CN102037577B - Led装置中的低折射率间隔层 - Google Patents

Led装置中的低折射率间隔层 Download PDF

Info

Publication number
CN102037577B
CN102037577B CN200980118291.1A CN200980118291A CN102037577B CN 102037577 B CN102037577 B CN 102037577B CN 200980118291 A CN200980118291 A CN 200980118291A CN 102037577 B CN102037577 B CN 102037577B
Authority
CN
China
Prior art keywords
mentioned
light
led
emitting diode
led chip
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN200980118291.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102037577A (zh
Inventor
A·查克拉博尔蒂
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kerui Led Co
Original Assignee
Cree Research Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Cree Research Inc filed Critical Cree Research Inc
Publication of CN102037577A publication Critical patent/CN102037577A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102037577B publication Critical patent/CN102037577B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0091—Scattering means in or on the semiconductor body or semiconductor body package
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H01L33/22—Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/507—Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

一种发光二极管(LED)装置(100)，具有低折射率间隔层(108)，该间隔层(108)将LED芯片(102)与功能层(112)分开。LED芯片具有有纹理的发光表面(106)，以便增加从芯片中光提取作用。间隔层具有折射率，该折射率低于LED芯片和功能层二者的折射率。由于芯片的有纹理的表面，所以在LED芯片中所产生的光的大部分很容易进入间隔层。在间隔层和功能层的界面处，光可见到折射率升高，该折射升高有助于透射。一部分进入功能层的光将后向反射或散射朝向间隔层，此处一部分光经受内全反射。在该界面处内全反射可以通过减少重新进入间隔层并最终进入LED(芯片的光量增加提取效率，此处光可以被吸收。间隔层还在LED芯片和功能层之间提供绝热层。因此，功能层可以是例如包括磷光体的波长转换层，与从LED芯片直接热传递绝热。间隔层还能起钝化层作用。

Description

LED装置中的低折射率间隔层
发明背景
发明领域
本发明涉及LED装置，而更准确地说，涉及具有低折射率间隔层的LED装置和制造这些装置的方法。
相关技术说明
固态发光装置，如无机或有机发光二级管(LEDs)，将能转变成光并广泛地用于许多应用。如该领域的技术人员众所周知，无机固态装置一般包括一个或多个半导体材料的激活区，所述激活区置于对置的掺杂区之间。当横过掺杂区加一偏压时，就发生电子-空穴复合作用以便产生光，且光从激活区朝LED的所有表面中的全向路线发射。常规的LED可以包括反射器和/或镜面，以便将所发射的光导向所需的方向。
由LED所发射的颜色或波长主要依赖于所述颜色或波长由其产生的材料的性能，如激活区的带隙。LEDs已建造成发射在可见光谱的颜色范围内的光，所述光包括红光、黄光、绿光、和蓝光。另一些LEDs在电磁谱的紫外(UV)范围中发射。经常理想情况是将磷光体加到LED中，以便在光发射之前通过将从LED发射的一部分光转变来制作发射光谱。例如，在某些蓝LED中，将一部分蓝光“降频转换(downconvert)”到黄光。因此，LED发射蓝光和黄光的组合，以便产生对人眼显示白光的光谱。如本文所用的，术语“磷光体”一般用来表示任何光致发光材料。
磷光体已设在LED结构内各种不同的区域中。例如，磷光体可以分散在圆顶形封装剂的内部和/或涂敷在该圆顶形封装剂的外部，所述封装剂覆盖装置。磷光体可以远离发光模具设置，如美国专利No.7286926中所表明的。磷光体也可以涂敷或沉积在模具自身上。一些技术经常用来加入磷光体，所述技术包括电泳沉积、模板印刷、旋涂或喷涂等。另一种技术使用磷光体分散法，此处可以将其中含有磷光体的一滴材料，如环氧树脂、硅酮封装剂等，放置在模具上，并因此以便在模具上形成外壳。这有时称之为“滴顶”(glob top)法。在另一种技术中，可以将含磷光体的材料滴放置在模具上并令其沉降。这种技术可以称之为“远程沉降法”(remote setteling)。
许多应用要求LED发射白光。如本文所用的，术语“白光”在一般意义上使用，并包括不同的个人或检测器可以觉察为朝例如黄光或蓝光方向具有浅色调的光。如上所述，某此常规LED装置将黄磷光体结合在蓝LED上，以便得到白光。从LED发射的蓝光的一部分穿过磷光体而不转变，而所发射的蓝光的一部分降频转换到黄光。逸出发光装置的蓝光和黄光的组合提供白光输出。
LED已制造成包括若干另外的功能特色，例如，像反射/折射层、透镜和光散射元件。某些LED包括下述表面，该表面已形成纹理，以便通过减少在各种不同材料界面处的全内反射来增加光提取作用。在该技术中众所周知的许多另外的功能特色可以组合，以便建造具有特定特征的LED。
图A示出众所周知的LED装置10。LED芯片11设在安装面12上。一层波长转换材料13围绕LED芯片11。封装剂14覆盖LED芯片11和转换层13。LED芯片具有一有纹理的发射表面15，该有纹理的发射表面15通过抵销折射率降低的作用来帮助提取在LED芯片11和转换层13的界面处的光。从LED芯片11发射的光的一部分在转换层13的内部、在与封装剂的界面处，或者在封装剂14内，背向有纹理的表面12反射或后向散射。由于有纹理的表面12与界面处折射率的升高耦合，所以，该入射光的主要部分重新进入LED芯片11，在该处入射光可以被吸收，从而降低了装置10的光提取效率。
发明提要
本发明的LED装置和一个实施例包括下列元件。LED芯片设在安装面上。LED芯片具有一有纹理的发光表面和第一折射率。间隔层设在LED芯片上并覆盖发光表面。间隔层具有第二折射率，该第二折射率小于第一折射率。至少一个功能层设在间隔层上。
LED装置的另一个实施例包括下列元件。LED芯片设在安装面上，并具有一有纹理的发光表面和第一折射率。LED芯片发射蓝光。间隔层设在LED芯片上，并覆盖发光表面。间隔层具有一平表面和第二折射率，所述平表面与LED芯片相对，而第二折射率小于第一折射率。波长转换层设在间隔层上。波长转换层转换一部分蓝光并发射黄光。封装剂设在安装面上，并覆盖LED芯片。LED装置这样建造，以便发射蓝光和黄光的组合，因此该组合显示白光。
制造LED装置的一种方法包括下列步骤。提供LED芯片，该LED芯片具有第一折射率和有纹理的发光表面。间隔层设在LED芯片上而具有第二折射率，其中第二折射率小于第一折射率。在间隔层上设置功能层，该功能层具有第三折射率，其中第二折射率小于第三折射率，及选择第二折射率以使光提取效率最大。
附图简介
图A是该技术中众所周知的LED装置的剖视图。
图1是本发明的LED装置的实施例的剖视图。
图2是本发明的LED装置的实施例的剖视图。
图3是本发明的LED装置的实施例的剖视图。
图4是本发明的LED装置的实施例的剖视图。
图5是本发明的LED装置的实施例的剖视图。
发明的详细说明
本发明的一些实施例提供经过改进的发光装置，其中光提取效率通过加入薄间隔层改进，该薄间隔层置于有纹理的LED芯片和功能层之间。间隔层具有比LED芯片和功能层低的折射指数或折射率(RI)。LED芯片具有有纹理的表面，以便提取更多的LED中所产生的光；然而，有纹理的表面也可供将光反射回到LED芯片中，在该处光可以被吸收。间隔层减少了重新进入LED芯片的光量，从而改进了总体光提取效率。
应该理解，当一个元件如一层、区域或衬底被认为是“在另一个元件上”时，该元件能直接在另一个元件上，或者穿插的元件也可以存在。而且，相关的术语如“内部”、“外部”、“上面”、“在上方”、“下面”、“底下”、“在下方”、和类似的术语在本文中可以用来说明一层或另一个区域的关系。应该理解，除了附图中所描述的方位之外，这些术语打算包括装置的不同方位。
尽管术语第一、第二等在本文中可以用来说明各种不同的元件、部件、区域、层和/或分段，但这些元件、部件、区域、层和/或分段不受这些术语限制。这些术语仅用来把一个元件、部件、区域、层或分段与另一个区别开。因此，在不脱离本发明的讲述的情况下，下面所论述的第一元件、部件、区域、层或分段能叫做第二元件、部件、区域、层或分段。
应该注意，术语“层”或“多层”在整个申请中可交换地使用。该领域的技术人员应该理解，材料的单“层”实际上可以包括材料的若干单独的层。同样，材料的“若干层”在功能上可以看做是单层。换句话说，术语“层”不代表材料的均匀层。“单层”可以包含位于子层中的各种不同材料浓度和组成。这些子层可以用一个形成步骤或用多个步骤形成。除非特别地另有说明，否则不打算通过把元件说成包括材料的“一层”或“多层”来限制如权利要求书中所包括的本发明的范围。
本发明的实施例本文参照剖视图进行说明，所述剖视图是本发明的理想化的实施例的示意图。照这样，可以预料由于例如制造技术和/或允差的结果而产生示图形状的变动。本发明的实施例不应看成是限于本文所示的区域或粒子的特定形状，而是包括例如由于制造的结果所产生的形状的偏差。例如，图示或说成矩形的区域由于正常制造技术而通常具有变圆或弯曲的特色。因此，各附图中所示的区域实质上是示意性的；它们的形状不打算示出区域或粒子的精密形状，且不打算限制本发明的范围。
如本文所用的术语“光”不限于在可见光谱内的电磁辐射。为了方便起见，“光”也可以例如包括在可见光谱之外的电磁谱的部分，如红外或紫外光谱。
图1示出本发明的实施例的LED装置100的剖视图。LED芯片102设在一安装面104上。LED芯片102可以例如发射任何颜色的光，如蓝光，或者它可以发射在可见光谱之外的辐射。安装面104可以包括半导体材料。在一个实施例中，安装面是LED芯片在其上生长的原始初底。在另一个实施例中，安装面104是载体衬底而不是原始的生长衬底。如果LED芯片102用倒装片技术制造，则可以使用载体衬底。将LED芯片102安装在许多不同种类的表面上也是可行的。
LED芯片102具有有纹理的发光表面106，包括有纹理的表面106以便通过减少内全反射(TIR)来增从LED芯片102的光提取作用。有许多众所周知的技术，这些技术可以用来修改半导体材料的表面。表面可以通过加成法修改，其中将材料加到使它具有经过修改的纹理的表面上。表面也可以用扣减法修改，其中将材料从表面中除去，以便产生经过修改的纹理。扣减法，如蚀刻、切割和研磨，在该技术中众所周知，并经常用来给表面形成纹理。与有纹理的发光表面106相对，LED芯片102具有反射元件107，如一层反射材料。反射元件107使LED芯片102中所产生的光的一部分改向向后朝向有纹理的发光表面106。
间隔层108设在LED芯片102上。间隔层108能用许多不同的材料如硅酮、环氧树脂、油、电介质类、和其它材料制成。材料应这样选择，以使间隔层108的RI小于下面所述的LED芯片102的RI和功能层112的RI。用于间隔层108的RI应为1.4-2.0，而可接受的RI为1.5。间隔层108的厚度近似为1-25微米。薄间隔层108可以例如用高RPM(转速)旋涂法沉积在LED芯片102上。薄间隔层108也可以通过分配或用介电沉积技术像电子束蒸发、溅射、磁控管溅射等形成。间隔层的发射表面110基本上是平面。
至少一个功能层112这样设在间隔层108上，以使功能层112和LED芯片102实际上分离。功能层112可以包括许多不同的光学元件，如转换层、滤光层、抗反射层、单晶体转换器层、及光散射层。其它类型的功能层也是可行的。功能层110具有RI大于间隔层108的RI。
在LED芯片102中所产生的光的一部分按所设计的正向顺序通过各层，以便改进装置100的提取效率。来自LED芯片102的光首先进入间隔层108中。有纹理的表面106补偿LED芯片102和间隔层108在它们的界面处RIs的大的差值(ΔRI)。在一个实施例中，LED芯片包括氮化镓(GaN)，该氮化镓具有RI为约2.5。间隔层108的RI可以选择为1.5。在这种情况下，RI的较大降低(ΔRI≈1.0)限制透射的光量而没有显著的反射。为了抵销这种作用，有纹理的表面106提供许多小表面，光可以从该小表面逸出。然而，作用是往复的：任何向后反射朝向有纹理的表面的光都可能进入LED芯片，在该处光可以被吸收。为了尽量减少这种光损失，选择间隔层108具有RI小于功能层112的RI。进入间隔层108的光的一部分入射在间隔层108和功能层112之间的边界上。因此，光看到RI升高，并在最小反射情况下进入功能层。如果光在功能层112中反射或后向反射，则将看到RI在间隔层108边界处下降，且由于TIR而具有反射回到功能层112中的有限机会。在该边界处的TIR理想的是使重新进入间隔层108和LED芯片102的光减至最少。在功能层112内内部反射的光具有更好的出射到周围材料例如封装剂或环境中的机会。在优选实施例中，在LED芯片102的有纹理的表面106和间隔层108的界面处出现最大的RI阶跃(ΔRI)。
在LED装置200的一个实施例中，功能层112的其中之一包括波长转换层，该波长转换层加有磷光体，如图2的剖视图所示。波长转换层202将一部分发射的光转变到不同的波长，这是该技术中众所周知的方法。作为例子，图2示出未转变的蓝射线和经过转变的黄射线。其它颜色和转换方案也可以使用。转换作用204示出在转换层202内发生。钇铝石榴石(YAG)是可以使用的常规磷光体的例子。
在一个实施例中，磷光体包括单独或成组合的许多不同的组成和磷光体材料。在一个实施例中，单结晶磷光体能包括钇铝石榴石(YAG，化学分子式为Y3Al5O12)。YAG主体能与其它化合物化合，以便达到所需的发射波长。在一个实施例中，此处单结晶磷光体吸收蓝光并重新发射黄光，单结晶磷光体能包括YAG:Ce。该实施例尤其适用于其发射蓝光和黄光的白光组合的LED。利用基于(Gd，Y)3(Al，Ga)5O12:Ce系统的磷光体制成的转换粒子实现全范围宽黄色光谱发射是可行的，上述系统包括Y3Al5O12:Ce(YAG)。能用于发射白光的LED芯片的其它黄磷光体包括：
Tb3-xRExO12:Ce(TAG)；
RE＝Y、Gd、La、Lu；或
Sr2-x-yBaxCaySiO4:Eu。
在另一些实施例中，能将其它化合物与YAG主体一起使用，用于吸收和重新发射不同波长的光。例如，YAG:Nb单晶磷光体能提供吸收蓝光和重新发射红光。在上述黄磷光体和红磷光体化合的情况下，也能将第一和第二磷光体化合用于更高的CRI白光(亦即，热白光)。各种不同的红磷光体能使用，其中包括：
SrxCa1-xS:Eu，Y；Y＝卤化物；
CaSiAlN3:Eu；或
Sr2-yCaySiO4:Eu。
另一些磷光体能用来通过基本上将所有的光转换成特定的颜色而产生饱和色发射。例如，能用下面磷光体来产生绿色饱和的光：
SrGa2S4:Eu；
Sr2-yBaySiO4:Eu；或
SrSi2O2N2:Eu。
下面列举某些另外的合适的磷光体，所述磷光体能用作转换粒子，不过另一些磷光体也能使用。每种磷光体都显示在蓝色和/或紫外(UV)发射光谱中激发，提供理想的峰值发射，具有有效的光转换，和具有可接受的Stokes频移：
黄/绿：
(Sr，Ca，Ba)(Al，Ga)2S4:Eu2+
Ba2(Mg，Zn)Si2O7:Eu2+
Gd0.46Sr0.31Al1.23OxF1.38:Eu2+ 0.06
(Ba1-x-ySrxCay)SiO4:Eu
Ba2SiO4:Eu2+
红
Lu2O3:Eu3+
(Sr2-xLax)(Ce1-xEux)O4
Sr2Ce1-xEuxO4
Sr2-xEuxCeO4
SrTiO3:Pr3+，Ga3+
CaAlSiN3:Eu2+
Sr2Si5N8:Eu2+
磷光体粒子206分散在整个粘合剂材料208中，磷光体粒子206的RI和粘合到208的RI能相同，或者它们能不同。然而，差值通常尽量减小，以便减少散射。
表1示出对有和没有间隔层的装置用于间隔层和粘合剂的不同折射率组合的光激发效率(LEE，以％计)。在芯片内部的镜面折射率假定是常数，而磷体的RI假定为1.8。
表1
粘合剂RI 间隔层RI LEE w/o间隔层 LEE w间隔层
1.6 1.6 76 76.2
1.8 1.4 74.2 74.3
1.8 1.5 74.2 76.8
1.8 1.6 74.2 76.2
1.9 1.6 74.3 74.4
表1中的数据表明，对所有具有间隔层的装置来说，光提取效率增加。最高的LEE在具有间隔层而粘合剂RI≈1.8和间隔层RI≈1.5的装置中发生。
该实施例的另一个优点是转换层202和LED芯片102的非相邻排列。这有时称之为“远程磷光体法”。由于热淬火能影响磷光体的效率，所以控制传递到转换层202中的热量很重要。图2示出间隔层108实际上把转换层202与LED芯片102分开。这种配置减少了从LED芯片102传递到转换层202的热量。因此，间隔层108能起绝热层的作用，该绝热层改善了转换层202的效率和寿命。
图3示出LED装置300的另一个实施例的剖视图。在这个实施例中，功能层包括滤光层302，该滤光层302能透射所需波长范围内的光。滤光层302设在间隔层108的基本上是平的表面110上。滤光层302可以具有低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器、陷波滤波器、或其它类型滤波器的特征。例如，滤光层302可以设计成能透射蓝色范围的光和反射黄色范围的光(例如，高通滤波器)。这种滤光片和波长转换层一起可能有用。如图3所示，假定一实施例其中LED芯片102在蓝色范围中发射，则滤光层将蓝光透射到转换层202中。从LED芯片102中发射的蓝光的一部分在转换层202中降频转换到黄光。一部分黄光可以改向回到不能透射黄光的滤光层302。入射的黄光向后反射朝向发射表面。因此，滤光层302防止转换的光的主要部分的重新进入间隔层202和LED芯片102，在这里上述转换的光可以被吸收。
图4示出LED装置400的另一个实施例的剖视图。在这个特定的实施例中，功能层包括光散射层402，该光散射层402设在波长转换层403上。在间隔层108上设置两个功能层。光散射层402可以包括光散射粒子404，所述光散射粒子404例如分散在整个介质如硅酮或环氧树脂中。光散射层可以用来在光射线出射LED包装之前通过使光射线散射来改善输出轮廓的色温分布均匀性。散射将光射线与它们从LED芯片102发射的原始角分离，同时消除光输出中显著的颜色图案。光散射层402和波长转换层403通过间隔层108与LED芯片102分开。间隔层108的RI小于转换层403和光散射层402的RI，以便改善光提取，如上所述。
该特定实施例的另一个优点是功能层402，403和LED芯片102的非相邻的排列。随着光进入光功能层402，403，一部分光将后向散射朝向间隔层108。由于间隔层108具有RI为小于光波长转换层403的RI，所以光的大部分将在波长转换层403和间隔层108之间的界面处反射，回到波长转换层403中，并具有更好的发射的机会。间隔层108的基本上是平的表面110增加在边界处所需的TIR效应。
图5示出LED装置500的另一个实施例。在这个特定的实施例中，将重叠注塑的封装剂502设在LED芯片102、间隔层108和功能层112上。常常用来改善包装光提取效率并保护LED和共形层的封装剂在该技术中众所周知，并可以例如由若干材料，如硅酮(RI≈1.5)制成。封装剂502也可以起光束成形元件如透镜的作用。封装剂502为半球形，不过其它形状也是可行的。
尽管本发明的各种不同的实施例已经说明，但在不脱离如所述的本发明的精神的情况下，另一些以不同的元件组合为特色的实施例也是可行的。例如，如图3中所示的滤光层302可以包括在下述一实施例中，该实施例还包括反射元件光散射层402，如图4中所示，因此，本发明的精神和范围不限于上述方案中各元件的任何特定组合。

Claims (40)

1.一种发光二极管(LED)装置，包括：
LED芯片，该LED芯片设在安装面上，上述LED芯片具有有纹理的发光表面和第一折射率；
间隔层，该间隔层设在上述LED芯片上并覆盖上述发光表面，上述间隔层具有第二折射率，该第二折射率小于上述第一折射率；和
至少一个功能层，该功能层设在上述间隔层上，所述至少一个功能层具有大于所述第二折射率的第三折射率，
在所述有纹理的发光表面和所述间隔层的界面处的折射率阶跃大于所述至少一个功能层和所述间隔层的边界处的另一折射率阶跃。
2.如权利要求1所述的发光二极管(LED)装置，上述至少一个功能层包括波长转换层。
3.如权利要求2所述的发光二极管(LED)装置，上述波长转换层包括：
粘合剂材料，该粘合剂材料具有第三折射率，所述第三折射率大于上述第二折射率；和
许多磷光体粒子，该许多磷光体粒子分布在整个上述粘合剂材料中。
4.如权利要求3所述的发光二极管(LED)装置，其中上述第二折射率近似地为1.5，而上述第三折射率近似地为1.8。
5.如权利要求2所述的发光二极管(LED)装置，上述波长转换层包括单晶磷光体材料。
6.如权利要求2所述的发光二极管(LED)装置，上述波长转换层包括纳晶磷光体，所述纳晶磷光体分散在整个粘合剂材料中。
7.如权利要求2所述的发光二极管(LED)装置，上述至少一个功能层还包括滤光层，所述滤光层可透射第一波长范围的光和反射第二波长范围的光，其中上述滤光层置于上述间隔层和波长转换层之间。
8.如权利要求2所述的发光二极管(LED)装置，其中上述LED芯片配置成发射蓝光，而上述波长转换层配置成将一部分上述蓝光变换成黄光，以使上述发光二极管(LED)装置发射上述蓝光和黄光的组合，使上述组合显示白光。
9.如权利要求2所述的发光二极管(LED)装置，其中上述至少一个功能层包括光散射元件。
10.如权利要求9所述的发光二极管(LED)装置，其中上述光散射元件包括光散射粒子。
11.如权利要求1所述的发光二极管(LED)装置，其中上述间隔层包括一基本上是平的表面，该平的表面与上述LED芯片相对。
12.如权利要求1所述的发光二极管(LED)装置，其中上述功能层包括抗反射涂层。
13.如权利要求1所述的发光二极管(LED)装置，其中上述间隔层具有厚度近似为1-25微米。
14.如权利要求1所述的发光二极管(LED)装置，还包括半球形的封装剂，该封装剂设在上述安装面上并覆盖上述LED芯片。
15.如权利要求14所述的发光二极管(LED)装置，上述封装剂具有折射率近似地为1.5。
16.如权利要求1所述的发光二极管(LED)装置，其中上述安装面是反射性的。
17.如权利要求1所述的发光二极管(LED)装置，其中上述LED芯片包括铝镓铟氮化物(AlGaInN)半导体层。
18.如权利要求1所述的发光二极管(LED)装置，其中上述间隔层将上述功能层与上述LED芯片绝热。
19.如权利要求1所述的发光二极管(LED)装置，其中上述间隔层使上述LED芯片钝化。
20.如权利要求1所述的发光二极管(LED)装置，上述LED芯片包括反射元件，该反射元件与上述有纹理的发光表面相对。
21.发光二极管(LED)装置，包括：
LED芯片，该LED芯片设在安装面上并具有有纹理的发光表面和第一折射率，上述LED发射蓝光；
间隔层，该间隔层设在上述LED芯片上并覆盖上述发光表面，上述间隔层具有与上述LED芯片相对的平的表面和小于上述第一折射率的第二折射率；
波长转换层，该波长转换层设在上述间隔层上，上述波长转换层将一部分上述蓝光转换并发射黄光，所述波长转换层具有大于所述第二折射率的第三折射率；和
封装剂，该封装剂设在上述安装面上并覆盖上述LED芯片；
其中上述发光二极管(LED)装置构造成发射上述蓝光和黄光的组合，使上述组合显示白光，
在所述有纹理的发光表面和所述间隔层的界面处的折射率阶跃大于所述波长转换层和所述间隔层的边界处的另一折射率阶跃。
22.如权利要求21所述的发光二极管(LED)装置，还包括滤光层，该滤光层可透射第一波长范围的光和反射第二波长范围的光，其中上述滤光层置于上述间隔层和上述波长转换层之间。
23.如权利要求21所述的发光二极管(LED)装置，上述波长转换层包括：
硅酮粘合剂材料，该硅酮粘合剂材料具有第三折射率，所述第三折射率大于上述第二折射率；和
许多磷光体粒子，该磷光体粒子分布在整个上述粘合剂材料中。
24.如权利要求23所述的发光二极管(LED)装置，其中上述第三折射率近似地为1.8。
25.如权利要求21所述的发光二极管(LED)装置，其中上述第一折射率近似地为2.5。
26.如权利要求21所述的发光二极管(LED)装置，其中上述第二折射率近似地为1.5。
27.如权利要求21所述的发光二极管(LED)装置，其中上述间隔层具有厚度近似地为1-25微米。
28.如权利要求21所述的发光二极管(LED)装置，上述波长转换层包括光散射粒子。
29.如权利要求21所述的发光二极管(LED)装置，上述封装剂包括光散射粒子。
30.如权利要求21所述的发光二极管(LED)装置，上述LED芯片包括反射元件，该反射元件与上述有纹理的发光表面相对。
31.如权利要求21所述的发光二极管(LED)装置，其中上述LED芯片包括铝镓铟氮化物(AlGaInN)半导体层。
32.如权利要求21所述的发光二极管(LED)装置，其中上述间隔层将上述波长转换层与上述LED芯片绝热。
33.一种制造发光二级管(LED)装置的方法，包括：
提供LED芯片，该LED芯片具有第一折射率和有纹理的发光表面；
将具有第二折射率的间隔层设在上述LED芯片上，其中上述第二折射率小于上述第一折射率；
将具有第三折射率的功能层设在上述间隔层上，其中上述第二折射率小于第三折射率，且选择上述第二折射率以使光提取效率最大，
在所述有纹理的发光表面和所述间隔层的界面处的折射率阶跃大于所述功能层和所述间隔层的边界处的另一折射率阶跃。
34.如权利要求33所述的方法，其中上述功能层包括波长转换层。
35.如权利要求33所述的方法，还包括将光散射粒子分散到整个上述功能层中。
36.如权利要求33所述的方法，还包括用封装剂封装上述LED芯片。
37.如权利要求36所述的方法，还包括将光散射粒子分散到整个上述封装剂中。
38.如权利要求33所述的方法，其中上述间隔层具有厚度近似地为1-25微米。
39.如权利要求33所述的方法，其中上述第二折射率近似地为1.5，而第三折射率近似地为1.8。
40.如权利要求33所述的方法，其中上述LED芯片包括铝镓铟氮化物(AlGaInN)半导体层。
CN200980118291.1A 2008-03-19 2009-03-11 Led装置中的低折射率间隔层 Active CN102037577B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US12/077,638 US8637883B2 (en) 2008-03-19 2008-03-19 Low index spacer layer in LED devices
US12/077638 2008-03-19
PCT/US2009/001572 WO2009117067A1 (en) 2008-03-19 2009-03-11 Low index spacer layer in led devices

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102037577A CN102037577A (zh) 2011-04-27
CN102037577B true CN102037577B (zh) 2014-08-06

Family

ID=40794733

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN200980118291.1A Active CN102037577B (zh) 2008-03-19 2009-03-11 Led装置中的低折射率间隔层

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8637883B2 (zh)
EP (1) EP2266148A1 (zh)
JP (1) JP2011515851A (zh)
KR (1) KR20100129766A (zh)
CN (1) CN102037577B (zh)
WO (1) WO2009117067A1 (zh)

Families Citing this family (69)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8718437B2 (en) 2006-03-07 2014-05-06 Qd Vision, Inc. Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products
US9874674B2 (en) 2006-03-07 2018-01-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products
US9951438B2 (en) 2006-03-07 2018-04-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products
US8836212B2 (en) 2007-01-11 2014-09-16 Qd Vision, Inc. Light emissive printed article printed with quantum dot ink
WO2009014590A2 (en) 2007-06-25 2009-01-29 Qd Vision, Inc. Compositions and methods including depositing nanomaterial
WO2009014707A2 (en) 2007-07-23 2009-01-29 Qd Vision, Inc. Quantum dot light enhancement substrate and lighting device including same
US8128249B2 (en) 2007-08-28 2012-03-06 Qd Vision, Inc. Apparatus for selectively backlighting a material
US10008637B2 (en) 2011-12-06 2018-06-26 Cree, Inc. Light emitter devices and methods with reduced dimensions and improved light output
JP5665160B2 (ja) * 2008-03-26 2015-02-04 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 発光装置および照明器具
WO2009137053A1 (en) 2008-05-06 2009-11-12 Qd Vision, Inc. Optical components, systems including an optical component, and devices
US9207385B2 (en) 2008-05-06 2015-12-08 Qd Vision, Inc. Lighting systems and devices including same
WO2009151515A1 (en) 2008-05-06 2009-12-17 Qd Vision, Inc. Solid state lighting devices including quantum confined semiconductor nanoparticles
KR100993045B1 (ko) * 2009-10-23 2010-11-08 엘지이노텍 주식회사 발광소자 칩 및 발광소자 패키지
US8692274B2 (en) * 2009-02-24 2014-04-08 Industrial Technology Research Institute Light emitting diode package structure
WO2010129374A2 (en) 2009-04-28 2010-11-11 Qd Vision, Inc. Optical materials, optical components, and methods
EP2465147B1 (en) 2009-08-14 2019-02-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Lighting devices, an optical component for a lighting device, and methods
JP2013508895A (ja) 2009-10-17 2013-03-07 キユーデイー・ビジヨン・インコーポレーテツド 光学部品、これを含む製品およびこれを作製する方法
KR101039930B1 (ko) * 2009-10-23 2011-06-09 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
DE102009054840A1 (de) * 2009-12-17 2011-06-22 Poly-Tech Service GmbH, 67681 Leuchtmittel mit einer Mehrzahl von Leuchtdioden
KR100999779B1 (ko) * 2010-02-01 2010-12-08 엘지이노텍 주식회사 발광소자, 발광소자의 제조방법 및 발광소자 패키지
US20110215348A1 (en) * 2010-02-03 2011-09-08 Soraa, Inc. Reflection Mode Package for Optical Devices Using Gallium and Nitrogen Containing Materials
US9991427B2 (en) 2010-03-08 2018-06-05 Cree, Inc. Photonic crystal phosphor light conversion structures for light emitting devices
US8384105B2 (en) * 2010-03-19 2013-02-26 Micron Technology, Inc. Light emitting diodes with enhanced thermal sinking and associated methods of operation
WO2012153212A1 (en) * 2011-05-06 2012-11-15 Koninklijke Philips Electronics N.V. Phosphor-enhanced lighting device, retrofit light bulb and light tube with reduced color appearance
US10686107B2 (en) 2011-07-21 2020-06-16 Cree, Inc. Light emitter devices and components with improved chemical resistance and related methods
WO2013013154A2 (en) 2011-07-21 2013-01-24 Cree, Inc. Light emitter device packages, components, and methods for improved chemical resistance and related methods
US10211380B2 (en) 2011-07-21 2019-02-19 Cree, Inc. Light emitting devices and components having improved chemical resistance and related methods
EP2587560A1 (en) * 2011-10-26 2013-05-01 Forschungsverbund Berlin e.V. Light emitting diode
US9249963B2 (en) 2011-11-08 2016-02-02 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device
KR101338704B1 (ko) * 2011-12-18 2013-12-06 엘지이노텍 주식회사 발광장치
KR101969334B1 (ko) 2011-11-16 2019-04-17 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 이를 구비한 발광 장치
CN102437276A (zh) 2011-11-25 2012-05-02 四川新力光源有限公司 一种led器件及其制作方法
US9496466B2 (en) 2011-12-06 2016-11-15 Cree, Inc. Light emitter devices and methods, utilizing light emitting diodes (LEDs), for improved light extraction
US9343441B2 (en) 2012-02-13 2016-05-17 Cree, Inc. Light emitter devices having improved light output and related methods
US9240530B2 (en) 2012-02-13 2016-01-19 Cree, Inc. Light emitter devices having improved chemical and physical resistance and related methods
DE102012101663B4 (de) * 2012-02-29 2019-12-24 Osram Opto Semiconductors Gmbh Konversionselement, Leuchtmittel und Verfahren zur Herstellung eines Konversionselements
CN102646674A (zh) * 2012-04-26 2012-08-22 南通脉锐光电科技有限公司 白光led发光装置
US9450152B2 (en) 2012-05-29 2016-09-20 Micron Technology, Inc. Solid state transducer dies having reflective features over contacts and associated systems and methods
US9929325B2 (en) 2012-06-05 2018-03-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Lighting device including quantum dots
JP2013254651A (ja) * 2012-06-07 2013-12-19 Sharp Corp 蛍光体基板、発光デバイス、表示装置、及び照明装置
WO2014104295A1 (ja) * 2012-12-28 2014-07-03 コニカミノルタ株式会社 発光装置
JP2014139998A (ja) * 2013-01-21 2014-07-31 Toshiba Corp 半導体発光装置
TW201438936A (zh) * 2013-04-03 2014-10-16 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 車燈系統
CN105190163A (zh) * 2013-04-24 2015-12-23 日立麦克赛尔株式会社 光源装置以及车辆用灯具
TWI557962B (zh) * 2013-08-23 2016-11-11 鴻海精密工業股份有限公司 有機發光二極體封裝結構及其製造方法
JP6387780B2 (ja) * 2013-10-28 2018-09-12 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
DE102014106074A1 (de) * 2014-04-30 2015-11-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtvorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer Leuchtvorrichtung
JP6464877B2 (ja) * 2014-05-21 2019-02-06 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
US9784427B2 (en) * 2015-01-09 2017-10-10 GM Global Technology Operations LLC Backlit illuminated device with lighting through decorative plated surfaces
CN107209419B (zh) 2015-02-04 2022-08-12 默克专利股份有限公司 电光切换元件和显示器件
JP2018510456A (ja) * 2015-02-04 2018-04-12 メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＭｅｒｃｋ Ｐａｔｅｎｔ Ｇｅｓｅｌｌｓｃｈａｆｔ ｍｉｔ ｂｅｓｃｈｒａｅｎｋｔｅｒ Ｈａｆｔｕｎｇ 電子素子における半導体粒子
DE102015105897A1 (de) * 2015-04-17 2016-10-20 Osram Gmbh Optoelektronisches Bauteil
DE102015105893A1 (de) * 2015-04-17 2016-10-20 Osram Gmbh Optoelektronisches Bauteil und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils
DE102015105896B4 (de) * 2015-04-17 2023-03-09 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Bauteil und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils
KR20160149363A (ko) 2015-06-17 2016-12-28 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
US20170338387A1 (en) * 2015-06-30 2017-11-23 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting diode
KR20170003182A (ko) * 2015-06-30 2017-01-09 서울반도체 주식회사 발광 다이오드
US9443904B1 (en) * 2015-09-07 2016-09-13 Mikro Mesa Technology Co., Ltd. Light-emitting diode display and manufacturing method thereof
US10193031B2 (en) * 2016-03-11 2019-01-29 Rohinni, LLC Method for applying phosphor to light emitting diodes and apparatus thereof
DE102017101729A1 (de) * 2017-01-30 2018-08-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierende Vorrichtung
JP2018128617A (ja) * 2017-02-10 2018-08-16 信越化学工業株式会社 波長変換部材及びｌｅｄ発光装置
WO2018155731A1 (ko) * 2017-02-22 2018-08-30 (주)라이타이저코리아 컨벡스 칩 스케일 패키지 및 그의 제조 방법
WO2018159883A1 (ko) * 2017-03-03 2018-09-07 (주)라이타이저코리아 컨벡스 칩 스케일 패키지 및 그의 제조 방법
KR102513102B1 (ko) * 2017-12-20 2023-03-22 엘지디스플레이 주식회사 발광 소자 및 조명 장치
US10879420B2 (en) 2018-07-09 2020-12-29 University Of Iowa Research Foundation Cascaded superlattice LED system
US11326763B1 (en) * 2019-02-06 2022-05-10 Apple Inc. Light-emitting diodes with optical filters
US11861941B1 (en) 2019-02-06 2024-01-02 Apple Inc. Eye camera systems with polarized light
CN111190307A (zh) * 2019-12-13 2020-05-22 深圳市隆利科技股份有限公司 直下式背光装置及显示设备
CN113337894A (zh) * 2021-05-21 2021-09-03 中国科学院上海光学精密机械研究所 一种掺铈钇铝石榴石闪烁晶体表面蛾眼式微结构及其制备方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1761079A (zh) * 2004-08-31 2006-04-19 丰田合成株式会社 光发射装置和光发射元件
CN1886827A (zh) * 2003-12-09 2006-12-27 加利福尼亚大学董事会 经表面粗化的高效氮化镓基发光二极管
DE102005062514A1 (de) * 2005-09-28 2007-03-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement

Family Cites Families (166)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4476620A (en) * 1979-10-19 1984-10-16 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method of making a gallium nitride light-emitting diode
US4733335A (en) 1984-12-28 1988-03-22 Koito Manufacturing Co., Ltd. Vehicular lamp
US4811082A (en) * 1986-11-12 1989-03-07 International Business Machines Corporation High performance integrated circuit packaging structure
US4866005A (en) 1987-10-26 1989-09-12 North Carolina State University Sublimation of silicon carbide to produce large, device quality single crystals of silicon carbide
US4935665A (en) 1987-12-24 1990-06-19 Mitsubishi Cable Industries Ltd. Light emitting diode lamp
EP0333162B1 (en) 1988-03-16 1994-06-15 Mitsubishi Rayon Co., Ltd. Phosphor paste compositions and phosphor coatings obtained therefrom
US4918497A (en) 1988-12-14 1990-04-17 Cree Research, Inc. Blue light emitting diode formed in silicon carbide
US5027168A (en) 1988-12-14 1991-06-25 Cree Research, Inc. Blue light emitting diode formed in silicon carbide
US4990462A (en) * 1989-04-12 1991-02-05 Advanced Micro Devices, Inc. Method for coplanar integration of semiconductor ic devices
US5075253A (en) * 1989-04-12 1991-12-24 Advanced Micro Devices, Inc. Method of coplanar integration of semiconductor IC devices
US4966862A (en) 1989-08-28 1990-10-30 Cree Research, Inc. Method of production of light emitting diodes
US4946547A (en) 1989-10-13 1990-08-07 Cree Research, Inc. Method of preparing silicon carbide surfaces for crystal growth
US5210051A (en) 1990-03-27 1993-05-11 Cree Research, Inc. High efficiency light emitting diodes from bipolar gallium nitride
US5200022A (en) 1990-10-03 1993-04-06 Cree Research, Inc. Method of improving mechanically prepared substrate surfaces of alpha silicon carbide for deposition of beta silicon carbide thereon and resulting product
FR2704690B1 (fr) 1993-04-27 1995-06-23 Thomson Csf Procédé d'encapsulation de pastilles semi-conductrices, dispositif obtenu par ce procédé et application à l'interconnexion de pastilles en trois dimensions.
US5416342A (en) * 1993-06-23 1995-05-16 Cree Research, Inc. Blue light-emitting diode with high external quantum efficiency
US5338944A (en) 1993-09-22 1994-08-16 Cree Research, Inc. Blue light-emitting diode with degenerate junction structure
US5393993A (en) 1993-12-13 1995-02-28 Cree Research, Inc. Buffer structure between silicon carbide and gallium nitride and resulting semiconductor devices
US5380681A (en) * 1994-03-21 1995-01-10 United Microelectronics Corporation Three-dimensional multichip package and methods of fabricating
US5604135A (en) * 1994-08-12 1997-02-18 Cree Research, Inc. Method of forming green light emitting diode in silicon carbide
US5523589A (en) * 1994-09-20 1996-06-04 Cree Research, Inc. Vertical geometry light emitting diode with group III nitride active layer and extended lifetime
US5631190A (en) * 1994-10-07 1997-05-20 Cree Research, Inc. Method for producing high efficiency light-emitting diodes and resulting diode structures
DE19509262C2 (de) 1995-03-15 2001-11-29 Siemens Ag Halbleiterbauelement mit Kunststoffumhüllung und Verfahren zu dessen Herstellung
US5614131A (en) * 1995-05-01 1997-03-25 Motorola, Inc. Method of making an optoelectronic device
US5739554A (en) * 1995-05-08 1998-04-14 Cree Research, Inc. Double heterojunction light emitting diode with gallium nitride active layer
US5766987A (en) * 1995-09-22 1998-06-16 Tessera, Inc. Microelectronic encapsulation methods and equipment
DE19536438A1 (de) * 1995-09-29 1997-04-03 Siemens Ag Halbleiterbauelement und Herstellverfahren
US6002177A (en) * 1995-12-27 1999-12-14 International Business Machines Corporation High density integrated circuit packaging with chip stacking and via interconnections
JP2947156B2 (ja) * 1996-02-29 1999-09-13 双葉電子工業株式会社 蛍光体の製造方法
US6001671A (en) 1996-04-18 1999-12-14 Tessera, Inc. Methods for manufacturing a semiconductor package having a sacrificial layer
US5803579A (en) * 1996-06-13 1998-09-08 Gentex Corporation Illuminator assembly incorporating light emitting diodes
KR20050053798A (ko) 1996-06-26 2005-06-08 오스람 게젤샤프트 미트 베쉬랭크터 하프퉁 발광 변환 소자를 포함하는 발광 반도체 소자
DE19638667C2 (de) 1996-09-20 2001-05-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
TW383508B (en) 1996-07-29 2000-03-01 Nichia Kagaku Kogyo Kk Light emitting device and display
US5833903A (en) 1996-12-10 1998-11-10 Great American Gumball Corporation Injection molding encapsulation for an electronic device directly onto a substrate
US6583444B2 (en) 1997-02-18 2003-06-24 Tessera, Inc. Semiconductor packages having light-sensitive chips
JP3351706B2 (ja) * 1997-05-14 2002-12-03 株式会社東芝 半導体装置およびその製造方法
US5813753A (en) * 1997-05-27 1998-09-29 Philips Electronics North America Corporation UV/blue led-phosphor device with efficient conversion of UV/blues light to visible light
FR2764111A1 (fr) * 1997-06-03 1998-12-04 Sgs Thomson Microelectronics Procede de fabrication de boitiers semi-conducteurs comprenant un circuit integre
JP3920461B2 (ja) 1998-06-15 2007-05-30 大日本印刷株式会社 レンズおよびその製造方法
US6201262B1 (en) * 1997-10-07 2001-03-13 Cree, Inc. Group III nitride photonic devices on silicon carbide substrates with conductive buffer interlay structure
TW408497B (en) * 1997-11-25 2000-10-11 Matsushita Electric Works Ltd LED illuminating apparatus
US6252254B1 (en) 1998-02-06 2001-06-26 General Electric Company Light emitting device with phosphor composition
US6329224B1 (en) 1998-04-28 2001-12-11 Tessera, Inc. Encapsulation of microelectronic assemblies
US6213376B1 (en) * 1998-06-17 2001-04-10 International Business Machines Corp. Stacked chip process carrier
US5959316A (en) 1998-09-01 1999-09-28 Hewlett-Packard Company Multiple encapsulation of phosphor-LED devices
US6404125B1 (en) 1998-10-21 2002-06-11 Sarnoff Corporation Method and apparatus for performing wavelength-conversion using phosphors with light emitting diodes
US6184465B1 (en) * 1998-11-12 2001-02-06 Micron Technology, Inc. Semiconductor package
US6429583B1 (en) * 1998-11-30 2002-08-06 General Electric Company Light emitting device with ba2mgsi2o7:eu2+, ba2sio4:eu2+, or (srxcay ba1-x-y)(a1zga1-z)2sr:eu2+phosphors
US6271059B1 (en) * 1999-01-04 2001-08-07 International Business Machines Corporation Chip interconnection structure using stub terminals
US6461895B1 (en) * 1999-01-05 2002-10-08 Intel Corporation Process for making active interposer for high performance packaging applications
US6229216B1 (en) * 1999-01-11 2001-05-08 Intel Corporation Silicon interposer and multi-chip-module (MCM) with through substrate vias
JP4256968B2 (ja) 1999-01-14 2009-04-22 スタンレー電気株式会社 発光ダイオードの製造方法
DE19918370B4 (de) 1999-04-22 2006-06-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh LED-Weißlichtquelle mit Linse
EP1059668A3 (en) 1999-06-09 2007-07-18 Sanyo Electric Co., Ltd. Hybrid integrated circuit device
US6243272B1 (en) * 1999-06-18 2001-06-05 Intel Corporation Method and apparatus for interconnecting multiple devices on a circuit board
JP3675234B2 (ja) 1999-06-28 2005-07-27 豊田合成株式会社 半導体発光素子の製造方法
US6696703B2 (en) 1999-09-27 2004-02-24 Lumileds Lighting U.S., Llc Thin film phosphor-converted light emitting diode device
US6338813B1 (en) 1999-10-15 2002-01-15 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Molding method for BGA semiconductor chip package
KR20010044907A (ko) 1999-11-01 2001-06-05 김순택 저전압 구동용 고휘도 형광체막 및 그 제조 방법
DE19964252A1 (de) 1999-12-30 2002-06-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Oberflächenmontierbares Bauelement für eine LED-Weißlichtquelle
DE10010638A1 (de) 2000-03-03 2001-09-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines lichtabstrahlenden Halbleiterkörpers mit Lumineszenzkonversionselement
US6793371B2 (en) * 2000-03-09 2004-09-21 Mongo Light Co. Inc. LED lamp assembly
US6522065B1 (en) 2000-03-27 2003-02-18 General Electric Company Single phosphor for creating white light with high luminosity and high CRI in a UV led device
US7121925B2 (en) 2000-03-31 2006-10-17 Toyoda Gosei Co., Ltd. Method for dicing semiconductor wafer into chips
US6653765B1 (en) * 2000-04-17 2003-11-25 General Electric Company Uniform angular light distribution from LEDs
WO2001082384A1 (de) 2000-04-26 2001-11-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsmittierendes halbleiterbauelement und herstellungsverfahren
US6501100B1 (en) 2000-05-15 2002-12-31 General Electric Company White light emitting phosphor blend for LED devices
US6621211B1 (en) 2000-05-15 2003-09-16 General Electric Company White light emitting phosphor blends for LED devices
GB0013394D0 (en) 2000-06-01 2000-07-26 Microemissive Displays Ltd A method of creating a color optoelectronic device
JP2002009097A (ja) 2000-06-22 2002-01-11 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体装置とその製造方法
DE10033502A1 (de) * 2000-07-10 2002-01-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Modul, Verfahren zu dessen Herstellung und dessen Verwendung
JP2002050799A (ja) 2000-08-04 2002-02-15 Stanley Electric Co Ltd Ｌｅｄランプおよびその製造方法
US6614103B1 (en) 2000-09-01 2003-09-02 General Electric Company Plastic packaging of LED arrays
US6355501B1 (en) * 2000-09-21 2002-03-12 International Business Machines Corporation Three-dimensional chip stacking assembly
JP3466144B2 (ja) * 2000-09-22 2003-11-10 士郎 酒井 半導体の表面を荒くする方法
US6650044B1 (en) 2000-10-13 2003-11-18 Lumileds Lighting U.S., Llc Stenciling phosphor layers on light emitting diodes
DE10051242A1 (de) * 2000-10-17 2002-04-25 Philips Corp Intellectual Pty Lichtemittierende Vorrichtung mit beschichtetem Leuchtstoff
AU2002235132A1 (en) * 2000-11-16 2002-05-27 Emcore Corporation Led packages having improved light extraction
JP3614776B2 (ja) 2000-12-19 2005-01-26 シャープ株式会社 チップ部品型ｌｅｄとその製造方法
JP5110744B2 (ja) 2000-12-21 2012-12-26 フィリップス ルミレッズ ライティング カンパニー リミテッド ライアビリティ カンパニー 発光装置及びその製造方法
US6734571B2 (en) 2001-01-23 2004-05-11 Micron Technology, Inc. Semiconductor assembly encapsulation mold
US6891200B2 (en) 2001-01-25 2005-05-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Light-emitting unit, light-emitting unit assembly, and lighting apparatus produced using a plurality of light-emitting units
US6791119B2 (en) 2001-02-01 2004-09-14 Cree, Inc. Light emitting diodes including modifications for light extraction
KR100364635B1 (ko) * 2001-02-09 2002-12-16 삼성전자 주식회사 칩-레벨에 형성된 칩 선택용 패드를 포함하는 칩-레벨3차원 멀티-칩 패키지 및 그 제조 방법
WO2002089221A1 (en) * 2001-04-23 2002-11-07 Matsushita Electric Works, Ltd. Light emitting device comprising led chip
IE20020300A1 (en) 2001-04-23 2003-03-19 Plasma Ireland Ltd An Illuminator
US6958497B2 (en) 2001-05-30 2005-10-25 Cree, Inc. Group III nitride based light emitting diode structures with a quantum well and superlattice, group III nitride based quantum well structures and group III nitride based superlattice structures
US6642652B2 (en) 2001-06-11 2003-11-04 Lumileds Lighting U.S., Llc Phosphor-converted light emitting device
US6576488B2 (en) 2001-06-11 2003-06-10 Lumileds Lighting U.S., Llc Using electrophoresis to produce a conformally coated phosphor-converted light emitting semiconductor
DE10131698A1 (de) 2001-06-29 2003-01-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Oberflächenmontierbares strahlungsemittierendes Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
TW511303B (en) * 2001-08-21 2002-11-21 Wen-Jr He A light mixing layer and method
JPWO2003021668A1 (ja) 2001-08-31 2004-12-24 日立化成工業株式会社 配線基板、半導体装置及びそれらの製造方法
TW595012B (en) * 2001-09-03 2004-06-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd Semiconductor light-emitting device, light-emitting apparatus and manufacturing method of semiconductor light-emitting device
US6759266B1 (en) 2001-09-04 2004-07-06 Amkor Technology, Inc. Quick sealing glass-lidded package fabrication method
TW517356B (en) 2001-10-09 2003-01-11 Delta Optoelectronics Inc Package structure of display device and its packaging method
US6531328B1 (en) * 2001-10-11 2003-03-11 Solidlite Corporation Packaging of light-emitting diode
JP4055405B2 (ja) 2001-12-03 2008-03-05 ソニー株式会社 電子部品及びその製造方法
TW518775B (en) 2002-01-29 2003-01-21 Chi-Hsing Hsu Immersion cooling type light emitting diode and its packaging method
JP4269709B2 (ja) 2002-02-19 2009-05-27 日亜化学工業株式会社 発光装置およびその製造方法
US6924514B2 (en) 2002-02-19 2005-08-02 Nichia Corporation Light-emitting device and process for producing thereof
JP3801931B2 (ja) 2002-03-05 2006-07-26 ローム株式会社 Ｌｅｄチップを使用した発光装置の構造及び製造方法
US6949389B2 (en) 2002-05-02 2005-09-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Encapsulation for organic light emitting diodes devices
US6841802B2 (en) 2002-06-26 2005-01-11 Oriol, Inc. Thin film light emitting diode
KR101030068B1 (ko) 2002-07-08 2011-04-19 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 질화물 반도체 소자의 제조방법 및 질화물 반도체 소자
DE10237084A1 (de) 2002-08-05 2004-02-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen eines elektrischen Leiterrahmens und Verfahren zum Herstellen eines oberflächenmontierbaren Halbleiterbauelements
JP2004083653A (ja) * 2002-08-23 2004-03-18 Sharp Corp 発光装置ならびに蛍光体およびその製造方法
US20040038442A1 (en) 2002-08-26 2004-02-26 Kinsman Larry D. Optically interactive device packages and methods of assembly
EP1892764B1 (en) 2002-08-29 2016-03-09 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light-emitting device having light-emitting diodes
US7078737B2 (en) 2002-09-02 2006-07-18 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Light-emitting device
US7264378B2 (en) 2002-09-04 2007-09-04 Cree, Inc. Power surface mount light emitting die package
ATE543221T1 (de) 2002-09-19 2012-02-15 Cree Inc Leuchtstoffbeschichtete leuchtdioden mit verjüngten seitenwänden und herstellungsverfahren dafür
DE10258193B4 (de) 2002-12-12 2014-04-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen von Leuchtdioden-Lichtquellen mit Lumineszenz-Konversionselement
JP4303550B2 (ja) 2003-09-30 2009-07-29 豊田合成株式会社 発光装置
US6921929B2 (en) 2003-06-27 2005-07-26 Lockheed Martin Corporation Light-emitting diode (LED) with amorphous fluoropolymer encapsulant and lens
US7200009B2 (en) 2003-07-01 2007-04-03 Nokia Corporation Integrated electromechanical arrangement and method of production
DE102004063978B4 (de) * 2003-07-17 2019-01-24 Toyoda Gosei Co., Ltd. Lichtemittierende Vorrichtung
US7183587B2 (en) 2003-09-09 2007-02-27 Cree, Inc. Solid metal block mounting substrates for semiconductor light emitting devices
US7029935B2 (en) 2003-09-09 2006-04-18 Cree, Inc. Transmissive optical elements including transparent plastic shell having a phosphor dispersed therein, and methods of fabricating same
US6972438B2 (en) * 2003-09-30 2005-12-06 Cree, Inc. Light emitting diode with porous SiC substrate and method for fabricating
US20050082562A1 (en) * 2003-10-15 2005-04-21 Epistar Corporation High efficiency nitride based light emitting device
KR100587328B1 (ko) 2003-10-16 2006-06-08 엘지전자 주식회사 Ｌｅｄ 면광원
KR100807209B1 (ko) 2004-02-18 2008-03-03 쇼와 덴코 가부시키가이샤 형광체, 그 제조방법 및 그 형광체를 사용한 발광장치
US7569863B2 (en) 2004-02-19 2009-08-04 Panasonic Corporation Semiconductor light emitting device
US7250715B2 (en) 2004-02-23 2007-07-31 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Wavelength converted semiconductor light emitting devices
JP2005251875A (ja) * 2004-03-02 2005-09-15 Toshiba Corp 半導体発光装置
US20050211991A1 (en) * 2004-03-26 2005-09-29 Kyocera Corporation Light-emitting apparatus and illuminating apparatus
US7517728B2 (en) 2004-03-31 2009-04-14 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices including a luminescent conversion element
US20050280894A1 (en) 2004-04-02 2005-12-22 David Hartkop Apparatus for creating a scanning-column backlight in a scanning aperture display device
US7868343B2 (en) 2004-04-06 2011-01-11 Cree, Inc. Light-emitting devices having multiple encapsulation layers with at least one of the encapsulation layers including nanoparticles and methods of forming the same
US7514867B2 (en) * 2004-04-19 2009-04-07 Panasonic Corporation LED lamp provided with optical diffusion layer having increased thickness and method of manufacturing thereof
JP2007535149A (ja) * 2004-04-23 2007-11-29 ライト プレスクリプションズ イノベーターズ エルエルシー 発光ダイオード用光学マニホールド
CA2567611A1 (en) 2004-05-28 2005-12-08 Tir Systems Ltd. Luminance enhancement apparatus and method
US7534633B2 (en) 2004-07-02 2009-05-19 Cree, Inc. LED with substrate modifications for enhanced light extraction and method of making same
US7217583B2 (en) 2004-09-21 2007-05-15 Cree, Inc. Methods of coating semiconductor light emitting elements by evaporating solvent from a suspension
US7372198B2 (en) 2004-09-23 2008-05-13 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices including patternable films comprising transparent silicone and phosphor
DE102004060358A1 (de) 2004-09-30 2006-04-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen von Lumineszenzdiodenchips und Lumineszenzdiodenchip
US8134292B2 (en) 2004-10-29 2012-03-13 Ledengin, Inc. Light emitting device with a thermal insulating and refractive index matching material
US7195944B2 (en) 2005-01-11 2007-03-27 Semileds Corporation Systems and methods for producing white-light emitting diodes
US7221044B2 (en) 2005-01-21 2007-05-22 Ac Led Lighting, L.L.C. Heterogeneous integrated high voltage DC/AC light emitter
JP2006278567A (ja) * 2005-03-28 2006-10-12 Matsushita Electric Works Ltd Ｌｅｄユニット
JP2006278751A (ja) * 2005-03-29 2006-10-12 Mitsubishi Cable Ind Ltd ＧａＮ系半導体発光素子
KR101047683B1 (ko) 2005-05-17 2011-07-08 엘지이노텍 주식회사 와이어 본딩이 불필요한 발광소자 패키징 방법
KR100638819B1 (ko) 2005-05-19 2006-10-27 삼성전기주식회사 광추출효율이 개선된 수직구조 질화물 반도체 발광소자
US20070001182A1 (en) 2005-06-30 2007-01-04 3M Innovative Properties Company Structured phosphor tape article
KR100665219B1 (ko) * 2005-07-14 2007-01-09 삼성전기주식회사 파장변환형 발광다이오드 패키지
JP4552798B2 (ja) * 2005-07-26 2010-09-29 パナソニック電工株式会社 Ｌｅｄ照明装置
JP4778745B2 (ja) * 2005-07-27 2011-09-21 パナソニック株式会社 半導体発光装置及びその製造方法
TWI271883B (en) 2005-08-04 2007-01-21 Jung-Chieh Su Light-emitting devices with high extraction efficiency
US7365371B2 (en) * 2005-08-04 2008-04-29 Cree, Inc. Packages for semiconductor light emitting devices utilizing dispensed encapsulants
US8563339B2 (en) 2005-08-25 2013-10-22 Cree, Inc. System for and method for closed loop electrophoretic deposition of phosphor materials on semiconductor devices
US7847302B2 (en) 2005-08-26 2010-12-07 Koninklijke Philips Electronics, N.V. Blue LED with phosphor layer for producing white light and different phosphor in outer lens for reducing color temperature
JP2007116131A (ja) 2005-09-21 2007-05-10 Sanyo Electric Co Ltd Ｌｅｄ発光装置
US7344952B2 (en) 2005-10-28 2008-03-18 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Laminating encapsulant film containing phosphor over LEDs
US7511771B2 (en) * 2005-10-31 2009-03-31 Symbol Technologies, Inc. Color image projection system and method
KR100723247B1 (ko) 2006-01-10 2007-05-29 삼성전기주식회사 칩코팅형 ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법
US20070215998A1 (en) 2006-03-20 2007-09-20 Chi Lin Technology Co., Ltd. LED package structure and method for manufacturing the same
TWI308401B (en) 2006-07-04 2009-04-01 Epistar Corp High efficient phosphor-converted light emitting diode
JP5178714B2 (ja) 2006-07-06 2013-04-10 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 照明装置パッケージ
US8704254B2 (en) * 2006-12-22 2014-04-22 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Light emitting device including a filter
JP2008166782A (ja) * 2006-12-26 2008-07-17 Seoul Semiconductor Co Ltd 発光素子
US9024349B2 (en) 2007-01-22 2015-05-05 Cree, Inc. Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
WO2009003176A1 (en) * 2007-06-27 2008-12-31 The Regents Of The University Of California Optical designs for high-efficacy white-light emitting diodes
TWI419355B (zh) * 2007-09-21 2013-12-11 Nat Univ Chung Hsing 高光取出率的發光二極體晶片及其製造方法
US20100283074A1 (en) * 2007-10-08 2010-11-11 Kelley Tommie W Light emitting diode with bonded semiconductor wavelength converter
US9634191B2 (en) * 2007-11-14 2017-04-25 Cree, Inc. Wire bond free wafer level LED

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1886827A (zh) * 2003-12-09 2006-12-27 加利福尼亚大学董事会 经表面粗化的高效氮化镓基发光二极管
CN1761079A (zh) * 2004-08-31 2006-04-19 丰田合成株式会社 光发射装置和光发射元件
DE102005062514A1 (de) * 2005-09-28 2007-03-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement

Also Published As

Publication number Publication date
US20090236621A1 (en) 2009-09-24
US8637883B2 (en) 2014-01-28
EP2266148A1 (en) 2010-12-29
JP2011515851A (ja) 2011-05-19
WO2009117067A1 (en) 2009-09-24
KR20100129766A (ko) 2010-12-09
CN102037577A (zh) 2011-04-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102037577B (zh) Led装置中的低折射率间隔层
US10833227B2 (en) Optical cavity including a light emitting device and wavelength converting material
US8957439B2 (en) LED assembly
US8969899B2 (en) Method for forming a light conversion material
US7810956B2 (en) Light source including reflective wavelength-converting layer
EP2113949B1 (en) Encapsulation for phosphor-converted white light emitting diode
US7663152B2 (en) Illumination device including wavelength converting element side holding heat sink
JP5676599B2 (ja) 散乱粒子領域を有するｌｅｄパッケージ
US9601670B2 (en) Method to form primary optic with variable shapes and/or geometries without a substrate
EP2332188B1 (en) Method of controlling the angular non-uniformity of a light-emitting diode
EP1512181A2 (en) Semiconductor emitter comprising a saturated phosphor
US8242684B2 (en) LED wavelength-converting plate with microlenses
US10283681B2 (en) Phosphor-converted light emitting device
KR101144754B1 (ko) 백색 발광장치 및 이의 제조방법
WO2011058497A2 (en) Led assembly
WO2013144798A1 (en) Optical cavity including a light emitting device and wavelength converting material
US20230402573A1 (en) Coated phosphor particle, light emitting device including a coated phosphor particle, and method of making a coated phosphor particle
EP4275235A1 (en) Lateral light collection and wavelength conversion for a light-emitting device

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20221206

Address after: North Carolina

Patentee after: Kerui led Co.

Address before: North Carolina

Patentee before: CREE, Inc.