CN101495666A - 含锂过渡金属氧化物靶及其制造方法以及锂离子薄膜二次电池 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及含锂过渡金属氧化物靶，其由晶系为六方晶系的含锂过渡金属氧化物的烧结体构成，并且烧结体的相对密度为90％以上、平均结晶粒径为1μm以上、50μm以下；以及，其由晶系为六方晶系的含锂过渡金属氧化物的烧结体构成，其中，通过使用Cu Kα射线的X射线衍射测得的(003)面、(101)面、(104)面的强度比满足下述(1)和(2)的条件：(1)(101)面相对于(003)面的峰值比为0.4以上、1.1以下；(2)(101)面相对于(104)面的峰值比为1.0以上。本发明提供用于形成三维电池、全固体电池等薄膜电池中使用的薄膜正极的最佳含锂过渡金属氧化物靶及其制造方法以及锂离子薄膜二次电池。本发明的课题特别在于得到能够形成均匀性优良的薄膜的正极材料靶。

Description

含锂过渡金属氧化物靶及其制造方法以及锂离子薄膜二次电池
技术领域
本发明涉及用于形成三维电池、全固体电池等薄膜电池中使用的薄膜正极的含锂过渡金属氧化物靶及其制造方法以及锂离子薄膜二次电池，特别是涉及使用晶系为六方晶系的含锂过渡金属氧化物的靶及其制造方法以及锂离子薄膜二次电池。
背景技术
近年来，作为高能密度电池，非水锂二次电池的需求急速增长。该锂二次电池由正极、负极和保持介于这些电极间的的电解质的隔膜3个基本要素构成。
作为正极和负极，是将活性物质、导电材料、结合材料及根据需要选择的增塑剂混合分散于分散介质中而形成的浆液负载于金属箔、金属网等集流体上来使用。
作为电池的正极活性物质，具有代表性的是锂和过渡金属的复合氧化物，尤其是钴类复合氧化物、镍类复合氧化物、锰类复合氧化物。这些锂复合氧化物一般通过下述方法来合成：以规定的比例将构成主体的元素的化合物(Mn、Fe、Co、Ni等的碳酸盐、氧化物)和锂化合物(碳酸锂等)进行混合，并将其进行热处理(氧化处理)(参照专利文献1、专利文献2、专利文献3)。
另外，提出了组成为Ni∶Mn∶Co＝1∶1∶1的三元正极材料(参照专利文献4)，其中，Li/金属的比为0.97～1.03，能够得到200mAh/g的放电容量。
此外，还有调节Mn、Co、Ni至规定的比并在氧气气氛中煅烧而成的锂二次电池用正极活性物质(专利文献5)、该锂二次电池用正极活性物质(专利文献6)的制造方法。
其中，针对锂二次电池的高输出化的要求，为了缩短锂离子的扩散距离，希望将电极薄膜化。这是因为若能够实现电极的薄膜化，则能够使电池显著地小型化。另外，电极的薄膜化对于三维电池、全固体电池是必不可缺的技术。
使用上述对比文献1-6所示的二次电池用正极活性物质的目前的电极膜的制造方法，例如在正极，在正极活性物质中混合导电材料(乙炔黑等碳材料)，将该混合粉加入溶解于有机溶剂(例如NMP：N-甲基吡咯烷酮)的粘合剂(例如pVdF所代表的氟类树脂)中，混炼均匀，再将该浆液涂布于集流体(例如铝箔)上，在干燥后压制而形成电极膜。因此，电极的厚度通常为50～100μm，不能实现充分的薄膜化。
作为使电极薄膜化的方法之一，考虑使用以溶胶凝胶法为代表的湿法。但是，该湿法虽然在装置方面具有价格低且能够简单地制作的优点，但在工业上存在难以大量生产的问题。
作为以上方法的替代方法，考虑使用利用干法的薄膜形成法，尤其是溅射法。该溅射法具有成膜条件易于调节、能够容易地在半导体基板上成膜的优点。
但是，利用溅射法的成膜中，用于供给成膜元素的靶是必不可缺的。通常，需要配合制作的膜的组成来准备靶，而且需要确保成膜过程中不产生问题。
使用该溅射法使锂二次电池用正极活性物质成膜的技术非常少。猜测其原因是由于溅射靶的锂二次电池用正极活性物质与成膜的锂二次电池用正极活性物质之间存在产生成分组成差异的可能性，而且无法得到能够达到均匀成膜程度的高密度靶。因此，需要从本质上解决这些问题。
使用溅射法使锂二次电池用正极活性物质成膜有几个示例，因此对其作以介绍。但是，这些示例均为限定的组成(LiCoO2)，并没有显示解决涉及溅射靶的上述问题的方法。
对于制作LiCoO2的薄膜正极的情况已经公开了如下技术：将利用溅射法形成的LiCoO2的非晶薄膜，在Ar或O2气氛中，在650-900℃下退火而使其结晶化的技术(参照非专利文献1)、在被覆了Pt的Si上利用高频磁控溅射得到LiCoO2的(104)优选方位的微晶，通过在500-700℃下退火而使结晶粒径微细化的技术(参照非专利文献2)、在基板上施加偏压并进行高频溅射来形成微电池的正极用LiCoO2薄膜的技术(参照非专利文献3)、利用高频溅射形成LiCoO2薄膜时，调节rf输出使(101)和(104)成为优选方位，从而得到微晶结构的薄膜的技术(参照非专利文献4)。
在这些技术公开的溅射法中成为问题的是靶，该靶对成膜的特性有很大影响。但是，上述公开的文献中，关于用于形成锂二次电池用正极材料的薄膜的靶，并没有说明何种靶是最适合的或者其制造方法应该是怎样的问题。
专利文献1：日本特开平1-294364号公报
专利文献2：日本特开平11-307094号公报
专利文献3：日本特开2005-285572号公报
专利文献4：日本特开2003-59490号公报
专利文献5：日本特开平2-221379号公报
专利文献6：日本特开2002-304993号公报
非专利文献1：“Characteristics of thin film cathodes according tothe annealing ambient for the post-annealing process”Journal of PowerSources 134(2004)103-109
非专利文献2：“Lithium cobalt oxide film prepared by rfsputtering”Journal of Power Sources 128(2004)263-269
非专利文献3：“Bias sputtering and characterization of LiCoO2 thinfilm cathodes for thin film microbattery”Materials Chemistry and Physics93(2005)70-78
非专利文献4：“As-deposited LiCoO2 thin film cathodes preparedby rf magnetron sputtering”Electrochimica Acta 51(2005)268-273
发明内容
鉴于上述情况，本发明人提供用于形成三维电池、全固体电池等薄膜电池中使用的薄膜正极的最适合的含锂过渡金属氧化物靶及其制造方法以及锂离子薄膜二次电池。特别是以得到能够形成均匀性优良的薄膜的正极材料靶为课题。
鉴于上述课题，本发明提供下述发明。
1)一种含锂过渡金属氧化物靶，其由晶系为六方晶系的含锂过渡金属氧化物的烧结体构成，其中，烧结体的相对密度为90％以上、平均结晶粒径为1μm以上、50μm以下。该相对密度为90％以上、平均结晶粒径为1μm以上、50μm以下的烧结体靶，在形成含锂过渡金属氧化物的薄膜方面，是非常重要的。根据上述，使作为目标的膜的成分组成不发生变化自不必说，还需要溅射膜具有均一性并且形成不产生颗粒的稳定的膜，上述条件是实现这些必不可少的条件。
另外，该条件不仅在制作由晶系为六方晶系的含锂过渡金属氧化物构成的最佳薄膜正极方面，也是由含锂过渡金属氧化物构成的所有靶共通的问题，本发明能够解决该问题。
2)一种含锂过渡金属氧化物靶，其由晶系为六方晶系的含锂过渡金属氧化物的烧结体构成，其中，烧结体的相对密度为90％以上、平均结晶粒径为1μm以上、50μm以下，通过使用Cu Kα射线的X射线衍射测得的(003)面、(101)面、(104)面的强度比满足下述条件：
(1)(101)面相对于(003)面的峰值比为0.4以上、1.1以下；
(2)(101)面相对于(104)面的峰值比为1.0以上。
(003)面、(101)面、(104)面的强度比也对颗粒的产生有很大影响。如后述的实施例和比较例所示，如果偏离所述条件(1)和(2)，则有颗粒产生。若在该条件内，则可以观察到抑制颗粒的效果。即可知，单独调节(003)面、(101)面、(104)面的强度比，对颗粒的产生具有抑制效果。
3)如1)所述的含锂过渡金属氧化物靶，其由晶系为六方晶系的含锂过渡金属氧化物的烧结体构成，其中，通过使用Cu Kα射线的X射线衍射测得的(003)面、(101)面、(104)面的强度比满足下述条件：
(1)(101)面相对于(003)面的峰值比为0.4以上、1.1以下；
(2)(101)面相对于(104)面的峰值比为1.0以上。
这种情况下，由于进行了(003)面、(101)面、(104)面的强度比的调整，并且伴有相对密度为90％以上、平均结晶粒径为1μm以上、50μm以下的条件，因此理所应当地能够通过颗粒抑制效果好、稳定的溅射得到品质优良的锂离子薄膜。
4)如1)～3)中任一项所述的含锂过渡金属氧化物靶，其中，过渡金属包含Ni、Co、Mn的至少一种。
5)一种制造含锂过渡金属氧化物靶的方法，以Li/过渡金属的摩尔比为1.1以上、1.3以下的含锂过渡金属盐为原料，将其氧化而生成晶系为六方晶系的含锂过渡金属氧化物，将该含锂过渡金属氧化物成型、烧结，制造相对密度为90％以上、平均结晶粒径为1μm以上、50μm以下的烧结体。
这样，在前驱体的阶段，通过将Li/过渡金属的摩尔比调整至1.1以上、1.3以下，能够提高膜的均匀性、抑制组成的变化、防止颗粒的产生。
6)如5)所述的制造含锂过渡金属氧化物靶的方法，其中，所述靶由晶系为六方晶系的含锂过渡金属氧化物的烧结体构成，并且通过使用Cu Kα射线的X射线衍射测得的(003)面、(101)面、(104)面的强度比满足下述条件：
(1)(101)面相对于(003)面的峰值比为0.4以上、1.1以下；
(2)(101)面相对于(104)面的峰值比为1.0以上。
7)如5)或6)所述的制造含锂过渡金属氧化物靶的方法，其中，过渡金属包含Ni、Co、Mn的至少一种。
8)一种锂离子薄膜二次电池，其以通过溅射1)～5)所述的含锂过渡金属氧化物靶而得到的薄膜作为正极活性物质。
发明效果
本发明的含锂过渡金属氧化物靶，由于相对密度极高，为90％以上，平均结晶粒径微细，并且调节至1μm以上、50μm以下，而且(003)面、(101)面、(104)面的强度比被调节至最佳强度比，因此具有下述优良效果：能够得到由溅射膜富有均一性、溅射时不产生颗粒、而且成膜的成品率提高、品质稳定的正极活性物质构成的薄膜。
具体实施方式
制造本发明的含锂过渡金属氧化物靶时，预先制作含有构成膜组成的所有元素的前驱体，通过将其氧化，制作靶材的原料。然后将该原料成型、烧结，由此制作靶。
靶材的原料是晶系为六方晶系的含锂过渡金属氧化物。具体而言，可以列举钴酸锂(LiCoO2)、镍酸锂(LiNiO2)、由选自钴酸锂、镍酸锂与锰酸锂(LiMnO2)3种中的2种以任意组成形成的固溶体(LiMnCoO2、LiMnNiO2、LiCoNiO2)、以及这3种以任意组成形成的固溶体(LiMnCoNiO2)。
以这些晶系为六方晶系的氧化物作为原料，通过成型、烧结制作靶。靶的结晶结构也为六方晶系。
重要的是，前驱体预先由构成膜组成的包含锂的所有元素构成。由此，能实现组成的均一化，并且具有能够极大地抑制成膜时的组成变化的效果。
成膜时的组成变化，由于成型后的煅烧温度比前驱体的氧化处理温度高，所以是不可避免的。因此，需要将Li/过渡金属的摩尔比设定为1.1以上，特别是1.1以上、1.3以下。
小于1.1时，可以预想到由于Li的飞散导致组成的化学计量比下降。相反，如果超过1.3，则Li比率升高，妨碍成膜时膜的均匀化，成为结核的原因，并且成为膜产生颗粒的原因。
优选靶的相对密度为90％以上、平均结晶粒径为1μm～50μm。相对密度与靶的结核产生有关，小于90％时结核的产生概率升高，引起成膜时颗粒的产生，因此不优选。相对密度更优选为92％以上，更进一步优选为95％以上。
平均结晶粒径与膜的均一性相关，优选为1μm以上、50μm以下。特别是，更优选为5μm以上、40μm以下。另一方面，小于1μm的情况下，相对密度难以提高，因此不优选。另外，如果超过50μm，则难以确保膜的均一性。另外，如果平均结晶粒径在上述范围外，则颗粒的产生增加，因而不优选。
另外，通过利用Cu Kα射线的X射线衍射法对晶系为六方晶系的本发明的靶进行测定，具体研究其峰值强度，结果发现，与通常的含锂过渡金属氧化物粉末的X射线衍射相比，具有以下的特征。这些是该靶独特的特征。
即，具有下述显著特征：(1)(101)面的峰值强度I(101)相对于(003)面的峰值强度I(003)的比I(101)/I(003)为0.4以上、1.1以下；(2)(101)面的峰值强度I(101)相对于(104)面的峰值强度I(104)的比I(101)/I(104)为1.0以上。通过该X射线衍射法测定的峰值强度的关系，能够使本发明的含锂过渡金属氧化物靶具有特征。
制造含锂过渡金属氧化物时，可以使用日本特开2005-285572所示的方法。利用该方法制造的正极材料用靶的前驱体中，由于各金属元素以纳米级均匀分散，因此在制造致密的靶方面，可以说更优选。
例如，准备选自Mn、Co和Ni的1种以上金属元素的金属盐溶液，并将碳酸锂在水中悬浮，向该碳酸锂悬浊液中加入准备好的金属盐溶液，由此能够制造前驱体(碳酸盐)。另外，金属盐溶液可以使用可溶性的盐，具体而言，可以使用氯化物、硫酸盐、硝酸盐等的溶液。此时，也可以加入少量的Al、Si、Mg、Ca、Ti或Cr等异种元素(作为改善电池特性的元素而已知的掺杂元素)的金属盐水溶液。本发明包含这些物质。
碳酸锂悬浊量(w：摩尔)可以根据下式确定。
[w＝金属成分总量(摩尔)×(1+0.5x)]
(其中，x：正极材料需要的Li量/金属成分总量)
将这样制作的碳酸盐饼过滤、洗涤、干燥，得到含Li复合金属碳酸盐粉末。再用饱和碳酸锂溶液或乙醇洗涤得到的碳酸盐。然后，将得到的碳酸盐前驱体进一步在800～1100℃下、在大气中氧化处理1～10小时。对于过滤、洗涤、干燥及氧化而言，使用工业上用的极一般的方法就足够了。即，过滤、洗涤可以使用减压过滤、压滤机等。对于干燥、氧化，除静置炉和连续炉之外，也可以使用喷雾干燥等。
将氧化处理后的含锂过渡金属氧化物粒子的集合体调整至适当的粒度。粒度调整可以使用工业上用的极一般的方法，即粉碎机或筛分机等。将这样制造的含锂过渡金属氧化物粒子进一步空气烧结，制成靶。
实施例
以下，基于实施例和比较例进行说明。另外，本实施例只是一个示例，本发明不限于此例。即，本发明包含包括于本发明的技术思想内的其它形式或变形。
以碳酸锂和各种金属氯化物为原料，制作成为前驱体的碳酸盐，将其干燥后，改变煅烧条件进行氧化而制成各种靶原料。具体而言，向碳酸锂悬浊液中加入金属盐溶液(氯化物溶液、硫酸盐溶液或硝酸盐溶液)使碳酸盐析出。碳酸锂悬浊量(w：摩尔)根据下式确定。[w＝金属成分总量(摩尔)×(1+0.5x)，其中x：正极材料需要的Li量/金属成分总量]
制作的碳酸盐前驱体进一步在800～1100℃下、在大气中氧化处理1～10小时，制成各种靶原料。
(实施例1-24、比较例1-6)
<靶原料的制作>
如上所述，将碳酸锂溶解、悬浮在水中，向其中滴加溶解了规定量的Ni盐、Mn盐、Co盐的金属盐溶液，制作碳酸盐。
表1、表2、表3分别表示一元系(LiCoO2、LiNiO2)、二元系(LiMnCoO2、LiMnNiO2、LiCoNiO2)、三元系(LiMnCoNiO2)的原料。
金属盐使用氯化物、硫酸盐或硝酸盐。前驱体中含有的Li/金属的比和靶原料的Li/金属的比，通过ICP来进行组成分析。结果分别如表1(实施例1-8、比较例1-2)、表2(实施例9-20、比较例3-5)、表3(实施例21-24、比较例6)所示。
将该碳酸盐前驱体在大气中、在930℃下氧化处理3小时，制成正极薄膜用靶原料粉。该原料粉体经X射线衍射确认均为六方晶。
(靶的制作)
将所述靶原料粉进行单轴成型，并在大气中烧结。以高于所述氧化处理温度150℃～250℃的烧结温度进行烧结，制成靶。通过ICP进行组成分析，靶的Li/金属的比分别如表1、2、3所示。
另外，通过XRD衍射确认靶为层状结构。用阿基米德法测定靶的密度，求出其与XRD密度的比作为相对密度。从研磨面的光学显微镜照片上用切片法求出结晶粒径。靶的相对密度均超过90％，平均结晶粒径为5～40μm。
(利用溅射的薄膜的制作)
将该靶进行机械加工，并配上铜制的背衬板，作为溅射用靶，使用3英寸基板用溅射装置来制作薄膜。在加热至500℃的玻璃基板上进行成膜。成膜进行至约
Figure A20078001681700131
颗粒的产生起因在于成膜时靶基板上产生结核，通常如果为高密度，则不易形成结核。另外，结晶粒径越微细，则膜约均匀，颗粒也倾向于减少。
实施例1-8和比较例1、2的成膜状况总结于表1(一元系：LiCoO2、LiNiO2)。另外，实施例9-20、比较例3-5的成膜状况总结于表2(二元系：LiMnCoO2、LiMnNiO2、LiCoNiO2)。实施例21-24和比较例6的成膜状况总结于表3(三元系：LiMnCoNiO2)。成膜状况由颗粒产生状况来判断，用“有”、“无”表示。
如表1所示，一元系材料(LiCoO2、LiNiO2)的情况下，在前驱体的Li/过渡金属摩尔比为1.4(超过本发明的1.3的条件)的比较例1和比较例2中，观察到颗粒的产生，而在实施例1-8的前驱体的Li/过渡金属的摩尔比在1.1-1.3范围内的膜上，没有颗粒的产生。由此可知，调节前驱体的Li/过渡金属的摩尔比，对防止颗粒产生有效。
如表2所示，二元系材料(LiMnCoO2、LiMnNiO2、LiCoNiO2)的情况下，在前驱体的Li/过渡金属的摩尔比为1.4(超过本发明的1.3的条件)的比较例3、比较例4、比较例5中，观察到颗粒的产生，而在实施例9-20的前驱体的Li/过渡金属的摩尔比在1.1-1.3范围内的膜上，没有颗粒的产生。由此可知，调节前驱体的Li/过渡金属的摩尔比同样对防止颗粒产生有效。
如表3所示，三元系材料(LiMnCoNiO2)的情况下，在前驱体的Li/过渡金属的摩尔比为1.4(超过本发明的1.3的条件)的比较例6中，观察到颗粒的产生，而在实施例21-24的前驱体的Li/过渡金属的摩尔比在1.1-1.3范围内的膜上，没有颗粒的产生。由此可知，调节前驱体的Li/过渡金属的摩尔比同样对防止颗粒产生有效。
表1
(一元系)
Figure A20078001681700151
表2
(二元系)
Figure A20078001681700152
表3
(三元系)
Figure A20078001681700161
(实施例25-42、比较例7-18)
<通过X射线衍射测定的靶的峰值强度比和颗粒的产生状况的研究>
制作Li/过渡金属的摩尔比为1.15的前驱体，与上述同样地进行氧化处理，制成靶的原料粉末。此时，靶原料粉末的Li/过渡金属的摩尔比为1.10。然后，通过X射线衍射，确认其为六方晶系。使用该原料粉，同样地在比氧化处理温度高150～250℃的温度下制作靶。然后，研究通过X射线衍射测定这样得到的靶的(101)面、(003)面、(104)面的峰值强度。
其结果总结于表4(一元系：LiCoO2、LiNiO2)、表5(二元系：LiMnCoO2、LiMnNiO2、LiCoNiO2)、表6(三元系：LiMnCoNiO2)。成膜状况由颗粒产生状况来判断，用“有”、“无”表示。
表4
(一元系)
表5
(二元系)
Figure A20078001681700172
表6
(三元系)
Figure A20078001681700181
如表4所示，一元系材料(LiCoO2、LiNiO2)的情况下，在I(101)/I(104)小至0.5(本发明的条件为1.0以上)的比较例7和比较例9以及I(101)/I(003)大至1.3(本发明的条件为1.1以下)的比较例8和比较例10中，观察到颗粒的产生，而在实施例25-30的I(101)/I(104)为1.1和I(101)/I(003)在0.4-1.1范围内的膜上，没有颗粒的产生。由此可知，调节靶的(101)面、(003)面、(104)面的峰值强度对防止颗粒产生有效。
如表5所示，二元系材料(LiMnCoO2、LiMnNiO2、LiCoNiO2)的情况下，在I(101)/I(104)小至0.5、0.3、0.7(本发明的条件为1.0以上)的比较例11、比较例13、比较例15以及I(101)/I(003)大至1.3(本发明的条件为1.1以下)的比较例12、比较例14、比较例16中，观察到颗粒的产生。另外，比较例13也偏离了I(101)/I(003)的下限值。
与此相对，在实施例31-39的I(101)/I(104)为1.1-1.8范围内和I(101)/I(003)为0.4-1.1范围内的膜上，没有颗粒的产生。由此可知，调节靶的(101)面、(003)面、(104)面的峰值强度对防止颗粒产生有效。
如表6所示，三元系材料(LiMnCoNiO2)的情况下，在I(101)/I(104)小至0.5(本发明的条件为1.0以上)的比较例17和I(101)/I(003)大至1.3(本发明的条件为1.1以下)的比较例18中，观察到颗粒的产生。另外，比较例17也偏离了I(101)/I(003)的下限值。
与此相对，在实施例40-42的I(101)/I(104)为1.1-1.3范围内和I(101)/I(003)为0.4-1.1范围内的膜上，没有颗粒的产生。由此可知，调节靶的(101)面、(003)面、(104)面的峰值强度对防止颗粒产生有效。
(由溅射制成的薄膜的评价)
对上述实施例1-42的样品，测定制成的薄膜的拉曼光谱，从而确认膜的结晶结构为层状结构。
(电池特性的评价)
使用铝箔代替玻璃基板，在与实施例42同样的条件下形成薄膜，并将其作为正极测定电池特性。制作以Li为对电极的评价用2032型钮扣电池，使用将1M-LiPF6溶解于EC-DMC(1∶1)中而得到的液体作为电解液，在充电条件为4.3V的CCCV、放电条件为3.0V的CC下进行充放电，得到的结果是初期充电容量为165mAh/g，初期放电容量为150mAh/g，初期效率为91％。由此确认其作为薄膜正极的电化学功能。
产业上的利用可能性
本发明能够提供用于形成三维电池、全固体电池等薄膜电池中使用的薄膜正极的最佳含锂过渡金属氧化物靶及其制造方法以及锂离子薄膜二次电池。本发明具有下述优良效果：通过使用该靶进行溅射，能够得到无颗粒产生、富有均匀性的薄膜，因此，作为锂离子薄膜二次电池用材料有用，并且在能够应用于电池的小型化方面具有显著的效果。

Claims (8)

1.一种含锂过渡金属氧化物靶，其由晶系为六方晶系的含锂过渡金属氧化物的烧结体构成，其中，烧结体的相对密度为90％以上，平均结晶粒径为1μm以上、50μm以下。
2.一种含锂过渡金属氧化物靶，其由晶系为六方晶系的含锂过渡金属氧化物的烧结体构成，其中，烧结体的相对密度为90％以上、平均结晶粒径为1μm以上、50μm以下，通过使用Cu Kα射线的X射线衍射测得的(003)面、(101)面、(104)面的强度比满足下述条件：
(1)(101)面相对于(003)面的峰值比为0.4以上、1.1以下；
(2)(101)面相对于(104)面的峰值比为1.0以上。
3.如权利要求1所述的含锂过渡金属氧化物靶，其由晶系为六方晶系的含锂过渡金属氧化物的烧结体构成，其中，通过使用CuKα射线的X射线衍射测得的(003)面、(101)面、(104)面的强度比满足下述条件：
(1)(101)面相对于(003)面的峰值比为0.4以上、1.1以下；
(2)(101)面相对于(104)面的峰值比为1.0以上。
4.如权利要求1～3中任一项所述的含锂过渡金属氧化物靶，其中，过渡金属包含Ni、Co、Mn的至少一种。
5.一种制造含锂过渡金属氧化物靶的方法，以Li/过渡金属的摩尔比为1.1以上、1.3以下的含锂过渡金属盐为原料，将其氧化而生成晶系为六方晶系的含锂过渡金属氧化物，将该含锂过渡金属氧化物成型、烧结，制造相对密度为90％以上、平均结晶粒径为1μm以上、50μm以下的烧结体。
6.如权利要求5所述的制造含锂过渡金属氧化物靶的方法，其中，所述靶由晶系为六方晶系的含锂过渡金属氧化物的烧结体构成，并且通过使用CuKα射线的X射线衍射测得的(003)面、(101)面、(104)面的强度比满足下述条件：
(1)(101)面相对于(003)面的峰值比为0.4以上、1.1以下；
(2)(101)面相对于(104)面的峰值比为1.0以上。
7.如权利要求5或6所述的制造含锂过渡金属氧化物靶的方法，其中，过渡金属包含Ni、Co、Mn的至少一种。
8.一种锂离子薄膜二次电池，其以通过溅射权利要求1～5所述的含锂过渡金属氧化物靶而得到的薄膜作为正极活性物质。
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