KR20180101288A - 컨벡스 칩 스케일 패키지 및 그의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 측면과 상면에서 청색광을 제공하는 발광 다이오드, 상기 발광 다이오드의 측면과 상면을 둘러싸며 배치되어 상기 발광 다이오드의 측면과 상면에서 발광되는 청색광을 백색광으로 변환시키는 삼차원 형광층 및 상기 삼차원 형광층의 상면에 중앙이 볼록한 반타원 형상의 컨벡스부를 포함하며, 상기 삼차원 형광층은 형광체로 형성되고, 상기 컨벡스부는 실리콘으로 형성되며, 상기 삼차원 형광층의 측면의 두께는 균일하게 형성되고, 상기 컨벡스부를 위에서 바라다본 평면은 원 형상일 수 있는 컨벡스 칩 스케일 패키지를 제공한다.
Description
본 발명은 컨벡스 칩 스케일 패키지 및 그의 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 청색광을 백색광으로 변환시키는 삼차원 형광층의 상면에 실리콘으로 반타원 형상의 컨벡스부를 형성함으로써, 볼록렌즈 효과로 인하여 광효율을 효과적으로 증가시키면서도 지향각을 증대될 수 있는 컨벡스 칩 스케일 패키지 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.
요즘 GaN에 Al 또는 In을 첨가한 발광 다이오드는 종래의 백열등에 비해 긴 수명, 낮은 전력 소비, 우수한 밝기, 인체에 유해하지 않은 환경 친화적 요소 등으로 인하여 주목받고 있으며, 특히 칩 스케일 패키지(Chip Scale Package)를 채용하여 백색광을 제공하는 발광 다이오드 칩이 더욱 더 각광받고 있다.
상술한 칩 스케일 패키지(Chip Scale Package)에 적용된 발광 다이오드는 측면과 상면에서 청색이 발광되며, 발광된 청색광을 백색광을 변환하기 위해서는 발광 다이오드의 측면과 상면에 형광층을 배치시켜야만 한다.
종래의 칩 스케일 패키지는 다수의 발광 다이오드를 일정한 간격으로 배열하고 그 위에 전체적으로 형광체와 실리콘 혼합액을 코팅한 후에 경화시킨다. 고체화된 형광체와 실리콘을 래핑(Lapping) 공정으로 평탄화하여 형광층의 두께를 조절하고 칩과 칩사이를 소잉(Sawing) 공정으로 잘라낸다. 상술한 소잉 공정을 수행하는 경우에 톱날과 형광층의 마찰로 인하여 열이 발행하므로, 이를 억제하기 위하여 수분을 뿌리며 공정을 진행하고 있다. 이러한 수분으로 인하여 칩 스케일 패키지의 형광층은 광효율이 감소되는 문제점이 있었고, 형광층과 실리콘의 경도 차이로 인하여 형광층의 입자가 밖으로 튀어 나와서 칩 패키지 스케일의 표면에 굴곡이 형성되는 문제점이 있었다.
본 발명의 배경기술은 대한민국 공개특허공보 10-2008-0070193에 게시되어 있다.
따라서 본 발명은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 청색광을 백색광으로 변환시키는 삼차원 형광층의 상면에 실리콘으로 반타원 형상의 컨벡스부를 형성함으로써, 볼록렌즈 효과로 인하여 광효율을 효과적으로 증가시키면서도 지향각을 증대될 수 있는 컨벡스 칩 스케일 패키지를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 상술한 컨벡스 칩 스케일 패키지를 효과적으로 제조할 수 있는 컨벡스 칩 스케일 패키지의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명이 이루고자 하는 목적들은 이상에서 언급한 목적들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 제 1 실시예에 따른 컨벡스 칩 스케일 패키지는 측면과 상면에서 청색광을 제공하는 발광 다이오드, 상기 발광 다이오드의 측면과 상면을 둘러싸며 배치되어 상기 발광 다이오드의 측면과 상면에서 발광되는 청색광을 백색광으로 변환시키는 삼차원 형광층 및 상기 삼차원 형광층의 상면에 중앙이 볼록한 반타원 형상의 컨벡스부를 포함하며, 상기 삼차원 형광층은 형광체로 형성되고, 상기 컨벡스부는 실리콘으로 형성되며, 상기 삼차원 형광층의 측면의 두께는 균일하게 형성되고, 상기 컨벡스부를 위에서 바라다본 평면은 원 형상일 수 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 제 2 실시예에 따른 컨벡스 칩 스케일 패키지는 측면과 상면에서 청색광을 제공하는 발광 다이오드, 상기 발광 다이오드의 측면과 상면을 둘러싸며 배치되어 상기 발광 다이오드의 측면과 상면에서 발광되는 청색광을 백색광으로 변환시키는 삼차원 형광층 및 상기 삼차원 형광층의 상면에 중앙이 볼록한 반타원 형상의 컨벡스부를 포함하며, 상기 삼차원 형광층은 형광체로 형성되고, 상기 컨벡스부는 실리콘으로 형성되며, 상기 삼차원 형광층의 측면의 두께는 위쪽이 아래쪽보다 얇게 형성되고, 상기 컨벡스부를 위에서 바라다본 평면은 원 형상일 수 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 제 3 실시예에 따른 컨벡스 칩 스케일 패키지는 측면과 상면에서 청색광을 제공하는 발광 다이오드, 상기 발광 다이오드의 측면과 상면을 둘러싸며 배치되어 상기 발광 다이오드의 측면과 상면에서 발광되는 청색광을 백색광으로 변환시키는 삼차원 형광층 및 상기 삼차원 형광층의 상면에 중앙이 볼록한 반타원 형상의 컨벡스부를 포함하며, 상기 삼차원 형광층은 형광체로 형성되고, 상기 컨벡스부는 실리콘으로 형성되며, 상기 삼차원 형광층의 측면의 두께는 위쪽이 아래쪽보다 두껍게 형성되고, 상기 컨벡스부를 위에서 바라다본 평면은 원 형상일 수 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 제 4 실시예에 따른 컨벡스 칩 스케일 패키지는 측면과 상면에서 청색광을 제공하는 발광 다이오드, 상기 발광 다이오드의 측면과 상면을 둘러싸며 배치되어 상기 발광 다이오드의 측면과 상면에서 발광되는 청색광을 백색광으로 변환시키는 삼차원 형광층 및 상기 삼차원 형광층의 상면에 중앙이 볼록한 반타원 형상의 컨벡스부를 포함하며, 상기 삼차원 형광층은 형광체로 형성되고, 상기 컨벡스부는 실리콘으로 형성되며, 상기 삼차원 형광층의 측면의 두께는 균일하게 형성되고, 상기 컨벡스부를 위에서 바라다본 평면은 사각형 형상일 수 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 제 5 실시예에 따른 컨벡스 칩 스케일 패키지는 측면과 상면에서 청색광을 제공하는 발광 다이오드 , 상기 발광 다이오드의 측면과 상면을 둘러싸며 배치되어 상기 발광 다이오드의 측면과 상면에서 발광되는 청색광을 백색광으로 변환시키는 삼차원 형광층 및 상기 삼차원 형광층의 상면에 중앙이 볼록한 반타원 형상의 컨벡스부를 포함하며, 상기 삼차원 형광층은 형광체로 형성되고, 상기 컨벡스부는 실리콘으로 형성되며, 상기 삼차원 형광층의 측면의 두께는 위쪽이 아래쪽보다 얇게 형성되고, 상기 컨벡스부를 위에서 바라다본 평면은 사각형 형상일 수 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 제 6 실시예에 따른 컨벡스 칩 스케일 패키지는 측면과 상면에서 청색광을 제공하는 발광 다이오드, 상기 발광 다이오드의 측면과 상면을 둘러싸며 배치되어 상기 발광 다이오드의 측면과 상면에서 발광되는 청색광을 백색광으로 변환시키는 삼차원 형광층 및 상기 삼차원 형광층의 상면에 중앙이 볼록한 반타원 형상의 컨벡스부를 포함하며, 상기 삼차원 형광층은 형광체로 형성되고, 상기 컨벡스부는 실리콘으로 형성되며, 상기 삼차원 형광층의 측면의 두께는 위쪽이 아래쪽보다 두껍게 형성되고, 상기 컨벡스부를 위에서 바라다본 평면은 사각형 형상일 수 있다.
상기와 같은 다른 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 제 1 실시예에 따른 컨벡스 칩 스케일 패키지의 제조 방법은 측면과 상면에서 청색광을 제공하는 발광 다이오드를 기판 위에 배열하는 단계, 상기 발광 다이오드의 측면과 상면을 둘러싸며 배치될 삼차원 형광층의 금형틀을 준비하는 단계, 상기 금형틀 내에 형광체 및 실리콘의 혼합액을 주입하는 단계, 상기 혼합액이 주입된 금형틀을 상기 발광 다이오드가 배치된 기판에 결합하는 단계, 상기 금형틀 내에서 상기 혼합액을 밀도 차에 의해서 형광체와 실리콘으로 분리시키는 단계 및 상기 혼합액이 형광체와 실리콘으로 분리된 상태에서 베이킹 공정을 수행하여 상기 형광체로 상기 삼차원 형광층을 형성하고, 상기 삼차원 형광층의 상면에 상기 실리콘으로 중앙이 볼록한 반타원 형상의 컨벡스부를 형성하는 단계를 포함하며, 상기 형광체 및 실리콘의 혼합액의 점도는 2,000 ~ 20,000cps이고, 상기 삼차원 형광층의 측면의 두께는 균일하게 형성되며, 상기 컨벡스부를 위에서 바라다본 평면은 원 형상일 수 있다.
상기와 같은 다른 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 제 2 실시예에 따른 컨벡스 칩 스케일 패키지의 제조 방법은 측면과 상면에서 청색광을 제공하는 발광 다이오드를 기판 위에 배열하는 단계, 상기 발광 다이오드의 측면과 상면을 둘러싸며 배치될 삼차원 형광층의 금형틀을 준비하는 단계, 상기 금형틀 내에 형광체 및 실리콘의 혼합액을 주입하는 단계, 상기 혼합액이 주입된 금형틀을 상기 발광 다이오드가 배치된 기판에 결합하는 단계, 상기 금형틀 내에서 상기 혼합액을 밀도 차에 의해서 형광체와 실리콘으로 분리시키는 단계 및 상기 혼합액이 형광체와 실리콘으로 분리된 상태에서 베이킹 공정을 수행하여 상기 형광체로 상기 삼차원 형광층을 형성하고, 상기 삼차원 형광층의 상면에 상기 실리콘으로 중앙이 볼록한 반타원 형상의 컨벡스부를 형성하는 단계를 포함하며, 상기 형광체 및 실리콘의 혼합액의 점도는 2,000 ~ 20,000cps이고, 상기 삼차원 형광층의 측면의 두께는 위쪽이 아래쪽보다 얇게 형성되며, 상기 컨벡스부를 위에서 바라다본 평면은 원 형상일 수 있다.
상기와 같은 다른 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 제 3 실시예에 따른 컨벡스 칩 스케일 패키지의 제조 방법은 측면과 상면에서 청색광을 제공하는 발광 다이오드를 기판 위에 배열하는 단계, 상기 발광 다이오드의 측면과 상면을 둘러싸며 배치될 삼차원 형광층의 금형틀을 준비하는 단계, 상기 금형틀 내에 형광체 및 실리콘의 혼합액을 주입하는 단계, 상기 혼합액이 주입된 금형틀을 상기 발광 다이오드가 배치된 기판에 결합하는 단계, 상기 금형틀 내에서 상기 혼합액을 밀도 차에 의해서 형광체와 실리콘으로 분리시키는 단계 및 상기 혼합액이 형광체와 실리콘으로 분리된 상태에서 베이킹 공정을 수행하여 상기 형광체로 상기 삼차원 형광층을 형성하고, 상기 삼차원 형광층의 상면에 상기 실리콘으로 중앙이 볼록한 반타원 형상의 컨벡스부를 형성하는 단계를 포함하며, 상기 형광체 및 실리콘의 혼합액의 점도는 2,000 ~ 20,000cps이고, 상기 삼차원 형광층의 측면의 두께는 위쪽이 아래쪽보다 두껍게 형성되며, 상기 컨벡스부를 위에서 바라다본 평면은 원 형상인일 수 있다.
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본 발명의 실시예들에 따른 컨벡스 칩 스케일 패키지는 청색광을 백색광으로 변환시키는 삼차원 형광층의 상면에 실리콘으로 반타원 형상의 컨벡스부를 형성함으로써, 볼록렌즈 효과로 인하여 광효율을 효과적으로 증가시키면서도 지향각을 증대될 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 컨벡스 칩 스케일 패키지의 제조 방법은 상술한 컨벡스 칩 스케일 패키지를 효과적으로 제조할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 컨벡스 칩 스케일 패키지의 단면도.
도 2는 본 발명의 다른 실시예들에 따른 컨벡스 칩 스케일 패키지의 단면도.
도 3은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 컨벡스 칩 스케일 패키지의 단면도.
도 4는 본 발명의 실시예들에 따른 컨벡스 칩 스케일 패키지의 평면도.
도 5는 본 발명의 다른 실시예들에 따른 컨벡스 칩 스케일 패키지의 평면도.
도 6a 내지 도 6f는 본 발명의 실시예에 따른 컨벡스 칩 스케일 패키지의 제조 방법의 각 단계별 단면도.
도 2는 본 발명의 다른 실시예들에 따른 컨벡스 칩 스케일 패키지의 단면도.
도 3은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 컨벡스 칩 스케일 패키지의 단면도.
도 4는 본 발명의 실시예들에 따른 컨벡스 칩 스케일 패키지의 평면도.
도 5는 본 발명의 다른 실시예들에 따른 컨벡스 칩 스케일 패키지의 평면도.
도 6a 내지 도 6f는 본 발명의 실시예에 따른 컨벡스 칩 스케일 패키지의 제조 방법의 각 단계별 단면도.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명하기로 한다.
본 발명의 제 1 실시예에 따른 컨벡스 칩 스케일 패키지는 도 1에 도시된 것처럼, 측면과 상면에서 청색광을 제공하는 발광 다이오드(1200), 상기 발광 다이오드(1200)의 측면과 상면을 둘러싸며 배치되어 상기 발광 다이오드(1200)의 측면과 상면에서 발광되는 청색광을 백색광으로 변환시키는 삼차원 형광층(1100) 및 상기 삼차원 형광층(1100)의 상면에 중앙이 볼록한 반타원 형상의 컨벡스부(1300)를 포함하여 구성될 수 있다.
여기에서, 상기 삼차원 형광층(1100)은 형광체로 형성되고, 상기 컨벡스부(1300)는 실리콘으로 형성되며, 상기 삼차원 형광층(1100)의 측면의 두께는 균일하게 형성된다.
한편, 상기 컨벡스부(1310)를 위에서 바라다본 평면은 도 4에 도시된 것처럼, 원 형상이다.
이하에서는, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 컨벡스 칩 스케일 패키지에 대해서 본 발명의 제 1 실시예에 따른 컨벡스 칩 스케일 패키지와의 차이점을 설명한다.
본 발명의 제 2 실시예에 따른 컨벡스 칩 스케일 패키지의 삼차원 형광층(2100)은 도 2에 도시된 것처럼, 상기 삼차원 형광층(2100)의 측면의 두께는 위쪽이 아래쪽보다 얇게 형성된다.
본 발명의 제 2 실시예에 따른 컨벡스 칩 스케일 패키지는 삼차원 형광층(2100)의 측면에 슬로프(slope)가 존재하도록 형성함으로써, 발광 다이오드(2200)의 지향각이 효과적으로 증가될 수 있다.
이하에서는, 본 발명의 제 3 실시예에 따른 컨벡스 칩 스케일 패키지에 대해서 본 발명의 제 1 실시예에 따른 컨벡스 칩 스케일 패키지와의 차이점을 설명한다.
본 발명의 제 3 실시예에 따른 컨벡스 칩 스케일 패키지의 삼차원 형광층(3100)은 도 3에 도시된 것처럼, 상기 삼차원 형광층(3100)의 측면의 두께는 위쪽이 아래쪽보다 두껍게 형성된다.
본 발명의 제 3 실시예에 따른 컨벡스 칩 스케일 패키지는 삼차원 형광층(3100)의 측면에 슬로프(slope)가 존재하도록 형성함으로써, 발광 다이오드(3200)의 지향각이 효과적으로 증가될 수 있다.
본 발명의 제 4 실시예에 따른 컨벡스 칩 스케일 패키지는 도 1에 도시된 것처럼, 측면과 상면에서 청색광을 제공하는 발광 다이오드(1200), 상기 발광 다이오드(1200)의 측면과 상면을 둘러싸며 배치되어 상기 발광 다이오드(1200)의 측면과 상면에서 발광되는 청색광을 백색광으로 변환시키는 삼차원 형광층(1100) 및 상기 삼차원 형광층(1100)의 상면에 중앙이 볼록한 반타원 형상의 컨벡스부(1300)를 포함하여 구성될 수 있다.
여기에서, 상기 삼차원 형광층(1100)은 형광체로 형성되고, 상기 컨벡스부(1300)는 실리콘으로 형성되며, 상기 삼차원 형광층(1100)의 측면의 두께는 균일하게 형성된다.
한편, 상기 컨벡스부(1320)를 위에서 바라다본 평면은 도 5에 도시된 것처럼, 사각형 형상이다. 상기 발광 다이오드(1200)가 정사각형 형상인 경우에는 상기 컨벡스부(1320)를 위에서 바라다본 평면은 정사각형 형상으로 형성되며, 상기 발광 다이오드(1200)가 직사각형 형상인 경우에는 상기 컨벡스부(1320)를 위에서 바라다본 평면은 직사각형 형상으로 형성된다.
이하에서는, 본 발명의 제 5 실시예에 따른 컨벡스 칩 스케일 패키지에 대해서 본 발명의 제 4 실시예에 따른 컨벡스 칩 스케일 패키지와의 차이점을 설명한다.
본 발명의 제 5 실시예에 따른 컨벡스 칩 스케일 패키지의 삼차원 형광층(2100)은 도 2에 도시된 것처럼, 상기 삼차원 형광층(2100)의 측면의 두께는 위쪽이 아래쪽보다 얇게 형성된다.
본 발명의 제 5 실시예에 따른 컨벡스 칩 스케일 패키지는 삼차원 형광층(2100)의 측면에 슬로프(slope)가 존재하도록 형성함으로써, 발광 다이오드(2200)의 지향각이 효과적으로 증가될 수 있다.
이하에서는, 본 발명의 제 6 실시예에 따른 컨벡스 칩 스케일 패키지에 대해서 본 발명의 제 4 실시예에 따른 컨벡스 칩 스케일 패키지와의 차이점을 설명한다.
본 발명의 제 6 실시예에 따른 컨벡스 칩 스케일 패키지의 삼차원 형광층(3100)은 도 3에 도시된 것처럼, 상기 삼차원 형광층(3100)의 측면의 두께는 위쪽이 아래쪽보다 두껍게 형성된다.
본 발명의 제 6 실시예에 따른 컨벡스 칩 스케일 패키지는 삼차원 형광층(3100)의 측면에 슬로프(slope)가 존재하도록 형성함으로써, 발광 다이오드(3200)의 지향각이 효과적으로 증가될 수 있다.
본 발명의 제 1 실시예에 따른 컨벡스 칩 스케일 패키지의 제조 방법은 먼저, 도 6a에 도시된 것처럼, 측면과 상면에서 청색광을 제공하는 발광 다이오드(1201, 1202, 1203)를 기판(100) 위에 배열한다.
다음으로, 도 6b에 도시된 것처럼, 상기 발광 다이오드(1201, 1202, 1203)의 측면과 상면을 둘러싸며 배치될 삼차원 형광층의 금형틀(200)을 준비한다.
다음으로, 도 6 c에 도시된 것처럼, 상기 금형틀(200) 내에 형광체 및 실리콘의 혼합액(1101, 1102, 1103)을 주입한다. 여기에서, 상기 형형광체 및 실리콘의 혼합액(1101, 1102, 1103)의 점도는 2,000 ~ 20,000cps이다.
다음으로, 도 6d에 도시된 것처럼, 상기 혼합액(1101, 1102, 1103)이 주입된 금형틀(200)을 뒤집어 상기 발광 다이오드(1201, 1202, 1203)가 배치된 기판(100)에 결합한다.
다음으로, 도 6e에 도시된 것처럼, 상기 금형틀(200) 내에서 상기 혼합액(1101, 1102, 1103)을 밀도 차에 의해서 형광체와 실리콘으로 분리시킨다. 구체적으로, 상기 혼합액(1101, 1102, 1103)을 상기 금형틀(200) 내에 0.5 시간 ~ 2 시간 동안 놓아두면, 밀도가 상대적으로 큰 형광체는 상기 금형틀(200) 내에서 상기 발광 다이오드(1201, 1202, 1203)의 측면이나 상면으로 이동하며, 밀도가 상대적으로 작은 실리콘은 형광체 위로 이동하게 된다.
다음으로, 도 6f에 도시된 것처럼, 상기 혼합액(1101, 1102, 1103)이 형광체와 실리콘으로 분리된 상태에서 베이킹 공정을 수행하여 상기 형광체로 상기 삼차원 형광층(1111, 1112, 1113)을 형성하고, 상기 삼차원 형광층(1111, 1112, 1113)의 상면에 상기 실리콘으로 중앙이 볼록한 반타원 형상의 컨벡스부(1311, 1312, 1313)를 형성한 후에, 상기 금형틀(200)을 제거한다.
여기에서, 상기 삼차원 형광층(1111, 1112, 1113)의 측면의 두께는 도 1에 도시된 것처럼, 균일하게 형성된다.
한편, 컨벡스부(1311, 1312, 1313)를 위에서 바라다본 평면은 도 4에 도시된 것처럼, 원 형상으로 형성된다.
이하에서는, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 컨벡스 칩 스케일 패키지의 제조 방법에 대해서 본 발명의 제 1 실시예에 따른 컨벡스 칩 스케일 패키지의 제조 방법과의 차이점을 설명한다.
본 발명의 제 2 실시예에 따른 컨벡스 칩 스케일 패키지의 제조 방법의 삼차원 형광층(2100)은 도 2에 도시된 것처럼, 상기 삼차원 형광층(2100)의 측면의 두께는 위쪽이 아래쪽보다 얇게 형성된다.
이하에서는, 본 발명의 제 3 실시예에 따른 컨벡스 칩 스케일 패키지의 제조 방법에 대해서 본 발명의 제 1 실시예에 따른 컨벡스 칩 스케일 패키지의 제조 방법과의 차이점을 설명한다.
본 발명의 제 3 실시예에 따른 컨벡스 칩 스케일 패키지의 제조 방법의 삼차원 형광층(3100)은 도 3에 도시된 것처럼, 상기 삼차원 형광층(3100)의 측면의 두께는 위쪽이 아래쪽보다 두껍게 형성된다.
이하에서는, 본 발명의 제 4 실시예에 따른 컨벡스 칩 스케일 패키지의 제조 방법에 대해서 본 발명의 제 1 실시예에 따른 컨벡스 칩 스케일 패키지의 제조 방법과의 차이점을 설명한다.
본 발명의 제 4 실시예에 따른 컨벡스 칩 스케일 패키지의 제조 방법의 상기 컨벡스부(1320)를 위에서 바라다본 평면은 도 5에 도시된 것처럼, 사각형 형상으로 형성된다.
이하에서는, 본 발명의 제 5 실시예에 따른 컨벡스 칩 스케일 패키지의 제조 방법에 대해서 본 발명의 제 4 실시예에 따른 컨벡스 칩 스케일 패키지의 제조 방법과의 차이점을 설명한다.
본 발명의 제 5 실시예에 따른 컨벡스 칩 스케일 패키지의 제조 방법의 삼차원 형광층(2100)은 상기 삼차원 형광층(2100)의 측면의 두께는 위쪽이 아래쪽보다 얇게 형성된다.
이하에서는, 본 발명의 제 6 실시예에 따른 컨벡스 칩 스케일 패키지의 제조 방법에 대해서 본 발명의 제 4 실시예에 따른 컨벡스 칩 스케일 패키지의 제조 방법과의 차이점을 설명한다.
본 발명의 제 6 실시예에 따른 컨벡스 칩 스케일 패키지의 제조 방법의 삼차원 형광층(3100)은 도 3에 도시된 것처럼, 상기 삼차원 형광층(3100)의 측면의 두께는 위쪽이 아래쪽보다 두껍게 형성된다.
이상, 본 발명을 본 발명의 원리를 예시하기 위한 바람직한 실시예와 관련하여 설명하고 도시하였지만, 본 발명은 그와 같이 도시되고 설명된 그대로의 구성 및 작용으로 한정되는 것이 아니다.
오히려, 첨부된 청구범위의 사상 및 범주를 일탈함이 없이 본 발명에 대한 다수의 변경 및 수정이 가능함을 당업자들은 잘 이해할 수 있을 것이다.
따라서, 그러한 모든 적절한 변경 및 수정과 균등물들도 본 발명의 범위에 속하는 것으로 간주되어야 할 것이다.
Claims (12)
- 측면과 상면에서 청색광을 제공하는 발광 다이오드;
상기 발광 다이오드의 측면과 상면을 둘러싸며 배치되어 상기 발광 다이오드의 측면과 상면에서 발광되는 청색광을 백색광으로 변환시키는 삼차원 형광층; 및
상기 삼차원 형광층의 상면에 중앙이 볼록한 반타원 형상의 컨벡스부를 포함하며,
상기 삼차원 형광층은 형광체로 형성되고,
상기 컨벡스부는 실리콘으로 형성되며,
상기 삼차원 형광층의 측면의 두께는 균일하게 형성되고,
상기 컨벡스부를 위에서 바라다본 평면은 원 형상이며,
상기 형광체와 상기 실리콘의 혼햅액을 밀도차에 의해서 상기 형광체와 상기 실리콘을 분리시킨 후에 베이킹 공정을 수행하여, 상기 삼차원 형광층은 상기 형광체로 형성되고, 상기 컨벡스부는 상기 실리콘으로 형성되는 컨벡스 칩 스케일 패키지. - 측면과 상면에서 청색광을 제공하는 발광 다이오드;
상기 발광 다이오드의 측면과 상면을 둘러싸며 배치되어 상기 발광 다이오드의 측면과 상면에서 발광되는 청색광을 백색광으로 변환시키는 삼차원 형광층; 및
상기 삼차원 형광층의 상면에 중앙이 볼록한 반타원 형상의 컨벡스부를 포함하며,
상기 삼차원 형광층은 형광체로 형성되고,
상기 컨벡스부는 실리콘으로 형성되며,
상기 삼차원 형광층의 측면의 두께는 위쪽이 아래쪽보다 얇게 형성되고,
상기 컨벡스부를 위에서 바라다본 평면은 원 형상이며,
상기 형광체와 상기 실리콘의 혼햅액을 밀도차에 의해서 상기 형광체와 상기 실리콘을 분리시킨 후에 베이킹 공정을 수행하여, 상기 삼차원 형광층은 상기 형광체로 형성되고, 상기 컨벡스부는 상기 실리콘으로 형성되는 컨벡스 칩 스케일 패키지. - 측면과 상면에서 청색광을 제공하는 발광 다이오드;
상기 발광 다이오드의 측면과 상면을 둘러싸며 배치되어 상기 발광 다이오드의 측면과 상면에서 발광되는 청색광을 백색광으로 변환시키는 삼차원 형광층; 및
상기 삼차원 형광층의 상면에 중앙이 볼록한 반타원 형상의 컨벡스부를 포함하며,
상기 삼차원 형광층은 형광체로 형성되고,
상기 컨벡스부는 실리콘으로 형성되며,
상기 삼차원 형광층의 측면의 두께는 위쪽이 아래쪽보다 두껍게 형성되고,
상기 컨벡스부를 위에서 바라다본 평면은 원 형상이며,
상기 형광체와 상기 실리콘의 혼햅액을 밀도차에 의해서 상기 형광체와 상기 실리콘을 분리시킨 후에 베이킹 공정을 수행하여, 상기 삼차원 형광층은 상기 형광체로 형성되고, 상기 컨벡스부는 상기 실리콘으로 형성되는 컨벡스 칩 스케일 패키지. - 측면과 상면에서 청색광을 제공하는 발광 다이오드;
상기 발광 다이오드의 측면과 상면을 둘러싸며 배치되어 상기 발광 다이오드의 측면과 상면에서 발광되는 청색광을 백색광으로 변환시키는 삼차원 형광층; 및
상기 삼차원 형광층의 상면에 중앙이 볼록한 반타원 형상의 컨벡스부를 포함하며,
상기 삼차원 형광층은 형광체로 형성되고,
상기 컨벡스부는 실리콘으로 형성되며,
상기 삼차원 형광층의 측면의 두께는 균일하게 형성되고,
상기 컨벡스부를 위에서 바라다본 평면은 사각형 형상이며,
상기 형광체와 상기 실리콘의 혼햅액을 밀도차에 의해서 상기 형광체와 상기 실리콘을 분리시킨 후에 베이킹 공정을 수행하여, 상기 삼차원 형광층은 상기 형광체로 형성되고, 상기 컨벡스부는 상기 실리콘으로 형성되는 컨벡스 칩 스케일 패키지. - 측면과 상면에서 청색광을 제공하는 발광 다이오드;
상기 발광 다이오드의 측면과 상면을 둘러싸며 배치되어 상기 발광 다이오드의 측면과 상면에서 발광되는 청색광을 백색광으로 변환시키는 삼차원 형광층; 및
상기 삼차원 형광층의 상면에 중앙이 볼록한 반타원 형상의 컨벡스부를 포함하며,
상기 삼차원 형광층은 형광체로 형성되고,
상기 컨벡스부는 실리콘으로 형성되며,
상기 삼차원 형광층의 측면의 두께는 위쪽이 아래쪽보다 얇게 형성되고,
상기 컨벡스부를 위에서 바라다본 평면은 사각형 형상이며,
상기 형광체와 상기 실리콘의 혼햅액을 밀도차에 의해서 상기 형광체와 상기 실리콘을 분리시킨 후에 베이킹 공정을 수행하여, 상기 삼차원 형광층은 상기 형광체로 형성되고, 상기 컨벡스부는 상기 실리콘으로 형성되는 컨벡스 칩 스케일 패키지. - 측면과 상면에서 청색광을 제공하는 발광 다이오드;
상기 발광 다이오드의 측면과 상면을 둘러싸며 배치되어 상기 발광 다이오드의 측면과 상면에서 발광되는 청색광을 백색광으로 변환시키는 삼차원 형광층; 및
상기 삼차원 형광층의 상면에 중앙이 볼록한 반타원 형상의 컨벡스부를 포함하며,
상기 삼차원 형광층은 형광체로 형성되고,
상기 컨벡스부는 실리콘으로 형성되며,
상기 삼차원 형광층의 측면의 두께는 위쪽이 아래쪽보다 두껍게 형성되고,
상기 컨벡스부를 위에서 바라다본 평면은 사각형 형상이며,
상기 형광체와 상기 실리콘의 혼햅액을 밀도차에 의해서 상기 형광체와 상기 실리콘을 분리시킨 후에 베이킹 공정을 수행하여, 상기 삼차원 형광층은 상기 형광체로 형성되고, 상기 컨벡스부는 상기 실리콘으로 형성되는 컨벡스 칩 스케일 패키지. - 측면과 상면에서 청색광을 제공하는 발광 다이오드를 기판 위에 배열하는 단계;
상기 발광 다이오드의 측면과 상면을 둘러싸며 배치될 삼차원 형광층의 금형틀을 준비하는 단계;
상기 금형틀 내에 형광체 및 실리콘의 혼합액을 주입하는 단계;
상기 혼합액이 주입된 금형틀을 상기 발광 다이오드가 배치된 기판에 결합하는 단계;
상기 금형틀 내에서 상기 혼합액을 밀도 차에 의해서 형광체와 실리콘으로 분리시키는 단계; 및
상기 혼합액이 형광체와 실리콘으로 분리된 상태에서 베이킹 공정을 수행하여 상기 형광체로 상기 삼차원 형광층을 형성하고, 상기 삼차원 형광층의 상면에 상기 실리콘으로 중앙이 볼록한 반타원 형상의 컨벡스부를 형성하는 단계를 포함하며,
상기 형광체 및 실리콘의 혼합액의 점도는 2,000 ~ 20,000cps이고,
상기 삼차원 형광층의 측면의 두께는 균일하게 형성되며,
상기 컨벡스부를 위에서 바라다본 평면은 원 형상인 컨벡스 칩 스케일 패키지의 제조 방법. - 측면과 상면에서 청색광을 제공하는 발광 다이오드를 기판 위에 배열하는 단계;
상기 발광 다이오드의 측면과 상면을 둘러싸며 배치될 삼차원 형광층의 금형틀을 준비하는 단계;
상기 금형틀 내에 형광체 및 실리콘의 혼합액을 주입하는 단계;
상기 혼합액이 주입된 금형틀을 상기 발광 다이오드가 배치된 기판에 결합하는 단계;
상기 금형틀 내에서 상기 혼합액을 밀도 차에 의해서 형광체와 실리콘으로 분리시키는 단계; 및
상기 혼합액이 형광체와 실리콘으로 분리된 상태에서 베이킹 공정을 수행하여 상기 형광체로 상기 삼차원 형광층을 형성하고, 상기 삼차원 형광층의 상면에 상기 실리콘으로 중앙이 볼록한 반타원 형상의 컨벡스부를 형성하는 단계를 포함하며,
상기 형광체 및 실리콘의 혼합액의 점도는 2,000 ~ 20,000cps이고,
상기 삼차원 형광층의 측면의 두께는 위쪽이 아래쪽보다 얇게 형성되며,
상기 컨벡스부를 위에서 바라다본 평면은 원 형상인 컨벡스 칩 스케일 패키지의 제조 방법. - 측면과 상면에서 청색광을 제공하는 발광 다이오드를 기판 위에 배열하는 단계;
상기 발광 다이오드의 측면과 상면을 둘러싸며 배치될 삼차원 형광층의 금형틀을 준비하는 단계;
상기 금형틀 내에 형광체 및 실리콘의 혼합액을 주입하는 단계;
상기 혼합액이 주입된 금형틀을 상기 발광 다이오드가 배치된 기판에 결합하는 단계;
상기 금형틀 내에서 상기 혼합액을 밀도 차에 의해서 형광체와 실리콘으로 분리시키는 단계; 및
상기 혼합액이 형광체와 실리콘으로 분리된 상태에서 베이킹 공정을 수행하여 상기 형광체로 상기 삼차원 형광층을 형성하고, 상기 삼차원 형광층의 상면에 상기 실리콘으로 중앙이 볼록한 반타원 형상의 컨벡스부를 형성하는 단계를 포함하며,
상기 형광체 및 실리콘의 혼합액의 점도는 2,000 ~ 20,000cps이고,
상기 삼차원 형광층의 측면의 두께는 위쪽이 아래쪽보다 두껍게 형성되며,
상기 컨벡스부를 위에서 바라다본 평면은 원 형상인 컨벡스 칩 스케일 패키지의 제조 방법. - 측면과 상면에서 청색광을 제공하는 발광 다이오드를 기판 위에 배열하는 단계;
상기 발광 다이오드의 측면과 상면을 둘러싸며 배치될 삼차원 형광층의 금형틀을 준비하는 단계;
상기 금형틀 내에 형광체 및 실리콘의 혼합액을 주입하는 단계;
상기 혼합액이 주입된 금형틀을 상기 발광 다이오드가 배치된 기판에 결합하는 단계;
상기 금형틀 내에서 상기 혼합액을 밀도 차에 의해서 형광체와 실리콘으로 분리시키는 단계; 및
상기 혼합액이 형광체와 실리콘으로 분리된 상태에서 베이킹 공정을 수행하여 상기 형광체로 상기 삼차원 형광층을 형성하고, 상기 삼차원 형광층의 상면에 상기 실리콘으로 중앙이 볼록한 반타원 형상의 컨벡스부를 형성하는 단계를 포함하며,
상기 형광체 및 실리콘의 혼합액의 점도는 2,000 ~ 20,000cps이고,
상기 삼차원 형광층의 측면의 두께는 균일하게 형성되며,
상기 컨벡스부를 위에서 바라다본 평면은 사각형 형상인 컨벡스 칩 스케일 패키지의 제조 방법. - 측면과 상면에서 청색광을 제공하는 발광 다이오드를 기판 위에 배열하는 단계;
상기 발광 다이오드의 측면과 상면을 둘러싸며 배치될 삼차원 형광층의 금형틀을 준비하는 단계;
상기 금형틀 내에 형광체 및 실리콘의 혼합액을 주입하는 단계;
상기 혼합액이 주입된 금형틀을 상기 발광 다이오드가 배치된 기판에 결합하는 단계;
상기 금형틀 내에서 상기 혼합액을 밀도 차에 의해서 형광체와 실리콘으로 분리시키는 단계; 및
상기 혼합액이 형광체와 실리콘으로 분리된 상태에서 베이킹 공정을 수행하여 상기 형광체로 상기 삼차원 형광층을 형성하고, 상기 삼차원 형광층의 상면에 상기 실리콘으로 중앙이 볼록한 반타원 형상의 컨벡스부를 형성하는 단계를 포함하며,
상기 형광체 및 실리콘의 혼합액의 점도는 2,000 ~ 20,000cps이고,
상기 삼차원 형광층의 측면의 두께는 위쪽이 아래쪽보다 얇게 형성되며,
상기 컨벡스부를 위에서 바라다본 평면은 사각형 형상인 컨벡스 칩 스케일 패키지의 제조 방법. - 측면과 상면에서 청색광을 제공하는 발광 다이오드를 기판 위에 배열하는 단계;
상기 발광 다이오드의 측면과 상면을 둘러싸며 배치될 삼차원 형광층의 금형틀을 준비하는 단계;
상기 금형틀 내에 형광체 및 실리콘의 혼합액을 주입하는 단계;
상기 혼합액이 주입된 금형틀을 상기 발광 다이오드가 배치된 기판에 결합하는 단계;
상기 금형틀 내에서 상기 혼합액을 밀도 차에 의해서 형광체와 실리콘으로 분리시키는 단계; 및
상기 혼합액이 형광체와 실리콘으로 분리된 상태에서 베이킹 공정을 수행하여 상기 형광체로 상기 삼차원 형광층을 형성하고, 상기 삼차원 형광층의 상면에 상기 실리콘으로 중앙이 볼록한 반타원 형상의 컨벡스부를 형성하는 단계를 포함하며,
상기 형광체 및 실리콘의 혼합액의 점도는 2,000 ~ 20,000cps이고,
상기 삼차원 형광층의 측면의 두께는 위쪽이 아래쪽보다 두껍게 형성되며,
상기 컨벡스부를 위에서 바라다본 평면은 사각형 형상인 컨벡스 칩 스케일 패키지의 제조 방법.
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| WO2020045933A1 (ko) | 2018-08-28 | 2020-03-05 | 연세대학교 산학협력단 | 타공판 마이크로 구조체 모듈 |
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