JP7105615B2 - セラミック電子部品およびその製造方法 - Google Patents
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まず、積層セラミックコンデンサについて説明する。図1は、積層セラミックコンデンサ100の部分断面斜視図である。図1で例示するように、積層セラミックコンデンサ100は、直方体形状を有する積層チップ(セラミック本体)10と、積層チップ10のいずれかの対向する2端面に設けられた外部電極20a,20bとを備える。なお、積層チップ10の当該2端面以外の4面を側面と称する。外部電極20a,20bは、4つの側面に延在している。ただし、外部電極20a,20bは、4つの側面において互いに離間している。
まず、誘電体層11の主成分であるセラミック材料の粉末に、目的に応じて所定の添加化合物を添加する。添加化合物としては、Mg(マグネシウム),Mn(マンガン),V(バナジウム),Cr(クロム),希土類元素(Y(イットリウム),Sm(サマリウム),Eu(ユウロピウム),Gd(ガドリニウム),Tb(テルビウム),Dy(ジスプロシウム),Ho(ホロミウム),Er(エルビウム),Tm(ツリウム)およびYb(イッテルビウム))の酸化物、並びに、Co(コバルト),Ni,Li(リチウム),B(ホウ素),Na(ナトリウム),K(カリウム)およびSiの酸化物もしくはガラスが挙げられる。例えば、まず、セラミック材料の粉末に添加化合物を含む化合物を混合して仮焼を行う。続いて、得られたセラミック材料の粒子を添加化合物とともに湿式混合し、乾燥および粉砕してセラミック材料の粉末を調製する。
次に、得られたセラミック材料の粉末に、ポリビニルブチラール(PVB)樹脂等のバインダと、エタノール、トルエン等の有機溶剤と、フタル酸ジオクチル(DOP)等の可塑剤とを加えて湿式混合する。得られたスラリーを使用して、例えばダイコータ法やドクターブレード法により、基材上に例えば厚み0.8μm以下の帯状の誘電体グリーンシートを塗工して乾燥させる。
このようにして得られた成型体を、250~500℃のN2雰囲気中で脱バインダした後に、還元雰囲気中で1100~1300℃で10分~2時間焼成することで、誘電体グリーンシートを構成する各化合物が焼結して粒成長する。
その後、N2ガス雰囲気中で600℃~1000℃で再酸化処理を行ってもよい。
その後、電解めっき処理等により、外部電極20a,20bの下地層に、めっき層22を形成する。
めっき工程において、露出面14にめっき金属の付着膜が形成される。そこで、付着膜を酸化させる工程を行う。付着膜を酸化させるためには、温度条件、湿度条件、酸素分圧条件、および熱処理時間を規定する必要がある。温度が高いほど、湿度が高いほど、酸素分圧が高いほど、熱処理時間が長いほど、付着膜を十分に酸化させることができるようになる。したがって、温度、湿度、酸素分圧、および熱処理時間に下限を設けることが好ましい。一方、いずれかのパラメータが大きすぎると、めっき層22に厚い酸化膜が形成されるおそれがあるため、温度、湿度、酸素分圧、および熱処理時間に上限を設けることが好ましい。そこで、本実施形態においては、40℃~60℃、80%RH~100%RHの大気中で、3時間~72時間の熱処理を行う。または、1000ppm以下の酸素濃度の雰囲気(大気圧が1.013×105Paの場合に、1.013×102=101.3Pa以下の酸素分圧)の雰囲気で、140℃~160℃の熱処理を6時間~24時間行う。この構成により、めっき層22を形成する際に露出面14に付着しためっき金属を酸化させることができる。なお、上記酸化条件は、強酸化条件ではないため、外部電極20a,20bの酸化は抑制される。
次に、めっき層22の表面に対して、エッチングや研磨などを行う。それにより、付着膜酸化工程によってめっき層22の表面に形成された酸化物を除去することができる。例えば、積層セラミックコンデンサ100を表面実装できる程度にめっき層22のめっき金属を露出させることが好ましい。
チタン酸バリウム粉末に必要な添加物を添加し、ボールミルで十分に湿式混合粉砕して誘電体材料およびカバー材料を得た。誘電体材料に有機バインダおよび溶剤を加えてドクターブレード法にて誘電体グリーンシートを作製した。有機バインダとしてポリビニルブチラール(PVB)等を用い、溶剤としてエタノール、トルエン等を加えた。その他、可塑剤などを加えた。
11 誘電体層
12 内部電極層
20a,20b 外部電極
21 下地層
22 めっき層
23 第1めっき層
24 第2めっき層
25 第3めっき層
100 積層セラミックコンデンサ
Claims (12)
- 少なくとも対向する2端面を有し、内部に内部電極層を有し、略直方体形状を有するセラミック本体と、
前記2端面に形成された1対の外部電極と、を備え、
前記外部電極は、少なくとも1層のめっき層を備え、
前記セラミック本体の前記2端面以外の4側面の少なくともいずれかにおいて前記外部電極が設けられていない領域に、前記めっき層を構成するめっき金属の酸化物膜が前記外部電極から離間して備わっており、
前記酸化物膜の最表面の光電子スペクトルにおいて、(前記めっき金属の酸化物のピーク面積)/(前記めっき金属のピーク面積)が13.1以上であることを特徴とするセラミック電子部品。 - 前記酸化物膜は、前記最表面から深さ方向に向かって、(前記めっき金属の酸化物のピーク面積)/(前記めっき金属のピーク面積)が異なっていることを特徴とする請求項1記載のセラミック電子部品。
- 前記酸化物膜の最表面から1/4の深さにおいて、(前記めっき金属の酸化物のピーク面積)/(前記めっき金属のピーク面積)が1以上であることを特徴とする請求項1または2に記載のセラミック電子部品。
- 前記酸化物膜は、前記4側面の全てに備わっていることを特徴とする請求項1~3のいずれか一項に記載のセラミック電子部品。
- 前記1対の外部電極は、0.1mm以上0.7mm以下離間していることを特徴とする請求項1~4のいずれか一項に記載のセラミック電子部品。
- 前記1対の外部電極は、0.05mm以上0.13mm以下離間していることを特徴とする請求項1~4のいずれか一項に記載のセラミック電子部品。
- 前記めっき金属は、Snであることを特徴とする請求項1~6のいずれか一項に記載のセラミック電子部品。
- 前記ピーク面積は、アルバック・ファイ製のXPS用データ解析ソフトである「MultiPak」を使用して、カーブフィット「Curve Fit」機能を選択しバックグラウンドタイプに「Shirley法」を選択し、結合エネルギが481.8~491.4eVの範囲を指定して、ソフトの機能でバックグラウンドを引き、フィッティング関数として「Gauss-Lorentz」を選択し、S_metalを特定する484.5eVとS_oxideを特定する486eVにピーク位置を持つ仮の曲線をそれぞれ1つずつ作成し、計算を実行させてカーブフィッティングをおこない、光電子スペクトルのラインを確定させ、同ラインに基づいてそれぞれのピーク面積をソフトの機能にしたがって算出された値であることを特徴とする請求項7に記載のセラミック電子部品。
- 前記酸化物膜が複数設けられており、互いに離間するとともに、前記外部電極から離間していることを特徴とする請求項1~8のいずれか一項に記載のセラミック電子部品。
- 少なくとも対向する2端面を有し、内部に内部電極層を有し、略直方体形状を有し、前記2端面から前記セラミック本体の4側面の少なくともいずれかにかけて延在領域を有し金属を主成分とする下地層が形成されたセラミック本体において、
めっき処理により、前記下地層上にめっき層を形成するめっき工程と、
前記めっき工程後に、前記めっき層と離れて設けられためっき金属の付着膜の表面を酸化させる付着膜酸化工程と、を含むことを特徴とするセラミック電子部品の製造方法。 - 前記付着膜酸化工程後に前記めっき層に対して酸化物の除去を行うエッチング工程または研磨工程、を含むことを特徴とする請求項10記載のセラミック電子部品の製造方法。
- 前記付着膜酸化工程において、前記めっき層と離間しかつ互いに離間する、前記めっき金属の複数の付着膜の表面を酸化させることを特徴とする請求項10または請求項11に記載のセラミック電子部品の製造方法。
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