CN109976591B - 触控传感器及其制备方法和应用 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种触控传感器及其制备方法和应用。该触控传感器的制备方法包括如下步骤：提供转印件和导电膜，转印件包括第一导电层，导电膜包括第二导电层；对所述转印件进行蚀刻，以使第一导电层形成线路图案；对导电膜进行蚀刻，以使第二导电层形成线路图案；将蚀刻后的转印件与蚀刻后的导电膜层叠固定，得到触控传感器。上述触控传感器的制作方法加工成本较低、工艺较为简单且有利于提高生产效率。

Description

触控传感器及其制备方法和应用

技术领域

本发明涉及一种触控传感器及其制备方法和应用。

背景技术

通常，触控传感器具有两个导电层，在制作线路图案时，要么是先在基板上制作一层导电层，并加工蚀刻形成电路图案，然后再制作一层导电层，再加工蚀刻形成电路图案；要么就是先在基板的两侧形成导电层，先加工蚀刻一侧的导电层，然后再加工蚀刻另一侧的导电层。若采用化学蚀刻的方式需要进行多次蚀刻，制作复杂，周期较长，导致生产良率较低。若采用激光蚀刻，在加工第二层导电层时，容易导致第一层导电层的电路图案被破坏，为了解决该问题，通常有方法是使用特定波长的激光，导致加工设备昂贵，加工成本较高，加工难度较大。

发明内容

基于此，有必要提供一种加工成本较低、工艺较为简单且有利于提高生产效率的触控传感器的制作方法。

此外，还涉及一种触控传感器和应用。

一种触控传感器的制备方法，包括如下步骤：

提供转印件和导电膜，所述转印件包括第一导电层，所述导电膜包括第二导电层；

对所述转印件进行蚀刻，以使所述第一导电层形成线路图案；

对所述导电膜进行蚀刻，以使所述第二导电层形成线路图案；及

将蚀刻后的所述转印件与蚀刻后的所述导电膜层叠固定，得到触控传感器。

通过分别对转印件的第一导电层和导电膜的第二导电层蚀刻形成线路图案，然后再将蚀刻完成后的转印件和导电膜层叠固定，就能够简单地完成触控传感器的制备，加工简单，无需特定波长的激光、昂贵的设备，也不需要设置激光阻隔层，不仅有利于降低生产成本，而且还有利于简化制备工艺，提高生产效率；同时，分别对转印件的第一导电层和导电膜的第二导电层蚀刻线路图案甚至可以同时进行，进一步提高了生产效率。

在其中一个实施例中，所述对所述转印件进行蚀刻的方法为激光蚀刻或化学蚀刻。

在其中一个实施例中，所述转印件还包括衬底、离型层和粘结层，所述衬底为透明有机膜，所述衬底与所述第一导电层层叠，所述离型层层叠在所述第一导电层远离所述衬底的一侧上，所述粘结层位于所述衬底和所述离型层之间，并固定粘结所述衬底、所述第一导电层和所述离型层；所述对所述转印件进行蚀刻的步骤为：在靠近所述衬底的一侧对所述第一导电层进行激光蚀刻；所述将蚀刻后的所述转印件与蚀刻后的所述导电膜层叠固定的步骤为：去除所述转印件的所述离型层，然后将所述转印件与所述导电膜层叠，并使所述导电膜与所述粘结层固定粘结。

在其中一个实施例中，所述衬底的材质选自聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯及聚酰亚胺中的一种。

在其中一个实施例中，所述第一导电层的材质为纳米银线，所述在靠近所述衬底的一侧对所述第一导电层进行激光蚀刻的步骤中，激光波长为200纳米～1200纳米，频率为250KHz～350KHz，激光移动的速度为1000mm/s～4000mm/s，激光能量为0.3W～5W。

在其中一个实施例中，所述使所述导电膜与所述粘结层固定粘结的步骤为：对层叠后的所述导电膜和所述转印件进行热压处理，以使所述导电膜与所述粘结层固定粘结。

在其中一个实施例中，所述热压处理的步骤中，热压温度为100℃～140℃，压力为0.3MPa～0.5MPa。

在其中一个实施例中，所述使所述导电膜与所述粘结层固定粘结的步骤之后，还包括对所述粘结层进行紫外光照射以使所述粘结层固化的步骤。

在其中一个实施例中，所述衬底的材质选自聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯及聚酰亚胺中的一种，所述对所述粘结层进行紫外光照射的步骤为：在靠近所述衬底的一侧对所述粘结层进行紫外光照射，所述衬底的厚度为12微米～125微米，所述紫外光的波长为300纳米～400纳米，能量强度为0.5焦～2焦。

在其中一个实施例中，所述对所述导电膜进行蚀刻的方法为激光蚀刻或化学蚀刻。

在其中一个实施例中，所述导电膜还包括基底，所述第二导电层层叠在所述基底上，所述对所述导电膜进行蚀刻的步骤为：在靠近所述第二导电层的一侧对所述第二导电层进行激光蚀刻；所述将蚀刻后的所述转印件与蚀刻后的所述导电膜层叠固定的步骤为：将所述转印件层叠固定在所述第二导电层远离所述基底的一侧。

上述的触控传感器的制备方法制备得到的触控传感器。

上述触控传感器在电子设备中的应用。

附图说明

图1为一实施方式的触控传感器的制备方法的流程图；

图2为图1所示的触控传感器的制备方法中的转印件的结构示意图；

图3为图1所示的触控传感器的制备方法中的导电膜的结构示意图；

图4为图1所示的触控传感器的制备方法在对转印件进行蚀刻时的示意图；

图5为图1所示的触控传感器的制备方法在对导电膜进行蚀刻时的示意图；

图6为图1所示的触控传感器的制备方法得到的触控传感器在紫外光中照射的示意图。

具体实施方式

为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的较佳的实施例。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容的理解更加透彻全面。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。

如图1所示，一实施方式的触控传感器的制备方法，包括如下步骤：

步骤S110：提供转印件和导电膜。

请一并参阅图2，在本实施例方式中，转印件200包括衬底210、第一导电层220、离型层230和粘结层240。

衬底210为透明有机膜。具体地，衬底210的材质选自聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯及聚酰亚胺中的一种。衬底210的厚度为12微米～125微米；进一步地，衬底210的厚度为50微米。

第一导电层220层叠在衬底210上。第一导电层220的材质为纳米银线。第一导电层220的厚度为50nm～100nm。

离型层230层叠在第一导电层220远离衬底210的一侧。离型层230的材质选自聚乙烯及聚对苯二甲酸乙二醇酯中的一种。离型层230的厚度为25微米～100微米；进一步地，离型层230的厚度为50微米。

粘结层240位于衬底210和离型层230之间，并固定粘结衬底210、第一导电层220和离型层230。粘结层240的材料为光敏胶。具体地，粘结层240穿过第一导电层220，而与衬底210粘结；离型层230层叠在粘结层240上，而粘结层240将衬底210、第一导电层220和离型层230粘结在一起。即部分光敏胶填充在第一导电层220的间隙中，并与衬底210接触，以将第一导电层220粘结在衬底210上。

具体地，转印件200为日立化成公司的MS Series的TCTF转印件。

请一并参阅图3，在本实施方式中，导电膜300包括基底310及依次层叠在基底310上的第二导电层320和剥离层330。

基底310为透明有机膜。具体地，基底310的材质选自聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯及聚酰亚胺中的一种。基底310的厚度为12微米～125微米；进一步地，基底310的厚度为50微米。

第二导电层320的材质为纳米银线。第二导电层320的厚度为50纳米～150纳米。具体地，第二导电层320通过胶黏剂粘结在基底310上。其中，胶黏剂320为聚合物胶黏剂，例如，丙烯酸酯聚合物胶黏剂。

剥离层330的材质选自聚乙烯及聚对苯二甲酸乙二醇酯中的一种。剥离层330的厚度为25微米～100微米；进一步地，剥离层330的厚度为50微米。

步骤S120：对转印件200进行蚀刻，以使第一导电层220形成线路图案。

在本实施方式中，对转印件200进行蚀刻的方法为激光蚀刻。具体地，对转印件200进行蚀刻的步骤为：对第一导电层220进行激光蚀刻，以使第一导电层220形成线路图案。

具体地，对第一导电层220进行激光蚀刻的步骤中，在靠近衬底210的一侧对第一导电层220进行激光蚀刻，如图4所示，图中箭头的方向表示激光的照射方向。激光蚀刻的工艺参数为：激光波长为200纳米～1200纳米，频率为250KHz～1100KHz，激光移动的速度为1000mm/s～4000mm/s，激光能量为0.3W～5W。由于不同的材质对激光的吸收特性不同，通过控制激光蚀刻的参数，以使第一导电层220被蚀刻的同时，尽可能地降低激光对其它膜层造成的损伤。进一步地，激光波长为355纳米(紫外激光)或1064纳米(红外激光的波长)。

需要说明的是，对转印件200进行蚀刻不限于在靠近衬底210的一侧对第一导电层220进行激光蚀刻，还可以从转印件200靠近离型层230的一侧进行激光蚀刻，此时，需根据需要调整合适的激光蚀刻的工艺参数，然而，在靠近衬底210的一侧对第一导电层220进行激光蚀刻能够尽可能地减小激光对粘结层240造成的损伤。

另外，对转印件200进行蚀刻的方法不限于为激光蚀刻，还可以采用化学蚀刻的方法，此时，先用光罩把需要蚀刻的部分盖住，留出线路部分，然后使用UV光照，使得线路部分固化并稳定，待转印完成后，采用化学药液把蚀刻的部分去除即可。

且第一导电层220的材料也不限于为纳米银线，也可以为碳纳米管、金属网格等。此时，在第一导电层220上蚀刻线路图案时需根据第一导电层220的材料调整激光蚀刻的工艺参数。

步骤S130：对导电膜300进行蚀刻，以使第二导电层320形成线路图案。

在本实施方式中，对导电膜300进行蚀刻的方法为激光蚀刻。

具体地，对导电膜300进行蚀刻的步骤为：撕除剥离层330，在靠近第二导电层320的一侧对第二导电层320进行激光蚀刻(其中，激光的照射方向如图5所示，图5中，箭头方向表示激光的照射方向)，以使第二导电层320形成线路图案；然后再将剥离层330粘附在第二导电层320远离基底310的一侧上。在激光蚀刻之前撕除剥离层330，以便于直接对第二导电层320进行激光蚀刻，在激光蚀刻之后粘附剥离层330，以保护第二导电层320。

其中，对第二导电层320进行激光蚀刻的工艺参数为：激光波长为200纳米～1200纳米，频率为250KHz～1100KHz，激光移动的速度为1000mm/s～4000mm/s，激光能量为0.3W～5W。

需要说明的是，对导电膜300进行蚀刻不限于采用上述方式，还可以直接在靠近基底310的一侧对第二导电层320进行蚀刻。且对导电膜300进行蚀刻的方法不限于为激光蚀刻，还可以采用化学蚀刻的方法，此时，在去除剥离层330之后先用光罩把需要蚀刻的部分盖住，留出线路部分，然后使用UV光照，使得线路部分固化并稳定，待转印完成后，采用化学药液把蚀刻的部分去除即可。

其中，第二导电层320的材料也不限于为纳米银线，也可以为碳纳米管、金属网格等。此时，在第二导电层320上蚀刻线路图案时需根据第二导电层320的材料调整激光蚀刻的工艺参数。

步骤S140：将蚀刻后的转印件200与蚀刻后的导电膜300层叠固定，得到触控传感器。

具体地，将蚀刻后的转印件200与蚀刻后的导电膜300层叠固定的步骤具体为：去除转印件200的离型层230，将转印件200与导电膜300层叠，并使导电膜300与粘结层240固定粘结。

具体地，使导电膜300与粘结层240固定粘结的步骤为：将层叠后的导电膜300和转印件300进行热压处理的步骤。通过热压处理不仅能够使导电膜300和转印件200粘结在一起，而且还能够减少导电膜300和转印件200之间的气泡问题。此时，请一并参阅图6，导电膜300和转印件200的层叠结构包括基底310、第二导电层320、粘结层240、衬底210、第一导电层220和剥离层330，第一导电层220、基底310、第二导电层320和剥离层330依次层叠在衬底210上，粘结层240将衬底210、第一导电层220和基底310粘结在一起。基底310位于第一导电层220和第二导电层320之间，以间隔第一导电层220和第二导电层320，以使第一导电层220和第二导电层320形成电容结构。

具体地，热压处理的步骤中，热压温度为100℃～140℃，压力为0.3MPa～0.5MPa。具体地，热压处理采用的装置为滚轮，滚压速度为0.4米/分～0.8米/分。

进一步地，使导电膜200与粘结层240固定粘结的步骤之后，还包括对粘结层240进行紫外光照射，以使粘结层240固化的步骤。通过紫外光固化以使基底310和第一导电层220更加牢固地粘结在一起。

具体地，对粘结层230进行紫外光照射的步骤为：在靠近衬底210的一侧对粘结层240进行紫外光照射，图6中的箭头表示紫外光的照射方向。其中，紫外光的波长为300纳米～400纳米，能量强度为0.5焦～2焦。通过使用光敏胶作为粘结层240，采用上述材料作为衬底210的材料，并控制衬底210的厚度，配以合适的紫外光照射参数，以使粘结层240固化而将第一导电层220和基底310更加牢固地粘结在一起。

需要说明的是，由于光敏胶不仅能够实现化学蚀刻的方法使第一导电层220形成线路图案，实现激光蚀刻的方法使第一导电层220形成线路图案，同时还具有一定的粘性，能够在热压处理的时候将基底310和第一导电层220粘结在一起，并且能够在紫外光照射的时候固化。若采用激光蚀刻的方法使第一导电层220形成线路图案，粘结层240的材料不限于采用光敏胶，此时，粘结层240的材料还可以为紫外线固化胶、热固化胶等。转印件200和导电膜300的结构也不限于为上述结构，例如，转印件200仅由第一导电层220组成，导电膜300仅由第二导电膜320组成，此时，第一导电层220和第二导电层320均为片状金属箔，将蚀刻后的转印件200与蚀刻后的导电膜300层叠固定时，在第一导电层220和第二导电层320之间层叠绝缘膜，并使用粘结剂粘结，也可以使第一导电层220和第二导电层320之间形成电容结构。或者，转印件200仅由第一导电膜220组成，此时，第一导电层220为片状金属箔，即衬底210省略，此时，将第一导电层220与基底310远离第二导电层320的一侧固定粘结即可形成电容结构；或者，导电膜300仅由第二导电膜320组成，基底310省略，此时，第二导电层320为片状金属箔，将转印件200与导电膜300层叠固定时，将第二导电层320与衬底210远离第一导电层220的一侧固定粘结即可形成电容结构。或者，第一导电层220和第二导电层320也可以直接层叠，此时，第一导电层220和第二导电层320之间不形成电容结构，而是作为一个厚电极使用。剥离层330也可以省略。

可以理解，上述触控传感器的制备方法不限于采用上述顺序制备，例如，步骤S120和步骤S130可以同时进行，或者步骤S120和步骤S130的顺序可以直接替换。

上述触控传感器的制备方法至少有以下优点：

通过分别对转印件200和导电膜300进行蚀刻以使第一导电层220和第二导电层320形成线路图案，然后再将蚀刻完成后的转印件200和导电膜300层叠固定，就能够简单地完成触控传感器的制备，加工简单，无需特定波长的激光、昂贵的设备，也不需要设置激光阻隔层，不仅有利于降低生产成本，而且还有利于简化制备工艺，提高生产效率；同时，分别对转印件200的第一导电层220和导电膜300的第二导电层320蚀刻线路图案甚至可以同时进行，进一步提高了生产效率。

一实施方式的触控传感器，通过上述触控传感器的制备方法制备得到。且上述触控传感器有上述方法制备得到，使得该触控传感器具有较薄的厚度和较好的弯折性能。

上述触控传感器可以应用在电子设备中，电子设备例如可以为手机、电脑、平板电脑等，用在显示区域。

以下为具体实施例部分(以下实施例如无特殊说明，则不含有除不可避免的杂质以外的其他未明确指出的组分。)：

实施例1

本实施例的触控传感器的制备过程如下：

(1)提供转印件，转印件包括衬底、第一导电层、离型层和粘结层，第一导电层层叠在衬底上，离型层层叠在第一导电层远离衬底的一侧，粘结层位于衬底和离型层之间，并固定粘结衬底、第一导电层和离型层，衬底的材质为聚对苯二甲酸乙二醇酯，衬底的厚度为50微米，第一导电层的材质为纳米银线，第一导电层的厚度为100nm，粘结层的材料为光敏胶，离型层的材质为聚乙烯，离型层的厚度为50微米。

(2)在靠近衬底的一侧对第一导电层进行激光蚀刻，以使第一导电层形成线路图案，激光蚀刻的工艺参数为：激光波长为1064纳米，频率为280KHz，激光移动的速度为3000mm/s，激光能量为4W。

(3)提供导电膜，导电膜包括基底及依次层叠在基底上的第二导电层和剥离层，基底的材质为聚对苯二甲酸乙二醇酯，基底的厚度为50微米，第二导电层的材质为纳米银线，第二导电层的厚度为100nm，剥离层的材质为聚乙烯，剥离层的厚度为50微米。

(4)撕除剥离层，在靠近第二导电层的一侧对第二导电层进行激光蚀刻，以使第二导电层形成线路图案，激光蚀刻的工艺参数为：波长为1064纳米，频率为300KHz，激光移动速度为3000mm/s，能量为3.5W，然后再将剥离层粘附在第二导电层远离基底的一侧上。

(5)去除转印件上的离型层，将基底层叠在一导电层远离衬底的一侧，并使用热压滚轮热压处理，以使基底与粘结层固定粘结，得到层叠件，其中，热压温度为110℃，压力为0.4MPa，滚压速度为0.6米/分。

(6)在靠近衬底的一侧进行紫外光照射，紫外光的波长为365纳米，能量强度为1焦，照射时间为20秒，得到触控传感器。

实施例2

本实施例的触控传感器的制备过程与实施例1的触控传感器的制备过程大致相同，区别在于：

步骤(1)中，衬底的材质为聚碳酸酯，第一导电层的厚度为100纳米，离型层的材质为聚对苯二甲酸乙二醇酯，离型层的厚度为25微米。

步骤(2)中，激光蚀刻的工艺参数为：激光波长为355纳米，频率为850KHz，激光移动的速度为1000mm/s，激光能量为1W。

步骤(3)中，基底的材质为聚碳酸酯，基底的厚度为12微米，第二导电层的厚度为80nm，剥离层的材质为聚对苯二甲酸乙二醇酯，剥离层的厚度为25微米。

步骤(4)中，激光蚀刻的工艺参数为：激光波长为355纳米，频率为850KHz，激光移动的速度为1000mm/s，激光能量为0.9W。

步骤(5)中，热压温度为100℃，压力为0.3MPa，滚压速度为0.4米/分。

步骤(6)中，紫外光的波长为400纳米，能量强度为0.8焦，照射时间为30秒。

实施例3

本实施例的触控传感器的制备过程与实施例1的触控传感器的制备过程大致相同，区别在于：

步骤(1)中，衬底的材质为聚酰亚胺，衬底的厚度为50微米，第一导电层的厚度为100纳米，离型层的材质为聚对苯二甲酸乙二醇酯，离型层的厚度为100微米。

步骤(2)激光蚀刻的工艺参数为：激光波长为1000纳米，频率为300KHz，激光移动的速度为4000mm/s，激光能量为5W。

步骤(3)中，基底的材质为聚酰亚胺，基底的厚度为125微米，第二导电层的厚度为150纳米，剥离层的材质为聚对苯二甲酸乙二醇酯，剥离层的厚度为100微米。

步骤(4)中，激光蚀刻的工艺参数为：激光波长为1000纳米，频率为350KHz，激光移动的速度为4000mm/s，激光能量为4.5W。

步骤(5)中，热压温度为140℃，压力为0.3MPa，滚压速度为0.8米/分。

步骤(6)中，紫外光的波长为300纳米，能量强度为0.5焦，照射时间为30秒。

实施例4

本实施例的触控传感器的制备过程与实施例1的触控传感器的制备过程大致相同，区别在于：

步骤(2)中的激光波长为1200纳米，频率为250KHz；步骤(6)中的紫外光波长为300纳米。

实施例5

本实施例的触控传感器的制备过程与实施例1的触控传感器的制备过程大致相同，区别在于：步骤(2)中的激光波长为266纳米，频率为1100KHz；步骤(6)中的紫外光波长为400纳米。

实施例6

本实施例的触控传感器的制备过程具体如下：

(1)提供转印件，转印件包括衬底、第一导电层、离型层和粘结层，第一导电层层叠在衬底上，离型层层叠在第一导电层远离衬底的一侧，粘结层位于衬底和离型层之间，并固定粘结衬底、第一导电层和离型层，衬底的材质为聚对苯二甲酸乙二醇酯，衬底的厚度为50微米，第一导电层的材质为纳米银线，第一导电层的厚度为100纳米，粘结层的材料为光敏胶，离型层的材质为聚乙烯，离型层的厚度为50微米。

(2)在靠近衬底的一侧对第一导电层进行激光蚀刻，以使第一导电层形成线路图案，激光蚀刻的工艺参数为：激光波长为1064纳米，频率为280KHz，激光移动的速度为3000mm/s，激光能量为4W。

(3)提供导电膜，导电膜包括基底及依次层叠在基底上的第二导电层和剥离层，基底的材质为聚对苯二甲酸乙二醇酯，基底的厚度为50微米，第二导电层的材质为纳米银，第二导电层的厚度为100纳米，剥离层的材质为聚乙烯，剥离层的厚度为50微米。

(4)去除转印件上的离型层，将基底层叠在一导电层远离衬底的一侧，并使用热压滚轮热压处理，以使基底与粘结层固定粘结，得到层叠件，其中，热压温度为110℃，压力为0.4MPa，滚压速度为0.6米/分。

(5)在靠近衬底的一侧进行紫外光照射，紫外光的波长为365纳米，能量强度为1焦，照射时间为20秒。

(6)撕除剥离层，在靠近第二导电层的一侧对第二导电层进行激光蚀刻，以使第二导电层形成线路图案，激光蚀刻的工艺参数为：激光波长为1064纳米，频率为300KHz，激光移动的速度为3000mm/s，激光能量为3.5W。然后再将剥离层粘附在第二导电层远离基底的一侧上，得到触控传感器。

实施例7

本实施例的触控传感器的制备过程与实施例1的触控传感器的制备过程大致相同，区别在于：步骤(2)中的激光波长为1250纳米；步骤(6)中的紫外光波长为450纳米。

实施例8

本实施例的触控传感器的制备过程与实施例1的触控传感器的制备过程大致相同，区别在于：步骤(2)中的激光波长为180纳米；步骤(6)中的紫外光波长为280纳米。

实施例9

本实施例的触控传感器的制备过程与实施例1的触控传感器的制备过程大致相同，区别在于：步骤(2)中的激光能量为0.25焦；步骤(6)中的紫外光能量为0.4焦。

实施例10

本实施例的触控传感器的制备过程与实施例1的触控传感器的制备过程大致相同，区别在于：步骤(2)中的激光能量为为5.5焦；步骤(6)中的紫外光能量为2.5焦。

测试：

采用显微镜分别观察实施例1～10的触控传感器的衬底的损失情况、基底的损失情况、第一导电层形成的线路的流畅性和线宽一致性、以及第二导电层形成线路的流畅性和线宽一致性(由于触控传感器的衬底、基底等均为透明材质，因此，可通过显微镜观测)，见表1，其中，若形成的线路为连续的线路则说明流畅性好，若线路的宽度相同，则说明线宽的一致性较好。

表1

从表1中可以看出，实施例1～实施例5的触控传感器在制备过程中第一导电层和第二导电层的线路均较为连续，且宽度一致，转印件的衬底和导电膜的损失较小，且第二导电层的阻抗均匀，而实施例6虽然第二导电层的线路均较为连续，且宽度一致，转印件的衬底和导电膜较小，但是第一导电层的线路出现断开现象，且部分宽度不一致，这可能是因为在蚀刻第二导电层的时候伤害到了第一导电层而引起的；实施例7～10要么第一导电层线路不清晰，要么大面积的烧伤衬底，而且还出现了第一导电层的线路的宽度不一致的问题。

采用打点测试的方法分别测试实施例1～10得到的触控传感器的精度，见表2：测试每个触控传感器不同位置的实际X、Y坐标值，并将其分别与相应位置的理论值相比较，取偏差最大的为触控传感器的精度。

采用划线检测的方法分别测试实施例1～10的触控传感器的线性度，见表2：测试触控传感器上的在同一直线上的多个点的X、Y坐标值，并将该多个值拟合成一直线，与该拟合直线偏差最大的点的值即为相应的触控传感器的线性度。

表2

从表2中可以看出，实施例1～实施例5的触控传感器具有优于实施例6～10的精度和线性度，即实施例1～5能够制备得到性能更加优异的触控传感器。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (12)

1.一种触控传感器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供转印件和导电膜，所述转印件包括衬底、第一导电层、离型层和粘结层，所述衬底为透明有机膜，所述衬底与所述第一导电层层叠，所述离型层层叠在所述第一导电层远离所述衬底的一侧，所述粘结层位于所述衬底和所述离型层之间，并固定粘结所述衬底、所述第一导电层和所述离型层；所述导电膜包括基底及依次层叠在所述基底上的第二导电层和剥离层，所述基底为透明有机膜；

对所述转印件进行蚀刻，步骤为：在靠近所述衬底的一侧对所述第一导电层进行激光蚀刻，以使所述第一导电层形成线路图案，激光蚀刻的工艺参数为：激光波长为200纳米~1200纳米，频率为250KHz~1100KHz，激光移动的速度为1000mm/s~4000mm/s，激光能量为0.3W~5W；

对所述导电膜进行蚀刻，步骤为：撕除所述剥离层，在靠近所述第二导电层的一侧对所述第二导电层进行激光蚀刻，以使所述第二导电层形成线路图案；再将所述剥离层粘附在所述第二导电层远离所述基底的一侧上；及

去除所述转印件的所述离型层，将蚀刻后的所述转印件与蚀刻后的所述导电膜层叠固定，所述导电膜与所述粘结层固定粘结，使所述基底位于所述第一导电层和所述第二导电层之间，得到触控传感器。

2.根据权利要求1所述的触控传感器的制备方法，其特征在于，对所述第二导电层进行激光蚀刻的工艺参数为：激光波长为200纳米~1200纳米，频率为250KHz~1100KHz，激光移动的速度为1000mm/s~4000mm/s，激光能量为0.3W~5W。

3.根据权利要求2所述的触控传感器的制备方法，其特征在于，所述第二导电层的材质为纳米银线。

4.根据权利要求3所述的触控传感器的制备方法，其特征在于，所述衬底的材质选自聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯及聚酰亚胺中的一种。

5.根据权利要求3所述的触控传感器的制备方法，其特征在于，所述第一导电层的材质为纳米银线。

6.根据权利要求3所述的触控传感器的制备方法，其特征在于，所述使所述导电膜与所述粘结层固定粘结的步骤为：对层叠后的所述导电膜和所述转印件进行热压处理，以使所述导电膜与所述粘结层固定粘结。

7.根据权利要求6所述的触控传感器的制备方法，其特征在于，所述热压处理的步骤中，热压温度为100℃~140℃，压力为0.3MPa~0.5MPa。

8.根据权利要求6所述的触控传感器的制备方法，其特征在于，所述使所述导电膜与所述粘结层固定粘结的步骤之后，还包括对所述粘结层进行紫外光照射以使所述粘结层固化的步骤。

9.根据权利要求8所述的触控传感器的制备方法，其特征在于，所述衬底的材质选自聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯及聚酰亚胺中的一种，所述对所述粘结层进行紫外光照射的步骤为：在靠近所述衬底的一侧对所述粘结层进行紫外光照射，所述紫外光的波长为300纳米~400纳米，能量强度为0.5焦~2焦。

10.根据权利要求1所述的触控传感器的制备方法，其特征在于，所述导电膜还包括基底，所述第二导电层层叠在所述基底上，所述对所述导电膜进行蚀刻的步骤为：在靠近所述第二导电层的一侧对所述第二导电层进行激光蚀刻；所述将蚀刻后的所述转印件与蚀刻后的所述导电膜层叠固定的步骤为：将所述转印件层叠固定在所述第二导电层远离所述基底的一侧。

11.权利要求1~10任意一项所述的触控传感器的制备方法制备得到的触控传感器。

12.一种电子设备，其特征在于，包括权利要求11所述的触控传感器。

Images