CN102308365A - 导电图形及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种制造导电图形的方法，以及用该方法制造的导电图形。所述方法包括以下步骤：a)在基板上形成导电膜；b)在所述导电膜上形成抗蚀图形；以及c)通过使用抗蚀图形来过度蚀刻导电膜从而形成导电图形，该导电图形的线宽比抗蚀图形的窄。根据本发明的示例性实施例，能够有效且低成本地提供具有超细线宽的导电图形。

Description

导电图形及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种导电图形及其制造方法。本申请要求享有于2009年2月6日和2009年12月21日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2009-0009750号和第10-2009-0127756号的优先权，其公开的内容以参考的方式全部并入本文。
背景技术
如电极的导电部件用于电子二极管，如触摸屏、显示器和半导体。目前，由于多种电子二极管对透光度的要求，导电部件需要具备优异的导电率和不可见性。尤其是在触摸屏中，对多重触控中的触摸和识别的敏感度的需求越来越高，因此需要开发能够执行该功能的导电部件。
导电部件可以形成导电图形或者透明导电膜的形式。然而，如果以导电图形的形式形成导电部件时，通过已知的印刷法形成导电图形较细的线宽时存在限制，并且光刻法即在形成导电图形较细的线宽时要使用昂贵的设备，以至于带来成本高的缺点。因此，以透明导电膜的形式来形成导电部件，从而使导电部件不可见。
例如，通常触摸屏通过使导电膜图形化来使用基于ITO的导电膜，但是当该ITO膜用于大面积的触摸屏时，由于自身的高电阻有RC延迟而导致识别速度慢的问题。为了克服这个缺陷，很多公司正在开发通过采用印刷方式来代替ITO的技术，但是在可见度方面，存在难于制造出不可见的超细图案的困难。
发明内容
[技术问题]
本发明致力于提供一种低成本地制造大面积具有超细线宽的导电图形的方法，以及由该方法形成的具有超细线宽的导电图形。
[解决方案]
本发明的一个示例性实施方式提供了一种制造导电图形的方法，包括以下步骤：
a)在基板上形成导电膜；
b)在所述导电膜上形成抗蚀图形；以及
c)通过使用抗蚀图形来过度蚀刻(over-etching)导电膜从而形成导电图形，所述导电图形的线宽小于抗蚀图形的宽度。
根据本发明的示例性实施方式的制造导电图形的方法可以进一步包括步骤d)去除抗蚀图形。
本发明的另一个示例性实施方式提供了一种导电图形，其中线宽为100微米以下，优选0.1到30微米，更优选0.5到10微米，并且更优选1到5微米。根据本发明的示例性实施方式的导电图形可以进一步包括位于导电图形上的绝缘层图形，所述绝缘层图形具有与导电图形相对应的图形，并且其线宽大于导电图形的线宽。根据本发明的示例性实施方式的导电图形可以通过上述方法制造。
[有益效果]
与已知的形成导电图形的方法相比，根据本发明的示例性实施方式，可以提供一种低成本的具有更精细线宽的导电图形，并且通过采用过度蚀刻以形成大面积的没有连接痕迹(connection trace)的具有精细线宽的导电图形。另外，根据本发明的示例性实施方式，可以提供一种已知方法很难制造的具有超细线宽的导电图形。
附图说明
图1到3为显示本发明方法的示例性实施方式的图。
图4为显示根据过度蚀刻程度的导电图形线宽的图。
图5为显示导电图形的线边缘粗糙度的临界尺寸以及所述导电图形的最小线宽的图。
图6到9为显示在根据本发明示例性实施方式的导电图形的上表面设有抗蚀图形结构时的横截面的图。
图10到11为显示位于根据本发明的示例性实施方式的导电图形的上表面的抗蚀图形的对称结构的图。
图12到14为显示实施例1制造的导电图形的图。
图15为显示去除实施例6中制造的导电图形的抗蚀图形前的图。
图16为显示实施例2到7中制造的导电图形的图。
图17为显示实施例8中制造的导电图形的图。
具体实施方式
在下文中，将对本发明进行详细描述。
根据本发明的一个示例性实施方式的制造导电图形的方法包括以下步骤：a)在基板上形成导电膜；b)在所述导电膜上形成抗蚀图形；以及c)通过使用抗蚀图形过度蚀刻导电膜来形成导电图形，所述导电图形的线宽小于抗蚀图形的宽度。本说明书中，过度蚀刻是指蚀刻导电膜从而使其具有比抗蚀图形的线宽更小的线宽。
根据本发明的示例性实施方式的制造导电图形的方法，可以进一步包括步骤d)去除抗蚀图形。使用步骤d)的实施例在图1和2中有描述，但是本发明的范围并不限于附图中显示的加工步骤，如果需要，可以省略或增加图1和2中显示的加工步骤。
所述基板的材料可以根据实施根据本发明实施方式制造导电图形的方法的所需领域适当选择，并且作为其优选的实施例，可以选择玻璃或无机材料基板、塑料基板或者其他柔性基板，但所述材料并不限于此。
所述导电膜的材料没有特别限制，但是，所述材料优选为金属膜。作为所述导电膜材料的具体例子，优选为包含银、铝、铜、钕、钼或其合金的单一膜或多层膜。此处，导电膜的厚度并不特别限制，但是鉴于导电层的导电率以及其加工步骤的经济效率，优选0.01到10μm。
所述形成导电膜的方法并没有特别限制，并且可以采用如沉积、溅射、湿法涂层、蒸发、电镀、化学镀和金属薄膜层压的方法。根据本发明的示例性实施方式，优点在于，可以同时形成用于显示的电子零件的有效屏幕零件中包括的导电图形和用于向其中施加信号的线部分。特别地，作为形成导电膜的方法，一种方法是在基板上涂覆有机金属、纳米金属或者它们的复合溶液后，通过烧结和/或干燥以赋予导电性。作为有机金属，可以使用有机银，而作为纳米金属，可以使用纳米银颗粒。
在本发明的示例性实施方式中，在形成导电膜之前，可以进一步在基板上形成提供粘附力的缓冲层。
根据在本发明的示例性实施方式的方法，在步骤a)之后可以进一步包括洗涤步骤。
本发明人发现，步骤b)中形成的抗蚀图形的线边缘粗糙度(LER)决定了无短路的过度蚀刻形成的导电图形的最小线宽的临界尺度。如果抗蚀图形的线边缘粗糙度(LER)太大，当进行过度蚀刻时，在形成所需导电图形的线宽之前，导电图形可能会短路。抗蚀图形的线边缘粗糙度(LER)可以为导电图形最小线宽的1/2。因此，抗蚀图形的线边缘粗糙度(LER)可以控制在所需导电图形线宽的1/2以下。所以，抗蚀图形的线边缘粗糙度(LER)优选为0.1到5微米，并且更优选为0.2到5微米。如果边缘粗糙度在该范围内，则有利于形成具有10微米、更优选具有5微米以下的超细线宽的导电图形。这里，线边缘粗糙度(LER)是指基于抗蚀图形线边缘的最深点，其最突出的点的高度。图5显示了抗蚀图形的线边缘粗糙度。
步骤b)中，形成抗蚀图形的方法优选采用印刷法、光刻法、照相法、使用掩膜的方法或者激光转换法，例如，热转印成像(thermal transferimaging)，并且更优选为印刷法或者光刻法。
所述印刷法可以按照下述方法进行：将包含抗蚀材料的糊膏或墨转移至形成有所需图案形状的导电膜的基板上，并随后烧结。转移方法并不特别限制，但是通过使用该方法，上述图案形成于如凹板印刷板或丝网的图形转移介质上，并且可以将所需图形转移至导电膜上。在图形转移介质上形成图案形状的方法可以采用本领域公知的方法进行。
所述印刷方法并没有特别限制，并且可以采用如凹板胶印、背面胶印、丝网印刷和凹版印刷的印刷方法，并且特别更优选为凹版胶印或背面胶印，从而通过形成在上述线边缘粗糙度(LER)范围内的抗蚀图形来得到具有超细线宽的导电图形。
可以通过使用如下方法进行背面胶印：通过将糊膏涂覆于辊式毯(rolltype blanket)上，使糊膏附着于不均匀的铅板(cliché)上，从而在毯上形成所需的图形，并将毯上形成的图形转移至导电膜上。该印刷方法如图1所示。可以通过使用以下方法进行凹版胶印，其中将糊膏填充到其上形成有图形的凹板印刷板之后，通过使用称作毯的硅橡胶进行第一次转移，再通过将毯和其上形成有导电膜的基板紧密接触来进行第二次转移。该方法如图2和3所示。虽然图1到3显示了实施本发明的示例性实施方式的方法，但并不因此限制本发明的示例性实施方式的范围。如果必要，在图1到3所描述的步骤中，可以省略或增加一些步骤。
在凹板胶印或背面胶印的情况中，由于毯的剥离性能，大部分油墨或糊膏被转移到其上形成有导电膜的基板上，从而不需要单独的毯洗涤步骤。可以通过精确地蚀刻基板制造凹板印刷板。可以通过对金属板进行蚀刻，或者通过使用聚合树脂的光刻成像来制造凹板印刷板。
可以通过使用以下方法进行丝网印刷，其中将糊膏沉积到其上形成有图形的丝网上后，在施加挤压时通过具有空白的丝网在形成有导电膜的板上直接转移糊膏。凹版印刷可以通过采用以下的方法进行，其中糊膏填充图形之后，在辊上形成有图形的毯卷起，糊膏转移至其上形成有导电膜的基板上。在本发明的示例性实施方式中，上述方法可以单独或组合使用。此外，也可以使用本领域普通技术人员已知的其他印刷方法。
本发明的示例性实施方式中，优选采用印刷方法，并且在这些方法中，优选采用胶版印刷法、背面胶印法或凹版印刷法。
在采用背面胶印法的情况中，包含抗蚀图形材料的印刷用墨的粘度优选为0cps到1,000cps，并且更优选5cps到10cps。此外，在采用凹版印刷法的情况中，所述墨的粘度优选为6,000cps到12,000cps，并且更优选7,000cps到8,000cps。当墨的粘度在上述范围内时，每种印刷方法中都可以适当地进行油墨涂覆，并且在该工艺过程中可以保持墨的稳定性(墨的加工保持能力(process maintaining ability))。
在本发明的示例性实施方式中，形成抗蚀图形的方法并不特别限于以上印刷方法中，也可以使用光刻法。例如，可以使用在导电膜上形成具有光敏性和耐酸性(抗蚀刻)的抗蚀层以及通过选择性曝光和显影而使该层图形化的方法。
抗蚀图形没有特别限制，但是锥度优选0到90°。
抗蚀图形优选使用与蚀刻导电膜时使用的蚀刻液不反应的耐酸性材料形成，并且该材料对导电膜具有足够粘附力。而且，优选的是，抗蚀图形的材料具有绝缘性。优选地，抗蚀材料具有10-1安培以下漏电流的绝缘性。抗蚀材料的漏电流可以为10-16安培以上。优选的是，抗蚀材料对于在相应方法中使用的导电膜的蚀刻液具有耐酸性，例如，优选当通过浸入法或喷雾法与相应导电膜的蚀刻液接触时，10min以上无形变。
具体而言，作为抗蚀材料，可以使用塑性或固性聚合物材料。在本发明的示例性实施方式中，作为抗蚀材料，可以使用热固性树脂和UV固化树脂。与热固性树脂不同，UV固化树脂不使用溶剂，因此不存在因溶剂蒸发而产生的问题，从而使UV固化树脂有利于形成稳定型的精细图形。图3显示了通过使用UV固化树脂制造抗蚀图形的情况。
具体而言，作为抗蚀材料的实例，可以使用基于亚酰胺的聚合物、基于双酚的聚合物、基于环氧的聚合物、基于丙烯的聚合物、基于酯的聚合物、基于酚醛清漆的聚合物或者它们的结合。其中，优选使用基于丙烯的树脂、基于亚酰胺的树脂或基于酚醛清漆的树脂。另外，作为抗蚀材料的实例，可以使用选自基于亚酰胺的单体、基于双酚的单体、基于环氧的单体、基于丙烯的单体和基于酯的单体中的两种或更多种的组合或共聚物，例如，可以使用环氧化丙烯酸酯树脂(epoxylated acryl resin)或者基于环氧的单体和基于丙烯的单体的共聚物。
在采用印刷方法形成抗蚀图形的情况中，可以通过控制固体含量或适当地选择溶剂提高加工限度(process margin)。
形成抗蚀图形的印刷组合物的固体含量可以根据印刷方法的种类或者抗蚀图形的厚度进行不同的控制。例如，在使用凹版印刷法的情况中，抗蚀图形组合物的固体含量优选在70wt％到80wt％范围内。此外，通过背面胶印法形成100nm到10微米厚度的且更优选形成500nm到2微米厚度的抗蚀图形的情况中，抗蚀图形组合物的固体含量优选在10wt％到25wt％的范围内。然而，本发明的示例性实施方式的范围并不限于上述实例，并且本领域普通技术人员可以根据其他材料或者加工条件来控制抗蚀图形组合物的固体含量。
作为可以加入到所述抗蚀图形组合物的溶剂，可以使用本领域中能够使用的溶剂，可以使用单一种类的溶剂或者两种以上种类的混合溶剂。例如，如果溶剂不会损坏印刷方法中使用的毯材料，则其没有特别限制，例如使用PDMS。例如，可以使用PGMEA(丙二醇甲醚醋酸酯，propylene glycol methylether acetate)、乙醇、丙烯碳酸酯、乙二醇单丁醚、DMAc(二甲基乙酰胺)、MEK(甲乙酮)和MIBK(甲基异丁基酮)。
形成抗蚀图形的组合物可以进一步包含增粘剂和表面活性剂。
步骤c)中，通过过度蚀刻用作掩膜的抗蚀图形来形成导电图形，所述导电图形的线宽小于抗蚀图形的线宽。
上述蚀刻方式可以为使用蚀刻液的湿蚀刻，或者为使用等离子体或激光的干蚀刻，但并不限于此。
在使用湿蚀刻法的情况中，作为蚀刻溶液，可以使用硝酸(HNO3)溶液、磷酸/硝酸/醋酸的混合酸溶液、过氧化氢、高氯酸、盐酸、氢氟酸和草酸或其水溶液中的一种或两种以上，如果必要，可以在其中加入用于蚀刻所需导电膜的添加剂和其他成分，但是所述蚀刻液并不限于此，并且通常，可以使用已知的作为相应导电膜的蚀刻液的物质。
步骤c)中，当对导电膜蚀刻时，通过过度蚀刻会在抗蚀图形的边缘的下部形成一个底切(undercut)。
术语“底切”是如下形式：在基板上形成第一层时，其上再形成第二层，然后通过使用第二层作为掩膜只对第一层进行选择性地蚀刻，过度蚀刻第一层的一个侧面从而使第一层的面积小于第二层的面积。此处，“使用第二层作为掩膜”的表达是指不改性或去除第二层，而是通过蚀刻保留。
通常在蚀刻工艺中，当通过将第二层用作掩膜而对第一层蚀刻时，该工艺旨在使第一层的图形与第二层的图形具有相同的形状，并且防止底切的发生。
然而，在本发明的示例性实施方式中，可以通过蚀刻导电膜来获得比抗蚀图形的线宽更细的导电图形，从而在抗蚀图形的下部形成底切。
在步骤c)中，通过过度蚀刻产生底切时，抗蚀图形的线宽或线长会大于导电图形的线宽或线长。
此外，在出现底切的情况下，所述导电图形的锥度为0到90°，优选为0到45°，并且更优选为0到30°，但并不限于此。此处，所述锥度是指在导电图形的末端和其下部层(即基板的表面)之间的角度。所述锥度可以通过在具有从导电图形的终点到导电图形的上表面开始变平处的点的切线的平均斜率的直线和导电图形下部层的表面之间的角来测量。与已知技术不同，在本发明的示例性实施方式中，通过上述方法可以提供一种小锥度的导电图形。
在步骤c)中，可以根据形成导电图形的蚀刻时间来控制导电图形的线宽。蚀刻时间越长，导电图形的线宽越窄。
在本发明的示例性实施方式中，形成导电图形的蚀刻时间可以根据条件(如当形成导电图形时所用的蚀刻液的种类或浓度、导电膜的种类和蚀刻温度)而改变。例如，与刚好蚀刻时间(just-etching time(JET))相比，优选蚀刻时间为刚好蚀刻时间至与刚好蚀刻时间相比延迟2,000％的时间，优选与刚好蚀刻时间相比延迟1到1,000％，更优选与刚好蚀刻时间相比延迟1到500％，且进一步优选与刚好蚀刻时间相比延迟5到100％。此处，刚好蚀刻时间是指蚀刻图形直到具有与掩膜相同形状为止所需要的时间。根据蚀刻时间的导电图形的线宽如图4所示。
导电膜的蚀刻温度也可以根据条件(如当导电膜形成图形时所用的蚀刻液的种类或浓度、导电膜的种类和蚀刻温度)而改变，例如，蚀刻可以在常温到80℃且优选在30到70℃进行。
作为蚀刻方法，可采用浸渍蚀刻法或者喷雾法，但对于均匀蚀刻而言更优选喷雾法。
导电膜为多层膜的情况下，优选使用蚀刻液从而对多层膜以几乎相同的速率同时蚀刻。
当用抗蚀图形作为掩膜对导电膜蚀刻后，可以去除抗蚀图形，但用于电子二极管时不除去抗蚀图形。
在步骤d)中，根据抗蚀图形材料的种类，可以通过采用本领域公知的方法除去抗蚀图形。
在本发明的示例性实施方式中，优选在形成抗蚀图形的步骤b)期间或步骤b)之后进行烘烤步骤(图1和2)。具体来说，优选在基板上形成抗蚀层之后以及在步骤b)期间形成抗蚀图形之后，或者在步骤c)中形成导电图形之前进行烘烤步骤。烘烤是指在抗蚀图形和相邻层之间提供粘合力，并且固化至少一部分抗蚀图形，通过这种方式可以防止抗蚀图形在烘烤步骤或随后的步骤中变形。本领域普通技术人员可以根据抗蚀图形的材料或者加工条件来决定要通过烘烤步骤实现的抗蚀图形的固化程度，例如，固化程度可以在0到100％的范围内。
本领域普通技术人员可以根据抗蚀图形的材料、抗蚀图形的厚度、在形成导电图形时的蚀刻条件(例如，蚀刻液的种类、蚀刻时间和蚀刻温度)来决定烘烤步骤的条件。如果烘烤温度太高，抗蚀图形的交联度会过高，以至于发生变形，例如，图形区域的变形。
作为一个实例，优选的是，当通过光刻法使用基于酚醛清漆的聚合物来形成抗蚀图形时，烘烤在80到150℃的温度下进行2min到3min。作为其另一个实例，优选的是，当通过印刷方法使用基于酚醛清漆的聚合物来形成抗蚀图形时，烘烤在125到130℃的温度下进行2min到3min。作为其再一个实例，优选的是，当使用基于丙烯的聚合物来形成抗蚀图形时，烘烤在170到230℃的温度下进行5min到60min。作为其又一个实例，当使用PSPI聚合物来形成抗蚀图形时，烘烤优选在120到300℃的温度下进行1min到60min。
在烘烤温度太低的情况下，很难得到由进行烘烤而产生的交联效应，如果烘烤温度太高时，抗蚀图形的变形会导致形变。烘烤时间根据上述材料或加工条件而变化，例如，烘烤可以进行2到3min，但所述时间并不限于此。
在本发明的示例性实施方式中，作为抗蚀图形的材料，在使用UV固化树脂的情况下，可以在步骤b)期间或步骤b)后进行曝光或烧结。该实例如图3所示。
根据本发明的示例性实施方式的方法，在步骤c)或步骤d)之后可以进一步包括洗涤步骤。在该洗涤步骤中，可以使用步骤c)中所用的蚀刻液。可以通过进行洗涤步骤来去除杂质。
本发明的另一个示例性实施方式提供了一种导电图形，其中线宽为100微米以下，优选0.1到30微米，更优选0.5到10微米，并且更优选1到5微米。
根据本发明的示例性实施方式的导电图形可以进一步包括位于导电图形上的抗蚀图形，所述抗蚀图形具有与导电图形相对应的图形，并且其线宽大于导电图形的线宽。然后，可以通过用根据上述方法形成导电图形，并且不除去为了形成导电图形而用作掩膜的抗蚀图形来制造该结构。这种情况下，抗蚀图形优选具有绝缘性。
在抗蚀图形位于导电图形之上的情况中，可以通过控制抗蚀图形的材料种类以及其三维形状来提供一种附加的光学特性。根据本发明的示例性实施方式的结构如图6到9所示，即抗蚀图形位于导电图形上且线宽大于导电图形的线宽。然而，该结构并不仅限于说明书附图中所示的结构，可以具有其他结构或者可以除去抗蚀图形。
如上所述，当抗蚀图形位于导电图形上时，在所述导电图形的线宽方向上的横截面中，从所述导电图形一侧的末端到绝缘层图形(insulation layerpattern)的末端的距离(a)和从导电图形另一侧的末端到绝缘层图形的末端的距离(b)的百分比(a/b*100)可以在90到110的范围内。所述百分比优选为95到105，并且更优选为99到101。在根据本发明的示例性实施方式的方法中，绝缘层图形和导电图形的形成并非使用单独的掩膜或采用单独的印刷方法，而是采用绝缘层图形通过过度蚀刻来形成导电膜，从而使位于导电图形上的绝缘层图形与导电图形构成对称结构。所述对称结构如图10和11所示，但是本发明的范围并不限于上述结构。根据本发明的示例性实施方式的导电图形可以通过上述方法制造。
根据本发明的示例性实施方式的导电图形可以为规则或无规则的。规则图形的间距可以为几微米到2,000微米，优选500微米以下，并且更优选250微米以下。
优选的是，导电图形的表面电阻是100欧姆/平方到0.001欧姆/平方。
根据本发明的实施方式的导电图形的厚度优选10微米以下，更优选300nm以下，进一步优选100到300nm。可以根据导电图形的组成材料的种类来确定具体的电阻值，可以根据导电图形的厚度来控制表面电阻值。在本发明的示例性实施方式中，如上所述，由于形成导电图形的方法是通过使用抗蚀图形作为掩膜来进行的，因此与直接印刷的导电图形相比，可以得到薄厚度的导电图形。
根据本发明的示例性实施方式的导电图形所具有的开孔率(openingratio)优选为85％到98％，表面电阻为1欧姆到200欧姆，厚度为100到300nm，线宽为0.1到10微米，并且满足以下公式1。
[公式1]
a/(1-开孔率)＝A
在公式1中，a是构成厚度为t的由导电图形的材料形成的层的表面电阻，以及
A是厚度为t的导电图形的表面电阻。
优选的是，根据本发明的示例性实施方式的导电图形满足以下公式2和3。
[公式2]
a/[1-(R-L)2/R2]＝A
[公式3]
(R-L)2/R2×Ts＝Tc
在公式2和3中，
R是导电图形的间距，
L是导电图形的线宽，
a是构成厚度为t的由导电图形的材料形成的层的表面电阻，
A是厚度为t的导电图形的表面电阻，
Ts是基板透光率，以及
Tc是具有导电图形的基板的透光率。
在本说明书中，开孔率是指在层状体的前表面上未形成导电图形的面积的比率，透光率是指当可见射线穿过基板时所显示的光的透过比。
根据本发明的示例性实施方式的导电图形依据其位置的厚度偏差优选为3％以内，并且更优选为2％以内。根据本发明的示例性实施方式的导电图形依据其位置的线宽偏差优选为30％以内，并且更优选为20％以内。与通过直接印刷导电墨或糊膏来形成图形的现有技术相比，在本发明的示例性实施方式中，当形成导电图形时，可以通过使用抗蚀图形作为掩膜来降低导电图形的厚度和/或线宽的偏差。
根据本发明示例性实施方式的导电图形，其具有的图形形状优选在7英寸，更优选在10到50英寸的面积内连续形成。此处，连续形成的图形形状是指没有连接痕迹。在本发明的示例性实施方式中，通过上述过度蚀刻的方法可以大面积无连接痕迹地形成具有超细线宽的导电图形。现有技术并不能制造出大面积的具有超细线宽的导电图形。连接痕迹是指大面积拼接以小面积制造的导电图形时的痕迹，例如，可以采用通过使用垫部(pad part)来拼接具有小面积导电图形的方法。在这种情况中，透光率优选为85％到98％，导电率优选0.1欧姆到100欧姆。当应用了图形的电子设备被贴附在电子器件(如显示器)上并保证最小导电率时，该设定值用于防止所述电子设被大规模辨别。
为了所需的导电图形目的，根据本发明示例性实施方式的导电图形可以无限制的使用。例如，所述图形可以用作电子二极管或照明设备的电极。电子元件的实例包括触摸屏、显示器以及半导体等等。
在下文中，将通过实施例来举例说明本发明。然而，以下实施例旨在描述本发明，本发明的范围并不限于此。
实施例
实施例1
通过喷溅工艺，在0.5t的玻璃上沉积30nm厚的MoTi合金，在MoTi合金上沉积200nm厚的Cu，再于Cu上沉积30nm厚的Mo来制造玻璃基板。
然后，使用线宽8微米/间距200微米大小的铅板和采用背面胶印的Bouronoi无规则图形来印刷抗蚀墨(酚醛清漆树脂组合物(商品名称LG412DF，由韩国LG Chem，Ltd.制造))。随后，印刷样品的烘烤在130℃下进行3min。
接着，使用ENF Co.，Ltd.(韩国)制造的Cu蚀刻剂(ELCE-100)在40℃下进行蚀刻(刚好蚀刻时间30sec)约110sec。随后，除去Bouronoi图形的抗蚀墨。由此制造的导电图形与图12的导电图形相同，并且导电图形的线宽是2.65微米。抗蚀墨除去前的图片显示于图13中，并且抗蚀墨除去后导电图形的图片显示于图14中。
实施例2到7
分别在刚好蚀刻时间(30sec)(实施例2)、1.3倍刚好蚀刻时间(实施例3)、1.5倍刚好蚀刻时间(实施例4)、2倍刚好蚀刻时间(实施例5)、3倍刚好蚀刻时间(实施例6)和5倍刚好蚀刻时间(实施例7)的条件下蚀刻导电膜。当所述膜的蚀刻为3倍刚好蚀刻时间(实施例6)时，线宽为6.05微米，并且此时的图片显示于图15中。
然后，除去Bouronoi图形的抗蚀墨。除去抗蚀墨的图片显示于图16中。每个实施例的线宽如下所示。
[表1]
Figure BPA00001417900600121
实施例8
通过喷溅工艺，在0.5t的玻璃上沉积20nm厚的Ni金属，在Ni上沉积200nm厚的Ag，再于Ag上沉积20nm厚的Ni来制造玻璃基板。
然后，使用线宽8微米/间距200微米大小的铅板以及采用凹版胶印的Bouronoi无规则图形来印刷UV固化墨(LGP-7，由Natoco，Co.，Ltd.制造(日本))。
随后，使印刷样品在约500mJ/cm2的UV中曝光固化，并且基板的烘烤步骤在130℃下进行30min。接着，通过采用Zeus Co.，Ltd.(韩国)制造的Al蚀刻剂(磷酸、硝酸、醋酸和水的混合溶液)在40℃下蚀刻约60秒(刚好蚀刻时间20秒)从而得到具有如图13所示的相同结构的导电图形。由于UV固化油墨是透明的，可对内部线宽进行测定，导电图形的线宽是3.74微米，并且绝缘层图形的线宽是7.61微米。导电图形的图片显示于图17中。

Claims (22)

1.一种制造导电图形的方法，包括以下步骤：
a)在基板上形成导电膜；
b)在所述导电膜上形成抗蚀图形；以及
c)通过使用抗蚀图形来过度蚀刻导电膜从而形成导电图形，所述导电图形的线宽小于抗蚀图形的宽度。
2.根据权利要求1所述的制造导电图形的方法，其中，步骤a)中可以使用沉积、溅射、湿法涂层、蒸发、电镀、化学镀或金属覆盖层层压。
3.根据权利要求1所述的制造导电图形的方法，其中，步骤a)是用于形成导电膜的步骤，在基板上涂覆有机金属、纳米金属或者它们的复合物的溶液后，通过烧结或干燥以赋予导电性。
4.根据权利要求1所述的制造导电图形的方法，其中在步骤b)中，抗蚀图形的线边缘粗糙度(LER)控制在步骤c)中要形成的导电图形的线宽的1/2以下。
5.根据权利要求1所述的制造导电图形的方法，其中在步骤c)中，与刚好蚀刻时间相比，蚀刻时间为刚好蚀刻时间至与刚好蚀刻时间相比延迟2,000％的时间。
6.根据权利要求1所述的制造导电图形的方法，在所述步骤b)期间或之后进一步包括烘烤步骤。
7.根据权利要求1所述的制造导电图形的方法，进一步包括在步骤c)之后去除抗蚀图形的步骤d)。
8.根据权利要求1所述的制造导电图形的方法，其中，所述导电图形的线宽为100微米以下。
9.根据权利要求8所述的制造导电图形的方法，其中，所述导电图形的线宽为0.5到10微米。
10.一种导电图形，其中线宽为100微米以下。
11.根据权利要求10所述的导电图形，其中所述导电图形的线宽为0.5到10微米。
12.根据权利要求10或11所述的导电图形，其中制造所述导电图形的方法包括如下步骤：
a)在基板上形成导电膜；
b)在所述导电膜上形成抗蚀图形；以及
c)通过使用抗蚀图形来过度蚀刻导电膜从而形成导电图形，所述导电图形的线宽小于抗蚀图形的宽度。
13.根据权利要求10或11所述的导电图形，进一步包括位于导电图形上的抗蚀图形，所述抗蚀图形具有与所述导电图相对应的图形，并且其线宽大于所述导电图形的线宽。
14.根据权利要求13所述的导电图形，其中所述抗蚀图形具有绝缘性。
15.根据权利要求10或11所述的导电图形，其中所述导电图形的表面电阻为100欧姆/平方到0.001欧姆/平方。
16.根据权利要求10或11所述的导电图形，其中所述导电图形的厚度为300nm以下。
17.根据权利要求10或11所述的导电图形，其中所述导电图形所具有的开孔率为85％到98％，表面电阻为1欧姆到200欧姆，厚度为100到300nm，以及线宽为0.1到10微米，并且满足以下公式1：
[公式1]
a/(1-开孔率)＝A
在公式1中，a是构成厚度为t的由导电图形的材料形成的层的表面电阻，以及
A是厚度为t的导电图形的表面电阻。
18.根据权利要求10或11所述的导电图形，其中所述导电图形满足以下公式2和3：
[公式2]
a/[1-(R-L)2/R2]＝A
[公式3]
(R-L)2/R2×Ts＝Tc
其中，
R是所述导电图形的间距，
L是所述导电图形的线宽，
a是构成厚度为t的由导电图形的材料形成的层的表面电阻，
A是厚度为t的导电图形的表面电阻，
Ts是基板透光率，以及
Tc是具有导电图形的基板的透光率。
19.根据权利要求10或11所述的导电图形，其中，所述导电图形依据位置的厚度偏差为3％以内。
20.根据权利要求10或11所述的导电图形，其中，所述导电图形依据位置的线宽偏差为30％以内。
21.根据权利要求10或11所述的导电图形，其中，所述导电图形具有在7英寸以上的面积内连续形成的图形形状。
22.根据权利要求13所述的导电图形，其中，在所述导电图形的线宽方向上的横截面中，从所述导电图形一侧的末端到绝缘层图形的末端的距离(a)和从导电图形另一侧的末端到绝缘层图形的末端的距离(b)的百分比(a/b*100)可以在90到110的范围内。
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