 40, for example, the wafer transfer unit 61, etc. It is possible to more reliably avoid the adhesive G from adhering to the surface.
  • the adhesive G on the outer peripheral portion W E of the processing the wafer W when removing the adhesive G on the outer peripheral portion W E of the processing the wafer W, it supplies the solvent of the adhesive G for the adhesive G on the outer peripheral portion W E, the adhesive on the outer peripheral portion W E since an ultrasonic wave was applied to the G, the adhesive G on the outer peripheral portion W E can be quickly removed. Therefore, according to the present invention, the throughput of the bonding process between the processing target wafer W and the supporting wafer S can be further improved.
  • step A2 bonding is performed in the second processing block G2 of the bonding system 1 as shown in FIG.
  • Another adhesive removing device 510 is stacked on the agent removing device 41.
  • the other adhesive removing device 510 omits the adhesive nozzle 292 and the accompanying members 290, 291 and 294 to 297 in the coating device 40 described above, and the solvent nozzle 500 and the other ultrasonic transducers 501 and their associated members.
  • the members 501 to 509 are provided.
  • the adhesive G is applied onto a wafer W in step A1, after heating the wafer W to a predetermined temperature in the step A2, on the outer peripheral portion W E of the wafer W from the solvent nozzle 500 supplies solvent adhesive G to the adhesive G of imparting ultrasonic waves from other ultrasonic transducer 501 to the adhesive G on the outer peripheral portion W E. Then, to remove the adhesive G on the outer peripheral portion W E of the wafer W by the adhesive G and ultrasound.
  • the step of removing the adhesive G on the outer peripheral portion W E is omitted because it is similar to the above embodiment. Further, the subsequent steps A3 to A12 are also the same as the steps A3 to A12 in the above embodiment, and thus the description thereof is omitted.
  • the removal of the adhesive G of an outer peripheral portion W E after step A2 performs the removal of the surface of the outer adhesive G E in step A12, the outer adhesive G E extend beyond the bonded wafer T because of 2 levels, it can be appropriately formed by the outer adhesive G E of a predetermined size. Further, after curing by heating the adhesive G, since the removal of adhesive G on the outer peripheral portion W E of the processing the wafer W, it can be more accurately removed adhesive G.
  • the adhesive G on the outer peripheral portion W E of the processing the wafer W when removing the adhesive G on the outer peripheral portion W E of the processing the wafer W, it supplies the solvent of the adhesive G for the adhesive G on the outer peripheral portion W E, the adhesive on the outer peripheral portion W E since an ultrasonic wave was applied to the G, the adhesive G on the outer peripheral portion W E can be quickly removed.
  • the solvent of the adhesive G is supplied from the supply port 323, 324 of the upper nozzle 321 and lower nozzle 322 outside the adhesive G E of bonded wafer T
  • the superposed wafer T may be immersed in a solvent of the adhesive G stored in a storage tank (not shown).
  • the ultrasonic transducer (not shown) is provided to impart ultrasonic waves to the outer adhesive G E, the outer adhesive soaked bonded wafer T in a solvent adhesive G in the storage tank ultrasonic waves are applied to the G E. Then, the surface of the outer adhesive G E is removed by the solvent and ultrasonic these adhesives G.
  • the wafer to be processed W and the support wafer S are bonded in a state where the wafer to be processed W is disposed on the lower side and the support wafer S is disposed on the upper side.
  • the support wafer S may be disposed upside down.
  • a step A1 ⁇ A4 described above with respect to the support wafer S applying an adhesive agent G on the bonding surface S J of the support wafer S.
  • the above-described steps A5 to A7 are performed on the wafer W to be processed, and the front and back surfaces of the wafer W to be processed are reversed.
  • the above-described steps A8 to A12 are performed, and the support wafer S and the wafer W to be processed are bonded.
  • the adhesive G is applied to either the processing target wafer W or the support wafer S in the coating apparatus 40, but the adhesive G is applied to both the processing target wafer W and the support wafer S. May be applied.
  • the wafer W to be processed is heated to a predetermined temperature of 100 ° C. to 300 ° C. in the step A2, but the heat treatment of the wafer W to be processed may be performed in two stages.
  • the heat treatment apparatus 42 heats the first heat treatment temperature, for example, 100 ° C. to 150 ° C.
  • the heat treatment apparatus 45 heats the second heat treatment temperature, for example, 150 ° C. to 300 ° C.
  • the temperature of the heating mechanism itself in the heat treatment apparatus 42 and the heat treatment apparatus 45 can be made constant. Therefore, it is not necessary to adjust the temperature of the heating mechanism, and the throughput of the bonding process between the processing target wafer W and the supporting wafer S can be further improved.
  • the superposed wafer T bonded in the bonding process of the above embodiment is then thinned and peeled off from the processing target wafer W and the supporting wafer S which are products.
  • the entire surface of the wafer to be processed W and the entire surface of the support wafer S are bonded and bonded via the adhesive G.
  • the processing to be processed to which the adhesive G is applied is performed. Only the outer peripheral portions of the wafer W and the support wafer S may be bonded and bonded.
  • the outer peripheral portion of the surface of the support wafer S is formed so as to be bonded and bonded to the adhesive G on the wafer W to be processed, and the central portion of the surface of the support wafer S is not bonded to the adhesive G. It is formed as follows. Then, the above-described steps A1 to A12 are performed to bond the processing target wafer W and the support wafer S together.
  • the outer peripheral portion of the adhesive G between the processing target wafer W and the supporting wafer S is removed, and the processing target wafer W and the supporting wafer S are peeled off. Since only the outer peripheral portion of the wafer to be processed W and the support wafer S bonded by the adhesive G need only be peeled in this way, the wafer to be processed W and the support wafer S can be peeled easily and quickly.
  • the present invention can also be applied to the case where the overlapped wafer T in which only the outer peripheral portions of the processing target wafer W and the support wafer S are bonded to the processing target wafer W and the support wafer S is peeled off.
  • the present invention is not limited to such examples. It is obvious for those skilled in the art that various modifications or modifications can be conceived within the scope of the idea described in the claims, and these naturally belong to the technical scope of the present invention. It is understood.
  • the present invention is not limited to this example and can take various forms.
  • the present invention can also be applied to a case where the substrate is another substrate such as an FPD (flat panel display) other than a wafer or a mask reticle for a photomask.
  • FPD flat panel display

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Abstract

 本発明は、被処理基板と支持基板を接合する接合方法であって、被処理基板又は支持基板に接着剤を塗布する接着剤塗布工程と、その後、接着剤を介して、被処理基板と支持基板を押圧して接合する接合工程と、少なくとも前記接着剤塗布工程後且つ前記接合工程前、又は前記接合工程後に、前記接着剤塗布工程において塗布された接着剤のうちの余剰接着剤に接着剤の溶剤を供給すると共に、当該余剰接着剤に超音波を付与して、前記余剰接着剤を除去する接着剤除去工程と、を有する。

Description

接合方法、コンピュータ記憶媒体及び接合システム
 本発明は、被処理基板と支持基板を接合する接合方法、コンピュータ記憶媒体、及び前記接合方法を実施する接合システムに関する。
 近年、例えば半導体デバイスの製造プロセスにおいて、半導体ウェハ(以下、「ウェハ」とする)の大口径化が進んでいる。また、実装などの特定の工程において、ウェハの薄型化が求められている。例えば大口径で薄いウェハを、そのまま搬送したり、研磨処理すると、ウェハに反りや割れが生じる恐れがある。このため、例えばウェハを補強するために、例えば支持基板であるウェハやガラス基板にウェハを貼り付けることが行われている。
 かかるウェハと支持基板の貼り合わせは、例えば貼り合わせ装置を用いて、ウェハと支持基板との間に接着剤を介在させることにより行われている。貼り合わせ装置は、例えばウェハを保持する第一保持部材と、支持基板を保持する第二保持部材と、ウェハと支持基板との間に配置される接着剤を加熱する加熱機構と、少なくとも第一保持部材又は第二保持部材を上下方向に移動させる移動機構とを有している。そして、この貼り合わせ装置では、ウェハと支持基板との間に接着剤を供給して、当該接着剤を加熱した後、ウェハと支持基板を押圧して貼り合わせている(特許文献1)。
日本国特開2008-182016号公報
 しかしながら、特許文献1に記載の貼り合わせ装置を用いた場合、ウェハと支持基板を押圧すると、当該ウェハと支持基板の間から接着剤がはみ出る。このようにはみ出た接着剤は、ウェハと支持基板の搬送工程や処理工程に悪影響を及ぼすおそれがある。例えば搬送工程において、ウェハと支持基板を搬送する搬送装置に接着剤が付着すると、当該接着剤が他のウェハや支持基板に付着してしまう。さらに処理工程においても、ウェハと支持基板に所定の処理を行う処理装置に接着剤が付着する場合がある。かかる場合、ウェハと支持基板を適切に接合することができない。
 本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、被処理基板と支持基板の間からはみ出る接着剤を抑制し、当該被処理基板と支持基板を適切に接合することを目的とする。
 前記の目的を達成するため、本発明は、被処理基板と支持基板を接合する接合方法であって、被処理基板又は支持基板に接着剤を塗布する接着剤塗布工程と、その後、接着剤を介して、被処理基板と支持基板を押圧して接合する接合工程と、少なくとも前記接着剤塗布工程後且つ前記接合工程前、又は前記接合工程後に、前記接着剤塗布工程において塗布された接着剤のうちの余剰接着剤に接着剤の溶剤を供給すると共に、当該余剰接着剤に超音波を付与して、前記余剰接着剤を除去する接着剤除去工程と、を有する。
 本発明によれば、被処理基板、支持基板及び重合基板を搬送する搬送装置や、これら基板に所定の処理を行う処理装置に余剰接着剤が付着することがない。したがって、被処理基板と支持基板を適切に接合することができる。
 また、接着剤除去工程においては、余剰接着剤に接着剤の溶剤を供給すると共に、余剰接着剤に超音波を付与して、当該余剰接着剤を除去している。発明者らが鋭意検討した結果、このように余剰接着剤に超音波を付与すると、例えば余剰接着剤に接着剤の溶剤の供給のみを行う場合に比べて、余剰接着剤をより迅速に除去できることが分かった。したがって、本発明によれば被処理基板と支持基板の接合処理のスループットを向上させることができる。
 別な観点による本発明は、前記接合方法を接合システムによって実行させるために、当該接合システムを制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体である。
 さらに別な観点による本発明は、被処理基板と支持基板を接合する接合システムであって、
被処理基板又は支持基板に接着剤を供給して塗布する接着剤供給部と、
前記接着剤供給部によって塗布された接着剤を介して、被処理基板と支持基板を押圧して接合する接合装置と、
少なくとも前記接着剤供給部において接着剤を塗布した後であって前記接合装置において被処理基板と支持基板を接合する前、又は前記接合装置において被処理基板と支持基板を接合した後に、前記接着剤供給部によって塗布された接着剤のうちの余剰接着剤を除去するように、前記余剰接着剤に接着剤の溶剤を供給する溶剤供給部と、
前記余剰接着剤に超音波を付与する超音波供給部と、
を有している。
 本発明によれば、被処理基板と支持基板の間からはみ出る接着剤を抑制し、当該被処理基板と支持基板を適切に接合することができ、さらに被処理基板と支持基板の接合処理のスループットを向上させることができる。
本実施の形態にかかる接合システムの構成の概略を示す平面図である。 本実施の形態にかかる接合システムの内部構成の概略を示す側面図である。 被処理ウェハと支持ウェハの側面図である。 接合装置の構成の概略を示す横断面図である。 受渡部の構成の概略を示す平面図である。 受渡アームの構成の概略を示す平面図である。 受渡アームの構成の概略を示す側面図である。 反転部の構成の概略を示す平面図である。 反転部の構成の概略を示す側面図である。 反転部の構成の概略を示す側面図である。 保持アームと保持部材の構成の概略を示す側面図である。 受渡部と反転部の位置関係を示す説明図である。 搬送部の構成の概略を示す側面図である。 搬送部が接合装置内に配置された様子を示す説明図である。 第1の搬送アームの構成の概略を示す平面図である。 第1の搬送アームの構成の概略を示す側面図である。 第2の搬送アームの構成の概略を示す平面図である。 第2の搬送アームの構成の概略を示す側面図である。 第2の保持部に切り欠きが形成された様子を示す説明図である。 接合部の構成の概略を示す縦断面図である。 接合部の構成の概略を示す縦断面図である。 塗布装置の構成の概略を示す縦断面図である。 塗布装置の構成の概略を示す横断面図である。 接着剤除去装置の構成の概略を示す縦断面図である。 接着剤除去装置の構成の概略を示す横断面図である。 溶剤供給部の構成の概略を示す縦断面図である。 熱処理装置の構成の概略を示す縦断面図である。 熱処理装置の構成の概略を示す横断面図である。 接合処理の主な工程を示すフローチャートである。 第1の保持部を上昇させた様子を示す説明図である。 第2の保持部の中心部が撓んだ様子を示す説明図である。 支持ウェハの接合面全面が被処理ウェハの接合面全面に当接した様子を示す説明図である。 被処理ウェハと支持ウェハを接合した様子を示す説明図である。 重合ウェハの外側面から外側接着剤がはみ出した様子を示す説明図である。 重合ウェハの外側面からはみ出した外側接着剤の表面を除去した様子を示す説明図である。 他の実施の形態にかかる塗布装置の構成の概略を示す縦断面図である。 他の実施の形態にかかる塗布装置の構成の概略を示す横断面図である。 被処理ウェハの外周部上の接着剤を除去した様子を示す説明図である。 被処理ウェハの外周部上の接着剤を除去した様子を示す説明図である。 他の実施の形態にかかる接合システムの内部構成の概略を示す側面図である。
 以下、本発明の実施の形態について説明する。図1は、本実施の形態にかかる接合システム1の構成の概略を示す平面図である。図2は、接合システム1の内部構成の概略を示す側面図である。
 接合システム1では、図3に示すように例えば接着剤Gを介して、被処理基板としての被処理ウェハWと支持基板としての支持ウェハSとを接合する。以下、被処理ウェハWにおいて、接着剤Gを介して支持ウェハSと接合される面を表面としての「接合面W」といい、当該接合面Wと反対側の面を裏面としての「非接合面W」という。同様に、支持ウェハSにおいて、接着剤Gを介して被処理ウェハWと接合される面を表面としての「接合面S」といい、接合面Sと反対側の面を裏面としての「非接合面S」という。そして、接合システム1では、被処理ウェハWと支持ウェハSを接合して、重合基板としての重合ウェハTを形成する。なお、被処理ウェハWは、製品となるウェハであって、例えば接合面Wに複数の電子回路が形成されており、非接合面Wが研磨処理される。また、支持ウェハSは、被処理ウェハWの径と同じ径を有し、当該被処理ウェハWを支持するウェハである。なお、本実施の形態では、支持基板としてウェハを用いた場合について説明するが、例えばガラス基板等の他の基板を用いてもよい。
 接合システム1は、図1に示すように例えば外部との間で複数の被処理ウェハW、複数の支持ウェハS、複数の重合ウェハTをそれぞれ収容可能なカセットC、C、Cが搬入出される搬入出ステーション2と、被処理ウェハW、支持ウェハS、重合ウェハTに対して所定の処理を施す各種処理装置を備えた処理ステーション3とを一体に接続した構成を有している。
 搬入出ステーション2には、カセット載置台10が設けられている。カセット載置台10には、複数、例えば4つのカセット載置板11が設けられている。カセット載置板11は、X方向(図1中の上下方向)に一列に並べて配置されている。これらのカセット載置板11には、接合システム1の外部に対してカセットC、C、Cを搬入出する際に、カセットC、C、Cを載置することができる。このように搬入出ステーション2は、複数の被処理ウェハW、複数の支持ウェハS、複数の重合ウェハTを保有可能に構成されている。なお、カセット載置板11の個数は、本実施の形態に限定されず、任意に決定することができる。また、カセットの1つを不具合ウェハの回収用として用いてもよい。すなわち、種々の要因で被処理ウェハWと支持ウェハSとの接合に不具合が生じたウェハを、他の正常な重合ウェハTと分離することができるカセットである。本実施の形態においては、複数のカセットCのうち、1つのカセットCを不具合ウェハの回収用として用い、他方のカセットCを正常な重合ウェハTの収容用として用いている。
 搬入出ステーション2には、カセット載置台10に隣接してウェハ搬送部20が設けられている。ウェハ搬送部20には、X方向に延伸する搬送路21上を移動自在なウェハ搬送装置22が設けられている。ウェハ搬送装置22は、鉛直方向及び鉛直軸周り(θ方向)にも移動自在であり、各カセット載置板11上のカセットC、C、Cと、後述する処理ステーション3の第3の処理ブロックG3のトランジション装置50、51との間で被処理ウェハW、支持ウェハS、重合ウェハTを搬送できる。
 処理ステーション3には、各種処理装置を備えた複数例えば3つの処理ブロックG1、G2、G3が設けられている。例えば処理ステーション3の正面側(図1中のX方向負方向側)には、第1の処理ブロックG1が設けられ、処理ステーション3の背面側(図1中のX方向正方向側)には、第2の処理ブロックG2が設けられている。また、処理ステーション3の搬入出ステーション2側(図1中のY方向負方向側)には、第3の処理ブロックG3が設けられている。
 例えば第1の処理ブロックG1には、接着剤Gを介して被処理ウェハWと支持ウェハSとを押圧して接合する接合装置30~33が、搬入出ステーション2側からこの順でY方向に並べて配置されている。
 例えば第2の処理ブロックG2には、図2に示すように被処理ウェハWに接着剤Gを塗布する塗布装置40と、後述するように重合ウェハTの外側面からはみ出た外側接着剤に接着剤Gの溶剤を供給すると共に、当該外側接着剤に超音波を付与して、外側接着剤が所定の大きさに形成されるように当該外側接着剤の表面を除去する接着剤除去装置41とが下からこの順で上下方向2段に積み重ねられている。また、第2の処理ブロックG2には、塗布装置40と接着剤除去装置41の搬入出ステーション2側(図2中のY方向負方向側)において、接着剤Gが塗布された被処理ウェハWを所定の温度に加熱する熱処理装置42~44と、同様の熱処理装置45~47とが、搬入出ステーション2側に向かう方向にこの順で並べて配置されている。熱処理装置42~44と熱処理装置45~47は、それぞれ下からこの順で上下方向3段に積み重ねられている。なお、熱処理装置42~47の装置数や鉛直方向及び水平方向の配置は任意に設定することができる。
 例えば第3の処理ブロックG3には、被処理ウェハW、支持ウェハS、重合ウェハTのトランジション装置50、51が下からこの順で上下方向2段に積み重ねられている。
 図1に示すように第1の処理ブロックG1~第3の処理ブロックG3に囲まれた領域には、ウェハ搬送領域60が形成されている。ウェハ搬送領域60には、例えばウェハ搬送装置61が配置されている。なお、ウェハ搬送領域60内の圧力は大気圧以上であり、当該ウェハ搬送領域60において、被処理ウェハW、支持ウェハS、重合ウェハTのいわゆる大気系の搬送が行われる。
 ウェハ搬送装置61は、例えば鉛直方向、水平方向(Y方向、X方向)及び鉛直軸周りに移動自在な搬送アームを有している。ウェハ搬送装置61は、ウェハ搬送領域60内を移動し、周囲の第1の処理ブロックG1、第2の処理ブロックG2及び第3の処理ブロックG3内の所定の装置に被処理ウェハW、支持ウェハS、重合ウェハTを搬送できる。
 次に、上述した接合装置30~33の構成について説明する。接合装置30は、図4に示すように内部を密閉可能な処理容器100を有している。処理容器100のウェハ搬送領域60側の側面には、被処理ウェハW、支持ウェハS、重合ウェハTの搬入出口101が形成され、当該搬入出口には開閉シャッタ(図示せず)が設けられている。
 処理容器100の内部は、内壁102によって、前処理領域D1と接合領域D2に区画されている。上述した搬入出口101は、前処理領域D1における処理容器100の側面に形成されている。また、内壁102にも、被処理ウェハW、支持ウェハS、重合ウェハTの搬入出口103が形成されている。
 前処理領域D1には、接合装置30の外部との間で被処理ウェハW、支持ウェハS、重合ウェハTを受け渡すための受渡部110が設けられている。受渡部110は、搬入出口101に隣接して配置されている。また受渡部110は、後述するように鉛直方向に複数、例えば2段配置され、被処理ウェハW、支持ウェハS、重合ウェハTのいずれか2つを同時に受け渡すことができる。例えば一の受渡部110で接合前の被処理ウェハW又は支持ウェハSを受け渡し、他の受渡部110で接合後の重合ウェハTを受け渡してもよい。あるいは、一の受渡部110で接合前の被処理ウェハWを受け渡し、他の受渡部110で接合前の支持ウェハSを受け渡してもよい。
 前処理領域D1のY方向負方向側、すなわち搬入出口103側において、受渡部110の鉛直上方には、例えば支持ウェハSの表裏面を反転させる反転部111が設けられている。なお、反転部111は、後述するように支持ウェハSの水平方向の向きを調節することもでき、また被処理ウェハWの水平方向の水平方向の向きを調節することもできる。
 接合領域D2のY方向正方向側には、受渡部110、反転部111及び後述する接合部113に対して、被処理ウェハW、支持ウェハS、重合ウェハTを搬送する搬送部112が設けられている。搬送部112は、搬入出口103に取り付けられている。
 接合領域D2のY方向負方向側には、接着剤Gを介して被処理ウェハWと支持ウェハSとを押圧して接合する接合部113が設けられている。
 次に、上述した受渡部110の構成について説明する。受渡部110は、図5に示すように受渡アーム120とウェハ支持ピン121とを有している。受渡アーム120は、接合装置30の外部、すなわちウェハ搬送装置61とウェハ支持ピン121との間で被処理ウェハW、支持ウェハS、重合ウェハTを受け渡すことができる。ウェハ支持ピン121は、複数、例えば3箇所に設けられ、被処理ウェハW、支持ウェハS、重合ウェハTを支持することができる。
 受渡アーム120は、被処理ウェハW、支持ウェハS、重合ウェハTを保持するアーム部130と、例えばモータなどを備えたアーム駆動部131とを有している。アーム部130は、略円板形状を有している。アーム駆動部131は、アーム部130をX方向(図5中の上下方向)に移動させることができる。またアーム駆動部131は、Y方向(図5中の左右方向)に延伸するレール132に取り付けられ、当該レール132上を移動可能に構成されている。かかる構成により、受渡アーム120は、水平方向(X方向及びY方向)に移動可能となっており、ウェハ搬送装置61及びウェハ支持ピン121との間で、被処理ウェハW、支持ウェハS、重合ウェハTを円滑に受け渡すことができる。
 アーム部130上には、図6及び図7に示すように被処理ウェハW、支持ウェハS、重合ウェハTを支持するウェハ支持ピン140が複数、例えば4箇所に設けられている。またアーム部130上には、ウェハ支持ピン140に支持された被処理ウェハW、支持ウェハS、重合ウェハTの位置決めを行うガイド141が設けられている。ガイド141は、被処理ウェハW、支持ウェハS、重合ウェハTの側面をガイドするように複数、例えば4箇所に設けられている。
 アーム部130の外周には、図5及び図6に示すように切り欠き142が例えば4箇所に形成されている。この切り欠き142により、ウェハ搬送装置61の搬送アームから受渡アーム120に被処理ウェハW、支持ウェハS、重合ウェハTを受け渡す際に、当該ウェハ搬送装置61の搬送アームがアーム部130と干渉するのを防止できる。
 アーム部130には、X方向に沿った2本のスリット143が形成されている。スリット143は、アーム部130のウェハ支持ピン121側の端面からアーム部130の中央部付近まで形成されている。このスリット143により、アーム部130がウェハ支持ピン121と干渉するのを防止できる。
 次に、上述した反転部111の構成について説明する。反転部111は、図8~図10に示すように支持ウェハS、被処理ウェハWを保持する保持アーム150を有している。保持アーム150は、水平方向(図8及び図9中のX方向)に延伸している。また保持アーム150には、支持ウェハS、被処理ウェハWを保持する保持部材151が例えば4箇所に設けられている。保持部材151は、図11に示すように保持アーム150に対して水平方向に移動可能に構成されている。また保持部材151の側面には、支持ウェハS、被処理ウェハWの外周部を保持するための切り欠き152が形成されている。そして、これら保持部材151は、支持ウェハS、被処理ウェハWを挟み込んで保持することができる。
 保持アーム150は、図8~図10に示すように例えばモータなどを備えた第1の駆動部153に支持されている。この第1の駆動部153によって、保持アーム150は水平軸周りに回動自在であり、且つ水平方向(図8及び図9中のX方向、図8及び図10のY方向)に移動できる。なお、第1の駆動部153は、保持アーム150を鉛直軸周りに回動させて、当該保持アーム150を水平方向に移動させてもよい。第1の駆動部153の下方には、例えばモータなどを備えた第2の駆動部154が設けられている。この第2の駆動部154によって、第1の駆動部153は鉛直方向に延伸する支持柱155に沿って鉛直方向に移動できる。このように第1の駆動部153と第2の駆動部154によって、保持部材151に保持された支持ウェハS、被処理ウェハWは、水平軸周りに回動できると共に鉛直方向及び水平方向に移動できる。
 支持柱155には、保持部材151に保持された支持ウェハS、被処理ウェハWの水平方向の向きを調節する位置調節機構160が支持板161を介して支持されている。位置調節機構160は、保持アーム150に隣接して設けられている。
 位置調節機構160は、基台162と、支持ウェハS、被処理ウェハWのノッチ部の位置を検出する検出部163とを有している。そして、位置調節機構160では、保持部材151に保持された支持ウェハS、被処理ウェハWを水平方向に移動させながら、検出部163で支持ウェハS、被処理ウェハWのノッチ部の位置を検出することで、当該ノッチ部の位置を調節して支持ウェハS、被処理ウェハWの水平方向の向きを調節している。
 なお、図12に示すように、以上のように構成された受渡部110は鉛直方向に2段に配置され、またこれら受渡部110の鉛直上方に反転部111が配置される。すなわち、受渡部110の受渡アーム120は、反転部111の保持アーム150と位置調節機構160の下方において水平方向に移動する。また、受渡部110のウェハ支持ピン121は、反転部111の保持アーム150の下方に配置されている。
 次に、上述した搬送部112の構成について説明する。搬送部112は、図13に示すように複数、例えば2本の搬送アーム170、171を有している。第1の搬送アーム170と第2の搬送アーム171は、鉛直方向に下からこの順で2段に配置されている。なお、第1の搬送アーム170と第2の搬送アーム171は、後述するように異なる形状を有している。
 搬送アーム170、171の基端部には、例えばモータなどを備えたアーム駆動部172が設けられている。このアーム駆動部172によって、各搬送アーム170、171は独立して水平方向に移動できる。これら搬送アーム170、171とアーム駆動部172は、基台173に支持されている。
 搬送部112は、図4及び図14に示すように処理容器100の内壁102に形成された搬入出口103に設けられている。そして、搬送部112は、例えばモータなどを備えた駆動部(図示せず)によって搬入出口103に沿って鉛直方向に移動できる。
 第1の搬送アーム170は、被処理ウェハW、支持ウェハS、重合ウェハTの裏面(被処理ウェハW、支持ウェハSにおいては非接合面W、S)を保持して搬送する。第1の搬送アーム170は、図15に示すように先端が2本の先端部180a、180aに分岐したアーム部180と、このアーム部180と一体に形成され、且つアーム部180を支持する支持部181とを有している。
 アーム部180上には、図15及び図16に示すようにOリング182が複数、例えば4箇所に設けられている。このOリング182が被処理ウェハW、支持ウェハS、重合ウェハTの裏面と接触し、当該Oリング182と被処理ウェハW、支持ウェハS、重合ウェハTの裏面との間の摩擦力によって、Oリング182は被処理ウェハW、支持ウェハS、重合ウェハTの裏面を保持する。そして、第1の搬送アーム170は、Oリング182上に被処理ウェハW、支持ウェハS、重合ウェハTを水平に保持することができる。
 またアーム部180上には、Oリング182に保持された被処理ウェハW、支持ウェハS、重合ウェハTの外側に設けられたガイド部材183、184が設けられている。第1のガイド部材183は、アーム部180の先端部180aの先端に設けられている。第2のガイド部材184は、被処理ウェハW、支持ウェハS、重合ウェハTの外周に沿った円弧状に形成され、支持部181側に設けられている。これらガイド部材183、184によって、被処理ウェハW、支持ウェハS、重合ウェハTが第1の搬送アーム170から飛び出したり、滑落するのを防止することができる。なお、被処理ウェハW、支持ウェハS、重合ウェハTがOリング182に適切な位置で保持されている場合、当該被処理ウェハW、支持ウェハS、重合ウェハTはガイド部材183、184と接触しない。
 第2の搬送アーム171は、例えば支持ウェハSの表面、すなわち接合面Sの外周部を保持して搬送する。すなわち、第2の搬送アーム171は、反転部111で表裏面が反転された支持ウェハSの接合面Sの外周部を保持して搬送する。第2の搬送アーム171は、図17に示すように先端が2本の先端部190a、190aに分岐したアーム部190と、このアーム部190と一体に形成され、且つアーム部190を支持する支持部191とを有している。
 アーム部190上には、図17及び図18に示すように第2の保持部材192が複数、例えば4箇所に設けられている。第2の保持部材192は、支持ウェハSの接合面Sの外周部を載置する載置部193と、当該載置部193から上方に延伸し、内側面が下側から上側に向かってテーパ状に拡大しているテーパ部194とを有している。載置部193は、支持ウェハSの周縁から例えば1mm以内の外周部を保持する。また、テーパ部194の内側面が下側から上側に向かってテーパ状に拡大しているため、例えば第2の保持部材192に受け渡される支持ウェハSが水平方向に所定の位置からずれていても、支持ウェハSはテーパ部194に円滑にガイドされて位置決めされ、載置部193に保持される。そして、第2の搬送アーム171は、第2の保持部材192上に支持ウェハSを水平に保持することができる。
 なお、図19に示すように、後述する接合部113の第2の保持部201には切り欠き201aが例えば4箇所に形成されている。この切り欠き201aにより、第2の搬送アーム171から第2の保持部201に支持ウェハSを受け渡す際に、第2の搬送アーム171の第2の保持部材192が第2の保持部201に干渉するのを防止することができる。
 次に、上述した接合部113の構成について説明する。接合部113は、図20に示すように被処理ウェハWを上面で載置して保持する第1の保持部200と、支持ウェハSを下面で吸着保持する第2の保持部201とを有している。第1の保持部200は、第2の保持部201の下方に設けられ、第2の保持部201と対向するように配置されている。すなわち、第1の保持部200に保持された被処理ウェハWと第2の保持部201に保持された支持ウェハSは対向して配置されている。
 第1の保持部200の内部には、被処理ウェハWを吸着保持するための吸引管210が設けられている。吸引管210は、例えば真空ポンプなどの負圧発生装置(図示せず)に接続されている。なお、第1の保持部200には、後述する加圧機構260により荷重がかけられても変形しない強度を有する材料、例えば炭化ケイ素セラミックや窒化アルミセラミックなどのセラミックが用いられる。
 また、第1の保持部200の内部には、被処理ウェハWを加熱する加熱機構211が設けられている。加熱機構211には、例えばヒータが用いられる。
 第1の保持部200の下方には、第1の保持部200及び被処理ウェハWを鉛直方向及び水平方向に移動させる移動機構220が設けられている。移動機構220は、第1の保持部200を例えば±1μmの精度で3次元移動させることができる。移動機構220は、第1の保持部200を鉛直方向に移動させる鉛直移動部221と、第1の保持部200を水平方向に移動させる水平移動部222とを有している。鉛直移動部221と水平移動部222は、例えばボールネジ(図示せず)と当該ボールネジを回動させるモータ(図示せず)とをそれぞれ有している。
 水平移動部222上には、鉛直方向に伸縮自在の支持部材223が設けられている。支持部材223は、第1の保持部200の外側に例えば3箇所に設けられている。そして、支持部材223は、図21に示すように第2の保持部201の外周下面から下方に突出して設けられた突出部230を支持することができる。
 以上の移動機構220では、第1の保持部200上の被処理ウェハWの水平方向の位置合わせを行うことができると共に、図21に示すように第1の保持部200を上昇させて、被処理ウェハWと支持ウェハSを接合するための接合空間Rを形成することができる。この接合空間Rは、第1の保持部200、第2の保持部201及び突出部230に囲まれた空間である。また、接合空間Rを形成する際、支持部材223の高さを調整することにより、接合空間Rにおける被処理ウェハWと支持ウェハS間の鉛直方向の距離を調整することができる。
 なお、第1の保持部200の下方には、被処理ウェハW又は重合ウェハTを下方から支持し昇降させるための昇降ピン(図示せず)が設けられている。昇降ピンは第1の保持部200に形成された貫通孔(図示せず)を挿通し、第1の保持部200の上面から突出可能になっている。
 第2の保持部201には、弾性体である例えばアルミニウムが用いられる。そして、第2の保持部201は、後述するように第2の保持部201の全面に所定の圧力、例えば0.7気圧(=0.07MPa)がかかると、その一箇所、例えば中心部が撓むように構成されている。
 第2の保持部201の外周下面には、図20に示すように当該外周下面から下方に突出する上述の突出部230が形成されている。突出部230は、第2の保持部201の外周に沿って形成されている。なお、突出部230は、第2の保持部201と一体に形成されていてもよい。
 突出部230の下面には、接合空間Rの気密性を保持するためのシール材231が設けられている。シール材231は、突出部230の下面に形成された溝に環状に設けられ、例えばOリングが用いられる。また、シール材231は弾性を有している。なお、シール材231は、シール機能を有する部品であればよく、本実施の形態に限定されるものではない。
 第2の保持部201の内部には、支持ウェハSを吸着保持するための吸引管240が設けられている。吸引管240は、例えば真空ポンプなどの負圧発生装置(図示せず)に接続されている。
 また、第2の保持部201の内部には、接合空間Rの雰囲気を吸気するための吸気管241が設けられている。吸気管241の一端は、第2の保持部201の下面における支持ウェハSが保持されない場所において開口している。また、吸気管241の他端は、例えば真空ポンプなどの負圧発生装置(図示せず)に接続されている。
 さらに、第2の保持部201の内部には、支持ウェハSを加熱する加熱機構242を有している。加熱機構242には、例えばヒータが用いられる。
 第2の保持部201の上面には、当該第2の保持部201を支持する支持部材250と第2の保持部201を鉛直下方に押圧する加圧機構260が設けられている。加圧機構260は、被処理ウェハWと支持ウェハSを覆うように設けられた圧力容器261と、圧力容器261の内部に流体、例えば圧縮空気を供給する流体供給管262と、を有している。また、支持部材250は、鉛直方向に伸縮自在に構成され、圧力容器261の外側に例えば3箇所に設けられている。
 圧力容器261は、例えば鉛直方向に伸縮自在の例えばステンレス製のベローズにより構成されている。圧力容器261は、その下面が第2の保持部201の上面に当接すると共に、上面が第2の保持部201の上方に設けられた支持板263の下面に当接している。流体供給管262は、その一端が圧力容器261に接続され、他端が流体供給源(図示せず)に接続されている。そして、圧力容器261に流体供給管262から流体を供給することで、圧力容器261が伸長する。この際、圧力容器261の上面と支持板263の下面とが当接しているので、圧力容器261は下方向にのみ伸長し、圧力容器261の下面に設けられた第2の保持部201を下方に押圧することができる。またこの際、圧力容器261の内部は流体により加圧されているので、圧力容器261は第2の保持部201を面内均一に押圧することができる。第2の保持部201を押圧する際の荷重の調節は、圧力容器261に供給する圧縮空気の圧力を調整することで行われる。なお、支持板263は、加圧機構260により第2の保持部201にかかる荷重の反力を受けても変形しない強度を有する部材により構成されているのが好ましい。なお、本実施の形態の支持板263を省略し、圧力容器261の上面を処理容器100の天井面に当接させてもよい。
 なお、接合装置31~33の構成は、上述した接合装置30の構成と同様であるので説明を省略する。
 次に、上述した塗布装置40の構成について説明する。塗布装置40は、図22に示すように内部を密閉可能な処理容器270を有している。処理容器270のウェハ搬送領域60側の側面には、被処理ウェハWの搬入出口(図示せず)が形成され、当該搬入出口には開閉シャッタ(図示せず)が設けられている。
 処理容器270内の中央部には、被処理ウェハWを保持して回転させるスピンチャック280が設けられている。スピンチャック280は、水平な上面を有し、当該上面には、例えば被処理ウェハWを吸引する吸引口(図示せず)が設けられている。この吸引口からの吸引により、被処理ウェハWをスピンチャック280上に吸着保持できる。
 スピンチャック280の下方には、例えばモータなどを備えたチャック駆動部281が設けられている。スピンチャック280は、チャック駆動部281により所定の速度に回転できる。また、チャック駆動部281には、例えばシリンダなどの昇降駆動源が設けられており、スピンチャック280は昇降自在になっている。
 スピンチャック280の周囲には、被処理ウェハWから飛散又は落下する液体を受け止め、回収するカップ282が設けられている。カップ282の下面には、回収した液体を排出する排出管283と、カップ282内の雰囲気を真空引きして排気する排気管284が接続されている。
 図23に示すようにカップ282のX方向負方向(図23中の下方向)側には、Y方向(図23中の左右方向)に沿って延伸するレール290が形成されている。レール290は、例えばカップ282のY方向負方向(図23中の左方向)側の外方からY方向正方向(図23中の右方向)側の外方まで形成されている。レール290には、アーム291が取り付けられている。
 アーム291には、図22及び図23に示すように被処理ウェハWに液体状の接着剤Gを供給する接着剤供給部としての接着剤ノズル292が支持されている。アーム291は、図23に示すノズル駆動部293により、レール290上を移動自在である。これにより、接着剤ノズル292は、カップ282のY方向正方向側の外方に設置された待機部294からカップ282内の被処理ウェハWの中心部上方まで移動でき、さらに当該被処理ウェハW上を被処理ウェハWの径方向に移動できる。また、アーム291は、ノズル駆動部293によって昇降自在であり、接着剤ノズル292の高さを調節できる。
 接着剤ノズル292には、図22に示すように当該接着剤ノズル292に接着剤Gを供給する供給管295が接続されている。供給管295は、内部に接着剤Gを貯留する接着剤供給源296に連通している。また、供給管295には、接着剤Gの流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群297が設けられている。
 なお、スピンチャック280の下方には、被処理ウェハWの裏面、すなわち非接合面Wに向けて洗浄液を噴射するバックリンスノズル(図示せず)が設けられていてもよい。このバックリンスノズルから噴射される洗浄液によって、被処理ウェハWの非接合面Wと被処理ウェハWの外周部が洗浄される。
 次に、上述した接着剤除去装置41の構成について説明する。接着剤除去装置41は、図24及び図25に示すように内部を密閉可能な処理容器300を有している。処理容器300のウェハ搬送領域60側の側面には、重合ウェハTの搬入出口(図示せず)が形成され、当該搬入出口には開閉シャッタ(図示せず)が設けられている。
 処理容器300内の中央部には、重合ウェハTを保持して回転させるスピンチャック310が設けられている。スピンチャック310は、水平な上面を有し、当該上面には、例えば重合ウェハTを吸引する吸引口(図示せず)が設けられている。この吸引口からの吸引により、重合ウェハTをスピンチャック310上に吸着保持できる。
 スピンチャック310の下方には、例えばモータなどを備えたチャック駆動部311が設けられている。スピンチャック310は、チャック駆動部311により所定の速度に回転できる。また、チャック駆動部311には、例えばシリンダなどの昇降駆動源が設けられており、スピンチャック310は昇降自在になっている。さらに、チャック駆動部311は、Y方向(図24中の左右方向)に沿って延伸するレール312に取り付けられている。スピンチャック310は、チャック駆動部311により、レール312に沿って移動自在になっている。
 スピンチャック310の側方には、後述するように接合装置30において被処理ウェハWと支持ウェハSの間の接着剤Gが重合ウェハTの外側面からはみ出した外側接着剤Gに対して、接着剤Gの溶剤を供給する溶剤供給部320と後述する超音波振動子328が設けられている。この溶剤供給部320から供給される接着剤Gの溶剤と超音波振動子328から付与される超音波によって、外側接着剤Gの表面が除去される。溶剤供給部320は、支持部材(図示せず)によって処理容器300に固定されている。なお、重合ウェハTの外側面からはみ出した接着剤Gには、説明の便宜上、外側接着剤Gという個別の呼称を付与しているが、接着剤Gと外側接着剤Gは同一の接着剤である。
 溶剤供給部320は、図26に示すように重合ウェハTに対して上方に配置された上部ノズル321と、重合ウェハTに対して下方に配置された下部ノズル322とを有している。上部ノズル321は、天井部321aと側壁部321bを備え、重合ウェハTの外周部の上部を覆うように設けられている。また、下部ノズル322は、底部322aと側壁部322bを備え、重合ウェハTの外周部の下部を覆うように設けられている。そして、これら上部ノズル321と下部ノズル322により、図24及び図25に示すように溶剤供給部320は略直方体形状を有している。また、溶剤供給部320のスピンチャック310側の側面は開口し、当該開口部にスピンチャック310に保持された重合ウェハTの外周部が挿入されるようになっている。
 図26に示すように、上部ノズル321の天井部321aの下面には、重合ウェハTの上方から外側接着剤Gに対して、接着剤Gの溶剤を供給する供給口323が形成されている。また、下部ノズル322の底部322aの上面には、重合ウェハTの下方から外側接着剤Gに対して、接着剤Gの溶剤を供給する供給口324が形成されている。
 上部ノズル321と下部ノズル322には、当該上部ノズル321の供給口323と下部ノズル322の供給口324に接着剤Gの溶剤を供給する供給管325が接続されている。供給管325は、内部に接着剤Gの溶剤を貯留する溶剤供給源326に連通している。また、供給管326には、接着剤Gの溶剤の流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群327が設けられている。なお、接着剤Gの溶剤には、例えば有機系のシンナー又はリモネンが用いられる。また、有機系のシンナーとしては、例えばトリメチルベンゼン(メシチレン)が用いられる。
 また、上部ノズル321の天井部321aの下面には、重合ウェハTの上方から外側接着剤Gに対して、超音波(超音波振動)を付与する超音波供給部としての超音波振動子328が設けられている。同様に、下部ノズル322の底部322aの上面には、重合ウェハTの下方から外側接着剤Gに対して、超音波(超音波振動)を付与する超音波供給部としての超音波振動子329が設けられている。超音波振動子328、329には、当該超音波振動子328、329から超音波を発振させるための超音波発振装置330が接続されている。
 上部ノズル321の側壁部321aと下部ノズル322側壁部322aとの間には、外側接着剤Gの表面を除去後の接着剤Gの溶剤を排出し、上部ノズル321と下部ノズル322で囲まれた領域の雰囲気を排気する排出管331が設けられている。排出管331は、エジェクタ332に接続されている。
 溶剤供給部320は以上のように構成されており、上部ノズル321の供給口323と下部ノズル322の供給口324から重合ウェハTに供給された接着剤Gの溶剤は、外側接着剤G上を流れて、排出管331から排出される。また、供給口323、324から外側接着剤Gに接着剤Gの溶剤が供給されると共に、超音波振動子328、329から外側接着剤Gに超音波が付与される。この接着剤Gの溶剤と超音波によって、外側接着剤Gの表面が除去され、当該外側接着剤Gは所定の大きさに形成する。なお、この外側接着剤Gの所定の大きさは、後述において詳しく説明する。
 なお、接着剤除去装置41において、スピンチャック310の周囲であって、溶剤供給部320の外側には、重合ウェハTから飛散又は落下する液体を受け止め、回収するカップ(図示せず)が設けられていてもよい。このカップの構成は、塗布装置40におけるカップ282の構成と同様である。また、本実施の形態の接着剤除去装置41では、スピンチャック310をレール312に沿って移動させていたが、溶剤供給部320を水平方向(図24及び図25中のY方向)に移動させてもよい。
 次に、上述した熱処理装置42~47の構成について説明する。熱処理装置42は、図27に示すように内部を閉鎖可能な処理容器340を有している。処理容器340のウェハ搬送領域60側の側面には、被処理ウェハWの搬入出口(図示せず)が形成され、当該搬入出口には開閉シャッタ(図示せず)が設けられている。
 処理容器340の天井面には、当該処理容器340の内部に例えば窒素ガスなどの不活性ガスを供給するガス供給口341が形成されている。ガス供給口341には、ガス供給源342に連通するガス供給管343が接続されている。ガス供給管343には、不活性ガスの流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群344が設けられている。
 処理容器340の底面には、当該処理容器340の内部の雰囲気を吸引する吸気口345が形成されている。吸気口345には、例えば真空ポンプなどの負圧発生装置346に連通する吸気管347が接続されている。
 処理容器340の内部には、被処理ウェハWを加熱処理する加熱部350と、被処理ウェハWを温度調節する温度調節部351が設けられている。加熱部350と温度調節部351はY方向に並べて配置されている。
 加熱部350は、熱板360を収容して熱板360の外周部を保持する環状の保持部材361と、その保持部材361の外周を囲む略筒状のサポートリング362を備えている。熱板360は、厚みのある略円盤形状を有し、被処理ウェハWを載置して加熱することができる。また、熱板360には、例えばヒータ363が内蔵されている。熱板360の加熱温度は例えば制御部400により制御され、熱板360上に載置された被処理ウェハWが所定の温度に加熱される。
 熱板360の下方には、被処理ウェハWを下方から支持し昇降させるための昇降ピン370が例えば3本設けられている。昇降ピン370は、昇降駆動部371により上下動できる。熱板360の中央部付近には、当該熱板360を厚み方向に貫通する貫通孔372が例えば3箇所に形成されている。そして、昇降ピン370は貫通孔372を挿通し、熱板360の上面から突出可能になっている。
 温度調節部351は、温度調節板380を有している。温度調節板380は、図28に示すように略方形の平板形状を有し、熱板360側の端面が円弧状に湾曲している。温度調節板380には、Y方向に沿った2本のスリット381が形成されている。スリット381は、温度調節板380の熱板360側の端面から温度調節板380の中央部付近まで形成されている。このスリット381により、温度調節板380が、加熱部350の昇降ピン370及び後述する温度調節部351の昇降ピン390と干渉するのを防止できる。また、温度調節板380には、例えばペルチェ素子などの温度調節部材(図示せず)が内蔵されている。温度調節板380の冷却温度は例えば制御部400により制御され、温度調節板380上に載置された被処理ウェハWが所定の温度に冷却される。
 温度調節板380は、図27に示すように支持アーム382に支持されている。支持アーム382には、駆動部383が取り付けられている。駆動部383は、Y方向に延伸するレール384に取り付けられている。レール384は、温度調節部351から加熱部350まで延伸している。この駆動部383により、温度調節板380は、レール384に沿って加熱部350と温度調節部351との間を移動可能になっている。
 温度調節板380の下方には、被処理ウェハWを下方から支持し昇降させるための昇降ピン390が例えば3本設けられている。昇降ピン390は、昇降駆動部391により上下動できる。そして、昇降ピン390はスリット381を挿通し、温度調節板380の上面から突出可能になっている。
 なお、熱処理装置42~47の構成は、上述した熱処理装置42の構成と同様であるので説明を省略する。
 また、熱処理装置42~47では、重合ウェハTの温度調節もすることができる。さらに、重合ウェハTの温度調節をするために、温度調節装置(図示せず)を設けてもよい。温度調節装置は、上述した熱処理装置42と同様の構成を有し、熱板360に代えて、温度調節板が用いられる。温度調節板の内部には、例えばペルチェ素子などの冷却部材が設けられており、温度調節板を設定温度に調節できる。
 以上の接合システム1には、図1に示すように制御部400が設けられている。制御部400は、例えばコンピュータであり、プログラム格納部(図示せず)を有している。プログラム格納部には、接合システム1における被処理ウェハW、支持ウェハS、重合ウェハTの処理を制御するプログラムが格納されている。また、プログラム格納部には、上述の各種処理装置や搬送装置などの駆動系の動作を制御して、接合システム1における後述の接合処理を実現させるためのプログラムも格納されている。なお、前記プログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスク(HD)、フレキシブルディスク(FD)、コンパクトディスク(CD)、マグネットオプティカルデスク(MO)、メモリーカードなどのコンピュータに読み取り可能な記憶媒体Hに記録されていたものであって、その記憶媒体Hから制御部400にインストールされたものであってもよい。
 次に、以上のように構成された接合システム1を用いて行われる被処理ウェハWと支持ウェハSの接合処理方法について説明する。図29は、かかる接合処理の主な工程の例を示すフローチャートである。
 先ず、複数枚の被処理ウェハWを収容したカセットC、複数枚の支持ウェハSを収容したカセットC、及び空のカセットCが、搬入出ステーション2の所定のカセット載置板11に載置される。その後、ウェハ搬送装置22によりカセットC内の被処理ウェハWが取り出され、処理ステーション3の第3の処理ブロックG3のトランジション装置50に搬送される。このとき、被処理ウェハWは、その非接合面Wが下方を向いた状態で搬送される。
 次に被処理ウェハWは、ウェハ搬送装置61によって塗布装置40に搬送される。塗布装置40に搬入された被処理ウェハWは、ウェハ搬送装置61からスピンチャック280に受け渡され吸着保持される。このとき、被処理ウェハWの非接合面Wが吸着保持される。
 続いて、アーム291によって待機部294の接着剤ノズル292を被処理ウェハWの中心部の上方まで移動させる。その後、スピンチャック280によって被処理ウェハWを回転させながら、接着剤ノズル292から被処理ウェハWの接合面Wに接着剤Gを供給する。供給された接着剤Gは遠心力により被処理ウェハWの接合面Wの全面に拡散されて、当該被処理ウェハWの接合面Wに接着剤Gが塗布される(図29の工程A1)。
 次に被処理ウェハWは、ウェハ搬送装置61によって熱処理装置42に搬送される。このとき熱処理装置42の内部は、不活性ガスの雰囲気に維持されている。熱処理装置42に被処理ウェハWが搬入されると、重合ウェハTはウェハ搬送装置61から予め上昇して待機していた昇降ピン390に受け渡される。続いて昇降ピン390を下降させ、被処理ウェハWを温度調節板380に載置する。
 その後、駆動部383により温度調節板380をレール384に沿って熱板360の上方まで移動させ、被処理ウェハWは予め上昇して待機していた昇降ピン370に受け渡される。その後、昇降ピン370が下降して、被処理ウェハWが熱板360上に載置される。そして、熱板360上の被処理ウェハWは、所定の温度、例えば100℃~300℃に加熱される(図29の工程A2)。かかる熱板360による加熱を行うことで被処理ウェハW上の接着剤Gが加熱され、当該接着剤Gが硬化する。
 その後、昇降ピン370が上昇すると共に、温度調節板380が熱板360の上方に移動する。続いて被処理ウェハWが昇降ピン370から温度調節板380に受け渡され、温度調節板380がウェハ搬送領域60側に移動する。この温度調節板380の移動中に、被処理ウェハWは所定の温度に温度調節される。
 熱処理装置42で熱処理された被処理ウェハWは、ウェハ搬送装置61によって接合装置30に搬送される。接合装置30に搬送された被処理ウェハWは、ウェハ搬送装置61から受渡部110の受渡アーム120に受け渡された後、さらに受渡アーム120からウェハ支持ピン121に受け渡される。その後、被処理ウェハWは、搬送部112の第1の搬送アーム170によってウェハ支持ピン121から反転部111に搬送される。
 反転部111に搬送された被処理ウェハWは、保持部材151に保持され、位置調節機構160に移動される。そして、位置調節機構160において、被処理ウェハWのノッチ部の位置を調節して、当該被処理ウェハWの水平方向の向きが調節される(図29の工程A3)。
 その後、被処理ウェハWは、搬送部112の第1の搬送アーム170によって反転部111から接合部113に搬送される。接合部113に搬送された被処理ウェハWは、第1の保持部200に載置される(図29の工程A4)。第1の保持部200上では、被処理ウェハWの接合面Wが上方を向いた状態、すなわち接着剤Gが上方を向いた状態で被処理ウェハWが載置される。
 被処理ウェハWに上述した工程A1~A4の処理が行われている間、当該被処理ウェハWに続いて支持ウェハSの処理が行われる。支持ウェハSは、ウェハ搬送装置61によって接合装置30に搬送される。なお、支持ウェハSが接合装置30に搬送される工程については、上記実施の形態と同様であるので説明を省略する。
 接合装置30に搬送された支持ウェハSは、ウェハ搬送装置61から受渡部110の受渡アーム120に受け渡された後、さらに受渡アーム120からウェハ支持ピン121に受け渡される。その後、支持ウェハSは、搬送部112の第1の搬送アーム170によってウェハ支持ピン121から反転部111に搬送される。
 反転部111に搬送された支持ウェハSは、保持部材151に保持され、位置調節機構160に移動される。そして、位置調節機構160において、支持ウェハSのノッチ部の位置を調節して、当該支持ウェハSの水平方向の向きが調節される(図29の工程A5)。水平方向の向きが調節された支持ウェハSは、位置調節機構160から水平方向に移動され、且つ鉛直方向上方に移動された後、その表裏面が反転される(図29の工程A6)。すなわち、支持ウェハSの接合面Sが下方に向けられる。
 その後、支持ウェハSは、鉛直方向下方に移動された後、搬送部112の第2の搬送アーム171によって反転部111から接合部113に搬送される。このとき、第2の搬送アーム171は、支持ウェハSの接合面Sの外周部のみを保持しているので、例えば第2の搬送アーム171に付着したパーティクル等によって接合面Sが汚れることはない。接合部113に搬送された支持ウェハSは、第2の保持部201に吸着保持される(図29の工程A7)。第2の保持部201では、支持ウェハSの接合面Sが下方を向いた状態で支持ウェハSが保持される。
 接合装置30において、被処理ウェハWと支持ウェハSがそれぞれ第1の保持部200と第2の保持部201に保持されると、被処理ウェハWが支持ウェハSに対向するように、移動機構220により第1の保持部200の水平方向の位置が調整される(図29の工程A8)。なお、このとき、第2の保持部201と支持ウェハSとの間の圧力は例えば0.1気圧(=0.01MPa)である。また、第2の保持部201の上面にかかる圧力は大気圧である1.0気圧(=0.1MPa)である。この第2の保持部201の上面にかかる大気圧を維持するため、加圧機構260の圧力容器261内の圧力を大気圧にしてもよいし、第2の保持部201の上面と圧力容器261との間に隙間を形成してもよい。
 次に、図30に示すように移動機構220によって第1の保持部200を上昇させると共に、支持部材223を伸長させて第2の保持部201が支持部材223に支持される。この際、支持部材223の高さを調整することにより、被処理ウェハWと支持ウェハSとの鉛直方向の距離が所定の距離になるように調整される(図29の工程A9)。なお、この所定の距離は、シール材231が第1の保持部200に接触し、且つ後述するように第2の保持部201及び支持ウェハSの中心部が撓んだ際に、支持ウェハSの中心部が被処理ウェハWに接触する高さである。このようにして、第1の保持部200と第2の保持部201との間に密閉された接合空間Rが形成される。
 その後、吸気管241から接合空間Rの雰囲気を吸気する。そして、接合空間R内の圧力が例えば0.3気圧(=0.03MPa)に減圧されると、第2の保持部201には、第2の保持部201の上面にかかる圧力と接合空間R内の圧力との圧力差、すなわち0.7気圧(=0.07MPa)がかかる。そうすると、図31に示すように第2の保持部201の中心部が撓み、第2の保持部201に保持された支持ウェハSの中心部も撓む。なお、このように接合空間R内の圧力を0.3気圧(=0.03MPa)まで減圧しても、第2の保持部201と支持ウェハSとの間の圧力は0.1気圧(=0.01MPa)であるため、支持ウェハSは第2の保持部201に保持された状態を保っている。
 その後、さらに接合空間Rの雰囲気を吸気し、接合空間R内を減圧する。そして、接合空間R内の圧力が0.1気圧(=0.01MPa)以下になると、第2の保持部201が支持ウェハSを保持することができず、図32に示すように支持ウェハSは下方に落下して、支持ウェハSの接合面S全面が被処理ウェハWの接合面W全面に当接する。この際、支持ウェハSは、被処理ウェハWに当接した中心部から径方向外側に向かって順次当接する。すなわち、例えば接合空間R内にボイドとなりうる空気が存在している場合でも、空気は支持ウェハSが被処理ウェハWと当接している箇所より常に外側に存在することになり、当該空気を被処理ウェハWと支持ウェハSとの間から逃がすことができる。こうしてボイドの発生を抑制しつつ、被処理ウェハWと支持ウェハSは接着剤Gにより接着される(図29の工程A10)。
 その後、図33に示すように、支持部材223の高さを調整し、第2の保持部201の下面を支持ウェハSの非接合面Sに接触させる。このとき、シール材231が弾性変形し、第1の保持部200と第2の保持部201が密着する。そして、加熱機構211、242により被処理ウェハWと支持ウェハSを所定の温度、例えば200℃で加熱しながら、加圧機構260により第2の保持部201を所定の圧力、例えば0.5MPaで下方に押圧する。そうすると、被処理ウェハWと支持ウェハSがより強固に接着され、接合される(図29の工程A11)。
 この工程A11において、被処理ウェハWと支持ウェハSを加熱しながら押圧すると、図34に示すように被処理ウェハWと支持ウェハSの間から接着剤Gがはみ出る。そして、重合ウェハTの外側面からはみ出した外側接着剤Gが形成される。
 その後、被処理ウェハWと支持ウェハSが接合された重合ウェハTは、搬送部112の第1の搬送アーム170によって接合部110から受渡部110に搬送される。受渡部110に搬送された重合ウェハTは、ウェハ支持ピン121を介して受渡アーム120に受け渡され、さらに受渡アーム120からウェハ搬送装置61に受け渡される。
 次に重合ウェハTは、ウェハ搬送装置61によって熱処理装置43に搬送される。そして、熱処理装置43において、重合ウェハTは所定の温度、例えば常温(23℃)に温度調節される。
 その後、重合ウェハTは、ウェハ搬送装置61によって接着剤除去装置41に搬送される。接着剤除去装置41に搬入された重合ウェハTは、ウェハ搬送装置61からスピンチャック310に受け渡され吸着保持される。このとき、被処理ウェハWの非接合面Wが吸着保持される。また、スピンチャック310は、重合ウェハTが溶剤供給部320と衝突しない位置に退避している。続いて、スピンチャック310を所定の位置まで下降させた後、さらにスピンチャック310を溶剤供給部320側に水平方向に移動させて、重合ウェハTの外周部を溶剤供給部320内の上部ノズル321と下部ノズル322の間に挿入する。このとき、重合ウェハTは、上部ノズル321と下部ノズル322の間の真中に位置している。
 その後、スピンチャック310によって重合ウェハTを回転させながら、上部ノズル321と下部ノズル322の供給口323、324から重合ウェハTの外周部に接着剤Gの溶剤を供給する。供給された接着剤Gの溶剤は、供給口323、324からの噴射圧力と重合ウェハTの回転で生じる遠心力によって、外側接着剤G上まで流れる。また、供給口323、324から外側接着剤Gに接着剤Gの溶剤が供給されると共に、超音波振動子328、329から外側接着剤Gに超音波が付与される。そして、この接着剤Gの溶剤と超音波によって、図35に示すように外側接着剤Gの表面が除去され、当該外側接着剤Gが所定の大きさに形成される(図29の工程A12)。発明者らが鋭意検討した結果、このように外側接着剤Gに超音波を付与すると、例えば外側接着剤Gに接着剤Gの溶剤の供給のみを行う場合に比べて、外側接着剤Gをより迅速に除去できることが分かった。なお、外側接着剤Gの表面を除去後の接着剤Gの溶剤や、溶剤供給部320内の雰囲気は、エジェクタ332によって排出管331から強制的に排出される。
 ここで、接合システム1において接合処理を終了した後、被処理ウェハWは薄化される。被処理ウェハWが薄化される際、外側接着剤Gが薄化後の被処理ウェハWの端部(図35の一点鎖線)の位置より大き過ぎると、被処理ウェハWを薄化する装置に外側接着剤Gが付着してしまう。そうすると、被処理ウェハWを適切に薄化することができない。一方、外側接着剤Gが薄化後の被処理ウェハWの端部の位置より小さ過ぎると、被処理ウェハWの外周部が損傷を被る場合がある。すなわち、外側接着剤Gによって被処理ウェハWの外周部を保護する必要がある。したがって、上述した工程A12における外側接着剤Gの所定の大きさは、表面を除去後の外側接着剤Gの下端部の位置と、薄化後の被処理ウェハWの端部の位置が一致する大きさとなる。
 また、工程A12において、上部ノズル321と下部ノズル322からの接着剤Gの溶剤と超音波振動子328、329からの超音波によって、外側接着剤Gの表面は上方と下方から均等に除去される。すなわち、表面を除去後の外側接着剤Gの上端部(図35の二点鎖線)と支持ウェハSの下面との距離は、外側接着剤Gの下端部と被処理ウェハWとの距離と等しくなる。このように外側接着剤Gの表面を上下均等に除去することによって、後続の重合ウェハTの搬送や処理を適切に行うことができる。
 なお、工程A12では、制御部400がスピンチャック310を制御して重合ウェハTの回転数を制御することによって、外側接着剤Gの表面を除去する量を調整して当該外側接着剤Gを所定の大きさに形成する。また、外側接着剤Gの表面を除去量は、接着剤Gの供給量、供給時間、供給タイミング、超音波の付与時間、付与タイミング、或いはエジェクタ332による排出量等によっても制御される。
 接着剤除去装置41で外側接着剤Gの表面が除去された重合ウェハTは、ウェハ搬送装置61によってトランジション装置51に搬送され、その後搬入出ステーション2のウェハ搬送装置22によって所定のカセット載置板11のカセットCに搬送される。こうして、一連の被処理ウェハWと支持ウェハSの接合処理が終了する。
 以上の実施の形態によれば、工程A11において被処理ウェハWと支持ウェハSを接合した後、工程A12において重合ウェハTの外側面からはみ出た外側接着剤Gの表面を除去し、当該外側接着剤Gを所定の大きさに形成することができる。そうすると、被処理ウェハW、支持ウェハS及び重合ウェハTを搬送するウェハ搬送装置61や、これらウェハW、S、Tに所定の処理を行う処理装置に外側接着剤Gが付着することがない。したがって、被処理ウェハWと支持ウェハSを適切に接合することができる。
 また、工程A12において、外側接着剤Gに接着剤Gの溶剤を供給すると共に、外側接着剤Gに超音波を付与して、当該外側接着剤Gの表面を除去している。このように外側接着剤Gに超音波を付与しているので、外側接着剤Gをより迅速に除去できる。したがって、本発明によれば被処理ウェハWと支持ウェハSの接合処理のスループットを向上させることができる。
 また、工程A12において外側接着剤Gは、その下端部の位置と薄化後の被処理ウェハWの端部の位置が一致する大きさに形成される。このため、接合システム1の外部に設けられた被処理ウェハWの薄化装置に付着することがなく、また接合された被処理ウェハWの外周部が損傷を被ることもない。さらに、工程A12において外側接着剤Gの表面は上下均等に除去されるので、後続の重合ウェハTの搬送や処理を適切に行うことができる。
 以上の実施の形態において、工程A1において被処理ウェハW上に接着剤Gを塗布した後、被処理ウェハWの外周部の接着剤G上に接着剤Gの溶剤を供給すると共に、外周部の接着剤G上に超音波(超音波振動)を付与して、当該外周部上の接着剤Gを除去してもよい。この被処理ウェハWの外周部上の接着剤Gの除去は、工程A2において被処理ウェハWを熱処理する前に行ってもよいし、熱処理した後に行ってもよい。
 被処理ウェハWの外周部上の接着剤Gの除去を工程A2の被処理ウェハWの熱処理の前に行う場合、図36に示すように塗布装置40は、接着剤Gの溶剤を供給する他の溶剤供給部としての溶剤ノズル500と、超音波(超音波振動)を付与する他の超音波供給部としての他の超音波振動子501を有している。溶剤ノズル500と他の超音波振動子501は、アーム502に支持されている。
 図37に示すようにカップ282とレール290の間には、Y方向(図37中の左右方向)に沿って延伸するレール503が形成されている。レール503は、例えばカップ282のY方向負方向(図37中の左方向)側の外方からカップ282の中央近傍まで形成されている。
 アーム502は、ノズル駆動部504により、レール503上を移動自在である。これにより、溶剤ノズル500と他の超音波振動子501は、カップ282のY方向負方向側の外方に設置された待機部505からカップ282内の被処理ウェハWの外周部上方まで移動でき、さらに当該被処理ウェハW上を被処理ウェハWの径方向に移動できる。また、アーム502は、ノズル駆動部504によって昇降自在であり、溶剤ノズル500と他の超音波振動子501の高さを調節できる。
 溶剤ノズル500には、図36に示すように当該溶剤ノズル500に接着剤Gの溶剤を供給する供給管506が接続されている。供給管506は、内部に接着剤Gの溶剤を貯留する溶剤供給源507に連通している。また、供給管506には、接着剤Gの溶剤の流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群508が設けられている。なお、接着剤Gの溶剤には、例えば有機系のシンナー又はリモネンが用いられる。また、有機系のシンナーとしては、例えばトリメチルベンゼン(メシチレン)が用いられる。
 他の超音波振動子501には、当該他の超音波振動子501から超音波を発振させるための超音波発振装置509が接続されている。
 なお、塗布装置40のその他の構成については、上記実施の塗布装置40の構成と同様であるので説明を省略する。
 かかる場合、工程A1において被処理ウェハW上に接着剤Gが塗布された後、アーム502によって待機部505の溶剤ノズル500と他の超音波振動子501を被処理ウェハWの外周部上方まで移動させる。このとき、図38に示すように溶剤ノズル500と他の超音波振動子501は、被処理ウェハWの外側面Wから距離L、例えば5mm~7.5mmの位置に配置される。その後、スピンチャック280によって被処理ウェハWを回転させながら、溶剤ノズル500から被処理ウェハWの外周部Wの接着剤Gに接着剤Gの溶剤を供給する。供給された接着剤Gの溶剤は、遠心力により被処理ウェハWの外周部W上を外側面Wに向かって流れる。また、溶剤ノズル500から外周部W上の接着剤Gに接着剤Gの溶剤が供給されると共に、他の超音波振動子501から外周部W上の接着剤Gに超音波が付与される。そして図39に示すように、この接着剤Gの溶剤と超音波によって被処理ウェハWの外周部W上の接着剤Gが除去される。
 なお、本工程における外周部Wの被処理ウェハWの外側面Wから所定の距離Lは、制御部400によって、少なくとも接着剤Gの種類、工程A1において被処理ウェハW上に塗布される接着剤Gの目標膜厚、工程A2又は工程A11における被処理ウェハWを加熱する熱処理温度、又は工程A11における被処理ウェハWと支持基板とを押圧する圧力に基づいて決定される。
 その後の工程A2~A12は、上記実施の形態における工程A2~A12と同様であるので説明を省略する。
 本実施の形態によれば、工程A11において被処理ウェハWと支持ウェハSを接合する前に、予め被処理ウェハWの外周部W上の接着剤Gを除去しているので、工程A11において重合ウェハTからはみ出す外側接着剤Gを抑制することができる。そしてさらに、工程A12においてはみ出した外側接着剤Gの表面を除去する。このように重合ウェハTからはみ出す外側接着剤Gを2段階で調節するので、当該外側接着剤Gを所定の大きさにより適切に形成することができる。したがって、被処理ウェハWと支持ウェハSをより適切に接合することができる。また、塗布装置40内で、被処理ウェハW上への接着剤Gの塗布と、外周部W上の接着剤Gの除去を行うので、塗布装置40の外部装置、例えばウェハ搬送装置61等に接着剤Gが付着することをより確実に回避することができる。
 また、被処理ウェハWの外周部W上の接着剤Gを除去する際に、外周部W上の接着剤Gに接着剤Gの溶剤を供給すると共に、外周部W上の接着剤Gに超音波を付与しているので、当該外周部W上の接着剤Gを迅速に除去できる。したがって、本発明によれば被処理ウェハWと支持ウェハSの接合処理のスループットをより向上させることができる。
 一方、被処理ウェハWの外周部上の接着剤Gの除去を工程A2の被処理ウェハWの熱処理の後に行う場合、図40に示すように接合システム1の第2の処理ブロックG2において、接着剤除去装置41上に他の接着剤除去装置510が積層される。他の接着剤除去装置510は、上述した塗布装置40における接着剤ノズル292及びそれに付随する部材290、291、294~297を省略し、溶剤ノズル500と他の超音波振動子501及びそれらに付随する部材501~509を設けた構成を有している。
 かかる場合、工程A1において被処理ウェハW上に接着剤Gが塗布して、工程A2において被処理ウェハWを所定の温度に加熱した後、溶剤ノズル500から被処理ウェハWの外周部W上の接着剤Gに接着剤Gの溶剤を供給すると共に、他の超音波振動子501から外周部W上の接着剤Gに超音波を付与する。そして、この接着剤Gと超音波によって被処理ウェハWの外周部W上の接着剤Gを除去する。なお、この外周部W上の接着剤Gを除去する工程は、上記実施の形態と同様であるので説明を省略する。また、その後の工程A3~A12についても、上記実施の形態における工程A3~A12と同様であるので説明を省略する。
 本実施の形態によっても、工程A2後における外周部Wの接着剤Gを除去と、工程A12における外側接着剤Gの表面の除去とを行い、重合ウェハTからはみ出す外側接着剤Gを2段階で調節するので、当該外側接着剤Gを所定の大きさにより適切に形成することができる。また、接着剤Gを加熱して硬化させた後に、被処理ウェハWの外周部W上の接着剤Gを除去するので、接着剤Gをより精度よく除去できる。さらに、被処理ウェハWの外周部W上の接着剤Gを除去する際に、外周部W上の接着剤Gに接着剤Gの溶剤を供給すると共に、外周部W上の接着剤Gに超音波を付与しているので、当該外周部W上の接着剤Gを迅速に除去できる。
 以上の実施の形態では、工程A12において重合ウェハTを回転させながら、上部ノズル321と下部ノズル322の供給口323、324から重合ウェハTの外側接着剤Gに接着剤Gの溶剤を供給していたが、例えば貯留槽(図示せず)に貯留された接着剤Gの溶剤に重合ウェハTを浸漬させてもよい。なお、かかる場合でも、外側接着剤Gに超音波を付与する超音波振動子(図示せず)が設けられ、貯留槽内の接着剤Gの溶剤に浸漬された重合ウェハTの外側接着剤Gに超音波が付与される。そして、これら接着剤Gの溶剤と超音波によって外側接着剤Gの表面が除去される。
 以上の実施の形態では、被処理ウェハWを下側に配置し、且つ支持ウェハSを上側に配置した状態で、これら被処理ウェハWと支持ウェハSを接合していたが、被処理ウェハWと支持ウェハSの上下配置を反対にしてもよい。かかる場合、上述した工程A1~A4を支持ウェハSに対して行い、当該支持ウェハSの接合面Sに接着剤Gを塗布する。また、上述した工程A5~A7を被処理ウェハWに対して行い、当該被処理ウェハWの表裏面を反転させる。そして、上述した工程A8~A12を行い、支持ウェハSと被処理ウェハWを接合する。但し、被処理ウェハW上の電子回路等を保護する観点から、被処理ウェハW上に接着剤Gを塗布するのが好ましい。
 また、以上の実施の形態では、塗布装置40において被処理ウェハWと支持ウェハSのいずれか一方に接着剤Gを塗布していたが、被処理ウェハWと支持ウェハSの両方に接着剤Gを塗布してもよい。
 以上の実施の形態では、工程A2において被処理ウェハWを所定の温度100℃~300℃に加熱していたが、被処理ウェハWの熱処理を2段階で行ってもよい。例えば熱処理装置42において、第1の熱処理温度、例えば100℃~150℃に加熱した後、熱処理装置45において第2の熱処理温度、例えば150℃~300℃に加熱する。かかる場合、熱処理装置42と熱処理装置45における加熱機構自体の温度を一定にできる。したがって、当該加熱機構の温度調節をする必要がなく、被処理ウェハWと支持ウェハSの接合処理のスループットをさらに向上させることができる。
 なお、以上の実施の形態の接合処理において接合された重合ウェハTは、その後、薄化されて製品となる被処理ウェハWと支持ウェハSに剥離される。
 そこで、以上の実施の形態の接合処理では、接着剤Gを介して被処理ウェハWの全面と支持ウェハSの全面を接着して接合していたが、例えば接着剤Gが塗布された被処理ウェハWと支持ウェハSの外周部のみを接着して接合させてもよい。かかる場合、支持ウェハSの表面の外周部は被処理ウェハW上の接着剤Gと接着して接合されるように形成されており、支持ウェハSの表面の中心部は接着剤Gと接着されないように形成されている。そして、上述した工程A1~A12を行って、被処理ウェハWと支持ウェハSを接合する。その後、被処理ウェハWと支持ウェハSの間の接着剤Gの外周部を除去して、当該被処理ウェハWと支持ウェハSを剥離する。このように接着剤Gによって接着された被処理ウェハWと支持ウェハSの外周部のみを剥離すればよいので、被処理ウェハWと支持ウェハSを容易且つ迅速に剥離することができる。
 そして、この接着剤Gの外周部を除去する際、本発明のように接着剤Gの外周部に接着剤Gの溶剤を供給すると共に、接着剤Gの外周部に超音波を付与する。そうすると、被処理ウェハWと支持ウェハSをより迅速に剥離することができる。このように被処理ウェハWと支持ウェハSの外周部のみが接合された重合ウェハTを、被処理ウェハWと支持ウェハSに剥離する際にも、本発明を適用することができる。
 以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。本発明はこの例に限らず種々の態様を採りうるものである。本発明は、基板がウェハ以外のFPD(フラットパネルディスプレイ)、フォトマスク用のマスクレチクルなどの他の基板である場合にも適用できる。
  1  接合システム
  30~33 接合装置
  40  塗布装置
  41  接着剤除去装置
  42~47 熱処理装置
  292 接着剤ノズル
  320 溶剤供給部
  328、329 超音波振動子
  400 制御部
  500 溶剤ノズル
  501 他の超音波振動子
  510 他の接着剤除去装置
  G  接着剤
  G  外側接着剤
  S  支持ウェハ
  T  重合ウェハ
  W  被処理ウェハ

Claims (13)

  1. 被処理基板と支持基板を接合する接合方法であって、
    被処理基板又は支持基板に接着剤を塗布する接着剤塗布工程と、
    その後、接着剤を介して、被処理基板と支持基板を押圧して接合する接合工程と、少なくとも前記接着剤塗布工程後且つ前記接合工程前、又は前記接合工程後に、前記接着剤塗布工程において塗布された接着剤のうちの余剰接着剤に接着剤の溶剤を供給すると共に、当該余剰接着剤に超音波を付与して、前記余剰接着剤を除去する接着剤除去工程と、
    を有する。
  2. 請求項1に記載の接合方法において、
    前記接着剤除去工程は前記接合工程後に行われ、
    前記接着剤除去工程では、
    前記接合工程において被処理基板と支持基板の間の接着剤が、当該被処理基板と支持基板を接合してなる重合基板の外側面からはみ出た外側接着剤に対して、接着剤の溶剤を供給すると共に、当該外側接着剤に超音波を付与して、前記外側接着剤が所定の大きさに形成されるように当該外側接着剤の表面を除去する。
  3. 請求項2に記載の接合方法において、
    前記接着剤除去工程後、被処理基板は薄化され、
    前記接着剤除去工程における前記外側接着剤の所定の大きさは、前記外側接着剤の端部の位置と薄化後の被処理基板の端部の位置が一致する大きさである。
  4. 請求項1に記載の接合方法において、
    前記接着剤塗布工程後且つ前記接合工程前に、接着剤が塗布された被処理基板又は支持基板の外周部上の接着剤に接着剤の溶剤を供給する共に、当該外周部上の接着剤に超音波を付与して、前記外周部上の接着剤を除去する他の接着剤除去工程を有する。
  5. 請求項4に記載の接合方法において、
    前記他の接着剤除去工程後且つ前記接合工程前に、接着剤が塗布されて前記外周部上の接着剤が除去された被処理基板又は支持基板を、所定の温度に加熱する熱処理工程を有する。
  6. 請求項4に記載の接合方法において、
    前記接着剤塗布工程後且つ前記他の接着剤除去工程前に、接着剤が塗布された被処理基板又は支持基板を所定の温度に加熱する熱処理工程を有する。
  7. 被処理基板と支持基板を接合する接合方法を、接合システムによって実行させるために、当該接合システムを制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムを格納した、読み取り可能なコンピュータ記憶媒体であって、
    前記接合方法は、
    被処理基板又は支持基板に接着剤を塗布する接着剤塗布工程と、
    その後、接着剤を介して、被処理基板と支持基板を押圧して接合する接合工程と、
    少なくとも前記接着剤塗布工程後且つ前記接合工程前、又は前記接合工程後に、前記接着剤塗布工程において塗布された接着剤のうちの余剰接着剤に接着剤の溶剤を供給すると共に、当該余剰接着剤に超音波を付与して、前記余剰接着剤を除去する接着剤除去工程と、を有する。
  8. 被処理基板と支持基板を接合する接合システムであって、
    被処理基板又は支持基板に接着剤を供給して塗布する接着剤供給部と、
    前記接着剤供給部によって塗布された接着剤を介して、被処理基板と支持基板を押圧して接合する接合装置と、
    少なくとも前記接着剤供給部において接着剤を塗布した後であって前記接合装置において被処理基板と支持基板を接合する前、又は前記接合装置において被処理基板と支持基板を接合した後に、前記接着剤供給部によって塗布された接着剤のうちの余剰接着剤を除去するように、前記余剰接着剤に接着剤の溶剤を供給する溶剤供給部と、
    前記余剰接着剤に超音波を付与する超音波供給部と、
    を有することを特徴とする、接合システム。
  9. 請求項8に記載の接合システムにおいて、
    前記溶剤供給部による接着剤の溶剤の供給と前記超音波供給部による超音波の付与は、前記接合装置において被処理基板と支持基板を接合した後に行われ、
    前記接合装置において被処理基板と支持基板の間の接着剤が、当該被処理基板と支持基板を接合してなる重合基板の外側面からはみ出た外側接着剤に対して、前記溶剤供給部から接着剤の溶剤を供給すると共に、当該外側接着剤に前記超音波供給部から超音波を付与し、前記外側接着剤が所定の大きさに形成されるように当該外側接着剤の表面を除去する接着剤除去装置を有する。
  10. 請求項9に記載の接合システムにおいて、
    前記接着剤除去装置において前記外側接着剤の表面を除去後、被処理基板は薄化され、
    前記接着剤除去装置において形成される前記外側接着剤の所定の大きさは、前記外側接着剤の端部の位置と薄化後の被処理基板の端部の位置が一致する大きさである。
  11. 請求項8に記載の接合システムにおいて、
    前記接着剤供給部において接着剤を塗布した後であって前記接合装置において被処理基板と支持基板を接合する前に、前記接着剤供給部によって接着剤が塗布された被処理基板又は支持基板の外周部上の接着剤を除去するように、前記外周部上の接着剤に接着剤の溶剤を供給する他の溶剤供給部と、
    前記外周部上の接着剤に超音波を付与する他の超音波供給部と、
    を有する。
  12. 請求項11に記載の接合システムにおいて、
    前記接着剤供給部、前記他の溶剤供給部及び前記他の超音波供給部を備えた塗布装置と、
    前記塗布装置において接着剤が塗布されて前記外周部上の接着剤が除去された被処理基板又は支持基板を、所定の温度に加熱する熱処理装置と、
    を有する。
  13. 請求項11に記載の接合システムにおいて、
    前記接着剤供給部を備えた塗布装置と、
    前記塗布装置において接着剤が塗布された被処理基板又は支持基板を、所定の温度に加熱する熱処理装置と、
    前記他の溶剤供給部と前記他の超音波供給部を備え、前記熱処理装置において所定の温度に加熱された被処理基板又は支持基板の前記外周部上の接着剤に対して、前記他の溶剤供給部から接着剤の溶剤を供給すると共に、当該外周部上の接着剤に前記他の超音波供給部から超音波を付与して、前記前記外周部上の接着剤を除去する他の接着剤除去装置と、
    を有する。
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