CN102122696A - 发光装置及其制造方法 - Google Patents

发光装置及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102122696A
CN102122696A CN2010105768014A CN201010576801A CN102122696A CN 102122696 A CN102122696 A CN 102122696A CN 2010105768014 A CN2010105768014 A CN 2010105768014A CN 201010576801 A CN201010576801 A CN 201010576801A CN 102122696 A CN102122696 A CN 102122696A
Authority
CN
China
Prior art keywords
electrode
main body
light
emitting device
luminescence chip
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2010105768014A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102122696B (zh
Inventor
尹载畯
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Suzhou Lekin Semiconductor Co Ltd
Original Assignee
LG Innotek Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from KR1020090118084A external-priority patent/KR101034108B1/ko
Priority claimed from KR1020090118085A external-priority patent/KR101034114B1/ko
Priority claimed from KR1020100031987A external-priority patent/KR101072135B1/ko
Application filed by LG Innotek Co Ltd filed Critical LG Innotek Co Ltd
Publication of CN102122696A publication Critical patent/CN102122696A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102122696B publication Critical patent/CN102122696B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93—Batch processes
    • H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48257—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1203—Rectifying Diode
    • H01L2924/12035—Zener diode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

本发明公开了一种发光装置及其制造方法。该发光装置包括：主体；第一电极和第二电极，该第一电极安装在所述主体中，该第二电极与第一电极分离；发光芯片，该发光芯片形成在第一电极和第二电极中的一个上，并且电气连接到第一电极和第二电极；以及保护盖，该保护盖在第一电极与第二电极之间突出。

Description

发光装置及其制造方法
技术领域
实施例涉及一种发光装置及其制造方法。
背景技术
发光二极管(LED)是一种将电能转换为光的半导体器件。与诸如荧光灯或辉光灯的常规光源相比，LED在功率消耗、寿命期限、响应速度、安全及环保要求方面是有利的。在这一点上，已经进行了各种研究以将常规光源替换为LED。LED日益被用作诸如在建筑物的外部或内部、液晶显示器、电子布告板以及街灯中使用的各种灯的照明装置的光源。
发明内容
实施例提供了一种具有新颖结构的发光装置及其制造方法。
实施例提供了一种能够提高可靠性的发光装置及其制造方法。
根据实施例，该发光装置包括：主体；第一电极和第二电极，该第一电极安装在所述主体中，该第二电极与第一电极分离；发光芯片，该发光芯片形成在第一电极和第二电极中的一个上，并且电气连接到第一电极和第二电极；以及保护盖，该保护盖在第一电极与第二电极之间突出。
实施例可以提供一种具有新颖结构的发光装置及其制造方法。
实施例可以提供一种能够提高可靠性的发光装置及其制造方法。
附图说明
图1是示出根据实施例的发光装置的顶部透视图；
图2是示出图1的发光装置的底部透视图；
图3是示出图1的发光装置的平面图；
图4是示出图1的发光装置的截面图；
图5是示出根据实施例的发光装置的第一电极和第二电极的顶部透视图；
图6是示出图5的第一电极和第二电极的底部透视图；
图7至图10是示出根据实施例的制造发光装置的方法的视图；
图11是示出根据实施例的制造发光装置的方法的流程图；
图12是示出第一电极和第二电极的顶部透视图；
图13是示出图1的发光装置的尺寸的视图；
图14是示出主体与一电极(第一电极或第二电极)联接的方案的视图；
图15至图18是示出根据第一、第二和第三实施例的电极(第一电极或第二电极)的视图；
图19至图21是示出根据本发明一个实施例的电极(第一电极或第二电极)的角部区域的视图；
图22示出根据本发明另一实施例的发光装置的电极结构；
图23示出了根据一个实施例的、电极与主体联接的示例；
图24是示出根据本发明又一实施例的电极的视图；并且
图25是示出主体与电极联接的一个示例的视图。
具体实施方式
在这些实施例的描述中，将会理解的是，当层(或膜)、区域、图案、或结构被称为在另一衬底、另一层(或膜)、另一区域、另一垫、或另一图案“上”或“下”时，它可以“直接”或“间接”在另一衬底、层(或膜)、区域、垫或图案上，或者也可以存在有一个或多个中间层。已经参考附图描述了该种层的位置。
出于方便或清楚的目的，附图所示的每层的厚度和尺寸可以被夸大、省略、或示意性绘制。另外，元件的尺寸并不完全反映真实尺寸。
在下文中，将会参考附图来描述根据实施例的发光装置1和及其制造方法。
图1是示出根据实施例的发光装置1的顶部透视图，并且图2是示出根据实施例的发光装置1的底部透视图。图3是示出发光装置1的平面图，并且图4是示出发光装置1的截面图。
参考图1和图4，根据该实施例的发光装置1包括：主体20，该主体20在其一个或多个横向表面处设置有粗糙部25；第一电极31和第二电极32，该第一电极31和第二电极32安装在主体20中；发光芯片10，该发光芯片10安装在第一电极31和第二电极32中的一个上，并且电气连接到第一电极31或第二电极32以发射光；以及保护盖27，该保护盖27在第一电极31与第二电极32之间突出。
主体20可以包括从由以下项组成的组中选择的至少一个：诸如PPA(聚邻苯二甲酰胺)的树脂材料、Si(硅)、金属材料、PSG(光敏玻璃)、蓝宝石(Al2O3)、以及PCB(印制电路板)。
如果主体20包括导电材料，那么可以在主体20的表面上另外形成有绝缘层(未示出)，从而能够防止主体20与第一电极31及第二电极32短路。
根据发光装置1的用途和设计，主体20可以具有各种形状的顶表面，例如矩形形状、多边形形状和圆形形状。例如，如图1所示，具有矩形形状的发光装置1可以用于边缘型BLU(背光单元)。
在主体20中可以形成有腔体15，使得主体20的上部是开口的。腔体15具有杯状形状或凹陷容器形状。腔体15的内部侧表面可以垂直于主体20的底表面，或者相对于主体20的底表面倾斜。
当在平面图中观察时，腔体15可以具有圆形、矩形、多边形或椭圆形形状。另外，如图1和图3所示，当在平面图中观察时，腔体15可以具有带弯曲角部的矩形形状。
粗糙部25可以形成在主体20的至少一个横向表面上。通过根据该实施例的发光装置1的制造过程、具体通过以一个装置为单位将多个发光装置分离的切割过程来形成该粗糙部25，并且，将会在下面描述该实施例。
另外，在主体20的上部可以形成有阴极标记22。该阴极标记22用于在发光装置1的第一电极31和第二电极32之间进行区分，从而能够区分第一电极31和第二电极32的极性。
在主体20中，第一电极31和第二电极32彼此电气绝缘。第一电极31和第二电极32电气连接到发光芯片10，以向该发光芯片10供应电力。
第一电极31和第二电极32可以包括金属材料，例如，可以包括从由以下项组成的组中选择的至少一个：Ti、Cu、Ni、Au、Cr、Ta、Pt、Sn、Ag以及P。第一电极31和第二电极32可以具有单层结构或多层结构，但该实施例不限于此。
第一电极31和第二电极32贯穿主体20的底表面，从而形成发光装置1的底表面。第一电极31和第二电极32的端子可以暴露到主体20的外部。
由于第一电极31和第二电极32贯穿主体20，所以，由安装在第一电极31和第二电极32中的一个上的发光芯片10产生的热量可以通过第一电极31或第二电极32排出。
可以对第一电极31和第二电极32的突出到主体20外部的端子进行焊接，从而发光装置1可以容易地安装在诸如基板的外部构件上。
在下文中，将更详细地描述第一电极31和第二电极32。
图5是示出第一电极31和第二电极32的顶部透视图，并且图6是示出第一电极31和第二电极32的底部透视图。
参考图5和图6，第一电极31和第二电极32的暴露到主体20外部的端子可以分别分支成多个子电极31a和31b以及多个子电极32a和32b。例如，如图5所示，第一电极31的端子被分支成两个第一子电极31a和31b，而第二电极32的端子可以被分支成两个第二子电极32a和32b。
在两个第一子电极31a和31b之间的第一凹部35a以及在两个第二子电极32a和32b之间的第二凹部35b的横向表面的上部和下部可以具有阶状结构，并且这些横向表面的下部可以具有弯曲表面。
可以从第一电极31和第二电极32的至少一个横向表面的顶部形成有突起33a、33b和33c。相对于第一电极31和第二电极32的底部，突起33a、33b和33c具有阶状结构。因此，可以形成如下区域：在该区域中，由于该突起33a、33b和33c，第一电极31和第二电极32的顶表面的宽度可以大于第一电极31和第二电极32的底表面的宽度，并且该区域可以具有T形截面。
第一电极31和第二电极32的两个相向的横向表面34a和34b可以倾斜或者可以具有阶状结构。
主体20以及第一电极31和第二电极32可以相互牢固地联接，并且通过第一电极31和第二电极32的上述结构，能够防止第一电极31和第二电极32与主体20分离。另外，由于该结构使得第一电极31和第二电极32的表面积增加，所以能够提高发光装置1的发光效率。
即使第一电极31和第二电极32根据区域的不同而具有不同厚度，第一电极31和第二电极32也优选具有足够厚度，以形成该发光装置1的底表面。为此，第一电极31和第二电极32的厚度可以处于大约0.1mm至大约0.5mm的范围内，但该实施例不限于此。
再次参考图1至图4，保护盖27可以在第一电极31与第二电极32之间突出。保护盖27覆盖第一电极31、第二电极32和主体20三者之间的间隙，以防止水分或空气渗入发光装置1中，并且防止该间隙经过长时间后变宽，从而能够提高发光装置1的可靠性。
保护盖27在第一电极31与第二电极32之间突出。因此，保护盖27可以在发光装置1的制造过程中与主体20一体地形成，并且可以包括与主体20的材料相同的材料。
保护盖27可以与主体20分离。在这种情况下，保护盖27包括与主体20的材料不同的材料。
保护盖27在第一电极31与第二电极32之间突出，以覆盖第一电极31及第二电极32与主体20之间的间隙，从而该保护盖27可以包围第一电极31和第二电极32的顶表面的至少一部分和横向表面。
例如，如图4所示，当第一电极31和第二电极32彼此以第一距离c隔开时，保护盖27的宽度a比第一距离c大0.02mm至0.5mm，使得保护盖27可以包围第一电极31和第二电极32的顶表面的至少一部分和横向表面，但该实施例不限于此。
尽管保护盖27的厚度b可以处于0.01mm至0.1mm的范围内，但厚度b可以具有各种值，以确保保护盖27的可靠性和可操作性。
发光芯片10可以安装在第一电极31和第二电极32中的一个上，并且电气连接到第一电极31和第二电极32以接收电力，从而能够产生光。由于发光芯片10安装在第一电极31和第二电极32中的一个上，所以从发光芯片10产生的光被有效传送到第一电极31和第二电极32，并且被释放到外部。
例如，发光芯片10可以包括至少一个LED(发光二极管)，并且该LED可以包括用于发出红光、绿光、蓝光、白光的彩色LED，或者用于发出紫外光的UV(紫外线)LED，但该实施例不限于此。
通过引线结合方案，将发光芯片10被电气连接到第一电极31或第二电极32。
通过倒装芯片安装方案或芯片焊接方案，将发光芯片10电气连接到第一电极31或第二电极32。
如图4所示，在主体20的腔体15中可以形成有包封物40，以密封和保护该发光芯片10。包封物40可以包括冷光材料。
包封物40可以包括硅或树脂材料。可以通过使已填充在腔体15中的硅或树脂材料硬化来形成该包封物40，但本实施例不限于此。
在包封物40中可以包含冷光材料，并且该冷光材料可以由从发光芯片10发出的第一光进行激励以产生第二光。例如，当发光芯片10包括蓝光LED，并且该冷光材料包括黄光冷光材料时，该黄光冷光材料由蓝光激励以发出黄光。因此，蓝光与黄光混合，使得发光装置1能够提供白色光，但本实施例不限于此。
同时，在包封物40上方另外形成有透镜(未示出)，从而能够调节从发光装置1发射的光的分布。另外，在发光装置1的主体20中可以另外安装有用于提高耐受电压的齐纳二极管。
在下文中，将详细描述根据实施例的制造该发光装置1的方法。
图7至图10是示出根据实施例的制造该发光装置1的方法的视图，并且图11是示出根据实施例的制造该发光装置1的方法的流程图。
首先，参考图7，制备在其上形成有第一电极31和第二电极32的电极框架30(图11的步骤S101)。
通过形成该电极框架30，能够同时制造出多个发光装置1。例如，电极框架30可以通过光刻工艺、电镀工艺或沉积工艺来形成，但本实施例不限于此。
第二，参考图8，在具有多个主体20的形状的铸件上提供电极框架30之后，通过该铸件的注入孔注入用于形成该主体20的材料，由此形成主体20(参见图11的步骤S102)。
图9A至图9C是示出形成主体20的过程的视图。在下文中，将参考图9A至图9C更详细地描述制造该主体20的方法。
参考图9A，电极框架30被提供在铸件100和200上。铸件100和200可以包括与主体20的下部的形状相对应的第一铸件200和与主体20的上部的形状相对应的第二铸件100。
第一铸件200和第二铸件100中的至少一个可以包括注入孔110，该注入孔110用于注入形成该主体20的材料。在这种情况下，注入孔110可以形成在多个形状的主体20之间。
例如，如图9A和图9B所示，每个注入孔110可以形成在至少两个主体之间。此注入孔110的位置能够使至少两个主体20同时彼此一体地形成。
然后，参考图9B，形成该主体20的材料可以通过注入孔110注入。例如，形成该主体20的材料可以包括诸如PPA等的树脂材料，但本实施例不限于此。
参考图9C，在形成该主体20的材料硬化之后，第一铸件200与第二铸件100分离，由此能够提供主体20。
如图8和图9C所示，在同时彼此一体地形成的至少两个主体20之间可以形成有连接部28，并且注入孔110的标记29可以形成在该连接部28的中央部处。
如上所述，由于在制造根据实施例的发光装置1的方法中，通过一个注入孔110同时形成至少两个主体20，所以能够提高该制造工艺的效率。
第三，参考图8和图10，将发光芯片10安装在第一电极31和第二电极32中的一个上(参见图11的步骤S103)，并且可以通过引线结合将发光芯片110电气连接到第一电极31和第二电极32(参见图11的步骤S104)。
第四，可以在主体20的腔体15中形成包封物40，以密封和保护发光芯片10(参见图11的步骤S105)。
第五，可以通过切割过程将这些发光装置1以单个装置为单位相互分离(参见图11的步骤S106)。
换言之，根据该切割过程，可以以单个装置为单位使在先前的过程中彼此一体地形成的至少两个发光装置相互分离。
详细地，该切割过程可以包括：将第一电极31和第二电极32与电极框架30分离的过程，以及，将至少两个一体地形成的主体20相互分离的过程。
特别地，如图10所示，在将至少两个一体地形成的主体20相互分离的过程中，粗糙部25可以形成在主体20的至少一个横向表面上。换言之，粗糙部25是指当通过该切割过程移除连接部28时形成的粗糙表面。
可以通过使用刀具来物理地执行该切割过程，但本实施例不限于此。
同时，可以以相反的顺序执行发光装置1的制造过程，但该制造过程的顺序不受限制。例如，在已经初步执行切割过程之后，可以执行安装发光芯片的过程。
在下文中，将详细描述图1的第一电极和第二电极的另一实施例。
图12是详细示出第一电极31和第二电极32的顶部透视图。
在下文中，因为图12的第一电极31和第二电极32部分类似于图5的第一电极31和第二电极32，所以将会在描述图12的第一电极31和第二电极32的同时，集中描述与图5的第一电极31和第二电极32的区别。
第一电极31和第二电极32的暴露到主体20外部的端子可以分别分支成子电极31a、31b和子电极32a、32b。
换言之，第一电极31的端子被分支成两个第一子电极31a和31b，而第二电极32的端子可以分支成两个第二子电极32a和32b。
另外，在两个第一子电极31a和31b之间形成有联接区域35a，使得主体20能够与第一子电极31a和31b牢固地联接。当包括第一电极31和第二电极32的主体20被形成时，可通过将构成该主体20的材料填入到第一子电极31a和31b之间的空间中来形成该联接区域35a。如果主体20包括替代树脂材料的基片材料或金属材料，那么联接区域35a允许主体20的一部分插入到第一子电极31a和31b之间的空间中，从而能够防止第一电极31与主体20分离。
另外，在联接区域35a与第一子电极31a和31b之间的接触表面上，可以形成有倾斜表面，或者通过该倾斜表面形成阶梯差。另外，该接触表面可以是弯曲的。
类似于第一电极31，第二电极32可以在从第二电极32的端子分支的两个子电极32a和32b之间具有联接区域35b。第二电极32可以通过该联接区域35b牢固地固定在主体20上。
在第一电极31和第二电极32的至少一个横向表面上可以形成有联接引脚33a至33f。
联接引脚33a至33f与第一电极31和第二电极32的下部形成阶梯差。因此，可以形成如下区域：在该区域中，第一电极31和第二电极32的顶表面的宽度可以大于第一电极31和第二电极32的底表面的宽度，并且该区域可以具有T形截面。
第一电极31和第二电极32的相向的横向表面34a和34b可以倾斜或者可以具有阶状结构。
如上所述，通过第一电极31和第二电极32的联接结构，主体20以及第一电极31和第二电极32能够牢固地相互联接。
由于沿宽度方向该第一电极31和第二电极32具有T形截面，所以当第一电极31和第二电极32与用于形成主体20的材料联接时，用于形成主体20的材料防止该T形结构的顶表面沿Z方向移动。另外，由于联接引脚33a至33f朝着主体20的成型材料突出，所以在主体20的材料硬化之后，第一电极31和第二电极32彼此无法沿方向C或D容易地分离。
由于该T形结构，其上安装有发光芯片10的电极的面积没有减小，并且整个截面积沿着T形的外围表面增加了。因此，与具有矩形形状的典型电极相比，该T形结构增加了电极的整个截面积。因此，截面积的增加能够提高发光芯片10的散热特性。
在第一电极31中，联接引脚33a至33d沿方向A或B突出，并且可以形成为与联接凹槽33g和33h相邻。另外，联接引脚33a至33d可以与联接凹槽33g和33h交替排列。当第一电极31中的联接引脚33a至33d与联接凹槽33g和33h交替排列时，通过第一电极31中的联接引脚33a至33d与联接凹槽33g和33h形成的凹凸结构允许第一电极31与主体20的成型材料牢固地联接。
尽管图12示出该联接引脚33a至33d布置成与联接凹槽33g和33h相邻，但在第一电极31中，联接引脚33a至33d与联接凹槽33g和33h可以相互交替排列。
联接凹槽33g和33h凹陷到从第一电极31或第二电极32的端子突出的子电极31a、31b、32a和32b的横向表面中，并且与子电极31a、31b、32a和32b的暴露表面具有阶梯差。在下文中，将在描述联接凹槽和子电极的同时，集中描述附图标记33g和31b。
如图12所示，由于通过使子电极31b的暴露表面31b11的一部分向内凹陷来形成联接凹槽33g，所以联接凹槽33g与联接引脚33a的突出表面33a1形成阶梯差。联接凹槽33g的暴露表面33g1相对于子电极31b的暴露表面31b11具有深度G11。换言之，由于联接凹槽33g形成为与子电极31b的暴露表面31b11和联接引脚33a的突出表面33a1平行，并且相对于该暴露表面31b11以深度G11深深地凹入，所以联接凹槽33g形成较大的阶梯差。由于该阶梯差，联接凹槽33g被填充有更大量的主体20的成型材料。在该成型材料已经硬化之后，联接凹槽33g更牢固地联接到主体20。
子电极31b的暴露表面31b11和联接凹槽33g的暴露表面优选形成足够大的阶梯差，只要电极31b在强度上能够承受。根据本实施例，该阶梯差的长度G11可以处于大约0.01mm至大约1mm的范围内。然而，优选该第一电极31中的深度G11可以相当于第一电极31的沿宽度方向的长度D3的大约10％至大约20％。
同时，因为联接凹槽33g的暴露表面33g1的沿纵向方向的宽度D6被加长，所以主体20的成型材料与暴露表面33g1之间的接触面可以增大。通过该暴露表面33g1与成型材料之间的接触面的增大，凹槽33g可以牢固联接到主体20的成型材料。然而，如果联接凹槽33g和33h之间的宽度WS的值较大，那么在联接凹槽33g和33h之间的宽度WS减少的区域中，机械强度可能减小。根据本实施例，沿纵向方向的宽度D6可以处于大约0.15mm至大约0.6mm的范围内，并且优选相当于第一电极31的沿纵向方向的宽度D5的10％至16％。
第二电极32比第一电极31短。为了牢固地联接第二电极32和主体20，通过调节所述联接引脚33e和33f的尺寸，可以另外在第二电极32中与联接引脚33e和33f相邻地形成联接孔。可以在第二电极32中另外形成至少一个或两个联接凹槽，但该实施例不限于此。
为了在第二电极32中形成联接凹槽，优选在联接引脚32e和32f的部分处形成凹凸结构，以形成第二电极32的联接凹槽，或者可以减小该联接引脚32e和32f的尺寸，并且与联接引脚32e和32f相邻地形成有另外的联接凹槽。
当形成在第一电极31中的联接引脚33a和33b被形成为与联接凹槽33g相邻时，由于沿着联接引脚33a和33b的外围表面以及联接凹槽33g填充构成主体20的材料并使之硬化，并且联接引脚33a和33b插入到主体20的硬化材料中，所以第一电极31可以非常牢固地联接到主体20。类似地，形成在第一电极31上的联接凹槽33h与联接引脚33c、33d之间的关系和联接凹槽33g与联接引脚33a、33b之间的关系相同。
图13示出了图1和图12所示的发光装置的尺寸的一个示例。
参考图13，当在宽度方向上沿着线AA-AA”把埋入在该发光装置的主体20中的第一电极31和第二电极32剖开时，第一电极31和第二电极32具有T形形状。从T形的透视图和该截面图中获得的尺寸表示如下。
-D1的长度：0.15mm，
-D2的长度：0.1mm，
-D3的长度：1.16mm，
-D4的长度：0.3mm，
-D5的长度：2.4mm，
-D6的长度：0.3mm，
-D7的长度：0.11mm，
-D8的长度：0.3mm，
-D9的长度：1.0mm，并且
-D10的长度：0.94mm。
D1至D10的尺寸被作为根据本公开的发光装置的一个示例而给出，并且，根据本公开的发光装置的尺寸不限于此。为了提高该发光装置的使用便利性和可靠性以及该发光装置的成型和制造，可以更改根据本公开的发光装置的尺寸。
参考本图，该T形截面的顶表面的长度D3比该T形截面的底表面的长度长0.2mm，并且当发光芯片10安装时，可以进一步增大散热面积。
另外，由于T形截面的顶表面的长度D3比T形截面的底表面的长度长，所以该电极由主体20支撑，从而该电极能够牢固地固定到主体20。
如本图所示，第一电极31的沿纵向方向的宽度D5比第二电极32的长。因此，参考本图，发光芯片10可以优选安装在第一电极31中，以能够确保散热面积。在这种情况下，当通过第一电极31和第二电极32提供外部电源时，可以增加一个齐纳二极管(未示出)，以稳定该外部电源的电压。在这种情况下，该齐纳二极管(未示出)优选安装在第二电极32上。
D1表示具有T形形状的第一电极31或第二电极32的顶表面和顶表面之间的长度。
D2表示当联接引脚33d从第一电极31或第二电极32突出时该联接引脚33d的突出长度。
D3表示第一电极31或第二电极31的沿宽度方向的长度。
D4表示第一电极31或第二电极32的厚度，而D5表示第一电极31的较长轴的长度。
D6表示联接凹槽33g的底表面33g1的沿纵向方向的宽度，并且它可以处于大约0.15mm至大约0.6mm的范围内。当主体20的外观被形成时，底表面33g1被主体20的材料掩埋。当主体20的材料硬化时，底表面33g1可以牢固地联接到主体20。
D7表示联接引脚33a的突出表面33a1与联接凹槽33g的底表面33g1之间的长度，该突出表面33a1从联接凹槽33g的底表面33g1以大约0.05mm至大约0.22mm的范围内的长度突出。根据本实施例，D7可以处于大约0.05mm至大约0.22mm的范围内。因为联接引脚33a的突出表面33a1与底表面33g1之间的阶梯差增加了，所以，填充在联接凹槽33g中的主体20的材料量增加。在主体20的材料已经硬化之后，由于联接引脚33a深深插入到主体20的材料中，所以增加了联接引脚33a、联接凹槽33g和主体20之间的结合强度。
D8表示子电极31b的端子与联接引脚33a之间的距离，并且它可以处于大约0.15mm至大约0.6mm的范围内。
D9表示第二电极32的较长轴的长度，并且它可以处于大约0.5mm至大约2mm的范围内。
D10表示第一电极31或第二电极32的T形截面的底表面的尺寸，并且它比该T形截面的顶表面的长度短，从而具有T形形状的第一电极31或第二电极32能够被支撑并固定到主体20上。
参考图13，区域Q1和Q2分别表示第一电极31和第二电极32的角部。
第一电极31和第二电极32的区域Q 1和Q2具有轻微凹入的角部的形式，从而该区域Q1和Q2的弯曲表面与成型材料联接。
图14示出主体20与电极(第一电极或第二电极)联接的示例。
参考图14，在构成主体20的材料已经填充在形成于第一电极31(或者在下文中被省略的第二电极)中的联接凹槽33g内之后，主体20的材料发生硬化，使得该主体20以凹凸结构与第一电极31联接。
当主体20构成发光装置封装时，主体20的成型材料被填充到在第一电极(或第二电极)的横向表面上形成凹凸图案的联接凹槽33g中。之后，如果该成型材料硬化，那么该硬化的成型材料被填充在由第一电极31(或第二电极)形成的凹凸区域中，从而形成主体20的外观。通过这种凹凸结构联接关系，将主体20牢固地联接第一电极31(或第二电极)。在这种情况下，如果当该成型材料硬化时主体20的外观被损坏，则可以对主体20执行打磨(sanding)过程以使主体20的外侧部分平坦化。
图15至图18示出根据第一、第二和第三实施例的电极(即，第一电极和第二电极)。
参考图15，联接引脚41和联接凹槽42彼此在电极40的横向表面上交替排列。根据该实施例，以联接引脚41突出到主体20的成型材料中并固定到主体20中的方式，将联接引脚41和引脚凹槽42在电极40的横向表面上交替排列，并且主体20的成型材料被填充在联接凹槽42中，当该成型材料硬化时，其牢固地联接到联接凹槽42。
尽管通过绘制和描述的是，联接引脚41和联接凹槽42形成在电极40的横向表面处，但是联接引脚41和联接凹槽42甚至可以形成在电极40的头部区域Q3中。可以形成至少两个或三个联接引脚41和联接凹槽42。
图15的电极可以是参考图1至图14描述的第一电极31和第二电极32中的一个，并且为了便于解释，将不会单独区分上述电极。
如图15所示，附图标记40a和40b表示暴露到主体20外部的子电极。子电极40a和40b可以平行于电极40地形成，或者子电极40a和40b的端子可以向下弯曲。尽管已经将本实施例描述为电极40的端子被分支成两个子电极40a和40b，但该子电极40a和40b也可以未被分支。
电极40可以包括图5的第一电极31或第二电极32中的一个。如果图12的第一电极31和第二电极32具有根据本实施例的形状，则一对电极的头部区域Q3被提供在主体20中，同时其相互面对，并且主体20的成型材料被填充在两个电极31和32之间的空间中，从而两个电极31和32可以在两个电极彼此隔开的状态下固定。
参考图16，除了联接引脚45的厚度D11比第一电极31的厚度D12薄之外，联接引脚45和联接凹槽46可以具有与图15的引脚和凹槽的结构相类似的结构，从而电极40能够更加牢固地固定到主体20。参考图16，主体20的成型材料被填充在联接引脚45下面，并且填充在联接凹槽46中。当联接引脚45的成型材料被填充在联接引脚45下面时，用于具有联接引脚45和联接凹槽46的电极40的区域Q4的、电极40的截面形成T形形状，并且在该成型材料已经硬化之后，电极40由主体20支撑。在这样的情况下，由于联接引脚45的端子平行于该主体的外围表面，所以该端子没有暴露到电极40外部。
由于在上面的结构中，具有T形形状的联接引脚45没有暴露到第一电极31的外围表面的外部，所以能够防止联接引脚45由于外力而损坏或变形。
参考图17，联接引脚47从电极40以梯形的形式突出，并且，具有三角形形状的联接凹槽48与联接引脚47交替排列。由于联接凹槽48具有从电极40向内深深地凹陷的三角形形状，所以相对于该三角形的顶点，联接凹槽48的角度θ形成为锐角。在该成型材料已经填充在具有锐角的联接凹槽48中并且硬化之后，电极40沿方向F和G具有强抵抗力。换言之，由于电极40不容易沿方向F或G分离，并且联接引脚47相对于方向H或者与方向H成180度角度的相反方向具有抵抗力，所以电极40牢固地联接到主体20上。
如图17所示，联接引脚47和联接凹槽48沿着电极40的横向表面形成。然而，联接引脚47和联接凹槽48可以沿电极40的方向F形成。可以形成至少一个联接引脚47和至少一个联接凹槽48。可以形成至少两个联接引脚47和至少两个联接引脚48。
尽管未示出，联接引脚47可以具有与电极40的厚度不同的厚度，从而该联接引脚47和电极40可以具有阶梯差结构。如果联接引脚47和电极40具有阶梯差结构，那么电极40由主体20的成型材料支撑，使得该电极40更牢固地联接到主体20。
参考图18，在电极40上未形成有突起或凹部，但是在电极40中沿表面方向中形成有两个孔51和52。
孔51和52完全贯穿该电极40。在成型材料通过孔51和52注入并且硬化之后，电极40通过该硬化的成型材料牢固地固定到主体20上。尽管图18示出的是具有圆形形状的孔51和52，但是可以以圆形、椭圆形、三角形、矩形、以及多边形形状来实现该孔51和52。
为了增加电极40和主体20之间的结合强度，可以在电极40中形成两个孔51和52、三个孔51和52、或者更多个孔。根据本实施例的电极40与主体20具有非常简单的联接结构，从而由于该结构的简单性而能够获得可靠性和稳定性。
图19至图21示出了根据本公开的各个实施例的电极(第一电极或第二电极)的角部。
参考图19，角部区域61具有矩形形状。当角部区域61具有矩形形状时，可以简单地制造出电极60，并且能够简化该发光装置的整体结构。
参考图20，角部区域62可以具有从电极60向内凹陷的弯曲表面。当角部区域62具有从电极60向内凹陷的弯曲表面时，由于该弯曲表面，角部区域62的面积增加了。因此，当通过使用成型材料进行封装时，可以增大该角部区域62与成型材料之间的接触面。随着该接触面增加，电极60的角部区域62与成型材料之间的摩擦增大了。因此，在成型材料固定该电极60之后，电极60可以牢固地联接到该成型材料。
然后，参考图21，角部区域63被凹陷成矩形形状，并且可以相对于方向I和J具有抵抗力。例如，当电极60在与方向I相反的方向上移动时，该成型材料对方向I具有抵抗力，从而能够阻止电极60的移动。另外，当电极在与方向J相反的方向上移动时，该成型材料相对于方向J具有抵抗力，从而阻止第一电极31的移动。类似地，尽管未示出，在电极60的左侧形成有矩形形状的凹槽，并且通过彼此对称地形成在电极60的左右两侧的角部区域63来阻止电极60在方向I和J上以及在与方向I和J相反的方向上移动。
形成在电极60的右侧的角部区域6也同样形成在电极60的左侧(在图21中没有示出)，使得这些角部区域彼此对称。这种对称可应用于图19和图20的实施例。
图22示出根据本发明另一实施例的发光装置的电极结构，并且图23示出了图22的电极联接到主体的示例。
参考图22和23，在安装发光芯片70的电极71中形成有引导凹槽72，并且引导凹槽72沿着发光芯片70的外围部分形成在发光芯片70周围。通过使电极71的与发光芯片70的外围部分相对应的表面凹陷来形成该引导凹槽72。沿着发光芯片70的外围表面，形成在电极71的表面中的凹槽可以具有圆形、矩形、三角形、以及多边形形状。
由于引导凹槽72在电极71的表面中凹陷，所以引导凹槽72的截面，即，具有该凹槽的电极的截面可以具有圆形、矩形、三角形、或者多边形形状。图17示出了凹槽的截面具有三角形形状的示例。
引导凹槽72与发光芯片70的外围表面的一侧以距离D15隔开。引导凹槽72使得通过保护盖74渗入的杂质的进入路径呈V形形状，并且如果主体的成型材料已经渗入并硬化，则增加了该访问路径，从而阻止杂质进入发光芯片70。
电极71包括第一电极71a和第二电极72b，以将电力提供到发光芯片70。由于第一电极71a和第二电极71b提供正电压(+)和负电压(-)中的一个，所以第一电极71a和第二电极71b彼此需要电气绝缘。因此，第一电极71a和第二电极71b彼此以距离D14隔开。优选地，该距离D 14具有大约0.1mm至大约2mm的范围，并且可以根据在发光芯片70中消耗的电流量或电压来增大或减小该范围。当第一电极71a与第二电极71b隔开时，设置在第一电极71a和第二电极71b之间的空间中的保护盖74能够尽可能防止诸如灰尘、水分、以及其它的杂质通过主体的下部渗入到第一电极71a和第二电极71b之间的空间中。保护盖74具有较窄的顶表面和较宽的底表面。形成从该底表面到顶表面的倾斜路径，从而能够使第一电极71a和第二电极71b之间的杂质渗透路径最大。
然而，即使通过使用该结构来使杂质的渗透最少，杂质仍可能渗透到由保护盖74密封的区域。当引入到该密封区域的杂质朝着发光芯片70移动时，在发光芯片70的外围部分通过引导凹槽72再次阻止杂质的进入。因此，杂质无法渗透到发光芯片70中或者通过该发光芯片70的外围部分。
图24是示出根据本公开的另一实施例的电极的视图，并且图25是示出主体联接到电极的示例。
参考图24和25，在安装发光芯片80的电极81中形成有引导部82，并且该引导部82沿着发光芯片80的外围表面形成在发光芯片80周围。引导部82从电极81的顶表面突出。当电极81的形成有引导部82的区域被切割时，其切割表面具有如下结构：其中，具有三角形、矩形、半圆形或者其它多边形形状的突起从电极81的该表面突出。如图24所示，该矩形突起对应于引导部82。
引导部82可以形成在发光芯片80的周围，具有矩形、圆形、三角形以及其它多边形形状中的一种。在这种情况下，引导部82不需要具有关于发光芯片80对称的对称结构。
如果必要，引导部82的一侧可以更接近于发光芯片80的中点，并且引导部82的另一相反侧可以更远离发光芯片80的中点。
电极81包括第一电极81a和第二电极81b，以将电力提供到发光芯片80，并且第一电极81a和第二电极81b彼此以距离D16隔开，以防止第一电极81a和第二电极81b被电气短路。
优选地，该距离D16可以处于大约0.1mm至大约2mm的范围内，并且可以根据在发光芯片80中消耗的电流量和电压来更改该范围。
引导部82以预定距离D17与发光芯片80隔开，并且突出到构成主体20的成型材料21中，从而能够在发光芯片80周围形成壁。当杂质渗入保护盖84的密封区域以朝着发光芯片80移动时，引导部82防止杂质向发光芯片80移动。随着引导部82的高度增加，对杂质的抵抗力增加了。然而，由于发光芯片80的发光效率随着引导部82的高度增加而降低，所以引导部82的高度优选被设定为与发光芯片80的高度相同或者比发光芯片80的高度低的值。
保护盖84通过密封该第一电极81a与第二电极81b之间的空间来初步防止外部杂质渗透到发光芯片80中。保护盖84的顶表面和底表面分别与第一电极81a和第二电极81b的顶表面和底表面成直线地布置。
尽管图25示出保护盖84的顶表面与电极81的顶表面成直线，但是保护盖84的顶表面还额外延伸到第一电极81a和第二电极81b，从而该保护盖84可以具有帽形形状。在这样的情况下，保护盖84可以对外部杂质的渗透具有较高的抵抗性。
当保护盖84的顶表面在第一电极81a和第二电极81b的顶表面的方向上延伸时，保护盖84的形状可以与图4的保护盖27的形状相同。
在本说明书中对于“一个实施例”、“一实施例”、“示例性实施例”等的引用意味着结合该实施例描述的特定特征、结构或特性被包括在本公开的至少一个实施例中。在本说明书中各处出现的这类短语不必都表示相同的实施例。此外，当结合任何实施例描述特定特征、结构或特性时，都认为结合这些实施例中的其它实施例来实现这样的特征、结构或特性也是本领域技术人员所能够想到的。
虽然已经参照本发明的多个示例性实施例描述了实施例，但应该理解，本领域的技术人员可以设计出落入本发明原理的精神和范围内的多个其它修改和实施例。更特别地，在本说明书、附图和所附权利要求的范围内的主题组合布置的组成部件和/或布置结构中，各种变化和修改都是可能的。除了组成部件和/或布置结构的变化和修改之外，对于本领域的技术人员来说，替代用途也将是显而易见的。

Claims (15)

1.一种发光装置，包括：
主体；
第一电极和第二电极，所述第一电极位于所述主体中，所述第二电极与所述第一电极分离；
发光芯片，所述发光芯片形成在所述第一电极和所述第二电极中的一个上，并且电连接到所述第一电极和所述第二电极；以及
保护构件，所述保护构件在所述第一电极与所述第二电极之间突出。
2.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述保护构件与所述主体一体地形成。
3.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述保护构件包围所述第一电极或所述第二电极的顶表面的至少一部分。
4.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述第一电极和所述第二电极彼此以第一距离隔开，并且
所述保护构件具有比所述第一距离大0.02mm至0.5mm的宽度。
5.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述保护构件的厚度处于0.01mm至0.1mm的范围内。
6.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述保护构件包括与所述主体的材料不同的材料。
7.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述主体能够包括从由以下项组成的组中选择的至少一个：树脂、硅、金属、PSG(光敏玻璃)、蓝宝石(Al2O3)、以及印制电路板。
8.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述第一电极和第二电极贯穿所述主体的底表面，并且具有暴露到所述主体外部的端子。
9.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述第一电极和第二电极包括：从边缘的一部分突出的至少一个联接引脚；和从所述边缘的一部分凹陷的至少一个联接凹槽。
10.根据权利要求9所述的发光装置，其中，所述主体包括树脂材料，并且在所述树脂材料硬化时与所述联接凹槽及所述联接引脚协作形成凹凸结构。
11.根据权利要求10所述的发光装置，其中，所述联接引脚和所述联接凹槽彼此交替排列。
12.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述第一电极或所述第二电极具有至少一个孔，所述至少一个孔填充有所述主体的材料并且与所述主体联接。
13.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述第一电极或所述第二电极包括引导凹槽，所述引导凹槽沿着所述发光芯片的外围表面形成，以防止杂质渗入所述发光芯片中。
14.根据权利要求1所述的发光装置，还包括引导部，所述引导部从所述第一电极和所述第二电极中的一个的表面突出，并且沿着所述发光芯片的外围表面形成，以防止杂质渗入所述发光芯片中。
15.一种发光装置，包括：
主体；
第一电极和第二电极，所述第一电极和第二电极包括从横向表面突出的至少一个联接引脚，从而以凹凸结构与所述主体的材料联接，其中，形成有所述联接引脚的横截面具有T形形状；以及
发光芯片，所述发光芯片安装在所述第一电极和所述第二电极中的一个上。
CN201010576801.4A 2009-12-01 2010-12-01 发光装置及其制造方法 Active CN102122696B (zh)

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090118084A KR101034108B1 (ko) 2009-12-01 2009-12-01 발광 소자 및 그 제조방법
KR10-2009-0118085 2009-12-01
KR1020090118085A KR101034114B1 (ko) 2009-12-01 2009-12-01 발광 소자 및 그 제조방법
KR10-2009-0118084 2009-12-01
KR10-2010-0031987 2010-04-07
KR1020100031987A KR101072135B1 (ko) 2010-04-07 2010-04-07 발광 소자

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102122696A true CN102122696A (zh) 2011-07-13
CN102122696B CN102122696B (zh) 2016-01-20

Family

ID=43589513

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201010576801.4A Active CN102122696B (zh) 2009-12-01 2010-12-01 发光装置及其制造方法

Country Status (6)

Country Link
US (11) US8772816B2 (zh)
EP (2) EP3361519B1 (zh)
JP (1) JP2011119729A (zh)
CN (1) CN102122696B (zh)
DE (1) DE202010018639U1 (zh)
TW (1) TW201128812A (zh)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103185228A (zh) * 2011-12-30 2013-07-03 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 发光二极管灯条及其制造方法
CN103887400A (zh) * 2012-12-22 2014-06-25 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构
CN103887398A (zh) * 2012-12-22 2014-06-25 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构
CN103887417A (zh) * 2012-12-22 2014-06-25 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管的制造方法及使用该方法制成的发光二极管
CN103887399A (zh) * 2012-12-22 2014-06-25 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管的制造方法及使用该方法制成的发光二极管
CN104319267A (zh) * 2014-10-28 2015-01-28 气派科技股份有限公司 一种超高密度分立式薄型无引脚封装体及其封装方法
CN105938866A (zh) * 2016-06-13 2016-09-14 开发晶照明（厦门）有限公司 Led支架和led封装结构
CN110858583A (zh) * 2018-08-22 2020-03-03 光宝光电(常州)有限公司 发光二极管封装结构、及芯片承载座与其制造方法

Families Citing this family (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5340763B2 (ja) 2009-02-25 2013-11-13 ローム株式会社 Ｌｅｄランプ
TW201128812A (en) * 2009-12-01 2011-08-16 Lg Innotek Co Ltd Light emitting device
KR101114719B1 (ko) * 2010-08-09 2012-02-29 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 이를 구비한 조명 시스템
TWD146854S (zh) * 2011-06-29 2012-05-01 隆達電子股份有限公司 發光二極體封裝
TWD146855S (zh) * 2011-06-29 2012-05-01 隆達電子股份有限公司 發光二極體載具
TWD147384S (zh) * 2011-07-11 2012-06-01 隆達電子股份有限公司 發光二極體封裝
TWD145128S1 (zh) * 2011-07-11 2012-01-21 隆達電子股份有限公司; 發光二極體載具
TWD146858S (zh) * 2011-07-25 2012-05-01 隆達電子股份有限公司 發光二極體載具
JP5893868B2 (ja) * 2011-08-12 2016-03-23 シャープ株式会社 発光装置
USD668233S1 (en) * 2011-10-24 2012-10-02 Silitek Electronic (Guangzhou) Co., Ltd. LED package
DE102011056706B4 (de) * 2011-12-20 2016-12-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen, Anordnung und optoelektronisches Halbleiterbauteil
TWI514635B (zh) * 2011-12-29 2015-12-21 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 發光二極體燈條及其製造方法
TWM448801U (zh) * 2012-07-04 2013-03-11 Dow Corning Taiwan Inc 發光二極體裝置及導線架料片
CN103078041B (zh) * 2012-09-07 2015-02-25 苏州日月新半导体有限公司 发光二极管封装构造及其制造方法
JP6155584B2 (ja) * 2012-09-19 2017-07-05 大日本印刷株式会社 光半導体装置用リードフレーム、樹脂付き光半導体装置用リードフレーム、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体
JP6115058B2 (ja) * 2012-09-19 2017-04-19 大日本印刷株式会社 光半導体装置用リードフレーム、樹脂付き光半導体装置用リードフレーム、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体
JP2015018847A (ja) * 2013-07-09 2015-01-29 日立アプライアンス株式会社 Ｌｅｄモジュール及びそれを備える照明装置
JP6214431B2 (ja) * 2014-02-28 2017-10-18 Ｓｈマテリアル株式会社 Ｌｅｄ用リードフレーム
JP6413412B2 (ja) * 2014-07-11 2018-10-31 日亜化学工業株式会社 半導体発光装置及びその製造方法
US9640743B2 (en) 2014-09-29 2017-05-02 Nichia Corporation Method for manufacturing package, method for manufacturing light emitting device, package and light emitting device
JP6477328B2 (ja) * 2014-09-29 2019-03-06 日亜化学工業株式会社 パッケージの製造方法及び発光装置の製造方法、並びにパッケージ及び発光装置
USD786203S1 (en) * 2015-02-24 2017-05-09 Nichia Corporation Light emitting diode
JP6802620B2 (ja) * 2015-05-18 2020-12-16 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置の製造方法及び半導体発光装置
WO2017056841A1 (ja) * 2015-09-29 2017-04-06 シャープ株式会社 発光装置
KR102528014B1 (ko) * 2015-11-27 2023-05-10 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광소자 패키지 및 조명 장치
US10557596B2 (en) 2016-02-12 2020-02-11 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device package having a black epoxy molding compound (EMC) body and lighting apparatus including the same
JP6790416B2 (ja) * 2016-03-31 2020-11-25 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6508131B2 (ja) * 2016-05-31 2019-05-08 日亜化学工業株式会社 発光装置
TWI577248B (zh) * 2016-07-19 2017-04-01 欣興電子股份有限公司 線路載板及其製作方法
US10378736B2 (en) * 2016-11-03 2019-08-13 Foshan Nationstar Optoelectronics Co., Ltd. LED bracket, LED bracket array, LED device and LED display screen
CN110197864B (zh) 2018-02-26 2022-06-14 世迈克琉明有限公司 半导体发光器件及其制造方法
JP6879262B2 (ja) * 2018-05-08 2021-06-02 日亜化学工業株式会社 発光装置
US11417808B2 (en) 2019-09-12 2022-08-16 Nichia Corporation Light emitting device
JP7339421B2 (ja) * 2020-03-13 2023-09-05 ローム株式会社 半導体装置
KR20220095289A (ko) 2020-12-29 2022-07-07 삼성전자주식회사 발광소자 패키지

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20010022390A1 (en) * 1998-06-30 2001-09-20 Gunther Waitl Diode housing
JP2002110888A (ja) * 2000-09-27 2002-04-12 Rohm Co Ltd アイランド露出型半導体装置
US20060043401A1 (en) * 2004-09-01 2006-03-02 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. High power light emitting diode package
US20070262328A1 (en) * 2006-05-10 2007-11-15 Nichia Corporation Semiconductor light emitting device and a method for producing the same
WO2009025462A2 (en) * 2007-08-20 2009-02-26 Lg Innotek Co., Ltd Light emitting device
CN101420007A (zh) * 2008-10-23 2009-04-29 旭丽电子(广州)有限公司 一种led晶片的封装结构和封装方法
EP2109157A1 (en) * 2006-12-28 2009-10-14 Nichia Corporation Light emitting device and method for manufacturing the same

Family Cites Families (46)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
ZA825413B (en) 1981-08-26 1983-06-29 Pfizer Thromboxane synthetase inhibitors, processes for their production, and pharmaceutical compositions comprising them
JPS611067A (ja) 1984-06-13 1986-01-07 Stanley Electric Co Ltd プリント基板に装着されたｌｅｄチツプのモ−ルド方法
JP2787388B2 (ja) 1992-03-06 1998-08-13 シャープ株式会社 発光装置のレンズ成形方法
JPH1126667A (ja) 1997-07-04 1999-01-29 Mitsui High Tec Inc 半導体装置の製造方法
JP2001518692A (ja) * 1997-07-29 2001-10-16 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ウント コンパニー オッフェネ ハンデルスゲゼルシャフト 光電素子
JP3618551B2 (ja) * 1998-06-30 2005-02-09 株式会社東芝 光半導体モジュール
JP3546812B2 (ja) * 1999-10-07 2004-07-28 株式会社デンソー 表面実装型発光ダイオード
DE10020465A1 (de) * 2000-04-26 2001-11-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
JP3895570B2 (ja) 2000-12-28 2007-03-22 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置
JP2002314138A (ja) 2001-04-09 2002-10-25 Toshiba Corp 発光装置
JP3910171B2 (ja) * 2003-02-18 2007-04-25 シャープ株式会社 半導体発光装置、その製造方法および電子撮像装置
TWI249864B (en) * 2003-03-20 2006-02-21 Toyoda Gosei Kk LED lamp
US7854535B2 (en) * 2003-09-23 2010-12-21 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Ceramic packaging for high brightness LED devices
JP2005197329A (ja) 2004-01-05 2005-07-21 Stanley Electric Co Ltd 表面実装型半導体装置及びそのリードフレーム構造
KR100583160B1 (ko) 2004-02-16 2006-05-23 엘지이노텍 주식회사 발광 다이오드 램프
JP4359195B2 (ja) * 2004-06-11 2009-11-04 株式会社東芝 半導体発光装置及びその製造方法並びに半導体発光ユニット
KR100631903B1 (ko) 2005-02-17 2006-10-11 삼성전기주식회사 고출력 ｌｅｄ 하우징 및 그 제조 방법
KR100665117B1 (ko) 2005-02-17 2007-01-09 삼성전기주식회사 Ｌｅｄ 하우징 및 그 제조 방법
JP4979896B2 (ja) * 2005-04-25 2012-07-18 パナソニック株式会社 発光装置
KR100784057B1 (ko) 2005-06-24 2007-12-10 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조 방법
JP2007194517A (ja) 2006-01-23 2007-08-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光モジュールとその製造方法
KR100735325B1 (ko) 2006-04-17 2007-07-04 삼성전기주식회사 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법
US7635915B2 (en) * 2006-04-26 2009-12-22 Cree Hong Kong Limited Apparatus and method for use in mounting electronic elements
JP4865525B2 (ja) 2006-08-03 2012-02-01 イッツウェル カンパニー リミテッド Ｓｍｌ型発光ダイオードランプ用素子およびその製造方法
KR100765239B1 (ko) 2006-09-30 2007-10-09 서울반도체 주식회사 단결정 실리콘 재질의 발광 다이오드 패키지
KR20080041794A (ko) * 2006-11-08 2008-05-14 삼성전기주식회사 발광 다이오드 패키지
US20100025722A1 (en) * 2006-11-14 2010-02-04 Harison Toshiba Lighting Corp. Light emitting device, its manufacturing method and its mounted substrate
DE102007001706A1 (de) * 2007-01-11 2008-07-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Gehäuse für optoelektronisches Bauelement und Anordnung eines optoelektronischen Bauelementes in einem Gehäuse
JP5122172B2 (ja) * 2007-03-30 2013-01-16 ローム株式会社 半導体発光装置
KR101318969B1 (ko) * 2007-03-30 2013-10-17 서울반도체 주식회사 발광 다이오드
TW200843130A (en) * 2007-04-17 2008-11-01 Wen Lin Package structure of a surface-mount high-power light emitting diode chip and method of making the same
KR100855065B1 (ko) 2007-04-24 2008-08-29 삼성전기주식회사 발광 다이오드 패키지
JP2008300573A (ja) * 2007-05-30 2008-12-11 Toshiba Corp 発光装置
JP2009070870A (ja) 2007-09-11 2009-04-02 C I Kasei Co Ltd 発光ダイオード用パッケージ、発光装置、および発光装置の作製方法
KR100870950B1 (ko) 2007-11-19 2008-12-01 일진반도체 주식회사 발광다이오드 소자 및 그 제조 방법
KR100998233B1 (ko) * 2007-12-03 2010-12-07 서울반도체 주식회사 슬림형 ｌｅｄ 패키지
KR100981214B1 (ko) 2008-01-28 2010-09-10 알티전자 주식회사 발광다이오드 패키지
KR100972979B1 (ko) * 2008-03-17 2010-07-29 삼성엘이디 주식회사 엘이디 패키지 및 그 제조방법
KR101526567B1 (ko) * 2008-05-07 2015-06-10 엘지이노텍 주식회사 발광 다이오드 패키지
TWI488329B (zh) * 2008-05-15 2015-06-11 Everlight Electronics Co Ltd 線路基板與發光二極體封裝
JP2010067902A (ja) * 2008-09-12 2010-03-25 Toshiba Corp 発光装置
KR20100043401A (ko) 2008-10-20 2010-04-29 알티반도체 주식회사 발광 다이오드 패키지
KR100888236B1 (ko) 2008-11-18 2009-03-12 서울반도체 주식회사 발광 장치
KR101537795B1 (ko) 2009-03-31 2015-07-22 서울반도체 주식회사 Ｌｅｄ 패키지 제조 방법 및 그 ｌｅｄ 패키지
WO2010150365A1 (ja) * 2009-06-24 2010-12-29 アオイ電子株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
TW201128812A (en) * 2009-12-01 2011-08-16 Lg Innotek Co Ltd Light emitting device

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20010022390A1 (en) * 1998-06-30 2001-09-20 Gunther Waitl Diode housing
JP2002110888A (ja) * 2000-09-27 2002-04-12 Rohm Co Ltd アイランド露出型半導体装置
US20060043401A1 (en) * 2004-09-01 2006-03-02 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. High power light emitting diode package
US20070262328A1 (en) * 2006-05-10 2007-11-15 Nichia Corporation Semiconductor light emitting device and a method for producing the same
EP2109157A1 (en) * 2006-12-28 2009-10-14 Nichia Corporation Light emitting device and method for manufacturing the same
WO2009025462A2 (en) * 2007-08-20 2009-02-26 Lg Innotek Co., Ltd Light emitting device
CN101420007A (zh) * 2008-10-23 2009-04-29 旭丽电子(广州)有限公司 一种led晶片的封装结构和封装方法

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103185228A (zh) * 2011-12-30 2013-07-03 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 发光二极管灯条及其制造方法
CN103887400A (zh) * 2012-12-22 2014-06-25 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构
CN103887398A (zh) * 2012-12-22 2014-06-25 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构
CN103887417A (zh) * 2012-12-22 2014-06-25 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管的制造方法及使用该方法制成的发光二极管
CN103887399A (zh) * 2012-12-22 2014-06-25 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管的制造方法及使用该方法制成的发光二极管
CN103887398B (zh) * 2012-12-22 2017-06-20 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构
CN104319267A (zh) * 2014-10-28 2015-01-28 气派科技股份有限公司 一种超高密度分立式薄型无引脚封装体及其封装方法
CN105938866A (zh) * 2016-06-13 2016-09-14 开发晶照明（厦门）有限公司 Led支架和led封装结构
CN110858583A (zh) * 2018-08-22 2020-03-03 光宝光电(常州)有限公司 发光二极管封装结构、及芯片承载座与其制造方法
CN110858583B (zh) * 2018-08-22 2021-09-03 光宝光电(常州)有限公司 发光二极管封装结构、及芯片承载座与其制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US9831409B2 (en) 2017-11-28
US20180053885A1 (en) 2018-02-22
CN102122696B (zh) 2016-01-20
JP2011119729A (ja) 2011-06-16
US20170279021A1 (en) 2017-09-28
TW201128812A (en) 2011-08-16
US20190386194A1 (en) 2019-12-19
EP3361519A1 (en) 2018-08-15
US8772816B2 (en) 2014-07-08
US9136453B2 (en) 2015-09-15
EP2330645B1 (en) 2018-05-09
US9711702B2 (en) 2017-07-18
US20180240954A1 (en) 2018-08-23
US10388840B1 (en) 2019-08-20
US10446730B2 (en) 2019-10-15
DE202010018639U1 (de) 2019-12-10
US9978921B2 (en) 2018-05-22
US20160035953A1 (en) 2016-02-04
US20160372648A1 (en) 2016-12-22
US20140264428A1 (en) 2014-09-18
US20190245128A1 (en) 2019-08-08
US10749092B2 (en) 2020-08-18
EP2330645A3 (en) 2011-12-07
US9461223B2 (en) 2016-10-04
US20110127566A1 (en) 2011-06-02
EP3361519B1 (en) 2020-10-14
US10230036B2 (en) 2019-03-12
EP2330645A2 (en) 2011-06-08
US9035348B2 (en) 2015-05-19
US20190157534A1 (en) 2019-05-23
US20150214455A1 (en) 2015-07-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102122696B (zh) 发光装置及其制造方法
KR102449197B1 (ko) 발광소자 패키지
JP4654670B2 (ja) 発光装置及びその製造方法
JP6323217B2 (ja) 発光装置
TWI411138B (zh) 具有靜電放電保護功能的發光二極體元件
US20120032197A1 (en) Light emitting device and image display unit
CN103682064B (zh) 侧向发光二极管及其封装方法
KR101072135B1 (ko) 발광 소자
EP4266387A1 (en) Light-emitting diode package
JP6735545B2 (ja) 発光装置
KR101034142B1 (ko) 발광 소자 및 그 제조방법
KR101034108B1 (ko) 발광 소자 및 그 제조방법
KR20170058486A (ko) 반도체 발광소자

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20210812

Address after: 168 Changsheng North Road, Taicang City, Suzhou City, Jiangsu Province

Patentee after: Suzhou Leyu Semiconductor Co.,Ltd.

Address before: Seoul, South Kerean

Patentee before: LG INNOTEK Co.,Ltd.

TR01 Transfer of patent right