CN101339954A - 氧化物半导体、薄膜晶体管以及制造薄膜晶体管的方法 - Google Patents
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Abstract
示例实施例涉及一种包含氧化锌(ZnO)的氧化物半导体、一种包括由该氧化物半导体形成的沟道的薄膜晶体管以及一种制造该薄膜晶体管的方法。该氧化物半导体可包括：GaxInyZnz氧化物；至少一种材料，从由4B族元素、4B族氧化物、稀土元素及它们的组合组成的组中选择。
Description
技术领域
示例实施例涉及一种氧化物半导体和一种包括该氧化物半导体的薄膜晶体管。其它示例实施例涉及一种包含氧化锌(ZnO)的氧化物半导体、一种包括由该氧化物半导体形成的沟道的薄膜晶体管以及一种制造该薄膜晶体管的方法。
背景技术
薄膜晶体管可用于各种领域中。薄膜晶体管可用作开关器件和驱动器件。薄膜晶体管可用作开关，以选择交叉点存储器(cross-point memory)。
非晶硅薄膜晶体管(α-Si TFT)可用作显示器的驱动器件和开关器件。α-Si TFT是用于驱动器件和开关器件的最常用的器件。在边长大于2m的大尺寸基底上均匀地形成α-Si TFT是相对便宜的。随着显示器变大和/或清晰度提高，期望能够得到具有较高效率的器件。
迁移率为大约0.5cm2/Vs的传统α-Si TFT在使用上受到限制。这样，会期望出现迁移率大于传统α-Si TFT的迁移率的高效TFT以及制造这种高效TFT的方法。
多晶硅薄膜晶体管(p-Si TFT)的效率高于传统α-Si TFT的效率。由于p-Si TFT具有几十至几百cm2/Vs的较高的迁移率，所以可将p-Si TFT用于(或应用于)高清晰度的显示器。与传统的α-Si TFT相比，具有p-Si TFT的器件的劣化降低。制造p-Si TFT涉及到要进行若干步复杂且昂贵的工艺。
与α-Si TFT相比，p-Si TFT会更适合用于高清晰度的产品、有机发光二极管(OLED)等。因为p-Si TFT的成本效益比传统α-Si TFT差，所以p-Si TFT的使用会受到限制。
因为由于技术问题(例如，生产设备的限制、差的均匀性等)仍然不能实现边长大于1m的大尺寸基底的制造，所以难以在显示器(包括电视机和计算机监视器)和其它显示器产品中使用p-Si TFT。
正在进行关于兼具传统α-Si TFT和p-Si TFT的期望的电学性能的新型TFT的研究。氧化物半导体装置是这种TFT的代表。
在用于氧化物半导体装置的材料方面，一些研究已经关注ZnO、IZO(InZnO)、GIZO(GaInZnO)等的使用。由于可以利用低温工艺来制造氧化物半导体装置并且氧化物半导体装置处于非晶相，所以可更容易地实现大尺寸的氧化物半导体装置。氧化物半导体膜包含具有较高迁移率和较高电学性能的材料(例如，多晶硅)。
发明内容
示例实施例涉及一种氧化物半导体和一种包括该氧化物半导体的薄膜晶体管。其它示例实施例涉及一种包含氧化锌(ZnO)的氧化物半导体、一种包括由该氧化物半导体形成的沟道的薄膜晶体管以及一种制造该薄膜晶体管的方法。
其它示例实施例提供了一种包括由氧化物半导体形成的沟道的薄膜晶体管，该氧化物半导体提高了该薄膜晶体管的电学性能。
根据示例实施例，提供了一种氧化物半导体，所述氧化物半导体包含GaxInyZnz氧化物，所述GaxInyZnz氧化物具有从由4B族元素、4B族氧化物、稀土元素及它们的组合组成的组中选择的至少一种材料。
所述氧化物半导体可包括GaxInyZnz氧化物混合物和从由4B族元素、4B族氧化物、稀土元素及它们的组合组成的组中选择的至少一种材料。
4B族元素可为从由钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)及它们的组合组成的组中选择的至少一种。
氧化物半导体可为从由TiInZn氧化物、TiGaInZn氧化物及它们的组合组成的组中选择的至少一种。
所述至少一种材料的量可在0.01wt％至10.00wt％的范围内。
氧化物半导体可包括由GaxInyZnz氧化物形成的第一氧化物层和由从由4B族元素、4B族氧化物、稀土元素及它们的组合组成的组中选择的至少一种材料形成的材料层。材料层的厚度可为5nm至20nm。氧化物半导体可包括形成在材料层上的第二氧化物层。第二氧化物层可包含GaxInyZnz氧化物。
所述氧化物半导体可具有多晶结构或纳米晶结构。所述氧化物半导体可包括多晶结构或纳米晶结构和非晶结构的混合相。
在GaxInyZnz氧化物中，x、y和z可表示原子比。在GaxInyZnz氧化物中，x、y和z可为满足下面等式中的至少一个的整数：x+y+z＝1、x+y＝1、x+z＝1、y+z＝1和z＝1。
根据示例实施例，提供了一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：栅极；沟道，对应于栅极；栅极绝缘层，形成在栅极和沟道之间；源极和漏极，均接触沟道的侧部。所述沟道可由包含GaxInyZnz氧化物的氧化物半导体形成，所述GaxInyZnz氧化物具有从由4B族元素、4B族氧化物、稀土元素及它们的组合组成的组中选择的至少一种材料。
根据示例实施例，提供了一种制造薄膜晶体管的方法，该方法包括的步骤有：形成栅极并在栅极上形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上对应于栅极形成沟道；形成均接触沟道的侧部的源极和漏极。所述沟道可由GaxInyZnz氧化物形成，所述GaxInyZnz氧化物具有从由4B族元素、4B族氧化物、稀土元素及它们的组合组成的组中选择的至少一种材料。
可通过利用溅射法、化学气相沉积(CVD)、原子层沉积(ALD)、激光辅助沉积、离子植入、离子淋浴掺杂等方法对GaxInyZnz氧化物进行掺杂来形成沟道。
可通过沉积所述至少一种材料并利用热处理使所述至少一种材料在GaxInyZnz氧化物中扩散来形成沟道。
所述方法可包括的步骤有：形成具有GaxInyZnz氧化物的第一氧化物层；形成包含所述至少一种材料的材料层。
所述方法可包括利用炉子、快速热退火、激光、或热板等在100℃至450℃的温度下执行热处理。
附图说明
通过下面结合附图进行的详细描述，示例实施例将会被更清楚地理解。图1至图5表示如在这里所述的非限制性的示例实施例。
图1是示出了根据示例实施例的包括由氧化物半导体形成的沟道的薄膜晶体管的剖视图的视图；
图2A至图2E是示出了根据示例实施例的制造薄膜晶体管的方法的剖视图的视图；
图3是示出了根据示例实施例的薄膜晶体管和传统的薄膜晶体管在栅极电极(Vg)和漏电流(Id)方面的电学性能的曲线图；
图4是示出了根据示例实施例的薄膜晶体管和传统薄膜晶体管的迁移率性能的曲线图；
图5是示出了根据示例实施例的以大约30W至50W的溅射功率通过在GIZO中添加钛(Ti)形成沟道后得到的SIMS分析的结果的曲线图。
具体实施方式
现在将详细描述示例实施例，在附图中示出了示例实施例的示例。然而，示例实施例不限于以下示出的实施例，在此引入该实施例是为了提供对示例实施例的范围和精神的简单和完整的理解。在附图中，为了清晰起见，夸大了层和区域的厚度。
应该理解，当元件或层被称作在另一元件或层“上”、“连接到”或“结合到”另一元件或层时，该元件或层可以直接在另一元件或层上、直接连接到或直接结合到另一元件或层，或者可以存在中间元件或中间层。相反，当元件或层被称作“直接”在另一元件或层“上”、“直接连接到”或“直接结合到”另一元件或层时，不存在中间元件或中间层。相同的标号始终表示相同的元件。如这里所使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关所列的项目的任意组合和所有组合。
应该理解的是，尽管在这里可使用术语第一、第二、第三等来描述不同的元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分并不应该受这些术语的限制。这些术语仅是用来将一个元件、组件、区域、层或部分与另一个元件、组件、区域、层或部分区分开来。因此，在不脱离示例实施例的教导的情况下，下面讨论的第一元件、组件、区域、层或部分可被命名为第二元件、组件、区域、层或部分。
在这里可使用空间相对术语，如“在...之下”、“在...下方”、“下面的”、“在...上方”、“上面的”等，用来轻松地描述如图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应该理解的是，空间相对术语意在包含除了在附图中描述的方位之外的装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果在附图中装置被翻转，则描述为“在”其它元件或特征“下方”或“在”其它元件或特征“之下”的元件随后将被定位为“在”其它元件或特征“上方”。因此，示例性术语“在...下方”可包括“在..上方”和“在...下方”两种方位。所述装置可被另外定位(旋转90度或者在其它方位)，相应地解释这里使用的空间相对描述符。
这里使用的术语仅为了描述特定实施例的目的，而不意图限制示例实施例。如这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式也意图包括复数形式。还将理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时，说明存在所述特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或附加一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或其组合。
在此参照作为示例实施例的示意性图示(和中间结构)的剖视图来描述示例实施例。这样，预计会出现例如由制造技术和/或公差引起的图示的形状变化。因此，示例实施例不应该被理解为限制于在此示出的区域的具体形状，而应该包括例如由制造导致的形状变形。例如，示出为矩形的植入区域在其边缘通常可具有倒圆或弯曲的特征和/或植入浓度的梯度，而不是从植入区域到非植入区域的二元变化。同样地，通过植入形成的掩埋区域可导致在掩模区域和通过其发生植入的表面之间的区域中出现一定程度的植入。因此，在图中示出的区域实际上是示意性的，它们的形状并不意图示出装置的区域的实际形状，也不意图限制示例实施例的范围。
除非另有定义，否则这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与示例实施例所属领域的普通技术人员所通常理解的意思相同的意思。将进一步理解，除非这里明确定义，否则术语例如在通用的字典中定义的术语应该被解释为具有与相关领域的上下文中它们的意思一致的意思，而不是理想地或者过于正式地解释它们的意思。
示例实施例涉及一种氧化物半导体和一种包括该氧化物半导体的薄膜晶体管。其它示例实施例涉及一种包含氧化锌(ZnO)的氧化物半导体、一种包括由该氧化物半导体形成的沟道的薄膜晶体管以及一种制造该薄膜晶体管的方法。
图1是示出了根据示例实施例的包括由氧化物半导体形成的沟道的薄膜晶体管的剖视图的视图。
在图1中，薄膜晶体管被示出为底部栅极型薄膜晶体管。然而，示例实施例并不限于此。根据示例实施例的薄膜晶体管可形成为顶部栅极型和/或底部栅极型。
参照图1，根据示例实施例的薄膜晶体管包括：基底11；绝缘层12，形成在基底11的顶表面上；栅极13，形成在绝缘层12的顶表面上；栅极绝缘层14，形成在基底11上并包围(或覆盖)栅极13；沟道15，形成在栅极绝缘层14上；源极16a和漏极16b，形成在沟道的侧表面上。沟道15可由包含从由4B族元素、4B族氧化物、稀土元素以及它们的组合组成的组中选择的至少一种材料的GaxInyZnz氧化物形成。
基底11可由用于形成半导体装置中的基底的任何公知材料形成。基底11可由硅、玻璃、塑料、有机材料等形成。如果基底11由硅形成，则绝缘层12可通过利用热氧化工艺在基底11的顶表面上沉积SiO2热氧化材料来形成。
栅极13可由导电材料(例如，金属或金属氧化物)形成。栅极绝缘层14可由在半导体装置中使用的公知绝缘材料形成。栅极绝缘层14可由氧化硅、氮化物等形成。栅极绝缘层14可由绝缘材料(例如，HfO2、Al2O3、Si3N4或它们的组合)或介电常数高于SiO2等的介电常数的高k材料(k为介电常数)形成。
源极16a和漏极16b可由导电材料形成。导电材料可为金属(例如，Cr、Pt、Ru、Au、Ag、Mo、Al、W、Cu、AlNd等)、金属氧化物(例如，ITO、GIZO、GZO、AZO、IZO(InZnO)、AZO(AlZnO)等)或导电氧化物。
在根据示例实施例的薄膜晶体管中，沟道15可由包含从由4B族元素、4B族氧化物、稀土元素以及它们的组合组成的组中选择的至少一种材料的GaxInyZnz氧化物形成。GaxInyZnz氧化物可为从由GaIn氧化物、InZn氧化物、GaInZn氧化物、Zn氧化物及它们的组合组成的组中选择的至少一种氧化物。在GaxInyZnz氧化物中，x、y和z表示原子比。在GaxInyZnz氧化物中，x、y和z可为满足下面的等式中的至少一个等式的整数：x+y+z＝1、x+y＝1、x+z＝1、y+z＝1和z＝1。
4B族元素可为从由钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)及它们的组合组成的组中选择的至少一种元素。
稀土元素可为从由La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Sc、Y及它们的组合组成的组中选择的至少一种元素。
沟道15可具有这样的结构，即，在氧化物半导体中掺杂了所述至少一种材料。沟道15可具有这样的结构，即，GaxInyZnz氧化物和所述至少一种材料混合在一起。
根据示例实施例，可将重量百分比为大约0.01％至大约10.00％的所述至少一种材料添加到GaxInyZnz氧化物(例如，氧化锌)中。
沟道15的厚度可小于200nm。沟道15可形成为多层结构，所述多层结构具有包含GaxInyZnz氧化物的第一氧化物层和包含所述至少一种材料的材料层。所述材料层的厚度为5nm到20nm。沟道15可选择性地在材料层上具有第二氧化物层。第二氧化物层可包含GaxInyZnz氧化物。第一氧化物层和材料层可交替地形成。根据示例实施例，所述第一氧化物层和所述第二氧化物层可包含相同或不同的GaxInyZnz氧化物。
现在将参照图2A至图2E来描述根据示例实施例的制造薄膜晶体管的方法。
图2A至图2E是示出了根据示例实施例的制造薄膜晶体管的方法的剖视图的视图。
参照图2A，制备基底11。可在基底11上形成绝缘层12。可在基底11和/或绝缘层12上沉积导电材料13a(例如，金属或金属氧化物)。基底11可由硅、玻璃或有机材料等形成。如果基底11由硅形成，则可利用热氧化工艺在基底11上形成绝缘层12。
参照图2B，可通过将导电材料13a图案化来形成栅极13。
参照图2C，可通过沉积绝缘材料(例如，HfO2、Al2O3、Si3N4或它们的组合)或介电常数高于SiO2等的介电常数的高k材料并将所述绝缘材料或高k材料图案化，在基底11上形成包围(或覆盖)栅极13的栅极绝缘层14。
参照图2D，可通过沉积并图案化沟道材料在栅极绝缘层14上形成沟道15。在图案化之后，沟道材料在对应于栅极13的区域中形成的部分可保留。
现在将描述由氧化物半导体形成沟道15的工艺。
如果通过溅射工艺来形成沟道15，则在分别沉积了用于GaxInyZnz氧化物和所述至少一种材料的靶材之后，可在栅极绝缘层14上沉积GaxInyZnz氧化物和所述至少一种材料。如果利用直流(DC)溅射法来形成GaxInyZnz氧化物，则可以同时添加用于形成GaxInyZnz氧化物的材料。如果使用射频(RF)溅射方法来形成GaxInyZnz氧化物，则可对氧化物(例如，TiO2)执行RF溅射。可调节溅射枪的功率，从而控制包含在GaxInyZnz氧化物中的所述至少一种材料的量。可调节室(chamber)内的惰性气体和氧的分压，从而控制含氧量。
可通过溅射、化学气相沉积(CVD)、原子层沉积(ALD)、激光辅助沉积、离子植入(ion implantation)、离子淋浴掺杂等来注入所述至少一种材料。可通过沉积所述至少一种材料并利用热处理(例如，热退火或激光退火)使所述至少一种材料在GaxInyZnz氧化物中扩散来形成沟道15。如果向沟道15中添加钛(Ti)，则沟道15可由从由TiInZn氧化物、TiGaInZn氧化物及它们的组合组成的组中选择的至少一种形成。
如果沟道15形成为多层结构，则可在栅极绝缘层14上顺序地沉积GaxInyZnz氧化物和所述至少一种材料。可在栅极绝缘层14上选择性地沉积GaxInyZnz氧化物。
图5是示出了根据示例实施例的以大约30W至50W的溅射功率通过在GIZO中添加Ti形成沟道后得到的SIMS分析的结果的曲线图。
参照图2E，可在沟道15上形成均接触沟道15的侧部的源极16a和漏极16b。可通过在沟道15和栅极绝缘层14上沉积导电材料(例如，金属或金属氧化物等)并将位于沟道15上部上的导电材料图案化来形成源极16a和漏极16b。
可通过利用炉子、快速热退火(RTA)、激光、热板等在100℃至450℃的温度下对沟道15执行热处理工艺。
如果通过对GaxInyZnz氧化物(例如，氧化锌)掺杂所述至少一种材料来形成沟道15，则沟道15可包括多晶结构、纳米晶结构或它们的混合结构。
如果沟道15具有单层结构，则可在沟道15中形成纳米晶或微晶的晶相。如果沟道15具有多层结构，则可在沟道15中形成多晶的晶相。
因此，所述氧化物半导体可以具有多晶结构或纳米晶结构和非晶结构的混合相。
图3是示出了根据示例实施例的薄膜晶体管和传统的薄膜晶体管在栅极电极(Vg)相对于漏电流(Id)方面的电学性能的曲线图。
在图3中，G31表示在形成GIZO沟道之后在350℃的温度下进行热处理，从而没有向GIZO中添加另外的材料而获得的薄膜晶体管。G32表示在以200W的溅射功率形成GIZO沟道并以30W的溅射功率形成钛(Ti)之后，在400℃的温度下进行热处理而得到的薄膜晶体管。G33表示在以200W的溅射功率形成GIZO沟道并以30W的溅射功率形成钛(Ti)之后，在350℃的温度下进行热处理而得到的薄膜晶体管。
参照图3，导通电流为大约10-5A，截止电流小于10-13A。这样，导通电流与截止电流的比率大于108。图3中的每种薄膜晶体管均具有被用作薄膜晶体管的提高的电学性能。
图4是示出了根据示例实施例的薄膜晶体管和传统薄膜晶体管的迁移率性能的曲线图。
在图4中，G41表示在形成GIZO沟道之后在350℃的温度下进行热处理，从而没有向GIZO中添加另外的材料而获得的薄膜晶体管。G42、G43和G44表示在以200W的溅射功率形成GIZO沟道并以30W的溅射功率形成Ti之后，分别在350℃、400℃和450℃的温度下进行热处理而得到的薄膜晶体管。
参照图4，由G42和G43表示的薄膜晶体管证明迁移率是由G41表示的传统薄膜晶体管的迁移率大约两倍大。由G44表示的薄膜晶体管的迁移率小于由G41表示的传统薄膜晶体管的迁移率。这样，在小于450℃的温度下对薄膜晶体管进行热处理会提高装置的电学性能。
根据示例实施例，通过将具有从由4B族元素、4B族氧化物、稀土元素及其组合组成的组中选择的至少一种材料的GaxInyZnz氧化物的沟道形成为单层结构或多层结构，薄膜晶体管具有提高的电学性能(例如，迁移率)。
上述描述是举例示出示例实施例，并不应该被理解为是限制性的。尽管已经描述了示例实施例，但是本领域的技术人员将容易理解在本质上不脱离示例实施例的新颖性教导和优点的情况下，能够对示例实施例做很多修改。因此，所有这些修改意图被包括在权利要求的范围内。在权利要求中，功能性条款意图覆盖这里作为执行所述功能而描述的结构，不仅仅覆盖结构等价物，而且覆盖等价物结构。因此，应该理解，上述描述是举例示出示例实施例，并不应该被理解为限于公开的具体实施例，对公开的实施例以及其它实施例的修改将被包括在权利要求的范围内。示例实施例通过权利要求以及包括在此的权利要求的等价物限定。
本申请要求于2007年7月4日在韩国知识产权局(KIPO)提交的第10-2007-0067131号韩国专利申请的优先权权益，该申请的全部内容通过引用包含于此。
Claims (31)
1、一种氧化物半导体，包括：
GaxInyZnz氧化物；
至少一种材料，从由4B族元素、4B族氧化物、稀土元素及它们的组合组成的组中选择。
2、根据权利要求1所述的氧化物半导体，其中，GaxInyZnz氧化物包含所述至少一种材料。
3、根据权利要求2所述的氧化物半导体，其中，所述至少一种材料的量在0.01wt％至10.00wt％的范围内。
4、根据权利要求1所述的氧化物半导体，其中，4B族元素是从由钛、锆、铪及它们的组合组成的组中选择的至少一种。
5、根据权利要求4所述的氧化物半导体，其中，x、y和z中的每个独立地为0到1范围内的整数，
所述氧化物半导体包含从由TiInZn氧化物、TiGaInZn氧化物及它们的组合组成的组中选择的至少一种。
6、根据权利要求1所述的氧化物半导体，包括：
第一氧化物层，包含GaxInyZnz氧化物；
材料层，位于第一氧化物层上，其中，所述材料层包含所述至少一种材料。
7、根据权利要求6所述的氧化物半导体，其中，所述材料层的厚度为5nm到20nm。
8、根据权利要求6所述的氧化物半导体，还包括位于所述材料层上的第二氧化物层，其中，第二氧化物层包含GaxInyZnz氧化物。
9、根据权利要求1所述的氧化物半导体，其中，所述氧化物半导体具有多晶结构或纳米晶结构。
10、根据权利要求1所述的氧化物半导体，其中，所述氧化物半导体具有多晶结构或纳米晶结构和非晶结构的混合相。
11、根据权利要求1所述的氧化物半导体，其中，x、y和z表示原子比，并且满足下面等式中的至少一个：x+y+z＝1、x+y＝1、x+z＝1、y+z＝1和z＝1。
12、一种薄膜晶体管，包括：
栅极；
沟道，对应于栅极，其中，沟道包含根据权利要求1的氧化物半导体；
栅极绝缘体，位于栅极和沟道之间；
源极和漏极，均接触沟道的侧部。
13、根据权利要求12所述的薄膜晶体管，其中，GaxInyZnz氧化物包含所述至少一种材料。
14、根据权利要求13所述的薄膜晶体管，其中，所述至少一种材料的量在0.01wt％至10.00wt％的范围内。
15、根据权利要求12所述的薄膜晶体管，其中，4B族元素是从由钛、锆、铪及它们的组合组成的组中选择的至少一种。
16、根据权利要求15所述的薄膜晶体管，其中，x、y和z中的每个独立地为0到1范围内的整数，
GaxInyZnz氧化物是从由TiInZn氧化物、TiGaInZn氧化物及它们的组合组成的组中选择的至少一种。
17、根据权利要求12所述的薄膜晶体管，其中，沟道包括：
第一氧化物层，包含GaxInyZnz氧化物；
材料层，位于第一氧化物层上，其中，所述材料层包含所述至少一种材料。
18、根据权利要求17所述的薄膜晶体管，其中，所述材料层的厚度为5nm到20nm。
19、根据权利要求17所述的薄膜晶体管，还包括位于所述材料层上的第二氧化物层，其中，第二氧化物层包含GaxInyZnz氧化物。
20、根据权利要求12所述的薄膜晶体管，其中，所述氧化物半导体具有多晶结构或纳米晶结构。
21、根据权利要求12所述的薄膜晶体管，其中，所述氧化物半导体具有多晶结构或纳米晶结构和非晶结构的混合相。
22、根据权利要求12所述的薄膜晶体管，其中，x、y和z表示原子比，并且满足下面等式中的至少一个：x+y+z＝1、x+y＝1、x+z＝1、y+z＝1和z＝1。
23、一种制造薄膜晶体管的方法，包括的步骤有：
形成栅极并在栅极上形成栅极绝缘层；
在栅极绝缘层上对应于栅极形成沟道，其中，沟道包含GaxInyZnz氧化物和从由4B族元素、4B族氧化物、稀土元素及它们的组合组成的组中选择的至少一种材料；
形成均接触沟道的侧部的源极和漏极。
24、根据权利要求23所述的方法，其中，在GaxInyZnz氧化物中形成所述至少一种材料。
25、根据权利要求24所述的方法，其中，通过利用从由溅射、化学气相沉积、原子层沉积、激光辅助沉积、离子植入和离子淋浴掺杂组成的组中选择的至少一种方法掺杂GaxInyZnz氧化物来形成沟道。
26、根据权利要求23所述的方法，其中，通过沉积所述至少一种材料并利用热处理来在GaxInyZnz氧化物中使所述至少一种材料扩散来形成沟道。
27、根据权利要求26所述的方法，其中，利用炉子、快速热退火、激光或热板在100℃至450℃的温度下执行热处理。
28、根据权利要求23所述的方法，包括的步骤有：
形成包含GaxInyZnz氧化物的第一氧化物层；
形成包含所述至少一种材料的材料层。
29、根据权利要求28所述的方法，其中，所述材料层的厚度为5nm至20nm。
30、根据权利要求28所述的方法，还包括的步骤有：在所述材料层上形成第二氧化物层，其中，第二氧化物层包含GaxInyZnz氧化物。
31、根据权利要求23所述的方法，其中，x、y和z表示原子比，并且满足下面等式中的至少一个：x+y+z＝1、x+y＝1、x+z＝1、y+z＝1和z＝1。
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| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20090107 |