JPH1022581A

JPH1022581A - 温度制御型半導体レーザ装置

Info

Publication number: JPH1022581A
Application number: JP17459996A
Authority: JP
Inventors: Haruhito Shimizu; 春仁清水
Original assignee: NEC Corp
Current assignee: NEC Corp
Priority date: 1996-07-04
Filing date: 1996-07-04
Publication date: 1998-01-23

Abstract

(57)【要約】【課題】冷却能力の劣化を招くことなしに、はんだクリ
ープに起因する光軸ずれを抑制する。【解決手段】モジュールパッケージ１１の底板１２およ
びペルチエクーラ１３の低温側基板１３ａに、それぞれ
ペルチエクーラ・ストッパ１４およびキャリア基板・ス
トッパ１６を備えている。これにより、はんだクリープ
によるペルチエクーラ１３およびキャリア１５の位置変
動が抑制される。また、低温側基板１３ａおよび高温側
基板１３ｂの間に熱的干渉はないため、冷却能力の劣化
は生じない。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、温度制御型半導体
レーザ装置に関し、特にはんだ実装によるペルチエクー
ラを内蔵した温度制御型半導体レーザ装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体レーザ装置は、光ファイバ伝送シ
ステムにおいて、電気信号を光信号に変換するために用
いられる。装置内に設けられた半導体レーザを電気信号
で駆動することにより、変調信号光が得られる。半導体
レーザの発振波長および光出力は温度依存性を有するた
め、安定な動作を確保するためには、半導体レーザの温
度制御が必要である。この目的のために、装置の内部に
電子冷却素子であるペルチエクーラを内蔵した温度制御
型モジュールが開発されている。

【０００３】図１２に一般的なペルチエクーラを内蔵し
た温度制御型半導体レーザ装置の構造図を示す。装置の
パッケージ１２１の内部の底面にペルチエクーラ１２２
が実装され、さらにその上にキャリア基板１２３が実装
されている。ペルチエクーラ１２２は、低温側基板１２
２ａおよび高温側基板１２２ｂと、それらに挟持された
ペルチエ素子１２２ｃから構成される。キャリア基板１
２３の上には、半導体レーザ１２４およびレンズ１２５
等が実装されている。装置パッケージ１２１の外側の側
面には、光ファイバ１２６が固定されている。半導体レ
ーザ１２４からの出射光は、レンズ１２５により集光さ
れ光ファイバ１２６に結合する。半導体レーザ１２４と
光ファイバ１２６とを結合する光学系を構成する各部品
の固定には、通常、信頼性の高いＹＡＧ（イットリウム
・アルミニウム・ガーネット）レーザ溶接が用いられ
る。なお、装置パッケージ１２１と高温側基板１２２ｂ
間および、低温側基板１２２ａとキャリア基板１２３間
の固定には、熱伝導の点からはんだ、特にＢｉＳｎやＩ
ｎＰｂＡｇなどの低温はんだが用いられる。これは、ペ
ルチエ素子１２２ｃと低温側基板１２２ａおよび高温側
基板１２２ｂとの固定には、通常、融点１８３℃のＳｎ
Ｐｂはんだが用いられるため、ペルチエクーラ１２２お
よびキャリア基板１２３を実装する際には、これよりも
低融点のはんだを使用する必要があるからである。

【０００４】ところで、はんだ、特に低温はんだではク
リープが生じ易い。クリープとは、比較的微小な応力が
静的に長時間連続してかけられたとき、応力のかかった
部分が変形する現象である。ペルチエクーラおよびキャ
リア基板自体による重力により、これらを固定するはん
だに応力が発生し、クリープが生じる。その結果、半導
体レーザおよびレンズが搭載されたキャリア基板の位置
変動により光軸ずれが生じ、光ファイバ出力の低下を招
くことになる。以上のように、一般的なペルチエクーラ
を用いた温度制御型半導体レーザ装置では、光学系を長
期的に最適な状態に保持することができないという問題
がある。

【０００５】このようなペルチエクーラを内蔵した温度
制御型半導体レーザ装置における信頼性上の課題を解決
するための半導体レーザ装置の一例が、特開平２−１１
９１９４号公報に示されている。

【０００６】図１３および１４は、この公報による発明
の一実施例による半導体レーザ装置の構造図である。装
置パッケージ１３１の内部底面にペルチエクーラ１３２
がはんだにより固定され、さらにその上に、半導体レー
ザ１３３が搭載されたキャリア基板１３４がはんだによ
り固定されている。光ファイバ１３５は、その端部がキ
ャリア基板１３４上に固定されている。このような構造
においても、キャリア基板１３４の位置変動により、光
ファイバ１３５に応力が加わり、半導体レーザ１３３と
光ファイバ１３５間の光軸ずれが発生する。本実施例で
は、装置パッケージ１３１の内部底面に、コの字状に延
在する位置規定体１３６が溶接により設置されており、
ペルチエクーラ１３２の基板およびキャリア基板１３４
のそれぞれの３つの側面と密着した状態になっている。
したがって、はんだクリープが生じても、ペルチエクー
ラ１３２およびキャリア基板１３４は動かないため、光
ファイバ１３５と半導体レーザ１３３との間の光軸ずれ
が生じることはない。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】従来の温度制御型半導
体レーザ装置は、冷却能力が著しく劣ることである。そ
の理由は、位置規定体により、ペルチエクーラの低温側
および高温側の間に熱の干渉が生じるためである。

【０００８】本発明の目的は、冷却能力の劣化を招くこ
となしに、はんだクリープに起因する光軸ずれを抑制し
た信頼性の高い温度制御型半導体レーザ装置を実現する
ことにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明の温度制御型半導
体レーザ装置は、装置パッケージの底板およびペルチエ
クーラの低温側基板に、それぞれ、ペルチエクーラおよ
びキャリア基板のはんだクリープによる位置変動を抑制
するためのストッパ（図１の１４および１６）を有す
る。

【００１０】ペルチエクーラおよびキャリア基板は、そ
の側面をそれぞれ装置パッケージの底板およびペルチエ
クーラの低温側基板に設けられたストッパに接して実装
されることにより、支持・固定される。この結果、はん
だクリープの発生が抑制される。以上のような構造で
は、ペルチエクーラの低温側および高温側の間の熱の干
渉が生じないため、冷却能力の劣化は生じない。

【００１１】

【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。

【００１２】図１は、本発明の第１の実施の形態による
温度制御型半導体レーザ装置の構造図である。装置パッ
ケージ１１の底板１２の上面にペルチエクーラ１３がは
んだにより固定されている。ペルチエクーラ１３は、低
温側基板１３ａおよび高温側基板１３ｂと、それらに挟
持されたペルチエ素子１３ｃから構成される。底板１２
には、ペルチエクーラ１３を支持・固定するためのペル
チエクーラ・ストッパ１４が形成されている。ペルチエ
クーラの低温側基板１３ａの上には、キャリア基板１５
がはんだにより固定されている。ペルチエクーラの低温
側基板１３ａには、キャリア基板１５を支持・固定する
ためのキャリア基板・ストッパ１６が形成されている。
キャリア基板１５の上には、半導体レーザ１７およびレ
ンズ１８が、それぞれはんだおよびＹＡＧレーザ溶接に
より固定されている。装置パッケージ１１の外側の側面
には、光ファイバ１９がＹＡＧレーザ溶接により固定さ
れている。

【００１３】装置パッケージ１１の底板１２にはＣｕＷ
が、それ以外の部分にはＦｅＮｉＣｏ合金が用いられて
いる。キャリア基板１５には、ＦｅＮｉＣｏ合金が用い
られている。底板１２と高温側基板１３ｂ、および低温
側基板１３ａとキャリア基板１５の固定には、それぞ
れ、ＩｎＰｂＡｇおよびＢｉＳｎが用いられている。

【００１４】図２は、図１に示した装置パッケージ１１
の上蓋部を除いた状態の平面図である。図１における底
板１２の上面のペルチエクーラ実装部分２１の周辺部分
に、４つの段差部２２ａ，２２ｂ，２２ｃおよび２２ｄ
を有するペルチエクーラ・ストッパ１４が形成されてい
る。図１における高温側基板１３ｂの４つの側面は、そ
れぞれ段差部２２ａ〜２２ｄに接している。

【００１５】図３は、図１に示したペルチエクーラ１３
の平面図である。ペルチエクーラ１３の低温側基板１３
ａのキャリア基板実装部分３１の周辺部分に、４つの段
差部３２ａ，３２ｂ，３２ｃおよび３２ｄを有するキャ
リア基板・ストッパ１６が形成されている。図１におけ
るキャリア基板１５の４つの側面は、それぞれ段差部３
２ａ〜３２ｄと接している。

【００１６】次に、本発明の温度制御型半導体レーザ装
置の一実施例について、図１，２および３を参照して詳
細に説明する。装置パッケージ１１に設けられた端子
（図には示していない）を介して、半導体レーザ１７に
バイアス電流が印加されると、半導体レーザ１７から光
が出射する。この出射光は、レンズ１８により集光され
光ファイバ１９に結合する。キャリア基板１５に固定さ
れた半導体レーザ１７は、ペルチエクーラ１３により温
度制御される。ペルチエクーラ１３は、ペルチエクーラ
・ストッパ１４に接した状態ではんだ固定されているた
め、はんだクリープが抑制される。同様に、キャリア基
板１５もキャリア基板・ストッパ１６に接した状態で固
定されているため、はんだクリープが抑制される。した
がって、光軸ずれが抑制されるため、半導体レーザ装置
の高い信頼性が得られる。また、低温側基板１３ａおよ
び高温側基板１３ｂの間には、何ら熱的干渉を生じさせ
る要因はないため、装置の冷却特性を劣化させることは
ない。

【００１７】なお、本実施例では、キャリア基板１５に
ＦｅＮｉＣｏ合金が用いられているが、レンズ１８との
ＹＡＧレーザ溶接に適するものであれば、他の金属を使
用してもよい。例えば、ＳＵＳ３０４等の合金の使用が
可能である。底板１２と高温側基板１３ｂ、および低温
側基板１３ａとキャリア基板１５の固定には、それぞ
れ、ＩｎＰｂＡｇおよびＢｉＳｎが用いられているが、
ＩｎＳｎ等の他の低温はんだを用いてもよい。

【００１８】次に、本発明の第２の実施例について図面
を参照して詳細に説明する。

【００１９】図４は、本発明の第２の実施例による温度
制御型半導体レーザ装置を構成する装置パッケージの上
蓋部を除いた状態の平面図である。本実施の形態では、
ペルチエクーラ・ストッパ４１は、１つの段差部４２を
有する。図１における高温側基板１３ｂの１つの側面
が、段差部４２と接する。

【００２０】通常、半導体レーザ装置は、光ファイバ通
信装置等において装置の上下面が垂直になるように設置
される場合が多い。この場合、はんだに生じる応力の方
向は、鉛直下方が支配的となるため、ペルチエクーラ・
ストッパにおいて主に、この方向の位置変動を抑制する
部分が有効的に機能する。本実施の形態による半導体レ
ーザ装置は、第１の実施の形態における４つの段差部２
２ａ〜２２ｄのうち、実使用時に下方にくるもの以外を
省いた構造になっている。段差部４２は、図４に示した
位置に限らず、装置の実装状態に合わせて、図２におけ
る段差部２２ａ〜２２ｄのうちの任意の１つの位置に設
けることができる。

【００２１】本発明の第１の実施例による半導体レーザ
装置では、高温側基板１３ｂの４つの側面がペルチエク
ーラ・ストッパ１４に接するようにするため、各部品に
高い加工精度が要求される。一方、本実施の形態では、
高温側基板１３ｂの１つの側面のみがペルチエクーラ・
ストッパ１４に接するため、各部品に高い加工精度は要
求されない。このため、装置のコストが安くなるという
利点がある。

【００２２】次に本発明の第３の実施例について図面を
参照して詳細に説明する。

【００２３】図５は、本発明の第３の実施例による温度
制御型半導体レーザ装置を構成する装置パッケージの上
蓋部を除いた状態の平面図である。本実施の形態では、
ペルチエクーラ・ストッパ５１は、直交する２つの段差
部５２ａおよび５２ｂを有する。図１におけるキャリア
基板１５の直交する２つの側面が、それぞれ段差部５２
ａおよび５２ｂと接する。したがって、直交する２つの
方向のモジュールの実装形態に適用できる。段差部５２
ａおよび５２ｂは、図５に示した位置に限らず、装置の
実装形態に合わせて、図２における段差部２２ａ〜２２
ｄのうちの直交する任意の２つの位置に設けることがで
きる。

【００２４】次に本発明の第４の実施例の形態について
図面を参照して詳細に説明する。

【００２５】図６は、本発明の第４の実施例による温度
制御型半導体レーザ装置を構成する装置パッケージの上
蓋部を除いた状態の平面図である。本実施の形態では、
ペルチエクーラ・ストッパ６１は、平行する２つの段差
部６２ａおよび６２ｂを有する。図１におけるキャリア
基板１５の直交する２つの側面が、それぞれ段差部６２
ａおよび６２ｂと接する。したがって、平行する２つの
方向の装置の実装形態に適用できる。段差部６２ａおよ
び６２ｂは、図６に示した位置に限らず、装置の実装形
態に合わせて、図２における段差部２２ａ〜２２ｄのう
ちの任意の平行する２つの位置に設けることができる。

【００２６】次に本発明の第５の実施例について図面を
参照して詳細に説明する。

【００２７】図７は、本発明の第５の実施例による温度
制御型半導体レーザ装置を構成する装置パッケージの上
蓋部を除いた状態の平面図である。本実施の形態では、
ペルチエクーラ・ストッパ７１は、３つの段差部７２
ａ，７２ｂおよび７２ｃを有する。図１におけるキャリ
ア基板１５の３つの側面が、それぞれ段差部７２ａ〜７
２ｃと接する。したがって、３つの方向のモジュールの
実装形態に適用できる。段差部７２ａ〜７２ｃは、図７
に示した位置に限らず、装置の実装形態に合わせて、図
２における段差部２２ａ〜２２ｄのうちの任意の３つの
位置に設けることができる。

【００２８】次に、本発明の第６の実施の形態について
図面を参照して詳細に説明する。

【００２９】図８は、本発明の第６実施例による温度制
御型半導体レーザ装置を構成するペルチエクーラの平面
図である。本実施形態では、キャリア基板・ストッパ８
１は、１つの段差部８２を有する。本発明の第２の実施
例と同様の理由で、実使用時に下方にくるもの以外の段
差部を省いた構造になっている。図１におけるキャリア
基板１５の１つの側面が、段差部８２と接する。段差部
８２は、図８に示した部分に限らず、モジュールの実装
状態に合わせて、図３における段差部３２ａ〜３２ｄの
うちの任意の１つの位置に設けることができる。本実施
の形態では、本発明の第２の実施例と同様に、キャリア
基板１５の１つの側面のみがキャリア基板・ストッパ８
１に接するため、各部品に高い加工精度は要求されず、
装置のコストが安くなるという利点がある。

【００３０】次に、本発明の第７の実施例について図面
を参照して詳細に説明する。

【００３１】図９は、本発明の第７の実施例による温度
制御型半導体レーザ装置を構成するペルチエクーラの平
面図である。本実施例では、キャリア基板・ストッパ９
１は、直交する２つの段差部９２ａおよび９２ｂを有す
る。図１におけるキャリア基板１５の直交する２つの側
面が、段差部９２ａおよび９２ｂと接する。したがっ
て、直交する２つの方向の装置の実装形態に適用でき
る。段差部９２ａおよび９２ｂは、図９に示した位置に
限らず、装置の実装形態に合わせて、図３における段差
部３２ａ〜３２ｄのうちの任意の直交する２つの位置に
設けることができる。

【００３２】次に、本発明の第８の実施例について図面
を参照して詳細に説明する。

【００３３】図１０は、本発明の第８の実施例による温
度制御型半導体レーザ装置を構成するペルチエクーラの
平面図である。本実施例では、キャリア基板・ストッパ
１０１は、平行する２つの段差部１０２ａおよび１０２
ｂを有する。図１におけるキャリア基板１５の平行する
２つの側面が、段差部１０２ａおよび１０２ｂと接す
る。したがって、平行する２つの方向のモジュールの実
装形態に適用できる。段差部１０２ａおよび１０２ｂ
は、図１０に示した位置に限らず、装置の実装形態に合
わせて、図３における段差部３２ａ〜３２ｄのうちの任
意の平行する２つの位置に設けることができる。

【００３４】次に、本発明の第９の実施例について図面
を参照して詳細に説明する。

【００３５】図１１は、本発明の第９の実施例による温
度制御型半導体レーザ装置を構成するペルチエクーラの
平面図である。本実施例では、キャリア基板・ストッパ
１１１は、３つの段差部１１２ａ，１１２ｂおよび１０
２ｃを有する。図１におけるキャリア基板１５の３つの
側面が、段差部１１２ａ〜１０２ｃと接する。したがっ
て、３つの方向の装置の実装形態に適用できる。段差部
１１２ａ〜１１２ｃは、図１１に示した位置に限らず、
装置の実装形態に合わせて、図３における段差部３２ａ
〜３２ｄのうちの任意の３つの位置に設けることができ
る。

【００３６】

【発明の効果】ペルチエクーラおよびキャリア基板の固
定に用いるはんだのクリープの発生が抑制される。これ
により、光学系の軸ずれが抑制されるため、温度制御型
半導体レーザ装置において、高い信頼性が得られる。

【００３７】また、ペルチエクーラの低温側基板および
高温側基板の間に熱的干渉はないため、冷却能力の劣化
は生じない。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例による温度制御型半導体
レーザ装置の構造図である。

【図２】図１に示した装置パッケージ１１の上蓋部を除
いた状態の平面図である。

【図３】図１に示したペルチエクーラ１３の平面図であ
る。

【図４】本発明の第２の実施例による温度制御型半導体
レーザ装置を構成する装置パッケージの上蓋部を除いた
状態の平面図である。

【図５】本発明の第３の実施例による温度制御型半導体
レーザ装置を構成する装置パッケージの上蓋部を除いた
状態の平面図である。

【図６】本発明の第４の実施例による温度制御型半導体
レーザ装置を構成する装置パッケージの上蓋部を除いた
状態の平面図である。

【図７】本発明の第５の実施例による温度制御型半導体
レーザ装置を構成する装置パッケージの上蓋部を除いた
状態の平面図である。

【図８】本発明の第６の実施例による温度制御型半導体
レーザ装置を構成するペルチエクーラの平面図である。

【図９】本発明の第７の実施例による温度制御型半導体
レーザ装置を構成するペルチエクーラの平面図である。

【図１０】本発明の第８の実施例による温度制御型半導
体レーザ装置を構成するペルチエクーラの平面図であ
る。

【図１１】本発明の第９の実施例による温度制御型半導
体レーザ装置を構成するペルチエクーラの平面図であ
る。

【図１２】一般的なペルチエクーラを内蔵した温度制御
型半導体レーザ装置の構造図である。

【図１３】従来のペルチエクーラを内蔵した温度制御型
半導体レーザ装置の構造図である。

【図１４】従来のペルチエクーラを内蔵した温度制御型
半導体レーザ装置の構造図である。

【符号の説明】

１１，１２１，１３１装置パッケージ１２底板１３，１２２，１３２ペルチエクーラ１３ａ，１２２ａ低温側基板１３ｂ，１２２ｂ高温側基板１３ｃ，１２２ｃペルチエ素子１４，４１，５１，６１，７１ペルチエクーラ・ス
トッパ１５，１２３，１３４キャリア基板１６，８１，９１，１０１，１１１キャリア基板・
ストッパ１７，１２４，１３３半導体レーザ１８，１２５レンズ１９，１２６，１３５光ファイバ２１ペルチエクーラ実装部２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄ，３２ａ，３２ｂ，３
２ｃ，３２ｄ，４２，５２ａ，５２ｂ，６２ａ，６２
ｂ，７２ａ，７２ｂ，７２ｃ，８２，９２ａ，９２ｂ，
１０２ａ，１０２ｂ，１１２ａ，１１２ｂ，１１２ｃ
段差部３１キャリア基板実装部１３６位置規定体

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体レーザと、該半導体レーザをその
上面に搭載するキャリア基板と、該キャリア基板をはん
だ実装によりその上側基板上に固定した前記半導体レー
ザの温度を制御するためのペルチエクーラと、該ペルチ
エクーラの下側基板をはんだ実装によりその底板上面上
に固定したモジュールパッケージと、前記半導体レーザ
からの出射光を前記モジュールパッケージの外部に導出
するための手段を具備する温度制御型半導体レーザ装置
において、前記ペルチエクーラの上側基板上に前記キャ
リア基板の位置変動を抑制するための段差部を有し、前
記モジュールパッケージの底板上面上に前記ペルチエク
ーラの位置変動を抑制するための段差部を有することを
特徴とする温度制御型半導体レーザ装置。
【請求項２】前記ペルチエクーラの上側基板上に設け
られた段差部が、前記キャリア基板の１つの側面と接す
る構成であることを特徴とする請求項１記載の温度制御
型半導体レーザ装置。
【請求項３】前記ペルチエクーラの上側基板上に設け
られた段差部が、前記キャリア基板の直交する２つの側
面と接する構成であることを特徴とする請求項１記載の
温度制御型半導体レーザ装置。
【請求項４】前記ペルチエクーラの上側基板上に設け
られた段差部が、前記キャリア基板の平行する２つの側
面と接する構成であることを特徴とする請求項１記載の
温度制御型半導体レーザ装置。
【請求項５】前記ペルチエクーラの上側基板上に設け
られた段差部が、前記キャリア基板の３つの側面と接す
る構成であることを特徴とする請求項１記載の温度制御
型半導体レーザ装置。
【請求項６】前記ペルチエクーラの上側基板上に設け
られた段差部が、前記キャリア基板の４つの側面と接す
る構成であることを特徴とする請求項１記載の温度制御
型半導体レーザ装置。
【請求項７】前記モジュールパッケージの底板上面上
に設けられた段差部が、前記ペルチエクーラの下側基板
の１つの側面と接する構成であることを特徴とする請求
項１記載の温度制御型半導体レーザ装置。
【請求項８】前記モジュールパッケージの底板上面上
に設けられた段差部が、前記ペルチエクーラの下側基板
の直交する２つの側面と接する構成であることを特徴と
する請求項１記載の温度制御型半導体レーザ装置。
【請求項９】前記モジュールパッケージの底板上面上
に設けられた段差部が、前記ペルチエクーラの下側基板
の平行する２つの側面と接する構成であることを特徴と
する請求項１記載の温度制御型半導体レーザ装置。
【請求項１０】前記モジュールパッケージの底板上面
上に設けられた段差部が、前記ペルチエクーラの下側基
板の３つの側面と接する構成であることを特徴とする請
求項１記載の温度制御型半導体レーザ装置。
【請求項１１】前記モジュールパッケージの底板上面
上に設けられた段差部が、前記ペルチエクーラの下側基
板の４つの側面と接する構成であることを特徴とする請
求項１記載の温度制御型半導体レーザ装置。
【請求項１２】前記半導体レーザからの出射光を前記
モジュールパッケージの外部に導出するための手段が、
レンズおよび光ファイバから構成されていることを特徴
とする請求項１記載の温度制御型半導体レーザ装置。
【請求項１３】前記モジュールパッケージが、ＦｅＮ
ｉＣｏ合金およびＣｕＷから構成されていることを特徴
とする請求項１記載の温度制御型半導体レーザ装置。
【請求項１４】前記キャリア基板が、ＦｅＮｉＣｏ合
金から構成されていることを特徴とする請求項１記載の
温度制御型半導体レーザ装置。
【請求項１５】前記キャリア基板が、ＳＵＳ３０４か
ら構成されていることを特徴とする請求項１記載の温度
制御型半導体レーザ装置。
【請求項１６】前記キャリア基板と前記ペルチエクー
ラの上側基板、および前記ペルチエクーラの下側基板と
前記モジュールパッケージの底板のはんだ実装に用いる
材料が、ＢｉＳｎであることを特徴とする請求項１記載
の温度制御型半導体レーザ装置。
【請求項１７】前記キャリア基板と前記ペルチエクー
ラの上側基板、および前記ペルチエクーラの下側基板と
前記モジュールパッケージの底板のはんだ実装に用いる
材料が、ＩｎＰｂＡｇであることを特徴とする請求項１
記載の温度制御型半導体レーザ装置。
【請求項１８】前記キャリア基板と前記ペルチエクー
ラの上側基板、および前記ペルチエクーラの下側基板と
前記モジュールパッケージの底板のはんだ実装に用いる
材料が、ＩｎＳｎであることを特徴とする請求項１記載
の温度制御型半導体レーザ装置。