CN103165809A - 自蔓延高温快速一步合成具有纳米结构Cu2Se热电材料粉体的方法 - Google Patents
自蔓延高温快速一步合成具有纳米结构Cu2Se热电材料粉体的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103165809A CN103165809A CN2013100875206A CN201310087520A CN103165809A CN 103165809 A CN103165809 A CN 103165809A CN 2013100875206 A CN2013100875206 A CN 2013100875206A CN 201310087520 A CN201310087520 A CN 201310087520A CN 103165809 A CN103165809 A CN 103165809A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- self
- powder
- nanostructure
- thermoelectric material
- propagating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000843 powder Substances 0.000 title claims abstract description 55
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 32
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 28
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 title claims abstract description 25
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title claims abstract description 16
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 35
- 239000000376 reactant Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 3
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 claims description 16
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 11
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 abstract description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 3
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 abstract description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000000047 product Substances 0.000 description 11
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 10
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 8
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 7
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 5
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 4
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 3
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 3
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 3
- 230000036632 reaction speed Effects 0.000 description 3
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 238000000498 ball milling Methods 0.000 description 2
- 239000003034 coal gas Substances 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 238000003746 solid phase reaction Methods 0.000 description 2
- 230000005619 thermoelectricity Effects 0.000 description 2
- 230000005679 Peltier effect Effects 0.000 description 1
- 230000005678 Seebeck effect Effects 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000004134 energy conservation Methods 0.000 description 1
- 238000003912 environmental pollution Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000002226 superionic conductor Substances 0.000 description 1
- 239000002918 waste heat Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Manufacture Of Metal Powder And Suspensions Thereof (AREA)
Abstract
本发明提供了一种自蔓延高温快速一步合成具有纳米结构Cu2Se热电材料粉体的方法，按化学计量比2:1准备Cu粉和Se粉作为原料，然后将Cu粉和Se粉混合均匀得到反应物，采用直接起爆或恒温起爆的方式引发自蔓延反应，反应完成后自然冷却，得到具有纳米结构Cu2Se热电材料粉体。本发明采用自蔓延高温合成工艺，不仅具有反应时间短、工艺简单、对设备要求低、能耗低、对环境无污染等优点，而且产物化学计量比控制精确、原位形成分布均匀的纳米结构。
Description
技术领域
本发明属于新能源材料制备-自蔓延高温合成技术领域，具体涉及一种自蔓延高温快速一步合成具有纳米结构Cu2Se热电材料粉体的方法。
背景技术
近十几年来，随着世界人口的快速增长和全球经济的高速发展，全球性的能源危机和环境污染问题日趋严重。因此，开发环境友好型新能源和新能源转换技术已经成为国际上重点关注的前言课题。热电转换技术能利用热电材料的Seebeck效应和Peltier效应实现电能和热能之间的相互转换，它具有无传动部件、体积小、无噪音、无污染、可靠性好等优点，在汽车废热利用、工业余热发电等领域有着广泛的应用前景，因而受到人们的广泛关注。
热电材料的转换效率由热电优值ZT决定，ZT=a 2 s T/k，其中a为Seebeck系数、s为电导率、k为热导率、T为绝对温度。因此，高性能热电材料必须同时具有高的Seebeck系数、高的电导率和低热导率。近年来，结构纳米化已经被证明是优化材料热电性能的有效途径之一，它主要是是通过增加晶界对声子的散射来大幅降低晶格热导率，同时保持较好的电性能来实现的。
Cu2Se化合物作为一种超离子导体，具有较好的电性能和较低的热导率，因而具有较高的ZT值。同时，由于Cu和Se的来源丰富，价格便宜，这使得Cu2Se化合物在大规模商业化生产上具有巨大前景。目前，制备Cu2Se热电材料的方法主要采用熔融退火、固相反应和球磨加热压等方法。由于Se的熔点较低（221℃），在长时间的熔融退火和固相反应过程中，Se挥发严重，从而破坏了Cu2Se的化学计量比，进而对样品性能的重复性产生较大影响。球磨加热压法也不易精确控制产物化学计量比，而且对设备要求较高。因此，如何研制一种能精确控制化合物的化学计量比、高效节能、低成本的制备工艺成为研究者关注的热点。
自蔓延高温合成（Self-propagating High-temperature Synthesis, SHS）是利用反应自身放热制备材料的新技术。反应混合物被点燃后，形成自蔓延的燃烧波，燃烧波快速向未反应区域传播，燃烧波过后，反应物转化为产物，反应速度快、效率高；除了引发自蔓延反应所必须的少量外加能量外，反应过程主要依靠反应自身的放热来维持，是一项节能的工艺；燃烧波的高温能使挥发性杂质有效分解，产物纯度高；SHS的这些优点对解决低成本制备具有精确化学计量比的Cu2Se化合物是非常有利的。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是针对上述现有技术存在的不足而提供一种自蔓延高温快速一步合成具有纳米结构Cu2Se热电材料粉体的方法，首次采用自蔓延高温合成技术制备Cu2Se热电材料，能精确控制产物化学计量比，反应速度快、工艺简单、对设备要求低、能耗低、对环境无污染。
本发明为解决上述提出的问题所采用的技术方案为：
自蔓延高温快速一步合成具有纳米结构Cu2Se热电材料粉体的方法，其步骤如下：按化学计量比2:1准备Cu粉和Se粉作为原料，然后将Cu粉和Se粉混合均匀得到反应物，采用直接起爆或恒温起爆的方式引发自蔓延反应，反应完成后自然冷却，得到具有纳米结构Cu2Se热电材料粉体。
按上述方案，所述反应物为粉体或者压制成块体。
按上述方案，所述自蔓延反应中所用气氛为空气、真空或惰性气体氛围。
按上述方案，所述直接起爆的方法为：在所述气氛下直接加热反应物一端，直至自蔓延反应发生后，停止加热。
按上述方案，所述恒温起爆方法为：在所述气氛下，将反应物放入温度大于等于220℃的恒温炉里，加热反应物直至自蔓延反应发生后，停止加热。
以上述内容为基础，在不脱离本发明基本技术思想的前提下，根据本领域的普通技术知识和手段，对其内容还可以有多种形式的修改、替换或变更，如自蔓延反应气氛可换为其它不与Cu、Se反应的气体等。
与现有Cu2Se制备技术相比，本发明的优点为：
1. 本发明首次采用自蔓延高温合成技术制备了Cu2Se热电材料，具有反应速度快、设备简单、成本低廉，并且能精确控制产物化学计量比等优点。
2. 由于自蔓延反应过程反应时间短，原位生成了分布均匀的Cu2Se纳米颗粒，尺寸在20-50nm之间，这种纳米颗粒对提高Cu2Se的热电性能非常有利。
附图说明
图1为实施例1得到具有纳米结构Cu2Se热电材料粉体的XRD图谱。
图2为实施例1得到具有纳米结构Cu2Se热电材料粉体的SEM图谱。
图3为实施例2得到具有纳米结构Cu2Se热电材料粉体的XRD图谱。
图4为实施例3、4、5得到具有纳米结构Cu2Se热电材料粉体的XRD图谱。
具体实施方式
为了更好的理解本发明，下面结合实施例进一步阐明本发明的内容，但本发明的内容不仅仅局限于下面的实施例。
下述实施例中所用盛放反应物的容器为石英玻璃管，但可以承受本发明中所述自蔓延反应温度的容器均可，如坩埚，所以并不限于石英玻璃管一种。
本发明以Cu粉和Se粉按化学计量比2:1混合作为反应物，该反应物可以直接以粉体的状态发生自蔓延反应，也可以压制成块体发生自蔓延反应，但对于压制成块体的压力、块体的规格无具体要求，常规工艺即可。
实施例1
自蔓延高温快速一步合成具有纳米结构Cu2Se热电材料粉体的方法，其步骤如下：
（1）以Cu粉，Se粉为原料，按化学计量比Cu：Se=2:1称取Cu粉和Se粉，称量总量为15g，在玛瑙研钵中将原料混合均匀，得到混合粉体；
（2）将混合均匀的粉体放入钢制磨具中，在压片机上采用10MPa的压力压成f12mm块体，然后将其放入石英玻璃管中（内径为17mm，外径为20mm），在空气气氛下，将石英玻璃管底端放在煤气焰上直接加热，直至自蔓延反应发生，即肉眼看到反应物加热端有明亮的发光出现，然后停止加热，待反应完成后自然冷却得到具有纳米结构Cu2Se热电材料。
图1为本实施例得到的产物的XRD图谱，从图中可见，自蔓延反应后得到的产物为单相Cu2Se化合物；图2为本实施例得到的产物的SEM图谱，从图中可见，自蔓延反应后得到的产物为具有分布均匀的纳米颗粒的Cu2Se化合物，颗粒尺寸为20-50nm。
实施例2
自蔓延高温快速一步合成具有纳米结构Cu2Se热电材料粉体的方法，其步骤如下：
（1）以Cu粉，Se粉为原料，按化学计量比Cu：Se=2:1称取Cu粉和Se粉，称量总量为25g，在玛瑙研钵中将原料混合均匀，得到混合粉体；
（2）将混合均匀的粉体压成块体，然后将其放入石英玻璃管中，抽真空并密封，将真空密封的石英玻璃管放入500℃马弗炉中加热，直至自蔓延反应发生后，停止加热，反应完成后自然冷却得到具有纳米结构Cu2Se热电材料。
图3为本实施例得到的产物的XRD图谱，从图中可见，自蔓延反应后得到的产物为单相Cu2Se化合物。
实施例3
与实施例2的不同之处在于：将真空密封于石英玻璃管中的反应物放入400℃马弗炉中，经自蔓延反应得到了单相Cu2Se化合物。
按本实施例制备的Cu2Se粉末的XRD见图4。
实施例4
与实施例2的不同之处在于：将真空密封于石英玻璃管中的反应物放入300℃马弗炉中，经自蔓延反应得到了单相Cu2Se化合物。
按本实施例制备的Cu2Se粉末的XRD见图4。
实施例5
与实施例2的不同之处在于：将真空密封于石英玻璃管中的反应物放入220℃马弗炉中，经自蔓延反应得到了单相Cu2Se化合物。
按本实施例制备的Cu2Se粉末的XRD见图4。
实施例6
自蔓延高温快速一步合成具有纳米结构Cu2Se热电材料粉体的方法，其步骤如下：
以Cu粉，Se粉为原料，按化学计量比Cu：Se=2:1称取Cu粉和Se粉，称量总量为15g，在玛瑙研钵中将原料混合均匀，得到混合粉体，然后将其放入石英玻璃管中，充入惰性气体氩气并密封，将石英玻璃管底端放在煤气焰上直接加热，直至自蔓延反应发生，然后停止加热，待反应完成后自然冷却得到具有纳米结构Cu2Se热电材料。
Claims (5)
1.自蔓延高温快速一步合成具有纳米结构Cu2Se热电材料粉体的方法，其特征在于按化学计量比2∶1准备Cu粉和Se粉作为原料，然后将Cu粉和Se粉混合均匀得到反应物，采用直接起爆或恒温起爆的方式引发自蔓延反应，反应完成后自然冷却，得到具有纳米结构Cu2Se热电材料粉体。
2.根据权利要求1所述的自蔓延高温快速一步合成具有纳米结构Cu2Se热电材料粉体的方法，其特征在于所述反应物为粉体或者压制成块体。
3.根据权利要求1所述的自蔓延高温快速一步合成具有纳米结构Cu2Se热电材料粉体的方法，其特征在于所述自蔓延反应中所用气氛为空气或者真空或者惰性气体。
4.根据权利要求1所述的自蔓延高温快速一步合成具有纳米结构Cu2Se热电材料粉体的方法，其特征在于所述直接起爆的方法为：在所述气氛下直接加热反应物的一端，直至自蔓延反应发生后，停止加热。
5.根据权利要求1所述的自蔓延高温快速一步合成具有纳米结构Cu2Se热电材料粉体的方法，其特征在于所述恒温起爆方法为：在所述气氛下，将反应物放入温度不小于220℃的恒温炉里，加热反应物直至自蔓延反应发生后，停止加热。
Priority Applications (12)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310087520.6A CN103165809B (zh) | 2013-03-19 | 2013-03-19 | 自蔓延高温快速一步合成具有纳米结构Cu2Se热电材料粉体的方法 |
| PCT/CN2014/000287 WO2014146485A1 (zh) | 2013-03-19 | 2014-03-17 | 基于自蔓延燃烧合成新判据的热电化合物制备 |
| EP14767900.5A EP2977129B1 (en) | 2013-03-19 | 2014-03-17 | Thermoelectric compound preparation based on self-propagating combustion synthesis new criterion |
| US14/441,446 US10500642B2 (en) | 2013-03-19 | 2014-03-17 | Thermoelectric materials synthesized by self-propagating high temperature synthesis process and methods thereof |
| JP2015540043A JP6219399B2 (ja) | 2013-03-19 | 2014-03-17 | 自己伝播燃焼合成の判定方法およびその新基準に基づく熱電化合物の調製方法 |
| US16/667,081 US10913114B2 (en) | 2013-03-19 | 2019-10-29 | Thermoelectric materials synthesized by self-propagating high temperature synthesis process and methods thereof |
| US16/667,128 US10913116B2 (en) | 2013-03-19 | 2019-10-29 | Thermoelectric materials synthesized by self-propagating high temperature synthesis process and methods thereof |
| US16/667,110 US10913115B2 (en) | 2013-03-19 | 2019-10-29 | Thermoelectric materials synthesized by self-propagating high temperature synthesis process and methods thereof |
| US16/667,143 US10913117B2 (en) | 2013-03-19 | 2019-10-29 | Thermoelectric materials synthesized by self-propagating high temperature synthesis process and methods thereof |
| US16/667,180 US11433456B2 (en) | 2013-03-19 | 2019-10-29 | Thermoelectric materials synthesized by self-propagating high temperature synthesis process and methods thereof |
| US16/667,173 US10913119B2 (en) | 2013-03-19 | 2019-10-29 | Thermoelectric materials synthesized by self-propagating high temperature synthesis process and methods thereof |
| US16/667,158 US10913118B2 (en) | 2013-03-19 | 2019-10-29 | Thermoelectric materials synthesized by self-propagating high temperature synthesis process and methods thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310087520.6A CN103165809B (zh) | 2013-03-19 | 2013-03-19 | 自蔓延高温快速一步合成具有纳米结构Cu2Se热电材料粉体的方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103165809A true CN103165809A (zh) | 2013-06-19 |
| CN103165809B CN103165809B (zh) | 2015-09-30 |
Family
ID=48588719
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201310087520.6A Active CN103165809B (zh) | 2013-03-19 | 2013-03-19 | 自蔓延高温快速一步合成具有纳米结构Cu2Se热电材料粉体的方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN103165809B (zh) |
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103435099A (zh) * | 2013-08-16 | 2013-12-11 | 武汉理工大学 | 快速制备单相Bi2S3热电化合物的方法 |
| CN103526061A (zh) * | 2013-08-01 | 2014-01-22 | 华南师范大学 | 热电材料的层状微结构中层面的相对取向的调控方法 |
| CN103545442A (zh) * | 2013-10-31 | 2014-01-29 | 华南师范大学 | 一种温差发电时无形变的块体热电材料 |
| CN103924109A (zh) * | 2013-11-15 | 2014-07-16 | 武汉理工大学 | 一种自蔓延燃烧合成超快速制备高性能CoSb3基热电材料的新方法 |
| CN103928604A (zh) * | 2013-11-15 | 2014-07-16 | 武汉理工大学 | 一种超快速制备n型碲化铋基高性能热电材料的方法 |
| CN104004935A (zh) * | 2014-05-27 | 2014-08-27 | 武汉理工大学 | 一种超快速制备高性能高锰硅热电材料的方法 |
| CN104646671A (zh) * | 2015-01-04 | 2015-05-27 | 武汉理工大学 | 一种超快速制备Cu2Se基热电发电元器件的方法 |
| CN105272258A (zh) * | 2015-06-17 | 2016-01-27 | 武汉理工大学 | 一种Cu2X块体热电材料的超快速合成方法 |
| CN105612625A (zh) * | 2013-10-17 | 2016-05-25 | 株式会社Lg化学 | 热电材料及其制造方法 |
| CN105765748A (zh) * | 2013-09-12 | 2016-07-13 | 科学与工业研究委员会 | 具有高热电优值的纳米结构的硒化铜及其制备方法 |
| CN106145063A (zh) * | 2015-04-01 | 2016-11-23 | 武汉理工大学 | 一种提高Cu2Se基热电材料相转变温度的方法 |
| CN109371468A (zh) * | 2018-10-20 | 2019-02-22 | 南京大学 | 一种高质量Cu2Se(1-x)Ax晶体的生长方法 |
| CN109585638A (zh) * | 2018-11-30 | 2019-04-05 | 武汉理工大学 | 一种具有室温柔性的无机热电器件及其制备方法 |
| CN110739387A (zh) * | 2019-10-25 | 2020-01-31 | 陕西师范大学 | 一种Cu2Se薄膜材料的制备方法 |
| CN115285948A (zh) * | 2022-08-18 | 2022-11-04 | 曲阜师范大学 | 一种铜硒化合物热电材料及其制备方法 |
| CN115401212A (zh) * | 2022-08-05 | 2022-11-29 | 西安交通大学 | p型Cu2Se基热电材料的增材制造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101531529A (zh) * | 2009-04-14 | 2009-09-16 | 武汉理工大学 | CuInxGa1-xSe2粉体材料的制备方法 |
| CN102674270A (zh) * | 2012-05-25 | 2012-09-19 | 武汉理工大学 | 一种低温固相反应制备Cu2Se热电材料的方法 |
-
2013
- 2013-03-19 CN CN201310087520.6A patent/CN103165809B/zh active Active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101531529A (zh) * | 2009-04-14 | 2009-09-16 | 武汉理工大学 | CuInxGa1-xSe2粉体材料的制备方法 |
| CN102674270A (zh) * | 2012-05-25 | 2012-09-19 | 武汉理工大学 | 一种低温固相反应制备Cu2Se热电材料的方法 |
Cited By (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103526061A (zh) * | 2013-08-01 | 2014-01-22 | 华南师范大学 | 热电材料的层状微结构中层面的相对取向的调控方法 |
| CN103526061B (zh) * | 2013-08-01 | 2015-07-01 | 华南师范大学 | 控制热电材料的层状微结构中层面的相对取向的方法 |
| CN103435099A (zh) * | 2013-08-16 | 2013-12-11 | 武汉理工大学 | 快速制备单相Bi2S3热电化合物的方法 |
| CN103435099B (zh) * | 2013-08-16 | 2015-09-30 | 武汉理工大学 | 快速制备单相Bi2S3热电化合物的方法 |
| CN105765748B (zh) * | 2013-09-12 | 2018-07-24 | 科学与工业研究委员会 | 具有高热电优值的纳米结构的硒化铜及其制备方法 |
| CN105765748A (zh) * | 2013-09-12 | 2016-07-13 | 科学与工业研究委员会 | 具有高热电优值的纳米结构的硒化铜及其制备方法 |
| CN105612625A (zh) * | 2013-10-17 | 2016-05-25 | 株式会社Lg化学 | 热电材料及其制造方法 |
| CN103545442A (zh) * | 2013-10-31 | 2014-01-29 | 华南师范大学 | 一种温差发电时无形变的块体热电材料 |
| CN103545442B (zh) * | 2013-10-31 | 2016-03-02 | 华南师范大学 | 一种温差发电时无形变的块体热电材料 |
| CN103928604A (zh) * | 2013-11-15 | 2014-07-16 | 武汉理工大学 | 一种超快速制备n型碲化铋基高性能热电材料的方法 |
| CN103924109A (zh) * | 2013-11-15 | 2014-07-16 | 武汉理工大学 | 一种自蔓延燃烧合成超快速制备高性能CoSb3基热电材料的新方法 |
| CN103928604B (zh) * | 2013-11-15 | 2016-08-24 | 武汉理工大学 | 一种超快速制备n型碲化铋基高性能热电材料的方法 |
| CN103924109B (zh) * | 2013-11-15 | 2016-02-10 | 武汉理工大学 | 一种自蔓延燃烧合成超快速制备高性能CoSb3基热电材料的方法 |
| CN104004935A (zh) * | 2014-05-27 | 2014-08-27 | 武汉理工大学 | 一种超快速制备高性能高锰硅热电材料的方法 |
| CN104004935B (zh) * | 2014-05-27 | 2016-08-17 | 武汉理工大学 | 一种超快速制备高性能高锰硅热电材料的方法 |
| CN104646671A (zh) * | 2015-01-04 | 2015-05-27 | 武汉理工大学 | 一种超快速制备Cu2Se基热电发电元器件的方法 |
| CN104646671B (zh) * | 2015-01-04 | 2016-09-21 | 武汉理工大学 | 一种超快速制备Cu2Se基热电发电元器件的方法 |
| CN106145063A (zh) * | 2015-04-01 | 2016-11-23 | 武汉理工大学 | 一种提高Cu2Se基热电材料相转变温度的方法 |
| CN106145063B (zh) * | 2015-04-01 | 2019-04-26 | 武汉理工大学 | 一种提高Cu2Se基热电材料相转变温度的方法 |
| CN105272258B (zh) * | 2015-06-17 | 2017-11-17 | 武汉理工大学 | 一种Cu2X块体热电材料的超快速合成方法 |
| CN105272258A (zh) * | 2015-06-17 | 2016-01-27 | 武汉理工大学 | 一种Cu2X块体热电材料的超快速合成方法 |
| CN109371468A (zh) * | 2018-10-20 | 2019-02-22 | 南京大学 | 一种高质量Cu2Se(1-x)Ax晶体的生长方法 |
| CN109371468B (zh) * | 2018-10-20 | 2020-05-05 | 南京大学 | 一种高质量Cu2Se(1-x)Ax晶体的生长方法 |
| CN109585638A (zh) * | 2018-11-30 | 2019-04-05 | 武汉理工大学 | 一种具有室温柔性的无机热电器件及其制备方法 |
| CN110739387A (zh) * | 2019-10-25 | 2020-01-31 | 陕西师范大学 | 一种Cu2Se薄膜材料的制备方法 |
| CN115401212A (zh) * | 2022-08-05 | 2022-11-29 | 西安交通大学 | p型Cu2Se基热电材料的增材制造方法 |
| CN115285948A (zh) * | 2022-08-18 | 2022-11-04 | 曲阜师范大学 | 一种铜硒化合物热电材料及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN103165809B (zh) | 2015-09-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN103165809B (zh) | 自蔓延高温快速一步合成具有纳米结构Cu2Se热电材料粉体的方法 | |
| CN103928604B (zh) | 一种超快速制备n型碲化铋基高性能热电材料的方法 | |
| CN103910339B (zh) | 一种具有纳米层状结构高性能BiCuSeO基块体热电材料的超快速制备方法 | |
| CN103934459B (zh) | 一种超快速低成本制备高性能Half-Heusler块体热电材料的方法 | |
| CN103872237B (zh) | 铜硫基高性能热电材料及其制备方法 | |
| CN102674270A (zh) | 一种低温固相反应制备Cu2Se热电材料的方法 | |
| CN104263986B (zh) | 一种超快速制备高性能SnTe基热电材料的方法 | |
| CN103909262B (zh) | 一种高性能Cu2SnSe3热电材料及其快速制备方法 | |
| CN103909264B (zh) | 一种具有纳米孔结构的高性能Cu2Se块体热电材料及其快速制备方法 | |
| CN104404284B (zh) | 一种快速制备高性能AgBiSe2块体热电材料的方法 | |
| CN103436723A (zh) | 一种快速制备高性能Mg2Si基热电材料的方法 | |
| CN104261357A (zh) | 一种Bi2O2Se基热电材料及其制备方法 | |
| CN107887495B (zh) | 一种一步制备Cu2Se/BiCuSeO复合热电材料的方法 | |
| CN111640853B (zh) | 通过Sb和Cu2Te共掺杂提高n型PbTe热电性能的方法 | |
| CN106145062B (zh) | 一种快速制备碲化锑热电材料的方法 | |
| CN104402063B (zh) | 一种快速制备高性能CuFeS2热电材料的方法 | |
| CN104022218A (zh) | 一种高性能SbAgSeS基热电材料及其制备方法 | |
| CN104004935A (zh) | 一种超快速制备高性能高锰硅热电材料的方法 | |
| CN112723874A (zh) | 一种优化BiCuSeO基热电材料性能的方法及其织构助剂 | |
| CN106554002B (zh) | 一种BiCuSeO热电材料的合成方法 | |
| CN103435099B (zh) | 快速制备单相Bi2S3热电化合物的方法 | |
| CN103910338B (zh) | 一种自蔓延高温快速一步合成CuxMSnySe4热电材料粉体的方法 | |
| CN101857929A (zh) | 一种多孔结构p型锌锑基热电材料及其制备方法 | |
| CN105420528B (zh) | 一种制备高性能AgInTe2热电材料的方法 | |
| CN107324292A (zh) | 一种超快速制备高性能Cu2Se块体热电材料的方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant |