CN102376768A - 与高压垂直晶体管集成的感测fet - Google Patents
与高压垂直晶体管集成的感测fet Download PDFInfo
- Publication number
- CN102376768A CN102376768A CN2011103495905A CN201110349590A CN102376768A CN 102376768 A CN102376768 A CN 102376768A CN 2011103495905 A CN2011103495905 A CN 2011103495905A CN 201110349590 A CN201110349590 A CN 201110349590A CN 102376768 A CN102376768 A CN 102376768A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- post
- transistor
- semiconductor device
- source area
- conduction type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 50
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 30
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 14
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 23
- 238000005070 sampling Methods 0.000 claims description 6
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 3
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 24
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 24
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 6
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 5
- 210000001331 nose Anatomy 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/7801—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
- H01L29/7802—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors
- H01L29/7815—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors with voltage or current sensing structure, e.g. emulator section, overcurrent sensing cell
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/7801—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
- H01L29/7802—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors
- H01L29/7813—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors with trench gate electrode, e.g. UMOS transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/0684—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by the shape, relative sizes or dispositions of the semiconductor regions or junctions between the regions
- H01L29/0692—Surface layout
- H01L29/0696—Surface layout of cellular field-effect devices, e.g. multicellular DMOS transistors or IGBTs
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/402—Field plates
- H01L29/407—Recessed field plates, e.g. trench field plates, buried field plates
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
公开了与高压垂直晶体管集成的感测FET。在一个实施例中,半导体器件包括主垂直场效应晶体管(FET)和感测FET。主垂直FET和感测FET都形成在半导体材料柱上。两者共享形成在衬底之上的柱中的延伸漏极区,并且第一和第二栅极元件形成在柱的相对侧的电介质中。主垂直FET和感测FET沿第一横向分开并且电隔离。在操作中,感测FET采样在主垂直FET中流动的电流的小部分。要强调的是,提供该摘要是为了遵守需要摘要的规定以使得检索者或其他读者迅速确定本技术公开的主题。
Description
本申请是于2008年2月18日递交的名为“与高压垂直晶体管集成的感测FET”的专利申请200810080752.8的分案申请。
技术领域
本公开涉及半导体器件、器件结构和用来制作高压或功率晶体管器件的工艺。
背景技术
电流感测场效应晶体管,通常被称作感测fet,在其中精确电流感测可以为控制和过电流保护提供信息的应用中已经被广泛使用许多年。感测场效应晶体管通常构成更大的、主电流运载半导体器件的小部分或晶体管部分。例如,在常规的绝缘栅场效应晶体管(MOSFET)器件中,感测场效应晶体管可以包括主器件的沟道区的小部分。在操作中,感测场效应晶体管可以采样更大器件的沟道电流的小部分,由此提供流过主晶体管器件的电流的指示。感测场效应晶体管和主器件通常共享公共漏极和栅极,但是均具有单独的源电极。
在半导体领域中高电压场效应晶体管(HVFET)已是公知的。很多HVFET采用的器件结构包括延伸漏极区,当器件处于“截止”状态时,该延伸漏极区支持或阻断所施加的高电压(例如几百伏)。在常规的垂直HVFET结构中,半导体材料的台或柱形成用于导通状态中的电流的延伸的漏极或漂移区。在衬底顶部附近、与台的侧壁区域相邻地形成沟槽栅极结构,在台处将本体区设置在延伸漏板区上方。向栅极施加适当的电压电势沿着本体区的垂直侧壁部分形成导电沟道,使得电流可以垂直流过半导体材料,即,从设置源极区的衬底顶表面向下流到设置漏极区的衬底底部。
存在的一个问题是被设计用于供常规MOSFET使用的现有技术感测FET通常由于形成隔离沟道和漂移区的柱的深沟槽而不可用于供垂直功率晶体管结构使用。
发明内容
根据本发明的一个实施例,提供一种半导体器件,包括:主垂直晶体管,其包括:第一导电类型的衬底;设置在衬底之上的半导体材料柱,所述柱具有宽度和沿第一横向延伸的长度,第一源极区包括设置在所述柱的顸表面处或附近的第一导电类型的一个或多个区域,第二导电类型的本体区被设置在第一源极区下面的柱中,第一导电类型的延伸漏极区被设置在本体区下面的柱中;分别设置在柱的相对侧的第一和第二介电区域,第一介电区域被柱横向包围,并且第二介电区域横向包围所述柱;分别设置在第一和第二介电区域中的第一和第二场板;分别设置在邻近本体区的柱的顶表面处或附近的第一和第二介电区域中的第一和第二栅极元件,所述第一和第二栅极元件通过具有第一厚度的栅极氧化物与本体区分开;感测晶体管,其包括:设置在柱的顶表面处或附近的第一导电类型的第二源极区,第二源极区沿第一横向借助延伸到柱的顶表面的本体区的区域与第一源极区分开,其中感测晶体管用来采样在主垂直晶体管中流动的电流的小部分。
根据本发明的一个实施例,提供一种半导体器件,包括:主垂直场效应晶体管(FET);以及感测FET,主垂直FET和感测FET都形成在形成在第一导电类型的衬底上的半导体材料柱上,所述柱具有宽度和沿第一横向延伸的长度,第一和第二介电区域设置在柱的相对侧,第一和第二栅极元件分别设置得邻近在柱本体区的顶表面处或附近的第一和第二介电区域中的柱,主垂直FET和感测FET两者共享形成在衬底之上的柱中的第一导电类型的延伸漏极区,第一和第二栅极元件也通常被主垂直FET和感测FET共享;主垂直FET进一步包括:设置在延伸漏极区上的柱中的第二导电类型的第一本体区;以及设置在柱的顶表面处或附近的第一源极区,所述源极区借助第一本体区与延伸漏极区垂直分开:感测FET进一步包括:设置在延伸漏极区上的柱中的第二导电类型的第二本体区;以及设置在柱的顶表面处或附近的第二源极区,所述第二源极区借助第二本体区与延伸漏极区垂直分开,第二源极区与第一源极区沿第一横向分开并且电隔离,其中感测FET用来采样在主垂直FET中流动的电流的小部分。
根据本发明的一个实施例,提供一种半导体器件,包括:设置成并排关系的多个晶体管段,每个晶体管段包括:在第一导电类型的衬底上形成跑道形布局的半导体材料柱,所述柱具有沿第一横向延伸的长度和宽度,所述柱具有设置在柱的项表面处或附近的源极区、延伸漏极区、以及垂直分开源极和延伸漏极区的第二导电类型的本体区;分别设置在所述柱的相对侧的第一和第二介电区域,第一介电区域被柱横向包围,并且第二介电区域横向包围所述柱;分别设置在邻近本体区的柱的顶表面处或附近的第一和第二介电区域中的第一和第二栅极元件:分别设置在第一和第二介电区域中的第一和第二场板;电接触大多数晶体管段的源极区的源电极,该源电极与主垂直晶体管相关联;电接触少数晶体管段的源极区的感测电极,该感测电极与感测晶体管相关联,所述感测晶体管用来采样在主垂直晶体管中流动的电流的小部分;以及电接触衬底的底表面的漏电极,该漏电极与第一和第二栅极元件均为主垂直晶体管和感测晶体管所共用。
附图说明
从下面的详细说明和附图将可以更全面地理解本发明,不过,详细说明和附图不应用来将本发明限制到所示的具体实施例,而是仅用于解释和理解。
图1示出了垂直HVFET结构的实例截面侧视图。
图2A示出了图1中所示的垂直HVFET结构的实例布局。
图2B为图2A中所示的实例布局的一部分的放大视图。
图3A示出了图1中所示的垂直HVFET结构的另一实例布局。
图3B为图3A中所示的实例布局的一部分的放大视图。
图4A示出了图1中所示的垂直HVFET结构的又一实例布局。
图4B为图4A中所示的实例布局的一部分的放大视图.
图5示出了具有管芯至管芯棋盘式布置的HVFET的晶片的实例布局。
图6示出了具有管芯至管芯棋盘式布置的分段的HVFET的晶片的实例布局。
图7示出了具有HVFET段的棋盘式块的矩形管芯的实例布局。
图8A是并入图1中所示的垂直HVFET结构的感测fet的实例布局的一部分的顶视图。
图8B是通过图8A中所示的实例布局的切割线A-A’的截面侧视图。
图9是图8A和8B中所示的集成的器件结构的实例电路示意图。
图10A是并入图1中所示的垂直HVFET结构的感测fet的另一个实例布局的一部分的顶视图。
图10B是通过图10A中所示的感测fet和HVFET的切割线B-B’的截面侧视图。
图11是图10A和10B中所示的集成的器件结构的实例电路示意图。
图12A是并入图1中所示的垂直HVFET结构的感测fet的又一个实例布局的一部分的顶视图。
图12B是通过图12A中所示的器件结构的切割线C-C’的截面侧视图。
图12C是通过图12A中所示的器件结构的切割线D-D’的截面侧视图。
图13是图12A-12C中所示的集成的器件结构的实例电路示意图。
具体实施方式
在下述说明中,为了提供对本发明的透彻理解,给出了具体细节,例如材料类型、尺寸、结构特点、处理步骤等。不过,本领域的普通技术人员将理解,实施本发明可以不需要这些具体细节。还应理解,图中的元件是代表性的,为了清晰起见没有按照比例绘制。
图1示出了垂直HVFET 1O的实例截面侧视图,该HVFET 10具有这样的结构,其包括形成于N+掺杂硅衬底11上的N型硅的延伸漏极区12。对衬底11进行重掺杂以使其对流经漏电极的电流的电阻最小化,在完成的器件中漏电极位于衬底的底部上。在一个实施例中,延伸漏极区12为从衬底11延伸到硅晶片的顶表面的外延层的一部分。接近外延层的顶表面形成P型本体区13以及被P型区域16横向分开的N+掺杂的源极区14a和14b。如可以看到的,P型本体区13设置于延伸漏极区12上方且垂直地将延伸漏极区12与N+源极区14a和14b以及P型区域16分开。
在一个实施例中,外延层包括延伸漏极区12的部分的掺杂浓度是线性渐变的,以产生表现出基本均匀的电场分布的延伸漏板区。线性渐变可以在外延层12的顶表面下方的某个点处停止。
在图1的实例垂直晶体管中,延伸漏极区12、本体区13、源极区14a和14b以及P型区域16共同包括硅材料的台或柱17(在本申请中两个术语作为同义词使用)。用介电材料(例如氧化物)层填充形成于柱17的相对侧上的垂直沟槽,所述介电材料形成介电区域15。可以由器件的击穿电压要求决定柱17的高度和宽度以及相邻垂直沟槽之间的间距。在各实施例中,台17的垂直高度(厚度)在大约30μm到120μm厚的范围内。例如,在尺寸大约为1mm×1mm的管芯上形成的HVFET可以具有垂直厚度为大约60μm的柱17。作为另一实例,在每一侧的大约2mm-4mm的管芯上形成的晶体管结构可以具有大约30μm厚的柱结构。在特定实施例中,柱17的横向宽度尽量窄到能可靠制造的程度(例如大约0.4μm到0.8μm宽),以便实现非常高的击穿电压(例如600-800V)。
在另一实施例中,不是跨越柱17的横向宽度在N+源极区14a和14b之间布置P型区域16(如图1所示),而是可以跨越柱17的横向长度在柱17的顶部交替形成N+源极区和P型区域。换句话说,诸如图1中所示的给定的截面图将具有跨越柱17的整个横向宽度延伸的N+源极区14或P型区域16,取决于该截面取自哪里。在这样的实施例中,每个N+源极区14在两侧(沿柱的横向长度)与P型区域16邻接。类似地,每个P型区域16在两侧(沿柱的横向长度)与N+源极区14邻接。(这样的实施例的实例在下面讨论的图12A和12B中示出)。
介电区域15a、15b可以包括二氧化硅、氮化硅或其他合适的介电材料。可以使用多种公知方法,包括热生长和化学汽相淀积来形成介电区域15。设置在每个介电层15中并与衬底11和柱17完全绝缘的是场板(fieldplate)19。用于形成场板19的导电材料可以包括重掺杂的多晶硅、金属(或金属合金)、硅化物或其他适当的材料。在完成的器件结构中,场板19a和19b通常起电容极板的作用,当HVFET处于截止状态时(即当漏极被升高至高电压电势时)所述电容极板可用于耗尽延伸漏极区的电荷。在一个实施例中,将每个场板19与柱17的侧壁分开的氧化物区域15的横向厚度大约为4μm。
垂直HVFET晶体管80的沟槽栅极结构包括栅极元件18a、18b,每个栅极元件分别设置在场板19a、19b和本体区13之间、柱17的相对侧上的氧化物区域15a和15b中。高质量的薄(例如,~500A)栅极氧化物层将栅极元件18与和本体区13相邻的柱17的侧壁分开。栅极元件18可以包括多晶硅、或某种其他适合的材料。在一个实施例中,每个栅极元件18具有大约1.5μm的横向宽度和大约3.5μm的深度。
本领域的实践人员将会理解,柱17的顶部附近的N+源极区14和P-型本体区13均可以使用普通的淀积、扩散和/或注入处理技术形成。在形成N+源极区38之后,通过利用常规制造方法形成电连接到器件的相应区域/材料(为了清晰图中未示出)的源、漏、栅、和场板电极可以完成HVFET 10。
图2A示出了图1中所示的垂直HVFET结构的实例布局。图2A的顶视图示出了单个分立的HVFET,其包括半导体管芯21上的上部晶体管部分30a和下部晶体管部分30b。由伪硅柱32将这两部分分开。每个部分30包括多个“跑道(racetrack)”形晶体管结构或段,每个晶体管段包括细长环或椭圆,其包括在相对侧由介电区域15a和15b包围的硅柱17。柱17本身在x和y方向上横向延伸以形成连续细长的跑道形环或椭圆。设置在介电区域15a和15b中的是相应的栅极元件18a和18b以及场板19a和19b。场板19a包括单个细长元件,其在圆形指尖(fingertip)区域中终结于任一端。另一方面,场板19b包括环绕柱17的细长环或椭圆。相邻跑道结构的场板19b被示为合并的(merged),从而它们共享在一侧的公共元件。作为参考,图1的截面图可以取自图2A的实例布局的切割线A-A’。
应当理解,在图2A的实例中,每个跑道形晶体管段在y方向上的宽度(即间距)大约为13μm,在x方向上的长度在大约400μm到1000um的范围内,且柱高度约为60μm。换句话说,包括部分30a和30b的各个跑道形晶体管段的长宽比在大约30直到80的范围内。在一个实施例中,每个跑道形段的长度大于其间距或宽度至少20倍。
本领域的实践人员将理解,在完成的器件结构中,使用图案化金属层来互连各个晶体管段的每个硅柱17。也就是说,在实际实施例中,分别将所有的源极区、栅极元件和场板一起布线至管芯上对应的电极。在图示的实施例中,每个部分30中的晶体管段基本跨越管芯21的宽度沿y方向设置成并排关系。类似地,在x方向上,部分30a和30b的晶体管段的额外长度基本在管芯21的长度上延伸。在图2A的实例布局中,跨越半导体管芯21,分开硅柱的介电区域15的宽度以及场板的宽度是基本均匀的。以均匀的宽度和间隔距离布置晶体管段防止了在用于共形地淀积包括介电区域15和场板19的层的处理步骤之后形成空隙或孔。
图2B为图2A中所示的实例布局的一部分的放大视图。为了清晰起见,仅示出了每个晶体管段的柱17和介电区域15b。图示的伪硅柱32分开相应晶体管段部分30a和30b的介电区域15b的圆端区域。换句话说,在半导体衬底中被蚀刻来限定柱17的深垂直沟槽也限定伪硅柱32。在一个实施例中,使伪硅柱32在x方向上的宽度(即其分开晶体管段部分)小到能被可靠地制造。
将单个管芯HVFET分段成由伪硅柱32分开的部分的目的在于在细长跑道形晶体管段中引入长度方向上(x方向)的应力消除(stressrelief)。将晶体管器件结构分段或断开成两个或更多个部分减轻了跨越管芯长度的机械应力。该应力由位于柱侧面的氧化物区域引起,并且通常集中于每个跑道形段的圆形端处.由此通过将晶体管器件结构分段成两个或更多个部分来减轻机械应力防止了由应力导致的不希望有的硅柱翘曲和对硅的损伤(例如位错)。
要理解的是,在通过高度分段的布局提供的应力消除和导电区域的损失之间存在折衷。更多的分段导致更大的应力减轻,但是以导电区域为代价.通常,柱的垂直高度越大且半导体管芯越大,则需要的晶体管部分或段的数目越大。在一个实施例中,对于具有60μm高的柱的2mm×2mm的管芯,利用包括四个跑道形晶体管部分的布局在导通电阻约为1欧姆的HVFET中提供足够的应力减轻,所述四个跑道形晶体管部分由伪硅柱分开,每个伪硅柱具有大约13μm的间距(y方向)和大约450μm的长度(x方向)。
在另一个实施例中,不是用伪硅柱来分开成对的跑道形晶体管段,每一对位于不同部分中,而是可以用包括不同材料的伪柱。用于伪柱的材料应当具有接近硅的热膨胀系数或充分不同于介电区域的热膨胀系数的热膨胀系数以便减轻由位于硅柱侧面的介电区域引起的长度方向上的应力。
图3A示出了图1所示的垂直HVFET结构的另一实例布局。图3B为图3A中所示的实例布局的一部分的放大图,仅示出了柱17、氧化物区域15b和可选的伪硅柱33。类似于图2A和2B的实施例,图3A和3B示出了半导体管芯21上的单个分立的HVFET,其包括上部晶体管部分30a和下部晶体管部分30b。但是在图3A和3B的实例中,由氧化物区域15b填充的深垂直沟槽以及晶体管部分30a和30b的场板19b重叠,或者被合并,在分段的晶体管部分之间留下小的菱形伪硅柱33。在该实施例中,单个伪柱中心位于两个部分上相邻成对的晶体管段的四个圆形端之间。在所示的实例中,对于包括管芯21的晶体管部分30中的每N个(其中N为大于1的整数)跑道形段或结构,存在总共N-1个伪柱33。
图4A示出了图1所示的垂直HVFET结构的又一实例布局。图4B为图4A中所示的实例布局的一部分的放大图。在图4B的放大图中为了清晰仅示出了柱17和氧化物区域15b。在该实例中,将半导体管芯21的包括HVFET的晶体管段交替移动每个跑道形段的长度的一半,结果形成交替与上部晶体管部分40a和下部晶体管部分40b相关联的跑道形晶体管段。换句话说,一行部分40a的每个晶体管段由部分40b的一对晶体管段分开,该对晶体管段沿x方向设置成端到端的关系。
要理解的是,可以将各段交替移动段长度的任何百分数(fraction)。换句话说,段的移动不限于长度的50%或一半。多种实施例可以包括交替移动了晶体管段的长度的从大于0%到小于100%的任何百分比或百分数的段。
在图4A和4B的实例中,相应部分40a和40b中交替的晶体管段的介电区域15b被合并。在图示的具体实施例中,与不同相邻部分相关联的晶体管段的圆形端重叠或被合并,使得相邻部分的场板19b在各端处(沿x方向)被合并。而且,不同部分的交替晶体管段的场板19b的延伸的直边部分沿着每个段的基本长度被合并。要理解的是,区域15b和19b在相应部分之间有或没有伪柱(或隔离的伪硅柱)的情况下都可以被合并。
图5示出了晶片50的实例布局,其在半导体管芯21a-21d上分别具有管芯至管芯的棋盘式HVFET 10a-10d。HVFET 10的每一个包括如图1所示的多个跑道形晶体管段,它们沿着其宽度并排设置成基本方形的块。在该实例中,HVFET 10a-10d均包括长度基本跨越相应管芯21a-21d的长度延伸的晶体管段。在一个实施例中,每个段的宽度约为13μm,且长度在大约500μm到2000μm的范围内。其他实施例可以具有大于2000μm的长度。段的块或堆叠结构也基本跨越每个管芯的宽度延伸。(注意每个管芯21的有边的方形代表相邻半导体管芯之间划线区域的边缘。)虽然图5示出了两行和两列的HVFET 10,但可以理解的是,可以跨越整个晶片衬底重复所示出的管芯至管芯棋盘式布置。
在图5的实例中,行或列中相邻的管芯被取向为使得一个管芯中的晶体管段的长度在一个方向上延伸,且相邻管芯中的晶体管段的长度沿第二正交方向延伸。例如,HVFET 10a被示为其晶体管段的长度沿x方向取向,而相邻的HVFET 10b和10c。通过跨越晶片50正交地交替每单个管芯21中的晶体管段的取向(即棋盘式布置),将由长介电区域产生的机械应力沿两个正交方向分布,由此减少了晶片50的翘曲。
图6示出了具有分段的HVFET的管芯到管芯棋盘式布置的晶片的另一实例布局。图6的实例使用了与图5相同的方法管芯到管芯地交替晶体管结构的取向;然而,在图6的实施例中,将HVFET结构分段成多个(例如两个)部分。例如,将基本跨越半导体管芯21的长度和宽度延伸的每个HVFET分段成由伪柱32分开的两个部分30a和30b。
对于基本方形的管芯而言,图6中所示的每个半导体管芯21具有与图2所示的相同的布局。类似于图5中所示的实例,相邻管芯具有跨越晶片50正交交替的晶体管段。也就是说,管芯21a和21d的部分30a和30b中的晶体管段具有在x方向上取向的长度,而管芯21b和21c的部分30a和30b中的晶体管段具有在y方向上取向的长度。
可以理解,可以用多个均由一个或多个伪柱分开的晶体管部分,例如大于2个的晶体管部分形成每个管芯21的HVFET。此外,可以将图2A-4B的实例中所示的具有多个晶体管部分的单个管芯布局中的任何一个用在图6中所示的每个管芯21中,且各段的取向跨越晶片50管芯到管芯地交替。
图7示出了管芯25的实例矩形布局,其具有以并排布置的基本方形块或部分36堆叠的跑道形HVFET段的棋盘式块。行或列中的相邻部分被取向成使得一个部分中的晶体管段的长度在一个方向上延伸,且其他相邻部分中的晶体管段的长度在第二正交方向上延伸。例如,管芯25的每个行和列包括取向为细长的晶体管段沿x方向对准(alignod)的晶体管部分36a和取向为细长的晶体管段沿y方向对准的交替的晶体管部分36b。晶体管部分36a和36b之间的空间包括伪硅柱;也就是说,形成伪柱的硅不是有源晶体管区域。
在图示的实施例中,管芯25包括三行和四列的晶体管部分36。图7的实例中所示的棋盘式布局方式可以用来在几乎任何(在可行的限度内)直线形状的管芯上生产单个分立的HVFET。
图8A是并入图1中所示的垂直HVFET结构的感测fet的实例布局的一部分的顶视图。在所示的实施例中,感测fet被集成到相同的硅柱17中作为主垂直功率晶体管器件。图8B是通过图8A中所示的实例布局的切割线A-A’的截面侧视图。图9是图8A和8B中所示的集成的器件结构的实例电路示意图。总体观察,柱17的顶部看起来包括沿给定的跑道形晶体管段中的柱的横向长度交替的N+源极区14和P+区16。例如,从左到右,图8A和8B示出了包括垂直HVFET器件58(见图9)的顶部部分的区域14a、16a、14b、和16b。P-本体区13延伸到柱17的项表面至区域16b的紧邻的右边,由此将区域16b与N+区域24分开,其与感测fet器件59相关联。
应当理解,N+区域24的另一横向侧(到所示部分的右边)类似地借助延伸到柱17的表面的P-本体区13的区域与相应N+/P+区域14和16的交替图案分开。在典型的实施例中,区域24包括整个晶体管段(柱)布局的小部分,使得感测fet 59感测流过主垂直晶体管器件58的电流的小部分。
在图8A和8B的实例中,柱17通过栅极元件18a和18b在相对的横向侧侧面相接,所述栅极元件18a和18b分别通过栅极氧化物层20a和20b与柱17的顶部部分分开。源电板61电接触区域14和16中的每一个,而感测电极62仅接触感测fet 59的N+区域24。在特定实施例中,源电极61也可以电接触内部和外部场板元件19a和19b。
图9的电路示意图示出垂直HVFET器件58和感测fet 59共享公共栅极18和公共漏极节点63。延伸漏极区12和N+衬底11分别被示为耦合在节点63和漏电极71之间的串联连接的电阻器64和65,后者形成在衬底11的底表面上。在操作中,感测fet 59的电极62可以被用来采样流过大得多的垂直晶体管器件58的电流的小部分,由此提供流过主晶体管58的电流的指示。
图10A是并入图1中所示的垂直HVFET结构的感测fet的另一个实例布局的一部分的顶视图。图10B是通过图10A中所示的感测fet和HVFET的切割线B-B’的截面侧视图。图11是图10A和10B中所示的集成的器件结构的实例电路示意图。注意图10A、10B和11中所示的实施例,感测fet69包括沿柱17的横向长度(即围绕跑道形状)交替的P+区域25和N+区域24。区域24和25中的每一个被设置在P-本体区13b中,所述P-本体区13b借助延伸到柱17的表面的延伸漏极区12的区域与和主垂直晶体管68相关联的P-本体区13a分开。P-本体区13a和13b中的每一个延伸到在相应晶体管68和69的N+/P+区域的交替序列的两个横向侧的柱的表面。
在图11中,垂直HVFET器件68和感测fet 69被示为共享公共栅极18和公共漏极节点63。公共延伸漏极区64和N+衬底65分别被示为耦合在节点63和漏电极71之间的串联连接的电阻器64和65。源电极81电接触主垂直晶体管68的区域14和16中的每一个,而感测电极82仅接触感测fet 69的区域24和25。源电极81也可以电接触金属化布局中的内部和外部场板元件19a和19b。
图12A是并入图1中所示的垂直HVFET结构的感测fet的又一个实例布局的一部分的顶视图。图12B和12C分别是通过图12A中所示的器件结构的切割线C-C’和D-D’的截面侧视图。注意,在该实施例中,感测fet和主垂直HVFET器件形成在彼此隔离的分开的柱上。图12B是主垂直晶体管器件78(与柱17相关联)的截面,而图12C是感测fet 79(与柱17’相关联)的截面。作为实例,柱17’可以包括专用于感测fet 79的单个跑道形晶体管段,所述单个跑道形晶体管段被设置得邻近专用于主垂直晶体管器件78的多个其它类似形状的晶体管段。应当理解,主垂直HVFET器件包括管芯上的大多数的晶体管段,并且感测fet包括少数(例如单个一个)的晶体管段。
如图12B中所示,主垂直晶体管器件78包括设置在柱17的顶部的交替N+区域14和P+区域16。源电极91电接触区域14和16中的每一个。在主晶体管器件78中,P-本体区13a分开区域14和16与在下面的延伸漏极区12a。类似地,图12C示出包括设置在柱17’的顶部的交替N+区域24和P+区域25的感测fet 79。感测电极92电接触区域24和25中的每一个。P-本体区13b分开区域24和25与在下面的延伸漏极区12b。
注意,在图13C的实例电路示意图中,电阻器65表示被示为在公共节点95和漏电极71之间的N+衬底11的电阻。延伸漏极区12b的电阻被示为连接在感测fet 79的漏极和节点95之间的电阻器64b。类似地,延伸漏极区12a的电阻被示为连接在主垂直晶体管器件78的漏极和公共节点95之间的电阻器64a。图13的等效电路图反映了这样的事实:即使感测fet 79和主晶体管78形成在分开的柱上,在半导体管芯上的每个柱仍共享公共N+衬底区域。
虽然已经结合具体器件类型描述了以上实施例,但是本领域的普通技术人员将理解多种变型和改变都在本发明的范围内。例如,虽然已经描述了HVFET,但是图示的方法、布局和结构同样适用于其他结构和器件类型,包括肖特基、二极管、IGBT和双极型结构。因此,应当将说明书和附图看作是示例性的而不是限制性的。
Claims (22)
1.一种半导体器件,包括:
主垂直高电压场效应晶体管,其包括:
第一导电类型的衬底;
从衬底开始延伸的半导体材料柱,所述柱具有沿横向延伸的长度,
i)第一源极区包括设置在所述柱的顶表面处或附近的第一导电类型的一个或多个区域和设置在所述柱的顶表面处或附近的第二导电类型的一个或多个区域的交替图案,所述第一和第二导电类型的区域被以交替方式设置使得所述第一导电类型的区域中的每个区域邻接所述第二导电类型的区域中的至少一个区域,
ii)第二导电类型的本体区被设置在第一源极区和衬底之间的柱中,并且
iii)第一导电类型的延伸漏极区被设置在本体区和衬底之间的柱中;
分别设置在柱的相对侧的第一和第二介电区域;
分别设置在邻近本体区的柱的顶表面处或附近的第一和第二介电区域中的第一和第二栅极元件,所述第一和第二栅极元件通过栅极氧化物与本体区分开;
感测晶体管,被结合在所述半导体材料柱中,并且与所述主垂直晶体管共享所述第一和第二栅极元件以及所述延伸漏极区,其包括:
设置在柱的顶表面处或附近的第一导电类型的第二源极区,第二源极区沿横向借助延伸到柱的顶表面的本体区的区域与包括第一源极区的第一和第二导电类型的区域的交替图案分开,
其中感测晶体管用来采样在主垂直晶体管中流动的电流的小部分。
2.根据权利要求1所述的半导体器件,其中:
所述柱设置成跑道形布局;
所述第一介电区域被所述柱横向包围;并且
所述第二节点区域横向包围所述柱。
3.根据权利要求1所述的半导体器件,进一步包括:
电接触所述一个或多个第一源极区的源电极;
电接触第二源极区的感测源电极;以及
电接触衬底的底表面的漏电极。
4.根据权利要求1所述的半导体器件,其中所述柱的沿横向的长度比所述柱的宽度大至少30倍。
5.根据任一前述权利要求所述的半导体器件,其中所述本体区是轻掺杂的本体区。
6.一种半导体器件,包括:
主垂直场效应晶体管;以及
感测场效应晶体管,主垂直场效应晶体管和感测场效应晶体管都形成在从第一导电类型的衬底开始延伸的半导体材料柱上,所述柱具有沿横向延伸的长度,第一和第二介电区域设置在柱的相对侧,第一和第二栅极元件分别设置得邻近在柱本体区的顶表面处或附近的第一和第二介电区域中的柱,主垂直场效应晶体管和感测场效应晶体管两者共享形成在衬底之上的柱中的第一导电类型的延伸漏极区,第一和第二栅极元件也通常被主垂直场效应晶体管和感测场效应晶体管共享:
主垂直场效应晶体管进一步包括:
设置在柱本体区中的第二导电类型的第一本体区;以及
设置在柱的顶表面处或附近的第一源极区,所述源极区借助第一本体区与延伸漏极区分开;
感测场效应晶体管进一步包括:
设置在延伸漏极区上的柱本体区中的第二导电类型的第二本体区;以及
设置在柱的顶表面处或附近的第二源极区,所述第二源极区借助第二本体区与延伸漏极区垂直分开,第二源极区与第一源极区沿横向分开并且电隔离,
其中第一源极区和第二源极区分别包括N+/P+区的交替序列,并且
其中感测场效应晶体管用来采样在主垂直场效应晶体管中流动的电流的小部分。
7.根据权利要求6所述的半导体器件,进一步包括分别设置在第一和第二介电区域中的第一和第二场板。
8.根据权利要求7所述的半导体器件,进一步包括:
电接触第一源极区的源电极;
电接触第二源极区的感测源电极;以及
电接触衬底的底表面的漏电极。
9.根据权利要求8所述的半导体器件,其中源电极也电接触第一和第二场板。
10.根据权利要求6所述的半导体器件,其中延伸漏极区的区域延伸到第一和第二本体区之间的柱的顶表面。
11.根据权利要求10所述的半导体器件,其中第一本体区沿横向延伸到在第一源极区的相对侧的柱的顶表面,并且第二本体区沿横向延伸到在第二源极区的相对侧的柱的顶表面。
12.根据权利要求6所述的半导体器件,其中第一和第二本体区包括为主垂直场效应晶体管和感测场效应晶体管共用的单个本体区,该单个本体区的区域延伸到第一和第二源极区之间的柱的顶表面。
13.根据权利要求6所述的半导体器件,其中所述柱设置成跑道形布局,所述柱的长度比宽度大至少30倍。
14.根据权利要求6至13中任一项所述的半导体器件,其中所述柱本体区是轻掺杂的本体区。
15.一种半导体器件,包括:
设置成并排关系的多个晶体管段,每个晶体管段包括:
从第一导电类型的衬底开始延伸的半导体材料柱,所述柱具有沿横向延伸的长度和宽度,所述柱具有设置在柱的顶表面处或附近的源极区、延伸漏极区、以及垂直分开源极和延伸漏极区的第二导电类型的本体区;
分别设置在所述柱的相对侧的第一和第二介电区域;
分别设置在邻近本体区的柱的顶表面处或附近的第一和第二介电区域中的第一和第二栅极元件;
分别设置在第一和第二介电区域中的第一和第二场板;
电接触大多数晶体管段的源极区的源电极,该源电极与主垂直晶体管相关联:
电接触少数晶体管段的源极区的感测电极,接触该感测电极的源极区分别包括N+/P+区域的交替序列,该感测电极与感测晶体管相关联,所述感测晶体管用来采样在主垂直晶体管中流动的电流的小部分;以及
电接触衬底的底表面的漏电极,该漏电极与第一和第二栅极元件均为主垂直晶体管和感测晶体管所共用。
16.根据权利要求15所述的半导体器件,其中所述少数晶体管段包括单个晶体管段。
17.根据权利要求15所述的半导体器件,其中源电极电接触全部晶体管段的第一和第二场板。
18.根据权利要求15所述的半导体器件,其中源电极电接触全部晶体管段的第二场板以及与主垂直晶体管相关联的所述大多数晶体管段的第一场板,感测电极电接触与感测晶体管相关联的所述少数晶体管段的第一场板。
19.根据权利要求15所述的半导体器件,其中沿横向的所述长度比所述宽度大至少30倍。
20.根据权利要求15所述的半导体器件,其中第一和第二栅极元件与第一和第二场板绝缘。
21.根据权利要求15所述的半导体器件,其中源极区包括第一导电类型的第一区和第二导电类型的第二区,第一和第二区沿横向以交替方式设置使得第一区中的每一个邻接第二区中的一个。
22.根据权利要求15至21中任一项所述的半导体器件,其中所述本体区是轻掺杂的本体区。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/707,586 US8653583B2 (en) | 2007-02-16 | 2007-02-16 | Sensing FET integrated with a high-voltage transistor |
US11/707,586 | 2007-02-16 | ||
CN2008100807528A CN101246887B (zh) | 2007-02-16 | 2008-02-18 | 与高压垂直晶体管集成的感测fet |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2008100807528A Division CN101246887B (zh) | 2007-02-16 | 2008-02-18 | 与高压垂直晶体管集成的感测fet |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN102376768A true CN102376768A (zh) | 2012-03-14 |
CN102376768B CN102376768B (zh) | 2015-08-19 |
Family
ID=39410363
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201110349590.5A Active CN102376768B (zh) | 2007-02-16 | 2008-02-18 | 与高压垂直晶体管集成的感测fet |
CN2008100807528A Active CN101246887B (zh) | 2007-02-16 | 2008-02-18 | 与高压垂直晶体管集成的感测fet |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2008100807528A Active CN101246887B (zh) | 2007-02-16 | 2008-02-18 | 与高压垂直晶体管集成的感测fet |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8653583B2 (zh) |
EP (1) | EP1959499A3 (zh) |
JP (2) | JP5214288B2 (zh) |
CN (2) | CN102376768B (zh) |
Families Citing this family (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102005051417A1 (de) * | 2005-10-27 | 2007-05-03 | X-Fab Semiconductor Foundries Ag | Simulations- bzw. Layoutverfahren für vertikale Leistungstransistoren mit variierbarer Kanalweite und variierbarer Gate-Drain-Kapazität |
US8093621B2 (en) | 2008-12-23 | 2012-01-10 | Power Integrations, Inc. | VTS insulated gate bipolar transistor |
US8653583B2 (en) | 2007-02-16 | 2014-02-18 | Power Integrations, Inc. | Sensing FET integrated with a high-voltage transistor |
US7557406B2 (en) * | 2007-02-16 | 2009-07-07 | Power Integrations, Inc. | Segmented pillar layout for a high-voltage vertical transistor |
US7859037B2 (en) * | 2007-02-16 | 2010-12-28 | Power Integrations, Inc. | Checkerboarded high-voltage vertical transistor layout |
US7468536B2 (en) * | 2007-02-16 | 2008-12-23 | Power Integrations, Inc. | Gate metal routing for transistor with checkerboarded layout |
US7595523B2 (en) | 2007-02-16 | 2009-09-29 | Power Integrations, Inc. | Gate pullback at ends of high-voltage vertical transistor structure |
US8674434B2 (en) * | 2008-03-24 | 2014-03-18 | Micron Technology, Inc. | Impact ionization devices |
US7964912B2 (en) | 2008-09-18 | 2011-06-21 | Power Integrations, Inc. | High-voltage vertical transistor with a varied width silicon pillar |
US7871882B2 (en) * | 2008-12-20 | 2011-01-18 | Power Integrations, Inc. | Method of fabricating a deep trench insulated gate bipolar transistor |
US20100155831A1 (en) * | 2008-12-20 | 2010-06-24 | Power Integrations, Inc. | Deep trench insulated gate bipolar transistor |
US8796760B2 (en) * | 2012-03-14 | 2014-08-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Transistor and method of manufacturing the same |
US8653600B2 (en) | 2012-06-01 | 2014-02-18 | Power Integrations, Inc. | High-voltage monolithic schottky device structure |
US9136368B2 (en) * | 2013-10-03 | 2015-09-15 | Texas Instruments Incorporated | Trench gate trench field plate semi-vertical semi-lateral MOSFET |
US10325988B2 (en) | 2013-12-13 | 2019-06-18 | Power Integrations, Inc. | Vertical transistor device structure with cylindrically-shaped field plates |
US9543396B2 (en) | 2013-12-13 | 2017-01-10 | Power Integrations, Inc. | Vertical transistor device structure with cylindrically-shaped regions |
US9461639B2 (en) * | 2014-05-16 | 2016-10-04 | Freescale Semiconductor, Inc. | Semiconductor device and power circuit including a sense transistor for current sensing |
US9496339B2 (en) * | 2014-06-02 | 2016-11-15 | Infineon Technologies Austria Ag | Semiconductor device comprising trench structures |
CN107078161A (zh) * | 2014-08-19 | 2017-08-18 | 维西埃-硅化物公司 | 电子电路 |
US9973183B2 (en) | 2015-09-28 | 2018-05-15 | Power Integrations, Inc. | Field-effect transistor device with partial finger current sensing FETs |
US9983239B2 (en) | 2016-05-13 | 2018-05-29 | Power Integrations, Inc. | Integrated linear current sense circuitry for semiconductor transistor devices |
WO2018030990A1 (en) | 2016-08-08 | 2018-02-15 | Power Integrations, Inc. | Integrated circuit fast temperature sensing of a semiconductor switching device |
DE102016125879B3 (de) * | 2016-12-29 | 2018-06-21 | Infineon Technologies Ag | Halbleitervorrichtung mit einer IGBT-Region und einer nicht schaltbaren Diodenregion |
US10753964B2 (en) * | 2017-04-27 | 2020-08-25 | Microchip Technology Incorporated | Current sensing for integrated circuit devices |
JP7224979B2 (ja) | 2019-03-15 | 2023-02-20 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
US11004970B2 (en) | 2019-05-20 | 2021-05-11 | Nxp Usa, Inc. | Mirror device structure for power MOSFET and method of manufacture |
JP7186679B2 (ja) | 2019-08-23 | 2022-12-09 | 三菱電機株式会社 | デジタル出力装置 |
US11322612B2 (en) | 2019-09-17 | 2022-05-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device with region of varying thickness |
DE102019128071B3 (de) * | 2019-10-17 | 2021-02-04 | Infineon Technologies Ag | Transistorbauelement |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10107282A (ja) * | 1996-09-30 | 1998-04-24 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
US5821580A (en) * | 1996-04-30 | 1998-10-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | MOS device having a trench gate structure |
US20050167742A1 (en) * | 2001-01-30 | 2005-08-04 | Fairchild Semiconductor Corp. | Power semiconductor devices and methods of manufacture |
EP1689001A2 (en) * | 2005-02-03 | 2006-08-09 | Power Integrations, Inc. | High-voltage semiconductor devices |
Family Cites Families (180)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4343015A (en) | 1980-05-14 | 1982-08-03 | General Electric Company | Vertical channel field effect transistor |
GB2089119A (en) * | 1980-12-10 | 1982-06-16 | Philips Electronic Associated | High voltage semiconductor devices |
US4626879A (en) | 1982-12-21 | 1986-12-02 | North American Philips Corporation | Lateral double-diffused MOS transistor devices suitable for source-follower applications |
US4738936A (en) * | 1983-07-01 | 1988-04-19 | Acrian, Inc. | Method of fabrication lateral FET structure having a substrate to source contact |
US4626789A (en) | 1983-08-19 | 1986-12-02 | Hitachi, Ltd. | Demodulating circuit for data signal |
US4531173A (en) | 1983-11-02 | 1985-07-23 | Motorola, Inc. | Protective power foldback circuit for a power semiconductor |
US4553084A (en) * | 1984-04-02 | 1985-11-12 | Motorola, Inc. | Current sensing circuit |
US4618541A (en) | 1984-12-21 | 1986-10-21 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method of forming a silicon nitride film transparent to ultraviolet radiation and resulting article |
JPS61168253A (ja) * | 1985-01-19 | 1986-07-29 | Sharp Corp | 高耐圧mos電界効果半導体装置 |
US4665426A (en) * | 1985-02-01 | 1987-05-12 | Advanced Micro Devices, Inc. | EPROM with ultraviolet radiation transparent silicon nitride passivation layer |
US4963951A (en) | 1985-11-29 | 1990-10-16 | General Electric Company | Lateral insulated gate bipolar transistors with improved latch-up immunity |
US4764800A (en) | 1986-05-07 | 1988-08-16 | Advanced Micro Devices, Inc. | Seal structure for an integrated circuit |
US4769685A (en) | 1986-10-27 | 1988-09-06 | General Motors Corporation | Recessed-gate junction-MOS field effect transistor |
US4796070A (en) * | 1987-01-15 | 1989-01-03 | General Electric Company | Lateral charge control semiconductor device and method of fabrication |
US5010024A (en) * | 1987-03-04 | 1991-04-23 | Advanced Micro Devices, Inc. | Passivation for integrated circuit structures |
US4811075A (en) * | 1987-04-24 | 1989-03-07 | Power Integrations, Inc. | High voltage MOS transistors |
US4890144A (en) | 1987-09-14 | 1989-12-26 | Motorola, Inc. | Integrated circuit trench cell |
JPH01112764A (ja) | 1987-10-27 | 1989-05-01 | Nec Corp | 半導体装置 |
US4939566A (en) | 1987-10-30 | 1990-07-03 | North American Philips Corporation | Semiconductor switch with parallel DMOS and IGT |
US4926074A (en) * | 1987-10-30 | 1990-05-15 | North American Philips Corporation | Semiconductor switch with parallel lateral double diffused MOS transistor and lateral insulated gate transistor |
US4890146A (en) | 1987-12-16 | 1989-12-26 | Siliconix Incorporated | High voltage level shift semiconductor device |
US4922327A (en) * | 1987-12-24 | 1990-05-01 | University Of Toronto Innovations Foundation | Semiconductor LDMOS device with upper and lower passages |
US4929987A (en) * | 1988-02-01 | 1990-05-29 | General Instrument Corporation | Method for setting the threshold voltage of a power mosfet |
US5025296A (en) * | 1988-02-29 | 1991-06-18 | Motorola, Inc. | Center tapped FET |
JPH0777262B2 (ja) * | 1988-04-19 | 1995-08-16 | 日本電気株式会社 | 縦型電界効果トランジスタ |
US5283201A (en) | 1988-05-17 | 1994-02-01 | Advanced Power Technology, Inc. | High density power device fabrication process |
US5237193A (en) | 1988-06-24 | 1993-08-17 | Siliconix Incorporated | Lightly doped drain MOSFET with reduced on-resistance |
US4951102A (en) * | 1988-08-24 | 1990-08-21 | Harris Corporation | Trench gate VCMOS |
DE68926384T2 (de) | 1988-11-29 | 1996-10-10 | Toshiba Kawasaki Kk | Lateraler Leitfähigkeitsmodulations-MOSFET |
US5072266A (en) | 1988-12-27 | 1991-12-10 | Siliconix Incorporated | Trench DMOS power transistor with field-shaping body profile and three-dimensional geometry |
US5008794A (en) * | 1989-12-21 | 1991-04-16 | Power Integrations, Inc. | Regulated flyback converter with spike suppressing coupled inductors |
JP2597412B2 (ja) | 1990-03-20 | 1997-04-09 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
US5040045A (en) | 1990-05-17 | 1991-08-13 | U.S. Philips Corporation | High voltage MOS transistor having shielded crossover path for a high voltage connection bus |
US5072268A (en) | 1991-03-12 | 1991-12-10 | Power Integrations, Inc. | MOS gated bipolar transistor |
US5122848A (en) * | 1991-04-08 | 1992-06-16 | Micron Technology, Inc. | Insulated-gate vertical field-effect transistor with high current drive and minimum overlap capacitance |
US5386136A (en) * | 1991-05-06 | 1995-01-31 | Siliconix Incorporated | Lightly-doped drain MOSFET with improved breakdown characteristics |
US5146298A (en) | 1991-08-16 | 1992-09-08 | Eklund Klas H | Device which functions as a lateral double-diffused insulated gate field effect transistor or as a bipolar transistor |
US5164891A (en) | 1991-08-21 | 1992-11-17 | Power Integrations, Inc. | Low noise voltage regulator and method using a gated single ended oscillator |
US5258636A (en) | 1991-12-12 | 1993-11-02 | Power Integrations, Inc. | Narrow radius tips for high voltage semiconductor devices with interdigitated source and drain electrodes |
US5270264A (en) | 1991-12-20 | 1993-12-14 | Intel Corporation | Process for filling submicron spaces with dielectric |
US5285367A (en) * | 1992-02-07 | 1994-02-08 | Power Integrations, Inc. | Linear load circuit to control switching power supplies under minimum load conditions |
JP3435173B2 (ja) | 1992-07-10 | 2003-08-11 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置 |
US5294824A (en) * | 1992-07-31 | 1994-03-15 | Motorola, Inc. | High voltage transistor having reduced on-resistance |
US5323044A (en) * | 1992-10-02 | 1994-06-21 | Power Integrations, Inc. | Bi-directional MOSFET switch |
US5326711A (en) | 1993-01-04 | 1994-07-05 | Texas Instruments Incorporated | High performance high voltage vertical transistor and method of fabrication |
US5408141A (en) * | 1993-01-04 | 1995-04-18 | Texas Instruments Incorporated | Sensed current driving device |
US5274259A (en) | 1993-02-01 | 1993-12-28 | Power Integrations, Inc. | High voltage transistor |
US5313082A (en) * | 1993-02-16 | 1994-05-17 | Power Integrations, Inc. | High voltage MOS transistor with a low on-resistance |
DE4309764C2 (de) | 1993-03-25 | 1997-01-30 | Siemens Ag | Leistungs-MOSFET |
US5349225A (en) | 1993-04-12 | 1994-09-20 | Texas Instruments Incorporated | Field effect transistor with a lightly doped drain |
US5324683A (en) * | 1993-06-02 | 1994-06-28 | Motorola, Inc. | Method of forming a semiconductor structure having an air region |
BE1007283A3 (nl) | 1993-07-12 | 1995-05-09 | Philips Electronics Nv | Halfgeleiderinrichting met een most voorzien van een extended draingebied voor hoge spanningen. |
EP0646965B1 (en) | 1993-09-17 | 1999-01-07 | Co.Ri.M.Me. Consorzio Per La Ricerca Sulla Microelettronica Nel Mezzogiorno | An integrated device with a bipolar transistor and a MOSFET transistor in an emitter switching configuration |
US5523604A (en) | 1994-05-13 | 1996-06-04 | International Rectifier Corporation | Amorphous silicon layer for top surface of semiconductor device |
US5494853A (en) | 1994-07-25 | 1996-02-27 | United Microelectronics Corporation | Method to solve holes in passivation by metal layout |
JP3338185B2 (ja) * | 1994-08-02 | 2002-10-28 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
US5521105A (en) * | 1994-08-12 | 1996-05-28 | United Microelectronics Corporation | Method of forming counter-doped island in power MOSFET |
JP3959125B2 (ja) * | 1994-09-14 | 2007-08-15 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
US5550405A (en) | 1994-12-21 | 1996-08-27 | Advanced Micro Devices, Incorporated | Processing techniques for achieving production-worthy, low dielectric, low interconnect resistance and high performance ICS |
US5656543A (en) | 1995-02-03 | 1997-08-12 | National Semiconductor Corporation | Fabrication of integrated circuits with borderless vias |
EP0726603B1 (en) * | 1995-02-10 | 1999-04-21 | SILICONIX Incorporated | Trenched field effect transistor with PN depletion barrier |
JP3291958B2 (ja) * | 1995-02-21 | 2002-06-17 | 富士電機株式会社 | バックソースmosfet |
US5670828A (en) | 1995-02-21 | 1997-09-23 | Advanced Micro Devices, Inc. | Tunneling technology for reducing intra-conductive layer capacitance |
US6049108A (en) | 1995-06-02 | 2000-04-11 | Siliconix Incorporated | Trench-gated MOSFET with bidirectional voltage clamping |
US6204533B1 (en) | 1995-06-02 | 2001-03-20 | Siliconix Incorporated | Vertical trench-gated power MOSFET having stripe geometry and high cell density |
US5659201A (en) | 1995-06-05 | 1997-08-19 | Advanced Micro Devices, Inc. | High conductivity interconnection line |
KR100188096B1 (ko) * | 1995-09-14 | 1999-06-01 | 김광호 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
US5637898A (en) * | 1995-12-22 | 1997-06-10 | North Carolina State University | Vertical field effect transistors having improved breakdown voltage capability and low on-state resistance |
US6097063A (en) | 1996-01-22 | 2000-08-01 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device having a plurality of parallel drift regions |
DE59707158D1 (de) * | 1996-02-05 | 2002-06-06 | Infineon Technologies Ag | Durch feldeffekt steuerbares halbleiterbauelement |
DE19611045C1 (de) | 1996-03-20 | 1997-05-22 | Siemens Ag | Durch Feldeffekt steuerbares Halbleiterbauelement |
EP0948818B1 (en) | 1996-07-19 | 2009-01-07 | SILICONIX Incorporated | High density trench dmos transistor with trench bottom implant |
US5841166A (en) | 1996-09-10 | 1998-11-24 | Spectrian, Inc. | Lateral DMOS transistor for RF/microwave applications |
US6639277B2 (en) | 1996-11-05 | 2003-10-28 | Power Integrations, Inc. | High-voltage transistor with multi-layer conduction region |
US6168983B1 (en) * | 1996-11-05 | 2001-01-02 | Power Integrations, Inc. | Method of making a high-voltage transistor with multiple lateral conduction layers |
US6207994B1 (en) | 1996-11-05 | 2001-03-27 | Power Integrations, Inc. | High-voltage transistor with multi-layer conduction region |
KR100228331B1 (ko) * | 1996-12-30 | 1999-11-01 | 김영환 | 반도체 소자의 삼중웰 제조 방법 |
DE69728852D1 (de) | 1997-01-31 | 2004-06-03 | St Microelectronics Srl | Verfahren zur Herstellung von einer morphologischen Randstruktur um ein integriertes elektronisches Bauelement zu versiegeln, sowie ein entsprechendes Bauelement |
JP3393544B2 (ja) | 1997-02-26 | 2003-04-07 | シャープ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US6133607A (en) | 1997-05-22 | 2000-10-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device |
US5869875A (en) * | 1997-06-10 | 1999-02-09 | Spectrian | Lateral diffused MOS transistor with trench source contact |
US6054752A (en) * | 1997-06-30 | 2000-04-25 | Denso Corporation | Semiconductor device |
US6194283B1 (en) * | 1997-10-29 | 2001-02-27 | Advanced Micro Devices, Inc. | High density trench fill due to new spacer fill method including isotropically etching silicon nitride spacers |
US6316807B1 (en) | 1997-12-05 | 2001-11-13 | Naoto Fujishima | Low on-resistance trench lateral MISFET with better switching characteristics and method for manufacturing same |
JP3410949B2 (ja) * | 1998-02-12 | 2003-05-26 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
US6362064B2 (en) * | 1998-04-21 | 2002-03-26 | National Semiconductor Corporation | Elimination of walkout in high voltage trench isolated devices |
JP3211771B2 (ja) | 1998-05-26 | 2001-09-25 | 日本電気株式会社 | 音声送受信装置 |
JP3016762B2 (ja) | 1998-06-25 | 2000-03-06 | 松下電子工業株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
US6037631A (en) | 1998-09-18 | 2000-03-14 | Siemens Aktiengesellschaft | Semiconductor component with a high-voltage endurance edge structure |
US6621121B2 (en) | 1998-10-26 | 2003-09-16 | Silicon Semiconductor Corporation | Vertical MOSFETs having trench-based gate electrodes within deeper trench-based source electrodes |
US5998833A (en) | 1998-10-26 | 1999-12-07 | North Carolina State University | Power semiconductor devices having improved high frequency switching and breakdown characteristics |
US6674107B1 (en) | 1998-12-07 | 2004-01-06 | Lovoltech, Inc. | Enhancement mode junction field effect transistor with low on resistance |
US6304007B1 (en) | 1998-12-09 | 2001-10-16 | Lovoltech, Inc. | Switcher for switching capacitors |
US6307223B1 (en) | 1998-12-11 | 2001-10-23 | Lovoltech, Inc. | Complementary junction field effect transistors |
US6281705B1 (en) | 1998-12-11 | 2001-08-28 | Lovoltech, Inc. | Power supply module in integrated circuits |
US6251716B1 (en) | 1999-01-06 | 2001-06-26 | Lovoltech, Inc. | JFET structure and manufacture method for low on-resistance and low voltage application |
US6084277A (en) | 1999-02-18 | 2000-07-04 | Power Integrations, Inc. | Lateral power MOSFET with improved gate design |
JP2000252465A (ja) | 1999-03-03 | 2000-09-14 | Sony Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
US6191447B1 (en) * | 1999-05-28 | 2001-02-20 | Micro-Ohm Corporation | Power semiconductor devices that utilize tapered trench-based insulating regions to improve electric field profiles in highly doped drift region mesas and methods of forming same |
GB9917099D0 (en) * | 1999-07-22 | 1999-09-22 | Koninkl Philips Electronics Nv | Cellular trench-gate field-effect transistors |
JP3971062B2 (ja) * | 1999-07-29 | 2007-09-05 | 株式会社東芝 | 高耐圧半導体装置 |
US6365932B1 (en) * | 1999-08-20 | 2002-04-02 | Denso Corporation | Power MOS transistor |
US6127703A (en) | 1999-08-31 | 2000-10-03 | Philips Electronics North America Corporation | Lateral thin-film silicon-on-insulator (SOI) PMOS device having a drain extension region |
US6566936B1 (en) * | 1999-10-29 | 2003-05-20 | Lovoltech Inc. | Two terminal rectifier normally OFF JFET |
US6614289B1 (en) | 2000-11-07 | 2003-09-02 | Lovoltech Inc. | Starter device for normally off FETs |
US6355513B1 (en) * | 1999-10-29 | 2002-03-12 | Lovoltech, Inc. | Asymmetric depletion region for normally off JFET |
US6580252B1 (en) | 1999-10-29 | 2003-06-17 | Lovoltech, Inc. | Boost circuit with normally off JFET |
US6734715B1 (en) * | 1999-11-29 | 2004-05-11 | Lovoltech, Inc. | Two terminal rectifier using normally off JFET |
US6349047B1 (en) * | 2000-12-18 | 2002-02-19 | Lovoltech, Inc. | Full wave rectifier circuit using normally off JFETs |
US6489653B2 (en) | 1999-12-27 | 2002-12-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Lateral high-breakdown-voltage transistor |
GB0003185D0 (en) | 2000-02-12 | 2000-04-05 | Koninkl Philips Electronics Nv | An insulated gate field effect device |
US7098634B1 (en) | 2003-02-21 | 2006-08-29 | Lovoltech, Inc. | Buck-boost circuit with normally off JFET |
US6781194B2 (en) | 2001-04-11 | 2004-08-24 | Silicon Semiconductor Corporation | Vertical power devices having retrograded-doped transition regions and insulated trench-based electrodes therein |
JP3448015B2 (ja) | 2000-07-26 | 2003-09-16 | 松下電器産業株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
US6750698B1 (en) | 2000-09-29 | 2004-06-15 | Lovoltech, Inc. | Cascade circuits utilizing normally-off junction field effect transistors for low on-resistance and low voltage applications |
CA2360031C (en) * | 2000-10-30 | 2006-06-20 | Thomas & Betts International, Inc. | Capacitive test point voltage and phasing detector |
AU2002230482A1 (en) * | 2000-11-16 | 2002-05-27 | Silicon Wireless Corporation | Discrete and packaged power devices for radio frequency (rf) applications and methods of forming same |
US6468847B1 (en) | 2000-11-27 | 2002-10-22 | Power Integrations, Inc. | Method of fabricating a high-voltage transistor |
US6509220B2 (en) * | 2000-11-27 | 2003-01-21 | Power Integrations, Inc. | Method of fabricating a high-voltage transistor |
US6768171B2 (en) | 2000-11-27 | 2004-07-27 | Power Integrations, Inc. | High-voltage transistor with JFET conduction channels |
US6424007B1 (en) | 2001-01-24 | 2002-07-23 | Power Integrations, Inc. | High-voltage transistor with buried conduction layer |
US6677641B2 (en) | 2001-10-17 | 2004-01-13 | Fairchild Semiconductor Corporation | Semiconductor structure with improved smaller forward voltage loss and higher blocking capability |
US6356059B1 (en) * | 2001-02-16 | 2002-03-12 | Lovoltech, Inc. | Buck converter with normally off JFET |
US6683346B2 (en) * | 2001-03-09 | 2004-01-27 | Fairchild Semiconductor Corporation | Ultra dense trench-gated power-device with the reduced drain-source feedback capacitance and Miller charge |
US6528880B1 (en) * | 2001-06-25 | 2003-03-04 | Lovoltech Inc. | Semiconductor package for power JFET having copper plate for source and ribbon contact for gate |
JP4421144B2 (ja) | 2001-06-29 | 2010-02-24 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
US6635544B2 (en) | 2001-09-07 | 2003-10-21 | Power Intergrations, Inc. | Method of fabricating a high-voltage transistor with a multi-layered extended drain structure |
US6683344B2 (en) * | 2001-09-07 | 2004-01-27 | Ixys Corporation | Rugged and fast power MOSFET and IGBT |
US6573558B2 (en) | 2001-09-07 | 2003-06-03 | Power Integrations, Inc. | High-voltage vertical transistor with a multi-layered extended drain structure |
US6555873B2 (en) | 2001-09-07 | 2003-04-29 | Power Integrations, Inc. | High-voltage lateral transistor with a multi-layered extended drain structure |
US7221011B2 (en) | 2001-09-07 | 2007-05-22 | Power Integrations, Inc. | High-voltage vertical transistor with a multi-gradient drain doping profile |
US6555883B1 (en) | 2001-10-29 | 2003-04-29 | Power Integrations, Inc. | Lateral power MOSFET for high switching speeds |
US6552597B1 (en) * | 2001-11-02 | 2003-04-22 | Power Integrations, Inc. | Integrated circuit with closely coupled high voltage output and offline transistor pair |
DE10214151B4 (de) | 2002-03-28 | 2007-04-05 | Infineon Technologies Ag | Halbleiterbauelement mit erhöhter Durchbruchspannung im Randbereich |
US6900506B1 (en) * | 2002-04-04 | 2005-05-31 | Lovoltech, Inc. | Method and structure for a high voltage junction field effect transistor |
JP4107867B2 (ja) | 2002-04-09 | 2008-06-25 | 株式会社ミツカングループ本社 | 包材入り柑橘調味料 |
US6583663B1 (en) | 2002-04-22 | 2003-06-24 | Power Integrations, Inc. | Power integrated circuit with distributed gate driver |
JP4107877B2 (ja) | 2002-05-16 | 2008-06-25 | セイコーインスツル株式会社 | 半導体不揮発性メモリ装置 |
US6921932B1 (en) | 2002-05-20 | 2005-07-26 | Lovoltech, Inc. | JFET and MESFET structures for low voltage, high current and high frequency applications |
US7262461B1 (en) | 2002-05-20 | 2007-08-28 | Qspeed Semiconductor Inc. | JFET and MESFET structures for low voltage, high current and high frequency applications |
US7268378B1 (en) | 2002-05-29 | 2007-09-11 | Qspeed Semiconductor Inc. | Structure for reduced gate capacitance in a JFET |
JP2004022700A (ja) | 2002-06-14 | 2004-01-22 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置 |
US6777722B1 (en) | 2002-07-02 | 2004-08-17 | Lovoltech, Inc. | Method and structure for double dose gate in a JFET |
US6661276B1 (en) | 2002-07-29 | 2003-12-09 | Lovoltech Inc. | MOSFET driver matching circuit for an enhancement mode JFET |
US6747342B1 (en) | 2002-08-09 | 2004-06-08 | Lovoltech, Inc. | Flip-chip packaging |
JP4158453B2 (ja) | 2002-08-22 | 2008-10-01 | 株式会社デンソー | 半導体装置及びその製造方法 |
US6696706B1 (en) | 2002-10-22 | 2004-02-24 | Lovoltech, Inc. | Structure and method for a junction field effect transistor with reduced gate capacitance |
US6774417B1 (en) * | 2002-10-23 | 2004-08-10 | Lovoltech, Inc. | Electrostatic discharge protection device for integrated circuits |
US7075132B1 (en) * | 2002-12-30 | 2006-07-11 | Lovoltech, Inc. | Programmable junction field effect transistor and method for programming the same |
US7009228B1 (en) * | 2003-03-04 | 2006-03-07 | Lovoltech, Incorporated | Guard ring structure and method for fabricating same |
US7038260B1 (en) * | 2003-03-04 | 2006-05-02 | Lovoltech, Incorporated | Dual gate structure for a FET and method for fabricating same |
US7452763B1 (en) | 2003-03-04 | 2008-11-18 | Qspeed Semiconductor Inc. | Method for a junction field effect transistor with reduced gate capacitance |
US6887768B1 (en) | 2003-05-15 | 2005-05-03 | Lovoltech, Inc. | Method and structure for composite trench fill |
US6865093B2 (en) * | 2003-05-27 | 2005-03-08 | Power Integrations, Inc. | Electronic circuit control element with tap element |
US7227242B1 (en) | 2003-10-09 | 2007-06-05 | Qspeed Semiconductor Inc. | Structure and method for enhanced performance in semiconductor substrates |
US7157959B2 (en) * | 2004-03-31 | 2007-01-02 | Semiconductor Components Industries, L.L.C. | Method of forming a self-gated transistor and structure therefor |
US7211845B1 (en) * | 2004-04-19 | 2007-05-01 | Qspeed Semiconductor, Inc. | Multiple doped channel in a multiple doped gate junction field effect transistor |
US7608888B1 (en) | 2004-06-10 | 2009-10-27 | Qspeed Semiconductor Inc. | Field effect transistor |
US7417266B1 (en) | 2004-06-10 | 2008-08-26 | Qspeed Semiconductor Inc. | MOSFET having a JFET embedded as a body diode |
US7238976B1 (en) | 2004-06-15 | 2007-07-03 | Qspeed Semiconductor Inc. | Schottky barrier rectifier and method of manufacturing the same |
US20060086974A1 (en) | 2004-10-26 | 2006-04-27 | Power Integrations, Inc. | Integrated circuit with multi-length power transistor segments |
US7135748B2 (en) | 2004-10-26 | 2006-11-14 | Power Integrations, Inc. | Integrated circuit with multi-length output transistor segment |
US7436039B2 (en) * | 2005-01-06 | 2008-10-14 | Velox Semiconductor Corporation | Gallium nitride semiconductor device |
US7348826B1 (en) * | 2005-03-18 | 2008-03-25 | Qspeed Semiconductor Inc. | Composite field effect transistor |
US7696598B2 (en) * | 2005-12-27 | 2010-04-13 | Qspeed Semiconductor Inc. | Ultrafast recovery diode |
JP5351519B2 (ja) * | 2005-12-27 | 2013-11-27 | パワー・インテグレーションズ・インコーポレーテッド | 高速回復整流器構造体の装置および方法 |
US7554152B1 (en) * | 2006-01-11 | 2009-06-30 | National Semiconductor Corporation | Versatile system for integrated sense transistor |
US7746156B1 (en) | 2006-04-14 | 2010-06-29 | Qspeed Semiconductor Inc. | Circuit and method for driving a junction field effect transistor |
US7381618B2 (en) * | 2006-10-03 | 2008-06-03 | Power Integrations, Inc. | Gate etch process for a high-voltage FET |
US7557406B2 (en) | 2007-02-16 | 2009-07-07 | Power Integrations, Inc. | Segmented pillar layout for a high-voltage vertical transistor |
US8653583B2 (en) | 2007-02-16 | 2014-02-18 | Power Integrations, Inc. | Sensing FET integrated with a high-voltage transistor |
US7468536B2 (en) | 2007-02-16 | 2008-12-23 | Power Integrations, Inc. | Gate metal routing for transistor with checkerboarded layout |
US7595523B2 (en) | 2007-02-16 | 2009-09-29 | Power Integrations, Inc. | Gate pullback at ends of high-voltage vertical transistor structure |
US7859037B2 (en) | 2007-02-16 | 2010-12-28 | Power Integrations, Inc. | Checkerboarded high-voltage vertical transistor layout |
US7939853B2 (en) * | 2007-03-20 | 2011-05-10 | Power Integrations, Inc. | Termination and contact structures for a high voltage GaN-based heterojunction transistor |
US7875962B2 (en) * | 2007-10-15 | 2011-01-25 | Power Integrations, Inc. | Package for a power semiconductor device |
US7964912B2 (en) | 2008-09-18 | 2011-06-21 | Power Integrations, Inc. | High-voltage vertical transistor with a varied width silicon pillar |
US7871882B2 (en) * | 2008-12-20 | 2011-01-18 | Power Integrations, Inc. | Method of fabricating a deep trench insulated gate bipolar transistor |
US7893754B1 (en) * | 2009-10-02 | 2011-02-22 | Power Integrations, Inc. | Temperature independent reference circuit |
US7932738B1 (en) * | 2010-05-07 | 2011-04-26 | Power Integrations, Inc. | Method and apparatus for reading a programmable anti-fuse element in a high-voltage integrated circuit |
-
2007
- 2007-02-16 US US11/707,586 patent/US8653583B2/en active Active
- 2007-11-28 EP EP07254607A patent/EP1959499A3/en not_active Withdrawn
-
2008
- 2008-02-15 JP JP2008064892A patent/JP5214288B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2008-02-18 CN CN201110349590.5A patent/CN102376768B/zh active Active
- 2008-02-18 CN CN2008100807528A patent/CN101246887B/zh active Active
-
2013
- 2013-02-27 JP JP2013036854A patent/JP5638645B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5821580A (en) * | 1996-04-30 | 1998-10-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | MOS device having a trench gate structure |
JPH10107282A (ja) * | 1996-09-30 | 1998-04-24 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
US20050167742A1 (en) * | 2001-01-30 | 2005-08-04 | Fairchild Semiconductor Corp. | Power semiconductor devices and methods of manufacture |
EP1689001A2 (en) * | 2005-02-03 | 2006-08-09 | Power Integrations, Inc. | High-voltage semiconductor devices |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102376768B (zh) | 2015-08-19 |
US8653583B2 (en) | 2014-02-18 |
JP2013141005A (ja) | 2013-07-18 |
CN101246887B (zh) | 2011-12-21 |
JP2008205482A (ja) | 2008-09-04 |
JP5214288B2 (ja) | 2013-06-19 |
EP1959499A3 (en) | 2010-07-14 |
JP5638645B2 (ja) | 2014-12-10 |
CN101246887A (zh) | 2008-08-20 |
US20080197406A1 (en) | 2008-08-21 |
EP1959499A2 (en) | 2008-08-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN101246887B (zh) | 与高压垂直晶体管集成的感测fet | |
CN101246905B (zh) | 棋盘式高电压垂直晶体管布局 | |
CN101246906B (zh) | 在高压晶体管结构的端处的栅极回拉 | |
CN101246908B (zh) | 高电压垂直晶体管的分段式柱布局 | |
CN101246907B (zh) | 用于具有棋盘式布局的晶体管的栅极金属布线 | |
CN104183645B (zh) | 垂直沟道式结型SiC功率FET及其制造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant |