CN102157204B - 使用自适应编程验证方案的闪速存储器件和相关操作方法 - Google Patents

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Families Citing this family (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20150348633A1 (en) * 2010-02-11 2015-12-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Nonvolatile memory devices and methods of programming nonvolatile memory devices
KR101855435B1 (ko) * 2010-11-15 2018-05-08 삼성전자주식회사 최대 검증-시간을 조절할 수 있는 비휘발성 메모리 장치, 이의 동작 방법, 및 이를 포함하는 메모리 시스템
CN102969022A (zh) * 2011-09-01 2013-03-13 中国科学院微电子研究所 一种对多位半导体存储器进行编程的方法
KR101893145B1 (ko) 2011-12-06 2018-10-05 삼성전자주식회사 메모리 시스템들 및 그것들의 블록 복사 방법들
DE102012111829A1 (de) 2011-12-06 2013-06-06 Samsung Electronics Co., Ltd. Speichersysteme und Blockkopierverfahren davon
US8854898B2 (en) 2011-12-14 2014-10-07 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for comparing a current representative of a number of failing memory cells
CN103366811A (zh) * 2012-03-26 2013-10-23 中国科学院微电子研究所 多位半导体存储器的编程方法
US9190149B2 (en) * 2012-08-24 2015-11-17 Infineon Technologies Ag Method and system for switchable erase or write operations in nonvolatile memory
KR102016041B1 (ko) 2012-10-11 2019-08-30 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치의 프로그램 방법
KR102089532B1 (ko) 2013-02-06 2020-03-16 삼성전자주식회사 메모리 컨트롤러, 메모리 시스템 및 메모리 시스템의 동작 방법
KR102112596B1 (ko) 2013-03-15 2020-05-19 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치 및 이의 프로그래밍 방법
KR102125376B1 (ko) * 2013-07-01 2020-06-23 삼성전자주식회사 저장 장치 및 그것의 쓰기 방법
KR102096285B1 (ko) 2013-07-30 2020-04-02 삼성전자주식회사 메모리 시스템 및 그것의 프로그램 방법
KR102133362B1 (ko) 2013-08-14 2020-07-15 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치, 그것을 포함하는 메모리 시스템, 및 그것의 프로그램 방법
US9396807B2 (en) * 2013-11-11 2016-07-19 Seagate Technology Llc Incremental programming pulse optimization to reduce write errors
KR102318561B1 (ko) * 2014-08-19 2021-11-01 삼성전자주식회사 스토리지 장치, 스토리지 장치의 동작 방법
KR102291456B1 (ko) 2015-08-13 2021-08-23 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치 및 그것의 프로그램 방법 및 프로그램 검증 방법
US11437094B2 (en) 2015-08-13 2022-09-06 Samsung Electronics Co., Ltd. Nonvolatile memory device, storage device, and operation method of storage device
US10346097B2 (en) * 2015-11-26 2019-07-09 Samsung Electronics Co., Ltd. Nonvolatile memory device and storage device including nonvolatile memory device
US9842655B2 (en) 2015-12-08 2017-12-12 Intel Corporation Reducing verification checks when programming a memory device
US10141071B2 (en) * 2015-12-26 2018-11-27 Intel Corporation Predictive count fail byte (CFBYTE) for non-volatile memory
KR102449196B1 (ko) 2016-01-15 2022-09-29 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치 및 비휘발성 메모리 장치의 프로그램 방법
KR102423291B1 (ko) * 2016-01-15 2022-07-20 삼성전자주식회사 프로그램 전압을 보정하는 플래시 메모리 장치, 3차원 메모리 장치, 메모리 시스템 및 그의 프로그램 방법
US9847133B2 (en) * 2016-01-19 2017-12-19 Ememory Technology Inc. Memory array capable of performing byte erase operation
KR102498248B1 (ko) * 2016-02-04 2023-02-10 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 메모리 장치 및 그것의 동작 방법
JP6652470B2 (ja) 2016-09-07 2020-02-26 キオクシア株式会社 半導体記憶装置
KR20180062158A (ko) * 2016-11-30 2018-06-08 삼성전자주식회사 루프 상태 정보를 생성하는 불휘발성 메모리 장치, 그것을 포함하는 저장 장치 및 그것의 동작 방법
US10354738B2 (en) * 2017-09-27 2019-07-16 Micron Technology, Inc. One check fail byte (CFBYTE) scheme
US10410732B1 (en) * 2018-05-21 2019-09-10 Western Digital Technologies, Inc. Failure prediction by cell probing
JP2020013626A (ja) * 2018-07-20 2020-01-23 キオクシア株式会社 メモリシステム
KR102624620B1 (ko) * 2018-11-02 2024-01-15 에스케이하이닉스 주식회사 메모리 장치 및 이를 포함하는 메모리 시스템
TWI708253B (zh) * 2018-11-16 2020-10-21 力旺電子股份有限公司 非揮發性記憶體良率提升的設計暨測試方法
US10622080B1 (en) * 2018-11-30 2020-04-14 Macronix International Co., Ltd. Non-volatile memory and reading method thereof
JP2020113351A (ja) * 2019-01-10 2020-07-27 キオクシア株式会社 メモリチップ
KR20210066899A (ko) 2019-02-20 2021-06-07 양쯔 메모리 테크놀로지스 씨오., 엘티디. 메모리 시스템을 프로그래밍하기 위한 방법
JP2020144961A (ja) * 2019-03-07 2020-09-10 キオクシア株式会社 半導体記憶装置
US10910076B2 (en) 2019-05-16 2021-02-02 Sandisk Technologies Llc Memory cell mis-shape mitigation
KR20200141304A (ko) 2019-06-10 2020-12-18 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 장치 및 반도체 장치의 동작 방법
KR20210015331A (ko) * 2019-08-01 2021-02-10 삼성전자주식회사 상태 쉐이핑 동작을 수행하기 위한 메모리 장치, 메모리 컨트롤러 및 이를포함하는 메모리 시스템
KR20210062343A (ko) * 2019-11-21 2021-05-31 에스케이하이닉스 주식회사 메모리 장치 및 그 동작 방법
US11049578B1 (en) * 2020-02-19 2021-06-29 Sandisk Technologies Llc Non-volatile memory with program verify skip
KR20210111584A (ko) * 2020-03-03 2021-09-13 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 메모리 장치 및 그 동작 방법
CN111727477A (zh) * 2020-05-06 2020-09-29 长江存储科技有限责任公司 3d nand闪存的控制方法和控制器
KR20220021770A (ko) 2020-08-14 2022-02-22 에스케이하이닉스 주식회사 메모리 장치 및 그 동작 방법
KR20220060848A (ko) * 2020-11-05 2022-05-12 에스케이하이닉스 주식회사 메모리 장치 및 이의 동작 방법
KR20220120033A (ko) 2021-02-22 2022-08-30 에스케이하이닉스 주식회사 메모리 장치 및 그 동작 방법
TWI822270B (zh) * 2022-08-24 2023-11-11 旺宏電子股份有限公司 記憶體裝置及其程式化方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101174471A (zh) * 2006-11-03 2008-05-07 海力士半导体有限公司 为闪存装置设定编程起始偏压的方法和使用它的编程方法
CN101231888A (zh) * 2007-01-23 2008-07-30 海力士半导体有限公司 在闪速存储器件中对数据进行编程的方法

Family Cites Families (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6205055B1 (en) * 2000-02-25 2001-03-20 Advanced Micro Devices, Inc. Dynamic memory cell programming voltage
JP2001273792A (ja) 2000-03-27 2001-10-05 Nec Microsystems Ltd フラッシュメモリの書き込み・消去制御方法
US6377507B1 (en) 2001-04-06 2002-04-23 Integrated Memory Technologies, Inc. Non-volatile memory device having high speed page mode operation
US6901010B1 (en) 2002-04-08 2005-05-31 Advanced Micro Devices, Inc. Erase method for a dual bit memory cell
US7073103B2 (en) 2002-12-05 2006-07-04 Sandisk Corporation Smart verify for multi-state memories
JP4349866B2 (ja) * 2003-09-02 2009-10-21 三洋電機株式会社 Ｆｓｋ信号復調回路
US7177199B2 (en) * 2003-10-20 2007-02-13 Sandisk Corporation Behavior based programming of non-volatile memory
US6888758B1 (en) * 2004-01-21 2005-05-03 Sandisk Corporation Programming non-volatile memory
KR100635203B1 (ko) 2004-05-14 2006-10-16 에스티마이크로일렉트로닉스 엔.브이. 플래쉬 메모리 장치 및 그 구동 방법
JP2005353242A (ja) * 2004-06-14 2005-12-22 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置及びそのデータ書き込み方法
JP4828901B2 (ja) * 2005-09-22 2011-11-30 株式会社東芝 半導体集積回路装置
US7366022B2 (en) 2005-10-27 2008-04-29 Sandisk Corporation Apparatus for programming of multi-state non-volatile memory using smart verify
US7301817B2 (en) 2005-10-27 2007-11-27 Sandisk Corporation Method for programming of multi-state non-volatile memory using smart verify
JP4855474B2 (ja) * 2005-10-27 2012-01-18 サンディスク コーポレイション スマート検証を利用してマルチステート不揮発性メモリをプログラミングする方法
WO2007086214A1 (ja) * 2006-01-24 2007-08-02 Advantest Corporation 試験装置および選択装置
EP1870905B1 (en) 2006-06-21 2009-12-30 STMicroelectronics S.r.l. Method and circuit for electrically programming semiconductor memory cells
JP4344372B2 (ja) * 2006-08-22 2009-10-14 シャープ株式会社 半導体記憶装置及びその駆動方法
KR100805840B1 (ko) * 2006-09-01 2008-02-21 삼성전자주식회사 캐시를 이용한 플래시 메모리 장치 및 그것의 프로그램방법
KR100801035B1 (ko) * 2006-12-14 2008-02-04 삼성전자주식회사 멀티 레벨 셀의 프로그램 방법, 페이지 버퍼 블록 및 이를포함하는 불휘발성 메모리 장치
JP5029883B2 (ja) 2007-05-17 2012-09-19 横河電機株式会社 半導体試験装置
KR100884234B1 (ko) 2007-05-25 2009-02-18 삼성전자주식회사 프로그램 성능을 향상시킬 수 있는 플래시 메모리 장치 및그것의 프로그램 방법
KR101322378B1 (ko) 2007-07-09 2013-10-30 삼성전자주식회사 불휘발성 반도체 메모리 장치 및 그것의 프로그램 방법
KR20090011249A (ko) 2007-07-25 2009-02-02 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 셀 프로그래밍 방법
KR100933859B1 (ko) 2007-11-29 2009-12-24 주식회사 하이닉스반도체 플래시 메모리 소자 및 그것의 프로그램 방법
US7688638B2 (en) 2007-12-07 2010-03-30 Sandisk Corporation Faster programming of multi-level non-volatile storage through reduced verify operations
KR20090119297A (ko) * 2008-05-16 2009-11-19 하진구 영화를 통한 영어학습방법 및 그 장치
US7800945B2 (en) 2008-06-12 2010-09-21 Sandisk Corporation Method for index programming and reduced verify in nonvolatile memory
KR20110036884A (ko) * 2008-06-12 2011-04-12 쌘디스크 코포레이션 확인 단계가 감소하고 인덱스 프로그래밍을 이용하는 비휘발성 메모리와 방법
US7826271B2 (en) 2008-06-12 2010-11-02 Sandisk Corporation Nonvolatile memory with index programming and reduced verify
JP5172555B2 (ja) * 2008-09-08 2013-03-27 株式会社東芝 半導体記憶装置
JP2010244668A (ja) 2009-03-18 2010-10-28 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置
KR101039962B1 (ko) 2009-06-29 2011-06-09 주식회사 하이닉스반도체 불휘발성 메모리 소자 및 프로그램 방법
KR101554727B1 (ko) 2009-07-13 2015-09-23 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치 및 그것의 프로그램 방법
KR101670922B1 (ko) 2009-08-07 2016-11-09 삼성전자주식회사 아날로그 신호를 출력하는 불휘발성 메모리 장치 및 그것을 포함하는 메모리 시스템
KR101653206B1 (ko) 2010-01-19 2016-09-02 삼성전자주식회사 프로그램 검증 회로 및 이를 포함하는 비휘발성 메모리 장치
KR101802815B1 (ko) 2011-06-08 2017-12-29 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치 및 불휘발성 메모리 장치의 프로그램 방법
US8274831B2 (en) 2010-05-24 2012-09-25 Sandisk Technologies Inc. Programming non-volatile storage with synchronized coupling

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101174471A (zh) * 2006-11-03 2008-05-07 海力士半导体有限公司 为闪存装置设定编程起始偏压的方法和使用它的编程方法
CN101231888A (zh) * 2007-01-23 2008-07-30 海力士半导体有限公司 在闪速存储器件中对数据进行编程的方法

Also Published As

Publication number Publication date
US9076534B2 (en) 2015-07-07
JP5698968B2 (ja) 2015-04-08
CN105931671B (zh) 2020-08-04
CN102157204A (zh) 2011-08-17
CN105931671A (zh) 2016-09-07
US20110194346A1 (en) 2011-08-11
US20150262700A1 (en) 2015-09-17
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