CN104300935A - 振动片、振子、振荡器、电子设备和移动体 - Google Patents

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Abstract

本发明提供振动片、振子、振荡器、电子设备和移动体，能够进一步提高压电体的取向性。振动片(1)的特征在于，其具有：基部(10)；从基部(10)延伸的振动臂(11a、11b、11c)；设置在振动臂(11a、11b、11c)上的第1电极(12a1、12b1、12c1)；设置在第1电极(12a1、12b1、12c1)的上方的第2电极(12a2、12b2、12c2)；配置在第1电极(12a1、12b1、12c1)与第2电极(12a2、12b2、12c2)之间的压电体(13)；以及配置在第1电极(12a1、12b1、12c1)与压电体(13)之间的绝缘膜(14)，第1电极(12a1、12b1、12c1)的材料中含有TiN，绝缘膜(14)的材料中含有SiO2，压电体(13)的材料中含有AlN。

Description

振动片、振子、振荡器、电子设备和移动体
技术领域
本发明涉及振动片、具有该振动片的振子、振荡器、电子设备和移动体。
背景技术
以往，作为振动片，公知有如下结构的振动片：其具有基部、从基部延伸的臂部、配置在臂部的主面上的压电元件，该压电元件具有压电体层、设置在压电体层的上述主面侧的第1电极层、设置在压电体层的上述主面的相反侧的第2电极层，上述第1电极层层叠了配置在上述主面侧的电极层和配置在压电体层侧的氮化层，该氮化层是形成第1电极层的电极层的电极材料的氮化物(例如参照专利文献1)。
专利文献1：日本特开2011-228922号公报
关于上述振动片，在实施方式中，在第1电极层的电极层中使用Ti(钛)，在第1电极层的氮化层中使用TiN(氮化钛)。
根据专利文献1，关于上述振动片，通过使用TiN的氮化层来提高氮化层上形成的压电体层(AlN：氮化铝)的取向性，同时，抑制了有效电场的减少，能够使臂部高效地振动。
但是，根据本发明的发明人的评价试验，确认了上述振动片在压电体层的取向性(C轴取向性)方面存在改善的余地(详细后述)。
发明内容
本发明是为了解决上述课题的至少一部分而完成的，能够作为以下方式或应用例而实现。
[应用例1]本应用例的振动片的特征在于，该振动片具有：基部；从所述基部延伸的振动臂；含有TiN且配置在所述振动臂上的第1电极；配置在所述第1电极的上方的第2电极；含有AlN且配置在所述第1电极与所述第2电极之间的压电体；以及含有SiO2且配置在所述第1电极与所述压电体之间的绝缘膜。
由此，振动片具有设置在振动臂(相当于臂部)上的第1电极(相当于第1电极层)、设置在第1电极的上方的第2电极(相当于第2电极层)、配置在第1电极与第2电极之间的压电体(相当于压电体层)、配置在第1电极与压电体之间的绝缘膜。
而且，振动片在第1电极的材料中含有TiN，在绝缘膜的材料中含有SiO2(二氧化硅)，在压电体的材料中含有AlN。
由此，振动片通过在第1电极的材料中含有TiN，利用其特性(不容易使Q值劣化)而使振动特性良好。
并且，由于振动片在压电体的材料中含有AlN，所以，利用其取向性的高低而使电场施加时的伸缩性优良，能够使振动臂高效地振动。
并且，在振动片中，例如含有非晶状的SiO2的绝缘膜被薄膜化且平坦化而配置在通过含有TiN而薄膜化且平坦化(平滑化)的第1电极上。由此，振动片能够使配置在平坦化的绝缘膜上的含有AlN的压电体也平坦化。
其结果，在振动片中，覆盖第1电极的含有SiO2的绝缘膜作为结晶取向调整膜发挥功能，能够抑制第1电极对压电体的取向性造成不良影响，并且，由于绝缘膜上配置(形成)的压电体的结晶的方向一致，所以，能够进一步提高压电体的取向性。
另外，这些基于发明人根据进行实验解析的结果等而得到的知识和见解。
由此，振动片能够进行高效振动，能够得到优良的振动特性。
[应用例2]在上述应用例的振动片中，优选在所述第2电极的材料中含有TiN。
由此，由于振动片在第2电极的材料中含有与第1电极相同的TiN，所以，与含有其他材料的情况相比，容易制造，能够提高生产性。
而且，由于振动片在第2电极的材料中含有TiN，所以，利用其特性，使Q值与含有其他材料的情况相比更不容易劣化。
[应用例3]在上述应用例的振动片中，优选基部和振动臂含有Si。
由此，在振动片中，由于基部和振动臂含有Si，所以，利用其特性，例如与石英相比，能够提高与Q值有关的潜在性能(例如基部和振动臂中的Q值)。
[应用例4]在上述应用例3的振动片中，优选在所述振动臂与所述第1电极之间、或所述振动臂的与所述第1电极侧相反的一侧的表面配置有含有SiO2的膜。
由此，在振动片中，由于在振动臂与第1电极之间、或振动臂的与第1电极侧相反的一侧的表面设有含有SiO2的膜，所以，利用含有SiO2的膜的频率-温度特性，对基材为Si的振动臂的频率-温度特性进行校正，能够抑制由于温度变化而引起的频率的变动，能够提高频率-温度特性。
[应用例5]本应用例的振子的特征在于，该振子具有：上述应用例中的任意一项所述的振动片；以及收纳所述振动片的封装。
由此，由于本结构的振子具有上述应用例中的任意一项所述的振动片、以及收纳振动片的封装，所以，能够提供发挥上述应用例中的任意一项所述的效果的振子。
[应用例6]本应用例的振荡器的特征在于，该振荡器具有：上述应用例中的任意一项所述的振动片；以及使所述振动片振荡的振荡电路。
由此，由于本结构的振荡器具有上述应用例中的任意一项所述的振动片、以及使振动片振荡的振荡电路，所以，能够提供发挥上述应用例中的任意一项所述的效果的振荡器。
[应用例7]本应用例的电子设备的特征在于，该电子设备具有上述应用例中的任意一项所述的振动片。
由此，由于本结构的电子设备具有上述应用例中的任意一项所述的振动片，所以，能够提供发挥上述应用例中的任意一项所述的效果的电子设备。
[应用例8]本应用例的移动体的特征在于，该移动体具有上述应用例中的任意一项所述的振动片。
由此，由于本结构的移动体具有上述应用例中的任意一项所述的振动片，所以，能够提供发挥上述应用例中的任意一项所述的效果的移动体。
附图说明
图1是示出第1实施方式的振动片的概略结构的示意图，(a)是平面图，(b)是(a)的A-A线处的剖视图。
图2是图1的(a)的B-B线处的剖视图和各激励电极的布线图。
图3是示出使用X线衍射装置的压电体的C轴取向性的调查结果的曲线图，(a)是示出第1实施方式的样品的调查结果的曲线图，(b)是示出现有结构的样品的调查结果的曲线图。
图4是示出使用X线衍射装置的第1实施方式的样品的压电体的C轴取向性的调查结果的另一个曲线图。
图5是示出第1实施方式的变形例的振动片的概略结构的示意图，(a)是平面图，(b)是(a)的A-A线处的剖视图。
图6是示出第2实施方式的振子的概略结构的示意图，(a)是从盖(盖体)侧俯视的平面图，(b)是(a)的C-C线处的剖视图。
图7是示出第3实施方式的振荡器的概略结构的示意图，(a)是从盖侧俯视的平面图，(b)是(a)的C-C线处的剖视图。
图8是示出第4实施方式的便携电话的示意立体图。
图9是示出第5实施方式的汽车的示意立体图。
标号说明
1、2：振动片；5：振子；6：振荡器；10：基部；10a、10b：主面；10c、10d：固定部；11a、11b、11c：振动臂；12a、12b、12c：激励电极；12a1、12b1、12c1：第1电极；12a2、12b2、12c2：第2电极；13：压电体；14：绝缘膜；15：含有SiO2的膜；18a、18b：连接电极；20：封装；21：封装底座；22：盖；23：内底面；23a：内部连接端子；24、25：内部端子；26：外底面；27、28：外部端子；29：接合部件；30：粘接剂；31：金属线；40：作为振荡电路的IC芯片；41：金属线；700：作为电子设备的便携电话；701：液晶显示装置；702：操作按钮；703：受话口；704：送话口；800：作为移动体的汽车。
具体实施方式
下面，参照附图来说明实现本发明的实施方式。
(第1实施方式)
这里，作为振动片的一例，对在基材中使用Si(硅)的振动片进行说明。
图1是示出第1实施方式的振动片的概略结构的示意图，图1的(a)是平面图，图1的(b)是图1的(a)的A-A线处的剖视图。另外，省略了各布线，各结构要素的尺寸比率与实际不同。
图2是图1的(a)的B-B线处的剖视图和各激励电极的布线图。
另外，各图中的X轴、Y轴、Z轴是相互正交的坐标轴。
如图1所示，作为基材，振动片1具有基部10以及从基部10沿Y轴方向延伸的3条振动臂11a、11b、11c。在本实施方式中，在3条振动臂11a、11b、11c和基部10中使用Si基板(例如对SOI、Poly-Si进行成膜后的基板)。
振动臂11a、11b、11c形成为大致角柱状，在俯视时，排列在与Y轴方向正交的X轴方向上，并且，在沿着由X轴和Y轴确定的平面(XY平面)的主面10a、10b中的至少一方(这里为主面10a)设有激励电极12a、12b、12c。
振动臂11a、11b、11c借助于激励电极12a、12b、12c而在与主面10a正交的Z轴方向(图1的(b)的箭头方向)上弯曲振动(面外振动：不沿着主面10a的方向的振动)。
例如使用溅射技术、光刻技术、蚀刻技术等，高精度地形成基部10和振动臂11a、11b、11c、激励电极12a、12b、12c。
激励电极12a、12b、12c为层叠构造，具有设置在主面10a侧的第1电极12a1、12b1、12c1、设置在第1电极12a1、12b1、12c1的上方的第2电极12a2、12b2、12c2、配置在第1电极12a1、12b1、12c1与第2电极12a2、12b2、12c2之间的压电体13、配置在第1电极12a1、12b1、12c1与压电体13之间的绝缘膜14。
在激励电极12a、12b、12c的第1电极12a1、12b1、12c1、第2电极12a2、12b2、12c2中使用含有TiN(氮化钛)的膜，在压电体13中使用含有AlN(氮化铝)的膜。并且，在绝缘膜14中使用含有非晶状态的SiO2(二氧化硅)的膜。
在振动片1中，从得到良好振动特性的观点来看，优选激励电极12a、12b、12c的第1电极12a1、12b1、12c1、第2电极12a2、12b2、12c2的厚度为15nm左右，优选压电体13的厚度为200nm～400nm左右，优选绝缘膜14的厚度为10nm左右。
另外，在第2电极12a2、12b2、12c2中也可以使用含有与TiN不同的其他材料(例如Mo、Ti、Ni、Pt、Au、W、WSi、Ta、ITO等)的膜。
另外，在得到高效的振动特性的方面，优选激励电极12a、12b、12c从振动臂11a、11b、11c的根部(与基部10之间的边界部分)朝前端部延伸，设置成振动臂11a、11b、11c的全长(从Y轴方向的根部到前端的长度)的一半左右的长度。
另外，如图1的(b)所示，基部10的Z轴方向的厚度形成为比振动臂11a、11b、11c的Z轴方向的厚度厚。
并且，在图1的(a)中，如双点划线所示，在基部10的X轴方向的两端部的主面10b侧设有固定部10c、10d，固定部10c、10d是固定于封装等外部部件的固定区域。另外，优选固定部10c、10d在Y轴方向上设置在基部10的与振动臂11a、11b、11c侧相反的一侧的端部。
这里，对振动片1的动作进行说明。
如图2所示，在振动片1的激励电极12a、12b、12c中，第1电极12a1、12b1、12c1和第2电极12a2、12b2、12c2通过交叉布线而与交流电源连接，被施加作为驱动电压的交变电压。
具体而言，振动臂11a的第1电极12a1、振动臂11b的第2电极12b2、振动臂11c的第1电极12c1连接成相同电位，振动臂11a的第2电极12a2、振动臂11b的第1电极12b1、振动臂11c的第2电极12c2连接成相同电位。
在该状态下，当对第1电极12a1、12b1、12c1与第2电极12a2、12b2、12c2之间施加交变电压时，在第1电极12a1、12b1、12c1与第2电极12a2、12b2、12c2之间产生电场，根据逆压电效应，在压电体13中产生变形，压电体13在Y轴方向上伸缩。
振动片1构成为，通过上述交叉布线，使激励电极12a、12c中产生的电场的方向和激励电极12b中产生的电场的方向彼此成为相反方向，压电体13的伸缩在振动臂11a、11c与振动臂11b之间相反。
具体而言，在振动臂11a、11c的压电体13伸长时，振动臂11b的压电体13收缩，在振动臂11a、11c的压电体13收缩时，振动臂11b的压电体13伸长。
通过这种压电体13的伸缩，在振动片1中，在交变电压为一个电位时，振动臂11a、11b、11c在黑色箭头的方向上弯曲，在交变电压为另一个电位时，振动臂11a、11b、11c在空心箭头的方向上弯曲。
通过反复进行该动作，振动片1的振动臂11a、11b、11c在Z轴方向上弯曲振动(面外振动)。此时，相邻的振动臂(这里为11a与11b、11b与11c)彼此在相反方向上(反相地)弯曲振动。
另外，极化时的C轴取向性越好，则压电体13的伸缩程度越大。
如上所述，在本实施方式的振动片1中，在设于振动臂11a、11b、11c中的激励电极12a、12b、12c的第1电极12a1、12b1、12c1的材料中含有TiN，在绝缘膜14的材料中含有SiO2，在压电体13的材料中含有AlN。
由此，振动片1通过在第1电极12a1、12b1、12c1的材料中含有TiN，利用其特性(不容易使Q值劣化)使振动特性变得良好。
并且，由于振动片1在压电体13的材料中含有AlN，所以，利用其取向性的高低而使电场施加时的伸缩性优良，能够使振动臂11a、11b、11c高效地振动。
并且，在振动片1中，含有非晶状的SiO2的绝缘膜14被薄膜化且平坦化而配置在通过含有TiN而薄膜化且平坦化(平滑化)的第1电极12a1、12b1、12c1上。
由此，振动片1能够使配置在平坦化的绝缘膜14上的含有AlN的压电体13也平坦化。
其结果，在振动片1中，覆盖第1电极12a1、12b1、12c1的含有SiO2的绝缘膜14作为结晶取向调整膜发挥功能，能够抑制第1电极12a1、12b1、12c1对压电体13的取向性造成不良影响，并且，由于绝缘膜14上配置(形成)的压电体13的结晶的方向一致，所以，能够进一步提高压电体13的取向性。
这些基于发明人根据实验解析的结果等而得到的知识和见解。
使用附图对上述内容进行说明。
图3、图4是示出使用X线衍射装置的压电体的C轴取向性的调查结果的曲线图。图3的(a)、图4是示出本实施方式的样品的调查结果的曲线图，图3的(b)是示出现有结构(专利文献1)的样品的调查结果的曲线图。
另外，曲线图的横轴表示X线相对于样品的角度，纵轴表示从样品反射的X线的强度。
另外，为了对压电体直接照射X线，样品去除了第2电极。
该状态下的本实施方式的样品的压电体的表面粗糙度为Ra＝0.39nm，是良好的。
如图3的(a)所示，关于本实施方式的样品，在X线衍射中的θ-2θ测定法中，明确表现出曲线图的峰值(衍射强度的峰值)，峰值时的角度(衍射角)为36度(2θ)。而且，如图4所示，关于本实施方式的样品，在X线衍射中的ω测定法中，峰值的半值宽度(FWHM)为3.966度，所以，能够确认到C轴取向性良好。
另一方面，如图3的(b)所示，关于现有结构的样品，在θ-2θ测定法中，曲线图的峰值不明确，其结果，不能说C轴取向性良好。
这样，在振动片1中，由于压电体13的C轴取向性良好，所以，电场施加时的伸缩性优良，能够通过激励电极12a、12b、12c实现高效振动，能够得到优良的振动特性。
另外，X线衍射装置中的θ-2θ测定法是如下方法：在固定X线源而仅使样本台移动θ时，使检测器部移动2θ并进行扫描，ω测定法是如下方法：固定X线源和检测器部，仅在布拉格反射角附近(这里为18度附近)对样本台进行扫描。
并且，由于振动片1在第2电极12a2、12b2、12c2的材料中含有与第1电极相同的TiN，所以，与含有其他材料的情况相比，制造容易，能够提高生产性。
而且，由于振动片1在第2电极12a2、12b2、12c2的材料中含有TiN，所以，利用其特性，使Q值与含有其他材料的情况相比更不容易劣化。
并且，在振动片1中，由于基材含有Si，所以，利用其特性，例如与石英相比，能够提高与Q值有关的潜在性能(例如基材单体中的Q值)(例如能够使基材单体中的Q值成为石英的10倍左右)。
另外，在振动片1中，也可以代替Si而使基材含有石英。由此，在振动片1中，关于压电体13的C轴取向性，能够得到与基材含有Si的情况相同的效果。
另外，在振动片1的基材中，也可以使用Si、石英以外的、Q值与Si、石英相同程度的材料。
(变形例)
这里，对第1实施方式的变形例进行说明。
图5是示出第1实施方式的变形例的振动片的概略结构的示意图。图5的(a)是平面图，图5的(b)是图5的(a)的A-A线处的剖视图。另外，对与第1实施方式相同的部分标注相同标号并省略详细说明，以与第1实施方式不同的部分为中心进行说明。
如图5所示，变形例的振动片2与第1实施方式相比，激励电极12a、12b、12c周围的结构不同。
在振动片2中，在振动臂11a、11b、11c的主面10a与激励电极12a、12b、12c的第1电极12a1、12b1、12c1之间设有含有SiO2的膜15。
例如使用溅射技术、光刻技术、蚀刻技术等，高精度地形成含有SiO2的膜15。另外，优选膜15的厚度为100nm～300nm左右。
由此，由于振动片2在振动臂11a、11b、11c的主面10a与第1电极12a1、12b1、12c1之间设有含有SiO2的膜15，所以，含有SiO2的膜15作为振动臂11a、11b、11c的温度特性校正膜发挥功能。
详细地说，在振动片2中，利用含有SiO2的膜15的频率-温度特性的斜率对基材为Si的振动臂11a、11b、11c的频率-温度特性的斜率进行校正(抵消)，成为平缓的频率-温度特性。
由此，振动片2能够抑制由于温度变化而引起的频率的变动，能够提高频率-温度特性。
另外，振动片2也可以将含有SiO2的膜15设置在振动臂11a、11b、11c的与第1电极12a1、12b1、12c1侧(主面10a侧)相反的一侧的表面(主面10b)。
由此，振动片2能够得到与上述同样的效果。
(第2实施方式)
接着，对具有上述第1实施方式(包含变形例、以下同样)所述的振动片的振子进行说明。
图6是示出第2实施方式的振子的概略结构的示意图。图6(a)是从盖(盖体)侧俯视的平面图，图6的(b)是图6(a)的C-C线处的剖视图。另外，在平面图中省略了盖。并且，省略了各布线。
另外，对与上述第1实施方式相同的部分标注相同标号并省略详细说明，以与上述第1实施方式不同的部分为中心进行说明。
如图6所示，振子5具有上述第1实施方式所述的振动片1或振动片2中的任意一方(这里为振动片1)以及收纳有振动片1的封装20。
封装20具有平面形状为大致矩形且具有凹部的封装底座21、以及覆盖封装底座21的凹部的、平面形状为大致矩形的平板状的盖22，该封装20形成为大致长方体形状。
在封装底座21中使用对陶瓷生片进行成形、层叠并烧制而得到的氧化铝质烧结体、石英、玻璃、Si等。
在盖22中使用与封装底座21相同的材料、或可伐合金、42合金等金属。
在封装底座21中，在内底面(凹部的内侧底面)23上设有内部端子24、25。
内部端子24、25在设于振动片1的基部10的连接电极18a、18b的附近的位置形成为大致矩形状。连接电极18a、18b通过未图示的布线而与振动片1的各激励电极(12b等)的第1电极(12b1等)以及第2电极(12b2等)连接。
例如，在图2的布线中，交流电源的一侧的布线与连接电极18a连接，另一侧的布线与连接电极18b连接。
在封装底座21的外底面(内底面23的相反侧的表面、外侧的底面)26上形成有一对外部端子27、28，在安装到电子设备等外部部件时使用这一对外部端子27、28。
外部端子27、28通过未图示的内部布线而与内部端子24、25连接。例如，外部端子27与内部端子24连接，外部端子28与内部端子25连接。
内部端子24、25和外部端子27、28由金属膜构成，该金属膜是通过镀敷等方法在W、Mo等的金属化层上层叠Ni、Au等的各覆膜而成的。
在振子5中，振动片1的基部10的固定部10c、10d借助于环氧类、硅酮类、聚酰亚胺类等的粘接剂30固定在封装底座21的内底面23上。
而且，在振子5中，振动片1的连接电极18a、18b通过Au、Al等的金属线31而与内部端子24、25连接。
在振子5中，在振动片1与封装底座21的内部端子24、25连接的状态下，封装底座21的凹部被盖22覆盖，封装底座21和盖22利用密封环、低熔点玻璃、粘接剂等接合部件29进行接合，由此封装20的内部被气密密封。
封装20的内部成为减压状态(真空度高的状态)或填充有氮、氦、氩等惰性气体的状态。
封装也可以由平板状的封装底座和具有凹部的盖等构成。并且，封装也可以在封装底座和盖的双方中具有凹部。
并且，也可以代替固定部10c、10d，而在固定部10c、10d以外的部分、例如包含连接固定部10c和固定部10d的直线的中心的部分的1个部位固定振动片1的基部10。
由此，振动片1通过在1个部位进行固定，能够抑制由于固定部中产生的热应力而引起的基部10的变形。
在振子5中，通过经由外部端子27、28、内部端子24、25、金属线31、连接电极18a、18b而施加给激励电极(12b等)的驱动信号(交变电压)，振动片1的各振动臂(11b等)以规定频率(作为一例，大约为32.768kHz)在厚度方向(图6的(b)的箭头方向)上振荡(谐振)。
如上所述，由于第2实施方式的振子5具有振动片1，所以，能够提供发挥上述第1实施方式所记载的效果的振子。
另外，在振子5具有变形例的振动片2而代替振动片1的情况下，也能够提供发挥与上述相同的效果和振动片2特有的效果的振子。
(第3实施方式)
接着，对具有上述第1实施方式所述的振动片的振荡器进行说明。
图7是示出第3实施方式的振荡器的概略结构的示意图。图7(a)是从盖侧俯视的平面图，图7的(b)是图7(a)的C-C线处的剖视图。另外，在平面图中省略了盖和一部分结构要素。并且，省略了各布线。
另外，对与上述第1实施方式以及第2实施方式相同的部分标注相同标号并省略详细说明，以与上述第1实施方式以及第2实施方式不同的部分为中心进行说明。
如图7所示，振荡器6具有上述第1实施方式所述的振动片1或振动片2中的任意一方(这里为振动片1)、作为使振动片1振荡的振荡电路的IC芯片40、以及收纳振动片1和IC芯片40的封装20。
在封装底座21的内底面23设有内部连接端子23a。
内置有振荡电路的IC芯片40使用未图示的粘接剂等固定在封装底座21的内底面23上。
IC芯片40的未图示的连接焊盘通过Au、Al等的金属线41而与内部连接端子23a连接。
内部连接端子23a由金属膜构成，该金属膜是通过镀敷等在W、Mo等的金属化层上层叠Ni、Au等的各覆膜而成的，内部连接端子23a经由未图示的内部布线而与封装20的外部端子27、28、内部端子24、25等连接。
另外，在IC芯片40的连接焊盘与内部连接端子23a的连接中，除了基于使用金属线41的线接合的连接方法以外，也可以使用基于使IC芯片40反转的倒装片(flipchip)安装的连接方法等。
在振荡器6中，通过从IC芯片40经由内部连接端子23a、内部端子24、25、金属线31、连接电极18a、18b施加给激励电极(12b等)的驱动信号，振动片1的各振动臂(11b等)以规定频率(作为一例，大约为32.768kHz)振荡(谐振)。
然后，振荡器6将伴随该振荡而产生的振荡信号经由IC芯片40、内部连接端子23a、外部端子27、28等输出到外部。
如上所述，由于第3实施方式的振荡器6具有振动片1，所以，能够提供发挥上述第1实施方式所记载的效果的振荡器。
另外，在振荡器6具有振动片2而代替振动片1的情况下，也能够提供发挥与上述相同的效果和振动片2特有的效果的振荡器。
另外，振荡器6也可以不将IC芯片40内置在封装20内，而采用外置结构的模块构造(例如在1个基板上单独安装振子和IC芯片的构造)。
(第4实施方式)
接着，对具有上述第1实施方式所述的振动片的作为电子设备的便携电话进行说明。
图8是示出第4实施方式的便携电话的示意立体图。
图8所示的便携电话700具有上述第1实施方式所述的振动片1作为基准时钟振荡源等，还具有液晶显示装置701、多个操作按钮702、受话口703和送话口704。另外，便携电话700也可以具有振动片2而代替振动片1。
上述振动片不限于上述便携电话，还能够良好地用作电子书、个人计算机、电视机、数字照相机、摄像机、录像机、导航装置、寻呼机、电子记事本、计算器、文字处理器、工作站、视频电话、POS终端、具有触摸面板的设备等的基准时钟振荡源等，在任意情况下，均能够提供发挥上述第1实施方式中说明的效果的电子设备。
(第5实施方式)
接着，对具有上述第1实施方式所述的振动片的作为移动体的汽车进行说明。
图9是示出第5实施方式的汽车的示意立体图。
汽车800使用上述第1实施方式所述的振动片1作为例如所搭载的各种电子控制式装置(例如电子控制式燃料喷射装置、电子控制式ABS装置、电子控制式定速行驶装置等)的基准时钟振荡源等。另外，汽车800也可以具有振动片2而代替振动片1。
由此，由于汽车800具有振动片(1或2)，所以，能够发挥上述第1实施方式中说明的效果，能够发挥优良的性能。
上述振动片不限于上述汽车800，还能够良好地用作包含自行走式机器人、自行走式输送设备、列车、船舶、飞机、人造卫星等在内的移动体的基准时钟振荡源等，在任意情况下，均能够提供发挥上述第1实施方式中说明的效果的移动体。
另外，在振动片的基材中使用石英的情况下，能够使用从石英的原石等以规定角度切出的例如Z切板、X切板等。在使用Z切板的情况下，由于其特性，容易进行蚀刻加工。
并且，振动片的振动方向不限于Z轴方向(厚度方向)，例如，通过将激励电极设置在振动臂的侧面(连接主面彼此的表面)，也可以设为X轴方向(沿着主面的方向)(该方向的弯曲振动被称为面内振动)。
并且，振动片的振动臂的数量不限于3条，也可以是1条、2条、4条、5条、n条(n为6以上的自然数)。
另外，振动片的基部的厚度也可以是与振动臂相同的厚度。由此，振动片成为平板状，所以容易制造。

Claims (8)

1.一种振动片，其特征在于，该振动片具有：
基部；
从所述基部延伸的振动臂；
含有TiN且配置在所述振动臂上的第1电极；
配置在所述第1电极的上方的第2电极；
含有AlN且配置在所述第1电极与所述第2电极之间的压电体；以及
含有SiO2且配置在所述第1电极与所述压电体之间的绝缘膜。
2.根据权利要求1所述的振动片，其特征在于，
在所述第2电极的材料中含有TiN。
3.根据权利要求1所述的振动片，其特征在于，
所述基部和所述振动臂含有Si。
4.根据权利要求3所述的振动片，其特征在于，
在所述振动臂与所述第1电极之间、或所述振动臂的与所述第1电极侧相反的一侧的表面配置有含有SiO2的膜。
5.一种振子，其特征在于，该振子具有：
权利要求1所述的振动片；以及
收纳所述振动片的封装。
6.一种振荡器，其特征在于，该振荡器具有：
权利要求1所述的振动片；以及
使所述振动片振荡的振荡电路。
7.一种电子设备，其特征在于，该电子设备具有权利要求1所述的振动片。
8.一种移动体，其特征在于，该移动体具有权利要求1所述的振动片。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109155615A (zh) * 2016-06-01 2019-01-04 株式会社村田制作所 谐振子以及谐振装置
CN109911843A (zh) * 2019-02-27 2019-06-21 上海华虹宏力半导体制造有限公司 金属薄膜图形的制造方法
CN112152586A (zh) * 2019-06-26 2020-12-29 精工爱普生株式会社 振动片、电子设备以及移动体

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014042020A2 (ja) * 2012-09-13 2014-03-20 株式会社村田製作所 振動装置及びその製造方法
JP6331702B2 (ja) * 2014-05-29 2018-05-30 セイコーエプソン株式会社 電子デバイス、電子機器および移動体
CN109075766B (zh) * 2016-05-25 2022-04-19 株式会社村田制作所 谐振器和谐振装置
JP6822118B2 (ja) 2016-12-19 2021-01-27 セイコーエプソン株式会社 振動子、発振器、電子機器、および移動体
US10477022B2 (en) * 2017-11-22 2019-11-12 Repnow Inc. Automated telephone host system interaction

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003289162A (ja) * 2002-03-28 2003-10-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd 圧電体薄膜素子
US20070228871A1 (en) * 2006-03-30 2007-10-04 Fujitsu Limited Thin-film piezoelectric device and method of manufacturing the same
CN101064197A (zh) * 2006-04-26 2007-10-31 中国计量学院 一种低温度交叉灵敏度的微悬臂梁谐振器
US20080143450A1 (en) * 2006-12-18 2008-06-19 Seiko Epson Corporation Piezoelectric oscillator and method for manufacturing the same, and mems device and method for manufacturing the same
JP2009239860A (ja) * 2008-03-28 2009-10-15 Epson Toyocom Corp 圧電振動片及びその製造方法
JP2011228922A (ja) * 2010-04-20 2011-11-10 Seiko Epson Corp 振動片、振動片の製造方法、振動子および発振器
CN102629861A (zh) * 2011-02-02 2012-08-08 精工爱普生株式会社 振动片、振子、振荡器以及电子设备

Family Cites Families (56)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0232229U (zh) 1988-08-23 1990-02-28
US5265315A (en) 1990-11-20 1993-11-30 Spectra, Inc. Method of making a thin-film transducer ink jet head
JP4852195B2 (ja) 1999-01-20 2012-01-11 セイコーエプソン株式会社 音叉型水晶振動子
JP3477618B2 (ja) 2000-10-31 2003-12-10 有限会社ピエデック技術研究所 屈曲水晶振動子
EP1788702A3 (en) 2000-12-25 2008-01-16 Seiko Epson Corporation Vibrating piece, vibrator, oscillator, and electronic equipment
JP2002261575A (ja) 2000-12-25 2002-09-13 Seiko Epson Corp 振動片、振動子、発振器及び電子機器
US6407649B1 (en) * 2001-01-05 2002-06-18 Nokia Corporation Monolithic FBAR duplexer and method of making the same
US7083270B2 (en) * 2002-06-20 2006-08-01 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Piezoelectric element, ink jet head, angular velocity sensor, method for manufacturing the same, and ink jet recording apparatus
JP4328853B2 (ja) * 2003-01-22 2009-09-09 独立行政法人産業技術総合研究所 圧電素子およびその製造方法
JP4298322B2 (ja) 2003-02-24 2009-07-15 日本電波工業株式会社 音叉型水晶振動子
JP2005151423A (ja) 2003-11-19 2005-06-09 Seiko Epson Corp 圧電振動片と圧電デバイスおよびこれらの製造方法、ならびに圧電デバイスを利用した携帯電話装置および圧電デバイスを利用した電子機器
JP2005318365A (ja) 2004-04-30 2005-11-10 Seiko Epson Corp 圧電薄膜共振子、フィルタ及び圧電薄膜共振子の製造方法
JP4715652B2 (ja) 2006-06-30 2011-07-06 セイコーエプソン株式会社 圧電振動片
US7673512B2 (en) * 2006-10-30 2010-03-09 Sony Corporation Angular velocity sensor and electronic device
JP2008172713A (ja) * 2007-01-15 2008-07-24 Hitachi Media Electoronics Co Ltd 圧電薄膜共振器および圧電薄膜共振器フィルタおよびその製造方法
JP5067035B2 (ja) 2007-06-20 2012-11-07 セイコーエプソン株式会社 音叉型振動子、発振器
JP5067034B2 (ja) 2007-06-20 2012-11-07 セイコーエプソン株式会社 音叉型振動子、発振器
JP5067033B2 (ja) 2007-06-20 2012-11-07 セイコーエプソン株式会社 音叉型振動子、発振器
JP2009043889A (ja) 2007-08-08 2009-02-26 Seiko Epson Corp 圧電体膜の製造方法及び圧電素子
JP5071058B2 (ja) 2007-11-07 2012-11-14 セイコーエプソン株式会社 圧電振動片
JP4533934B2 (ja) 2008-01-15 2010-09-01 エプソントヨコム株式会社 振動片及び振動子の製造方法
JP4636093B2 (ja) 2008-02-20 2011-02-23 セイコーエプソン株式会社 振動片、振動子、発振器及び振動片の製造方法
JP5233466B2 (ja) 2008-07-22 2013-07-10 セイコーエプソン株式会社 振動子及び発振器、振動子の製造方法
JP5168002B2 (ja) 2008-07-22 2013-03-21 セイコーエプソン株式会社 振動子及び発振器
JP2010081156A (ja) 2008-09-25 2010-04-08 Seiko Epson Corp 圧電薄膜振動片、圧電薄膜振動片の製造方法、圧電薄膜振動子及び発振回路
JP2010103805A (ja) 2008-10-24 2010-05-06 Seiko Epson Corp 屈曲振動片、屈曲振動子、および圧電デバイス
JP2010187059A (ja) 2009-02-10 2010-08-26 Epson Toyocom Corp ウォーク型振動片およびその製造方法
JP5347546B2 (ja) 2009-02-12 2013-11-20 セイコーエプソン株式会社 振動片、振動片の製造方法および振動子
JP2010187195A (ja) 2009-02-12 2010-08-26 Epson Toyocom Corp 振動片、振動片の製造方法および振動子
JP5369741B2 (ja) * 2009-02-12 2013-12-18 セイコーエプソン株式会社 振動片および振動子
JP5381149B2 (ja) 2009-02-20 2014-01-08 セイコーエプソン株式会社 振動片および振動子
JP2010252302A (ja) 2009-03-25 2010-11-04 Seiko Epson Corp 屈曲振動片およびそれを用いた発振器
JP2010226608A (ja) 2009-03-25 2010-10-07 Seiko Epson Corp 屈曲振動片およびそれを用いた発振器
JP2010252303A (ja) 2009-03-25 2010-11-04 Seiko Epson Corp 屈曲振動片およびそれを用いた発振器
JP2010226609A (ja) 2009-03-25 2010-10-07 Seiko Epson Corp 振動片および振動子
JP2011004035A (ja) 2009-06-17 2011-01-06 Seiko Epson Corp 屈曲振動片および屈曲振動片の製造方法
JP2011082945A (ja) 2009-09-08 2011-04-21 Seiko Epson Corp 屈曲振動片、屈曲振動子、および電子デバイス
EP2306537B1 (en) 2009-10-01 2012-01-11 Research in Motion Limited Piezoelectric assembly
JP5482541B2 (ja) 2009-10-01 2014-05-07 セイコーエプソン株式会社 振動片、振動子、発振器、及び電子機器
JP5375503B2 (ja) 2009-10-07 2013-12-25 セイコーエプソン株式会社 屈曲振動片
JP2011087154A (ja) 2009-10-16 2011-04-28 Seiko Epson Corp 圧電振動片、圧電振動子、発振器、圧電振動片の製造方法
JP2011096706A (ja) 2009-10-27 2011-05-12 Seiko Epson Corp 圧電デバイスの製造方法
JP5581887B2 (ja) 2009-12-29 2014-09-03 セイコーエプソン株式会社 振動片、振動子、発振器、電子機器、および周波数調整方法
JP2011155629A (ja) 2009-12-29 2011-08-11 Seiko Epson Corp 振動片、振動子、発振器、電子機器、および周波数調整方法
JP5482250B2 (ja) 2010-02-02 2014-05-07 セイコーエプソン株式会社 振動体および振動デバイス
JP2011199454A (ja) 2010-03-18 2011-10-06 Seiko Epson Corp 振動体および振動デバイス
JP2011199453A (ja) 2010-03-18 2011-10-06 Seiko Epson Corp 振動体および振動デバイス
JP5531699B2 (ja) 2010-03-19 2014-06-25 セイコーエプソン株式会社 振動デバイス
JP2011199672A (ja) 2010-03-19 2011-10-06 Seiko Instruments Inc ガラス基板の接合方法、ガラス接合体、パッケージの製造方法、パッケージ、圧電振動子、発振器、電子機器及び電波時計
JP2011223371A (ja) 2010-04-12 2011-11-04 Seiko Epson Corp 振動片、振動デバイスおよび電子機器
JP5549340B2 (ja) 2010-04-13 2014-07-16 セイコーエプソン株式会社 振動片、振動片の製造方法、振動デバイスおよび電子機器
JP5552878B2 (ja) 2010-04-14 2014-07-16 セイコーエプソン株式会社 振動片、振動デバイスおよび電子機器
JP2011228980A (ja) 2010-04-21 2011-11-10 Seiko Epson Corp 振動片、振動子、発振器、および電子機器
JP2011234072A (ja) 2010-04-27 2011-11-17 Seiko Epson Corp 圧電振動片および圧電デバイス
JP2011232264A (ja) 2010-04-29 2011-11-17 Seiko Epson Corp 圧電センサー、圧電センサー素子及び圧電振動片
JP2013062643A (ja) * 2011-09-13 2013-04-04 Seiko Epson Corp 振動片、振動子、発振器及び電子機器

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003289162A (ja) * 2002-03-28 2003-10-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd 圧電体薄膜素子
US20070228871A1 (en) * 2006-03-30 2007-10-04 Fujitsu Limited Thin-film piezoelectric device and method of manufacturing the same
CN101064197A (zh) * 2006-04-26 2007-10-31 中国计量学院 一种低温度交叉灵敏度的微悬臂梁谐振器
US20080143450A1 (en) * 2006-12-18 2008-06-19 Seiko Epson Corporation Piezoelectric oscillator and method for manufacturing the same, and mems device and method for manufacturing the same
JP2009239860A (ja) * 2008-03-28 2009-10-15 Epson Toyocom Corp 圧電振動片及びその製造方法
JP2011228922A (ja) * 2010-04-20 2011-11-10 Seiko Epson Corp 振動片、振動片の製造方法、振動子および発振器
CN102629861A (zh) * 2011-02-02 2012-08-08 精工爱普生株式会社 振动片、振子、振荡器以及电子设备

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109155615A (zh) * 2016-06-01 2019-01-04 株式会社村田制作所 谐振子以及谐振装置
CN109155615B (zh) * 2016-06-01 2022-08-26 株式会社村田制作所 谐振子以及谐振装置
CN109911843A (zh) * 2019-02-27 2019-06-21 上海华虹宏力半导体制造有限公司 金属薄膜图形的制造方法
CN109911843B (zh) * 2019-02-27 2021-08-24 上海华虹宏力半导体制造有限公司 金属薄膜图形的制造方法
CN112152586A (zh) * 2019-06-26 2020-12-29 精工爱普生株式会社 振动片、电子设备以及移动体
CN112152586B (zh) * 2019-06-26 2023-06-27 精工爱普生株式会社 振动片、电子设备以及移动体

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