CN104282279A - 移位寄存器单元、移位寄存器、栅极驱动电路和显示装置 - Google Patents

移位寄存器单元、移位寄存器、栅极驱动电路和显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN104282279A
CN104282279A CN201410509811.4A CN201410509811A CN104282279A CN 104282279 A CN104282279 A CN 104282279A CN 201410509811 A CN201410509811 A CN 201410509811A CN 104282279 A CN104282279 A CN 104282279A
Authority
CN
China
Prior art keywords
node
shift register
clock signal
register cell
output
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201410509811.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104282279B (zh
Inventor
马占洁
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN201410509811.4A priority Critical patent/CN104282279B/zh
Publication of CN104282279A publication Critical patent/CN104282279A/zh
Priority to KR1020157025365A priority patent/KR101692178B1/ko
Priority to PCT/CN2015/072166 priority patent/WO2016045294A1/zh
Priority to US14/761,842 priority patent/US9898958B2/en
Priority to JP2017535949A priority patent/JP6454420B2/ja
Priority to EP15749709.0A priority patent/EP3200182B1/en
Application granted granted Critical
Publication of CN104282279B publication Critical patent/CN104282279B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/2092—Details of a display terminals using a flat panel, the details relating to the control arrangement of the display terminal and to the interfaces thereto
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
    • G09G3/36—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
    • G09G3/3611—Control of matrices with row and column drivers
    • G09G3/3674—Details of drivers for scan electrodes
    • G09G3/3677—Details of drivers for scan electrodes suitable for active matrices only
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
    • G09G3/36—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
    • G11C19/18—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using capacitors as main elements of the stages
    • G11C19/182—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using capacitors as main elements of the stages in combination with semiconductor elements, e.g. bipolar transistors, diodes
    • G11C19/184—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using capacitors as main elements of the stages in combination with semiconductor elements, e.g. bipolar transistors, diodes with field-effect transistors, e.g. MOS-FET
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
    • G11C19/18—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using capacitors as main elements of the stages
    • G11C19/182—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using capacitors as main elements of the stages in combination with semiconductor elements, e.g. bipolar transistors, diodes
    • G11C19/184—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using capacitors as main elements of the stages in combination with semiconductor elements, e.g. bipolar transistors, diodes with field-effect transistors, e.g. MOS-FET
    • G11C19/186—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using capacitors as main elements of the stages in combination with semiconductor elements, e.g. bipolar transistors, diodes with field-effect transistors, e.g. MOS-FET using only one transistor per capacitor, e.g. bucket brigade shift register
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
    • G11C19/28—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using semiconductor elements
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2310/00—Command of the display device
    • G09G2310/02—Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
    • G09G2310/0264—Details of driving circuits
    • G09G2310/0286—Details of a shift registers arranged for use in a driving circuit
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2330/00—Aspects of power supply; Aspects of display protection and defect management
    • G09G2330/02—Details of power systems and of start or stop of display operation
    • G09G2330/028—Generation of voltages supplied to electrode drivers in a matrix display other than LCD

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
  • Shift Register Type Memory (AREA)
  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

本发明提供了一种移位寄存器单元及应用其的移位寄存器、栅极驱动电路和显示装置。在移位寄存器单元中在输出节点之前增加了包括两个小沟道宽度MOS管的信号放大模块，从而在相同设计参数状态下，就能实现在大负载条件下，输出能力明显改善的效果。

Description

移位寄存器单元、移位寄存器、栅极驱动电路和显示装置
技术领域
本发明涉及电气电子行业显示驱动电路技术领域，尤其涉及一种移位寄存器单元及应用其的移位寄存器、栅极驱动电路和显示装置。
背景技术
液晶显示器(Liquid Crystal Display，简称LCD)由于具有低功耗、重量轻、厚度薄、无电磁辐射以及无污染等优点，已广泛地应用于包括手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、照相机、摄像机、数码相框、导航仪等在内的具有显示功能的产品或部件中。
在现有的液晶显示器中，像素阵列可以包括横纵交错的栅极扫描线和数列数据线。其中，为了实现像素阵列的逐行扫描，通常采用栅线驱动电路给像素阵列的栅极扫描线提供扫描信号。
现有技术中，栅极驱动电路常采用GOA(Gate Driver on Array，阵列基板行驱动)设计将TFT(Thin Film Transistor，薄膜场效应晶体管)栅极开关电路集成在显示面板的阵列基板上以形成对显示面板的扫描驱动，这种利用GOA技术集成在阵列基板上的栅极驱动电路也称为GOA电路或移位寄存器电路。
然而，现有技术的移位寄存器单元中，当输出端口Output上负载变大时，其输出能力变差，若在现有结构上进行输出能力的提升，需要将相应的晶体管沟道宽度加大很多，才能提高输出能力，会占用很多设计空间。
发明内容
(一)要解决的技术问题
鉴于上述技术问题，本发明提供了一种在大负载情况下能够保持输出能力大致不变的移位寄存器单元及应用其的移位寄存器、栅极驱动电路和显示装置。
(二)技术方案
本发明提供了一种移位寄存器单元。该移位寄存器单元包括：输入模块，响应于第一时钟信号输入端输入的时钟信号，将输入信号STV提供至第一节点A，其中，该第一节点A为该输入模块的输出节点；上拉模块，响应于输入信号STV，将电源正极电压VGH提供至第三节点C；下拉模块，响应于第三时钟信号输入端输入的时钟信号，将电源负极电压VGL提供至第三节点C，该第三节点C作为上拉模块和下拉模块共同的输出节点；复位模块，响应于第三节点C的输入信号，将电源正极电压VGH提供至第一节点A；第一输出模块，响应于第三节点C的输入信号，将电源正极电压VGH提供至移位寄存器单元的输出节点Output，其中，电源正极电压VGH和第三节点C之间设置第二电容C2；第二输出模块，响应于第一节点A的输入信号，将第二时钟输入端输入的时钟信号提供至第四节点D，其中，第四节点D和第一节点A之间设置第一电容C1；以及信号放大模块，呈反相器结构，设置于第四节点D和移位寄存器单元的输出节点Output之间，用于对第四节点D的信号进行放大后输出。
根据本发明的另一个方面，还提供了一种移位寄存器。该移位寄存器包括：n级的如上所述移位寄存器单元，其中，n≥2；前一级移位寄存器单元的输出端口Output)输出的信号作为后一级移位寄存器单元的输入信号STV)。
根据本发明的又一个方面，再提供了一种栅极驱动电路。该栅极驱动电路包括上述的移位寄存器。
根据本发明的再一个方面，再提供了一种显示装置。该显示装置包括上述的栅极驱动电路。
(三)有益效果
本发明移位寄存器单元及应用其的移位寄存器、栅极驱动电路和显示装置中，仅在原有移位寄存器单元基础上增加两个小沟道宽度的晶体管，在相同设计参数状态下，就能实现在大负载条件下，输出能力明显改善的效果，并且占用的设计空间小，实现成本低。
附图说明
图1为根据本发明第一实施例移位寄存器单元的结构示意图；
图2为图1所示移位寄存器单元中各信号的时序图；
图3为现有移位寄存器单元和图1所示移位寄存器单元输出能力对比的曲线图；
图4为根据本发明实施例移位寄存器中一部分的结构示意图；
图5为图4所示移位寄存器中各信号的时序图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本发明进一步详细说明。需要说明的是，在附图或说明书描述中，相似或相同的部分都使用相同的图号。附图中未绘示或描述的实现方式，为所属技术领域中普通技术人员所知的形式。另外，虽然本文可提供包含特定值的参数的示范，但应了解，参数无需确切等于相应的值，而是可在可接受的误差容限或设计约束内近似于相应的值。
本发明移位寄存器单元中，仅在原有移位寄存器单元基础上增加两个小沟道宽度的晶体管，在相同设计参数状态下，就能实现在大负载条件下，输出能力明显改善的效果。
一、第一实施例
在本发明的一个示例性实施例中，提供了一种移位寄存器单元。图1为根据本发明实施例移位寄存器单元的结构示意图。如图1所示，本实施例移位寄存器单元包括：
输入模块101，响应于第一时钟信号输入端输入的时钟信号CLK1，将输入信号STV提供至第一节点A，其中，该第一节点A为该输入模块101的输出节点；
上拉模块102，响应于输入信号STV，将电源正极电压VGH提供至第三节点C；
下拉模块103，响应于第三时钟信号输入端输入的时钟信号CLK3，将电源负极电压VGL提供至第三节点C，该第三节点C作为上拉模块102和下拉模块103共同的输出节点；
复位模块104，响应于第三节点C的输入信号，将电源正极电压VGH提供至第一节点A；
第一输出模块105，响应于第三节点C的输入信号，将电源正极电压VGH提供至本实施例移位寄存器单元的输出节点Output，其中，电源正极电压VGH和第三节点C之间设置第二电容C2；
第二输出模块106，响应于第一节点A的输入信号，将第二时钟信号输入端输入的时钟信号CLK2提供至第四节点D，其中，第四节点D和第一节点A之间设置第一电容C1；
信号放大模块107，呈反相器结构，设置于第四节点D和输出节点Output之间，用于对第四节点D的信号进行放大后输出。
以下结合图1对本实施例移位寄存器的各个组成部分分别进行详细说明。
请参照图1，下拉模块101包括：第一P型TFT晶体管M1，其栅极连接至第一时钟信号输入端，其源极连接至输入信号STV的输入端，其漏极连接至第一节点A。
请参照图1，上拉模块102包括：第三P型TFT晶体管M3，其栅极连接至输入信号STV的输入端，其源极连接至电源正极电压VGH，其漏极连接至第三节点C。
请参照图1，下拉节点103包括：第四P型TFT晶体管M4，其栅极连接至第三时钟信号输入端，其漏极连接至电源负极电压VGL的输入端，其源极连接至第三节点C。
请参照图1，复位模块104包括：第二P型TFT晶体管M2，其栅极连接至第三节点C，其源极连接至电源正极电压VGH的输入端，其漏极连接至第一节点A。
请参照图1，第一输出模块105包括：第五P型TFT晶体管M5，其栅极连接至第三节点C，其源极连接至电源正极电压VGH的输入端，其漏极连接至输出节点Output，且该第五P型TFT晶体管M5的栅极和源极之间设置第二电容C2。
请参照图1，第二输出模块106包括：第六P型TFT晶体管M6，其栅极连接至第一节点A，其漏极连接至第二时钟信号CLK2的输入端，其源极连接至第四节点D，且该第六P型TFT晶体管M6的源极和栅极之间设置第一电容C1。
请参照图1，信号放大模块107包括：第七P型TFT晶体管M7，其栅极和漏极均连接至第四节点D；第八P型TFT晶体管M8，其栅极连接至第七P型TFT晶体管M7的源极，其源极连接至第四节点D，其漏极连接至输出节点Output。
由图1可以看出，本实施例移位寄存器在输出端第六P型TFT晶体管M6上增加了一个反相器结构的信号放大模块107，该信号放大模块107在第六P型TFT晶体管M6的输出端增加了一个信号放大功能的第七P型TFT晶体管M7和第八P型TFT晶体管M8，来提高第六P型TFT晶体管M6的输出能力。
尤其需要说明的是，该第七P型TFT晶体管M7和第八P型TFT晶体管M8均为小沟道宽度的晶体管，就能够明显提高第六P型TFT晶体管M6的输出能力。并且，相比于通过增加第五P型晶体管M5和第六P型晶体管M6的沟道宽度来提升第六P型晶体管M6的输出能力，其成本将大大降低。
本领域技术人员应当清楚，上述的小沟道宽度是与移位寄存器连接负载的大小相关联的，因此不能直接就以某个数值作为代表。本发明中采用这种结构可以降低沟道长度，是指在相同负载状态下，相对不采用这种结构的移位寄存器而言，可以降低相应TFT沟道长度，只是个对比结果，其不能是具体数值，特此解释。
本实施例中，所有薄膜晶体管TFT均为P型薄膜晶体管TFT，且所有薄膜晶体管TFT在低电平时导通，高电平时断开。
本实施例信号时序同样参照图2所示，本实施例移位寄存器单元的工作原理如下：
第一阶段(t1)：STV和CLK1为低压开启信号，由CLK1控制的第一P型TFT晶体管M1开启，将STV的低压信号传输到第六P型TFT晶体管M6的栅极，并且通过第一电容C1进行保存，同时该信号还将第六P型TFT晶体管M6开启，将此时CLK2的高压信号通过第六P型TFT晶体管M6传输给Output端。由STV控制的第三P型TFT晶体管M3开启，将高压VGH信号输入到第五P型TFT晶体管M5的栅极，并且通过第二电容C2进行保持。
第二阶段(t2)：CLK2变成低压开启信号，此时存储在第一电容C1的第六P型TFT晶体管M6栅极电位将第六P型TFT晶体管M6打开，CLK2的低压信号通过第六P型TFT晶体管M6传输给具有信号放大功能的第七P型TFT晶体管M7和第八P型TFT晶体管M8，通过他们来提高CLK2的输出能力，将信号传输到Output。此时第五P型TFT晶体管M5栅极的高压信号通过第二电容C2进行存储，使第五P型TFT晶体管M5保持关闭状态。
第三阶段(t3)：CLK3为低压开启信号，使第四P型TFT晶体管M4开启，低压VGL信号通过第四P型TFT晶体管M4传输到第五P型TFT晶体管M5和第二P型TFT晶体管M2的栅极，并且通过第二电容C2进行保持。VGL信号使第二P型TFT晶体管M2开启，将VGH信号通过第二P型TFT晶体管M2传输到第六P型TFT晶体管M6的栅极，使第六P型TFT晶体管M6关断，并且通过第一电容C1进行保存。当第六P型TFT晶体管M6关断后，第七P型TFT晶体管M7和第八P型TFT晶体管M8也关断。VGL信号将第五P型TFT晶体管M5开启，使VGH信号通过第五P型TFT晶体管M5传输到输出节点Output上。
第四阶段(t4)：CLK1变成低压信号，而此时STV已为高压信号。STV的高压信号通过第一P型TFT晶体管M1传输到第六P型TFT晶体管M6的栅极，使第六P型TFT晶体管M6关断，并且通过第一电容C1进行保持。此时第五P型TFT晶体管M5的栅极为上阶段保持的VGL信号，因此第五P型TFT晶体管M5依旧开启，将VGH信号传输到输出节点Output上。
第五阶段(t5)：CLK2为开启信号，不过此时第六P型TFT晶体管M6栅极上为上桢保持的高压信号，第六P型TFT晶体管M6处于关闭状态。M5栅极还是上桢通过第二电容C2保持的低压信号，VGH信号还是通过第五P型TFT晶体管M5传输到输出节点Output上。
第六阶段(t6)和第三阶段一样。
其余时段的工作就是重复第四阶段到第六阶段的动作，这样输出节点Output就一直输出VGH信号。
图3为本实施例移位寄存器单元与现有移位寄存器单元输出能力对比的曲线图。由图3可知，本实施例移位寄存器单元无论是曲线的下降能力还是上升能力，均比现有移位寄存器单元有大幅提升，并且占用的设计空间小，实现的成本低。
至此，本发明实施例移位寄存器单元介绍完毕。
二、第二实施例
在本发明的第二个示例性实施例中，还提供了另外一种移位寄存器单元。该移位寄存器单元与第一实施例移位寄存器单元的区别在于：该移位寄存器中的晶体管均为N型的TFT晶体管。
本实施例中，只需将如图1所示的移位寄存器单元的各信号高低电位反向，电源正极电压VGH与电源负极电压VGL位置互换即可实现。
三、第三实施例
在本发明的第三个示例性实施例中，还提供了一种级联的移位寄存器。该移位寄存器包括级联的n个如实施例一所述的移位寄存器单元，n≥3。在图4中仅给出该移位寄存器的一部分，即4个移位寄存器单元。
请参照图4，为每一移位寄存器单元提供电源正极电压VGH、电源负极电压VGL，前一级移位寄存器单元的输出端口Output与后一级移位寄存器单元的输入信号STV端连接。
如图5所示，在该移位寄存器中，相邻的三个移位寄存器单元-第i、i+1、i+2级的移位寄存器单元，的时钟信号满足以下关系：
(1)对于第i个移位寄存器单元，其第一时钟信号输入端输入的时钟信号为CLK1，其第二时钟信号输入端输入的时钟信号为CLK2，其第三时钟信号输入端输入的时钟信号为CLK3；
(2)对于第i+1个移位寄存器单元，其第一时钟信号输入端输入的时钟信号为上述CLK2，其第二时钟信号输入端输入的时钟信号为上述CLK3，其第三时钟信号输入端输入的时钟信号为上述CLK1；
(3)对于第i+2个移位寄存器单元，其第一时钟信号输入端输入的时钟信号为上述CLK3，其第二时钟信号输入端输入的时钟信号为上述CLK1，其第三时钟信号输入端输入的时钟信号为CLK2；
本领域技术人员应当清楚，对于第i+3个移位寄存器单元而言，其时钟信号的输入与第i个移位寄存器相同，即第一时钟信号输入端输入的时钟信号为CLK1，其第二时钟信号输入端输入的时钟信号为CLK2，其第三时钟信号输入端输入的时钟信号为CLK3，依次类推。
需要说明的是，上述i为大于等于1的整数，且i+2≤n。
请参照图5，在该移位寄存器中，后一级移位寄存器单元的输出信号时序相比于前一级移位寄存器单元的输出信号时序，高电平信号向后顺延。
本领域技术人员应当清楚，该移位寄存器级联的个数可以根据需要进行设计，其可以为大于等于2的任意级，只要其时钟信号按照上述顺序进行轮换即可。
四、第四实施例
在本发明的第四个示例性实施例中，还提供了一种栅极驱动电路。该栅极驱动电路包括第三实施例所述的移位寄存器。该栅极驱动电路中除该移位寄存器之外的其他部件采用现有技术栅极驱动电路中相应部件即可，此处不再详细描述。
五、第五实施例
在本发明的第五个示例性实施例中，还提供了一种显示装置。该显示装置包括第四实施例的栅极驱动电路。该显示装置除该栅极驱动电路之外的其他部件采用现有技术显示装置中相应部件即可，此处不再详细描述。
至此，已经结合附图对本发明五个实施例进行了详细描述。依据以上描述，本领域技术人员应当对本发明移位寄存器单元及应用其的移位寄存器、栅极驱动电路和显示装置有了清楚的认识。
此外，上述对各元件和方法的定义并不仅限于实施例中提到的各种具体结构、形状或方式，本领域普通技术人员可对其进行简单地更改或替换。
综上所述，本发明的移位寄存器相比于现有移位寄存器增加两个小的晶体管，构成一个反相器结构，就能实现在大负载条件下，输出能力明显改善的效果，其无论是曲线的下降能力还是上升能力，均比现有结构有大幅提升。基于该移位寄存器单元，本发明的移位寄存器、栅极驱动电路和显示装置与现有技术的相应装置在效果上均能得到对应的提升，并且实现成本低，不会增加太大的成本。
以上所述的具体实施例，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (11)

1.一种移位寄存器单元，其特征在于，包括：
输入模块，响应于第一时钟信号输入端输入的时钟信号，将输入信号(STV)提供至第一节点(A)，其中，该第一节点(A)为该输入模块的输出节点；
上拉模块，响应于输入信号(STV)，将电源正极电压(VGH)提供至第三节点(C)；
下拉模块，响应于第三时钟信号输入端输入的时钟信号，将电源负极电压(VGL)提供至第三节点(C)，该第三节点(C)作为所述上拉模块和下拉模块共同的输出节点；
复位模块，响应于所述第三节点(C)的输入信号，将电源正极电压(VGH)提供至第一节点(A)；
第一输出模块，响应于所述第三节点(C)的输入信号，将电源正极电压(VGH)提供至所述移位寄存器单元的输出节点(Output)，其中，电源正极电压(VGH)和第三节点(C)之间设置第二电容(C2)；
第二输出模块，响应于所述第一节点(A)的输入信号，将第二时钟输入端输入的时钟信号提供至第四节点(D)，其中，所述第四节点(D)和第一节点(A)之间设置第一电容(C1)；以及
信号放大模块，设置于所述第四节点(D)和所述移位寄存器单元的输出节点(Output)之间，用于对所述第四节点(D)的信号进行放大后输出。
2.根据权利要求1所述的移位寄存器单元，其特征在于，所述信号放大模块，呈反相器结构，包括：
第七P型TFT晶体管(M7)，其栅极和漏极均连接至所述第四节点(D)；
第八P型TFT晶体管(M8)，其栅极连接至所述第七P型TFT晶体管(M7)的源极，其源极连接至所述第四节点(D)，其漏极连接至所述移位寄存器单元的输出节点(Output)。
3.根据权利要求1所述的移位寄存器单元，其特征在于，所述上拉模块包括：
第三P型TFT晶体管(M3)，其栅极连接至输入信号(STV)的输入端，其源极连接至电源正极电压(VGH)，其漏极连接至所述第三节点(C)。
4.根据权利要求1所述的移位寄存器单元，其特征在于，所述下拉模块包括：
第四P型TFT晶体管(M4)，其栅极连接至第三时钟信号输入端，其漏极连接至电源负极电压(VGL)，其源极连接至第三节点(C)。
5.根据权利要求1所述的移位寄存器单元，其特征在于，所述复位模块包括：
第二P型TFT晶体管(M2)，其栅极连接至所述第三节点(C)，其源极连接至电源正极电压(VGH)，其漏极连接至所述第一节点(A)。
6.根据权利要求1所述的移位寄存器单元，其特征在于，所述第一输出模块包括：
第五P型TFT晶体管(M5)，其栅极连接至所述第三节点(C)，其源极连接至电源正极电压(VGH)，其漏极连接至所述移位寄存器单元的输出节点(Output)，且该第五P型TFT晶体管(M5)的栅极和源极之间设置第二电容(C2)。
7.根据权利要求1所述的移位寄存器单元，其特征在于，所述第二输出模块包括：
第六P型TFT晶体管(M6)，其栅极连接至第一节点(A)，其漏极连接至第二时钟信号输入端，其源极连接至所述第四节点(D)，且该第六P型TFT晶体管(M6)的源极和栅极之间设置第一电容(C1)。
8.一种移位寄存器，其特征在于，包括n级的如权利要求1至7中任一项所述移位寄存器单元，其中，n≥2；
前一级移位寄存器单元的输出端口(Output)输出的信号作为后一级移位寄存器单元的输入信号(STV)。
9.根据权利要求8所述的移位寄存器，其特征在于，所述n≥3，相邻的第i、i+1、i+2级的移位寄存器单元的时钟信号满足以下关系：
第i级移位寄存器单元的第一时钟信号输入端、第i+1级移位寄存器单元的第三时钟信号输入端、第i+2级移位寄存器单元的第二时钟信号输入端同时输入第一时钟信号(CLK1)；
第i级移位寄存器单元的第二时钟信号输入端、第i+1级移位寄存器单元的第一时钟信号输入端、第i+2级移位寄存器单元的第三时钟信号输入端同时输入第二时钟信号(CLK2)；
第i级移位寄存器单元的第三时钟信号输入端、第i+1级移位寄存器单元的第二时钟信号输入端、第i+2级移位寄存器单元的第一时钟信号输入端同时输入第三时钟信号(CLK2)；
其中，i为大于等于1的整数，且i+2≤n。
10.一种栅极驱动电路，其特征在于，包括权利要求8或9所述的移位寄存器。
11.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求10所述的栅极驱动电路。
CN201410509811.4A 2014-09-28 2014-09-28 移位寄存器单元、移位寄存器、栅极驱动电路和显示装置 Active CN104282279B (zh)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410509811.4A CN104282279B (zh) 2014-09-28 2014-09-28 移位寄存器单元、移位寄存器、栅极驱动电路和显示装置
KR1020157025365A KR101692178B1 (ko) 2014-09-28 2015-02-03 시프트 레지스터 유닛, 시프트 레지스터, 게이트 드라이버 회로 및 디스플레이 장치
PCT/CN2015/072166 WO2016045294A1 (zh) 2014-09-28 2015-02-03 移位寄存器单元、移位寄存器、栅极驱动电路和显示装置
US14/761,842 US9898958B2 (en) 2014-09-28 2015-02-03 Shift register unit, shift register, gate driver circuit and display apparatus
JP2017535949A JP6454420B2 (ja) 2014-09-28 2015-02-03 シフトレジスタユニット、シフトレジスタ、ゲート駆動回路及び表示装置
EP15749709.0A EP3200182B1 (en) 2014-09-28 2015-02-03 Shift register unit, shift register, gate drive circuit and display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410509811.4A CN104282279B (zh) 2014-09-28 2014-09-28 移位寄存器单元、移位寄存器、栅极驱动电路和显示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104282279A true CN104282279A (zh) 2015-01-14
CN104282279B CN104282279B (zh) 2016-09-28

Family

ID=52257106

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410509811.4A Active CN104282279B (zh) 2014-09-28 2014-09-28 移位寄存器单元、移位寄存器、栅极驱动电路和显示装置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9898958B2 (zh)
EP (1) EP3200182B1 (zh)
JP (1) JP6454420B2 (zh)
KR (1) KR101692178B1 (zh)
CN (1) CN104282279B (zh)
WO (1) WO2016045294A1 (zh)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104851382A (zh) * 2015-05-29 2015-08-19 京东方科技集团股份有限公司 一种移位寄存器单元、移位寄存器和显示装置
WO2016045294A1 (zh) * 2014-09-28 2016-03-31 京东方科技集团股份有限公司 移位寄存器单元、移位寄存器、栅极驱动电路和显示装置
CN106847221A (zh) * 2017-03-20 2017-06-13 京东方科技集团股份有限公司 移位寄存器单元、栅极驱动电路以及驱动方法
CN107978276A (zh) * 2018-01-19 2018-05-01 昆山国显光电有限公司 级电路、扫描驱动器及显示装置
CN108288439A (zh) * 2017-01-10 2018-07-17 陈扬证 显示装置
WO2019010956A1 (zh) * 2017-07-10 2019-01-17 京东方科技集团股份有限公司 移位寄存器单元及其驱动方法、栅极驱动电路及显示装置
CN109961746A (zh) * 2019-05-06 2019-07-02 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 用于显示屏的驱动电路
US10891902B2 (en) 2019-05-06 2021-01-12 Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Driving circuit of display device

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104835442B (zh) * 2015-05-28 2017-09-26 京东方科技集团股份有限公司 移位寄存器及其驱动方法、栅极驱动电路和显示装置
CN105448261B (zh) * 2015-12-31 2018-05-18 深圳市华星光电技术有限公司 液晶显示器
CN106057143A (zh) * 2016-05-30 2016-10-26 京东方科技集团股份有限公司 移位寄存器及其操作方法、栅极驱动电路和显示装置
CN106531041B (zh) * 2016-12-29 2019-01-22 深圳市华星光电技术有限公司 Oled驱动薄膜晶体管的k值侦测方法
CN108320693B (zh) * 2018-02-27 2022-04-19 京东方科技集团股份有限公司 一种栅极驱动电路及其驱动方法、阵列基板及显示装置
KR102522804B1 (ko) * 2018-10-12 2023-04-19 엘지디스플레이 주식회사 시프트 레지스터 및 이를 이용한 표시장치
CN110322843B (zh) * 2019-07-23 2020-08-11 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种goa单元、goa电路及显示面板
KR102291634B1 (ko) * 2020-10-14 2021-08-18 김태현 프로그레시브 스캔 및 인터레이스드 스캔의 선택적 구동이 가능한 디스플레이 장치

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004004597A (ja) * 2003-03-10 2004-01-08 Seiko Epson Corp 薄膜トランジスタ回路
CN101568954A (zh) * 2007-01-31 2009-10-28 夏普株式会社 显示装置
CN101779252A (zh) * 2007-09-12 2010-07-14 夏普株式会社 移位寄存器
US20100177082A1 (en) * 2009-01-13 2010-07-15 Soong-Yong Joo Gate driving circuit and display apparatus having the same
CN102629463A (zh) * 2012-03-29 2012-08-08 京东方科技集团股份有限公司 移位寄存器单元、移位寄存器电路、阵列基板及显示器件

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3997674B2 (ja) * 1999-12-09 2007-10-24 カシオ計算機株式会社 シフトレジスタ及び電子装置
JP2006106320A (ja) 2004-10-05 2006-04-20 Alps Electric Co Ltd 液晶表示装置の駆動回路
KR101437086B1 (ko) * 2006-01-07 2014-09-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치와, 이 반도체장치를 구비한 표시장치 및 전자기기
KR100796137B1 (ko) * 2006-09-12 2008-01-21 삼성에스디아이 주식회사 쉬프트 레지스터 및 이를 이용한 유기전계발광 표시장치
JP2009188749A (ja) 2008-02-06 2009-08-20 Sony Corp インバータ回路、シフトレジスタ回路、否定論理和回路、否定論理積回路
WO2009104307A1 (ja) 2008-02-19 2009-08-27 シャープ株式会社 シフトレジスタ回路および表示装置ならびにシフトレジスタ回路の駆動方法
KR20100006063A (ko) * 2008-07-08 2010-01-18 삼성전자주식회사 게이트 드라이버 및 이를 갖는 표시장치
US8605028B2 (en) * 2008-11-28 2013-12-10 Sharp Kabushiki Kaisha Scanning signal line drive circuit, shift register and display device
CN102012591B (zh) * 2009-09-04 2012-05-30 北京京东方光电科技有限公司 移位寄存器单元及液晶显示器栅极驱动装置
WO2011114569A1 (ja) * 2010-03-15 2011-09-22 シャープ株式会社 シフトレジスタ、走査信号線駆動回路、および表示装置
KR101760102B1 (ko) * 2010-07-19 2017-07-21 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치, 표시 장치를 위한 주사 구동 장치 및 그 구동 방법
TWI445310B (zh) * 2010-12-27 2014-07-11 Au Optronics Corp 移位暫存器
WO2013160941A1 (ja) * 2012-04-25 2013-10-31 パナソニック株式会社 シフトレジスタ及び表示装置
KR101991874B1 (ko) * 2012-11-28 2019-06-21 엘지디스플레이 주식회사 쉬프트 레지스터와 이의 구동방법
CN103035218B (zh) * 2012-12-14 2016-02-03 京东方科技集团股份有限公司 一种移位寄存器单元、栅极驱动电路及显示器件
CN103761937B (zh) * 2014-01-27 2017-01-11 京东方科技集团股份有限公司 移位寄存器单元、栅极驱动电路及其驱动方法、显示装置
CN104282279B (zh) * 2014-09-28 2016-09-28 京东方科技集团股份有限公司 移位寄存器单元、移位寄存器、栅极驱动电路和显示装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004004597A (ja) * 2003-03-10 2004-01-08 Seiko Epson Corp 薄膜トランジスタ回路
CN101568954A (zh) * 2007-01-31 2009-10-28 夏普株式会社 显示装置
CN101779252A (zh) * 2007-09-12 2010-07-14 夏普株式会社 移位寄存器
US20100177082A1 (en) * 2009-01-13 2010-07-15 Soong-Yong Joo Gate driving circuit and display apparatus having the same
CN102629463A (zh) * 2012-03-29 2012-08-08 京东方科技集团股份有限公司 移位寄存器单元、移位寄存器电路、阵列基板及显示器件

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9898958B2 (en) 2014-09-28 2018-02-20 Boe Technology Group Co., Ltd. Shift register unit, shift register, gate driver circuit and display apparatus
WO2016045294A1 (zh) * 2014-09-28 2016-03-31 京东方科技集团股份有限公司 移位寄存器单元、移位寄存器、栅极驱动电路和显示装置
CN104851382A (zh) * 2015-05-29 2015-08-19 京东方科技集团股份有限公司 一种移位寄存器单元、移位寄存器和显示装置
CN104851382B (zh) * 2015-05-29 2017-08-29 京东方科技集团股份有限公司 一种移位寄存器单元、移位寄存器和显示装置
US10700153B2 (en) 2017-01-10 2020-06-30 Yang-Chen Chen Display device
CN108288439B (zh) * 2017-01-10 2020-06-30 陈扬证 显示装置
CN108288439A (zh) * 2017-01-10 2018-07-17 陈扬证 显示装置
US10803823B2 (en) 2017-03-20 2020-10-13 Boe Technology Group Co., Ltd. Shift register unit, gate driving circuit, and driving method
CN106847221A (zh) * 2017-03-20 2017-06-13 京东方科技集团股份有限公司 移位寄存器单元、栅极驱动电路以及驱动方法
CN109243351A (zh) * 2017-07-10 2019-01-18 京东方科技集团股份有限公司 移位寄存器单元及其驱动方法、栅极驱动电路及显示装置
WO2019010956A1 (zh) * 2017-07-10 2019-01-17 京东方科技集团股份有限公司 移位寄存器单元及其驱动方法、栅极驱动电路及显示装置
CN109243351B (zh) * 2017-07-10 2021-01-15 京东方科技集团股份有限公司 移位寄存器单元及其驱动方法、栅极驱动电路及显示装置
US11263940B2 (en) 2017-07-10 2022-03-01 Boe Technology Group Co., Ltd. Shift register unit, driving method thereof, gate drive circuit and display device
CN107978276B (zh) * 2018-01-19 2019-08-23 昆山国显光电有限公司 级电路、扫描驱动器及显示装置
CN107978276A (zh) * 2018-01-19 2018-05-01 昆山国显光电有限公司 级电路、扫描驱动器及显示装置
CN109961746A (zh) * 2019-05-06 2019-07-02 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 用于显示屏的驱动电路
CN109961746B (zh) * 2019-05-06 2020-09-08 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 用于显示屏的驱动电路
US10891902B2 (en) 2019-05-06 2021-01-12 Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Driving circuit of display device

Also Published As

Publication number Publication date
US20160253950A1 (en) 2016-09-01
CN104282279B (zh) 2016-09-28
JP2017535908A (ja) 2017-11-30
EP3200182A4 (en) 2018-05-02
KR101692178B1 (ko) 2017-01-17
EP3200182A1 (en) 2017-08-02
EP3200182B1 (en) 2019-09-11
KR20160051675A (ko) 2016-05-11
JP6454420B2 (ja) 2019-01-16
WO2016045294A1 (zh) 2016-03-31
US9898958B2 (en) 2018-02-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104282279A (zh) 移位寄存器单元、移位寄存器、栅极驱动电路和显示装置
CN104282255B (zh) 移位寄存器、栅极驱动电路及其驱动方法、显示装置
CN103280200B (zh) 移位寄存器单元、栅极驱动电路与显示器件
CN108319385B (zh) 移位寄存器及具有移位寄存器的触控显示装置
KR102044547B1 (ko) 액정 표시 장치를 위한 ｇｏａ 회로 및 액정 표시 장치
CN1677575B (zh) 移位寄存器及其驱动方法
CN105096803B (zh) 移位寄存器及其驱动方法、栅极驱动电路、显示装置
KR101170241B1 (ko) Ｅｐｄ 및 디스플레이 장치의 구동회로
US8724406B2 (en) Bidirectional shift register and the driving method thereof
CN105336291A (zh) 移位寄存器单元及其驱动方法与显示装置
CN104867438A (zh) 移位寄存器单元及其驱动方法、移位寄存器和显示装置
CN105513531B (zh) 移位寄存器单元、驱动方法、栅极驱动电路及显示装置
CN106057143A (zh) 移位寄存器及其操作方法、栅极驱动电路和显示装置
CN101609719B (zh) 显示装置的移位寄存器
CN104809978A (zh) 移位寄存器单元、驱动方法、栅极驱动电路及显示装置
CN105590601A (zh) 驱动电路、阵列基板及显示装置
WO2017124731A1 (zh) 移位寄存器及其驱动方法、goa电路以及显示装置
CN106228927A (zh) 移位寄存器单元、驱动方法、栅极驱动电路及显示装置
CN103915074B (zh) 一种移位寄存器单元、栅极驱动装置和显示面板
CN105096889A (zh) 一种移位寄存器、其驱动方法、栅极驱动电路及显示装置
CN106157874A (zh) 移位寄存器单元、驱动方法、栅极驱动电路及显示装置
CN105427799B (zh) 移位寄存单元、移位寄存器、栅极驱动电路及显示装置
CN102222477A (zh) 栅极驱动方法、栅极驱动电路及像素结构
CN101510443A (zh) 能降低耦合效应的移位寄存器
CN108597431A (zh) 移位寄存器单元及其控制方法、栅极驱动电路、显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant