CN102339774B - 基板清洗装置、涂覆显影装置以及基板清洗方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种基板清洗装置、涂覆显影装置以及基板清洗方法。基板清洗装置能够简便且有效地清洗基板的倒角部，还有利于节省空间。本发明的实施方式的基板清洗装置包括：基板保持旋转部，其保持基板的背面中心部并使该基板旋转；清洗构件，其包括第1清洗部、配置在上述第1清洗部的周围的第2清洗部、用于安装上述第1清洗部和上述第2清洗部的底座；升降部，其使上述基板保持旋转部和上述清洗构件相对地升降，以使上述第1清洗部和上述第2清洗部能够与被保持在上述基板保持旋转部的上述基板的背面接触；驱动部，其在沿着上述基板的背面的方向上相对地驱动上述基板和上述清洗构件，以使上述第2清洗部的一部分能够露出到上述基板的外侧。

Description

基板清洗装置、涂覆显影装置以及基板清洗方法
技术领域
本发明涉及对半导体晶圆、平板显示器用的玻璃基板(FPD用基板)等基板进行清洗的基板清洗装置、具有该基板清洗装置的涂覆显影装置以及基板清洗方法。
背景技术
在半导体集成电路、FPD的制造工艺中，将用作蚀刻掩膜的光致抗蚀剂图案形成在基板上的光刻法不可或缺。在光刻法中，具体而言，通过在例如半导体晶圆、FPD用基板等基板上涂覆光致抗蚀剂液而形成光致抗蚀剂膜，采用规定的图案的光掩模(掩模)来对光致抗蚀剂膜进行曝光，对曝光后的光致抗蚀剂膜进行显影，从而形成光致抗蚀剂图案。对于这样的处理，一般使用将曝光装置与进行光致抗蚀剂液的涂覆和显影的涂覆显影装置连接而构成的光致抗蚀剂图案形成系统。
可是，例如，在半导体晶圆(下面称为晶圆)的周缘部形成有从晶圆表面(以及背面)朝向侧面倾斜的倾斜面。具有这样的形状的周缘部被称为倒角部(bevel)。由于倒角部，涂覆到晶圆表面的光致抗蚀剂液不会在周缘部附近隆起，因而，能够在晶圆的表面上形成具有大致均匀的膜厚的光致抗蚀剂膜。然而，在光致抗蚀剂液蔓延到倒角部时，有时在倒角部也残留有抗蚀剂膜。这样的抗蚀剂膜往往利用在蚀刻之后进行的灰化也不能除去，从而作为污染源而成为问题。
为了解决这样的问题，人们提出将用于研磨倒角部的倒角研磨机构设在基板清洗单元中(专利文献1)。该倒角研磨机构配置在基板清洗单元中的被旋转吸盘保持的晶圆的倒角部的侧方。倒角研磨机构的清洗部通过与被旋转吸盘保持而旋转的晶圆的倒角部接触，从而机械清洗倒角部。
专利文献1：日本特开2008-288447号公报
然而，在上述那样将倒角研磨机构设在基板清洗单元中的情况下，因为在基板清洗单元内需要用于设置倒角研磨机构的空间，所以基板清洗单元有大型化的倾向。因此，具有基板清洗单元的涂覆显影装置的占有面积也变大。另外，由于倒角研磨机构的工作需要规定的时间，从而导致半导体集成电路等的制造生产率的下降。另外，因为需要倒角研磨机构的制造成本，所以基板清洗单元以及具有该基板清洗单元的涂覆显影装置的制造成本上升，进而导致半导体集成电路等的制造成本的上升。
发明内容
本发明是鉴于上述的情况而做成的，其目的在于提供一种能够简便且有效地清洗基板的倒角部、还有利于节省空间的基板清洗装置、具有该基板清洗装置的涂覆显影装置以及基板清洗方法。
为了实现上述的课题，本发明的第1技术方案提供一种基板清洗装置，其包括：基板保持旋转部，其用于保持基板的背面中心部，并使该基板旋转；清洗构件，其包括第1清洗部、配置在上述第1清洗部的周围的第2清洗部、以及用于安装上述第1清洗部和上述第2清洗部的底座；升降部，其用于使上述基板保持旋转部和上述清洗构件相对地升降，以使上述第1清洗部和上述第2清洗部能够与被保持在上述基板保持旋转部的上述基板的背面接触；驱动部，其用于在沿着上述基板的背面的方向上相对地驱动上述基板和上述清洗构件，以使上述第2清洗部的一部分能够露出到上述基板的外侧。
本发明的第2技术方案提供一种涂覆显影装置，其包括：光致抗蚀剂膜形成单元，其用于在基板上形成光致抗蚀剂膜；技术方案1至9中的任意一项所述的基板清洗装置，其用于对形成有上述光致抗蚀剂膜的上述基板进行清洗；显影单元，其用于在上述光致抗蚀剂膜被曝光之后对该光致抗蚀剂膜进行显影。
本发明的第3技术方案提供一种基板清洗方法，其包括：保持基板的背面并使上述基板旋转的步骤；使清洗构件的第1清洗部、第2清洗部与被保持在上述基板保持旋转部的上述基板的背面接触的步骤，该清洗构件包含上述第1清洗部、配置在上述第1清洗部的周围的上述第2清洗部、以及用于安装上述第1清洗部和上述第2清洗部的底座；使上述基板和上述清洗构件在沿着上述基板的背面的方向上相对移动，使上述第2清洗部的一部分露出到上述基板的外侧的步骤。
采用本发明的实施方式，提供一种能够简便且有效地清洗基板的倒角部、还有利于节省空间的基板清洗装置、具有该基板清洗装置的涂覆显影装置以及基板清洗方法。
附图说明
图1是表示本发明的实施方式的涂覆显影装置的俯视图。
图2是图1的涂覆显影装置的立体图。
图3是表示设在图1的涂覆显影装置中的本发明的实施方式的基板清洗装置的立体图。
图4是图3的基板清洗装置的俯视图。
图5是图3的基板清洗装置的侧视图。
图6是用于说明图3的基板清洗装置所具有的干燥部(吹拂器)的说明图。
图7是用于说明图3的基板清洗装置所具有的清洗头的说明图。
图8是用于说明本发明的实施方式的基板清洗方法的说明图。
图9是用于接着图8说明本发明的实施方式的基板清洗方法的说明图。
图10是用于说明本发明的实施方式的基板清洗方法的说明图。
图11是用于说明本发明的实施方式的基板清洗方法的说明图。
图12A是示意性地表示利用图7的清洗头对晶圆的倒角部进行清洗的状态的俯视图。
图12B是示意性地表示利用图7的清洗头对晶圆的倒角部进行清洗的状态的剖视图。
图13是表示为了确认本发明的实施方式的基板清洗方法的效果而进行的实验的实验结果的图表。
图14是用于说明本发明的实施方式的清洗头的变形例的说明图。
图15是用于说明本发明的实施方式的清洗头的其他变形例的说明图。
图16是用于说明本发明的实施方式的清洗头的其他变形例的说明图。
图17是用于说明本发明的实施方式的清洗头的其他变形例的说明图。
图18是用于说明本发明的实施方式的清洗头的其他变形例的说明图。
图19是用于说明本发明的实施方式的清洗头的其他变形例的说明图。
图20是用于说明本发明的实施方式的清洗头的其他变形例的说明图。
图21是用于说明本发明的实施方式的清洗头的其他变形例的说明图。
具体实施方式
下面，参照添附的附图对本发明的非限定的例示的实施方式进行说明。在添附的所有附图中，对于相同或者相对应的构件或者零件标注相同或者相对应的参照附图标记而省略重复说明。另外，附图的目的不在于表示构件或者零件之间的相对比例，因而，具体的尺寸应该由本领域技术者参照下面的非限定的实施方式来决定。
首先，参照图1以及图2说明本发明的实施方式的涂覆显影装置。
参照图1，本实施方式的涂覆显影装置1具有承载区B1、处理区B2、转接(interface)区B3。另外，在涂覆显影装置1的转接区B3连接有曝光装置B4。曝光装置B4可以是例如液浸曝光装置。
在承载区B1中设有能够分别载置晶圆承载件C1的多个(在图示的例子中是五个)载置台120；设在载置台120的背后的壁上的开闭门121；将晶圆W经由开闭门121从晶圆承载件C1中取出、将晶圆W收容到晶圆承载件C1中的输送机构A1。该输送机构A1构成为升降自如、绕铅垂轴线旋转自如、在晶圆承载件C1的排列方向(Y方向)上移动自如、在晶圆承载件C1的方向(X方向)上伸缩自如，以能够在晶圆承载件C1与后述的处理区B2的架单元U1之间交接晶圆W。
处理区B2与承载区B1的背面(与设有开闭门121的壁相反的一侧的面)连接。在处理区B2中设有：包含各种处理单元的处理单元组U4以及U5；隔开规定的间隔而在X方向上排列的架区U1、U2、U3；以被处理单元组U4、架区U1、架区U2包围的方式配置的输送机构A2；以被处理单元组U5、架区U2、架区U3包围的方式配置的输送机构A3。
参照图2，在处理单元组U4中层叠有三个光致抗蚀剂涂覆单元COT、两个下层反射防止膜涂覆单元BARC。另外，在处理单元U5中层叠有两个上层反射防止膜涂覆单元TC、三个显影单元DEV。光致抗蚀剂涂覆单元COT包括：旋转吸盘，其保持晶圆W并旋转；分配器，其向被旋转吸盘保持的晶圆W滴下光致抗蚀剂液；罩部，光致抗蚀剂液从分配器滴下到晶圆W上，由于晶圆W随着旋转吸盘的旋转而旋转，使光致抗蚀剂液从晶圆W的表面甩出，该罩部对甩出的光致抗蚀剂液进行接收。由此，光致抗蚀剂膜被形成在晶圆W上。下层反射防止膜涂覆单元BARC以及上层反射防止膜涂覆单元TC具有与光致抗蚀剂涂覆单元COT大致相同的结构，作为光致抗蚀剂液的替代，向晶圆W上滴下反射防止膜用的药液。由此，反射防止膜被形成在晶圆W上。另外，在反射防止膜中具有作为光致抗蚀剂膜的基底层而形成的下层反射防止膜、在光致抗蚀剂膜上形成的上层反射防止膜。显影单元DEV也具有与光致抗蚀剂涂覆单元COT大致相同的结构，作为光致抗蚀剂液的替代，向晶圆W上滴下显影液。由此，曝光后的光致抗蚀剂膜被显影，从而形成具有规定的图案的光致抗蚀剂掩模。
另外，在架单元U1～U3(图1)中层叠有用于进行相对于在处理单元组4以及U5中进行的各处理而言为前置处理以及后置处理的单元。上述的单元也可以是用于使晶圆W疏水化的疏水化处理单元、加热(烘烤)晶圆W的加热单元、冷却晶圆W的冷却单元等。
再次参照图1，转接区B3包括第1输送室126和第2输送室127。第1输送室126以及第2输送室127沿着从处理区B2朝向曝光装置B4的方向(X方向)依次配置。在第1输送室126中设有输送臂A4、在第2输送室127中设有输送臂A5。输送臂A4以及输送臂A5能够升降、能够绕铅垂轴线旋转、在X方向上伸缩自如。另外，输送臂A5能够在Y方向上移动。
另外，在第1输送室126中设有架单元U6、缓冲盒CO、基板清洗装置100(后述)。架单元U6也可以包括加热单元、温度调整单元、输送单元等。输送臂A5用于向基板清洗装置100中输入晶圆W、从基板清洗装置100中输出晶圆W。
下面，参照图3至图7说明配置在转接区B3中的基板清洗装置100。如图3所示，基板清洗装置100包括下罩(under cup)43，其呈箱状，具有上部开口；两个吸盘2，其从转接区B3的输送臂A5(图1)接收晶圆W，作为保持晶圆W的第1基板保持部；旋转吸盘3，其从吸盘2接收晶圆W，作为吸附晶圆W而水平地保持晶圆W的第2基板保持部；清洗头5，对晶圆W的背面以及倒角部进行清洗的清洗头5。
如图4所示，为了保持晶圆W的背面周缘部，两个吸盘2隔开规定的间隔而互相平行地配置。在两个吸盘2上分别形成有吸附孔2a，吸附孔2a与吸附管以及真空排气装置(未图示)相连通。由此，吸盘2作为经由吸附孔2a利用吸附来保持晶圆W的真空吸盘而发挥作用。另外，如图4所示，吸盘2被安装在所对应的吸盘支承部21的大致中心部。吸盘支承部21具有细长的杆形状。吸盘支承部21的两端被安装在两个桥桁部22上，桥桁部22构成井字形部20。
两个桥桁部22的+Y方向的端部被安装在皮带23上，该皮带23卷绕在一对皮带轮24上，桥桁部22的-Y方向的端部也被安装在皮带23上，该皮带23卷绕在一对皮带轮24上。这两组皮带轮24分别可旋转地设在侧板26上，该侧板26与下罩43的侧壁相对设置。在一对皮带轮24中的一个上结合有驱动机构25。采用这样的结构，在驱动机构25的作用下皮带轮24向一个方向旋转时，由于皮带轮24的作用而使皮带23沿着皮带轮24的旋转方向移动，在驱动机构25的作用下皮带轮24向反方向旋转时，由于皮带轮24的作用而使皮带23沿反方向移动。结果，桥桁部22进而井字形部20能够在X方向上往复运动。由此，安装在桥桁部22上的吸盘支承部21、安装在吸盘支承部21上的吸盘2、被吸盘2保持的晶圆W也能够在X方向上往复运动。
另外，如图3所示，各侧板26分别在其底面位置被一组升降机构27支承，该升降机构27由滑块27a和引导件27b构成。升降机构27安装在基板清洗装置100的壳体底面(未图示)。为了使滑块27a沿着引导件27b上下移动，在升降机构27中的一个上结合有驱动机构(未图示)，井字形部20利用该驱动机构能够在图3的Z方向(上下方向)移动。由此，安装在桥桁部22上的吸盘支承部21、安装在吸盘支承部21上的吸盘2、被吸盘2保持的晶圆W也能够在Z方向上移动。
另外，在井字形部20上设有大致环状的上罩41。设置上罩41的目的在于防止清洗液的雾沫或者液滴飞散。上罩41具有比晶圆W的直径还大的开口，通过该开口在输送臂A5与吸盘2之间交接晶圆W。如图3所示，设在井字形部20上的上罩41能够与井字形部20一起在X方向以及Z方向上移动。
下面，说明作为第2基板支承部的旋转吸盘3。旋转吸盘3呈圆盘形状，用于保持晶圆W的背面中央部。旋转吸盘3配置在互相平行地排列的两个吸盘2之间。因此，被旋转吸盘3保持的背面中央部不会与被吸盘2保持的背面周缘部相重叠。如图5所示，旋转吸盘3借助轴3b与驱动机构(旋转吸盘电动机)33相结合，在驱动机构33的作用下，旋转吸盘3能够绕铅垂轴线旋转、升降。通过这样的结构，能够使被旋转吸盘3保持的晶圆W相对于清洗头5上下移动，从而通过调整旋转吸盘3的上下方向位置，能够调整清洗头5对于晶圆W背面的压力。
另外，与吸盘2与吸附管(未图示)相连接的情况相同，旋转吸盘3与吸附管(未图示)相连接。由此，旋转吸盘3作为利用经由吸附孔3a(图4)产生的抽吸对晶圆W进行保持的真空吸盘而发挥作用。另外，支承销32以包围旋转吸盘3的方式配置。支承销32与升降机构32a(图5)相连接，由此，支承销32支承晶圆W的背面，从而能够使晶圆W上下移动。支承销32与基板清洗装置100的外部的输送机构(输送臂A5)协作，能够将晶圆W从输送机构输送到吸盘2、从吸盘2输送到旋转吸盘3，并且，能够与此相反地进行输送。
参照图3至图5，具有圆筒形状的吹拂器31围绕着旋转吸盘3以及支承销32。如图6所示，吹拂器31例如由双重圆筒构成，双重圆筒的上端被封堵。在其上端沿周向隔开规定的间隔地形成有多个喷射口31a。吹拂器31自未图示的供给部经由双重圆筒的中空部将气体(例如氮气(N2)或者清洁空气)从喷射口31a喷出。即、吹拂器31能够作为使旋转吸盘3的表面、与该旋转吸盘3相接触的晶圆W的背面中央部干燥的干燥器而发挥作用。
下面，参照图7说明作为清洗晶圆W的背面以及倒角部的清洗构件的清洗头5。图7的(a)是清洗头5的俯视图、图7的(b)是图7的(a)的I-I的剖视图、图7的(c)是图7的(a)的II-II的剖视图。如图所示，清洗头5具有大致圆柱状的外观形状，其包括：中央部5a，其配置在大致中央位置；圆环部5b，其具有圆环状的外观形状，配置在中央部5a的周围；底座5c，其用于安装中央部5a以及圆环部5b。中央部5a的外径例如可以是大约55mm～大约75mm，圆环部5b的外径例如可以是大约65mm～大约85mm。另外，中央部5a以及圆环部5b的高度在图示的例子中大致相等，例如可以是大约3mm～大约7mm。
在本实施方式中，中央部5a以及圆环部5b由例如聚乙烯醇(PVA)制的海绵形成。因此，中央部5a以及圆环部5b具有柔软性，被与底座5c相连接的支承部51(后述)按压到被旋转吸盘3保持的晶圆W的背面时，中央部5a以及圆环部5b收缩，从而用适度的压力与晶圆W的背面接触。另外，如图7的(b)以及图7的(c)所示，圆环部5b具有大致三角形状的截面。换言之，在圆环部5b中，与中央部5a的侧周面相面对的内周面倾斜，从而在中央部5a与圆环部5b之间形成有随着朝向上方而变大的空间S。另外，圆环部5b的外周面相对于底座5c大致直立。另外，在图示的例子中，圆环部5b在其下端与中央部5a的侧周面接触，但在其他实施方式中也可以分开。
另外，在中央部5a设有：开口部5o，其位于中央部5a的中央，具有圆形的上表面形状(俯视)；四个缺口部5d，其从中央部5a的由该开口部5o形成的内周面沿中央部5a的径向延伸。利用缺口部5d而在中央部5a的上端形成有角(边缘)。因此，能够提高在中央部5a与晶圆W的背面相接触(或者被按压)并旋转时的清洗效果。
另外，如图7的(a)以及图7的(c)所示，在底座5c上，在中央部5a和圆环部5b之间的交界附近且与缺口部5d相对应的位置设有通孔5h。例如，在清洗晶圆W的倒角部时，能够将供给到晶圆W的背面的清洗液(例如去离子水(DIW)或者纯水)经由通孔5h从中央部5a和圆环部5b之间排出到底座5c的下方的空间。
另外，参照图3至图5，清洗头5的底座5c安装在支承轴5S上，该支承轴5S安装在支承部51的顶端。支承部51具有如柄勺那样的形状，以使支承部51不阻碍晶圆W、桥桁部22的移动。在沿下罩43的Y方向延伸的侧壁中的一个侧壁上可旋转地设有轴(或者滑轮)53，皮带52被卷绕在轴53上。上述的支承部51的基端被安装在皮带52上。轴53的一方与驱动机构54(图3和图4)相连接，由此，轴53向顺时针方向或者逆时针方向旋转而使皮带52往复运动。这样一来，支承部51进而清洗头5能够在Y方向上往复运动。
另外，支承部51的顶端的支承轴5S能够在未图示的旋转机构的作用下旋转，从而能够使清洗头5旋转。由此，清洗头5在与晶圆W的背面接触或者被按压到晶圆W的背面时能够旋转，由此，促进对附着在晶圆的背面的微粒的除去。另外，如图4所示，在支承部51的顶端设有清洗液喷嘴51a和吹气喷嘴51b。为了冲走由清洗头5从晶圆W背面除去的微粒，从清洗液喷嘴51a供给清洗液(例如DIW或者纯水)。从吹气喷嘴51b喷出例如氮气或者清洁空气等气体，该气体用于促进在清洗完了之后附着在晶圆W背面的清洗液的干燥。
参照图3和图5，基板清洗装置100具有用于对被旋转吸盘3保持的晶圆W的表面进行清洗的表面清洗喷嘴6。表面清洗喷嘴6包括：清洗液喷嘴61，其构成为为了冲走被附着在晶圆W表面上的微粒而将清洗液(例如DIW或者纯水)喷出到晶圆W的表面；气体喷嘴62，其构成为为了从晶圆W的表面使清洗液干燥，供给气体(例如氮气或者清洁空气)。如图5所示，清洗液喷嘴61以及气体喷嘴62由共用的支承构件63支承，在驱动机构64的作用下能够在沿着晶圆W的直径的方向上移动、能够在上下方向上升降。清洗液喷嘴61以及气体喷嘴62位于输送中的晶圆W的上方，能够使不阻碍晶圆W以及输送机构。
如图5所示，在下罩43的底部形成有用于将下罩43中积存的清洗液排出的排出管43a、用于将基板清洗装置100内的气流排出的两个排气管43b。为了防止积存在下罩43的底部的清洗液流入到排气管43b中，排气管43b从下罩43的底部向上突出。另外，为了防止清洗液流动而落入排气管43b中，环状的内罩42以位于排气管43b的上方的方式安装在吹拂器31的周围。
另外，在上罩41的上方设有吹气喷嘴44。吹气喷嘴44能够从上方将气体(例如氮气或者清洁空气)喷到晶圆W的表面周缘部。另外，吹气喷嘴44借助升降机构45升降自如，能够在将晶圆W向基板清洗装置100输入输出时向上方移动以使吹气喷嘴44不与晶圆W、输送臂A5(图3)接触。
另外，如图3和图5所示，在下罩43的侧壁之中的未设皮带的侧壁上安装有用于收容UV灯46的灯箱47。晶圆W通过UV灯46的上方被输入输出到基板清洗装置100的内外。因此，在晶圆W被从基板清洗装置100输出的期间，UV灯46能够向晶圆W的背面照射紫外区域光。在晶圆W背面残存有源自聚合物的微粒的情况下，那样的微粒在紫外区域光的作用下收缩而被除去。
下面，参照图5说明清洗液供给源和氮气供给源。表面清洗喷嘴6的清洗液喷嘴61和气体喷嘴62分别经由供给管线61a、62a与清洗液源65和氮气源66相连接，该清洗液喷嘴61和气体喷嘴62分别具有流量控制单元61b、62b。另外，吹气喷嘴44经由具有流量控制单元44b的供给管线44a与氮气源66相连接。流量控制单元61b、62b、44b分别具有阀和流量调整器(未图示)，在控制器200(后述)的控制下，控制清洗液以及氮气的供给的开始/停止并控制流量。
再次参照图4和图5，在基板清洗装置100中设有控制器200。控制器200控制基板清洗装置100整体的动作。控制器200例如可以是连接有存储装置200a的计算机。在存储装置200a中存储有计算机程序，该计算机程序具有使基板清洗装置100的各构成零件或者组件进行规定的动作的步骤(命令)群。控制器200根据需要从存储装置200a中读取计算机程序，根据该计算机程序来控制各构成零件或者组件的动作。具体而言，控制器200向各构成零件或者组件输出命令以使其控制输送机构A1、A2、A3、输送臂A4、A5、吸盘2、旋转吸盘3，从而在输送臂A5、吸盘2、旋转吸盘3之间交接晶圆W并利用清洗头5以及表面清洗喷嘴6清洗晶圆W。
该计算机程序存储在例如硬盘、CD-ROM/RAM、光磁盘、各种存储卡、USB存储器等存储介质200c中，经由输入输出装置200b存储在存储装置200a中。
在此，说明在涂覆显影装置1以及曝光装置B4内如何处理晶圆W。
首先，在收容有晶圆W的晶圆承载件C1被载置在承载区B1的载置台120上时，开闭门121与晶圆承载件C1的盖子一起打开。随后，利用输送机构A1将一片晶圆W从晶圆承载件C1中取出。接下来，经由架单元U1的输送单元将晶圆W交接到输送机构A2，然后输送到架单元U1的疏水化处理单元，在该处对晶圆W进行疏水化处理。然后，将晶圆W输送到处理单元组U4的下层反射防止膜涂覆单元BARC中，在该处反射防止膜被形成在晶圆W上。此后，用加热单元烘烤晶圆W。
然后，将晶圆W输送到光致抗蚀剂涂覆单元COT，在这里光致抗蚀剂膜被形成在晶圆W的表面上。然后，用加热单元对晶圆W进行热处理，接下来，利用输送机构A3经由架单元U3的输送单元将晶圆W输送到转接区B3中。在转接区B3中经由架单元U6的输送单元将晶圆W从输送臂A4交接到输送臂A5，然后，利用输送臂A5将晶圆W输送到基板清洗装置100中。
下面，说明基板清洗装置100的动作(晶圆清洗方法)。
首先，如图8的(a)所示，输送臂A5具有呈U字状(或者C字状)的上表面形状(参照图1)的臂部作为晶圆支承部，该输送臂A5将处理对象的晶圆W输入到基板清洗装置100内并维持在上罩41的开口部41a的上方。随后，支承销32从旋转吸盘3的下方上升并停留在输送臂A5的下方的位置。接下来，输送臂A5下降而将晶圆W交接到支承销32，然后从基板清洗装置100退出。此时，吸盘2的上表面位于比支承销32所支承的晶圆W低且比清洗头5的上端高的位置。另外，旋转吸盘3的上表面位于比清洗头5的上端还低的位置。然后，如图8的(b)所示，在支承销32下降时，晶圆W被载置在吸盘2上。
接下来，吸盘2利用抽吸将晶圆W保持为即使清洗头5被推压到晶圆W的背面，晶圆W也不会被抬起。在吸盘2将晶圆W保持在比旋转吸盘3、清洗头5、吹拂器31的上端高的位置的状态下，上罩41、吸盘2、晶圆W与井字形部20(图4)等一起向右方移动。如图8的(c)所示，在晶圆W被输送到预先确定的位置(例如吹拂器31的左端与晶圆W的左端大致对齐那样的位置)之后，吸盘2保持吸附着晶圆W的状态而下降，将晶圆W的背面推压到清洗头5上。在这种状况下，旋转吸盘3位于吸盘2的下方，吹拂器31的上表面位于晶圆W的背面的下方。
接下来，从吹拂器31的喷射口31a(图6)喷射气体之后，从支承部51的顶端的清洗液喷嘴51a(图4)将清洗液供给到晶圆W的背面，并使清洗头5旋转而清洗晶圆W的背面中央部。此时，利用从吹拂器31的喷射口31a喷出的气体来防止清洗液飞溅到旋转吸盘3的表面，从而保持旋转吸盘3的表面清洁。在晶圆W的背面中央部的清洗过程中，吸盘2与清洗头5协作而移动，从而使包括背面中央部在内的较大范围被清洗。具体而言，例如，如图10所示，一边使清洗头5在图中的Y方向上往复移动、一边使清洗头5反转方向时，吸盘2只向+X方向移动比清洗头5的直径短的距离。通过这样的移动，清洗头5能够如图10中的箭头A所示那样在晶圆W背面上沿着Z形轨迹移动。结果，图10中的区域T1(包括背面中央部)被没有遗漏地清洗。
上述的区域T1被清洗之后，吸盘2向左方向移动以使晶圆W的中心与旋转吸盘3的中心对齐，如下所述那样，将晶圆W从吸盘2交接到旋转吸盘3。
首先，在气体被从吹拂器31的喷射口31a喷出的状态下，清洗头5停止移动和旋转，并停止来自于支承部51的顶端的清洗液喷嘴51a(图4)的清洗液。随后，将晶圆W从被固定在吸盘2上的状态中解放之后，抬起旋转吸盘3，利用旋转吸盘3来支承晶圆W的背面中央部。旋转吸盘3利用抽吸将晶圆W保持为即使将清洗头5推压到晶圆W的背面、晶圆W也不会被抬起(图9的(a))。此后，上罩41以及吸盘2下降，从而从吸盘2到旋转吸盘3的晶圆W的交接结束。
下面，如图9所示，一边利用旋转吸盘3保持晶圆W，一边清洗晶圆W的表面、背面、倒角部，优选同时清洗。具体而言，首先，利用旋转吸盘3而开始晶圆W的旋转，晶圆W用比较慢的旋转速度持续旋转。另外，表面清洗喷嘴6下降到清洗液喷嘴61的顶端位于距晶圆W的表面中心大约10mm的上方，并从清洗液喷嘴61向晶圆W的表面中央部供给清洗液。由于晶圆W的旋转，被供给到晶圆W的表面中央部的清洗液朝向晶圆W的外缘地在晶圆的表面上流动。在清洗液喷嘴61一边供给清洗液一边沿着晶圆W的径向向外移动时，气体喷嘴62也随着清洗液喷嘴61一起移动而到达晶圆W的表面中央部的上方。由此，晶圆W的表面中央部被来自于气体喷嘴62的氮气干燥。接着，一边从清洗液喷嘴61供给清洗液并从气体喷嘴62供给氮气，一边使清洗液喷嘴61和气体喷嘴62这两者沿晶圆W的径向向外连续地移动时，利用清洗液的喷出的势头和晶圆W的表面上的清洗液的流动来清洗晶圆W整个表面，并利用来自于气体喷嘴62的氮气从内侧干燥晶圆W表面。
如上所述，在进行晶圆W表面的清洗以及干燥的期间，对于晶圆W的背面，通过从清洗头5的支承部51的清洗液喷嘴51a供给清洗液、用于使晶圆W旋转的旋转吸盘3与沿晶圆W的径向移动的清洗头5之间的协同运动而进行清洗。具体而言，在清洗头5位于吹拂器31的外侧附近之后，旋转吸盘3的驱动机构33(图5)下降，从而晶圆W的背面被以规定的压力推压到清洗头5上。在晶圆W开始旋转的同时，从支承部51的清洗液喷嘴51a向晶圆W的背面供给清洗液，且清洗头5开始旋转。然后，在晶圆W旋转例如360°时，支承部51以及清洗头5只向-Y方向(图11)移动与清洗头5的直径相等或者比清洗头5的直径小的长度。重复这样的动作时，清洗头5一边相对于晶圆W的背面相对地沿同心圆状的路径移动，一边到达晶圆W的倒角部。
如图12A所示，在清洗头5到达倒角部时，清洗头5的圆环部5b的一部分露出到晶圆W的倒角部B(图12B)的外侧。如图12B的(a)所示意性地表示那样，在到达倒角部之前，清洗头5的中央部5a、圆环部5b都被推压到晶圆W的背面而被压扁，但在清洗头5到达倒角部B而圆环部5b露出时，圆环部5b不是从上方被压扁，而是变成圆环部5b的内周面与倒角部B接触。而且，因为圆环部5b具有柔软性，所以莫如变成倒角部B被从横向用适度的力推压到圆环部5b的倾斜的内周面上。在此状态下，因为晶圆W以及清洗头5在旋转，所以变成倒角部B遍及全周地与圆环部5b擦碰，从而倒角部B被有效地清洗。另外，此时，如图12B的(a)所示，从清洗液喷嘴51a向晶圆W背面供给的清洗液积存在中央部5a的侧周面与圆环部5b的内周面之间的空间中，如图12B的(b)所示，该清洗液从形成在底座5c上的通孔5h排出。
在清洗头5到达晶圆W的倒角部B之后，在晶圆W至少旋转1圈时，晶圆W的背面以及倒角部B的清洗结束。由此，图11中的用右下斜线(从右向左上升的斜线)表示的区域T2被没有遗漏地清洗。
另外，因为从吹拂器31的喷射口31a向晶圆W的背面喷出气体，所以清洗液(DIW)被向外吹跑，从而能够将与吹拂器31相对的背面部分维持成干燥的状态。即、吹拂器31防止清洗液到达旋转吸盘3，因此，能够将旋转吸盘维持成干燥的状态。
在晶圆W的表面、背面、倒角部B被如上述那样清洗之后，表面清洗喷嘴6向上方移动，清洗头5停止旋转和移动，清洗液喷嘴51a停止清洗液的供给，旋转吸盘3暂时停止旋转。然后，主要是因为晶圆W的背面被清洗液浸湿，所以利用旋转吸盘3使晶圆W高速旋转而使晶圆W干燥。此时，随着后退到上方的吹气喷嘴44如图9的(b)所示那样向下方移动，支承部51移动而使清洗头5的旁边的吹气喷嘴51b位于晶圆W的倒角部B的下方。由此，气体被从上下方向喷到倒角部B，从而能够促进晶圆W的倒角部B的干燥。
如果通过上述的动作结束了晶圆W的清洗和干燥，就用与将晶圆W输入到基板清洗装置100时相反的方法将晶圆W输送到输送臂A5(图3)。在输送过程中，UV灯46(图3和图4)点亮而从UV灯46向被输送臂A5(图3)支承的晶圆W的背面照射紫外线，该输送臂A5的晶圆支承端呈U字状。即使在晶圆W的背面残留有微粒，因为紫外线使有机物分解，所以紫外线使例如由光致抗蚀剂引起的微粒收缩，从而能够从背面除去微粒，能够容易地消除散焦(defocus)的问题。
在晶圆W被输出的期间，吸盘2、旋转吸盘3移动到例如图8的(a)所示的初始位置而等待下一个晶圆W的输入。输入下一个晶圆时，重复上述的动作，依次处理多个晶圆W。
如上所述，将被基板清洗装置100清洗的晶圆W输送到曝光装置B4(参照图1)，在例如将纯水的层形成在晶圆W的表面上的状态下进行液浸曝光。然后，将经过液浸曝光的晶圆W从曝光装置B4取出，例如，输送到转接区B3的基板清洗装置100中。在这里，残留在晶圆W的表面的纯水被除去。随后，将晶圆W输送到相当于架单元U6的一层的加热单元，对晶圆W进行曝光后烘烤(PEB)。
接着，利用输送臂A4从加热单元取出晶圆W，并交接到输送机构A3，然后，利用输送机构A3输送到显影单元DEV。在显影单元DEV中经过规定的显影处理之后，在加热单元烘烤晶圆W，然后，利用输送机构A1输送到承载区B1，最终返回到原来的晶圆承载件C1中。
通过上述动作，在涂覆显影装置1以及曝光装置B4中对晶圆W进行的一系列的处理结束。
采用本发明的实施方式的基板清洗装置100，在利用旋转吸盘3保持晶圆W的背面中央部、且晶圆W利用旋转吸盘3而旋转的期间，将清洗头5推压到晶圆W的背面(背面中央部除外)并旋转，从而清洗晶圆W的背面。通过安装有清洗头5的支承部51的移动，在清洗头5到达晶圆W的倒角部B时，清洗头5的圆环部5b的一部分露出到晶圆W的外侧而与倒角部接触。在该状态下，因为晶圆W以及清洗头5正在旋转，所以倒角部B通过擦碰圆环部5b而被清洗。
如上所述，清洗头5清洗晶圆W的背面、且在背面清洗的最后位于使圆环部5b的一部分露出(显露出)到晶圆W的外侧的位置，从而也能够清洗晶圆W的倒角部B。即、能够与晶圆W的背面清洗连续而简便且短时间地清洗倒角部B。因此，不需要设置用于倒角部B的清洗的工序。因而，不会导致生产率的大幅下降。
另外，因为能够利用用于清洗晶圆W的背面的清洗头5来清洗倒角部，所以不需要设置用于清洗倒角部的另外的结构，因而，基板清洗装置100不会大型化、也不会花费追加的制造成本、也不需要额外的空间。另外，在具有基板清洗装置100的涂覆显影装置1中，不需要为了基板清洗装置100而确保额外的空间，从而有助于涂覆显影装置1的节省空间。
此外还有，在晶圆W的背面的清洗中，因为从安装有清洗头5的支承部51的顶端的清洗液喷嘴51a供给清洗液，所以海绵制的中央部5a以及圆环部5b吸收清洗液，由此，有效地清洗倒角部。但是，根据清洗液的供给量，有时圆环部5b不能完全吸收清洗液，从而倒角部B被过度润湿。在该情况下，清洗液会残留在形成在晶圆W边缘的缺口部N(图12的(a))。于是，该清洗液干燥时，或者在缺口部N形成水印，或者清洗液中所含的微粒发生残留。但是，在清洗头5中，圆环部5b的内周面以随着朝向上方而与中央部5a之间的间隔扩大的方式倾斜，在中央部5a与圆环部5b之间的交界的下方，在与缺口部5d相对应的位置形成有贯通底座5c的通孔5h，因此，积存在中央部5a与圆环部5b之间的空间中的清洗液经由通孔5h排出。因而，圆环部5b能够含有适量的清洗液，从而能够使清洗液不残留在缺口部N。由此，也能够降低缺口部N的污染。
另外，在本实施方式中，因为清洗头5的圆环部5b的内周面以上述的方式倾斜，所以能够充分地贴紧从倒角部B的特别是下侧部分(从晶圆W的背面朝向侧面倾斜的部分)到侧面的部分。由于倒角部B的下侧部分例如在灰化处理中难以清净化，所以能够更有效地清洗该部分的本例的清洗头5是有用的。
接下来，参照图13说明为了确认晶圆的背面在基板清洗装置100中利用上述的晶圆清洗方法被清净化而进行的实验。
准备故意将晶圆的倒角部污染的实验用的晶圆，通过清洗该晶圆而进行该实验。具体而言，首先，用输送臂(相当于上述的输送臂A5)输送沉积有氮化硅膜的晶圆，使该输送臂的与晶圆接触的部分(U字形状部分)附着氮化硅膜的刮屑。这样一来，通过用污染的输送臂输送裸晶圆，从而准备了在倒角部附着有刮屑的实验用的晶圆。用目视或者光学显微镜对实验用晶圆的倒角部中的附着有刮屑的部分(下面称为附着部)的面积进行估算之后，用下面的各种方法清洗倒角部，通过对清洗后的附着部的面积进行同样的估算，从而算出除去率。
清洗的方法如下(下面的从(1)到(5)的标题与图13的图表的横轴相对应)。
(1)比较例的刷子
作为比较例的清洗构件而准备了清洗刷，该清洗刷是将具有圆柱形状的海绵部安装在底座上而制作出来的，将该清洗刷作为清洗头5的代替物安装在基板清洗装置100的支承部51的顶端，然后使用该基板清洗装置清洗了实验用的晶圆的倒角部。
(2)清洗喷嘴
通过将与后述的倒角清洗喷嘴7相同的清洗喷嘴设在基板清洗装置中，利用该倒角清洗喷嘴7向实验用的晶圆的倒角部喷出清洗液(DIW)，从而清洗了实验用的晶圆的倒角部。
(3)比较例的刷子与清洗喷嘴的组合
利用上述的清洗刷进行清洗之后，进行了使用上述的清洗喷嘴的清洗。
(4)实施例1
在具有清洗头5的基板清洗装置100中清洗了实验用的晶圆的倒角部。
(5)实施例2
使用由塑料制的纤维捆扎而成的刷子替代PVA制的海绵并将清洗喷嘴5(后述)安装到基板清洗装置100中，然后使用该基板清洗装置100清洗了实验用的晶圆的倒角部。
参照图13可知，在使用比较例的刷子的情况下，只能除去大约42％的刮屑。可以认为这样的除去率是由于比较例的刷子不具有中央部5a以及圆环部5b的缘故、由于比较例的刷子不会接触(或者擦碰)到实验用的晶圆的倒角部缘故。
在由清洗喷嘴向倒角部喷出清洗液的情况下，附着在倒角部的刮屑大约被除去47％，得到了高于比较例的刷子的除去率。然而，因为利用清洗液的冲击力的清洗也是非接触式的，除去率不充分。另外，在组合比较例的刷子与清洗喷嘴的情况下，除去率也不过是大约50％，不能认为是大幅改善。但是，通过对由清洗喷嘴喷出清洗液的压力进行调整，能够提高除去率。
另一方面，在使用海绵制的清洗头5的情况下，附着在实验用的晶圆的倒角部的刮屑被几乎完全除去。另外，可知利用由塑料制的刷子制作的清洗头5也得到大约高达86％的除去率。认为这些结果是由于倒角部与圆环部5b相接触(或者擦碰)的效果而产生的。通过上述实验确认了本发明的实施方式的基板清洗装置的效果、优点。
另外，关于实施例1以及实施例2，在清洗前后分别进行实验用的晶圆的表面的微粒的测定时，没发现微粒随着倒角部清洗而增加。
上面，参照若干实施方式对本发明进行了说明，但本发明不被限定于上述的实施方式，而是能够参照添附的专利权利要求书而进行多种变形。
例如，清洗头5也可以具有如下所述的形状。参照图14，在该清洗头中设有沿着中央部5a的径向延伸的八个缺口部5d、与该八个缺口部5d相对应地形成在底座5c上的通孔5h。关于其它的结构，与图7所示的清洗头5相同。采用这样的结构，也在清洗头5的圆环部5b的一部分到达晶圆W的外侧时，能够利用圆环部5b清洗晶圆W的倒角部B。另外，由于缺口部5d的数量多，所以能够期待进一步提高由缺口部5d带来的清洗效果。另外，由于通孔5h的数量多，所以清洗液被有效地排出，因此，例如，适合从清洗液喷嘴51a供给较多量的清洗液的情况。但是，缺口部5d以及通孔5h的数量不限于图7的四个、图14的八个，当然可以进行适当的调整。
另外，图15所示的清洗头5具有形成在中央部5a的大致中央的开口部5o、开口于中央部5a的侧周面且在中央部5a内向底座5c方向弯曲的导管5e。该导管5e具有即使在中央部5a被推压到晶圆W的背面而变形的情况下也不会压扁那样程度的直径。另外，在底座5c上以连接上述的导管5e的方式形成有通孔5h。该清洗头5的圆环部5b具有与图7所示的圆环部5b相同的结构。采用这样的结构，也能够利用圆环部5b清洗晶圆W的倒角部B。另外，因为可以经由导管5e以及通孔5h将积存在中央部5a与圆环部5b之间的空间中的清洗液排出，所以能够使清洗液不残留在特别是晶圆W的缺口部(图12A)。另外，虽然在图15中图示有四个导管5e和四个通孔5h，但可以任意地确定它们的数量。
参照图16，该清洗头5具有形成在中央部5a的大致中央处的开口部5o、从由该开口部5o形成的中央部5a的内周面起沿着中央部5a的径向延伸的四个缺口部5d、开口于中央部5a的外周面且与缺口部5d相连通的导管5f。导管5f具有即使在中央部5a被推压到晶圆W的背面而变形的情况下也不会压扁那样程度的直径。另外，底座5c的通孔5h形成在与缺口部5d的底部相当的位置。该清洗头的圆环部5b与图7所示的圆环部5b相同。采用这样的结构，与图7的清洗头5同样，能够得到由缺口部5d带来的清洗效果，另外，能够经由导管5f、缺口部5d、通孔5h将积存在中央部5a与圆环部5b之间的空间中的清洗液排出。可以任意地确定导管5e以及缺口部5d的数量，另外，通孔5h也可以形成在与开口部5o的底部相当的位置。通孔5h的数量可以与缺口部5d的数量不同数。
图17所示的清洗头5与图7的清洗头5的不同点在于，圆环部5b的形状不同，其它的结构相同。如图17的(b)所示，该清洗头5的圆环部5b具有大致梯形的截面形状，该梯形形状的斜面面向中央部5a的外周面。采用这样的结构，圆环部5b的内表面(特别是倾斜的面)也能够与晶圆W的倒角部B接触，从而能够清洗倒角部B。另外，因为积存在中央部5a与圆环部5b之间的空间中的清洗液经由海绵制的中央部5a以及圆环部5b而从通孔5h排出，所以适合来自于清洗液喷嘴51a的清洗液是较少量的情况。
图18所示的清洗头5具有中央部5a、配置在中央部5a的周围的多个支柱(pillar)5p、安装有该中央部5a和支柱5p的底座5c。在中央部5a中设有具有圆形的上表面形状的开口部5o、四个缺口部5d。支柱5p与图7的清洗头5的中央部5a以及圆环部5b同样地由PVA形成。采用这样的结构，也在清洗头5位于使支柱5p的一部分露出到晶圆W的外侧的位置时，通过晶圆W的倒角部B与支柱5p接触，能够清洗倒角部B。另外，在此情况下，因为清洗液从支柱5p之间的间隙、以及支柱5p与中央部5a之间的间隙排出，所以在底座5c中不需要通孔5h。另外，因为未形成有通孔5h，所以中央部5a的缺口部5d未到达中央部5a的侧周面。
在图19中图示有清洗头5的另一个其他变形例。如图所示，该清洗头5的圆环部5b具有矩形的截面形状，除这点之外，具有与图7所示的清洗头5相同的结构。采用该结构，也在清洗头5的圆环部5b的一部分到达晶圆W的外侧时，能够利用圆环部5b清洗晶圆W的倒角部B。
图20所示的清洗头5包括具有八棱柱体的上表面形状的中央部5a、配置在该中央部5a的周围的多角环部5b。与上述的例子相同，中央部5a以及多角环部5b安装在底座5c上。多角环部5b的内缘反映中央部5a的外缘形状而具有八棱柱体的上表面形状，且几乎与中央部5a的外缘接触。采用具有这样的形状的多角环部5b，因为与晶圆W的倒角部B接触时的接触面积以及接触力能够沿着多角环部5b的内缘而变化，所以能够期待清洗效率的提高。
另外，清洗头5也可以不是由海绵形成，而是由例如将多个塑料制的丝捆扎而成的刷子形成。塑料制的丝优选由例如聚氯乙烯(PVC)、聚氨酯、尼龙等制成。另外，也可以将清洗头5的中央部5a以及圆环部5b这双方或者任意一方设为刷子。另外，即使在用刷子形成圆环部5b的情况下，也可以使面向中央部5a的侧周面的内周面以如图7所示的方式倾斜。
另外，参照图21的(a)和(b)，在另一个其他变形例的清洗头5中，圆环部5b的内周面相对于底座5c大致直立，圆环部5b的外周面向外倾斜。除了这点之外，该变形例的清洗头5具有与图7所示的清洗头5相同的结构。具体而言，圆环部5b的外周面倾斜为圆环部5b的外径随着朝向上方(沿远离底座5c的方向)而变小。采用这样的形状，因为圆环部5b的上部比圆环部5b的下部薄而能够具有适度的柔软性，所以能够用适度的力向倒角部B(参照图12B)进行推压。因此，能够提高倒角部B的清洗效果。另外，如图21的(c)所示，对于具有这样的形状的清洗头5，在清洗晶圆W的背面的情况下被推压到该背面时，圆环部5b被向内压扁。因此，在较长期间地使用该清洗头5的情况下，圆环部5b的上部附近以向内侧收缩的方式变形。这样一来，即使长期间地使用，在清洗头5到达倒角部B而圆环部5b的一部分露出时，倒角部B也能够被可靠地被推压到圆环部5b的内周面上。即、因为倒角部B的清洗效果长期间地持续，所以该变形例的清洗头5具有寿命长的优点。
另外，圆环部5b也可以比中央部5a高。具体而言，在圆环部5b的(距底座5c的)高度为Hb、中央部5a的(距底座5c的)高度为Ha时，优选0≤Hb-Ha≤大约2mm，更加优选大约1mm≤Hb-Ha≤大约2mm。在圆环部5b比中央部5a高的情况下，即使在清洗头5对晶圆W背面的压力较弱时，也因为圆环部5b能够延伸到比晶圆W的表面高的位置，所以能够清洗整个倒角部B。另外，用刷子形成中央部5a与/或圆环部5b的情况下，也优选圆环部5b比中央部5a高。
另外，为了使圆环部5b的内周面变得相对于倒角部B易于凹陷，优选圆环部5b具有比中央部5a大的柔软性。
另外，在用海绵形成中央部5a与/或圆环部5b的情况下，当然海绵可以不是PVA制、而使用其他材料制的海绵。
另外，清洗头5的中央部5a也可以未必具有开口部5o和缺口部5d。但是，因为中央部5a的中心部(旋转中心轴线附近)伴随清洗头5的旋转而产生的线速度小，所以与中央部5a的周缘部、圆环部5b相比清洗效果低。因此，可以说优选设置开口部5o。另外，如上所述，因为缺口部5d具有提高清洗效果的优点，所以也可以不设置开口部5o而只设置缺口部5d。在此情况下，优选例如十字型的缺口部。
另外，也可以在安装有清洗头5的支承部51上设置例如与侧板26(图3)的升降机构27相同的升降机构，经由支承部51来控制清洗头5的向晶圆W背面的推压及其压力。在此情况下，旋转吸盘3的驱动机构33可以只具有使旋转吸盘3旋转的功能。但是，即使在清洗头5的支承部51能够升降的情况下，也可以使旋转吸盘3的驱动机构33能够升降，并以支承部51与驱动机构33协作的方式利用支持部51来控制清洗头5向晶圆W背面的推压及其压力。
另外，也可以将安装有清洗头5的支承部51构成为伸缩自如，从而使清洗头5在图4所示的X方向上移动。由此，通过使清洗头5在沿着晶圆W背面的方向上移动，能够清洗晶圆W的背面以及倒角部B。在此情况下，支承部51也可以能够在Y方向上移动。
另外，在基板清洗装置100中利用清洗头5进行倒角部B的清洗之后，也可以再使用清洗液清洗倒角部B。如图5所示，为了该目的，也可以在上罩41上设置用于清洗倒角部B的倒角清洗喷嘴7。倒角清洗喷嘴7构成为喷出用于清洗倒角部B的例如DIW那样的清洗液，从而冲走被附着在倒角部B上的微粒。详细而言，倒角清洗喷嘴7包括从晶圆W的外侧且自上方沿着倾斜方向对倒角部B的上侧部分喷出清洗液的上部喷嘴71、从晶圆W的外侧且自下方沿着倾斜方向对倒角部B的下侧部分喷出清洗液的下部喷嘴72。在晶圆W利用旋转吸盘3而旋转的期间，从上部喷嘴71以及下部喷嘴72向倒角部B猛力地喷出清洗液，因此，能够利用清洗液的冲击力除去被附着在倒角部B上的微粒。在此情况下，因为晶圆W在旋转，所以能够使清洗液到达整个倒角部B，利用由晶圆W的旋转而产生的离心力将清洗液从倒角部B抖落。由此，能够将微粒从倒角部B冲走。
另外，也可以在基板清洗装置100中设置用于清洗晶圆W的背面周缘部的背面周缘清洗喷嘴8(参照图3至图5)。晶圆W的背面周缘部受到在光致抗蚀剂膜的形成之前进行的疏水化处理所使用的疏水化剂的影响。即、在疏水化处理过程中，有时疏水化剂从晶圆W的倒角部B向晶圆W的背面周缘部蔓延。在此情况下，背面周缘部变得具有疏水性。因而，为了将晶圆W的背面以及倒角部B维持为润湿状态、并冲走被清洗头5除去的微粒，从背面周缘清洗喷嘴8供给清洗液等是有用的。
具体而言，背面周缘清洗喷嘴8优选例如作为双流体喷嘴而构成。晶圆W的背面清洗用的清洗液可以是DIW和氮气的混合物。即、双流体喷嘴容许液体成分(DIW)和气体成分(氮气)在双流体喷嘴的顶端以及顶端附近进行混合，由此，优选将这两者的混合物向晶圆W的背面喷出。采用此方式，能够利用DIW和氮气发泡的冲击力可靠地除去微粒。另外，背面周缘清洗喷嘴8能够利用升降机构81进行升降。由此，在晶圆W利用吸盘2而水平地移动时，背面周缘清洗喷嘴8被下降，以使其不与上罩41、吹拂器31等发生干涉。
另外，如图5所示，倒角清洗喷嘴71、72可以经由具有流量控制单元7b的供给管线7a连接到清洗液源65，背面周缘清洗喷嘴8可以经由供给管线81a、82a分别连接到清洗液(DIW)源65和氮气源66，该供给管线81a、82a分别具有流量控制单元81b、82b。
另外，在上述的实施方式中，在转接区B 3的第1输送室126中配置有基板清洗装置100，但不限于此，例如也可以在处理区B2内的处理单元组U4、U5、或者架单元U1、U2、U3中配置基板清洗装置100。
另外，虽然以上以清洗半导体晶圆W的情况为例来说明本发明，但本发明也可以应用在清洗FPD用基板的情况。

Claims (8)

1.一种基板清洗装置，其包括：
基板保持旋转部，其用于保持基板的背面中心部并使该基板旋转；
清洗构件，其包括第1清洗部、配置在上述第1清洗部的周围的第2清洗部、以及用于安装上述第1清洗部和上述第2清洗部的底座；
升降部，其用于使上述基板保持旋转部和上述清洗构件相对地升降，以便上述第1清洗部和上述第2清洗部能够与被保持在上述基板保持旋转部的上述基板的背面接触；
驱动部，其用于在沿着上述基板的背面的方向上相对地驱动上述基板和上述清洗构件，以便上述第2清洗部的一部分能够露出到上述基板的外侧，
其中，上述第1清洗部具有圆柱形状，配置在上述圆柱形状的第1清洗部的周围的上述第2清洗部具有圆环形状，
上述圆环形状的第2清洗部具有倾斜的内周面，该内周面以与上述圆柱形状的第1清洗部的侧周面之间的间隔沿着远离上述底座的方向扩大的方式倾斜。
2.根据权利要求1所述的基板清洗装置，其中，
上述第1清洗部包括：形成在该第1清洗部的中心部的开口部、和/或与该开口部相连通的缺口部。
3.根据权利要求1所述的基板清洗装置，其中，
上述底座具有贯通该底座的通孔。
4.根据权利要求3所述的基板清洗装置，其中，
上述第1清洗部包括：形成在该第1清洗部的中心部的开口部、和/或与该开口部相连通的缺口部；
上述通孔形成在上述第1清洗部和上述第2清洗部之间的交界处的下方及上述缺口部的下方。
5.根据权利要求1～4中的任意一项所述的基板清洗装置，其中，
上述第2清洗部的始于上述底座的高度大于上述第1清洗部的始于上述底座的高度。
6.根据权利要求1～4中的任意一项所述的基板清洗装置，其中，
基板清洗装置还具有用于使上述清洗构件旋转的旋转机构。
7.根据权利要求1～4中的任意一项所述的基板清洗装置，其中，
基板清洗装置还具有用于向上述基板的背面供给清洗液的清洗液供给部。
8.一种涂覆显影装置，其包括：
光致抗蚀剂膜形成单元，其用于在基板上形成光致抗蚀剂膜；
权利要求1～7中的任意一项所述的基板清洗装置，其用于对形成有上述光致抗蚀剂膜的上述基板进行清洗；
显影单元，其用于在上述光致抗蚀剂膜被曝光之后对该曝光后的光致抗蚀剂膜进行显影。
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