CN103390498B - 电子部件、电子部件内置基板以及电子部件的制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明是电子部件、电子部件内置基板以及电子部件的制造方法。提供具有经过改善的可靠性的电子部件。电子部件(1)具备胚体(10)、和配置于胚体(10)的外表面的第1以及第2外部电极(13、14)。第1以及第2外部电极(13、14)具有含金属铜的层、和在胚体(10)上相互对置的第1以及第2外部电极(13、14)的缘端部覆盖含金属铜的层的由氧化铜构成的保护层(15、16)。
Description
技术领域
本发明涉及电子部件、电子部件内置基板以及电子部件的制造方法。
背景技术
现有技术中，在例如移动通信终端等的各种的电子装置中使用陶瓷电容器等的陶瓷电子部件。近年来，对于电子设备的小型化的要求不断高涨，与此相伴，提出通过将电子部件嵌入布线基板内来小型化的电子设备的技术。一般来说，嵌入到布线基板内的电子部件与布线的电连接介由导通孔电极来进行。用于形成该导通孔电极的导通孔通过朝向布线基板内的电子部件的外部电极照射激光而形成。为此，在基板嵌入型的电子部件中，谋求外部电极对激光的耐受性良好。鉴于此，作为嵌入到布线基板内的电子部件，例如在专利文献1中公开了具有由Cu镀膜构成表层的外部电极的陶瓷电子部件。
专利文献1：JP特开2012-28456号公报
近年来，希望进一步改善陶瓷电子部件的气候耐受性、特别是在高温潮湿环境下的可靠性的要求不断提高。
发明内容
本发明主要目的在于提供具有经过改善的具有可靠性的电子部件。
本发明所涉及的电子部件具备：胚体；和配置于胚体的外表面的第1以及第2外部电极。第1以及第2外部电极具有：含金属铜的层；和保护层，其在第1以及第2的外部电极的缘端部覆盖含金属铜的层，并由氧化铜构成，其中，第1以及第2外部电极的缘端部在胚体上相互对置。
在本发明所涉及的电子部件的某特定的局面中，保护层覆盖含金属铜的层的表面整体。
在本发明所涉及的电子部件的另外特定的局面中，保护层含Cu2O。
在本发明所涉及的电子部件的其它特定的局面中，保护层含CuO。
在本发明所涉及的电子部件的再其它特定的局面中，第1外部电极和第2外部电极之间的最短距离为0.6mm以下。
本发明所涉及的电子部件内置基板，具备：树脂基板；和埋设于树脂基板内的电子部件。电子部件具备：胚体；和配置于胚体的外表面的第1以及第2外部电极。第1以及第2外部电极具有：含金属铜的层；和保护层，其在第1以及第2的外部电极的缘端部覆盖含金属铜的层的表面，并由氧化铜构成，其中，第1以及第2外部电极的缘端部在胚体上相互对置。
在本发明所涉及的电子部件内置基板的某特定的局面中，树脂基板在树脂基板的主面开口，并具有面临第1或第2外部电极的含金属铜的层的导通孔。电子部件内置基板还具备：导通孔电极，其配置于导通孔内，与第1或第2外部电极的含金属铜的层连接。
在本发明所涉及的电子部件内置基板的另外特定的局面中，导通孔贯通保护层而面临第1或第2外部电极的含金属铜的层。
在本发明所涉及的电子部件的制造方法中，准备胚体。在胚体上形成外部电极。形成外部电极的工序包含：形成含金属铜的层的工序；和通过对含金属铜的层的表层进行氧化处理来形成由氧化铜构成的保护层的工序。
在本发明所涉及的电子部件的制造方法的某特定的局面中，通过在有氧气氛下加热外部电极来进行氧化工序。
发明的效果
根据本发明，能提供具有经过改善的可靠性的电子部件。
附图说明
图1是本发明的一个实施方式所涉及的陶瓷电子部件的简略的立体图。
图2是沿着本发明的一个实施方式所涉及的陶瓷电子部件的长度方向以及厚度方向简略的截面图。
图3是是沿着本发明的一个实施方式所涉及的陶瓷电子部件的宽度方向以及厚度方向简略的截面图。
图4是沿着本发明的一个实施方式中的电子部件内置基板的一部分的层叠方向以及厚度方向的简略的截面图。
图5是沿着第1变形例所涉及的陶瓷电子部件的长度方向以及厚度方向的简略的截面图。
图6是第2变形例所涉及的陶瓷电子部件的简略的立体图。
图7是第3变形例所涉及的陶瓷电子部件的简略的立体图。
图8是第4变形例所涉及的陶瓷电子部件的简略的立体图。
图9是在实施例中制作的电子部件内置基板的简略的俯视图。
图10是图9的X-X线的简略的截面图。
图11是实验例1的Cu-LMM能谱。
图12是实验例2的Cu-LMM能谱。
图13是实验例3的Cu-LMM能谱。
符号的说明
1 陶瓷电子部件
2 电子部件内置基板
10 胚体
10a 第1主面
10b 第2主面
10c 第1侧面
10d 第2侧面
10e 第1端面
10f 第2端面
10g 陶瓷层
11 第1内部电极
12 第2内部电极
13 第1外部电极
14 第2外部电极
15 第1保护层
16 第2保护层
17a、17b 导通孔
18a、18b 导通孔电极
20 树脂基板
20a 主面
21 基底电极层
22 镀层
23、24 在表面设有保护层的外部电极
具体实施方式
下面，说明实施本发明的优选的形态的一例。但是，下述的实施方式仅是例示。本发明并不受到下述的实施方式的任何的限定。
另外，在实施方式等中参照的各附图中，对实质具有同一功能的部件以同一符号来进行参照。另外，在实施方式等中参照的附图是示意性记载的图。在图面中描绘的物体的尺寸的比率等有时会与现实的物体的尺寸的比率等不同。即使在图面彼此之间，有时物体的尺寸比率也不同。具体的物体的尺寸比率等应参酌以下的说明来判断。
图1是实施方式所涉及的陶瓷电子部件的简略的立体图。图2是沿着本实施方式所涉及的陶瓷电子部件的长度方向以及厚度方向的简略的截面图。图3是沿着本实施方式所涉及的陶瓷电子部件的宽度方向以及厚度方向的简略的立体图。
图2以及图3所示的陶瓷电子部件1可以是电容器、电感器、电阻、压电部件、热敏电阻、IC、复合部件等。另外，本发明所涉及的电子部件也可以不是陶瓷电子部件。本发明所涉及的电子部件也可以使用树脂、金属、半导体等来构成。
陶瓷电子部件1的尺寸并没有特别的限定。例如，陶瓷电子部件1的长度尺寸优选0.6mm～1.6mm，宽度尺寸优选0.3mm～0.8mm，厚度尺寸优选0.05mm～0.8mm。例如，可以是长度尺寸为1.0mm，宽度尺寸为0.5mm，厚度尺寸为0.1mm～0.55mm。例如，可以是长度尺寸为0.6mm，宽度尺寸为0.3mm，厚度尺寸为0.1mm～0.33mm。
陶瓷电子部件1具备胚体(陶瓷胚体)10。胚体10为大致长方体状。胚体10具有：沿着长度方向L以及宽度方向W而延伸的第1以及第2主面10a、10b；沿着长度方向L以及厚度方向T而延伸的第1以及第2侧面10c、10d(参照图3)；和沿着宽度方向W以及厚度方向T而延伸的第1以及第2端面10e、10f(参照图2)。
另外，所谓“大致长方体”，也包含使角部或棱线部倒圆的长方体。
胚体10能通过合适的陶瓷材料构成。胚体10例如能通过以钛酸钡、钛酸钙、钛酸锶、锆酸钙等为主成份的电介质陶瓷构成。在胚体10中，除了适当的陶瓷材料以外，例如也可以适当添加Mn化合物、Co化合物。稀土类化合物、Si化合物等的副成分。
如图2以及图3所示，在胚体10的内部设有第1以及第2内部电极11、12。第1以及第2内部电极11、12分别沿着长度方向L以及宽度方向W而设置。即，第1以及第2内部电极11、12分别与第1以及第2主面10a、10b平行地设置。第1以及第2内部电极11、12在厚度方向T上隔着陶瓷层10g而对置。
第1内部电极11在第1端面10e被引出。第1内部电极11从第1端面10e起沿着长度方向L而延伸。第1内部电极11未在第2端面10f、和第1以及第2侧面10c、10d被引出。
第2内部电极12在第2端面10f被引出。第2内部电极12从第2端面10f起沿着长度方向L而延伸。第2内部电极12未在第1端面10e、和第1以及第2侧面10c、10d被引出。
第1以及第2内部电极11、12分别能通过合适的导电材料构成。具体地，第1以及第2内部电极11、12分别能通过Ni、Cu、Ag、Pd、Au、Pt、Sn等的至少一种构成。
第1内部电极11与图2所示的第1外部电极13连接。第1外部电极13覆盖第1端面10e的至少一部分，到达第1以及第2主面10a、10b。即，第1外部电极13具有：实质覆盖第1端面10e的整体的部分、设于第1主面10a上的部分、和设于第2主面10b上的部分。另外，第1外部电极13也可以还设于第1以及第2侧面10c、10d的各自之上。
第2内部电极12与第2外部电极14连接。第2外部电极14覆盖第2端面10f的至少一部分，到达第1以及第2主面10a、10b。即，第2外部电极14具有：实质覆盖第2端面10f的整体的部分、设于第1主面10a上的部分、和设于第2主面10b上的部分。另外，第2外部电极14也可以还设于第1以及第2侧面10c、10d的各自之上。
第1以及第2外部电极13、14具有缘端部，在胚体10的同一面上彼此的缘端部对置。即，第1以及第2外部电极13、14的缘端部在第1以及第2主面10a、10b上相互对置。缘端部是指胚体10的表面的外部电极13、14的外周部分。
第1以及第2外部电极13、14各自被含Cu(金属铜)的层实质覆盖整体。第1以及第2外部电极13、14各自的整体可以通过Cu或含Cu的合金构成，也可以在比由Cu或含Cu的合金构成的层更靠胚体10侧设置不含Cu的层。作为含Cu的合金，例如能举出Cu-Ag合金、Cu-Au合金、Cu-Al合金、Cu-Ni合金、Cu-Pd合金等。在本实施方式中，第1以及第2外部电极13、14各自整体被含Cu的层覆盖。
在第1外部电极13的含金属铜的层的表面设有第1保护层15。第1外部电极13的含金属铜的层的至少与第2外部电极14对置的缘端部被第1保护层15覆盖。具体地，在本实施方式中，第1外部电极13的含金属铜的层的表面整体实质被第1保护层15覆盖。
在第2外部电极14的含金属铜的层的表面设有第2保护层16。作为第2外部电极14的含金属铜的层的、至少是在与胚体10同一面上与第1外部电极13对置的缘端部(edgeportion)，例如位于主面10a、10b上的部分，被第2保护层16覆盖。具体来说，在本实施方式中，第2外部电极14的含金属铜的层的表面整体实质被第2保护层16覆盖。
第1以及第2保护层15、16由氧化铜构成。具体来说，第1以及第2保护层15、16包含CuO以及Cu2O的至少一方。
另外，Cu、Cu2O、CuO的确定，能使用X射线光电子能谱法(XPS)来进行。使用XPS分析装置来测定Cu-LMM能谱，能根据检测出的峰值的能量来进行Cu、Cu2O、CuO的确定。基于Cu的峰值的能量为约568.5eV。基于Cu2O的峰值的能量为约570eV。基于CuO的峰值点能量为约569eV。因此，在约568.5eV检测出峰值的情况下，判断为含有Cu，在未检测出的情况下，判断为不含有Cu。在约570eV检测出峰值的情况下，判断为包含Cu2O，在未检测出的情况下，判断为不含有Cu2O。在约569eV检测出峰值的情况下，判断为含有CuO，在未检测出的情况下，判断为不含有CuO。即，在测定保护层的表面的Cu-LMM能谱、未检测到Cu、Cu2O、CuO中的基于Cu的峰值，而检测出Cu2O或CuO的峰值的情况下，该保护层由氧化铜构成。
另外，陶瓷电子部件1例如能以以下的要领来制造。首先，在具有第1以及第2内部电极11、12的胚体10上形成以含Cu(金属铜)的层覆盖的第1以及第2外部电极。第1以及第2外部电极的形成例如能通过电极膏层的烧结或镀覆来形成。镀覆可以是电解镀和无电解镀的任一者。在本实施方式中，在胚体10上直接实施Cu的电解镀。
接下来，通过进行外部电极的氧化处理，含金属铜的层的至少是在胚体10的同一面上相互对置的缘端部被氧化，形成了含金属铜的层被由氧化铜构成的保护层15、16覆盖的外部电极13、14，由此，能完成陶瓷电子部件1(氧化工序)。既可以通过在有氧气氛下加热来进行氧化工序，也可以通过浸渍在含氧化剂的药液中来进行氧化工序。另外，可以通过调整镀浴的成分来预先形成易于氧化的镀层。
图4是沿着内置陶瓷电子部件1的电子部件内置基板2的一部分的长度方向以及厚度方向的简略的截面图。
陶瓷电子部件1例如在电子部件内置基板2等中使用。电子部件内置基板2具有树脂基板20。树脂基板20由树脂或树脂组成物构成。树脂基板20例如能通过玻璃环氧基板、或聚乙烯醇基板等构成。树脂基板20例如也可以在表面或内部具有布线。在树脂基板20具有布线的情况下，树脂基板20有时也被称作布线基板。
在树脂基板20中埋设陶瓷电子部件1。树脂基板20具有在树脂基板20的主面20a开口的导通孔17a、17b。导通孔17a贯通陶瓷电子部件1的保护层15，面临第1外部电极13的含金属铜的层。在导通孔17a内设有导通孔电极18a。导通孔电极18a与第1外部电极13连接。导通孔17b贯通陶瓷电子部件1的保护层16，面临第2外部电极14的含金属铜的层。在导通孔17b内设有导通孔电极18b。导通孔电极18b与第2外部电极14连接。
另外，电子部件内置基板2例如能用以下的要领来制造。首先，在树脂基板20内埋设陶瓷电子部件1。接下来，从树脂基板20的主面20a侧朝向第1以及第2外部电极13、14照射激光光线。由此形成导通孔17a、17b。之后，通过在导通孔17a、17b内形成导通孔电极18a、18b，能完成电子部件内置基板2。
外部电极13、14的含金属铜的层对激光光线的反射率高。由此，即使通过激光光线的照射来形成导通孔17a、17b，也不易损伤胚体10。
另一方面，外部电极13、14的含氧化铜的保护层15、16通过激光光线的照射而烧损。由此，导通孔贯通保护层15、16，到达含金属铜的层。含金属铜的层虽然反射激光光线，但若被照射激光光线，含金属铜的层还是会稍微消失。由此，为了抑制含金属铜的层的损伤而引起的性能劣化，优选保护层15、16比含金属铜的层要薄。具体来说，优选设含金属铜的层为3μm以上，设保护层为0.1μm以下。
但是，在外部电极的含金属铜的层露出的情况下，若在水分的存在下对陶瓷电子部件施加电压，则外部电极中所含的Cu(金属铜)会离子化。离子化后的Cu(铜离子)移动，被还原，作为铜而析出。将此称作离子迁移。其结果，第1外部电极和第2外部电极有时会发生短路。特别是在存在设有第1外部电极和第2外部电极的两者的主面或侧面的情况下，易于在对置的缘端部分发生由Cu的迁移而引起的短路。
在埋设于树脂基板20的陶瓷电子部件1中，为了使激光光线确实地照射到外部电极13、14，优选大面积地设置外部电极13、14的位于第1主面的部分。另外，若考虑激光光线的照射位置精度，则优选外部电极13、14的位于第1主面上的部分具有能包含半径0.1mm以上的圆以上的大小。由此，外部电极13、14间的间隔变短。其结果，易于发生由离子迁移而引起的绝缘电阻的降低。在外部电极13、14间的间隔为0.6mm以下时，因离子迁移而短路的可能性变得更高。
在此，在本实施方式的陶瓷电子部件1中，在外部电极13、14的表面设置由氧化铜构成的保护层15、16。由此，即使在水分的存在下对陶瓷电子部件1施加电压的情况下，也不易出现Cu在高温潮湿环境下发生的迁移。因此，由于有效果地抑制了Cu的迁移引起的绝缘电阻的降低，因此能实现经过改善的可靠性。设置由氧化铜构成的保护层15、16对易于发生由离子迁移引起的问题的、外部电极13、14间的距离为0.6mm以下的陶瓷电子部件1特别有效。但是，若保护层15、16间的距离过短，则有时电场强度会变得过低。为此，优选保护层15、16间的近距离为50μm以上。
从形成均匀厚度、薄的保护层15、16的观点出发，优选对Cu镀膜进行上述的氧化处理，特别优选进行用于通过在有氧气氛下加热第1以及第2外部电极13、14来形成保护层15、16的氧化工序。这种情况下，实质在含金属铜的层的表面的整体覆盖保护层15、16。
不过，也可以通过溅镀等的薄膜形成法等的方法来形成保护层15、16。
在设置含CuO的保护层15、16和含Cu2O的保护层15、16的任一者的情况下，都能抑制离子迁移。当中，设置含CuO的保护层15、16的情况能更有效果地抑制离子迁移。因而，从更有效果地抑制离子迁移的观点出发，优选设置含CuO的保护层15、16，更优选设置由CuO构成的保护层15、16。
另一方面，从形成容易性的观点出发，优选含Cu2O的保护层15、16。
另外，保护层15、16也可以含CuO和Cu2O两者。这种情况下，保护层15、16的形成容易，并能有效果地抑制离子迁移。另外，在测定含CuO和Cu2O两者的保护层的Cu-LMM能谱的情况下，由于基于Cu2O的峰值的能量(约570eV)和基于CuO的峰值的能量(约569eV)接近，因此有时2个峰值会重叠而观察到宽的峰值。
另外，比起含金属铜的层，由氧化铜构成的保护层15、16对树脂基板20的紧密接触性更高。由此，通过设置保护层15、16，在树脂基板20和陶瓷电子部件1之间不易产生间隙。从而，在树脂基板20和陶瓷电子部件1之间不易浸入水分。从而，能抑制离子迁移，能实现进一步改善的可靠性。从紧密接触性的观点出发，优选保护层15、16覆盖含金属铜的层的表面整体。另外，优选设为由CuO构成的保护层。更优选用由CuO构成的保护层覆盖含金属铜的层的表面整体。
(第1以及第2变形例)
图5是沿着第1变形例所涉及的陶瓷电子部件1的长度方向以及厚度方向的简略的截面图。
在上述实施方式中，说明了将含金属铜的层设于胚体10的正上方的示例。但本发明并不限定于该构成。例如，也可以如图5所示那样，通过至少1个基底电极层21和含金属铜的至少1个镀层22的层叠体来形成外部电极13、14。基底电极层21可以含有从通过镀而析出的Ni、Cu等中选择的金属。基底电极层21例如也可以是金属粒子的烧结膜。这种情况下，基底电极层21能通过涂布含有金属粉、和含有陶瓷材料或玻璃成分等的无机结合剂的电极膏，进行烧结而形成。金属粉能通过例如Ni、Cu、Ag、Pd以及Au的至少一种构成。金属粉也可以通过Ag-Pd合金等的合金而构成。电极膏的涂布能通过印刷或浸渍等来进行。
在通过浸渍来进行电极膏的涂敷的情况下，如图6所示，位于外部电极13、14的主面10a、10b上的部分的前端部的形状成为在宽度方向W的大致中央部具有顶部的凸状。其结果，第1外部电极13和第2外部电极14之间的间隔变窄，电场也易于变强。从而，易于产生由离子迁移引起的短路。因此，能抑制上述的由离子迁移引起的短路的技术，在这样的陶瓷电子部件中特别有效。
(第3变形例)
图7是第3变形例所涉及的陶瓷电子部件的简略的立体图。如图7所示，第1以及第2外部电极13、14也可以分别设于第1或第2端面10e、10f上、和第1以及第2主面10a、10b上，而实质上不设于第1以及第2侧面10c、10d上。这样的外部电极13、14例如如下那样形成：在烧结前的陶瓷胚体的主面上印刷电极膏之后，将端面浸渍在电极膏中，之后，将其与陶瓷胚体同时烧结，然后进行镀来形成。
(第4变形例)
图8是第4变形例所涉及的陶瓷电子部件的简略的立体图。
如图8所示，也可以除了第1以及第2外部电极13、14以外，还设置在表层设有保护层的外部电极23、24。即，在本发明中，外部电极可以设置3个以上。在设有3个以上的外部电极的陶瓷电子部件中，与设置2个外部电极的陶瓷电子部件相比，主面上的外部电极间距离变短。在设置3个主面上的宽度超过0.2mm的外部电极的外形尺寸为1.0mm×0.5mm的陶瓷电子部件的情况下，外部电极间的间隔成为不足0.2mm。若在树脂基板中埋设这样的陶瓷电子部件，则易于产生由离子迁移引起的电阻的降低。因而，具备3个以上的外部电极的陶瓷电子部件并不适于对树脂基板的埋设。但是，通过在这样的陶瓷电子部件中也设置保护层，能防止离子迁移，使得对树脂基板的埋设成为可能。
(实验例1)
制作除了未在外部电极13、14的表面设置保护层以外具有与图7所示的第3变形例所涉及的陶瓷电子部件实质相同的结构的陶瓷电子部件。
即，在烧结前的陶瓷胚体的主面上印刷含Ni的电极膏，在通过将端面浸渍在含Ni的电极膏来涂布电极膏之后，同时烧结陶瓷胚体和电极膏。接下来，通过在由烧结电极膏而形成的基底电极层的表面上进行Cu镀来形成含金属铜的层，由此制作陶瓷电子部件。陶瓷电子部件的长度方向尺寸为1.0mm，宽度方向尺寸为0.5mm，厚度方向尺寸为0.2mm，第1和第2外部电极间的间隔为0.44mm。
(实验例2)
通过将与实验例1同样地制作的陶瓷电子部件在70℃的大气中放置5分钟，制作形成了用由Cu2O构成的保护层覆盖含金属铜的层的表面的外部电极13、14的陶瓷电子部件1。
(实验例3)
通过将与实验例1同样地制作的陶瓷电子部件在120℃的大气中放置120分钟，制作形成了用由CuO构成的保护层覆盖含金属铜的层的表面的外部电极13、14的陶瓷电子部件1。另外，在实验例1、2、3中，保护层的存在及其成分通过使用PHYSICAL ELECTRONICS公司制的Quantum2000进行了XPS分析得到的Cu-LMM能谱来确定。
图11是实验例1的Cu-LMM能谱。如图11所示，在实验例1的Cu-LMM能谱中，由于观察到Cu的峰值，因此得知在表面上存在Cu。
图12是实验例2的Cu-LMM能谱。如图12所示，在实验例2的Cu-LMM能谱中，由于未观察到Cu的峰值，观察到Cu2O的峰值，因此得知在表面上不存在Cu，存在Cu2O。
图13是实验例3的Cu-LMM能谱。如图13所示，在实验例3的Cu-LMM能谱中，由于未观察到Cu的峰值，观察到了CuO的峰值，因此得知在表面上不存在Cu，存在CuO。
(评价)
在实验例1～3各自中制作的样本的外部电极的对置部上滴下纯水的水滴，以该状态在外部电极间施加2分钟的6.3V的电压，同时测定绝缘电阻IR(Ω)。在绝缘电阻IR满足logIR＜5时，设为短路。之后，用金属显微镜来观察有无迁移。
其结果，在未设置保护层的实验例1中制作的样本中，发生短路(logIR＝3.3)，观察到第1和第2外部电极间连接的迁移。在设置了由CuO构成的保护层的实验例3中制作的样本中，在层叠陶瓷电容器的绝缘电阻中，未从初始值(logIR＝6.2)发生变化，也未观察到迁移。在设置了由Cu2O构成的保护层的实验例2中制作的样本中，层叠陶瓷电容器的绝缘电阻稍微降低(logIR＝5.5)，未观察到由迁移引起的第1和第2外部电极间的连接。
根据以上的结果可知，通过在外部电极的表层形成由Cu2O或CuO构成的保护层，能抑制铜的迁移。另外，可知，特别是通过在外部电极的表面形成由由CuO构成的保护层，能进一步有效果地抑制绝缘电阻的降低。
(实施例)
如图9、图10所示那样，制作18个在由环氧树脂构成的树脂基板30(12mm×12mm×厚度0.8mm)的厚度方向的中央部埋设陶瓷电子部件1的电子部件内置基板。制作的陶瓷电子部件的长度方向尺寸为1.0mm，宽度方向尺寸为0.5mm，厚度方向尺寸为0.2mm，第1和第2外部电极间的间隔为0.44mm。在埋设的陶瓷电子部件1中，保护层15、16由CuO构成。
(比较例)
制作18个除了未设置保护层以外其它都与实施例相同的电子部件内置基板。
(评价)
在介由电极31、32对实施例以及比较例中分别制作的样本施加6.3V的电压的同时，在120℃、湿度100％RH的空气气氛中放置400个小时。之后，将绝缘电阻IR满足LogIR＜5的样本作为故障来计数。在下面的表1中示出结果。如表1所示，设有保护层的实施例所涉及的陶瓷电子部件1没有1个发生故障。另一方面，未设置保护层的比较例所涉及的陶瓷电子部件18个全部发生了故障。
[表1]
| 故障数/样本数 | |
| 实施例 | 0/18 |
| 比较例 | 18/18 |
根据以上的结果可知，通过在外部电极上设置含氧化铜的保护层，能抑制离子迁移以及由此引起的绝缘电阻的降低。
Claims (10)
1.一种电子部件，具备：
胚体；和
配置于所述胚体的外表面并且用于与外部电连接的第1以及第2外部电极，
所述第1以及第2外部电极具有：
含金属铜的层；和
保护层，其在所述第1以及第2的外部电极的缘端部覆盖所述含金属铜的层，并由氧化铜构成，其中，所述第1以及第2外部电极的缘端部在所述胚体上相互对置。
2.根据权利要求1所述的电子部件，其中，
所述保护层覆盖含金属铜的层的表面整体。
3.根据权利要求1或2所述的电子部件，其中，
保护层含Cu2O。
4.根据权利要求1或2所述的电子部件，其中
保护层含CuO。
5.根据权利要求1或2所述的电子部件，其中
所述第1外部电极和所述第2外部电极之间的最短距离为0.6mm以下。
6.一种电子部件内置基板，具备：树脂基板；和埋设于所述树脂基板内的电子部件，其中，
所述电子部件具备：
胚体；和
配置于所述胚体的外表面并且用于与外部电连接的第1以及第2外部电极，
所述第1以及第2外部电极具有：
含金属铜的层；和
保护层，其在所述第1以及第2的外部电极的缘端部覆盖所述含金属铜的层的表面，并由氧化铜构成，其中，所述第1以及第2外部电极的缘端部在所述胚体上相互对置。
7.根据权利要求6所述的电子部件内置基板，其中，
所述树脂基板在所述树脂基板的主面开口，并具有面临所述第1或第2外部电极的含金属铜的层的导通孔，
所述电子部件内置基板还具备：导通孔电极，其配置于所述导通孔内，与所述第1或第2外部电极的含金属铜的层连接。
8.根据权利要求7所述的电子部件内置基板，其中，
所述导通孔贯通所述保护层而面临所述第1或第2外部电极的含金属铜的层。
9.一种如权利要求1所述的电子部件的制造方法，具备：
准备胚体的工序；和
在所述胚体上形成用于与外部电连接的外部电极的工序，
形成所述外部电极的工序包含：
形成所述含金属铜的层的工序；和
通过对所述含金属铜的层的表层进行氧化处理来形成由氧化铜构成的保护层的工序。
10.根据权利要求9所述的电子部件的制造方法，其中，
通过在有氧气氛下加热所述外部电极来进行所述氧化工序。
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