CN103436723A - 一种快速制备高性能Mg2Si基热电材料的方法 - Google Patents

一种快速制备高性能Mg2Si基热电材料的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN103436723A
CN103436723A CN2013103581628A CN201310358162A CN103436723A CN 103436723 A CN103436723 A CN 103436723A CN 2013103581628 A CN2013103581628 A CN 2013103581628A CN 201310358162 A CN201310358162 A CN 201310358162A CN 103436723 A CN103436723 A CN 103436723A
Authority
CN
China
Prior art keywords
powder
performance
block
thermoelectric material
sintering
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2013103581628A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103436723B (zh
Inventor
唐新峰
张强
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Wuhan University of Technology WUT
Original Assignee
Wuhan University of Technology WUT
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to CN201310358162.8A priority Critical patent/CN103436723B/zh
Application filed by Wuhan University of Technology WUT filed Critical Wuhan University of Technology WUT
Publication of CN103436723A publication Critical patent/CN103436723A/zh
Priority to EP14767900.5A priority patent/EP2977129B1/en
Priority to PCT/CN2014/000287 priority patent/WO2014146485A1/zh
Priority to US14/441,446 priority patent/US10500642B2/en
Priority to JP2015540043A priority patent/JP6219399B2/ja
Application granted granted Critical
Publication of CN103436723B publication Critical patent/CN103436723B/zh
Priority to US16/667,081 priority patent/US10913114B2/en
Priority to US16/667,173 priority patent/US10913119B2/en
Priority to US16/667,143 priority patent/US10913117B2/en
Priority to US16/667,158 priority patent/US10913118B2/en
Priority to US16/667,128 priority patent/US10913116B2/en
Priority to US16/667,180 priority patent/US11433456B2/en
Priority to US16/667,110 priority patent/US10913115B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Powder Metallurgy (AREA)

Abstract

本发明涉及一种快速制备高性能Mg2Si基热电材料的方法，它包括以下步骤：1)按Mg2(1+0.02)Si1-xSbx（0≤x≤0.025）各原子的化学计量比进行称量，然后将它们研磨混合均匀，将混合均匀的粉末压成块体；2）将步骤1）所得块体引发自蔓延反应完成后自然冷却，均可得到单相Mg2(1+0.02)Si1-xSbx化合物；3）将上述所得产物研磨成粉末，进行放电等离子体活化烧结，得到高性能Mg2Si基热电材料。本发明具有反应速度快、工艺简单、高效节能和重复性好等优点，整个制备过程可在0.5h之内完成，并且所得块体热电优值ZT在875K可达0.73。

Description

一种快速制备高性能Mg2Si基热电材料的方法
技术领域
本发明属于新能源材料制备技术领域，具体涉及一种快速制备高性能Mg2Si基热电材料的方法。
背景技术
自然环境的日益破坏和化石能源的日渐衰竭，已经成为世人高度关注的重要议题。可持续发展战略的提出，无疑是顺应当下现实发展需求一个前瞻性成果。为了减轻环境破坏与能源消耗的负担，全球很多科学工作者正在将其注意力集中在寻找和开发可再生的新能源上。
热电转换技术能够通过热电材料的Seebeck效应和Peltier效应实现电能和热能之间的直接的相互的转换，其作为一种环境友好型的能源转换技术在工业余热及废热，汽车废气等回收利用方面有着重要的应用前景。同时它还具有无传动部件、体积小、无噪音、可靠性好等优点。热电材料的转换效率主要由热电优值ZT决定，ZT=a  2 s T/k，其中a为Seebeck系数、s为电导率、k为热导率、T为绝对温度。
Mg2Si基体系的热电材料，具有优异的电性能和较低的热导率，因而具有较高的ZT值。同时，其拥有原料蕴藏丰富、价格低廉、无毒和无污染等优点。
目前，制备Mg2Si基热电材料的方法主要采用熔融法和固相反应法。然而，组成元素较大的熔点差异，Mg的熔点649℃，Si的熔点1414℃，以及Mg的高饱和蒸汽压和强反应活性（对玻璃管腐蚀相当严重），使得熔融法并不能获得组成的精确控制（Mg的挥发和氧化等）。低温固相反应，虽然较好地改善了Mg的挥发损失，但是反应时间较长。因此，一种简单快捷、能耗少、重复性好的合成方法对于制备Mg2Si基热电材料来说，显得非常重要。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是针对上述现有技术存在的不足而提供一种快速制备高性能Mg2Si基热电材料的方法，反应速度快、工艺简单、重复性好，制备得到Mg2Si基致密块体热电材料热电性能优良。
本发明为解决上述提出的问题所采用的技术方案为：
一种快速制备高性能Mg2Si基热电材料的新方法，它包括以下步骤：
1）按Mg2(1+0.02)Si1-xSbx（0≤x≤0.025）各原子的化学计量比进行称量，然后将它们研磨混合均匀，将混合均匀的粉末压成块体； 
2）将步骤1）所得块体引发自蔓延反应（SHS，Self-propagating High-temperature Synthesis）反应完成后自然冷却，均可得到单相 Mg2Si化合物；
3）将上述所得产物研磨成粉末，进行放电等离子体活化烧结（PAS，Plasma Activated Sintering），得到高性能Mg2Si基热电材料。
上述方案中，所述步骤1）中Mg粉、Si粉的质量纯度不低于99.9%。
上述方案中，所述步骤2）中自蔓延反应是对块体端部进行加热至引发反应。
上述方案中，所述步骤2）中自蔓延反应中使用空气气氛或真空。
上述方案中，所述步骤3）粉末进行放电等离子体活化烧结的过程为：将粉末装入直径为15mm的石墨模具中压实，然后在真空小于10Pa和烧结压力为33MPa条件下进行烧结，以100℃/min的升温速率升温到800℃，烧结致密化时间7min。
上述制备方法得到了高性能Mg2Si基致密块体热电材料，热电性能优值ZT在875K达到0.73。
以上述内容为基础，在不脱离本发明基本技术思想的前提下，根据本领域的普通技术知识和手段，对其内容还可以有多种形式的修改、替换或变更，如自蔓延反应气氛可换为其它不与Mg粉和Si粉反应的惰性气体等。
本发明需要对原料提供必要的能量诱发热化学反应，形成燃烧波，此后的反应就在之前反应所释放热量的支持下继续进行，反应蔓延结束后形成所需的Mg2Si基热电材料粉体。
与现有的Mg2Si制备方法相比，本发明的优点为：
第一，本发明首次采用自蔓延高温合成技术制备了Mg2Si基热电材料，具有反应速度快、设备简单、重复性好、高效节能和升降温速率快等优点；
第二，本发明在0.5h内可以制备得到Mg2Si基致密块体热电材料，其热电性能可达目前报道的该组成的最优值ZT~0.73。
第三，原材料成本低廉。本发明主要采用Mg粉和Si粉，价格低廉。
附图说明
图1（a）为实施例1中SHS后粉末和PAS后块体的XRD图谱；图1（b）为实施例1步骤2）中SHS后粉末的SEM图（从左到右分别放大5.00 k倍和10.00 k倍）；图1（c）为实施例1步骤3）中所得块体热电材料的SEM图（从左到右分别放大2.00 k倍和10.00 k倍）。
图2（a）为实施例2中SHS后粉末和PAS后块体的XRD图谱；图2（b）为实施例2步骤2）中SHS后粉末的SEM图（从左到右分别放大5.00 k倍和10.00 k倍）；图2（c）为实施例2步骤3）中所得块体热电材料的SEM图（从左到右分别放大2.00 k倍和10.00 k倍）。
图3（a）为实施例3中SHS后粉末和PAS后块体的XRD图谱；图3（b）为实施例1步骤2）中SHS后粉末的SEM图（从左到右分别放大5.00 k倍和10.00 k倍）；图3（c）为实施例3步骤3）中所得块体热电材料的SEM图（从左到右分别放大2.00 k倍和10.00 k倍）。
图4（a）为实施例4中SHS后粉末和PAS后块体的XRD图谱；图4（b）为实施例4步骤2）中SHS后粉末的SEM图（从左到右分别放大5.00 k倍和10.00 k倍）；图4（c）为实施例4步骤3）中所得块体热电材料的SEM图（从左到右分别放大2.00 k倍和10.00 k倍）。
图5（a）为实施例5中SHS后粉末和PAS后块体的XRD图谱；图5（b）为实施例5步骤2）中SHS后粉末的SEM图（从左到右分别放大5.00 k倍和10.00 k倍）；图5（c）为实施例5步骤3）中所得块体热电材料的SEM图（从左到右分别放大2.00 k倍和10.00 k倍）。
图6（a）为实施例6中SHS后粉末和PAS后块体的XRD图谱；图6（b）为实施例6步骤2）中SHS后粉末的SEM图（从左到右分别放大5.00 k倍和10.00 k倍）；图6（c）为实施例6步骤3）中所得块体热电材料的SEM图（从左到右分别放大2.00 k倍和10.00 k倍）；图6（d）为实施例6中烧结块体无量纲热电优值ZT与其他方法制备的材料的最高热电优值ZT随温度变化的关系图。
具体实施方式
为了更好的理解本发明，下面结合实施例进一步阐明本发明的内容，但本发明的内容不仅仅局限于下面的实施例。
下述实施例中Mg粉和Si粉的质量纯度均不低于99.9%。
实施例1
一种快速制备高性能Mg2Si基热电材料的方法，它包括以下步骤：
1）按Mg2(1+0.02)Si各原子的化学计量比进行称量（注：Mg2(1+0.02)Si中各原子的化学计量比相对于Mg2Si而言，Mg过量2%，是为了补偿Mg在反应中的挥发损失），总质量2.1g，然后将它们研磨混合均匀，将混合均匀的粉末压成直径为10mm的圆柱形块体块体（5MPa保压5min，然后，8MPa保压10min）； 
2）将步骤1）所得块体在空气气氛中进行端部点燃引发自蔓延反应（SHS）反应完成后自然冷却；
3）将上述所得产物研磨成粉末，将粉末装入15mm的石墨模具中压实，然后在真空小于10Pa和烧结压力为33MPa条件下进行放电等离子体活化烧结（PAS），以100℃/min的升温速率升温到800℃，烧结致密化时间为7min，得到高性能Mg2Si基热电材料。
图1（a）为SHS后粉末和PAS后块体的XRD图谱；图6（b）为步骤2）中SHS后粉末的SEM图（从左到右分别放大5.00 k倍和10.00 k倍）；图1（c）为中步骤3）所得块体热电材料的SEM图（从左到右分别放大2.00 k倍和10.00 k倍）。从图1可以看出，SHS后所得产物为单相Mg2Si化合物，其粉末晶粒尺寸范围分布较广；经过PAS后，所得块体为单相Mg2Si化合物，且表现出穿晶断裂，说明晶粒间结合紧密，为致密的块体热电材料。
实施例2
一种快速制备高性能Mg2Si基热电材料的方法，它包括以下步骤：
1）按Mg2(1+0.02)Si0.096Sb0.006各原子的化学计量比进行称量，总质量2.1g，然后将它们研磨混合均匀，将混合均匀的粉末压成直径为10mm的圆柱形块体块体（5MPa保压5min，然后，8MPa保压10min）； 
2）将步骤1）所得块体在空气气氛中进行端部点燃引发自蔓延反应（SHS）反应完成后自然冷却；
3）将上述所得产物研磨成粉末，将粉末装入15mm的石墨模具中压实，然后在真空小于10Pa和烧结压力为33MPa条件下进行放电等离子体活化烧结（PAS），以100℃/min的升温速率升温到800℃，烧结致密化时间为7min，得到Mg2 (Si0.3Sn0.7)0.98Sb0.02致密块体热电材料。
图2（a）为SHS后粉末和PAS后块体的XRD图谱；图2（b）为步骤2）中SHS后粉末的SEM图（从左到右分别放大5.00 k倍和10.00 k倍）；图2（c）为中步骤3）所得块体热电材料的SEM图（从左到右分别放大2.00 k倍和10.00 k倍）。从图2可以看出，SHS后所得产物为单相Mg2Si化合物，其粉末晶粒尺寸范围分布较广；经过PAS后，所得块体为单相Mg2Si化合物，且表现出穿晶断裂，说明晶粒间结合紧密，为致密的块体热电材料。
实施例3
一种快速制备高性能Mg2Si基热电材料的方法，它包括以下步骤：
1）按Mg2(1+0.02)Si0.09Sb0.01各原子的化学计量比进行称量，总质量2.1g，然后将它们研磨混合均匀，将混合均匀的粉末压成直径为10mm的圆柱形块体块体（5MPa保压5min，然后，8MPa保压10min）； 
2）将步骤1）所得块体在空气气氛中进行端部点燃引发自蔓延反应（SHS）反应完成后自然冷却；
3）将上述所得产物研磨成粉末，将粉末装入15mm的石墨模具中压实，然后在真空小于10Pa和烧结压力为33MPa条件下进行放电等离子体活化烧结（PAS），以100℃/min的升温速率升温到800℃，烧结致密化时间为7min，得到Mg2 (Si0.3Sn0.7)0.98Sb0.02致密块体热电材料。
图3（a）为SHS后粉末和PAS后块体的XRD图谱；图3（b）为步骤2）中SHS后粉末的SEM图（从左到右分别放大5.00 k倍和10.00 k倍）；图3（c）为中步骤3）所得块体热电材料的SEM图（从左到右分别放大2.00 k倍和10.00 k倍）。从图3可以看出，SHS后所得产物为单相Mg2Si化合物，其粉末晶粒尺寸范围分布较广；经过PAS后，所得块体为单相Mg2Si化合物，且表现出穿晶断裂，说明晶粒间结合紧密，为致密的块体热电材料。
实施例4
一种快速制备高性能Mg2Si基热电材料的方法，它包括以下步骤：
1）按Mg2(1+0.02)Si0.08Sb0.02各原子的化学计量比进行称量，总质量2.1g，然后将它们研磨混合均匀，将混合均匀的粉末压成直径为10mm的圆柱形块体块体（5MPa保压5min，然后，8MPa保压10min）； 
2）将步骤1）所得块体在空气气氛中进行端部点燃引发自蔓延反应（SHS，Self-propagating High-temperature Synthesis）反应完成后自然冷却；
3）将上述所得产物研磨成粉末，将粉末装入15mm的石墨模具中压实，然后在真空小于10Pa和烧结压力为33MPa条件下进行放电等离子体活化烧结（PAS），以100℃/min的升温速率升温到800℃，烧结致密化时间为7min，得到Mg2 (Si0.3Sn0.7)0.98Sb0.02致密块体热电材料。
图4（a）为SHS后粉末和PAS后块体的XRD图谱；图4（b）为步骤2）中SHS后粉末的SEM图（从左到右分别放大5.00 k倍和10.00 k倍）；图4（c）为中步骤3）所得块体热电材料的SEM图（从左到右分别放大2.00 k倍和10.00 k倍）。从图4可以看出，SHS后所得产物为单相Mg2Si化合物，其粉末晶粒尺寸范围分布较广；经过PAS后，所得块体为单相Mg2Si化合物，且表现出穿晶断裂，说明晶粒间结合紧密，为致密的块体热电材料。
实施例5
一种快速制备高性能Mg2Si基热电材料的方法，它包括以下步骤：
1）按Mg2(1+0.02)Si0.075Sb0.025各原子的化学计量比进行称量，总质量2.1g，然后将它们研磨混合均匀，将混合均匀的粉末压成直径为10mm的圆柱形块体块体（5MPa保压5min，然后，8MPa保压10min）； 
2）将步骤1）所得块体在空气气氛中进行端部点燃引发自蔓延反应（SHS，Self-propagating High-temperature Synthesis）反应完成后自然冷却；
3）将上述所得产物研磨成粉末，将粉末装入15mm的石墨模具中压实，然后在真空小于10Pa和烧结压力为33MPa条件下进行放电等离子体活化烧结（PAS），以100℃/min的升温速率升温到800℃，烧结致密化时间为7min，得到Mg2(1+0.02)Si0.075Sb0.025致密块体热电材料。
图5（a）为SHS后粉末和PAS后块体的XRD图谱；图5（b）为步骤2）中SHS后粉末的SEM图（从左到右分别放大5.00 k倍和10.00 k倍）；图5（c）为中步骤3）所得块体热电材料的SEM图（从左到右分别放大2.00 k倍和10.00 k倍）。从图5可以看出，SHS后所得产物为单相Mg2Si化合物，其粉末晶粒尺寸范围分布较广；经过PAS后，所得块体为单相Mg2Si化合物，且表现出穿晶断裂，说明晶粒间结合紧密，为致密的块体热电材料。
实施例6
一种快速制备高性能Mg2Si基热电材料的方法，它包括以下步骤：
1）按Mg2(1+0.02)Si0.085Sb0.015各原子的化学计量比进行称量，总质量2.1g，然后将它们研磨混合均匀，将混合均匀的粉末压成直径为10mm的圆柱形块体块体（5MPa保压5min，然后，8MPa保压10min）； 
2）将步骤1）所得块体在空气气氛中进行端部点燃引发自蔓延反应（SHS）反应完成后自然冷却；
3）将上述所得产物研磨成粉末，将粉末装入16mm的石墨模具中压实，然后在真空小于10Pa和烧结压力为33MPa条件下进行放电等离子体活化烧结（PAS），以100℃/min的升温速率升温到800℃，烧结致密化时间为7min，得到Mg2(1+0.02)Si0.085Sb0.015致密块体热电材料。
图6（a）为SHS后粉末和PAS后块体的XRD图谱；图6（b）为步骤2）中SHS后粉末的SEM图（从左到右分别放大5.00 k倍和10.00 k倍）；图6（c）为步骤3）中所得块体热电材料的SEM图（从左到右分别放大2.00 k倍和10.00 k倍）。
图6（d）为烧结块体无量纲热电优值ZT与其他方法[1]制备的材料的最高热电优值ZT随温度变化的关系图。
从图6可以看出，SHS后所得产物为单相Mg2Si化合物，其粉末晶粒尺寸范围分布较广；经过PAS后，所得块体为单相Mg2Si化合物，且表现出穿晶断裂，说明晶粒间结合紧密，为致密的块体热电材料；该种方法制备的热电材料可达目前最好水平为ZT~0.73；其中，其他方法所得ZT值的数据来自对比例。
对比例：
图6所示的其他方法是指：Mg粉、Si粉混合压片，进行固相反应（6h）、机械合金化（24h）和热压反应（1h）。具体过程参见文献：J. Y. Jung, K. H. Park, I. H. Kim, Thermoelectric Properties of Sb-doped Mg2Si Prepared by Solid-State Synthesis. IOP Conference Series: Materials Science and Engineering 18, 142006 (2011)。

Claims (7)

1.一种快速制备高性能Mg2Si基热电材料的方法，其特征在于它包括以下步骤：
1）按Mg2(1+0.02)Si1-xSbx（0≤x≤0.025）各原子的化学计量比进行称量，然后将它们研磨混合均匀，将混合均匀的粉末压制成块体； 
2）将步骤1）所得块体引发自蔓延反应完成后自然冷却，均可得到单相 Mg2Si化合物；
3）将上述所得单相 Mg2Si化合物研磨成粉末，进行放电等离子体活化烧结，得到高性能Mg2Si基热电材料。
2. 根据权利要求1所述的一种快速制备高性能Mg2Si基热电材料的方法，其特征在于所述步骤1）中Mg粉、Si粉的质量纯度均不低于99.9%。
3. 根据权利要求1所述的一种快速制备高性能Mg2Si基热电材料的方法，其特征在于所述步骤1）压制工艺为：第一步，5MPa下保压5min；第二步，8MPa下保压10min。
4. 根据权利要求1所述的一种快速制备高性能Mg2Si基热电材料的方法，其特征在于所述步骤2）中自蔓延反应是对块体端部进行加热至引发反应。
5. 根据权利要求1所述的一种快速制备高性能Mg2Si基热电材料的方法，其特征在于所述步骤3）中粉末进行放电等离子体活化烧结的过程为：将粉末装入直径为15mm的石墨模具中压实，然后在真空小于10Pa和烧结压力为33MPa条件下进行烧结，以100℃/min的升温速率升温到800℃，烧结致密化时间7min。
6. 权利要求1所述制备方法得到高性能Mg2Si基致密块体热电材料。
7. 根据权利要求6所述的高性能Mg2Si基致密块体热电材料，其特征在于所得Mg2Si基致密块体热电材料，热电性能优值ZT在875K达到0.73。
CN201310358162.8A 2013-03-19 2013-08-16 一种快速制备高性能Mg2Si基热电材料的方法 Active CN103436723B (zh)

Priority Applications (12)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310358162.8A CN103436723B (zh) 2013-08-16 2013-08-16 一种快速制备高性能Mg2Si基热电材料的方法
EP14767900.5A EP2977129B1 (en) 2013-03-19 2014-03-17 Thermoelectric compound preparation based on self-propagating combustion synthesis new criterion
PCT/CN2014/000287 WO2014146485A1 (zh) 2013-03-19 2014-03-17 基于自蔓延燃烧合成新判据的热电化合物制备
US14/441,446 US10500642B2 (en) 2013-03-19 2014-03-17 Thermoelectric materials synthesized by self-propagating high temperature synthesis process and methods thereof
JP2015540043A JP6219399B2 (ja) 2013-03-19 2014-03-17 自己伝播燃焼合成の判定方法およびその新基準に基づく熱電化合物の調製方法
US16/667,110 US10913115B2 (en) 2013-03-19 2019-10-29 Thermoelectric materials synthesized by self-propagating high temperature synthesis process and methods thereof
US16/667,081 US10913114B2 (en) 2013-03-19 2019-10-29 Thermoelectric materials synthesized by self-propagating high temperature synthesis process and methods thereof
US16/667,180 US11433456B2 (en) 2013-03-19 2019-10-29 Thermoelectric materials synthesized by self-propagating high temperature synthesis process and methods thereof
US16/667,173 US10913119B2 (en) 2013-03-19 2019-10-29 Thermoelectric materials synthesized by self-propagating high temperature synthesis process and methods thereof
US16/667,143 US10913117B2 (en) 2013-03-19 2019-10-29 Thermoelectric materials synthesized by self-propagating high temperature synthesis process and methods thereof
US16/667,158 US10913118B2 (en) 2013-03-19 2019-10-29 Thermoelectric materials synthesized by self-propagating high temperature synthesis process and methods thereof
US16/667,128 US10913116B2 (en) 2013-03-19 2019-10-29 Thermoelectric materials synthesized by self-propagating high temperature synthesis process and methods thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310358162.8A CN103436723B (zh) 2013-08-16 2013-08-16 一种快速制备高性能Mg2Si基热电材料的方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103436723A true CN103436723A (zh) 2013-12-11
CN103436723B CN103436723B (zh) 2016-08-17

Family

ID=49690436

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201310358162.8A Active CN103436723B (zh) 2013-03-19 2013-08-16 一种快速制备高性能Mg2Si基热电材料的方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN103436723B (zh)

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103934459A (zh) * 2014-01-20 2014-07-23 武汉理工大学 一种超快速低成本制备高性能Half-Heusler块体热电材料的方法
WO2014146485A1 (zh) * 2013-03-19 2014-09-25 武汉理工大学 基于自蔓延燃烧合成新判据的热电化合物制备
CN104232960A (zh) * 2014-09-03 2014-12-24 武汉理工大学 一种快速可控制备Mg-Si-Sn基热电材料的方法
CN105859299A (zh) * 2016-06-22 2016-08-17 福州大学 一种Na掺杂立方相Ca2Si热电材料及其制备方法
CN107326250A (zh) * 2017-02-27 2017-11-07 武汉理工大学 一步超快速制备高性能ZrNiSn块体热电材料的方法
CN107353012A (zh) * 2016-05-09 2017-11-17 中国科学院物理研究所 一种复合热电材料及其制备方法
CN107739034A (zh) * 2017-10-11 2018-02-27 西华大学 一种制备颗粒细小的硅化镁基块体热电材料的方法
CN109055839A (zh) * 2018-08-24 2018-12-21 浙江泰科新材料技术有限公司 一种双相硅加硅化镁纳米复合材料及其制备方法与应用
CN109627002A (zh) * 2019-01-31 2019-04-16 武汉理工大学 一种快速制备锑化镁基热电材料的新方法
CN110218888A (zh) * 2019-06-20 2019-09-10 电子科技大学 一种新型Zintl相热电材料及其制备方法
CN112279652A (zh) * 2020-10-29 2021-01-29 南京工程学院 一种关于Mg-Si-Sn-Sb基热电材料的快速非平衡制备方法
CN117069499A (zh) * 2023-08-14 2023-11-17 陕西科技大学 一种Sb掺杂硅化镁热电半导体材料及其制备方法和应用
CN117069500A (zh) * 2023-08-14 2023-11-17 陕西科技大学 一种硅化镁热电半导体材料及其制备方法和应用

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
GODLEWSKA E. ET AL: "Alternative route for the preparation of CoSb3 and Mg2Si derivatives", 《JOURNAL OF SOLID STATE CHEMISTRY》, 27 April 2012 (2012-04-27), pages 109 - 2 *

Cited By (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10913116B2 (en) 2013-03-19 2021-02-09 Wuhan University Of Technology Thermoelectric materials synthesized by self-propagating high temperature synthesis process and methods thereof
WO2014146485A1 (zh) * 2013-03-19 2014-09-25 武汉理工大学 基于自蔓延燃烧合成新判据的热电化合物制备
US10500642B2 (en) 2013-03-19 2019-12-10 Wuhan University Of Technology Thermoelectric materials synthesized by self-propagating high temperature synthesis process and methods thereof
US11433456B2 (en) 2013-03-19 2022-09-06 Wuhan University Of Technology Thermoelectric materials synthesized by self-propagating high temperature synthesis process and methods thereof
US10913119B2 (en) 2013-03-19 2021-02-09 Wuhan University Of Technology Thermoelectric materials synthesized by self-propagating high temperature synthesis process and methods thereof
US10913118B2 (en) 2013-03-19 2021-02-09 Wuhan University Of Technology Thermoelectric materials synthesized by self-propagating high temperature synthesis process and methods thereof
US10913117B2 (en) 2013-03-19 2021-02-09 Wuhan University Of Technology Thermoelectric materials synthesized by self-propagating high temperature synthesis process and methods thereof
US10913114B2 (en) 2013-03-19 2021-02-09 Wuhan University Of Technology Thermoelectric materials synthesized by self-propagating high temperature synthesis process and methods thereof
US10913115B2 (en) 2013-03-19 2021-02-09 Wuhan University Of Technology Thermoelectric materials synthesized by self-propagating high temperature synthesis process and methods thereof
CN103934459B (zh) * 2014-01-20 2016-05-11 武汉理工大学 一种超快速低成本制备高性能Half-Heusler块体热电材料的方法
CN103934459A (zh) * 2014-01-20 2014-07-23 武汉理工大学 一种超快速低成本制备高性能Half-Heusler块体热电材料的方法
CN104232960A (zh) * 2014-09-03 2014-12-24 武汉理工大学 一种快速可控制备Mg-Si-Sn基热电材料的方法
CN107353012A (zh) * 2016-05-09 2017-11-17 中国科学院物理研究所 一种复合热电材料及其制备方法
CN105859299A (zh) * 2016-06-22 2016-08-17 福州大学 一种Na掺杂立方相Ca2Si热电材料及其制备方法
CN107326250B (zh) * 2017-02-27 2019-09-10 武汉理工大学 一步超快速制备高性能ZrNiSn块体热电材料的方法
CN107326250A (zh) * 2017-02-27 2017-11-07 武汉理工大学 一步超快速制备高性能ZrNiSn块体热电材料的方法
CN107739034A (zh) * 2017-10-11 2018-02-27 西华大学 一种制备颗粒细小的硅化镁基块体热电材料的方法
CN107739034B (zh) * 2017-10-11 2020-10-30 西华大学 一种制备颗粒细小的硅化镁基块体热电材料的方法
CN109055839A (zh) * 2018-08-24 2018-12-21 浙江泰科新材料技术有限公司 一种双相硅加硅化镁纳米复合材料及其制备方法与应用
CN109627002A (zh) * 2019-01-31 2019-04-16 武汉理工大学 一种快速制备锑化镁基热电材料的新方法
CN110218888A (zh) * 2019-06-20 2019-09-10 电子科技大学 一种新型Zintl相热电材料及其制备方法
CN110218888B (zh) * 2019-06-20 2021-05-04 电子科技大学 一种新型Zintl相热电材料及其制备方法
CN112279652A (zh) * 2020-10-29 2021-01-29 南京工程学院 一种关于Mg-Si-Sn-Sb基热电材料的快速非平衡制备方法
CN117069499A (zh) * 2023-08-14 2023-11-17 陕西科技大学 一种Sb掺杂硅化镁热电半导体材料及其制备方法和应用
CN117069500A (zh) * 2023-08-14 2023-11-17 陕西科技大学 一种硅化镁热电半导体材料及其制备方法和应用

Also Published As

Publication number Publication date
CN103436723B (zh) 2016-08-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103436723A (zh) 一种快速制备高性能Mg2Si基热电材料的方法
CN103165809B (zh) 自蔓延高温快速一步合成具有纳米结构Cu2Se热电材料粉体的方法
CN103934459B (zh) 一种超快速低成本制备高性能Half-Heusler块体热电材料的方法
CN103910339B (zh) 一种具有纳米层状结构高性能BiCuSeO基块体热电材料的超快速制备方法
CN103909262B (zh) 一种高性能Cu2SnSe3热电材料及其快速制备方法
CN102674270A (zh) 一种低温固相反应制备Cu2Se热电材料的方法
CN104263986B (zh) 一种超快速制备高性能SnTe基热电材料的方法
CN101794858B (zh) 一种p型（Bi0.25Sb0.75）2Te3/CeyFe4Sb12（y=0.8-1.2）基块体梯度热电材料及其制备方法
CN103928604A (zh) 一种超快速制备n型碲化铋基高性能热电材料的方法
CN105895795A (zh) 一种复合硒化锡基热电材料的制备方法
CN103436724B (zh) 一种快速制备高性能PbS1-xSex基热电材料的方法
CN103909264B (zh) 一种具有纳米孔结构的高性能Cu2Se块体热电材料及其快速制备方法
CN107887495B (zh) 一种一步制备Cu2Se/BiCuSeO复合热电材料的方法
CN102931336A (zh) 一种GeTe基复合热电材料及其制备方法
CN104004935B (zh) 一种超快速制备高性能高锰硅热电材料的方法
CN103320636B (zh) 一种快速制备高性能Mg2Si0.3Sn0.7基热电材料的新方法
CN109627002A (zh) 一种快速制备锑化镁基热电材料的新方法
CN104402063B (zh) 一种快速制备高性能CuFeS2热电材料的方法
CN107176589B (zh) 一种制备纳米化Mg3Sb2热电材料的方法
CN107794387B (zh) 一种超快速制备β-Zn4Sb3基块体热电材料的方法
CN101338386B (zh) 一种TiNiSn基热电化合物的制备方法
CN104404284B (zh) 一种快速制备高性能AgBiSe2块体热电材料的方法
CN103924109B (zh) 一种自蔓延燃烧合成超快速制备高性能CoSb3基热电材料的方法
CN102220537B (zh) 一种放电等离子体合成和烧结一步快速制备高锰硅热电材料的方法
CN105633267A (zh) 一种Cu2-xS/CNT复合热电材料及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant