TW201804563A - 支撐體分離裝置及支撐體分離方法 - Google Patents

支撐體分離裝置及支撐體分離方法 Download PDF

Info

Publication number
TW201804563A
TW201804563A TW106120386A TW106120386A TW201804563A TW 201804563 A TW201804563 A TW 201804563A TW 106120386 A TW106120386 A TW 106120386A TW 106120386 A TW106120386 A TW 106120386A TW 201804563 A TW201804563 A TW 201804563A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
support
laminated body
light
holding
support body
Prior art date
Application number
TW106120386A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI703670B (zh
Inventor
石田信悟
Original Assignee
東京應化工業股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 東京應化工業股份有限公司 filed Critical 東京應化工業股份有限公司
Publication of TW201804563A publication Critical patent/TW201804563A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI703670B publication Critical patent/TWI703670B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67144—Apparatus for mounting on conductive members, e.g. leadframes or conductors on insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)

Abstract

縮短從積層體將支撐體進行分離所需的時間，減少裝置的佔有面積。
支撐體分離裝置(100)，係具備將積層體(5)中的支撐體(52)的相反側的面進行固定的載台(1)、隔著支撐體(51)對分離層(52)照射光的雷射照射部(7)、保持支撐體(51)的保持部(6)，其中，保持部(6)，係配置於載台(1)與雷射照射部(7)之間，具有雷射照射部(6)所照射的光通過的光通過部(63)。

Description

支撐體分離裝置及支撐體分離方法
本發明，係有關支撐體分離裝置及支撐體分離方法。
包含半導體元件(電子構件)的半導體封裝體(半導體裝置)方面，已知WLP(Wafer Level Package)、PLP(Panel Level Package)等。在WLP及PLP等的半導體封裝體方面，已知將位於裸晶的端部的端子再配置於晶片區內的扇入型WLP(Fan-in Wafer Level Package)等的扇入型技術、將端子再配置於晶片區外的扇出型WLP(Fan-out Wafer Level Package)等的扇出型技術。
尤其，扇出型技術，係實現半導體裝置的積體化、薄型化及小型化等，故吸引注目。扇出型技術，係應用於在面板上配置半導體元件而封裝化的扇出型PLP(Fan-out Panel Level Package)，謀求半導體裝置的生產性的提升。
例如，於專利文獻1，係記載有關一種支撐體分離裝置，為了對將基板、接著層、因吸收光而變質的分離層、支撐體依此順予進行層積而成的積層體照射光以將上述支撐體進行分離，而具備就上述積層體的其中一面進行保持的保持部、使上述保持部升降的升降部、供於將施於上述保持部之力保持為固定用的調整部。
此外，例如，於專利文獻2，已揭露可在已矯正基板的彎曲的狀態下吸附於吸附面的基板吸附裝置。此外，於專利文獻3，已記載使各吸附噴嘴位於與基板的彎曲量相稱之處而吸附基板的基板吸附方法。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2014-216632號公報(2014年11月17日公開)
[專利文獻2]日本專利特開平5-190414號公報(1993年7月30日公開)
[專利文獻3]日本專利特開2003-25174號公報(2003年1月29日公開)
記載於專利文獻1的支撐體分離裝置，係透過光照射部，而從固定於載置台的積層體中的支撐體側朝分 離層照射光後，使該光照射部從載置台上朝外移動，使保持部移動至載置台上後，透過該保持部將支撐體保持而抬起。為此，記載於專利文獻1的支撐體分離裝置，係需要使光照射部及保持部大幅移動，需要供於分離支撐體用的時間。此外，於支撐體分離裝置，變得需要確保供於配置從載置台上朝外移動的光照射部及保持部用的場所。為此，支撐體分離裝置的佔有面積變大。
此外，於專利文獻2及3，係未揭露任何供於縮短為了從積層體將支撐體進行分離所需的時間用、供於將裝置的佔有面積減小用的技術。
本發明，係鑑於前述的問題點而創作者，其目的在於提供一種支撐體分離裝置及其關聯技術，可縮短為了從積層體將支撐體進行分離所需的時間，可減小裝置的佔有面積。
為了解決上述之課題，本發明相關的支撐體分離裝置，係從將基板、由透射光的材料所成的支撐體隔著因吸收光而變質的分離層進行層積而成的積層體，將上述支撐體分離，具備將上述積層體中的上述支撐體的相反側的面進行固定的固定部、隔著上述支撐體對上述分離層照射光的光照射部、保持上述支撐體的保持部，其中，上述保持部，係配置於上述固定部與上述光照射部之間，具有上述光照射部所照射的光通過的光通過部。
此外，本發明相關的支撐體分離方法，係從將基板、由透射光的材料所成的支撐體隔著接著層、因吸收光而變質的分離層進行層積而成的積層體，將上述支撐體分離，包含隔著上述支撐體對上述分離層照射光的光照射程序，在上述光照射程序，係作成通過保持上述支撐體的保持部所具有的光通過部，而對上述分離層照射光。
依本發明時，可發揮如下功效：提供一種支撐體分離裝置及其關聯技術，可縮短為了從積層體將支撐體進行分離所需的時間，可減小裝置的佔有面積。
1‧‧‧台(固定部)
1a‧‧‧固定面
2‧‧‧吸附固定部
21‧‧‧O環體(吸附構材)
22‧‧‧吸引部
3‧‧‧夾具(按壓部)
31‧‧‧夾臂
32‧‧‧夾桿(按壓軸)
4‧‧‧載具(保持夾具)
41‧‧‧吸引口部
42‧‧‧凸部
43‧‧‧凹部
5‧‧‧面板型積層體(積層體)
51‧‧‧面板(支撐體)
52‧‧‧分離層
53‧‧‧接著層
54‧‧‧密封體基板(基板)
55‧‧‧元件
56‧‧‧再配線層
57‧‧‧密封材
58‧‧‧元件形成區域
6‧‧‧保持部
61‧‧‧框(框部)
61'‧‧‧框(別的框部)
62‧‧‧吸附墊(吸附部)
62'‧‧‧吸附墊(別的吸附部)
63m-1~63m-6‧‧‧光通過部
7‧‧‧雷射照射部(光照射部)
100‧‧‧支撐體分離裝置
[圖1]就本發明的一實施形態相關的支撐體分離裝置的概略的構成進行說明的側面圖。
[圖2]就在本發明的一實施形態相關的支撐體分離裝置所具備的保持台保持積層體的狀態進行說明的圖。
[圖3]就本發明的一實施形態相關的支撐體分離裝置所具備的保持夾具的概略的構成進行繪示的圖。
[圖4]就本發明的一實施形態相關的支撐體分離裝置的動作的概略進行說明的圖。
[圖5]示意性就透過扇出型PLP技術而製造的面板型的積層體的構成的一例進行繪示的圖。
以下，就本發明的實施形態，詳細進行說明。其中，本發明非限定於此者，可在所記述的範圍內以施加各種的變形下的態樣進行實施。另外，本說明書中只要未特別記載，表示數值範圍的「A~B」，係表示「A以上、B以下」。
〔1.支撐體分離裝置〕
本發明相關的支撐體分離裝置，係從將基板與透射光的支撐體隔著因吸收光而變質的分離層進行層積而成的積層體，將該支撐體分離，並構成為具備供於保持上述積層體用的保持台。
利用圖1~4，而詳細說明有關本發明的一實施形態相關的支撐體分離裝置100。
圖1，係就本發明的一實施形態相關的支撐體分離裝置100的示意性構成進行說明的側面圖。圖1的(a)，係就支撐體分離裝置100之側視下的概略進行說明的圖。圖1的(b)，係就支撐體分離裝置100具備的保持部6的概略進行說明的圖。另外，在圖1的(a)，係省略設於保持部6的吸附墊(吸附部)62及吸附墊62'的一部分。
圖2，係就在支撐體分離裝置100所具備的載台1保持積層體5的狀態進行說明的圖，圖2的(a)係透視圖，圖2的(b)係側面圖，圖2的(c)係(b)的一部分的放大 圖。另外，說明方便起見，在圖2，係就載台1以外的支撐體分離裝置100的構成省略其圖示。
圖3，係就支撐體分離裝置100所具備的載具(保持夾具)4的示意性構成進行繪示的圖，圖3的(a)係俯視圖，圖3的(b)係圖3的(a)中的A-A’箭頭剖面圖。
圖4的(a)~(e)，係就支撐體分離裝置100的動作的概略進行說明的圖。另外，在圖1的(a)及圖4，係省略設於保持部6的吸附墊62及吸附墊62'的一部分。
如示於圖1的(a)及(b)，具備就積層體5中的支撐體51的相反側的面進行固定的載台(固定部)1、透過支撐體51對分離層52照射光的雷射照射部(光照射部)7、將支撐體51進行保持的保持部6，保持部6係配置於載台1與雷射照射部7之間，具有雷射照射部7所照射的光所通過的光通過部63m-1~63m-6。
於以下，就支撐體分離裝置100所具備的保持部6、載台1、及雷射照射部7，更詳細進行說明。
(1.保持部6)
如示於圖1之(a)，保持部6係配置於載台1與雷射照射部7之間。保持部6，係透過升降部8，於圖1的(a)中的相對於積層體的垂直的方向的Z方向，上下移動，將積層體5中的支撐體51保持而抬起。
如示於圖1之(b)，保持部6，係具備框(框部)61、別的框61'。框61，係作成沿著俯視下的形狀為長 方形的支撐體51的周緣部分而配置的長方形的框。別的框61'之中2個係設為將框61的彼此相向的2個長邊之間交聯。別的框61'之中一個係設為將框61的彼此相向的2個短邊之間交聯。框61及61'，係由例如鋁及不銹鋼等的金屬、或樹脂等而形成為優選。藉此，可形成輕量且具備強度的保持部。
此外，保持部6，係在框61的4個角部的各者，設置吸附墊62。此外，在框61中昀相當於各吸附墊62之間的位置、及3個框61'交叉的位置，設置別的吸附墊62'。如此，透過配置吸附墊62及62'，使得可吸附保持以長方形的支撐體51中的角部的周緣部分為始的周緣部分、及比周緣部分內側的面。因此，保持部6將支撐體51保持而抬起時，可一面防止力過度集中於支撐體51的角部，一面適當地施力於支撐體51。另外，吸附墊62及62'，係例如波紋管墊等的吸附手段，連通於減壓泵浦等的減壓手段(未圖示)。
保持部6，係由框61及61'而構成骨格，在框61及61'上，設置吸附墊62及62'，使得可將由框61及61'包圍的開口部用作為光通過部63m-1~63m-6。為此，可將框61的內側大致整面地用作為光通過部。
光通過部，係供於使從雷射照射部7所照射的光通過用的開口部。於圖1的(b)，係雖圖示6個光通過部63m-1~63m-6，惟從雷射照射部7所照射的光，係通過此等光通過部63m-1~63m-6之中至少1者即可。因此，在支 撐體分離裝置100，係保持部6雖具有複數個光通過部，惟在別的實施形態相關的支撐體分離裝置，係保持部具有至少1個光通過部即可。
此外，光通過部，係例如可由玻璃等的透光性的材料閉塞。亦即，光通過部，係可使保持部6通過或透射即可。
支撐體分離裝置100，係可從保持部6的光通過部朝積層體5照射光，故無須使保持部6從載台1之上朝外而沿著是積層體的平面方向的X-Y平面方向而移動。為此，保持部6，係可透過升降部8而上下移動即可，可使動作精簡化。
(2.載台1)
如示於圖2的(a)~(c)，載台(固定部)1，係用於保持積層體5，具有：具備供於吸附積層體5用的吸附固定部2的固定面1a、作為供朝固定面1a按壓積層體5用的按壓部的一對夾具3。此外，載台1，係雖未圖示，惟具備驅動部，可沿著X-Y平面而平行移動。
如示於圖2之(b)，載台1係進一步具有供於保持積層體5用的載具(保持夾具)4，積層體5係隔著載具4而保持於載台1。
於以下，詳細說明有關載台1的各構成。
(固定面1a)
在載台1的固定面1a，係設置供於吸附積層體5用的吸附固定部2。吸附固定部2，係設為有助於在固定面1a上的積層體5的吸附的區域。上述「有助於吸附的區域」，係具體而言，指使積層體5相對於固定面1a而吸附之力所及的固定面1a上的區域。例如，將積層體5與固定面1a之間的氣體(空氣)朝固定面1a吸引，使得可予以產生使積層體5相對於固定面1a吸附之力，此情況下係在積層體5與固定面1a之間成為負壓的區域成為上述「有助於吸附的區域」，相當於吸附固定部2。
於本發明的一實施形態，吸附固定部2，係如示於圖2的(b)及(c)，具有開口部(未圖示)、作為吸附構材的O環體21，O環體21係作成包圍上述開口部而設。上述開口部，係形成為貫通載台1，連接於設在載台1的與固定面1a係相反側的面的吸引部22。O環體21，係以其一部分埋入(嵌入)於形成在固定面1a的溝的狀態而設，氣體從開口部排出，使得O環體21密接於積層體5。
從開口部所吸引的氣體，係經由吸引部22而被排出。因此，吸附固定部2，係在保持積層體5時從開口部排出氣體而將積層體5對於固定面1a減壓吸附，在解除積層體5的保持時停止從開口部的氣體的排出。另外，於本實施形態，係雖示出具備一個開口部的構成，惟亦可作成具備複數個開口部的構成。具備複數個開口部的情況下，可構成為以個別的吸附構材包圍個別的開口部，亦可構成為以單一的吸附構材包圍全部的開口部。
於本發明的其他實施形態方面，吸附構材21亦可採用O環體以外的自封墊料。例如，可列舉O環體以外的擠壓墊料、或唇形墊料。O環體以外的擠壓墊料方面，可使用X環體、D環體、T環體等。唇形墊料方面，可使用U墊料、V墊料、L墊料、J墊料等。
吸附固定部2，係構成為有助於在固定面1a上的積層體5的吸附即可，故亦可為不設置吸附構材21，而僅設置開口部的構成。其中，在吸附固定部2，作成包圍開口部而設置吸附構材21，使得可提高積層體5與固定面1a的密閉性，故優選上在吸附固定部2設置吸附構材21。
此外，在吸附固定部2設置吸附構材21的情況下，係優選上在與載置於載台1的積層體5的外周部分對應的位置設置吸附構材21。
於本發明的其他實施形態，亦可代替使吸附固定部2的開口部為貫通孔，由多孔(多孔質的)材質而形成。此情況下，係透過由多孔的材質而形成的開口部而吸引積層體5與固定面1a之間的氣體(空氣)，使得可使積層體5吸附於固定面1a。多孔的材質方面，可列舉如聚丙烯、碳、鋁、陶瓷等。
吸附固定部2，係具有積層體5的基板不損傷之程度的力，且可對於固定面1a將積層體5予以吸附保持之吸附力即可。「可相對於固定面1a將積層體5予以吸附保持的吸附力」，係例如設為將積層體5使支撐體側的面為上而予以吸附保持於固定面1a的狀態下，為了從積層體 5使支撐體分離而對積層體5施力時，積層體5與固定面1a的吸附不會被解除之程度的吸附力。例如，如此的吸附力方面，係50kPa以上、100kPa以下為優選。固定面1a中吸附固定部2所佔的面積、開口部的開口的面積(具備複數個開口部的情況下合計的面積)、吸引裝置的能力等，係可考量積層體5的大小、施加於積層體5的基板的吸附力，而酌情設定。
載台1的固定面1a係平坦為優選。載台1的材質係不特別限定，可採不會受到從雷射照射部7照射的雷射光所致的損傷的材質。例如，可利用鋁、陶瓷等而構成載台1。採該構成，使得載台1不會受到照射雷射光所致的損傷。此外，亦能以不會對於積層體5的元件形成區域58造成損傷，且不會污染元件形成區域58的物質為覆蓋材，而覆蓋載台1的固定面1a。例如，亦可將在載台1的固定面1a，透過導電性矽膠、GORE-TEX(註冊商標)等而覆蓋。採該構成，使得不會有對於積層體5的元件形成區域58造成損傷、污染元件形成區域58之虞。
(夾具3)
支撐體分離裝置100，係作為按壓部，在載台1的固定面1a具備一對夾具3。如示於圖2之(c)，夾具3，係具有：夾臂31；設於夾臂31的端部，相對於載台1而平行延伸的夾桿(按壓軸)32。夾具3，係設為可轉動成相對於載台1而接近或分離。
夾具3，係使夾臂31朝固定面1a轉動，透過夾桿32按壓積層體5之上表面，從而朝固定面1a按壓積層體5。藉此，可使固定面1a的吸附固定部2與載具4的下表面的接觸性、及載具4之上表面與積層體5的接觸性提升。此外，積層體5發生彎曲的情況下，係可透過朝固定面1a按壓積層體5，而校正積層體5的彎曲，故可使積層體5與載具4的接觸性提升。
將夾臂31予以旋轉驅動的機構方面，可採用周知的旋轉致動器等。夾桿32的材質係不特別限定，可採不損傷積層體5的支撐體51的平面部，且不污染該平面部的材質。例如，可利用橡膠、丙烯酸系樹脂、導電性矽等的樹脂、不銹鋼、鋁等的金屬而構成夾桿32。採該構成，使得無損傷積層體5的支撐體51的平面部且污染該平面部之虞。
夾具3按壓的積層體5上的區域係不特別限定，將可使積層體5充分接觸於載具4的積層體5上的區域，透過夾具3而按壓即可。因此，夾具3，係可構成為按壓積層體5之上表面的整體，或只要可使積層體5充分接觸於載具4，則亦可構成為按壓積層體5之上表面的一部分的區域。
於此，「使積層體5充分接觸於載具4」，係設為使積層體5與載具4接觸成可將積層體5吸附保持於載具4之程度的狀態。此外，「可將積層體5吸附保持於載具4」，係例如設為將積層體5使支撐體側的面為上而予以吸 附保持於載具4的狀態下，為了從積層體5使支撐體分離而對積層體5施力時，積層體5與載具4的吸附不會被解除的狀態。因此，在可將積層體5吸附保持於載具4的限度內，載具4之上表面的一部分未接觸於積層體5的情況，亦屬於上述「使積層體5充分接觸於載具4的」狀態。另外，有關夾具3所按壓的積層體5上的區域，雖以將積層體5隔著載具4而載置於固定面1a的實施形態進行說明，惟於本發明的其他實施形態，亦可將積層體5直接載置於固定面1a。此情況下，係有關夾具3所按壓的積層體5上的區域的上述說明中，將「載具4」換成「吸附固定部2」而適用說明，詳細說明係省略。
如示於圖2之(a)，優選上以按壓積層體5之上表面的外周部分的方式而構成夾具3。在積層體5的基板的外周部分未形成元件，故以按壓積層體5的外周部分的方式構成按壓部3，使得可在不損傷基板下按壓積層體5。
此外，如示於圖2之(c)，於吸附固定部2，在與載置於載台1的積層體5外周部分對應的位置設置吸附構材21的情況下，透過夾具3而按壓積層體5之上表面的外周部分，使得能以夾具3與吸附構材21而夾住載具4及積層體5。藉此，可使吸附構材21與載具4的下表面的接觸性、及載具4之上表面與積層體5的接觸性提升。
按壓積層體5的外周部分的情況下，係在可將積層體5吸附保持於載具4的限度內，可按壓積層體5的外周部分的一部分，亦可按壓積層體5的外周部分的整體。 按壓積層體5的外周部分的一部分的情況下，優選上按壓積層體5的外周部分的至少二處。此外，此情況下，較優選上使與積層體5的外周部分的其中一個按壓位置(第1按壓位置)最遠離的位置為另一個按壓位置(第2按壓位置)。藉此，可更平衡佳地按壓積層體5。
按壓部3的對於積層體5的接觸面的面積雖不特別限定，惟按壓積層體5的外周部分的情況下，如示於圖2的(a)般積層體5為矩形時，優選上以按壓積層體5的外周部分的一邊整體的方式，而構成按壓部3的對於積層體5的接觸面。
(載具4)
如示於圖3之(a)，載具(保持夾具)4，係具備作為供於吸引積層體用的貫通孔的吸引口部41。另外，於圖3的(a)，係載具4具有的複數個吸引口部41之中，僅對一個吸引口部41附加符號，就其他吸引口部41係省略符號。
載具4，係優選上在與積層體的基板上的未形成元件的區域對應的位置，具有複數個吸引口部41。藉此，可將積層體的基板上的未形成元件的區域進行吸附而保持積層體，故不會產生損傷元件的在元件殘留吸附痕等的瑕疵。
載具4的大小及形狀，係在可保持積層體的限度內，可依作為保持對象的積層體的大小及形狀而酌情設定。可使載具4的大小及形狀，與作為保持對象的積層體 的大小及形狀一致，亦可使載具4的大小比積層體大。載具4，係在搬運將支撐體分離後的基板的情況下等，具有為了防止基板的各構成要素的破損或變形所需的強度即可。因此，載具4的厚度，係下限值為2mm以上為優選，較優選上10mm以上。此外，載具4的厚度，係上限值為6mm以下為優選。
載具4，係能以鋁、不銹鋼等而形成。載具4以鋁而形成的情況下，優選上至少載具4的載置積層體之側的面(亦即，光照射程序中光被照射之面)被陽極氧化處理。
於一實施形態，可使透過扇出型PLP技術而製造的面板型的積層體用的保持夾具，為與作為保持對象的積層體相同的大小及形狀。例如，可使透過扇出型PLP技術而製造的面板型的積層體用的保持夾具，為長邊方向515mm、短邊方向510mm、厚度4mm的矩形的被陽極氧化處理的鋁製的板狀體。
此外，就吸引口部41的大小及形狀雖不特別限定，惟優選上具有相同的大小及形狀的複數個吸引口部41被等間隔地設置。藉此，能以均等的力而平衡佳地吸引積層體。
於此，作為積層體的一例，就透過扇出型PLP技術而製造的面板型的積層體的構成的一例，參照圖5進行說明。圖5係示意性就透過扇出型PLP技術而製造的面板型的積層體的構成的一例進行繪示的圖，圖5的(a)係就透 過扇出型PLP技術而製造的面板型的積層體，從密封體基板側的面所見時的俯視圖，圖5的(b)係以(a)的虛線包圍的區域A之側面圖。
如示於圖5之(b)，於一實施形態，透過扇出型PLP技術而製造的面板型的積層體5(以下，稱為「面板型積層體5」)，係在作為支撐體的面板51上，因吸收光而變質的分離層52、接著層53、密封體基板54被依此順序而形成。密封體基板54，係具備元件55、將元件55密封的密封材57、形成於元件55上的再配線層56。密封體基板54係具備複數個元件55，切割如此的密封體基板54，使得可獲得複數個電子構件。另外，有關面板型積層體5具備的各構材的構成，係在後述的「4.積層體5」的項中詳細進行說明。
將示於圖5的(a)的面板型積層體5的密封體基板54上的形成元件55及再配線層56的區域，稱為「積層體的基板上的形成元件的區域58」(以下，稱為「元件形成區域58」)，將此以外的區域稱為「積層體的基板上的未形成元件的區域」(以下，稱為「元件非形成區域57」)。另外，在圖5的(a)，係填色部分表示元件非形成區域57，填色部分的內側係全部表示元件形成區域58，填色部分的外側係表示面板51。
如示於圖5之(a)，於面板型積層體5，係元件非形成區域57被格子狀地形成。因此，面板型積層體5用的載具4方面，係如示於圖3之(a)，優選上將吸引口部41格 子狀地配置。此外，載具4，係優選上在與元件形成區域58(圖5的(a))對應的位置，具有凹部43。另外，於圖3的(a)，係載具4具有的複數個凹部43之中，僅對一個凹部43附加符號，有關其他凹部43係省略符號。
如示於圖3的(a)及(b)，載具4具有凹部43的情況下，與元件非形成區域57(圖5的(a))對應的位置係成為凸部42。另外，在圖3的(a)，係填滿部分表示凸部42。並且，如示於圖3之(b)，吸引口部41係設於凸部42。採該構成，使得僅載具4的凸部42、與面板型積層體的元件非形成區域57(圖5的(a))接觸。亦即，元件形成區域58(圖5的(a))與載具4不接觸。為此，可在不損傷面板型積層體的元件下，將面板型積層體吸附保持。
凹部43的深度雖不特別限定，惟於一實施形態，例如凸部42的厚度為4mm的情況下，可使凹部43的厚度為3.5mm(亦即，可使凹部43的深度為0.5mm)。
載具4的凸部42，係雖能以與載具4的主體相同的材料而形成，惟載具4以鋁而形成的情況下，凸部42係優選上被陽極氧化處理。此外，載具4的凹部43，係優選上以全氟聚乙烯(PTFE)等的氟系樹脂等的樹脂、或GORE-TEX(註冊商標)等的複合樹脂材料而覆蓋。
於一實施形態，載具4係優選上在外周部具有導管(排氣部，未圖示)。藉此，可將屬將支撐體分離後產生的分離層等的殘渣的粉塵，從導管朝支撐體分離裝置之外排出。
(2.雷射照射部7)
支撐體分離裝置100，係具備作為光照射部的雷射照射部7。雷射照射部7，係作成通過設於保持部6的光通過部的方式，經由支撐體51對分離層52照射光，使分離層52變質。在示於圖1的(b)的狀態下，雷射照射部7雖配置為作成通過光通過部63m-2而朝積層體5照射光，惟雷射照射部7能以配置於光通過部63m-1~63m-6之上的方式而具備驅動部(未圖示)，以沿著X-Y平面而平行移動。
雷射照射部7照射於分離層52的光方面，係依分離層52可吸收的波長，而酌情選擇例如YAG雷射、紅寶石雷射、玻璃雷射、YVO4雷射、LD雷射及光纖雷射等的固態雷射、色素雷射等的液態雷射、CO2雷射、準分子雷射、Ar雷射及He-Ne雷射等的氣態雷射、以及半導體雷射及自由電子雷射等的雷射光即可。此外，只要可使分離層52變質，則亦可照射非雷射光。對分離層52照射的光方面，可為例如600nm以下的波長的光，但不限定於此。雷射輸出、脈衝頻率，係依分離層的種類、厚度及基板的種類等的條件而酌情調整即可。
(4.積層體5)
作為透過支撐體分離裝置100將支撐體51分離的對象的積層體5的一例方面，就屬PLP技術的一例的透過扇出型PLP技術而製造的面板型的積層體的構成的一例，參照圖5 進行說明。如示於圖5之(b)，透過扇出型PLP技術而製造的面板型的積層體5(以下，稱為「面板型積層體5」)，係在作為支撐體的面板51上，因吸收光而變質的分離層52、接著層53、密封體基板54被依此順序而形成。
(面板51)
作為支撐體的面板51，係將密封體基板54形成於面板51上的情況下，在搬運密封體基板54時等，具有為了防止密封體基板54的各構成要素的破損或變形所需的強度即可。此外，面板51，係由使可使形成於面板51上的分離層52變質的波長的光透射的材料而形成即可。
作為面板51的材料，雖可採用例如玻璃、矽、丙烯酸系樹脂等，惟未限定於此等。面板51的俯視下的形狀方面，係可採用多角形者，優選上採用矩形的板狀者。於一實施形態，面板51係長邊方向515mm、短邊方向510mm、厚度1.3mm的矩形的玻璃製面板。
(分離層52)
分離層52，係因吸收隔著面板51而照射的光而變質之層。分離層52，係優選上由具有吸收光的構造的材料而形成，惟在不損及分離層的本質的特性的範圍內，亦可添加不具有吸收光的構造的材料而形成分離層52。
於一實施形態，分離層52係亦可由氟碳化物而成。分離層52，係由氟碳化物而構成，使得因吸收光而 變質，作為此結果，喪失接收光的照射前的強度或接著性。因此，可施加些微的外力(例如，抬起面板51等)，使得分離層52被破壞，而易於將面板51與密封體基板54分離。構成分離層52的氟碳化物，係可透過電漿CVD(化學氣相堆積)法而適當地進行成膜。
此外，於其他實施形態，例如分離層52，係可利用於其反復單位含有具有光吸收性的構造的聚合體、無機物、具有紅外線吸收性的構造的化合物、及反應性聚倍半矽氧烷等而形成。另外，在分離層52的光的吸收率係80%以上為優選。
分離層52的厚度，係下限值為0.05μm以上為優選，較優選上為0.3μm以上。此外，分離層52的厚度，係上限值為50μm以下為優選，較優選上為1μm以下。只要分離層52的厚度落入0.05μm~50μm的範圍，即可透過短時間的光的照射及低能的光的照射，從而予以發生分離層52所期望的變質。此外，分離層52的厚度，係從生產性的觀點而言特優選上落入1μm以下的範圍。
於本說明書，分離層「變質」，係表示分離層可能受到些微的外力而被破壞的狀態、或予以變成與和分離層相接之層的接著力降低的狀態的現象。因吸收光而發生的分離層的變質的結果方面，分離層52係喪失接收光的照射前的強度或接著性。亦即，吸收光使得分離層脆化。分離層的變質，係可能為發生分離層所吸收的光的能量所致的分解、立體配置的變化或官能基的解離等。分離 層的變質，係發生為吸收光的結果。
因此，例如可予以變質為僅將支撐體抬起即使得分離層被破壞，而容易地將支撐體與密封體基板54分離。更具體而言，例如可透過支撐體分離裝置等而將積層體中的基板及支撐體中的其中一者固定於載置台，透過具備吸附手段的吸附墊(保持部)等將另一者保持而抬起，從而將支撐體與基板分離；或可將支撐體的周緣部分端部的倒角部位，透過具備夾具(爪部)等的分離板進行把持從而施力，將基板與支撐體分離。此外，例如亦可透過具備供應供於剝離接著劑用的剝離液的剝離手段的支撐體分離裝置，從而從積層體中的基板將支撐體剝離。透過該剝離手段而對積層體中的接著層的周端部的至少一部分供應剝離液，使積層體中的接著層熔化，使得力從該接著層熔化之處集中至分離層，使得可對基板與支撐體施力。為此，可適當地將基板與支撐體分離。
另外，施加於積層體之力，係可依積層體的大小等而適當調整即可，雖不限定，惟例如面積為40000~70000mm2程度的積層體時，施加0.98~49N(0.1~5kgf)程度的力，使得可適當地將基板與支撐板分離。
(接著層53)
接著層53，係用於將密封體基板54固定於面板51上。接著層53，係例如可透過旋轉塗佈法、浸漬、輥式刮塗、噴塗、狹縫式塗佈等的方法，而在分離層52上塗佈接著劑 從而形成。
接著層53的厚度，係可依面板51及密封體基板54的種類等而酌情設定。例如，分離層52的厚度，係下限值為10μm以上為優選，較優選上為15μm以上。此外，分離層52的厚度，係上限值為150μm以下為優選，較優選上為100μm以下。
此外，接著劑含有的樹脂，亦即接著層53含有的樹脂方面，為具備接著性者即可。例如，較優選上可將烴樹脂、丙烯酸-苯乙烯系樹脂、馬來亞醯胺系樹脂、彈性體樹脂、聚碸系樹脂等、或將此等組合者等用作為接著層53含有的樹脂。此外，接著劑，係優選上含有供於調整塗佈作業性用的稀釋溶劑。於此，稀釋溶劑，係考量與接著層含有的樹脂的相溶性下適當選擇即可。
構成接著層53的接著劑，係在不損及本質的特性的範圍內，亦可進一步包含具有混和性的其他物質。例如，可進一步使用供於改良接著劑的性能用的附加性樹脂、可塑劑、助黏劑、穩定劑、著色劑、熱聚合抑制劑及界面活性劑等慣用的各種添加劑。
(密封體基板54)
密封體基板(基板)54，係具備元件55、將元件55密封的密封材57、形成於元件55上的再配線層56。密封體基板54係具備複數個元件55，切割如此的密封體基板54，使得可獲得複數個電子構件。
元件55，係半導體元件或其他元件，可具有單層或複數層的構造。另外，元件55為半導體元件的情況下，透過切割密封體基板54而獲得的電子構件，係成為半導體裝置。
再配線層56，係亦稱為RDL(Redistribution Layer)，為構成連接於元件55的配線的薄膜的配線體，可具有單層或複數層的構造。於一實施形態，再配線層56，係可為於介電體(例如，氧化矽(SiOx)、感光性環氧等的感光性樹脂等)透過導電體(例如，鋁、銅、鈦、鎳、金等的金屬等)而形成配線者，惟未限定於此。
密封材57方面，可使用例如環氧系的樹脂、矽系的樹脂等。於一實施形態，密封材57非按元件55而設者，而為將安裝於接著層53的複數個元件55的全部一體地密封者。
另外，在示於圖5的(b)的密封體基板54，再配線層56雖設於密封體基板54與接著層53相接之側的相反的面，惟於其他實施形態，再配線層56亦可設於密封體基板54與接著層53相接之側的面。
<其他積層體>
作為透過支撐體分離裝置100將支撐體分離的對象的積層體，係將基板與透射光的支撐體隔著因吸收光而變質的分離層進行層積而成的積層體即可。因此，不僅如示於圖5的積層體般在分離層52與基板54之間具有接著層53的 積層體，在分離層與基板之間不具有接著層的積層體亦落入如此的積層體的範疇。例如，在不具有接著層的積層體方面，可列舉隔著具有接著性的分離層而將基板與支撐體黏貼而成的積層體。於此，在具有接著性的分離層方面，可列舉如利用屬固化型樹脂或熱塑性樹脂且具備光吸收性的樹脂而形成的分離層、及於具有接著性的樹脂混合吸收光的材料而成的分離層等。利用屬固化型樹脂或熱塑性樹脂且具備光吸收性的樹脂而形成的分離層方面，可列舉如利用聚醯亞胺樹脂而形成的分離層。此外，於具有接著性的樹脂混合吸收光的材料而成的分離層方面，可列舉如於丙烯酸系紫外線固化型樹脂混合炭黑等而成的分離層、及於黏著性樹脂混合玻璃泡的紅外線吸收材料等而成的分離層等。另外，此等分離層亦不論接著性的有無，而屬吸收光而變質的分離層的範疇。
此外，在圖5，係雖將僅在一側的面具有支撐體的積層體作為積層體的一例而進行說明，惟在基板的兩面具有支撐體的積層體亦可應用於支撐體分離裝置100。
此外，設於面板型積層體5的基板54，係不限定於密封體基板，而可為矽晶圓基板、陶瓷基板、薄膜基板、撓性基板等的任意的基板。
〔2.支撐體分離裝置的動作〕
就本發明的一實施形態相關的支撐體分離裝置100的動作，參照圖4進行說明。
(1.面板型積層體5的載置)
首先，打開夾具3的夾臂31，而使夾桿32移動至不與面板型積層體5重疊的位置(位置A)。於此，上述「不與面板型積層體5重疊的位置」，係指從面板型積層體5之上表面側視看時，面板型積層體5與夾桿32重疊而看不見的位置(例如，示於圖4的(a)的位置)。並且，將面板型積層體5，使面板(支撐體)51側的面為上，隔著載具4而載置於載台1(圖4的(a))。
將面板型積層體5隔著載具4載置於載台1的順序方面，(i)可將面板型積層體5載置於載具4後，將載具4載置於載台1；或者(ii)亦可將載具4載置於保持台1，在其上載置面板型積層體5。
將面板型積層體5隔著載具4而載置於載台1的順序為(i)及(ii)中的任一順序的情況下，皆優選上以在載具4設置凸部42及吸引口部41的區域(圖3的(a))、和面板型積層體5的元件非形成區域57(圖5的(a))抵接，且在載具4設置凹部43的區域(圖3的(a))、和面板型積層體5的元件形成區域58(圖5的(a))抵接的方式，將載具4與面板型積層體5位置對準後，將面板型積層體5載置於載具4。藉此，會吸附面板型積層體5的元件非形成區域57(圖5的(a))，故不會由於吸附而產生損傷元件的在元件殘留吸附痕等的瑕疵。此外，面板型積層體5的元件形成區域58(圖5的(a))與載具4不接觸，故可在不損傷元件下，將面板型積層體5吸 附保持。
並且，將載具4以包圍吸附固定部2的方式載置於載台1。於此，「以包圍吸附固定部2的方式」，係指將載具4載置於載台1的狀態下，從載具4之上表面側視看時，不會看見吸附固定部2的狀態。
(2.面板型積層體5的按壓)
接著，關閉夾臂31，而使夾桿32移動至與面板型積層體5之上表面(亦即，面板型積層體5的支撐體側的面)相接的位置(位置B)，而將面板型積層體5的面板側的面朝載台1按壓(圖4的(b))。
(3.面板型積層體5的吸附)
一面維持夾桿32按壓面板型積層體5的狀態，一面從與設於保持面1a的開口部(未圖示的)連接的吸引部22排出氣體，從而將面板型積層體5經由載具4的開口部(未圖示)進行吸引。藉此，面板型積層體5被吸附保持於載台1(圖4的(b))。另外，面板型積層體5被吸附保持於載台1的狀態，係維持直到面51從面板型積層體5分離。
如此，在支撐體分離裝置100，係將面板型積層體5朝載台1按壓，使得可校正彎曲而使帶有彎曲的面板型積層體5成為平坦。藉此，可適當地吸附保持帶有彎曲的面板型積層體5。另外，開始透過吸引部22進行的吸引直到透過夾桿32進行的面板型積層體5的按壓結束為止， 且按壓結束後亦繼續透過吸引部22進行的吸引即可，面板型積層體5的吸引與按壓係何者先開始皆可。例如，可先開始透過吸引部22進行的吸引，而開始透過夾桿32進行的按壓，亦可同時開始按壓與吸引。
(4.對於分離層52的光照射：光照射程序)
接著，打開夾具3的夾臂31，而解除透過夾桿32進行的面板型積層體5的按壓狀態。再者，使夾桿32移動至不與面板型積層體5重疊的位置(位置A)。並且，從雷射照射部7照射依面板型積層體5的分離層的種類而選擇的雷射光L。另外，在示於圖4的(c)的狀態下，係以通過示於圖1的(b)的光通過部63m-2的方式，而配置雷射照射部7與保持部6。在光照射程序，係作成通過保持部6的光通過部63m-2，而一面照射雷射光，一面使載台1於X-Y平面上平行移動。對此，經由面板51而對面板型積層體5中的分離層52的整面照射雷射光。藉此，可使分離層52變質，而容易使面板51與密封體基板54成為可分離的狀態。雷射光的照射條件(雷射輸出、雷射光的反復頻率、雷射光的掃描速度等)，係可依分離層52的種類、分離層52的厚度、及密封體基板54的種類等的條件而適當調整。
在帶有彎曲的積層體，係由於彎曲使得分離層52的位置會上下動，故使雷射光的焦點位置對於分離層52上並非容易。相對於此，在支撐體分離裝置100，係能以帶有彎曲的面板型積層體5成為平坦的方式，校正彎曲 而吸附保持，故無積層體的分離層52的位置與雷射光的焦點的位置大幅偏差之虞。為此，可對分離層52效率佳地照射雷射光。
另外，於其他實施形態，在透過支撐體分離裝置100進行的光照射程序，係亦可使雷射照射部7在X-Y平面上平行移動，從示於圖1之(b)的光通過部63m-1~63m-6的各者，經由面板型積層體5的面板51而朝分離層52照射光L。
此外，在另一個其他實施形態，係例如使雷射照射部7移動，從光通過部63m-1、63m-2及63m-3的各者，朝面板型積層體5的分離層52照射光L，接著使載台1於Y方向上平行移動。藉此，在光通過部63m-1、63m-2、及63m-3之下，配置面板型積層體5中的未照射光L的部分。之後，雷射照射部7在X-Y平面上平行移動，從光通過部63m-1、63m-2、及63m-3的各者，朝分離層52未變質的部分照射光L。
亦即，支撐體分離裝置100，係只要載台1與雷射照射部7中的任一者移動，即可對分離層52的整面照射光L。此外，於任一個實施形態，支撐體分離裝置100，皆無須使保持部6在X-Y方向上移動。因此，可縮小為了設置支撐體分離裝置所需的佔有面積。
(5.面板51的分離：分離程序)
接著，使夾桿32移動至不與面板型積層體5重疊的位 置(位置A)的狀態下，使保持部6下降至吸附墊62及62'與面板型積層體5之上表面抵接的位置，而吸附保持面板51。並且，使支撐體保持部6上升於鉛直方向(示於圖4的(d)的箭頭的方向)，從而將面板51抬起於鉛直方向。藉此，面板51從面板型積層體5分離(圖4的(d))。支撐體分離裝置100，係透過吸附墊62而吸附保持面板51的角部的周緣部分，故可防止力集中於面板51的角部的周緣部分。因此，即使面板51為薄型的玻璃板，仍可防止該面板51破損，順利從面板型積層體5分離。
另外，施加於積層體之力，係可依積層體的大小等而適當調整即可，雖不限定，惟分離層因照射光而變質，故施加0.98~147N(0.1~15kgf)程度的力，使得可適當地將密封體基板與面板分離。
另外，於別的實施形態，支撐體與基板的分離，係使保持部6及載台1相對於保持部6與載台1分離的方向而移動從而進行即可。因此，於其他實施形態相關的支撐體分離裝置，亦可使保持部6及載台1雙方相對移動，從而使支撐體與基板分離。或者，亦可將保持部6固定，僅使載台1相對於保持部6而移動，從而使支撐體與基板分離。
接著，將夾具3的夾臂31關閉，而使夾桿32移動至不與面板型積層體5接觸但重疊的位置(位置C)。於此，上述「不與面板型積層體5接觸但重疊的位置」，係指面板型積層體5與夾桿32未接觸，惟從面板型積層體5之 上表面側視看時，面板型積層體5與夾桿32重疊的位置(例如，示於圖4的(d)的位置)。
並且，使吸附保持面板51的狀態下的支撐體保持部6，下降於鉛直方向(示於圖4的(e)的箭頭的方向)，而將面板51載置於夾桿32上。之後，解除保持部6的吸附狀態(圖4的(e))。
最後，停止從設於保持面1a的開口部(未圖示)的氣體的排氣，從而解除面板51被分離旳密封體基板54的保持狀態。
面板51被分離的密封體基板54，係在載置於載具4的狀態下被從支撐體分離裝置搬出。並且，之後，接受透過在洗淨裝置(未圖示)中的接著層53及分離層52的殘渣的洗淨進行的除去。藉此，除去殘留於面板51被分離的密封體基板54的接著層53與分離層52。例如，進行透過包含有機溶劑的洗淨液等而將接著層53及分離層52的殘渣除去的洗淨程序。洗淨液方面，雖可使用如接著劑的稀釋溶劑、顯示鹼性的溶劑(尤其，胺系化合物)等，惟未限定於此。藉此，可獲得經分離的密封體基板54。
被分離的密封體基板54，係在載置於載具4的狀態下接受在切割裝置中的切割(切割程序)，而被分割為各晶片。可在切割程序前，於密封體基板54形成焊球，此外亦可於密封體基板54上，層積另一個別的元件。
面板51被分離的密封體基板54，係可在載置於載具4的狀態下，接受裝置至裝置的搬運、及洗淨、切 割等的處理。藉此，可在分離程序後的處理基板的程序(洗淨程序、切割程序等)中，就非常薄的密封體基板54(例如，厚度0.5μm以下)，在未損傷下進行搬運及處理。
在先前技術方面，為了切割將支撐體分離後的基板，而使用切割帶。切割帶，係隔著黏著層而貼合於積層體中的基板側的平面部，故切割帶與基板的配線面接觸，使得具有損傷配線面或塵土附著於配線面之虞。此外，具有如下問題：在將切割帶剝離後黏著層殘留於配線面，使得電氣特性改變。相對於此，在本發明的一實施態樣相關的支撐體分離裝置，係透過載具4而保持從支撐體分離的基板，故無須使用切割帶。因此，可防止損傷基板的配線面，或黏著層附著於配線面使得電氣特性發生變化。此外，可在載置於載具4的狀態下，將厚度0.5μm程度並具有可撓性的密封體基板54從面板51分離，可在將密封體基板54保持載置於載具4的狀態下，順利搬出至支撐體分離裝置100之外。
<其他實施形態相關的支撐體分離裝置>
本發明的其他實施形態相關的支撐體分離裝置，係亦可不具有保持夾具。例如，基板的兩面被透過支撐體而支撐的三明治式的積層體的情況下，係可不隔著保持夾具，而直接予以吸附保持於保持台。
〔3.支撐體分離方法〕
本發明相關的支撐體分離方法，係從將基板、由透射光的材料所成的支撐體隔著接著層、因吸收光而變質的分離層進行層積而成的積層體，將上述支撐體分離，包含隔著上述支撐體對上述分離層照射光的光照射程序，在上述光照射程序，係作成通過保持上述支撐體的保持部所具有的光通過部，而對上述分離層照射光。
本發明的一實施形態相關的支撐體分離方法，係上述的支撐體分離裝置100的各實施形態，如在上述「2.支撐體分離裝置的動作」之項目所說明。
本發明係非限定於上述的各實施形態者，示於請求項的範圍內可進行各種的變更，將分別揭露的技術手段適當組合於不同的實施形態而得的實施形態方面亦落入本發明的技術範圍。
〔總結〕
本發明亦可表現如下。
本發明的態樣1相關的支撐體分離裝置，係從將基板、由透射光的材料所成的支撐體隔著因吸收光而變質的分離層進行層積而成的積層體，將上述支撐體分離，具備將上述積層體中的上述支撐體的相反側的面進行固定的固定部、隔著上述支撐體對上述分離層照射光的光照射部、保持上述支撐體的保持部，其中，上述保持部，係配置於上述固定部與上述光照射部之間，具有上述光照射部所照射的光通過的光通過部。
本發明的態樣2相關的支撐體分離裝置，係亦可作成如下構成：於上述的態樣1中，上述保持部係具備作成沿著上述支撐體的周緣部分而配置的框部、設於上述框部並吸附上述支撐體的複數個吸附部而成，上述光通過部係以上述框部而包圍的開口部。
本發明的態樣3相關的支撐體分離裝置，係亦可作成如下構成：於上述的態樣2中，上述支撐體的俯視下的形狀係多角形，上述吸附部係配置為吸附該支撐體的角部的周緣部分。
本發明的態樣4相關的支撐體分離裝置，係亦可作成如下構成：於上述的態樣2或3中，上述保持部，係在上述框部的內側，具備另一個別的框部，在該別的框部係設置吸附比上述支撐體的周緣部分內側的別的吸附部。
本發明的態樣5相關的支撐體分離裝置，係亦可作成如下構成：於上述的態樣1至4中任1個態樣中，上述保持部，係相對於上述積層體的平面方向而垂直移動，從而將上述支撐體保持而分離。
本發明的態樣6相關的支撐體分離裝置，係亦可作成如下構成：於上述的態樣1至5中任1個態樣中，上述固定部，係可相對於上述積層體的平面方向而平行移動。
本發明的態樣7相關的支撐體分離裝置，係亦可作成如下構成：於上述的態樣1至6中任1個態樣中，上述固定部，係具備將上述積層體中的上述支撐體的相反側 的面進行吸引而固定的固定面、將上述積層體中的上述支撐體的周緣部分進行按壓的複數個按壓部，上述按壓部的各者，係可轉動為該端部接近上述固定面或分離。
本發明的態樣8相關的支撐體分離裝置，係亦可作成如下構成：於上述態樣7中，上述按壓部的各者，係在上述端部具備相對於上述固定面而平行延伸的按壓軸，上述按壓部，係以可從上述保持部接收從上述積層體分離的上述支撐體的方式，而配置上述按壓軸。
本發明的態樣9相關的支撐體分離裝置，係亦可作成如下構成：於上述態樣7或8中，上述固定部係進一步具備保持上述積層體的保持夾具，該保持夾具係以包圍上述固定面的方式而配置，上述固定面係經由設於上述保持夾具的吸引口部而將上述積層體中的上述支撐體的相反側的面進行固定。
本發明的態樣10相關的支撐體分離方法，係從將基板、由透射光的材料所成的支撐體隔著接著層、因吸收光而變質的分離層進行層積而成的積層體，將上述支撐體分離，包含隔著上述支撐體對上述分離層照射光的光照射程序，在上述光照射程序，係作成通過保持上述支撐體的保持部所具有的光通過部，而對上述分離層照射光。
本發明的態樣11相關的支撐體分離方法，係亦可作成如下構成：於上述的態樣10中，在上述光照射程序，係一面使上述積層體沿著平面方向而平行移動，一面對上述分離層照射光。
本發明的態樣12相關的支撐體分離方法，係亦可作成如下構成：於上述的態樣10或11中，包含一分離程序，該分離程序係在上述光照射程序後，使上述保持部相對於上述積層體的平面方向而垂直移動從而將上述積層體中的上述支撐體進行保持而分離。
1‧‧‧台(固定部)
1a‧‧‧固定面
2‧‧‧吸附固定部
3‧‧‧夾具(按壓部)
4‧‧‧載具(保持夾具)
5‧‧‧面板型積層體(積層體)
6‧‧‧保持部
7‧‧‧雷射照射部(光照射部)
8‧‧‧升降部
21‧‧‧O環體(吸附構材)
22‧‧‧吸引部
51‧‧‧面板(支撐體)
52‧‧‧分離層
53‧‧‧接著層
54‧‧‧密封體基板(基板)
61‧‧‧框(框部)
61'‧‧‧框(別的框部)
62‧‧‧吸附墊(吸附部)
62'‧‧‧吸附墊(別的吸附部)
63m-1~63m-6‧‧‧光通過部
100‧‧‧支撐體分離裝置

Claims (12)

  1. 一種支撐體分離裝置，從將基板、由透射光的材料所成的支撐體隔著因吸收光而變質的分離層進行層積而成的積層體，將上述支撐體分離，具備：將上述積層體中的上述支撐體的相反側的面進行固定的固定部；隔著上述支撐體對上述分離層照射光的光照射部；和保持上述支撐體的保持部；其中，上述保持部，係配置於上述固定部與上述光照射部之間，具有上述光照射部所照射的光通過的光通過部。
  2. 如申請專利範圍第1項的支撐體分離裝置，其中，上述保持部，係具備以下而成：作成沿著上述支撐體的周緣部分而配置的框部；和設於上述框部，吸附上述支撐體的複數個吸附部；上述光通過部，係以上述框部包圍的開口部。
  3. 如申請專利範圍第2項的支撐體分離裝置，其中，上述支撐體的俯視下的形狀係多角形，上述吸附部係配置為吸附該支撐體的角部的周緣部分。
  4. 如申請專利範圍第2或3項的支撐體分離裝置，其中， 上述保持部係在上述框部的內側具備另一個別的框部，在該別的框部係設置吸附比上述支撐體的周緣部分內側的別的吸附部。
  5. 如申請專利範圍第1項的支撐體分離裝置，其中，上述保持部，係相對於上述積層體的平面方向而垂直移動，從而將上述支撐體進行保持而分離。
  6. 如申請專利範圍第1項的支撐體分離裝置，其中，上述固定部，係可相對於上述積層體的平面方向而平行移動。
  7. 如申請專利範圍第1項的支撐體分離裝置，其中，上述固定部，係具備將上述積層體中的上述支撐體的相反側的面進行吸引而固定的固定面、和將上述積層體中的上述支撐體的周緣部分進行按壓的複數個按壓部，上述按壓部的各者，係可轉動為該端部接近上述固定面或分離。
  8. 如申請專利範圍第7項的支撐體分離裝置，其中，上述按壓部的各者，係在上述端部具備相對於上述固定面而平行延伸的按壓軸，上述按壓部，係以可從上述保持部接收從上述積層體分離的上述支撐體的方式，而配置上述按壓軸。
  9. 如申請專利範圍第7或8項的支撐體分離裝置，其中，上述固定部，係進一步具備保持上述積層體的保持夾具，該保持夾具，係以包圍上述固定面的方式而配置，上述固定面，係經由設於上述保持夾具的吸引口部而將上述積層體中的上述支撐體的相反側的面進行固定。
  10. 一種支撐體分離方法，從將基板、由透射光的材料所成的支撐體隔著接著層、因吸收光而變質的分離層進行層積而成的積層體，將上述支撐體分離，其中，包含隔著上述支撐體對上述分離層照射光的光照射程序，在上述光照射程序，係作成通過保持上述支撐體的保持部所具有的光通過部，而對上述分離層照射光。
  11. 如申請專利範圍第10項的支撐體分離方法，其中，在上述光照射程序，係一面使上述積層體沿著平面方向而平行移動，一面對上述分離層照射光。
  12. 如申請專利範圍第10或11項的支撐體分離方法，其包含一分離程序，該分離程序係在上述光照射程序後，使上述保持部相對於上述積層體的平面方向而垂直移動從而將上述積層體中的上述支撐體進行保持而分離。
TW106120386A 2016-06-29 2017-06-19 支撐體分離裝置及支撐體分離方法 TWI703670B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016-129427 2016-06-29
JP2016129427A JP6622661B2 (ja) 2016-06-29 2016-06-29 支持体分離装置、及び支持体分離方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201804563A true TW201804563A (zh) 2018-02-01
TWI703670B TWI703670B (zh) 2020-09-01

Family

ID=60946469

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW106120386A TWI703670B (zh) 2016-06-29 2017-06-19 支撐體分離裝置及支撐體分離方法

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP6622661B2 (zh)
KR (1) KR102245859B1 (zh)
TW (1) TWI703670B (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI747611B (zh) * 2020-11-13 2021-11-21 天虹科技股份有限公司 晶片預清潔機台
TWI761270B (zh) * 2020-11-13 2022-04-11 天虹科技股份有限公司 晶片預清潔機台
TWI799120B (zh) * 2020-11-13 2023-04-11 天虹科技股份有限公司 晶片預清潔機台

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019220666A1 (ja) * 2018-05-17 2019-11-21 信越エンジニアリング株式会社 ワーク分離装置及びワーク分離方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05136248A (ja) * 1991-11-15 1993-06-01 Hitachi Ltd 粘着テープの粘着力制御方法および装置
JPH05190414A (ja) 1992-01-17 1993-07-30 Nikon Corp 基板吸着装置
JP2003025174A (ja) 2001-07-11 2003-01-29 Nec Yamagata Ltd 基板吸着方法および基板吸着機構
JP5472616B2 (ja) * 2010-01-27 2014-04-16 ウシオ電機株式会社 光照射装置
KR101160158B1 (ko) * 2010-05-28 2012-06-27 주식회사 엘티에스 레이저 리프트 오프 공정의 기판 분리장치
JP6013850B2 (ja) 2012-09-27 2016-10-25 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP5926700B2 (ja) 2013-04-30 2016-05-25 東京応化工業株式会社 支持体分離装置及び支持体分離方法
JP6298393B2 (ja) * 2014-10-30 2018-03-20 東京応化工業株式会社 支持体分離方法
JP6418932B2 (ja) * 2014-12-15 2018-11-07 東京応化工業株式会社 紫外線照射装置、紫外線照射方法、基板処理装置、及び基板処理装置の製造方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI747611B (zh) * 2020-11-13 2021-11-21 天虹科技股份有限公司 晶片預清潔機台
TWI761270B (zh) * 2020-11-13 2022-04-11 天虹科技股份有限公司 晶片預清潔機台
TWI799120B (zh) * 2020-11-13 2023-04-11 天虹科技股份有限公司 晶片預清潔機台

Also Published As

Publication number Publication date
KR102245859B1 (ko) 2021-04-28
JP6622661B2 (ja) 2019-12-18
KR20180002499A (ko) 2018-01-08
TWI703670B (zh) 2020-09-01
JP2018006488A (ja) 2018-01-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6367084B2 (ja) 半導体チップの接合方法及び半導体チップの接合装置
TWI703670B (zh) 支撐體分離裝置及支撐體分離方法
TWI708310B (zh) 支持體分離方法、及基板處理方法
TWI505940B (zh) 層積體及該層積體之分離方法
JP6904368B2 (ja) 半導体基板の処理方法及び半導体基板の処理装置
WO2019009123A1 (ja) 基板処理方法及び基板処理システム
TWI813850B (zh) 卡盤台
TWI722206B (zh) 支撐體分離裝置、及支撐體分離方法
WO2021084902A1 (ja) チップ付き基板の製造方法、及び基板処理装置
CN106057718B (zh) 被加工物的切削加工方法
JP7262904B2 (ja) キャリア板の除去方法
JP6616457B2 (ja) チップの接合方法及びチップの接合装置
JP6906586B2 (ja) 半導体チップの接合方法及び半導体チップの接合装置
JP2024106774A (ja) 保護シート配設方法および保護シート
WO2024154645A1 (ja) 転写基板保持装置、転写装置、および転写方法
JP2013258364A (ja) 板状物の貼着方法
US11865634B2 (en) Processing method of workpiece
JP7134562B2 (ja) ウェーハの加工方法
JP7134564B2 (ja) ウェーハの加工方法
JP2024123523A (ja) 被加工物の加工方法
TW202308020A (zh) 保護構件形成裝置及保護構件的形成方法
TW202316507A (zh) 器件晶片之製造方法
JP2023056101A (ja) デバイスチップの製造方法
CN114038781A (zh) 柔性器件的剥离方法
TW201730952A (zh) 支持體分離裝置及支持體分離方法