WO2018159883A1 - 컨벡스 칩 스케일 패키지 및 그의 제조 방법 - Google Patents

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WO2018159883A1
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fluorescent layer
light emitting
convex
phosphor
silicon
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민재식
이재엽
장재영
조병구
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(주)라이타이저코리아
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Definitions

  • the present invention relates to a convex chip scale package and a method for manufacturing the same, and more particularly, by forming a semi-ellipse convex portion of silicon on an upper surface of a three-dimensional fluorescent layer for converting blue light into white light, thereby effectively improving light efficiency due to the convex lens effect.
  • the present invention relates to a convex chip scale package capable of increasing the directivity angle while increasing the manufacturing angle thereof.
  • the light emitting diode applied to the above-described chip scale package (blue) is emitted from the side and the top surface, and in order to convert the emitted blue light to white light, the fluorescent layer must be disposed on the side and the top surface of the light emitting diode.
  • the present invention has been made to solve the problems of the prior art, an object of the present invention by forming a semi-ellipse convex portion of silicon on the upper surface of the three-dimensional fluorescent layer for converting blue light to white light, due to the convex lens effect light efficiency It is to provide a convex chip scale package that can increase the direct angle while increasing the effective.
  • Another object of the present invention is to provide a method for manufacturing a convex chip scale package which can effectively manufacture the above-described convex chip scale package.
  • a convex chip scale package is a light emitting diode that provides blue light from side and top surfaces, and is disposed to surround the side and top surfaces of the light emitting diodes and to provide a side surface of the light emitting diode.
  • a three-dimensional fluorescent layer converting blue light emitted from the upper surface into white light and a semi-ellipse convex portion having a central convex shape on the upper surface of the three-dimensional fluorescent layer, wherein the three-dimensional fluorescent layer is formed of a phosphor, and the convex portion is formed of silicon.
  • the thickness of the side surfaces of the three-dimensional fluorescent layer may be uniformly formed, and the plane viewed from above the convex part may have a circular shape.
  • a convex chip scale package is a light emitting diode that provides blue light from side and top surfaces, and is arranged to surround the side and top surfaces of the light emitting diodes and to provide a side surface of the light emitting diode.
  • a three-dimensional fluorescent layer converting blue light emitted from the upper surface into white light and a semi-ellipse convex portion having a central convex shape on the upper surface of the three-dimensional fluorescent layer, wherein the three-dimensional fluorescent layer is formed of a phosphor, and the convex portion is formed of silicon.
  • the thickness of the side surface of the three-dimensional fluorescent layer is formed thinner than the upper side, the plane viewed from above the convex portion may have a circular shape.
  • a convex chip scale package is a light emitting diode providing blue light at side and top surfaces thereof, and is disposed to surround the side and top surfaces of the light emitting diodes.
  • a three-dimensional fluorescent layer converting blue light emitted from the upper surface into white light and a semi-ellipse convex portion having a central convex shape on the upper surface of the three-dimensional fluorescent layer, wherein the three-dimensional fluorescent layer is formed of a phosphor, and the convex portion is formed of silicon.
  • the thickness of the side surface of the three-dimensional fluorescent layer may be formed thicker than the lower side, and the plane viewed from above the convex portion may have a circular shape.
  • a convex chip scale package is a light emitting diode that provides blue light from side and top surfaces, and is disposed to surround the side and top surfaces of the light emitting diodes and to provide a side surface of the light emitting diode.
  • a three-dimensional fluorescent layer converting blue light emitted from the upper surface into white light and a semi-ellipse convex portion having a central convex shape on the upper surface of the three-dimensional fluorescent layer, wherein the three-dimensional fluorescent layer is formed of a phosphor, and the convex portion is formed of silicon.
  • the thickness of the side surfaces of the three-dimensional fluorescent layer may be uniformly formed, and the plane viewed from above the convex portion may have a rectangular shape.
  • a convex chip scale package is a light emitting diode that provides blue light from side and top surfaces, and is disposed to surround the side and top surfaces of the light emitting diodes and the side surfaces of the light emitting diodes.
  • a three-dimensional fluorescent layer converting blue light emitted from the upper surface into white light and a semi-ellipse convex portion having a central convex shape on the upper surface of the three-dimensional fluorescent layer, wherein the three-dimensional fluorescent layer is formed of a phosphor, and the convex portion is formed of silicon.
  • the thickness of the side surface of the three-dimensional fluorescent layer may be formed thinner than the upper side, and the plane viewed from above the convex portion may have a rectangular shape.
  • a convex chip scale package is a light emitting diode that provides blue light from side and top surfaces, and is disposed to surround the side and top surfaces of the light emitting diodes and to provide a side surface of the light emitting diode.
  • a three-dimensional fluorescent layer converting blue light emitted from the upper surface into white light and a semi-ellipse convex portion having a central convex shape on the upper surface of the three-dimensional fluorescent layer, wherein the three-dimensional fluorescent layer is formed of a phosphor, and the convex portion is formed of silicon.
  • the thickness of the side surface of the three-dimensional fluorescent layer may be formed thicker than the lower side, and the plane viewed from above the convex portion may have a rectangular shape.
  • the manufacturing method of the convex chip scale package according to the first embodiment of the present invention comprises arranging a light emitting diode on the substrate, the light emitting diode providing blue light on the side and the top surface, the side and the top surface of the light emitting diode.
  • the viscosity of the mixed liquid of the phosphor and silicon, and forming is 2,000 ⁇ 20,000cps, and the side thickness of the three-dimensional phosphor layer is uniformly formed, the planar views from above the convex portion may be a circular shape.
  • a method of manufacturing a convex chip scale package includes arranging a light emitting diode on a substrate, the light emitting diode providing blue light on a side and a top surface, and the side and top surface of the light emitting diode.
  • the viscosity of the mixture of the phosphor and silicon is 2,000 ⁇ 20,000cps
  • the thickness of the side of the three-dimensional fluorescent layer is formed thinner than the upper side of the upper side
  • the plan view of the convex portion from above is circular Can be.
  • a method of manufacturing a convex chip scale package includes arranging a light emitting diode on a substrate, the light emitting diode providing blue light on a side and a top surface, and the side and top surface of the light emitting diode.
  • the viscosity of the mixture of the phosphor and silicon is 2,000 ⁇ 20,000cps
  • the thickness of the side of the three-dimensional fluorescent layer is formed thicker than the upper side
  • the plan view from above the convex portion is circular Can be.
  • a manufacturing method of a convex chip scale package includes arranging a light emitting diode on a substrate, the light emitting diode providing blue light on a side and a top surface thereof, the side and top surface of the light emitting diode.
  • the viscosity of the mixed liquid of the phosphor and silicon, and forming is 2,000 ⁇ 20,000cps, and the side thickness of the three-dimensional phosphor layer is uniformly formed, the planar views from above the convex portion may be a rectangular shape.
  • a manufacturing method of a convex chip scale package comprises arranging a light emitting diode on a substrate, the light emitting diode providing blue light on a side and a top surface, and the side and top surface of the light emitting diode.
  • the viscosity of the mixture of the phosphor and silicon is 2,000 ⁇ 20,000cps
  • the thickness of the side of the three-dimensional fluorescent layer is formed thinner than the upper side of the lower side
  • the plan view of the convex portion from above is rectangular shape Can be.
  • a manufacturing method of a convex chip scale package includes arranging a light emitting diode on a substrate, the light emitting diode providing blue light on a side and a top surface thereof, the side and top surface of the light emitting diode.
  • the viscosity of the mixture of the phosphor and silicon is 2,000 ⁇ 20,000cps
  • the thickness of the side of the three-dimensional fluorescent layer is formed thicker than the upper side
  • the plan view from above the convex portion is rectangular shape Can be.
  • Convex chip scale package by forming a semi-ellipse convex portion of silicon on the upper surface of the three-dimensional fluorescent layer for converting blue light to white light, thereby increasing the directivity angle while effectively increasing the light efficiency due to the convex lens effect Can be.
  • the manufacturing method of the convex chip scale package according to the embodiments of the present invention can effectively manufacture the above-described convex chip scale package.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view of a convex chip scale package in accordance with embodiments of the present invention.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of a convex chip scale package in accordance with other embodiments of the present invention.
  • FIG 3 is a cross-sectional view of a convex chip scale package according to another embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is a plan view of a convex chip scale package according to embodiments of the present invention.
  • FIG. 5 is a plan view of a convex chip scale package according to other embodiments of the invention.
  • 6A-6F are cross-sectional views of each step of a method for manufacturing a convex chip scale package according to an embodiment of the present invention.
  • the convex chip scale package includes a light emitting diode 1200 providing blue light at side and top surfaces, and surrounding the side and top surfaces of the light emitting diode 1200. It includes a three-dimensional fluorescent layer 1100 for converting the blue light emitted from the side and the upper surface of the light emitting diode 1200 to white light and a semi-elliptic convex portion 1300 having a central convex on the upper surface of the three-dimensional fluorescent layer 1100. Can be configured.
  • the three-dimensional fluorescent layer 1100 is formed of a phosphor
  • the convex portion 1300 is formed of silicon
  • the thickness of the side of the three-dimensional fluorescent layer 1100 is formed uniformly.
  • plan view of the convex part 1310 from above is circular, as shown in FIG. 4.
  • the three-dimensional fluorescent layer 2100 of the convex chip scale package according to the second embodiment of the present invention has a thickness of a side surface of the three-dimensional fluorescent layer 2100 thinner than a lower side thereof.
  • the convex chip scale package according to the second embodiment of the present invention is formed such that a slope exists on the side of the three-dimensional fluorescent layer 2100, so that the directivity angle of the light emitting diode 2200 can be effectively increased.
  • the three-dimensional fluorescent layer 3100 of the convex chip scale package according to the third exemplary embodiment of the present invention has a thickness of a side of the three-dimensional fluorescent layer 3100 thicker than the lower side thereof.
  • the convex chip scale package according to the third embodiment of the present invention is formed such that a slope exists on the side of the 3D fluorescent layer 3100, so that the directivity angle of the light emitting diode 3200 may be effectively increased.
  • the convex chip scale package includes a light emitting diode 1200 that provides blue light from side and top surfaces, and surrounds the side and top surfaces of the light emitting diode 1200. It includes a three-dimensional fluorescent layer 1100 for converting the blue light emitted from the side and the upper surface of the light emitting diode 1200 to white light and a semi-elliptic convex portion 1300 having a central convex on the upper surface of the three-dimensional fluorescent layer 1100. Can be configured.
  • the three-dimensional fluorescent layer 1100 is formed of a phosphor
  • the convex portion 1300 is formed of silicon
  • the thickness of the side of the three-dimensional fluorescent layer 1100 is formed uniformly.
  • the plan view of the convex portion 1320 viewed from above as shown in FIG.
  • the plane viewed from above the convex part 1320 is formed in a square shape.
  • the convex part 1320 is moved from above. The viewed plane is formed into a rectangular shape.
  • the three-dimensional fluorescent layer 2100 of the convex chip scale package according to the fifth exemplary embodiment of the present invention has a thickness of a side of the three-dimensional fluorescent layer 2100 thinner than an upper side thereof.
  • a slope is formed on the side surface of the 3D fluorescent layer 2100, so that the directivity angle of the light emitting diode 2200 may be effectively increased.
  • the three-dimensional fluorescent layer 3100 of the convex chip scale package according to the sixth exemplary embodiment of the present invention has a thicker side of the three-dimensional fluorescent layer 3100 than an upper side thereof.
  • the convex chip scale package according to the sixth embodiment of the present invention is formed such that a slope exists on the side of the three-dimensional fluorescent layer 3100, so that the directivity angle of the light emitting diode 3200 can be effectively increased.
  • light emitting diodes 1201, 1202, and 1203 for providing blue light from side and top surfaces are arranged on the substrate 100. do.
  • a mixture solution 1101, 1102, 1103 of phosphor and silicon is injected into the mold 200.
  • the viscosity of the mixture of the phosphor and silicon (1101, 1102, 1103) is 2,000 ⁇ 20,000cps.
  • the mold frame 200 into which the mixed solution 1101, 1102, and 1103 are injected is turned over, and coupled to the substrate 100 on which the light emitting diodes 1201, 1202, and 1203 are disposed.
  • the mixed solution 1101, 1102, and 1103 are separated into phosphor and silicon by the difference in density in the mold 200. Specifically, when the mixed solution (1101, 1102, 1103) is placed in the mold 200 for 0.5 hours to 2 hours, the phosphor having a relatively high density is the light emitting diode 1201, Moving to the side or top surface of 1202 and 1203, the silicon having a relatively low density moves over the phosphor.
  • a baking process is performed while the mixed solution 1101, 1102, and 1103 are separated from the phosphor and silicon to form the three-dimensional phosphor layers 1111, 1112, and 1113 using the phosphor.
  • the mold frame 200 is removed.
  • the thicknesses of the side surfaces of the three-dimensional fluorescent layers 1111, 1112, and 1113 are uniformly formed, as shown in FIG. 1.
  • the plane viewed from above the convex portion 1311, 1312, 1313 is formed in a circular shape, as shown in FIG.
  • the manufacturing method of the convex chip scale package according to the second embodiment of the present invention will be described a difference from the manufacturing method of the convex chip scale package according to the first embodiment of the present invention.
  • the thickness of the side surface of the three-dimensional fluorescent layer 2100 is thinner than the lower side thereof. .
  • the manufacturing method of the convex chip scale package according to the third embodiment of the present invention will be described a difference from the manufacturing method of the convex chip scale package according to the first embodiment of the present invention.
  • the three-dimensional fluorescent layer 3100 of the method for manufacturing a convex chip scale package according to the third exemplary embodiment of the present invention has a thickness of a side surface of the three-dimensional fluorescent layer 3100 thicker than an upper side thereof. .
  • the manufacturing method of the convex chip scale package according to the fourth embodiment of the present invention will be described a difference from the manufacturing method of the convex chip scale package according to the first embodiment of the present invention.
  • the plan view of the convex portion 1320 of the method for manufacturing a convex chip scale package according to the fourth embodiment of the present invention is formed in a quadrangular shape, as shown in FIG. 5.
  • a thickness of a side surface of the three-dimensional fluorescent layer 2100 is thinner than an upper side thereof.
  • the three-dimensional fluorescent layer 3100 of the method for manufacturing a convex chip scale package according to the sixth embodiment of the present invention has a thickness of a side surface of the three-dimensional fluorescent layer 3100 thicker than the lower side thereof. .

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Abstract

본 발명은 측면과 상면에서 청색광을 제공하는 발광 다이오드, 상기 발광 다이오드의 측면과 상면을 둘러싸며 배치되어 상기 발광 다이오드의 측면과 상면에서 발광되는 청색광을 백색광으로 변환시키는 삼차원 형광층 및 상기 삼차원 형광층의 상면에 중앙이 볼록한 반타원 형상의 컨벡스부를 포함하며, 상기 삼차원 형광층은 형광체로 형성되고, 상기 컨벡스부는 실리콘으로 형성되며, 상기 삼차원 형광층의 측면의 두께는 균일하게 형성되고, 상기 컨벡스부를 위에서 바라다본 평면은 원 형상일 수 있는 컨벡스 칩 스케일 패키지를 제공한다.

Description

컨벡스 칩 스케일 패키지 및 그의 제조 방법
본 발명은 컨벡스 칩 스케일 패키지 및 그의 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 청색광을 백색광으로 변환시키는 삼차원 형광층의 상면에 실리콘으로 반타원 형상의 컨벡스부를 형성함으로써, 볼록렌즈 효과로 인하여 광효율을 효과적으로 증가시키면서도 지향각을 증대될 수 있는 컨벡스 칩 스케일 패키지 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.
요즘 GaN에 Al 또는 In을 첨가한 발광 다이오드는 종래의 백열등에 비해 긴 수명, 낮은 전력 소비, 우수한 밝기, 인체에 유해하지 않은 환경 친화적 요소 등으로 인하여 주목받고 있으며, 특히 칩 스케일 패키지(Chip Scale Package)를 채용하여 백색광을 제공하는 발광 다이오드 칩이 더욱 더 각광받고 있다.
상술한 칩 스케일 패키지(Chip Scale Package)에 적용된 발광 다이오드는 측면과 상면에서 청색이 발광되며, 발광된 청색광을 백색광을 변환하기 위해서는 발광 다이오드의 측면과 상면에 형광층을 배치시켜야만 한다.
종래의 칩 스케일 패키지는 다수의 발광 다이오드를 일정한 간격으로 배열하고 그 위에 전체적으로 형광체와 실리콘 혼합액을 코팅한 후에 경화시킨다. 고체화된 형광체와 실리콘을 래핑(Lapping) 공정으로 평탄화하여 형광층의 두께를 조절하고 칩과 칩사이를 소잉(Sawing) 공정으로 잘라낸다. 상술한 소잉 공정을 수행하는 경우에 톱날과 형광층의 마찰로 인하여 열이 발행하므로, 이를 억제하기 위하여 수분을 뿌리며 공정을 진행하고 있다. 이러한 수분으로 인하여 칩 스케일 패키지의 형광층은 광효율이 감소되는 문제점이 있었고, 형광층과 실리콘의 경도 차이로 인하여 형광층의 입자가 밖으로 튀어 나와서 칩 패키지 스케일의 표면에 굴곡이 형성되는 문제점이 있었다.
본 발명의 배경기술은 대한민국 공개특허공보 10-2008-0070193에 게시되어 있다.
따라서 본 발명은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 청색광을 백색광으로 변환시키는 삼차원 형광층의 상면에 실리콘으로 반타원 형상의 컨벡스부를 형성함으로써, 볼록렌즈 효과로 인하여 광효율을 효과적으로 증가시키면서도 지향각을 증대될 수 있는 컨벡스 칩 스케일 패키지를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 상술한 컨벡스 칩 스케일 패키지를 효과적으로 제조할 수 있는 컨벡스 칩 스케일 패키지의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명이 이루고자 하는 목적들은 이상에서 언급한 목적들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 제 1 실시예에 따른 컨벡스 칩 스케일 패키지는 측면과 상면에서 청색광을 제공하는 발광 다이오드, 상기 발광 다이오드의 측면과 상면을 둘러싸며 배치되어 상기 발광 다이오드의 측면과 상면에서 발광되는 청색광을 백색광으로 변환시키는 삼차원 형광층 및 상기 삼차원 형광층의 상면에 중앙이 볼록한 반타원 형상의 컨벡스부를 포함하며, 상기 삼차원 형광층은 형광체로 형성되고, 상기 컨벡스부는 실리콘으로 형성되며, 상기 삼차원 형광층의 측면의 두께는 균일하게 형성되고, 상기 컨벡스부를 위에서 바라다본 평면은 원 형상일 수 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 제 2 실시예에 따른 컨벡스 칩 스케일 패키지는 측면과 상면에서 청색광을 제공하는 발광 다이오드, 상기 발광 다이오드의 측면과 상면을 둘러싸며 배치되어 상기 발광 다이오드의 측면과 상면에서 발광되는 청색광을 백색광으로 변환시키는 삼차원 형광층 및 상기 삼차원 형광층의 상면에 중앙이 볼록한 반타원 형상의 컨벡스부를 포함하며, 상기 삼차원 형광층은 형광체로 형성되고, 상기 컨벡스부는 실리콘으로 형성되며, 상기 삼차원 형광층의 측면의 두께는 위쪽이 아래쪽보다 얇게 형성되고, 상기 컨벡스부를 위에서 바라다본 평면은 원 형상일 수 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 제 3 실시예에 따른 컨벡스 칩 스케일 패키지는 측면과 상면에서 청색광을 제공하는 발광 다이오드, 상기 발광 다이오드의 측면과 상면을 둘러싸며 배치되어 상기 발광 다이오드의 측면과 상면에서 발광되는 청색광을 백색광으로 변환시키는 삼차원 형광층 및 상기 삼차원 형광층의 상면에 중앙이 볼록한 반타원 형상의 컨벡스부를 포함하며, 상기 삼차원 형광층은 형광체로 형성되고, 상기 컨벡스부는 실리콘으로 형성되며, 상기 삼차원 형광층의 측면의 두께는 위쪽이 아래쪽보다 두껍게 형성되고, 상기 컨벡스부를 위에서 바라다본 평면은 원 형상일 수 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 제 4 실시예에 따른 컨벡스 칩 스케일 패키지는 측면과 상면에서 청색광을 제공하는 발광 다이오드, 상기 발광 다이오드의 측면과 상면을 둘러싸며 배치되어 상기 발광 다이오드의 측면과 상면에서 발광되는 청색광을 백색광으로 변환시키는 삼차원 형광층 및 상기 삼차원 형광층의 상면에 중앙이 볼록한 반타원 형상의 컨벡스부를 포함하며, 상기 삼차원 형광층은 형광체로 형성되고, 상기 컨벡스부는 실리콘으로 형성되며, 상기 삼차원 형광층의 측면의 두께는 균일하게 형성되고, 상기 컨벡스부를 위에서 바라다본 평면은 사각형 형상일 수 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 제 5 실시예에 따른 컨벡스 칩 스케일 패키지는 측면과 상면에서 청색광을 제공하는 발광 다이오드 , 상기 발광 다이오드의 측면과 상면을 둘러싸며 배치되어 상기 발광 다이오드의 측면과 상면에서 발광되는 청색광을 백색광으로 변환시키는 삼차원 형광층 및 상기 삼차원 형광층의 상면에 중앙이 볼록한 반타원 형상의 컨벡스부를 포함하며, 상기 삼차원 형광층은 형광체로 형성되고, 상기 컨벡스부는 실리콘으로 형성되며, 상기 삼차원 형광층의 측면의 두께는 위쪽이 아래쪽보다 얇게 형성되고, 상기 컨벡스부를 위에서 바라다본 평면은 사각형 형상일 수 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 제 6 실시예에 따른 컨벡스 칩 스케일 패키지는 측면과 상면에서 청색광을 제공하는 발광 다이오드, 상기 발광 다이오드의 측면과 상면을 둘러싸며 배치되어 상기 발광 다이오드의 측면과 상면에서 발광되는 청색광을 백색광으로 변환시키는 삼차원 형광층 및 상기 삼차원 형광층의 상면에 중앙이 볼록한 반타원 형상의 컨벡스부를 포함하며, 상기 삼차원 형광층은 형광체로 형성되고, 상기 컨벡스부는 실리콘으로 형성되며, 상기 삼차원 형광층의 측면의 두께는 위쪽이 아래쪽보다 두껍게 형성되고, 상기 컨벡스부를 위에서 바라다본 평면은 사각형 형상일 수 있다.
상기와 같은 다른 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 제 1 실시예에 따른 컨벡스 칩 스케일 패키지의 제조 방법은 측면과 상면에서 청색광을 제공하는 발광 다이오드를 기판 위에 배열하는 단계, 상기 발광 다이오드의 측면과 상면을 둘러싸며 배치될 삼차원 형광층의 금형틀을 준비하는 단계, 상기 금형틀 내에 형광체 및 실리콘의 혼합액을 주입하는 단계, 상기 혼합액이 주입된 금형틀을 상기 발광 다이오드가 배치된 기판에 결합하는 단계, 상기 금형틀 내에서 상기 혼합액을 밀도 차에 의해서 형광체와 실리콘으로 분리시키는 단계 및 상기 혼합액이 형광체와 실리콘으로 분리된 상태에서 베이킹 공정을 수행하여 상기 형광체로 상기 삼차원 형광층을 형성하고, 상기 삼차원 형광층의 상면에 상기 실리콘으로 중앙이 볼록한 반타원 형상의 컨벡스부를 형성하는 단계를 포함하며, 상기 형광체 및 실리콘의 혼합액의 점도는 2,000 ~ 20,000cps이고, 상기 삼차원 형광층의 측면의 두께는 균일하게 형성되며, 상기 컨벡스부를 위에서 바라다본 평면은 원 형상일 수 있다.
상기와 같은 다른 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 제 2 실시예에 따른 컨벡스 칩 스케일 패키지의 제조 방법은 측면과 상면에서 청색광을 제공하는 발광 다이오드를 기판 위에 배열하는 단계, 상기 발광 다이오드의 측면과 상면을 둘러싸며 배치될 삼차원 형광층의 금형틀을 준비하는 단계, 상기 금형틀 내에 형광체 및 실리콘의 혼합액을 주입하는 단계, 상기 혼합액이 주입된 금형틀을 상기 발광 다이오드가 배치된 기판에 결합하는 단계, 상기 금형틀 내에서 상기 혼합액을 밀도 차에 의해서 형광체와 실리콘으로 분리시키는 단계 및 상기 혼합액이 형광체와 실리콘으로 분리된 상태에서 베이킹 공정을 수행하여 상기 형광체로 상기 삼차원 형광층을 형성하고, 상기 삼차원 형광층의 상면에 상기 실리콘으로 중앙이 볼록한 반타원 형상의 컨벡스부를 형성하는 단계를 포함하며, 상기 형광체 및 실리콘의 혼합액의 점도는 2,000 ~ 20,000cps이고, 상기 삼차원 형광층의 측면의 두께는 위쪽이 아래쪽보다 얇게 형성되며, 상기 컨벡스부를 위에서 바라다본 평면은 원 형상일 수 있다.
상기와 같은 다른 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 제 3 실시예에 따른 컨벡스 칩 스케일 패키지의 제조 방법은 측면과 상면에서 청색광을 제공하는 발광 다이오드를 기판 위에 배열하는 단계, 상기 발광 다이오드의 측면과 상면을 둘러싸며 배치될 삼차원 형광층의 금형틀을 준비하는 단계, 상기 금형틀 내에 형광체 및 실리콘의 혼합액을 주입하는 단계, 상기 혼합액이 주입된 금형틀을 상기 발광 다이오드가 배치된 기판에 결합하는 단계, 상기 금형틀 내에서 상기 혼합액을 밀도 차에 의해서 형광체와 실리콘으로 분리시키는 단계 및 상기 혼합액이 형광체와 실리콘으로 분리된 상태에서 베이킹 공정을 수행하여 상기 형광체로 상기 삼차원 형광층을 형성하고, 상기 삼차원 형광층의 상면에 상기 실리콘으로 중앙이 볼록한 반타원 형상의 컨벡스부를 형성하는 단계를 포함하며, 상기 형광체 및 실리콘의 혼합액의 점도는 2,000 ~ 20,000cps이고, 상기 삼차원 형광층의 측면의 두께는 위쪽이 아래쪽보다 두껍게 형성되며, 상기 컨벡스부를 위에서 바라다본 평면은 원 형상인일 수 있다.
상기와 같은 다른 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 제 4 실시예에 따른 컨벡스 칩 스케일 패키지의 제조 방법은 측면과 상면에서 청색광을 제공하는 발광 다이오드를 기판 위에 배열하는 단계, 상기 발광 다이오드의 측면과 상면을 둘러싸며 배치될 삼차원 형광층의 금형틀을 준비하는 단계, 상기 금형틀 내에 형광체 및 실리콘의 혼합액을 주입하는 단계, 상기 혼합액이 주입된 금형틀을 상기 발광 다이오드가 배치된 기판에 결합하는 단계, 상기 금형틀 내에서 상기 혼합액을 밀도 차에 의해서 형광체와 실리콘으로 분리시키는 단계 및 상기 혼합액이 형광체와 실리콘으로 분리된 상태에서 베이킹 공정을 수행하여 상기 형광체로 상기 삼차원 형광층을 형성하고, 상기 삼차원 형광층의 상면에 상기 실리콘으로 중앙이 볼록한 반타원 형상의 컨벡스부를 형성하는 단계를 포함하며, 상기 형광체 및 실리콘의 혼합액의 점도는 2,000 ~ 20,000cps이고, 상기 삼차원 형광층의 측면의 두께는 균일하게 형성되며, 상기 컨벡스부를 위에서 바라다본 평면은 사각형 형상일 수 있다.
상기와 같은 다른 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 제 5 실시예에 따른 컨벡스 칩 스케일 패키지의 제조 방법은 측면과 상면에서 청색광을 제공하는 발광 다이오드를 기판 위에 배열하는 단계, 상기 발광 다이오드의 측면과 상면을 둘러싸며 배치될 삼차원 형광층의 금형틀을 준비하는 단계, 상기 금형틀 내에 형광체 및 실리콘의 혼합액을 주입하는 단계, 상기 혼합액이 주입된 금형틀을 상기 발광 다이오드가 배치된 기판에 결합하는 단계, 상기 금형틀 내에서 상기 혼합액을 밀도 차에 의해서 형광체와 실리콘으로 분리시키는 단계 및 상기 혼합액이 형광체와 실리콘으로 분리된 상태에서 베이킹 공정을 수행하여 상기 형광체로 상기 삼차원 형광층을 형성하고, 상기 삼차원 형광층의 상면에 상기 실리콘으로 중앙이 볼록한 반타원 형상의 컨벡스부를 형성하는 단계를 포함하며, 상기 형광체 및 실리콘의 혼합액의 점도는 2,000 ~ 20,000cps이고, 상기 삼차원 형광층의 측면의 두께는 위쪽이 아래쪽보다 얇게 형성되며, 상기 컨벡스부를 위에서 바라다본 평면은 사각형 형상일 수 있다.
상기와 같은 다른 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 제 6 실시예에 따른 컨벡스 칩 스케일 패키지의 제조 방법은 측면과 상면에서 청색광을 제공하는 발광 다이오드를 기판 위에 배열하는 단계, 상기 발광 다이오드의 측면과 상면을 둘러싸며 배치될 삼차원 형광층의 금형틀을 준비하는 단계, 상기 금형틀 내에 형광체 및 실리콘의 혼합액을 주입하는 단계, 상기 혼합액이 주입된 금형틀을 상기 발광 다이오드가 배치된 기판에 결합하는 단계, 상기 금형틀 내에서 상기 혼합액을 밀도 차에 의해서 형광체와 실리콘으로 분리시키는 단계 및 상기 혼합액이 형광체와 실리콘으로 분리된 상태에서 베이킹 공정을 수행하여 상기 형광체로 상기 삼차원 형광층을 형성하고, 상기 삼차원 형광층의 상면에 상기 실리콘으로 중앙이 볼록한 반타원 형상의 컨벡스부를 형성하는 단계를 포함하며, 상기 형광체 및 실리콘의 혼합액의 점도는 2,000 ~ 20,000cps이고, 상기 삼차원 형광층의 측면의 두께는 위쪽이 아래쪽보다 두껍게 형성되며, 상기 컨벡스부를 위에서 바라다본 평면은 사각형 형상일 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 컨벡스 칩 스케일 패키지는 청색광을 백색광으로 변환시키는 삼차원 형광층의 상면에 실리콘으로 반타원 형상의 컨벡스부를 형성함으로써, 볼록렌즈 효과로 인하여 광효율을 효과적으로 증가시키면서도 지향각을 증대될 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 컨벡스 칩 스케일 패키지의 제조 방법은 상술한 컨벡스 칩 스케일 패키지를 효과적으로 제조할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 컨벡스 칩 스케일 패키지의 단면도.
도 2는 본 발명의 다른 실시예들에 따른 컨벡스 칩 스케일 패키지의 단면도.
도 3은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 컨벡스 칩 스케일 패키지의 단면도.
도 4는 본 발명의 실시예들에 따른 컨벡스 칩 스케일 패키지의 평면도.
도 5는 본 발명의 다른 실시예들에 따른 컨벡스 칩 스케일 패키지의 평면도.
도 6a 내지 도 6f는 본 발명의 실시예에 따른 컨벡스 칩 스케일 패키지의 제조 방법의 각 단계별 단면도.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명하기로 한다.
본 발명의 제 1 실시예에 따른 컨벡스 칩 스케일 패키지는 도 1에 도시된 것처럼, 측면과 상면에서 청색광을 제공하는 발광 다이오드(1200), 상기 발광 다이오드(1200)의 측면과 상면을 둘러싸며 배치되어 상기 발광 다이오드(1200)의 측면과 상면에서 발광되는 청색광을 백색광으로 변환시키는 삼차원 형광층(1100) 및 상기 삼차원 형광층(1100)의 상면에 중앙이 볼록한 반타원 형상의 컨벡스부(1300)를 포함하여 구성될 수 있다.
여기에서, 상기 삼차원 형광층(1100)은 형광체로 형성되고, 상기 컨벡스부(1300)는 실리콘으로 형성되며, 상기 삼차원 형광층(1100)의 측면의 두께는 균일하게 형성된다.
한편, 상기 컨벡스부(1310)를 위에서 바라다본 평면은 도 4에 도시된 것처럼, 원 형상이다.
이하에서는, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 컨벡스 칩 스케일 패키지에 대해서 본 발명의 제 1 실시예에 따른 컨벡스 칩 스케일 패키지와의 차이점을 설명한다.
본 발명의 제 2 실시예에 따른 컨벡스 칩 스케일 패키지의 삼차원 형광층(2100)은 도 2에 도시된 것처럼, 상기 삼차원 형광층(2100)의 측면의 두께는 위쪽이 아래쪽보다 얇게 형성된다.
본 발명의 제 2 실시예에 따른 컨벡스 칩 스케일 패키지는 삼차원 형광층(2100)의 측면에 슬로프(slope)가 존재하도록 형성함으로써, 발광 다이오드(2200)의 지향각이 효과적으로 증가될 수 있다.
이하에서는, 본 발명의 제 3 실시예에 따른 컨벡스 칩 스케일 패키지에 대해서 본 발명의 제 1 실시예에 따른 컨벡스 칩 스케일 패키지와의 차이점을 설명한다.
본 발명의 제 3 실시예에 따른 컨벡스 칩 스케일 패키지의 삼차원 형광층(3100)은 도 3에 도시된 것처럼, 상기 삼차원 형광층(3100)의 측면의 두께는 위쪽이 아래쪽보다 두껍게 형성된다.
본 발명의 제 3 실시예에 따른 컨벡스 칩 스케일 패키지는 삼차원 형광층(3100)의 측면에 슬로프(slope)가 존재하도록 형성함으로써, 발광 다이오드(3200)의 지향각이 효과적으로 증가될 수 있다.
본 발명의 제 4 실시예에 따른 컨벡스 칩 스케일 패키지는 도 1에 도시된 것처럼, 측면과 상면에서 청색광을 제공하는 발광 다이오드(1200), 상기 발광 다이오드(1200)의 측면과 상면을 둘러싸며 배치되어 상기 발광 다이오드(1200)의 측면과 상면에서 발광되는 청색광을 백색광으로 변환시키는 삼차원 형광층(1100) 및 상기 삼차원 형광층(1100)의 상면에 중앙이 볼록한 반타원 형상의 컨벡스부(1300)를 포함하여 구성될 수 있다.
여기에서, 상기 삼차원 형광층(1100)은 형광체로 형성되고, 상기 컨벡스부(1300)는 실리콘으로 형성되며, 상기 삼차원 형광층(1100)의 측면의 두께는 균일하게 형성된다.
한편, 상기 컨벡스부(1320)를 위에서 바라다본 평면은 도 5에 도시된 것처럼, 사각형 형상이다. 상기 발광 다이오드(1200)가 정사각형 형상인 경우에는 상기 컨벡스부(1320)를 위에서 바라다본 평면은 정사각형 형상으로 형성되며, 상기 발광 다이오드(1200)가 직사각형 형상인 경우에는 상기 컨벡스부(1320)를 위에서 바라다본 평면은 직사각형 형상으로 형성된다.
이하에서는, 본 발명의 제 5 실시예에 따른 컨벡스 칩 스케일 패키지에 대해서 본 발명의 제 4 실시예에 따른 컨벡스 칩 스케일 패키지와의 차이점을 설명한다.
본 발명의 제 5 실시예에 따른 컨벡스 칩 스케일 패키지의 삼차원 형광층(2100)은 도 2에 도시된 것처럼, 상기 삼차원 형광층(2100)의 측면의 두께는 위쪽이 아래쪽보다 얇게 형성된다.
본 발명의 제 5 실시예에 따른 컨벡스 칩 스케일 패키지는 삼차원 형광층(2100)의 측면에 슬로프(slope)가 존재하도록 형성함으로써, 발광 다이오드(2200)의 지향각이 효과적으로 증가될 수 있다.
이하에서는, 본 발명의 제 6 실시예에 따른 컨벡스 칩 스케일 패키지에 대해서 본 발명의 제 4 실시예에 따른 컨벡스 칩 스케일 패키지와의 차이점을 설명한다.
본 발명의 제 6 실시예에 따른 컨벡스 칩 스케일 패키지의 삼차원 형광층(3100)은 도 3에 도시된 것처럼, 상기 삼차원 형광층(3100)의 측면의 두께는 위쪽이 아래쪽보다 두껍게 형성된다.
본 발명의 제 6 실시예에 따른 컨벡스 칩 스케일 패키지는 삼차원 형광층(3100)의 측면에 슬로프(slope)가 존재하도록 형성함으로써, 발광 다이오드(3200)의 지향각이 효과적으로 증가될 수 있다.
본 발명의 제 1 실시예에 따른 컨벡스 칩 스케일 패키지의 제조 방법은 먼저, 도 6a에 도시된 것처럼, 측면과 상면에서 청색광을 제공하는 발광 다이오드(1201, 1202, 1203)를 기판(100) 위에 배열한다.
다음으로, 도 6b에 도시된 것처럼, 상기 발광 다이오드(1201, 1202, 1203)의 측면과 상면을 둘러싸며 배치될 삼차원 형광층의 금형틀(200)을 준비한다.
다음으로, 도 6 c에 도시된 것처럼, 상기 금형틀(200) 내에 형광체 및 실리콘의 혼합액(1101, 1102, 1103)을 주입한다. 여기에서, 상기 형형광체 및 실리콘의 혼합액(1101, 1102, 1103)의 점도는 2,000 ~ 20,000cps이다.
다음으로, 도 6d에 도시된 것처럼, 상기 혼합액(1101, 1102, 1103)이 주입된 금형틀(200)을 뒤집어 상기 발광 다이오드(1201, 1202, 1203)가 배치된 기판(100)에 결합한다.
다음으로, 도 6e에 도시된 것처럼, 상기 금형틀(200) 내에서 상기 혼합액(1101, 1102, 1103)을 밀도 차에 의해서 형광체와 실리콘으로 분리시킨다. 구체적으로, 상기 혼합액(1101, 1102, 1103)을 상기 금형틀(200) 내에 0.5 시간 ~ 2 시간 동안 놓아두면, 밀도가 상대적으로 큰 형광체는 상기 금형틀(200) 내에서 상기 발광 다이오드(1201, 1202, 1203)의 측면이나 상면으로 이동하며, 밀도가 상대적으로 작은 실리콘은 형광체 위로 이동하게 된다.
다음으로, 도 6f에 도시된 것처럼, 상기 혼합액(1101, 1102, 1103)이 형광체와 실리콘으로 분리된 상태에서 베이킹 공정을 수행하여 상기 형광체로 상기 삼차원 형광층(1111, 1112, 1113)을 형성하고, 상기 삼차원 형광층(1111, 1112, 1113)의 상면에 상기 실리콘으로 중앙이 볼록한 반타원 형상의 컨벡스부(1311, 1312, 1313)를 형성한 후에, 상기 금형틀(200)을 제거한다.
여기에서, 상기 삼차원 형광층(1111, 1112, 1113)의 측면의 두께는 도 1에 도시된 것처럼, 균일하게 형성된다.
한편, 컨벡스부(1311, 1312, 1313)를 위에서 바라다본 평면은 도 4에 도시된 것처럼, 원 형상으로 형성된다.
이하에서는, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 컨벡스 칩 스케일 패키지의 제조 방법에 대해서 본 발명의 제 1 실시예에 따른 컨벡스 칩 스케일 패키지의 제조 방법과의 차이점을 설명한다.
본 발명의 제 2 실시예에 따른 컨벡스 칩 스케일 패키지의 제조 방법의 삼차원 형광층(2100)은 도 2에 도시된 것처럼, 상기 삼차원 형광층(2100)의 측면의 두께는 위쪽이 아래쪽보다 얇게 형성된다.
이하에서는, 본 발명의 제 3 실시예에 따른 컨벡스 칩 스케일 패키지의 제조 방법에 대해서 본 발명의 제 1 실시예에 따른 컨벡스 칩 스케일 패키지의 제조 방법과의 차이점을 설명한다.
본 발명의 제 3 실시예에 따른 컨벡스 칩 스케일 패키지의 제조 방법의 삼차원 형광층(3100)은 도 3에 도시된 것처럼, 상기 삼차원 형광층(3100)의 측면의 두께는 위쪽이 아래쪽보다 두껍게 형성된다.
이하에서는, 본 발명의 제 4 실시예에 따른 컨벡스 칩 스케일 패키지의 제조 방법에 대해서 본 발명의 제 1 실시예에 따른 컨벡스 칩 스케일 패키지의 제조 방법과의 차이점을 설명한다.
본 발명의 제 4 실시예에 따른 컨벡스 칩 스케일 패키지의 제조 방법의 상기 컨벡스부(1320)를 위에서 바라다본 평면은 도 5에 도시된 것처럼, 사각형 형상으로 형성된다.
이하에서는, 본 발명의 제 5 실시예에 따른 컨벡스 칩 스케일 패키지의 제조 방법에 대해서 본 발명의 제 4 실시예에 따른 컨벡스 칩 스케일 패키지의 제조 방법과의 차이점을 설명한다.
본 발명의 제 5 실시예에 따른 컨벡스 칩 스케일 패키지의 제조 방법의 삼차원 형광층(2100)은 상기 삼차원 형광층(2100)의 측면의 두께는 위쪽이 아래쪽보다 얇게 형성된다.
이하에서는, 본 발명의 제 6 실시예에 따른 컨벡스 칩 스케일 패키지의 제조 방법에 대해서 본 발명의 제 4 실시예에 따른 컨벡스 칩 스케일 패키지의 제조 방법과의 차이점을 설명한다.
본 발명의 제 6 실시예에 따른 컨벡스 칩 스케일 패키지의 제조 방법의 삼차원 형광층(3100)은 도 3에 도시된 것처럼, 상기 삼차원 형광층(3100)의 측면의 두께는 위쪽이 아래쪽보다 두껍게 형성된다.
이상, 본 발명을 본 발명의 원리를 예시하기 위한 바람직한 실시예와 관련하여 설명하고 도시하였지만, 본 발명은 그와 같이 도시되고 설명된 그대로의 구성 및 작용으로 한정되는 것이 아니다.
오히려, 첨부된 청구범위의 사상 및 범주를 일탈함이 없이 본 발명에 대한 다수의 변경 및 수정이 가능함을 당업자들은 잘 이해할 수 있을 것이다.
따라서, 그러한 모든 적절한 변경 및 수정과 균등물들도 본 발명의 범위에 속하는 것으로 간주되어야 할 것이다.

Claims (12)

  1. 측면과 상면에서 청색광을 제공하는 발광 다이오드;
    상기 발광 다이오드의 측면과 상면을 둘러싸며 배치되어 상기 발광 다이오드의 측면과 상면에서 발광되는 청색광을 백색광으로 변환시키는 삼차원 형광층; 및
    상기 삼차원 형광층의 상면에 중앙이 볼록한 반타원 형상의 컨벡스부를 포함하며,
    상기 삼차원 형광층은 형광체로 형성되고,
    상기 컨벡스부는 실리콘으로 형성되며,
    상기 삼차원 형광층의 측면의 두께는 균일하게 형성되고,
    상기 컨벡스부를 위에서 바라다본 평면은 원 형상인 컨벡스 칩 스케일 패키지.
  2. 측면과 상면에서 청색광을 제공하는 발광 다이오드;
    상기 발광 다이오드의 측면과 상면을 둘러싸며 배치되어 상기 발광 다이오드의 측면과 상면에서 발광되는 청색광을 백색광으로 변환시키는 삼차원 형광층; 및
    상기 삼차원 형광층의 상면에 중앙이 볼록한 반타원 형상의 컨벡스부를 포함하며,
    상기 삼차원 형광층은 형광체로 형성되고,
    상기 컨벡스부는 실리콘으로 형성되며,
    상기 삼차원 형광층의 측면의 두께는 위쪽이 아래쪽보다 얇게 형성되고,
    상기 컨벡스부를 위에서 바라다본 평면은 원 형상인 컨벡스 칩 스케일 패키지.
  3. 측면과 상면에서 청색광을 제공하는 발광 다이오드;
    상기 발광 다이오드의 측면과 상면을 둘러싸며 배치되어 상기 발광 다이오드의 측면과 상면에서 발광되는 청색광을 백색광으로 변환시키는 삼차원 형광층; 및
    상기 삼차원 형광층의 상면에 중앙이 볼록한 반타원 형상의 컨벡스부를 포함하며,
    상기 삼차원 형광층은 형광체로 형성되고,
    상기 컨벡스부는 실리콘으로 형성되며,
    상기 삼차원 형광층의 측면의 두께는 위쪽이 아래쪽보다 두껍게 형성되고,
    상기 컨벡스부를 위에서 바라다본 평면은 원 형상인 컨벡스 칩 스케일 패키지.
  4. 측면과 상면에서 청색광을 제공하는 발광 다이오드;
    상기 발광 다이오드의 측면과 상면을 둘러싸며 배치되어 상기 발광 다이오드의 측면과 상면에서 발광되는 청색광을 백색광으로 변환시키는 삼차원 형광층; 및
    상기 삼차원 형광층의 상면에 중앙이 볼록한 반타원 형상의 컨벡스부를 포함하며,
    상기 삼차원 형광층은 형광체로 형성되고,
    상기 컨벡스부는 실리콘으로 형성되며,
    상기 삼차원 형광층의 측면의 두께는 균일하게 형성되고,
    상기 컨벡스부를 위에서 바라다본 평면은 사각형 형상인 컨벡스 칩 스케일 패키지.
  5. 측면과 상면에서 청색광을 제공하는 발광 다이오드;
    상기 발광 다이오드의 측면과 상면을 둘러싸며 배치되어 상기 발광 다이오드의 측면과 상면에서 발광되는 청색광을 백색광으로 변환시키는 삼차원 형광층; 및
    상기 삼차원 형광층의 상면에 중앙이 볼록한 반타원 형상의 컨벡스부를 포함하며,
    상기 삼차원 형광층은 형광체로 형성되고,
    상기 컨벡스부는 실리콘으로 형성되며,
    상기 삼차원 형광층의 측면의 두께는 위쪽이 아래쪽보다 얇게 형성되고,
    상기 컨벡스부를 위에서 바라다본 평면은 사각형 형상인 컨벡스 칩 스케일 패키지.
  6. 측면과 상면에서 청색광을 제공하는 발광 다이오드;
    상기 발광 다이오드의 측면과 상면을 둘러싸며 배치되어 상기 발광 다이오드의 측면과 상면에서 발광되는 청색광을 백색광으로 변환시키는 삼차원 형광층; 및
    상기 삼차원 형광층의 상면에 중앙이 볼록한 반타원 형상의 컨벡스부를 포함하며,
    상기 삼차원 형광층은 형광체로 형성되고,
    상기 컨벡스부는 실리콘으로 형성되며,
    상기 삼차원 형광층의 측면의 두께는 위쪽이 아래쪽보다 두껍게 형성되고,
    상기 컨벡스부를 위에서 바라다본 평면은 사각형 형상인 컨벡스 칩 스케일 패키지.
  7. 측면과 상면에서 청색광을 제공하는 발광 다이오드를 기판 위에 배열하는 단계;
    상기 발광 다이오드의 측면과 상면을 둘러싸며 배치될 삼차원 형광층의 금형틀을 준비하는 단계;
    상기 금형틀 내에 형광체 및 실리콘의 혼합액을 주입하는 단계;
    상기 혼합액이 주입된 금형틀을 상기 발광 다이오드가 배치된 기판에 결합하는 단계;
    상기 금형틀 내에서 상기 혼합액을 밀도 차에 의해서 형광체와 실리콘으로 분리시키는 단계; 및
    상기 혼합액이 형광체와 실리콘으로 분리된 상태에서 베이킹 공정을 수행하여 상기 형광체로 상기 삼차원 형광층을 형성하고, 상기 삼차원 형광층의 상면에 상기 실리콘으로 중앙이 볼록한 반타원 형상의 컨벡스부를 형성하는 단계를 포함하며,
    상기 형광체 및 실리콘의 혼합액의 점도는 2,000 ~ 20,000cps이고,
    상기 삼차원 형광층의 측면의 두께는 균일하게 형성되며,
    상기 컨벡스부를 위에서 바라다본 평면은 원 형상인 컨벡스 칩 스케일 패키지의 제조 방법.
  8. 측면과 상면에서 청색광을 제공하는 발광 다이오드를 기판 위에 배열하는 단계;
    상기 발광 다이오드의 측면과 상면을 둘러싸며 배치될 삼차원 형광층의 금형틀을 준비하는 단계;
    상기 금형틀 내에 형광체 및 실리콘의 혼합액을 주입하는 단계;
    상기 혼합액이 주입된 금형틀을 상기 발광 다이오드가 배치된 기판에 결합하는 단계;
    상기 금형틀 내에서 상기 혼합액을 밀도 차에 의해서 형광체와 실리콘으로 분리시키는 단계; 및
    상기 혼합액이 형광체와 실리콘으로 분리된 상태에서 베이킹 공정을 수행하여 상기 형광체로 상기 삼차원 형광층을 형성하고, 상기 삼차원 형광층의 상면에 상기 실리콘으로 중앙이 볼록한 반타원 형상의 컨벡스부를 형성하는 단계를 포함하며,
    상기 형광체 및 실리콘의 혼합액의 점도는 2,000 ~ 20,000cps이고,
    상기 삼차원 형광층의 측면의 두께는 위쪽이 아래쪽보다 얇게 형성되며,
    상기 컨벡스부를 위에서 바라다본 평면은 원 형상인 컨벡스 칩 스케일 패키지의 제조 방법.
  9. 측면과 상면에서 청색광을 제공하는 발광 다이오드를 기판 위에 배열하는 단계;
    상기 발광 다이오드의 측면과 상면을 둘러싸며 배치될 삼차원 형광층의 금형틀을 준비하는 단계;
    상기 금형틀 내에 형광체 및 실리콘의 혼합액을 주입하는 단계;
    상기 혼합액이 주입된 금형틀을 상기 발광 다이오드가 배치된 기판에 결합하는 단계;
    상기 금형틀 내에서 상기 혼합액을 밀도 차에 의해서 형광체와 실리콘으로 분리시키는 단계; 및
    상기 혼합액이 형광체와 실리콘으로 분리된 상태에서 베이킹 공정을 수행하여 상기 형광체로 상기 삼차원 형광층을 형성하고, 상기 삼차원 형광층의 상면에 상기 실리콘으로 중앙이 볼록한 반타원 형상의 컨벡스부를 형성하는 단계를 포함하며,
    상기 형광체 및 실리콘의 혼합액의 점도는 2,000 ~ 20,000cps이고,
    상기 삼차원 형광층의 측면의 두께는 위쪽이 아래쪽보다 두껍게 형성되며,
    상기 컨벡스부를 위에서 바라다본 평면은 원 형상인 컨벡스 칩 스케일 패키지의 제조 방법.
  10. 측면과 상면에서 청색광을 제공하는 발광 다이오드를 기판 위에 배열하는 단계;
    상기 발광 다이오드의 측면과 상면을 둘러싸며 배치될 삼차원 형광층의 금형틀을 준비하는 단계;
    상기 금형틀 내에 형광체 및 실리콘의 혼합액을 주입하는 단계;
    상기 혼합액이 주입된 금형틀을 상기 발광 다이오드가 배치된 기판에 결합하는 단계;
    상기 금형틀 내에서 상기 혼합액을 밀도 차에 의해서 형광체와 실리콘으로 분리시키는 단계; 및
    상기 혼합액이 형광체와 실리콘으로 분리된 상태에서 베이킹 공정을 수행하여 상기 형광체로 상기 삼차원 형광층을 형성하고, 상기 삼차원 형광층의 상면에 상기 실리콘으로 중앙이 볼록한 반타원 형상의 컨벡스부를 형성하는 단계를 포함하며,
    상기 형광체 및 실리콘의 혼합액의 점도는 2,000 ~ 20,000cps이고,
    상기 삼차원 형광층의 측면의 두께는 균일하게 형성되며,
    상기 컨벡스부를 위에서 바라다본 평면은 사각형 형상인 컨벡스 칩 스케일 패키지의 제조 방법.
  11. 측면과 상면에서 청색광을 제공하는 발광 다이오드를 기판 위에 배열하는 단계;
    상기 발광 다이오드의 측면과 상면을 둘러싸며 배치될 삼차원 형광층의 금형틀을 준비하는 단계;
    상기 금형틀 내에 형광체 및 실리콘의 혼합액을 주입하는 단계;
    상기 혼합액이 주입된 금형틀을 상기 발광 다이오드가 배치된 기판에 결합하는 단계;
    상기 금형틀 내에서 상기 혼합액을 밀도 차에 의해서 형광체와 실리콘으로 분리시키는 단계; 및
    상기 혼합액이 형광체와 실리콘으로 분리된 상태에서 베이킹 공정을 수행하여 상기 형광체로 상기 삼차원 형광층을 형성하고, 상기 삼차원 형광층의 상면에 상기 실리콘으로 중앙이 볼록한 반타원 형상의 컨벡스부를 형성하는 단계를 포함하며,
    상기 형광체 및 실리콘의 혼합액의 점도는 2,000 ~ 20,000cps이고,
    상기 삼차원 형광층의 측면의 두께는 위쪽이 아래쪽보다 얇게 형성되며,
    상기 컨벡스부를 위에서 바라다본 평면은 사각형 형상인 컨벡스 칩 스케일 패키지의 제조 방법.
  12. 측면과 상면에서 청색광을 제공하는 발광 다이오드를 기판 위에 배열하는 단계;
    상기 발광 다이오드의 측면과 상면을 둘러싸며 배치될 삼차원 형광층의 금형틀을 준비하는 단계;
    상기 금형틀 내에 형광체 및 실리콘의 혼합액을 주입하는 단계;
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    상기 컨벡스부를 위에서 바라다본 평면은 사각형 형상인 컨벡스 칩 스케일 패키지의 제조 방법.
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