JPH04168406A - 半導体レーザモジュール - Google Patents

半導体レーザモジュール

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JPH04168406A
JPH04168406A JP2296096A JP29609690A JPH04168406A JP H04168406 A JPH04168406 A JP H04168406A JP 2296096 A JP2296096 A JP 2296096A JP 29609690 A JP29609690 A JP 29609690A JP H04168406 A JPH04168406 A JP H04168406A
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laser module
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重野　和男
Hiroshi Ono
大野　比呂志
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NEC Corp
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KYUSHU DENSHI KK
NEC Corp
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    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
    • G—PHYSICS
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体レーザモジュールに関し、特に半導体
レーザと光ファイバピグテールが光軸調整された半導体
レーザモジュールに関する。
〔従来の技術〕
光フアイバ通信に用いられる半導体レーザは、光出力用
のファイバを備えたモジュールとして供給され、低温か
ら高温の広い温度条件下で使用される場合が多い。
第３図は従来の半導体レーザモジュールの一例の縮断面
図である。半導体レーザ１は、レンズ５を介してフェル
ール９と光軸調整されスライドリング７を介してベース
６とＹＡＧ溶接により固定される。ベース６はペルチェ
素子１３をはさんでパッケージ１２にハンダ付けで固定
される。フェルール９はハンダｌｌｂでパッケージ１２
の側面に固定され同時に気密封止されるという構造にな
っている。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来の半導体レーザモジュールは、通常−２０
℃から＋７０℃までの広い環境温度条件下で使用される
。この場合、パッケージ１２は＋７０℃の雰囲気中では
常温２５℃の時に比べて約６０μｍファイバーの軸方向
に膨張する。この６０μｍの変位はハンダ１２で固定さ
れたフェルール９を機械的に動かすことになる。フェル
ール９が力を受けたことによりベース６が変形して半導
体レーザ１とフェルール９の光軸がズしてフェルール９
に取り込まれる光出力は１ｄＢ以上変動する。これは、
−２０℃の環境温度条件下でも同様な光出力の変動を生
じるため、半導体レーザモジュールの光出力が環境温度
の変化により変動するという欠点がある。
本発明の目的は、このような欠点を除き、環境温度の変
動に対しても安定な光出力が得られるようにした半導体
レーザモジュールを提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の構成は、半導体レーザ及びこの半導体レーザと
光軸調整されて設けられた光ファイバピグテールがパッ
ケージに搭載されこのパッケージの側壁で前記光ファイ
バピグテール先端のフェルールが固定された構造を持つ
半導体レーザモジュールにおいて、前記パッケージと前
記フェルールとの申開がベローズを介して結合されたこ
とを特徴とする。
〔実施例〕 次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の縦断面図である。
本実施例において、半導体レーザ１とフェルール９はレ
ンズ５を介して光軸調整されている。このフェルール９
とパッケージ１２の中間にはベローズ８が介入されハン
ダ１１で固定されている。
このベローズ８としては、電着ベローズであり、材料は
Ａｕ、Ｎｉ、Ｃｕの多層膜で３つの山を持ちバネ定数は
０．１ｋｇ／ｍｍのものである。
この半導体レーザモジュールか一２０℃から＋７０℃の
環境温度条件下で使用される場合、パッケージ１２は熱
ｍ張収縮して６０μｍ変形する。この場合、ベローズ８
のバネ定数が０．　１ｋｇ／■と小さいためにパッケー
ジ１２の変形はベローズ８に吸収され、フェルール９に
は及ばない。
したがって、半導体レーザとフェルールの光軸が狂うこ
とはない。
第２図は本発明の第２の実施例の縦断面図である。本実
施例は、第１の実施例のフェルール９を第１のフェルー
ル９１と第２のフェルール９２との二体に分割し、ベロ
ーズ８で連結するようにしたものである。このベローズ
８も前述同様の電着ベローズであり、材料はＮｉの単層
で２山を持ちバネ定数は０．１ｋｇ／ａｍである。
第１フエルール９１が半導体レーザｌとの光軸調整後、
スライドリング７を介してベース６にＹＡＧレーザによ
り固定され、第２フエルール９２は、従来と同様ハンダ
ｌｌａの半田付けによりパッケージ１２に固定されてい
る。
この場合、−２０℃〜＋７０°Ｃの温度範囲での変形は
フェルールが２分割されているため、バネ定数の小さい
ベローズ８で吸収されることとなり、第１の実施例と同
様に、温度変化に対し、安定した結合を保つことが出来
る。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明の半導体レーザモジュールは
、パッケージとフェルールの間にベローズを介したこと
により、低温から高温までの環境温度でも半導体レーザ
と光ファイバピグテールの光軸が狂わずに安定した光出
力を出力することができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の半導体レーザモジュールの第１の実施
例の縦断面図、第２図は本発明の第２の実施例の縦断面
図、第３図は従来の半導体レーザモジュールの一例の縦
断面図である。 １・・・半導体レーザ、２・・・ヒートシンク、３・・
・チップキャリア、４・・・モニタホトダイオード、５
・・・レンズ、６・・・ベース、７・・・スライドリン
グ、８゜８ａ・・・ベローズ、９・・・フェルール、１
０・・・光ファイバ、１．１．ｌｌａ、１１．ｂ−・・
ハンド、１．２　＝−パッケージ、１３・・・ベルチェ
素子、９１・・・第１フエルール、９２・・第２フエル
ール。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体レーザ及びこの半導体レーザと光軸調整されて設
    けられた光ファイバピグテールがパッケージに搭載され
    このパッケージの側壁で前記光ファイバピグテール先端
    のフェルールが固定された構造を持つ半導体レーザモジ
    ュールにおいて、前記パッケージと前記フェルールとの
    中間がベローズを介して結合されたことを特徴とする半
    導体レーザモジュール。
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