CN101242931A - 基于光谱的监测化学机械研磨的装置及方法 - Google Patents

基于光谱的监测化学机械研磨的装置及方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101242931A
CN101242931A CNA2006800304049A CN200680030404A CN101242931A CN 101242931 A CN101242931 A CN 101242931A CN A2006800304049 A CNA2006800304049 A CN A2006800304049A CN 200680030404 A CN200680030404 A CN 200680030404A CN 101242931 A CN101242931 A CN 101242931A
Authority
CN
China
Prior art keywords
spectrum
grinding
base material
window
judge
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2006800304049A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101242931B (zh
Inventor
D·J·本韦格努
J·D·戴维
B·斯韦德克
H·Q·李
L·卡鲁皮亚
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Applied Materials Inc
Original Assignee
Applied Materials Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from US11/261,742 external-priority patent/US7406394B2/en
Priority to CN201210109226.6A priority Critical patent/CN102626895B/zh
Priority to CN201610227541.7A priority patent/CN105773398B/zh
Priority to CN201410667878.0A priority patent/CN104526536B/zh
Priority to CN201610901100.0A priority patent/CN106272030B/zh
Priority to CN201811613591.4A priority patent/CN109500726B/zh
Application filed by Applied Materials Inc filed Critical Applied Materials Inc
Priority to CN201711136690.3A priority patent/CN107738177A/zh
Priority claimed from PCT/US2006/032659 external-priority patent/WO2007024807A2/en
Publication of CN101242931A publication Critical patent/CN101242931A/zh
Publication of CN101242931B publication Critical patent/CN101242931B/zh
Application granted granted Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
    • H01L22/26—Acting in response to an ongoing measurement without interruption of processing, e.g. endpoint detection, in-situ thickness measurement
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/005—Control means for lapping machines or devices
    • B24B37/013—Devices or means for detecting lapping completion
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11—Lapping tools
    • B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
    • B24B37/205—Lapping pads for working plane surfaces provided with a window for inspecting the surface of the work being lapped
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/34—Accessories
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B49/00—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
    • B24B49/08—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation involving liquid or pneumatic means
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B49/00—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
    • B24B49/12—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation involving optical means
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24D—TOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
    • B24D7/00—Bonded abrasive wheels, or wheels with inserted abrasive blocks, designed for acting otherwise than only by their periphery, e.g. by the front face; Bushings or mountings therefor
    • B24D7/14—Zonally-graded wheels; Composite wheels comprising different abrasives
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30625—With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/31051—Planarisation of the insulating layers
    • H01L21/31053—Planarisation of the insulating layers involving a dielectric removal step
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/31051—Planarisation of the insulating layers
    • H01L21/31053—Planarisation of the insulating layers involving a dielectric removal step
    • H01L21/31055—Planarisation of the insulating layers involving a dielectric removal step the removal being a chemical etching step, e.g. dry etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321—After treatment
    • H01L21/32115—Planarisation
    • H01L21/3212—Planarisation by chemical mechanical polishing [CMP]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)

Abstract

本发明是揭示用于化学机械研磨的光谱基底监测的设备与方法，包含光谱基底终点侦测、光谱基底研磨速率调整、冲洗光学头的上表面、或具有窗口的垫片。该光谱基底终点侦测依经验法则为特定光谱基底终点判定逻辑选用一参考光谱，因此当应用该特定光谱基底终点逻辑判定出终点时，即是达到目标厚度。该研磨终点可利用一差异图形或一系列指针值来判定。该冲洗系统在该光学头上表面产生层流。该真空喷孔和真空来源是经配置以使该气流为层流型态。该窗口包含一软质塑料部分及一结晶或玻璃类部分。光谱基底研磨速率调整包含取得基材上不同区域的光谱。

Description

基于光谱的监测化学机械研磨的装置及方法
技术领域
本发明大体来说是有关于基材的化学机械研磨。
背景技术
一集成电路通常是藉由在硅晶片上的一系列的导体、半导体、或绝缘层的沉积而形成在一基材上。一制造步骤包含在一非平坦表面上沉积一填充层并平坦化该填充层。对于某些应用而言，会持续平坦化该填充层直到一图案化层的上表面暴露出为止。一导电填充层，例如，可沉积在一图案化绝缘层上以填充该绝缘层的沟槽或孔洞。在平坦化的后，余留在该凸起的绝缘层图案间的导电层部分形成介层洞、栓塞孔、及联机，其在该基材上的薄膜电路间提供信道。就其它应用而言，例如氧化物研磨，平坦化该填充层直到在该非平坦表面上剩下一预定厚度为止。此外，微影通常必定要平坦化该基材表面。
化学机械研磨(CMP)是一种公认的平坦化方法。此平坦化方法一般需要将该基材设置在一载具或研磨头上。该基材的暴露表面通常相对一旋转盘或带状研磨垫设置。该研磨垫可以是标准研磨垫或固定磨粒研磨垫。一标准研磨垫拥有长效的粗糙表面，而固定磨粒研磨垫则拥有保持在一容纳媒介内的研磨微粒。该载具头在该基材上提供可控制的负载，以将其推向该研磨垫。通常供应一研浆至该研磨垫表面。该研浆包含至少一种化学反应剂及，若用于标准研磨垫，研磨微粒。
CMP的一个问题是判定研磨制程是否已经完成，即，是否已将一基材层平坦化至预期平坦度或厚度，或是何时是已经移除预期材料量的时间点。过研磨(除去过多)导电层或薄膜会造成电路阻抗的增加。反之，研磨不足量(除去太少)导电层则会造成短路。该基材层的最初厚度、研浆成份、研磨垫条件、研磨垫和基材间的相对速度、以及基材上的负载等变异皆可导致材料移除速率的变异。这些变异造成达到研磨终点所需时间的变异。因此，研磨终点不能只视为研磨时间的函数来判定。
发明内容
在一一般观点中，本发明的特征在于一种包含选择一参考光谱的计算机执行方法。该参考光谱是从位于一第一基材上并且厚度大于一目标厚度的感兴趣的薄膜反射回来的白光光谱。该参考光谱是依经验法则为特定光谱基底终点判定逻辑选用，因此当应用该特定光谱基底终点逻辑判定出终点时，即是达到该目标厚度。该方法包含取得一现时光谱。该现时光谱是从位于一第二基材上并且现时厚度大于该目标厚度的感兴趣的薄膜反射回来的白光光谱。使在该第二基材上的感兴趣的薄膜经受一研磨步骤。该方法包含判定，为该第二基材，该研磨步骤何时达到终点。该判定是基于该参考光谱及该现时光谱。
在另一一般观点中，本发明的特征在于一种包含选择两或多种参考光谱的计算机执行方法。每一种参考光谱皆是从位于一第一基材上并且厚度大于一目标厚度的感兴趣的薄膜反射回来的白光光谱。所述参考光谱是依经验法则为特定光谱基底终点判定逻辑选用，因此当应用所述特定光谱基底终点逻辑判定出终点时，即是达到该目标厚度。该方法包含取得两或多种现时光谱。每一种现时光谱皆是从位于一第二基材上并且现时厚度大于该目标厚度的感兴趣的薄膜反射回来的白光光谱。使在该第二基材上的薄膜经受一研磨步骤。该方法包含判定，为该第二基材，该研磨步骤何时达到终点，该判定是基于所述参考光谱及所述现时光谱。
在另一一般观点中，本发明的特征在于一计算机程序产品，其包含能够使一处理器选择一参考光谱的指令。该参考光谱是从位于一第一基材上并且厚度大于一目标厚度的感兴趣的薄膜反射回来的白光光谱。该参考光谱是依经验法则为特定光谱基底终点判定逻辑选用，因此当应用该特定光谱基底终点逻辑判定出终点时，即是达到该目标厚度。该产品包含使该处理器取得一现时光谱的指令。该现时光谱是从位于一第二基材上并且现时厚度大于该目标厚度的感兴趣的薄膜反射回来的白光光谱。使在该第二基材上的感兴趣的薄膜经受一研磨步骤。该产品包含使该处理器判定，为该第二基材，该研磨步骤何时达到终点的指令。该判定是基于该参考光谱及该现时光谱。该产品是具体地储存在机器可读媒介中。
在又另一一般观点中，本发明的特征在于具体储存在机器可读媒介中的计算机程序产品。该产品包含能够使一处理器选择两或多种参考光谱的指令。每一种参考光谱皆是从位于一第一基材上并且厚度大于一目标厚度的感兴趣的薄膜反射回来的白光光谱。所述参考光谱是依经验法则为特定光谱基底终点判定逻辑选用，因此当应用所述特定光谱基底终点逻辑判定出终点时，即是达到该目标厚度。该产品更包含取得两或多种现时光谱的指令。每一种现时光谱皆是从位于一第二基材上并且现时厚度大于该目标厚度的感兴趣的薄膜反射回来的白光光谱。使在该第二基材上的感兴趣的薄膜经受一研磨步骤。该产品更包含用来判定，为该第二基材，该研磨步骤是否达到终点的指令，该判定是基于所述参考光谱及所述现时光谱。
在一一般观点中，本发明的特征在于一种用来冲洗一光学头上表面的冲洗系统。该系统包含一气体来源，配置来提供一气流，一输送喷孔，一输送线，其连接该气体来源至该输送喷孔，一真空来源，配置来提供真空，一真空喷孔，以及一真空线，其连接该真空来源至该真空喷孔。该气体来源和该输送喷孔是经配置来引导一气流通过该光学头的上表面。该真空喷孔和真空来源是经配置以使该气流为层流型态。
在另一一般观点中，本发明的特征在于一种用来冲洗一研磨垫窗口下表面的冲洗系统。该系统包含一气体来源，配置来提供一气流，一输送喷孔，一输送线，其连接该气体来源至该输送喷孔，一真空来源，配置来提供真空，一真空喷孔，以及一真空线，其连接该真空来源至该真空喷孔。该气体来源和该输送喷孔是经配置来引导一气流至该研磨垫窗口底部，其中防止凝结物形成在该研磨垫窗口的下表面上。
在一一般观点中，本发明的特征在于一种用于化学机械研磨的组件。该组件包含一研磨垫，具有一研磨表面。该组件包含一坚固窗口，设置在该研磨垫中以提供通过该研磨垫的光学近接。该坚固窗口包含由聚氨酯形成的第一部分以及由石英形成的第二部分。该第一部分的表面与该研磨垫的研磨表面共平面。
在另一一般观点中，本发明的特征在于一种研磨垫，其包含拥有一上表面及一下表面的研磨层。该研磨垫包含一孔洞，具有一第一开口在该上表面及一第二开口在该下表面。该上表面是一研磨表面。该研磨垫包含一窗口，其含有由软质塑料形成的第一部分及结晶或玻璃类的第二部分。该窗口对于白光而言是可穿透的。该窗口是设置在该孔洞内，因此该第一部分塞住该孔洞，而该第二部分则在该第一部分的底侧上，其中该第一部分作用为一研浆密封障蔽。
在另一一般观点中，本发明的特征在于一种制造研磨垫的方法。该方法包含将结晶或玻璃类的材料块置于一研磨垫窗口铸模中，该材料块对于白光而言是可穿透的。该方法包含将一软质塑料材料的液态前驱物配送至该铸模中，该软质塑料材料对于白光而言是可穿透的。该方法包含固化该液态前驱物以形成拥有由软质塑料材料形成的第一部分及结晶或玻璃类的第二部分的窗口。该方法包含将该窗口置于一研磨垫铸模中。该方法包含将一研磨垫材料的液态前驱物配送至该研磨垫铸模中。该方法包含固化该研磨垫材料的液态前驱物以产生该研磨垫，其中该窗口是设置在该研磨垫铸模中，因此，当生产出该研磨垫时，该窗口是设置在该研磨垫中，而使该第一部分作用为一研浆密封障蔽。
在另一一般观点中，本发明的特征在于一种制造研磨垫的方法。该方法包含将结晶或玻璃类的材料块置于一研磨垫窗口铸模中，该材料块对于白光而言是可穿透的。该方法包含将一软质塑料材料的液态前驱物配送至该铸模中，该软质塑料材料对于白光而言是可穿透的。该方法包含固化该液态前驱物以形成拥有由软质塑料材料形成的第一部分及结晶或玻璃类的第二部分的窗口。该方法包含形成含有一孔洞的研磨层，该研磨层具有一上表面及一下表面，该孔洞具有一第一开口在该上表面及一第二开口在该下表面，该上表面是一研磨表面。该方法包含将该窗口嵌入该孔洞中，该窗口是设置在该孔洞中，因此该第一部分塞住该孔洞，而该第二部分则在该第一部分的底侧上，其中该第一部分作用为一研浆密封障蔽。
在另一一般观点中，本发明的特征在于一种制造研磨垫的方法。该方法包含形成一研磨垫窗口的第一部分，该第一部分具有一凹槽，并且对于白光而言是可穿透的。该方法包含将一结晶或玻璃类材料块嵌入该凹槽中，该材料块对于白光而言是可穿透的。该方法包含形成含有一孔洞的研磨层，该研磨层具有一上表面及一下表面，该孔洞具有一第一开口在该上表面及一第二开口在该下表面，该上表面是一研磨表面。该方法包含将该窗口嵌入该孔洞中，该窗口是设置在该孔洞中，因此该第一部分塞住该孔洞，而该第二部分则在该第一部分的底侧上，其中该第一部分作用为一研浆密封障蔽。
在另一一般观点中，本发明的特征在于一种计算机执行方法。在一研磨程序期间，从一基材上的第一区域取得反射光的第一光谱，并且从该基材上的第二区域取得第二光谱。将该第一光谱及该第二光谱与一光谱库做比较，以判定该第一光谱的第一指针，以及该第二光谱的第二指针。在该研磨程序期间的不同时间点，从该第一区域取得反射光的第三光谱，并从该第二区域取得第四光谱。将该第三光谱及该第四光谱与该光谱库做比较，以判定该第一区域的第三指针，以及该第二区域的第四指针。该第一区域的研磨速率是从该第一指针和该第三指针来判定，而该第二区域的研磨速率则是从该第二指针和该第四指针来判定。基于该第一研磨速率，该第二研磨速率，该第一区域的第一目标相对厚度及该第二区域的第二目标相对厚度，为该第二区域判定出适应研磨速率，以使该第二区域基本上在该第一区域研磨至该第一目标相对厚度的同时研磨至该第二目标相对厚度。
本发明的实施可包含一或多种如下特征。该第一区域可以是一内部区域，而该第二区域可以是一外部环状区域。判定该第二区域的适应研磨速率可包含判定何时该第一目标相对厚度会落在距离该第二目标相对厚度的一预定门限内。判定该第二区域的适应研磨速率可包含判定该研磨程序的估计终点时间。取得该第一光谱及第二光谱可包含取得白光光谱。该方法可更包含调整该研磨系统的参数，以使该第二区域可以该适应研磨速率研磨。判定该适应研磨速率的步骤可在一设定基材上执行，而调整该研磨系统参数的步骤可在一产品基材上执行，或者该两个步骤皆可在该产品基材上执行。调整该研磨系统的参数可包含调整压力。判定一适应研磨速率可包含判定能在该研磨程序完成时让沿着该基材直径的剖面拥有平坦轮廓或碗状轮廓的研磨速率。取得该第一光谱及该第二光谱可包含在不同旋转位置采样该基材。取得该第一光谱和该第二光谱可包含测量从一氧化层反射回来的光谱。该方法可更包含研磨一设定基材直到该设定基材被过蚀刻，在该研磨期间从该测试基材的单一区域取得数个光谱；以及储存该数个光谱连同取得每一个光谱的时间点，以创造出该光谱库等步骤。该方法可更包含创造出该光谱库的指针，其中一指针代表在一特定时间点从该设定基材取得的光谱。
在另一一般观点中，本发明的特征在于一种监控一化学机械研磨制程的方法。引导一多波长光束至正在研磨的基材上，并测量从该基材反射回来的光线的光谱。使该光束以横越该基材表面的路径移动。从该讯号取得一系列的光谱测量，并且判定每一个光谱测量在该基材上的径向位置。根据所述径向位置将所述光谱测量分类成为数种径向范围。从该数种径向范围的至少一者中的光谱测量判定该基材的研磨终点。该方法可更包含判定所述径向范围之一的适应研磨速率及应用该适应研磨速率至所述径向范围之一。
如在此说明书中所使用者，基材一词可包含，例如，一产品基材(例如，含有多种内存或处理器晶粒者)、一测试基材、一裸基材、以及一栅极基材(gating substrate)。该基材可以是在集成电路的各种制造阶段下，例如，该基材可以是一裸晶片，或者其可包含一或多个沉积及/或图案化层。基材一词可包含圆盘及矩形薄片。
本发明的实施的可能优势可包含如下一或多种。几乎可不需考虑研磨速率的变异做出终点判定。影响研磨速率的因素，例如，消耗物，通常不需要列入考虑。多个参考及/或目标光谱的使用(相对于单一参考光谱及/或单一目标光谱)改善终点判定的精确度，藉由提供通常比使用单一参考光谱技术产生出的图形平滑的差异或终点图形。一种较不会使研浆在研磨的基材表面上干燥的冲洗系统。一种可提高终点判定的精确度及/或准确度的研磨垫窗口。
本发明的一或多个实施例的细节在如下的附图及描述中提出。本发明的其它特征、目的、及优势可由所述描述及图式，以及所述权利要求而变得显而易见。
附图说明
图1标出一化学机械研磨设备。
第2A一2H图标出一研磨垫窗口的实施。
图3标出一冲洗系统的实施。
图4标出该冲洗系统的另一种实施。
图5是一研磨垫的上视图，并示出进行原位测量的位置。
图6A标出由原位测量取得的光镨。
图6B标出在研磨进展时由原位测量取得的光谱的演变。
图7A标出一种取得目标光谱的方法。
图7B标出一种取得参考光谱的方法。
图8A和8B标出一种终点判定的方法。
图9A和9B标出终点判定的另一种方法。
图10A和10B标出终点判定的另一种可选方法。
图11标出判定终点的实施。
图12标出一光谱的波峰至波谷标准化。
图13标出使用多个参考光谱提供的平滑效应。
图14标出一种在研磨期间于区域内取得光谱的方法。
图15标出一种调整区域内的研磨速率以达到预期轮廓的方法。
图16标出研磨速率经过调整的制程的研磨进展对于时间的作图。
图17标出研磨速率未经过调整的制程的研磨进展对于时间的作图。
图18标出使用前馈法来控制研磨的制程的研磨对于时间的作图。
在各种图式中相同的组件符号表示相同的组件。
主要组件符号说明
10  基材         20  研磨设备
22  驱动杆       24  平台
25、71  轴       26  凹槽
30  研磨垫                  32  外研磨层
34  背研磨层                36  光学近接
38  研浆                    39  手臂
50  原位监控模块            51  光源
52  光侦测器                53  光学头
54  光缆                    55  主干
56、58  分支                70  载具头
72  支撑结构                74  载具驱动杆
76  马达                    202  聚氨酯部分
204  石英部分               206、314  上表面
208  研磨表面               210  下表面
212  凸出物                 214  路径
216  胶黏剂                 218  唇状物
220  折射胶                 222  光纤缆线
302、402  气体来源          304、404  输送线
306、406  输送喷孔          308、408  抽吸喷孔
310、410  真空线            312、412  真空来源
501-511  点                 602、604、606  光谱
801、803、901、903、1003、1004  图形
805  门限值                 807最小值
905  门限范围               907目标差异
1005  线条                  1302、1304、1306图形
1505  稳定研磨期            1510、1610中心区域
1515、1630  边缘区域        1520、1620中间区域
1530  指针                  1535旋转数
1640  门限距离              1650可接受限度
具体实施方式
图1标出可用来研磨一基材10的研磨设备20。该研磨设备20包含一可旋转的盘状平台24，其上设置有一研磨垫30。该平台可以轴25为中心旋转。例如，一马达可转动一驱动杆22来旋转该平台24。该研磨垫30能够可拆除地固定在该平台24上，例如，利用一层胶黏剂。当耗尽时，可拆除该研磨垫30并替换。该研磨垫30可以是具有外研磨层32和较软的背研磨层34的两层研磨垫。
藉由包含一孔洞(即，贯穿该研磨垫的洞)或一坚固窗口来提供通过该研磨垫的光学近接36。该坚固窗口可固定在该研磨垫上，虽然在某些实施中，该坚固窗口可以支撑在该平台24上，并伸入该研磨垫中的孔洞内。该研磨垫30一般是置放在该平台24上，而使该孔洞或窗口位于设置在该平台24的凹槽26内的光学头53上。该光学头53因此通过该孔洞或窗口拥有对受到研磨的基材的光学近接。该光学头在后方进一步描述。
该窗口可以是，例如，坚硬的结晶或玻璃类材料，例如，石英或玻璃，或是较软的塑料材料，例如硅树脂、聚氨酯或卤化聚合物(例如，氟化聚合物)，或所提到材料的组合物。该窗口对于白光可以是可穿透的。若该坚固窗口的上表面是一坚硬的结晶或玻璃类材料，则该上表面应该要从该研磨表面凹陷够深以避免刮伤。若该上表面很接近并且可能与该研磨表面接触，则该窗口的上表面应该是一较软的塑料材料。在某些实施中，该坚固窗口是固定在该研磨垫内并且是聚氨酯窗口，或者是拥有石英和聚氨酯的组合物的窗口。该窗口可具有高穿透率，例如，大约80％的穿透率，对于特定颜色的单色光而言，例如，蓝光或红光。该窗口可密封在该研磨垫30上，因此液体不会通过该窗口和该研磨垫30的接口漏出。
在一实施中，该窗口包含覆盖一较软的塑料材料外层的坚硬结晶或玻璃类材料。该较软材料的上表面可与该研磨表面共平面。该坚硬材料的下表面相较于该研磨垫的下表面可以共平面或凹陷。明确地说，若该研磨垫包含两层，该坚固窗口可以合并在该研磨层内，而该下层可具有与该坚固窗口对齐的孔洞。
假设该窗口包含坚硬的结晶或玻璃类材料及较软的塑料材料的组合物，则不需要任何胶黏剂来固定这两个部分。例如，在一实施中，并没有使用胶黏剂来结合该窗口的聚氨酯部分和该石英部分。或者，可使用对于白光而言可穿透的胶黏剂，或可应用一种胶黏剂，而使通过该窗口的光线不会通过该胶黏剂。譬如，可仅在该聚氨酯和石英部分间的接口周围应用该胶黏剂。可在该窗口下表面上应用一折射胶。
该窗口下表面可选择性地包含一或多个凹槽。一凹槽可经塑型以容纳，例如，一光纤缆线的终端或一涡流感应器的终端。该凹槽使该光纤缆线的终端或该涡流感应器的终端可以设置在距离受到研磨的基材表面一段短于该窗口厚度的距离。在该窗口包含一坚硬的结晶部分或玻璃类部分且该凹槽是藉由加工形成在此一部分内的实施中，该凹槽是经研磨以除去由加工所造成的刮痕。或者，可施加一溶剂及/或一液态聚合物至该凹槽表面，以除去由加工所造成的刮痕。除去通常因为加工所造成的刮痕可降低散射，并且可改善通过该窗口的光线的穿透率。
图2A-2H标出该窗口的各种实施。如图2A所示，该窗口可具有两个部分，一聚氨酯部分202以及一石英部分204。所述部分是几个分层，以该聚氨酯部分202设置在该石英部分204上方的形式。该窗口可设置在该研磨垫内，而使该聚氨酯层的上表面206与该研磨垫的研磨表面208共平面。
如图2B所示，该聚氨酯部分202可拥有该石英部分设置在其内的凹槽。该石英部分的下表面210暴露出来。
如图2C所示，该聚氨酯部分202可包含凸出物，例如，深入该石英部分204内的凸出物212。所述凸出物可作用以降低该聚氨酯部分202因为来自该基材或扣环的磨擦力而被拉离该石英部分204的可能性。
如图2D所示，该聚氨酯部分202和石英部分204间的接口可以是一粗糙表面。此种表面可改善该窗口的两个部分的结合强度，也可降低该聚氨酯部分202因为来自该基材或扣环的磨擦力而被拉离该石英部分204的可能性。
如图2E所示，该聚氨酯部分202的厚度可以不平均。在一光束路径214上的位置的厚度小于不在该光束路径214上的位置的厚度。譬如，厚度t1小于厚度t2。或者，该窗口边缘处的厚度可以比较薄。
如图2F所示，可利用一胶黏剂216连结该聚氨酯部分202及该石英部分204。可应用该胶黏剂而使其不会在该光束路径214上。
如图2G所示，该研磨垫可包含一研磨层及一背层。该聚氨酯层202延伸通过该研磨层，并至少部分进入该背层。该背层内的孔可比该研磨层内的孔大，并且该背层内的聚氨酯部分可比该研磨层内的聚氨酯部分宽。该研磨层因此提供一唇状物218，其突出在该窗口上并可作用以抗拒使该聚氨酯部分202离开该石英部分204的拉力。该聚氨酯部分202与该研磨垫的分层的孔洞形状相符。
如图2H所示，可在该石英部分204的下表面210施加折射胶220，以提供光线从一光纤缆线222行进至该窗口的媒介。该折射胶220可填充该光纤缆线222和该石英部分204间的距离，并且可具有符合的折射率或介于该光纤缆线222和该石英部分204的折射率间的折射率。
在该窗口含有石英和聚氨酯部分两者的实施中，该聚氨酯层应当有在该研磨垫的使用寿命期间，该聚氨酯部分不会耗尽而暴露出该石英部分的厚度。该石英可从该研磨垫下表面凹陷进去，而该光纤缆线222可部分延伸进入该研磨垫内。
可用若干技术来制造上述的窗口及研磨垫。例如，可用胶黏剂来将该研磨垫的背层34与其外研磨层32连结。提供光学近接36的孔洞可形成在该研磨垫30内，例如，藉由切割或成型该研磨垫30以包含该孔洞，并且该窗口可以嵌入该孔洞中并固定在该研磨垫30上，例如，利用胶黏剂。或者，可配送该窗口的液态前驱物至该研磨垫30的孔洞内并固化以形成该窗口。或者，一坚固的可穿透构件，例如，上述的结晶或玻璃类部分，可安置在液态研磨垫材料内，并且可固化该液态研磨垫材料以形成围绕该可穿透构件的研磨垫。在后面的两个情况中，可形成一块研磨垫材料，并且可从该块状物切割出一层具有成型的窗口的研磨垫。
在该窗口包含一结晶或玻璃类的第一部分及由软质塑料材料制成的第二部分的实施中，可应用所述的液态前驱物技术来在该研磨垫30的孔洞内形成该第二部分。然后再嵌入该第一部分。若在该第二部分的液态前驱物固化前嵌入该第一部分，则固化可结合该第一及第二部分。若在该第二部分的液态前驱物固化后嵌入该第一部分，则可利用一胶黏剂来固定该第一及第二部分。
该研磨设备20可包含一冲洗系统以改善光线通过该光学近接26的传播。该冲洗系统有不同的实施。在该研磨垫30包含一孔洞而非一坚固窗口的研磨设备20的实施中，实施该冲洗系统以在该光学头53的上表面上提供流体，例如，气体或液体，的层流。(该上表面可以是含在该光学头53内的一透镜的上表面)。该光学头53上表面上的流体层流可将不可穿透的研浆冲离该光学近接及/或避免研浆在该上表面上干燥，因而，改善通过该光学近接的传播。在该研磨垫30包含一坚固窗口而非一孔洞的实施中，实施该冲洗系统以引导一气流至该窗口下表面。该气流可避免凝结物形成在该坚固窗口的下表面上，不然会阻碍光学近接。
图3标出该层流冲洗系统的实施。该冲洗系统包含一气体来源302、一输送线304、一输送喷孔306、一抽吸喷孔308、一真空线310、以及一真空来源312。该气体来源302和真空来源可经配置以使其可导入及抽出相同或相似的气体量。该输送喷孔306是经设置而使得气体层流被引导通过该原位监控模块的可穿透上表面314，而不会被引导至受到研磨的基材表面处。因此，气体层流不会干燥受研磨的基材表面上的研浆，这会对研磨产生不良影响。
图4标出用来避免凝结物形成在该坚固窗口下表面上的冲洗系统的实施。该系统减少或避免凝结物形成在该研磨垫窗口下表面。该系统包含一气体来源402、一输送线404、一输送喷孔406、一抽吸喷孔408、一真空线410、以及一真空来源412。该气体来源402和真空来源可经配置以使其可导入及抽出相同或相似的气体量。该输送喷孔406是经设置而使得气体层流被引导至该研磨垫30内的窗口下表面处。
在图4的实施的另一种选择的实施中，该冲洗系统并不包含一真空来源或真空线。取代这些零组件，该冲洗系统包含形成在该平台内的风扇，而使导入该坚固窗口下方空间内的气体可以被抽至该平台一侧，或者是，至该研磨设备内可以容忍潮湿的其它地方。
上述气体来源和真空来源可以设置在远离该平台处，因此不会跟该平台一起旋转。在此情况下，该供给线及该真空线每一个皆含有输送气体的旋转耦合器。
回到图1，该研磨设备20包含一组合的研浆/漂洗手臂39。在研磨期间，该手臂39能够分布含有液体及pH调整剂的研浆38。或者，该研磨设备包含能够分散研浆至研磨垫30上的研浆埠。
该研磨设备20包含能够使该基材10保持倚靠该研磨垫30的载具头70。该载具头70悬吊在一支撑结构72上，例如，一旋转具，并且利用一载具驱动杆74连接至一载具头旋转马达76，因此该载具头可以一轴71为中心旋转。此外，该载具头70可在形成于该支撑结构72内的径向狭缝内横向摆动。操作时，该平台以其中央轴25为中心旋转，而该载具头则以其中央轴71为中心旋转，并在该研磨垫上表面上横向移动。
该研磨设备也包含一光学监控系统，其可用来如上述般判定研磨终点。该光学监控系统包含一光源51以及一光侦测器52。光从该光源51通过该研磨垫30内的光学近接36，撞击该基材10并从其反射回来通过该光学近接36，并行进至该光侦测器52。
可使用一分岔的光缆54来从该光源51传输光线至该光学近接36，并从该光学近接36传输光线回到该光侦测器52。该分岔的光缆54可包含一「主干」55和两个「分支」56及58。
如上所述，该平台24包含该凹槽26，其中设置有该光学头53。该光学头53容纳该分岔光缆54的主干55的一端，其是配置来传输光线往返受研磨的基材表面。该光学头53可包含一或多个位于该分岔光缆54的端点上方的透镜或窗口(如图3所示般)。或者，该光学头53可仅在邻接该研磨垫内的坚固窗口处容纳该主干55端点。该光学头53可容纳上述冲洗系统的喷孔。该光学头53可依需要从该凹槽26移出，例如，以进行预防性或校正性维修。
该平台包含一可移除的原位监控模块50。该原位监控模块50可包含一或多种如下构件：该光源51、该光侦测器52、以及传送和接收讯号往返该光源51和光侦测器52的电路。例如，该侦测器52的输出可以是通过该驱动杆22内的旋转耦合器，例如一滑环，至该光学监控系统的控制器的数字电子讯号。同样地，该光源可响应从该控制器通过该旋转耦合器至该模块50的数字电子讯号内的控制命令而开启或关闭。
该原位监控模块也可容纳该分岔光纤54的分支部分56和58各自的端点。该光源可发射光线，其是经传输通过该分支56并自位于该光学头53内的主干55的端点离开，且撞击在受研磨的基材上。从该基材反射出的光线在位于该光学头53内的主干55的端点处被接收，并传输通过该分支58至该光侦测器52。
在一实施中，该分岔光纤缆线54是一束光纤。该束光纤包含一第一组光纤以及一第二组光纤。该第一组内的光纤是经连接以从该光源51传输光线至受研磨的基材表面。该第二组内的光纤是经连接以接收从受研磨的基材表面反射出的光线，并传输所接收的光线至一光侦测器。所述光纤可经设置而使该第二组内的光纤成为类似X的形状，其以该分岔光纤54的纵轴为中心(如以该分岔光纤54的剖面观看)。或者，可实施其它配置。例如，该第二组内的光纤可成为类似V的形状，其是彼此的镜像。适用的分岔光纤可从德州Carrollton的Verity Instruments公司购得。
该研磨垫窗口和紧邻该研磨垫窗口的分岔光纤缆线54的主干55的端点间通常有一最佳距离。该距离可依经验法则决定并且受到，例如，该窗口的反射率、从该分岔光纤缆线发射出的光束形状、以及所监控的基材的距离等因素影响。在一实施中，该分岔光纤缆线是经设置而使紧邻该窗口的端点尽可能靠近该窗口底部，但不真的接触该窗口。在此实施中，该研磨设备20可包含一种机构，例如，做为该光学头53的一部分，其能够调整该分岔光纤缆线54的端点和该研磨垫窗口下表面间的距离。或者，该分岔光纤缆线的紧邻端点是嵌入在该窗口中。
该光源51能够发射白光。在一实施中，所发射的白光包含波长200-800纳米的光线。适合的光源是氙气灯或氙汞灯。
该光侦测器52可以是一光谱仪。光谱仪基本上是一种用来测量在电磁波谱的一部分范围内的光线特性的光学仪器，例如，强度。适合的光谱仪是一光栅光谱仪。一光谱仪的典型输出是做为波长函数的光线强度。
选择性地，该原位监控模块50可包含其它感应器构件。该原位监控模块50可包含，例如，涡流感应器、激光、发光二极管、以及光侦测器(photodetector)。在该原位监控模块50包含涡流感应器的实施中，该模块50通常是经设置而使受研磨基材会位于该涡流感应器的工作范围内。
该光源51和光侦测器52与能够控制其操作以及接收其讯号的运算装置连接。该运算装置可包含一靠近该研磨设备设置的微处理器，例如，一个人计算机。在控制方面，该运算装置可以，例如，让光源51的激活及该平台24的旋转同时发生。如图5所示，该计算机可使该光源51刚好在该基材10通过该原位监控模块之前开始发射一连串的闪光，并在通过的后立即结束。(所描绘的每一点501-511表示来自该原位监控模块的光线撞击及反射的位置)。或者，该计算机可使该光源51刚好在该基材10通过该原位监控模块之前开始连续发光，并在通过的后立即结束。
在接收讯号方面，该运算装置可接收，例如，含有描述该光侦测器52所接收到的光线的光谱的信息的讯号。图6A标出从光源的单次闪光所发射出并从该基材反射回来的光线所测得的光谱的范例。该光谱示出一原始光谱(raw spectrum)，也就是，标准化之前的光谱。光谱602是从一产品基材反射回来的光线所测得者。光谱604是从一基础硅基材(仅有一个硅层的晶片)反射回来的光线所测得者。光谱606是来自该光学头53所接收到的光线，当没有基材设置在该光学头53上方时。在此情况下，在本说明书中称为黑暗条件，所接收到的光线通常是从该研磨垫窗口散射的光线。
该运算装置可处理上述讯号，以判定一研磨步骤的终点。不受限于任何特定理论，从该基材10反射回来的光线的光谱随着研磨进展演进。图6B提供随着感兴趣的薄膜的研磨进展演进的范例。图6B的光谱已经过标准化。光谱的不同线表示研磨的不同时间点。如可见到者，反射光的光谱特性随着该薄膜厚度改变而改变，并且特定的薄膜厚度呈现出特定的光谱。该运算装置可执行基于一或多个光谱来判定何时达到终点的逻辑。终点判定所植基的一或多个光谱可包含目标光谱、参考光谱、或两者。
如在本说明书中所使用者，一目标光谱表示由感兴趣的薄膜反射回来的白光所呈现的光谱，当该感兴趣的薄膜具有目标厚度时。譬如，目标厚度可以是1、2、或3微米。或者，该目标厚度可以是0，例如，当感兴趣的薄膜被清除而露出下方薄膜时。
感兴趣的特定厚度可以有并且通常有多个目标光谱。会这样是因为研磨通常在限定速率下发生，而使感兴趣的薄膜维持该目标厚度一段可取得多个光谱的时间。此外，图案化基材的不同区域通常产生不同的光谱(即使所述光谱是在研磨期间的相同时间点获得)。例如，从基材的切割线反射回来的光线的光谱与从该基材的数组反射回来的光线的光谱不同(即，形状不同)。这种现象在本说明书中称为图案效应。因此，一特定目标厚度可有多个光谱，并且该多个光谱可因为图案效应而包含彼此不同的光谱。
图7A标出取得一或多个目标光谱的方法700。测量图案与该产品基材相同的基材的特性(步骤702)。在本说明书中将所测量的基材称为「设定」基材。该设定基材可以纯粹是与产品基材相似或相同的基材，或者该设定基材可以是来自一个批次的一个基材。所述特性可包含在该基材上的感兴趣的特定位置处的感兴趣的薄膜的研磨前厚度。通常，测量多个位置的厚度。所述位置一般是经选择而在每一个位置测量相同类型的晶粒特征。测量可在一量测站处执行。
该设定基材根据所欲的研磨步骤研磨，并且在研磨期间收集从受研磨的基材表面反射回来的白光的光谱(步骤704)。研磨及光谱收集可在上述研磨设备内执行。在研磨期间，光谱是由该原位监控系统收集。每一次平台旋转皆可收集多个光谱。该基材是过研磨，即，研磨超过估计的终点，因此可取得达到目标厚度时从该基材反射回来的光线的光谱。
测量受到过研磨的基材的特性(步骤706)。所述特性包含感兴趣的薄膜在研磨前的测量中所采用的特定位置或多个位置处的研磨后的厚度。
用所测量的厚度和所收集到的光谱来选择，从所收集到的光谱的中，该基材具有所欲的厚度时会呈现的一或多个光谱(步骤708)。明确地说，可用所测量到的研磨前薄膜厚度及研磨后基材厚度来执行线性内插，以决定达到目标薄膜厚度时会呈现的是哪一个光谱。所决定的达到该目标厚度时会呈现的光谱被指定为该批次基材的目标光谱。通常，指定所收集到的光谱中的三个为目标光谱。或者，指定五个、七个、和九个光谱为目标光谱。
选择性地，处理所收集到的光谱以增强精确度及/或准确度。可处理所述光谱以，例如，将其标准化成为共同参考，将其平均，及/或从其中滤除噪声。下面描述这些处理操作的特定实施。
如在本说明书中所使用者，一参考光谱表示与目标薄膜厚度有关的光谱。通常依经验法则为特定光谱基底终点判定逻辑选择一个、两个或更多个参考光谱，因此当该计算机装置应用该特定光谱基底终点判定逻辑判定出终点时，即是达到目标厚度。该或所述参考光谱可以重复选择，如会在下面参考图7B描述般。参考光谱通常不是目标光谱。反之，参考光谱通常是在感兴趣的薄膜的厚度大于目标厚度时，从该基材反射回来的光线的光谱。
图7B标出为一特定目标厚度及特定光谱基底终点判定逻辑选择一参考光谱的方法701。在某些实施例中，可选择两个或多个光谱，而非仅选一个。测量一设定基材并如上面步骤702-706所述般研磨(步骤703)。明确地说，储存所收集到的光谱及每一个收集到的光谱被测量的时间点。在研磨期间，每一次平台旋转皆可收集多个光谱。
为该特定的设定基材计算研磨设备的研磨速率(步骤705)。可利用研磨前及后的厚度T1、T2和实际研磨时间PT来计算平均研磨速率PR，例如，PR＝(T2-T1)/PT。
计算该特定的设定基材的终点时间，以提供一校正点来测试该参考光谱，如下所讨论般(步骤707)。可基于计算出的研磨速率PR、感兴趣的薄膜的研磨前起使厚度ST、以及感兴趣的薄膜的目标厚度TT来计算终点时间。该终点时间可以简单线性内插法来计算，假设在整个研磨制程期间该研磨速率是固定的，例如，ET＝(ST-TT)/PR。
选择性地，可利用研磨该批图案化基材的另一个基材，在所算出的终点时间停止研磨，并测量感兴趣的薄膜的厚度来评估所计算出的终点时间。若厚度在该目标厚度的符合要求的范围内，则所计算出的终点时间即是令人满意的。否则，必须重新计算所算出的终点时间。
选择所收集的光谱的一并指定为该参考光谱(步骤709)。所选择的光谱是在感兴趣的薄膜的厚度大于以及大约等于该目标厚度时从该基材反射回来的光线的光谱。或者，指定两个或多个光谱做为该参考光谱。通常，指定所收集到的光谱中的三个做为参考光谱。或者，指定五个、七个、或九个光谱为参考光谱。如同该目标光谱般，可以有多个参考光谱，因为该研磨速率是限定的。
在一实施中，识别出相应于步骤707计算出的终点时间的该特定平台旋转，并且选择该特定平台旋转期间所收集到的光谱来指定为参考光谱。譬如，所收集的光谱可以来自该基材的中央区域。相应于所计算出的终点时间的该平台旋转是相应于所算出的终点时间发生期间的平台旋转。譬如，若算出的终点时间是25.5秒，则相应于此算出的终点时间的该特定平台旋转是在该研磨制程中研磨25.5秒发生期间的平台旋转。
利用为该设定基材收集的光谱以及指定为该或所述参考光谱的该或所述选择光谱来仿真执行该特定终点判定逻辑(步骤711)。执行该逻辑产生依经验法则导出但是是仿真的该逻辑判定是终点的终点时间。
将依经验法则导出但是是仿真的终点时间与所计算出的终点时间做比较(步骤713)。若该依经验法则导出的终点时间落在所计算出的终点时间的门限范围内，则知道目前所选择的参考光谱可产生符合该校正点的结果。因此，当在执行环境下利用该或所述参考光谱执行该终点逻辑时，该系统应该会确实地在该目标厚度处侦测出终点。因此，可保留该或所述参考光谱做为该批次其它基材的执行期间的研磨的参考光谱(步骤718)。否则，适当地重复步骤709和711。
选择性地，可为每一次重复(即，每一次执行步骤709和711)改变除了选择的该或所述光谱之外的其它变因。例如，可改变上述光谱处理(例如滤光片参数)及/或距离差异图形的最小值的门限范围。后面描述该差异图形及该差异图形的最小值的门限范围
图8A标出使用光谱基底终点判定逻辑来判定一研磨步骤的终点的方法800。利用上述研磨设备研磨该批次的图案化基材中的另一个基材(步骤802)。在该平台的每一次旋转执行下述步骤。
测量从受研磨的基材表面反射回来的白光的一或多个光谱，以取得现时平台旋转的一或多个现时光谱(步骤804)。在点501-511处(图5)的光谱测量是现时平台旋转期间测得的光谱的范例。选择性地处理在现时平台旋转期间所测得的光谱，以增强精确度及/或准确度，如上面参考图7A所描述者，以及如后方参考图11所描述者。
在某些实施中，若仅测量一个光谱，则用该光谱来做为该现时光谱。若为一平台旋转测量多于一个现时光谱，则将其分组，在每一组中平均，并且指定所述平均做为现时光谱。可用距离该基材中心的径向距离来分组所述光谱。譬如，一第一现时光谱可取自在点502和510处(图5)测得的光谱，一第二现时光谱可取自在点503和509处(图5)测得的光谱，一第三现时光谱可取自在点504和508处(图5)测得的光谱，依此类推。平均在点502和510处测得的光谱，以取得该现时平台旋转的第一现时光谱。平均在点503和509处测得的光谱，以取得该现时平台旋转的第二现时光谱。平均在点504和508处测得的光谱，以取得该现时平台旋转的第三现时光谱。
在某些实施中，选择在该现时平台旋转期间测得的两个或多个光谱来做为该现时平台旋转的现时光谱。在一实施中，选择做为现时光谱的光谱是在靠近该基材中心的样本位置处所测得者(例如，在图5所示的点505、506、和507处)。并未平均所选择的光谱，并且每一个选择的光谱均指定为该现时平台旋转的现时光谱。
计算每一个该或所述现时光谱及每一个参考光谱间的差异(步骤806)。该或所述参考光谱可如上面参考图7B所述般获得。在一实施中，该差异是在一波长范围内的强度差异的总和。也就是，
Figure S2006800304049D00191
其中a和b分别是一光谱的波长范围的下限和上限，而Icurrent(λ)和Ireference(λ)分别是一已知波长的现时光谱的强度及目标光谱的强度。
计算每一个现时光谱和每一个参考光谱间的差异的一种方式是选择每一个现时光谱。对于每一个选择的现时光谱而言，对照每一个参考光谱计算出差异。已知现时光谱e、f、和g，以及参考光谱E、F、和G，例如，会计算每一组现时和参考光谱的如下组合的差异：e和E、e和F、e和G、f和E、f和F、f和G、g和E、g和F、及g和G。
在某些实施中，每一个计算出的差异被附加至一差异图形中(步骤808)。该差异图形一般是所计算出的差异的作图。该差异图形每平台旋转至少更新一次。(当为每一次平台旋转取得多个光谱时，该差异图形可以每平台旋转更新多于一次)。
该差异图形通常是所计算出的差异的一的作图(在此例中，所计算出的现时平台旋转的最小差异)。替代该最小差异，另一种差异，例如，所述差异的中位数或最小差异的下一个，可以附加至该图形。
取用所述差异的最小值可改善该终点判定制程的精确度。现时光谱可包含从该基材的不同位置(例如，切割线和数组)反射回来的光线的光谱，并且上述图案效应可使这些光谱非常不一样。同样地，该参考光谱可包含从该基材的不同位置反射回来的光线的光谱。比较不同类的光谱是不对的，并且可造成终点判定的错误。例如，比较从一图案化光谱的切割线反射回来的光线的现时光谱和从该图案化基材的数组反射回来的光线的参考光谱会使该终点判定计算产生错误。此种比较，比喻来说，是拿苹果和橘子来做比较。在仅考虑所述差异的最小值的情况下，这些类型的比较(即使执行)是排除在计算外的。因此，藉由使用多个参考光谱及多个现时光谱，并且仅考虑每一个这些光谱间的差异的最小值，能够避免可能因为上述不对的比较而产生的错误。
选择性地，可处理该差异图形，例如，藉由排除偏离前一个或多个计算差异超出一门限范围的计算差异来平滑化该差异图形。
判定该差异图形是否落在最小值的门限值内(步骤810)。在侦测到最小值的后，当该差异图形开始上升超过该最小值的特定门限值时，即判定出终点。或者，可基于该差异图形的斜率来判定出该终点。明确地说，该差异图形的斜率在该差异图形最小值处接近并变成0。当该差异图形的斜率落在接近0的斜率的门限范围内时即可判定出终点。
选择性地，可应用窗口逻辑来促进步骤808的判定。适用的窗口逻辑在共同让渡的美国专利第5,893,796和6,296,548号中描述，其在此藉由引用的方式并入本文中。
若判定该差异图形并未达到一最小值的门限范围，则研磨可以持续进行，并适当地重复步骤804、806、808、和810。否则，判定出终点并且终止研磨(步骤812)。
图8B标出上述判定终点的方法。图形801是原始差异图形。图形803是平滑化的差异图形。当该平滑化的差异图形803达到该最小值807上的门限值805时即判定出终点。
做为使用一或多个参考光谱的另一种选择，可在方法800中使用一或多个目标光谱。该差异计算会是在现时光谱和目标光谱间，而终点会在该差异图形达到最小值时判定出。
图9A标出使用光谱基底终点判定逻辑来判定一研磨步骤的终点的另一种方法900。研磨一设定基材并取得一或多个目标光谱和参考光谱(步骤902)。这些光谱可如上述般参考图7A和7B取得。
计算一目标差异(步骤904)。若使用一个参考光谱，则该目标差异是该参考光谱和该目标光谱间的差异，并且可用上述差异方程式来计算。若使用两个或多个参考光谱，则该目标差异是所述参考光谱和所述目标光谱间的差异的最小值，其利用上述差异方程式以及计算差异的方法算出(即，步骤808)。
开始研磨该批次基材的另一个基材(步骤906)。在研磨期间为每一次平台旋转执行如下步骤。测量从受研磨的基材表面反射回来的白光的一或多个光谱，以得到一现时平台旋转的一或多个现时光谱(步骤908)。计算该现时的一或多个光谱以及该参考光谱间的差异(步骤910)。将所计算出的差异或所述差异(若有多于一个现时光谱)附加至一差异图形(步骤912)。(步骤908、910、和912分别与步骤804、806、和808相似)。判定该差异图形是否落在该目标差异的门限范围内(步骤914)。若判定该差异图形并未达到该目标差异的门限范围，则研磨可以持续进行，并适当地重复步骤908、910、912、和914。否则，判定出终点并且终止研磨(步骤916)。
图9B标出上述判定终点的方法。图形901是原始差异图形。图形903是平滑化的差异图形。当该平滑化的差异图形903落在一目标差异907的门限范围905内时即判定出终点。
图10A标出判定一研磨步骤终点的另一种方法1000。取得一或多个参考光谱(步骤1002)。该或所述参考光谱是如上述般参考图7B取得。
将从取得该参考光谱的程序收集到的光谱储存在一光谱库中(步骤1004)。或者，该光谱库可包含非经收集而是由理论产生的光谱。将所述光谱，包含该参考光谱，指针化，因此每一个光谱皆具有独特的指针值。实施该指针化而使得所述指针值是依照测得所述光谱的顺序来排序。该指针，因此，可与时间及/或平台旋转联系起来。在一实施中，在第一时间点收集到的第一光谱的指针值会小于在较晚的时间点收集到的第二光谱的指针值。该光谱库可以实施在该研磨设备的运算装置的内存中。
研磨一个来自该批次基材的基材，并且为每一次平台旋转执行如下步骤。测量一或多个光谱以取得现时平台旋转的现时光谱(步骤1006)。所述光谱是如上述般取得。将每一个现时光谱与储存在该光谱库内的光谱做比较，并判定出最适合任何所述现时光谱的光谱库光谱(步骤1008)。将判定为最适合任何所述现时光谱的光谱库光谱的指针附加至一终点指针图形(步骤1010)。当该终点图形达到任何该或所述参考光谱的指针时即判定出终点(步骤1012)。
图10B标出上述判定终点的方法。图形1004是原始指针图形。图形1003是平滑化的指针图形。线条1005代表该参考光谱的指针值。可在该光学头于该基材下方的每一次扫略中取得多个现时光谱，例如，在追踪的基材上的每一个径向区域的光谱，并且可为每一个径向区域产生指针图形。
图11标出在一研磨步骤期间判定终点的实施。为每一次平台旋转执行如下步骤。测量从受研磨的基材表面反射回来的白光的多个原始光谱(步骤1102)。
标准化每一个测得的原始光谱，以消除感兴趣的薄膜以外的媒介所贡献的光反射(步骤1104)。标准化光谱辅助他们彼此间的比较。感兴趣的薄膜以外的媒介所贡献的光反射包含来自该研磨垫窗口以及来自该基材的基础硅层的光反射。来自该窗口的贡献可由测量该原位监控系统在黑暗条件下(即，当没有基材置于该原位监控系统上时)所接收到的光的光谱来估计。来自该硅层的贡献可由测量从一裸硅基材反射回来的光线的光谱来估计。来自一裸硅基材的光反射可在该研磨步骤开始前取得。但是，来自该窗口的贡献，即所谓的黑暗贡献，是动态取得，也就是，为每一次平台旋转取得，例如图5的点511。
一测得的原始光谱是如下般标准化：
标准化的光谱＝(A-黑暗)/(硅-黑暗)
其中A是该原始光谱，黑暗是在该黑暗条件下所取得的光谱，而硅是从该裸硅基材取得的光谱。
选择性地，可基于产生该光谱的图案的区域来分类所收集到的光谱，并且来自某些区域的光谱可被排除在终点计算外。明确地说，可以不必考虑从切割线反射回来的光线的光谱(步骤1106)。一图案化基材的不同区域通常会产生不同的光谱(即使所述光谱是在研磨期间的相同时间点取得)。例如，从一切割线反射回来的光线的光谱与从该基材的一数组反射回来的光线的光谱不同。因为其不同形状，使用来自该图案的两个区域的光谱通常会造成终点判定上的错误。但是，可基于其形状将所述光谱分类为一切割线组以及一数组组。因为切割线的光谱的变异一般是较大的，通常可以不必考虑这些光谱以促进准确度。
步骤1106可以是使用多个参考光谱的技术的另一种选择(在上面方法B00的步骤808中描述)，以补偿上述由不对的比较所造成的错误。步骤1106可取代步骤808或在步骤808之外执行。
至此已选择了经处理的光谱的子集，并且在某些情况下将其平均(步骤1108)。该子集是由从该基材上的一区域的点反射回来的光线取得的光谱组成。该区域可以是，例如，区域503或区域507(图5)。
选择性地，一高通滤波器(high pass filter)是经应用在该测得的原始光谱上(步骤1110)。高通滤波器的应用一般可除去光谱子集的平均的低频率失真。该高通滤波器可以应用在所述原始光谱上，其平均上，或所述原始光谱及其平均值两者上。
标准化该平均，以使其振幅与该参考光谱的振幅相同或相似(步骤1112)。一光谱的振幅是该光谱的波峰至波谷的值。或者，标准化该平均以使其参考光谱与该参考光谱也经过标准化的参考振幅相同或相似。在某些实施中，标准化光谱子集的每一个光谱，以使其振幅与一参考光谱的振幅相同或相似，或是与该参考光谱也经过标准化的参考振幅相同或相似。
计算标准化的平均或光谱及一参考光谱间的差异(步骤1114)。该或所述参考光谱是如上面参考图7B所述般取得。使用上述用来计算光谱间差异的方程式来计算差异。
以现时差异或所计算出的差异的最小值来更新差异图形(步骤1116)。该差异图形将计算出的标准化平均或光谱及该或所述参考光谱间的差异以时间(或平台旋转)的函数表现。
在该更新的差异图形上应用一中位数滤波器(median filter)及一低通滤波器(步骤1118)。应用这些滤波器通常可平滑化该图案(藉由减少或消除该图形中的尖端)。
基于更新并且过滤的差异图形来执行终点判定(步骤1120)。该判定是基于该差异图形何时达到最小值做出。使用上述窗口逻辑来做出该判定。
更普遍地，可用步骤1104-1112的讯号处理步骤来改善终点判定程序。例如，取代产生一差异图形，可用所述标准化平均光谱来从一光谱库选择光谱，以产生一指针图形，如上面参考图10A所述者。
图12标出步骤1112的标准化。如可见到者，只考虑标准化一部分的光谱(或光谱的平均)。所考虑的部分在本说明书中称为一标准化范围，并且除此之外，可以由使用者选择。执行标准化以使该标准化范围内的最高点和最低点分别被标准化成为1和0。该标准化是如下般计算：
g＝(1-0)/(rmax-rmin)
h＝1-rmax＊g
N＝Rg+h
其中g是增益，h是漂移，rmax是该标准化范围内的最高值，rmin是该标准化范围内的最低值，N是标准化光谱，而R是标准化前的光谱。
图13标出使用多个参考光谱提供的平滑效应。图形1302利用单一个参考光谱产生(其为一平均)。图形1304利用三个参考光谱产生(如上面参考图8所述者)。图形1306利用九个参考光谱产生。如可见到者，图形1304含有比1302少的尖端。也就是说，图形1304比图形1302平滑。此外，图形1304的凹陷轮廓比1306清楚，这是很重要的，因为是该凹陷始使终点判定逻辑可以判定出终点。较清楚的凹陷因此可辅助终点判定。
图14标出使用光谱来达到预期基材轮廓的方法1200。判定研磨一产品基材的预期终点时间(步骤1210)。在某些实施中，该预期终点时间的判定是以预定制程参数研磨一设定基材，判定该设定基材何时达到预期厚度(例如，利用习知离线量测设备)，并使用该设定基材达到该预期厚度的研磨时间来做为该预期终点时间。
开始研磨生产基材(步骤1218)。在多于一个的基材径向位置处取得光谱(步骤1226)。对于每一个光谱测量而言，可判定该基材上的径向位置，并且可基于其径向位置将所述光谱测量分成几区域。一基材可拥有多个区域，例如中心区域、中间区域及边缘区域。在一300毫米晶片上，该中心区域可从中央延伸至半径50微米处，该中间区域可从半径50微米处延伸至约100微米处，而该边缘区域可从约100微米处延伸至约150微米处。在某些实施中，该基材拥有比提及的三个区域更多或更少的区域。取得该光谱的位置可藉由，例如2004年8月18号提出申请的美国专利申请案第10/922,110号「在研磨期间决定感应器测量位置」，或如美国专利第7,018,271号所描述者来决定，其在此因应所有用途藉由引用的方式并入本文中。
将来自每一区域的光谱(或，就每一区域而言，从该感应器在该基材上的单次扫略中自该区域内取得的光谱的平均)与该光谱库中的光谱做比较，如上面参考图10A所描述者(步骤1234)。从与该光谱库的比较中决定每一区域相应的指针值(步骤1238)。
当所述区域的指针符合一或多个终点标准时终止研磨。例如，当达到预选区域的预期指针时，或当任何区域先达到预期指针时，或是每一个区域皆达到预期指针时即可终止研磨(步骤1244)。每一区域的预期指针是由该基材的最终预期轮廓来判定。若希望研磨完成时基材拥有平坦轮廓或一均匀的氧化层，则在每一区域取得的光谱必须相同或大约相同，并且每一区域会有相同或相似的预期指针值。
可利用一反馈回路来调整所述区域的研磨速率，因此每一区域的最终指针值会与预期目标指针值相等。图15标出调整该研磨制程以在预期终点时间达到预期基材轮廓的方法1400。判定基材上每一区域的预期终点时间的预期指针值(步骤1402)。开始研磨(步骤1404)并且如上述般选择性监控该基材，以判定该基材上每一区域的指针图形(步骤1406)。在一起始延迟时间后，其使该研磨制程可以稳定下来，计算该指针根据时间的改变率(平台转动数可用来代表时间)(步骤1408)。该指针的改变率可单纯以两个不同时间点的指针差异除以在所述不同时间产生所述指针的光谱测量间所发生的平台转动数来计算。该指针值的改变率表示研磨速率。通常，若没有改变任何研磨参数，可假设该研磨速率是稳定的。
用每一区域的指针改变率来外插该指针图形，以判定相关区域在预期终点时间时会达到的指针值(步骤1412)。若在该预期终点时间，预期的指针值已经过了或是尚未达到，可依需要上下调整该研磨速率(步骤1420)。若在该预期终点时间达到预期指针值，则不需要任何调整。在该研磨程序期间，可存在是否应做调整的多于一次的外插和判断。判断是否需要调整研磨速率可包含判断在该研磨终点出现时是否会达到该预期指针值，或判断该最终指针落在距离预期的最终指针值的可接受范围内。
在某些实施中，判定一个区域的预期终点时间，例如该中心区域。然后调整其它区域的研磨速率，若需要的话，以与所选区域，例如该中心区域，的预期终点时间同时达到其预期终点。研磨速率可以藉由，例如，增加或降低该研磨头在相应区域内的施压来调整。在某些载具头中，例如在美国专利公开案第2005-0211377号中所述的载具头，该载具头具有可调整的施压区域。可假设研磨速率的改变与压力的改变成正比，例如，简单的Prestonian模式。此外，可发展考虑平台或载具头旋转速度、不同旋转头压力组合的二次效应、研磨温度、研浆流、或影响研磨速率的其它参数造成的影响的研磨所述基材的控制模式。
也可用在上面的方法800中所述的光谱基底终点判定逻辑来判定研磨终点，并可与调整该研磨制程并用以达到预期的基材轮廓。利用所述区域间的差异来判定每一区域的相对厚度，出于上面关于步骤806所提供的方程式。在研磨该基材时，取得光谱并分区。选择性地，处理及过滤讯号被应用在该光谱上。在每一区域所收集到的光谱以及一预定参考光谱上应用平方差总和。该预定的参考光谱即是达到研磨终点时会取得的光谱。
当与该参考光谱的平方差总和接近一区域的最小值时，检查其它区域的研磨压力以判定是否该改变任何区域的研磨速率。可减慢平方差总和接近一最小值的区域的研磨速率，并且可增加其它区域的研磨速率。也可分析研磨期间的平方差总和，以在该研磨程序的较早期变更研磨速率的调整。不像在方法1400中所述者，此方法不需要所述研磨光谱和来自一光谱库的指针值间的相互关联。
参见图16，若预期要有一特定轮廓，例如在该基材表面上有均匀的厚度，可监控研磨速率的斜率，如由指针值根据时间的改变所表示者，并调整研磨速率。在一稳定研磨期1505后，在该中心区域1510，该边缘区域1515及其间的中间区域1520取得光谱。在此，所述区域是圆形或环形区域。将每一个光谱与各自的指针连是起来。在若干平台旋转期间或一段时间期间重复此制程，而判定出中心区域1510、中间区域1520和边缘区域1515的每一个的研磨速率。研磨速率是由该指针1530(y轴)根据旋转数1535(x轴)作图所取得的线条的斜率来表示。若任何一个速率显得比其它的快或慢，则可调整该区域内的速率。在此，该调整是基于该中心区域1510的终点CE。在收集到足够的现时基材的资料点或平台旋转后，判定该中心区域估计的研磨终点(approximate polish end point，EDP)，或估计的终点时间(estimated endpoint time，EET)。该EET在每一次平台旋转后重新计算。在该研磨制程期间的第一研磨时间T1，减慢该中间区域的研磨速率，并增快该边缘区域的研磨速率。不调整该中间区域1520的的研磨速率，该中间区域的研磨会比该基材的其它部分快，而被以过研磨速率MA研磨。不调整该边缘区域1515的T1的研磨速率，该边缘区域1515会以EU的速率研磨不足。
在该研磨制程随后的时间点(T2)，可再次调整速率，若需要的话。此研磨制程的目标是在该基材拥有一平坦表面时，或是该表面上的氧化层相当平均时终止研磨。判断研磨速率调整量的一种方法是调整速率，以使该中心、中间和边缘区域的每一个的指针在估计研磨终点EDP处相等。因此，需要调整该边缘区域的研磨速率，而该中心及中间区域则以与在T2之前的相同速率研磨。当该中心区域的最适线条接触预期的ASL水平线时判定出该EDP。控制所有其它区域以使其最适线条尽可能靠近，以在相同时间点与该ASL水平线相交。
利用研磨速率的光谱基底监视以达到特定轮廓的另一种方法是研磨一第一基材并监控研磨速率，并且前馈研磨速率信息至随后研磨的基材。参见图17，研磨一第一设定基材并取得光谱，以判定该中心1610、中间1620和边缘1630区域的研磨速率及相对氧化物厚度。该中间1620、中心1610和边缘1630区域的起始指针分别是Mo、Co和Eo。该中心区域1610拥有经选择做为目标光谱的终点CE光谱。若在现时晶片的研磨终止时，另两个区域的指针值在距离该中心终点CE的指针的门限距离1640内，则不会调整下一个晶片的边缘1630或中间1620区域的研磨速率。同样的，若研磨期间的研磨速率及指针值是在可接受限度1650内，则不需要调整该边缘1630或中间1620区域。在此，在研磨终止时，该中间区域ME的终点显示出该中间区域被过研磨，而该边缘区域EE的终点则显示出该边缘区域的研磨不足。据此，会为随后的晶片调整研磨速率参数，而使所有区域E、M、C的终点厚度皆落在可接受范围1640内。图18标出下一个晶片的E、M和C区域的预期讯号发展。
参见图18，在该研磨制程期间，当使用原位调整时，预期仅改变研磨速率几次，例如，四次、三次、两次或仅一次。可在接近开始时、在中间时或将结束研磨制程时进行调整。将所述光谱与指针值联系起来产生每一区域研磨的线性比较，并且可简化判定如何控制该研磨制程所需的计算，并除去复杂的软件或制程步骤。
从基材不同区域取得的光谱可指示该基材的轮廓，但并不一定会提供该氧化层的绝对厚度。因此，在此所述的某些光谱基底研磨速率调整方法可用来监控该基材上的氧化层的相对厚度。因为所述光谱基底方法可用来判定及调整该基材上各区域内的研磨速率，所述光谱基底方法也可补偿该基材接踵而来的厚度变异，以及在晶片的非均匀区域内进行的研磨。
如在此所示者，可用该相对厚度来达到预期基材轮廓。在某些上方范例中，研磨后的预期基材轮廓是一平坦轮廓。但是，也可达到除了平坦以外的其它轮廓。通常，一基材是在多于一个平台上研磨。已知某些研磨制程本来就会以比另一区域快的速度研磨一个区域。为补偿此非均匀研磨，可控制在一第一平台上的研磨，以使一区域的厚度比另一区域厚，例如在下一个平台上会以较快速度研磨的区域。此厚度差异可藉由选择目标指针值的差异或一区域相对于另一区域的终点指针值间的比例来达到。
在此说明书中所描述的本发明的实施例及所有的功能操作皆可在数字电子电路中实施，或在计算机软件、固件、或硬件中实施，包含在本说明书中揭示的结构工具及其结构等效物，或其组合物。本发明的实施例可实施为一或多种计算机程序产品，即，一或多种具体实施在一信息载体内的计算机程序，例如，在一机器可读式储存装置中或一传播讯号中，以由数据处理设备执行，或控制数据处理设备的操作，例如，一可程序化处理器、一计算机、或多个处理器或计算机。一计算机程序(也称为程序、软件、软件应用、或指令码)可以任何类型的程序语言撰写，包含编译或直译语言，并且可以任何形式部署，包含独立执行程序或一模块、组件、子例程、或其它适用在计算机环境中的单元。一计算机程序并不一定要对应一档案。一程序可以储存在保有其它程序或资料的档案的一部分中，在专属所讨论的程序的单一个档案中，或在多个协调档案中(例如，储存一或多个模块、子程序、或一部分的程序代码的档案)。一计算机程序可经部署以在一计算机或在同地址或分布在多个地址并由一通讯网路连接的多个计算机上执行。
在此说明书中所描述的制程及逻辑流程可由一或多个可程序化处理器执行一或多个计算机程序来执行，以藉由运算输入资料并产生输出来执行功能。所述制程及逻辑流程也可由特殊用途逻辑电路执行，并且设备也可被实施为特殊用途逻辑电路，例如FPGA(现场可程序化逻辑门阵列)或ASIC(特殊应用集成电路)。
上述的研磨设备和方法可应用在多种研磨系统中。该研磨垫，或是该载具头，或两者皆可移动，以提供该研磨表面和该基材间的相对运动。例如，该平台可绕轨道运行而非旋转。该研磨垫可以是固定在该平台上的圆形(或其它形状)研磨垫。该终点侦测系统的某些观点可应用在线性研磨系统上，例如，该研磨垫是直线移动的连续式或卷带式皮带时。该研磨层可以是一标准(例如，有或没有填充料的聚氨酯)研磨材料、一软质材料、或一固定磨粒材料。使用相对位置等用词；应了解可将该研磨表面及基材保持在垂直向位或某些其它向位。
已经描述过本发明的特定实施例。其它实施例是在权利要求的范围中。例如，可以不同顺序执行在所述权利要求中叙述的动作，且仍然可达到预期结果。

Claims (100)

1.一种计算机执行方法，其至少包含：
选择一参考光谱，该参考光谱是从位于一第一基材上并且厚度大于一目标厚度的感兴趣的薄膜反射回来的白光光谱，该参考光谱是依经验法则为特定光谱基底终点判定逻辑选用，因此当应用该特定光谱基底终点逻辑判定出终点时，即是达到该目标厚度；
取得一现时光谱，该现时光谱是从位于一第二基材上并且现时厚度大于该目标厚度的感兴趣的薄膜反射回来的白光光谱，使在该第二基材上的感兴趣的薄膜经受一研磨步骤；以及
为该第二基材判定是否已达到该研磨步骤的终点，该判定是基于该参考光谱及该现时光谱。
2.如权利要求1所述的方法，其中上述的判定是否已达到该研磨步骤的终点包含：
计算该参考光谱和该现时光谱间的差异；以及
当该差异达到一门限值时判定出该终点。
3.如权利要求2所述的方法，其中：
取得该研磨步骤中使用的平台的每一次旋转的现时光谱；以及
判定是否已达到该研磨步骤的终点包含产生含有多个点的一差异图形，每一个点皆代表所计算出的该参考光谱和取得的该平台的一旋转的现时光谱间的差异。
4.如权利要求3所述的方法，其中：
判定是否已达到该研磨步骤的终点包含判定该差异图形是否达到一最小值。
5.如权利要求4所述的方法，其中：
判定是否已达到该研磨步骤的终点包含判定该差异图形是否上升至在该最小值之上的门限值。
6.如权利要求4所述的方法，其中：
判定该差异图形是否达到一最小值包含计算该差异图形的斜率。
7.如权利要求3所述的方法，更包含：
应用一滤波器以平滑化该差异图形。
8.如权利要求1所述的方法，其中：
该现时光谱及该参考光谱皆展现出一波峰至波谷振幅；以及
标准化该现时光谱，以使该现时光谱的波峰至波谷振幅与该参考光谱的波峰至波谷振幅相等或相似。
9.如权利要求1所述的方法，其中：
标准化每一个现时光谱和参考光谱，以除去由感兴趣的薄膜以外的媒介所贡献的光反射。
10.如权利要求1所述的方法，其中上述的取得一现时光谱包含：
取得不是来自该第二基材的切割线反射回来的光线的现时光谱。
11.一种计算机程序产品，具体地储存在机器可读式媒体中，该产品包含指令，该些指令能够使一处理器：
选择一参考光谱，该参考光谱是从位于一第一基材上并且厚度大于一目标厚度的感兴趣的薄膜反射回来的白光光谱，该参考光谱是依经验法则为特定光谱基底终点判定逻辑选用，因此当应用该特定光谱基底终点逻辑判定出终点时，即是达到该目标厚度；
取得一现时光谱，该现时光谱是从位于一第二基材上并且现时厚度大于该目标厚度的感兴趣的薄膜反射回来的白光光谱，使在该第二基材上的感兴趣的薄膜经受一研磨步骤；以及
为该第二基材判定是否已达到该研磨步骤的终点，该判定是基于该参考光谱及该现时光谱。
12.如权利要求11所述的计算机程序产品，其中上述的判定是否已达到该研磨步骤的终点的指令包含指令以：
计算该参考光谱和该现时光谱间的差异；以及
当该差异达到一门限值时判定出该终点。
13.如权利要求12所述的计算机程序产品，其中：
取得一现时光谱的指令包含指令以取得该研磨步骤中使用的平台的每一次旋转的现时光谱；以及
判定是否已达到该研磨步骤的终点的指令包含指令以产生含有多个点的一差异图形，每一个点皆代表所计算出的该参考光谱和取得的该平台的一旋转的现时光谱间的差异。
14.如权利要求13所述的计算机程序产品，其中：
判定是否已达到该研磨步骤的终点的指令包含指令以判定该差异图形是否达到一最小值。
15.如权利要求14所述的计算机程序产品，其中：
判定是否已达到该研磨步骤的终点的指令包含指令以判定该差异图形是否上升至在该最小值之上的门限值。
16.如权利要求14所述的计算机程序产品，其中：
判定该差异图形是否达到一最小值的指令包含指令以计算该差异图形的斜率。
17.如权利要求13所述的计算机程序产品，更包含指令以：
应用一滤波器以平滑化该图形。
18.如权利要求11所述的计算机程序产品，其中：
该现时光谱及该参考光谱皆展现出一波峰至波谷振幅；以及
该产品更包含指令以标准化该现时光谱，以使该现时光谱的波峰至波谷振幅与该参考光谱的波峰至波谷振幅相等或相似。
19.如权利要求11所述的计算机程序产品，更包含指令以：
标准化每一个现时光谱和参考光谱，以除去由感兴趣的薄膜以外的媒介所贡献的光反射。
20.如权利要求11所述的计算机程序产品，其中：
取得一现时光谱的指令包含指令以取得不是来自该第二基材的切割线反射回来的光线的现时光谱。
21.一种用来冲洗一光学头上表面的冲洗系统，该系统至少包含：
一气体来源，配置来提供一气流；
一输送喷孔；
一输送线，其连接该气体来源至该输送喷孔；
一真空来源，配置来提供真空；
一真空喷孔；以及
一真空线，其连接该真空来源至该真空喷孔，其中该气体来源和该输送喷孔是经配置来引导一气流通过该光学头的上表面，并且其中该真空喷孔和真空来源是经配置以使该气流为层流型态。
22.如权利要求21所述的冲洗系统，其中：
避免研浆在该光学头上表面上干燥。
23.如权利要求21所述的冲洗系统，其中：
该光学头以一第一方向引导光线；以及
该输送喷孔是经设置以引导该气流在基本上与该第一方向垂直的平面内。
24.如权利要求21所述的冲洗系统，其中：
该气体来源是经配置以提供一特定量的气体，并且该真空来源是经配置以抽吸相同或相似量的气体。
25.如权利要求21所述的冲洗系统，其中：
该气体是一清洁的干燥气体或氮气。
26.如权利要求21所述的冲洗系统，更包含：
用来输送气体的一第一旋转耦合器，该第一旋转耦合器是设置在该输送线内；以及
用来输送气体的一第二旋转耦合器，该第二旋转耦合器是设置在该真空线内。
27.一种用来冲洗一研磨垫窗口下表面的冲洗系统，该系统至少包含：
一气体来源，配置来提供一气流；
一输送喷孔；以及
一输送线，其连接该气体来源至该输送喷孔，其中该气体来源和该输送喷孔是经配置来引导一气流至该研磨垫窗口底部，并且其中防止凝结物形成在该研磨垫窗口的下表面上。
28.如权利要求27所述的冲洗系统，更包含：
一真空来源，配置来提供真空；
一真空喷孔；以及
一真空线，其连接该真空来源至该真空喷孔。
29.如权利要求28所述的冲洗系统，其中：
该气体来源是经配置以提供一特定量的气体，并且该真空来源是经配置以抽吸相同或相似量的气体。
30.如权利要求27所述的冲洗系统，更包含：
一风扇，配置来使该气体来源通入的气体可以逸出。
31.如权利要求30所述的冲洗系统，其中：
该风扇包含一排出开口，设置在可忍受潮湿的位置。
32.如权利要求27所述的冲洗系统，其中：
该气体是一清洁的干燥气体或氮气。
33.如权利要求27所述的冲洗系统，更包含：
用来输送气体的一旋转耦合器，该旋转耦合器是设置在该输送线内。
34.一种冲洗设置在一平台内的凹槽底部处的一光学头上表面的方法，该方法包含：
引导一气流通过该光学头上表面，该气体是以一特定速度通入；以及
从该凹槽除去该气体，该气体是以一特定速度除去，其中通入该气体的特定速度以及除去该气体的特定速度使该气流为层流型态。
35.如权利要求34所述的方法，其中：
该凹槽包含一开口，并且该气流并未被引导至该开口处。
36.如权利要求34所述的方法，其中：
引导一气流包含引导干净的干燥气体或氮气的气流。
37.如权利要求34所述的方法，其中：
该平台相对于该气体来源旋转；以及
引导该气流包含输送气体通过用来输送气体的一旋转耦合器。
38.一种冲洗设置在一平台的一空间内的一研磨垫窗口下表面的方法，该方法至少包含：
将气体通入该空间，该气体是经引导至该研磨垫窗口下表面；以及
将该气体从该空间排出，其中防止凝结物形成在该研磨垫窗口的下表面上。
39.如权利要求38所述的方法，其中：
排气包含排至可忍受潮湿的位置。
40.如权利要求38所述的方法，其中：
该平台相对于该气体来源旋转；以及
通入气体包含输送气体通过用来输送气体的一旋转耦合器。
41.一种用于化学机械研磨的组件，其至少包含：
一研磨垫，具有一研磨表面；以及
一坚固窗口，设置在该研磨垫中以提供通过该研磨垫的光学近接，该坚固窗口包含由聚氨酯形成的第一部分以及由石英形成的第二部分，该第一部分的表面与该研磨垫的研磨表面共平面。
42.如权利要求41所述的组件，其中：
该研磨垫具有一预期的使用寿命；以及
该窗口的第一部分具有一厚度而使，在该研磨垫的预期使用寿命期间，该第一部分不会被耗尽而暴露出该第二部分。
43.如权利要求41所述的组件，其中：
该第一部分是该坚固窗口的第一层，而该第二部分则是该坚固窗口的第二层，每一层皆拥有利用一胶黏剂与该研磨垫连结的侧表面。
44.如权利要求41所述的组件，其中：
该第一及第二部分紧邻，但并未用胶黏剂彼此连结。
45.如权利要求41所述的组件，其中：
该第一及第二部分利用对于白光而言可穿透的胶黏剂连结。
46.如权利要求41所述的组件，更包含：
一光纤缆线，设置来沿着通过该坚固窗口提供的光学近接的路径引导一光束，其中
该第一部分的厚度不均匀，而使得该第一部分在该光束路径上的位置处的厚度低于该第一部分不在该光束路径上的位置处的厚度。
47.如权利要求41所述的组件，其中：
该坚固窗口的第一部分对于白光而言是可穿透的。
48.如权利要求41所述的组件，其中：
该坚固窗口对于一特定颜色的单色光而言有大约80％的穿透率。
49.如权利要求41所述的组件，更包含：
一光纤缆线，设置来沿着通过该坚固窗口提供的光学近接的路径引导一光束，其中
该第一部分及该第二部分利用一胶黏剂连结，而使得该胶黏剂不在该光束路径上。
50.如权利要求49所述的组件，其中：
该胶黏剂对于来自该光纤缆线的光线而言并非可穿透的。
51.如权利要求49所述的组件，其中：
该坚固窗口包含一下表面，该组件更包含：
一折射胶，应用在该窗口下表面上，因此该折射胶提供光线从该光纤缆线传播至该窗口的媒介。
52.如权利要求41所述的组件，其中：
该研磨垫包含一孔洞，并且该第一部分塞住该孔洞，该第一部分具有一凹槽，在该凹槽中设置该第二部分。
53.一种用于化学机械研磨的研磨垫，该研磨垫至少包含：
一研磨层，拥有一上表面及一下表面，该研磨垫包含一孔洞，该孔洞具有一第一开口在该上表面及一第二开口在该下表面，该上表面是一研磨表面；以及
一窗口，其含有由软质塑料形成的第一部分及结晶或玻璃类的第二部分，该窗口对于白光而言是可穿透的，该窗口是设置在该孔洞内，因此该第一部分塞住该孔洞，而该第二部分则在该第一部分的底侧上，其中该第一部分作用为一研浆密封障蔽。
54.如权利要求53所述的研磨垫，其中：
该研磨垫具有一预期使用寿命；以及
该窗口的第一部分具有一厚度而使，在该研磨垫的预期使用寿命期间，该第一部分不会被耗尽而暴露出该第二部分。
55.如权利要求53所述的研磨垫，其中：
该第一部分是该坚固窗口的第一层，而该第二部分则是该坚固窗口的第二层，每一层皆拥有利用一胶黏剂与该研磨垫连结的侧表面。
56.如权利要求53所述的研磨垫，其中：
该第一及第二部分紧邻，但并未用胶黏剂彼此连结。
57.如权利要求53所述的研磨垫，其中：
该第一及第二部分利用对于白光而言可穿透的胶黏剂连结。
58.一种制造一研磨垫的方法，该方法至少包含：
将结晶或玻璃类材料块置于一研磨垫窗口铸模中，该材料块对于白光而言是可穿透的；
将一软质塑料材料的液态前驱物配送至该铸模中，该软质塑料材料对于白光而言是可穿透的；
固化该液态前驱物以形成含有由软质塑料材料形成的第一部分及结晶或玻璃类的第二部分的窗口；
将该窗口置于一研磨垫铸模中；
将一研磨垫材料的液态前驱物配送至该研磨垫铸模中；以及
固化该研磨垫材料的液态前驱物以产生该研磨垫，其中该窗口是设置在该研磨垫铸模中，因此，当生产出该研磨垫时，该窗口是设置在该研磨垫中，而使该第一部分作用为一研浆密封障蔽。
59.一种制造一研磨垫的方法，该方法至少包含：
将结晶或玻璃类材料块置于一研磨垫窗口铸模中，该材料块对于白光而言是可穿透的；
将一软质塑料材料的液态前驱物配送至该铸模中，该软质塑料材料对于白光而言是可穿透的；
固化该液态前驱物以形成含有由软质塑料材料形成的第一部分及结晶或玻璃类的第二部分的窗口；
形成含有一孔洞的研磨层，该研磨层具有一上表面及一下表面，该孔洞具有一第一开口在该上表面及一第二开口在该下表面，该上表面是一研磨表面；以及
将该窗口嵌入该孔洞中，该窗口是设置在该孔洞中，因此该第一部分塞住该孔洞，而该第二部分则在该第一部分的底侧上，其中该第一部分作用为一研浆密封障蔽。
60.一种制造一研磨垫的方法，该方法至少包含：
形成一研磨垫窗口的第一部分，该第一部分具有一凹槽，并且对于白光而言是可穿透的；
将一结晶或玻璃类材料块嵌入该凹槽中，该材料块对于白光而言是可穿透的；
形成含有一孔洞的研磨层，该研磨层具有一上表面及一下表面，该孔洞具有一第一开口在该上表面及一第二开口在该下表面，该上表面是一研磨表面；以及
将该窗口嵌入该孔洞中，该窗口是设置在该孔洞中，因此该第一部分塞住该孔洞，而该第二部分则在该第一部分的底侧上，其中该第一部分作用为一研浆密封障蔽。
61.一种计算机执行方法，其至少包含：
从正在研磨的基材取得一系列的现时光谱；
为该系列中的每一个光谱计算一预定光谱及该现时光谱间的差异，以产生一差异图形；以及
利用该差异图形来判定一研磨终点。
62.如权利要求61所述的方法，其中：
判定该研磨终点包含判定该差异图形是否达到一最小值。
63.如权利要求62所述的方法，其中：
判定该差异图形是否达到一最小值包含计算该差异图形的斜率。
64.一种计算机程序产品，具体地储存在机器可读式媒体中，该产品包含指令，该些指令能够使一处理器：
接收来自正在研磨的基材的一系列现时光谱；
为该系列中的每一个光谱计算一预定光谱及该现时光谱间的差异，以产生一差异图形；以及
利用该差异图形来判定一研磨终点。
65.如权利要求64所述的产品，其中：
判定该研磨终点包含判定该差异图形是否达到一最小值。
66.如权利要求65所述的产品，其中：
判定该差异图形是否达到一最小值包含计算该差异图形的斜率。
67.一种计算机执行方法，其至少包含：
从正在研磨的基材取得一系列的现时光谱；
储存数个预定光谱以及数个指针值，来自该数个预定光谱的每一个光谱皆与一表示研磨程度的独特指针值联系起来；
为该系列中的每一个现时光谱从该数个预定光谱中选择一特定光谱，并判定该特定光谱的指针值，以产生一系列指针值；以及
利用该系列指针值判定一研磨终点。
68.如权利要求67所述的方法，其中上述的从该数个预定光谱中选择一特定光谱包含判定该数个预定光谱中的哪一个光谱最适合该现时光谱。
69.如权利要求67所述的方法，其中上述的指针值是整数。
70.如权利要求67所述的方法，其中上述的指针值代表若干平台旋转。
71.一种计算机程序产品，具体地储存在机器可读式媒体中，该产品包含指令，该些指令能够使一处理器：
从正在研磨的基材取得一系列的现时光谱；
储存数个预定光谱以及数个指针值，来自该数个预定光谱的每一个光谱皆与一表示研磨程度的独特指针值联系起来；
为该系列中的每一个现时光谱从该数个预定光谱中选择一特定光谱，并判定该特定光谱的指针值，以产生一系列指针值；以及
利用该系列指针值判定一研磨终点。
72.如权利要求71所述的产品，其中上述的从该数个预定光谱中选择一特定光谱包含判定该数个预定光谱中的哪一个光谱最适合该现时光谱。
73.如权利要求71所述的产品，其中上述的指针值是整数。
74.如权利要求71所述的产品，其中上述的指针值代表若干平台旋转。
75.一种计算机执行方法，其至少包含：
储存至少一个标准化的预定光谱；
从正在研磨的基材取得一系列的现时光谱；
标准化该系列中的每一个现时光谱，以产生一系列标准化现时光谱；以及
利用该至少一个标准化的预定光谱以及所述标准化现时光谱来判定一研磨终点。
76.一种计算机程序产品，具体地储存在机器可读式媒体中，该产品包含指令，该些指令能够使一处理器：
储存至少一个标准化的预定光谱；
从正在研磨的基材取得一系列的现时光谱；
标准化该系列中的每一个现时光谱，以产生一系列标准化现时光谱；以及
利用该至少一个标准化的预定光谱以及所述标准化现时光谱来判定一研磨终点。
77.一种计算机执行方法，其至少包含：
从正在研磨的基材取得一系列的现时光谱；
为该系列中的每一个现时光谱，基于该现时光谱判定该现时光谱是否相应于该基材的一区域；以及
利用判定出未相应于该第一区域的现时光谱来判定一研磨终点。
78.如权利要求77所述的方法，其中上述的区域是一切割线。
79.一种计算机程序产品，具体地储存在机器可读式媒体中，该产品包含指令，该些指令能够使一处理器：
从正在研磨的基材取得一系列的现时光谱；
为该系列中的每一个现时光谱，基于该现时光谱判定该现时光谱是否相应于该基材的一区域；以及
利用判定出未相应于该第一区域的现时光谱来判定一研磨终点。
80.如权利要求79所述的产品，其中上述的区域是一切割线。
81.一种计算机执行方法，其至少包含：
在一研磨程序期间，从一基材上的第一区域取得反射光的第一光谱，并且从该基材上的第二区域取得第二光谱；
将该第一光谱及该第二光谱与一光谱库做比较，以判定该第一光谱的第一指针，以及该第二光谱的第二指针；
在该研磨程序期间的不同时间点，从该第一区域取得反射光的第三光谱，并从该第二区域取得第四光谱；
将该第三光谱及该第四光谱与该光谱库做比较，以判定该第一区域的第三指针，以及该第二区域的第四指针；
从该第一指针和该第三指针来判定该第一区域的研磨速率，并且从该第二指针和该第四指针来判定该第二区域的研磨速率；以及
基于该第一研磨速率，该第二研磨速率，该第一区域的第一目标相对厚度及该第二区域的第二目标相对厚度，为该第二区域判定出一适应研磨速率，以使该第二区域基本上在该第一区域研磨至该第一目标相对厚度的同时研磨至该第二目标相对厚度。
82.如权利要求81所述的方法，其中上述的第一区域是一内部区域，而该第二区域是一外部环状区域。
83.如权利要求81所述的方法，其中上述的为该第二区域判定出一适应研磨速率包含判定该第一目标相对厚度何时会落在距离该第二目标相对厚度的一预定门限内。
84.如权利要求81所述的方法，其中上述的为该第二区域判定出一适应研磨速率包含判定该研磨程序的一估计终点时间。
85.如权利要求81所述的方法，其中上述的取得该第一光谱及第二光谱包含取得白光光谱。
86.如权利要求81所述的方法，更包含调整该研磨系统的参数，以使该第二区域可以该适应研磨速率来研磨。
87.如权利要求86所述的方法，其中判定该适应研磨速率的步骤是在一设定基材上执行，而调整该研磨系统的参数的步骤是在一产品基材上执行。
88.如权利要求86所述的方法，其中判定该适应研磨速率的步骤是在产品基材上执行，而调整该研磨系统的参数的步骤是在该产品基材上执行。
89.如权利要求86所述的方法，其中上述的调整该研磨系统的参数包含调整压力。
90.如权利要求81所述的方法，其中上述的判定一适应研磨速率包含判定出能使该研磨程序完成时，沿着该基材的直径的剖面会拥有平坦轮廓的研磨速率。
91.如权利要求81所述的方法，其中上述的判定一适应研磨速率包含判定出能使该研磨程序完成时，沿着该基材的直径的剖面会拥有碗状轮廓的研磨速率。
92.如权利要求81所述的方法，其中上述的取得该第一光谱和该第二光谱包含在不同旋转位置取样该基材。
93.如权利要求81所述的方法，其中上述的取得该第一光谱和该第二光谱包含测量从一氧化层反射回来的光谱。
94.如权利要求81所述的方法，更包含：
研磨一设定基材，直到该设定基材过研磨为止；
在该研磨期间，从该测试基材的单一区域取得数个光谱；以及
储存该数个光谱连同取得每一个光谱的时间点，以产生该光谱库。
95.如权利要求84所述的方法，更包含创造该光谱库的指针，其中一指针代表在一特定时间点从该设定基材取得的光谱。
96.一种监控一化学机械研磨制程的方法，该方法包含：
引导一多波长光束至正在研磨的基材上，并测量从该基材反射回来的光线的光谱；
使该光束以横越该基材表面的路径移动；
从该讯号取得一系列的光谱测量，并且判定每一个光谱测量在该基材上的径向位置；
根据所述径向位置将所述光谱测量分类为数种径向范围；以及
从该数种径向范围的至少一者中的光谱测量判定该基材的一研磨终点。
97.如权利要求96所述的方法，更包含判定所述径向范围之一的一适应研磨速率，及应用该适应研磨速率至所述径向范围之一。
98.一种计算机程序产品，具体地储存在机器可读式媒体中，该产品包含指令，该些指令能够使一处理器：
在一研磨程序期间，从一基材上的第一区域取得反射光的第一光谱，并且从该基材上的第二区域取得第二光谱；
将该第一光谱及该第二光谱与一光谱库做比较，以判定该第一光谱的第一指针，以及该第二光谱的第二指针；
在该研磨程序期间的不同时间点，从该第一区域取得反射光的第三光谱，并从该第二区域取得第四光谱；
将该第三光谱及该第四光谱与该光谱库做比较，以判定该第一区域的第三指针，以及该第二区域的第四指针；
从该第一指针和该第三指针来判定该第一区域的研磨速率，并且从该第二指针和该第四指针来判定该第二区域的研磨速率；以及
基于该第一研磨速率，该第二研磨速率，该第一区域的第一目标相对厚度及该第二区域的第二目标相对厚度，为该第二区域判定出一适应研磨速率，以使该第二区域基本上在该第一区域研磨至该第一目标相对厚度的同时研磨至该第二目标相对厚度。
99.如权利要求98所述的产品，其中上述的第一区域是一内部区域，而该第二区域是一外部环状区域。
100.如权利要求98所述的产品，其中上述的判定该第二区域的适应研磨速率的指令包含指令以判定该第一目标相对厚度何时会落在距离该第二目标相对厚度的一预定门限内。
CN2006800304049A 2005-08-22 2006-08-21 基于光谱的监测化学机械研磨的装置及方法 Expired - Fee Related CN101242931B (zh)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610227541.7A CN105773398B (zh) 2005-08-22 2006-08-21 基于光谱的监测化学机械研磨的装置及方法
CN201410667878.0A CN104526536B (zh) 2005-08-22 2006-08-21 基于光谱的监测化学机械研磨的装置及方法
CN201610901100.0A CN106272030B (zh) 2005-08-22 2006-08-21 基于光谱的监测化学机械研磨的装置及方法
CN201811613591.4A CN109500726B (zh) 2005-08-22 2006-08-21 基于光谱的监测化学机械研磨的装置及方法
CN201210109226.6A CN102626895B (zh) 2005-08-22 2006-08-21 基于光谱的监测化学机械研磨的装置及方法
CN201711136690.3A CN107738177A (zh) 2005-08-22 2006-08-21 基于光谱的监测化学机械研磨的装置及方法

Applications Claiming Priority (13)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US71068205P 2005-08-22 2005-08-22
US60/710,682 2005-08-22
US11/213,675 US7306507B2 (en) 2005-08-22 2005-08-26 Polishing pad assembly with glass or crystalline window
US11/213,674 US7226339B2 (en) 2005-08-22 2005-08-26 Spectrum based endpointing for chemical mechanical polishing
US11/213,674 2005-08-26
US11/213,344 2005-08-26
US11/213,675 2005-08-26
US11/213,344 US7764377B2 (en) 2005-08-22 2005-08-26 Spectrum based endpointing for chemical mechanical polishing
US11/261,742 US7406394B2 (en) 2005-08-22 2005-10-28 Spectra based endpointing for chemical mechanical polishing
US11/261,742 2005-10-28
US74776806P 2006-05-19 2006-05-19
US60/747,768 2006-05-19
PCT/US2006/032659 WO2007024807A2 (en) 2005-08-22 2006-08-21 Apparatus and methods for spectrum based monitoring of chemical mechanical polishing

Related Child Applications (7)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201210109226.6A Division CN102626895B (zh) 2005-08-22 2006-08-21 基于光谱的监测化学机械研磨的装置及方法
CN201610227541.7A Division CN105773398B (zh) 2005-08-22 2006-08-21 基于光谱的监测化学机械研磨的装置及方法
CN201811613591.4A Division CN109500726B (zh) 2005-08-22 2006-08-21 基于光谱的监测化学机械研磨的装置及方法
CN2008101750508A Division CN101391397B (zh) 2005-08-22 2006-08-21 一种研磨系统
CN201711136690.3A Division CN107738177A (zh) 2005-08-22 2006-08-21 基于光谱的监测化学机械研磨的装置及方法
CN201410667878.0A Division CN104526536B (zh) 2005-08-22 2006-08-21 基于光谱的监测化学机械研磨的装置及方法
CN201610901100.0A Division CN106272030B (zh) 2005-08-22 2006-08-21 基于光谱的监测化学机械研磨的装置及方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101242931A true CN101242931A (zh) 2008-08-13
CN101242931B CN101242931B (zh) 2013-03-27

Family

ID=39933869

Family Applications (4)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201711136690.3A Pending CN107738177A (zh) 2005-08-22 2006-08-21 基于光谱的监测化学机械研磨的装置及方法
CN2008101750508A Active CN101391397B (zh) 2005-08-22 2006-08-21 一种研磨系统
CN2006800304049A Expired - Fee Related CN101242931B (zh) 2005-08-22 2006-08-21 基于光谱的监测化学机械研磨的装置及方法
CN201811613591.4A Active CN109500726B (zh) 2005-08-22 2006-08-21 基于光谱的监测化学机械研磨的装置及方法

Family Applications Before (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201711136690.3A Pending CN107738177A (zh) 2005-08-22 2006-08-21 基于光谱的监测化学机械研磨的装置及方法
CN2008101750508A Active CN101391397B (zh) 2005-08-22 2006-08-21 一种研磨系统

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811613591.4A Active CN109500726B (zh) 2005-08-22 2006-08-21 基于光谱的监测化学机械研磨的装置及方法

Country Status (2)

Country Link
US (15) US7226339B2 (zh)
CN (4) CN107738177A (zh)

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102449744A (zh) * 2009-04-23 2012-05-09 应用材料公司 研磨垫窗口的处理
CN102683237A (zh) * 2011-03-10 2012-09-19 台湾积体电路制造股份有限公司 焊盘寿命对化学机械抛光影响的自适应端点方法
CN103155110A (zh) * 2010-08-06 2013-06-12 应用材料公司 将测量光谱匹配至参考光谱以进行原位光学监测的技术
CN103222034A (zh) * 2010-11-18 2013-07-24 嘉柏微电子材料股份公司 包含透射区域的抛光垫
CN103522170A (zh) * 2012-07-05 2014-01-22 上海宏力半导体制造有限公司 用于化学机械研磨制程的激光衬垫窗口
CN103747918A (zh) * 2011-09-01 2014-04-23 东洋橡胶工业株式会社 抛光垫
CN106252220A (zh) * 2010-05-05 2016-12-21 应用材料公司 用于终点检测的动态或适应性追踪光谱特征
CN106457507A (zh) * 2014-04-22 2017-02-22 株式会社荏原制作所 研磨方法及研磨装置
CN107520740A (zh) * 2017-09-18 2017-12-29 北京半导体专用设备研究所（中国电子科技集团公司第四十五研究所） 一种化学机械抛光中光谱终点的检测方法、装置及系统
CN108481183A (zh) * 2018-01-31 2018-09-04 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 用于机载高光谱分辨率光谱仪的多直狭缝组件加工方法
CN109382755A (zh) * 2017-08-08 2019-02-26 株式会社荏原制作所 基板研磨装置及方法
CN109420938A (zh) * 2017-08-22 2019-03-05 拉碧斯半导体株式会社 半导体制造装置以及半导体基板的研磨方法
CN109499984A (zh) * 2018-10-13 2019-03-22 广东嗨学云教育科技有限公司 一种集成电路通用制造装置
CN109994394A (zh) * 2017-12-29 2019-07-09 中电海康集团有限公司 Mram器件中mtj单元的平坦化方法与mram器件
CN111261536A (zh) * 2018-11-30 2020-06-09 台湾积体电路制造股份有限公司 用于检测研磨工艺的终点的设备

Families Citing this family (94)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040242121A1 (en) * 2003-05-16 2004-12-02 Kazuto Hirokawa Substrate polishing apparatus
US7409260B2 (en) * 2005-08-22 2008-08-05 Applied Materials, Inc. Substrate thickness measuring during polishing
US8392012B2 (en) * 2008-10-27 2013-03-05 Applied Materials, Inc. Multiple libraries for spectrographic monitoring of zones of a substrate during processing
US7226339B2 (en) * 2005-08-22 2007-06-05 Applied Materials, Inc. Spectrum based endpointing for chemical mechanical polishing
US8260446B2 (en) 2005-08-22 2012-09-04 Applied Materials, Inc. Spectrographic monitoring of a substrate during processing using index values
US7406394B2 (en) 2005-08-22 2008-07-29 Applied Materials, Inc. Spectra based endpointing for chemical mechanical polishing
US7534162B2 (en) * 2005-09-06 2009-05-19 Freescale Semiconductor, Inc. Grooved platen with channels or pathway to ambient air
US7520797B2 (en) * 2005-09-06 2009-04-21 Freescale Semiconductor, Inc. Platen endpoint window with pressure relief
JP4675803B2 (ja) * 2006-03-10 2011-04-27 東京エレクトロン株式会社 平坦化装置
US7497763B2 (en) * 2006-03-27 2009-03-03 Freescale Semiconductor, Inc. Polishing pad, a polishing apparatus, and a process for using the polishing pad
JP2007307639A (ja) * 2006-05-17 2007-11-29 Toyo Tire & Rubber Co Ltd 研磨パッド
JP5110677B2 (ja) * 2006-05-17 2012-12-26 東洋ゴム工業株式会社 研磨パッド
US7998358B2 (en) * 2006-10-31 2011-08-16 Applied Materials, Inc. Peak-based endpointing for chemical mechanical polishing
US20080138988A1 (en) * 2006-12-07 2008-06-12 Jeffrey Drue David Detection of clearance of polysilicon residue
US7444198B2 (en) * 2006-12-15 2008-10-28 Applied Materials, Inc. Determining physical property of substrate
JP5654753B2 (ja) * 2007-02-23 2015-01-14 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ スペクトルを使用した研磨終了点の決定
JP4931133B2 (ja) * 2007-03-15 2012-05-16 東洋ゴム工業株式会社 研磨パッド
US7952708B2 (en) 2007-04-02 2011-05-31 Applied Materials, Inc. High throughput measurement system
US20090275265A1 (en) * 2008-05-02 2009-11-05 Applied Materials, Inc. Endpoint detection in chemical mechanical polishing using multiple spectra
US7967661B2 (en) * 2008-06-19 2011-06-28 Micron Technology, Inc. Systems and pads for planarizing microelectronic workpieces and associated methods of use and manufacture
US8439723B2 (en) * 2008-08-11 2013-05-14 Applied Materials, Inc. Chemical mechanical polisher with heater and method
US20100041316A1 (en) * 2008-08-14 2010-02-18 Yulin Wang Method for an improved chemical mechanical polishing system
US8414357B2 (en) * 2008-08-22 2013-04-09 Applied Materials, Inc. Chemical mechanical polisher having movable slurry dispensers and method
US9214372B2 (en) * 2008-08-28 2015-12-15 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Substrate processing system, carrying device and coating device
JP5675617B2 (ja) 2008-09-04 2015-02-25 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 加工時における基板の分光モニタリングを使用した研磨速度の調整
US8129279B2 (en) * 2008-10-13 2012-03-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Chemical mechanical polish process control for improvement in within-wafer thickness uniformity
US20100103422A1 (en) * 2008-10-27 2010-04-29 Applied Materials, Inc. Goodness of fit in spectrographic monitoring of a substrate during processing
US8210900B2 (en) * 2008-10-31 2012-07-03 Applied Materials, Inc. Dishing and defect control of chemical mechanical polishing using real-time adjustable additive delivery
US20100114532A1 (en) * 2008-11-03 2010-05-06 Applied Materials, Inc. Weighted spectrographic monitoring of a substrate during processing
US8295967B2 (en) * 2008-11-07 2012-10-23 Applied Materials, Inc. Endpoint control of multiple-wafer chemical mechanical polishing
US8352061B2 (en) 2008-11-14 2013-01-08 Applied Materials, Inc. Semi-quantitative thickness determination
JP5583137B2 (ja) 2008-11-26 2014-09-03 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド フィードバックおよびフィードフォワードプロセス制御のために光計測学を使用すること
CN102281990A (zh) 2009-01-16 2011-12-14 应用材料股份有限公司 具有窗口支撑件的研磨垫与系统
US8157614B2 (en) * 2009-04-30 2012-04-17 Applied Materials, Inc. Method of making and apparatus having windowless polishing pad and protected fiber
WO2011008499A2 (en) * 2009-06-30 2011-01-20 Applied Materials, Inc. Leak proof pad for cmp endpoint detection
US20120270475A1 (en) * 2009-10-08 2012-10-25 Komax Holding Ag Apparatus and method for decoating solar modules
JP5968783B2 (ja) 2009-11-03 2016-08-10 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ スペクトルの等高線図のピーク位置と時間の関係を使用する終点方法
US9017140B2 (en) 2010-01-13 2015-04-28 Nexplanar Corporation CMP pad with local area transparency
KR101610832B1 (ko) * 2010-03-03 2016-04-08 삼성전자주식회사 화학적 기계적 연마 설비
US9579767B2 (en) 2010-04-28 2017-02-28 Applied Materials, Inc. Automatic generation of reference spectra for optical monitoring of substrates
US8202738B2 (en) 2010-05-05 2012-06-19 Applied Materials, Inc. Endpoint method using peak location of modified spectra
US20110281510A1 (en) * 2010-05-12 2011-11-17 Applied Materials, Inc. Pad Window Insert
US8616935B2 (en) 2010-06-02 2013-12-31 Applied Materials, Inc. Control of overpolishing of multiple substrates on the same platen in chemical mechanical polishing
US8666665B2 (en) 2010-06-07 2014-03-04 Applied Materials, Inc. Automatic initiation of reference spectra library generation for optical monitoring
US9156124B2 (en) 2010-07-08 2015-10-13 Nexplanar Corporation Soft polishing pad for polishing a semiconductor substrate
TWI478259B (zh) * 2010-07-23 2015-03-21 Applied Materials Inc 用於終點偵測之二維光譜特徵追蹤
US8954186B2 (en) 2010-07-30 2015-02-10 Applied Materials, Inc. Selecting reference libraries for monitoring of multiple zones on a substrate
US8657653B2 (en) 2010-09-30 2014-02-25 Nexplanar Corporation Homogeneous polishing pad for eddy current end-point detection
US8628384B2 (en) * 2010-09-30 2014-01-14 Nexplanar Corporation Polishing pad for eddy current end-point detection
KR101867385B1 (ko) 2010-10-15 2018-06-15 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 광학 모니터링을 위한 스펙트럼들의 라이브러리 구축
US8535115B2 (en) 2011-01-28 2013-09-17 Applied Materials, Inc. Gathering spectra from multiple optical heads
US8747189B2 (en) * 2011-04-26 2014-06-10 Applied Materials, Inc. Method of controlling polishing
US8755928B2 (en) 2011-04-27 2014-06-17 Applied Materials, Inc. Automatic selection of reference spectra library
WO2013028389A1 (en) * 2011-08-23 2013-02-28 Applied Materials, Inc. Optical detection of metal layer clearance
WO2013133974A1 (en) 2012-03-08 2013-09-12 Applied Materials, Inc. Fitting of optical model to measured spectrum
US8709114B2 (en) * 2012-03-22 2014-04-29 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Method of manufacturing chemical mechanical polishing layers
US9156125B2 (en) 2012-04-11 2015-10-13 Cabot Microelectronics Corporation Polishing pad with light-stable light-transmitting region
US8563335B1 (en) 2012-04-23 2013-10-22 Applied Materials, Inc. Method of controlling polishing using in-situ optical monitoring and fourier transform
US9168630B2 (en) * 2012-04-23 2015-10-27 Applied Materials, Inc. User-input functions for data sequences in polishing endpoint detection
US9289875B2 (en) * 2012-04-25 2016-03-22 Applied Materials, Inc. Feed forward and feed-back techniques for in-situ process control
US9248544B2 (en) 2012-07-18 2016-02-02 Applied Materials, Inc. Endpoint detection during polishing using integrated differential intensity
US9296084B2 (en) 2012-07-19 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Polishing control using weighting with default sequence
US9221147B2 (en) 2012-10-23 2015-12-29 Applied Materials, Inc. Endpointing with selective spectral monitoring
SG11201503496YA (en) 2012-11-06 2015-06-29 Cabot Microelectronics Corp Polishing pad with offset concentric grooving pattern and method for polishing a substrate therewith
US9482610B2 (en) 2012-11-12 2016-11-01 Applied Materials, Inc. Techniques for matching spectra
US20140141696A1 (en) 2012-11-21 2014-05-22 Applied Materials, Inc. Polishing System with In-Sequence Sensor
US9056383B2 (en) * 2013-02-26 2015-06-16 Applied Materials, Inc. Path for probe of spectrographic metrology system
US9186772B2 (en) 2013-03-07 2015-11-17 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pad with broad spectrum, endpoint detection window and method of polishing therewith
US9108290B2 (en) 2013-03-07 2015-08-18 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Multilayer chemical mechanical polishing pad
US9446497B2 (en) 2013-03-07 2016-09-20 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Broad spectrum, endpoint detection monophase olefin copolymer window with specific composition in multilayer chemical mechanical polishing pad
US9679823B2 (en) 2013-03-15 2017-06-13 Applied Materials, Inc. Metric for recognizing correct library spectrum
TWI599447B (zh) 2013-10-18 2017-09-21 卡博特微電子公司 具有偏移同心溝槽圖樣之邊緣排除區的ｃｍｐ拋光墊
US10012494B2 (en) * 2013-10-25 2018-07-03 Applied Materials, Inc. Grouping spectral data from polishing substrates
US9551567B2 (en) 2013-10-25 2017-01-24 Applied Materials, Inc. Reducing noise in spectral data from polishing substrates
US9352440B2 (en) * 2014-04-30 2016-05-31 Applied Materials, Inc. Serial feature tracking for endpoint detection
US9362186B2 (en) 2014-07-18 2016-06-07 Applied Materials, Inc. Polishing with eddy current feed meaurement prior to deposition of conductive layer
US9811077B2 (en) 2014-07-16 2017-11-07 Applied Materials, Inc. Polishing with pre deposition spectrum
JP6399873B2 (ja) * 2014-09-17 2018-10-03 株式会社荏原製作所 膜厚信号処理装置、研磨装置、膜厚信号処理方法、及び、研磨方法
US9446498B1 (en) 2015-03-13 2016-09-20 rohm and Hass Electronic Materials CMP Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pad with window
JP6591043B2 (ja) * 2016-03-14 2019-10-16 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体
TWI743176B (zh) 2016-08-26 2021-10-21 美商應用材料股份有限公司 獲得代表在基板上的層的厚度的測量的方法，及量測系統和電腦程式產品
JP7062644B2 (ja) * 2016-09-21 2022-05-06 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド フィルタリングのための補償を用いた終点検出
TWI779986B (zh) 2016-11-30 2022-10-01 美商應用材料股份有限公司 使用神經網路的光譜監測
JP6948868B2 (ja) * 2017-07-24 2021-10-13 株式会社荏原製作所 研磨装置および研磨方法
US10286517B2 (en) 2017-08-08 2019-05-14 Micron Technology, Inc. Polishing apparatuses
CN111316403A (zh) 2018-03-12 2020-06-19 应用材料公司 在抛光原位监测期间的滤波
JP7197999B2 (ja) 2018-05-11 2022-12-28 キオクシア株式会社 研磨装置および研磨パッド
WO2020033046A1 (en) 2018-08-08 2020-02-13 Applied Materials, Inc. Method of gas composition determination, adjustment, and usage
WO2020068345A1 (en) 2018-09-24 2020-04-02 Applied Materials, Inc. Machine vision as input to a cmp process control algorithm
TWI754915B (zh) * 2019-04-18 2022-02-11 美商應用材料股份有限公司 用於溫度控制的化學機械拋光溫度掃描設備
JP7253458B2 (ja) * 2019-06-27 2023-04-06 株式会社荏原製作所 光学式膜厚測定装置の最適な動作レシピを決定する方法、装置、およびシステム
WO2021065575A1 (ja) * 2019-09-30 2021-04-08 富士紡ホールディングス株式会社 研磨パッドとその製造方法
CN115104001A (zh) 2020-06-29 2022-09-23 应用材料公司 根据基于机器学习的基板图像处理进行膜厚度估计
JP7389718B2 (ja) * 2020-06-29 2023-11-30 株式会社荏原製作所 研磨方法、研磨装置、およびプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体

Family Cites Families (138)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63166251A (ja) 1986-12-27 1988-07-09 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
US5385612A (en) 1992-09-29 1995-01-31 Li; Chou H. Cleaning system
US5365340A (en) * 1992-12-10 1994-11-15 Hughes Aircraft Company Apparatus and method for measuring the thickness of thin films
JP3326443B2 (ja) 1993-08-10 2002-09-24 株式会社ニコン ウエハ研磨方法及びその装置
US5433651A (en) * 1993-12-22 1995-07-18 International Business Machines Corporation In-situ endpoint detection and process monitoring method and apparatus for chemical-mechanical polishing
US5595526A (en) 1994-11-30 1997-01-21 Intel Corporation Method and apparatus for endpoint detection in a chemical/mechanical process for polishing a substrate
US5893796A (en) * 1995-03-28 1999-04-13 Applied Materials, Inc. Forming a transparent window in a polishing pad for a chemical mechanical polishing apparatus
US5964643A (en) * 1995-03-28 1999-10-12 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for in-situ monitoring of chemical mechanical polishing operations
JP2004001227A (ja) 1995-07-20 2004-01-08 Ebara Corp ポリッシング装置および方法
JP3300217B2 (ja) 1996-01-29 2002-07-08 大日本スクリーン製造株式会社 研磨処理モニタ方法および装置
US5747380A (en) * 1996-02-26 1998-05-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Robust end-point detection for contact and via etching
CN1196182A (zh) 1997-04-14 1998-10-21 崔安连 保蕾速果剂
US6111634A (en) 1997-05-28 2000-08-29 Lam Research Corporation Method and apparatus for in-situ monitoring of thickness using a multi-wavelength spectrometer during chemical-mechanical polishing
US6489624B1 (en) * 1997-07-18 2002-12-03 Nikon Corporation Apparatus and methods for detecting thickness of a patterned layer
US5879626A (en) 1997-07-30 1999-03-09 Allen-Bradley Company, Llc Photoelectric sensor having dust removal apparatus
US5807439A (en) * 1997-09-29 1998-09-15 Siemens Aktiengesellschaft Apparatus and method for improved washing and drying of semiconductor wafers
JP4460659B2 (ja) 1997-10-22 2010-05-12 株式会社ルネサステクノロジ 薄膜の膜厚計測方法及びその装置並びにそれを用いた薄膜デバイスの製造方法及びその製造装置
JP3371775B2 (ja) 1997-10-31 2003-01-27 株式会社日立製作所 研磨方法
TW374050B (en) * 1997-10-31 1999-11-11 Applied Materials Inc Method and apparatus for modeling substrate reflectivity during chemical mechanical polishing
AU1604999A (en) * 1997-11-26 1999-06-15 Advanced Medical Optics, Inc. Contact lens cleaning compositions
US6124141A (en) 1998-01-07 2000-09-26 International Business Machines Corporation Non-destructive method and device for measuring the depth of a buried interface
JPH11285968A (ja) * 1998-04-01 1999-10-19 Nikon Corp 研磨方法及び研磨装置
US6271047B1 (en) * 1998-05-21 2001-08-07 Nikon Corporation Layer-thickness detection methods and apparatus for wafers and the like, and polishing apparatus comprising same
JP3395663B2 (ja) 1998-09-03 2003-04-14 株式会社ニコン 検出方法及び検出装置及び研磨装置及び研磨方法
US6395130B1 (en) 1998-06-08 2002-05-28 Speedfam-Ipec Corporation Hydrophobic optical endpoint light pipes for chemical mechanical polishing
US6106662A (en) 1998-06-08 2000-08-22 Speedfam-Ipec Corporation Method and apparatus for endpoint detection for chemical mechanical polishing
US6361646B1 (en) 1998-06-08 2002-03-26 Speedfam-Ipec Corporation Method and apparatus for endpoint detection for chemical mechanical polishing
TW398036B (en) * 1998-08-18 2000-07-11 Promos Technologies Inc Method of monitoring of chemical mechanical polishing end point and uniformity
US6296189B1 (en) 1998-08-26 2001-10-02 Spectra Science Corporation. Methods and apparatus employing multi-spectral imaging for the remote identification and sorting of objects
IL125964A (en) * 1998-08-27 2003-10-31 Tevet Process Control Technolo Method and apparatus for measuring the thickness of a transparent film, particularly of a photoresist film on a semiconductor substrate
WO2000026613A1 (en) * 1998-11-02 2000-05-11 Applied Materials, Inc. Optical monitoring of radial ranges in chemical mechanical polishing a metal layer on a substrate
US6159073A (en) * 1998-11-02 2000-12-12 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for measuring substrate layer thickness during chemical mechanical polishing
US6908374B2 (en) * 1998-12-01 2005-06-21 Nutool, Inc. Chemical mechanical polishing endpoint detection
JP2000183001A (ja) 1998-12-10 2000-06-30 Okamoto Machine Tool Works Ltd ウエハの研磨終点検出方法およびそれに用いる化学機械研磨装置
US6172756B1 (en) * 1998-12-11 2001-01-09 Filmetrics, Inc. Rapid and accurate end point detection in a noisy environment
US6184985B1 (en) * 1998-12-11 2001-02-06 Filmetrics, Inc. Spectrometer configured to provide simultaneous multiple intensity spectra from independent light sources
US6204922B1 (en) * 1998-12-11 2001-03-20 Filmetrics, Inc. Rapid and accurate thin film measurement of individual layers in a multi-layered or patterned sample
DE19859672C2 (de) 1998-12-23 2001-04-12 Raymond A & Cie Verfahren zum automatisierten Bündeln von Kabelsträngen und automatisch arbeitendes Gerät zur Durchführung des Verfahrens
US6716085B2 (en) * 2001-12-28 2004-04-06 Applied Materials Inc. Polishing pad with transparent window
US20040082271A1 (en) * 1999-01-25 2004-04-29 Wiswesser Andreas Norbert Polishing pad with window
US6190234B1 (en) * 1999-01-25 2001-02-20 Applied Materials, Inc. Endpoint detection with light beams of different wavelengths
GB2348003B (en) * 1999-03-19 2001-02-07 Geco Prakla Seismic data processing method for data acquired using overlapping vibratory sweeps
DE60035341D1 (de) * 1999-03-31 2007-08-09 Nikon Corp Polierkörper, poliermaschine, poliermaschinenjustierverfahren, dicken- oder endpunkt-messverfahren für die polierte schicht, herstellungsverfahren eines halbleiterbauelementes
JP2000310512A (ja) 1999-04-28 2000-11-07 Hitachi Ltd 薄膜の膜厚計測方法及びその装置並びにそれを用いた薄膜デバイスの製造方法及びその装置
US6334807B1 (en) 1999-04-30 2002-01-01 International Business Machines Corporation Chemical mechanical polishing in-situ end point system
JP3327289B2 (ja) 2000-03-29 2002-09-24 株式会社ニコン 工程終了点測定装置及び測定方法及び研磨装置及び半導体デバイス製造方法及び信号処理プログラムを記録した記録媒体
WO2000071971A1 (en) 1999-05-24 2000-11-30 Luxtron Corporation Optical techniques for measuring layer thicknesses
US6146242A (en) 1999-06-11 2000-11-14 Strasbaugh, Inc. Optical view port for chemical mechanical planarization endpoint detection
US6358327B1 (en) * 1999-06-29 2002-03-19 Applied Materials, Inc. Method for endpoint detection using throttle valve position
US6171181B1 (en) 1999-08-17 2001-01-09 Rodel Holdings, Inc. Molded polishing pad having integral window
US6454630B1 (en) * 1999-09-14 2002-09-24 Applied Materials, Inc. Rotatable platen having a transparent window for a chemical mechanical polishing apparatus and method of making the same
JP2003510826A (ja) * 1999-09-29 2003-03-18 ロデール ホールディングス インコーポレイテッド 研磨パッド
JP2001105308A (ja) * 1999-10-04 2001-04-17 Asahi Kasei Corp 光伝送路付研磨装置
US6340602B1 (en) 1999-12-10 2002-01-22 Sensys Instruments Method of measuring meso-scale structures on wafers
US6707540B1 (en) * 1999-12-23 2004-03-16 Kla-Tencor Corporation In-situ metalization monitoring using eddy current and optical measurements
WO2001046684A1 (en) * 1999-12-23 2001-06-28 Kla-Tencor Corporation In-situ metalization monitoring using eddy current measurements and optical measurements
JP3259225B2 (ja) * 1999-12-27 2002-02-25 株式会社ニコン 研磨状況モニタ方法及びその装置、研磨装置、プロセスウエハ、半導体デバイス製造方法、並びに半導体デバイス
JP3506114B2 (ja) 2000-01-25 2004-03-15 株式会社ニコン モニタ装置及びこのモニタ装置を具えた研磨装置及び研磨方法
JP4487375B2 (ja) 2000-03-30 2010-06-23 株式会社ニコン パターンのモデル化方法、膜厚測定方法、工程状態判定方法、膜厚測定装置、工程状態判定装置、研磨装置、及び半導体デバイスの製造方法
JP2001287159A (ja) 2000-04-05 2001-10-16 Nikon Corp 表面状態測定方法及び測定装置及び研磨装置及び半導体デバイス製造方法
US6685537B1 (en) * 2000-06-05 2004-02-03 Speedfam-Ipec Corporation Polishing pad window for a chemical mechanical polishing tool
JP3832198B2 (ja) 2000-06-16 2006-10-11 日本電気株式会社 半導体ウェハの研磨終点検出方法ならびにその装置
US7095511B2 (en) * 2000-07-06 2006-08-22 Filmetrics, Inc. Method and apparatus for high-speed thickness mapping of patterned thin films
JP2004507719A (ja) * 2000-08-10 2004-03-11 サーマ−ウェーブ・インコーポレイテッド 回折微細構造の光学的測定のためのデータベース補間方法
US6609947B1 (en) 2000-08-30 2003-08-26 Micron Technology, Inc. Planarizing machines and control systems for mechanical and/or chemical-mechanical planarization of micro electronic substrates
AU2001291143A1 (en) * 2000-10-06 2002-04-22 Cabot Microelectronics Corporation Polishing pad comprising a filled translucent region
US6511363B2 (en) 2000-12-27 2003-01-28 Tokyo Seimitsu Co., Ltd. Polishing end point detecting device for wafer polishing apparatus
JP3804064B2 (ja) 2001-12-04 2006-08-02 株式会社東京精密 ウェーハ研磨装置の研磨終点検出方法及び装置
JP2002025960A (ja) 2000-12-28 2002-01-25 Wallace T Y Tang 薄膜を監視するための方法および装置
WO2002065545A2 (en) * 2001-02-12 2002-08-22 Sensys Instruments Corporation Overlay alignment metrology using diffraction gratings
JP3946470B2 (ja) 2001-03-12 2007-07-18 株式会社デンソー 半導体層の膜厚測定方法及び半導体基板の製造方法
US6664557B1 (en) 2001-03-19 2003-12-16 Lam Research Corporation In-situ detection of thin-metal interface using optical interference
US6491569B2 (en) 2001-04-19 2002-12-10 Speedfam-Ipec Corporation Method and apparatus for using optical reflection data to obtain a continuous predictive signal during CMP
US6676482B2 (en) * 2001-04-20 2004-01-13 Speedfam-Ipec Corporation Learning method and apparatus for predictive determination of endpoint during chemical mechanical planarization using sparse sampling
KR100456218B1 (ko) 2001-04-26 2004-11-09 박명흠 구내통신 서비스를 이용한 인터넷전화 서비스제공 장치 및그 방법
JP2002359217A (ja) 2001-05-31 2002-12-13 Omron Corp 研磨終点検出方法およびその装置
US6906506B1 (en) * 2001-06-08 2005-06-14 The Regents Of The University Of Michigan Method and apparatus for simultaneous measurement of electric field and temperature using an electrooptic semiconductor probe
US6936842B2 (en) * 2001-06-27 2005-08-30 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for process monitoring
US6762838B2 (en) * 2001-07-02 2004-07-13 Tevet Process Control Technologies Ltd. Method and apparatus for production line screening
JP3932836B2 (ja) * 2001-07-27 2007-06-20 株式会社日立製作所 薄膜の膜厚計測方法及びその装置並びにそれを用いたデバイスの製造方法
US6618130B2 (en) * 2001-08-28 2003-09-09 Speedfam-Ipec Corporation Method and apparatus for optical endpoint detection during chemical mechanical polishing
US6678046B2 (en) 2001-08-28 2004-01-13 Therma-Wave, Inc. Detector configurations for optical metrology
JP2003080451A (ja) 2001-09-07 2003-03-18 Tokyo Seimitsu Co Ltd 研磨装置及び研磨方法
US6898596B2 (en) * 2001-10-23 2005-05-24 Therma-Wave, Inc. Evolution of library data sets
CN1414608A (zh) * 2001-10-26 2003-04-30 矽统科技股份有限公司 晶圆的化学机械研磨装置
US6709314B2 (en) * 2001-11-07 2004-03-23 Applied Materials Inc. Chemical mechanical polishing endpoinat detection
US6586337B2 (en) 2001-11-09 2003-07-01 Speedfam-Ipec Corporation Method and apparatus for endpoint detection during chemical mechanical polishing
US6678055B2 (en) * 2001-11-26 2004-01-13 Tevet Process Control Technologies Ltd. Method and apparatus for measuring stress in semiconductor wafers
US6599765B1 (en) 2001-12-12 2003-07-29 Lam Research Corporation Apparatus and method for providing a signal port in a polishing pad for optical endpoint detection
JP3878016B2 (ja) * 2001-12-28 2007-02-07 株式会社荏原製作所 基板研磨装置
US6942546B2 (en) 2002-01-17 2005-09-13 Asm Nutool, Inc. Endpoint detection for non-transparent polishing member
JP4015934B2 (ja) * 2002-04-18 2007-11-28 株式会社東芝 動画像符号化方法及び装置
US6878039B2 (en) 2002-01-28 2005-04-12 Speedfam-Ipec Corporation Polishing pad window for a chemical-mechanical polishing tool
US6935922B2 (en) * 2002-02-04 2005-08-30 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for generating a two-dimensional map of a characteristic at relative or absolute locations of measurement spots on a specimen during polishing
US6813034B2 (en) * 2002-02-05 2004-11-02 Therma-Wave, Inc. Analysis of isolated and aperiodic structures with simultaneous multiple angle of incidence measurements
US6875077B2 (en) * 2002-03-18 2005-04-05 Raytech Innovative Solutions, Inc. Polishing pad for use in chemical/mechanical planarization of semiconductor wafers having a transparent window for end-point determination and method of making
US6688945B2 (en) * 2002-03-25 2004-02-10 Macronix International Co. Ltd. CMP endpoint detection system
US6524176B1 (en) * 2002-03-25 2003-02-25 Macronix International Co. Ltd. Polishing pad
US6806948B2 (en) * 2002-03-29 2004-10-19 Lam Research Corporation System and method of broad band optical end point detection for film change indication
CN1302522C (zh) * 2002-05-15 2007-02-28 旺宏电子股份有限公司 一种化学机械抛光装置的终点侦测系统
JP2004012302A (ja) 2002-06-07 2004-01-15 Hitachi Ltd 膜厚分布計測方法及びその装置
JP2004017229A (ja) 2002-06-18 2004-01-22 Shimadzu Corp 基板研磨装置
US6947135B2 (en) * 2002-07-01 2005-09-20 Therma-Wave, Inc. Reduced multicubic database interpolation method for optical measurement of diffractive microstructures
JP4542324B2 (ja) * 2002-10-17 2010-09-15 株式会社荏原製作所 研磨状態監視装置及びポリッシング装置
CN100488729C (zh) 2002-10-17 2009-05-20 株式会社荏原制作所 抛光状态监测装置和抛光装置以及方法
CN1492213A (zh) 2002-10-23 2004-04-28 台湾积体电路制造股份有限公司 化学机械研磨过程中测量非金属层厚度的方法
US6885467B2 (en) * 2002-10-28 2005-04-26 Tevet Process Control Technologies Ltd. Method and apparatus for thickness decomposition of complicated layer structures
JP2004165473A (ja) 2002-11-14 2004-06-10 Seiko Epson Corp Ｃｍｐ装置、ｃｍｐ研磨方法、半導体装置及びその製造方法
US6931870B2 (en) 2002-12-04 2005-08-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Time division multi-cycle type cooling apparatus and method for controlling the same
US6832947B2 (en) * 2003-02-10 2004-12-21 Cabot Microelectronics Corporation CMP pad with composite transparent window
US6960120B2 (en) * 2003-02-10 2005-11-01 Cabot Microelectronics Corporation CMP pad with composite transparent window
US6969619B1 (en) 2003-02-18 2005-11-29 Novellus Systems, Inc. Full spectrum endpoint detection
US6991514B1 (en) 2003-02-21 2006-01-31 Verity Instruments, Inc. Optical closed-loop control system for a CMP apparatus and method of manufacture thereof
KR100528473B1 (ko) * 2003-03-13 2005-11-15 삼성전자주식회사 동기 미러 지연 회로 및 그것을 포함한 반도체 집적 회로장치
JP2004343090A (ja) 2003-04-22 2004-12-02 Jsr Corp 研磨パッドおよび半導体ウェハの研磨方法
US20040242121A1 (en) * 2003-05-16 2004-12-02 Kazuto Hirokawa Substrate polishing apparatus
JP2005011977A (ja) 2003-06-18 2005-01-13 Ebara Corp 基板研磨装置および基板研磨方法
US7008296B2 (en) * 2003-06-18 2006-03-07 Applied Materials, Inc. Data processing for monitoring chemical mechanical polishing
JP4202841B2 (ja) * 2003-06-30 2008-12-24 株式会社Ｓｕｍｃｏ 表面研磨装置
JP2005033012A (ja) 2003-07-14 2005-02-03 Seiko Epson Corp 研磨装置および半導体装置の製造方法
US20050026542A1 (en) * 2003-07-31 2005-02-03 Tezer Battal Detection system for chemical-mechanical planarization tool
US7097537B1 (en) * 2003-08-18 2006-08-29 Applied Materials, Inc. Determination of position of sensor measurements during polishing
JP4464642B2 (ja) * 2003-09-10 2010-05-19 株式会社荏原製作所 研磨状態監視装置、研磨状態監視方法、研磨装置及び研磨方法
JP2005101114A (ja) 2003-09-22 2005-04-14 Lam Res Corp 動的更新参照を介した光学干渉を用いた金属薄膜状態の境界のインシチューな検出
US7798309B2 (en) 2003-11-13 2010-09-21 Applied Materials, Inc. Stabilizing substrate carriers during overhead transport
JP2005159203A (ja) 2003-11-28 2005-06-16 Hitachi Ltd 膜厚計測方法及びその装置、研磨レート算出方法並びにｃｍｐ加工方法及びその装置
US7255771B2 (en) * 2004-03-26 2007-08-14 Applied Materials, Inc. Multiple zone carrier head with flexible membrane
US7120553B2 (en) * 2004-07-22 2006-10-10 Applied Materials, Inc. Iso-reflectance wavelengths
US7169016B2 (en) 2005-05-10 2007-01-30 Nikon Corporation Chemical mechanical polishing end point detection apparatus and method
US7409260B2 (en) 2005-08-22 2008-08-05 Applied Materials, Inc. Substrate thickness measuring during polishing
US7226339B2 (en) * 2005-08-22 2007-06-05 Applied Materials, Inc. Spectrum based endpointing for chemical mechanical polishing
US7406394B2 (en) 2005-08-22 2008-07-29 Applied Materials, Inc. Spectra based endpointing for chemical mechanical polishing
US7210980B2 (en) * 2005-08-26 2007-05-01 Applied Materials, Inc. Sealed polishing pad, system and methods
TWI422798B (zh) 2006-10-06 2014-01-11 Ebara Corp 加工終點檢測方法、研磨方法及研磨裝置
US7998358B2 (en) 2006-10-31 2011-08-16 Applied Materials, Inc. Peak-based endpointing for chemical mechanical polishing
US8352061B2 (en) 2008-11-14 2013-01-08 Applied Materials, Inc. Semi-quantitative thickness determination
US9579767B2 (en) * 2010-04-28 2017-02-28 Applied Materials, Inc. Automatic generation of reference spectra for optical monitoring of substrates
TWI733915B (zh) * 2016-10-10 2021-07-21 美商應用材料股份有限公司 控制基板的處理的方法，及其研磨系統和電腦程式產品

Cited By (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102449744B (zh) * 2009-04-23 2015-09-30 应用材料公司 研磨垫窗口的处理
CN102449744A (zh) * 2009-04-23 2012-05-09 应用材料公司 研磨垫窗口的处理
CN106252220B (zh) * 2010-05-05 2019-06-11 应用材料公司 用于终点检测的动态或适应性追踪光谱特征
CN106252220A (zh) * 2010-05-05 2016-12-21 应用材料公司 用于终点检测的动态或适应性追踪光谱特征
CN103155110A (zh) * 2010-08-06 2013-06-12 应用材料公司 将测量光谱匹配至参考光谱以进行原位光学监测的技术
CN103222034A (zh) * 2010-11-18 2013-07-24 嘉柏微电子材料股份公司 包含透射区域的抛光垫
CN103222034B (zh) * 2010-11-18 2016-03-09 嘉柏微电子材料股份公司 包含透射区域的抛光垫
CN102683237A (zh) * 2011-03-10 2012-09-19 台湾积体电路制造股份有限公司 焊盘寿命对化学机械抛光影响的自适应端点方法
CN102683237B (zh) * 2011-03-10 2015-01-14 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体制造方法和化学机械抛光cmp系统
CN103747918A (zh) * 2011-09-01 2014-04-23 东洋橡胶工业株式会社 抛光垫
CN103522170A (zh) * 2012-07-05 2014-01-22 上海宏力半导体制造有限公司 用于化学机械研磨制程的激光衬垫窗口
CN106457507A (zh) * 2014-04-22 2017-02-22 株式会社荏原制作所 研磨方法及研磨装置
CN106457507B (zh) * 2014-04-22 2019-04-09 株式会社荏原制作所 研磨方法
US10399203B2 (en) 2014-04-22 2019-09-03 Ebara Corporation Polishing method and polishing apparatus
CN109382755A (zh) * 2017-08-08 2019-02-26 株式会社荏原制作所 基板研磨装置及方法
CN109382755B (zh) * 2017-08-08 2022-05-03 株式会社荏原制作所 基板研磨装置及方法
CN109420938A (zh) * 2017-08-22 2019-03-05 拉碧斯半导体株式会社 半导体制造装置以及半导体基板的研磨方法
CN107520740A (zh) * 2017-09-18 2017-12-29 北京半导体专用设备研究所（中国电子科技集团公司第四十五研究所） 一种化学机械抛光中光谱终点的检测方法、装置及系统
CN109994394A (zh) * 2017-12-29 2019-07-09 中电海康集团有限公司 Mram器件中mtj单元的平坦化方法与mram器件
CN108481183A (zh) * 2018-01-31 2018-09-04 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 用于机载高光谱分辨率光谱仪的多直狭缝组件加工方法
CN109499984A (zh) * 2018-10-13 2019-03-22 广东嗨学云教育科技有限公司 一种集成电路通用制造装置
CN111261536A (zh) * 2018-11-30 2020-06-09 台湾积体电路制造股份有限公司 用于检测研磨工艺的终点的设备
CN111261536B (zh) * 2018-11-30 2024-08-23 台湾积体电路制造股份有限公司 用于检测研磨工艺的终点的设备

Also Published As

Publication number Publication date
US20100284007A1 (en) 2010-11-11
CN109500726B (zh) 2021-03-09
US7931522B2 (en) 2011-04-26
US7614933B2 (en) 2009-11-10
US20130344625A1 (en) 2013-12-26
US7306507B2 (en) 2007-12-11
US20100075582A1 (en) 2010-03-25
US9583405B2 (en) 2017-02-28
US8518827B2 (en) 2013-08-27
US20110209412A1 (en) 2011-09-01
CN101391397A (zh) 2009-03-25
US20070042681A1 (en) 2007-02-22
US20220077006A1 (en) 2022-03-10
US7938714B2 (en) 2011-05-10
US7651385B2 (en) 2010-01-26
US20080102734A1 (en) 2008-05-01
US10276460B2 (en) 2019-04-30
US20080009227A1 (en) 2008-01-10
CN107738177A (zh) 2018-02-27
CN101242931B (zh) 2013-03-27
US20100035519A1 (en) 2010-02-11
US9117751B2 (en) 2015-08-25
US20070042680A1 (en) 2007-02-22
CN101391397B (zh) 2012-10-03
US20150364390A1 (en) 2015-12-17
US7614936B2 (en) 2009-11-10
CN109500726A (zh) 2019-03-22
US11715672B2 (en) 2023-08-01
US20070218812A1 (en) 2007-09-20
US7764377B2 (en) 2010-07-27
US20070042675A1 (en) 2007-02-22
US11183435B2 (en) 2021-11-23
US7226339B2 (en) 2007-06-05
US20190252274A1 (en) 2019-08-15
US20170125313A1 (en) 2017-05-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101391397B (zh) 一种研磨系统
CN102626895A (zh) 基于光谱的监测化学机械研磨的装置及方法
CN106272030B (zh) 基于光谱的监测化学机械研磨的装置及方法
US7774086B2 (en) Substrate thickness measuring during polishing
TWI498689B (zh) 用於研磨的電腦程式產品及方法
KR20080042895A (ko) 스펙트럼을 기초로 하여 화학적 기계적 폴리싱을모니터링하기 위한 장치 및 방법
TWI603812B (zh) 用於研磨的方法、電腦程式產品及系統

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C53 Correction of patent of invention or patent application
CB02 Change of applicant information

Address after: American California

Applicant after: Applied Materials Inc.

Address before: American California

Applicant before: Applied Materials Inc.

C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20130327

Termination date: 20180821

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee